JP2001345729A - 高周波モジュール及びそれを用いた無線機器 - Google Patents
高周波モジュール及びそれを用いた無線機器Info
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- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
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- Transceivers (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 挿入損失特性の劣化を防ぐことが可能な小型
の高周波モジュール及びそれを用いた移動体通信機を提
供する。 【解決手段】 高周波モジュール１０は、第１〜第５の
端子１０１〜１０５、高域通過フィルタ１１、高周波ス
イッチ１２、送信側バラン１３及び受信側バラン１４で
構成される。そして、高域通過フィルタ１１と高周波ス
イッチ１２、高周波スイッチ１２と送信側及び受信側バ
ラン１３，１４とがそれぞれ接続される。また、第１の
端子１０１にはアンテナＡＮＴが、第２、第３の端子１
０２，１０３には送信回路Ｔｘが、第４、第５の端子１
０４，１０５には受信回路Ｒｘがそれぞれ接続される。
の高周波モジュール及びそれを用いた移動体通信機を提
供する。 【解決手段】 高周波モジュール１０は、第１〜第５の
端子１０１〜１０５、高域通過フィルタ１１、高周波ス
イッチ１２、送信側バラン１３及び受信側バラン１４で
構成される。そして、高域通過フィルタ１１と高周波ス
イッチ１２、高周波スイッチ１２と送信側及び受信側バ
ラン１３，１４とがそれぞれ接続される。また、第１の
端子１０１にはアンテナＡＮＴが、第２、第３の端子１
０２，１０３には送信回路Ｔｘが、第４、第５の端子１
０４，１０５には受信回路Ｒｘがそれぞれ接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波モジュール
及びそれを用いた無線機器に関し、特に、バランス系の
送受信系に用いた高周波モジュール及びそれを用いた無
線機器に関する。
及びそれを用いた無線機器に関し、特に、バランス系の
送受信系に用いた高周波モジュール及びそれを用いた無
線機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】工業用、科学用、および医事用に、相互
に混信や妨害が発生しないように国際的に割り当てられ
た周波数帯域であるＩＳＭ(Industrial Scientific and
Medical use)バンドの１つである２．４ＧＨｚ帯は、
数Ｍｂｐｓ(Megabit per second)の高速広帯域の通信が
可能な帯域幅が確保できる点、コストならびに利用の混
雑状況、電波伝搬特性などの点から、無線ＬＡＮ(Local
Area Network)として利用されている。
に混信や妨害が発生しないように国際的に割り当てられ
た周波数帯域であるＩＳＭ(Industrial Scientific and
Medical use)バンドの１つである２．４ＧＨｚ帯は、
数Ｍｂｐｓ(Megabit per second)の高速広帯域の通信が
可能な帯域幅が確保できる点、コストならびに利用の混
雑状況、電波伝搬特性などの点から、無線ＬＡＮ(Local
Area Network)として利用されている。
【０００３】図１３は、ＮＩＫＫＥＩ ＥＬＥＣＴＲＯ
ＮＩＣＳ（no.761,p155）で提案されている無線ＬＡＮ
の一つであるＢｌｕｅｔｏｏｔｈ向けＲＦ回路を示すブ
ロック図である。ＲＦ回路は、不要な高周波信号、例え
ば、９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ（Global System for Mobi
le communication）、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ（Digita
l Cellular System）、１．９ＧＨｚ帯のＰＣＳ（Perso
nal Communication Services）等に代表される他の通信
システムの送信信号、受信信号、並びに本通信システム
の受信信号の２次高調波及び３次高調波を減衰させる帯
域通過フィルタ５１、送信信号と受信信号とを切り換え
る高周波スイッチ５２、高出力増幅器５３や逓倍器５４
などからなる送信回路Ｔｘ、及び低雑音増幅器５５やミ
キサ５６などからなる受信回路Ｒｘで構成される。そし
て、帯域通過フィルタ５１の第１端子５１１にはアンテ
ナＡＮＴ、第２端子５１２には高周波スイッチ５２の第
１の端子５２１がそれぞれ接続される。また、高周波ス
イッチ５２の第２の端子５２２には送信回路Ｔｘの高出
力増幅器５３が、第３の端子５２３には受信回路Ｒｘの
低雑音増幅器５５がそれぞれ接続される。
ＮＩＣＳ（no.761,p155）で提案されている無線ＬＡＮ
の一つであるＢｌｕｅｔｏｏｔｈ向けＲＦ回路を示すブ
ロック図である。ＲＦ回路は、不要な高周波信号、例え
ば、９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ（Global System for Mobi
le communication）、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ（Digita
l Cellular System）、１．９ＧＨｚ帯のＰＣＳ（Perso
nal Communication Services）等に代表される他の通信
システムの送信信号、受信信号、並びに本通信システム
の受信信号の２次高調波及び３次高調波を減衰させる帯
域通過フィルタ５１、送信信号と受信信号とを切り換え
る高周波スイッチ５２、高出力増幅器５３や逓倍器５４
などからなる送信回路Ｔｘ、及び低雑音増幅器５５やミ
キサ５６などからなる受信回路Ｒｘで構成される。そし
て、帯域通過フィルタ５１の第１端子５１１にはアンテ
ナＡＮＴ、第２端子５１２には高周波スイッチ５２の第
１の端子５２１がそれぞれ接続される。また、高周波ス
イッチ５２の第２の端子５２２には送信回路Ｔｘの高出
力増幅器５３が、第３の端子５２３には受信回路Ｒｘの
低雑音増幅器５５がそれぞれ接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
のＲＦ回路によれば、不要な高周波信号である他の通信
システムの送信信号及び受信信号や本通信システムの受
信信号の２次高調波及び３次高調波を減衰させるための
高周波フィルタに帯域通過フィルタを用いているため、
高周波フィルタでの挿入損失特性が劣化し、その結果、
高周波モジュールの挿入損失特性が劣化するといった問
題があった。
のＲＦ回路によれば、不要な高周波信号である他の通信
システムの送信信号及び受信信号や本通信システムの受
信信号の２次高調波及び３次高調波を減衰させるための
高周波フィルタに帯域通過フィルタを用いているため、
高周波フィルタでの挿入損失特性が劣化し、その結果、
高周波モジュールの挿入損失特性が劣化するといった問
題があった。
【０００５】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、挿入損失特性の劣化を防ぐこ
とが可能な小型の高周波モジュール及びそれを用いた移
動体通信機を提供することを目的とする。
めになされたものであり、挿入損失特性の劣化を防ぐこ
とが可能な小型の高周波モジュール及びそれを用いた移
動体通信機を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の高周波モジュールは、不要な高周波信号
を減衰させる高周波フィルタ、送信と受信とを切り換え
る高周波スイッチ、平衡信号を不平衡信号へ変換する送
信側バラン、及び不平衡信号を平衡信号へ変換する受信
側バランを備え、前記高周波フィルタがアンテナと前記
高周波スイッチの第１の端子との間に配設されるととも
に、前記高周波スイッチの第２の端子と前記送信側バラ
ンの不平衡端子とが接続され、前記高周波スイッチの第
３の端子と前記受信側バランの不平衡端子とが接続され
る高周波モジュールであって、前記高周波フィルタが、
高域通過フィルタであることを特徴とする。
るため本発明の高周波モジュールは、不要な高周波信号
を減衰させる高周波フィルタ、送信と受信とを切り換え
る高周波スイッチ、平衡信号を不平衡信号へ変換する送
信側バラン、及び不平衡信号を平衡信号へ変換する受信
側バランを備え、前記高周波フィルタがアンテナと前記
高周波スイッチの第１の端子との間に配設されるととも
に、前記高周波スイッチの第２の端子と前記送信側バラ
ンの不平衡端子とが接続され、前記高周波スイッチの第
３の端子と前記受信側バランの不平衡端子とが接続され
る高周波モジュールであって、前記高周波フィルタが、
高域通過フィルタであることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の高周波モジュールは、不要
な高周波信号を減衰させる高周波フィルタ、送信と受信
とを切り換える高周波スイッチ、平衡信号を不平衡信号
へ変換する送信側バラン、及び不平衡信号を平衡信号へ
変換する受信側バランを備え、前記高周波フィルタがア
ンテナと前記高周波スイッチの第１の端子との間に配設
されるとともに、前記高周波スイッチの第２の端子と前
記送信側バランの不平衡端子とが接続され、前記高周波
スイッチの第３の端子と前記受信側バランの不平衡端子
とが接続される高周波モジュールであって、前記高周波
フィルタが、ノッチフィルタであることを特徴とする。
な高周波信号を減衰させる高周波フィルタ、送信と受信
とを切り換える高周波スイッチ、平衡信号を不平衡信号
へ変換する送信側バラン、及び不平衡信号を平衡信号へ
変換する受信側バランを備え、前記高周波フィルタがア
ンテナと前記高周波スイッチの第１の端子との間に配設
されるとともに、前記高周波スイッチの第２の端子と前
記送信側バランの不平衡端子とが接続され、前記高周波
スイッチの第３の端子と前記受信側バランの不平衡端子
とが接続される高周波モジュールであって、前記高周波
フィルタが、ノッチフィルタであることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の高周波モジュールは、不要
な高周波信号を減衰させる高域通過フィルタあるいはノ
ッチフィルタ、送信信号と受信信号とを切り換える高周
波スイッチ、平衡信号を不平衡信号へ変換する送信側バ
ラン、及び不平衡信号を平衡信号へ変換する受信側バラ
ンを備え、前記高域通過フィルタあるいは前記ノッチフ
ィルタがアンテナと前記高周波スイッチの第１の端子と
の間に配設されるとともに、前記高周波スイッチの第２
の端子と前記送信側バランの不平衡端子とが接続され、
前記高周波スイッチの第３の端子と前記受信側バランの
不平衡端子とが接続される高周波モジュールであって、
複数の誘電体層を積層してなる多層基板を備えることを
特徴とする。
な高周波信号を減衰させる高域通過フィルタあるいはノ
ッチフィルタ、送信信号と受信信号とを切り換える高周
波スイッチ、平衡信号を不平衡信号へ変換する送信側バ
ラン、及び不平衡信号を平衡信号へ変換する受信側バラ
ンを備え、前記高域通過フィルタあるいは前記ノッチフ
ィルタがアンテナと前記高周波スイッチの第１の端子と
の間に配設されるとともに、前記高周波スイッチの第２
の端子と前記送信側バランの不平衡端子とが接続され、
前記高周波スイッチの第３の端子と前記受信側バランの
不平衡端子とが接続される高周波モジュールであって、
複数の誘電体層を積層してなる多層基板を備えることを
特徴とする。
【０００９】また、本発明の高周波モジュールは、前記
多層基板に、前記高域通過フィルタあるいは前記ノッチ
フィルタ、前記送信側バラン、及び前記受信側バランを
構成する全ての素子と、前記高周波スイッチを構成する
一部の素子を内蔵し、前記高周波スイッチを構成する残
りの素子を搭載したことを特徴とする。
多層基板に、前記高域通過フィルタあるいは前記ノッチ
フィルタ、前記送信側バラン、及び前記受信側バランを
構成する全ての素子と、前記高周波スイッチを構成する
一部の素子を内蔵し、前記高周波スイッチを構成する残
りの素子を搭載したことを特徴とする。
【００１０】本発明の無線機器は、上述の高周波モジュ
ールを用いたことを特徴とする。
ールを用いたことを特徴とする。
【００１１】本発明の高周波モジュールによれば、不要
な高周波信号を減衰させるための高周波フィルタに高域
通過フィルタあるいはノッチフィルタを用いているた
め、高周波フィルタでの挿入損失特性の劣化を防ぐこと
ができる。
な高周波信号を減衰させるための高周波フィルタに高域
通過フィルタあるいはノッチフィルタを用いているた
め、高周波フィルタでの挿入損失特性の劣化を防ぐこと
ができる。
【００１２】本発明の無線機器によれば、挿入損失特性
の劣化を防いだ高周波モジュールを用いているため、無
線機器の挿入損失特性の劣化を防ぐことが可能である。
の劣化を防いだ高周波モジュールを用いているため、無
線機器の挿入損失特性の劣化を防ぐことが可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明の高周波モジュールに
係る第１の実施例のブロック図である。高周波モジュー
ル１０は、第１〜第５の端子１０１〜１０５、高域通過
フィルタ１１、高周波スイッチ１２、送信側バラン１３
及び受信側バラン１４で構成される。
施例を説明する。図１は、本発明の高周波モジュールに
係る第１の実施例のブロック図である。高周波モジュー
ル１０は、第１〜第５の端子１０１〜１０５、高域通過
フィルタ１１、高周波スイッチ１２、送信側バラン１３
及び受信側バラン１４で構成される。
【００１４】高域通過フィルタ１１は、不要な高周波信
号、例えば、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）、ＤＣＳ（１．
８ＧＨｚ帯）、ＰＣＳ（１．９ＧＨｚ帯）に代表される
他の通信システムの送信信号及び受信信号を減衰させる
機能を備える。
号、例えば、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）、ＤＣＳ（１．
８ＧＨｚ帯）、ＰＣＳ（１．９ＧＨｚ帯）に代表される
他の通信システムの送信信号及び受信信号を減衰させる
機能を備える。
【００１５】また、高周波スイッチ１２は、送信信号と
受信信号とを切り換えるとともに、本通信システムの受
信信号の３次高調波を減衰させる機能を備える。
受信信号とを切り換えるとともに、本通信システムの受
信信号の３次高調波を減衰させる機能を備える。
【００１６】さらに、送信側バラン１３は、平衡信号を
不平衡信号へ変換する機能を備え、受信側バラン１４
は、不平衡信号を平衡信号へ変換するとともに、本通信
システムの受信信号の３次高調波を減衰させる機能を備
える。
不平衡信号へ変換する機能を備え、受信側バラン１４
は、不平衡信号を平衡信号へ変換するとともに、本通信
システムの受信信号の３次高調波を減衰させる機能を備
える。
【００１７】そして、高周波モジュール１０の第１の端
子１０１となる高域通過フィルタ１１の第１端子１１１
にはアンテナＡＮＴ、第２端子１１２には高周波スイッ
チ１２の第１の端子１２１がそれぞれ接続される。
子１０１となる高域通過フィルタ１１の第１端子１１１
にはアンテナＡＮＴ、第２端子１１２には高周波スイッ
チ１２の第１の端子１２１がそれぞれ接続される。
【００１８】また、高周波スイッチ１２の第２の端子１
２２には送信側バラン１３の不平衡端子１３１が、第３
の端子１２３には受信側バラン１４の不平衡端子１４１
がそれぞれ接続される。
２２には送信側バラン１３の不平衡端子１３１が、第３
の端子１２３には受信側バラン１４の不平衡端子１４１
がそれぞれ接続される。
【００１９】さらに、高周波モジュール１０の第２、第
３の端子１０２，１０３となる送信側バラン１３の平衡
端子１３２，１３３には送信回路Ｔｘが、高周波モジュ
ール１０の第４、第５の端子１０４，１０５となる受信
側バラン１４の平衡端子１４２，１４３には受信回路Ｒ
ｘがそれぞれ接続される。
３の端子１０２，１０３となる送信側バラン１３の平衡
端子１３２，１３３には送信回路Ｔｘが、高周波モジュ
ール１０の第４、第５の端子１０４，１０５となる受信
側バラン１４の平衡端子１４２，１４３には受信回路Ｒ
ｘがそれぞれ接続される。
【００２０】図２は、図１に示す高周波モジュールを構
成する高域通過フィルタの回路図である。高域通過フィ
ルタ１１は、インダクタＬ１１，Ｌ１２、及びコンデン
サＣ１１〜Ｃ１５で構成され、第１の端子１１１と第２
の端子１１２との間にコンデンサＣ１１〜Ｃ１３が直列
接続される。また、コンデンサＣ１１，Ｃ１２の接続点
がインダクタＬ１１及びコンデンサＣ１４を介して接地
され、コンデンサＣ１２，Ｃ１３の接続点がインダクタ
Ｌ１２及びコンデンサＣ１５を介して接地される。
成する高域通過フィルタの回路図である。高域通過フィ
ルタ１１は、インダクタＬ１１，Ｌ１２、及びコンデン
サＣ１１〜Ｃ１５で構成され、第１の端子１１１と第２
の端子１１２との間にコンデンサＣ１１〜Ｃ１３が直列
接続される。また、コンデンサＣ１１，Ｃ１２の接続点
がインダクタＬ１１及びコンデンサＣ１４を介して接地
され、コンデンサＣ１２，Ｃ１３の接続点がインダクタ
Ｌ１２及びコンデンサＣ１５を介して接地される。
【００２１】図３は、図１に示す高周波モジュールを構
成する高周波スイッチの回路図である。高周波スイッチ
１２は、ダイオードＤ１，Ｄ２、インダクタＬ２１〜Ｌ
２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３、及び抵抗Ｒで構成さ
れる。なお、インダクタＬ２１は並列トラップコイルで
あり、インダクタＬ２２はチョークコイルである。
成する高周波スイッチの回路図である。高周波スイッチ
１２は、ダイオードＤ１，Ｄ２、インダクタＬ２１〜Ｌ
２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３、及び抵抗Ｒで構成さ
れる。なお、インダクタＬ２１は並列トラップコイルで
あり、インダクタＬ２２はチョークコイルである。
【００２２】第１の端子Ｐ１２１と第２の端子１２２と
の間にカソードが第１の端子１２１側になるようにダイ
オードＤ１が接続され、ダイオードＤ１にはインダクタ
Ｌ２１及びコンデンサＣ２１からなる直列回路が並列に
接続される。
の間にカソードが第１の端子１２１側になるようにダイ
オードＤ１が接続され、ダイオードＤ１にはインダクタ
Ｌ２１及びコンデンサＣ２１からなる直列回路が並列に
接続される。
【００２３】また、ダイオードＤ１の第２の端子１２２
側、すなわちアノードはインダクタＬ２２及びコンデン
サＣ２２を介して接地され、インダクタＬ２２とコンデ
ンサＣ２２との接続点に制御端子Ｖｃが接続される。
側、すなわちアノードはインダクタＬ２２及びコンデン
サＣ２２を介して接地され、インダクタＬ２２とコンデ
ンサＣ２２との接続点に制御端子Ｖｃが接続される。
【００２４】さらに、第１の端子１２１と第３の端子１
２３との間にインダクタＬ２３が接続され、インダクタ
Ｌ２３の第３の端子１２３側はダイオードＤ２及びコン
デンサＣ２３を介して接地され、ダイオードＤ２のカソ
ードとコンデンサＣ２３との接続点は抵抗Ｒを介して接
地される。
２３との間にインダクタＬ２３が接続され、インダクタ
Ｌ２３の第３の端子１２３側はダイオードＤ２及びコン
デンサＣ２３を介して接地され、ダイオードＤ２のカソ
ードとコンデンサＣ２３との接続点は抵抗Ｒを介して接
地される。
【００２５】図４は、図１に示す高周波モジュールを構
成するバランの回路図である。なお、図４（ａ）は、送
信側バラン１３、図４（ｂ）は、受信側バラン１４であ
るが、バラン１３，１４は、同一の回路構成である。よ
って、送信側バラン１３を用いて説明し、受信側バラン
１４については、該当する構成の番号を記載するのみで
説明を省略する。
成するバランの回路図である。なお、図４（ａ）は、送
信側バラン１３、図４（ｂ）は、受信側バラン１４であ
るが、バラン１３，１４は、同一の回路構成である。よ
って、送信側バラン１３を用いて説明し、受信側バラン
１４については、該当する構成の番号を記載するのみで
説明を省略する。
【００２６】送信側バラン１３（１４）が不平衡端子１
３１（１４１）となる第１の線路１３ａ（１４ａ）、及
び一端が平衡端子１３２，１３３（１４２，１４３）と
なる第２及び第３の線路１３ｂ，１３ｃ（１４ｂ，１４
ｃ）を有する。第１の線路１３ａ（１４ａ）の他端は開
放され、第２及び第３の線路１３ｂ，１３ｃ（１４ｂ，
１４ｃ）の他端は接地される。
３１（１４１）となる第１の線路１３ａ（１４ａ）、及
び一端が平衡端子１３２，１３３（１４２，１４３）と
なる第２及び第３の線路１３ｂ，１３ｃ（１４ｂ，１４
ｃ）を有する。第１の線路１３ａ（１４ａ）の他端は開
放され、第２及び第３の線路１３ｂ，１３ｃ（１４ｂ，
１４ｃ）の他端は接地される。
【００２７】図５は、図１に示す高周波モジュールの具
体的な構成を示す一部分解斜視図である。高周波モジュ
ール１０は、多層基板１５を含み、多層基板１５には、
図示していないが、高域通過フィルタ１１（図２）を構
成するインダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１〜
Ｃ１５、高周波スイッチ１２（図３）を構成するインダ
クタＬ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２２、送信側バラン
１３（図４（ａ））を構成する第１〜第３の線路１３ａ
〜１３ｃ、及び受信側バラン１４（図４（ｂ））を構成
する第１〜第３の線路１４ａ〜１４ｃがそれぞれ内蔵さ
れる。
体的な構成を示す一部分解斜視図である。高周波モジュ
ール１０は、多層基板１５を含み、多層基板１５には、
図示していないが、高域通過フィルタ１１（図２）を構
成するインダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１〜
Ｃ１５、高周波スイッチ１２（図３）を構成するインダ
クタＬ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２２、送信側バラン
１３（図４（ａ））を構成する第１〜第３の線路１３ａ
〜１３ｃ、及び受信側バラン１４（図４（ｂ））を構成
する第１〜第３の線路１４ａ〜１４ｃがそれぞれ内蔵さ
れる。
【００２８】また、多層基板１５の表面には、チップ部
品からなる高周波スイッチ１２（図３）を構成するダイ
オードＤ１，Ｄ２、コンデンサＣ２１，Ｃ２３及び抵抗
Ｒ、並びに、送信回路Ｔｘ及び受信回路Ｒｘが設けられ
たＧａＡｓ集積回路ＩＣがそれぞれ搭載される。さら
に、多層基板１５の側面から底面に架けて、４個の外部
端子Ｔ１〜Ｔ４がスクリーン印刷などでそれぞれ形成さ
れる。
品からなる高周波スイッチ１２（図３）を構成するダイ
オードＤ１，Ｄ２、コンデンサＣ２１，Ｃ２３及び抵抗
Ｒ、並びに、送信回路Ｔｘ及び受信回路Ｒｘが設けられ
たＧａＡｓ集積回路ＩＣがそれぞれ搭載される。さら
に、多層基板１５の側面から底面に架けて、４個の外部
端子Ｔ１〜Ｔ４がスクリーン印刷などでそれぞれ形成さ
れる。
【００２９】そして、多層基板１５上に搭載したダイオ
ードＤ１，Ｄ２、コンデンサＣ２１，Ｃ２３、抵抗Ｒ及
びＧａＡｓ集積回路ＩＣを覆うとともに、相対する短辺
の突起部１６１，１６２が外部端子Ｔ３，Ｔ４に当接す
るように、多層基板１５上に金属キャップ１６が被せら
れる。
ードＤ１，Ｄ２、コンデンサＣ２１，Ｃ２３、抵抗Ｒ及
びＧａＡｓ集積回路ＩＣを覆うとともに、相対する短辺
の突起部１６１，１６２が外部端子Ｔ３，Ｔ４に当接す
るように、多層基板１５上に金属キャップ１６が被せら
れる。
【００３０】なお、外部端子Ｔ１は高周波モジュール１
０の第１の端子１０１、外部端子Ｔ２は高周波スイッチ
１２の制御端子Ｖｃ、外部端子Ｔ３，Ｔ４はグランド端
子となる。
０の第１の端子１０１、外部端子Ｔ２は高周波スイッチ
１２の制御端子Ｖｃ、外部端子Ｔ３，Ｔ４はグランド端
子となる。
【００３１】また、高域通過フィルタ１１の第２の端子
１１２と高周波スイッチ１２の第１の端子１２１、高周
波スイッチ１２の第２の端子１２２と送信側バラン１３
の不平衡端子１３１、高周波スイッチ１２の第３の端子
１２３と受信側バラン１４の不平衡端子１４１とは、そ
れぞれ多層基板１５の内部で接続される。
１１２と高周波スイッチ１２の第１の端子１２１、高周
波スイッチ１２の第２の端子１２２と送信側バラン１３
の不平衡端子１３１、高周波スイッチ１２の第３の端子
１２３と受信側バラン１４の不平衡端子１４１とは、そ
れぞれ多層基板１５の内部で接続される。
【００３２】さらに、高周波モジュール１０の第２〜第
５の端子１０２〜１０５は、送信回路Ｔｘ及び受信回路
Ｒｘが設けられたＧａＡｓ集積回路ＩＣとそれぞれ多層
基板１５の内部で接続される。
５の端子１０２〜１０５は、送信回路Ｔｘ及び受信回路
Ｒｘが設けられたＧａＡｓ集積回路ＩＣとそれぞれ多層
基板１５の内部で接続される。
【００３３】図６（ａ）〜図６（ｄ）、図７（ａ）〜図
７（ｄ）、図８（ａ）、図８（ｂ）は、図５の高周波モ
ジュールの多層基板を構成する各誘電体層の上面図ある
いは下面図である。多層基板１５は、酸化バリウム、酸
化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスか
らなる第１〜第９の誘電体層１５１〜１５９を上から順
次積層し、１０００℃以下の焼成温度で焼成することに
より形成される。
７（ｄ）、図８（ａ）、図８（ｂ）は、図５の高周波モ
ジュールの多層基板を構成する各誘電体層の上面図ある
いは下面図である。多層基板１５は、酸化バリウム、酸
化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスか
らなる第１〜第９の誘電体層１５１〜１５９を上から順
次積層し、１０００℃以下の焼成温度で焼成することに
より形成される。
【００３４】そして、第１の誘電体層１５１の上面に
は、多層基板１５の表面に搭載される高周波スイッチ１
２のダイオードＤ１，Ｄ２、コンデンサＣ２１，Ｃ２３
及び抵抗Ｒ、並びにＧａＡｓ集積回路ＩＣを実装するた
めのランドＬａがスクリーン印刷などで印刷され、形成
される。また、第２の誘電体層１５２の上面には、配線
Ｌｉがスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
は、多層基板１５の表面に搭載される高周波スイッチ１
２のダイオードＤ１，Ｄ２、コンデンサＣ２１，Ｃ２３
及び抵抗Ｒ、並びにＧａＡｓ集積回路ＩＣを実装するた
めのランドＬａがスクリーン印刷などで印刷され、形成
される。また、第２の誘電体層１５２の上面には、配線
Ｌｉがスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
【００３５】さらに、第３、第７及び第９の誘電体層１
５３，１５７，１５９の上面には、導体層からなるグラ
ンド電極Ｇ１ｐ〜Ｇｐ３がスクリーン印刷などで印刷さ
れ、形成される。また、第４〜第６の誘電体層１５４〜
１５６の上面には、導体層からなるストリップライン電
極ＳＬ１〜ＳＬ１５がスクリーン印刷などで印刷され、
形成される。
５３，１５７，１５９の上面には、導体層からなるグラ
ンド電極Ｇ１ｐ〜Ｇｐ３がスクリーン印刷などで印刷さ
れ、形成される。また、第４〜第６の誘電体層１５４〜
１５６の上面には、導体層からなるストリップライン電
極ＳＬ１〜ＳＬ１５がスクリーン印刷などで印刷され、
形成される。
【００３６】さらに、第７〜第９の誘電体層１５７〜１
５９の上面には、導体層からなるコンデンサ電極Ｃｐ１
〜Ｃｐ８がスクリーン印刷などで印刷され、形成され
る。また、第９の誘電体層１５９の下面（図８（ｂ））
には、外部端子Ｔ１〜Ｔ４がスクリーン印刷などで印刷
され、形成される。
５９の上面には、導体層からなるコンデンサ電極Ｃｐ１
〜Ｃｐ８がスクリーン印刷などで印刷され、形成され
る。また、第９の誘電体層１５９の下面（図８（ｂ））
には、外部端子Ｔ１〜Ｔ４がスクリーン印刷などで印刷
され、形成される。
【００３７】さらに、第１〜第８の誘電体層１５１〜１
５８には、所定の位置に、ストリップライン電極ＳＬ１
〜ＳＬ５、コンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ８、グランド電
極Ｇｐ１〜Ｇｐ３、ランドＬａ及び配線Ｌｉを接続する
ためのビアホール電極Ｖｈ１〜Ｖｈ９が設けられる。
５８には、所定の位置に、ストリップライン電極ＳＬ１
〜ＳＬ５、コンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ８、グランド電
極Ｇｐ１〜Ｇｐ３、ランドＬａ及び配線Ｌｉを接続する
ためのビアホール電極Ｖｈ１〜Ｖｈ９が設けられる。
【００３８】この際、高域通過フィルタ１１のインダク
タＬ１１がストリップライン電極ＳＬ２，ＳＬ１０で、
インダクタＬ１２がストリップライン電極ＳＬ３，ＳＬ
１１でそれぞれ形成される。また、高域通過フィルタ１
１のコンデンサＣ１１がコンデンサ電極Ｃｐ２，Ｃｐ７
で、コンデンサＣ１２がコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ３
で、コンデンサＣ１３がコンデンサ電極Ｃｐ３，Ｃｐ８
で、コンデンサＣ１４がコンデンサ電極Ｃｐ４とグラン
ド電極Ｇｐ２，Ｇｐ３とで、コンデンサＣ１５がコンデ
ンサ電極Ｃｐ５とグランド電極Ｇｐ２，Ｇｐ３とでそれ
ぞれ形成される。
タＬ１１がストリップライン電極ＳＬ２，ＳＬ１０で、
インダクタＬ１２がストリップライン電極ＳＬ３，ＳＬ
１１でそれぞれ形成される。また、高域通過フィルタ１
１のコンデンサＣ１１がコンデンサ電極Ｃｐ２，Ｃｐ７
で、コンデンサＣ１２がコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ３
で、コンデンサＣ１３がコンデンサ電極Ｃｐ３，Ｃｐ８
で、コンデンサＣ１４がコンデンサ電極Ｃｐ４とグラン
ド電極Ｇｐ２，Ｇｐ３とで、コンデンサＣ１５がコンデ
ンサ電極Ｃｐ５とグランド電極Ｇｐ２，Ｇｐ３とでそれ
ぞれ形成される。
【００３９】さらに、高周波スイッチ１２のインダクタ
Ｌ２１がストリップライン電極ＳＬ１，ＳＬ９、インダ
クタＬ２２がストリップライン電極ＳＬ４，ＳＬ１３
で、インダクタＬ２３がストリップライン電極ＳＬ１２
でそれぞれ形成される。また、高周波スイッチ１２のコ
ンデンサＣ２２がコンデンサ電極Ｃｐ６とグランド電極
Ｇｐ２，Ｇｐ３とで形成される。
Ｌ２１がストリップライン電極ＳＬ１，ＳＬ９、インダ
クタＬ２２がストリップライン電極ＳＬ４，ＳＬ１３
で、インダクタＬ２３がストリップライン電極ＳＬ１２
でそれぞれ形成される。また、高周波スイッチ１２のコ
ンデンサＣ２２がコンデンサ電極Ｃｐ６とグランド電極
Ｇｐ２，Ｇｐ３とで形成される。
【００４０】さらに、送信側バラン１３の第１の線路１
３ａがストリップライン電極ＳＬ１４で、第２の線路１
３ｂがストリップライン電極ＳＬ６で、第３の線路１３
ｃがストリップライン電極ＳＬ８でそれぞれ形成され
る。
３ａがストリップライン電極ＳＬ１４で、第２の線路１
３ｂがストリップライン電極ＳＬ６で、第３の線路１３
ｃがストリップライン電極ＳＬ８でそれぞれ形成され
る。
【００４１】また、受信側バラン１４の第１の線路１４
ａがストリップライン電極ＳＬ１５で、第２の線路１４
ｂがストリップライン電極ＳＬ５で、第３の線路１４ｃ
がストリップライン電極ＳＬ７でそれぞれ形成される。
ａがストリップライン電極ＳＬ１５で、第２の線路１４
ｂがストリップライン電極ＳＬ５で、第３の線路１４ｃ
がストリップライン電極ＳＬ７でそれぞれ形成される。
【００４２】上述した第１の実施例の高周波モジュール
によれば、不要な高周波信号を減衰させるための高周波
フィルタに高域通過フィルタを用いているため、高周波
フィルタでの挿入損失特性の劣化を防ぐことができる。
したがって、送受信特性に優れた高周波モジュールを提
供することができ、その結果、無線機器の送受信特性を
向上させることができる。
によれば、不要な高周波信号を減衰させるための高周波
フィルタに高域通過フィルタを用いているため、高周波
フィルタでの挿入損失特性の劣化を防ぐことができる。
したがって、送受信特性に優れた高周波モジュールを提
供することができ、その結果、無線機器の送受信特性を
向上させることができる。
【００４３】また、高周波スイッチが受信信号の３次高
調波を減衰させる機能を備えているため、高域通過フィ
ルタと高周波スイッチとで不要な高周波信号を十分に減
衰させることができる。したがって、送受信特性により
優れた高周波モジュールを提供することができる、さら
に、受信側バランが受信信号の２次高調波を減衰させる
機能を備えているため、高域通過フィルタと受信側バラ
ンとで不要な高周波信号を十分に減衰させることができ
る。したがって、送受信特性により優れた高周波モジュ
ールを提供することができる、また、高周波モジュール
が、複数の誘電体層を積層してなる多層基板を備えてい
るため、高域通過フィルタ、高周波スイッチ、受信側バ
ラン及び送信側バランの各接続を多層基板の内部に設け
ることができる。したがって、それぞれの接続による損
失を改善することができるため、高周波モジュール全体
の損失を改善することが可能となるさらに、複数の誘電
体層を積層してなる多層基板を備え、多層基板に、高域
通過フィルタ、受信側バラン及び送信側バランを構成す
る全ての素子、並びに、高周波スイッチの一部の素子を
内蔵し、高周波スイッチの残りの素子を搭載したため、
高域通過フィルタと高周波スイッチとの間、高周波スイ
ッチと受信側バランとの間、高周波スイッチと送信側バ
ランとの間それぞれの整合調整が容易となり、それぞれ
の間に整合調整を行なう整合回路が不要となる。したが
って、高周波モジュールの小型化が可能となる。
調波を減衰させる機能を備えているため、高域通過フィ
ルタと高周波スイッチとで不要な高周波信号を十分に減
衰させることができる。したがって、送受信特性により
優れた高周波モジュールを提供することができる、さら
に、受信側バランが受信信号の２次高調波を減衰させる
機能を備えているため、高域通過フィルタと受信側バラ
ンとで不要な高周波信号を十分に減衰させることができ
る。したがって、送受信特性により優れた高周波モジュ
ールを提供することができる、また、高周波モジュール
が、複数の誘電体層を積層してなる多層基板を備えてい
るため、高域通過フィルタ、高周波スイッチ、受信側バ
ラン及び送信側バランの各接続を多層基板の内部に設け
ることができる。したがって、それぞれの接続による損
失を改善することができるため、高周波モジュール全体
の損失を改善することが可能となるさらに、複数の誘電
体層を積層してなる多層基板を備え、多層基板に、高域
通過フィルタ、受信側バラン及び送信側バランを構成す
る全ての素子、並びに、高周波スイッチの一部の素子を
内蔵し、高周波スイッチの残りの素子を搭載したため、
高域通過フィルタと高周波スイッチとの間、高周波スイ
ッチと受信側バランとの間、高周波スイッチと送信側バ
ランとの間それぞれの整合調整が容易となり、それぞれ
の間に整合調整を行なう整合回路が不要となる。したが
って、高周波モジュールの小型化が可能となる。
【００４４】図９は、本発明の高周波モジュールに係る
第２の実施例のブロック図である。高周波モジュール２
０は、第１〜第５の端子２０１〜２０５、ノッチフィル
タ２１、高周波スイッチ１２、送信側バラン１３及び受
信側バラン１４で構成される。
第２の実施例のブロック図である。高周波モジュール２
０は、第１〜第５の端子２０１〜２０５、ノッチフィル
タ２１、高周波スイッチ１２、送信側バラン１３及び受
信側バラン１４で構成される。
【００４５】ノッチフィルタ２１は、不要な高周波信
号、例えば、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）、ＤＣＳ（１．
８ＧＨｚ帯）、ＰＣＳ（１．９ＧＨｚ帯）に代表される
他の通信システムの送信信号及び受信信号を減衰させる
機能を備える。
号、例えば、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）、ＤＣＳ（１．
８ＧＨｚ帯）、ＰＣＳ（１．９ＧＨｚ帯）に代表される
他の通信システムの送信信号及び受信信号を減衰させる
機能を備える。
【００４６】また、高周波スイッチ１２、送信側バラン
１３及び受信側バラン１４の機能は、第１の実施例の高
周波モジュール１０（図１）と同様である。
１３及び受信側バラン１４の機能は、第１の実施例の高
周波モジュール１０（図１）と同様である。
【００４７】そして、高周波モジュール２０の第１の端
子２０１となるノッチフィルタ２１の第１端子２１１に
はアンテナＡＮＴ、第２端子２１２には高周波スイッチ
１２の第１の端子１２１がそれぞれ接続される。
子２０１となるノッチフィルタ２１の第１端子２１１に
はアンテナＡＮＴ、第２端子２１２には高周波スイッチ
１２の第１の端子１２１がそれぞれ接続される。
【００４８】また、高周波スイッチ１２の第２の端子１
２２には送信側バラン１３の不平衡端子１３１が、第３
の端子１２３には受信側バラン１４の不平衡端子１４１
がそれぞれ接続される。
２２には送信側バラン１３の不平衡端子１３１が、第３
の端子１２３には受信側バラン１４の不平衡端子１４１
がそれぞれ接続される。
【００４９】さらに、高周波モジュール２０の第２、第
３の端子２０２，２０３となる送信側バラン１３の平衡
端子１３２，１３３には送信回路Ｔｘが、高周波モジュ
ール２０の第４、第５の端子２０４，２０５となる受信
側バラン１４の平衡端子１４２，１４３には受信回路Ｒ
ｘがそれぞれ接続される。
３の端子２０２，２０３となる送信側バラン１３の平衡
端子１３２，１３３には送信回路Ｔｘが、高周波モジュ
ール２０の第４、第５の端子２０４，２０５となる受信
側バラン１４の平衡端子１４２，１４３には受信回路Ｒ
ｘがそれぞれ接続される。
【００５０】図１０は、図９に示す高周波モジュールを
構成するノッチフィルタの回路図である。ノッチフィル
タ２１は、インダクタＬ３１，Ｌ３２、及びコンデンサ
Ｃ３１，Ｃ３２で構成され、第１及び第２の端子２１
１，２１２とグランドとの間に、インダクタＬ３１及び
コンデンサＣ３１からなる直列回路とインダクタＬ３２
及びコンデンサＣ３２からなる直列回路とが並列接続さ
れる。
構成するノッチフィルタの回路図である。ノッチフィル
タ２１は、インダクタＬ３１，Ｌ３２、及びコンデンサ
Ｃ３１，Ｃ３２で構成され、第１及び第２の端子２１
１，２１２とグランドとの間に、インダクタＬ３１及び
コンデンサＣ３１からなる直列回路とインダクタＬ３２
及びコンデンサＣ３２からなる直列回路とが並列接続さ
れる。
【００５１】上述した第２の実施例の高周波モジュール
によれば、不要な高周波信号を減衰させるための高周波
フィルタにノッチフィルタを用いているため、高周波フ
ィルタでの挿入損失特性の劣化を防ぐことができる。し
たがって、送受信特性に優れた高周波モジュールを提供
することができ、その結果、無線機器の送受信特性を向
上させることができる。
によれば、不要な高周波信号を減衰させるための高周波
フィルタにノッチフィルタを用いているため、高周波フ
ィルタでの挿入損失特性の劣化を防ぐことができる。し
たがって、送受信特性に優れた高周波モジュールを提供
することができ、その結果、無線機器の送受信特性を向
上させることができる。
【００５２】また、減衰させたい高次高調波の近傍のみ
を減衰させることができ、その結果、基本波の通過帯域
への影響を小さくできる。したがって、基本波の通過帯
域における挿入損失を低減させることができるため、高
周波モジュール全体の損失を改善することが可能とな
る。図１１は、本発明の高周波モジュールに係る第３の
実施例のブロック図である。高周波モジュール３０は、
第１〜第５の端子３０１〜３０５、高域通過フィルタ１
１、高周波スイッチ１２、送信側バラン１３、受信側バ
ラン１４、低域通過フィルタ３１及び高出力増幅器３２
で構成される。
を減衰させることができ、その結果、基本波の通過帯域
への影響を小さくできる。したがって、基本波の通過帯
域における挿入損失を低減させることができるため、高
周波モジュール全体の損失を改善することが可能とな
る。図１１は、本発明の高周波モジュールに係る第３の
実施例のブロック図である。高周波モジュール３０は、
第１〜第５の端子３０１〜３０５、高域通過フィルタ１
１、高周波スイッチ１２、送信側バラン１３、受信側バ
ラン１４、低域通過フィルタ３１及び高出力増幅器３２
で構成される。
【００５３】低域通過フィルタ３１は、不要な高周波信
号である高出力増幅器３２からのノイズ、例えば、本通
信システム（２．４ＧＨｚ帯）の送信信号の高調波を減
衰させる機能を、高出力増幅器３２は、本通信システム
の送信信号を増幅される機能をそれぞれ備える。
号である高出力増幅器３２からのノイズ、例えば、本通
信システム（２．４ＧＨｚ帯）の送信信号の高調波を減
衰させる機能を、高出力増幅器３２は、本通信システム
の送信信号を増幅される機能をそれぞれ備える。
【００５４】また、高域通過フィルタ１１、高周波スイ
ッチ１２、送信側バラン１３及び受信側バラン１４の機
能は、第１の実施例の高周波モジュール１０（図１）と
同様である。
ッチ１２、送信側バラン１３及び受信側バラン１４の機
能は、第１の実施例の高周波モジュール１０（図１）と
同様である。
【００５５】そして、高周波モジュール３０の第１の端
子３０１となる高域通過フィルタ１１の第１端子１１１
にはアンテナＡＮＴ、第２端子１１２には高周波スイッ
チ１２の第１の端子１２１がそれぞれ接続される。
子３０１となる高域通過フィルタ１１の第１端子１１１
にはアンテナＡＮＴ、第２端子１１２には高周波スイッ
チ１２の第１の端子１２１がそれぞれ接続される。
【００５６】また、高周波スイッチ１２の第２の端子１
２２には低域通過フィルタ３１の第１の端子３１１が、
第３の端子１２３には受信側バラン１４の不平衡端子１
４１がそれぞれ接続される。
２２には低域通過フィルタ３１の第１の端子３１１が、
第３の端子１２３には受信側バラン１４の不平衡端子１
４１がそれぞれ接続される。
【００５７】さらに、低域通過フィルタ３１の第２の端
子３１２には高出力増幅器３２の第１の端子３２１が、
高出力増幅器３２の第２の端子３２２には送信側バラン
１３の不平衡端子１３１がそれぞれ接続される。
子３１２には高出力増幅器３２の第１の端子３２１が、
高出力増幅器３２の第２の端子３２２には送信側バラン
１３の不平衡端子１３１がそれぞれ接続される。
【００５８】また、高周波モジュール３０の第２、第３
の端子３０２，３０３となる送信側バラン１３の平衡端
子１３２，１３３には送信回路Ｔｘが、高周波モジュー
ル２０の第４、第５の端子２０４，２０５となる受信側
バラン１４の平衡端子１４２，１４３には受信回路Ｒｘ
がそれぞれ接続される。
の端子３０２，３０３となる送信側バラン１３の平衡端
子１３２，１３３には送信回路Ｔｘが、高周波モジュー
ル２０の第４、第５の端子２０４，２０５となる受信側
バラン１４の平衡端子１４２，１４３には受信回路Ｒｘ
がそれぞれ接続される。
【００５９】図１２は、図１１に示す高周波モジュール
を構成する低域通過フィルタの回路図である。低域通過
フィルタ３１は、インダクタＬ４１、及びコンデンサＣ
４１〜Ｃ４３で構成され、第１の端子３１１と第２の端
子３１２との間に、インダクタＬ４１及びコンデンサＣ
４１からなる並列回路が接続され、その並列回路の両端
がコンデンサＣ４２，Ｃ４３を介してグランドに接続さ
れる。
を構成する低域通過フィルタの回路図である。低域通過
フィルタ３１は、インダクタＬ４１、及びコンデンサＣ
４１〜Ｃ４３で構成され、第１の端子３１１と第２の端
子３１２との間に、インダクタＬ４１及びコンデンサＣ
４１からなる並列回路が接続され、その並列回路の両端
がコンデンサＣ４２，Ｃ４３を介してグランドに接続さ
れる。
【００６０】上述した第３の実施例の高周波モジュール
によれば、送信信号の出力を上げるために接続した高出
力増幅器で発生するノイズを高域通過フィルタ及び低域
通過フィルタで取り除くことができる。したがって、高
出力の送信信号が必要な無線機器の送信特性を向上させ
ることができる。
によれば、送信信号の出力を上げるために接続した高出
力増幅器で発生するノイズを高域通過フィルタ及び低域
通過フィルタで取り除くことができる。したがって、高
出力の送信信号が必要な無線機器の送信特性を向上させ
ることができる。
【００６１】なお、上記の実施例の高周波モジュールに
おいて、多層基板に、高域通過フィルタあるいはノッチ
フィルタ、受信側バラン及び送信側バランを構成する全
ての素子、並びに、高周波スイッチの一部の素子を内蔵
され、高周波スイッチの残りの素子を搭載される場合に
ついて説明したが、高域通過フィルタあるいはノッチフ
ィルタ、受信側バラン及び送信側バランを構成する全て
の素子、並びに、高周波スイッチの一部の素子を内蔵し
た多層基板と、高周波スイッチの残りの素子とを同一の
プリント基板上に実装したような構成でも良い。
おいて、多層基板に、高域通過フィルタあるいはノッチ
フィルタ、受信側バラン及び送信側バランを構成する全
ての素子、並びに、高周波スイッチの一部の素子を内蔵
され、高周波スイッチの残りの素子を搭載される場合に
ついて説明したが、高域通過フィルタあるいはノッチフ
ィルタ、受信側バラン及び送信側バランを構成する全て
の素子、並びに、高周波スイッチの一部の素子を内蔵し
た多層基板と、高周波スイッチの残りの素子とを同一の
プリント基板上に実装したような構成でも良い。
【００６２】また、第３の実施例の高周波モジュールに
おいて、高周波スイッチと送信側バランとの間に、低域
通過フィルタ及び高出力増幅器を配設する場合について
説明したが、ノッチフィルタ及び高出力増幅器を配設し
てもよい。この場合には、ノッチフィルタで減衰させた
い高出力増幅器からのノイズの近傍のみを減衰させるこ
とができ、その結果、基本波の通過帯域への影響を小さ
くできる。したがって、基本波の通過帯域における挿入
損失を低減させることができるため、高周波モジュール
全体の損失を改善することが可能となる。
おいて、高周波スイッチと送信側バランとの間に、低域
通過フィルタ及び高出力増幅器を配設する場合について
説明したが、ノッチフィルタ及び高出力増幅器を配設し
てもよい。この場合には、ノッチフィルタで減衰させた
い高出力増幅器からのノイズの近傍のみを減衰させるこ
とができ、その結果、基本波の通過帯域への影響を小さ
くできる。したがって、基本波の通過帯域における挿入
損失を低減させることができるため、高周波モジュール
全体の損失を改善することが可能となる。
【００６３】
【発明の効果】請求項１の高周波モジュールによれば、
不要な高周波信号を減衰させるための高周波フィルタに
高域通過フィルタを用いているため、高周波フィルタで
の挿入損失特性の劣化を防ぐことができる。したがっ
て、送受信特性に優れた高周波モジュールを提供するこ
とができ、その結果、無線機器の送受信特性を向上させ
ることができる。
不要な高周波信号を減衰させるための高周波フィルタに
高域通過フィルタを用いているため、高周波フィルタで
の挿入損失特性の劣化を防ぐことができる。したがっ
て、送受信特性に優れた高周波モジュールを提供するこ
とができ、その結果、無線機器の送受信特性を向上させ
ることができる。
【００６４】請求項２の高周波モジュールによれば、不
要な高周波信号を減衰させるための高周波フィルタにノ
ッチフィルタを用いているため、高周波フィルタでの挿
入損失特性の劣化を防ぐことができる。したがって、送
受信特性に優れた高周波モジュールを提供することがで
き、その結果、無線機器の送受信特性を向上させること
ができる。
要な高周波信号を減衰させるための高周波フィルタにノ
ッチフィルタを用いているため、高周波フィルタでの挿
入損失特性の劣化を防ぐことができる。したがって、送
受信特性に優れた高周波モジュールを提供することがで
き、その結果、無線機器の送受信特性を向上させること
ができる。
【００６５】また、減衰させたい高次高調波の近傍のみ
を減衰させることができ、その結果、基本波の通過帯域
への影響を小さくできる。したがって、基本波の通過帯
域における挿入損失を低減させることができるため、高
周波モジュール全体の損失を改善することが可能とな
る。
を減衰させることができ、その結果、基本波の通過帯域
への影響を小さくできる。したがって、基本波の通過帯
域における挿入損失を低減させることができるため、高
周波モジュール全体の損失を改善することが可能とな
る。
【００６６】請求項３の高周波モジュールによれば、複
数の誘電体層を積層してなる多層基板を備えているた
め、高域通過フィルタあるいはノッチフィルタ、高周波
スイッチ、受信側バラン及び送信側バランの各接続を多
層基板の内部に設けることができる。したがって、それ
ぞれの接続による損失を改善することができるため、高
周波モジュール全体の損失を改善することが可能となる
請求項４の高周波モジュールによれば、複数の誘電体層
を積層してなる多層基板を備え、多層基板に、高域通過
フィルタあるいはノッチフィルタ、受信側バラン及び送
信側バランを構成する全ての素子、並びに、高周波スイ
ッチの一部の素子を内蔵し、高周波スイッチの残りの素
子を搭載したため、高域通過フィルタあるいはノッチフ
ィルタと高周波スイッチとの間、高周波スイッチと受信
側バランとの間、高周波スイッチと送信側バランとの間
それぞれの整合調整が容易となり、それぞれの間に整合
調整を行なう整合回路が不要となる。したがって、高周
波モジュールの小型化が可能となる。
数の誘電体層を積層してなる多層基板を備えているた
め、高域通過フィルタあるいはノッチフィルタ、高周波
スイッチ、受信側バラン及び送信側バランの各接続を多
層基板の内部に設けることができる。したがって、それ
ぞれの接続による損失を改善することができるため、高
周波モジュール全体の損失を改善することが可能となる
請求項４の高周波モジュールによれば、複数の誘電体層
を積層してなる多層基板を備え、多層基板に、高域通過
フィルタあるいはノッチフィルタ、受信側バラン及び送
信側バランを構成する全ての素子、並びに、高周波スイ
ッチの一部の素子を内蔵し、高周波スイッチの残りの素
子を搭載したため、高域通過フィルタあるいはノッチフ
ィルタと高周波スイッチとの間、高周波スイッチと受信
側バランとの間、高周波スイッチと送信側バランとの間
それぞれの整合調整が容易となり、それぞれの間に整合
調整を行なう整合回路が不要となる。したがって、高周
波モジュールの小型化が可能となる。
【００６７】請求項５の無線機器によれば、挿入損失特
性の劣化を防いだ高周波モジュールを用いているため、
無線機器の挿入損失特性の劣化を防ぐことが可能であ
る。
性の劣化を防いだ高周波モジュールを用いているため、
無線機器の挿入損失特性の劣化を防ぐことが可能であ
る。
【図１】本発明の高周波モジュールに係る第１の実施例
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】図１に示す高周波モジュールを構成する高域通
過フィルタの回路図である。
過フィルタの回路図である。
【図３】図１に示す高周波モジュールを構成する高周波
スイッチの回路図である。
スイッチの回路図である。
【図４】図１に示す高周波モジュールを構成する（ａ）
受信側バラン、（ｂ）送信側バランの回路図である。
受信側バラン、（ｂ）送信側バランの回路図である。
【図５】図１に示す高周波モジュールの具体的な構成を
示す一部分解斜視図である。
示す一部分解斜視図である。
【図６】図５に示す高周波モジュールをなす多層基板を
構成する（ａ）第１の誘電体層〜（ｄ）第４の誘電体層
の上面図である。
構成する（ａ）第１の誘電体層〜（ｄ）第４の誘電体層
の上面図である。
【図７】図５に示す高周波モジュールをなす多層基板を
構成する（ａ）第１の誘電体層〜（ｄ）第４の誘電体層
の上面図である。
構成する（ａ）第１の誘電体層〜（ｄ）第４の誘電体層
の上面図である。
【図８】図５に示す高周波モジュールをなす多層基板を
構成する（ａ）第９の誘電体層の上面図及び（ｂ）第９
の誘電体層の下面図である。
構成する（ａ）第９の誘電体層の上面図及び（ｂ）第９
の誘電体層の下面図である。
【図９】本発明の高周波モジュールに係る第２の実施例
のブロック図である。
のブロック図である。
【図１０】図９に示す高周波モジュールを構成するノッ
チフィルタの回路図である。
チフィルタの回路図である。
【図１１】本発明の高周波モジュールに係る第３の実施
例のブロック図である。
例のブロック図である。
【図１２】図１１に示す高周波モジュールを構成する低
域通過フィルタの回路図である。
域通過フィルタの回路図である。
【図１３】従来のＢｌｕｅｔｏｏｔｈ向けＲＦ回路を示
すブロック図である。
すブロック図である。
１０，２０ 高周波モジュール １１ 高域通過フィルタ １２ 高周波スイッチ １３ 送信側バラン １４ 受信側バラン １５ 多層基板 １５１〜１５９ 誘電体層 ２１ ノッチフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｑ Ｆターム(参考） 5E346 AA32 AA51 BB01 BB06 CC18 FF45 HH06 HH22 5J006 KA01 KA04 KA21 KA24 LA02 5J012 BA03 BA04 5J024 AA01 BA01 BA11 CA09 DA01 EA02 EA07 5K011 AA06 DA02 DA27 JA01 KA13 KA18
Claims (5)
- 【請求項１】 不要な高周波信号を減衰させる高周波フ
ィルタ、送信信号と受信信号とを切り換える高周波スイ
ッチ、平衡信号を不平衡信号へ変換する送信側バラン、
及び不平衡信号を平衡信号へ変換する受信側バランを備
え、前記高周波フィルタがアンテナと前記高周波スイッ
チの第１の端子との間に配設されるとともに、前記高周
波スイッチの第２の端子と前記送信側バランの不平衡端
子とが接続され、前記高周波スイッチの第３の端子と前
記受信側バランの不平衡端子とが接続される高周波モジ
ュールであって、 前記高周波フィルタが、高域通過フィルタであることを
特徴とする高周波モジュール。 - 【請求項２】 不要な高周波信号を減衰させる高周波フ
ィルタ、送信信号と受信信号とを切り換える高周波スイ
ッチ、平衡信号を不平衡信号へ変換する送信側バラン、
及び不平衡信号を平衡信号へ変換する受信側バランを備
え、前記高周波フィルタがアンテナと前記高周波スイッ
チの第１の端子との間に配設されるとともに、前記高周
波スイッチの第２の端子と前記送信側バランの不平衡端
子とが接続され、前記高周波スイッチの第３の端子と前
記受信側バランの不平衡端子とが接続される高周波モジ
ュールであって、 前記高周波フィルタが、ノッチフィルタであることを特
徴とする高周波モジュール。 - 【請求項３】 不要な高周波信号を減衰させる高域通過
フィルタあるいはノッチフィルタ、送信信号と受信信号
とを切り換える高周波スイッチ、平衡信号を不平衡信号
へ変換する送信側バラン、及び不平衡信号を平衡信号へ
変換する受信側バランを備え、前記高域通過フィルタあ
るいは前記ノッチフィルタがアンテナと前記高周波スイ
ッチの第１の端子との間に配設されるとともに、前記高
周波スイッチの第２の端子と前記送信側バランの不平衡
端子とが接続され、前記高周波スイッチの第３の端子と
前記受信側バランの不平衡端子とが接続される高周波モ
ジュールであって、 複数の誘電体層を積層してなる多層基板を備えることを
特徴とする高周波モジュール。 - 【請求項４】 前記多層基板に、前記高域通過フィルタ
あるいは前記ノッチフィルタ、前記送信側バラン、及び
前記受信側バランを構成する全ての素子と、前記高周波
スイッチを構成する一部の素子を内蔵し、前記高周波ス
イッチを構成する残りの素子を搭載したことを特徴とす
る請求項３に記載の高周波モジュール。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の高周波モジュールを用いたことを特徴とする無線機
器。
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