JPH0555803A - マイクロ波スイツチ - Google Patents
マイクロ波スイツチInfo
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- JPH0555803A JPH0555803A JP24278991A JP24278991A JPH0555803A JP H0555803 A JPH0555803 A JP H0555803A JP 24278991 A JP24278991 A JP 24278991A JP 24278991 A JP24278991 A JP 24278991A JP H0555803 A JPH0555803 A JP H0555803A
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- JP
- Japan
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- microwave
- frequency
- transmission line
- parallel
- circuit
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２つの周波数についてマイクロ波のスイッチ
動作が可能なマイクロ波スイッチを得る。 【構成】 周波数ｆ1 のマイクロ波に対して１／４波
長、周波数ｆ3 のマイクロ波に対して３／４波長の電気
長を有する伝送線路を設け、該伝送線路の一部と接地と
の間に２つの電界効果型トランジスタＪ1 及びＪ2 を直
列に挿入するとともに、該直列接続のトランジスタと並
列にインダクタ５を接続し、上記２つのトランジスタの
うち所定のトランジスタＪ1 をオン，オフして、上記イ
ンダクタと複数のトランジスタからなる並列回路１０及
び２０の共振周波数を変更するようにした。
動作が可能なマイクロ波スイッチを得る。 【構成】 周波数ｆ1 のマイクロ波に対して１／４波
長、周波数ｆ3 のマイクロ波に対して３／４波長の電気
長を有する伝送線路を設け、該伝送線路の一部と接地と
の間に２つの電界効果型トランジスタＪ1 及びＪ2 を直
列に挿入するとともに、該直列接続のトランジスタと並
列にインダクタ５を接続し、上記２つのトランジスタの
うち所定のトランジスタＪ1 をオン，オフして、上記イ
ンダクタと複数のトランジスタからなる並列回路１０及
び２０の共振周波数を変更するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波集積回路
に用いるマイクロ波スイッチに関し、特に２つの周波数
で使用可能なマイクロ波スイッチに関するものである。
に用いるマイクロ波スイッチに関し、特に２つの周波数
で使用可能なマイクロ波スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のマイクロ波スイッチを説明
するための等価回路図であり、図において、２は所定の
周波数ｆ0 のマイクロ波に対して１／４波長の電気長を
有する伝送線路、１，３はそれぞれ該伝送線路２の入力
端子及び出力端子、２１は該伝送線路２の入力側と接地
との間に挿入された入力側並列回路、３１は該伝送線路
２の出力側と接地との間に挿入された出力側並列回路で
あり、各並列回路は、所定のオフ容量，つまりゲートバ
イアス電圧がピンチオフ電圧より小さいオフ時における
ソース，ドレイン間容量Ｃ0 を有するＦＥＴＪ3 と、該
ＦＥＴと並列に接続され、インダクタンス値Ｌ0 を有
し、上記周波数ｆ0 について上記ＦＥＴのオフ容量と共
振させるためのインダクタ４とからなる。また６０は上
記出力端子３と接地との間に接続された５０Ω終端抵抗
で、出力端子３に接続される負荷側のインピーダンス
と、伝送線路側のインピーダンスとを整合するためのも
のである。
するための等価回路図であり、図において、２は所定の
周波数ｆ0 のマイクロ波に対して１／４波長の電気長を
有する伝送線路、１，３はそれぞれ該伝送線路２の入力
端子及び出力端子、２１は該伝送線路２の入力側と接地
との間に挿入された入力側並列回路、３１は該伝送線路
２の出力側と接地との間に挿入された出力側並列回路で
あり、各並列回路は、所定のオフ容量，つまりゲートバ
イアス電圧がピンチオフ電圧より小さいオフ時における
ソース，ドレイン間容量Ｃ0 を有するＦＥＴＪ3 と、該
ＦＥＴと並列に接続され、インダクタンス値Ｌ0 を有
し、上記周波数ｆ0 について上記ＦＥＴのオフ容量と共
振させるためのインダクタ４とからなる。また６０は上
記出力端子３と接地との間に接続された５０Ω終端抵抗
で、出力端子３に接続される負荷側のインピーダンス
と、伝送線路側のインピーダンスとを整合するためのも
のである。
【０００３】図４(a) は、それぞれ上記入力側及び出力
側並列回路２１及び３１において、ＦＥＴがオンしてい
る時の等価回路、図４(b) は上記各並列回路のＦＥＴが
オフしている時の等価回路を示している。
側並列回路２１及び３１において、ＦＥＴがオンしてい
る時の等価回路、図４(b) は上記各並列回路のＦＥＴが
オフしている時の等価回路を示している。
【０００４】上記入力側及び出力側並列回路２１，３１
においてＦＥＴＪ3をオフにすると、各並列回路は図４
(b) に示すように、インダクタ４とＦＥＴＪ3 のオフ容
量Ｃとが並列に接続された回路構成となり、該並列回路
のインピーダンスは周波数ｆ0 （＝１／２π√ＬｏＣ
ｏ）のマイクロ波に対して無限大となる。ここで上記周
波数ｆ0 は並列回路の共振周波数である。一方上記各並
列回路のＦＥＴＪ3 をオンにすると、上記各並列回路は
図４(a) に示すように、ＦＥＴＪ3 のオン抵抗Ｒ0 とイ
ンダクタが並列に接続された回路構成となり、上記各並
列回路のインピーダンスはほぼ抵抗Ｒ0 と等しくなる。
においてＦＥＴＪ3をオフにすると、各並列回路は図４
(b) に示すように、インダクタ４とＦＥＴＪ3 のオフ容
量Ｃとが並列に接続された回路構成となり、該並列回路
のインピーダンスは周波数ｆ0 （＝１／２π√ＬｏＣ
ｏ）のマイクロ波に対して無限大となる。ここで上記周
波数ｆ0 は並列回路の共振周波数である。一方上記各並
列回路のＦＥＴＪ3 をオンにすると、上記各並列回路は
図４(a) に示すように、ＦＥＴＪ3 のオン抵抗Ｒ0 とイ
ンダクタが並列に接続された回路構成となり、上記各並
列回路のインピーダンスはほぼ抵抗Ｒ0 と等しくなる。
【０００５】上述のように入力側及び出力側並列回路２
１，３１のＦＥＴＪ3 をオフにすると、該ＦＥＴＪ3 と
インダクタＬ0 で構成される回路のインピーダンスは、
上記周波数ｆ0 のマイクロ波に大して無限大となり、ま
た入力端子１と出力端子３とは周波数ｆ0 のマイクロ波
に対する１／４波長の伝送線路で接続されているため、
入力端子１から出力端子３を見たインピーダンスは周波
数ｆ0 のマイクロ波に対して無視できる程度のものとな
り、入力端子１から入った周波数ｆ0 のマイクロ波は出
力端子３へと向かい、この周波数ｆ0 のマイクロ波を出
力端子３から取り出すことができる。
１，３１のＦＥＴＪ3 をオフにすると、該ＦＥＴＪ3 と
インダクタＬ0 で構成される回路のインピーダンスは、
上記周波数ｆ0 のマイクロ波に大して無限大となり、ま
た入力端子１と出力端子３とは周波数ｆ0 のマイクロ波
に対する１／４波長の伝送線路で接続されているため、
入力端子１から出力端子３を見たインピーダンスは周波
数ｆ0 のマイクロ波に対して無視できる程度のものとな
り、入力端子１から入った周波数ｆ0 のマイクロ波は出
力端子３へと向かい、この周波数ｆ0 のマイクロ波を出
力端子３から取り出すことができる。
【０００６】また、上記各並列回路２１，３１のＦＥＴ
Ｊ3 をオンにすると、該並列回路のインピーダンスは、
周波数ｆ0 のマイクロ波に対して無視できる程度のもの
となり、また入力端子１と出力端子３は周波数ｆ0 のマ
イクロ波に対する１／４波長の伝送線路で接続されてい
るため、入力端子１から出力端子３を見たインピーダン
スはほぼ無限大となり、入力端子１から入った周波数ｆ
0 のマイクロ波はＦＥＴＪ3 へと向かい、そのオン抵抗
Ｒ0 を介して接地される。従って、入力端子１から入っ
た周波数ｆ0 のマイクロ波は出力端子３へは伝わらずに
遮断されることとなる。
Ｊ3 をオンにすると、該並列回路のインピーダンスは、
周波数ｆ0 のマイクロ波に対して無視できる程度のもの
となり、また入力端子１と出力端子３は周波数ｆ0 のマ
イクロ波に対する１／４波長の伝送線路で接続されてい
るため、入力端子１から出力端子３を見たインピーダン
スはほぼ無限大となり、入力端子１から入った周波数ｆ
0 のマイクロ波はＦＥＴＪ3 へと向かい、そのオン抵抗
Ｒ0 を介して接地される。従って、入力端子１から入っ
た周波数ｆ0 のマイクロ波は出力端子３へは伝わらずに
遮断されることとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波スイ
ッチは以上のように構成されているので、１つの周波数
ｆ0 のマイクロ波についてのみスイッチング動作が可能
であるが、２つの周波数についてスイッチング動作を行
うことができず、これをするためには、周波数ｆ 0 に対
するスイッチと、周波数ｆ1 （≠ｆ0 ）に対するスイッ
チとを２つ作る必要があった。
ッチは以上のように構成されているので、１つの周波数
ｆ0 のマイクロ波についてのみスイッチング動作が可能
であるが、２つの周波数についてスイッチング動作を行
うことができず、これをするためには、周波数ｆ 0 に対
するスイッチと、周波数ｆ1 （≠ｆ0 ）に対するスイッ
チとを２つ作る必要があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、２以上の周波数についてマイク
ロ波のスイッチ動作が可能なマイクロ波スイッチを得る
ことを目的とする。
ためになされたもので、２以上の周波数についてマイク
ロ波のスイッチ動作が可能なマイクロ波スイッチを得る
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波スイッチは、その電気長が、異なる周波数のマイクロ
波に対して１／４波長の奇数倍となるよう構成した伝送
線路を備え、上記異なる周波数の複数のマイクロ波に対
して共振可能な並列回路を、上記伝送線路の一部と接地
との間に直列に接続された複数の電界効果型トランジス
タと、上記直列接続の電界効果型トランジスタと並列に
接続され、そのインダクタンスと該トランジスタのオフ
容量とにより共振回路を構成するインダクタとから構成
し、上記各電界効果型トランジスタのオン，オフにより
マイクロ波を導通あるいは遮断制御するようにしたもの
である。
波スイッチは、その電気長が、異なる周波数のマイクロ
波に対して１／４波長の奇数倍となるよう構成した伝送
線路を備え、上記異なる周波数の複数のマイクロ波に対
して共振可能な並列回路を、上記伝送線路の一部と接地
との間に直列に接続された複数の電界効果型トランジス
タと、上記直列接続の電界効果型トランジスタと並列に
接続され、そのインダクタンスと該トランジスタのオフ
容量とにより共振回路を構成するインダクタとから構成
し、上記各電界効果型トランジスタのオン，オフにより
マイクロ波を導通あるいは遮断制御するようにしたもの
である。
【００１０】この発明は、上記マイクロ波スイッチにお
いて、上記伝送線路を、その電気長が所望の周波数のマ
イクロ波に対する１／４波長の２ｎ＋１（ｎは０以上の
整数）倍となるよう構成し、上記２つの電界効果型トラ
ンジスタのオフ時，つまりゲートバイアス電圧がピンチ
オフ電圧より小さい時におけるソース，ドレイン電極間
の容量の比を１対（２ｎ＋１）2 −１に設定したもので
ある。
いて、上記伝送線路を、その電気長が所望の周波数のマ
イクロ波に対する１／４波長の２ｎ＋１（ｎは０以上の
整数）倍となるよう構成し、上記２つの電界効果型トラ
ンジスタのオフ時，つまりゲートバイアス電圧がピンチ
オフ電圧より小さい時におけるソース，ドレイン電極間
の容量の比を１対（２ｎ＋１）2 −１に設定したもので
ある。
【００１１】またこの発明は、上記マイクロ波スイッチ
において、上記電界効果型トランジスタを用いた並列回
路に代えて、上記伝送線路の一部と接地との間に直列に
接続された複数のダイオードと、上記直列接続のダイオ
ードと並列に接続された誘導素子とからなり、該誘導素
子のインダクタンスと上記ダイオードのオフ容量に基づ
いて所定の共振周波数が決まる並列回路を備え、上記各
ダイオードを順方向あるいは逆方向にバイアスし、これ
らをオン，オフしてマイクロ波を導通あるいは遮断制御
するようにしたものである。
において、上記電界効果型トランジスタを用いた並列回
路に代えて、上記伝送線路の一部と接地との間に直列に
接続された複数のダイオードと、上記直列接続のダイオ
ードと並列に接続された誘導素子とからなり、該誘導素
子のインダクタンスと上記ダイオードのオフ容量に基づ
いて所定の共振周波数が決まる並列回路を備え、上記各
ダイオードを順方向あるいは逆方向にバイアスし、これ
らをオン，オフしてマイクロ波を導通あるいは遮断制御
するようにしたものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、所定周波数のマイクロ波
に対して１／４波長の奇数倍の電気長を有する伝送線路
を設け、該伝送線路の一部と接地との間に複数の電界効
果型トランジスタあるいはダイオードを直列に挿入する
とともに、該直列接続のトランジスタあるいはダイオー
ドと並列にインダクタを接続し、複数のトランジスタあ
るいはダイオードのうち所定のトランジスタをオン，オ
フして、上記インダクタと複数のトランジスタあるいは
ダイオードからなる並列回路の共振周波数を変更するよ
うにしたから、マイクロ波の導通あるいは遮断制御を複
数の周波数について行うことができる。
に対して１／４波長の奇数倍の電気長を有する伝送線路
を設け、該伝送線路の一部と接地との間に複数の電界効
果型トランジスタあるいはダイオードを直列に挿入する
とともに、該直列接続のトランジスタあるいはダイオー
ドと並列にインダクタを接続し、複数のトランジスタあ
るいはダイオードのうち所定のトランジスタをオン，オ
フして、上記インダクタと複数のトランジスタあるいは
ダイオードからなる並列回路の共振周波数を変更するよ
うにしたから、マイクロ波の導通あるいは遮断制御を複
数の周波数について行うことができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の一実施例によるマイクロ波ス
イッチを説明するための図であり、直列接続の２つのＦ
ＥＴとインダクタで構成される並列回路と、伝送線路と
を用いたマイクロ波スイッチの等価回路を示している。
図において、１は入力端子、３は出力端子、２は入力端
子１と出力端子３との間の伝送線路、１０は該伝送線路
２の入力側と接地との間に挿入された入力側並列回路、
２０は該伝送線路２の出力側と接地との間に挿入された
出力側並列回路であり、各並列回路は、それぞれ直列接
続の２つのＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 と、これに並列に接続され
たインダクタ５とから構成されている。また６は出力端
子３と接地との間に接続された５０Ω終端抵抗で、該出
力端子３に接続される負荷（図示せず）とマイクロ伝送
線路系とのインピーダンスを整合するためのものであ
る。
イッチを説明するための図であり、直列接続の２つのＦ
ＥＴとインダクタで構成される並列回路と、伝送線路と
を用いたマイクロ波スイッチの等価回路を示している。
図において、１は入力端子、３は出力端子、２は入力端
子１と出力端子３との間の伝送線路、１０は該伝送線路
２の入力側と接地との間に挿入された入力側並列回路、
２０は該伝送線路２の出力側と接地との間に挿入された
出力側並列回路であり、各並列回路は、それぞれ直列接
続の２つのＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 と、これに並列に接続され
たインダクタ５とから構成されている。また６は出力端
子３と接地との間に接続された５０Ω終端抵抗で、該出
力端子３に接続される負荷（図示せず）とマイクロ伝送
線路系とのインピーダンスを整合するためのものであ
る。
【００１４】図２(a) ，(d) は、上記入力側及び出力側
共振回路１０及び２０において、２つのＦＥＴが同時に
オンもしくはオフしている場合における等価回路を示
し、図２(b) ，(c) はその一方のみがオンしている場合
における等価回路を示している。
共振回路１０及び２０において、２つのＦＥＴが同時に
オンもしくはオフしている場合における等価回路を示
し、図２(b) ，(c) はその一方のみがオンしている場合
における等価回路を示している。
【００１５】上記入力側及び出力側並列回路１０，２０
は、ＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のオン，オフ状態を適切に選ぶこ
とにより、３つの相異なる周波数ｆ1 ，ｆ2 ，ｆ3 にお
いて各並列回路のインピーダンスが無限大となるよう、
ＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のオフ容量Ｃ1 ，Ｃ2 及びインダクタ
４のインピーダンスＬ1 を設定している。つまり、ｆ1
は、ＦＥＴＪ1 をオン、ＦＥＴＪ2 をオフした場合（図
２(c) ）の共振周波数、ｆ2 はＦＥＴＪ1 をオフ、ＦＥ
ＴＪ2 をオンした場合（図２(b) ）の共振周波数、ｆ3
はＦＥＴＪ1 及びＦＥＴＪ2 をオフした場合（図２(d)
）の共振周波数である。
は、ＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のオン，オフ状態を適切に選ぶこ
とにより、３つの相異なる周波数ｆ1 ，ｆ2 ，ｆ3 にお
いて各並列回路のインピーダンスが無限大となるよう、
ＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のオフ容量Ｃ1 ，Ｃ2 及びインダクタ
４のインピーダンスＬ1 を設定している。つまり、ｆ1
は、ＦＥＴＪ1 をオン、ＦＥＴＪ2 をオフした場合（図
２(c) ）の共振周波数、ｆ2 はＦＥＴＪ1 をオフ、ＦＥ
ＴＪ2 をオンした場合（図２(b) ）の共振周波数、ｆ3
はＦＥＴＪ1 及びＦＥＴＪ2 をオフした場合（図２(d)
）の共振周波数である。
【００１６】ここで、２つのＦＥＴのオフ時のソース，
ドレイン間容量の比（Ｃ1 ：Ｃ2 ）を１：８とすること
により、周波数ｆ1 とｆ3 の比は１：３となり、ＦＥＴ
Ｊ1 ，Ｊ2 をオンまたはオフさせることにより、ＦＥＴ
Ｊ1 ，Ｊ2 とインダクタの並列回路のインピーダンス
は、ｆ1 ，３ｆ1 （＝ｆ3 ）の周波数で無限大とするこ
とができる。
ドレイン間容量の比（Ｃ1 ：Ｃ2 ）を１：８とすること
により、周波数ｆ1 とｆ3 の比は１：３となり、ＦＥＴ
Ｊ1 ，Ｊ2 をオンまたはオフさせることにより、ＦＥＴ
Ｊ1 ，Ｊ2 とインダクタの並列回路のインピーダンス
は、ｆ1 ，３ｆ1 （＝ｆ3 ）の周波数で無限大とするこ
とができる。
【００１７】次に動作について説明する。各並列回路１
０，２０のＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のうちＦＥＴＪ1 をオフ
し、ＦＥＴＪ2 をオンすると（図２(b) 参照）、各並列
回路のインピーダンスは周波数ｆ1 のマイクロ波に対し
て無限大となる。ここで入力端子１と出力端子３とは周
波数ｆ1 に対する１／４波長の伝送線路で接続されてい
るため、入力端子１から出力端子３を見たインピーダン
スは周波数ｆ1 のマイクロ波に対して無視できる程度の
ものとなり、入力端子１から入った周波数ｆ1 のマイク
ロ波は出力端子３へと伝送され、出力端子から取り出さ
れる。
０，２０のＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のうちＦＥＴＪ1 をオフ
し、ＦＥＴＪ2 をオンすると（図２(b) 参照）、各並列
回路のインピーダンスは周波数ｆ1 のマイクロ波に対し
て無限大となる。ここで入力端子１と出力端子３とは周
波数ｆ1 に対する１／４波長の伝送線路で接続されてい
るため、入力端子１から出力端子３を見たインピーダン
スは周波数ｆ1 のマイクロ波に対して無視できる程度の
ものとなり、入力端子１から入った周波数ｆ1 のマイク
ロ波は出力端子３へと伝送され、出力端子から取り出さ
れる。
【００１８】また、各並列回路１０，２０のＦＥＴ
Ｊ1 ，Ｊ2 を同時にオフすると（図２(d) 参照）、入，
出力側の並列回路１０，２０のインピーダンスは、周波
数３ｆ1 （＝ｆ3 ）のマイクロ波に対して無限大とな
り、入力端子１と出力端子３は周波数３ｆ1 に対する３
／４波長の伝送線路で接続されているため、入力端子１
から出力端子３を見たインピーダンスは周波数３ｆ1 の
マイクロ波に対して無視できる程度のものとなり、入力
端子１から入った周波数３ｆ1 のマイクロ波は出力端子
３へと伝送され、出力端子から取り出される。
Ｊ1 ，Ｊ2 を同時にオフすると（図２(d) 参照）、入，
出力側の並列回路１０，２０のインピーダンスは、周波
数３ｆ1 （＝ｆ3 ）のマイクロ波に対して無限大とな
り、入力端子１と出力端子３は周波数３ｆ1 に対する３
／４波長の伝送線路で接続されているため、入力端子１
から出力端子３を見たインピーダンスは周波数３ｆ1 の
マイクロ波に対して無視できる程度のものとなり、入力
端子１から入った周波数３ｆ1 のマイクロ波は出力端子
３へと伝送され、出力端子から取り出される。
【００１９】また、上記各並列回路のＦＥＴＪ1 ，Ｊ2
を同時にオンすると（図２(d) 参照）、各並列回路のイ
ンピーダンスは、周波数ｆ1 及び３ｆ1 のマイクロ波に
対して無視できる程度のものとなり、上記入力端子１と
出力端子３の間の伝送線路がそれぞれ周波数ｆ1 に対し
ては１／４波長の伝送線路、周波数３ｆ1 に対しては３
／４波長の伝送線路となっているため、入力端子１から
出力端子３を見たインピーダンスは無限大となり、入力
端子１から入った周波数ｆ1 ，３ｆ1 のマイクロ波は入
力側の並列回路のＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 から抵抗を介してア
ースされることとなる。つまり入力端子１から入った周
波数ｆ1 あるいは３ｆ1 のマイクロ波は出力端子へは伝
わらずに遮断される。
を同時にオンすると（図２(d) 参照）、各並列回路のイ
ンピーダンスは、周波数ｆ1 及び３ｆ1 のマイクロ波に
対して無視できる程度のものとなり、上記入力端子１と
出力端子３の間の伝送線路がそれぞれ周波数ｆ1 に対し
ては１／４波長の伝送線路、周波数３ｆ1 に対しては３
／４波長の伝送線路となっているため、入力端子１から
出力端子３を見たインピーダンスは無限大となり、入力
端子１から入った周波数ｆ1 ，３ｆ1 のマイクロ波は入
力側の並列回路のＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 から抵抗を介してア
ースされることとなる。つまり入力端子１から入った周
波数ｆ1 あるいは３ｆ1 のマイクロ波は出力端子へは伝
わらずに遮断される。
【００２０】このように本実施例では、周波数ｆ1 のマ
イクロ波に対して１／４波長，周波数ｆ3 （＝３ｆ1 ）
のマイクロ波に対して３／４波長となる伝送線路を設
け、直列接続の２つのＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 と並列にインダ
クタ５を接続してなる並列回路１０，２０をそれぞれ、
上記伝送線路の入力側及び出力側端と接地との間に接続
し、しかも該ＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のオフ容量Ｃ1 ，Ｃ2 及
び上記インダクタ５のインダクタンス値Ｌ1 を、これら
の組合せにより上記各並列回路が周波数ｆ1 及びｆ3 に
対して無限大のインピーダンスを持つよう設定したの
で、上記ＦＥＴＪ1 のオン，オフにより、周波数ｆ1 及
び３ｆ1 （＝ｆ3 ）の２つの周波数のマイクロ波につい
てスイッチ動作をすることが可能となる。
イクロ波に対して１／４波長，周波数ｆ3 （＝３ｆ1 ）
のマイクロ波に対して３／４波長となる伝送線路を設
け、直列接続の２つのＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 と並列にインダ
クタ５を接続してなる並列回路１０，２０をそれぞれ、
上記伝送線路の入力側及び出力側端と接地との間に接続
し、しかも該ＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のオフ容量Ｃ1 ，Ｃ2 及
び上記インダクタ５のインダクタンス値Ｌ1 を、これら
の組合せにより上記各並列回路が周波数ｆ1 及びｆ3 に
対して無限大のインピーダンスを持つよう設定したの
で、上記ＦＥＴＪ1 のオン，オフにより、周波数ｆ1 及
び３ｆ1 （＝ｆ3 ）の２つの周波数のマイクロ波につい
てスイッチ動作をすることが可能となる。
【００２１】なお、上記実施例では並列回路を構成する
２つのトランジスタのオフ容量の比を１：８に設定し、
周波数ｆ1 のマイクロ波とその３倍の周波数ｆ3 （＝３
ｆ1 ）のマイクロ波について遮断あるいは導通制御を行
うようにしたが、上記２つのトランジスタのオフ容量の
比とマイクロ波の周波数の比との関係はこれに限るもの
ではなく、一般的には、２つのＦＥＴのオフ時のソース
ドレイン間容量の比は１：（２ｎ＋１）2 −１（ｎ：０
以上の整数）であればよく、この場合上記周波数ｆ1 と
ｆ3 の比は１：２ｎ＋１となり、この２つの周波数のマ
イクロ波についてスイッチングを行うことができる。た
だしこの場合伝送線路の電気長を（２ｎ＋１）／４波長
に設定する必要がある。
２つのトランジスタのオフ容量の比を１：８に設定し、
周波数ｆ1 のマイクロ波とその３倍の周波数ｆ3 （＝３
ｆ1 ）のマイクロ波について遮断あるいは導通制御を行
うようにしたが、上記２つのトランジスタのオフ容量の
比とマイクロ波の周波数の比との関係はこれに限るもの
ではなく、一般的には、２つのＦＥＴのオフ時のソース
ドレイン間容量の比は１：（２ｎ＋１）2 −１（ｎ：０
以上の整数）であればよく、この場合上記周波数ｆ1 と
ｆ3 の比は１：２ｎ＋１となり、この２つの周波数のマ
イクロ波についてスイッチングを行うことができる。た
だしこの場合伝送線路の電気長を（２ｎ＋１）／４波長
に設定する必要がある。
【００２２】詳述すれば、上述のように入力側及び出力
側並列回路のＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のオン，オフを適切に選
ぶことにより、３つの相異なる周波数ｆ1 （Ｊ1 ：オ
ン，Ｊ2 ：オフ）、ｆ2 （Ｊ1 ：オフ，Ｊ2 ：オン）、
ｆ3 （Ｊ1 ：オフ，Ｊ2 ：オフ）において、上記各並列
回路のインピーダンスを無限大とすることができる。こ
こで、上記２つのＦＥＴＪ1 及びＪ2 のオフ時のソー
ス，ドレイン間容量の比を１：（２ｎ＋１）2 −１
（ｎ：０以上の整数）とすることにより、ｆ1 とｆ3 の
比は１：２ｎ＋１となり、ＦＥＴＪ2 をオンまたはオフ
させることにより、入，出力側並列回路１０，２０のイ
ンピーダンスを、周波数ｆ1 又はｆ3 （＝（２ｎ＋１）
ｆ1）の信号に対して無限大とすることができる。
側並列回路のＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 のオン，オフを適切に選
ぶことにより、３つの相異なる周波数ｆ1 （Ｊ1 ：オ
ン，Ｊ2 ：オフ）、ｆ2 （Ｊ1 ：オフ，Ｊ2 ：オン）、
ｆ3 （Ｊ1 ：オフ，Ｊ2 ：オフ）において、上記各並列
回路のインピーダンスを無限大とすることができる。こ
こで、上記２つのＦＥＴＪ1 及びＪ2 のオフ時のソー
ス，ドレイン間容量の比を１：（２ｎ＋１）2 −１
（ｎ：０以上の整数）とすることにより、ｆ1 とｆ3 の
比は１：２ｎ＋１となり、ＦＥＴＪ2 をオンまたはオフ
させることにより、入，出力側並列回路１０，２０のイ
ンピーダンスを、周波数ｆ1 又はｆ3 （＝（２ｎ＋１）
ｆ1）の信号に対して無限大とすることができる。
【００２３】具体的には、ＦＥＴＪ1 をオフし、ＦＥＴ
Ｊ2 をオンすると（図２(b) 参照）、各並列回路のイン
ピーダンスが周波数ｆ1 のマイクロ波に対して無限大と
なり、伝送線路２の電気長が周波数ｆ1 に対して１／４
波長であるため、入力端子１から出力端子３を見たイン
ピーダンスは周波数ｆ1 のマイクロ波に対して無視でき
る程度のものとなり、入力端子１から入った周波数ｆ1
のマイクロ波は出力端子３へと伝送され、出力端子３か
ら取り出すことができる。
Ｊ2 をオンすると（図２(b) 参照）、各並列回路のイン
ピーダンスが周波数ｆ1 のマイクロ波に対して無限大と
なり、伝送線路２の電気長が周波数ｆ1 に対して１／４
波長であるため、入力端子１から出力端子３を見たイン
ピーダンスは周波数ｆ1 のマイクロ波に対して無視でき
る程度のものとなり、入力端子１から入った周波数ｆ1
のマイクロ波は出力端子３へと伝送され、出力端子３か
ら取り出すことができる。
【００２４】また、ＦＥＴＪ1 及びＪ2 をオフすると
（図２(d) 参照）、各並列回路のインピーダンスは周波
数ｆ3 （＝（２ｎ＋１）ｆ1 ）のマイクロ波に対して無
限大となり、また伝送線路２の電気長は周波数（２ｎ＋
１）ｆ1 のマイクロ波に対して（２ｎ＋１）／４波長と
なっているため、入力端子１から出力端子３を見たイン
ピーダンスは周波数（２ｎ＋１）ｆ1 のマイクロ波に対
して無視できる程度のものとなり、入力端子１から入っ
た周波数（２ｎ＋１）ｆ1 （ｆ3 ）のマイクロ波は出力
端子３へと伝送され、出力端子から取り出すことができ
る。
（図２(d) 参照）、各並列回路のインピーダンスは周波
数ｆ3 （＝（２ｎ＋１）ｆ1 ）のマイクロ波に対して無
限大となり、また伝送線路２の電気長は周波数（２ｎ＋
１）ｆ1 のマイクロ波に対して（２ｎ＋１）／４波長と
なっているため、入力端子１から出力端子３を見たイン
ピーダンスは周波数（２ｎ＋１）ｆ1 のマイクロ波に対
して無視できる程度のものとなり、入力端子１から入っ
た周波数（２ｎ＋１）ｆ1 （ｆ3 ）のマイクロ波は出力
端子３へと伝送され、出力端子から取り出すことができ
る。
【００２５】また、各並列回路のＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 を同
時にオンすると（図２(a) 参照）、各並列回路のインピ
ーダンスは、周波数ｆ1 及びｆ3 （＝（２ｎ＋１）
ｆ1 ）のマイクロ波に対して無視できる程度のものとな
る。また上記伝送線路２の電気長は、周波数ｆ1 に対し
ては１／４波長、またｆ3 （＝（２ｎ＋１）ｆ1 ）に対
しては（２ｎ＋１）／４波長となっているため、これら
の周波数のマイクロ波に対して入力端子１から出力端子
３を見たインピーダンスは無限大となる。このため入力
端子１から入った周波数ｆ1 あるいは（２ｎ＋１）ｆ1
のマイクロ波はＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 から抵抗を介して接地
され、入力端子１から入った周波数ｆ1 ，（２ｎ＋１）
ｆ1 のマイクロ波は出力端子へは伝わらずに遮断される
こととなる。
時にオンすると（図２(a) 参照）、各並列回路のインピ
ーダンスは、周波数ｆ1 及びｆ3 （＝（２ｎ＋１）
ｆ1 ）のマイクロ波に対して無視できる程度のものとな
る。また上記伝送線路２の電気長は、周波数ｆ1 に対し
ては１／４波長、またｆ3 （＝（２ｎ＋１）ｆ1 ）に対
しては（２ｎ＋１）／４波長となっているため、これら
の周波数のマイクロ波に対して入力端子１から出力端子
３を見たインピーダンスは無限大となる。このため入力
端子１から入った周波数ｆ1 あるいは（２ｎ＋１）ｆ1
のマイクロ波はＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 から抵抗を介して接地
され、入力端子１から入った周波数ｆ1 ，（２ｎ＋１）
ｆ1 のマイクロ波は出力端子へは伝わらずに遮断される
こととなる。
【００２６】なお、上記実施例では、各並列回路のイン
ピーダンスを変更可能とするのに２つのＦＥＴを用いた
が、これはＦＥＴに限るものではなく、例えば２つのダ
イオードを用いてもよい。
ピーダンスを変更可能とするのに２つのＦＥＴを用いた
が、これはＦＥＴに限るものではなく、例えば２つのダ
イオードを用いてもよい。
【００２７】次にこのような構成の本発明の第２の実施
例について説明する。図５(a) ，(b) は本発明の第２の
実施例によるマイクロ波スイッチを説明するための図、
図６はその動作を説明するための図である。図５(a) に
おいて３０，４０はそれぞれ入力側及び出力側の並列回
路で、ここでは、各並列回路は、直列接続の２つのダイ
オードＤ1 ，Ｄ2 と、これに並列に接続された直列接続
のインダクタ１５及びコンデンサ１６とから構成されて
いる。また３０ａ，３０ｂはそれぞれ上記入力側並列回
路３０のダイオードＤ1 ，Ｄ2 のアノード側の電極、４
０ａ，４０ｂはそれぞれ上記出力側並列回路４０のダイ
オードＤ1 ，Ｄ2 のアノード側の電極で、これらの電極
に所定の直流電圧を印加して上記ダイオードを順方向あ
るいは逆方向にバイアスすることにより、上記ダイオー
ドのオン，オフ制御ができるようになっている。
例について説明する。図５(a) ，(b) は本発明の第２の
実施例によるマイクロ波スイッチを説明するための図、
図６はその動作を説明するための図である。図５(a) に
おいて３０，４０はそれぞれ入力側及び出力側の並列回
路で、ここでは、各並列回路は、直列接続の２つのダイ
オードＤ1 ，Ｄ2 と、これに並列に接続された直列接続
のインダクタ１５及びコンデンサ１６とから構成されて
いる。また３０ａ，３０ｂはそれぞれ上記入力側並列回
路３０のダイオードＤ1 ，Ｄ2 のアノード側の電極、４
０ａ，４０ｂはそれぞれ上記出力側並列回路４０のダイ
オードＤ1 ，Ｄ2 のアノード側の電極で、これらの電極
に所定の直流電圧を印加して上記ダイオードを順方向あ
るいは逆方向にバイアスすることにより、上記ダイオー
ドのオン，オフ制御ができるようになっている。
【００２８】また図５(b) はダイオードＤに順方向ある
いは逆方向電位を印加して、オンあるいはオフ状態とし
た場合の等価回路を示しており、図に示すように上記ダ
イオードはオン状態では抵抗Ｒ、オフ状態では容量Ｃと
等価となる。なお図６において、Ｃ10は上記コンデンサ
１６の容量、Ｌ10は上記インダクタのインダクタンス
値、Ｃ11，Ｃ12は上記ダイオードＤ1 ，Ｄ2 のオフ容
量、Ｒ11，Ｒ12はそれぞれ上記ダイオードＤ1 ，Ｄ2 の
オン抵抗である。ここでは、上記ダイオードＤ1 ，Ｄ2
のオフ容量Ｃ11，Ｃ12は、上記両ダイオードをともにオ
フした場合の並列回路の共振周波数ｆ10と、上記ダイオ
ードＤ1 をオンし、ダイオードＤ2 をオフした場合の並
列回路の共振周波数ｆ30との比が１対３となるよう設定
し、また伝送線路２の電気長を周波数ｆ10のマイクロ波
については１／４波長、また周波数ｆ30のマイクロ波に
ついては３／４波長となるようにしている。
いは逆方向電位を印加して、オンあるいはオフ状態とし
た場合の等価回路を示しており、図に示すように上記ダ
イオードはオン状態では抵抗Ｒ、オフ状態では容量Ｃと
等価となる。なお図６において、Ｃ10は上記コンデンサ
１６の容量、Ｌ10は上記インダクタのインダクタンス
値、Ｃ11，Ｃ12は上記ダイオードＤ1 ，Ｄ2 のオフ容
量、Ｒ11，Ｒ12はそれぞれ上記ダイオードＤ1 ，Ｄ2 の
オン抵抗である。ここでは、上記ダイオードＤ1 ，Ｄ2
のオフ容量Ｃ11，Ｃ12は、上記両ダイオードをともにオ
フした場合の並列回路の共振周波数ｆ10と、上記ダイオ
ードＤ1 をオンし、ダイオードＤ2 をオフした場合の並
列回路の共振周波数ｆ30との比が１対３となるよう設定
し、また伝送線路２の電気長を周波数ｆ10のマイクロ波
については１／４波長、また周波数ｆ30のマイクロ波に
ついては３／４波長となるようにしている。
【００２９】次に動作について説明する。上記２つのダ
イオードＤ1 及びＤ2 のオン，オフ状態により、上記各
並列回路は、図６(a)〜(d) に示す４つの回路と等価と
なる。すなわち、まず入力側及び出力側並列回路３０及
び４０において、各電極３０ａ，３０ｂ及び４０ａ，４
０ｂに所定電圧を印加して、線路側及び接地側のダイオ
ードＤ1 ，Ｄ2 をともにオフすると（図６(a) ）、各並
列回路３０及び４０は、周波数ｆ30（＝１／２π√（Ｌ
10ＣX ））についてインピーダンスが無限大となり、こ
の周波数のマイクロ波信号は導通状態となる。またここ
でＣX は１／ＣX ＝１／Ｃ10＋１／Ｃ11＋１／Ｃ12で与
えられる。
イオードＤ1 及びＤ2 のオン，オフ状態により、上記各
並列回路は、図６(a)〜(d) に示す４つの回路と等価と
なる。すなわち、まず入力側及び出力側並列回路３０及
び４０において、各電極３０ａ，３０ｂ及び４０ａ，４
０ｂに所定電圧を印加して、線路側及び接地側のダイオ
ードＤ1 ，Ｄ2 をともにオフすると（図６(a) ）、各並
列回路３０及び４０は、周波数ｆ30（＝１／２π√（Ｌ
10ＣX ））についてインピーダンスが無限大となり、こ
の周波数のマイクロ波信号は導通状態となる。またここ
でＣX は１／ＣX ＝１／Ｃ10＋１／Ｃ11＋１／Ｃ12で与
えられる。
【００３０】次に各並列回路３０，４０のダイオードの
アノード側電極に所定電位を与えて、線路側ダイオード
Ｄ1 をオフ、接地側ダイオードＤ2 をオンすると、上記
各並列回路３０，４０は、周波数ｆ20（＝１／２π√
（Ｌ10ＣY ））についてインピーダンスが無限大とな
り、この周波数のマイクロ波信号は導通状態となる（図
６(b) ）。この場合ＣY は１／ＣY ＝１／Ｃ10＋１／Ｃ
11で与えられる。
アノード側電極に所定電位を与えて、線路側ダイオード
Ｄ1 をオフ、接地側ダイオードＤ2 をオンすると、上記
各並列回路３０，４０は、周波数ｆ20（＝１／２π√
（Ｌ10ＣY ））についてインピーダンスが無限大とな
り、この周波数のマイクロ波信号は導通状態となる（図
６(b) ）。この場合ＣY は１／ＣY ＝１／Ｃ10＋１／Ｃ
11で与えられる。
【００３１】次に線路側ダイオードＤ1 をオフし、接地
側ダイオードＤ2 をオンすると、上記各並列回路３０，
４０は、周波数ｆ10（＝１／２π√（Ｌ10ＣZ ））につ
いてインピーダンスが無限大となり、この周波数のマイ
クロ波信号は導通状態となる（図６(c) ）。この場合Ｃ
Z は１／ＣZ ＝１／Ｃ10＋１／Ｃ12で与えられる。
側ダイオードＤ2 をオンすると、上記各並列回路３０，
４０は、周波数ｆ10（＝１／２π√（Ｌ10ＣZ ））につ
いてインピーダンスが無限大となり、この周波数のマイ
クロ波信号は導通状態となる（図６(c) ）。この場合Ｃ
Z は１／ＣZ ＝１／Ｃ10＋１／Ｃ12で与えられる。
【００３２】さらに接地側ダイオードＤ1 及び線路側ダ
イオードＤ2 をともにオンすると、上記各並列回路３
０，４０は、周波数ｆ40（＝１／２π√（Ｌ10Ｃ10））
についてインピーダンスが無限大となり、この周波数の
マイクロ波信号は導通状態となる一方、この周波数から
ある程度離れた周波数のマイクロ波は出力端子へ到達で
きず遮断されることとなる（図６(d) ）。
イオードＤ2 をともにオンすると、上記各並列回路３
０，４０は、周波数ｆ40（＝１／２π√（Ｌ10Ｃ10））
についてインピーダンスが無限大となり、この周波数の
マイクロ波信号は導通状態となる一方、この周波数から
ある程度離れた周波数のマイクロ波は出力端子へ到達で
きず遮断されることとなる（図６(d) ）。
【００３３】従ってこの場合、伝送線路２の電気長を周
波数ｆ10のマイクロ波については１／４波長、また周波
数ｆ30のマイクロ波については３／４波長となるように
しているので、接地側のダイオードＤ2 を常にオンと
し、線路側のダイオードＤ1 をオン、オフすることによ
り、上記周波数ｆ30及びｆ10の２つのマイクロ波のスイ
ッチング制御を行うことができる。
波数ｆ10のマイクロ波については１／４波長、また周波
数ｆ30のマイクロ波については３／４波長となるように
しているので、接地側のダイオードＤ2 を常にオンと
し、線路側のダイオードＤ1 をオン、オフすることによ
り、上記周波数ｆ30及びｆ10の２つのマイクロ波のスイ
ッチング制御を行うことができる。
【００３４】なおこの実施例では、上記周波数ｆ10，ｆ
30の比が１対３となるよう、ダイオードＤ1 ，Ｄ2 のオ
フ容量Ｃ11，Ｃ12を設定したが、該オフ容量Ｃ11，Ｃ12
は、上記周波数ｆ20とｆ30とが１対３となるよう設定し
てもよく、またｆ10対ｆ30あるいはｆ20対ｆ30が１対
（２ｎ＋１）となるよう設定してもよい。
30の比が１対３となるよう、ダイオードＤ1 ，Ｄ2 のオ
フ容量Ｃ11，Ｃ12を設定したが、該オフ容量Ｃ11，Ｃ12
は、上記周波数ｆ20とｆ30とが１対３となるよう設定し
てもよく、またｆ10対ｆ30あるいはｆ20対ｆ30が１対
（２ｎ＋１）となるよう設定してもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、所定周
波数のマイクロ波に対して１／４波長の電気長を有する
伝送線路を設け、該伝送線路の一部と接地との間に複数
の電界効果型トランジスタあるいはダイオードを直列に
挿入するとともに、該直列接続のトランジスタあるいは
ダイオードと並列にインダクタを接続し、複数のトラン
ジスタあるいはダイオードのうち所定のトランジスタを
オン，オフして、上記インダクタと複数のトランジスタ
あるいはダイオードからなる並列回路の共振周波数を変
更するようにしたので、マイクロ波の導通あるいは遮断
制御を複数の周波数について行うことができ、複数の周
波数について使用可能なマイクロ波スイッチを実現でき
る。
波数のマイクロ波に対して１／４波長の電気長を有する
伝送線路を設け、該伝送線路の一部と接地との間に複数
の電界効果型トランジスタあるいはダイオードを直列に
挿入するとともに、該直列接続のトランジスタあるいは
ダイオードと並列にインダクタを接続し、複数のトラン
ジスタあるいはダイオードのうち所定のトランジスタを
オン，オフして、上記インダクタと複数のトランジスタ
あるいはダイオードからなる並列回路の共振周波数を変
更するようにしたので、マイクロ波の導通あるいは遮断
制御を複数の周波数について行うことができ、複数の周
波数について使用可能なマイクロ波スイッチを実現でき
る。
【図１】本発明の一実施例による２つの周波数で使用で
きるマイクロ波スイッチの構成図である。
きるマイクロ波スイッチの構成図である。
【図２】上記マイクロ波スイッチの動作を説明するため
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図３】従来のマイクロ波スイッチの構成図である。
【図４】従来のマイクロ波スイッチの電界効果トランジ
スタとインダクタとで構成される並列回路の等価回路図
である。
スタとインダクタとで構成される並列回路の等価回路図
である。
【図５】本発明の第２の実施例によるマイクロ波スイッ
チを説明するための図である。
チを説明するための図である。
【図６】該第２実施例のマイクロ波スイッチの動作を説
明するための図である。
明するための図である。
１ 入力端子 ２ マイクロ波伝送線路 ３ 出力端子 ５，１５ インダクタ １０，３０ 入力側並列回路 １６ コンデンサ ２０，４０ 出力側並列回路 Ｊ1 ，Ｊ2 電界効果トランジスタ Ｄ1 ，Ｄ2 ダイオード Ｃ1 ＦＥＴＪ1 のオフ容量 Ｃ2 ＦＥＴＪ2 のオフ容量 Ｃ10 コンデンサ１６の容量 Ｃ11 ダイオードＤ1 のオフ容量 Ｃ12 ダイオードＤ2 のオフ容量 Ｌ1 インダクタ５のインダクタンス値 Ｌ10 インダクタ１５のインダクタンス値 Ｒ1 ＦＥＴＪ1 のオン抵抗 Ｒ2 ＦＥＴＪ2 のオン抵抗 Ｒ11 ダイオードＤ1 のオン抵抗 Ｒ12 ダイオードＤ2 のオン抵抗
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のマイクロ波スイッチを説明
するための等価回路図であり、図において、２は所定の
周波数ｆ0 のマイクロ波に対して１／４波長の電気長を
有する伝送線路、１，３はそれぞれ該伝送線路２の入力
端子及び出力端子、２１は該伝送線路２の入力側と接地
との間に挿入された入力側並列回路、３１は該伝送線路
２の出力側と接地との間に挿入された出力側並列回路で
あり、各並列回路は、所定のオフ容量，つまりゲートバ
イアス電圧がピンチオフ電圧より小さいオフ時における
ソース，ドレイン間容量Ｃ0 を有するＦＥＴＪ3 と、該
ＦＥＴと並列に接続され、インダクタンス値Ｌ0 を有
し、上記周波数ｆ0 について上記ＦＥＴのオフ容量と共
振させるためのインダクタ４とからなる。また６０は上
記入力側並列回路と接地との間に接続された５０Ω終端
抵抗で、入力端子１に接続される信号源側のインピーダ
ンスと、上記ＦＥＴＪ3 のオフ時の入力側並列回路のイ
ンピーダンスとを整合するためのものである。
するための等価回路図であり、図において、２は所定の
周波数ｆ0 のマイクロ波に対して１／４波長の電気長を
有する伝送線路、１，３はそれぞれ該伝送線路２の入力
端子及び出力端子、２１は該伝送線路２の入力側と接地
との間に挿入された入力側並列回路、３１は該伝送線路
２の出力側と接地との間に挿入された出力側並列回路で
あり、各並列回路は、所定のオフ容量，つまりゲートバ
イアス電圧がピンチオフ電圧より小さいオフ時における
ソース，ドレイン間容量Ｃ0 を有するＦＥＴＪ3 と、該
ＦＥＴと並列に接続され、インダクタンス値Ｌ0 を有
し、上記周波数ｆ0 について上記ＦＥＴのオフ容量と共
振させるためのインダクタ４とからなる。また６０は上
記入力側並列回路と接地との間に接続された５０Ω終端
抵抗で、入力端子１に接続される信号源側のインピーダ
ンスと、上記ＦＥＴＪ3 のオフ時の入力側並列回路のイ
ンピーダンスとを整合するためのものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】
【実施例】図１は本発明の一実施例によるマイクロ波ス
イッチを説明するための図であり、直列接続の２つのＦ
ＥＴとインダクタで構成される並列回路と、伝送線路と
を用いたマイクロ波スイッチの等価回路を示している。
図において、１は入力端子、３は出力端子、２は入力端
子１と出力端子３とを接続する伝送線路で、これはその
電気長が周波数ｆ1 のマイクロ波に対しては１／４波
長、その３倍の周波数ｆ3 （＝３ｆ1 ）のマイクロ波に
対しては３／４波長となるよう構成されている。また１
０は該伝送線路２の入力側と接地との間に挿入された入
力側並列回路、２０は該伝送線路２の出力側と接地との
間に挿入された出力側並列回路であり、各並列回路は、
それぞれ直列接続の２つのＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 と、これに
並列に接続されたインダクタ５とから構成されている。
また６０は上記入力側並列回路１０と接地との間に接続
された５０Ω終端抵抗で、入力端子１に接続される信号
源側のインピーダンスと、上記ＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 の一方
がオフしている時及びその両方がオフしている時の入力
側並列回路のインピーダンスとを整合するためのもので
ある。
イッチを説明するための図であり、直列接続の２つのＦ
ＥＴとインダクタで構成される並列回路と、伝送線路と
を用いたマイクロ波スイッチの等価回路を示している。
図において、１は入力端子、３は出力端子、２は入力端
子１と出力端子３とを接続する伝送線路で、これはその
電気長が周波数ｆ1 のマイクロ波に対しては１／４波
長、その３倍の周波数ｆ3 （＝３ｆ1 ）のマイクロ波に
対しては３／４波長となるよう構成されている。また１
０は該伝送線路２の入力側と接地との間に挿入された入
力側並列回路、２０は該伝送線路２の出力側と接地との
間に挿入された出力側並列回路であり、各並列回路は、
それぞれ直列接続の２つのＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 と、これに
並列に接続されたインダクタ５とから構成されている。
また６０は上記入力側並列回路１０と接地との間に接続
された５０Ω終端抵抗で、入力端子１に接続される信号
源側のインピーダンスと、上記ＦＥＴＪ1 ，Ｊ2 の一方
がオフしている時及びその両方がオフしている時の入力
側並列回路のインピーダンスとを整合するためのもので
ある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (3)
- 【請求項１】 入力端子と出力端子とを有する伝送線路
と、上記伝送線路と接地との間に接続され、所定の周波
数のマイクロ波に対して共振可能な構成の並列回路とを
備え、上記並列回路のインピーダンスを変化させて入力
端子からのマイクロ波信号を導通あるいは遮断するマイ
クロ波スイッチにおいて、 上記並列回路を、 上記伝送線路の一部と接地との間に直列に接続された２
つの電界効果型トランジスタと、上記直列接続の電界効
果型トランジスタと並列に接続された誘導素子とからな
り、該誘導素子のインダクタンスと上記トランジスタの
オフ容量とにより複数の共振周波数が決まる回路構成と
し、 上記伝送線路を、 その電気長が、上記各共振周波数と同一の周波数のマイ
クロ波に対して１／４波長の奇数倍となるよう構成し、 上記各電界効果型トランジスタのオン・オフによりマイ
クロ波の導通あるいは遮断制御を行うようにしたことを
特徴とするマイクロ波スイッチ。 - 【請求項２】 請求項１記載のマイクロ波スイッチにお
いて、 上記伝送線路は、所望の周波数のマイクロ波に対する１
／４波長の２ｎ＋１（ｎは０以上の整数）倍の電気長を
有するマイクロ波伝送線路であり、 上記２つの電界効果型トランジスタは、オフ時のソー
ス，ドレイン電極間の容量の比を１対（２ｎ＋１）2 −
１に設定したものであることを特徴とするマイクロ波ス
イッチ。 - 【請求項３】 請求項１記載のマイクロ波スイッチにお
いて、 上記電界効果型トランジスタを用いた共振回路に代え
て、 上記伝送線路の一部と接地との間に直列に接続された複
数のダイオードと、上記直列接続のダイオードと並列に
接続された誘導素子とからなり、該誘導素子のインダク
ンスと上記ダイオードのオフ容量に基づいて所定の共振
周波数が決まる共振回路を備え、 マイクロ波の導通あるいは遮断制御を、上記各ダイオー
ドを順方向あるいは逆方向にバイアスし、これらをオン
・オフして行うようにしたことを特徴とするマイクロ波
スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24278991A JPH0555803A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | マイクロ波スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24278991A JPH0555803A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | マイクロ波スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555803A true JPH0555803A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=17094319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24278991A Pending JPH0555803A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | マイクロ波スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555803A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1991
- 1991-08-26 JP JP24278991A patent/JPH0555803A/ja active Pending
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| KR20210077431A (ko) * | 2019-12-17 | 2021-06-25 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 병렬 공진 구조를 이용한 낮은 삽입손실을 가지는 밀리미터파 대역 스위치 구조 |
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