JPS6313418A - ダイオ−ド高周波スイツチ - Google Patents
ダイオ−ド高周波スイツチInfo
- Publication number
- JPS6313418A JPS6313418A JP15665986A JP15665986A JPS6313418A JP S6313418 A JPS6313418 A JP S6313418A JP 15665986 A JP15665986 A JP 15665986A JP 15665986 A JP15665986 A JP 15665986A JP S6313418 A JPS6313418 A JP S6313418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- parallel
- reverse bias
- isolation
- inductance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイオードを使用した高周波スイッチに関し
、特に逆バイアス状態にあるオフ側のダイオードの容量
を利用してアイソレーションを高めようとするものであ
る。
、特に逆バイアス状態にあるオフ側のダイオードの容量
を利用してアイソレーションを高めようとするものであ
る。
高周波信号の通過を阻止または許容するためのダイオー
ドスイッチは、例えば第３図のように１入力２出力の分
岐回路に使用される。同図において、ＩＮは入力端子、
ＯＵＴ＋ 、０ＵＴ２は出力端子、ＣｌＮＣ５は直流カ
ット用コンデンサ、Ｄ ＋ 。
ドスイッチは、例えば第３図のように１入力２出力の分
岐回路に使用される。同図において、ＩＮは入力端子、
ＯＵＴ＋ 、０ＵＴ２は出力端子、ＣｌＮＣ５は直流カ
ット用コンデンサ、Ｄ ＋ 。
Ｄ２はダイオード、Ｖｌ、Ｖ２はその制御電圧、Ｒ１−
Ｒ３はダイオードのバイアス用抵抗である。
Ｒ３はダイオードのバイアス用抵抗である。
制御電圧Ｖｌ、Ｖ２はオンさせる側に正のバイアス電圧
を印加し、オフさせる側を０■にする。例えばｖ２を５
ｖにすると直流電流がＲ３−Ｄ ２−Ｒ＋−ＧＮＤへと
流れてダイオードＤ２はオンする。高周波入力ＩＮの振
幅は５■よりはるかに小さいので、オン側のダイオード
Ｄ２を通して出力端子ＯＵ Ｔ ２に現われる。このと
きダイオニドＤ１は逆バイアスされるためカットオフし
、理想的には出力端子ＯＵＴ＋に不要信号は現われない
。
を印加し、オフさせる側を０■にする。例えばｖ２を５
ｖにすると直流電流がＲ３−Ｄ ２−Ｒ＋−ＧＮＤへと
流れてダイオードＤ２はオンする。高周波入力ＩＮの振
幅は５■よりはるかに小さいので、オン側のダイオード
Ｄ２を通して出力端子ＯＵ Ｔ ２に現われる。このと
きダイオニドＤ１は逆バイアスされるためカットオフし
、理想的には出力端子ＯＵＴ＋に不要信号は現われない
。
しかしながら、実際には出力端子ＯＵ Ｔ ２に現われ
る信号が挿入損失によって僅かながら減衰すると共に、
ダイオードＤ１の逆バイアス容ＭＣｖ１を通して出力端
子ＯＵＴ＋側にも漏れ成分が生ずるため、高周波になれ
ばなる程アイソレーションは低下する。第４図はこれを
示す周波数特性図で、入力ＩＮをＯｄＢとしたときのＯ
Ｎ側出力とＯＦＦ側出力を示しである。アイソレーショ
ンは再出力の比であるから、第４図の場合７５０ＭＨｚ
以上で急激に悪化し、９００ＭＨ２付近では１０ｄＢ未
満となっている。この種のダイオードスイッチは、例え
ばトランシーバの送受切替えに利用されるが、上述した
ようにアイソレーションが低いと送信側（ドライバ段の
入力）から受信側（受信ローカル）への回込みで発振を
起こす原因にもなる。
る信号が挿入損失によって僅かながら減衰すると共に、
ダイオードＤ１の逆バイアス容ＭＣｖ１を通して出力端
子ＯＵＴ＋側にも漏れ成分が生ずるため、高周波になれ
ばなる程アイソレーションは低下する。第４図はこれを
示す周波数特性図で、入力ＩＮをＯｄＢとしたときのＯ
Ｎ側出力とＯＦＦ側出力を示しである。アイソレーショ
ンは再出力の比であるから、第４図の場合７５０ＭＨｚ
以上で急激に悪化し、９００ＭＨ２付近では１０ｄＢ未
満となっている。この種のダイオードスイッチは、例え
ばトランシーバの送受切替えに利用されるが、上述した
ようにアイソレーションが低いと送信側（ドライバ段の
入力）から受信側（受信ローカル）への回込みで発振を
起こす原因にもなる。
本発明は、オフ側のダイオードの逆バイアス容量を逆利
用してアイソレーションを高めようとするものである。
用してアイソレーションを高めようとするものである。
本発明は、１入力を２以上の出力に分岐する経路にそれ
ぞれダイオードを介在させてその１つに順方向のバイア
ス電圧を印加してオンさせるダイオード高周波スイッチ
において、オフ側のダイオードの逆バイアス容量と並列
共振して入力周波数を阻止するインダクタンスを該ダイ
オードと並列に接続してなることを特徴とするものであ
る。
ぞれダイオードを介在させてその１つに順方向のバイア
ス電圧を印加してオンさせるダイオード高周波スイッチ
において、オフ側のダイオードの逆バイアス容量と並列
共振して入力周波数を阻止するインダクタンスを該ダイ
オードと並列に接続してなることを特徴とするものであ
る。
ダイオードスイッチの逆バイアス容量はそのままでは高
周波になるほどアイソレーションを悪化させる原因にな
るが、これと並列にインダクタンスを接続すれば並列共
振回路となり、その共振点を阻止周波数に設定すれば高
周波域でのアイソレーションを著しく改善することがで
きる。
周波になるほどアイソレーションを悪化させる原因にな
るが、これと並列にインダクタンスを接続すれば並列共
振回路となり、その共振点を阻止周波数に設定すれば高
周波域でのアイソレーションを著しく改善することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図で、インダクタ
ンスＬｌ （Ｌ２）と直流カット用コンデンサＣ４（
Ｃ１１）の直列回路をダイオードＤ１（Ｄ２）に並列接
続して、該ダイオードの逆バイアス容量ＣＶ１ （ＣＶ
２）とインダクタンスＬｌ（Ｌ２）で並列共振回路を構
成するようにした点が第３図と異なる。共振点はそれぞ
れ である。Ｃｖｌ、Ｃｖ□は数ｐＦであるので Ｌｌ。
ンスＬｌ （Ｌ２）と直流カット用コンデンサＣ４（
Ｃ１１）の直列回路をダイオードＤ１（Ｄ２）に並列接
続して、該ダイオードの逆バイアス容量ＣＶ１ （ＣＶ
２）とインダクタンスＬｌ（Ｌ２）で並列共振回路を構
成するようにした点が第３図と異なる。共振点はそれぞ
れ である。Ｃｖｌ、Ｃｖ□は数ｐＦであるので Ｌｌ。
Ｌ２を適宜選択してｆｌ、ｆ２を希望する値に設定すれ
ばよい。
ばよい。
第２図はｆ ＋＝ｆ２＝９００ＭＨｚとした本発明の周
波数特性図で、入力ＩＮを第４図と同様にＯｄＢとした
ものである。同図から明らかなように、Ｊ’［点ｆ＋、
ｆ２のアイソレーションは４０ｄＢを優に越えるため、
９００ＭＨｚ帯のダイオードスイッチとしても極めて良
好な特性を得ることができる。
波数特性図で、入力ＩＮを第４図と同様にＯｄＢとした
ものである。同図から明らかなように、Ｊ’［点ｆ＋、
ｆ２のアイソレーションは４０ｄＢを優に越えるため、
９００ＭＨｚ帯のダイオードスイッチとしても極めて良
好な特性を得ることができる。
上述した構成において、ｆ＋’ｑｆ２とすることは容易
であり、また３以上の出力端子を有する場合にも通用す
ることができる。
であり、また３以上の出力端子を有する場合にも通用す
ることができる。
以上述べたように本発明によれば、ダイオードの逆バイ
アス容量が不要信号を漏洩させるような高周波域におい
ても、簡単な回路を追加するだけで充分に高いアイソレ
ーションを得ることができる。
アス容量が不要信号を漏洩させるような高周波域におい
ても、簡単な回路を追加するだけで充分に高いアイソレ
ーションを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図はその
周波数特性図、第３図は従来のダイオード高周波スイッ
チの一例を示す回路図、第４図はその周波数特性図であ
る。 図中、ＩＮは入力端子、０ＵＴＩ、０ＵＴ２は出力端子
、ＤＩ、Ｄ２はダイオード、ｃｖ、 、 ＣＶ２は逆
バイアス容量、Ｌｌ、Ｌ２は並列共振用のインダクタン
ス、Ｖｌ、Ｖ２はバイアス電圧である。
周波数特性図、第３図は従来のダイオード高周波スイッ
チの一例を示す回路図、第４図はその周波数特性図であ
る。 図中、ＩＮは入力端子、０ＵＴＩ、０ＵＴ２は出力端子
、ＤＩ、Ｄ２はダイオード、ｃｖ、 、 ＣＶ２は逆
バイアス容量、Ｌｌ、Ｌ２は並列共振用のインダクタン
ス、Ｖｌ、Ｖ２はバイアス電圧である。
Claims (1)
- １入力を２以上の出力に分岐する経路にそれぞれダイオ
ードを介在させてその１つに順方向のバイアス電圧を印
加してオンさせるダイオード高周波スイッチにおいて、
オフ側のダイオードの逆バイアス容量と並列共振して入
力周波数を阻止するインダクタンスを該ダイオードと並
列に接続してなることを特徴とするダイオード高周波ス
イッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15665986A JPS6313418A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | ダイオ−ド高周波スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15665986A JPS6313418A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | ダイオ−ド高周波スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313418A true JPS6313418A (ja) | 1988-01-20 |
Family
ID=15632490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15665986A Pending JPS6313418A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | ダイオ−ド高周波スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6313418A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531362U (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-23 | 国際電気株式会社 | 高周波信号開閉器 |
| US5516953A (en) * | 1994-03-08 | 1996-05-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the preparation of optically active cycloolefins |
| WO1998056060A1 (fr) * | 1997-06-03 | 1998-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Commutateur a deux frequences, dispositif utilisant une antenne a deux frequences commune, et equipement de radiocommunication mobile pour deux bandes de frequence, utilisant ledit dispositif |
| JP2006245996A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Yazaki Corp | 高周波スイッチ回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161523A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Nec Corp | ダイオ−ドスイツチ回路 |
-
1986
- 1986-07-03 JP JP15665986A patent/JPS6313418A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161523A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Nec Corp | ダイオ−ドスイツチ回路 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531362U (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-23 | 国際電気株式会社 | 高周波信号開閉器 |
| US5516953A (en) * | 1994-03-08 | 1996-05-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the preparation of optically active cycloolefins |
| WO1998056060A1 (fr) * | 1997-06-03 | 1998-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Commutateur a deux frequences, dispositif utilisant une antenne a deux frequences commune, et equipement de radiocommunication mobile pour deux bandes de frequence, utilisant ledit dispositif |
| US6496083B1 (en) | 1997-06-03 | 2002-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diode compensation circuit including two series and one parallel resonance points |
| CN100386917C (zh) * | 1997-06-03 | 2008-05-07 | 松下电器产业株式会社 | 双频带开关 |
| JP2006245996A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Yazaki Corp | 高周波スイッチ回路 |
| JP4611773B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2011-01-12 | 矢崎総業株式会社 | 高周波スイッチ回路 |
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