JP3220679B2 - ２周波スイッチ、２周波アンテナ共用器およびそれを用いた２周波帯域用移動体通信機器 - Google Patents
２周波スイッチ、２周波アンテナ共用器およびそれを用いた２周波帯域用移動体通信機器Info
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- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として携帯電話
等の移動体通信に用いられる２周波スイッチ、２周波ア
ンテナ共用器およびそれを用いた２周波帯域用移動体通
信機器に関するものである。
等の移動体通信に用いられる２周波スイッチ、２周波ア
ンテナ共用器およびそれを用いた２周波帯域用移動体通
信機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の従来の高周波スイッチ
は、特開平７−３２１６９２号公報に開示されているよ
うなものが知られている。その回路構成は図１３に示す
ように、ＰＩＮダイオード１００１とその補償回路１０
０２との並列接続体からなり、この補償回路１００２は
コンデンサ１００３とインダクタ１００４を直列接続し
た構成となっている。補償回路１００２はＰＩＮダイオ
ード１００１が非導通の際にスイッチ回路をＯＦＦ状態
にするためのもので、非導通時のＰＩＮダイオード１０
０１の寄生容量をインダクタ１００４がキャンセルして
所望の帯域において並列共振するように設定される。コ
ンデンサ１００３はＰＩＮダイオード１００１が導通し
てスイッチ回路をＯＮ状態とした際に補償回路の直流電
流経路を遮断するためのいわゆるＤＣカット素子であ
る。結果としてこの補償回路１００２は直流近傍の周波
数で容量性、所望帯域において誘導性のインピーダンス
を有するものとなり、その間に一つの直列共振点を有す
る回路となる。
は、特開平７−３２１６９２号公報に開示されているよ
うなものが知られている。その回路構成は図１３に示す
ように、ＰＩＮダイオード１００１とその補償回路１０
０２との並列接続体からなり、この補償回路１００２は
コンデンサ１００３とインダクタ１００４を直列接続し
た構成となっている。補償回路１００２はＰＩＮダイオ
ード１００１が非導通の際にスイッチ回路をＯＦＦ状態
にするためのもので、非導通時のＰＩＮダイオード１０
０１の寄生容量をインダクタ１００４がキャンセルして
所望の帯域において並列共振するように設定される。コ
ンデンサ１００３はＰＩＮダイオード１００１が導通し
てスイッチ回路をＯＮ状態とした際に補償回路の直流電
流経路を遮断するためのいわゆるＤＣカット素子であ
る。結果としてこの補償回路１００２は直流近傍の周波
数で容量性、所望帯域において誘導性のインピーダンス
を有するものとなり、その間に一つの直列共振点を有す
る回路となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、移動体通信の利
用者が急増するにともない、通話チャネルを確保するた
めに、二つの周波数帯域のシステムを一つの通信機で使
用できるようにする試みが実施されている。この場合、
二つの帯域において機能するスイッチ回路が必要となる
が、従来の高周波スイッチではＰＩＮダイオードが非導
通時で一つの帯域でしか充分なＯＦＦ状態が得られなか
ったため、このようなシステムを実現しようとすると、
それぞれの帯域に応じた高周波スイッチを２つ用意する
必要があり、回路が複雑で大きくなるとともにコストア
ップにつながるといった課題を有していた。
用者が急増するにともない、通話チャネルを確保するた
めに、二つの周波数帯域のシステムを一つの通信機で使
用できるようにする試みが実施されている。この場合、
二つの帯域において機能するスイッチ回路が必要となる
が、従来の高周波スイッチではＰＩＮダイオードが非導
通時で一つの帯域でしか充分なＯＦＦ状態が得られなか
ったため、このようなシステムを実現しようとすると、
それぞれの帯域に応じた高周波スイッチを２つ用意する
必要があり、回路が複雑で大きくなるとともにコストア
ップにつながるといった課題を有していた。
【０００４】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、簡単な構成で二つの帯域で充分なＯＦＦ状態が得
られる２周波スイッチを実現することを目的とする。
あり、簡単な構成で二つの帯域で充分なＯＦＦ状態が得
られる２周波スイッチを実現することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、２つの帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを可
能にする２周波スイッチであって、１つのダイオードと
その補償回路との並列接続体からなり、前記補償回路が
少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共振点を有
し、直流では無限大のインピーダンスを有するととも
に、直流近傍の低周波では容量性である前記補償回路の
インピーダンスが最初の直列共振点を経て誘導性となっ
て第１の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量
をキャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振点
を経て再び誘導性となって第２の帯域における非導通時
のダイオードの寄生容量をキャンセルするとともに、前
記補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列
接続体より構成され、前記第１および第２の帯域のそれ
ぞれにおいて前記直列共振回路を形成するコンデンサが
前記ダイオードが導通してスイッチがＯＮ状態となった
際に、前記補償回路の直流電流経路を遮断するととも
に、スイッチがＯＦＦ状態となった際に、それぞれの帯
域において前記ダイオードの寄生容量をキャンセルする
構成を有している。
に本発明は、２つの帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを可
能にする２周波スイッチであって、１つのダイオードと
その補償回路との並列接続体からなり、前記補償回路が
少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共振点を有
し、直流では無限大のインピーダンスを有するととも
に、直流近傍の低周波では容量性である前記補償回路の
インピーダンスが最初の直列共振点を経て誘導性となっ
て第１の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量
をキャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振点
を経て再び誘導性となって第２の帯域における非導通時
のダイオードの寄生容量をキャンセルするとともに、前
記補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列
接続体より構成され、前記第１および第２の帯域のそれ
ぞれにおいて前記直列共振回路を形成するコンデンサが
前記ダイオードが導通してスイッチがＯＮ状態となった
際に、前記補償回路の直流電流経路を遮断するととも
に、スイッチがＯＦＦ状態となった際に、それぞれの帯
域において前記ダイオードの寄生容量をキャンセルする
構成を有している。
【０００６】この構成によって、直流近傍の低周波にお
いて容量性である補償回路のインピーダンスが最初の直
列共振点を経て誘導性となり、第１の帯域においてダイ
オードの寄生容量をキャンセルすることができるととも
に、並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性と
なり、第２の帯域において再度ダイオードの寄生容量を
キャンセルすることができるため、簡単な構成で二つの
帯域で充分なＯＦＦ状態が得られる２周波スイッチを実
現することができる。
いて容量性である補償回路のインピーダンスが最初の直
列共振点を経て誘導性となり、第１の帯域においてダイ
オードの寄生容量をキャンセルすることができるととも
に、並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性と
なり、第２の帯域において再度ダイオードの寄生容量を
キャンセルすることができるため、簡単な構成で二つの
帯域で充分なＯＦＦ状態が得られる２周波スイッチを実
現することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、２つの帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを可能にする
２周波スイッチであって、１つのダイオードとその補償
回路との並列接続体からなり、前記補償回路が少なくと
も二つの直列共振点と一つの並列共振点を有し、直流で
は無限大のインピーダンスを有するとともに、直流近傍
の低周波では容量性である前記補償回路のインピーダン
スが最初の直列共振点を経て誘導性となって第１の帯域
における非導通時のダイオードの寄生容量をキャンセル
し、さらに並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘
導性となって第２の帯域における非導通時のダイオード
の寄生容量をキャンセルするとともに、前記補償回路が
直列共振回路と並列共振回路からなる直列接続体より構
成され、前記第１および第２の帯域のそれぞれにおいて
前記直列共振回路を形成するコンデンサが前記ダイオー
ドが導通してスイッチがＯＮ状態となった際に、前記補
償回路の直流電流経路を遮断するとともに、スイッチが
ＯＦＦ状態となった際に、それぞれの帯域において前記
ダイオードの寄生容量をキャンセルするすることができ
るため、簡単な構成で二つの帯域で充分なＯＦＦ状態が
得られる２周波スイッチを実現することができるという
作用を有する。
は、２つの帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを可能にする
２周波スイッチであって、１つのダイオードとその補償
回路との並列接続体からなり、前記補償回路が少なくと
も二つの直列共振点と一つの並列共振点を有し、直流で
は無限大のインピーダンスを有するとともに、直流近傍
の低周波では容量性である前記補償回路のインピーダン
スが最初の直列共振点を経て誘導性となって第１の帯域
における非導通時のダイオードの寄生容量をキャンセル
し、さらに並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘
導性となって第２の帯域における非導通時のダイオード
の寄生容量をキャンセルするとともに、前記補償回路が
直列共振回路と並列共振回路からなる直列接続体より構
成され、前記第１および第２の帯域のそれぞれにおいて
前記直列共振回路を形成するコンデンサが前記ダイオー
ドが導通してスイッチがＯＮ状態となった際に、前記補
償回路の直流電流経路を遮断するとともに、スイッチが
ＯＦＦ状態となった際に、それぞれの帯域において前記
ダイオードの寄生容量をキャンセルするすることができ
るため、簡単な構成で二つの帯域で充分なＯＦＦ状態が
得られる２周波スイッチを実現することができるという
作用を有する。
【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、２つの
帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを可能にする２周波スイ
ッチであって、１つのダイオードとその補償回路との並
列接続体からなり、前記補償回路が少なくとも二つの直
列共振点と一つの並列共振点を有し、直流では無限大の
インピーダンスを有するとともに、直流近傍の低周波で
は容量性である前記補償回路のインピーダンスが最初の
直列共振点を経て誘導性となって第１の帯域における非
導通時のダイオードの寄生容量をキャンセルし、さらに
並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性となっ
て第２の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量
をキャンセルするとともに、前記補償回路が第１の直列
共振回路と第２の直列共振回路からなる並列接続体によ
り構成され、前記第１および第２の帯域のそれぞれにお
いて前記第１および第２の直列共振回路を形成するコン
デンサが前記ダイオードが導通してスイッチがＯＮ状態
となった際に、前記補償回路の直流電流経路を遮断する
とともに、スイッチがＯＦＦ状態となった際に、それぞ
れの帯域において前記ダイオードの寄生容量をキャンセ
ルするすることができるため、簡単な構成で二つの帯域
で充分なＯＦＦ状態が得られる２周波スイッチを実現す
ることができるという作用を有する。
帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを可能にする２周波スイ
ッチであって、１つのダイオードとその補償回路との並
列接続体からなり、前記補償回路が少なくとも二つの直
列共振点と一つの並列共振点を有し、直流では無限大の
インピーダンスを有するとともに、直流近傍の低周波で
は容量性である前記補償回路のインピーダンスが最初の
直列共振点を経て誘導性となって第１の帯域における非
導通時のダイオードの寄生容量をキャンセルし、さらに
並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性となっ
て第２の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量
をキャンセルするとともに、前記補償回路が第１の直列
共振回路と第２の直列共振回路からなる並列接続体によ
り構成され、前記第１および第２の帯域のそれぞれにお
いて前記第１および第２の直列共振回路を形成するコン
デンサが前記ダイオードが導通してスイッチがＯＮ状態
となった際に、前記補償回路の直流電流経路を遮断する
とともに、スイッチがＯＦＦ状態となった際に、それぞ
れの帯域において前記ダイオードの寄生容量をキャンセ
ルするすることができるため、簡単な構成で二つの帯域
で充分なＯＦＦ状態が得られる２周波スイッチを実現す
ることができるという作用を有する。
【０００９】本発明の請求項３に記載の発明は、２つの
帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを可能にするスイッチを
２つ用いて共通端子から第１の端子または第２の端子へ
の切替を行う２周波スイッチであって、第１の端子と共
通端子との間に設けられた第１のスイッチと、第２の端
子と共通端子との間に設けられた第２のスイッチと、共
通端子とグランドとの間に接続されたチョークコイルと
を有し、第１のスイッチは第１のダイオードと第１の補
償回路とが並列に接続された第１の並列接続体とからな
り、第２のスイッチは前記第１のダイオードとは逆向き
に接続された第２のダイードと第２の補償回路とが並列
に接続された第２の並列接続体とからなり、第１および
第２の補償回路のそれぞれが少なくとも二つの直列共振
点と一つの並列共振点を有し、直流では無限大のインピ
ーダンスを有するとともに、直流近傍の低周波では容量
性である前記補償回路のインピーダンスが最初の直列共
振点を経て誘導性となって第１の帯域における非導通時
のダイオードの寄生容量をキャンセルし、さらに並列共
振点から次の直列共振点を経て再び誘導性となって第２
の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量をキャ
ンセルするとともに、スイッチがＯＦＦ状態となった際
に、それぞれの帯域において前記ダイオードの寄生容量
をキャンセルすることを特徴とする２周波スイッチであ
り、この構成により、共通端子から第１の端子または第
２の端子への切り替えを行う、いわゆる単極双投スイッ
チ（以下、ＳＰＤＴスイッチ）を構成することができる
という作用を有する。
帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを可能にするスイッチを
２つ用いて共通端子から第１の端子または第２の端子へ
の切替を行う２周波スイッチであって、第１の端子と共
通端子との間に設けられた第１のスイッチと、第２の端
子と共通端子との間に設けられた第２のスイッチと、共
通端子とグランドとの間に接続されたチョークコイルと
を有し、第１のスイッチは第１のダイオードと第１の補
償回路とが並列に接続された第１の並列接続体とからな
り、第２のスイッチは前記第１のダイオードとは逆向き
に接続された第２のダイードと第２の補償回路とが並列
に接続された第２の並列接続体とからなり、第１および
第２の補償回路のそれぞれが少なくとも二つの直列共振
点と一つの並列共振点を有し、直流では無限大のインピ
ーダンスを有するとともに、直流近傍の低周波では容量
性である前記補償回路のインピーダンスが最初の直列共
振点を経て誘導性となって第１の帯域における非導通時
のダイオードの寄生容量をキャンセルし、さらに並列共
振点から次の直列共振点を経て再び誘導性となって第２
の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量をキャ
ンセルするとともに、スイッチがＯＦＦ状態となった際
に、それぞれの帯域において前記ダイオードの寄生容量
をキャンセルすることを特徴とする２周波スイッチであ
り、この構成により、共通端子から第１の端子または第
２の端子への切り替えを行う、いわゆる単極双投スイッ
チ（以下、ＳＰＤＴスイッチ）を構成することができる
という作用を有する。
【００１０】本発明の請求項４に記載の発明は、第１の
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項３記載の
２周波スイッチであり、この構成によって、第１の補償
回路を簡単な回路で構成することができるという作用を
有する。
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項３記載の
２周波スイッチであり、この構成によって、第１の補償
回路を簡単な回路で構成することができるという作用を
有する。
【００１１】本発明の請求項５に記載の発明は、第１の
補償回路が第１の直列共振回路と第２の直列共振回路か
らなる並列接続体により構成されたことを特徴とする請
求項３記載の２周波スイッチであり、この構成により、
第１の補償回路を別の簡単な回路で構成することができ
るという作用を有する。
補償回路が第１の直列共振回路と第２の直列共振回路か
らなる並列接続体により構成されたことを特徴とする請
求項３記載の２周波スイッチであり、この構成により、
第１の補償回路を別の簡単な回路で構成することができ
るという作用を有する。
【００１２】本発明の請求項６に記載の発明は、第２の
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項３に記載
の２周波スイッチであり、この構成によって、第２の補
償回路を簡単な回路で構成することができるという作用
を有する。
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項３に記載
の２周波スイッチであり、この構成によって、第２の補
償回路を簡単な回路で構成することができるという作用
を有する。
【００１３】本発明の請求項７に記載の発明は、第２の
補償回路が第１の直列共振回路と第２の直列共振回路か
らなる並列接続体により構成されたことを特徴とする請
求項３に記載の２周波スイッチであり、この構成によ
り、第２の補償回路を別の簡単な回路で構成することが
できるという作用を有する。
補償回路が第１の直列共振回路と第２の直列共振回路か
らなる並列接続体により構成されたことを特徴とする請
求項３に記載の２周波スイッチであり、この構成によ
り、第２の補償回路を別の簡単な回路で構成することが
できるという作用を有する。
【００１４】本発明の請求項８に記載の発明は、第１の
端子と第２の端子と共通端子を有し、第１の端子と共通
端子の間に接続された第１のダイオードと第１の補償回
路からなる並列接続体と、共通端子と第２の端子の間に
接続された第１の移相回路と第２の移相回路からなる第
１の直列接続体と、第１の移相回路と第２の移相回路と
の接続点とグランドとの間に接続された第２のダイオー
ドと第２の補償回路からなる第２の直列接続体と、第２
の端子とグランドとの間に接続された第３のダイオード
とを備え、第１の補償回路が少なくとも二つの直列共振
点と一つの並列共振点を有し、直流近傍の低周波におい
て容量性である前記補償回路のインピーダンスが最初の
直列共振点を経て誘導性となって第１の帯域における非
導通時のダイオードの寄生容量をキャンセルし、さらに
並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性となっ
て第２の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量
をキャンセルするとともに、第２の補償回路が第１の帯
域において並列共振状態、第２の帯域において導通時の
第２のダイオードの寄生容量との間で直列共振状態にな
るように第１および第２の移相回路が設定され、第１の
移相回路の位相と第 ２の移相回路の位相との和が略９０
°となる第１の帯域において、第２の補償回路が並列共
振状態となるとともに、第１の移相回路の位相が略９０
°となる第２の帯域において、導通時の第２のダイオー
ドの寄生容量と第２の補償回路とが直列共振状態となる
ことを特徴とする２周波スイッチであり、この構成によ
り、第１のダイオードと第１の補償回路からなる並列接
続体によって第１の端子と共通端子との間に第１のスイ
ッチが形成され、さらに第１の移相回路と第２の移相回
路と第２のダイオードおよび第２の補償回路からなる直
列接続体と第３のダイオードによって共通端子と第２の
端子との間に第２のスイッチが形成されるため、共通端
子から第１の端子または第２の端子へ切り替えるＳＰＤ
Ｔスイッチを構成することができ、第１の移相回路の位
相と第２の移相回路の位相との和が略９０°となる第１
の帯域において、第２のダイオードの影響を無視するこ
とができるため、共通端子から第１および第２の移相回
路の９０°位相を介して見た第３のダイオード導通時の
インピーダンスは充分に高くなり、共通端子と第２の端
子間において充分なスイッチＯＦＦ状態が得られるＳＰ
ＤＴスイッチを実現することができるとともに、第１の
移相回路の位相が略９０°となる第２の帯域において、
第２のダイオード導通時の寄生インダクタンス成分が補
償回路によってキャンセルされるため、共通端子から第
１の移相回路の９０°位相を介して見たインピーダンス
は充分に高くなり、共通端子と第２の端子間において充
分なスイッチＯＦＦ状態が得られるＳＰＤＴスイッチを
実現することができるという作用を有する。
端子と第２の端子と共通端子を有し、第１の端子と共通
端子の間に接続された第１のダイオードと第１の補償回
路からなる並列接続体と、共通端子と第２の端子の間に
接続された第１の移相回路と第２の移相回路からなる第
１の直列接続体と、第１の移相回路と第２の移相回路と
の接続点とグランドとの間に接続された第２のダイオー
ドと第２の補償回路からなる第２の直列接続体と、第２
の端子とグランドとの間に接続された第３のダイオード
とを備え、第１の補償回路が少なくとも二つの直列共振
点と一つの並列共振点を有し、直流近傍の低周波におい
て容量性である前記補償回路のインピーダンスが最初の
直列共振点を経て誘導性となって第１の帯域における非
導通時のダイオードの寄生容量をキャンセルし、さらに
並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性となっ
て第２の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量
をキャンセルするとともに、第２の補償回路が第１の帯
域において並列共振状態、第２の帯域において導通時の
第２のダイオードの寄生容量との間で直列共振状態にな
るように第１および第２の移相回路が設定され、第１の
移相回路の位相と第 ２の移相回路の位相との和が略９０
°となる第１の帯域において、第２の補償回路が並列共
振状態となるとともに、第１の移相回路の位相が略９０
°となる第２の帯域において、導通時の第２のダイオー
ドの寄生容量と第２の補償回路とが直列共振状態となる
ことを特徴とする２周波スイッチであり、この構成によ
り、第１のダイオードと第１の補償回路からなる並列接
続体によって第１の端子と共通端子との間に第１のスイ
ッチが形成され、さらに第１の移相回路と第２の移相回
路と第２のダイオードおよび第２の補償回路からなる直
列接続体と第３のダイオードによって共通端子と第２の
端子との間に第２のスイッチが形成されるため、共通端
子から第１の端子または第２の端子へ切り替えるＳＰＤ
Ｔスイッチを構成することができ、第１の移相回路の位
相と第２の移相回路の位相との和が略９０°となる第１
の帯域において、第２のダイオードの影響を無視するこ
とができるため、共通端子から第１および第２の移相回
路の９０°位相を介して見た第３のダイオード導通時の
インピーダンスは充分に高くなり、共通端子と第２の端
子間において充分なスイッチＯＦＦ状態が得られるＳＰ
ＤＴスイッチを実現することができるとともに、第１の
移相回路の位相が略９０°となる第２の帯域において、
第２のダイオード導通時の寄生インダクタンス成分が補
償回路によってキャンセルされるため、共通端子から第
１の移相回路の９０°位相を介して見たインピーダンス
は充分に高くなり、共通端子と第２の端子間において充
分なスイッチＯＦＦ状態が得られるＳＰＤＴスイッチを
実現することができるという作用を有する。
【００１５】本発明の請求項９に記載の発明は、第１の
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項８記載の
２周波スイッチであり、この構成によって、第１の補償
回路を簡単な回路で構成することができるという作用を
有する。
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項８記載の
２周波スイッチであり、この構成によって、第１の補償
回路を簡単な回路で構成することができるという作用を
有する。
【００１６】本発明の請求項１０に記載の発明は、第１
の補償回路が第１の直列共振回路と第２の直列共振回路
からなる並列接続体により構成されたことを特徴とする
請求項８記載の２周波スイッチであり、この構成によ
り、第１の補償回路を別の簡単な回路で構成することが
できるという作用を有する。
の補償回路が第１の直列共振回路と第２の直列共振回路
からなる並列接続体により構成されたことを特徴とする
請求項８記載の２周波スイッチであり、この構成によ
り、第１の補償回路を別の簡単な回路で構成することが
できるという作用を有する。
【００１７】本発明の請求項１１に記載の発明は、請求
項３または請求項８に記載の２周波スイッチと、第１の
送信側端子、第２の送信側端子および出力端子を有する
合成器と、第１の受信側端子、第２の受信側端子および
入力端子を有する分波器とからなり、前記２周波スイッ
チの第１の端子に前記合成器の出力端子を接続し、前記
２周波スイッチの第２の端子に前記分波器の入力端子を
接続した２周波アンテナ共用器である。この構成によっ
て、送信時には第１の送信側端子から入力した第１の帯
域の送信信号を合成器から２周波スイッチの第１の端子
を通して共通端子に出力し、また第２の送信側端子から
入力した第２の帯域の送信信号を合成器から２周波スイ
ッチの第１の端子を通して共通端子に出力することがで
きる。一方、受信時には共通端子から入力された受信信
号を２周波スイッチの第２の端子を通し、分波器によっ
て第１の帯域の信号成分を第１の受信側端子へ、第２の
帯域の信号成分を第２の受信側端子へ出力することがで
きる。この送受信の切り替えを２周波スイッチにより行
うことにより、二つの帯域で機能する２周波アンテナ共
用器を実現することができる。
項３または請求項８に記載の２周波スイッチと、第１の
送信側端子、第２の送信側端子および出力端子を有する
合成器と、第１の受信側端子、第２の受信側端子および
入力端子を有する分波器とからなり、前記２周波スイッ
チの第１の端子に前記合成器の出力端子を接続し、前記
２周波スイッチの第２の端子に前記分波器の入力端子を
接続した２周波アンテナ共用器である。この構成によっ
て、送信時には第１の送信側端子から入力した第１の帯
域の送信信号を合成器から２周波スイッチの第１の端子
を通して共通端子に出力し、また第２の送信側端子から
入力した第２の帯域の送信信号を合成器から２周波スイ
ッチの第１の端子を通して共通端子に出力することがで
きる。一方、受信時には共通端子から入力された受信信
号を２周波スイッチの第２の端子を通し、分波器によっ
て第１の帯域の信号成分を第１の受信側端子へ、第２の
帯域の信号成分を第２の受信側端子へ出力することがで
きる。この送受信の切り替えを２周波スイッチにより行
うことにより、二つの帯域で機能する２周波アンテナ共
用器を実現することができる。
【００１８】本発明の請求項１２に記載の発明は、合成
器が、第１の送信側端子と出力端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、第２の送信側端子と前記出力端
子との間に設けられた高域通過型フィルタとにより構成
された請求項１１に記載の２周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって合成器を単純な回路で実現するこ
とができる。
器が、第１の送信側端子と出力端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、第２の送信側端子と前記出力端
子との間に設けられた高域通過型フィルタとにより構成
された請求項１１に記載の２周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって合成器を単純な回路で実現するこ
とができる。
【００１９】本発明の請求項１３に記載の発明は、合成
器が、第１の送信側端子と出力端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、第２の送信側端子と前記出力端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタとにより構成
された請求項１１に記載の２周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって、それぞれの経路においてそれぞ
れの送信信号の高調波成分を取り除く機能を付加するこ
とができる。
器が、第１の送信側端子と出力端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、第２の送信側端子と前記出力端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタとにより構成
された請求項１１に記載の２周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって、それぞれの経路においてそれぞ
れの送信信号の高調波成分を取り除く機能を付加するこ
とができる。
【００２０】本発明の請求項１４に記載の発明は、分波
器が、入力端子と第１の受信側端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、前記入力端子と第２の受信側端
子との間に設けられた高域通過型フィルタとにより構成
された請求項１１に記載の２周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって分波器を単純な回路で実現するこ
とができる。
器が、入力端子と第１の受信側端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、前記入力端子と第２の受信側端
子との間に設けられた高域通過型フィルタとにより構成
された請求項１１に記載の２周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって分波器を単純な回路で実現するこ
とができる。
【００２１】本発明の請求項１５に記載の発明は、分波
器が、入力端子と第１の受信側端子との間に設けられた
帯域通過型フィルタと、前記入力端子と第２の受信側端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタとにより構成
された請求項１１に記載の２周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって、分波器のそれぞれの経路に信号
成分の高域側および低域側の不要波を取り除く機能を付
加することができる。
器が、入力端子と第１の受信側端子との間に設けられた
帯域通過型フィルタと、前記入力端子と第２の受信側端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタとにより構成
された請求項１１に記載の２周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって、分波器のそれぞれの経路に信号
成分の高域側および低域側の不要波を取り除く機能を付
加することができる。
【００２２】本発明の請求項１６に記載の発明は、請求
項１から請求項３および請求項８のいずれかに記載の２
周波スイッチを高周波回路に用いたことを特徴とする２
周波帯域用移動体通信機器であり、この構成によって、
二つの周波数帯域を利用できる移動体通信機器端末の高
周波回路を簡単に構成することができるという作用を有
する。
項１から請求項３および請求項８のいずれかに記載の２
周波スイッチを高周波回路に用いたことを特徴とする２
周波帯域用移動体通信機器であり、この構成によって、
二つの周波数帯域を利用できる移動体通信機器端末の高
周波回路を簡単に構成することができるという作用を有
する。
【００２３】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１２を用いて説明する。
から図１２を用いて説明する。
【００２４】（実施の形態１） 図１は本発明の実施の形態１における２周波スイッチを
示す。図１において、２周波スイッチはＰＩＮダイオー
ド１０１とその補償回路１０２との並列接続体から構成
され、補償回路１０２は第１のコンデンサ１０３と第１
のインダクタ１０４からなる直列共振回路と、第２のコ
ンデンサ１０５と第２のインダクタ１０６からなる並列
共振回路の直列接続体で構成されている。
示す。図１において、２周波スイッチはＰＩＮダイオー
ド１０１とその補償回路１０２との並列接続体から構成
され、補償回路１０２は第１のコンデンサ１０３と第１
のインダクタ１０４からなる直列共振回路と、第２のコ
ンデンサ１０５と第２のインダクタ１０６からなる並列
共振回路の直列接続体で構成されている。
【００２５】以上のように構成された２周波スイッチに
ついて、以下その動作を説明する。
ついて、以下その動作を説明する。
【００２６】補償回路１０２は第１のコンデンサ１０３
の効果が支配的となる直流近傍の低周波においては、そ
のインピーダンスが容量性を示す。次に第１のインダク
タ１０４、第２のコンデンサ１０５、および第２のイン
ダクタ１０６の合成インピーダンスと第１のコンデンサ
１０３が形成する直列共振点を経て補償回路１０２のイ
ンピーダンスは誘導性となり、第１の帯域において非導
通時のＰＩＮダイオード１０１が持つ寄生容量をキャン
セルし、スイッチは充分なＯＦＦ状態となる。
の効果が支配的となる直流近傍の低周波においては、そ
のインピーダンスが容量性を示す。次に第１のインダク
タ１０４、第２のコンデンサ１０５、および第２のイン
ダクタ１０６の合成インピーダンスと第１のコンデンサ
１０３が形成する直列共振点を経て補償回路１０２のイ
ンピーダンスは誘導性となり、第１の帯域において非導
通時のＰＩＮダイオード１０１が持つ寄生容量をキャン
セルし、スイッチは充分なＯＦＦ状態となる。
【００２７】次に第２のコンデンサ１０５と第２のイン
ダクタ１０６が形成する並列共振点を経て補償回路１０
２のインピーダンスは再び容量性となり、さらに第１の
コンデンサ１０３および第１のインダクタ１０４の合成
インピーダンスと並列共振回路が形成する直列共振点を
経て補償回路１０２のインピーダンスは再び誘導性とな
り、第２の帯域において非導通時のＰＩＮダイオード１
０１が持つ寄生容量をキャンセルし、スイッチは再び充
分なＯＦＦ状態となる。
ダクタ１０６が形成する並列共振点を経て補償回路１０
２のインピーダンスは再び容量性となり、さらに第１の
コンデンサ１０３および第１のインダクタ１０４の合成
インピーダンスと並列共振回路が形成する直列共振点を
経て補償回路１０２のインピーダンスは再び誘導性とな
り、第２の帯域において非導通時のＰＩＮダイオード１
０１が持つ寄生容量をキャンセルし、スイッチは再び充
分なＯＦＦ状態となる。
【００２８】なお、第１のコンデンサ１０３はＰＩＮダ
イオード１０１が導通してスイッチがＯＮ状態となった
際に、補償回路１０２の直流電流経路を遮断するための
いわゆる直流カット素子として作用する。
イオード１０１が導通してスイッチがＯＮ状態となった
際に、補償回路１０２の直流電流経路を遮断するための
いわゆる直流カット素子として作用する。
【００２９】図２は本実施の形態における２周波スイッ
チのＯＦＦ時のリアクタンス特性を示した特性図であ
る。図中のＸ１は非導通時のＰＩＮダイオード１０１の
寄生容量によるリアクタンスであり、Ｘ２は補償回路１
０２のリアクタンスである。寄生容量は、絶対値が等し
く極性が逆な回路を並列に接続することによりキャンセ
ルされるため、二つの直列共振点ｒ１，ｒ２と一つの並
列共振点ａ１とを有する補償回路１０２を並列に接続す
ることにより、図中の第１の帯域Ｍ１と第２の帯域Ｍ２
の２周波において寄生容量をキャンセルすることができ
る。
チのＯＦＦ時のリアクタンス特性を示した特性図であ
る。図中のＸ１は非導通時のＰＩＮダイオード１０１の
寄生容量によるリアクタンスであり、Ｘ２は補償回路１
０２のリアクタンスである。寄生容量は、絶対値が等し
く極性が逆な回路を並列に接続することによりキャンセ
ルされるため、二つの直列共振点ｒ１，ｒ２と一つの並
列共振点ａ１とを有する補償回路１０２を並列に接続す
ることにより、図中の第１の帯域Ｍ１と第２の帯域Ｍ２
の２周波において寄生容量をキャンセルすることができ
る。
【００３０】この２周波スイッチの伝送特性は図３のよ
うになる。すなわち、スイッチＯＮ時の挿入損失は全帯
域において０．５ｄＢ以下であり、スイッチＯＦＦ時の
アイソレーションは第１の帯域Ｍ１（８９０〜９６０Ｍ
Ｈｚ）および第２の帯域Ｍ２（１７１０〜１８８０ＭＨ
ｚ）において２５ｄＢ以上が得られる。
うになる。すなわち、スイッチＯＮ時の挿入損失は全帯
域において０．５ｄＢ以下であり、スイッチＯＦＦ時の
アイソレーションは第１の帯域Ｍ１（８９０〜９６０Ｍ
Ｈｚ）および第２の帯域Ｍ２（１７１０〜１８８０ＭＨ
ｚ）において２５ｄＢ以上が得られる。
【００３１】以上のような構成により、本実施の形態は
二つの帯域で充分なＯＦＦ状態の得られる２周波スイッ
チとして作用する。
二つの帯域で充分なＯＦＦ状態の得られる２周波スイッ
チとして作用する。
【００３２】なお、本実施の形態における補償回路１０
２は直列共振回路と並列共振回路からなる直列接続体に
より構成されているが、これは図４に示すように二つの
直列共振回路からなる並列接続体で構成してもよい。す
なわち、二つの直列共振回路はそれぞれ第１のコンデン
サ４０３と第１のインダクタ４０４および第２のコンデ
ンサ４０５と第２のインダクタ４０６により構成され、
これらを並列に接続して補償回路１０２を形成してい
る。この回路は直流近傍の低周波で容量性で、かつ二つ
の直列共振点と一つの並列共振点を有する別の構成方法
を示している。
２は直列共振回路と並列共振回路からなる直列接続体に
より構成されているが、これは図４に示すように二つの
直列共振回路からなる並列接続体で構成してもよい。す
なわち、二つの直列共振回路はそれぞれ第１のコンデン
サ４０３と第１のインダクタ４０４および第２のコンデ
ンサ４０５と第２のインダクタ４０６により構成され、
これらを並列に接続して補償回路１０２を形成してい
る。この回路は直流近傍の低周波で容量性で、かつ二つ
の直列共振点と一つの並列共振点を有する別の構成方法
を示している。
【００３３】図４の補償回路は図１の補償回路１０２を
変換して得られるものであるため、回路的には等価であ
る。従って、インピーダンス特性は図２と同じで、伝送
特性は図３と同じとなり、この構成でも二つの帯域Ｍ
１，Ｍ２で充分なＯＦＦ状態の得られる２周波スイッチ
を実現することができる。
変換して得られるものであるため、回路的には等価であ
る。従って、インピーダンス特性は図２と同じで、伝送
特性は図３と同じとなり、この構成でも二つの帯域Ｍ
１，Ｍ２で充分なＯＦＦ状態の得られる２周波スイッチ
を実現することができる。
【００３４】なお、本実施の形態のようなスイッチにお
いてはＰＩＮダイオードを導通とするための抵抗、イン
ダクタ、およびバイパスコンデンサからなるバイアス回
路や、各端子の外部に直流電流が流れないようにするた
めの直流カットコンデンサが必要となるが、本発明はこ
れらの数値や構成の細部に限定されるものではない。
いてはＰＩＮダイオードを導通とするための抵抗、イン
ダクタ、およびバイパスコンデンサからなるバイアス回
路や、各端子の外部に直流電流が流れないようにするた
めの直流カットコンデンサが必要となるが、本発明はこ
れらの数値や構成の細部に限定されるものではない。
【００３５】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の２周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成することができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の２周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成することができ、端末を小型で軽量にできる。
【００３６】（実施の形態２） 図５は本発明の実施の形態２における２周波スイッチを
示す。図５において、第１の端子７０７と共通端子７０
８の間に第１のＰＩＮダイオード７０１が接続され、第
２の端子７０９と共通端子７０８の間に第２のＰＩＮダ
イオード７１０が接続され、ＰＩＮダイオードは共に共
通端子７０８にカソードが接続されている。また第１の
コンデンサ７０３および第１のインダクタ７０４で構成
した直列共振回路と第２のコンデンサ７０５および第２
のインダクタ７０６で構成した並列共振回路との直列接
続体により第１の補償回路７０２を構成し、これを第１
のＰＩＮダイオード７０１に並列接続して第１のスイッ
チ７１７を構成している。さらに、第３のコンデンサ７
１２および第３のインダクタ７１３で構成した直列共振
回路と第４のコンデンサ７１４および第４のインダクタ
７１５で構成した並列共振回路との直列接続体により第
２の補償回路７１１を構成し、これを第２のＰＩＮダイ
オード７１０に並列接続して第２のスイッチ７１８を構
成している。なお、共通端子７０８とグランドとの間に
チョークコイル７１６が接続されている。
示す。図５において、第１の端子７０７と共通端子７０
８の間に第１のＰＩＮダイオード７０１が接続され、第
２の端子７０９と共通端子７０８の間に第２のＰＩＮダ
イオード７１０が接続され、ＰＩＮダイオードは共に共
通端子７０８にカソードが接続されている。また第１の
コンデンサ７０３および第１のインダクタ７０４で構成
した直列共振回路と第２のコンデンサ７０５および第２
のインダクタ７０６で構成した並列共振回路との直列接
続体により第１の補償回路７０２を構成し、これを第１
のＰＩＮダイオード７０１に並列接続して第１のスイッ
チ７１７を構成している。さらに、第３のコンデンサ７
１２および第３のインダクタ７１３で構成した直列共振
回路と第４のコンデンサ７１４および第４のインダクタ
７１５で構成した並列共振回路との直列接続体により第
２の補償回路７１１を構成し、これを第２のＰＩＮダイ
オード７１０に並列接続して第２のスイッチ７１８を構
成している。なお、共通端子７０８とグランドとの間に
チョークコイル７１６が接続されている。
【００３７】以上のように構成された２周波スイッチに
ついて、以下その動作を説明する。第１のスイッチ７１
７および第２のスイッチ７１８は共に単体としての動作
は実施の形態１で説明した２周波スイッチと同じである
ので詳細な説明は省略する。
ついて、以下その動作を説明する。第１のスイッチ７１
７および第２のスイッチ７１８は共に単体としての動作
は実施の形態１で説明した２周波スイッチと同じである
ので詳細な説明は省略する。
【００３８】第１のスイッチ７１７に直流電流を流して
ＯＮ状態とすると、この時、第２のＰＩＮダイオード７
１０は逆方向であり、第２の補償回路７１１は第３のコ
ンデンサ７１２が直流分をカットするため、直流電流は
すべてチョークコイル７１６に流れて第２のスイッチは
ＯＦＦ状態となる。また、第２の補償回路７１１は、実
施の形態１で述べたように二つの帯域（Ｍ１，Ｍ２）で
第２のＰＩＮダイオード７１０の持つ寄生容量をキャン
セルするので、これらの帯域で共通端子７０８から第２
のスイッチ７１８を見たインピーダンは極めて高くな
る。この結果、上記二つの帯域において第１の端子７０
７から入力された信号は共通端子７０８にのみ出力さ
れ、第２の端子７０９には出力されない。
ＯＮ状態とすると、この時、第２のＰＩＮダイオード７
１０は逆方向であり、第２の補償回路７１１は第３のコ
ンデンサ７１２が直流分をカットするため、直流電流は
すべてチョークコイル７１６に流れて第２のスイッチは
ＯＦＦ状態となる。また、第２の補償回路７１１は、実
施の形態１で述べたように二つの帯域（Ｍ１，Ｍ２）で
第２のＰＩＮダイオード７１０の持つ寄生容量をキャン
セルするので、これらの帯域で共通端子７０８から第２
のスイッチ７１８を見たインピーダンは極めて高くな
る。この結果、上記二つの帯域において第１の端子７０
７から入力された信号は共通端子７０８にのみ出力さ
れ、第２の端子７０９には出力されない。
【００３９】同様に第２のスイッチに直流電流を流して
ＯＮ状態とすると、この時、第１のＰＩＮダイオード７
０１は逆方向であり、第１の補償回路７０２は第１のコ
ンデンサ７０３が直流分をカットするため、直流電流は
すべてチョークコイル７１６に流れて第１のスイッチ７
１７はＯＦＦ状態となる。また第１の補償回路７０２は
二つの帯域（Ｍ１，Ｍ２）で第１のＰＩＮダイオード７
０１の持つ寄生容量をキャンセルするので、これらの帯
域で共通端子７０８から第１のスイッチ７１７を見たイ
ンピーダンスは極めて高くなり、この結果、二つの帯域
において共通端子７０８から入力された信号は第２の端
子７０９にのみ出力され、第１の端子７０７には出力さ
れない。
ＯＮ状態とすると、この時、第１のＰＩＮダイオード７
０１は逆方向であり、第１の補償回路７０２は第１のコ
ンデンサ７０３が直流分をカットするため、直流電流は
すべてチョークコイル７１６に流れて第１のスイッチ７
１７はＯＦＦ状態となる。また第１の補償回路７０２は
二つの帯域（Ｍ１，Ｍ２）で第１のＰＩＮダイオード７
０１の持つ寄生容量をキャンセルするので、これらの帯
域で共通端子７０８から第１のスイッチ７１７を見たイ
ンピーダンスは極めて高くなり、この結果、二つの帯域
において共通端子７０８から入力された信号は第２の端
子７０９にのみ出力され、第１の端子７０７には出力さ
れない。
【００４０】以上のような構成により、本実施の形態に
よれば第１のスイッチ７１７および第２のスイッチ７１
８をそれぞれ個別にＯＮ状態とすることにより、二つの
帯域（Ｍ１，Ｍ２）で動作する２周波ＳＰＤＴスイッチ
を実現することができる。
よれば第１のスイッチ７１７および第２のスイッチ７１
８をそれぞれ個別にＯＮ状態とすることにより、二つの
帯域（Ｍ１，Ｍ２）で動作する２周波ＳＰＤＴスイッチ
を実現することができる。
【００４１】図６は、この２周波ＳＰＤＴスイッチの伝
送特性を示した特性図である。第１の端子７０７から共
通端子７０８への伝送特性は、第１のスイッチ７１７が
ＯＮの場合に第１の帯域Ｍ１と第２の帯域Ｍ２において
挿入損失０．５ｄＢ以下となり、第１のスイッチ７１７
がＯＦＦの場合には同じくＭ１，Ｍ２においてアイソレ
ーション２５ｄＢ以上が得られる。共通端子７０８から
第２の端子７０９への伝送特性は、第２のスイッチ７１
８がＯＮの場合に第１の帯域Ｍ１と第２の帯域Ｍ２にお
いて挿入損失０．５ｄＢ以下となり、第２のスイッチ７
１８がＯＦＦの場合には同じくＭ１，Ｍ２においてアイ
ソレーション２５ｄＢ以上が得られる。以上のように、
本実施の形態の構成とすることによって、良好な２周波
ＳＰＤＴスイッチ特性が得られるものである。
送特性を示した特性図である。第１の端子７０７から共
通端子７０８への伝送特性は、第１のスイッチ７１７が
ＯＮの場合に第１の帯域Ｍ１と第２の帯域Ｍ２において
挿入損失０．５ｄＢ以下となり、第１のスイッチ７１７
がＯＦＦの場合には同じくＭ１，Ｍ２においてアイソレ
ーション２５ｄＢ以上が得られる。共通端子７０８から
第２の端子７０９への伝送特性は、第２のスイッチ７１
８がＯＮの場合に第１の帯域Ｍ１と第２の帯域Ｍ２にお
いて挿入損失０．５ｄＢ以下となり、第２のスイッチ７
１８がＯＦＦの場合には同じくＭ１，Ｍ２においてアイ
ソレーション２５ｄＢ以上が得られる。以上のように、
本実施の形態の構成とすることによって、良好な２周波
ＳＰＤＴスイッチ特性が得られるものである。
【００４２】なお、本実施の形態における第１のスイッ
チ７１７および第２のスイッチ７１８は図１に示す回路
で構成しているが、これは図４で示す回路で構成しても
よい。
チ７１７および第２のスイッチ７１８は図１に示す回路
で構成しているが、これは図４で示す回路で構成しても
よい。
【００４３】また、本実施の形態のような２周波ＳＰＤ
Ｔスイッチにおいては、ＰＩＮダイオードを導通とする
ための抵抗、インダクタ、およびバイパスコンデンサか
らなるバイアス回路がスイッチ個別に必要であり、また
各端子の外部に直流電流が流れないようにするための直
流カットコンデンサが必要であるが、本発明はこれらの
数値や構成の細部に限定されるものではない。
Ｔスイッチにおいては、ＰＩＮダイオードを導通とする
ための抵抗、インダクタ、およびバイパスコンデンサか
らなるバイアス回路がスイッチ個別に必要であり、また
各端子の外部に直流電流が流れないようにするための直
流カットコンデンサが必要であるが、本発明はこれらの
数値や構成の細部に限定されるものではない。
【００４４】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の２周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成するすることができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の２周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成するすることができ、端末を小型で軽量にできる。
【００４５】（実施の形態３） 図７は本発明の実施の形態３における２周波スイッチを
示す。なお、図７に示す本発明の実施の形態３の２周波
スイッチにおいて、第１のスイッチ８２７は図５に示し
た実施の形態２の第１のスイッチ７１７と同じ構成であ
るので、同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省
略する。
示す。なお、図７に示す本発明の実施の形態３の２周波
スイッチにおいて、第１のスイッチ８２７は図５に示し
た実施の形態２の第１のスイッチ７１７と同じ構成であ
るので、同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省
略する。
【００４６】図７において、共通端子７０８には第１の
スイッチ８２７の一端が接続されるとともに、第３のコ
ンデンサ８１７の一端と第３のインダクタ８１８の一端
が接続され、第３のコンデンサ８１７の他端は接地され
ている。第３のインダクタ８１８の他端には第４のコン
デンサ８１９の一端と第４のインダクタ８２０の一端と
第２のＰＩＮダイオード８２２のアノードが接続され、
第４のコンデンサ８１９の他端は接地されている。第４
のインダクタ８２０の他端は第２の端子７０９となると
ともに、第５のコンデンサ８２１の一端と第３のＰＩＮ
ダイオード８２６のアノードが接続され、第５のコンデ
ンサ８２１の他端は接地されている。第２のＰＩＮダイ
オード８２２のカソードには第６のコンデンサ８２４と
第５のインダクタ８２５の並列共振回路からなる第２の
補償回路８２３の一端が接続され、第２の補償回路８２
３の他端は接地されている。第３のＰＩＮダイオード８
２６のカソードは接地されている。以上の構成により共
通端子７０８と第２の端子７０９の間の第２のスイッチ
８２８が形成される。
スイッチ８２７の一端が接続されるとともに、第３のコ
ンデンサ８１７の一端と第３のインダクタ８１８の一端
が接続され、第３のコンデンサ８１７の他端は接地され
ている。第３のインダクタ８１８の他端には第４のコン
デンサ８１９の一端と第４のインダクタ８２０の一端と
第２のＰＩＮダイオード８２２のアノードが接続され、
第４のコンデンサ８１９の他端は接地されている。第４
のインダクタ８２０の他端は第２の端子７０９となると
ともに、第５のコンデンサ８２１の一端と第３のＰＩＮ
ダイオード８２６のアノードが接続され、第５のコンデ
ンサ８２１の他端は接地されている。第２のＰＩＮダイ
オード８２２のカソードには第６のコンデンサ８２４と
第５のインダクタ８２５の並列共振回路からなる第２の
補償回路８２３の一端が接続され、第２の補償回路８２
３の他端は接地されている。第３のＰＩＮダイオード８
２６のカソードは接地されている。以上の構成により共
通端子７０８と第２の端子７０９の間の第２のスイッチ
８２８が形成される。
【００４７】第３のコンデンサ８１７と第３のインダク
タ８１８と第４のコンデンサ８１９とは第１の移相回路
８２９を構成し、第４のコンデンサ８１９と第４のイン
ダクタ８２０と第５のコンデンサ８２１とは第２の移相
回路８３０を構成している。ここで、第１の移相回路８
２９は第２の帯域（実施の形態２におけるＭ２）におい
て位相が略９０°となるように設定されており、第１の
移相回路８２９の位相と第２の移相回路８３０の位相と
の和は第１の帯域（実施の形態２におけるＭ１）におい
て略９０°となるように設定されている。
タ８１８と第４のコンデンサ８１９とは第１の移相回路
８２９を構成し、第４のコンデンサ８１９と第４のイン
ダクタ８２０と第５のコンデンサ８２１とは第２の移相
回路８３０を構成している。ここで、第１の移相回路８
２９は第２の帯域（実施の形態２におけるＭ２）におい
て位相が略９０°となるように設定されており、第１の
移相回路８２９の位相と第２の移相回路８３０の位相と
の和は第１の帯域（実施の形態２におけるＭ１）におい
て略９０°となるように設定されている。
【００４８】第２の補償回路８２３は、第１の帯域Ｍ１
において並列共振状態となり、第２の帯域Ｍ２において
導通時の第２のＰＩＮダイオード８２２との間で直列共
振状態となるように設定されている。
において並列共振状態となり、第２の帯域Ｍ２において
導通時の第２のＰＩＮダイオード８２２との間で直列共
振状態となるように設定されている。
【００４９】以上のように構成された２周波スイッチに
ついて、以下その動作を説明する。
ついて、以下その動作を説明する。
【００５０】第１のＰＩＮダイオード７０１の順方向に
バイアスを印加し直流電流を流すと、第１のスイッチ８
２７は実施の形態１で述べたようにＯＮ状態となる。こ
のとき、直流電流は第２のＰＩＮダイオード８２２と第
３のＰＩＮダイオード８２６に流れ込み、ともに導通状
態とする。ここで第２の帯域Ｍ２においては、導通状態
の第２のＰＩＮダイオード８２２と第２の補償回路８２
３とが直列共振状態となり、さらに第１の移相回路８２
９の位相が９０°回るため、共通端子７０８から第２の
スイッチ８２８側を見たインピーダンスは高インピーダ
ンスとなる。一方第１の帯域Ｍ１においては、第２の補
償回路８２３が並列共振状態となるために第２のＰＩＮ
ダイオード８２２は高周波的に無視することができ、第
１の移相回路８２９の位相と第２の移相回路８３０の位
相との和が９０°となるため、共通端子７０８から第２
のスイッチ８２８側を見たインピーダンスはやはり高イ
ンピーダンス状態となる。図８はこの時の共通端子７０
８から第２のスイッチ８２８側を見たインピーダンス特
性を示したものである。図８において、マーカ１とマー
カ２の間が第１の帯域Ｍ１（８９０〜９６０ＭＨｚ）で
あり、マーカ３とマーカ４の間が第２の帯域Ｍ２（１７
１０〜１８８０ＭＨｚ）である。これら二つの帯域で高
インピーダンス状態が得られ、第１の端子７０７から共
通端子７０８へ伝送される信号が第２の端子７０９には
出力されないことがわかる。この結果、Ｍ１，Ｍ２の二
つの帯域において第２のスイッチ８２８は充分なＯＦＦ
状態となる。
バイアスを印加し直流電流を流すと、第１のスイッチ８
２７は実施の形態１で述べたようにＯＮ状態となる。こ
のとき、直流電流は第２のＰＩＮダイオード８２２と第
３のＰＩＮダイオード８２６に流れ込み、ともに導通状
態とする。ここで第２の帯域Ｍ２においては、導通状態
の第２のＰＩＮダイオード８２２と第２の補償回路８２
３とが直列共振状態となり、さらに第１の移相回路８２
９の位相が９０°回るため、共通端子７０８から第２の
スイッチ８２８側を見たインピーダンスは高インピーダ
ンスとなる。一方第１の帯域Ｍ１においては、第２の補
償回路８２３が並列共振状態となるために第２のＰＩＮ
ダイオード８２２は高周波的に無視することができ、第
１の移相回路８２９の位相と第２の移相回路８３０の位
相との和が９０°となるため、共通端子７０８から第２
のスイッチ８２８側を見たインピーダンスはやはり高イ
ンピーダンス状態となる。図８はこの時の共通端子７０
８から第２のスイッチ８２８側を見たインピーダンス特
性を示したものである。図８において、マーカ１とマー
カ２の間が第１の帯域Ｍ１（８９０〜９６０ＭＨｚ）で
あり、マーカ３とマーカ４の間が第２の帯域Ｍ２（１７
１０〜１８８０ＭＨｚ）である。これら二つの帯域で高
インピーダンス状態が得られ、第１の端子７０７から共
通端子７０８へ伝送される信号が第２の端子７０９には
出力されないことがわかる。この結果、Ｍ１，Ｍ２の二
つの帯域において第２のスイッチ８２８は充分なＯＦＦ
状態となる。
【００５１】次に図７において、バイアスを解除した場
合には、第１のスイッチ８２７は実施の形態１で述べた
ように第１の帯域Ｍ１および第２の帯域Ｍ２でＯＦＦ状
態となり、共通端子７０８から第１のスイッチ８２７側
を見たインピーダンスはこの二つの帯域において高イン
ピーダンスとなる。またこのとき、第２のＰＩＮダイオ
ード８２２と第３のＰＩＮダイオード８２６とはともに
非導通状態となり、第２のスイッチ８２８は第１の移相
回路８２９と第２の移相回路８３０のみの回路となるた
め、共通端子７０８からの信号はそのまま第２の端子７
０９へ伝送される。この結果、第２のスイッチ８２８は
ＯＮ状態となる。
合には、第１のスイッチ８２７は実施の形態１で述べた
ように第１の帯域Ｍ１および第２の帯域Ｍ２でＯＦＦ状
態となり、共通端子７０８から第１のスイッチ８２７側
を見たインピーダンスはこの二つの帯域において高イン
ピーダンスとなる。またこのとき、第２のＰＩＮダイオ
ード８２２と第３のＰＩＮダイオード８２６とはともに
非導通状態となり、第２のスイッチ８２８は第１の移相
回路８２９と第２の移相回路８３０のみの回路となるた
め、共通端子７０８からの信号はそのまま第２の端子７
０９へ伝送される。この結果、第２のスイッチ８２８は
ＯＮ状態となる。
【００５２】図９は、この２周波ＳＰＤＴスイッチの伝
送特性を示した特性図である。第１の端子７０７から共
通端子７０８への伝送特性は、バイアスＯＮの場合に第
１の帯域Ｍ１と第２の帯域Ｍ２において挿入損失０．５
ｄＢ以下となり、バイアスＯＦＦの場合には同じくＭ
１，Ｍ２においてアイソレーション２５ｄＢ以上が得ら
れる。共通端子７０８から第２の端子７０９への伝送特
性は、バイアスＯＦＦの場合に第１の帯域Ｍ１と第２の
帯域Ｍ２において挿入損失０．５ｄＢ以下となり、バイ
アスＯＮの場合には同じくＭ１，Ｍ２においてアイソレ
ーション２５ｄＢ以上が得られる。以上のように本実施
の形態の構成により、第１のＰＩＮダイオード７０１と
第２のＰＩＮダイオード８２２と第３のＰＩＮダイオー
ド８２６を同時に導通状態もしくは非導通状態とするこ
とにより、Ｍ１，Ｍ２の二つの帯域で動作する２周波Ｓ
ＰＤＴスイッチを実現することができる。この２周波Ｓ
ＰＤＴスイッチは、バイアス回路が一つでよく、また第
２のスイッチ８２８のＯＮ時には直流電流を供給しなく
てもよいため消費電流を小さく抑えることができるとい
う利点を有している。
送特性を示した特性図である。第１の端子７０７から共
通端子７０８への伝送特性は、バイアスＯＮの場合に第
１の帯域Ｍ１と第２の帯域Ｍ２において挿入損失０．５
ｄＢ以下となり、バイアスＯＦＦの場合には同じくＭ
１，Ｍ２においてアイソレーション２５ｄＢ以上が得ら
れる。共通端子７０８から第２の端子７０９への伝送特
性は、バイアスＯＦＦの場合に第１の帯域Ｍ１と第２の
帯域Ｍ２において挿入損失０．５ｄＢ以下となり、バイ
アスＯＮの場合には同じくＭ１，Ｍ２においてアイソレ
ーション２５ｄＢ以上が得られる。以上のように本実施
の形態の構成により、第１のＰＩＮダイオード７０１と
第２のＰＩＮダイオード８２２と第３のＰＩＮダイオー
ド８２６を同時に導通状態もしくは非導通状態とするこ
とにより、Ｍ１，Ｍ２の二つの帯域で動作する２周波Ｓ
ＰＤＴスイッチを実現することができる。この２周波Ｓ
ＰＤＴスイッチは、バイアス回路が一つでよく、また第
２のスイッチ８２８のＯＮ時には直流電流を供給しなく
てもよいため消費電流を小さく抑えることができるとい
う利点を有している。
【００５３】なお、本実施の形態における第１のスイッ
チ８２７は図１に示す回路で構成しているが、これは図
４で示す回路で構成してもよい。
チ８２７は図１に示す回路で構成しているが、これは図
４で示す回路で構成してもよい。
【００５４】また、本実施の形態における第１の移相回
路８２９および第２の移相回路８３０は集中定数素子の
コンデンサとインダクタで構成しているが、これは分布
定数素子の伝送線路で構成してもよい。この場合は素子
数の削減と共に、移相回路を理想的に構成することがで
きる効果がある。
路８２９および第２の移相回路８３０は集中定数素子の
コンデンサとインダクタで構成しているが、これは分布
定数素子の伝送線路で構成してもよい。この場合は素子
数の削減と共に、移相回路を理想的に構成することがで
きる効果がある。
【００５５】また、本実施の形態における第３のＰＩＮ
ダイオード８２６のカソードは直接接地されているが、
これはコンデンサとインダクタで構成される並列共振回
路からなる補償回路を介して接地してもよい。この場合
は第３のＰＩＮダイオード８２６導通時に、第２の移相
回路８３０と第３のＰＩＮダイオード８２６の接続点を
充分な低インピーダンス状態とすることができる効果が
ある。
ダイオード８２６のカソードは直接接地されているが、
これはコンデンサとインダクタで構成される並列共振回
路からなる補償回路を介して接地してもよい。この場合
は第３のＰＩＮダイオード８２６導通時に、第２の移相
回路８３０と第３のＰＩＮダイオード８２６の接続点を
充分な低インピーダンス状態とすることができる効果が
ある。
【００５６】なお、本実施の形態のような２周波ＳＰＤ
Ｔスイッチにおいては、ＰＩＮダイオードをＯＮ状態と
するための抵抗、インダクタ、およびバイパスコンデン
サからなるバイアス回路が必要であり、また各端子の外
部に直流電流が流れないようにするための直流カットコ
ンデンサが必要であるが、本発明はこれらの数値や構成
の細部に限定されるものではない。
Ｔスイッチにおいては、ＰＩＮダイオードをＯＮ状態と
するための抵抗、インダクタ、およびバイパスコンデン
サからなるバイアス回路が必要であり、また各端子の外
部に直流電流が流れないようにするための直流カットコ
ンデンサが必要であるが、本発明はこれらの数値や構成
の細部に限定されるものではない。
【００５７】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の２周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成することができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の２周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成することができ、端末を小型で軽量にできる。
【００５８】（実施の形態４） 図１０は本発明の実施の形態４における２周波アンテナ
共用器である。なお、図１０に示す本発明の実施の形態
４の２周波アンテナ共用器の２周波スイッチ９００は図
７に示した実施の形態３の２周波スイッチと同じ構成で
あるので、詳細な回路図および説明は省略する。
共用器である。なお、図１０に示す本発明の実施の形態
４の２周波アンテナ共用器の２周波スイッチ９００は図
７に示した実施の形態３の２周波スイッチと同じ構成で
あるので、詳細な回路図および説明は省略する。
【００５９】図１０の２周波アンテナ共用器において、
２周波スイッチ９００の第１の端子７０７には合成器９
０１の出力端子９０２が直流カットコンデンサ９１１を
介して接続され、また第２の端子７０９には第２の分波
器９０５の入力端子９０６が直流カットコンデンサ９１
２を介して接続されている。さらに、２周波スイッチ９
００に制御信号を入力するための制御端子９０９および
バイアス回路９１０を付与して２周波アンテナ共用器を
構成している。合成器９０１は、第１の送信側端子９０
３から入力された第１の帯域Ｍ１の送信信号を出力端子
９０２へ伝送するとともに、第２の送信側端子９０４か
ら入力された第２の帯域Ｍ２の送信信号を同じく出力端
子９０２へ伝送する機能を有するものである。一方の分
波器９０５は、入力端子９０６から入力された第１の帯
域Ｍ１の受信信号を第１の受信側端子９０７へ伝送する
とともに、同じく入力端子９０６から入力された第２の
帯域Ｍ２の受信信号を第２の受信側端子９０８へ伝送す
る機能を有している。
２周波スイッチ９００の第１の端子７０７には合成器９
０１の出力端子９０２が直流カットコンデンサ９１１を
介して接続され、また第２の端子７０９には第２の分波
器９０５の入力端子９０６が直流カットコンデンサ９１
２を介して接続されている。さらに、２周波スイッチ９
００に制御信号を入力するための制御端子９０９および
バイアス回路９１０を付与して２周波アンテナ共用器を
構成している。合成器９０１は、第１の送信側端子９０
３から入力された第１の帯域Ｍ１の送信信号を出力端子
９０２へ伝送するとともに、第２の送信側端子９０４か
ら入力された第２の帯域Ｍ２の送信信号を同じく出力端
子９０２へ伝送する機能を有するものである。一方の分
波器９０５は、入力端子９０６から入力された第１の帯
域Ｍ１の受信信号を第１の受信側端子９０７へ伝送する
とともに、同じく入力端子９０６から入力された第２の
帯域Ｍ２の受信信号を第２の受信側端子９０８へ伝送す
る機能を有している。
【００６０】合成器９０１において、第１の送信側端子
９０３から出力端子９０２への経路は、第１の帯域Ｍ１
を通過し第２の帯域Ｍ２を阻止すべく４素子の梯子型低
域通過型フィルタとなっており、第２の送信側端子９０
４から出力端子９０２への経路は、第１の帯域Ｍ１を阻
止し第２の帯域Ｍ２を通過すべく４素子の梯子型高域通
過型フィルタとなっている。この構成により、第１の送
信側端子９０３から入力された第１の帯域Ｍ１の送信信
号は第２の送信側端子９０４にもれることなく出力端子
９０２へ伝送され、一方第２の送信側端子９０４から入
力された第２の帯域Ｍ２の送信信号は第１の送信側端子
９０３にもれることなく出力端子９０２へ伝送される。
９０３から出力端子９０２への経路は、第１の帯域Ｍ１
を通過し第２の帯域Ｍ２を阻止すべく４素子の梯子型低
域通過型フィルタとなっており、第２の送信側端子９０
４から出力端子９０２への経路は、第１の帯域Ｍ１を阻
止し第２の帯域Ｍ２を通過すべく４素子の梯子型高域通
過型フィルタとなっている。この構成により、第１の送
信側端子９０３から入力された第１の帯域Ｍ１の送信信
号は第２の送信側端子９０４にもれることなく出力端子
９０２へ伝送され、一方第２の送信側端子９０４から入
力された第２の帯域Ｍ２の送信信号は第１の送信側端子
９０３にもれることなく出力端子９０２へ伝送される。
【００６１】分波器９０５は合成器９０１を逆方向に用
いればよく、構成は全く同じである。これによって入力
端子９０６から入力された受信信号は、第１の帯域Ｍ１
の成分が第１の受信側端子９０７へ、第２の帯域Ｍ２の
成分が第２の受信側端子９０８へ分波され、いずれも他
へもれることはない。
いればよく、構成は全く同じである。これによって入力
端子９０６から入力された受信信号は、第１の帯域Ｍ１
の成分が第１の受信側端子９０７へ、第２の帯域Ｍ２の
成分が第２の受信側端子９０８へ分波され、いずれも他
へもれることはない。
【００６２】上記構成の２周波アンテナ共用器の動作に
ついて説明する。送信時には制御端子９０９にバイアス
を印加して２周波スイッチ９００の第１の端子７０７と
共通端子７０８との間をＯＮ状態とする。これにより、
第１の送信側端子９０３から入力した第１の帯域Ｍ１の
送信信号は合成器９０１から２周波スイッチ９００の第
１の端子７０７を通して共通端子７０８に出力され、ま
た第２の送信側端子９０４から入力した第２の帯域Ｍ２
の送信信号も合成器９０１から２周波スイッチ９００の
第１の端子７０７を通して共通端子７０８に出力される
（共通端子７０８は通常、通信機器のアンテナに接続さ
れる）。この際、合成器９０１の機能によりそれぞれの
帯域の送信信号が他方の送信側端子へ信号がもれること
はなく、また２周波スイッチ９００の機能により第１の
受信側端子９０７および第２の受信側端子９０８へもれ
ることもない。次に受信時には制御端子９０９のバイア
スを解除して共通端子７０８と２周波スイッチ９００の
第２の端子７０９との間をＯＮ状態とする。これによ
り、共通端子７０８から入力された受信信号は２周波ス
イッチ９００の第２の端子７０９を通し、分波器９０５
によって第１の帯域Ｍ１の信号成分は第１の受信側端子
９０７へ、第２の帯域Ｍ２の信号成分は第２の受信側端
子９０８へ出力することができる。この際、分波器９０
７の機能によりそれぞれの帯域の受信信号は他方の受信
側端子へもれることはなく、また２周波スイッチ９００
の機能により第１の送信側端子９０３および第２の送信
側端子９０４へもれることもない。
ついて説明する。送信時には制御端子９０９にバイアス
を印加して２周波スイッチ９００の第１の端子７０７と
共通端子７０８との間をＯＮ状態とする。これにより、
第１の送信側端子９０３から入力した第１の帯域Ｍ１の
送信信号は合成器９０１から２周波スイッチ９００の第
１の端子７０７を通して共通端子７０８に出力され、ま
た第２の送信側端子９０４から入力した第２の帯域Ｍ２
の送信信号も合成器９０１から２周波スイッチ９００の
第１の端子７０７を通して共通端子７０８に出力される
（共通端子７０８は通常、通信機器のアンテナに接続さ
れる）。この際、合成器９０１の機能によりそれぞれの
帯域の送信信号が他方の送信側端子へ信号がもれること
はなく、また２周波スイッチ９００の機能により第１の
受信側端子９０７および第２の受信側端子９０８へもれ
ることもない。次に受信時には制御端子９０９のバイア
スを解除して共通端子７０８と２周波スイッチ９００の
第２の端子７０９との間をＯＮ状態とする。これによ
り、共通端子７０８から入力された受信信号は２周波ス
イッチ９００の第２の端子７０９を通し、分波器９０５
によって第１の帯域Ｍ１の信号成分は第１の受信側端子
９０７へ、第２の帯域Ｍ２の信号成分は第２の受信側端
子９０８へ出力することができる。この際、分波器９０
７の機能によりそれぞれの帯域の受信信号は他方の受信
側端子へもれることはなく、また２周波スイッチ９００
の機能により第１の送信側端子９０３および第２の送信
側端子９０４へもれることもない。
【００６３】図１１および図１２は、この２周波アンテ
ナ共用器の通過特性を示した特性図である。第１の帯域
Ｍ１は８９０〜９６０ＭＨｚに、第２の帯域Ｍ２は１７
１０〜１８８０ＭＨｚに設定されている。図１１（ａ）
に示す如く、第１の送信側端子９０３から共通端子７０
８への伝送特性は、送信時に第１の帯域Ｍ１で挿入損失
１ｄＢ以下、第２の帯域で減衰量２５ｄＢ以上が得られ
ており、第１の帯域Ｍ１の送信信号が共通端子７０８に
伝送されるようになっている。また、受信時にはいずれ
の帯域においても２５ｄＢ以上のアイソレーションが得
られている。
ナ共用器の通過特性を示した特性図である。第１の帯域
Ｍ１は８９０〜９６０ＭＨｚに、第２の帯域Ｍ２は１７
１０〜１８８０ＭＨｚに設定されている。図１１（ａ）
に示す如く、第１の送信側端子９０３から共通端子７０
８への伝送特性は、送信時に第１の帯域Ｍ１で挿入損失
１ｄＢ以下、第２の帯域で減衰量２５ｄＢ以上が得られ
ており、第１の帯域Ｍ１の送信信号が共通端子７０８に
伝送されるようになっている。また、受信時にはいずれ
の帯域においても２５ｄＢ以上のアイソレーションが得
られている。
【００６４】一方、第２の送信側端子９０４から共通端
子７０８への伝送特性は、図１１（ｂ）に示す如く、送
信時に第１の帯域Ｍ１で減衰量２５ｄＢ以上、第２の帯
域Ｍ２で挿入損失１ｄＢ以下となっており、第２の帯域
Ｍ２の送信信号が共通端子７０８に伝送されるようにな
っている。受信時のアイソレーションはいずれの帯域に
おいても２５ｄＢ以上である。
子７０８への伝送特性は、図１１（ｂ）に示す如く、送
信時に第１の帯域Ｍ１で減衰量２５ｄＢ以上、第２の帯
域Ｍ２で挿入損失１ｄＢ以下となっており、第２の帯域
Ｍ２の送信信号が共通端子７０８に伝送されるようにな
っている。受信時のアイソレーションはいずれの帯域に
おいても２５ｄＢ以上である。
【００６５】次に、共通端子７０８から第１の受信側端
子９０７への伝送特性は、図１２（ａ）に示す如く、受
信時に第１の帯域Ｍ１で挿入損失１ｄＢ以下、第２の帯
域Ｍ２で減衰量２５ｄＢ以上となっており、共通端子７
０８から入力された第１の帯域Ｍ１の受信信号が第１の
受信側端子９０７に伝送されるようになっている。ま
た、送信時にはいずれの帯域においても２５ｄＢ以上の
アイソレーションが得られている。
子９０７への伝送特性は、図１２（ａ）に示す如く、受
信時に第１の帯域Ｍ１で挿入損失１ｄＢ以下、第２の帯
域Ｍ２で減衰量２５ｄＢ以上となっており、共通端子７
０８から入力された第１の帯域Ｍ１の受信信号が第１の
受信側端子９０７に伝送されるようになっている。ま
た、送信時にはいずれの帯域においても２５ｄＢ以上の
アイソレーションが得られている。
【００６６】最後に、共通端子７０８から第２の受信側
端子９０８への伝送特性は、図１２（ｂ）に示す如く、
受信時に第１の帯域Ｍ１で減衰量２５ｄＢ以上、第２の
帯域Ｍ２で挿入損失１ｄＢ以下となっており、共通端子
７０８から入力された第２の帯域Ｍ２の受信信号が第２
の受信側端子９０８に伝送されるようになっている。ま
た、送信時にはいずれの帯域においても２５ｄＢ以上の
アイソレーションが得られている。
端子９０８への伝送特性は、図１２（ｂ）に示す如く、
受信時に第１の帯域Ｍ１で減衰量２５ｄＢ以上、第２の
帯域Ｍ２で挿入損失１ｄＢ以下となっており、共通端子
７０８から入力された第２の帯域Ｍ２の受信信号が第２
の受信側端子９０８に伝送されるようになっている。ま
た、送信時にはいずれの帯域においても２５ｄＢ以上の
アイソレーションが得られている。
【００６７】以上のように、本発明の２周波アンテナ共
用器は、第１の帯域Ｍ１のシステムと第２の帯域Ｍ２の
システムとを扱う複合システム対応の携帯端末用アンテ
ナ共用器として適した特性を有している。
用器は、第１の帯域Ｍ１のシステムと第２の帯域Ｍ２の
システムとを扱う複合システム対応の携帯端末用アンテ
ナ共用器として適した特性を有している。
【００６８】なお本実施の形態において、合成器９０
１、分波器９０５ともに低域通過型フィルタと高域通過
型フィルタとの複合回路で構成したが、不要な周波数成
分を取り除くためにそれらの一部または全部を帯域通過
型フィルタで構成してもよい。たとえば送信側では信号
成分の高調波が問題となる場合が多いが高域通過フィル
タではこれを取り除くことはできない。このためこれを
帯域通過型フィルタとして合成器を構成してもよい。一
方受信側では、高調波成分以外に周波数変換時のローカ
ル周波数やイメージ周波数等を取り除く必要があるた
め、分波器を帯域通過型フィルタと帯域通過型フィルタ
との複合回路で構成して信号成分の高域および低域の不
要波を除去してもよい。
１、分波器９０５ともに低域通過型フィルタと高域通過
型フィルタとの複合回路で構成したが、不要な周波数成
分を取り除くためにそれらの一部または全部を帯域通過
型フィルタで構成してもよい。たとえば送信側では信号
成分の高調波が問題となる場合が多いが高域通過フィル
タではこれを取り除くことはできない。このためこれを
帯域通過型フィルタとして合成器を構成してもよい。一
方受信側では、高調波成分以外に周波数変換時のローカ
ル周波数やイメージ周波数等を取り除く必要があるた
め、分波器を帯域通過型フィルタと帯域通過型フィルタ
との複合回路で構成して信号成分の高域および低域の不
要波を除去してもよい。
【００６９】さらに本実施の形態において、２周波スイ
ッチ９００として実施の形態３の構成を用いたが、それ
以外にも実施の形態２の構成を用いてもかまわない。こ
の場合制御端子およびバイアス回路がそれぞれ２つ必要
となり、常にいずれか一方にバイアスがかかるため消費
電流が大きくなるが、使用するＰＩＮダイオードは２個
でよく簡素な回路構成とすることができる。
ッチ９００として実施の形態３の構成を用いたが、それ
以外にも実施の形態２の構成を用いてもかまわない。こ
の場合制御端子およびバイアス回路がそれぞれ２つ必要
となり、常にいずれか一方にバイアスがかかるため消費
電流が大きくなるが、使用するＰＩＮダイオードは２個
でよく簡素な回路構成とすることができる。
【００７０】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の２周波アンテナ共用器を用
いることにより、端末のアンテナ共用器を簡単な回路で
構成することができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の２周波アンテナ共用器を用
いることにより、端末のアンテナ共用器を簡単な回路で
構成することができ、端末を小型で軽量にできる。
【００７１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、直流近傍
の低周波において容量性である補償回路のインピーダン
スが最初の直列共振点を経て誘導性となり、第１の帯域
においてダイオードの寄生容量をキャンセルし、さらに
並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性となっ
て第２の帯域において再度ＰＩＮダイオードの寄生容量
をキャンセルすることができるため、二つの帯域で充分
なＯＦＦ状態が得られる２周波スイッチを一つのＰＩＮ
ダイオードで構成することができ、小型で安価な２周波
スイッチを実現することができる。
の低周波において容量性である補償回路のインピーダン
スが最初の直列共振点を経て誘導性となり、第１の帯域
においてダイオードの寄生容量をキャンセルし、さらに
並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性となっ
て第２の帯域において再度ＰＩＮダイオードの寄生容量
をキャンセルすることができるため、二つの帯域で充分
なＯＦＦ状態が得られる２周波スイッチを一つのＰＩＮ
ダイオードで構成することができ、小型で安価な２周波
スイッチを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における２周波スイッチ
の回路図
の回路図
【図２】同２周波スイッチのＯＦＦ時のリアクタンスの
周波数特性を示す図
周波数特性を示す図
【図３】同２周波スイッチの伝送特性を示す図
【図４】本発明の実施の形態１における２周波スイッチ
の別の構成例を示す回路図
の別の構成例を示す回路図
【図５】本発明の実施の形態２における２周波スイッチ
の回路図
の回路図
【図６】同２周波スイッチの伝送特性を示す図
【図７】本発明の実施の形態３における２周波スイッチ
の回路図
の回路図
【図８】同２周波スイッチの第２のスイッチＯＦＦ時の
インピーダンス特性を示す図
インピーダンス特性を示す図
【図９】同２周波スイッチの伝送特性を示す図
【図１０】本発明の実施の形態４における２周波アンテ
ナ共用器の回路図
ナ共用器の回路図
【図１１】同２周波アンテナ共用器の送信側の伝送特性
を示す図
を示す図
【図１２】同２周波アンテナ共用器の受信側の伝送特性
を示す図
を示す図
【図１３】従来の高周波スイッチの回路図
１０１ ＰＩＮダイオード １０２ 補償回路 １０３ 第１のコンデンサ １０４ 第１のインダクタ １０５ 第２のコンデンサ １０６ 第２のインダクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 広志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 藤川 誠 京都府京田辺市大住浜55−12 松下日東 電器株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−108301（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−32303（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−183246（ＪＰ，Ｕ)
Claims (16)
- 【請求項１】 ２つの帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを
可能にする２周波スイッチであって、１つのダイオード
とその補償回路との並列接続体からなり、前記補償回路
が少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共振点を有
し、直流では無限大のインピーダンスを有するととも
に、直流近傍の低周波では容量性である前記補償回路の
インピーダンスが最初の直列共振点を経て誘導性となっ
て第１の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量
をキャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振点
を経て再び誘導性となって第２の帯域における非導通時
のダイオードの寄生容量をキャンセルするとともに、前
記補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列
接続体より構成され、前記第１および第２の帯域のそれ
ぞれにおいて前記直列共振回路を形成するコンデンサが
前記ダイオードが導通してスイッチがＯＮ状態となった
際に、前記補償回路の直流電流経路を遮断するととも
に、スイッチがＯＦＦ状態となった際に、それぞれの帯
域において前記ダイオードの寄生容量をキャンセルする
ことを特徴とする２周波スイッチ。 - 【請求項２】 ２つの帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを
可能にする２周波スイッチであって、１つのダイオード
とその補償回路との並列接続体からなり、前記補償回路
が少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共振点を有
し、直流では無限大のインピーダンスを有するととも
に、直流近傍の低周波では容量性である前記補償回路の
インピーダンスが最初の直列共振点を経て誘導性となっ
て第１の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量
をキャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振点
を経て再び誘導性となって第２の帯域における非導通時
のダイオードの寄生容量をキャンセルするとともに、前
記補償回路が第１の直列共振回路と第２の直列共振回路
からなる並列接続体により構成され、前記第１および第
２の帯域のそれぞれにおいて前記第１および第２の直列
共振回路を形成するコンデンサが前記ダイオードが導通
してスイッチがＯＮ状態となった際に、前記補償回路の
直流電流経路を遮断するとともに、スイッチがＯＦＦ状
態となった際に、それぞれの帯域において前記ダイオー
ドの寄生容量をキャンセルすることを特徴とする２周波
スイッチ。 - 【請求項３】 ２つの帯域のそれぞれでＯＮ／ＯＦＦを
可能にするスイッチを ２つ用いて共通端子から第１の端
子または第２の端子への切替を行う２周波スイッチであ
って、第１の端子と共通端子との間に設けられた第１の
スイッチと、第２の端子と共通端子との間に設けられた
第２のスイッチと、共通端子とグランドとの間に接続さ
れたチョークコイルとを有し、第１のスイッチは第１の
ダイオードと第１の補償回路とが並列に接続された第１
の並列接続体とからなり、第２のスイッチは前記第１の
ダイオードとは逆向きに接続された第２のダイードと第
２の補償回路とが並列に接続された第２の並列接続体と
からなり、第１および第２の補償回路のそれぞれが少な
くとも二つの直列共振点と一つの並列共振点を有し、直
流では無限大のインピーダンスを有するとともに、直流
近傍の低周波では容量性である前記補償回路のインピー
ダンスが最初の直列共振点を経て誘導性となって第１の
帯域における非導通時のダイオードの寄生容量をキャン
セルし、さらに並列共振点から次の直列共振点を経て再
び誘導性となって第２の帯域における非導通時のダイオ
ードの寄生容量をキャンセルするとともに、スイッチが
ＯＦＦ状態となった際に、それぞれの帯域において前記
ダイオードの寄生容量をキャンセルすることを特徴とす
る２周波スイッチ。 - 【請求項４】 第１の補償回路が直列共振回路と並列共
振回路からなる直列接続体により構成されたことを特徴
とする請求項３に記載の２周波スイッチ。 - 【請求項５】 第１の補償回路が第１の直列共振回路と
第２の直列共振回路からなる並列接続体により構成され
たことを特徴とする請求項３に記載の２周波スイッチ。 - 【請求項６】 第２の補償回路が直列共振回路と並列共
振回路からなる直列接続体により構成されたことを特徴
とする請求項３に記載の２周波スイッチ。 - 【請求項７】 第２の補償回路が第１の直列共振回路と
第２の直列共振回路からなる並列接続体により構成され
たことを特徴とする請求項３に記載の２周波スイッチ。 - 【請求項８】 第１の端子と第２の端子と共通端子を有
し、第１の端子と共通端子の間に接続された第１のダイ
オードと第１の補償回路からなる並列接続体と、共通端
子と第２の端子の間に接続された第１の移相回路と第２
の移相回路からなる第１の直列接続体と、第１の移相回
路と第２の移相回路との接続点とグランドとの間に接続
された第２のダイオードと第２の補償回路からなる第２
の直列接続体と、第２の端子とグランドとの間に接続さ
れた第３のダイオードとを備え、第１の補償回路が少な
くとも二つの直列共振点と一つの並列共振点を有し、直
流近傍の低周波において容量性である前記補償回路のイ
ンピーダンスが最初の直列共振点を経て誘導性となって
第１の帯域における非導通時のダイオードの寄生容量を
キャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振点を
経て再び誘導性となって第２の帯域における非導通時の
ダイオードの寄生容量をキャンセルするとともに、第２
の補償回路が第１の帯域において並列共振状態、第２の
帯域において導通時の第２のダイオードの寄生容量との
間で直列共振状態になるように第１および第２の移相回
路が設定され、第１の移相回路の位相と第２の移相回路
の位相との和が略９０°となる第１の帯域において、第
２の補償回路が並列共振状態となるとともに、第１の移
相回路の位相が略９０°となる第２の帯域において、導
通時の第２のダイオードの寄生容量と第２の補償回路と
が直列共振状態となることを特徴とする２周波スイッ
チ。 - 【請求項９】 第１の補償回路が直列共振回路と並列共
振回路からなる直列接続体により構成されたことを特徴
とする請求項８に記載の２周波スイッチ。 - 【請求項１０】 第１の補償回路が第１の直列共振回路
と第２の直列共振回路からなる並列接続体により構成さ
れたことを特徴とする請求項８に記載の２周波スイッ
チ。 - 【請求項１１】 請求項３または請求項８に記載の２周
波スイッチと、第１の送信側端子、第２の送信側端子お
よび出力端子を有する合成器と、第１の受信側端子、第
２の受信側端子および入力端子を有する分波器とからな
り、前記２周波スイッチの第１の端子に前記合成器の出
力端子を接続し、前記２周波スイッチの第２の端子に前
記分波器の入力端子を接続した２周波アンテナ共用器。 - 【請求項１２】 合成器が、第１の送信側端子と出力端
子との間に設けられた低域通過型フィルタと、第２の送
信側端子と前記出力端子との間に設けられた高域通過型
フィルタとにより構成された請求項１１に記載の２周波
アンテナ共用器。 - 【請求項１３】 合成器が、第１の送信側端子と出力端
子との間に設けられた低域通過型フィルタと、第２の送
信側端子と前記出力端子との間に設けられた帯域通過型
フィルタとにより構成された請求項１１に記載の２周波
アンテナ共用器。 - 【請求項１４】 分波器が、入力端子と第１の受信側端
子との間に設けられた低域通過型フィルタと、前記入力
端子と第２の受信側端子との間に設けられた高域通過型
フィルタとにより構成された請求項１１に記載の２周波
アンテナ共用器。 - 【請求項１５】 分波器が、入力端子と第１の受信側端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタと、前記入力
端子と第２の受信側端子との間に設けられた帯域通過型
フィルタとにより構成された請求項１１に記載の２周波
アンテナ共用器。 - 【請求項１６】 請求項１から請求項３および請求項８
のいずれかに記載の２周波スイッチを高周波回路に用い
たことを特徴とする２周波帯域用移動体通信機器。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13163898A JP3220679B2 (ja) | 1997-06-03 | 1998-05-14 | ２周波スイッチ、２周波アンテナ共用器およびそれを用いた２周波帯域用移動体通信機器 |
| EP98923080A EP0928038B1 (en) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Two-frequency switch, device using two-frequency antenna in common, and mobile radio communication equipment for two-frequency bands using the device |
| US09/242,139 US6496083B1 (en) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Diode compensation circuit including two series and one parallel resonance points |
| PCT/JP1998/002428 WO1998056060A1 (fr) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Commutateur a deux frequences, dispositif utilisant une antenne a deux frequences commune, et equipement de radiocommunication mobile pour deux bandes de frequence, utilisant ledit dispositif |
| CNB988005883A CN100386917C (zh) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | 双频带开关 |
| DE69835937T DE69835937T2 (de) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Zweifrequenzschalter, anordnung mit gemeinsamer zweifrequenzantenne und mobile zweifrequenz-funkübertragungsausrüstung damit |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14486397 | 1997-06-03 | ||
| JP9-144863 | 1997-06-03 | ||
| JP13163898A JP3220679B2 (ja) | 1997-06-03 | 1998-05-14 | ２周波スイッチ、２周波アンテナ共用器およびそれを用いた２周波帯域用移動体通信機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1155002A JPH1155002A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3220679B2 true JP3220679B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=26466417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13163898A Expired - Fee Related JP3220679B2 (ja) | 1997-06-03 | 1998-05-14 | ２周波スイッチ、２周波アンテナ共用器およびそれを用いた２周波帯域用移動体通信機器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6496083B1 (ja) |
| EP (1) | EP0928038B1 (ja) |
| JP (1) | JP3220679B2 (ja) |
| CN (1) | CN100386917C (ja) |
| DE (1) | DE69835937T2 (ja) |
| WO (1) | WO1998056060A1 (ja) |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100609585B1 (ko) | 2004-08-31 | 2006-08-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 다중대역 핀 다이오드 스위치 회로 |
| JP4134005B2 (ja) | 2004-11-15 | 2008-08-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 高周波モジュール |
| CN1934750B (zh) | 2004-11-22 | 2012-07-18 | 鲁库斯无线公司 | 包括具有可选择天线元件的外围天线装置的电路板 |
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