JP4735773B2 - 高周波モジュール - Google Patents
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Description
図1は本発明に係る高周波スイッチモジュールの構成を示すブロック図である。なお、本実施形態の説明では送信信号入力端子Tx1からGSM850MHz送信信号またはGSM900MHz送信信号を入力し、受信信号出力端子Rx1からGSM850MHz受信信号を出力し、受信信号出力端子Rx2からGSM900MHz受信信号を出力する高周波スイッチモジュールについて説明する。GaAsスイッチからなるFETスイッチSW10は、アンテナANTに接続する入出力ポートRF11、RF12、RF13(以下、単に「RF11ポート」、「RF12ポート」、「RF13ポート」と称す。)と、を備える。また、FETスイッチSW10は、図示しないが、駆動電圧が入力される駆動電圧入力端子と、スイッチ切り替え制御に用いる制御信号が入力される制御信号入力端子とを備え、制御信号入力端子に入力される制御信号により、アンテナポートANT0をRF11、RF12、RF13の各ポートのいずれかに導通する。なお、本実施形態では、RF11ポートに送信信号入力端子Tx1が接続され、RF12ポート、RF13ポートのそれぞれに受信信号出力端子Rx1,Rx2が接続されているので、RF11ポートが本発明の「送信信号入力ポート」に相当し、RF12ポート、RF13ポートがそれぞれ「受信信号出力ポート」に相当する。
図7は本発明の第2実施形態に係る高周波スイッチモジュールの構成を示すブロック図である。第1実施形態と異なる点は、ローパスフィルタLPF20とFETスイッチSW10との間に、ボンディングワイヤによるインダクタであるLwを備え、そのLwを用いて高次高調波の位相調整を行う点である。なお、このボンディングワイヤは第1実施形態を示す概略斜視図である図3(b)のボンディングワイヤ20に相当するものである。
ANT0…アンテナポート
GCc1,GCc2…キャパシタ
GCu1,GCu2,GCu3…キャパシタ
GLt1,GLt2…インダクタ
LPF20…ローパスフィルタ
LPF21a…ローパスフィルタ
LPF21b…ローパスフィルタ
RF11,RF12,RF13…入出力ポート
Rx1,Rx2…受信信号出力端子
SW10…FETスイッチ
Tx1…送信信号入力端子
1…多層基板
5…保護膜
10…FETスイッチ
12…接続用電極
15…端子電極
17…FETスイッチ実装用電極
18…グランド電極
19…外部接続用電極
20…ボンディングワイヤ
21a…LPF
21b…LPF
25…高周波スイッチモジュール
31〜34…電極
Claims (4)
- 複数の誘電体層と配線電極とを積層することにより形成し、送信信号が入力される送信信号入力端子用実装電極を含む外部接続用電極を備える多層基板と、
前記多層基板の一方主面に実装され、前記送信信号が入力される送信入力ポート、受信信号を出力する受信出力ポート、および、アンテナへ前記送信信号を出力するとともに前記アンテナから前記受信信号を入力するアンテナポートを備え、該アンテナポートを送信入力ポートまたは受信出力ポートに切り替えて接続するFETスイッチと、
前記多層基板の主面又は内部の少なくとも一方に形成され、第1の入出力端子が前記送信入力ポートに接続され、第2の入出力端子が前記送信信号入力端子用実装電極に接続され、前記送信信号の高次高調波を減衰させるフィルタと、
を備えた高周波スイッチモジュールにおいて、
前記外部接続用電極は前記多層基板の他方主面の縁端部近傍に形成され、
前記多層基板の一方主面上には前記送信入力ポート、前記受信出力ポートおよび前記アンテナポートが接続素子を介してそれぞれ接続される送信入力ポート用電極、受信出力ポート用電極およびアンテナポート用電極が形成され、
前記フィルタは、前記送信入力ポート用電極と前記送信信号入力端子用実装電極との間に直列に接続される少なくとも一つのインダクタと、一端が前記送信入力ポート用電極に接続され他端が接地される第1のキャパシタと、一端が前記送信信号入力端子用実装電極に接続され他端が接地される第2のキャパシタと、を備え、
前記第1のキャパシタの容量値と前記第2のキャパシタの容量値とを異なる値とし、前記第1のキャパシタを構成する少なくとも一つのキャパシタ用電極は前記多層基板内に形成した導通ビアホールを介して前記送信入力ポート用電極に直接接続され、
前記送信入力ポートと前記送信入力ポート用電極を接続する接続素子としてボンディング用ワイヤを用い、前記ボンディング用ワイヤのインダクタンスと前記第1のキャパシタの容量値とで前記高次高調波の位相を変化させる位相調整回路を形成した、請求項1に記載の高周波スイッチモジュール。 - 前記インダクタは前記多層基板の積層方向において一方主面側に配置され、前記キャパシタ用電極は前記多層基板の積層方向において他方主面側に配置されている、請求項1に記載の高周波スイッチモジュール。
- 前記フィルタは、前記高次高調波のうち2次または3次高調波の周波数を阻止域に含むローパスフィルタである請求項1または請求項2に記載の高周波スイッチモジュール。
- それぞれに特定の周波数帯を送信信号および受信信号で利用する通信信号を複数入出力し、前記FETスイッチは少なくとも前記通信信号ごとに受信出力ポートを備える、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の高周波スイッチモジュール。
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