JP2007235259A - 高周波スイッチ - Google Patents

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【課題】第2通信システムの受信部が信号を受信する場合の挿入損失の劣化を防止することのできる高周波スイッチを得る。
【解決手段】第1ダイオードDD1を含む第1スイッチング回路14Aと、第2ダイオードDD2を含む第2スイッチング回路14Bと、第3ダイオードDD3を含む第3スイッチング回路14Cと、高周波歪抑制用フィルタ13Fと、ローパスフィルタ12Dとを備えた高周波スイッチ。第1及び第2ダイオードDD1,DD2はフィルタ13Fを介してアンテナ端子ANT側に接続され、第3ダイオードDD3はフィルタ13Fを介することなく直接にアンテナ端子ANT側に接続されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、高周波スイッチ、特に、複数の異なる通信システムに利用可能な高周波スイッチに関する。
従来、この種の高周波スイッチとして、特許文献1に記載のものが知られている。この高周波スイッチは、その概略を図8に示すように、アンテナ端子ANTとフィルタFの一方側とを電気的に接続する第1ポートP1と、第1及び第2通信システムの送信部Tx1,Tx2と電気的に接続された第2ポートP2と、第1通信システムの受信部Rx1と電気的に接続された第3ポートP3と、第2通信システムの受信部Rx2と電気的に接続された第4ポートP4と、第1、第2及び第3スイッチング素子S1,S2,S3と、を備えている。さらに、第1、第2及び第3スイッチング素子S1,S2,S3はそれぞれフィルタFの他方側と電気的に接続されている。
より具体的には、第1スイッチング素子S1はフィルタFの他方側と第2ポートP2との間に電気的に直列に接続されている第1ダイオードを含み、第2スイッチング素子S2はフィルタFの他方側と第3ポートP3との間に電気的に直列に接続されている第2ダイオードを含み、第3スイッチング素子S3は一端がフィルタFの他方側と第4ポートP4との間に電気的に接続され、他端がグランドと電気的に接続されている。
以上の高周波スイッチにおいて、送信部Tx1,Tx2からの信号をアンテナANTから送信する場合、第1スイッチング素子S1をオン、第2スイッチング素子S2をオフ、第3スイッチング素子S3をオンする。一方、アンテナ端子ANTから受信した信号を第2通信システムの受信部Rx2が受信する場合、第1スイッチング素子S1をオフ、第2スイッチング素子S2をオフ、第3スイッチング素子S3をオフする。
ところで、第1及び第2通信システムの送信部Tx1,Tx2からの信号をアンテナ端子ANTから送信する場合、第1スイッチング素子S1をオン、第2スイッチング素子S2をオフ、第3スイッチング素子S3をオンしたとき、オフ時に第2スイッチング素子S2内で発生するノイズがアンテナ端子ANTから送信されないようにするため、送信部Tx1,Tx2からの信号は高周波歪抑制用フィルタFを介して送信している。なお、第3スイッチング素子S3は送信時にはオン状態になるのでノイズは発生しない。しかしながら、第2通信システムの受信部Rx2が信号を受信する場合、フィルタFを介して受信するため、挿入損失が劣化するという問題点を有していた。
特開2000−165274号公報
そこで、本発明の第1の目的は、第2通信システムの受信部が信号を受信する場合の挿入損失の劣化を防止することのできる高周波スイッチを提供することにある。
本発明の第2の目的は、前記第1の目的を達成するとともに、第1及び第2通信システムの送信部から信号を送信する場合、不要なノイズを送信することのない高周波スイッチを提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る高周波スイッチは、
アンテナ端子と電気的に接続された第1ポートと、近接した周波数を伝送する少なくとも第1及び第2通信システムの送信部と電気的に接続された第2ポートと、第1通信システムの受信部と電気的に接続された第3ポートと、第2通信システムの受信部と電気的に接続された第4ポートと、フィルタと、第1、第2及び第3スイッチング素子と、を備えた高周波スイッチにおいて、
前記第1ポートは前記フィルタの一方側と電気的に接続され、
前記第2ポートは前記第1スイッチング素子を介して前記フィルタの他方側と電気的に接続され、
前記第3ポートは前記第2スイッチング素子を介して前記フィルタの他方側と電気的に接続され、
前記第4ポートは前記第3スイッチング素子を介して前記フィルタの一方側と電気的に接続され、
前記送信部から送信信号が前記第2ポートに送信され、該送信信号が前記フィルタを介して前記アンテナ端子から送信されるとき、前記第1スイッチング素子と前記第3スイッチング素子とがオン状態、前記第2スイッチング素子がオフ状態になるように制御すること、
を特徴とする。
以上の構成からなる本発明に係る高周波スイッチにおいては、第2通信システムの受信部は第3スイッチング素子を介してフィルタの一方側と接続され、フィルタを介さずしてアンテナ端子と直接的に接続されているため、第2通信システムの受信部が信号を受信する場合は挿入損失の劣化を生じることがない。一方、第3スイッチング素子は送信時にはオン状態になるのでノイズを発生することはない。
本発明に係る高周波スイッチにおいて、第1、第2及び第3スイッチング素子はそれぞれ第1、第2及び第3ダイオードを含み、第1ダイオードは前記フィルタの他方側と第2ポートとの間に電気的に直列に接続され、第2ダイオードは前記フィルタの他方側と第3ポートとの間に電気的に直列に接続され、第3ダイオードはその一端が前記フィルタの一方側と第1ポートとの間に電気的に接続され、かつ、その他端がグランドと電気的に接続されていてもよい。
また、第1ダイオードはその一端が前記フィルタの他方側と電気的に接続され、その他端がローパスフィルタと電気的に接続され、該ローパスフィルタは第2ポートと電気的に接続されていることが好ましい。第1及び第2通信システムの送信部から信号を送信する場合、ローパスフィルタを介するために不要なノイズを送信することがない。
以上の如く、本発明によれば、第2通信システムの受信部が信号を受信する場合、フィルタが介在されないので、挿入損失の劣化を防止することのできる。さらに、第1及び第2通信システムの送信部から信号を送信する場合、ローパスフィルタを介するために不要なノイズを送信することがない。
以下、本発明に係る高周波スイッチの実施例について添付図面を参照して説明する。
(本発明の概念、図7参照)
まず、図7を参照して、本発明に係る高周波スイッチを概念的に説明する。この高周波スイッチは、アンテナ端子ANTと電気的に接続された第1ポートP1と、近接した周波数を伝送する少なくとも第1及び第2通信システムの送信部Tx1,Tx2と電気的に接続された第2ポートP2と、第1通信システムの受信部Rx1と電気的に接続された第3ポートP3と、第2通信システムの受信部Rx2と電気的に接続された第4ポートP4と、高周波歪抑制用フィルタFと、第1、第2及び第3スイッチング素子S1,S2,S3と、を備えている。
第1ポートP1はフィルタFの一方側と電気的に接続され、第2ポートP2は第1スイッチング素子S1を介してフィルタFの他方側と電気的に接続され、第3ポートP3は第2スイッチング素子S2を介してフィルタFの他方側と電気的に接続され、第4ポートP4は第3スイッチング素子S3を介してフィルタFの一方側と電気的に接続されている。
そして、送信部Tx1,Tx2から送信信号が第2ポートP2に送信され、該送信信号がフィルタFを介してアンテナ端子ANTから送信されるとき、第1スイッチング素子S1と第3スイッチング素子S3とがオン状態、第2スイッチング素子S2がオフ状態になるように制御する。
また、第1、第2及び第3スイッチング素子S1,S2,S3はそれぞれ第1、第2及び第3ダイオードを含み、第1ダイオードはフィルタFの他方側と第2ポートP2との間に電気的に直列に接続され、第2ダイオードはフィルタFの他方側と第3ポートP3との間に電気的に直列に接続され、第3ダイオードはその一端がフィルタFの一方側と第1ポートP1との間に電気的に接続され、かつ、その他端がグランドと電気的に接続されている。
本高周波スイッチにおいて、第2通信システムの受信部Rx2は第3スイッチング素子S3を介してフィルタFの一方側と接続され、フィルタFを介さずしてアンテナ端子ANTと直接的に接続されているため、第2通信システムの受信部Rx2が信号を受信する場合は挿入損失の劣化を生じることがない。一方、第3スイッチング素子S3は送信時にはオン状態になるのでノイズを発生することはない。
また、第1ダイオードはその一端がフィルタFの他方側と電気的に接続され、その他端がローパスフィルタLFと電気的に接続され、該ローパスフィルタLFは第2ポートP2と電気的に接続されている。従って、第1及び第2通信システムの送信部Tx1,Tx2から信号を送信する場合、フィルタLF,Fを介するために不要なノイズを送信することがない。
(第1実施例、図1〜図5参照)
第1実施例である高周波スイッチ(フロントエンドモジュール)は、トリプルバンド対応型であって、図1の等価回路に示すように、三つの異なる通信系であるGSM系及びDCS・PCS系を備え、アンテナ端子ANTの後段に、GSM系の信号経路とDCS/PCS系の信号経路とを分岐するダイプレクサ20と、コンデンサCantとを備えている。GSM系は高周波スイッチ11GとLCフィルタ12Gとで構成されている。DCS/PCS系は高周波歪抑制用フィルタ13Fと高周波スイッチ11DとLCフィルタ12Dとで構成されている。
ダイプレクサ20は、送信の際にはGSM系又はDCS/PCS系からの送信信号を選択し、受信の際にはGSM系又はDCS/PCS系への受信信号を選択する。このダイプレクサ20は、インダクタLt1,Lt2及びコンデンサCc1,Cc2,Ct1,Ct2,Cu1を接続して構成されている。インダクタLt1とコンデンサCt1とからなる並列回路は、GSM系の信号経路にシリーズ接続され、この並列回路の送信側入力端子GSMTx側はコンデンサCu1を介してグランドに接続される。また、コンデンサCc1,Cc2からなる直列回路は、DCS/PCS系の信号経路にシリーズ接続され、コンデンサCc1,Cc2の接続点がインダクタLt2及びコンデンサCt2を介してグランドに接続される。
高周波スイッチ11Gは、アンテナ端子ANTと送信側入力端子GSMTxとの間の信号経路と、アンテナ端子ANTと受信側出力端子GSMRxとの間の信号経路とを選択的に切り換える。LCフィルタ12Gは、高周波スイッチ11Gと送信側入力端子GSMTxとの間にコンデンサCgtを介して配置されている。
高周波スイッチ11Gは、スイッチング素子であるダイオードGD1,GD2、インダクタGSL1,GSL2、コンデンサGC4,GC5及び抵抗RGを接続して構成されている。ダイオードGD1は、GSM系のアンテナ端子ANTと送信側入力端子GSMTxとの間の信号経路に、カソードがアンテナ端子ANT側になるようにシリーズ接続されている。さらに、ダイオードGD1のアノードとグランドとの間には、インダクタGSL1とコンデンサGC4が接続され、インダクタGSL1とコンデンサGC4との接続点に制御電源端子Vgが接続されている。
ダイオードGD2は、GSM系のアンテナ端子ANTと受信側出力端子GSMRxとの間の信号経路にシャント接続され、カソードがコンデンサGC5を介してグランドに接続される。ダイオードGD2とコンデンサGC5との接続点にはグランドに接続される抵抗RGが接続されている。さらに、ダイオードGD2のアノードはアンテナ端子ANT側の信号経路にインダクタGSL2がシリーズ接続されるとともに、受信側出力端子GSMRxとの間にコンデンサCgrとグランドに接続されるコンデンサGcu3が接続されている。
LCフィルタ12Gは、高周波スイッチ11Gと送信側入力端子GSMTxとの間に配置され、インダクタGLt1とコンデンサGCc1とからなる並列共振回路を含むローパスフィルタである。この並列共振回路の両端にグランドに接続される二つのコンデンサGCu1,GCu2が接続されている。
次に、DCS/PCS系の通信経路について説明する。高周波歪抑制用フィルタ13Fは、インダクタDLt1とコンデンサDCc1とからなる並列共振回路を、アンテナ端子ANTと高周波スイッチ11Dとの間に接続したもので、アンテナ端子ANT側に接続されたコンデンサDCu1はグランドに接続される。
高周波スイッチ11Dは、アンテナ端子ANTと送信側入力端子DCS/PCSTxとの間の信号経路と、アンテナ端子ANTと受信側出力端子PCSRxとの間の信号経路と、アンテナ端子ANTと受信側出力端子DCSRxとの間の信号経路とを選択的に切り換える。LCフィルタ12Dは高周波スイッチ11Dと送信側入力端子DCS/PCSTxとの間に配置されている。
高周波スイッチ11Dは、さらに、第1、第2及び第3スイッチング回路14A,14B,14Cにて構成されている。第1スイッチング回路14Aは、スイッチング素子であるダイオードDD1とインダクタDPSLt,DPSL1とコンデンサDPCt1,DPC4を接続して構成されている。ダイオードDD1はカソードがフィルタ13Fの後段に接続され、アノードがLCフィルタ12Dにシリーズ接続されている。インダクタDPSLtとコンデンサDPCt1とからなる直列回路はダイオードDD1とパラレルに接続されている。また、ダイオードDD1のアノードがインダクタDPSL1とコンデンサDPC4を介してグランドに接続され、インダクタDPSL1とコンデンサDPC4の接続点には制御電源端子Vdが接続されている。
第2スイッチング回路14Bは、スイッチング素子であるダイオードDD2とインダクタPSLt,PSL1とコンデンサPCt1,PC4を接続して構成されている。ダイオードDD2はカソードがフィルタ13Fの後段に接続され、アノードが受信側出力端子PCSRxとの間にコンデンサCprとグランドに接続されるコンデンサPcu1を介してシリーズ接続されている。インダクタPSLtとコンデンサPCt1とからなる直列回路はダイオードDD2とパラレルに接続されている。また、ダイオードDD2のアノードがインダクタPSL1とコンデンサPC4を介してグランドに接続され、インダクタPSL1とコンデンサPC4の接続点には制御電源端子Vpが接続されている。
第3スイッチング回路14Cは、スイッチング素子であるダイオードDD3とインダクタDSL2とコンデンサDC5と抵抗RDを接続して構成されている。ダイオードDD3はアンテナ端子ANTと受信側出力端子DCSRxとの間の信号経路にシャント接続され、カソードはコンデンサDC5を介してグランドに接続される。ダイオードDD3とコンデンサDC5との接続点にはグランドに接続される抵抗RDが接続されている。さらに、ダイオードDD3のアノードはアンテナ端子ANT側の信号経路にインダクタDSL2がシリーズ接続されるとともに、受信側出力端子DCSRxとの間にコンデンサCdrとグランドに接続されるコンデンサDcu3が接続されている。
LCフィルタ12Dは、第1スイッチング回路14Aと送信側入力端子DCS/PCSTxとの間に配置され、インダクタDLt2とコンデンサDCc2とからなる並列共振回路を含むローパスフィルタである。この並列共振回路の両端にグランドに接続される二つのコンデンサDCu2,DCu3が接続されている。
次に、以上の構成からなる高周波スイッチの動作について説明する。なお、GSM系の動作については従来のものと同様であるため省略する。
DCS/PCS系の送信信号を送信する場合には、ダイオードDD1をオンし、ダイオードDD2をオフし、ダイオードDD3をオンする。これにて、送信側入力端子DCS/PCSTxから入った送信信号が、LCフィルタ12D、第1スイッチング回路14A、フィルタ13F及びダイプレクサ20を通過し、アンテナ端子ANTから送信される。
PCS系の受信信号を受信する場合には、ダイオードDD1をオフし、ダイオードDD2をオンし、ダイオードDD3をオンする。これにて、アンテナ端子ANTから入力した信号が、ダイプレクサ20、フィルタ13F及び第2スイッチング回路14Bを通過し、受信側出力端子PCSRxに出力される。
DCS系の受信信号を受信する場合には、ダイオードDD1をオフし、ダイオードDD2をオフし、ダイオードDD3をオフする。これにて、アンテナ端子ANTから入力した信号が、ダイプレクサ20からフィルタ13Fを介することなく第3スイッチング回路14Cを通過し、受信側出力端子DCSRxに出力される。
即ち、本高周波スイッチにおいて、受信側出力端子DCSRxは第3スイッチング回路14Cを介してアンテナ端子ANT側にフィルタ13Fを介することなく直接接続されている。即ち、受信側出力端子DCSRxが信号を受信する場合は、フィルタ13Fを介することがないので、挿入損失の劣化は生じない。一方、第3ダイオードDD3は送信時にはオン状態になるのでノイズを発生することはない。
また、送信側入力端子DCS/PCSTxから信号を送信する場合は、LCフィルタ12Dを介するために不要なノイズを送信することが防止される。
次に、前記高周波スイッチのセラミック多層基板に内蔵されるコンデンサ電極、ストリップライン電極、グランド電極の構成について図2、図3及び図4を参照して説明する。これらのコンデンサ電極、ストリップライン電極、グランド電極はセラミックシート層上にスクリーン印刷法などで形成される。
セラミックシート層は、第1〜第18シート層31〜48の計18層からなり、これらが順に積層されることで、セラミック多層基板が形成される。なお、第8シート層38と第12シート層42はそれらの上下層に形成されるコンデンサやインダクタなどの電極を電気的に接続するビアホール導体のみが形成されている。
第1シート層31の裏面には、種々の各種端子Vg,Vd,Vp,GSMTx,GSMRx,DCS/PCSTx,DCSRx、PCSRxの外部接続用電極が形成されている。他の電極はグランド用である。
第2シート層32の表面には、グランド電極GND1が形成されている。第3シート層33の表面には、コンデンサDPC4,PC4の電極が形成されている。第4シート層34の表面には、グランド電極GND2が形成されている。第5シート層35の表面には、コンデンサCt2,GC4,GCu3,DCu3,PCu1,Cu1の電極が形成されている。第6シート層36の表面には、グランド電極GND3が形成されている。第7シート層37の表面には、コンデンサDCu2,GCu2,Dcu1の電極が形成されている。
第9シート層39及び第10シート層40の表面には、それぞれ、インダクタLt1,Lt2,DLt1,DLt2,GLt1,GSL2,DSL2のストリップライン電極が形成されている。第11シート層41の表面には、インダクタLt1,Lt2,DLt1,GLt1,GSL2,DSL2のストリップライン電極が形成されている。
第13シート層43の表面には、コンデンサCt1,GCc1の電極が形成されている。第14シート層44の表面には、コンデンサCc1,DCc1,GCc1の電極及びグランド電極GND4が形成されている。第15シート層45の表面には、コンデンサCc1/Cc2,DCc1,DC5,GCu1の電極が形成されている。
第16シート層46の表面には、コンデンサCc2,DCc1の電極及びグランド電極GND5が形成されている。第17シート47の表面には、複数の接続用導体が形成されている。第18シート48の表面には外付けされる各種素子の接続用電極が形成されている。
セラミック多層基板上に搭載される素子は、図5に示すように、ダイオードDD1,DD2,DD3,GD1,GD2、抵抗RD,RG、インダクタDPSLt,DPSL1,GSL1,PSLt,PSL1、コンデンサDPCt1,PCt1,GC5である。
(第2実施例、図6参照)
第2実施例である高周波スイッチ(フロントエンドモジュール)は、クワッドバンド対応型であって、図6の等価回路に示すように、GSM系、DCS/PCS系及びW−CDMA系を備えている。
GSM系は前記第1実施例と同様の構成を有している。DCS/PCS/W−CDMA系は高周波歪抑制用フィルタ13Fと高周波スイッチ11DとLCフィルタ12Dとで構成されている。フィルタ13F,12Dは前記第1実施例と同様の構成を有している。高周波スイッチ11Dは、第1スイッチング回路14Aと第2スイッチング回路14Bp,14Bdと第3スイッチング回路14Cとで構成されている。第1スイッチング回路14A及び第2スイッチング回路14Bpは前記第1実施例と同様である。第2スイッチング回路14Bdは第2スイッチング回路14Bpと同じ回路構成であり、フィルタ13Fの後段に接続されている。第3スイッチング回路14Cは前記第1実施例と同様に構成され、第3ダイオードDD3のアノードがインダクタDSL2を介してフィルタ13Fの前段、即ち、アンテナ端子ANT側に接続されている。
この第2実施例においても、受信側出力端子W−CDMAが第3スイッチング回路14Cを介してアンテナ端子ANT側にフィルタ13Fを介することなく直接接続されているため、信号受信時の挿入損失の劣化を防止することができ、第3ダイオードDD3は送信時にはオン状態になるのでノイズを発生することはない。
(他の実施例)
なお、本発明に係る高周波スイッチは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
本発明に係る高周波スイッチの第1実施例を説明するための等価回路図である。 第1実施例のセラミック多層基板の各シート層(下から第1〜第8層)に形成された電極形状を示す平面図である。 第1実施例のセラミック多層基板の各シート層(下から第9〜第15層)に形成された電極形状を示す平面図である。 第1実施例のセラミック多層基板の各シート層(下から第16〜第18層)に形成された電極形状を示す平面図である。 第1実施例のセラミック多層基板上への各種素子の搭載状態を示す平面図である。 本発明に係る高周波スイッチの第2実施例を説明するための等価回路図である。 本発明に係る高周波スイッチを概念的に説明するためのブロック図である。 従来の高周波スイッチを示すためのブロック図である。
符号の説明
ANT…アンテナ端子
DCS/PCSTx…送信側入力端子
PCSRx,DCSRx…受信側出力端子
12D…LCフィルタ
13F…高周波歪抑制用フィルタ
14A,14B,14C…スイッチング回路
DD1,DD2,DD3…ダイオード

Claims (3)

  1. アンテナ端子と電気的に接続された第1ポートと、
    近接した周波数を伝送する少なくとも第1及び第2通信システムの送信部と電気的に接続された第2ポートと、
    第1通信システムの受信部と電気的に接続された第3ポートと、
    第2通信システムの受信部と電気的に接続された第4ポートと、
    フィルタと、
    第1、第2及び第3スイッチング素子と、を備えた高周波スイッチにおいて、
    前記第1ポートは前記フィルタの一方側と電気的に接続され、
    前記第2ポートは前記第1スイッチング素子を介して前記フィルタの他方側と電気的に接続され、
    前記第3ポートは前記第2スイッチング素子を介して前記フィルタの他方側と電気的に接続され、
    前記第4ポートは前記第3スイッチング素子を介して前記フィルタの一方側と電気的に接続され、
    前記送信部から送信信号が前記第2ポートに送信され、該送信信号が前記フィルタを介して前記アンテナ端子から送信されるとき、前記第1スイッチング素子と前記第3スイッチング素子とがオン状態、前記第2スイッチング素子がオフ状態になるように制御すること、
    を特徴とする高周波スイッチ。
  2. 前記第1、第2及び第3スイッチング素子はそれぞれ第1、第2及び第3ダイオードを含み、
    前記第1ダイオードは前記フィルタの他方側と前記第2ポートとの間に電気的に直列に接続され、
    前記第2ダイオードは前記フィルタの他方側と前記第3ポートとの間に電気的に直列に接続され、
    前記第3ダイオードはその一端が前記フィルタの一方側と前記第1ポートとの間に電気的に接続され、かつ、その他端がグランドと電気的に接続されていること、
    を特徴とする請求項1に記載の高周波スイッチ。
  3. 前記第1ダイオードはその一端が前記フィルタの他方側と電気的に接続され、その他端がローパスフィルタと電気的に接続され、前記ローパスフィルタは前記第2ポートと電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の高周波スイッチ。
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