WO2012102285A1

WO2012102285A1 - 送信モジュール

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Publication number: WO2012102285A1
Application number: PCT/JP2012/051496
Authority: WO
Inventors: 齋藤賢志; 柳原真悟; 佐藤剛; 吉見俊二; 渡辺和幸
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2011-01-28
Filing date: 2012-01-25
Publication date: 2012-08-02

Abstract

スイッチ素子による損失を防止し、複数種類の送信信号を増幅して、より低損失に出力できるマルチバンドの送信モジュールを実現する。送信モジュール（１０）は、パワーアンプ（１１）およびマルチバンドアイソレータ（１２）を備える。パワーアンプ（１１）の出力端は、低域通過フィルタ機能を有するインピーダンス変換回路（１３）を介してマルチバンドアイソレータ（１２）の単一の入力端子へ接続している。マルチバンドアイソレータ（１２）は、低周波数用の個別アイソレータ（１２０Ｌ）と、高周波数用の個別アイソレータ（１２０Ｈ）とを備える。個別アイソレータ（１２０Ｈ）の入力端は、マルチバンドアイソレータ（１２）の単一の入力端子に直接接続し、個別アイソレータ（１２０Ｌ）の入力端は、マルチバンドアイソレータ（１２）の単一の入力端子に対して低域通過フィルタ機能を有するインピーダンス変換回路（１２１）を介して接続している。

Description

送信モジュール

　本発明は、送信信号を増幅して出力する送信モジュール、特に、複数の周波数帯域の送信信号を増幅して出力可能なマルチバンドの送信モジュールに関する。

　携帯電話機等に搭載されている無線通信モジュールは、送信信号を生成してアンテナへ出力する送信回路と、アンテナで受信した信号を増幅する受信回路とが備えられている。特に、現在マルチバンド対応の無線通信モジュールが要求されており、送信回路としては、それぞれに異なる周波数の送信信号を生成し、アンテナへ供給する必要がある。このため、特許文献１には、複数種類の送信信号を生成する送信信号発生器と、送信信号発生器からの送信信号を増幅するパワーアンプ（ＰＡ）と、ＰＡから出力される送信信号を切り替えて、送信信号の種類毎に設けられたデュプレクサへ出力するスイッチ素子と、を備えた送信装置が開示されている。

特開２００８－１５４２０１号公報

　しかしながら、特許文献１に示すような送信装置（送信回路）では、ＰＡによって増幅された送信信号を、スイッチ素子で切り替えて出力する構造となるため、当該スイッチ素子で発生する損失により、送信信号が不要に減衰してしまう。

　したがって、本発明の目的は、スイッチ素子による損失を防止し、複数種類の送信信号を増幅して、より低損失に出力できるマルチバンドの送信モジュールを実現することにある。

　この発明は、送信信号を増幅して出力する送信モジュールに関する。本発明の送信モジュールは、パワーアンプとマルチバンドアイソレータと低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路とを備える。パワーアンプは、異なる周波数帯域を利用した複数の送信信号を増幅する。マルチバンドアイソレータは、該パワーアンプの出力端に接続し、単一の入力端子に対して、複数の送信信号毎に異なる出力端子を備え、入力端子と出力端子との間にそれぞれ接続された複数の個別アイソレータを備える。低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路は、インダクタおよびキャパシタを組み合わせて回路構成され、パワーアンプの出力端とマルチバンドアイソレータの単一の入力端子との間に接続されている。

　この構成では、パワーアンプから出力された各周波数帯域の送信信号は、それぞれの送信信号に対応した個別アイソレータを通過して、個別の出力端子から出力される。この際、パワーアンプとマルチバンドアイソレータとの間に接続された低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路によりインピーダンス整合がされ、マルチバンドアイソレータでの伝送損失が低減される。これにより、従来の構成のようなスイッチ素子による損失は生じず、且つ伝送損失が低くなり、送信モジュールとしての伝送損失が従来よりも大幅に低減される。

　また、この発明の送信モジュールでは、マルチバンドアイソレータの単一の入力端子と個別アイソレータの入力側との間に、それぞれに個別のインピーダンス変換回路を備えている、ことが好ましい。

　この構成では、個別アイソレータの入力側に、さらにインピーダンス変換回路が備えられるので、段階的なインピーダンス整合が可能になる。これにより、一度で大幅なインピーダンス変換を行う場合よりも低損失なインピーダンス変換が可能になり、さらに伝送損失を低減することができる。

　また、この発明の送信モジュールでは、個別のインピーダンス変換回路は、個別アイソレータの入力側の伝送線路とグランド電位との間に接続されたインダクタもしくはキャパシタにより構成されている、ことが好ましい。

　この構成では、個別アイソレータの入力側にそれぞれ挿入される個別のインピーダンス変換回路を、簡素な構成で実現できる。これにより、送信モジュールを大型化することなく、インピーダンス不整合による損失を大幅に抑制する構成を実現できる。

　また、この発明の送信モジュールでは、次の構成であることが好ましい。マルチバンドアイソレータは、高周波数帯域用の個別アイソレータと、低周波数帯域用の個別アイソレータとで構成される。低周波数帯域用の個別アイソレータの入力側に、高周波数帯域を減衰帯域内とする第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路を備える。

　この構成では、第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路において、高周波数帯域の送信信号が減衰されて、低周波数帯域用の個別アイソレータに入力されない。また、パワーアンプと低周波数帯域用の個別アイソレータとの間のインピーダンス整合の段階を増加させることができる。これにより、さらに伝送特性に優れる送信モジュールを実現できる。

　また、この発明の送信モジュールでは、次のいずれかの態様であることが好ましい。

　・低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路を構成するインダクタを、送信モジュールを形成する積層体に形成された電極パターンもしくは積層体に実装された線状電極により形成する。

　・第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路を構成するインダクタを、送信モジュールを形成する積層体に形成された電極パターンもしくは積層体に実装された線状電極により形成する。

　・低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路および第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路を構成する各インダクタを、送信モジュールを形成する積層体に形成された電極パターンもしくは積層体に実装された線状電極により形成する。

　これらの構成は、低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路および第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路の少なくとも一方のインダクタを、具体的に実現する構造の例を示している。このような構造とすることで、低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路および第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路のインダクタを、単独の独立した素子で実現する必要がなく、送信モジュールを小型化できる。

　この発明によれば、複数種類の送信信号を増幅して、殆ど損失を生じさせることなく出力するマルチバンドの送信モジュールを実現することができる。

本発明の実施形態に係る送信モジュール１０を含む通信モジュール１の回路構成図である。本発明の実施形態に係る送信モジュール１０の回路構成および各部のインピーダンスを示す図である。本発明の実施形態に係る送信モジュール１０の外観斜視図である。パワーアンプ１１の出力端からインピーダンス変換回路１３側を見た時のスミスチャートである。インピーダンス変換回路１３の出力端からマルチバンドアイソレータ１２の入力端子側を見た時のスミスチャートである。

　本発明の実施形態に係る送信モジュール１０について、図を参照して説明する。なお、本実施形態では、低周波数側の通信信号としてＷＣＤＭＡ８５０の通信信号もしくはＷＣＤＭＡ９００の通信信号を用い、高周波数側の通信信号としてＷＣＤＭＡ１８００の通信信号もしくはＷＣＤＭＡ１９００の通信信号を用いる場合を示す。

　図１は本実施形態に係る送信モジュール１０を含む通信モジュール１の回路構成図である。図２は本実施形態に係る送信モジュール１０の回路構成および各部のインピーダンスを示す図である。図３は本実施形態に係る通信モジュール１の外観斜視図である。なお、図３では本実施形態における主要な実装型素子のみを記載し、それ以外の実装型素子（例えばスイッチ素子、デュプレクサ、実装型インダクタ、実装型キャパシタ等）については図示を省略している。

　送信モジュール１０は、図１、図２に示すような通信モジュール１に備えられる。通信モジュール１は、送信モジュール１０、コントロールＩＣ２０、スイッチ素子３０、デュプレクサ４０Ｈ，４０Ｌ、スイッチ素子５０を備える。

　コントロールＩＣ２０は、ベースバンドＩＣ２１およびＲＦＩＣ２２を備える。これらは、各周波数の送信信号、具体的には低周波数側通信の送信信号（第１送信信号）および高周波数側通信の送信信号（第２送信信号）を生成する。また、コントロールＩＣ２０は、デュプレクサ４０Ｈ，４０Ｌから出力された低周波数側通信の受信信号（第１受信信号）および高周波数側通信の受信信号（第２受信信号）を出力したり、復調したりする。また、コントロールＩＣ２０は、スイッチ素子３０，５０のスイッチング制御も行う。通信モジュール１は、例えばプリント基板などのマザー基板上に通信モジュール１０や他の部品が実装されて構成され、コントロールＩＣ２０は、マザー基板上に実装される実装型ＩＣで実現される。

　コントロールＩＣ２０のＲＦＩＣ２２から出力された第１送信信号もしくは第２送信信号は、スイッチ素子３０へ出力される。スイッチ素子３０は、第１送信信号もしくは第２送信信号のいずれかを、スイッチング制御に応じて送信モジュール１０の入力端ＴＸｉｎへ出力する。

　送信モジュール１０は、詳細な構成は後述するが、入力端ＴＸｉｎから入力された第１送信信号を増幅して、低周波数側出力端ＴＸｏｕｔＬから出力し、入力端ＴＸｉｎから入力された第２送信信号を増幅して、高周波数側出力端ＴＸｏｕｔＨから出力する。低周波数側出力端ＴＸｏｕｔＬから出力された第１送信信号は、デュプレクサ４０Ｌの共通端子へ入力される。高周波数側出力端ＴＸｏｕｔＨから出力された第２送信信号は、デュプレクサ４０Ｈの共通端子へ入力される。

　デュプレクサ４０Ｌは、例えばＳＡＷデュプレクサによって実現され、送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタとから構成される。デュプレクサ４０Ｌの送信側ＳＡＷフィルタは、第１送信信号の周波数帯域を通過帯域とし、第１受信信号の周波数帯域を含む他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。デュプレクサ４０Ｌの受信側ＳＡＷフィルタは、第１受信信号の周波数帯域を通過帯域とし、第１送信信号の周波数帯域を含む他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。

　デュプレクサ４０Ｌの共通端子へ入力された第１送信信号は、送信側ＳＡＷフィルタを介してスイッチ素子５０へ出力される。スイッチ素子５０からの第１受信信号は、受信側ＳＡＷフィルタを通過して、コントロールＩＣ２０のＲＦＩＣ２２へ出力される。

　デュプレクサ４０Ｈも、通過帯域が異なるだけで、基本構成はデュプレクサ４０Ｌと同じである。デュプレクサ４０Ｈの共通端子へ入力された第２送信信号は、送信側ＳＡＷフィルタを介してスイッチ素子５０へ出力される。スイッチ素子５０からの第２受信信号は、受信側ＳＡＷフィルタを通過して、コントロールＩＣ２０のＲＦＩＣ２２へ出力される。

　スイッチ素子５０は、デュプレクサ４０Ｈ，４０Ｌに接続する個別端子と、外部のアンテナＡＮＴに接続する共通端子とを備え、スイッチ制御に基づいて、個別端子のいずれかを共通端子へ接続する。具体的には、低周波数側通信の送受信を行う場合には、デュプレクサ４０ＬとアンテナＡＮＴを接続するように、低周波数通信用の個別端子と共通端子を接続する。高周波数側通信の送受信を行う場合には、デュプレクサ４０ＨとアンテナＡＮＴを接続するように、高周波数通信用の個別端子と共通端子を接続する。

　以上のような回路構成により、通信モジュール１が実現される。なお、当該通信モジュール１は、上述の説明で部分的に説明したが、図３に示すように、積層体９００と実装型素子とから、図１に示す回路を機構的に実現している。積層体９００は内部電極パターンが形成された誘電体層を所定層積層してなる。この内部電極パターンおよび層間を接続するビアホール電極により、実装型素子以外の回路構成を実現している。積層体９００の天面には、コントロールＩＣ２０と、送信モジュール１０を構成するパワーアンプ１１、個別アイソレータ１２０Ｌ，１２０Ｈと、をそれぞれに実現する実装型素子が実装されている。また、図示しないが、デュプレクサ４０Ｌ，４０Ｈやスイッチ素子３０，５０を実現する実装型素子も実装されている。そして、これら実装型素子が実装された積層体９００の天面は樹脂９０１により覆われており、天面および各実装型素子を外部環境から保護している。

　次に、送信モジュール１の具体的構成および機能について説明する。

　図２に示すように、送信モジュール１は、パワーアンプ１１、ローパス（低域通過）フィルタ１３、マルチバンドアイソレータ１２を備える。送信モジュール１０の入力端ＴＸｉｎからの、すなわちスイッチ素子３０からの第１送信信号または第２送信信号は、パワーアンプ１１に入力される。

　パワーアンプ１１は、第１送信信号または第２送信信号を、増幅して出力する。当該パワーアンプ１１は、出力インピーダンスが数Ω（例えば５Ω程度）である。このような低出力インピーダンスに設定することで、最終段のＦＥＴを小さくすることができる。このため、パワーアンプ１１を小型化でき、ひいては送信モジュール１０も小型化できる。

　パワーアンプ１１の出力端には、インピーダンス変換回路１３を介して、マルチバンドアイソレータ１２の単一の入力端子が接続されている。

　インピーダンス変換回路１３は、パワーアンプ１１の出力端とマルチバンドアイソレータ１２の単一の入力端子との間に接続されたインダクタＬ０と、該インダクタＬ０のマルチバンドアイソレータ１２側の端部をグランド電位へ接続するキャパシタＣ０とからなる。

　この際、インピーダンス変換回路１３は、インダクタＬ０のインダクタンスおよびキャパシタＣ０のキャパシタンスを適宜設定することで、少なくとも第２送信信号の周波数帯域よりも高周波数側の帯域を減衰帯域とする低域通過フィルタ機能を有するように、設定されてもよい。言い換えれば、高周波数側の送信信号の高次高調波を減衰させるような素子値の設定がされていてもよい。

　また、インピーダンス変換回路１３は、図４、図５に示すような反射特性が得られるように、設定されている。図４はパワーアンプ１１の出力端からローパスフィルタ１３側を見た時のスミスチャートである。図５はローパスフィルタ１３の出力端からマルチバンドアイソレータ１２の入力端子側を見た時のスミスチャートである。

　図４に示すように、インピーダンス変換回路１３は、パワーアンプ１１の出力端からインピーダンス変換回路１３側を見ると、第１送信信号の周波数帯域も、第２送信信号の周波数帯域もともに、５Ω程度にインピーダンス変換されるように設定されている。

　また、図５に示すように、インピーダンス変換回路１３は、インピーダンス変換回路１３の出力端からマルチバンドアイソレータ１２の入力端子側を見ると、第１送信信号の周波数帯域では５Ω程度のままであり、第２送信信号の周波数帯域では２５Ω程度になるように設定されている。

　このように、インピーダンス変換回路１３は、第１送信信号に対してはインピーダンス変換機能を殆ど生じず、第２送信信号に対しては数Ω（約５Ω）から約２５Ωにインピーダンス変換する機能を備える。

　マルチバンドアイソレータ１２は、１入力２出力のアイソレータであり、第１送信信号に対応した個別アイソレータ１２０Ｌと、第２送信信号に対応した個別アイソレータ１２０Ｈとを備える。

　マルチバンドアイソレータ１２としての単一の入力端子は、個別アイソレータ１２０Ｈの入力端に対しては直接接続するとともに、個別アイソレータ１２０Ｌの入力端に対しては、第２のインピーダンス変換回路１２１を介して接続している。

　マルチバンドアイソレータ１２の二つの出力端子すなわち送信モジュールの二つの出力端子ＴＸｏｕｔＬ，ＴＸｏｕｔＨは、それぞれに個別アイソレータ１２０Ｌ，１２０Ｈの出力端に接続している。

　インピーダンス変換回路１２１は、マルチバンドアイソレータ１２の単一の入力端子と個別アイソレータ１２０Ｌの入力端との間に接続されたインダクタＬ１と、該インダクタＬ１の両端をそれぞれグランド電位に接続するキャパシタＣ１１，Ｃ１２と、からなるπ型の回路で実現される。

　インピーダンス変換回路１２１は、インダクタＬ１、キャパシタＣ１１，Ｃ１２の素子値を適宜設定することで、第１送信信号の周波数帯域を通過帯域として、第２送信信号の周波数帯域を含む、当該通過帯域の高周波数帯側を減衰する特性を有する。これにより、個別アイソレータ１２０Ｌには、第１送信信号のみが入力され、第２送信信号は入力されない。

　また、インピーダンス変換回路１２１は、上述のインピーダンス変換回路１３と同様の原理により、インダクタＬ１、キャパシタＣ１１，Ｃ１２の素子値を適宜設定することで、第１送信信号に対して数Ω（約５Ω）から約２５Ωにインピーダンス変換する回路として機能する。

　個別アイソレータ１２０Ｌは、例えば特開２００６－３１１４５５に示すように、フェライトコアと、当該フェライトコアに対して配設された電極パターンと、これらフェライトコアおよび電極パターンからなるコア部材を狭持する永久磁石とのみから形成されるアイソレータ素子１２０１Ｌを主体とする。この際、アイソレータ素子１２０１Ｌは、第１送信信号の周波数帯域に対してのみ、入力端から出力端へ低損失に伝送するように、コア部材の形状が設定されている。

　アイソレータ素子１２０１Ｌの入力端は、キャパシタＣｍによりグランド電位に接続されている。このキャパシタＣｍは、キャパシタンスを適宜設定することで、第１送信信号に対して約２５Ωから約５０Ωにインピーダンス変換する回路として機能する。

　個別アイソレータ１２０Ｈは、例えば特開２００６－３１１４５５に示すように、フェライトコアと、当該フェライトコアに対して配設された電極パターンと、これらフェライトコアおよび電極パターンからなるコア部材を狭持する永久磁石とのみから形成されるアイソレータ素子１２０１Ｈを主体とする。この際、アイソレータ素子１２０１Ｈは、第２送信信号の周波数帯域に対してのみ、入力端から出力端へ低損失に伝送するように、コア部材の形状が設定されている。

　アイソレータ素子１２０１Ｈの入力端は、インダクタＬｍによりグランド電位に接続されている。このインダクタＬｍは、インダクタンスを適宜設定することで、第２送信信号に対して約２５Ωから約５０Ωにインピーダンス変換する回路として機能する。

　このような構成とすることで、送信モジュール１０では、第１送信信号は、送信モジュール１０の入力端子ＴＸｉｎからパワーアンプ１１で増幅され、インピーダンス変換回路１３，１２１を介し、個別アイソレータ１２０Ｌを通過して出力端子ＴＸｏｕｔＬから出力される。この際、インピーダンス変換回路１３，１２１、および個別アイソレータ１２０Ｌの入力段の整合回路でインピーダンス変換されるので、パワーアンプ１１の出力インピーダンスと、アイソレータ素子１２０１Ｌの入力インピーダンスが異なっていても、確実且つ低損失なインピーダンス整合が可能になる。これにより、第１送信信号を低損失で出力することができる。

　さらに、上述のように、インピーダンス変換回路１３，１２１、および個別アイソレータ１２０Ｌの入力段の整合回路の三段階で徐々にインピーダンス変換していくことで、一回のインピーダンス変換による急激なインピーダンスの変化による整合と比較して、より正確に低損失なインピーダンス整合が可能になる。

　また、このような構成とすることで、送信モジュール１０では、第２送信信号は、送信モジュール１０の入力端子ＴＸｉｎからパワーアンプ１１で増幅され、インピーダンス変換回路１３を介し、個別アイソレータ１２０Ｈを通過して出力端子ＴＸｏｕｔＨから出力される。この際、インピーダンス変換回路１３、および個別アイソレータ１２０Ｈの入力段の整合回路でインピーダンス変換されるので、パワーアンプ１１の出力インピーダンスと、アイソレータ素子１２０１Ｈの入力インピーダンスが異なっていても、確実且つ低損失なインピーダンス整合が可能になる。これにより、第２送信信号を低損失で出力することができる。

　さらに、上述のように、インピーダンス変換回路１３および個別アイソレータ１２０Ｌの入力段の整合回路の二段階で徐々にインピーダンス変換していくことで、一回のインピーダンス変換による急激なインピーダンスの変化による整合と比較して、より正確に低損失なインピーダンス整合が可能になる。

　以上のように、本実施形態の構成を用いることで、それぞれ異なる周波数帯域の複数の送信信号を増幅して、殆ど損失を生じさせることなく個別の出力端子から出力するマルチバンドの送信モジュールを実現することができる。

　なお、上述のインピーダンス変換回路１３，１２１を構成するインダクタやキャパシタは、実装型素子で実現することができるが、例えば、インダクタＬ０、Ｌ１を、積層体９００の内層電極パターン、積層体９００の天面の電極パターン、積層体９００の天面に実装されたワイヤ電極（線状電極）で実現することもできる。これら構成を用いれば、インダクタＬ０，Ｌ１を個別の実装型素子で用意する必要がないので、送信モジュール１０の小型化が可能になる。

　なお、上述の実施形態では、低周波数側の通信信号としてＷＣＤＭＡ８５０の通信信号もしくはＷＣＤＭＡ９００の通信信号を用い、高周波数側の通信信号としてＷＣＤＭＡ１８００の通信信号もしくはＷＣＤＭＡ１９００の通信信号を用いる例を示したが、低周波数側の通信信号としてＷＣＤＭＡ８５０を用い、高周波数側の通信信号としてＷＣＤＭＡ９５０の通信信号を用いるような構成に利用することもできる。ただし、上述の構成を用いる場合、低周波数側の通信信号の周波数帯域と高周波数側の通信信号の周波数帯域とが離間しているほど、より有効となる。また、ＷＣＤＭＡ系の通信信号のみでなく、他の通信信号に対しても同様に、上述の構成を適用することができる。

　また、上述の実施形態では、一入力二出力のマルチバンドアイソレータを例に説明したが、Ｎ＝２以上の整数とし、一入力Ｎ出力のマルチバンドアイソレータに対しても、上述の構成を適用することができる。

１：通信モジュール、１０：送信モジュール、１１：パワーアンプ、１２：マルチバンドアイソレータ、１３：インピーダンス変換回路、２０：コントロールＩＣ、２１：ベースバンドＩＣ、２２：ＲＦＩＣ、３０，５０：スイッチ素子、４０Ｈ，４０Ｌ：デュプレクサ、１２０Ｌ，１２０Ｈ：個別アイソレータ、１２１：インピーダンス変換回路、１２０１Ｌ，１２０１Ｈ：アイソレータ素子

Claims

　異なる周波数帯域を利用した複数の送信信号を増幅するパワーアンプと、
　該パワーアンプの出力端に接続し、単一の入力端子に対して、前記複数の送信信号毎に異なる出力端子を備え、前記入力端子と前記出力端子との間にそれぞれ個別アイソレータが接続されたマルチバンドアイソレータと、
　前記パワーアンプの出力端と前記マルチバンドアイソレータの前記単一の入力端子との間に、インダクタおよびキャパシタを組み合わせてなる低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路を備えた、送信モジュール。
　請求項１に記載の送信モジュールであって、
　前記マルチバンドアイソレータの前記単一の入力端子と前記個別アイソレータの入力側との間に、それぞれに個別のインピーダンス変換回路を備えた、送信モジュール。
　請求項２に記載の送信モジュールであって、
　前記個別のインピーダンス変換回路は、前記個別アイソレータの入力側の伝送線路とグランド電位との間に接続されたインダクタもしくはキャパシタにより構成されている、送信モジュール。
　請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の送信モジュールであって、
　前記マルチバンドアイソレータは、高周波数帯域用の個別アイソレータと、低周波数帯域用の個別アイソレータとで構成され、
　前記低周波数帯域用の個別アイソレータの入力側に、前記高周波数帯域を減衰帯域内とする第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路を備える、送信モジュール。
　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の送信モジュールであって、
　前記低域通過フィルタ型の整合回路を構成するインダクタは、前記送信モジュールを形成する積層体に形成された電極パターンもしくは前記積層体に実装された線状電極により形成される、送信モジュール。
　請求項４に記載の送信モジュールであって、
　前記第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路を構成するインダクタは、前記送信モジュールを形成する積層体に形成された電極パターンもしくは前記積層体に実装された線状電極により形成される、送信モジュール。
　請求項４に記載の送信モジュールであって、
　前記低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路および前記第２の低域通過フィルタ型のインピーダンス変換回路を構成する各インダクタは、前記送信モジュールを形成する積層体に形成された電極パターンもしくは前記積層体に実装された線状電極により形成される、送信モジュール。