FI121867B - Suurtaajuusmoduuli ja sitä käyttävä matkaviestinlaite - Google Patents

Suurtaajuusmoduuli ja sitä käyttävä matkaviestinlaite Download PDF

Info

Publication number
FI121867B
FI121867B FI20011371A FI20011371A FI121867B FI 121867 B FI121867 B FI 121867B FI 20011371 A FI20011371 A FI 20011371A FI 20011371 A FI20011371 A FI 20011371A FI 121867 B FI121867 B FI 121867B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
high frequency
frequency module
communication system
saw
duplexer
Prior art date
Application number
FI20011371A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20011371A0 (fi
FI20011371A (fi
Inventor
Norio Nakajima
Koji Furutani
Tetsuro Harada
Yoshiki Takada
Akihiro Ochii
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Publication of FI20011371A0 publication Critical patent/FI20011371A0/fi
Publication of FI20011371A publication Critical patent/FI20011371A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI121867B publication Critical patent/FI121867B/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/403—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency
    • H04B1/406—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency with more than one transmission mode, e.g. analog and digital modes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W88/00—Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
    • H04W88/02—Terminal devices
    • H04W88/06—Terminal devices adapted for operation in multiple networks or having at least two operational modes, e.g. multi-mode terminals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Description

Suurtaajuusmoduuli ja sitä käyttävä matkaviestinlaite. - Högfrekvensmodul och denna utnyttjande mobilutrustning.
Esillä oleva keksintö kohdistuu suurtaajuusmoduuleihin ja matkaviestinlaittei-5 siin, jotka sisältävät suurtaajuusmoduuleita, ja täsmällisemmin suurtaajuus-moduuliin, joka voi olla yhteinen kolmelle eri tietoliikennejärjestelmälle, ja matkaviestinlaitteeseen, joka sisältää tällaisen suurtaajuusmoduulin.
Aikaisemmin on esitetty ehdotuksena kolmitaajuusmatkapuhelin, joka voi 10 toimia useilla taajuusalueilla, kuten järjestelmien DCS (Digital Cellular System), joka käyttää 1,8 GHz aluetta, PCS (Personal Communication Service), joka käyttää 1,9 GHz aluetta, ja GSM (Global System for Mobile Communications), joka käyttää 900 MHz aluetta, taajuusalueiden matkaviestinlaitteena.
15 Kuvio 12 on yleisen kolmitaajuusmatkapuhelimen etupään lohkokaavio. Kuviossa 12 on esitetty tapaus, jossa ensimmäisenä, toisena ja kolmantena tietoliikennejärjestelmänä, joilla on erilaiset taajuudet, on DCS, joka käyttää 1,8 GHz taajuutta, PCS, joka käyttää 1,9 GHz taajuutta, ja GSM, joka käyttää 900 MHz taajuutta.
20
Kolmitaajuusmatkapuhelimen etupää sisältää antennin 1, diplekserin 2, ensimmäisen, toisen ja kolmannen suurtaajuuskytkimen 3a - 3c, ensimmäisen ja toisen LC-suotimen 4a ja 4b ja ensimmäisen, toisen ja kolmannen SAW-o suotimen 5a - 5c. Diplekseri 2 kytkee jonkin järjestelmistä DCS, PCS tai GSM
25 lähettämän lähetyssignaalin antenniin 1 lähetyksen aikana ja jakelee anten- v niitä 1 tulevan vastaanotetun signaalin jollekin järjestelmistä DCS, PCS ja m o GSM vastaanoton aikana. Ensimmäinen suurtaajuuskytkin 3a suorittaa DCS-
X
£ ja PCS-lähetysosan ja DCS- ja PCS-vastaanotto-osan välisen vaihtokytken- £ nän. Toinen suurtaajuuskytkin 3b suorittaa DCS-vastaanotto-osan Rxd ja co 30 PCS-vastaanotto-osan Rxp välisen vaihtokytkennän. Kolmas suurtaajuuskyt- o oj kin 3c suorittaa GSM-lähetysosan Txg ja GSM-vastaanotto-osan Rxg välisen vaihtokytkennän. Ensimmäinen LC-suodin 4a päästää läpi DCS-ja PCS- 2 lähetyssignaalit ja vaimentaa näiden lähetyssignaalien harmoniset. Ensimmäinen SAW-suodin 5a päästää läpi DCS-vastaanottosignaalin ja vaimentaa tämän vastaanottosignaalin harmoniset. Toinen SAW-suodin 5b päästää läpi PCS-vastaanottosignaalin ja vaimentaa tämän vastaanottosignaalin harmoni-5 set. Kolmas SAW-suodin 5c päästää läpi GSM-vastaanottosignaalin ja vaimentaa tämän vastaanottosignaalin harmoniset.
Tämän kolmitaajuusmatkapuhelimen toimintaa selitetään aluksi DCS:n osalta. Lähetyksessä ensimmäinen suurtaajuuskytkin 3a kytkee toimintaan lähe-10 tysosan Txdp puolen lähetyssignaalin, jonka lähetysosa Txdp on lähettänyt ja joka on kulkenut ensimmäisen LC-suotimen 4a kautta, lähettämiseksi diplek-serille 2, joka diplekseri 2 kytkee signaalin edelleen, jonka jälkeen signaali lähetetään antennilta 1. Vastaanotossa diplekseri 2 johtaa eteenpäin antennin 1 vastaanottaman vastaanottosignaalin, joka antennilta 1 tuleva vastaan-15 ottosignaali johdetaan DCS- ja PCS-puolella olevalle ensimmäiselle kytkimelle 3a, joka ensimmäinen suurtaajuuskytkin 3a kytkee toimintaa vastaanotto-osan puolen signaalin johtamiseksi toiselle suurtaajuuskytkimelle 3b ja toinen suurtaajuuskytkin 3b kytkee toimintaan DCS-vastaanotto-osan Rxd puolen signaalin johtamiseksi DCS-vastaanotto-osalle Rxd ensimmäisen SAW-20 suotimen 5a kautta. Vastaava toimitus suoritetaan myös PCS-järjestelmän lähetyksessä ja vastaanotossa.
Seuraavaksi selitetään tapausta, jossa käytössä on GSM. Lähetyksessä kol-o mas suurtaajuuskytkin 3c kytkee toimintaan lähetysosan Txg puolen lähetystä 25 signaalin, jonka lähetysosa Txg on lähettänyt ja joka on kulkenut toisen LC- V suotimen 4b kautta, lähettämiseksi diplekserille 2, joka diplekseri 2 kytkee
LO
o signaalin edelleen, ja signaali lähetetään antennilta 1. Vastaanotossa diplek- | seri 2 jakelee antennin 1 vastaanottaman vastaanottosignaalin, jolloin anten- £ niitä 1 tuleva vastaanottosignaali johdetaan kolmannelle suurtaajuuskytkimel- 00 30 le 3c, joka kolmas suurtaajuuskytkin 3c kytkee toimintaan vastaanotto-osan o ^ Rxg puolen signaalin johtamiseksi GSM-vastaanotto-osalle Rxg kolmannen SAW-suotimen 5c kautta.
3
Koska tavanomaisten matkaviestinlaitteiden mukaisessa kolmitaajuusmatka-puhelimessa käytetään kolmea suurtaajuuskytkintä, siinä tarvitaan ainakin kuusi suurtaajuuskytkimen muodostavaa diodia. Tämän seurauksena kolmi-taajuusmatkapuhelin kuluttaa erittäin paljon tehoa ja kolmitaajuusmatkapu-5 helimeen asennettu akku toimii vain lyhyen ajan. Lisäksi diodien toimintaa ohjataan monissa toimintamuodoissa, johon tarvitaan monimutkainen piiri.
Edellä esitettyjen ongelmien välttämiseksi esillä olevan keksinnön edulliset suoritusmuodot esittävät suurtaajuusmoduulin, joka kuluttaa vähän tehoa ja 10 jonka piirit vaativat vähän tilaa, ja tällaisen suurtaajuusmoduulin sisältävän matkaviestinlaitteen.
Esillä olevan keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaan suurtaajuusmo-duuliin sisältyy ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän, 15 joilla on erilaiset taajuudet, integroidut etupääosat, joka suurtaajuusmoduuli sisältää diplekserin, joka on järjestetty kytkemään joltakin joko ensimmäiseltä, toiselta tai kolmannelta tietoliikennejärjestelmältä lähetetyn lähetyssig-naalin antennille lähetyksen aikana ja jakelemaan antennin antaman vastaa nottosignaal in jollekin joko ensimmäiselle, toiselle tai kolmannelle tietolii-20 kennejärjestelmälle vastaanoton aikana, ensimmäisen suurtaajuuskytkimen, joka on järjestetty erottamaan ensimmäisen ja toisen tietoliikennejärjestelmän lähetysosat ja ensimmäisen ja toisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osat, SAW-duplekserin, joka on järjestetty erottamaan ensimmäisen tie-o toliikennejärjestelmän vastaanotto-osan ja toisen tietoliikennejärjestelmän ° 25 vastaanotto-osan, ja toisen suurtaajuuskytkimen, joka on järjestetty erotta- v maan kolmannen tietoliikennejärjestelmän lähetysosan ja vastaanotto-osan.
LO
o | Suurtaajuusmoduuli voi sisältää lisäksi ainakin yhden joukosta, johon kuuluja vat ensimmäinen suodin, joka on järjestetty päästämään läpi ensimmäiseltä
CO
30 ja toiselta tietoliikennejärjestelmältä lähetetyn lähetyssignaalin, toinen suo-o ^ din, joka on järjestetty päästämään läpi kolmannelta tietoliikennejärjestel- 4 mältä lähetetyn lähetyssignaalin, ja kolmas suodin, joka on järjestetty päästämään läpi kolmannen tietoliikennejärjestelmän vastaanottosignaalin.
Suurtaajuusmoduulissa SAW-duplekseri voi sisältää SAW-suotimen ja siihen 5 kytketyn vaiheensiirtokomponentin.
Esillä olevan keksinnön toisen edullisen suoritusmuodon mukaan suurtaa-juusmoduuliin sisältyy ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän, joilla on erilaiset taajuudet, etupääosat, jotka etupääosat sisältävät 10 diplekserin, joka on järjestetty kytkemään joltakin joko ensimmäiseltä, toiselta tai kolmannelta tietoliikennejärjestelmältä lähetetyn lähetyssignaalin antennille lähetyksen aikana ja jakelemaan antennin antaman vastaanottosignaalin jollekin joko ensimmäiselle, toiselle tai kolmannelle tietoliikennejärjestelmälle vastaanoton aikana, ensimmäisen suurtaajuuskytkimen, joka on jär-15 jestetty erottamaan ensimmäisen ja toisen tietoliikennejärjestelmän lähe-tysosan ja ensimmäisen ja toisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osat, SAW-duplekserin, joka on järjestetty erottamaan ensimmäisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osan ja toisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osan, ja toisen suurtaajuuskytkimen, joka on järjestetty erottamaan kol-20 mannen tietoliikennejärjestelmän lähetysosan ja vastaanotto-osan, jolloin diplekseri, ensimmäinen ja toinen suurtaajuuskytkin ja SAW-duplekseri on integroitu kerrostettuun elimeen, joka sisältää joukon kerrostettuja levyker-roksia.
o c3 25 Suurtaajuusmoduuli voi olla konstruoitu siten, että kaikki diplekserin elemen- v tit ja osa ensimmäisen ja toisen suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin ele-
LO
o menteistä on sisäänrakennettu kerrostettuun elimeen ja ensimmäisen ja toi- | sen suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin muut elementit on asennettu r- kerrostetulle elimelle.
co - 30 o ^ Koska esillä olevan keksinnön erilaiset edulliset suoritusmuodot sisältävät diplekserin, ensimmäisen ja toisen suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin 5 ja SAW-duplekseri erottaa ensimmäisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osan ja toisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osan, suurtaajuuskyt-kimien lukumäärä on pienempi. Tämän seurauksena käytettyjen diodien lukumäärä on pienempi ja suurtaajuusmoduulien tehonkulutus on paljon pie-5 nempi. Tämä merkitsee sitä että tuloksena saadaan vähän tehoa kuluttava suurtaajuusmoduuli. Lisäksi signaalin vastaanottotoiminnan aikana ei tarvita virtaa.
Koska diplekseri, ensimmäinen ja toinen suurtaajuuskytkin ja SAW-10 duplekseri, jotka muodostavat suurtaajuusmoduulin, on integroitu kerrostettuun elimeen, joka on tehty kerrostamalla joukko levykerroksia, jotka on edullisesti muodostettu keraamista, kullekin komponentille voidaan saada sovitusominaisuudet, vaimennusominaisuudet tai erotusominaisuudet. Tämän vuoksi diplekserin ja ensimmäisen ja toisen suurtaajuuskytkimen välillä tai 15 ensimmäisen suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin välillä ei tarvita sovi-tuspiiriä. Tämän seurauksena suurtaajuusmoduulista tulee paljon pienikokoisempi kuin tavanomaisista laitteista.
Diplekseri sisältää edullisesti induktoreita ja kondensaattoreita. Ensimmäinen 20 ja toinen suurtaajuuskytkin sisältävät edullisesti diodeja, induktoreita ja kondensaattoreita. SAW-duplekseri sisältää edullisesti SAW-suotimia ja siirtolinjo-ja. Ensimmäinen ja toinen LC-suodin sisältävät edullisesti induktoreita ja kondensaattoreita. Nämä elementit on sisäänrakennettu kerrostettuun elimeen o tai asennettu sille ja ne on yhdistetty kerrostetun elimen sisään sijoitetuilla ^ 25 kytkennöillä. Suurtaajuusmoduuli muodostuu siten yhdestä kerrostetusta v elimestä ja se on erittäin pienikokoinen. Lisäksi komponenttien kytkentäjoh-
LO
o timien aiheuttamat häviöt ja tämän seurauksena koko suurtaajuusmoduulin | häviöt pienenevät huomattavasti.
co 30 Koska aallonpituuden pienenemisilmiö pienentää kerrostettuun elimeen si-δ ^ säänrakennettujen induktoreiden ja siirtolinjojen pituuksia, näiden induktorei- 6 den ja siirtolinjojen väliinkytkentähäviöt pienenevät huomattavasti. Siten saadaan pienikokoinen ja pienihäviöinen suurtaajuusmoduuli.
Esillä olevan keksinnön erään toisen edullisen suoritusmuodon mukaan mat-5 kaviestinlaite sisältää jonkin edellä esitetyn edullisen suoritusmuodon mukaisen suurtaajuusmoduulin, joka suurtaajuusmoduuli muodostaa ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän etupääosat, ensimmäisen, toisen, ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osat ja ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän lähetysosat.
10
Koska esillä olevan keksinnön edullisen suoritusmuodon matkaviestinlaitteen mukaan saadaan suurtaajuusmoduulin muodostama etupääosa, joka mahdollistaa tehonkulutuksen pienentämisen, myös itse matkaviestinlaitteen tehonkulutusta voidaan pienentää.
15
Koska esillä olevan keksinnön eri edullisten suoritusmuotojen mukaan käytetty suurtaajuusmoduuli voi pienentää tehonkulutusta eikä se vaadi virtaa vastaanoton aikana, tällaisen suurtaajuusmoduulin sisältävän matkaviestinlaitteen tehonkulutus voi olla pieni eikä se vaadi virtaa puhelua odottaessaan.
20 Tämän seurauksena matkaviestinlaitteeseen asennettu akku toimii kauemmin kuin tunnetuissa laitteissa.
Lisäksi pienikokoisen ja pienihäviöisen suurtaajuusmoduulin käyttäminen te-o kee tällaisen suurtaajuusmoduulin sisältävästä matkaviestinlaitteesta pieni- ^ 25 kokoisen ja erittäin suorituskykyisen.
o Esillä olevan keksinnön muut piirteet, elementit, ominaisuudet ja edut selviä- £ vät seuraavasta esillä olevan keksinnön edullisten suoritusmuotojen yksityisin kohtaisesta selityksestä ja oheisista piirustuksista.
CO
^ 30 o o
(M
7
Piirustuksissa:
Kuvio 1 on esillä olevan keksinnön erään edullisen suoritusmuodon mukaisen suurtaajuusmoduulin lohkokaavio, 5
Kuvio 2 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan diplek-serin piirikaavio,
Kuvio 3 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan ensim- 10 mäisen suurtaajuuskytkimen piirikaavio,
Kuvio 4 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan toisen suurtaajuuskytkimen piirikaavio, 15 Kuvio 5 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan SAW- duplekserin piirikaavio,
Kuvio 6 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan ensimmäisen LC-suotimen piirikaavio, 20
Kuvio 7 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan toisen LC-suotimen piirikaavio, o Kuvio 8 on osiin hajotettu perspektiivinen kuvanto kuviossa 1 esitetyn ^ 25 suurtaajuusmoduulin pääosasta, o Kuviot 9(a) - 9(h) ovat päällyskuvantoja kuviossa 1 esitetyn suurtaajuus- | moduulin kerrostettuun elimeen kuuluvista ensimmäisestä - kahdeksannesta dielektrisestä kerroksesta,
CO
30 o ^ Kuvio 10(a) - 10(e) ovat päällyskuvantoja kuviossa 8 esitetyn suurtaajuusmo duulin kerrostettuun elimeen kuuluvista 9. - 13. dielektrisestä 8 kerroksesta ja kuvio 10 (f) on pohjakuvanto kuviossa 8 esitetyn suurtaajuusmoduulin kerrostettuun elimeen kuuluvasta 13. di-elektrisestä kerroksesta, 5 Kuvio 11 on lohkokaavio, joka esittää matkaviestinlaitteen rakenteen sitä osaa, jossa on käytetty kuviossa 1 esitettyä suurtaajuusmoduu-lia,
Kuvio 12 on lohkokaavio, joka esittää yleisen kolmitaajuusmatkapuhelimen 10 (matkaviestinlaitteen) etupääosan rakennetta.
Seuraavassa selitetään esillä olevan keksinnön edullisia suoritusmuotoja piirustuksiin viitaten.
15 Kuvio 1 on esillä olevan keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisen suurtaajuusmoduulin 10 lohkokaavio. Suurtaajuusmoduuli 10 sisältää edullisesti diplekserin 11, ensimmäisen ja toisen suurtaajuuskytkimen 12 ja 13, SAW-duplekserin 14, ensimmäisen ja toisen LC-suotimen 15 ja 16, jotka muodostavat ensimmäisen ja toisen suotimen, ja SAW-suotimen 17, joka muodostaa 20 kolmannen suotimen, ja tämä suurtaajuusmoduuli toimii ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän, jotka ovat edullisesti DCS (1,8 GHz alueella), PCS (1,9 GHz alueella) ja GSM (900 MHz alueella), etupääosana.
o Diplekserin 11 ensimmäinen portti PII on kytketty antenniin ANT, toinen c3 25 portti P12 on kytketty ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 ensimmäiseen v porttiin P21 ja kolmas portti P13 on kytketty toisen suurtaajuuskytkimen 13
LO
0 ensimmäiseen porttiin P31.
CC
CL
Ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 toinen portti P22 on kytketty ensim- 00 30 mäisen LC-suotimen 15 ensimmäiseen porttiin P51 ja kolmas portti P23 on δ ^ kytketty SAW-duplekserin 14 ensimmäiseen porttiin P41.
9
Ensimmäisen LC-suotimen 15 toinen portti P52 on kytketty DCS- ja PCS-jär-jestelmien yhteiseen lähetysosaan Txdp ja SAW-duplekserin 14 toinen ja kolmas portti P42 ja P43 on kytketty DCS-järjestelmän vastaanotto-osaan Rxd ja vastaavasti PCS-järjestelmän vastaanotto-osaan Rxp.
5
Toisen suurtaajuuskytkimen 13 toinen portti P32 on kytketty toisen LC-suoti-men ensimmäiseen porttiin P61 ja kolmas portti P33 on kytketty SAW-suoti-men 17 ensimmäiseen porttiin P71.
10 Toisen LC-suotimen 16 toinen portti P62 on kytketty GSM-järjestelmän lähetysosaan Txg ja SAW-suotimen 17 toinen portti P72 on kytketty GSM-järjestelmän vastaanotto-osaan Rxg.
Kuvio 2 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan diplekserin 15 11 lohkokaavio. Diplekserissä 11 on ensimmäinen, toinen, ja kolmas portti PII - P13, induktorit LII ja L12 ja kondensaattorit Cll - C15.
Ensimmäisen portin PII ja toisen portin P12 väliin on kytketty kondensaattorit Cll ja C12 sarjassa. Niiden yhteinen piste on maadoitettu induktorin LII 20 ja kondensaattorin C13 kautta.
Ensimmäisen portin PII ja kolmannen portin P13 väliin on kytketty rinnak-kaispiiri, joka sisältää ensimmäisen induktorin L12 ja ensimmäisen konden-o saattorin C14. Rinnakkaispiirin kolmannen portin P13 puoleinen pää on maa- ^ 25 doitettu ensimmäisen kondensaattorin C15 kautta.
o Toisin sanoen ensimmäisen portin PII ja toisen portin P12 välille muodostuu | ylipäästösuodin, joka läpäisee DCE-järjestelmän (1,8 GHz alueen) ja PCS- järjestelmän (1.9 GHz alueen) lähetys- ja vastaanottosignaalit. Ensimmäisen
CO
^ 30 portin PII ja kolmannen portin P13 väliin muodostuu alipäästösuodin, joka δ ^ päästää läpi GSM-järjestelmän (900 MHz alueen) lähetys- ja vastaanottosig naalit.
10
Kuvio 3 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan ensimmäisen suurtaajuuskytkimen piirikaavio. Ensimmäisessä suurtaajuuskytkimessä 12 on ensimmäinen, toinen ja kolmas portti P21 - P23, ohjausnapa Vei, diodit Dll ja D12, induktorit L21 - L23, kondensaattorit C21 ja C22 ja vastus 5 Rl.
Ensimmäisen portin P21 ja toisen portin P22 väliin on kytketty diodi Dll siten, että sen anodi on ensimmäisen portin P21 puolella. Lisäksi diodin 11 kanssa rinnan on kytketty sarjapiiri, joka sisältää induktorin L21 ja konden-10 saattorin C21. Diodin Dll toisen portin P22 puoleinen pää eli sen katodi on maadoitettu induktorin L22 kautta, joka muodostaa kuristinkelan.
Ensimmäisen portin P21 ja kolmannen portin P23 väliin on kytketty induktori L23. Induktorin L23 kolmannen portin P23 puoleinen pää on maadoitettu dio-15 din D12 ja kondensaattorin C22 kautta. Diodin D12 anodin ja kondensaattorin C22 yhteinen piste on kytketty ohjausnapaan Vei vastuksen Rl kautta.
Kuvio 4 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan toisen suurtaajuuskytkimen 13 piirikaavio. Toisessa suurtaajuuskytkimessä 13 on ensim-20 mäinen, toinen ja kolmas portti P31 - P33, ohjausnapa Vc2, diodit D21 ja D22, induktorit L31 ja L32, kondensaattori C31 ja vastus R2.
Ensimmäisen portin P31 ja toisen portin P32 väliin on kytketty diodi D21 si-o ten, että sen anodi on ensimmäisen portin P31 puolella. Diodin D21 toisen ^ 25 portin P32 puoleinen pää eli sen katodi on maadoitettu induktorin L31 kautta, v joka muodostaa kuristinkelan.
tn o | Ensimmäisen portin P31 ja kolmannen portin P33 väliin on kytketty induktori L32. Induktorin L32 kolmannen portin P33 puoleinen pää on maadoitettu dio- 00 30 din D22 ja kondensaattorin C31 kautta. Diodin D22 anodin ja kondensaatto- o ^ rin C31 yhteinen piste kytketty ohjausnapaan Vc2 vastuksen R2 kautta.
11
Kuvio 5 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan SAW-duplekserin 14 piirikaavio. SAW-duplekserissa 14 on ensimmäinen, toinen ja kolmas portti P41- P43, SAW-suotimet SAW1 ja SAW2, induktorit L41 ja L42 ja kondensaattorit C41 - C44. Ensimmäisen portin P41 ja toisen portin P42 5 väliin on kytketty sarjassa kondensaattori C41, SAW-suodin SAW1 ja vai-heensiirtoyksikkö 141. Ensimmäisen portin P41 ja kolmannen portin P43 väliin on kytketty sarjassa kondensaattori C41, SAW-suodin SAW2 ja vaiheen-siirtoyksikkö 142.
10 Vaiheensiirtoyksikkö 141 sisältää induktorin L41 ja kondensaattorit C42 ja C43. Induktorin L41 molemmat päät on kytketty maahan kondensaattorien C42 ja C43 kautta. Vaiheensiirtoyksikkö 142 sisältää induktorin L42 ja kondensaattorin C44. Induktorin L42 SAW-suotimen SAW2 puoleinen pää on kytketty maahan kondensaattorin C44 kautta.
15
Vaiheensiirtoyksikössä 141 induktorin L41 induktanssi ja kondensaattorien C42 ja C43 kapasitanssit on määrätty siten, että SAW-suotimen SAW1 tu-loimpedanssi on avoin toiseen porttiin P42 yhdistetyn DCS-järjestelmän taajuusalueella (18,8 GHz alueella). Samalla tavalla vaiheensiirtoyksikössä 142 20 induktorin L42 ja kondensaattorien C44 kapasitanssi on määrätty siten, että SAW-suotimen SAW2 tuloimpedanssi on avoin kolmanteen porttiin P43 kytketyn PCS-järjestelmän taajuusalueella (1,9 GHz alueella).
o Kuvio 6 on kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan ensimmäi- ^ 25 sen LC-suotimen 15 piirikaavio. Ensimmäisessä LC-suotimessa 15 on ensim- v mäinen ja toinen portti P51 ja P52, induktorit L51 ja L52 ja kondensaattorit o C51 - C53.
X
tr
CL
Ensimmäisen portin P51 ja toisen portin P52 väliin on kytketty sarjassa rin- 00 30 nakkaispiiri, jonka muodostavat induktori L51 ja kondensaattori C51, ja rin-δ ^ nakkaispiiri, jonka muodostavat induktori L52 ja kondensaattori C52, ja näi- 12 den rinnakkaispiirien yhteinen piste on maadoitettu kondensaattorin C53 kautta.
Kuvio 7 kuviossa 1 esitettyyn suurtaajuusmoduuliin kuuluvan toisen LC-suoti-5 men 16 piirikaavio. Toisessa LC-suotimessa 16 on ensimmäinen ja toinen portti P61 ja P62, induktori L61 ja kondensaattorit C61 - C63.
Ensimmäisen portin P61 ja toisen portin P62 väliin on kytketty sarjaan rin-nakkaispiiri, jonka muodostavat induktori L61 ja kondensaattori C61, ja rin-10 nakkaispiirin molemmat päät on maadoitettu kondensaattorien C62 ja C63 kautta.
Kuvio 8 on kuviossa 1 esitetyn piirirakenteen sisältävän suurtaajuusmoduulin 10 pääosan osiin hajoitettu perspektiivinen kuvanto. Suurtaajuusmoduuli 10 15 sisältää kerrostetun elimen 18. Kerrostettu elin 18 sisältää sisällään, vaikka tätä ei ole esitetty, diplekserin 11 induktorit LII ja L12 ja kondensaattorit Cll - C15, ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 induktorit L21 ja L23 ja kondensaattorin C22, toisen suurtaajuuskytkimen 13 induktorin 32 ja kondensaattorin C31, SAW-duplekserin 14 induktorit L41 ja L42 ja kondensaatto-20 rit C42 - C44, ensimmäisen LC-suotimen 15 induktorit L51 ja L52 ja kondensaattorit C51 - C53 ja toisen LC-suotimen 16 induktorin L61 ja kondensaattorit C61 - C63.
o Seuraavat elementit on edullisesti asennettu kerrostetun elimen 18 etupin- c3 25 nalle: ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 diodit Dll ja D12, induktori (ku- v ristinkela) L22, kondensaattori C21 ja vastus Rl, toisen suurtaajuuskytkimen o 13 diodit D21 ja D22, induktori (kuristinkela) L31 ja vastus R2, SAW- | duplekserin 14 SAW-suotimet SAW1 ja SAW2 ja kondensaattori C41 ja SAW- suodin 17.
CO
30 o ^ Kerrostetun elimen 18 sivupinnoilta ulottuu pohjapinnalle 18 ulkoista napaa
Ta - Tr. Ulkoiset navat on edullisesti muodostettu seripainotekniikalla tai 13 muulla sopivalla menetelmällä. Ulkoiset navat Ta ja Tb muodostavat SAW-duplekserin 14 toisen portin P42. Ulkoinen napa Te muodostaa ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 ohjausnavan Vei. Ulkoinen napa Td muodostaa toisen LC-suotimen 16 toisen portin P62. Ulkoinen napa Tf muodostaa ensim-5 mäisen LC-suotimen 15 toisen portin P52. Ulkoinen napa Tg muodostaa toisen suurtaajuuskytkimen 13 ohjausnavan Vc2. Ulkoinen napa Ti muodostaa diplekserin 11 ensimmäisen portin PII. Ulkoiset navat Tk ja Tl muodostavat SAW-suotimen 17 toisen portin P72. Ulkoiset navat Tn ja To muodostavat SAW-duplekserin 14 kolmannen portin P43. Ulkoiset navat Te, Th, Tj, Tm, 10 Tp, Tq ja Tr ovat maanapoja.
Kerrostetun elimen 18 päälle on asetettu metallikansi 20 kerrostetun elimen 18 etupinnan peittämiseksi. Metallikannen 20 ulokkeet 201 ja 202 on liitetty kerrostetun elimen 18 ulkoisiin napoihin Th ja Tq.
15
Kuviot 9(a) - 9(h) ja kuviot 10(a) - 10(f) ovat kuviossa 8 esitetyn suurtaa-juusmoduulin dielektristen kerrosten päällyskuvantoja ja kuvio 10(g) on kuviossa 10(f) esitetyn dielektrisen kerroksen pohjakuvanto. Kerrostettu elin 18 on edullisesti muodostettu kerrostamalla peräkkäin 1. - 14. dielektrinen ker-20 ros 18a - 18n, jotka on edullisesti tehty keraamista, jossa on pääaineosina bariumoksidia, alumiinioksidia ja piitä, ylhäältä alkaen, lämpökäsittelemällä noin 1000"C tai suuremmassa lämpötilassa ja kääntämällä se ylösalaisin. Toisin sanoen 14. dielektrinen kerros 18n muodostaa kerrostetun elimen 18 o yläkerroksen ja ensimmäinen dielektrinen kerros 18a muodostaa kerrostetun ° 25 elimen 18 pohjakerroksen.
LO
o Ulkoiset navat Ta - Tr ovat ensimmäisen dielektrisen kerroksen 18a yläpin- £ nalla. Toisen, neljännen ja 13. dielektrisen kerroksen 18b, 18d ja 18m ylä- ^ pinnoilla on maaelektrodit Gpl - Gp3. Kolmannen -kuudennen ja 10. - 12.
CO
30 dielektrisen kerroksen 18c - 18f ja 18j - 181 yläpinnoilla on kondensaatto-o ^ rielektrodit Cpl - Cpl9.
14
Lisäksi 7. - 9. dielektrisen kerroksen 18g - 18i yläpinnoilla on liuskajohtoelekt-rodit ST1 - ST26. Neljännentoista dielektrisen kerroksen 18n yläpinnalla on johdotus Li.
5 Lisäksi 14. dielektrisen kerroksen alapinnalla (18nu kuviossa 10(g)) on joh-dinalueet La diodien Dll, D12, D21 ja D22, induktorien L22 ja L31, kondensaattorien C22 ja C41, vastusten Rl ja R2 ja SAW-suotimien SAW1, SAW2 ja 17 asentamiseksi kerrostetun elimen 18 etupinnalle. Ennalta määrättyihin paikkoihin 3. - 14. dielektrisessä kerroksessa 18c - 18n on muodostettu läpi-10 menevät reikäelektrodit Vh.
Tässä rakenteessa diplekserin 11 induktori LII (kts. kuvio 2) sisältää liuska-johtoelektrodit ST4, ST13 ja ST22 ja induktori L12 (kts. kuvio 2) sisältää lius-kajohtoelektrodit ST2, ST11 ja ST21. Kondensaattori Cll (kts. kuvio 2) sisäl-15 tää edullisesti kondensaattorielektrodit Cpl6, Cpl7 ja Cpl9. Kondensaattori C12 (kts. kuvio 2) sisältää edullisesti kondensaattorielektrodit Cpl6, Cpl8 ja Cpl9. Kondensaattori C13 (kts. kuvio 2) sisältää edullisesti kondensaatto-rielektrodin Cp4 ja maaelektrodit Gpl ja Gp2. Kondensaattori C14 (kts. kuvio 2) sisältää edullisesti kondensaattorielektrodit Cp7, Cp8 ja Cpl2. Kondensaat-20 tori C15 (kts. kuvio 2) sisältää edullisesti kondensaattorielektrodit Cp7 ja Cpl2 ja maaelektrodit Gpl ja Gp2.
Ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 induktori L21 (kts. kuvio 3) sisältää o liuskajohtoelektrodit ST7, ST17 ja ST25 ja induktori L23 (kts. kuvio 2) sisälsi 25 tää liuskajohtoelektrodit ST3 ja ST12. Kondensaattori C22 (kts. kuvio 3) sisäl- v tää kondensaattorielektrodin Cp5 ja maaelektrodit Gpl ja Gp2.
tn o E Toisen suurtaajuuskytkimen 13 induktori L32 (kts. kuvio 4) sisältää liuskajoh- £ toelektrodit ST6 ja ST15. Kondensaattori C32 (kts. kuvio 4) sisältää konden- 00 30 saattorielektrodin Cp6 ja maaelektrodit Gpl ja Gp2.
o o
CM
15 SAW-duplekserin 14 induktori L41 (kts. kuvio 5) sisältää liuskajohtoelektrodit ST5, ST14 ja ST23 ja induk'tori L42 (kts. kuvio 5) sisältää liuskajohtoelektrodit ST1, ST10 ja ST20. Kondensaattori C42 (kts. kuvio 5) sisältää konden-saattorielektrodin Cp3 ja maaelektrodit Gpl ja Gp2, kondensaattori C43 (kts. 5 kuvio 5) sisältää kondensaattorielektrodin Cp2 ja maaelektrodit Gpl ja Gp2 ja kondensaattori C44 (kts. kuvio 5) sisältää kondensaattorielektrodin Cpl ja maaelektrodit Gpl ja Gp2.
Ensimmäisen LC-suotimen 15 induktori L51 (kts. kuvio 6) sisältää liuskajoh-10 toelektrodit ST8, ST18 ja ST26 ja induktori L52 (kts. kuvio 6) sisältää liuskajohtoelektrodit ST9 ja ST19. Kondensaattori C51 (kts. kuvio 6) sisältää kon-densaattorielektrodit Cpll ja Cpl4, kondensaattori C52 (kts. kuvio 6) sisältää kondensaattorielektrodit Cpll ja Cpl5 ja kondensaattori C53 (kts. kuvio 6) sisältää kondensaattorielektrodin Cpll ja maaelektrodin Gp2.
15
Toisen LC-suotimen 16 induktori L61 (kts. kuvio 7) sisältää liuskajohtoelektrodit ST16 ja ST24. Kondensaattori C61 (kts. kuvio 7) sisältää kondensaattorielektrodit Cp 10 ja Cp 13, kondensaattori C62 (kts. kuvio 7) sisältää kondensaattorielektrodin Cp9 ja maaelektrodin Gp2 ja kondensaattori C63 (kts. ku-20 vio 7) sisältää kondensaattorielektrodin CplO ja maaelektrodin Gp2.
Seuraavaksi selitetään kuviossa 1 esitetyn piirirakenteen sisältävän suurtaa-juusmoduulin 10 toiminta. Kun DCS (1,8 GHz alueen) tai PCS (1,9 GHz alu-o een) -järjestelmästä lähetetään lähetyssignaali, ensimmäisen suurtaajuuskyt- c3 25 kimen 12 ohjausnapaan Vei syötetään 1 V jännite ensimmäisen suurtaajuus- v kytkimen 12 ensimmäisen portin P21 ja toisen portin P22 yhdistämiseksi
LO
o DCS- tai PCS-järjestelmästä lähetetyn lähetyssignaalin lähettämiseksi anten- | nista ANT ensimmäisen LC-suotimen 15, ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 ja diplekserin 11 kautta.
CO
30 o ^ Tässä tapauksessa ensimmäinen LC-suodin 15 läpäisee DCS- tai PCS-järjes- telmän lähettämän lähetyssignaalin ja vaimentaa lähetyssignaalin harmoni- 16 set. Toisen suurtaajuuskytkimen 13 ohjausnapaan Vc2 syötetään jännite 0 V toisen suurtaajuuskytkimen 13 asettamiseksi estotilaan.
Kun GSM-järjestelmästä (900 MHz alueella) lähetetään lähetyssignaali, toisen 5 suurtaajuuskytkimen 13 ohjausnapaan Vc2 syötetään 1 V jännite toisen suurtaajuuskytkimen 13 ensimmäisen portin P31 ja toisen portin P32 yhdistämiseksi GSM-järjestelmästä lähetetyn lähetyssignaalin lähettämiseksi antennilta ANT toisen LC-suotimen 16, toisen suurtaajuuskytkimen 13 ja diplekserin 11 kautta.
10 Tässä tapauksessa toinen LC-suodin 16 päästää läpi GSM-järjestelmästä lähetetyn lähetyssignaalin ja vaimentaa lähetyssignaalin harmoniset. Ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 ohjausnapaan Vei syötetään 0 V jännite ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 asettamiseksi estotilaan.
15
Kun vastaanotetaan DCS-järjestelmän vastaanottosignaali, ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 ohjausnapaan Vei syötetään 0 V jännite suurtaajuuskytkimen 12 ensimmäisen portin P21 ja kolmannen portin P23 yhdistämiseksi ja DCS-vastaanottosignaali lähetetään duplekserin 14 toisen portin P42 20 puolelle, niin että antennin ANT vastaanottama DCS-vastaanottosignaali johdetaan DCS-vastaanotto-osaan Rxd diplekserin 11, ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 ja SAW-duplekserin 14 kautta.
o Tässä tapauksessa SAW-duplekseri 14 päästää läpi DCS-vastaanottosignaalin ° 25 ja vaimentaa vastaanottosignaalin harmoniset. Toisen suurtaajuuskytkimen v 13 ohjausnapaan Vc2 syötetään 0 V jännite toisen suurtaajuuskytkimen 13 0 asettamiseksi estotilaan.
1 CC Q_ ^ Kun vastaanotetaan PCS-järjestelmän vastaanottosignaali, ensimmäisen
CO
30 suurtaajuuskytkimen 12 ohjausnapaan Vei syötetään 0 V jännite ensimmäi-
S
^ sen suurtaajuuskytkimen 12 ensimmäisen portin P21 ja kolmannen portin P23 yhdistämiseksi ja PCS-vastaanottosignaali johdetaan SAW-duplekserin 14 17 kolmannen portin P43 puolelle, niin että antennin ANT vastaanottama PCS-vastaanottosignaali johdetaan PCS-vastaanotto-osalle Rxp diplekserin 11, ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 ja SAW-duplekserin 14 kautta.
5 Tässä tapauksessa SAW-duplekseri 14 päästää läpi vastaanottosignaalin ja vaimentaa vastaanottosignaalin harmoniset. Toisen suurtaajuuskytkimen 13 ohjausnapaan Vc2 syötetään 0 V jännite toisen suurtaajuuskytkimen 13 asettamiseksi estotilaan.
10 Kun vastaanotetaan GSM-järjestelmän vastaanottosignaali, toisen suurtaajuuskytkimen 13 ohjausnapaan Vc2 syötetään 0 V jännite toisen suurtaajuuskytkimen 13 ensimmäisen portin P31 ja kolmannen portin P33 yhdistämiseksi antennin ANT vastaanottaman GSM-vastaanottosignaalin johtamiseksi GSM-vastaanotto-osalle Rxg diplekserin 11, toisen suurtaajuuskytkimen 13 ja 15 SAW-suotimen 17 kautta.
Tässä tapauksessa SAW-suodin 17 päästää läpi GSM-vastaanottosignaalin ja vaimentaa vastaanottosignaalin harmoniset. Ensimmäisen suurtaajuuskytkimen 12 ohjausnapaan Vei syötetään 0 V jännite ensimmäisen suurtaajuus-20 kytkimen 12 asettamiseksi estotilaan.
Koska edellä selitetyn edullisen suoritusmuodon suurtaajuusmoduulissa on diplekseri, ensimmäinen ja toinen suurtaajuuskytkin ja SAW-duplekseri ja o siinä SAW-duplekseri erottaa ensimmäisen tietoliikennejärjestelmän vastaan- 25 otto-osan ja toisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osan, suurtaajuus-v kytkimien lukumäärä on pienempi. Tästä seuraa että käytettyjen diodien lu- o kumäärä on pienempi ja suurtaajuusmoduulien tehonkulutus pienenee huo- | mattavasti. Signaalin vastaanottotoimituksen aikana ei myöskään tarvita vir- - taa.
CO
- 30 o ^ Koska suurtaajuusmoduuliin kuuluvat diplekseri, ensimmäinen ja toinen suur taajuuskytkin SAW-duplekseri on integroitu kerrostettuun elimeen, joka on 18 saatu kerrostamalla joukko keraamisesta aineesta muodostettuja levykerrok-sia, kullekin komponentille voidaan saada sovitusominaisuudet, vaimennus-ominaisuudet tai erotusominaisuudet. Tämän vuoksi diplekserin ja ensimmäisen ja toisen suurtaajuuskytkimen välillä tai ensimmäisen suurtaajuuskyt-5 kimen ja SAW-duplekserin välillä ei tarvita sovituspiiriä. Tämän seurauksena suurtaajuusmoduuli saadaan erittäin pienikokoiseksi. Esillä olevan keksinnön eräässä edullisessa suoritusesimerkissä tuloksena olevan kerrostetun elimen mitat olivat likimain 7,0 mm kertaa 5,0 mm kertaa 1,8 mm ja kerrostettu elin sisälsi duplekserin, ensimmäisen ja toisen suurtaajuuskytkimen, SAW-duplek-10 serin, ensimmäisen ja toisen LC-suotimen ja SAW-suotimen.
Diplekseri sisältää edullisesti induktoreita ja kondensaattoreita. Ensimmäinen ja toinen suurtaajuuskytkin sisältävät edullisesti diodeja, induktoreita ja kondensaattoreita. SAW-duplekseri sisältää edullisesti SAW-suotimia ja siirtolinjo-15 ja. Ensimmäinen ja toinen LC-suodin sisältävät edullisesti induktoreita ja kondensaattoreita. Kaikki nämä elementit on edullisesti sisäänrakennettu kerrostettuun elimeen tai asennettu sille ja ne yhdistetty toisiinsa edullisesti kerrostetun elimen sisällä olevilla kytkentäelimillä. Suurtaajuusmoduuli muodostuu siten yhdestä ainoasta kerrostetusta elimestä ja on erittäin pienikokoinen.
20 Lisäksi komponenttien kytkentäjohdotuksien aiheuttamat häviöt ovat paljon pienempiä, jonka seurauksena koko suurtaajuusmoduulin häviöt ovat paljon pienempiä.
o Koska aallonpituuden pienenemisilmiö pienentää kerrostettuun elimeen si- ^ 25 säänrakennettujen induktorien ja siirtolinjojen pituuksia, näiden induktorien v ja siirtolinjojen väliinkytkentävaimennukset ovat paljon pienempiä. Siten voi-
LO
° daan valmistaa pienikokoinen ja pienihäviöinen suurtaajuusmoduuli ja myös
X
£ viestin, johon suurtaajuusmoduuli on asennettu, voidaan saada pienikokoi- seksi ja suoritusominaisuuksiltaan hyväksi.
CO
- 30 o ^ Kuvio 11 on lohkokaavio, joka esittää matkaviestinlaitteena olevan kolmitaa- juusmatkapuhelimen rakenteen osaa. Tähän puhelimeen on yhdistetty edulli- 19 sesti DCS, joka käyttää 1,8 GHz aluetta, PCS, joka käyttää 1,9 GHz aluetta, ja GSM, joka käyttää 900 MHz aluetta.
Kolmitaajuusmatkapuhelin 30 on varustettu suurtaajuusmoduulilla 10 (kts.
5 kuvio 1), johon on integroitu antenni ANT ja DCS-, PCS- ja GSM-etupääosat, DCS- ja PCS-järjestelmien yhteinen lähetysosa Txdp, PCS-vastaanotto-osa Rxp, DCS-vastaanotto-osa Rxd, GSM-lähetysosa Txg ja GSM-vastaanotto-osa Rxg.
10 Suurtaajuusmoduulin 10 portti PII on yhdistetty antenniin ANT ja portit P43, P42, P52, P62 ja P72 on yhdistetty PCS-vastaanotto-osaan Rxp, DCS-vastaanotto-osaan Rxd, yhteiseen DCS- ja PCS-lähetysosaan Txdp, GSM-lähetysosaan Txg ja vastaavasti GSM-vastaanotto-osaan Rxg.
15 Koska edellä selitetyn mukainen kolmitaajuusmatkapuhelin kuluttaa paljon vähemmän tehoa eikä vaadi virtaa vastaanoton aikana, tällaisen suurtaajuusmoduulin sisältävän matkaviestinlaitteen tehonkulutus saadaan pienemmäksi eikä se kuluta virtaa puhelua odottaessaan. Tämän seurauksena matkaviestinlaitteeseen asennettu akku toimii paljon kauemmin.
20
Lisäksi pienikokoisen ja pienihäviöisen suurtaajuusmoduulin käyttämisestä seuraa, että tällaisen suurtaajuusmoduulin sisältävä matkaviestinlaite on erittäin pienikokoinen ja se on erittäin suorituskykyinen, o ° 25 Edellä selitetyissä erilaisissa edullisissa suoritusmuodoissa kerrostettu elin ^7 sisältää edullisesti sisällään kaikki diplekserin elementit ja osan ensimmäisen o ja toisen suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin elementeistä ja ensimmäi- | sen ja toisen suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin muut elementit on asennettu kerrostetulle elimelle. Tällöin voidaan käyttää rakennetta, jossa
CO
30 kaikki diplekserin, ensimmäisen ja toisen suurtaajuuskytkimen ja SAW-δ £3 duplekserin elementit on asennettu samalle piirilevylle. Vaihtoehtoisesti voi daan käyttää rakennetta, jossa kaikki diplekserin, ja osa ensimmäisen ja toi- 20 sen suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin elementeistä on sisäänrakennettu kerrostettuun elimeen ja ensimmäisen ja toisen suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin muut elementit on asennettu samalle piirilevylle.
5 Edellä esitetyssä tapauksessa SAW-duplekserin vaiheensiirtoyksiköt on edullisesti muodostettu keskitetyillä piirivakioilla toteutetuista elementeistä, jotka on saatu yhdistämällä induktoreita ja kondensaattoreita. Samat edut saavutetaan, vaikka käytettäisiin vaiheensiirtoyksiköitä, jotka on muodostettu jaetuilla piirivakioilla toteutetuista elementeistä, kuten liuskajohdoista.
10
Edellä esitetyssä tapauksessa SAW-suotimet on asennettu kerrostetun elimen pinnalle. Ne voidaan asentaa kerrostetun elimen alapintaan tai mihin tahansa pintaan muodostettuun onteloon.
15 Edellä esitetyssä tapauksessa SAW-suotimet ovat koteloimattomia palakom-ponentteja, mutta ne voivat olla myös koteloituja.
Vaikka esillä olevaa keksintöä on erityisesti kuvattu ja selitetty sen edullisiin suoritusmuotoihin liittyen, alan ammattimiehelle on selvää, että muotoa ja 20 yksityiskohtia voidaan muuttaa edellä mainituilla ja muilla tavoilla keksinnön ajatuksesta ja piiristä poikkeamatta.
o δ
(M
tn o
X
en
CL
δ
CO
δ o
(M

Claims (12)

1. Suurtaajuusmoduuli, jossa on: ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän, joilla on erilaiset taajuudet, etupääosat, jotka ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikenne-5 järjestelmän etupääosat sisältävät: diplekserin (11), joka on järjestetty kytkemään joltakin joko ensimmäiseltä, toiselta tai kolmannelta tietoliikennejärjestelmältä lähetetyn lähetyssignaalin antennille lähetyksen aikana ja jakelemaan antennin antaman vastaanot-tosignaalin jollekin joko ensimmäiselle, toiselle tai kolmannelle tietoliikenne-10 järjestelmälle vastaanoton aikana, ensimmäisen suurtaajuuskytkimen (12), joka on järjestetty erottamaan ensimmäisen ja toisen tietoliikennejärjestelmän lähetysosan ja ensimmäisen ja toisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osat, SAW-duplekserin (14), joka on järjestetty erottamaan ensimmäisen tietolii-15 kennejärjestelmän vastaanotto-osan ja toisen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osan, joka SAW-duplekseri sisältää SAW-suotimen (17) ja siihen kytketyn vaiheensiirtokomponentin (141, 142), joka vaiheensiirtokomponentti käsittää kondensaattorin (C42, C43, C44) ja induktorin (L41, L42); ja toisen suurtaajuuskytkimen (13), joka on järjestetty erottamaan kolmannen 20 tietoliikennejärjestelmän lähetysosan ja vastaanotto-osan, tunnettu siitä, että diplekseri (11), ensimmäinen (12) ja toinen suurtaajuskytkin (13) ja SAW-duplekseri (14) ovat integroidut yhteen määrittämään kerrostetun kap-o paleen (18), joka sisältää joukon kerrostettuja levyjä (18a-18h); ^ että kerrostettu kappale (18) sisältää maadoituselektrodin (Gpl-Gp3), ja ^7 25 maadoituselektrodi on muodostettu ulkoisen navan (Te, Th, Tj, Tm, Tp, Tq, o Tr) viereen levykerroksen (18b, 18d, 18m) kautta; | että SAW-duplekserin vaiheensiirtokomponentin (141, 142) kondensaattori £ (C42, C43, C44) on muodostettu ensimmäisen maadoituselektrodin (Gpl, co ^ Gp2) ja kondensaattorielektrodin (Cp3; Cp2; Cpl) väliin, jolloin kondensaat- S ^ 30 torielektrodi on vastapäätä mainittua maadoituselektrodia levykerroksen (18b, 18c) kautta, ja että lisämaadoituselektrodi (Gp3) on muodostettu vaiheensiirtokomponentin (141,142) induktorin (L41, L42) muodostavan induktorielektrodin (ST5, ST14, ST23, ST1, ST10, ST20) ja vaiheensiirtokomponentin kondensaatto-rielektrodin (Cp3, Cp2, Cpl) väliin. 5
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että kaikki diplekserin (11) elementit ja jotkin ensimmäisen (12) ja toisen (13) suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin (14) elementeistä on sijoitettu kerrostetun kappaleen (18) sisään, ja loput ensimmäisen (12) ja toisen (13) 10 suurtaajuuskytkimen ja SAW-duplekserin (14) elementeistä on asennettu kerrostetun kappaleen (18) päälle.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että se sisältää lisäksi ainakin yhden joukosta, johon kuuluvat ensimmäinen suo- 15 din (15), joka on järjestetty päästämään läpi ensimmäiseltä ja toiselta tietoliikennejärjestelmältä lähetetyn lähetyssignaalin, toinen suodin (16), joka on järjestetty päästämään läpi kolmannelta tietoliikennejärjestelmältä lähetetyn lähetyssignaalin, ja kolmas suodin (17), joka on järjestetty päästämään läpi kolmannen tietoliikennejärjestelmän vastaanottosignaalin. 20
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että ensimmäinen tietoliikennejärjestelmä on DCS, joka käyttää 1,8 GHz aluetta, toinen tietoliikennejärjestelmä on PCS, joka käyttää 1,9 GHz aluetta, ja kol- o mas tietoliikennejärjestelmä on GSM, joka käyttää 900 MHz aluetta, cv 25 i
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että LO o diplekseri (11) sisältää induktoreita (LII, L12) ja kondensaattoreita (Cl ΙΕ C15). CO ^ 30
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että o ^ sekä ensimmäinen (12) että toinen (13) suurtaajuuskytkin sisältää diodeja (Dll, D12; D21, D22), induktoreita (L21-L23; L31, L32) ja kondensaattoreita (C21, C22; C31).
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että 5 SAW-duplekseri (14) sisältää SAW-suotimia ja SAW1, SAW2 siirtolinjoja.
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että kondensaattorielektrodi (Cpl-Cpl9) on sijoitettu kerrostetusti mainitun maa-doituselektrodin (Gpl, Gp2) ja lisämaadoituselektrodin (Gp3) väliin. 10
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että ainakin yksi SAW-duplekserin (14) induktori (L41, L42) on muodostettu ainakin kahdella elektrodilla (ST5, ST14, ST23; ST1, ST10, ST20), ja että mainitut ainakin kaksi elektrodia ovat muodostetut eri levykerroksiin (18g, 18h, 18i). 15
10. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että suurtaajuuskytkimien (12; 13) induktori (L21-L23; L31, L32) on muodostettu kerrostettuun kappaleeseen (18).
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen suurtaajuusmoduuli, tunnettu siitä, että suurtaajuuskytkimien (12; 13) induktori (L21-L23; L31, L32) on muodostettu kerrostettuun kappaleeseen (18), ja että kyseinen suurtaajuuskytkimien induktori käsittää ainakin kaksi elektrodia (ST7, ST17, ST25; ST3, o ST12; ST6, ST15), jotka ovat muodostetut eri levykerroksiin (18g, 18h, 18c). o ,r <m 25
12. Matkaviestinlaite, tunnettu siitä, että siinä on: o patenttivaatimuksen 1 mukainen suurtaajuusmoduuli, joka on järjestetty | muodostamaan ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän ^ etupääosat, CO 30 ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän vastaanotto-osat o ^ ja ensimmäisen, toisen ja kolmannen tietoliikennejärjestelmän lähetysosat.
FI20011371A 2000-07-27 2001-06-27 Suurtaajuusmoduuli ja sitä käyttävä matkaviestinlaite FI121867B (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000227631A JP3711846B2 (ja) 2000-07-27 2000-07-27 高周波モジュール及びそれを用いた移動体通信装置
JP2000227631 2000-07-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20011371A0 FI20011371A0 (fi) 2001-06-27
FI20011371A FI20011371A (fi) 2002-01-28
FI121867B true FI121867B (fi) 2011-05-13

Family

ID=18721047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20011371A FI121867B (fi) 2000-07-27 2001-06-27 Suurtaajuusmoduuli ja sitä käyttävä matkaviestinlaite

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6788958B2 (fi)
JP (1) JP3711846B2 (fi)
KR (1) KR100397744B1 (fi)
CN (1) CN1154247C (fi)
DE (1) DE10136337B4 (fi)
FI (1) FI121867B (fi)
FR (1) FR2812512B1 (fi)
GB (1) GB2369013B (fi)
SE (1) SE524323C2 (fi)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002064301A (ja) * 1999-03-18 2002-02-28 Hitachi Metals Ltd トリプルバンド用高周波スイッチモジュール
JP3711846B2 (ja) * 2000-07-27 2005-11-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール及びそれを用いた移動体通信装置
ATE544242T1 (de) * 2000-11-01 2012-02-15 Hitachi Metals Ltd Hochfrequenz-schaltmodul
EP1223634A3 (en) * 2000-12-26 2003-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency switch, laminated high-frequency switch, high-frequency radio unit, and high-frequency switching method
JP2002246942A (ja) * 2001-02-19 2002-08-30 Sony Corp スイッチ装置および携帯通信端末装置
JP2003087002A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ
KR20030056243A (ko) * 2001-12-27 2003-07-04 삼성전기주식회사 트리플렉서 회로 및 이를 구현한 적층칩형 트리플렉서
JP2003264348A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Sony Corp 高周波モジュール
KR20030086694A (ko) * 2002-05-06 2003-11-12 삼성전기주식회사 마이크로스트립라인과 캐패시터를 이용한 무선통신용대역통과필터
KR20030091660A (ko) * 2002-05-27 2003-12-03 삼성전기주식회사 고주파 복합 부품
GB0217932D0 (en) * 2002-08-02 2002-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv High frequency module
KR20040016105A (ko) * 2002-08-16 2004-02-21 엘지이노텍 주식회사 고주파 스위치 모듈
JP2004104394A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ
US6774857B2 (en) * 2002-09-12 2004-08-10 Agilent Technologies, Inc. Method facilitating inter-mode handoff
US7295814B2 (en) * 2003-02-05 2007-11-13 Hitachi Metals, Ltd. Antenna switch circuit and antenna switch module
US20040185795A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Khosro Shamsaifar Electronically tunable RF Front End Module
US7373171B2 (en) 2003-02-14 2008-05-13 Tdk Corporation Front end module
JP3752230B2 (ja) 2003-02-14 2006-03-08 Ｔｄｋ株式会社 フロントエンドモジュール
JP3761000B2 (ja) * 2003-02-14 2006-03-29 日立金属株式会社 スイッチ回路及び複合高周波部品
US6845231B2 (en) * 2003-03-24 2005-01-18 Agilent Technologies, Inc. Method facilitating inter-mode handoff
JP4029779B2 (ja) * 2003-06-05 2008-01-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP4123435B2 (ja) * 2003-10-14 2008-07-23 富士通メディアデバイス株式会社 高周波スイッチモジュール
JPWO2005046070A1 (ja) * 2003-11-11 2007-05-24 株式会社村田製作所 高周波モジュール
EP1775847B1 (en) 2004-08-06 2012-06-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency composite component
DE102004049684B4 (de) * 2004-10-12 2019-01-03 Snaptrack, Inc. Frontendmodul mit einem Antennenschalter
WO2006112306A1 (ja) 2005-04-15 2006-10-26 Hitachi Metals, Ltd. マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置
CN1870450B (zh) * 2005-05-26 2010-08-11 启碁科技股份有限公司 电子装置及其信号收发方法
KR100747978B1 (ko) * 2005-06-17 2007-08-08 엘지이노텍 주식회사 프론트 앤드 모듈 및 그 제조방법
CA2550812A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-22 Axigon Healthcare Technologies Incorporated Two-way wireless monitoring system and method
CN1314287C (zh) * 2005-06-24 2007-05-02 京信通信技术(广州)有限公司 用于移动通信双工塔顶放大器的高集成化通用双工器模块
DE102005037040A1 (de) 2005-08-05 2007-02-08 Epcos Ag Elektrisches Bauelement
DE102006015072B4 (de) * 2006-03-31 2017-06-01 Epcos Ag Mobilfunkmodul für Multi-Band-Multi-Mode Betrieb
JP4390017B2 (ja) * 2006-07-25 2009-12-24 株式会社村田製作所 高周波モジュール及びそれを用いた通信装置
TWI442621B (zh) * 2007-01-19 2014-06-21 Murata Manufacturing Co High frequency parts
US7702296B2 (en) * 2007-08-01 2010-04-20 Mediatek Usa Inc. Transmit/receive switch
JP5201260B2 (ja) * 2009-03-03 2013-06-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール
TWI408910B (zh) * 2009-10-14 2013-09-11 Ralink Technology Corp 訊號分路裝置及無線通訊裝置
WO2015008558A1 (ja) * 2013-07-16 2015-01-22 株式会社村田製作所 フロントエンド回路
CN107743044A (zh) * 2016-08-10 2018-02-27 株式会社村田制作所 分集开关电路、高频模块以及通信装置
WO2018061974A1 (ja) 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路
US10755542B2 (en) 2016-12-06 2020-08-25 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveillance via guided wave communication
JP2021048558A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1003291B (de) * 1954-01-18 1957-02-28 Dr Hans Schellhoss Verfahren zur Leitung navigierender Objekte entlang einer vorgegebenen Leitlinie
DE1014592B (de) * 1954-07-07 1957-08-29 Telefunken Gmbh Monostabiler Multivibrator
EP0367181B1 (en) * 1988-10-31 1994-04-20 Hitachi, Ltd. Surface acoustic wave filter device
JPH04184906A (ja) * 1990-11-20 1992-07-01 Mitsubishi Electric Corp 信号ラインフイルタ用磁性体コア
DE69122748T2 (de) * 1990-12-26 1997-05-07 Tdk Corp Hochfrequenzvorrichtung
JPH06350307A (ja) 1993-06-03 1994-12-22 Fuji Elelctrochem Co Ltd 分波器
JP3031178B2 (ja) 1994-09-28 2000-04-10 株式会社村田製作所 複合高周波部品
US5999065A (en) 1995-08-24 1999-12-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite high-frequency component
JP3487692B2 (ja) 1995-10-02 2004-01-19 富士通株式会社 分波器
JPH1032521A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Murata Mfg Co Ltd デュプレクサ
JP2901181B2 (ja) 1996-07-24 1999-06-07 五洋電子工業株式会社 アンテナ共用器
JP3222072B2 (ja) 1996-10-15 2001-10-22 富士通株式会社 分波器パッケージ
JPH10313229A (ja) 1997-05-13 1998-11-24 Mitsubishi Electric Corp 多端子対ｓａｗフィルタ及びその使用方法
JP3848445B2 (ja) * 1997-09-26 2006-11-22 松下電器産業株式会社 複数通信方式対応の無線機
US6185418B1 (en) * 1997-11-07 2001-02-06 Lucent Technologies Inc. Adaptive digital radio communication system
JPH11154804A (ja) 1997-11-20 1999-06-08 Hitachi Ltd 高周波回路装置
JP3930984B2 (ja) * 1997-12-12 2007-06-13 日東電工株式会社 経皮吸収型製剤
EP0961404B1 (en) * 1998-05-29 2008-07-02 Fujitsu Limited Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band
JP3304901B2 (ja) 1998-11-27 2002-07-22 株式会社村田製作所 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP3304900B2 (ja) 1998-11-25 2002-07-22 株式会社村田製作所 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP3304898B2 (ja) 1998-11-20 2002-07-22 株式会社村田製作所 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP3304902B2 (ja) 1998-12-14 2002-07-22 株式会社村田製作所 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP3484090B2 (ja) 1998-12-22 2004-01-06 株式会社日立製作所 スイッチ型アンテナ共用器および移動無線端末
JP3403669B2 (ja) * 1999-06-04 2003-05-06 富士通株式会社 アンテナ分波器
DE60028937T2 (de) * 1999-12-14 2006-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Hochfrequenz zusammengesetzter schaltergauelement
JP3711846B2 (ja) * 2000-07-27 2005-11-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール及びそれを用いた移動体通信装置
WO2003028235A1 (fr) * 2001-09-21 2003-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif haute frequence

Also Published As

Publication number Publication date
CN1336731A (zh) 2002-02-20
SE0102307L (sv) 2002-01-28
JP2002043977A (ja) 2002-02-08
US7398103B2 (en) 2008-07-08
US6788958B2 (en) 2004-09-07
GB2369013B (en) 2003-04-23
JP3711846B2 (ja) 2005-11-02
GB2369013A (en) 2002-05-15
SE0102307D0 (sv) 2001-06-28
KR20020010526A (ko) 2002-02-04
GB0117301D0 (en) 2001-09-05
FR2812512B1 (fr) 2004-09-10
DE10136337A1 (de) 2002-02-14
FR2812512A1 (fr) 2002-02-01
FI20011371A0 (fi) 2001-06-27
US20040242189A1 (en) 2004-12-02
DE10136337B4 (de) 2005-04-28
KR100397744B1 (ko) 2003-09-13
US20020032038A1 (en) 2002-03-14
CN1154247C (zh) 2004-06-16
FI20011371A (fi) 2002-01-28
SE524323C2 (sv) 2004-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI121867B (fi) Suurtaajuusmoduuli ja sitä käyttävä matkaviestinlaite
EP1659656B1 (en) Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same
EP1089449B1 (en) Matching connections in a multilayer substrate
US7200365B2 (en) Composite high frequency component and mobile communication device including the same
JP3371887B2 (ja) 移動体通信装置及びそれに用いる高周波複合部品
KR100261751B1 (ko) 복합 고주파부품
KR100761223B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
JP3304901B2 (ja) 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
WO2004073193A1 (ja) スイッチ回路及び複合高周波部品
EP0929151B1 (en) Filter
JP4154532B2 (ja) 携帯端末装置
JP2000165273A (ja) 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP3931681B2 (ja) 高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP4412231B2 (ja) 高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP4289322B2 (ja) 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP4126874B2 (ja) 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP4352612B2 (ja) 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP2003046408A (ja) 複合高周波部品及び移動体通信装置
JP2002026763A (ja) 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP2002033679A (ja) 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP2003318773A (ja) 高周波スイッチおよび高周波モジュール
JP2002033678A (ja) 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 121867

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed