KR20020010526A - 고주파 모듈 및 이를 이용한 이동 통신 장치 - Google Patents

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Abstract

고주파 모듈은 다이플렉서, 제1 및 제2고주파 스위치, SAW 듀플렉서, 제1 및 제2필터의 기능을 하는 제1 및 제2 LC 필터, 그리고 제3필터의 기능을 하는 SAW 필터를 포함한다. 상기 모듈은 제1 내지 제3통신 시스템의 프런트-엔드(front-end)부, 디지털 셀룰라 시스템(1.8㎓ 대역), 개인 통신 서비스(1.9㎓ 대역) 및 글로벌 이동 통신 시스템(900㎒ 대역)을 집적하는 장치를 나타낸다.

Description

고주파 모듈 및 이를 이용한 이동 통신 장치{HIGH-FREQUENCY MODULE AND MOBILE COMMUNICATION APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은 고주파 모듈 및 고주파 모듈을 포함하는 이동 통신 장치에 관한 것이고, 특히 3개의 다른 통신 시스템이 공유하는 고주파 모듈 및 이런 고주파 모듈을 포함하는 이동 통신 장치에 관한 것이다.
이동 통신 장치로서, 다수의 주파수 대역들 가령, 1.8㎓대역을 이용하는 디지털 셀룰라 시스템(DCS), 1.9㎓대역을 이용하는 개인 통신 서비스(PCS), 및 900㎒를 이용하는 글로벌 이동 통신 시스템(GSM)에서 동작하는 3대역 휴대 전화가 제시되었다.
도 12는 총 3대역 휴대 전화의 프런트-엔드부의 블럭도이다. 도 12는 서로 다른 주파수를 가진 제1 내지 제3통신 장치가 1.8㎓를 이용하는 DCS, 1.9㎓를 이용하는 PCS, 및 900㎒를 이용하는 GSM에 설정되어 있는 경우를 도시한다.
3대역 휴대 전화의 프런트-엔드부에는 안테나(1), 다이플렉서(2), 제1 내지 제3고주파 스위치(3a 내지 3c), 제1 및 제2 LC 필터(4a 및 4b), 및 제1 내지 제3 SAW 필터(5a 내지 5c)가 설치된다. 다이플렉서(2)는 송신시 DCS, PCS, 및 GSM중 하나로부터 전송된 송신 신호를 안테나(1)로 결합하고, 수신시 안테나(1)로부터 전송된 수신 신호를 DCS, PCS, 및 GSM중 하나에 분배한다. 제1고주파 스위치(3a)는 DCS 및 PCS의 송신부측 그리고 DCS 및 PCS의 수신부측 사이를 스위치한다. 제2고주파 스위치(3b)는 DCS의 수신부(Rxd)측 및 PCS의 수신부(Rxp)측 사이를 스위치한다. 제3고주파 스위치는(3c)는 GSM의 송신부(Txg)측 및 수신부(Rxg)측 사이를 스위치한다. 제1 LC 필터(4a)는 DCS 및 PCS 송신 신호를 통과시켜 송신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제2 LC 필터(4b)는 GSM 송신 신호를 통과시켜 송신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제1 SAW 필터(5a)는 DCS 수신 신호를 통과시켜 수신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제2 SAW 필터(5b)는 PCS 수신 신호를 통과시켜 수신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제3 SAW 필터(5c)는 GSM 수신 신호를 통과시켜 수신 신호의 고조파를 감쇄시킨다.
먼저, DCS에 대한 3대역 휴대 전화의 동작을 설명한다. 송신시, 제1고주파 스위치(3a)는 송신부(Txdp)로부터 전송되어 제1 LC 필터(4a)를 통과하여 다이플렉서(2)로 통과하는 송신 신호를 전송하기 위해 송신부(Txdp)측을 온시키고, 다이플렉서(2)가 결합을 수행하며, 그리고 나서 상기 신호가 안테나(1)로부터 전송된다. 수신시, 안테나(1)에 의해 수신된 수신 신호는 다이플렉서(2)에 의해 분배되고, 안테나(1)로부터 전송된 수신 신호는 DCS 및 PCS측상에 위치한 제1스위치(3a)로 전송되며, 제1고주파 스위치(3a)는 상기 신호를 제2고주파 스위치(3b)에 전송하기 위해 수신부측을 온시키고, 그리고 제2고주파 스위치(3b)는 상기 신호를 제1 SAW 필터(5a)를 통과하여 DCS의 수신부(Rxd)로 전송하기 위해 DCS의 수신부(Rxd)측을 온시킨다. 유사한 동작이 PCS의 송수신에 대해서도 행해진다.
다음은 GSM이 이용되는 경우를 설명한다. 송신시, 제3고주파 스위치(3c)는 송신부(Txg)로부터 전송되어 제2 LC 필터(4b)를 통과하여 다이플렉서(2)로 통과한 송신 신호를 전송하기 위해 송신부(Txg)측을 온시키고, 다이플렉서(2)는 결합을 수행하며, 그리고 상기 신호가 안테나(1)로부터 전송된다. 수신시, 안테나(1)에 의해 수신된 수신 신호는 다이플렉서(2)에 의해 분배되고, 안테나(1)로부터 전송된 수신 신호는 제3고주파 스위치(3c)로 전송되며, 제3고주파 스위치(3c)는 상기 신호를 제3 SAW 필터(5c)를 통과하여 GSM의 수신부(Rxg)로 전송하기 위해 수신부(Rxg)측을 온시킨다.
종래의 이동 통신 장치중 하나인 3대역 휴대 전화는 3개의 고주파 스위치를 이용하기 때문에, 고주파 스위치를 구성하는 적어도 6개의 다이오드가 필요로 된다. 결과적으로, 3대역 휴대 전화는 매우 큰 전력을 사용하고, 3대역 휴대 전화에 장착된 전지는 단기간용으로만 사용된다. 또한, 각 다이오드의 동작은 많은 동작모드에서 제어되기 때문에 복잡한 회로가 필요로 된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고주파 모듈의 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 다이플렉서의 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 제1고주파 스위치의 회로도이다.
도 4는 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 제2고주파 스위치의 회로도이다.
도 5는 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 SAW 듀플렉서의 회로도이다.
도 6은 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 제1 LC 필터의 회로도이다.
도 7은 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 제2 LC 필터의 회로도이다.
도 8은 도 1에 도시된 고주파 모듈의 주요 부분의 분해 사시도이다.
도 9(a) 내지 도 9(h)는 도 8에 도시된 고주파 모듈의 적층 부재를 구성하는 제1유전체층 내지 제8유전체층의 평면도이다.
도 10(a) 내지 도 10(e)는 도 8에 도시된 고주파 모듈의 적층 부재를 구성하는 제9유전체층 내지 제13유전체층의 평면도이고, 도 10(f)는 도 8에 도시된 고주파 모듈의 적층 부재를 구성하는 제13유전체층의 저면도이다.
도 11은 도 1에 도시된 고주파 모듈을 이용하는 이동 통신 장치 구조의 일부를 도시하는 블럭도이다.
도 12는 총 3대역 휴대 전화(이동 통신 장치)의 프런트-엔드부의 구조를 도시하는 블럭도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10;고주파 모듈 15:제1필터
11:다이플렉서 16:제2필터
12:제1고주파 스위치 17:제3필터
13:제2고주파 스위치 18:적층
14:SAW 듀플렉서 30:이동 통신 장치
상기 기술된 문제점들을 극복하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시형태는 저전력 소모를 하고 소형 회로를 갖는 고주파 모듈 및 이런 고주파 모듈을 포함하는 이동 통신 장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 고주파 모듈은 서로 다른 주파수를 갖는 제1 내지 제3통신 시스템의 집적된 프런트-엔드부를 포함하고, 상기 고주파 모듈은 송신시 제1 내지 제3 통신 시스템중 임의의 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 안테나에 결합하기 위해 배열되고 수신시 안테나로부터 전송된 수신 신호를 제1 내지 제3 통신 시스템중 임의의 시스템으로 분배하기 위해 배열된 다이플렉서, 제1 및 제2통신 시스템의 송신부 및 제1 및 제2통신 시스템의 수신부를 분리하기 위해 배열된 제1고주파 스위치, 제1통신 시스템의 수신부 및 제2통신 시스템의 수신부를 분리하기 위해 배열된 SAW 듀플렉서, 및 제3통신 시스템의 송신부 및 수신부를 분리시키기 위해 배열된 제2고주파 스위치를 포함한다.
고주파 모듈은 제1 및 제2통신 시스템으로부터 전송된 전송 신호를 통과시키기 위해 배열된 제1필터, 제3통신 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 통과시키기 위해 배열된 제2필터, 및 제3통신 시스템 수신 신호를 통과시키기 위해 배열된 제3필터중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
고주파 모듈에서, SAW 듀플렉서는 SAW 필터 및 이에 연결된 위상 변환 소자를 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 고주파 모듈은 서로 다른 주파수를 갖은 제1 내지 제3통신 시스템의 프런트-엔드부를 포함하고, 상기 프런트-엔드부는 송신시 제1 내지 제3 통신 시스템중 임의의 통신 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 안테나에 결합하고 수신시 안테나로부터 전송된 수신 신호를 제1 내지 제3통신 시스템중 임의의 통신 시스템으로 분배하기 위해 배열된 다이플렉서, 제1 및 제2통신 시스템 송신부 및 제1 및 제2통신 시스템 수신부를 분리시키기 위해 배열된 제1고주파 스위치, 제1통신 시스템 수신부 및 제2통신 시스템 수신부를 분리시키기 위해 배열된 SAW 듀플렉서, 및 제3통신 시스템 송신부 및 수신부를 분리시키기 위해 배열된 제2고주파 스위치를 포함하고, 상기 다이플렉서, 제1 및 제2고주파 스위치, 및 SAW 듀플렉서는 다수의 적층 시트층을 포함하는 적층 부재에 집적되어 있는 것을 특징으로 한다.
고주파 모듈은 다이플렉서의 모든 요소들 그리고 제1 및 제2고주파 스위치 및 SAW 듀플렉서의 일부 요소들은 적층 부재에 내장되고 제1 및 제2고주파 스위치 그리고 SAW 듀플렉서의 나머지 요소들은 상기 적층 부재상에 탑재되도록 구성될 수 있다.
본 발명의 다양한 바람직한 실시형태의 고주파 모듈에 따르면, 다이플렉서, 제1 및 제2고주파 스위치, 및 SAW 듀플렉서가 설치되어 있고 상기 SAW 듀플렉서는 제1통신 시스템 수신부 및 제2통신 시스템 수신부를 분리하기 때문에, 고주파 스위치의 수가 줄어들게 된다. 결과적으로, 사용된 다이오드의 수는 줄어들게 되고, 고주파 모듈의 전력 소모는 크게 줄어들게 된다. 이는 저전력소모 고주파 모듈이설치되어 있다는 것을 의미한다. 게다가, 신호 수신 동작 중에는 전류가 필요하지 않다.
고주파 모듈을 구성하는 다이플렉서, 제1 및 제2고주파 스위치, 및 SAW 듀플렉서는 바람직하게는 세라믹으로 형성된 다수의 시트층을 적층하여 얻은 적층 부재에 집적되기 때문에, 각 소자의 정합 특성, 감쇄 특성 또는 절연 특성이 얻어진다. 그러므로, 다이플렉서 및 제1 및 제2고주파 스위치간 또는 제1고주파 스위치 및 SAW 듀플렉서간 정합 회로가 필요하지 않다. 결과적으로, 고주파 모듈은 종래의 장치들보다 훨씬 더 간단해진다.
다이플렉서는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 것이 바람직하다. 제1 및 제2고주파 스위치는 다이오드, 인덕터, 및 커패시터를 포함하는 것이 바람직하다. SAW 듀플렉서는 SAW 필터 및 송신 라인을 포함하는 것이 바람직하다. 제1 및 제2 LC 필터는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 것이 바람직하다. 이런 소자들은 적층 부재에 내장되거나 탑재되고 적층 부재의 내부에 배치된 연결부에 의해 연결된다. 그러므로, 고주파 모듈은 하나의 적층 부재에 의해 구성되고 매우 간단하다. 게다가, 소자를 연결하기 위해 배선으로 인한 손실은 크게 감소되고, 결과적으로, 전체 고주파 모듈의 손실은 크게 감소된다.
적층 부재에 내장된 인덕터 및 송신 라인의 길이는 파장 감소 효과로 인해 줄어들기 때문에, 이런 인덕터 및 송신 라인의 삽입 손실은 크게 감소된다. 그러므로, 간단하고 저손실의 고주파 모듈이 제공된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 이동 통신 장치는 상기 기술된바람직한 실시형태중 하나에 따른 고주파 모듈을 포함하고, 상기 고주파 모듈은 제1 내지 제3통신 시스템의 프런트-엔드부, 제1 및 제3통신 시스템의 수신부, 및 제1 내지 제3통신 시스템의 송신부를 정의한다.
본 발명의 바람직한 실시형태의 이동 통신 장치에 따르면, 전력 소모가 줄어들도록 고주파 모듈에 의해 정의되는 프런트-엔드부가 제공되기 때문에, 이동 통신 장치의 전력 소모도 또한 줄어들게 된다.
본 발명의 다양한 바람직한 실시형태의 이동 통신 장치에 따르면, 이용된 고주파 모듈은 전력 소모를 줄이고 수신시 전류를 필요로 하지 않기 때문에, 이런 주파수 모듈을 가진 이동 통신 장치는 저전력 소모를 하고 호출 대기시 전류를 필요로 하지 않는다. 결과적으로, 이동 통신 장치에 내장된 전지는 종래의 장치보다 훨씬 더 장기간동안 사용된다.
게다가, 간단하고 저손실의 고주파 모듈이 사용되기 때문에, 이런 고주파 모듈을 가진 이동 통신 장치는 간단하게 만들어지고 고성능이다.
본 발명의 기타 특징, 소자, 특징 및 이점들은 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시형태의 자세한 설명으로부터 더욱 분명해 진다.
(실시예)
본 발명의 바람직한 실시예는 도면을 참조로 하여 기술된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 고주파 모듈(10)의 블럭도이다. 고주파 모듈(10)은 다이플렉서(11), 제1 및 제2 고주파 스위치(12 및 13), SAW 듀플렉서(14), 제1 및 제2필터를 정의하는 제1 및 제2 LC 필터(15 및 16), 및 제3필터를 정의하는 SAW 필터(17)를 포함하고, 제1 내지 제3통신 시스템, 바람직하게는 DCS(1.8㎓대역), PCS(1.9㎓대역), 및 GSM(900㎒대역)의 프런트-앤드부로서의 기능을 한다.
다이플렉서(11)의 제1포트(P11)는 안테나(ANT)에 연결되고, 제2포트(P12)는 제1고주파 스위치(12)의 제1포트(P21)에 연결되며, 그리고 제3포트(P13)는 제2고주파 스위치(13)의 제1포트(P31)에 연결된다.
제1고주파 스위치(12)의 제2포트(P22)는 제1 LC 필터(15)의 제1포트(P51)에 연결되고, 제3포트(P23)는 SAW 듀플렉서(14)의 제1포트(P14)에 연결된다.
제1 LC 필터(15)의 제2포트(P52)는 DCS 및 PCS에 의해 공유되는 송신부(Txdp)에 연결되고, SAW 듀플렉서(14)의 제2 및 제3포트(P42 및 P43)는 DCS의 수신부(Rxd) 및 PCS의 수신부(Rxp) 각각에 연결된다.
제2고주파 스위치의 제2포트(P32)는 제2 LC 필터(16)의 제1포트(P61)에 연결되고, 제3포트(P33)는 SAW 필터(17)의 제1포트(P71)에 연결된다.
제2 LC 필터(16)의 제2포트(P62)는 GSM의 송신부(Txg)에 연결되고, SAW 필터의 제2포트(P72)는 GSM의 수신부(Rxg)에 연결된다.
도 2는 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 다이플렉서(11)의 회로도이다. 다이플렉서(11)에는 제1 내지 제3포트(P11 내지 P13), 인덕터(L11 및 L12), 및 커패시터(C11 내지 C15)가 설치된다.
제1포트(P11) 및 제2포트(P12) 사이에, 커패시터(C11 및 C12)가 직렬로 연결된다. 이들 사이의 연결점은 인덕터(L11) 및 커패시터(C13)를 통해 접지된다.
제1포트(P11) 및 제3포트(P13) 사이에, 제1인덕터(L12) 및 제1커패시터(C14)를 포함하는 병렬 회로가 연결되어 있다. 제3포트(P13)에 위치한 병렬 회로의 단부가 제1커패시터(C15)를 통해 접지된다.
다시 말해서, DCS(1.8㎓ 대역) 및 PCS(1.9㎓ 대역)에서 송수신 신호를 통과시키는 고주파-대역 필터가 제1포트(P11) 및 제2포트(P12) 사이에 정의된다. GSM(900㎒ 대역)에서 송수신 신호를 통과시키는 저주파-대역 필터가 제1포트(P11) 및 제3포트(P13) 사이에 정의된다.
도 3은 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 제1고주파 스위치(12)의 회로도이다. 제1고주파 스위치(12)에는 제1 내지 제3포트(P21 내지 P23), 제어 단자(Vc1), 다이오드(D11 및 D12), 인덕터(L21 내지 L23), 커패시터(C21 및 C22), 및 저항(R1)이 설치된다.
제1포트(P21) 및 제2포트(P22) 사이에, 다이오드(D11)의 애노드가 제1포트(P21)측에 배치되도록 다이오드(D11)가 연결된다. 다이오드(11)는 또한 인덕터(L21) 및 커패시터(C21)를 포함하는 직렬 회로에 병렬로 연결되어 있다. 다이오드(D11)의 제2포트(P22) 즉, 캐소드가 초크 코일을 정의하는 인덕터(L22)를 통해 접지된다.
제1포트(P21) 및 제3포트(P23) 사이에, 인덕터(L23)가 연결되어 있다. 인덕터(L23)의 제3포트(P23)가 다이오드(D12) 및 커패시터(C22)를 통해 접지된다. 다이오드(D12)의 애노드 및 커패시터(C22)의 연결점은 저항(R1)을 통해 제어 단자(Vc1)에 연결된다.
도 4는 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 제2고주파 모듈을 구성하는 제2고주파 스위치(13)의 회로도이다. 제2고주파 스위치(13)에는 제1 내지 제3포트(P31 내지 P33), 제어 단자(Vc2), 다이오드(D21 및 D22), 인덕터(L31 및 L32), 커패시터(C31), 및 저항(R2)이 설치된다.
제1포트(P31) 및 제2포트(P32) 사이에, 다이오드(D21)의 애노드가 제1포트(P31)측에 배치되도록 다이오드(D21)가 연결되어 있다. 다이오드(D21)의 제2포트(P32)측 즉, 캐소드가 초크 코일을 정의하는 인덕터(L31)를 통해 접지된다.
제1포트(P31) 및 제3포트(P33) 사이에, 인덕터(L32)가 연결되어 있다. 인덕터(L32)의 제3포트(P33)측은 다이오드(D22) 및 커패시터(C31)을 통해 접지된다. 다이오드(D22)의 애노드 및 커패시터(C31)의 연결점은 저항(R2)을 통해 제어 단자(Vc2)에 연결된다.
도 5는 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 SAW 듀플렉서(14)의 회로도이다. SAW 듀플렉서(14)에는 제1 내지 제3포트(P41 내지 P43), SAW 필터(SAW1 및 SAW2), 인덕터(L41 및 L42), 및 커패시터(C41 내지 C44)가 설치된다. 제1포트(P41) 및 제2포트(P42) 사이에, 커패시터(C41), SAW 필터(SAW1) 및 위상 변환 장치(141)가 직렬로 연결되어 있다. 제1포트(P41) 및 제3포트(P43) 사이에, 커패시터(C41), SAW 필터(SAW2), 및 위상 변환 장치(142)가 직렬로 연결되어 있다.
위상 변환 장치(141)는 인덕터(L41) 및 커패시터(C42 및 C43)를 포함한다. 인덕터(L41)의 양 단부는 커패시터(C42 및 C43)를 통해 접지에 연결된다. 위상 변환 장치(142)는 인덕터(L42) 및 커패시터(C44)를 포함한다. 인덕터(L42)의 SAW 필터(SAW2)측은 커패시터(C44)를 통해 접지에 연결된다.
위상 변환 장치(141)에 있어서, SAW 필터(SAW1)의 입력 임피던스가 제2포트(P42)에 연결된 DCS의 주파수 대역(1.8㎓ 대역)에 개방되도록 인덕터(L41)의 인덕턴스 및 커패시터(C43)의 커패시턴스가 지정된다. 같은 방식으로, 위상 변환 장치(142)에 있어서, SAW 필터(SAW2)의 입력 임피던스가 제3포트(P43)에 연결된 PCS의 주파수 대역(1.9㎓ 대역)에 개방되도록 인덕터(L42)의 인덕턴스 및 커패시터(C44)의 커패시턴스가 지정된다.
도 6은 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 제1 LC 필터(15)의 회로도이다. 제1 LC 필터(15)에는 제1 및 제2포트(P51 및 P52), 인덕터(L51 및 L52), 및 커패시터(C51 및 C53)가 설치된다.
제1포트(P51) 및 제2포트(P52) 사이에, 인덕터(L51) 및 커패시터(C51)에 의해 정의된 병렬 회로 그리고 인덕터(L52) 및 커패시터(C52)에 의해 정의된 병렬 회로는 직렬로 연결되고, 이런 병렬 회로들의 연결점은 커패시터(C53)에 의해 접지된다.
도 7은 도 1에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 제2 LC 필터(16)의 회로도이다. 제2 LC 필터(16)에는 제1 및 제2포트(P61 및 P62), 인덕터(L61), 및 커패시터(C61 내지 C63)가 설치된다.
제1포트(P61) 및 제2포트(P62) 사이에, 인덕터(L61) 및 커패시터(C61)에 의해 정의된 병렬 회로는 직렬로 연결되고, 상기 병렬 회로의 양 단부는 커패시터(C62 및 C63)를 통해 접지된다,
도 8은 도 1에 도시된 회로 구조를 가진 고주파 모듈(10)의 주요부의 분해 사시도이다. 고주파 모듈(10)은 적층 부재(18)를 포함한다. 적층 부재(18)는 비록 도시되어 있지는 않지만 그 내부에 다이플렉서(11)의 인덕터(L11 및 L12) 및 커패시터(C11 내지 C15), 제1고주파 스위치(12)의 인덕터(L21 및 L23) 및 커패시터(C22), 제2고주파 스위치(13)의 인덕터(32) 및 커패시터(C31), SAW 듀플렉서(14)의 인덕터(L41 및 L42) 및 커패시터(C42 내지 C44), 제1 LC 필터(15)의 인덕터(L51 및 L52) 및 커패시터(C51 내지 C53), 그리고 제2 LC 필터(16)의 인덕터(L61) 및 커패시터(C61 내지 C63)를 포함한다.
다음의 소자들은 적층 부재(18)의 정면에 탑재되는 것이 바람직하다:다이오드(D11 및 D12), 인덕터(초크 코일)(L22), 커패시터(C21) 및 제1고주파 스위치(12)의 저항(R1); 다이오드(D21 및 D22), 인덕터(초크 코일)(L31), 및 제2고주파 스위치(13)의 저항(R2); SAW 필터(SAW1 및 SAW2), 및 SAW 듀플렉서(14)의 커패시터(C41); 및 SAW 필터(17).
적층 부재(18)의 측면에서 저면까지, 18개의 외부 단자(Ta 내지 Tr)가 뻗어 있다. 외부 단자(Ta 내지 Tr)는 스크린 프린팅 또는 다른 적당한 방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 외부 단자(Ta 및 Tb)는 SAW 듀플렉서(14)의 제2포트(P42)를 정의한다. 외부 단자(Tc)는 제1고주파 스위치(12)의 제어 단자(Vc1)를 정의한다. 외부 단자(Td)는 제2 LC 필터(16)의 제2포트(P62)를 정의한다. 외부 단자(Tf)는 제1 LC 필터(15)의 제2포트(P52)를 정의한다. 외부 단자(Tg)는 제2고주파 스위치(13)의 제어 단자(Vc2)를 정의한다. 외부 단자(Ti)는다이플렉서(11)의 제1포트(P11)로서 정의한다. 외부 단자(Tk 및 T1)는 SAW 필터(17)의 제2포트(P72)를 정의한다. 외부 단자(Tn 및 To)는 SAW 듀플렉서(14)의 제3포트(P43)를 정의한다. 외부 단자(Te, Th, Tj, Tm, Tp, Tq 및 Tr)는 접지 단자를 정의한다.
금속캡(20)은 적층 부재(18)의 정면을 커버하기 위해 적층 부재(18)상에 배치된다. 금속캡(20)의 돌기부(201 및 202)가 적층 부재(18)의 외부 단자(Th 및 Tq)에 연결된다.
도 9(a) 내지 도 9(h) 및 도10(a) 내지 도 10(f)는 도 8에 도시된 고주파 모듈을 구성하는 유전체층의 평면도이고, 도 10(g)는 도 10(f)에 도시된 유전체층의 저면도이다. 적층 부재(18)는 바람직하게는 주요 구성요소로서 위로부터 산화 바륨, 산화 알루미늄, 및 실리카를 가진 세라믹으로 만든 제1내지 제14유전체층(18a 내지 18n)을 순차적으로 적층하고, 약 1000℃이상의 소성 온도에서 소성하며, 그리고 그것을 뒤집기함으로써 형성되는 것이 바람직하다. 다시 말해서, 제14유전체층(18n)은 적층 부재(18)의 상층을 정의하고, 제1유전체층(18a)은 적층 부재(18)의 저면층을 정의한다.
제1유전체층(18a)의 상측면상에, 외부 단자(Ta 내지 Tr)가 설치된다. 제2, 제4, 및 제13유전체층(18b, 18d, 및 18m)의 상측면상에, 접지 전극(Gp1 내지 Gp3)이 각각 설치된다. 제3 내지 제6 및 제10 내지 제12유전체층(18c 내지 18f 및 18j 내지 18l)의 상측면상에 커패시터 전극(Cp1 내지 Cp19)이 설치된다.
게다가, 제7 내지 제9유전체층(18g 내지 18i)의 상측면상에, 스트립라인 전극(ST1 내지 ST26)이 설치된다. 제14유전체층(18n)의 상측면상에, 배선(Li)이 설치된다.
추가로, 제14유전체층(도 10(g)의 18nu)의 하측면상에, 다이오드(D11, D12, D21, 및 D22)를 탑재하기 위한 랜드(land), 인덕터(L22 및 L31), 커패시터(C22 및 C41), 저항(R1 및 R2), 적층 부재(18)의 정면에 있는 SAW 필터(SAW1, SAW2, 및 17)가 설치된다. 제3 내지 제14유전체층(18c 내지 18n)에서 소정의 위치에 비어홀(via hole) 전극(Vh)이 형성된다.
이 구조에는, 다이플렉서(11)의 인덕터(L11)(도 2 참조)가 스트립라인 전극(ST4, ST13, 및 ST22)을 포함하고, 인덕터(L12)(도 2 참조)는 스트립라인 전극(ST2, ST11, 및 ST21)을 포함한다. 커패시터(C11)(도 2 참조)는 커패시터 전극(Cp16, Cp17, 및 Cp19)을 포함하는 것이 바람직하다. 커패시터(C13)(도 2 참조)는 커패시터 전극(Cp4) 및 접지 전극(Gp1 내지 Gp2)을 포함하는 것이 바람직하다. 커패시터(C14)(도 2 참조)는 커패시터 전극(Cp7, Cp8, 및 Cp12)을 포함하는 것이 바람직하다. 커패시터(C15)(도 2 참조)는 커패시터 전극(Cp7 및 Cp12) 및 접지 전극(Gp1 및 Gp2)을 포함하는 것이 바람직하다.
제1고주파 스위치(12)의 인덕터(L21)(도 3 참조)는 스트립라인 전극(ST7, ST17, 및 ST25)을 포함하고, 인덕터(L23)(도 2 참조)는 스트립라인 전극(ST3 및 ST12)을 포함한다. 커패시터(C22)(도 3 참조)는 커패시터 전극(Cp5) 및 접지 전극(Gp1 및 Gp2)을 포함한다.
제2고주파 스위치(13)의 인덕터(L32)(도 4 참조)는 스트립라인 전극(ST6 및ST15)을 포함한다. 커패시터(C32)(도 4 참조)는 커패시터 전극(Cp6) 및 접지 전극(Gp1 및 Gp2)를 포함한다.
SAW 듀플렉서(14)의 인덕터(L41)(도 5 참조)는 스트립라인 전극(ST5, ST14, 및 ST23)을 포함하고, 인덕터(L42)(도 5 참조)는 스트립라인 전극(ST1, ST10, 및 ST20)을 포함한다. 커패시터(C42)(도 5 참조)는 커패시터 전극(Cp3) 및 접지 전극(Gp1 및 Gp2)을 포함하고, 커패시터(C43)(도 5 참조)는 커패시터 전극(Cp2) 및 접지 전극(Gp1 및 Gp2)을 포함하며, 그리고 커패시터(C44)(도 5 참조)는 커패시터 전극(Cp1) 및 접지 전극(Gp1 및 Gp2)을 포함한다.
제1 LC 필터(14)의 인덕터(L51)(도 6 참조)는 스트립라인 전극(ST8, ST18, 및 ST26)을 포함하고, 인덕터(L52)(도 6 참조)는 스트립라인 전극(ST9, ST19)을 포함한다. 커패시터(C51)(도 6 참조)는 커패시터 전극(Cp11 및 Cp14)을 포함하고, 커패시터(C52)(도 6 참조)는 커패시터 전극(Cp11 및 Cp15)을 포함하며, 그리고 커패시터(C53)(도 6 참조)는 커패시터 전극(Cp11) 및 접지 전극(Gp2)을 포함한다.
제2 LC 필터(16)의 인덕터(L61)(도 7 참조)는 스트립라인 전극(ST16 및 ST24)을 포함한다. 커패시터(C61)(도 7 참조)는 커패시터 전극(Cp10 및 Cp13)을 포함하고, 커패시터(C62)(도 7 참조)는 커패시터 전극(Cp9) 및 접지 전극(Gp2)을 포함하며, 그리고 커패시터(C63)(도 7 참조)는 커패시터 전극(Cp10) 및 접지 전극(Gp2)을 포함한다.
다음에는 도 1에 도시된 회로 구조를 가진 고주파 모듈(10)의 동작에 대해 설명한다. 송신 신호가 DCS(1.8㎓ 대역)로부터 또는 PCS(1.9㎓ 대역)로부터 송신될 때, DCS 또는 PCS로부터 전송된 송신 신호를 안테나(ANT)로부터 제1 LC 필터(15), 제1 고주파 스위치(12), 및 다이플렉서(11)를 통해 송신하도록 제1고주파 스위치(12)에서 제1포트(P21) 및 제2포트(P22)를 연결하기 위해 제1고주파 스위치(12)의 제어 단자(Vc1)에 1V 전압이 인가된다.
이 경우에, 제1 LC 필터(15)는 DCS 또는 PCS로부터 전송된 송신 신호를 통과시켜 송신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제2고주파 스위치(13)에서는, 제2고주파 스위치(13)의 기능을 억제하도록 제어 단자(Vc2)에 0V의 전압이 인가된다.
전송 신호가 GSM(900㎒ 대역)으로부터 송신될 때, GSM으로부터 전송된 송신 신호를 안테나(ANT)로부터 송신하도록 제2 LC 필터(16), 제2 고주파 스위치(12), 및 다이플렉서(11)를 통해 제2고주파 스위치(13)에서 제1포트(P31) 및 제2포트(P32)를 연결하기 위해 제2고주파 스위치(13)의 제어 단자(Vc2)에 1V 전압을 인가한다.
이 경우에, 제2 LC 필터(16)는 GSM으로부터 전송된 송신 신호를 통과시켜 송신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제1고주파 스위치(12)에 있어서, 제1고주파 스위치(13)의 기능을 억제하도록 제어 단자(Vc1)에 0V 전압이 인가된다.
DCS 수신 신호가 수신된 경우, 제1고주파 스위치(12)에서 제1포트(P21) 및 제2포트(P23)를 연결하기 위해 제1고주파 스위치(12)의 제어 단자(Vc1)에 0V 전압이 인가되고, DCS 수신 신호가 SAW 듀플렉서(14)의 제2포트(P42)측에 전송되며, 그래서 안테나(ANT)에 의해 수신된 DCS 수신 신호가 다이플렉서(11), 제1고주파 스위치(12), 및 SAW 듀플렉서(14)를 통해 DCS의 수신부(Rxd)에 전송된다.
이 경우에, SAW 듀플렉서(14)는 DCS 수신 신호를 통과시켜 수신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제2고주파 스위치(13)에서, 제2고주파 스위치(13)의 기능을 억제하도록 제어 단자(Vc2)에 0V 전압이 인가된다.
PCS 수신 신호가 수신된 경우, 제1고주파 스위치(12)에서 제1포트(P21) 및 제2포트(P23)를 연결하기 위해 제1고주파 스위치(12)의 제어 단자(Vc1)에 0V 전압이 인가되고, PCS 수신 신호가 SAW 듀플렉서(14)의 제3포트(P43)측에 전송되며, 그래서 안테나(ANT)에 의해 수신된 PCS 수신 신호가 다이플렉서(11), 제1고주파 스위치(12), 및 SAW 듀플렉서(14)를 통해 PCS의 수신부(Rxp)에 전송된다.
이 경우에, SAW 듀플렉서(14)는 PCS 수신 신호를 통과시켜 수신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제2고주파 스위치(13)에서, 제2고주파 스위치(13)의 기능을 억제하도록 제어 단자(Vc2)에 0V 전압이 인가된다.
GSM 수신 신호가 수신된 경우, 안테나(ANT)에 의해 수신된 GSM 수신 신호를 다이플렉서(11), 제2고주파 스위치(13), 및 SAW 필터(17)를 통해 GSM의 수신부(Rxg)에 전송하도록, 제2고주파 스위치(13)에서 제1포트(P31) 및 제2포트(P33)를 연결하기 위해 제2고주파 스위치(13)의 제어 단자(Vc2)에 0V 전압이 인가된다.
이 경우에, SAW 필터(17)는 GSM 수신 신호를 통과시켜 수신 신호의 고조파를 감쇄시킨다. 제1고주파 스위치(12)에서, 제2고주파 스위치(12)의 기능을 억제하도록 제어 단자(Vc1)에 0V 전압이 인가된다.
상기 기술된 바람직한 실시예의 고주파 모듈에 따라, 다이플렉서, 제1 및제2고주파 스위치, 및 SAW 듀플렉서가 설치되어 있고 SAW 듀플렉서가 제1통신 시스템의 수신부 및 제2통신 시스템의 수신부를 분리하기 때문에, 고주파 스위치의 수는 감소된다. 결과적으로, 사용된 다이오드의 수가 절감되고, 고주파 모듈의 전력 소모가 크개 절감된다. 게다가, 신호 수신 동작중 전류는 필요하지 않는다.
고주파 모듈을 구성하는 다이플렉서, 제1 및 제2고주파 스위치, 및 SAW 듀플렉서는 세라믹으로 형성된 다수의 시트층을 적층하여 얻은 적층 부재에 집적되기 때문에, 각 구성요소의 정합 특성, 감쇄 특성, 또는 절연 특성을 얻을 수 있다. 그러므로, 다이플렉서 그리고 제1 및 제2고주파 스위치 사이, 또는 제1고주파 스위치 및 SAW 듀플렉서 사이에 정합 회로가 필요하지 않는다. 결과적으로, 고주파 모듈은 매우 간단하다. 본 발명의 바람직한 실시형태중 한 실시예에서, 생성 적층 부재는 대략 7.0㎜ ×5.0㎜ ×1.8㎜의 크기를 갖고, 적층 부재는 다이플렉서, 제1 및 제2고주파 스위치, SAW 듀플렉서, 제1 및 제2 LC 필터, 그리고 SAW 필터를 포함했다.
다이플렉서는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 것이 바람직하다. 제1 및 제2고주파 스위치는 다이오드, 인덕터, 및 커패시터를 포함하는 것이 바람직하다. SAW 듀플렉서는 SAW 필터 및 송신 라인을 포함하는 것이 바람직하다. 제1 및 제2 LC 필터는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 것이 바람직하다. 이런 모든 소자들은 적층 부재에 내장되거나 탑재되고, 적층 부재의 내측에 위치한 연결 부재에 의해 연결되는 것이 바람직하다. 그러므로, 고주파 모듈은 단일 적층 부재에 의해 정의되고 매우 간단하다. 게다가, 구성요소를 연결하기 위해 배선으로 인한 손실은 크게 절감되고, 결과적으로, 전체 고주파 모듈의 손실은 크게 절감된다.
적층 부재에 내장된 인덕터 및 송신 라인의 길이는 파장 감소 효과로 인해 줄어들기 때문에, 이런 인덕터 및 송신 라인의 삽입 손실은 크게 절감된다. 그러므로, 간단하고 저손실의 고주파 모듈을 제조할 수 있고, 고주파 모듈이 탑재된 간단한 고성능 이동 통신 장치도 또한 제조할 수 있다.
도 11은 이동 통신 장치인 3대역 휴대 전화 구조의 일부를 도시하는 블럭도이다. 이 전화에서는 1.8㎓ 대역을 이용하는 DCS, 1.9㎓ 대역을 이용하는 PCS, 및 900㎒ 대역을 이용하는 GSM을 조합하는 것이 바람직하다.
3대역 휴대 전화(30)에는 DCS, PCS, 및 GSM의 안테나(ANT) 및 프런트-엔드부가 집적된 고주파 모듈(10)(도 1 참조), DCS 및 PCS에 의해 공유되는 송신부(Txdp), PCS의 수신부(Rxd), DCS의 수신부(Rxd), GSM의 송신부(Txg), 그리고 GSM의 수신부(Rxg)가 설치되어 있다.
고주파 모듈(10)의 포트(P11)가 안테나(ANT)에 연결되고, 포트(P43, P42, P52, P62, 및 P72)가 PCS의 수신부(Rxp), DCS의 수신부(Txd), DCS 및 PCS에 공통인 송신부(Txdp), GSM의 송신부(Txg), 및 GSM의 수신부(Rxg) 각각에 연결되어 있다.
상기 기술된 3대역 휴대 전화에 따르면, 고주파 모듈은 전력 소모를 크게 절감하고 수신시 전류가 필요하지 않기 때문에, 이 고주파 모듈을 가진 이동 통신 장치는 저전력 소모를 하고 호출 대기시 어떠한 전류도 사용하지 않는다. 결과적으로, 이동 통신 장치에 탑재된 전지는 훨씬 더 장기간 사용될 수 있다.
게다가, 간단하고 저손실의 고주파 모듈이 사용되기 때문에, 이런 고주파 모듈을 가진 이동 통신 장치는 매우 간단하고 우수한 성능을 제공한다.
상기 기술된 다양한 바람직한 실시형태의 고주파 모듈에서, 적층 부재는 그 내부에 다이플렉서의 모든 소자들 그리고 제1 및 제2고주파 스위치와 SAW 듀플렉서의 일부 소자들을 포함하는 것이 바람직하고, 제1 및 제2고주파 스위치와 SAW 듀플렉서의 나머지 소자들은 적층 부재에 탑재된다. 다이플렉서, 제1 및 제2 고주파 스위치, 및 SAW 듀플렉서의 모든 소자들은 동일한 프린트 회로 보드상에 탑재되는 구조가 이용될 수 있다. 선택적으로, 다이플렉서의 모든 소자들 그리고 제1 및 제2고주파 스위치와 SAW 듀플렉서의 일부 소자들이 적층 부재에 내장되고 제1 및 제2고주파 스위치와 SAW 듀플렉서의 나머지 소자들은 동일한 프린트 회로보드에 탑재되는 구조가 이용될 수 있다.
상기의 경우에 있어서, SAW 듀플렉서의 위상 변환 장치는 인덕터 및 커패시터를 조합하여 얻은 집중 상수 소자(lamped constant element)에 의해 정의되는 것이 바람직하다. 위상 변환 장치가 스트립라인과 같이 분배 정수 소자에 의해 정의된다 하더라도, 동일한 이점을 얻을 수 있다.
상기의 경우에 있어서, SAW 필터는 적층 부재의 정면에 탑재된다. 이것들은 적층 부재의 하측면 또는 각 표면상에 형성된 캐버티(cavity)에 탑재될 수 있다.
상기의 경우에, SAW 필터는 베어(bare) 칩 소자이지만 패키지로 처리될 수도 있다.
바람직한 실시형태를 참조로 하여 특별히 본 발명을 도시하고 기술했지만, 본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않으면서 형식 및 세부적으로 전술한 것들및 기타 변형들이 이뤄지는 것을 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들에 의해 이해할 수 있을 것이다.
종래의 이동 통신 장치중 하나인 3대역 휴대 전화는 3개의 고주파 스위치를 이용하기 때문에, 고주파 스위치를 구성하는 적어도 6개의 다이오드가 필요로 된다. 이에 대해, 본 발명의 3대역 휴대 전화는 저전력을 사용하고, 3대역 휴대 전화에 장착된 전지의 수명은 꽤 장기간 사용되며, 회로의 구성이 간단하다.

Claims (19)

  1. 송신시 제1, 제2 및 제3통신 시스템중 임의의 통신 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 안테나에 결합하고, 수신시 상기 안테나로부터 전송된 수신 신호를 상기 제1 내지 제3통신 시스템중 임의의 통신 시스템으로 분배하기 위해 배열된 다이플렉서;
    상기 제1 및 제2통신 시스템 송신부 및 상기 제1 및 제2통신 시스템 수신부를 분리하기 위해 배열된 제1고주파 스위치;
    상기 제1통신 시스템 수신부 및 상기 제2통신 시스템 수신부를 분리하기 위해 배열된 SAW 듀플렉서; 및
    상기 제3통신 시스템의 송신부 및 수신부를 분리하기 위해 배열된 제2고주파 스위치를 포함하고 서로 다른 주파수를 가지며 함께 집적되어 있는 제1, 제2 및 제3통신 시스템의 프런트-엔드(front-end)부를 포함하는 고주파 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2통신 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 통과시키기 위해 배열된 제1필터, 상기 제3통신 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 통과시키기 위해 배열된 제2필터, 및 상기 제3통신 시스템의 수신 신호를 통과시키기 위해 배열된 제3필터중 적어도 하나를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 SAW 듀플렉서는 SAW 필터 및 상기 SAW 필터에 연결된 위상 변환 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제1통신 시스템은 1.8㎓ 대역을 사용하는 DCS이고, 상기 제2통신 시스템은 1.9㎓ 대역을 사용하는 PCS이며, 그리고 상기 제3통신 시스템은 900㎒ 대역을 사용하는 GSM인 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서, 다수의 적층 시트를 포함하는 적층체를 추가로 포함하고, 상기 다이플렉서, 상기 제1 및 제2고주파 스위치 및 상기 SAW 듀플렉서는 상기 적층체내 또는 상기 적층체상에 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 다이플렉서는 상기 적층체내에 완전히 배치되고, 상기 제1 및 제2고주파 스위치 및 상기 SAW 듀플렉서는 상기 적층체내에 각각 부분적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 다이플렉서는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2고주파 스위치 각각은 다이오드, 인덕터, 및 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 SAW 듀플렉서는 SAW 필터 및 송신 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  10. 송신시 제1, 제2 및 제3통신 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 안테나에 결합하고 수신시 상기 안테나로부터 전송된 수신 신호를 상기 제1, 제2 및 제3통신 시스템중 임의의 통신 시스템으로 분배하기 위해 배열된 다이플렉서;
    상기 제1 및 제2통신 시스템 송신부 및 상기 제1 및 제2통신 시스템 수신부를 분리하기 위해 배열된 제1고주파 스위치;
    상기 제1통신 시스템에 대한 수신부 및 제2통신 시스템에 대한 수신부를 분리하기 위해 배열된 SAW 듀플렉서; 및
    상기 제3통신 시스템의 송신부 및 수신부를 분리하기 위해 배열된 제2고주파 스위치를 포함하고 서로 다른 주파수를 가진 상기 제1, 제2 및 제3통신 시스템의 프런트-엔드부를 포함하며, 상기 다이플렉서, 제1 및 제2고주파 스위치, 그리고 상기 SAW 듀플렉서는 다수의 적층 시트층을 포함하는 적층 부재를 정의하기 위해 함께 집적된 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 다이플렉서의 모든 소자들 그리고 상기 제1 및 제2고주파 스위치와 상기 SAW 듀플렉서의 일부 소자들이 상기 적층 부재내에 배치되고, 상기 제1 및 제2고주파 스위치 및 상기 SAW 듀플렉서의 나머지 소자들은 상기적층 부재상에 탑재되는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 및 제2통신 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 통과시키기 위해 배열된 제1필터, 상기 제3통신 시스템으로부터 전송된 송신 신호를 통과시키기 위해 배열된 제2필터, 및 상기 제3통신 시스템의 수신 신호를 통과시키기 위해 배열된 제3필터중 적어도 하나를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 SAW 듀플렉서는 SAW 필터 및 상기 SAW 필터에 연결된 위상 변환 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 제1통신 시스템은 1.8㎓ 대역을 사용하는 DCS이고, 상기 제2통신 시스템은 1.9㎓ 대역을 사용하는 PCS이며, 그리고 상기 제3통신 시스템은 900㎒ 대역을 사용하는 GSM인 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  15. 제 10 항에 있어서, 상기 다이플렉서는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 및 제2고주파 스위치 각각은 다이오드, 인덕터, 및 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  17. 제 10 항에 있어서, 상기 SAW 듀플렉서는 SAW 필터 및 송신 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  18. 상기 제1 내지 제3통신 시스템의 상기 프런트-엔드부를 정의하기 위해 배열된 청구항 1항에 따른 고주파모듈;
    상기 제1 내지 제3통신 시스템의 수신부; 및
    상기 제1 내지 제3통신 시스템의 송신부를 포함하는 이동 통신 장치.
  19. 상기 제1 내지 제3통신 시스템의 상기 프런트-엔드부를 정의하기 위해 배열된 청구항 10항에 따른 고주파 모듈;
    상기 제1 내지 제3통신 시스템의 수신부; 및
    상기 제1 내지 제3통신 시스템의 송신부를 포함하는 이동 통신 장치.
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