KR20200095402A - 멀티플렉서 및 통신 장치 - Google Patents

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Abstract

안정된 아이솔레이션 특성을 갖는 멀티플렉서를 제공한다.
멀티플렉서(1)는, 공통 단자(100)에 접속된 송신 필터(10) 및 수신 필터(40)와, 공통 단자(100)에 접속된 인덕터 Lm과, 송신 필터(10) 및 수신 필터(40)를 실장하고, 유전체층(51 내지 56)을 포함하는 다층 기판(50)을 구비하고, 송신 필터(10)는, 공통 단자(100)와 송신 단자(110)를 잇는 경로 및 병렬 암 단자 t2에 접속된 병렬 암 공진자 p2와, 병렬 암 단자 t2 및 그라운드에 접속된 인덕터 L2를 갖고, 인덕터 Lm은, 유전체층(53)에 형성된 코일 패턴 Lm3과 유전체층(54)에 형성된 코일 패턴 Lm4를 포함하고, 인덕터 L2는, 유전체층(53)에 형성되어, 코일 패턴 Lm3과 자계 결합하는 코일 패턴 L23을 포함하고, 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값은 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 크다.

Description

멀티플렉서 및 통신 장치{MULTIPLEXER AND COMMUNICATION APPARATUS}
본 발명은 멀티플렉서 및 통신 장치에 관한 것이다.
근년의 휴대 전화에는, 일 단말기로 복수의 주파수 대역(멀티밴드)에 대응할 것이 요구되고 있다. 이에 대응하기 위하여 하나의 안테나 바로 아래에는, 복수의 주파수 대역의 고주파 신호를 분파 및/또는 합파하는 멀티플렉서가 배치된다. 이 멀티플렉서는, 각 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 복수의 필터가 공통 단자에 접속된 구성을 갖는다.
특허문헌 1에는, 송신 필터 및 수신 필터가 외부 접속 단자에 공통 접속된 멀티플렉서(고주파 모듈)가 개시되어 있다. 특허문헌 1에 개시된 고주파 모듈에서는, 래더형의 탄성파 필터(송신 필터)의 병렬 암 공진자와 그라운드 사이에 접속된 제1 인덕터와, 외부 접속 단자에 접속된 제2 인덕터를 유도성 결합(자계 결합)시키고 있다. 제1 인덕터 및 제2 인덕터의 각각은, 다층 기판에 형성된 복수의 코일 패턴으로 구성되어 있다. 제1 인덕터와 제2 인덕터의 자계 결합을 실현시키기 위하여, 제1 인덕터를 구성하는 코일 패턴과 제2 인덕터를 구성하는 코일 패턴을 근접 배치시킨다. 이것에 의하여 송신 필터의 감쇠 특성 및 송신 필터와 수신 필터의 아이솔레이션 특성을 개선하는 것이 가능해진다.
일본 특허 공개 제2015-33080호 공보
그러나 특허문헌 1에 개시된 고주파 모듈과 같이, 다층 기판에 형성된 코일 패턴끼리를 근접시켜 인덕터끼리의 자계 결합을 실현시키는 경우, 다층 기판의 제조 시의 치수 정밀도 및 물성값 등의 변동에 따라 인덕터끼리의 자계 결합도가 변동되어 버린다. 이 자계 결합도의 변동에 기인하여 필터 간의 아이솔레이션 특성이 변동되어 버린다는 문제가 있다.
그래서 본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 자계 결합도의 변동이 억제되어 안정된 아이솔레이션 특성을 갖는 멀티플렉서 및 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 양태에 따른 멀티플렉서는, 공통 단자, 제1 단자 및 제2 단자와, 상기 공통 단자와 상기 제1 단자 사이에 배치되어, 제1 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 제1 필터와, 상기 공통 단자와 상기 제2 단자 사이에 배치되어, 상기 제1 주파수 대역과 상이한 제2 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 제2 필터와, 상기 공통 단자에 접속된 제1 인덕터와, 상기 제1 필터 및 상기 제2 필터를 실장하고, 도체 패턴이 형성된 복수의 유전체층의 적층체로 구성된 다층 기판을 구비하고, 상기 제1 필터는, 상기 공통 단자와 상기 제1 단자를 잇는 제1 경로와 제1 병렬 암 단자와의 사이에 접속된 제1 병렬 암 공진자와, 상기 제1 병렬 암 단자와 그라운드 사이에 접속된 제2 인덕터를 갖고, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터 중 한쪽은, 상기 복수의 유전체층 중의 제1 유전체층에 형성된 제1 코일 패턴과, 상기 제1 유전체층과 상이한 제2 유전체층에 형성된 제2 코일 패턴을 포함하고, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터 중 다른 쪽은, 상기 제1 유전체층에 형성되어, 상기 제1 코일 패턴과 자계 결합하는 제3 코일 패턴을 포함하고, 상기 제2 코일 패턴의 인덕턴스값은 상기 제1 코일 패턴의 인덕턴스값보다도 크다.
본 발명에 의하면, 자계 결합도의 변동이 억제되어 안정된 아이솔레이션 특성을 갖는 멀티플렉서 및 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시 형태에 따른 멀티플렉서의 회로 구성도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 멀티플렉서의 단면 구성도이다.
도 3a는 실시 형태에 따른 멀티플렉서의 다층 기판의 각 층에 있어서의 도체 패턴을 도시하는 도면이다.
도 3b는 비교예에 따른 멀티플렉서의 다층 기판의 각 층에 있어서의 도체 패턴을 도시하는 도면이다.
도 4는 실시예 및 비교예에 따른 멀티플렉서의 통과 특성 및 크로스아이솔레이션 특성의 전형예를 나타내는 그래프이다.
도 5a는 실시 형태에 따른 멀티플렉서의 크로스아이솔레이션 특성 및 감쇠 특성의 변동을 나타내는 그래프이다.
도 5b는 비교예에 따른 멀티플렉서의 크로스아이솔레이션 특성 및 감쇠 특성의 변동을 나타내는 그래프이다.
도 6은 실시 형태 2에 따른 통신 장치의 회로 구성도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 이용하여 상세히 설명한다. 또한 이하에서 설명하는 실시예는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시예에서 나타나는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정한다는 주지는 아니다. 이하의 실시예에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한 도면에 도시되는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지는 않다.
(실시 형태 1)
[1. 멀티플렉서(1)의 회로 구성]
도 1은, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 회로 구성도이다. 동 도면에 도시한 바와 같이 멀티플렉서(1)는 공통 단자(100), 송신 단자(110 및 130)와 수신 단자(120 및 140)와 송신 필터(10 및 30)와 수신 필터(20 및 40)와 인덕터 Lm을 구비한다.
송신 필터(10)는, 송신 단자(110)(제1 단자)와 출력 단자(111) 사이에 배치되어, BandA의 송신 대역(제1 주파수 대역)을 통과 대역으로 하는 제1 필터이다. 출력 단자(111)는 공통 단자(100)에 접속되어 있다.
송신 필터(10)는 직렬 암 공진자 s1, s2 및 s3과 병렬 암 공진자 p1, p2 및 p3과 인덕터 L1 및 L2를 구비한다.
직렬 암 공진자 s1 내지 s3은, 공통 단자(100)와 송신 단자(110)를 잇는 제1 경로 상에 배치되어 있다.
병렬 암 공진자 p1은 상기 제1 경로와 병렬 암 단자 t1 사이에 접속되어 있다. 병렬 암 공진자 p2는, 상기 제1 경로와 병렬 암 단자 t2(제1 병렬 암 단자) 사이에 접속된 제1 병렬 암 공진자이다. 병렬 암 공진자 p3은 상기 제1 경로와 병렬 암 단자 t2(제1 병렬 암 단자) 사이에 접속되어 있다.
인덕터 L1은, 일 단부가 병렬 암 단자 t1에 접속되고 타 단부가 그라운드에 접속되어 있다. 인덕터 L2는, 일 단부가 병렬 암 단자 t2에 접속되고 타 단부가 그라운드에 접속된 제2 인덕터이다.
상기 구성에 의하면, 송신 필터(10)는, 직렬 암 공진자 및 병렬 암 공진자를 포함하는 래더형의 대역 통과 필터를 구성하고 있다. 인덕터 L1 및 L2의 배치에 따라 송신 필터(10)의 감쇠극의 주파수 및 감쇠량, 그리고 통과 대역 내의 삽입 손실 및 리플을 조정하는 것이 가능해진다.
또한 송신 필터(10)에 있어서, 인덕터 L1은 없어도 된다. 또한 인덕터 L2는 병렬 암 공진자 p2 및 p3의 양쪽에 접속되어 있지 않아도 되며, 병렬 암 공진자 p2 및 p3 중 한쪽에만 접속되어 있어도 된다. 또는 인덕터 L2는 병렬 암 공진자 p1, p2 및 p3에 공통적으로 접속되어 있어도 된다.
또한 송신 필터(10)는, 탄성 표면파 필터, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 이용한 탄성파 필터, LC 공진 필터 및 유전체 필터 중 어느 것이어도 된다. 또한 탄성 표면파에는, 예를 들어 표면파, 러브파, 리키파, 레일리파, 경계파, 누설 SAW, 의사 SAW, 판파도 포함된다.
또한 송신 필터(10)는 적어도 병렬 암 공진자 p2 또는 p3, 및 인덕터 L2를 구비하고 있으면 되며, 직렬 암 공진자 s1 내지 s3, 병렬 암 공진자 p1 및 인덕터 L1을 구비하고 있지 않아도 된다.
수신 필터(20)는, 입력 단자(121)와 수신 단자(120) 사이에 배치되어, BandA의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 입력 단자(121)는 공통 단자(100)에 접속되어 있다.
수신 필터(20)는, 탄성 표면파 필터, BAW를 이용한 탄성파 필터, LC 공진 필터 및 유전체 필터 중 어느 것에 한정되지 않으며, 그 외, LC 필터 등이어도 되고, 필터 구조는 임의이다.
또한 송신 필터(10)와 수신 필터(20)는, BandA의 고주파 신호를 동시에 송수신 가능한 듀플렉서여도 된다.
송신 필터(30)는, 송신 단자(130)와 출력 단자(131) 사이에 배치되어, BandB의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 출력 단자(131)는 공통 단자(100)에 접속되어 있다.
또한 송신 필터(30)는, 탄성 표면파 필터, BAW를 이용한 탄성파 필터, LC 공진 필터 및 유전체 필터 중 어느 것에 한정되지 않으며, 그 외, LC 필터 등이어도 되고, 필터 구조는 임의이다.
수신 필터(40)는, 입력 단자(141)와 수신 단자(140)(제2 단자) 사이에 배치되어, BandA와 상이한 BandB의 수신 대역(제2 주파수 대역)을 통과 대역으로 하는 제2 필터이다. 입력 단자(141)는 공통 단자(100)에 접속되어 있다.
수신 필터(40)는, 탄성 표면파 필터, BAW를 이용한 탄성파 필터, LC 공진 필터 및 유전체 필터 중 어느 것에 한정되지 않으며, 그 외, LC 필터 등이어도 되고, 필터 구조는 임의이다.
또한 송신 필터(30)와 수신 필터(40)는, BandB(제2 주파수 대역)의 고주파 신호를 동시에 송수신 가능한 듀플렉서여도 된다.
인덕터 Lm(제1 인덕터)은, 공통 단자(100)와 그라운드 사이에 배치된 제1 인덕터이며, 공통 단자(100)에 접속된 외부 회로와 송신 필터(10 및 30) 및 수신 필터(20 및 40)와의 임피던스 정합을 취하는 소자이다. 또한 인덕터 Lm은, 공통 단자(100)와 출력 단자(111 및 131) 및 입력 단자(121 및 141)와의 사이에 직렬 배치되어 있어도 된다.
여기서, 송신 필터(10)의 인덕터 L2와 인덕터 Lm은 자계 결합되어 있다. 이것에 의하면 송신 필터(10)의 통과 특성은, 송신 단자(110), 직렬 암 공진자 s3, s2, s1, 출력 단자(111), 공통 단자(100)라고 하는 주 경로로 고주파 신호가 전송되는 전송 특성과, 송신 단자(110), 병렬 암 공진자 p2 및 p3, 인덕터 L2, 인덕터 Lm, 공통 단자(100)라고 하는 부경로로 고주파 신호가 전송되는 전송 특성이 합성된 특성으로 된다. 이때, 송신 필터(10)의 통과 특성에 있어서, 부경로에 있어서의 상기 자계 결합의 결합도가 조정됨으로써 원하는 주파수 대역에 감쇠극을 형성할 수 있다. 따라서 송신 필터(10)의 감쇠 특성을 개선할 수 있다. 또한 상기 감쇠 특성의 개선에 수반하여 송신 필터(10)와 수신 필터(40) 사이의 크로스아이솔레이션 특성, 또는 송신 필터(10)와 수신 필터(20) 사이의 아이솔레이션 특성을 개선할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)에 있어서, 송신 필터(30)와, 수신 필터(20 및 40) 중 어느 한쪽은, 필수적인 구성 요소는 아니다.
상기 회로 구성에 의하면, 멀티플렉서(1)는 BandA의 고주파 송신 신호와 BandA의 고주파 수신 신호를 동시에 송수신하는 것이 가능하다. 또한 BandB의 고주파 송신 신호와 BandB의 고주파 수신 신호를 동시에 송수신하는 것이 가능하다. 나아가, BandA의 고주파 신호와 BandB의 고주파 신호를 동시에 송신, 동시에 수신 및 동시에 송수신(CA: 캐리어 애그리게이션)하는 것이 가능하다.
[2. 멀티플렉서(1)의 구조]
도 2는, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 단면 구성도이다. 동 도면에 도시한 바와 같이 멀티플렉서(1)는 다층 기판(50) 및 수지 부재(60)를 더 구비한다.
다층 기판(50)은, 제1 주면 및 제2 주면을 갖고, 도체 패턴이 형성된 복수의 유전체층(51 내지 56)의 적층체로 구성되어 있다. 다층 기판(50)의 제1 주면에는 송신 필터(10), 수신 필터(20)(도시하지 않음), 송신 필터(30)(도시하지 않음) 및 수신 필터(40)가 실장되어 있다.
다층 기판(50)으로서는, 예를 들어 저온 동시 소성 세라믹스(Low Temperature Co-fired Ceramics: LTCC) 기판 또는 프린트 기판 등이 이용된다.
송신 필터(10)는, 예를 들어 압전 기판과, 당해 압전 기판 상에 형성된 IDT(InterDigital Transducer) 전극으로 구성된 탄성 표면파 공진자를 포함한다. 압전 기판 상에 형성되어, IDT 전극에 접속된 접속 전극이, 다층 기판(50)의 제1 주면 상에 형성된 전극(11, 12 및 13)과 범프 또는 땜납 등을 통하여 페이스 다운 접속되어 있다. 또한 전극(12)은, 병렬 암 공진자 p2 및 p3에 접속되는 병렬 암 단자 t2에 상당한다.
수신 필터(40)는, 예를 들어 압전 기판과, 당해 압전 기판 상에 형성된 IDT 전극으로 구성된 탄성 표면파 공진자를 포함한다. 압전 기판 상에 형성되어, IDT 전극에 접속된 접속 전극이, 다층 기판(50)의 제1 주면 상에 형성된 전극(41, 42 및 43)과 범프 또는 땜납 등을 통하여 페이스 다운 접속되어 있다.
수지 부재(60)는 다층 기판(50)의 제1 주면 상에 배치되어, 송신 필터(10 및 30) 및 수신 필터(20 및 40)를 덮고 있으며, 상기 송신 필터 및 상기 수신 필터의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한 수지 부재(60)는, 본 발명에 따른 멀티플렉서에 필수적인 구성 요소는 아니다.
다층 기판(50)의 제2 주면에는 송신 단자(110), 수신 단자(120)(도시하지 않음), 송신 단자(130)(도시하지 않음), 수신 단자(140) 및 그라운드 전극(150G)이 형성되어 있다.
또한 도 2에 도시한 바와 같이 인덕터 Lm은, 유전체층(53)(제1 유전체층)에 형성된 코일 패턴 Lm3(제1 코일 패턴)과, 유전체층(53)과 상이한 유전체층(54)(제2 유전체층)에 형성된 코일 패턴 Lm4(제2 코일 패턴)를 갖고 있다. 또한 코일 패턴 Lm3 및 Lm4은 상이한 유전체층에 형성되고, 유전체층(51 내지 56) 중 어느 것에 형성되어 있으면 된다. 또한 인덕터 Lm을 구성하는 코일 패턴이 형성되는 유전체층은 2층에 한정되지 않으며, 3층 이상이어도 된다.
또한 송신 필터(10)의 인덕터 L2는 다층 기판(50)에 형성되어 있다. 인덕터 L2는, 유전체층(53)(제1 유전체층)에 형성된 코일 패턴 L23(제3 코일 패턴)과, 유전체층(53)과 상이한 유전체층(52)에 형성된 코일 패턴 L22를 갖고 있다. 또한 코일 패턴 L22 및 L23은 상이한 유전체층에 형성되고, 유전체층(51 내지 56) 중 어느 것에 형성되어 있으면 된다. 단, 코일 패턴 L23은, 코일 패턴 Lm3과 동일한 유전체층에 형성되어 있다. 인덕터 L2를 구성하는 코일 패턴 중 코일 패턴 L23 이외의 코일 패턴은 없어도 된다.
여기서, 코일 패턴 L23과 코일 패턴 Lm3은 동일한 유전체층(53)에 형성되어 있으며, 코일 패턴 L23과 코일 패턴 Lm3은 자계 결합되어 있다.
또한 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값은 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 크다.
인덕터 Lm과 인덕터 L2를 자계 결합시키기 위해서는 인덕터 Lm과 인덕터 L2를 근접 배치할 필요가 있다. 이 근접 배치를 실현하는 수단으로서, 다층 기판(50)에 있어서, 인덕터 Lm을 구성하는 코일 패턴과 인덕터 L2를 구성하는 코일 패턴을 동일한 유전체층에 형성하고 이들의 거리를 조정하는 것을 들 수 있다.
그러나 복수의 유전체층으로 구성된 다층 기판에 인덕터를 형성하는 경우, 다층 기판의 제조 시의 치수 정밀도 및 물성값 등의 변동에 따라 인덕터의 인덕턴스값이 변동되어 버린다. 인덕터의 인덕턴스값이 변동되면 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합도가 변동된다. 이것에 기인하여 필터의 감쇠 특성, 필터 간의 아이솔레이션 특성이 변동되어 버린다는 문제가 있다.
이에 대하여, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 구성에 의하면, 인덕터 Lm과 인덕터 L2를 자계 결합시키는 것에 있어서, 동일한 유전체층(53)에 형성된 코일 패턴 L23과 코일 패턴 Lm3을 자계 결합시키지만 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값을 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 크게 설정하고 있다. 즉, 인덕터 Lm을 구성하는 코일 패턴 Lm3 및 Lm4 중, 인덕턴스값이 작은 코일 패턴 Lm3을 인덕터 L2와 자계 결합시키고 있다. 제조 시의 인덕턴스값의 변동은, 인덕턴스값의 절댓값이 클수록 크다. 즉, 인덕터 L2와 자계 결합시키는 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값이 작을수록 자계 결합도의 변동은 작아진다.
이 관점에서, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)와 같이 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값을 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값보다도 작게 함으로써 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합도의 변동을 억제할 수 있다. 따라서 안정된 송신 필터(10)의 감쇠 특성, 및 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(40)의 크로스아이솔레이션 특성 또는 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(20)의 아이솔레이션 특성을 실현할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 자계 결합시키는 인덕터 Lm 및 인덕터 L2 중, 인덕터 Lm을 구성하는 코일 패턴의 인덕턴스값의 크기를 규정하였지만, 인덕터 L2를 구성하는 코일 패턴의 인덕턴스값의 크기를 규정해도 된다.
즉, 도 2에 있어서, 인덕터 Lm은, 유전체층(53)에 형성된 코일 패턴 Lm3(제3 코일 패턴)과, 유전체층(54)에 형성된 코일 패턴 Lm4를 갖고 있다. 인덕터 L2는, 유전체층(53)(제1 유전체층)에 형성된 코일 패턴 L23(제1 코일 패턴)과, 유전체층(53)과 상이한 유전체층(52)(제2 유전체층)에 형성된 코일 패턴 L22(제2 코일 패턴)를 갖고 있다.
여기서, 코일 패턴 L23과 코일 패턴 Lm3은 동일한 유전체층(53)에 형성되어 있으며, 코일 패턴 L23과 코일 패턴 Lm3은 자계 결합되어 있다. 이때, 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값을 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 크게 설정하는 대신, 코일 패턴 L22의 인덕턴스값을 코일 패턴 L23의 인덕턴스값보다도 크게 설정해도 된다.
이것에 의하면, 코일 패턴 L23의 인덕턴스값을 코일 패턴 L22의 인덕턴스값보다도 작게 함으로써 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합도의 변동을 억제할 수 있다. 따라서 안정된 송신 필터(10)의 감쇠 특성, 및 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(40)의 크로스아이솔레이션 특성 또는 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(20)의 아이솔레이션 특성을 실현할 수 있다.
또한 상기 구성의 경우, 코일 패턴 L22 및 L23은 상이한 유전체층에 형성되고, 유전체층(51 내지 56) 중 어느 것에 형성되어 있으면 된다. 또한 인덕터 L2를 구성하는 코일 패턴이 형성되는 유전체층은 2층에 한정되지 않으며, 3층 이상이어도 된다. 또한 코일 패턴 Lm3 및 Lm4은 상이한 유전체층에 형성되고, 유전체층(51 내지 56) 중 어느 것에 형성되어 있으면 된다. 단, 코일 패턴 Lm3은, 코일 패턴 L23과 동일한 유전체층에 형성되어 있다. 인덕터 Lm을 구성하는 코일 패턴 중 코일 패턴 Lm3 이외의 코일 패턴은 없어도 된다.
또한 본 실시 형태에서는, 자계 결합시키는 인덕터 Lm 및 인덕터 L2 중, 인덕터 Lm을 구성하는 코일 패턴의 인덕턴스값의 크기를 규정하였지만, 또한 인덕터 L2를 구성하는 코일 패턴의 인덕턴스값의 크기도 규정해도 된다.
즉, 도 2에 있어서, 인덕터 Lm은, 유전체층(53)에 형성된 코일 패턴 Lm3과, 유전체층(54)에 형성된 코일 패턴 Lm4를 갖고 있다. 인덕터 L2는, 유전체층(53)에 형성된 코일 패턴 L23과, 유전체층(53)과 상이한 유전체층(52)에 형성된 코일 패턴 L22를 갖고 있다.
여기서, 코일 패턴 L23과 코일 패턴 Lm3은 동일한 유전체층(53)에 형성되어 있으며, 코일 패턴 L23과 코일 패턴 Lm3은 자계 결합되어 있다. 이때, 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값은 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 크고, 또한 코일 패턴 L22의 인덕턴스값은 코일 패턴 L23의 인덕턴스값보다도 크다.
이것에 의하면, 코일 패턴 L23의 인덕턴스값을 코일 패턴 L22의 인덕턴스값보다도 작게 하고, 또한 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값을 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값보다도 작게 함으로써, 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합도의 변동을 더 억제할 수 있다. 따라서 보다 안정된 송신 필터(10)의 감쇠 특성, 및 보다 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(40)의 크로스아이솔레이션 특성 또는 보다 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(20)의 아이솔레이션 특성을 실현할 수 있다.
[3. 실시예 및 비교예에 따른 멀티플렉서의 비교]
도 3a는, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 다층 기판(50)의 각 층에 있어서의 도체 패턴을 도시하는 도면이다. 도 3b는, 비교예에 따른 멀티플렉서의 다층 기판(50)의 각 층에 있어서의 도체 패턴을 도시하는 도면이다. 도 2의 단면 구성도는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ선의 단면도이고, 도 3a에는, 도 2에 도시된 다층 기판(50)의 유전체층(51 내지 56) 중, 유전체층(51 내지 54 및 56)을 제1 주면측에서 평면으로 본 경우의 도체 패턴의 레이아웃이 도시되어 있다. 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)와 비교예에 따른 멀티플렉서는, 도 1에 도시된 동일한 회로 구성을 갖지만, 인덕터 Lm을 구성하는 코일 패턴의 배치 구성이 상이하다.
또한 도 3a 및 도 3b의 유전체층(52 내지 54 및 56)의 도체 패턴의 레이아웃에서는, 각 층의 도체 패턴을 접속하는 비아 도체 패턴 및 그라운드 도체 패턴을 생략하고 있는 경우가 있다.
실시 형태 및 비교예에 따른 멀티플렉서의 양쪽에 있어서, 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이 송신 필터(10 및 30) 및 수신 필터(20 및 40)는, 유전체층(51)에 형성된 전극과 접속되어 있다. 송신 필터(10)의 출력 단자(111), 수신 필터(20)의 입력 단자(121), 송신 필터(30)의 출력 단자(131), 및 수신 필터(40)의 입력 단자(141)는, 유전체층(52)에 형성된 공통 전극(101)과 접속되어 있다.
또한 유전체층(52)에 형성된 공통 전극(101)은, 유전체층(53)에 형성된 인덕터 Lm의 코일 패턴 Lm3과 접속되어 있다. 또한 유전체층(53)에 형성된 코일 패턴 Lm3은, 유전체층(54)에 형성된 인덕터 Lm의 코일 패턴 Lm4와 접속되어 있다. 유전체층(54)에 형성된 코일 패턴 Lm4은 비아 도체를 통하여, 유전체층(56)에 형성된 그라운드 전극(150G)과 접속되어 있다.
또한 유전체층(51)에 형성된 전극(12)은, 유전체층(52)에 형성된 인덕터 L2의 코일 패턴 L22와 접속되어 있다. 또한 유전체층(52)에 형성된 코일 패턴 L22는, 유전체층(53)에 형성된 인덕터 L2의 코일 패턴 L23과 접속되어 있다. 또한 유전체층(53)에 형성된 코일 패턴 L23은 비아 도체를 통하여, 유전체층(56)에 형성된 그라운드 전극(150G)과 접속되어 있다.
여기서, 도 3b에 도시한 바와 같이, 비교예에 따른 멀티플렉서에서는, 코일 패턴 Lm4의 턴(turn) 수는 코일 패턴 Lm3의 턴 수보다도 적다. 이 구성에 의하여 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값은 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 작다. 이 때문에, 인덕터 L2와 자계 결합되는 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값이 상대적으로 크게 설정되므로 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합도의 변동은 커진다.
이에 대하여, 도 3a에 도시한 바와 같이, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)에서는, 코일 패턴 Lm4의 턴 수는 코일 패턴 Lm3의 턴 수보다도 많다. 이 구성에 의하여 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값은 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 커진다. 즉, 인덕터 L2와 자계 결합되는 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값이 상대적으로 작게 설정되므로, 비교예에 따른 멀티플렉서와 비교하여 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합도의 변동은 작아진다. 따라서 안정된 송신 필터(10)의 감쇠 특성, 및 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(40)의 크로스아이솔레이션 특성 또는 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(20)의 아이솔레이션 특성을 실현할 수 있다.
또한 코일 패턴 Lm4의 선 폭은 코일 패턴 Lm3의 선 폭보다도 가늘어도 된다. 이것에 의하여 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값을 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 크게 설정할 수 있다.
또한 코일 패턴 Lm4의 최대 감기 직경은 코일 패턴 Lm3의 최대 감기 직경보다도 커도 된다. 이것에 의하여 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값을 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 크게 설정할 수 있다.
도 4는, 실시 형태 및 비교예에 따른 멀티플렉서의 통과 특성 및 크로스아이솔레이션 특성의 전형예를 나타내는 그래프이다. 도 4의 (a)에는, 실시 형태 및 비교예에 따른 각 필터의 통과 특성의 전형예가 나타나고, 도 4의 (b)에는, 실시 형태 및 비교예에 따른 송신 필터(10)와 수신 필터(40)의 크로스아이솔레이션 특성의 전형예가 나타나 있다.
또한 본 실시 형태 및 비교예에 따른 멀티플렉서에 있어서, BandA로서 LTE(Long Term Evolution)의 Band1(송신 대역: 1920 내지 1980㎒, 수신 대역: 2110 내지 2170㎒)이 적용된다. 또한 BandB로서 LTE의 Band3(송신 대역: 1710 내지 1785㎒, 수신 대역: 1805 내지 1880㎒)이 적용된다.
도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, 송신 필터(10)의 통과 특성(송신 단자(110)-공통 단자(100) 간), 수신 필터(20)의 통과 특성(공통 단자(100)-수신 단자(120) 간), 송신 필터(30)의 통과 특성(송신 단자(130)-공통 단자(100) 간), 및 수신 필터(40)의 통과 특성(공통 단자(100)-수신 단자(140) 간)에 있어서, 모두 통과 대역 내의 저손실성이 확보되어 있다.
또한 도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, 송신 필터(10)와 수신 필터(40) 사이의 크로스아이솔레이션 특성(송신 단자(110)-수신 단자(140) 간)에서는, 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합에 의하여, Band3의 수신 대역(1805 내지 1880㎒) 및 Band1의 송신 대역(1920 내지 1980㎒)에 있어서 55㏈ 이상의 아이솔레이션이 확보되어 있다.
도 5a는, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 크로스아이솔레이션 특성 및 감쇠 특성의 변동을 나타내는 그래프이다. 또한 도 5b는, 비교예에 따른 멀티플렉서의 크로스아이솔레이션 특성 및 감쇠 특성의 변동을 나타내는 그래프이다.
도 5a의 (a)에는, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 3개의 샘플에 있어서의 송신 필터(10)와 수신 필터(40) 사이의 크로스아이솔레이션 특성이 나타나 있다. 또한 도 5a의 (b)에는, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 상기 3개의 샘플에 있어서의 송신 필터(10)의 통과 특성이 나타나 있다. 또한 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 상기 3개의 샘플은, 동일한 제조 로트에 있어서, 송신 필터(10)의 통과 특성에 있어서의 감쇠극(도 5a의 (b)의 파선 프레임 내의 감쇠극)의 주파수가 최고인 샘플, 당해 감쇠극의 주파수가 중앙인 샘플, 당해 감쇠극의 주파수가 최저인 샘플을 추출하고 있다. 또한 상기 감쇠극은, 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합에 의하여 형성되는 것이다.
도 5b의 (a)에는, 비교예에 따른 멀티플렉서에 3개의 샘플에 있어서의 송신 필터(10)와 수신 필터(40) 사이의 크로스아이솔레이션 특성이 나타나 있다. 또한 도 5b의 (b)에는, 비교예에 따른 멀티플렉서의 상기 3개의 샘플에 있어서의 송신 필터(10)의 통과 특성이 나타나 있다. 또한 비교예에 따른 멀티플렉서의 상기 3개의 샘플(샘플 1, 샘플 2, 샘플 3)은, 동일한 제조 로트에 있어서 무작위로 추출한 것이다. 또한 도 5b의 (b)의 파선 프레임 내의 감쇠극은, 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합에 의하여 형성되는 것이다.
도 5b의 (b)에 나타낸 바와 같이, 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합에 의하여 형성되는 감쇠극의 주파수는 3개의 샘플 간에서 변동되고 있다. 이것에 기인하여, 도 5b의 (a)에 나타낸 바와 같이, 송신 필터(10)와 수신 필터(40) 사이의 크로스아이솔레이션 특성에 있어서, Band3의 수신 대역(1805 내지 1880㎒)의 고주파 단부의 삽입 손실이 변동되고 있다. 즉, 도 5b의 (b)에 나타난 감쇠극의 주파수가 고주파측으로 시프트하고 있는 샘플 2 및 3에 있어서, 도 5b의 (a)에 나타난 Band3의 수신 대역의 고주파 단부의 삽입 손실이 작게 되어 있다. 이 때문에 Band3의 수신 대역(1805 내지 1880㎒)에 있어서의 크로스아이솔레이션이 55㏈ 이하로 되어 있다. 즉, 비교예에 따른 멀티플렉서에서는, 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합의 변동에 기인하여 크로스아이솔레이션 특성이 열화된다.
이에 대하여, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)에서는, 동일한 제조 로트 중, 감쇠극의 주파수의 변동이 최대로 되도록 3개의 샘플을 추출하더라도, 도 5a의 (b)에 나타난 감쇠극의 주파수 변동이 상대적으로 작다. 이것에 기인하여, 도 5a의 (a)에 나타낸 바와 같이, 송신 필터(10)의 감쇠 특성 및 송신 필터(10)와 수신 필터(40)의 크로스아이솔레이션 특성의 변동도 작으며, Band3의 수신 대역에 있어서의 크로스아이솔레이션은 55㏈ 이상을 확보하고 있다.
도 5a 및 도 5b의 특성 비교로부터, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)와 같이 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값을 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값보다도 작게 함으로써 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합도의 변동을 억제할 수 있다. 따라서 안정된 송신 필터(10)의 감쇠 특성, 및 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(40)의 크로스아이솔레이션 특성을 실현할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 송신 필터(10)와 수신 필터(40) 사이의 크로스아이솔레이션 특성의 변동을 개선하는 구성을 나타내었지만, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)는, 송신 필터(10)와 수신 필터(20) 사이의 아이솔레이션 특성의 변동을 개선하는 경우에도 적용 가능하다. 이 경우에는 송신 필터(10)가 제1 필터에 상당하고, 수신 필터(20)가 제2 필터에 상당하고, 제1 주파수 대역이 BandA의 송신 대역에 상당하고, 제2 주파수 대역이 BandA의 수신 대역에 상당한다.
또한 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)는, BandA로서 LTE의 Band25(송신 대역: 1850 내지 1915㎒, 수신 대역: 1930 내지 1995㎒)가 적용되어도 된다. 또한 BandB로서 LTE의 Band66(송신 대역: 1710 내지 1780㎒, 수신 대역: 2110 내지 2200㎒)이 적용되어도 된다. 이 경우, 예를 들어 Band66의 수신 대역(2110 내지 2200㎒) 및 Band25의 송신 대역(1850 내지 1915㎒)에 있어서 양호한 크로스아이솔레이션 특성을 실현할 수 있다.
(실시 형태 2)
본 실시 형태에서는, 실시 형태 1에 따른 멀티플렉서(1)에 대하여, 또한, CA를 실행하는 주파수 대역의 조합을 선택하기 위한 스위치 회로가 부가된 멀티플렉서(1A), 및 멀티플렉서(1A)를 포함하는 통신 장치(6)에 대하여 나타낸다.
도 6은, 실시 형태 2에 따른 통신 장치(6)의 회로 구성도이다. 동 도면에 도시한 바와 같이 통신 장치(6)는 멀티플렉서(1A)와 송신 증폭 회로(3T)와 수신 증폭 회로(3R)와 RF 신호 처리 회로(RFIC)(4)와 기저 대역 신호 처리 회로(BBIC)(5)를 구비한다.
멀티플렉서(1A)는, 실시 형태 1에 따른 멀티플렉서(1)의 구성 요소에 더해, 송신 필터(15)와 수신 필터(25)와 송수신 필터(16 및 35)와 스위치 회로(70)와 스위치(73 및 74)와 다이플렉서(80)를 더 구비한다. 인덕터 Lm은 공통 단자(100)와 다이플렉서(80) 사이에 직렬 배치되어 있어도 된다.
송신 필터(10)는, 송신 증폭 회로(3T)와 스위치 회로(70) 사이에 배치되어, BandA의 송신 대역(제1 주파수 대역)을 통과 대역으로 하는 제1 필터이다.
수신 필터(20)는, 스위치 회로(70)와 수신 증폭 회로(3R) 사이에 배치되어, BandA의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
송신 필터(30)는, 송신 증폭 회로(3T)와 스위치 회로(70) 사이에 배치되어, BandB의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
수신 필터(40)는, 스위치 회로(70)와 수신 증폭 회로(3R) 사이에 배치되어, BandB의 수신 대역(제2 주파수 대역)을 통과 대역으로 하는 필터이다.
송신 필터(15)은, 송신 증폭 회로(3T)와 스위치 회로(70) 사이에 배치되어, BandD의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
수신 필터(25)는, 스위치 회로(70)와 수신 증폭 회로(3R) 사이에 배치되어, BandD의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
송수신 필터(16)는, 스위치 회로(70)와 스위치(74) 사이에 배치되어, BandE의 송수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
송수신 필터(35)는, 스위치 회로(70)와 스위치(73) 사이에 배치되어, BandC의 송수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
스위치 회로(70)는 스위치(71 및 72)로 구성되어 있다. 스위치(71)는, 송신 필터(30) 및 수신 필터(40)와 다이플렉서(80)의 접속, 그리고 송수신 필터(35)와 다이플렉서(80)의 접속을 배타적으로 전환한다. 스위치(71)는, 예를 들어 SPDT(Single Pole Double Throw)형의 스위치이다. 스위치(72)는, 송신 필터(10) 및 수신 필터(20)와 다이플렉서(80)의 접속, 송신 필터(15) 및 수신 필터(25)와 다이플렉서(80)의 접속, 그리고 송수신 필터(16)와 다이플렉서(80)의 접속을 배타적으로 전환한다. 스위치(72)는, 예를 들어 SP3T(Single Pole 3 Throw)형의 스위치이다.
스위치(73)는, 송수신 필터(35)와 송신 증폭 회로(3T)의 접속, 및 송수신 필터(35)와 수신 증폭 회로(3R)의 접속을 배타적으로 전환한다. 스위치(73)는, 예를 들어 SPDT형의 스위치이다. 스위치(74)는, 송수신 필터(16)와 송신 증폭 회로(3T)의 접속, 및 송수신 필터(16)와 수신 증폭 회로(3R)의 접속을 배타적으로 전환한다. 스위치(74)는, 예를 들어 SPDT형의 스위치이다.
스위치 회로(70)의 상기 구성에 의하면, 멀티플렉서(1A)는 BandB 및 BandC 중 어느 쪽의 고주파 신호와, BandA, BandD 및 BandE 중 어느 쪽의 고주파 신호를 동시 송신, 동시 수신 또는 동시 송수신하는 것이 가능하다.
또한 스위치 회로(70)는, 2개의 스위치(71 및 72)로 구성되어 있는 것에 한정되지 않으며, 2 이상의 경로를 동시에 접속할 수 있는 회로이면 되고, 예를 들어 복수 개의 SPST(Sigle Pole Single Throw)형 스위치가 병렬 배치되어 있는 구성이어도 된다.
다이플렉서(80)는 공통 단자(100)와 스위치 회로(70) 사이에 배치되며, 저역 통과 필터와 고역 통과 필터를 갖고 있다. 저역 통과 필터는 공통 단자(100) 및 스위치(71)에 접속되며, BandB 및 BandC를 포함하는 저주파측 대역 군의 고주파 신호를 통과시킨다. 고역 통과 필터는 공통 단자(100) 및 스위치(72)에 접속되며, BandA, BandD 및 BandE를 포함하는 고주파측 대역 군의 고주파 신호를 통과시킨다. 이 구성에 의하여 다이플렉서(80)는 저주파측 대역 군의 고주파 신호와 고주파측 대역 군의 고주파 신호를 분파 및 합파한다.
또한 다이플렉서(80)는, 멀티플렉서(1A)에 필수적인 구성 요소는 아니다. 또한 다이플렉서(80)는, 본 실시 형태와 같이 2개의 주파수 대역 군의 고주파 신호를 분파 및 합파하는 것 외에, 3개 이상의 주파수 대역 군을 분파 및 합파하는 멀티플렉서여도 된다.
또한 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1A)가 전송하는 주파수 대역의 수는 BandA 내지 BandE의 5개에 한정되지 않으며, 2 이상의 주파수 대역이면 된다.
본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1A)는, 실시 형태 1에 따른 멀티플렉서(1)와 마찬가지로, 인덕터 Lm과 송신 필터(10)의 인덕터 L2를 자계 결합시키는 것에 있어서, 동일한 유전체층(53)에 형성된 코일 패턴 L23과 코일 패턴 Lm3을 자계 결합시키지만 코일 패턴 Lm4의 인덕턴스값을 코일 패턴 Lm3의 인덕턴스값보다도 크게 설정하고 있다. 즉, 인덕터 Lm을 구성하는 코일 패턴 Lm3 및 Lm4 중, 인덕턴스값이 작은 코일 패턴 Lm3을 인덕터 L2와 자계 결합시키고 있다.
이것에 의하여 인덕터 Lm과 인덕터 L2의 자계 결합도의 변동을 억제할 수 있다. 따라서 안정된 송신 필터(10)의 감쇠 특성, 및 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(40)의 크로스아이솔레이션 특성 또는 안정된 송신 필터(10)와 수신 필터(20)의 아이솔레이션 특성을 실현할 수 있다.
송신 증폭 회로(3T)는, RFIC(4)로부터 출력된 고주파 송신 신호를 증폭하고, 당해 증폭된 고주파 송신 신호를 멀티플렉서(1A)에 출력한다. 수신 증폭 회로(3R)는, 안테나 소자(2)에서 수신되어 멀티플렉서(1A)를 통과한 고주파 수신 신호를 증폭하고, 당해 증폭된 고주파 수신 신호를 RFIC(4)에 출력한다.
RFIC(4)는, 고주파 신호를 처리하여 송신 증폭 회로(3T)에 출력하고, 수신 증폭 회로(3R)로부터 출력된 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로이다. 구체적으로는, RFIC(4)는, 안테나 소자(2)로부터 멀티플렉서(1A) 및 수신 증폭 회로(3R)를 통하여 입력된 고주파 수신 신호를 다운컨버트 등에 의하여 신호 처리하고, 당해 신호 처리하여 생성된 고주파 수신 신호를 BBIC(5)에 출력한다. 또한 RFIC(4)는, BBIC(5)로부터 입력된 송신 신호를 업컨버트 등에 의하여 신호 처리하고, 당해 신호 처리하여 생성된 고주파 송신 신호를 송신 증폭 회로(3T) 및 멀티플렉서(1A)에 출력한다.
또한 본 실시 형태에서는, RFIC(4)는, 사용되는 밴드(주파수 대역)에 기초하여 멀티플렉서(1A)가 갖는 스위치(71 내지 74)의 접속을 제어하는 제어부로서의 기능도 갖는다. 구체적으로는, RFIC(4)는 제어 신호(도시하지 않음)에 의하여 스위치(71 내지 74)의 접속을 전환한다. 또한 제어부는 RFIC(4)의 외부에 마련되어 있어도 되며, 예를 들어 멀티플렉서(1A) 또는 BBIC(5)에 마련되어 있어도 된다.
상기 구성에 의하면, 멀티플렉서(1A)를 구성하는 각 필터의 감쇠 특성을 확보하면서 상이한 주파수 대역의 고주파 신호를 통과시키는 필터 간의 크로스아이솔레이션이 향상된 통신 장치(6)를 제공할 수 있다.
(그 외의 실시 형태)
이상, 본 발명에 따른 멀티플렉서 및 통신 장치에 대하여 실시 형태 1 및 2를 들어 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시 형태나, 상기 실시 형태에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 상도하는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 따른 멀티플렉서 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
또한, 예를 들어 실시 형태 1 및 2에 따른 멀티플렉서 및 통신 장치에 있어서, 각 구성 요소 간에 인덕터 및 커패시터 등의 정합 소자, 그리고 스위치 회로가 접속되어 있더라도 상관없다. 또한 인덕터에는, 각 구성 요소 간을 잇는 배선에 의한 배선 인덕터가 포함되어도 된다.
본 발명은, CA 모드의 실행이 가능한 멀티밴드 시스템에 적용할 수 있는 멀티플렉서 및 통신 장치로서 휴대 전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.
1, 1A: 멀티플렉서
2: 안테나 소자
3R: 수신 증폭 회로
3T: 송신 증폭 회로
4: RF 신호 처리 회로(RFIC)
5: 기저 대역 신호 처리 회로(BBIC)
6: 통신 장치
10, 15, 30: 송신 필터
11, 12, 13, 41, 42, 43: 전극
16, 35: 송수신 필터
20, 25, 40: 수신 필터
50: 다층 기판
51, 52, 53, 54, 55, 56: 유전체층
60: 수지 부재
70: 스위치 회로
71, 72, 73, 74: 스위치
80: 다이플렉서
100: 공통 단자
101: 공통 전극
110, 130: 송신 단자
111, 131: 출력 단자
120, 140: 수신 단자
121, 141: 입력 단자
150G: 그라운드 전극
L1, L2, Lm: 인덕터
L22, L23, Lm3, Lm4: 코일 패턴
p1, p2, p3: 병렬 암 공진자
s1, s2, s3: 직렬 암 공진자
t1, t2: 병렬 암 단자

Claims (9)

  1. 공통 단자, 제1 단자 및 제2 단자와,
    상기 공통 단자와 상기 제1 단자 사이에 배치되어, 제1 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 제1 필터와,
    상기 공통 단자와 상기 제2 단자 사이에 배치되어, 상기 제1 주파수 대역과 상이한 제2 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 제2 필터와,
    상기 공통 단자에 접속된 제1 인덕터와,
    상기 제1 필터 및 상기 제2 필터를 실장하고, 도체 패턴이 형성된 복수의 유전체층의 적층체로 구성된 다층 기판을 구비하고,
    상기 제1 필터는,
    상기 공통 단자와 상기 제1 단자를 잇는 제1 경로와 제1 병렬 암 단자와의 사이에 접속된 제1 병렬 암 공진자와,
    상기 제1 병렬 암 단자와 그라운드 사이에 접속된 제2 인덕터를 갖고,
    상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터 중 한쪽은,
    상기 복수의 유전체층 중의 제1 유전체층에 형성된 제1 코일 패턴과,
    상기 제1 유전체층과 상이한 제2 유전체층에 형성된 제2 코일 패턴을 포함하고,
    상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터 중 다른 쪽은,
    상기 제1 유전체층에 형성되어, 상기 제1 코일 패턴과 자계 결합하는 제3 코일 패턴을 포함하고,
    상기 제2 코일 패턴의 인덕턴스값은 상기 제1 코일 패턴의 인덕턴스값보다도 큰,
    멀티플렉서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 인덕터는,
    상기 제1 코일 패턴과,
    상기 제2 코일 패턴을 포함하고,
    상기 제2 인덕터는,
    상기 제3 코일 패턴을 포함하는,
    멀티플렉서.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 코일 패턴의 턴 수는 상기 제1 코일 패턴의 턴 수보다도 많은,
    멀티플렉서.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 코일 패턴의 선 폭은 상기 제1 코일 패턴의 선 폭보다도 가는,
    멀티플렉서.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 코일 패턴의 최대 감기 직경은 상기 제1 코일 패턴의 최대 감기 직경보다도 큰,
    멀티플렉서.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 주파수 대역은 LTE(Long Term Evolution)의 Band1에 포함되고,
    상기 제2 주파수 대역은 LTE의 Band3에 포함되고,
    상기 제1 필터는, Band1의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 송신 필터이고,
    상기 제2 필터는, Band3의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 수신 필터인,
    멀티플렉서.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 주파수 대역은 LTE의 Band25에 포함되고,
    상기 제2 주파수 대역은 LTE의 Band66에 포함되고,
    상기 제1 필터는, Band25의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 송신 필터이고,
    상기 제2 필터는, Band66의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 수신 필터인,
    멀티플렉서.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 공통 단자와 상기 제1 필터 및 상기 제2 필터와의 사이에 배치되어, 상기 공통 단자와 상기 제1 필터의 접속 및 상기 공통 단자와 상기 제2 필터의 접속을 동시에 실행하는 것이 가능한 스위치 회로를 더 구비하는,
    멀티플렉서.
  9. 제1항 또는 제2항에 기재된 멀티플렉서와,
    상기 제1 단자 및 상기 제2 단자에 접속된 증폭 회로와,
    고주파 신호를 처리하여 상기 증폭 회로에 출력하고, 상기 증폭 회로로부터 출력된 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로를 구비하는,
    통신 장치.
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