KR20160148022A

KR20160148022A - 고주파 모듈

Info

Publication number: KR20160148022A
Application number: KR1020167033876A
Authority: KR
Inventors: 슈이치 오노데라; 코이치 우에노
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2014-07-01
Filing date: 2015-06-30
Publication date: 2016-12-23
Also published as: JPWO2016002737A1; JP6372568B2; KR101913186B1; WO2016002737A1; US9929770B2; CN106537793B; US20170111078A1; CN106537793A

Abstract

고주파 모듈을 대형화하지 않고 송신 전극에 입력되는 송신 신호의 주파수 대역외의 감쇠 특성을 향상시키고, 송신 필터 회로와 수신 필터 회로 사이의 아이솔레이션 특성의 향상을 도모할 수 있는 기술을 제공한다.
송신 필터 회로(14)의 특성 조정용 인덕터(L1)와 송신 필터 회로(14)의 출력 단자 측에 연결되는 공통 경로(6c, 16c), 정합 회로(3), 수신 필터 회로(15) 및 수신 경로(6b, 16b) 중 적어도 1개는 자계 결합 및/또는 전계 결합에 의해 전파 경로(WP)를 형성하도록 인덕터(L1)가 배치되어 있다. 따라서, 전파 경로(WP)를 형성하기 위해서 회로 소자를 추가할 필요가 없으므로, 고주파 모듈(1)을 대형화하지 않고 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호의 감쇠 특성을 향상시키고, 송신 필터 회로와 수신 필터 회로의 절연 특성의 향상을 도모할 수 있다.

Description

고주파 모듈{HIGH FREQUENCY MODULE}

본 발명은 송신 신호와 수신 신호를 분파하는 기능을 구비하는 고주파 모듈에 관한 것이다.

종래, 필터 회로를 구비하는 고주파 모듈이 제공되고, 예를 들면 도 14에 나타내는 필터 회로(500)가 고주파 모듈에 탑재되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 필터 회로(500)는 입력 단자(501)와 출력 단자(502) 사이에 접속된 필터부(503)와, 필터부(503)에 병렬로 접속된 경로(504)를 구비하고 있다. 그 때문에, 입력 단자(501)에 입력된 RF(Radio Frequency, 고주파) 신호가 통과하는 신호 경로가 필터부(503)의 경로와 경로(504)로 분기되어 있으므로, 입력 단자(501)에 RF 신호가 입력되면 제 1 신호(505)가 필터부(503)를 통과하고, 제 2 신호(506)가 경로(504)를 통과한다. 그리고, 필터부(503)를 통과한 제 1 신호(505)와 경로(504)를 통과한 제 2 신호(506)가 합성된 RF 신호가 출력 단자(502)로부터 출력된다.

필터부(503)는 소정의 통과 대역이 설정된 밴드 패스 필터에 의해 구성되고, 통과 대역의 RF 신호를 통과시켜 통과 대역외의 RF 신호를 감쇠시킨다. 그러나, 필터부(503)만으로는 통과 대역외의 RF 신호가 소망의 값까지 감쇠되지 않는 것이 있었다. 그 때문에, 경로(504)에는 인덕터나 커패시터로 구성된 보정 회로가 설치되어 있다. 그리고, 경로(504)를 통과하는 필터부(503)의 통과 대역외의 제 2 신호(506)의 위상과, 필터부(503)를 통과하고 또한 감쇠시키고 싶은 제 1 신호(505)의 위상이 필터부(503)의 통과 대역외의 주파수 대역에 있어서 역위상이 되고, 또한 이 필터부(503)의 통과 대역외의 주파수 대역에 있어서 제 1 신호(505)의 진폭과 제 2 신호(506)의 신호의 진폭이 동일하게 되도록 경로(504)의 임피던스가 설정되어 있다.

그 때문에, 필터부(503)의 출력측의 신호 라인과 경로(504)의 출력측의 신호 라인의 접속점에 있어서, 필터부(503)를 통과한 제 1 신호(505)와 경로(504)를 통과한 제 2 신호(506)가 필터부(503)의 통과 대역외의 주파수 대역에 있어서 상쇄되므로, 출력 단자(502)로부터 출력되는 상기 주파수 대역의 RF 신호가 감쇠된다. 따라서, 필터 회로(500)에 있어서의 통과 대역외의 RF 신호의 감쇠 특성이 향상한다. 또한, 필터 회로(500)의 통과 대역과 다른 통과 대역이 설정된 밴드 패스 필터에 의해 구성된 다른 필터 회로가 필터 회로(500)에 인접 배치되어 있는 경우에, 필터 회로(500)의 통과 대역외의 RF 신호가 출력 단자(502)로부터 출력되어 다른 필터 회로로 돌아 들어가는 것이 억제된다. 따라서, 인접 배치된 필터 회로(500)와 다른 필터 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.

일본 특허 공개 2012-109818호 공보(단락 [0019]∼[0023], 도 1, 요약서 등)

상기한 종래의 필터 회로(500)에서는 소정의 통과 대역외의 RF 신호의 감쇠 특성을 개선시키기 위해서, 필터부(503)를 통과하는 통과 대역외의 RF 신호와 역위상의 RF 신호를 생성하기 위한 보정 회로가 설치된 경로(504)를 필터부(503)와는 별도로 설치해야 한다. 따라서, 필터 회로(500)가 대형화하여 필터 회로(500)를 구비하는 고주파 모듈이 대형화된다는 문제가 있었다.

본 발명은 상기한 과제를 감안하여 이루어진 것이고, 고주파 모듈을 대형화하지 않고 송신 전극에 입력되는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호의 감쇠 특성을 향상시키고, 송신 필터 회로와 수신 필터 회로 사이의 아이솔레이션 특성의 향상을 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 고주파 모듈은 송신 신호가 입력되는 송신 전극과, 상기 송신 신호를 출력하고 수신 신호가 입력되는 공통 전극과, 상기 수신 신호를 출력하는 수신 전극과, 상기 송신 신호의 주파수 대역이 통과 대역으로서 설정된 송신 필터 회로 및 상기 송신 신호의 주파수 대역과 다른 상기 수신 신호의 주파수 대역이 통과 대역으로서 설정된 수신 필터 회로를 구비한 분파기와, 상기 송신 전극과 상기 송신 필터 회로의 입력 단자를 접속하는 송신 경로와, 상기 수신 전극과 상기 수신 필터 회로의 출력 단자를 접속하는 수신 경로와, 상기 공통 전극과, 상기 송신 필터 회로의 출력 단자 및 상기 수신 필터 회로의 입력 단자를 접속하는 공통 경로와, 상기 공통 경로에 접속된 정합 회로와, 일단이 상기 송신 필터 회로에 접속되고 타단이 그라운드 전극에 접속된 상기 송신 필터 회로의 특성 조정용 인덕터를 구비하고, 상기 인덕터와, 상기 공통 경로, 상기 정합 회로, 상기 수신 필터 회로 및 상기 수신 경로 중 적어도 1개가 자계 결합 및/또는 전계 결합에 의해 상기 송신 필터 회로의 출력 단자측의 신호 경로에 접속되는 전파 경로를 형성하도록 상기 인덕터가 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

이와 같이 구성된 발명에서는 공통 전극과 송신 필터 회로의 출력 단자 및 수신 필터 회로의 입력 단자를 접속하는 공통 경로에 정합 회로가 접속되고, 송신 필터 회로의 특성 조정용 인덕터의 일단이 송신 필터 회로에 접속되고 타단이 그라운드 전극에 접속되어 있다. 또한, 송신 필터 회로에 접속된 인덕터와, 송신 필터 회로의 출력 단자측에 접속된 공통 경로, 정합 회로, 수신 필터 회로 및 수신 경로 중 적어도 1개가 자계 결합 및/또는 전계 결합(이하, 자계 결합 및/또는 전계 결합하는 것을 「전자계적으로 결합한다」나 「고주파적으로 접속한다」라고 하는 경우도 있음)에 의해 송신 필터 회로의 출력 단자측의 신호 라인에 접속되는 전파 경로를 형성하도록 인덕터가 배치되어 있다. 그 때문에, 송신 전극에 입력된 송신 신호를 포함하는 RF 신호는 송신 필터 회로 및 전파 경로 각각을 통과한 후, 전파 경로가 접속되는 송신 필터 회로의 출력 단자측의 신호 경로에 있어서 합성된다.

그런데, 송신 필터 회로로부터 분기되는 전파 경로를 형성하는 자계 결합 및/또는 전계 결합의 정도는 전파 경로를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외에 있어서의 위상 특성이 송신 필터 회로를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외에 있어서의 위상 특성과 다르도록 조정되어 있다. 그 때문에, 송신 필터 회로를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호와, 전파 경로를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호는 합성될 때에 서로 상쇄하여 감쇠한다.

따라서, 인덕터나 커패시터 등의 회로 소자를 추가하여 보정 회로가 구성된 종래의 구성과 비교하면, 간소한 구성으로 필터 특성을 개선시키기 위한 전파 경로를 형성할 수 있으므로, 고주파 모듈을 대형화하지 않고 송신 신호의 주파수 대역외의 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호이고 수신 신호와 주파수 대역이 거의 동일한 RF 신호가 송신 필터 회로의 출력 단자측의 신호 경로로부터 수신 필터 회로측으로 돌아 들어가 수신 전극으로부터 출력되는 것이 억제됨으로, 송신 필터 회로와 수신 필터 회로 사이의 아이솔레이션 특성의 향상을 도모할 수 있다.

또한, 고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고, 상기 인덕터는 상기 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 형성되고, 상기 인덕터를 형성하는 배선 전극이 평면으로 볼 때 상기 분파기의 바로 아래에 배치되고, 해당 배선 전극과 상기 분파기 사이에는 상기 그라운드 전극이 배치되지 않도록 하면 좋다.

이와 같이 구성하면, 분파기 내에 배치된 공통 경로 및 수신 경로나 수신 필터 회로와, 모듈 기판에 설치된 인덕터를 전자계 결합시킬 수 있다.

또한, 상기 인덕터를 형성하는 배선 전극이 상기 모듈 기판의 실장면에 배치되어 있으면 좋다.

이와 같이 하면, 인덕터와 분파기의 거리가 가까워지므로 분파기 내에 배치된 공통 경로 및 수신 경로나 수신 필터 회로와, 모듈 기판에 설치된 인덕터를 보다 확실하게 전자계 결합시킬 수 있다.

상기 인덕터를 형성하는 배선 전극이 평면으로 볼 때 적어도 상기 분파기 내의 상기 공통 경로와 겹치거나, 또는 인접하도록 배치되어 있으면 좋다.

이와 같이 하면, 분파기 내에 배치된 공통 경로와 모듈 기판에 설치된 인덕터를 전자계 결합시킬 수 있다. 그 때문에, 전파 경로가 공통 경로에 접속되므로 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호를 송신 회로 필터의 출력 단자로부터 출력된 직후에 공통 경로에 있어서 감쇠시킬 수 있다. 따라서, 송신 필터 회로와 수신 필터 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 정합 회로는 상기 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 형성되고, 상기 정합 회로를 형성하는 배선 전극은 평면으로 볼 때 상기 인덕터를 형성하는 배선 전극과 겹치도록 배치되어 있어도 좋다.

이와 같이 하면, 정합 회로와 인덕터를 전자계 결합시킬 수 있다. 또한, 칩 부품 등이 모듈 기판의 분파기의 주변에 실장되어 정합 회로가 형성되는 구성과 비교하면, 모듈 기판을 소형화할 수 있으므로 고주파 모듈의 소형화를 도모할 수 있다.

또한, 고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고, 상기 인덕터는 칩형의 인덕터 부품으로 구성되고, 상기 분파기의 공통 단자용 전극에 인접 배치되어 상기 모듈 기판의 실장면에 실장되어 있어도 좋다.

이와 같이 하면, 분파기 내에 있어서 공통 단자용 전극에 접속된 공통 경로와 인덕터를 전자계 결합시킬 수 있다. 또한, 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 인덕터가 형성된 경우와 비교하면, 인덕터의 인덕턴스를 보다 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다. 따라서, 송신 필터 회로의 감쇠 특성이나, 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호를 감쇠시키기 위한 전파 경로를 형성하는 전자계 결합의 정도를 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다.

또한, 고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고, 상기 인덕터는 칩형의 인덕터 부품으로 구성되고, 상기 모듈 기판의 실장면에 실장되고, 상기 정합 회로는 칩형의 회로 부품으로 구성되고, 상기 모듈 기판의 상기 실장면에 실장되고, 상기 인덕터 부품과 상기 회로 부품이 인접 배치되어 있어도 좋다.

이와 같이 구성하면, 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 인덕터가 형성된 경우와 비교하면, 인덕터의 인덕턴스를 보다 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 정합 회로가 형성된 경우와 비교하면, 정합 회로의 임피던스 특성을 보다 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다. 따라서, 송신 필터 회로의 감쇠 특성이나 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호를 감쇠시키기 위한 전파 경로를 형성하는 전자계 결합의 정도를 더욱 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다.

또한, 고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고, 상기 인덕터는 상기 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 형성되고, 상기 정합 회로는 칩형의 회로 부품으로 구성되고, 상기 모듈 기판의 실장면에 실장되고, 상기 인덕터를 형성하는 배선 전극과 상기 회로 부품이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있어도 좋다.

이와 같이 구성하면, 인덕터와 정합 회로를 구성하는 칩형 회로 부품을 전자계 결합시킬 수 있다.

또한, 고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고, 상기 인덕터는 칩형의 인덕터 부품으로 구성되고, 상기 모듈 기판의 상기 실장면에 실장되고, 상기 정합 회로는 상기 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 형성되고, 상기 정합 회로를 형성하는 배선 전극과 상기 인덕터 부품이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있어도 좋다.

이와 같이 구성하면, 칩형 인덕터 부품에 의해 형성되는 인덕터와 정합 회로를 전자계 결합시킬 수 있다.

또한, 상기 분파기는 커버층을 포함하고, 상기 인덕터는 상기 커버층에 설치된 배선 전극에 의해 형성되어 있어도 좋다.

이와 같이 구성하면, 분파기 내에 배치된 공통 경로 및 수신 경로나 수신 필터 회로와 인덕터를 보다 근접 배치할 수 있으므로, 공통 경로 및 수신 경로나 수신 필터 회로와 인덕터를 보다 확실하게 전자계 결합시켜 전파 경로를 형성할 수 있다.

(발명의 효과)

본 발명에 의하면, 간소한 구성으로 필터 특성을 개선시키기 위한 전파 경로를 형성할 수 있으므로, 고주파 모듈을 대형화하지 않고 송신 신호의 주파수 대역외의 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호이고 수신 신호와 주파수 대역이 거의 동일한 RF 신호가 송신 필터 회로의 출력 단자측의 신호 경로로부터 수신 필터 회로측으로 돌아 들어가 수신 전극으로부터 출력되는 것이 억제되므로, 송신 필터 회로와 수신 필터 회로 사이의 아이솔레이션 특성의 향상을 도모할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 전기적 구성을 나타내는 회로 블럭도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 단면 구조도의 일례이다.
도 3는 분파기 내에 설치된 공통 경로와 모듈 기판에 설치된 인덕터의 평면시에 있어서의 배치 관계를 나타내는 투과도로서, (a)는 공통 경로와 인덕터가 인접 배치된 상태를 나타내는 도, (b)는 공통 경로와 인덕터가 겹치도록 배치된 상태를 나타내는 도이다.
도 4는 송신 필터 회로와 수신 필터 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.
도 5는 본 발명의 고주파 모듈의 제 2 실시형태를 나타내는 도이다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 모듈의 분파기 내에 설치된 공통 경로와 모듈 기판에 설치된 인덕터의 배치 관계를 나타내는 평면도이다.
도 7은 제 4 실시형태에 의한 고주파 모듈의 전기적 구성을 나타내는 회로 블럭도이다.
도 8은 제 4 실시형태에 의한 고주파 모듈의 단면 구조도의 일례이다.
도 9는 모듈 기판에 설치된 정합 회로를 형성하는 배선 전극의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 10은 분파기와 모듈 기판에 설치된 정합 회로 및 인덕터의 배치 관계를 나타내는 도이고, (a)∼(c)는 각각 다른 배치 관계를 나타내는 도이다.
도 11은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 모듈의 분파기의 주위에 배치된 인덕터와 정합 회로의 배치 관계를 나타내는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 고주파 모듈의 제 6 실시형태를 나타내는 도이다.
도 13은 본 발명의 고주파 모듈의 제 7 실시형태를 나타내는 도이다.
도 14는 종래의 고주파 모듈이 구비하는 필터 회로를 나타내는 도이다.

<제 1 실시형태>

본 발명의 고주파 모듈의 제 1 실시형태에 대해서, 도 1∼도 4를 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 회로 블럭도, 도 2는 도 1의 고주파 모듈의 단면 구조도이다. 또한, 도 3은 분파기 내에 설치된 공통 경로와 모듈 기판에 설치된 인덕터의 평면시에 있어서의 배치 관계를 나타내는 평면도이고, (a)는 공통 경로와 인덕터가 인접 배치된 상태를 나타내는 도, (b)는 공통 경로와 인덕터가 겹치도록 배치된 상태를 나타내는 도이다. 또한, 도 4는 송신 필터 회로와 수신 필터 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.

또한, 도 1∼도 3에서는 본 발명에 의한 주요한 구성만이 도시되고 있고, 설명을 간이하게 하기 위해서 기타 구성은 도시 생략되어 있다. 또한, 후의 설명에서 참조하는 각 도면에 대해서도 도 1∼도 3과 마찬가지로 주요한 구성만이 도시되어 있지만, 이하의 설명에 있어서는 그 설명은 생략한다.

(고주파 모듈)

도 1 및 도 2에 나타내는 고주파 모듈(1)은 휴대전화나 휴대 정보 단말 등의 통신 휴대 단말이 구비하는 마더 기판에 탑재되는 것이고, 이 실시형태에서는 송신 필터 회로(14) 및 수신 필터 회로(15)가 설치된 분파기(10)(듀플렉서)와, 모듈 기판(2)과, 정합 회로(3)과, 스위치 IC나 필터, 저항, 콘덴서, 코일 등의 각종 전자 부품(도시생략)을 구비하고, 고주파 안테나 스위치 모듈로서 형성되어 있다.

또한, 분파기(10), 정합 회로(3)를 형성하기 위한 칩형의 회로 부품(3a), 기타 각종 전자 부품은 모듈 기판(2)의 실장면(2a) 상에 설치된 실장용 전극(2b)에 실장되고, 모듈 기판(2)에 설치된 배선 전극(4)을 통하여 모듈 기판(2)의 이면에 형성된 복수의 실장용 전극(5)이나 다른 전자 부품에 전기적으로 접속된다. 또한, 외부로부터 송신 신호가 입력되는 송신 전극(Txa)과, 그 송신 신호를 외부에 출력함과 아울러, 외부로부터 수신 신호가 입력되는 공통 전극(ANTa)과, 공통 전극(ANTa)에 입력된 수신 신호를 외부에 출력하는 수신 전극(Rxa)과, 그라운드 경로(GND)에 접속되는 그라운드 전극(GNDa)이 실장용 전극(5)에 의해 형성되어 있다.

또한, 통신 휴대 단말이 구비하는 마더 기판에는 공통 경로나 그라운드 경로, 송신 경로, 수신 경로 등의 각종 신호 경로에 대응하는 배선 전극이 설치되어 있다. 그리고, 고주파 모듈(1)이 마더 기판에 실장됨으로써, 그 배선 전극과 공통 전극(ANTa), 그라운드 전극(GNDa), 송신 전극(Txa), 및 수신 전극(Rxa)이 접속되고, 마더 기판과 고주파 모듈(1) 사이에서 송수신 신호의 입출력이 행해진다.

이 실시형태에서는 모듈 기판(2)은 복수의 유전체층으로 형성된다. 각 유전체층에 비아 도체 및 면내 도체 패턴이 적당히 형성됨으로써 모듈 기판(2)에, 모듈 기판(2)에 실장된 분파기(10)나 회로 부품(3a), 각종 전자 부품을 접속하는 배선 전극(4)이나 실장용 전극(5) 등이 형성된다. 즉, 면내 도체 패턴 및 비아 도체가 각 유전체층에 적당히 설치되고, 배선 전극(4)이나 실장용 전극(5) 등이 형성됨으로써 모듈 기판(2)에 실장되는 분파기(10) 및 회로 부품(3a)이나 각종 전자 부품과, 실장용 전극(5)이 서로 전기적으로 접속된다. 이 때, 각 유전체층에 형성되는 면내 도체 패턴 및 비아 도체에 의해 커패시터나 인덕터 등의 회로 소자가 형성되거나, 형성된 커패시터나 인덕터 등의 회로 소자에 의해 필터 회로나 정합 회로(3) 등이 형성되어도 좋다.

정합 회로(3)는 이 실시형태에서는 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 실장된 칩형의 회로 부품(3a)의 내부에 형성된 인덕터(3b)에 의해 형성되어 있다. 구체적으로는 분파기(10)의 공통 단자용 전극(ANTb)과, 모듈 기판(2)의 공통 전극(ANTa)을 접속하는 기판측 공통 경로(6c)에 인덕터(3b)의 일단이 접속되어 있다. 그리고, 인덕터(3b)의 타단이 모듈 기판(2)에 설치된 기판측 그라운드 경로(6d)를 통하여 그라운드 전극(GNDa)에 접속됨으로써 정합 회로(3)가 형성되어 있다.

또한, 기판측 공통 경로(6c)는 모듈 기판(2)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 형성된다. 또한, 정합 회로(3)는 도 1에 나타내는 구성으로 한정되는 것은 아니고, 도 1에 나타내는 인덕터(3b)를 커패시터로 교체함으로써 정합 회로(3)가 형성되어 있어도 좋고, 공통 전극(ANTa)과 공통 단자용 전극(ANTb)을 접속하는 기판측 공통 경로(6c)에 인덕터나 커패시터가 직렬 접속됨으로써 정합 회로(3)가 형성되어 있어도 좋다. 또한, 인덕터 및 커패시터가 조합되어 정합 회로(3)가 형성되어 있어도 좋다. 즉, 정합 회로(3)의 회로 구성은 고주파 모듈(1)에 있어서, 공통 전극(ANTa)에 접속되는 안테나 등의 회로 소자와 분파기(10)의 공통 단자용 전극(ANTb)의 임피던스를 조정시키기 위해서 일반적으로 사용되는 어떤 회로 구성이어도 좋다.

또한, 모듈 기판(2)에는 각각의 일단이 송신 필터 회로(14)에 접속되고, 각각의 타단이 그라운드 전극(GNDa)에 접속된 필터 회로(14)의 특성 조정용 인덕터(L1, L2, L3)가 설치되어 있다. 또한, 각 인덕터(L1∼L3)와 송신 필터 회로(14)의 접속 상태에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.

(분파기)

분파기(10)는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 구조를 갖고, 평면시 사각형상의 소자 기판(11)과, 절연층(12)과, 커버층(13)과, RF 신호의 통과 대역이 다른 송신 필터 회로(14) 및 수신 필터 회로(15)를 구비하고 있다. 소자 기판(11)의 일방의 주면(11a)의 소정 영역에, 송신 필터 회로(14)가 구비하는 송신용 SAW 필터 소자(14a) 및 수신 필터 회로(15)가 구비하는 수신용 SAW 필터 소자(15a)가 형성되어 있다.

또한, 소자 기판(11)의 일방의 주면(11a)에는 송신용 SAW 필터 소자(14a) 및 수신용 SAW 필터 소자(15a)를 형성하는 빗형 전극이나 반사기에 접속되는 단자 전극(16)이 설치되어 있다. 그리고, 각 단자 전극(16) 각각에 절연층(12)을 관통하여 형성된 전극(17)이 접속되고, 커버층(13)의 주면으로부터 노출하는 전극(17)에 의해 송신 단자용 전극(Txb), 수신 단자용 전극(Rxb), 공통 단자용 전극(ANTb), 복수의 그라운드 단자용 전극(GNDb)이 구성되어 있다. 또한, 송신 필터 회로(14)(송신용 SAW 필터 소자(14a))의 입력 단자와 송신 단자용 전극(Txb)이 분파기 내 송신 경로(16a)에 의해 접속되어 있다. 또한, 수신 필터 회로(15)(수신용 SAW 필터 소자(15a))의 출력 단자와 수신 단자용 전극(Rxb)이 분파기 내 수신 경로(16b)에 의해 접속되어 있다. 또한, 송신 필터 회로(14)의 출력 단자 및 수신 필터 회로(15)의 입력 단자와 공통 단자용 전극(ANTb)이 분파기 내 공통 경로(16c)에 의해 접속되어 있다. 또한, 각 SAW 필터 소자(14a, 15a)를 형성하는 빗형 전극(IDT 전극)이나 반사기에 의해 구성되는 공진자와 그라운드 단자용 전극(GNDb)이 분파기 내 그라운드 경로(16d)에 의해 접속되어 있다.

또한, 분파기 내 송신 경로(16a), 분파기 내 수신 경로(16b), 분파기 내 공통 경로(16c), 분파기 내 그라운드 경로(16d)는 소자 기판(11)의 일방의 주면(11a)에 형성된 배선 전극(도시생략), 단자 전극(16)에 의해 형성되어 있다.

절연층(12)은 소자 기판(11)의 일방의 주면(11a)의 빗형 전극 및 반사기가 설치된 소정 영역을 둘러싸여 배치된다.

커버층(13)은 절연층(12) 상에 배치되어 소자 기판(11) 사이에 절연층(12)과 함께 둘러싼 공간을 형성하고, 해당 형성된 공간 내에 송신용 SAW 필터 소자(14a) 및 수신용 SAW 필터 소자(15a)가 배치된다.

또한, 커버층(13)이 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 대향하도록 분파기(10)가 실장면(2a)의 전극(2b)에 땝납 등의 접합재(18)를 사용하여 실장됨으로써, 모듈 기판(2)의 송신 전극(Txa)과 분파기(10)의 송신 단자용 전극(Txb)이 기판측 송신 경로(6a)에 의해 접속되고, 송신 전극(Txa)과 송신 필터 회로(14)의 입력 단자가 송신 단자용 전극(Txb)을 통하여 접속된다. 또한, 모듈 기판(2)의 수신 전극(Rxa)과 분파기(10)의 수신 단자용 전극(Rxb)이 기판측 수신 경로(6b)에 의해 접속되고, 수신 전극(Rxa)과 수신 필터 회로(15)의 출력 단자가 수신 단자용 전극(Rxb)을 통하여 접속된다. 또한, 모듈 기판(2)의 공통 전극(ANTa)과 분파기(10)의 공통 단자용 전극(ANTb)이 기판측 공통 경로(6c)에 의해 접속되고, 공통 전극(ANTa)과 송신 필터 회로(14)의 출력 단자 및 수신 필터 회로(15)의 입력 단자가 공통 단자용 전극(ANTb)을 통하여 접속된다. 또한, 모듈 기판(2)의 그라운드 전극(GNDa)과 분파기(10)의 각 그라운드 단자용 전극(GNDb)이 기판측 그라운드 라인(6d)에 의해 접속되고, 그라운드 전극(ANTa)과 각 필터 회로(14, 15)의 접지 개소가 각 그라운드 단자용 전극(GNDb)을 통하여 접속된다.

또한, 기판측 송신 경로(6a), 기판측 수신 경로(6b), 기판측 공통 경로(6c), 기판측 그라운드 경로(6d) 각각은 모듈 기판(2)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 형성되어 있다. 또한, 기판측 송신 경로(6a) 및 분파기 내 송신 경로(16a)에 의해, 송신 전극(Txa)과 송신 필터 회로(14)의 입력 단자를 접속하는 본 발명의 「송신 경로」가 구성되어 있다. 또한, 기판측 수신 경로(6b) 및 분파기 내 수신 경로(16b)에 의해, 수신 전극(Rxa)과 수신 필터 회로(15)의 출력 단자를 접속하는 본 발명의 「수신 경로」가 구성되어 있다. 또한, 기판측 공통 경로(6c) 및 분파기 내 공통 경로(16c)에 의해, 공통 전극(ANTa)과 송신 필터 회로(14)의 출력 단자 및 수신 필터 회로(15)의 입력 단자를 접속하는 본 발명의 「공통 경로」가 구성되어 있다.

이어서, 송신 필터 회로(14) 및 수신 필터 회로(15)의 구성에 대해서 설명한다. 또한, 송신 필터 회로(14)에는 송신 신호의 주파수 대역이 통과 대역으로서 설정되고, 수신 필터 회로(15)에는 송신 신호의 주파수 대역과 다른 수신 신호의 주파수 대역이 통과 대역으로서 설정되어 있다.

송신 필터 회로(14)가 구비하는 송신용 SAW 필터 소자(14a)는 불평형한 송신 단자용 전극(Txb)으로부터 입력된 제 1 주파수 대역의 불평형한 송신 신호를 공통 단자용 전극(ANTb)에 출력하는 것이고, 도 1 및 도 3(a), (b)에 나타내는 바와 같이 소자 기판(11)의 1세트의 대변에 직교하여 공통 단자용 전극(ANTb)을 통과하는 가상선에 의해 구분되는 일방의 주면(11a)의 일방 영역(A)에 빗형 전극 및 반사기를 갖는 공진자가 래더형으로 접속됨으로써 형성되어 있다. 구체적으로는 송신 필터 회로(14)는 송신 필터 회로(14)의 입력 단자 및 출력 단자를 접속하는 직렬 암에 배치되는 복수(본 실시형태에서는 10개)의 공진자(S1∼S10)와, 직렬 암과 그라운드 단자용 전극(GNDb) 사이에 접속된 복수(본 실시형태에서는 7개)의 병렬 암 공진자(P1∼P7)를 구비하고 있다.

또한, 병렬 암 공진자(P1)는 일단이 직렬 암 공진자(S2과 S3) 사이에 접속되고, 타단이 분파기 내 그라운드 경로(16d)를 통하여 그라운드 단자용 전극(GNDb)에 접속되어 있다. 그리고, 인덕터(L1)의 일단이 그라운드 단자용 전극(GNDb)를 통하여 병렬 암 공진자(P1)의 타단에 접속되고, 인덕터(L1)의 타단이 기판측 그라운드 경로(6d)를 통하여 그라운드 전극(GNDa)에 접속됨으로써 병렬 암 공진자(P1)가 그라운드 전극(GNDa)에 접속되어 있다.

또한, 병렬 암 공진자(P2)는 일단이 직렬 암 공진자(S4과 S5) 사이에 접속되고, 타단이 병렬 암 공진자(P3)의 일단에 접속되어 있다. 또한, 병렬 암 공진자(P3)의 타단이 분파기 내 그라운드 경로(16d)를 통하여 그라운드 단자용 전극(GNDb)에 접속되어 있다. 그리고, 인덕터(L2)의 일단이 그라운드 단자용 전극(GNDb)를 통하여 공진자(P3)의 타단에 접속되고, 인덕터(L2)의 타단이 기판측 그라운드 경로(6d)를 통하여 그라운드 전극(GNDa)에 접속됨으로써 병렬 암 공진자(P2 및 P3)가 그라운드 전극(GNDa)에 접속되어 있다.

또한, 병렬 암 공진자(P4)는 일단이 직렬 암 공진자(S6과 S7) 사이에 접속되고, 타단이 병렬 암 공진자(P5)의 일단에 접속되어 있다. 또한, 병렬 암 공진자(P6)는 일단이 직렬 암 공진자(S7과 S8) 사이에 접속되고, 타단이 병렬 암 공진자(P7)의 일단에 접속되어 있다. 또한, 병렬 암 공진자(P5와 P7)의 타단이 분파기 내 그라운드 경로(16d)를 통하여 그라운드 단자용 전극(GNDb)에 접속되어 있다. 그리고, 인덕터(L3)의 일단이 그라운드 단자용 전극(GNDb)를 통하여 공진자(P7과 P5)의 타단에 접속되고, 인덕터(L3)의 타단이 기판측 그라운드 경로(6d)를 통하여 그라운드 전극(GNDa)에 접속됨으로써 병렬 암 공진자(P4∼P7)가 그라운드 전극(GNDa)에 접속되어 있다.

또한, 각 인덕터(L1∼L3)의 인덕턴스값이 적당히 조정됨으로써 송신 필터 회로(14)의 감쇠 특성을 조정할 수 있다. 구체적으로는 각 인덕터(L1∼L3)의 인덕턴스값을 조정함으로써 송신 필터 회로(14)의 통과 대역의 저역측 또는 광역측의 임의인 주파수의 위치에 감쇠극을 형성할 수 있다. 또한, 각 공진자(S1∼S10 및 P1∼P7)는 빗형 전극의 표면 탄성파의 진행 방향에 있어서의 양측에 반사기가 배치되어 형성되어 있다.

수신 필터 회로(15)가 구비하는 수신용 SAW 필터 소자(15a)는 공통 단자용 전극(ANTb)에 입력된 제 2 주파수 대역의 불평형한 수신 신호를 수신 단자용 전극(Rxb)에 출력하는 것이다. 또한, 도 1 및 도 3(a), (b)에 나타내는 바와 같이 수신 필터 회로(15)는 소자 기판(11)의 1세트의 대변에 직교하여 공통 단자용 전극(ANTb)을 통과하는 가상선에 의해 구분되는 일방의 주면(11a)의 타방 영역(B)에 빗형 전극 및 반사기를 갖는 복수의 공진자가 접속됨으로써 형성되어 있다. 수신 필터 회로(15)의 구성은 송신 필터 회로(14)의 구성과 같기 때문에, 그 상세한 설명을 생략한다.

또한, 수신 필터 회로(15)는 2개의 수신 단자용 전극(Rxb)이 설치되어 수신 신호를 평형한 상태에서 출력하는 밸런스형으로 형성되어 있어도 좋다.

(분파기(10)와 인덕터(L)의 배치 관계에 대해서)

이 실시형태에서는 분파기(10)의 송신 필터 회로(14)의 특성 조정용 각 인덕터(L1∼L3)는 각각 모듈 기판(2)에 형성된 배선 전극(4)에 의해 형성되어 있다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 평면으로 볼 때 분파기(10)의 바로 아래에 배치되고, 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)과 분파기(10) 사이에는 실드용 그라운드 전극이 배치되어 있지 않다.

또한, 도 3(a), (b)에 나타내는 바와 같이 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 평면으로 볼 때 적어도 분파기(10) 내의 분파기 내 공통 경로(16c)와 겹치거나, 또는 인접하도록 배치되어 있다. 즉, 이 실시형태에서는 고주파 모듈(1)의 신호 경로를 RF 신호가 흐르면, 도 1 및 도 3(a), (b) 중의 일점쇄선으로 둘러싸여진 영역에 나타내는 바와 같이 병렬 암 공진자(P1)와 그라운드 전극(GNDa) 사이에 직렬로 접속하고 있는 인덕터(L1)와, 분파기 내 공통 경로(16c)가 자계 결합 및/또는 전계 결합에 의해 고주파적으로 접속하고, 송신 필터 회로(14)의 출력 단자측의 신호 경로(분파기 내 공통 경로(16c))에 접속되는 전파 경로(WP)가 형성된다.

또한, 전파 경로(WP)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호의 위상이 송신 필터 회로(14)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호와 역위상이 되고, 또한 해당 RF 신호의 진폭이 거의 동일하게 되도록 전파 경로(WP)를 형성하는 전자계 결합의 정도가 조정되어 있다.

구체적으로는, 예를 들면 송신 필터 회로(14)를 통하여 분파기 내 공통 경로(16c)에 흐르는 송신 신호와, 전파 경로(WP)를 통하여 분파기 내 공통 경로(16)에 흐르는 송신 신호의 양신호의 진폭이 일치하고, 또한 위상이 180° 다른 경우에는 양신호는 완전히 상쇄된다. 그런데, 설계나 제조의 불균일 등에 기인하여 양신호의 위상의 차가 180°가 아닌 경우나, 양신호의 진폭이 완전히 동일한 진폭으로 되지 않는 경우도 있다. 그러나, 이와 같이 양신호의 위상의 차가 정확히 180°가 아닌 경우에도, 위상의 차가 180° 근방이라면 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 양신호의 진폭이 완전히 동일하지 않은 경우에도, 양신호의 진폭이 대략 동일한 경우에는 동일한 효과를 얻을 수 있다.

(아이솔레이션 특성)

이어서, 분파기(10)의 아이솔레이션 특성에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. 또한, 도 4에 나타내는 아이솔레이션 특성은 수신 신호의 주파수 대역에 있어서의 임의의 주파수의 RF 신호가 송신 전극(Txa)(송신 단자용 전극(Txb))에 입력되었을 때에 수신 전극(Rxa)(수신 단자용 전극(Rxb))에 있어서 관측되는 RF 신호의 크기를 나타낸 것이다. 또한, 도 4의 가로축은 송신 전극(Txa)에 입력된 RF 신호의 주파수(MHz)를 나타내고, 세로축은 수신 전극(Rxb)에서 관측된 RF 신호의 신호레벨(dB)을 나타낸다.

또한, 도 4 중의 실선은 상기한 바와 같이 전자계 결합에 의해 형성되는 전파 경로(WP)를 구비하는 고주파 모듈(1)에 소정의 RF 신호가 입력되었을 때의 아이솔레이션 특성을 나타내고, 동도 중의 점선은 비교예로서 전파 경로(WP)를 구비하지 않는 고주파 모듈에 소정의 RF 신호가 입력되었을 때의 아이솔레이션 특성을 나타낸다.

도 4에 나타내는 바와 같이 비교예와 비교하면, 수신 신호의 주파수 대역(본 실시형태에서는 2100∼2170MHz)에 있어서의 아이솔레이션 특성이 약 4dB 정도 개선되어 있다.

이상과 같이, 이 실시형태에서는 공통 전극(ANTa)과 분파기(10)의 공통 단자용 전극(ANTb)을 접속하는 기판측 공통 경로(6c)에 정합 회로(3)가 접속되고, 송신 필터 회로(14)의 특성 조정용 인덕터(L1∼L3) 각각의 일단이 송신 필터 회로(14)에 접속되고, 타단이 그라운드 전극(GNDa)에 접속되어 있다. 또한, 송신 필터 회로(14)에 접속된 인덕터(L1)와, 송신 필터 회로(14)의 출력 단자측에 접속된 분파기 내 공통 경로(16c)가 자계 결합 및/또는 전계 결합에 의해 고주파적으로 접속됨으로써 송신 필터 회로(14)의 출력 단자측의 신호 경로(분파기 내 공통 경로(16c))에 접속되는 전파 경로(WP)를 형성하도록 인덕터(L1)가 배치되어 있다. 그 때문에, 송신 전극(Txa)에 입력된 송신 신호를 포함하는 RF 신호는 송신 필터 회로(14) 및 전파 경로(WP)의 각각을 통과한 후, 전파 경로(WP)가 접속되는 송신 필터 회로(14)의 출력 단자측의 신호 경로에 있어서 합성된다.

그런데, 송신 필터 회로(14)로부터 분기되는 전파 경로(WP)를 형성하는 자계 결합 및/또는 전계 결합의 정도는 전파 경로(WP)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호의 적어도 위상 특성이 송신 필터 회로(14)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호와 다르도록 조정되어 있다.

또한, 전파 경로(WP)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호의 적어도 위상 특성이 송신 필터 회로(14)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호의 위상 특성과 다르다란, 예를 들면 이들 신호의 진폭이 서로 일치하고 또한 이들의 신호의 위상이 서로 180° 다른 경우이다. 그러나, 양신호의 위상의 차가 180°가 아닌 경우나, 양신호의 진폭이 완전히 동일한 진폭으로 되지 않는 경우에도, 양신호의 위상의 차가 180°근방이면 동일한 효과를 얻을 수 있고, 양신호의 진폭이 완전히 동일하지 않은 경우에도, 대략 동일할 경우에는 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이 결과적으로, 송신 필터 회로(14)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호와, 전파 경로(WP)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호는 합성될 때에 서로 상쇄하여 감쇠한다.

따라서, 인덕터나 커패시터 등의 회로 소자를 추가하여 보정 회로가 구성된 종래의 구성과 비교하면, 종래의 필터 회로가 구비하고 있었던 구성 요소를 사용한 간소한 구성으로 필터 특성을 개선시키기 위한 전파 경로(WP)를 형성할 수 있으므로, 고주파 모듈(1)을 대형화하지 않고 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호의 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호이고 수신 신호와 주파수 대역이 거의 동일한 RF 신호가 송신 필터 회로(14)의 출력 단자측의 신호 경로로부터 수신 필터 회로(15)측으로 돌아 들어가 수신 전극(Rxa)으로부터 출력되는 것이 억제되므로, 송신 필터 회로(14)와 수신 필터 회로(15) 사이의 아이솔레이션 특성의 향상을 도모할 수 있다.

구체적으로는, 예를 들면 송신 필터 회로(14)의 통과 대역외의 다음과 같은 RF 신호의 감쇠 특성이 향상한다. 즉, 송신 필터 회로(14)를 송신 신호의 2배 파 또는 3배 파의 고조파를 포함하는 RF 신호가 흐르면, 그 고조파를 포함하는 RF 신호의 위상이 약 180°반전한 역위상의 RF 신호가 전파 경로(WP)를 흐르도록 전파 경로(WP)를 형성하는 전자계 결합의 정도가 조정되어 있으므로, 송신 필터 회로(14)를 통과하는 고조파를 포함하는 RF 신호와 전파 경로(WP)를 통과하는 고조파를 포함하는 역위상의 RF 신호가 서로 상쇄한다. 따라서, 송신 필터 회로(14)에 있어서의 송신 신호의 고조파를 포함하는 RF 신호의 감쇠 특성이 향상한다.

또한, 송신 필터 회로(14)를 수신 신호의 주파수 대역의 RF 신호가 흐르면, 상기한 바와 같이 송신 신호의 주파수 대역외의 신호인 상기 수신 신호의 주파수 대역의 RF 신호가 상쇄되므로, 송신 필터 회로(14)에 있어서의 수신 신호의 주파수 대역의 RF 신호의 감쇠 특성이 향상한다. 따라서, 수신 신호의 주파수 대역의 RF 신호가 송신 필터 회로(14)를 통과하여 수신 필터 회로(15)측의 신호 경로로 돌아 들어가는 것을 억제할 수 있으므로, 송신 필터 회로(14)와 수신 필터 회로(15) 사이의 아이솔레이션 특성이 향상한다.

또한, 전파 경로(WP)를 형성하는 전계 결합 및/또는 자계 결합의 정도는 인덕터(L1)와 전자계 결합시키고 싶은 신호 경로와, 병렬 암 공진자(P1)와 그라운드 전극(GNDa) 사이에 직렬로 접속하고 있는 인덕터(L1)의 거리를 변화시키도록 인덕터(L1)의 배치 위치를 이동시킴으로써 조정할 수 있다. 또한, 송신 전극(Txa)에 입력되는 RF 신호에 포함되는 고조파 성분이나 수신 신호와 동일한 주파수 대역의 RF 신호 등, 주로 감쇠시키고 싶은 주파수 대역에 따라 전파 경로(WP)를 형성하는 전계 결합(용량성 결합) 및 자계 결합(유도성 결합) 각각의 정도를 설정하면 좋다.

또한, 평면으로 볼 때 분파기(10)의 바로 아래에 배치된 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)과 분파기(10) 사이에는 실드용 그라운드 전극이 배치되어 있지 않으므로, 분파기(10) 내에 배치된 분파기 내 공통 경로(16c) 및 분파기 내 수신 경로(16b)나 수신 필터 회로(15)와, 모듈 기판(2)에 설치된 인덕터(L1)를 확실하게 전자계 결합시킬 수 있다.

또한, 이 실시형태에서는 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 평면으로 볼 때 적어도 분파기(10) 내의 분파기 내 공통 경로(16c)와 겹치거나, 또는 인접하도록 배치되어 있다. 따라서, 분파기(10) 내에 배치된 분파기 내 공통 경로(16c)와 모듈 기판(2)에 설치된 인덕터(L1)를 전자계 결합시킬 수 있다. 그 때문에, 전파 경로(WP)가 분파기 내 공통 경로(16c)에 접속되므로, 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호를 송신 회로 필터(14)의 출력 단자로부터 출력된 직후에 분파기 내 공통 경로(16c)에 있어서 억압하여 감쇠시킬 수 있다. 따라서, 송신 필터 회로(14)와 수신 필터 회로(15) 사이의 아이솔레이션 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.

또한, 탄성파를 이용한 래더형의 송신 필터 회로(14)의 감쇠 특성을 각 공진자(S1∼S10)의 직렬 암에 션트 접속된 각 병렬 암 공진자(P1∼P7)에 접속된 인덕터(L1∼L3)에 보다 효과적으로 조정할 수 있다.

또한, 송신 필터 회로(14)를 형성하는 각 직렬 암 공진자(S1∼S10) 및 각 병렬 암 공진자(P1∼P7)와, 수신 필터 회로(15)를 형성하는 각 공진자가 형성된 소자 기판(11)의 일방의 주면(11a)의 소정 영역을 둘러싸도록 절연층(12)이 배치되고, 소자 기판(11)과의 사이에 절연층(12)에 의해 둘러싸인 공간이 형성되도록 커버층(13)이 절연층(12)에 적층 배치됨으로써 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 구조로 구성된 분파기(10)이 모듈 기판(2)에 실장된 고주파 모듈(1)을 제공할 수 있다.

<제 2 실시형태>

이어서, 도 5를 참조하여 본 발명의 제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 고주파 모듈의 제 2 실시형태를 나타낸 도이다.

이 실시형태가 상기한 제 1 실시예와 다른 것은 도 5에 나타내는 바와 같이 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 배치되어 있다는 점이다. 기타 구성은 상기한 제 1 실시예와 동일한 구성이기 때문에, 동일한 부호를 인용함으로써 그 구성의 설명은 생략한다.

이 실시형태에서는 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 배치되어 있고, 인덕터(L1)와 분파기(10)의 거리가 가까워지므로 분파기(10) 내에 배치된 분파기 내 공통 경로(16c) 및 분파기 내 수신 경로(16b)나 수신 필터 회로(15)와, 모듈 기판(2)에 설치된 인덕터(L1)를 보다 확실하게 전자계 결합시킬 수 있다.

<제 3 실시형태>

이어서, 도 6 참조하여 본 발명의 제 3 실시형태에 대해서 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 모듈의 분파기 내에 설치된 공통 경로와 모듈 기판에 설치된 인덕터의 배치 관계를 나타내는 평면도이다.

이 실시형태가 상기한 제 1 실시예와 다른 것은 도 6에 나타내는 바와 같이 인덕터(L1)가 칩형의 인덕터 부품(7)에 의해 구성되고, 분파기(10)의 공통 단자용 전극(ANTb)에 인접 배치되어 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 실장되어 있다는 점이다. 기타 구성은 상기한 제 1 실시예와 동일한 구성이기 때문에, 동일한 부호를 인용함으로써 그 구성의 설명은 생략한다.

이 실시형태에서는 인덕터(L1)를 형성하는 인덕터 부품(7)이 분파기(10)의 공통 단자용 전극(ANTb)에 인접 배치되어 있으므로, 일점쇄선으로 둘러싸여진 영역에 나타내는 바와 같이 분파기(10) 내에 있어서 공통 단자용 전극(ANTb)에 접속된 분파기 내 공통 경로(16c)와 인덕터(L1)를 전자계 결합시킬 수 있다. 또한, 인덕터(L1)가 칩형의 인덕터 부품(7)에 의해 형성되어 있으므로, 모듈 기판(2)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 인덕터(L1)가 형성되었을 경우와 비교하면, 인덕터(L1)의 인덕턴스를 보다 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다. 따라서, 송신 필터 회로(14)의 감쇠 특성이나 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호를 감쇠시키기 위한 전파 경로(WP)를 형성하는 전자계 결합의 정도를 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다.

<제 4 실시형태>

이어서, 도 7∼도 10을 참조하여 본 발명의 제 4 실시형태에 대해서 설명한다. 도 7은 제 4 실시형태에 의한 고주파 모듈의 회로 블럭도, 도 8은 도 7의 고주파 모듈의 단면 구조도, 도 9는 모듈 기판에 설치된 정합 회로를 형성하는 배선 전극의 구성을 나타내는 모식도이다. 또한, 도 10은 분파기와 모듈 기판에 설치된 정합 회로 및 인덕터의 배치 관계를 나타내는 도이고, (a)∼(c)는 각각 다른 배치 관계를 나타내는 도이다.

이 실시형태가 상기한 제 1 실시예와 다른 것은 도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이 정합 회로(3)가 모듈 기판(4)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 형성된 인덕터(3c)에 의해 구성되어 있다는 점이다. 또한, 정합 회로(3)를 구성하는 인덕터(3c)를 형성하는 배선 전극(4)는 평면으로 볼 때 분파기(10)의 바로 아래에 배치되고, 평면으로 볼 때 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)과 겹치도록 배치되어 있다. 그리고, 송신 전극(Txa)에 송신 신호가 입력되면, 송신 회로(14)의 특성 조정용 인덕터(L1)와, 정합 회로(3)의 인덕터(3c)가 전자계 결합하여 고주파적으로 접속됨으로써 전파 경로(WP)가 형성된다. 기타 구성은 상기한 제 1 실시예와 동일한 구성이기 때문에, 동일한 부호를 인용함으로써 그 구성의 설명은 생략한다.

정합 회로(3)를 구성하는 인덕터(3c)는, 예를 들면 도 9에 나타내는 바와 같이 형성된다. 즉, 인덕터(3c)는 모듈 기판(2)이 구비하는 복수의 유전체층 각각 형성된 복수의 약 L자상의 면내 도체 패턴(배선 전극(4))을 구비하고 있다. 또한, 위에서 1층째, 3층째의 약 L자상의 면내 도체 패턴은 동일한 방향으로 배치되고, 위에서 2층째, 4층째의 약 L자상의 면내 도체 패턴은 1층째, 3층째의 면내 도체 패턴을 약 180° 회전시킨 방향으로 배치되어 있다. 그리고, 1층째의 면내 도체 패턴의 단편측의 일단과, 2층째의 면내 도체 패턴의 장편측의 타단이 비아 도체(배선 전극(4))에 의해 접속되고, 2층째의 면내 도체 패턴의 단편측의 일단과 3층째의 면내 도체 패턴의 장편측의 타단이 비아 도체에 의해 접속되고, 3층째의 면내 도체 패턴의 단편측의 일단과 4층째의 면내 도체 패턴의 장편측의 타단이 비아 도체에 의해 접속됨으로써 나선상의 인덕터(3c)가 형성되어 있다.

또한, 예를 들면 도 10(a)∼(c)에 나타내는 바와 같이 인덕터(3c)를 형성하는 배선 전극(4)과, 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있다. 도 10(a)에 나타내는 예에서는 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 분파기(10)의 소자 기판(11)의 중앙 위치에 있어서 인덕터(3c)를 형성하는 배선 전극(4)과 겹치도록 배치되어 있다. 또한, 도 10(b)에 나타내는 예에서는 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 평면으로 볼 때 환상으로 배치되어 인덕터(3c)를 형성하는 배선 전극(4)의 거의 전체 둘레와 겹치도록 배치되어 있다. 또한, 도 10(c)에 나타내는 예에서는 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 공통 단자용 전극(ANTb)으로부터 멀어진 위치에 있어서 인덕터(3c)를 형성하는 배선 전극(4)과 겹치도록 배치되어 있다.

이상과 같이, 이 실시형태에서는 모듈 기판(2)에 있어서, 정합 회로(3)(인덕터(3c))를 형성하는 배선 전극(4)과, 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있다. 그 때문에, 정합 회로(3)와 인덕터(L1)를 전자계 결합시킬 수 있다. 또한, 정합 회로(3)가 모듈 기판(2)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 형성되어 있다. 그 때문에, 분파기(10)의 하방으로 정합 회로(3)를 배치할 수 있다. 따라서, 칩 부품 등이 모듈 기판(2)의 분파기(10)의 주변에 실장되어 정합 회로(3)가 형성되는 구성과 비교하면, 모듈 기판(2)을 소형화할 수 있으므로 고주파 모듈(1)의 소형화를 도모할 수 있다.

또한, 평면시에 있어서 분파기(10)의 외측 영역에 있어서 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)과, 정합 회로(3)의 인덕터(3c)를 형성하는 배선 전극(4)이 겹치도록 모듈 기판(2)에 배선 전극(4)이 형성되어 있어도 좋다.

<제 5 실시형태>

이어서, 도 11을 참조하여 본 발명의 제 5 실시형태에 대해서 설명한다. 도 11은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 모듈의 분파기의 주위에 배치된 인덕터와 정합 회로의 배치 관계를 나타내는 평면도이다.

이 실시형태가 상기한 제 1 실시형태와 다른 것은 도 11에 나타내는 바와 같이 인덕터(L1)를 형성하는 칩형의 인덕터 부품(7)과, 정합 회로(3)를 형성하는 인덕터(3b)가 내장된 칩형의 회로 부품(3a)이 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 실장되고, 인덕터 부품(7)과 회로 부품(3a)이 인접 배치되어 있다는 점이다. 인덕터 부품(7)과 회로 부품(3a) 사이에는 평면으로 볼 때 다른 부품은 배치되지 않는다. 기타 구성은 상기한 제 1 실시형태와 동일한 구성이기 때문에, 동일한 부호를 인용함으로써 그 구성의 설명은 생략한다.

이 실시형태에서는 인덕터(L1)를 형성하는 인덕터 부품(7)과, 정합 회로(3)를 형성하는 회로 부품(3a)이 인접 배치되어 있으므로, 정합 회로(3)와 인덕터(L1)를 전자계 결합시킬 수 있다.

또한, 인덕터(L1)가 칩형의 인덕터 부품(7)에 의해 형성되어 있으므로, 모듈 기판(2)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 인덕터(L1)가 형성된 경우와 비교하면, 인덕터(L1)의 인덕턴스를 보다 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 정합 회로(3)가 칩형의 회로 부품(3a)에 의해 형성되어 있으므로, 모듈 기판(2)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 정합 회로(3)가 형성된 경우와 비교하면, 정합 회로(3)의 임피던스 특성을 보다 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다. 따라서, 송신 필터 회로(14)의 감쇠 특성이나, 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호를 감쇠시키기 위한 전파 경로(WP)를 형성하는 전자계 결합의 정도를 더욱 고밀도 또한 용이하게 조정할 수 있다.

<제 6 실시형태>

이어서, 도 12를 참조하여 본 발명의 제 6 실시형태에 대해서 설명한다. 도 12는 본 발명의 고주파 모듈의 제 6 실시형태를 나타내는 도이다.

이 실시형태가 상기한 제 1 실시형태와 다른 것은 도 12에 나타내는 바와 같이 평면시에 있어서, 정합 회로(3)를 형성하는 회로 부품(3a)과, 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)이 분파기(10)의 소자 기판(11)의 외측 영역에서 겹치도록 배치되어 있다는 점이다. 기타 구성은 상기한 제 1 실시형태와 동일한 구성이기 때문에, 동일한 부호를 인용함으로써 그 구성의 설명은 생략한다.

이 실시형태에서는 도 12 중의 일점쇄선으로 둘러싼 영역에 있어서, 모듈 기판(2)에 설치된 인덕터(L1)를 형성하는 배선 전극(4)과, 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 실장된 정합 회로(3)를 형성하는 회로 부품(3a)이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있으므로, 인덕터(L1)와 정합 회로(3)를 전자계 결합시킬 수 있다.

또한, 도 12에 나타내는 고주파 모듈(1)에 있어서, 인덕터(L1) 대신에 정합 회로(3)가 모듈 기판(2)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 형성되고, 회로 부품(3a) 대신에 인덕터(L1)를 형성하는 칩형의 인덕터 부품(7)이 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 실장되고, 정합 회로(3)를 형성하는 배선 전극(4)과 인덕터 부품(7)이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있어도 좋다. 이와 같이 하면, 동도 중의 일점쇄선으로 둘러싼 영역에 있어서, 모듈 기판(2)에 설치된 정합 회로(3)를 형성하는 배선 전극(4)과, 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 실장된 인덕터(L1)를 형성하는 인덕터 부품(7)이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있으므로, 인덕터(L1)와 정합 회로(3)를 전자계 결합시킬 수 있다.

<제 7 실시형태>

이어서, 도 13을 참조하여 본 발명의 제 7 실시형태에 대해서 설명한다. 도 13은 본 발명의 고주파 모듈의 제 7 실시형태를 나타내는 도이다.

이 실시형태가 상기한 제 1 실시형태와 다른 것은 도 13에 나타내는 바와 같이 인덕터(L1)가 분파기(10)의 커버층(13)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 형성되어 있다는 점이다. 기타 구성은 상기한 제 1 실시형태와 동일한 구성이기 때문에, 동일한 부호를 인용함으로써 그 구성의 설명은 생략한다.

이 실시형태에서는 인덕터(L1)는 분파기(10)의 커버층(13)에 설치된 배선 전극(4)에 의해 형성되어 있다. 따라서, 분파기(10) 내에 배치된 분파기 내 공통 경로(16c) 및 분파기 내 수신 경로(16b)나 수신 필터 회로(15)와 인덕터(L1)를 보다 근접 배치할 수 있으므로, 분파기 내 공통 경로(16c) 및 분파기 내 수신 경로(16b)나 수신 필터 회로(15)와 인덕터(L1)를 보다 확실하게 전자계 결합시켜 전파 경로(WP)를 형성할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기한 실시형태로 한정되는 것은 아니고, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서, 상기한 것 이외에 다양한 변경을 행하는 것이 가능하고, 상기한 실시형태가 구비하는 구성을 아무렇게 조합시켜도 좋다. 예를 들면, 상기한 실시형태에서는 송신 필터 회로(14)의 특성 조정용 인덕터(L1)와, 분파기 내 공통 경로(16c) 또는 정합 회로(3)가 고주파적으로 접속하는 예를 중심으로 설명을 행했지만, 인덕터(L1)와, 수신 필터 회로(15)나 분파기 내 수신 경로(16b)가 고주파적으로 접속되어 전파 경로(WP)가 형성되도록 해도 좋다. 또한, 전파 경로(WP)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호의 적어도 위상 특성이 송신 필터 회로(14)를 통과하는 송신 신호의 주파수 대역외의 RF 신호와 다르도록 전파 경로(WP)를 형성하는 전자계 결합의 정도가 조정되어 있으면 좋다.

또한, 송신 필터 회로(14)가 구비하는 래더형의 필터의 구성은 상기한 예로 한정되는 것은 아니고, 필터 특성을 조정하기 위해서 션트 접속된 공진자를 구비하는 구성이면 아무렇게 송신 필터 회로(14)를 형성해도 좋다. 또한, 수신 필터 회로(15)의 구성은 탄성파를 이용한 공진자를 구비하는 구성으로 해도 좋고, 일반적인 LC 필터에 의해 수신 필터 회로(15)가 형성되어 있어도 좋다. 또한, 탄성파를 이용한 필터로서는 SAW 필터로 한정되지 않고, FBAR형이나 SMR형의 벌크 탄성파를 이용한 BAW 필터에 의해 송신 필터 회로(14) 및 수신 필터 회로(15)가 형성되어 있어도 좋다.

또한, 분파기(10)의 구성은 상기한 WLP 구조로 한정되지 않고, 소위 패키지 기판을 갖는 CSP 구조로 형성해도 좋고, 상기한 커버층(13)을 설치하지 않고, 비아칩 구조의 분파기(10)가 직접 모듈 기판(2)의 실장면(2a)에 실장되는 구성이어도 좋다.

또한, 상기한 실시형태에서는 모듈 기판(2)에 1개의 분파기(10)가 탑재된 고주파 모듈(1)을 예로 들어 설명했지만, 모듈 기판(2)에 2개 이상의 분파기(10)를 탑재하여 고주파 모듈을 형성해도 좋고, 이 경우, 모듈 기판(2)에 스윗치 IC를 탑재하고, 모듈 기판(2)에 탑재된 복수의 분파기(10)로부터 사용하는 분파기(10)를 스윗치 IC에 의해 선택하여 스위칭하도록 하면 좋다.

또한, 상기한 실시형태에서는 송신 필터 회로(14) 및 수신 필터 회로(15)는 동일한 공간에 배치되어 있지만, 소자 기판(11)과 커버층(13) 사이에 절연층(12)에 의해 둘러싸는 공간을 2개 형성하고, 각 공간에 송신 필터 회로(14) 및 수신 필터 회로(15)를 각각 배치해도 좋다. 이와 같이 구성하면, 송신 필터 회로(14) 및 수신 필터 회로(15)가 구조상 분리되어 배치됨으로써, 예를 들면 송신 필터 회로(14)에 전력이 인가됨으로써 발생한 열이 수신 필터 회로(15)의 특성에 영향을 주는 것을 억제할 수 있음과 아울러, 송신 필터 회로(14) 및 수신 필터 회로(15) 사이의 아이솔레이션 특성의 향상을 더욱 도모할 수 있다.

또한, 상기한 각 실시형태에서는 송신 필터 회로(14)의 특성 조정용 인덕터(L1)가 송신 필터 회로(14)의 출력 단자측에 접속되는 각 회로 소자에 고주파적으로 접속됨으로써 전파 경로(WP)가 형성되어 있다. 그러나, 인덕터(L1) 대신에 인덕터(L2) 또는 인덕터(L3)가 전파 경로(WP)를 형성하기 때문에 사용되어도 좋다. 또한, 복수의 인덕터가 송신 필터 회로(14)의 출력측의 신호 경로에 고주파적으로 접속되어도 좋다.

(산업상의 이용 가능성)

송신 신호와 수신 신호를 분파하는 기능을 구비하는 고주파 모듈에 본 발명을 널리 적용할 수 있다.

1 고주파 모듈 2 모듈 기판
2a 실장면 2b 실장용 전극
3 정합 회로 3a 회로 부품
4 배선 전극 6a 기판측 송신 경로(송신 경로)
6b 기판측 수신 경로(수신 경로) 6c 기판측 공통 경로(공통 경로)
7 인덕터 부품 10 분파기
11 소자 기판 11a 일방의 주면
12 절연층 13 커버층
14 송신 필터 회로 15 수신 필터 회로
16a 분파기 내 송신 경로(송신 경로) 16b 분파기 내 수신 경로(수신 경로)
16c 분파기 내 공통 경로(공통 경로) ANTa 공통 전극
Rxa 수신 전극 Txa 송신 전극
ANTb 공통 단자용 전극 Rxb 수신 단자용 전극
Txb 송신 단자용 전극 L1 인덕터
WP 전파 경로

Claims

송신 신호가 입력되는 송신 전극과,
상기 송신 신호를 출력하고, 수신 신호가 입력되는 공통 전극과,
상기 수신 신호를 출력하는 수신 전극과,
상기 송신 신호의 주파수 대역이 통과 대역으로서 설정된 송신 필터 회로 및 상기 송신 신호의 주파수 대역과 다른 상기 수신 신호의 주파수 대역이 통과 대역으로서 설정된 수신 필터 회로를 구비한 분파기와,
상기 송신 전극과 상기 송신 필터 회로의 입력 단자를 접속하는 송신 경로와,
상기 수신 전극과 상기 수신 필터 회로의 출력 단자를 접속하는 수신 경로와,
상기 공통 전극과, 상기 송신 필터 회로의 출력 단자 및 상기 수신 필터 회로의 입력 단자를 접속하는 공통 경로와,
상기 공통 경로에 접속된 정합 회로와,
일단이 상기 송신 필터 회로에 접속되고 타단이 그라운드 전극에 접속된 상기 송신 필터 회로의 특성 조정용 인덕터를 구비하고,
상기 인덕터와, 상기 공통 경로, 상기 정합 회로, 상기 수신 필터 회로 및 상기 수신 경로 중 적어도 1개가 자계 결합 및/또는 전계 결합에 의해 상기 송신 필터 회로의 출력 단자측의 신호 경로에 접속되는 전파 경로를 형성하도록 상기 인덕터가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서,
고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고,
상기 인덕터는 상기 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 형성되고, 상기 인덕터를 형성하는 배선 전극이 평면으로 볼 때 상기 분파기의 바로 아래에 배치되고, 해당 배선 전극과 상기 분파기 사이에는 상기 그라운드 전극이 배치되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 2 항에 있어서,
상기 인덕터를 형성하는 배선 전극은 상기 모듈 기판의 실장면에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 인덕터를 형성하는 배선 전극은 평면으로 볼 때 적어도 상기 분파기 내의 상기 공통 경로와 겹치거나, 또는 인접하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 정합 회로는 상기 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 형성되고, 상기 정합 회로를 형성하는 배선 전극은 평면으로 볼 때 상기 인덕터를 형성하는 배선 전극과 겹치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서,
고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고,
상기 인덕터는 칩형의 인덕터 부품으로 구성되고, 상기 분파기의 공통 단자용 전극에 인접 배치되어 상기 모듈 기판의 실장면에 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서,
고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고,
상기 인덕터는 칩형의 인덕터 부품으로 구성되고, 상기 모듈 기판의 실장면에 실장되고,
상기 정합 회로는 칩형의 회로 부품으로 구성되고, 상기 모듈 기판의 상기 실장면에 실장되고,
상기 인덕터 부품과 상기 회로 부품이 인접 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서,
고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고,
상기 인덕터는 상기 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 형성되고,
상기 정합 회로는 칩형의 회로 부품으로 구성되고, 상기 모듈 기판의 실장면에 실장되고,
상기 인덕터를 형성하는 배선 전극과 상기 회로 부품이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서,
고주파 모듈은 상기 송신 전극, 상기 수신 전극 및 상기 공통 전극과 상기 정합 회로가 설치되고 또한 상기 분파기가 실장된 모듈 기판을 더 구비하고,
상기 인덕터는 칩형의 인덕터 부품으로 구성되고, 상기 모듈 기판의 상기 실장면에 실장되고,
상기 정합 회로는 상기 모듈 기판에 설치된 배선 전극에 의해 형성되고,
상기 정합 회로를 형성하는 배선 전극과 상기 인덕터 부품이 평면으로 볼 때 겹치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서,
상기 분파기는 커버층을 포함하고, 상기 인덕터는 상기 커버층에 설치된 배선 전극에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.