KR100761223B1

KR100761223B1 - 고주파 모듈 및 통신 장치

Info

Publication number: KR100761223B1
Application number: KR1020040040834A
Authority: KR
Inventors: 후루타니고지; 하라다데츠로; 사토다카코
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2003-06-05
Filing date: 2004-06-04
Publication date: 2007-09-27
Also published as: US7356349B2; JP4029779B2; JP2004364051A; KR20040108616A; US20040248539A1; DE102004024911A1

Abstract

본 발명은 PCS/DCS의 수신시에 있어서도, 전력을 소비하지 않고, PCS 송신시에 DCS Rx측에 PCS 송신 신호가 흘러 들어가는 것을 방지하는 고주파 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 구성에 따르면, PCS/DCS 수신시에 제어전압 입력(Vc2)을 Low레벨로 함으로써 PCS/DCS 수신 신호만을 정합하여 통과시키고, PCS/DCS 송신시에는 Vc2를 Hi레벨로 함으로써 PCS/DCS 수신 회로측에 대한 PCS/DCS 송신 신호를 감쇠시키는 위상 회로(PSC10)를 스위치 회로(SW2)에 구비한다. 또한, PCS 송신시에는 PCS 송신 신호를 더욱 감쇠하는 위상 회로(PSC30)를 위상 회로(PSC10)의 DCS Rx단자측에 구비한다.

위상 회로, 듀플렉서, 다이플렉서, 스위치 회로

Description

고주파 모듈 및 통신 장치{High-frequency module and communication apparatus}

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈의 주요부를 나타내는 블록도이다.

도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈의 등가 회로도이다.

도 3은 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Hi레벨, 즉 각 다이오드가 ON상태일 때에 있어서의 PCS Rx단자측 및 DCS Rx단자측의 각각에 전송하는 신호의 감쇠 특성, 및 DCS Rx측의 위상 회로의 임피던스의 움직임을 표시한 스미스차트이다.

도 4는 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Low레벨, 즉 각 다이오드가 OFF상태일 때에 있어서의 PCS Rx단자측 및 DCS Rx단자측의 각각에 전송되는 전송 신호의 감쇠 특성, 및 DCS Rx측의 위상 회로의 임피던스의 움직임을 표시한 스미스차트이다.

도 5는 적층 기판형의 고주파 모듈의 구체적인 예를 나타내는 분해평면도이다.

도 6은 적층 기판형의 고주파 모듈의 구체적인 예를 나타내는 분해평면도이다.

도 7은 통신 장치의 주요부를 나타내는 블록도이다.

도 8은 종래의 고주파 모듈의 주요부를 나타내는 블록도이다.

도 9는 도 8에 나타낸 고주파 모듈의 등가 회로도이다.

도 10은 종래의 다른 고주파 모듈의 주요부를 나타내는 블록도이다.

도 11은 도 10에 나타낸 고주파 모듈의 등가 회로도이다.

<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>

1a∼1k, 1m, 1n, 1p : 유전체층 10 : 안테나

11 : 프론트 엔드(front-end)부 12 : 송수신 회로

13 : 베이스밴드(baseband) 컨트롤러 14 : 키(key)

15 : 스피커 16 : 마이크

GND : 그라운드 전극

LPF0, LPF1, LPF2, LPF3 : 로우패스 필터

BPF0 : 대역통과 필터 HPF0 : 하이패스 필터

SW1∼SW3 : 스위치 회로

PSC1, PSC2, PSC10, PSC20, PSC30 : 위상 회로

DPX : 듀플렉서 DiPX : 다이플렉서

본 발명은 각각에 다른 주파수대역을 사용하는 3개 이상의 통신 신호를 분리하여, 송수신하는 고주파 모듈, 및 상기 고주파 모듈을 구비한 통신 장치에 관한 것이다.

현재, 휴대전화 등의 무선통신 방식에는 CDMA방식이나 TDMA방식 등의 복수의 사양이 존재하며, TDMA방식에는, 900MHz대를 이용하는 GSM과, 1800MHz대를 이용하는 DCS와, 1900MHz대를 이용하는 PCS가 존재한다. 이 중 PCS에서는, 1850∼1910MHz가 송신 신호의 주파수대역으로서 할당되며, 1930∼1990MHz가 수신 신호의 주파수대역으로서 할당되어 있다. 또한, DCS에서는, 1710∼1785MHz가 송신 신호의 주파수대역으로서 할당되며, 1805∼1880MHz가 수신 신호의 주파수대역으로서 할당되어 있다.

이들 다른 3개의 통신 방식(GSM, DCS, PCS)의 전파(통신 신호)를 1개의 안테나로 송수신하는 경우, 실제로 통신을 행하는 주파수대 이외의 신호는 필요없게 된다. 예를 들면, GSM방식(900MHz대)으로 송수신하는 경우에는, DCS방식(1800MHz대)이나 PCS방식(1900MHz대)의 통신 신호는 필요없게 된다.

그런데, 현재의 휴대전화는 소형화에 따라, 휴대전화를 구성하는 각 소자의 소형화가 요구된다. 이 때문에, 상술과 같이 다른 통신 방식을 송수신하는 경우에도 각각 개별적으로 송수신을 행하는 고주파 모듈을 구성하는 것이 아니라, 가능한 한 통합된 구성의 고주파 모듈이 필요하게 된다.

이 때문에, 단일의 안테나로 다른 통신 방식의 전파를 수신하여, 목적으로 하는 통신 방식(주파수대)의 통신 신호만을 분리하는 다이플렉서나, 동일한 통신 방식의 송신 신호와 수신 신호를 분리하는 스위치나 듀플렉서를 사용하여, 가능한 한 소형의 고주파 모듈을 구성할 필요가 생긴다.

이러한 3개의 다른 주파수대를 이용한 통신 신호를 송수신하기 위하여, 종 래, 도 8, 도 9에 나타내는 바와 같은 구성의 고주파 모듈이 제안되어 있다.

도 8은 종래의 GSM, DCS, PCS를 각각에 송수신하는 고주파 모듈을 나타내는 블록도이고, 도 9는 그 등가 회로도이다.

도 8에 나타내는 바와 같이, 종래의 GSM, DCS, PCS를 송수신하는 고주파 모듈은 GSM의 송수신부와, PCS/DCS의 송수신부와, 각각의 송수신부와 안테나(ANT) 사이에 접속된 다이플렉서(DiPX)로 이루어진다. GSM 송수신부는 GSM 송신 신호를 입력하는 GSM Tx단자와, GSM 수신 신호를 출력하는 GSM Rx단자와, GSM 송신 신호를 통과시키는 로우패스 필터(LPF1)와, GSM 수신 신호를 통과시키는 SAW 필터(SAW1)와 다이플렉서(DiPX) 사이에서 GSM 송신 신호와 GSM 수신 신호를 전환하는 스위치 회로(SW1)로 이루어진다.

또한, PCS/DCS 송수신부는 PCS/DCS 송신 신호를 입력하는 PCS/DCS Tx단자와, PCS 수신 신호를 출력하는 PCS Rx단자와, DCS 수신 신호를 출력하는 DCS Rx단자와, PCS/DCS 송신 신호를 통과시키는 로우패스 필터(LPF2)와, PCS 수신 신호를 통과시키는 SAW 필터(SAW2)와, DCS 수신 신호를 통과시키는 SAW 필터(SAW3)와 다이플렉서(DiPX) 사이에서 PCS/DCS 송신 신호와 DCS 수신 신호와 PCS 수신 신호를 전환하는 스위치 회로(SW2)로 이루어진다.

또한, 다이플렉서(DiPX)는 GSM 송수신 신호를 통과시키는 로우패스 필터(LPF0)와 PCS/DCS 송수신 신호를 통과시키는 밴드패스 필터(BPF0)로 이루어지며, 이 로우패스 필터(LPF0)와 밴드패스 필터(BPF0)의 접속점에 안테나(ANT)를 접속하고 있다.

다음으로, 구체적인 회로 구성으로서, 도 9에 나타내는 바와 같이, 스위치 회로(SW1)는 음극이 로우패스 필터(LPF1)에 접속되고, 양극이 다이플렉서(DiPX)의 로우패스 필터(LPF0)에 접속된 다이오드(D1)와, 이 다이오드(D1)의 음극과 접지점 사이에 접속된 인덕턴스 소자(GSL1)와, 다이오드(D1)의 양극과 SAW 필터(SAW1) 사이에 접속된 전송 선로(GSL2)와, 이 전송 선로(GSL2)와 SAW 필터(SAW1)의 접속점에 음극이 접속된 다이오드(D2)와, 이 다이오드(D2)의 양극에 저항(R1)을 개재하여 접속된 제어전압 입력 단자(Vc1)와, 다이오드(D2)의 양극과 접지점 사이에 접속된 용량 소자(GC5)로 이루어진다.

또한, 스위치 회로(SW2)는 양극이 로우패스 필터(LPF2)에 접속되고, 음극이 다이플렉서(DiPX)의 밴드패스 필터(BPF0)에 접속된 다이오드(D3)와, 이 다이오드(D3)에 병렬 접속된 인덕턴스 소자(DPSLt)와 용량 소자(DPCt1)의 직렬 회로와, 다이오드(D3)의 양극에 인덕턴스 소자(DPSL1)를 개재하여 접속되는 제어전압 입력 단자(Vc2)와, 인덕턴스 소자(DPSL1)와 제어전압 입력 단자(Vc2)의 접속점과 접지점 사이에 접속된 용량 소자(DPC4)를 구비한다. 또한, 스위치 회로(SW2)는 다이오드(D3)의 음극과 SAW 필터(SAW3) 사이에 접속된 전송 선로(DSL2)와, 전송 선로(DSL2)와 SAW 필터(SAW3)의 접속점에 양극이 접속된 다이오드(D5)와, 다이오드(D5)의 음극과 접지점 사이에 접속된 저항(R2)과 용량 소자(DC5)의 병렬 회로를 구비한다. 또한, 스위치 회로(SW2)는 양극이 SAW 필터(SAW2)에 접속되고, 음극이 다이플렉서(DiPX)의 밴드패스 필터(BPF0)에 접속된 다이오드(D4)와, 상기 다이오드(D4)에 병렬 접속된 인덕턴스 소자(PSLt)와 용량 소자(PCt1)의 직렬 회로 와, 다이오드(D4)의 양극에 인덕턴스 소자(PSL1)를 개재하여 접속된 제어전압 입력 단자(Vc3)와, 인덕턴스 소자(PSL1)와 제어전압 입력 단자(Vc3)의 접속점과 접지점 사이에 접속된 용량 소자(PC4)를 구비한다.

이러한 고주파 모듈에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, 각 스위치 회로의 제어전압 입력 단자에 입력되는 전압에 의해 GSM/PCS/DCS의 송수신을 제어한다.

표 1은 각 제어전압 입력 단자에 입력되는 전압의 상태와 GSM/PCS/DCS의 송수신 상태의 관계를 나타내고 있다.

도 9 및 표 1에 나타내는 바와 같이, 제어전압 입력 단자(Vc1)가 Hi레벨일 때, 다이오드(D1, D2)가 함께 ON상태가 되며, 전송 선로(GSL2)는 GSM 송신 신호의 주파수에 대하여 다이오드(D1)의 양극과의 접속점에서 보아 GSM 수신측이 개방이 되도록 위상을 전환시키는 위상 회로로서 기능한다. 이것에 의해, GSM 송신 신호는 다이오드(D1)를 통하여 GSM 수신측에 흘러 들어가지 않고, 다이플렉서(DiPX)측에 전송된다. 한편, 제어전압 입력 단자(Vc1)가 Low레벨일 때, 다이오드(D1, D2)가 함께 OFF상태가 되며, 다이오드(D1, D2)가 개방이 되기 때문에, 다이플렉서(DiPX)로부터의 GSM 수신 신호는 GSM 송신측에 전송하지 않고, 전송 선로(GSL2)를 통하여 GSM 수신측에 전송된다.

또한, 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Hi레벨이고, 제어전압 입력 단자(Vc3)가 L

ow레벨일 때, 다이오드(D3, D5)가 ON상태이고, 다이오드(D4)가 OFF상태가 되므로, 전송 선로(DSL2)는 PCS/DCS 송신 신호의 주파수에 대하여 다이오드(D3)의 음극과의 접속점에서 보아 DCS 수신 포트측이 개방이 되도록 위상을 전환시키는 위상 회로로서 기능함과 아울러, 다이오드(D4)가 개방되며, PCS/DCS 송신 신호의 주파수에 대하여 PCS 수신 포트측이 개방이 된다. 보다 정확하게는, 다이오드(D4)는 오프시에는 용량값이 작은 용량 소자로서 기능하므로, 다이오드(D4)의 용량과 인덕턴스 소자(PSLt)의 병렬 공진에 의해 PCS/DCS 송신 신호의 주파수에 대하여 임피던스가 높아져서, PCS 수신 포트측이 개방이 된다. 이것에 의해, PCS/DCS 송신 신호는 PCS/DCS 수신측에 대하여 흘러 들어가지 않고, 다이플렉서(DiPX)에만 전송된다.

다음으로, 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Low레벨이고, 제어전압 입력 단자(Vc3)가 Hi레벨일 때, 다이오드(D3)가 OFF상태이고, 다이오드(D4, D5)가 ON상태가 되므로, 전송 선로(DSL2)는 PCS/DCS 송신 신호의 주파수에 대하여 다이오드(D3)의 음극과의 접속점에서 보아 DCS 수신 포트측이 개방이 되도록 위상을 전환시키는 위상 회로로서 기능함과 아울러, 다이오드(D3)가 개방되며, PCS/DCS 송신측이 개방이 된다. 이것도, 보다 정확하게는, 다이오드(D3)는 오프시에는 용량이 작은 용량 소자로서 기능하므로, 다이오드(D3)의 용량과 인덕턴스 소자(DPSLt)의 병렬 공진에 의해 PCS/DCS 송신 신호의 주파수에 대하여 임피던스가 높아져서, PCS/DCS 송신측이 개방이 된다. 또한 PCS 수신 신호는 전송 선로(DSL2)를 통과하지 만, SAW 필터(SAW3)에 의해 저지된다. 이것에 의해, PCS 수신 신호는 PCS 수신 포트측에만 전송된다.

다음으로, 제어전압 입력 단자(Vc2, Vc3)가 함께 Low레벨일 때, 다이오드(D3, D4, D5)가 OFF상태가 되므로, 다이오드(D3), 다이오드(D4)가 개방되어 PCS/DCS 송신측과 PCS 수신 포트가 DCS 수신 신호에 대하여 개방이 된다. 이것에 의해, DCS 수신 신호는 전송 선로(DSL2)를 통하여 DCS 수신 포트에만 전송된다.

또한, 상술과 같이, 스위치 회로의 제어전압 입력 단자에 입력되는 전압을 조작하여, 송수신 신호를 제어하는 고주파 모듈의 다른 예로서, 도 10에 나타내는 블록도 및 도 11에 나타내는 등가 회로도로 나타나는 고주파 모듈도 제안되어 있다.

도 10은 종래의 다른 구성예인 고주파 모듈의 블록도이고, 도 11은 그 등가 회로도이다. 도 10 및 도 11에 나타낸 고주파 모듈의 GSM 송수신부의 구성은 도 8 및 도 9에 나타낸 고주파 모듈과 동일하다.

도 10 및 도 11에 나타내는 고주파 모듈은 다이플렉서(DiPX)의 PCS/DCS 송수신측이 하이패스 필터(HPF0)로 구성되어 있으며, 이 다이플렉서(DiPX)의 PCS/DCS측에 스위치 회로(SW2)가 접속되어 있다. 스위치 회로(SW2)는 로우패스 필터(LPF3)를 개재하여 PCS/DCS Tx단자에 접속되어 있고, 위상 회로(PSC1, PSC2)를 각각 개재하여 SAW 필터(SAW2, SAW3)에 접속되어 있으며, 이 SAW 필터(SAW2, SAW3)가 PCS Rx단자 및 DCS Rx단자에 접속되어 있다.

이 스위치 회로(SW2)는 양극이 다이플렉서(DiPX)의 하이패스 필터(HPF0)에 접속되고, 음극이 로우패스 필터(LPF3)에 접속된 다이오드(D3)와, 이 다이오드(D3)에 병렬로 접속된 인덕턴스 소자(DSLt)와 용량 소자(DSC)의 직렬 회로와, 다이오드(D3)의 음극과 접지점 사이에 접속된 인덕턴스 소자(DSL1)와, 다이오드(D3)의 양극과 위상 회로(PSC1, PSC2) 사이에 접속된 전송 선로(DSL2)와, 전송 선로(DSL2)와 위상 회로(PSC1, PSC2)의 접속점에 음극이 접속된 다이오드(D4)와, 이 다이오드(D4)의 양극에 저항(Rd)을 개재하여 접속된 제어전압 입력 단자(Vc2)와, 저항(Rd)의 양단과 접지점 사이에 접속된 용량 소자(DC5, DC6)로 이루어진다.

이러한 고주파 모듈에서는, 표 2에 나타내는 바와 같이 제어전압 입력 단자에 입력되는 전압을 조작함으로써, 송수신 상태를 제어한다. 이 중 GSM측에 대해서는 도 9와 동일하며, 그 설명을 생략한다.

Vc1		Vc2
Hi	GSM Tx	Hi	PCS, DCS Tx
Low	GSM Rx	Low	PCS, DCS Rx

제어전압 입력 단자(Vc2)가 Hi레벨일 때, 다이오드(D3, D4)가 ON상태가 되며, 전송 선로(DSL2)는 PCS/DCS 송신 신호의 주파수에 대하여 다이오드(D3)의 양극과의 접속점에서 보아 PCS/DCS 수신 포트측이 개방이 되도록 위상을 전환시키는 위상 회로로서 기능한다. 이것에 의해, PCS/DCS 송신 신호는 PCS/DCS 수신측으로 흘러 들어가지 않고, 다이플렉서(DiPX)에만 전송된다. 한편, 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Low레벨일 때, 다이오드(D3, D4)가 OFF상태가 되고, 다이오드(D3)가 개방되어, PCS/DCS 송신 단자측이 개방이 된다. 보다 정확하게는, 다이오드(D3)는 용량이 작은 용량 소자로서 기능하므로, 다이오드(D3)의 용량과 인덕턴스 소자(DSLt)의 병렬 공진에 의해 PCS/DCS 송신 신호 및 DCS 수신 신호의 주파수에 대하여 임피던스가 높아져서, PCS/DCS 송신측이 개방이 된다. 또한, PCS 수신 신호는 스위치 회로(SW2)를 통과하지만 로우패스 필터(LPF3)에 의해 저지된다. 이것에 의해, PCS/DCS 수신 신호는 전송 선로(DSL2)를 통하여 PCS/DCS 수신 단자측에만 전송된다. 전송된 PCS/DCS 수신 신호는 위상 회로(PSC1, PSC2)에 의해 각각 정합되어서, PCS 수신 신호가 SAW 필터(SAW2)를 통과하여 PCS Rx단자에 출력되고, DCS 수신 신호가 SAW 필터(SAW3)를 통과하여 DCS Rx단자에 출력된다.

이와 같이, 각각에 다른 주파수대를 사용한 복수의 통신 신호를 송수신하는 장치가 복수 제안되어 있다(예를 들면, 일본국 특허공개 평10-32521호 공보, 일본국 특허공개 2001-160766호 공보 참조).

그런데, 상술과 같은 GSM/PCS/DCS 송수신을 행하는 고주파 모듈에 있어서는, 다음에 나타내는 해결해야 할 과제가 존재하였다.

도 8 및 도 10에 나타낸 고주파 모듈에서는, PCS의 송신시에, DCS Rx단자측의 위상 회로의 아이솔레이션이 충분하지 않아, PCS 송신 신호가 DCS Rx단자로 흘러 들어가 버린다. 그러나, PCS 송신 신호의 주파수대역과 DCS 수신 신호의 주파수대역이 부분적으로 겹쳐 있기 때문에, DCS Rx단자에 접속된 SAW 필터(SAW3)가 PCS 송신 신호를 통과시켜 버려서, 이 SAW 필터나 DCS Rx단자의 뒤에 접속되는 LNA 등 을 파괴해 버릴 가능성이 있었다. 실제로는, PCS 송신시의 DCS Rx측의 아이솔레이션은 적어도 32dBm정도 필요하지만, 상술한 종래의 회로 구성에서는 25dBm밖에 감쇠할 수 없다. 또한, 도 8에 나타낸 회로에서는, PCS 수신시에 제어전압 입력 단자를 Hi레벨로 하지 않으면 안되고, PCS 신호의 기다림시에 소비 전류가 발생해 버린다.

본 발명의 목적은 PCS/DCS 수신시에 있어서도, 전력 소비를 억제하며, PCS 송신시에 DCS Rx단자에 PCS 송신 신호가 흘러 들어가는 것을 방지하는 고주파 모듈, 및 이것을 사용한 통신 장치를 구성하는 데 있다.

본 발명에 나타내는 고주파 모듈은 각각에 개별의 주파수대역을 송수신대역으로 하는, GSM, PCS, DCS의 3개의 통신 신호를 각 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호마다 분리하는 분리 수단과, 송신 신호 및 수신 신호 각각의 주파수대역을 선택하여, 통과시키는 주파수 선택 수단과, 통신 신호마다 각각 다른 송신 포트 및 수신 포트를 구비하고 있다. 그리고, 주파수 선택 수단에 있어서의 각 통신 신호의 수신 신호측을 각각의 사용 주파수대역에 따른 통과 특성을 구비하는 SAW 필터로 구성하고, 분리 수단을, 3개의 통신 신호(GSM, PCS, DCS) 중, 제 1 통신 신호(GSM)와 다른 제 2ㆍ제 3 통신 신호(PCS, DCS)를 분리하는 다이플렉서와, 제 1 통신 신호(GSM)를 송신 신호와 수신 신호로 분리하는 제 1 스위치와, 제 2ㆍ제 3 통신 신호(PCS, DCS)를 송신 신호와 수신 신호로 분리하는 제 2 스위치와, 이 분리된 수신 신호를 제 2 통신 신호(PCS)의 수신 신호와 제 3 통신 신호(DCS)의 수신 신호로 분 리하는 듀플렉서로 구성하며, 이 듀플렉서에, 적어도 하나의 다이오드를 포함하고, 상기 다이오드가 ON상태일 때 제 2 통신 신호(PCS)의 송신 신호를 감쇠시키며, 상기 다이오드가 OFF상태일 때 제 3 통신 신호(DCS)의 수신 신호만을 통과시키는 제 1 위상 회로를 구비한 것을 특징으로 하고 있다.

또한, 제 2 스위치에, 적어도 하나의 다이오드를 포함하며, 상기 다이오드 가 ON상태일 때 제 2 통신 신호의 송신 신호를 감쇠시키고, 상기 다이오드가 OFF상태일 때 제 2ㆍ제 3 통신 신호의 수신 신호를 통과시키는 제 2 위상 회로를 구비한 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성에서는, 각 다이오드가 OFF상태일 때 각 통신 신호를 수신할 수 있다. 또한, 제 2 통신 신호인 PCS 송신시에 다이오드를 ON상태로 함으로써, 제 3 통신 신호인 DCS의 수신측(DCS Rx단자측)의 위상 회로의 아이솔레이션이 향상되어, PCS 송신 신호가 DCS Rx단자측으로 흘러 들어가는 것이 방지된다.

또한, 본 발명에 나타내는 고주파 모듈은 제 2 스위치 회로의 다이오드에 대한 제어전압 입력 단자와 듀플렉서의 다이오드에 대한 제어전압 입력 단자를 겸용하는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성에서는, 제어전압 입력 단자를 통일함으로써 회로를 간략화할 수 있으며, 고주파 모듈을 소형화할 수 있다.

또한, 본 발명에 나타내는 고주파 모듈은 제 1ㆍ제 2 위상 회로를 스트립 라인 또는 마이크로스트립 라인에 의해 구성하는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성에서는, 각 위상 회로의 일부를 기판상에 형성된 전송 선로로 구성할 수 있기 때문에, 회로가 간략화되며, 고주파 모듈을 소형화할 수 있다.

또한, 본 발명에 나타내는 고주파 모듈은 제 1ㆍ제 2 위상 회로를 칩형상의 인덕턴스 소자로 구성하는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성에서는, 상술한 스트립 라인이나 마이크로 스트립 라인에서는 정합할 수 없는 위상의 어긋남이라도, 칩형상의 인덕턴스 소자를 사용함으로써 정합할 수 있기 때문에, 넓은 주파수대역에서 정합을 행할 수 있다.

또한, 본 발명에 나타내는 고주파 모듈은 분리 수단과 송신 포트 및 수신 포트를, 다층화된 유전체 기판에 있어서의 각 층의 표면에 형성된 전극 패턴, 또는 이 전극 패턴에 실장된 소자로 구성하는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성에서는, 고주파 모듈을 다층 기판 회로로 형성할 수 있으며, 집적화, 소형화할 수 있다.

또한, 본 발명에 나타내는 통신 장치는 상기 고주파 모듈을 프론트 엔드(front-end)부에 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성에서는, 상기 고주파 모듈을 사용함으로써, 3종의 통신 신호(GSM, PCS, DCS)에서 각각에 저손실로 송수신할 수 있으며, 통신 특성이 우수한 통신 장치를 구성할 수 있다.

<발명의 실시형태>

본 발명에 따른 고주파 모듈의 구성에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈의 주요부를 나타내는 블록 도이고, 도 2는 상기 고주파 모듈의 등가 회로도이다.

도 1에 나타내는 바와 같이, GSM, DCS, PCS를 송수신하는 고주파 모듈은 GSM 송수신부와, PCS/DCS 송수신부와, 다이플렉서(DiPX)로 이루어진다.

GSM 송수신부는 GSM 송신 신호를 입력하는 GSM Tx단자와, GSM 수신 신호를 출력하는 GSM Rx단자와, GSM 송신 신호를 통과시키는 로우패스 필터(LPF1)와, GSM 수신 신호를 통과시키는 SAW 필터(SAW1)와, GSM 송신 신호와 GSM 수신 신호를 전환하는, 본 발명의 제 1 스위치에 대응하는 스위치 회로(SW1)로 이루어진다.

PCS/DCS 송수신부는 PCS/DCS 송신 신호를 입력하는 PCS/DCS Tx단자와, PCS 수신 신호를 출력하는 PCS Rx단자와, DCS 수신 신호를 출력하는 DCS Rx단자와, PCS/DCS 송신 신호를 통과시키는 로우패스 필터(LPF3)와, PCS 수신 신호를 통과시키는 SAW 필터(SAW2)와, DCS 수신 신호를 통과시키는 SAW 필터(SAW3)와, PCS/DCS 송신 신호와 PCS/DCS 수신 신호를 전환하는, 본 발명의 제 2 스위치에 대응하는 스위치 회로(SW2)와, PCS 수신 신호와 DCS 수신 신호를 분리하는 듀플렉서(DPX)로 이루어진다.

스위치 회로(SW2)는 PCS/DCS 수신 신호를 정합하는, 스위치 기능을 갖는 위상 회로(PSC10)를 구비하고 있으며, 듀플렉서(DPX)는 PCS 수신 신호만을 정합하는 위상 회로(PSC20)와, DCS 수신 신호만을 정합하는, 스위치 기능을 갖는 위상 회로(PSC30)로 이루어진다.

다이플렉서(DiPX)는 GSM 송수신 신호를 통과시키는 로우패스 필터(LPF0)와, PCS/DCS 송수신 신호를 통과시키는 하이패스 필터(HPF0)로 이루어지며, 이 로우패스 필터(LPF0)와 하이패스 필터(HPF0)의 접속점에 안테나(ANT)를 접속하고 있다.

구체적으로는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 스위치 회로(SW1)는 음극이 로우패스 필터(LPF1)에 접속되고, 양극이 다이플렉서(DiPX)의 로우패스 필터(LPF0)에 접속된 다이오드(D1)와, 이 다이오드(D1)의 음극과 접지점 사이에 접속된 인덕턴스 소자(GSL1)와, 다이오드(D1)의 양극과 SAW 필터(SAW1) 사이에 접속된 전송 선로(GSL2)와, 이 전송 선로(GSL2)와 SAW 필터(SAW1)의 접속점에 음극이 접속된 다이오드(D2)와, 이 다이오드(D2)의 양극에 저항(R1)을 개재하여 접속된 제어전압 입력 단자(Vc1)와, 저항(R1)의 양단과 접지점 사이에 각각 접속된 용량 소자(GC5, GC6)로 이루어진다.

스위치 회로(SW2)는 로우패스 필터(LPF3)에 음극이 접속되고, 다이플렉서(DiPX)의 하이패스 필터(HPF0)에 양극이 접속된 다이오드(D3)와, 이 다이오드(D3)에 병렬 접속된 인덕턴스 소자(DSLt)와 용량 소자(DSC)의 직렬 회로와, 다이오드(D3)의 음극과 접지점 사이에 접속된 인덕턴스 소자(DSL1)와, 다이오드(D3)의 양극에 전송 선로(DSL2)를 개재하여 음극을 접속하는 다이오드(D4)와, 이 다이오드(D4)의 양극에 저항(Rd)을 개재하여 접속된 제어전압 입력 단자(Vc2)와, 저항(Rd)의 양단과 접지점 사이에 각각 접속된 용량 소자(DC5, DC6)로 이루어진다. 여기에서, 전송 선로(DSL2), 다이오드(D4), 및 용량 소자(DC5)가 제어전압 입력 단자의 ON/OFF에 따라서 스위치하는 위상 회로(PSC10)로서 기능한다.

듀플렉서(DPX)의 위상 회로(PSC20)는 직렬 접속된 2개의 용량 소자(Cp1, Cp2)와, 이들 용량 소자(Cp1, Cp2)의 접속점과 접지점 사이에 접속된 인덕턴스 소 자(Lp1)로 이루어지며, 용량 소자(Cp1)를 스위치 회로(SW2)의 전송 선로(DSL2)와 다이오드(D4)의 접속점에 접속하고, 용량 소자(Cp2)를 SAW 필터(SAW2)에 접속하고 있다.

듀플렉서(DPX)의 위상 회로(PSC30)는, 전송 선로(DSL2)와 다이오드(D4)의 접속점과 SAW 필터(SAW3) 사이에 접속된 전송 선로(DSL3)와, SAW 필터(SAW3)와 전송 선로(DSL3)의 접속점에 음극을 접속하는 다이오드(Di)와, 이 다이오드(Di)의 양극과 제어전압 입력 단자(Vc2) 사이에 접속한 저항(Ri)과, 다이오드(Di)의 양극과 접지점 사이에 접속한 용량 소자(DC7)로 이루어진다.

이러한 고주파 모듈에서는, 표 3에 나타내는 바와 같이 제어전압 입력 단자(Vc1, Vc2)에 입력되는 전압을 제어함으로써 각 통신 신호의 송수신 상태를 제어한다.

Vcl		Vc2
Hi	GSM Tx	Hi	PCS, DCS Tx
Low	GSM Rx	Low	PCS, DCS Rx

우선, GSM 통신 신호의 송수신에 대하여 설명한다.

표 3에 나타내는 바와 같이, 제어전압 입력 단자(Vc1)가 Hi레벨일 때, 다이오드(D1, D2)가 함께 ON상태가 되며, 전송 선로(GSL2)는 GSM 송신 신호의 주파수에 대하여 다이오드(D1)의 양극과의 접속점에서 보아 GSM 수신측이 개방이 되도록 위상을 전환시키는 위상 회로로서 기능하고, 스위치 회로(SW1)는 GSM 송신 신호를 GSM 수신측(GSM Rx단자)에 흘러 들어가게 하지 않고 다이플렉서(DiPX)에 전송한다. 한편, 제어전압 입력 단자(Vc1)가 Low레벨일 때, 다이오드(D1, D2)가 함께 OFF상태가 되며, 각 다이오드(D1, D2)가 개방이 되기 때문에, 다이플렉서(DiPX)로부터의 GSM 수신 신호는 GSM 송신측에 전송하지 않고, 전송 선로(GSL2) 및 SAW 필터(SAW1)를 통하여 GSM Rx단자에 전송된다.

다음으로, PCS/DCS 통신 신호의 송수신에 대하여 설명한다.

표 3에 나타내는 바와 같이, 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Hi레벨일 때, 다이오드(D3, D4, Di)가 ON상태가 되고, 스위치 회로(SW2)의 위상 회로(PSC10)의 전송 선로(DSL2)는 PCS/DCS 송신 신호의 주파수에 대하여 다이오드(D3)의 양극과의 접속점에서 보아 PCS/DCS 수신측이 개방이 되도록 위상을 전환시키는 위상 회로가 되며, 소정의 아이솔레이션을 얻을 수 있는 아이솔레이션 회로로서 기능한다. 또한, 위상 회로(PSC30)의 전송 선로(DSL3)는 PCS 송신 신호의 주파수에 대하여 다이오드(D4)의 음극과의 접속점에서 보아 DCS 수신측이 개방이 되도록 위상을 전환시키는 위상 회로가 되며, 소정의 아이솔레이션을 얻을 수 있는 아이솔레이션 회로로서 기능한다. 이 때문에, PCS 송신 신호 및 DCS 송신 신호는 스위치 회로(SW2)의 위상 회로(PSC10)에 의해 소정량 감쇠된다. 위상 회로(PSC10)에 의해 감쇠된 PCS/DCS 송신 신호는 듀플렉서(DPX)의 위상 회로(PSC20)에 전송되지만, 위상 회로(PSC20)는 PCS 수신 신호의 주파수대의 신호만을 정합하고, SAW 필터(SAW2)는 PCS 수신 신호의 주파수대 이외의 신호를 저지하므로, PCS Rx단자에는 PCS/DCS 송신 신호는 전송되지 않는다. 또한, 감쇠된 PCS/DCS 송신 신호 중에서 PCS 송신 신 호는 듀플렉서(DPX)의 위상 회로(PSC30)에 의해서도 감쇠되며, DCS 송신 신호는 SAW 필터(SAW3)에 의해 저지되므로, DCS Rx단자에는 PCS/DCS 송신 신호는 전송되지 않는다.

이와 같이, 위상 회로(PSC10, PSC30)의 2단의 위상 회로 각각에 의해, PCS 송신 신호가 소정량씩 감쇠됨으로써, 이들 2단으로 직렬 접속된 위상 회로로서 PCS 송신 신호에 대하여 필요한 감쇠량을 얻을 수 있다. 이 때문에, SAW 필터(SAW3) 및 DCS Rx단자에 PCS 송신 신호가 전송되지 않는다(흘러 들어가지 않는다). 이것에 의해, PCS/DCS Tx단자로부터의 PCS 송신 신호 및 DCS 송신 신호는 다이플렉서(DiPX)에만 전송된다.

이 때의 PCS Rx측 회로와 DCS Rx측 회로의 전송 특성을 시뮬레이트(simulate)한 결과를 도 3에 나타낸다.

도 3a∼도 3c는 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Hi레벨, 즉 각 다이오드(D3, D4, Di)가 ON상태인 경우를 나타내고 있으며, 도 3a는 PCS Rx측 회로, 즉, 위상 회로(PSC10)와 위상 회로(PSC20)의 직렬 회로의 감쇠 특성도, 도 3b는 DCS Rx측 회로, 즉, 위상 회로(PSC10, PSC30)의 직렬 회로의 감쇠 특성도, 도 3c는 DCS Rx측 회로의 특성 임피던스의 움직임을 나타낸 스미스차트이다. 또한, 도 3b에 나타내는 특성 곡선상의 A1, A2의 주파수점은 도 3c에 나타내는 스미스차트의 임피던스 곡선상의 A1, A2점에 대응한다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Hi레벨일 때(PCS/DCS 송신시)에는 위상 회로(PSC10, PSC20)에 의해 PCS 송신 신호 및 DCS 송 신 신호는 감쇠되어 SAW 필터(SAW2)에 PCS/DCS 송신 신호는 전송되지 않는다.

또한, 위상 회로(PSC10, PSC30)에 의해 PCS 송신 신호의 주파수대역의 신호가 약 32dBm 이상 감쇠되기 때문에, 이 PCS 송신 신호의 주파수대역과 일부 공통의 주파수대역을 갖는 DCS 수신 신호를 통과시키는 SAW 필터(SAW3)에 PCS 송신 신호는 거의 전송되지 않는다. 이것에 의해, PCS 송신시의 DCS Rx측의 SAW 필터의 파괴를 방지할 수 있다.

다음으로, 표 3에 나타내는 바와 같이, 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Low레벨일 때, 다이오드(D3, D4, Di)가 OFF상태가 되고, 다이오드(D3)가 개방되어서 PCS/DCS 송신 단자측이 개방이 된다. 보다 정확하게는, 다이오드(D3)는 용량이 작은 용량 소자로서 기능하므로, 다이오드(D3)의 용량과 인덕턴스 소자(DSLt)의 병렬 공진에 의해 PCS/DCS 송신 신호 및 DCS 수신 신호의 주파수에 대하여 임피던스가 높아져서, PCS/DCS 송신 단자측이 개방이 된다. 또한, PCS 수신 신호는 스위치 회로(SW2)를 통과하지만 로우패스 필터(LPF3)에 의해 저지된다.

이것에 의해, 다이플렉서(DiPX)로부터의 PCS/DCS 수신 신호는 PCS/DCS 송신측에 전송하지 않는다. 또한, PCS 수신 신호는 전송 선로(DSL2), 위상 회로(PSC20), SAW 필터(SAW2)를 통하여 PCS Rx단자에 전송되고, DCS 수신 신호는 전송 선로(DSL2) 및 전송 선로(DSL3), SAW 필터(SAW3)를 통하여 DCS Rx단자에 전송된다.

이 때의 PCS Rx측 회로와 DCS Rx측 회로의 전송 특성을 시뮬레이트한 결과를 도 4에 나타낸다.

도 4a∼도 4c는 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Low레벨, 즉 각 다이오드(D3, D4, Di)가 OFF상태인 경우를 나타내고 있으며, 도 4a는 PCS Rx측 회로, 즉, 위상 회로(PSC10)와 위상 회로(PSC20)의 직렬 회로의 감쇠 특성도, 도 4b는 DCS Rx측 회로, 즉, 위상 회로(PSC10, PSC30)의 직렬 회로의 감쇠 특성도, 도 4c는 DCS Rx측 회로의 특성 임피던스의 움직임을 나타낸 스미스차트이다. 또한, 도 4b에 나타내는 특성 곡선상의 B1, B2의 주파수점은 도 4c에 나타내는 스미스차트의 임피던스 곡선상의 B1, B2점에 대응한다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Low레벨일 때에는 위상 회로(PSC20)에 의해 PCS 수신 신호만이 SAW 필터(SAW2)에 전송됨과 아울러, 위상 회로(PSC30)가 DCS 수신 신호의 주파수대역에서 임피던스 정합함으로써 DCS 수신 신호만이 SAW 필터(SAW3)에 전송된다. 이러한 구성으로 함으로써, 제어전압 입력 단자(Vc2)가 Low레벨일 때에는 PCS/DCS 수신 신호를 PCS/DCS 송신측에 전송하지 않고, PCS Rx단자 및 DCS Rx단자에 저손실로 전송할 수 있다.

또한, 상술한 장치에서는, 모든 통신 신호의 수신 상태일 때 제어전압 입력 단자를 Low레벨, 즉, 전원을 공급하지 않는 상태로 하면 되기 때문에, 소비 전류를 억제할 수 있다.

한편, 상술한 예에서는, 제어 전압이 Hi레벨일 때 다이오드가 ON하도록 회로를 구성하였으나, 다이오드의 방향을 반대로 함으로써 제어 전압이 Low레벨일 때 다이오드가 ON하는 회로 구성으로 해도 된다.

다음으로, 상술한 기능을 구비하는 적층 기판형의 고주파 모듈의 구조에 대 해서, 도 5, 도 6을 참조하여 설명한다.

도 5, 도 6은 적층 기판형의 고주파 모듈의 구체적인 예를 나타내는 분해사시도이다. 도 5, 도 6에 있어서, 1a∼1k, 1m, 1n, 1p는 적층된 다층기판의 각 유전체층을 순서대로 나타내고 있으며, 도 5의 유전체층(1a)이 최하층이고, 도 6의 유전체층(1p)이 최상층이다. 단, 도 5, 도 6의 각 도면은 각 유전체층(1a∼1k, 1m, 1n, 1p)을 그들의 하면측(실장기판을 향하는 측)에서 본 상태를 나타내고 있다. 한편, 도 5, 도 6에 나타내는 각 기호는 도 2에 나타낸 각 소자의 기호에 대응한다.

최하층의 유전체층(1a)에는, 실장기판에의 실장을 위한 각종 외부 단자를 형성하고 있다. 여기에서, D/P Tx는 DCS 및 PCS 송신 신호의 입력 단자이며, GSM Tx는 GSM 송신 신호의 입력 단자이다. GSM Rx는 GSM 수신 신호의 출력 단자, DCS Rx는 DCS 수신 신호의 출력 단자, PCS Rx는 PCS 수신 신호의 출력 단자이다. ANT는 안테나 단자이며, Vc1, Vc2는 제어전압 입력 단자이고, GND는 그라운드 단자(접지 단자)이다.

유전체층(1b)에는 공통 그라운드 전극(GND)을 형성하고 있으며, 유전체층(1c)에는 GC5, DC7, DC5, Ct2, Cu1으로 나타내는 용량 소자의 대향 전극을 형성하고 있다.

유전체층(1d)에는 공통 그라운드 전극(GND)을 형성하고 있으며, 유전체층(1e)에는 Cu2, Cu3, GCu2, Ct1으로 나타내는 용량 소자의 대향 전극을 형성하고 있다.

유전체층(1f)에는 Ct3, GCc1, Cc1으로 나타내는 용량 소자의 대향 전극을 형 성하고 있으며, 유전체층(1g)에는 SAW1, SAW2, SAW3용의 중간 그라운드 전극과, Cc1으로 나타내는 용량 소자의 대향 전극을 형성하고 있다.

유전체층(1h)에는 Lp1, DSL1, DSL3, DSLt, Lt2, GSL2로 나타내는 인덕턴스 소자용의 전극을 형성하고 있다.

유전체층(1i, 1j, 1k)의 각각에는 Lp1, DSL1, DSL3, DSLt, GSL2, GLt1, Lt1, Lt2, Lt3, Lt4로 나타내는 인덕턴스 소자용의 전극을 형성하고 있다.

유전체층(1m)에는 SAW1, SAW2, SAW3용의 중간 그라운드 전극을 형성하고 있으며, 유전체층(1n)에는 전송 선로용의 전극을 형성하고 있다.

최상층인 유전체층(1p)에는 각종 실장 부품의 실장용 전극을 형성하고 있다. 이들 실장용 전극의 소정 위치에, SAW 필터(SAW1∼SAW3), 다이오드(D1∼D4, Di), 저항 소자(Ri, Rd, R1), 인덕턴스 소자(DSL1, GSL1), 용량 소자(DSC, Cp1, Cp2, Cc2)를 실장하고 있다.

이와 같이 적층 기판으로 형성함으로써, 상술한 고주파 모듈을 소형으로 형성할 수 있음과 아울러, 하나의 부품으로서 구성할 수 있다.

한편, 본 실시형태에서는, DSL1, GSL1을 실장형의 칩인덕터(칩코일)로 하고, DSC, Cp1, Cp2, Cc2를 실장형의 용량 소자(칩커패시터)로 하며, 다른 인덕턴스 소자 및 용량 소자를 적층 기판의 중간층에 형성된 전극(중간 전극)으로 구성하였으나, 위상 회로를 구성하는 각 소자는 필요로 하는 특성에 따라서, 칩형 소자, 중간 전극에 의한 소자 중 어느 하나로 형성하면 된다.

다음으로, 상술한 고주파 모듈을 사용한 통신 장치에 대해서 도 7을 참조하 여 설명한다.

도 7은 통신 장치의 주요부를 나타내는 블록도이다.

도 7에 나타내는 바와 같이, 통신 장치는 GSM, PCS, DCS의 통신 신호를 송수신하는 안테나(10)와, 상기 3종의 통신 신호를 분리하는 프론트 엔드부(11)와, 송신 신호를 생성하고, 수신 신호를 복조(復調)하는 송수신 회로(12)와, 사용자 인터페이스인 키(14), 스피커(15), 마이크(16)와, 송수신 회로(12)와 사용자 인터페이스의 각각과의 사이의 신호를 제어하는 베이스밴드(baseband) 컨트롤러(13)로 구성된다. 이 프론트 엔드부(11)에 상술한 고주파 모듈을 사용한다.

이러한 구성으로 함으로써, 각각 다른 주파수대역을 이용하는 3종의 통신 신호마다 분리 수단을 형성하지 않아도 되며, 우수한 통신 특성을 가지면서, 소형의 통신 장치를 구성할 수 있다.

본 발명의 고주파 모듈에 따르면, PCS 송신시에 PCS 송신 신호에 대한 DCS Rx단자측의 위상 회로의 아이솔레이션이 향상되어, PCS 송신 신호가 DCS Rx단자측의 회로로 흘러 들어가는 것이 방지된다. 이것에 의해, PCS 송신 신호가 입력되는 것에 의한 DCS Rx단자측의 SAW 필터나 DCS Rx단자에 접속하는 LNA 등의 회로 소자의 파괴를 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에 따르면, 제어전압 입력 단자를 통일함으로써 회로를 간소화하고, 모듈을 소형화할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에 따르면, 위상 회로의 일부를 전송 선로로 구 성함으로써, 회로를 간소화하고, 모듈을 소형화할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에 따르면, 상술한 전송 선로에서는 정합할 수 없는 위상의 어긋남이라도, 칩 소자를 사용함으로써 정합할 수 있기 때문에, 광주파수대역에서 정합을 행할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에 따르면, 상기 모듈을 다층기판 회로로 형성함으로써, 회로의 집적화 및 모듈의 소형화를 행할 수 있다.

또한, 본 발명의 통신 장치에 따르면, 상술한 고주파 모듈을 사용함으로써, 소형이며 간소한 구조이면서, 3종의 통신 신호(GSM, DCS, PCS)를 각각에 저손실로 송수신할 수 있으며, 우수한 통신 특성을 얻을 수 있다.

Claims

각각에 개별의 주파수대역을 송수신대역으로 하는 제1 내지 제3의 통신 신호를 각 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호마다 분리하는 분리 수단과, 상기 송신 신호 및 수신 신호의 주파수대역을 선택하여, 통과시키는 주파수 선택 수단과, 상기 각 통신 신호마다 각각 다른 송신 포트 및 수신 포트를 구비한 고주파 모듈로서,

상기 주파수 선택 수단에 있어서의 각 통신 신호의 수신 신호측은 각각의 사용 주파수대역에 따른 통과 특성을 구비하는 SAW 필터로 구성되고,

상기 분리 수단은 상기 3개의 통신 신호 중에서, 상기 제 1 통신 신호와, 주파수 대역이 일부 중복되어 있는 상기 제 2ㆍ제 3 통신 신호를 분리하는 다이플렉서(diplexer)와,

상기 제 1 통신 신호를 송신 신호와 수신 신호로 분리하는 제 1 스위치와,

상기 제 2ㆍ제 3 통신 신호를 송신 신호와 수신 신호로 분리하는 제 2 스위치와,

상기 분리된 수신 신호를 상기 제 2 통신 신호의 수신 신호와 상기 제 3 통신 신호의 수신 신호로 분리하는 듀플렉서로 이루어지며,

상기 듀플렉서는 적어도 하나의 다이오드를 포함하고, 상기 다이오드가 ON상태일 때 상기 제 2 통신 신호의 송신 신호를 감쇠시키며, 상기 다이오드가 OFF상태일 때 상기 제 3 통신 신호의 수신 신호만을 통과시키는 제 1 위상 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 스위치는 적어도 하나의 다이오드를 포함하며, 상기 다이오드가 ON상태일 때 상기 제 2 통신 신호의 송신 신호를 감쇠시키고, 상 기 다이오드가 OFF상태일 때 상기 제 2ㆍ제 3 통신 신호의 수신 신호를 통과시키는 제 2 위상 회로를 구비한 고주파 모듈.
제 2 항에 있어서, 상기 제 2 스위치의 다이오드에 대한 제어전압 입력과, 상기 듀플렉서의 다이오드에 대한 제어전압 입력을 겸용한 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 위상 회로를 스트립 라인 또는 마이크로 스트립 라인에 의해 구성한 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 위상 회로는 칩 형상의 인덕턴스 소자를 포함하는 고주파 모듈.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리 수단, 상기 주파수 선택 수단, 상기 송신 포트 및 상기 수신 포트를, 다층화된 유전체 기판에 있어서의 각 층의 표면에 형성된 전극 패턴, 또는 상기 전극 패턴에 실장된 소자로 구성한 고주파 모듈.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 고주파 모듈을 프론트 엔드(front-end)부에 구비한 통신 장치.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 1ㆍ제 2 위상 회로를, 스트립 라인 또는 마이크로 스트립 라인에 의해 구성한 고주파 모듈.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 1ㆍ제 2 위상 회로는 칩 형상의 인덕턴스 소자를 포함하는 고주파 모듈.