JP2002033679A - 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 整合回路が不要で、かつ回路の小型化が可能
な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提
供する。 【解決手段】 複合高周波部品１０は、ダイプレクサ
２、第１乃至第３の高周波スイッチ３〜５、第１及び第
２のフィルタ６，７からなる。そして、ダイプレクサ２
は、第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコンデン
サＣ１１〜Ｃ１５で構成される。また、第１乃至第３の
高周波スイッチ３〜５は、第１及び第２のダイオードＤ
１，Ｄ２、第２のインダクタＬ２１〜Ｌ２３、第２のコ
ンデンサＣ２１〜Ｃ２３で構成される。さらに、第１及
び第２のフィルタ６，７は、第３のインダクタＬ３１、
第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２で構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複合高周波部品及
びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、３つの異
なる通信システムに利用可能な複合高周波部品及びそれ
を用いた移動体通信装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、移動体通信装置として、複数の周
波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ(Dig
ital Cellular System)及びＰＣＳ(Personal Communica
tion Services)と９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ(Glo
bal System for Mobile communications)とで動作が可
能なトリプルバンド携帯電話器が提案されている。

【０００３】図５は、一般的なトリプルバンド携帯電話
器のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接し
た周波数を備える第１及び第２の通信システムに１．８
ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳ、それらと周波数が異なる
第３の通信システムに９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとした場
合の一例を示したものである。

【０００４】トリプルバンド携帯電話器のフロントエン
ド部は、アンテナ１、ダイプレクサ２、第１乃至第３の
高周波スイッチ３〜５、第１及び第２のフィルタ６，７
を備える。ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ、Ｐ
ＣＳあるいはＧＳＭの送信信号を結合し、受信の際には
ＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭに受信信号を分配する役
目を担う。第１の高周波スイッチ３は、ＤＣＳ及びＰＣ
Ｓの送信部側とＤＣＳ及びＰＣＳの受信部側とを切り換
え、第２の高周波スイッチ４は、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ
側とＰＣＳの受信部Ｒｘｐ側とを切り換え、第３の高周
波スイッチ５は、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ側と受信部Ｒｘ
ｇ側とを切り換える役目を担う。第１のフィルタ６は、
ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号を通過させ、２次高調波及
び３次高調波を減衰させ、第２のフィルタ７は、ＧＳＭ
の送受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させる役目
を担う。

【０００５】ここで、トリプルバンド携帯電話器の動作
について、まず、ＤＣＳの場合を説明する。送信の際に
は、第１の高周波スイッチ３にてＰＣＳと共通の送信部
Ｔｘｄｐをオンにして送信部Ｔｘｄｐからの送信信号を
第１のフィルタ６に送り、第１のフィルタ６を通過した
送信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送
信する。受信の際には、アンテナ１から受信した受信信
号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信
号をＤＣＳ、ＰＣＳ側の第１のフィルタ６に送り、第１
の高周波スイッチ３にて受信部側をオンにして第１のフ
ィルタ６を通過した受信信号を第２の高周波スイッチ４
に送り、第２の高周波スイッチ４にてＤＣＳの受信部Ｒ
ｘｄをオンにして第２の高周波スイッチ４を通過した受
信信号をＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送る。なお、ＰＣＳを
用いる場合にも同様の動作にて送受信される。

【０００６】続いて、ＧＳＭの場合を説明する。送信の
際には、第３の高周波スイッチ５にて送信部Ｔｘｇをオ
ンにして送信部Ｔｘｇからの送信信号を第２のフィルタ
７に送り、第２のフィルタ７を通過した送信信号をダイ
プレクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。受信の
際には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレク
サ２で分波し、アンテナ１からの受信信号をＧＳＭ側の
第２のフィルタ７に送り、第３の高周波スイッチ５にて
受信部Ｒｘｇをオンにして第２のフィルタ７を通過した
受信信号を受信部Ｒｘｇに送る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の移動体通信装置の１つであるトリプルバンド携帯電話
器によれば、アンテナ、ダイプレクサ、及びＤＣＳ系、
ＧＳＭ系を構成する高周波スイッチ、フィルタがディス
クリートで１つ、１つ回路基板上に実装されるため、そ
れぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレ
ーション特性を確保するために、ダイプレクサと高周波
スイッチとの間に整合回路を付加する必要がある。その
ため、部品点数の増加、それにともなう実装面積の増加
により、回路基板が大型化し、その結果、トリプルバン
ド携帯電話器（移動体通信装置）が大型化するという問
題があった。

【０００８】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、整合回路が不要で、かつ回路
の小型化が可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動
体通信装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の複合高周波部品は、近接した周波数を備
える第１及び第２の通信システムと、該第１及び第２の
通信システムと周波数が異なる第３の通信システムとに
対応したフロントエンド部を構成する複合高周波部品で
あって、送信の際には前記第１乃至第３の通信システム
からの送信信号を結合し、受信の際には前記第１乃至第
３の通信システムに受信信号を分配するダイプレクサ
と、前記第１及び第２の通信システムの送信部と前記第
１及び第２の通信システムの受信部とに分離する第１の
高周波スイッチと、前記第１の通信システムの受信部と
前記第２の通信システムの受信部とに分離する第２の高
周波スイッチと、前記第３の通信システムの送信部と受
信部とに分離する第３の高周波スイッチと、前記第１及
び第２の通信システムの送受信信号を通過させる第１の
フィルタと、前記第３の通信システムの送受信信号を通
過させる第２のフィルタとからなり、セラミックスから
なる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板
に一体化されることを特徴とする。

【００１０】また、前記第１及び第２のフィルタの少な
くとも１つが、前記高周波スイッチの後段の前記送信部
側に配置されることを特徴とする。

【００１１】また、前記ダイプレクサが、第１のインダ
クタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成さ
れ、前記第１乃至第３の高周波スイッチが、第１及び第
２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及
び第２のキャパシタンス素子で構成され、前記第１及び
第２のフィルタが、第３のインダクタンス素子、及び第
３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、前記第
１乃至第３のインダクタンス素子、前記第１乃至第３の
キャパシタンス素子、及び前記第１及び第２のスイッチ
ング素子が、前記セラミック多層基板に内蔵、あるいは
搭載され、前記セラミック多層基板の内部に形成される
接続手段によって接続されることを特徴とする。

【００１２】本発明の移動体通信装置は、上記に記載の
複合高周波部品を用いたことを特徴とする。

【００１３】本発明の複合高周波部品によれば、複合高
周波部品をなすダイプレクサ、第１乃至第３の高周波ス
イッチ、並びに第１及び第２のフィルタを、セラミック
スからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多
層基板に一体化するため、それぞれの部品の整合特性、
減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保するこ
とができ、それに伴い、ダイプレクサと第１及び第３の
高周波スイッチとの間の整合回路が不要となる。

【００１４】本発明の移動体通信装置によれば、整合回
路が不要である複合高周波部品を用いるため、３つの通
信システムに対応したフロントエンド部を構成する回路
基板が小型になる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明の複合高周波部品の第
１の実施例の回路図である。複合高周波部品１０は、図
５のブロック図に示したダイプレクサ２、第１乃至第３
の高周波スイッチ３〜５、第１及び第２のフィルタ６，
７からなり、第１乃至第３の通信システムであるＤＣＳ
（１．８ＧＨｚ帯）、ＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）、ＧＳ
Ｍ（９００ＭＨｚ帯）に対応したフロントエンド部の一
部を構成する。

【００１６】そして、ダイプレクサ２の第１のポートＰ
２１にはアンテナ１が、第２のポートＰ２２には第１の
フィルタ６の第１のポートＰ６１が、第３のポートＰ２
３には第２のフィルタ７の第１のポートＰ７１がそれぞ
れ接続される。

【００１７】また、第１のフィルタ６の第２のポートＰ
６２には第１の高周波スイッチ３の第１のポートＰ３１
が接続され、第１の高周波スイッチ３の第２のポートＰ
３２にはＤＣＳとＰＣＳとの共通の送信部Ｔｘｄｐが、
第３のポートＰ３３には第２の高周波スイッチ４の第１
のポートＰ４１がそれぞれ接続される。

【００１８】さらに、第２の高周波スイッチ４の第２の
ポートＰ４２にはＤＣＳの受信部Ｒｘｄが、第３のポー
トＰ４３にはＰＣＳの受信部Ｒｘｐがそれぞれ接続され
る。

【００１９】また、第２のフィルタ７の第２のポートＰ
７２には第３の高周波スイッチ５の第１のポートＰ５１
が接続され、第３の高周波スイッチ５の第２のポートＰ
５２にはＧＳＭの送信部Ｔｘｇが、第３のポートＰ５３
にはＧＳＭの受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続される。

【００２０】ダイプレクサ２は、第１のインダクタンス
素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１
のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１〜
Ｃ１５で構成される。

【００２１】そして、第１のポートＰ２１と第２のポー
トＰ２２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直
列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１
及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。

【００２２】また、第１のポートＰ２１と第３のポート
Ｐ２３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデ
ンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回
路の第３のポートＰ２３側が第１のコンデンサＣ１５を
介して接地される。

【００２３】第１の高周波スイッチ３は、第１のスイッ
チング素子である第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ
２、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタ
Ｌ２１〜Ｌ２３、及び第２のキャパシタンス素子である
第２のコンデンサＣ２１〜Ｃ２３で構成される。

【００２４】そして、第１のポートＰ３１と第２のポー
トＰ３２との間にカソードが第１のポートＰ３１側にな
るように第１のダイオードＤ１が接続され、第１のダイ
オードＤ１には第２のインダクタＬ２１と第２のコンデ
ンサＣ２１とからなる直列回路が並列に接続される。

【００２５】また、第１のダイオードＤ１の第２のポー
トＰ３２側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２
２及び第２のコンデンサＣ２２を介して接地され、第２
のインダクタＬ２２と第２のコンデンサＣ２２との接続
点には第１の制御端子Ｖｃ３１が設けられる。

【００２６】さらに、第１のポートＰ３１と第３のポー
トＰ３３との間に第２のインダクタＬ２３が接続され、
第２のインダクタＬ２３の第３のポートＰ３３側は第２
のダイオードＤ２及び第２のコンデンサＣ２３を介して
接地され、第２のダイオードＤ２のカソードと第２のコ
ンデンサＣ２３との接続点に抵抗Ｒを介して第２の制御
端子Ｖｃ３２が設けられる。

【００２７】この際、第１のダイオードＤ１に並列に接
続される第２のインダクタＬ２１は並列トラップコイル
であり、第２のインダクタＬ２２はチョークコイルであ
る。

【００２８】第１のフィルタ６は、第３のインダクタン
ス素子である第３のインダクタＬ３１、及び第３のキャ
パシタンス素子である第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２
で構成される。

【００２９】そして、第１のポートＰ６１と第２のポー
トＰ６２との間に第３のインダクタＬ３１が直列接続さ
れ、第３のインダクタＬ３１には第３のコンデンサＣ３
１が並列に接続される。

【００３０】また、第３のインダクタＬ３１の第２のポ
ートＰ６２側は第３のコンデンサＣ３２を介して接地さ
れる。

【００３１】なお、第２及び第３の高周波スイッチ４，
５は、第１の高周波スイッチ３と同様の構成であり、第
２のフィルタ７は第１のフィルタ６と同様の構成であ
る。

【００３２】図２は、図１の回路構成を有する複合高周
波部品の要部分解斜視図である。複合高周波部品１０
は、セラミック多層基板１１を含み、セラミック多層基
板１１には、図示していないが、ダイプレクサ２を構成
する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコンデン
サＣ１１〜Ｃ１５、第１の高周波スイッチ３の第２のイ
ンダクタＬ２１，Ｌ２３、第２のコンデンサＣ２１，Ｃ
２２、第２の高周波スイッチ４の第２のインダクタＬ２
１，Ｌ２３、第２のコンデンサＣ２１，Ｃ２２、第３の
高周波スイッチ５の第２のインダクタＬ２１，Ｌ２３、
第２のコンデンサＣ２１，Ｃ２２、第１のフィルタ６を
構成する第３のインダクタＬ３１、第３のコンデンサＣ
３１，Ｃ３２、第２のフィルタ７を構成する第３のイン
ダクタＬ３１、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２がそれ
ぞれ内蔵される。

【００３３】また、セラミック多層基板１１の表面に
は、チップ部品からなる第１の高周波スイッチ３を構成
する第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２、第２のイン
ダクタ（チョークコイル）Ｌ２２、第２のコンデンサＣ
２３、抵抗Ｒ、第２の高周波スイッチ４を構成する第１
及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２、第２のインダクタ
（チョークコイル）Ｌ２２、第２のコンデンサＣ２３、
抵抗Ｒ、第３の高周波スイッチ５を構成する第１及び第
２のダイオードＤ１，Ｄ２、第２のインダクタ（チョー
クコイル）Ｌ２２、第２のコンデンサＣ２３、抵抗Ｒが
それぞれ搭載される。

【００３４】さらに、セラミック多層基板１１の側面か
ら底面に架けて、１４個の外部端子Ｔａ〜Ｔｎがスクリ
ーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子
Ｔａ〜Ｔｎのうち、６個の外部端子Ｔａ〜Ｔｆはセラミ
ック多層基板１１の一方長辺側、６個の外部端子Ｔｈ〜
Ｔｍはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２
個の外部端子Ｔｇ，Ｔｎはセラミック多層基板１１の相
対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより
形成される。

【００３５】そして、外部端子Ｔａ〜Ｔｎは、それぞ
れ、ダイプレクサ２の第１のポートＰ２１、第１の高周
波スイッチ３の第２のポートＰ３２、第２及び第３の高
周波スイッチ４，５の第２及び第３のポートＰ４２，Ｐ
４３，Ｐ５２，Ｐ５３、第１〜第３の高周波スイッチ３
〜５の第１及び第２の制御端子Ｖｃ３１，Ｖｃ３２，Ｖ
ｃ４１，Ｖｃ４２，Ｖｃ５１，Ｖｃ５２、グランド端子
となる。

【００３６】また、セラミック多層基板１１上には、セ
ラミック多層基板１１の表面を覆うように金属キャップ
１２が被せられる。この際、金属キャップ１２とセラミ
ック多層基板１１の相対する短辺のそれぞれの側に設け
られるグランド端子となる外部端子Ｔｇ，Ｔｎとは接続
される。

【００３７】ここで、図１の回路構成を有する複合高周
波部品１０の動作について説明する。まず、ＤＣＳある
いはＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場
合には、第１の高周波スイッチ３において第１の制御端
子Ｖｃ３１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ３２に０Ｖを
それぞれ印加して第１の高周波スイッチ３の第１のポー
トＰ３１と第２のポートＰ３２とを接続することによ
り、ＤＣＳあるいはＰＣＳの送信信号が第１の高周波ス
イッチ３、第１のフィルタ６及びダイプレクサ２を通過
し、アンテナ１から送信される。この際、第１のフィル
タ６はＤＣＳ、ＰＣＳの送信信号を通過させ、２次高調
波及び３次高調波を減衰させている。

【００３８】なお、第２及び第３の高周波スイッチ４，
５において第１の制御端子Ｖｃ４１，Ｖｃ５１に０Ｖ
を、第２の制御端子Ｖｃ４２，Ｖｃ５２に１Ｖをそれぞ
れ印加して第２及び第３の高周波スイッチ４，５を遮断
している。

【００３９】次いで、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）の送信
信号を送信する場合には、第３の高周波スイッチ５にお
いて第１の制御端子Ｖｃ５１に１Ｖを、第２の制御端子
Ｖｃ５２に０Ｖをそれぞれ印加して第３の高周波スイッ
チ５の第１のポートＰ５１と第２のポートＰ５２とを接
続することにより、ＧＳＭの送信信号が第３の高周波ス
イッチ５、第２のフィルタ７及びダイプレクサ２を通過
し、アンテナ１から送信される。この際、第２のフィル
タ７はＧＳＭの送信信号を通過させ、３次高調波を減衰
させている。

【００４０】なお、第１及び第２の高周波スイッチ３，
４において第１の制御端子Ｖｃ３１，Ｖｃ４１に０Ｖ
を、第２の制御端子Ｖｃ３２，Ｖｃ４２に１Ｖをそれぞ
れ印加して第１及び第２の高周波スイッチ３，４を遮断
している。

【００４１】次いで、ＤＣＳの受信信号を受信する場合
には、第１の高周波スイッチ３において第１の制御端子
Ｖｃ３１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ３２に１Ｖをそ
れぞれ印加して第１の高周波スイッチ３の第１のポート
Ｐ３１と第３のポートＰ３３とを接続し、第２の高周波
スイッチ４において第１の制御端子Ｖｃ４１に０Ｖを、
第２の制御端子Ｖｃ４２に１Ｖをそれぞれ印加して第２
の高周波スイッチ４の第１のポートＰ４１と第３のポー
トＰ４３とを接続することにより、アンテナ１から受信
されたＤＣＳの受信信号がダイプレクサ２、第１のフィ
ルタ６、並びに第１及び第２の高周波スイッチ３，４を
通過し、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送られる。この際、第
１のフィルタ６はＤＣＳの受信信号を通過させ、２次高
調波及び３次高調波を減衰させている。

【００４２】なお、第３の高周波スイッチ５において第
１の制御端子Ｖｃ５１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ５
２に１Ｖをそれぞれ印加して第３の高周波スイッチ５を
遮断している。

【００４３】次いで、ＰＣＳの受信信号を受信する場合
には、第１の高周波スイッチ３において第１の制御端子
Ｖｃ３１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ３２に１Ｖをそ
れぞれ印加して第１の高周波スイッチ３の第１のポート
Ｐ３１と第３のポートＰ３３とを接続し、第２の高周波
スイッチ４において第１の制御端子Ｖｃ４１に１Ｖを、
第２の制御端子Ｖｃ４２に０Ｖをそれぞれ印加して第２
の高周波スイッチ４の第１のポートＰ４１と第２のポー
トＰ４２とを接続することにより、アンテナ１から受信
されたＰＣＳの受信信号がダイプレクサ２、第１のフィ
ルタ６、並びに第１及び第２の高周波スイッチ３，４を
通過し、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐに送られる。この際、第
１のフィルタ６はＰＣＳの受信信号を通過させ、２次高
調波及び３次高調波を減衰させている。

【００４４】なお、第３の高周波スイッチ５において第
１の制御端子Ｖｃ５１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ５
２に１Ｖをそれぞれ印加して第３の高周波スイッチ５を
遮断している。

【００４５】次いで、ＧＳＭの受信信号を受信する場合
には、第３の高周波スイッチ５において第１の制御端子
Ｖｃ５１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ５２に１Ｖをそ
れぞれ印加して第３の高周波スイッチ５の第１のポート
Ｐ５１と第３のポートＰ５３とを接続することにより、
アンテナ１から受信されたＧＳＭの受信信号がダイプレ
クサ２、第２のフィルタ７、及び第３の高周波スイッチ
５を通過し、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇに送られる。この
際、第２のフィルタ７はＧＳＭの受信信号を通過させ、
３次高調波を減衰させている。

【００４６】なお、第１及び第２の高周波スイッチ３，
４において第１の制御端子Ｖｃ３１，Ｖｃ４１に０Ｖ
を、第２の制御端子Ｖｃ３２，Ｖｃ４２に１Ｖをそれぞ
れ印加して第１及び第２の高周波スイッチ３，４を遮断
している。

【００４７】上述の第１の実施例の複合高周波部品によ
れば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、第１乃至第
３の高周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタ
を、セラミックスからなる複数のシート層を積層してな
るセラミック多層基板に一体化するため、それぞれの部
品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特
性を確保することができ、それに伴い、ダイプレクサと
第１及び第３の高周波スイッチとの間の整合回路が不要
となる。

【００４８】したがって、複合高周波部品の小型化が可
能となる。ちなみに、ダイプレクサ、第１乃至第３の高
周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを６．３
ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大きさのセラミック多層基板に
一体化することが可能となった。

【００４９】また、ダイプレクサが、第１のインダク
タ、第１のコンデンサで構成され、第１乃至第３の高周
波スイッチが、第１及び第２のダイオード、第２のイン
ダクタ、第２のコンデンサで構成され、第１及び第２の
フィルタが、第３のインダクタ、第３のコンデンサで構
成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内
蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形
成される接続手段によって接続されるため、複合高周波
部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が
実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善す
ることができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を
改善することが可能となる。

【００５０】さらに、波長短縮効果により、インダクタ
となるストリップライン電極の長さを短縮することがで
きるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を
向上させることができる。その結果、複合高周波部品の
小型化及び低損失化を実現することができる。したがっ
て、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小
型化及び高性能化も同時に実現できる。

【００５１】図３は、本発明の複合高周波部品の第２の
実施例のブロック図である。複合高周波部品２０は、第
１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較して第
１及び第２のフィルタ６，７の配置位置が異なる。

【００５２】すなわち、第１のフィルタ６が第１の高周
波スイッチ３とＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔｘｄｐ
との間に、第２のフィルタ７が第３の高周波スイッチ４
とＧＳＭの送信部Ｔｘｇとの間にそれぞれ配置される。

【００５３】上述の第２の実施例の複合高周波部品によ
れば、フィルタが高周波スイッチと送信部との間に配置
されるため、送信の際に、送信部にある高出力増幅器の
歪みをこのフィルタで減衰させることができる。したが
って、受信側の挿入損失を改善することができる。

【００５４】図４は、移動体通信機であるトリプルバン
ド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、
１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳと９００ＭＨｚ帯の
ＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。トリ
プルバンド携帯電話器３０は、アンテナ１及び複合高周
波部品１０（図１）を備える。

【００５５】そして、複合高周波部品１０のポートＰ１
１にはアンテナ１が、ポートＰ３２，Ｐ４２，Ｐ４３，
Ｐ５２，Ｐ５３には、ＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔ
ｘｄｐ、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐ、ＤＣＳの受信部Ｒｘ
ｄ、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇが、
それぞれ接続される。

【００５６】上述のトリプルバンド携帯電話器によれ
ば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているた
め、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小
型化及び高性能化が実現できる。

【００５７】なお、複合高周波部品１０に複合高周波部
品２０（図３）を用いても同様の効果が得られる。

【００５８】

【発明の効果】請求項１の複合高周波部品によれば、複
合高周波部品をなすダイプレクサ、第１乃至第３の高周
波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを、セラミ
ックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミッ
ク多層基板に一体化するため、それぞれの部品の整合特
性、減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保す
ることができ、それに伴い、ダイプレクサと第１及び第
３の高周波スイッチとの間の整合回路が不要となる。

【００５９】したがって、部品点数を減らすことができ
るため、第１乃至第３の通信システムに対応したフロン
トエンド部を構成する複合高周波部品の小型化が可能と
なる。

【００６０】請求項２の複合高周波部品によれば、フィ
ルタが高周波スイッチと送信部との間に配置されるた
め、送信部に構成する高出力増幅器による送信信号の歪
みを減衰させることができる。したがって、受信部の挿
入損失を改善することができる。

【００６１】請求項３の複合高周波部品によれば、ダイ
プレクサが、第１のインダクタンス素子、第１のキャパ
シタンス素子で構成され、第１乃至第３の高周波スイッ
チが、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダ
クタンス素子、第２のキャパシタンス素子で構成され、
第１及び第２のフィルタが、第３のインダクタンス素
子、第３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、
それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載さ
れ、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段に
よって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミ
ック多層基板で構成でき、さらに小型化が実現できる。
加えて、部品間の配線による損失を改善することがで
き、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善するこ
とが可能となる。

【００６２】また、波長短縮効果により、各インダクタ
ンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮する
ことができるため、これらのストリップライン電極の挿
入損失を向上させることができる。その結果、複合高周
波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。

【００６３】請求項５の移動体通信装置によれば、小型
でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この
複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び
高性能化が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合高周波部品に係る第１の実施例の
回路図である。

【図２】図１の複合高周波部品の要部分解斜視図であ
る。

【図３】本発明の複合高周波部品に係る第２の実施例の
回路図である。

【図４】図１の複合高周波部品を用いた移動体通信機の
構成の一部を示すブロック図である。

【図５】一般的なトリプルバンド携帯電話器（移動体通
信装置）のフロントエンド部の構成を示すブロック図で
ある。

【符号の説明】

１０，２０ 複合高周波部品 ２ ダイプレクサ ３〜５ 第１〜第３の高周波スイッチ ６，７ 第１、第２のフィルタ １１ セラミック多層基板 ３０ 移動体通信機（トリプルバンド携帯電話器） Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２３，Ｃ３１，Ｃ３２
第１〜第３のキャパシタンス素子 Ｄ１，Ｄ２ 第１、第２のスイッチング素子 Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１〜Ｌ２３，Ｌ３１ 第１〜
第３のインダクタ素子 Ｔｘｄｐ，Ｔｘｇ 送信部 Ｒｘｄ，Ｒｘｐ，Ｒｘｇ 受信部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 近接した周波数を備える第１及び第２の
   通信システムと、該第１及び第２の通信システムと周波
   数が異なる第３の通信システムとに対応したフロントエ
   ンド部を構成する複合高周波部品であって、 送信の際には前記第１乃至第３の通信システムからの送
   信信号を結合し、受信の際には前記第１乃至第３の通信
   システムに受信信号を分配するダイプレクサと、前記第
   １及び第２の通信システムの送信部と前記第１及び第２
   の通信システムの受信部とに分離する第１の高周波スイ
   ッチと、前記第１の通信システムの受信部と前記第２の
   通信システムの受信部とに分離する第２の高周波スイッ
   チと、前記第３の通信システムの送信部と受信部とに分
   離する第３の高周波スイッチと、前記第１及び第２の通
   信システムの送受信信号を通過させる第１のフィルタ
   と、前記第３の通信システムの送受信信号を通過させる
   第２のフィルタとからなり、セラミックスからなる複数
   のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化
   されることを特徴とする複合高周波部品。
2. 【請求項２】 前記第１及び第２のフィルタの少なくと
   も１つが、前記高周波スイッチの後段の前記送信部側に
   配置されることを特徴とする請求項１に記載の複合高周
   波部品。
3. 【請求項３】 前記ダイプレクサが、第１のインダクタ
   ンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成され、
   前記第１乃至第３の高周波スイッチが、第１及び第２の
   スイッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第
   ２のキャパシタンス素子で構成され、前記第１及び第２
   のフィルタが、第３のインダクタンス素子、及び第３の
   キャパシタンス素子で構成されるとともに、 前記第１乃至第３のインダクタンス素子、前記第１乃至
   第３のキャパシタンス素子、及び前記第１及び第２のス
   イッチング素子が、前記セラミック多層基板に内蔵、あ
   るいは搭載され、前記セラミック多層基板の内部に形成
   される接続手段によって接続されることを特徴とする請
   求項１あるいは請求項２に記載の複合高周波部品。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   の複合高周波部品を用いたことを特徴とする移動体通信
   装置。