KR100842306B1 - 콤팩트형 180도 위상천이기 - Google Patents
콤팩트형 180도 위상천이기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100842306B1 KR100842306B1 KR1020047004148A KR20047004148A KR100842306B1 KR 100842306 B1 KR100842306 B1 KR 100842306B1 KR 1020047004148 A KR1020047004148 A KR 1020047004148A KR 20047004148 A KR20047004148 A KR 20047004148A KR 100842306 B1 KR100842306 B1 KR 100842306B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- switching
- reactance element
- logic state
- control signal
- node
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/18—Networks for phase shifting
- H03H7/19—Two-port phase shifters providing a predetermined phase shift, e.g. "all-pass" filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/18—Networks for phase shifting
- H03H7/20—Two-port phase shifters providing an adjustable phase shift
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/16—Networks for phase shifting
- H03H11/20—Two-port phase shifters providing an adjustable phase shift
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
회로로 주어지는 2진 제어신호의 논리상태 변화에 응답하여, 위상천이기의 입력포트로 주어지는 신호가 위상천이기를 통과함에 따라 위상을 180도 변화시키도록 되는 콤팩트형 천이기가 제공된다.
전계효과 트랜지스터, 유도성 리액턴스, 용량성 리액턴스, 하이패스필터, 로우패스필터
Description
본 발명은 일반적으로 위상천이기에 관한 것으로서, 특히 콤팩트형 180도 위상천이기에 관한 것이다.
공지된 바와 같이, 위상천이기는 광범위한 응용분야를 갖는다. 예컨대, 그러한 한가지 응용분야로서, 무선주파수 신호들에서 위상천이기가 이를 전파하는 신호에 대하여 선택적 위상천이를 제공하는 것이다. 특히, 공지된 바와 같이, 위상천이기는 위상배열 안테나 시스템과 같은 다양한 무선주파수 응용분야에서 채용된다. 위상천이기의 한 유형으로서, 도 1에는 위상지연 및 위상선행 회로망을 제공하는 수동형 위상천이기(10)가 도시되어 있는데, 입력단자(RF IN) 및 출력단자(RF OUT) 사이에 제공된 한 쌍의 신호경로를 포함하고 있고, 상부의 신호경로는 하이패스필터(14)를 통하여 신호에 대하여 위상 선행(lead) 또는 양의 신호천이를 제공하며, 하부의 신호경로는 로우패스필터(18)를 통하여 신호에 대하여 위상 지연(lag) 또는 음의 위상천이를 제공한다. 통상, 한 쌍의 스위치들(12, 16)은 상기 필터 회로망중 선택된 하나를 통해서 입력 및 출력 단자 사이에 신호를 결합하는데 사용된다. 종종, 한 쌍의 전계효과 트랜지스터(이하, FET)들이 상기 스위치들 각각의 능동 스위칭소자들을 제공하도록 배치된다. FET는 핀 다이오드와 같은 다른 유형의 능동 스위칭소자들과는 다르게, 모놀리식 집적회로의 부분으로 쉽게 형성될 수 있기 때문에 이러한 응용분야에채용된다. 또한, 이러한 접근방법에서는, 각 FET의 입력 및 출력에서 임피던스 정합회로망(도시생략)이 일반적으로 요구된다. 이는 대역폭의 손실, 삽입손실의 증가, 및 위상천이기 회로의 크기 및 복잡성의 증가를 가져온다.
위상천이기의 다른 유형들은 미국 특허 제 5,148,062호(1992년 9월 15일자, 발명자 Marc E. Goldfarb) 및 미국특허 제 4,733,203호(1988년 3월 22일자, 발명자 Yalcin Ayasil)에 기재되어 있으며, 두 발명 모두 동일한 본 발명의 양수인에게 양수되었다. 이러한 위상천이기는 많은 응용분야에 있어 만족스러우나, 위상 천이기의 크기가 최소화되는것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 공급되는 신호의 위상을 변화시키기 위한 위상천이기가 제공된다. 위상 천이기는 입력 또는 출력포트로 연결되는 하나의 전극을 갖는 제 1 용량성 리액턴스 소자 및 제 1 유도성 리액턴스를 포함한다. 위상천이기는 제 1 쌍의 스위칭 소자들을 포함한다. 그 중 제 1 스위칭 소자는 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화될 때 도전상태와 비도전상태 사이를 스위칭하는 반면, 그 중 제 2 스위칭 소자는 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화될 때 비도전상태와 도전상태 사이를 스위칭한다. 또한, 제 2 쌍의 스위칭 소자가 제공된다. 그 중 제 1 스위칭 소자는 제어신호가 제 1 도전상태에서 제 2 도전상태로 변화될 때 도전상태와 비도전상태 사이를 스위칭하는 반면, 그 중 제 2 스 위칭 소자는 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화될 때 비도전상태와 도전상태 사이를 스위칭한다. 위상천이기는 제 1 쌍의 스위칭 소자들 중 제 1 스위칭 소자와 병렬로 결합되는 제 2 유도성 리액턴스 소자 및 제 2 쌍의 스위칭 소자들 중 제 2 스위칭 소자와 병렬로 결합되는 제 2 용량성 리액턴스 소자를 포함한다. 제 1 유도성 리액턴스 소자 및 제 1 용량성 리액턴스 소자 각각은 회로의 입력 및 출력들 중 하나로 연결되는 제 1 단자를 갖는다. 제 1 유도성 리액턴스 소자는 이의 제 1 노드에 연결되는 제 2 단자를 가지며, 제 1 용량성 리액턴스 소자는 이의 제 2 노드에 연결되는 제 2 단자를 갖는다. 제 1 쌍의 스위칭 소자들중 제 1 스위칭 소자는 제 1 노드와 기준전위 사이에 결합되며, 제 2 쌍의 스위칭 소자들중 제 2 스위칭 소자는 제 2 노드와 기준전위 사이에 결합된다. 제 1 쌍의 스위칭 소자들 중 제 2 스위칭 소자는 제 1 노드와 입력 및 출력포트들중 다른 하나와의 사이에 결합된다. 제 2 쌍의 스위칭 소자들 중 제 1 스위칭 소자는 제 2 노드와 상기 입력 및 출력포트들 중 다른 하나와의 사이에 결합된다.
본 발명에 따르면, 조절형 필터가 제공된다. 필터는 제어신호의 제 1 논리상태중에는 입력포트와 출력포트 사이에 하이패스필터링을 제공하며, 제어신호의 제 2 논리상태중에는 입력포트와 출력포트 사이에 로우패스필터링을 제공한다. 필터는 제 2 유도성 리액턴스 소자 및 제 2 용량성 리액턴스 소자와 함께 제 1 유도성 리액턴스 소자 및 제 1 용량성 리액턴스 소자를 포함한다. 제 1 유도성 리액턴스 소자 및 제 2 용량성 리액턴스 소자는 제 1 노드에 연결되며, 제 1 용량성 리액턴스 소자 및 제 2 유도성 리액턴스 소자는 제 1 노드에 연결된다. 스위칭 네트워 크가 제공된다. 스위칭 네트워크는, 제어신호의 제 1 논리상태에 응답하여 입력포트와 출력포트 사이에 제 1 유도성 리액턴스 소자를 결합시키고, 제어신호의 제 2 논리상태에 응답하여 입력포트와 출력포트 사이로부터제 1 유도성 리액턴스 소자를 분리시키기 위한 제 1 스위칭 소자 제어신호의 제 2 논리상태에 응답하여 입력포트와 출력포트 사이에 제 1 용량성 리액턴스 소자를 결합시키고, 제어신호의 제 1 논리상태에 응답하여 입력포트와 출력포트 사이로부터 제 1 용량성 리액턴스 소자를 분리시키기위한 제 2 스위칭 소자 제어신호의 제 2 논리상태동안 제 1 노드와 기준전위 사이에 제 2 용량성 리액턴스 소자를 결합시키고, 제어신호의 제 1 논리상태동안 제 1 노드를 기준전위로 결합시키도록 제 2 용량성 리액턴스 소자를 분로시키기 위한 제 3 스위칭 소자 및 제어신호의 제 1 논리상태 동안 제 2 노드와 기준전위 사이에 제 2 유도성 리액턴스 소자를 결합시키고, 제어신호의 제 2 논리상태 동안 제 2 노드를 기준전위에결합시키도록 제 2 유도성 리액턴스 소자를 분로시키기 위한 제 4 스위칭 소자를 구비한다.
이러한 배치로 인해, 회로로 주어지는 2진 제어신호의 논리상태 변화에 응답하여 이러한 위상천이기의 입력포트로주어지는 신호가 위상천이기를 통과함에 따라 위상을 180도 변화시키도록 되는 콤팩트형 위상천이기가 제공된다.
본 발명의 하나 이상의 실시예의 세부사항들은 첨부된 도면과 이하 설명들에 주어진다. 기타의 본 발명의 특징, 목적, 및 장점들은 상세한 설명, 도면, 및 청구항들로부터 분명해 질 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 조절형 필터의 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 조절형 필터의 개략도.
도 3은 도 2의 회로의 등가회로도.
도 4a는 상기 필터가 하이패스필터 형상일 경우 도 2의 필터의 개략도.
도 4b는 상기 필터가 로우패스필터 형상일 경우 도 2의 필터의 개략도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 조절형 필터의 개략도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 조절형 필터의 개략도.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 조절형 필터의 개략도.
도 2를 참조하면, 위상천이기(20)는 라인(26)상의 회로로 공급되는 2진 제어신호의논리상태변화에 응답하여 입력포트(22)에서 출력포트(24)로 신호들이 회로(20)을 통과함에 따라 신호의 위상을 180도 변화시키도록 도시되어 있다.
위상천이기(20)는 제 1 유도성 리액턴스 소자(L1), 예컨대 인덕터 또는 소정의 길이의 전송선로, 및 제 1 용량성 리액턴스 소자(C1)을 포함한다. 제 1 유도성 리액턴스 소자(L1) 및 제 1 용량성 리액턴스 소자(C1)는 입력포트(22)와 회로(20)에 연결되는 하나의 전극을 갖는다. 도 5의 회로(20')에서, 유도성 리액턴스 소자(L1) 및 용량성 리액턴스 소자(C1)는 회로(20)의 출력포트(24)에 연결된 하나의 전극을 갖는다.
양 회로(20, 20')에 있어서, 위상천이기는 제 1 쌍의 스위칭소자(F1, F3), 즉 여기서는 FET들을 포함한다. 위상천이기(20)로 공급되는 신호는 무선주파수 신 호이다. 도 2에 도시된 회로는 이의 A-C 등가회로로서, 도시되지 않았지만 적절한 DC 바이어싱 회로가 회로(20, 20')에 사용되는 FET에 포함될 수 있음은 자명할 것이다.
제 1 쌍의 스위칭 소자들 중 제 1 스위칭 소자, 여기서는 예컨대 FET 스위치(F3)는, 제어신호가 제 1 논리상태(여기서는, 논리 1)에서 제 2 논리상태(여기서는, 논리 0)로의 변화되는 때에 도전상태와 비도전 상태사이를 스위칭하는 반면, 인버터(27)로 인하여 제 1 쌍의 스위칭 소자중 제 2 스위칭 소자, 여기서는 FET 스위치(F1)는 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화되는 때에 비도전 상태와 도전상태 사이를 스위칭한다.
또한, 제 2쌍의 스위칭 소자(F2, F4)가 제공된다. 그 중 제 1 스위칭 소자, 여기서는 FET 스위치(F2)는, 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화하는 때에 도전상태와 비도전 상태 사이를 스위칭하는 반면, 인버터(27)로 인하여, 그 중 제 2 스위칭소자, 여기서는 FET 스위치(F4)는 제어신호가제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화하는 때에 비도전상태와 도전상태 사이를 스위칭 한다.
따라서, 라인(26)상의 제어신호의 제 1 논리상태 중에, 스위치(F1 및 F4)들은 개방되거나 비도전성인 반면, 스위치(F2 및 F3)들은 폐쇄되거나 도전성이다. 라인(26)상의 제어신호의 제 2 논리상태 중에, 스위치(F2 및 F3)들은 개방되거나 비도전성인 반면, 스위치(F1 및 F4)는 폐쇄되거나 도전성이다.
위상천이기는, 제 2 쌍의 스위칭소자들중 제 2 스위칭소자(F4)와 병렬로 결합되는 제 2 유도성 리액턴스 소자(L2), 여기서는 예컨대 인덕터 또는 소정의 길이 의 전송선로, 및 제 1 쌍의 스위칭 소자들중 제 1 스위칭 소자(F3)와 병렬로 결합되는 제 1 용량성 리액턴스 소자(C2)를 포함한다. 제 1 유도성 리액턴스 소자(L1) 및 제 1 용량성 리액턴스 소자(C1)는 각각 회로(도 2의 20)의 입력포트(22) 및 회로(도 3의 20')의 출력포트에 이와 연결되는 제 1 단자를 갖는다. 제 1 유도성 리액턴스 소자(L1)는 제 1 노드(N1)에 연결되는 제 2 단자를 가지며, 제 1 용량성 리액턴스 소자(C1)는 제 2 노드(N2)에 연결되는 제 2 단자를 갖는다. 도시된 바와 같이, 제 1 쌍의 스위칭 소자들중 제 1 스위칭 소자(F3)는 제 1 노드(N1)와 기준전위, 여기서는 AC 접지사이에 결합되며, 제 2 쌍의 스위칭 소자들 중 제 2 스위칭 소자(F4)는 제 2 노드(N2)와 기준전위, 여기서는 AC 접지 사이에 결합된다.
제1 쌍의 스위칭 소자들 중 제 2 스위칭 소자(F1)는 제 1 노드(N1)와 회로(도 2의 20)의 출력포트(24)와 회로(도 5의 20')의 입력포트(220) 사이에 결합된다. 제 2 쌍의 스위칭 소자들 중 제 1 스위칭 소자(F2)는 제 2 노드(N2) 및 출력회로(도 2의 20)와 회로(도 5의 20')의 입력포트(22) 사이에 결합된다.
전술한 바와 같이, 라인(26)상의 제어신호의 제 1 논리상태 중에, 스위치(F1 및 F4)들은 개방되고 비도전성인 반면, 스위치(F2 및 F3)들은 폐쇄되고 도전성이다. 라인(26) 상의 제어신호의 제 2 논리상태 중에, 스위치들(F2 및 F3)은 폐쇄되고 도전성인 반면, 스위치(F1 및 F4)들은 개방되고 비도전성이다. 이로써, 상기 제어신호의 제 1 논리상태 중에 필터(20, 22')들은 도 4a에 도시된 하이패스필터 구조를 제공하는 반면, 상기 제어신호의제 2 논리상태 중에 필터(20, 22')들은 도 4b에 도시된 로우패스필터 구조를 제공한다. 더구나, 입력포트(22)로 공급되는 무 선주파수 신호의 위상천이는 라인(26)상의 제어신호가 논리상태를 스위칭 함에 따라 180도 변화할 것이다.
따라서, 전술한 바에 따라서 도 3을 참조하면, 조절형(reconfigurable) 필터(20, 20')가 제공된다. 필터(20, 20')는 라인(26)상의 제어신호의 제 1 논리상태 중에는 입력포트(22)와 출력포트(24) 사이에 하이패스필터링을 제공하며, 라인(26)상의 제어신호의 제 2 논리상태 중에는 입력포트(22)와 출력포트(24) 사이에 로우패스필터링을 제공한다. 필터(20, 20')는 제 1 유도성 리액턴스 소자(L1) 및 제 1 용량성 리액턴스 소자(C1)를 각각 포함함과 함께, 제 2 유도성 리액턴스 소자(L2) 및 제 2 용량성 리액턴스 소자(C2)를 각각 포함한다. 제 1 유도성 리액턴스 소자(L1) 및 제 2 용량성 리액턴스 소자(C2)는 제 1 노드(N1)로 연결되며, 제 1 용량성 리액턴스 소자(C1) 및 제 2 유도성 리액턴스 소자(L2)는 제 2 노드(N2)로 연결된다. 스위칭 회로망은, 라인(26)상의 제어신호의제 1 논리상태에 응답하여 입력포트(22) 및 출력포트(24) 사이에 제 1 유도성 리액턴스 소자(L1)를 결합시키고, 라인(26)상의 제어신호의 제 2 논리상태에 응답하여 입력포트(22) 및 출력포트(24) 사이로부터 제 1 유도성 리액턴스 소자(L1)을 분리시키기 위한 제 1 스위칭 소자(F1)를 포함한다. 제 2 스위칭 소자(F2)는 라인(26)상의 제어신호의 제 2 논리상태에 응답하여 제 1 용량성 리액턴스 소자(C1)를 입력포트(22) 및 출력포트(24) 사이에 결합시키고, 라인(26)상의 제어신호의 제 1 논리상태에 응답하여 입력포트(22) 및 출력포트(24)사이로부터 제 1 용량성 리액턴스 소자(C1)을 분리시키기 위해 제공된다. 제 3 스위칭소자(F3)는 라인(26) 상의 제어신호의 제 2 논리 상태 동안 제 2 용량성 리액턴스 성분(C2)를 제 1 노드(N1) 및 기준전위, 여기서는 AC접지, 사이에 결합시키고, 라인(26)상의 제어신호의 제 1 논리상태 동안 제 1 노드(N1)를 기준전위로 결합시키도록 제 2 용량성 리액턴스 성분(C2)을 분로(즉, 단락회로)시키기 위해 제공된다. 제 4 스위칭 소자(F4)는, 라인(26)상의 제어신호의 제 1 논리상태 중에 제 2 유도성 리액턴스 소자(L2)를 제 2 노드(N2)와 기준전위 사이에 결합시키고, 라인(26)상의 제어신호의 제 2 논리상태 중에 제 2 노드(N2)를 기준전위로 결합시키도록 제 2 유도성 리액턴스 소자(L2)를 분로(즉, 단락회로)시키기 위해 제공된다.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 조절형 위상천이기(20")가 도시되어 있다. 여기서, 제 2 용량성 리액턴스 소자(C2)를 위해 별도의 커패시터를 가지기 보다는, 제 3 스위칭 소자(F3)를 제공하는 FET의 소스와 드레인 전극 사이의 고유 커패시턴스에 의해 이러한 제 2 리액턴스 소자(C2, 점선으로 도시됨)가 제공된다. 여기서, 트랜지스터의 주변은 커패시터(C2)와 동일한 비도전성 상태 커패시턴스를 제공하도록선택된다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 조절형 위상천이기(20")가 도시되어 있다. 여기서, 커패시터(C3, C4, 및 C5)는 추가의 튜닝성능이 요구되거나, 접지전위와는 다른 전압에서 FET의 소스와 드레인을 플로팅(floating)시키도록 도시된 바와 같이 제공되어, FET의 게이트 제어전압에 있어서 더욱 큰 선택성을 부여한다.
다수의 본 발명의 실시예들이 설명되었다. 하지만, 본 발명의 개념과 범주를 벗어나지 않으면서 다양한 변형예가 가능할 것임이 자명할 것이다. 예컨대, PHEMT 장치와 같이 FET와는 다른 스위칭 소자들이 사용될 수 있다. 따라서, 다른 실시예들은 이하의 청구항의 범주내에 있다.
Claims (13)
- 회로로 인가되는 2진 제어신호의 논리상태 변화에 응답하여, 입력포트로 인가되는 신호가 출력포트로 상기 회로를 통과함에 따라 위상을 180도 변화시키기 위한 위상천이기로서,제 1 유도성 리액턴스 소자;제 1 용량성 리액턴스 소자;제 1 쌍의 스위칭 소자로서, 상기 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화할 때 상기 제 1 쌍의 스위칭 소자 중 제 1 스위칭 소자는 도전성 상태와 비도전성 상태 사이를 스위칭하는 반면, 상기 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화할 때 상기 제 1 쌍의 스위칭 소자 중 제 2 스위칭 소자는 비도전성 상태와 도전성 상태 사이를 스위칭하는 하는 제 1 쌍의 스위칭 소자;제 2 쌍의 스위칭 소자로서, 상기 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화할 때 상기 제 2 쌍의 스위칭 소자 중 제 1 스위칭 소자는 도전성 상태와 비도전성 상태 사이를 스위칭 하는 반면, 상기 제어신호가 제 1 논리상태에서 제 2 논리상태로 변화할 때 상기 제 2 쌍의 스위칭 소자 중 제 2 스위칭 소자는 비도전성 상태와 도전성 상태 사이를 스위칭 하는 제 2 쌍의 스위칭 소자;상기 제 1 쌍의 스위칭 소자들 중 제 1 스위칭 소자와 병렬로 결합되는 제 2 유도성 리액턴스 소자; 및상기 제 2 쌍의 스위칭소자들 중 제 2 스위칭 소자와 병렬로 결합되는 제 2 용량성 리액턴스 소자를 구비하며,상기 제 1 유도성 및 제 1 용량성 리액턴스 소자들 각각은, 상기 회로의 입력 및 출력포트 중 어느 하나로 연결되는 제 1 단자를 가지며, 상기 유도성 리액턴스 소자는 제 1 노드로 연결되는 제 2 단자를 가지며, 상기 제 1 용량성 리액턴스 소자는 제 2 노드에 연결되는 제 2 단자를 가지며,상기 제 1 쌍의 스위칭 소자들 중 상기 제 1 스위칭 소자는 상기 제 1 노드와 기준전위 사이에 결합되며,상기 제 2 쌍의 스위칭 소자들 중 상기 제 2 스위칭 소자는 상기 제 2 노드와 기준전위 사이에 결합되며,상기 제 1 쌍의 스위칭 소자들 중 제 2 스위칭 소자는 제 1 노드와 상기 입력 및 출력포트중 다른 하나 사이에 결합되며,상기 제 2 쌍의 스위칭 소자들 중 제 1 스위칭 소자는 상기 제 2 노드와 상기 입력 및 출력포트들 중 다른 하나 사이에 결합되는 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제1항에 있어서,상기 스위칭 소자들은 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제2항에 있어서,상기 트랜지스터들은 전계효과 트랜지스터들(field effect transistors)인 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제어신호의 제 1 논리상태 중에 입력포트와출력포트 사이에 하이패스필터링을 제공하고, 상기 제어신호의 제 2 논리상태 중에 상기 입력포트와 상기 출력포트 사이에 로우패스필터링을 제공하는 조절형 필터로서,제 1 유도성 리액턴스 소자;제 1 용량성 리액턴스 소자;제 2 유도성 리액턴스 소자 ;제 2 용량성 리액턴스 소자; 및스위칭 회로망을 구비하며,상기 제 1 유도성 리액턴스 소자 및 상기 제 2 용량성 리액턴스 소자는 제 1 노드로 연결되고, 제 1 용량성 리액턴스 소자 및 제 2 유도성 리액턴스 소자는 제2 노드로 연결되며,상기 스위칭 회로망은,상기 제어신호의 제 1 논리상태에 응답하여 상기 입력포트와 상기 출력포트 사이에 상기 제 1 유도성 리액턴스 소자를 결합시키고, 상기 제어신호의 제 2 논리상태에 응답하여 상기 입력포트와 상기 출력포트 사이로부터 상기 제 1 유도성 리액턴스 소자를 분리시키기 위한 제 1 스위칭 소자;상기 제어신호의 제 2 논리상태에 응답하여 상기 입력포트와상기 출력포트 사이에 상기 제 1 용량성 리액턴스 소자를 결합시키고, 상기 제어신호의 제 1 논리상태에 응답하여 상기 입력포트와 상기 출력포트 사이로부터 상기 제 1 용량성 리액턴스 소자를 분리시키기 위한 제 2 스위칭 소자;상기 제어신호의 제 2 논리상태 동안 상기 제 1 노드와 기준전위 사이에 상기 제 2 용량성 리액턴스 소자를 결합시키고, 상기 제어신호의 제 1 논리상태 동안 상기 제 1 노드를 상기 기준전위로 결합시키도록 상기 제 2 용량성 리액턴스 소자를 분로시키기 위한 제 3 스위칭 소자; 및상기 제어신호의 상기 제 1 논리상태 동안 상기 제 2 노드와 상기 기준전위 사이에 상기 제 2 유도성 리액턴스 소자를 결합시키고, 상기 제어신호의 제 2 논리상태동안 상기 제 2 노드를 상기 기준전위로 결합시키도록 상기 제 2 유도성 리액턴스 소자를 분로시키기 위한 제 4 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 조절형 필터.
- 제4항에 있어서,상기 스위칭 소자들은 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 조절형 필터.
- 제5항에 있어서,상기 트랜지스터들은 전계효과 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 조절형 필터.
- 제3항에 있어서,상기 용량성 리액턴스 소자들 중 두 번째 것은 상기 스위칭 소자들중 세 번째 것을 제공하는 트랜지스터들 중 하나 내의 고유한 용량성 리액턴스에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제7항에 있어서,상기 트랜지스터들은 전계효과 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제7항에 있어서,상기 제3 스위칭 트랜지스터 및 상기 기준전위 사이에 직렬로 결합되는 제1 부가 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제7항에 있어서,상기 제4 스위칭 트랜지스터와 상기 기준전위 사이에 직렬로 결합되는 제1 부가 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제7항에 있어서,상기 제2 유도성 리액턴스 소자 및 상기 기준전위 사이에 직렬로 결합되는 제 1 부가 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제11항에 있어서,상기 제3 스위칭 트랜지스터와 상기 기준전위 사이에 직렬로 결합되는 제2 용량성 리액턴스 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상천이기.
- 제12항에 있어서,상기 제4 스위칭 트랜지스터와 상기 기준전위 사이에 직렬로 결합되는 제3 부가 용량성 리액턴스 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상천이기.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/021,231 | 2001-10-30 | ||
| US10/021,231 US6664870B2 (en) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | Compact 180 degree phase shifter |
| PCT/US2002/032643 WO2003038998A1 (en) | 2001-10-30 | 2002-10-11 | Compact 180 degree phase shifter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040044972A KR20040044972A (ko) | 2004-05-31 |
| KR100842306B1 true KR100842306B1 (ko) | 2008-06-30 |
Family
ID=21803095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020047004148A KR100842306B1 (ko) | 2001-10-30 | 2002-10-11 | 콤팩트형 180도 위상천이기 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6664870B2 (ko) |
| EP (1) | EP1440511B1 (ko) |
| JP (1) | JP4263606B2 (ko) |
| KR (1) | KR100842306B1 (ko) |
| DE (1) | DE60226053T2 (ko) |
| WO (1) | WO2003038998A1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349740A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-09 | Advantest Corp | 入力信号処理装置、高周波成分取得方法および低周波成分取得方法 |
| JP2008187661A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Nec Electronics Corp | 移相器、ビット移相器 |
| JP5121313B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2013-01-16 | 三菱電機株式会社 | ハイパスフィルタ内蔵スイッチ、ハイパスフィルタ／ローパスフィルタ切替型移相器、可変共振器、通過帯域可変バンドパスフィルタ、阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタ |
| KR100976799B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2010-08-20 | 한국전자통신연구원 | 위상 변위기와 그 제어 방법 |
| KR101756472B1 (ko) * | 2010-09-30 | 2017-07-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 다중공진 튜너블 안테나 |
| CN105094684B (zh) * | 2014-04-24 | 2018-03-09 | 国际商业机器公司 | 磁盘阵列系统中问题磁盘的重用方法和系统 |
| US10276945B2 (en) * | 2016-04-14 | 2019-04-30 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Monolithic quad switch for reconfigurable antennas |
| CN110199476B (zh) * | 2016-12-06 | 2023-01-31 | 株式会社村田制作所 | 滤波器装置、高频前端电路以及通信装置 |
| KR102507903B1 (ko) * | 2021-02-04 | 2023-03-08 | 숭실대학교 산학협력단 | 다각도의 위상 천이가 가능한 위상 천이기 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4733203A (en) | 1984-03-12 | 1988-03-22 | Raytheon Company | Passive phase shifter having switchable filter paths to provide selectable phase shift |
| JPH11205086A (ja) | 1998-01-13 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 移相器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3546636A (en) * | 1968-12-20 | 1970-12-08 | Bell Telephone Labor Inc | Microwave phase shifter |
| US4480338A (en) * | 1982-03-01 | 1984-10-30 | Zenith Electronics Corporation | Lowpass-highpass electronic switch |
| US5317290A (en) * | 1987-10-19 | 1994-05-31 | General Electric Company | MMIC (monolithic microwave integrated circuit) switchable bidirectional phase shift network |
| JPH0349401A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波素子 |
| USH954H (en) * | 1990-07-05 | 1991-08-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Lumped element digital phase shifter bit |
| JP3191891B2 (ja) * | 1993-04-21 | 2001-07-23 | 三菱電機株式会社 | ９０°移相器 |
| US5751185A (en) * | 1993-07-27 | 1998-05-12 | Fujitsu Limited | Low pass filter circuit utilizing transistors as inductive elements |
| JP3853855B2 (ja) * | 1995-03-15 | 2006-12-06 | 三菱電機株式会社 | 移相器 |
| JP2000114950A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-21 | Murata Mfg Co Ltd | Ｓｐｓｔスイッチおよびｓｐｄｔスイッチおよびそれを用いた通信機 |
-
2001
- 2001-10-30 US US10/021,231 patent/US6664870B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-11 WO PCT/US2002/032643 patent/WO2003038998A1/en active Application Filing
- 2002-10-11 DE DE60226053T patent/DE60226053T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-11 KR KR1020047004148A patent/KR100842306B1/ko active IP Right Grant
- 2002-10-11 EP EP02773745A patent/EP1440511B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-11 JP JP2003541138A patent/JP4263606B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4733203A (en) | 1984-03-12 | 1988-03-22 | Raytheon Company | Passive phase shifter having switchable filter paths to provide selectable phase shift |
| JPH11205086A (ja) | 1998-01-13 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 移相器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040044972A (ko) | 2004-05-31 |
| US20030080829A1 (en) | 2003-05-01 |
| DE60226053T2 (de) | 2009-05-20 |
| US6664870B2 (en) | 2003-12-16 |
| JP4263606B2 (ja) | 2009-05-13 |
| DE60226053D1 (de) | 2008-05-21 |
| EP1440511B1 (en) | 2008-04-09 |
| EP1440511A1 (en) | 2004-07-28 |
| JP2005508117A (ja) | 2005-03-24 |
| WO2003038998A1 (en) | 2003-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4733203A (en) | Passive phase shifter having switchable filter paths to provide selectable phase shift | |
| US6114923A (en) | Switching circuit and semiconductor device | |
| EP0766396B1 (en) | Switching circuit | |
| US7538643B2 (en) | Switch circuit | |
| US5148062A (en) | Simplified phase shifter circuit | |
| US7764142B2 (en) | Series connected bit phase shifter having first and second impedance adjusting circuits | |
| KR960009402A (ko) | 저왜곡(low distortion) 스위치 | |
| US5701107A (en) | Phase shifter circuit using field effect transistors | |
| KR100842306B1 (ko) | 콤팩트형 180도 위상천이기 | |
| US7123116B2 (en) | Phase shifter and multibit phase shifter | |
| US6674341B2 (en) | Phase shifter and multibit phase shifter | |
| US7633357B2 (en) | SPST switch, SPDT switch and MPMT switch | |
| CN110212888A (zh) | 一种微带高低通型数字移相器结构 | |
| JPH0555803A (ja) | マイクロ波スイツチ | |
| JP3634223B2 (ja) | 移相器 | |
| US7167064B2 (en) | Phase shift circuit and phase shifter | |
| JP3074798B2 (ja) | 移相器 | |
| JP2686332B2 (ja) | 固体スイッチ | |
| CN217957053U (zh) | 双刀多掷射频开关、射频芯片 | |
| KR20040080727A (ko) | 연속적으로 인덕턴스를 가변할 수 있는 가변 인덕터 | |
| JP2677030B2 (ja) | 半導体移相器 | |
| JP2002076844A (ja) | 移相回路および移相器 | |
| CN115133919A (zh) | 双刀多掷射频开关及其控制方法、射频芯片 | |
| JP4274952B2 (ja) | 半導体スイッチ回路及びその制御方法 | |
| JPH11239003A (ja) | スイッチドライン型移相器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130604 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140609 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150601 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160527 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170601 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180529 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190530 Year of fee payment: 12 |