JPH0349401A - マイクロ波素子 - Google Patents
マイクロ波素子Info
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- JPH0349401A JPH0349401A JP1185295A JP18529589A JPH0349401A JP H0349401 A JPH0349401 A JP H0349401A JP 1185295 A JP1185295 A JP 1185295A JP 18529589 A JP18529589 A JP 18529589A JP H0349401 A JPH0349401 A JP H0349401A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
- H03K17/145—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロ波素子に関し、特に、マイクロ波、
ミリ波帯のスイッチ、移相器に用いられる制御回路に関
するものである。
ミリ波帯のスイッチ、移相器に用いられる制御回路に関
するものである。
第４図＋８）は従来のマイクロ波用スイ・ノチの回路構
成を示し、図において、ｌはＲＦ入力端子、２はＲＦ出
力端子ａ、３はＲＦ出力端子ｂ、４はゲート端子、５は
インダクタ、６はＦ Ｅ Ｔ ａ ％ ７はＦＥＴｂで
ある。また、第４図（ｂ）はＦＥＴがオフ時の等価回路
、（Ｃ１はＦＥＴがオン時の等価回路を示している。。
成を示し、図において、ｌはＲＦ入力端子、２はＲＦ出
力端子ａ、３はＲＦ出力端子ｂ、４はゲート端子、５は
インダクタ、６はＦ Ｅ Ｔ ａ ％ ７はＦＥＴｂで
ある。また、第４図（ｂ）はＦＥＴがオフ時の等価回路
、（Ｃ１はＦＥＴがオン時の等価回路を示している。。
次に動作について説明する。ＲＦ倍信号入力端子１より
入力してＲＦ出力端子ａ２に出力させる場合、ＦＥＴｄ
５のゲート端子４にはＯＶを印加して、ＦＥＴｄ６をオ
ン状態にする。また、ＦＥＴｂ７のゲート端子４にはＦ
ＥＴのピンチオフ電圧以下の電圧、例えば−５■印加し
てＦＥＴｂ７をオフ状態にする。このとき、ＦＥＴｄ６
は第４図（Ｃ）に示される等価回路、ＦＥＴｂ７は第４
図（ｂ）に示される等価回路でそれぞれ置き換えられる
。
入力してＲＦ出力端子ａ２に出力させる場合、ＦＥＴｄ
５のゲート端子４にはＯＶを印加して、ＦＥＴｄ６をオ
ン状態にする。また、ＦＥＴｂ７のゲート端子４にはＦ
ＥＴのピンチオフ電圧以下の電圧、例えば−５■印加し
てＦＥＴｂ７をオフ状態にする。このとき、ＦＥＴｄ６
は第４図（Ｃ）に示される等価回路、ＦＥＴｂ７は第４
図（ｂ）に示される等価回路でそれぞれ置き換えられる
。
端子１と端子２との間には抵抗が挿入されているだけな
ので、端子１から端子２へはＲＦ倍信号通過するが、端
子１と端子３の間は、所望の周波数でＦＥＴｂ７に付加
されたインダクタ５とＦＥＴｂ７のキャパシタで共振す
るために、はぼ無限大のインピーダンスが挿入されたの
と同等となり、端子１から端子３へはＲＦ倍信号通過し
ない。またＦＥＴｄ６とＦＥＴｂ７のゲート端子４への
印加電圧を逆にするとＲＦ倍信号出力端子ｂ３へ通過す
る。
ので、端子１から端子２へはＲＦ倍信号通過するが、端
子１と端子３の間は、所望の周波数でＦＥＴｂ７に付加
されたインダクタ５とＦＥＴｂ７のキャパシタで共振す
るために、はぼ無限大のインピーダンスが挿入されたの
と同等となり、端子１から端子３へはＲＦ倍信号通過し
ない。またＦＥＴｄ６とＦＥＴｂ７のゲート端子４への
印加電圧を逆にするとＲＦ倍信号出力端子ｂ３へ通過す
る。
また、第５図は従来のマイクロ波用スイッチドライン型
移相器を示しており、図において、第４図と同一符号は
同一部分を示し、８はＦＥＴｃ、９はＦＥＴｄ、１０は
伝送線路ａ、１１は伝送線路すである。
移相器を示しており、図において、第４図と同一符号は
同一部分を示し、８はＦＥＴｃ、９はＦＥＴｄ、１０は
伝送線路ａ、１１は伝送線路すである。
以下、動作について説明する。まず、ゲート端子４に印
加する電圧を制御することによりＦＥＴｄ６及びＦＥＴ
ｂ７をオン状態にし、ＦＥＴｃ８及びＦＥＴｄ９をオフ
状態にした場合、入力端子ｌより人力されたＲＦ倍信号
伝送線路１０を通って出力端子２へ出力される。また、
逆にＦＥＴｄ６とＦＥＴｂ７をオフ状態、ＦＥＴｃ８及
びＦＥＴｄ９をオン状態にした場合、ＲＦ倍信号伝送線
路ｂｌｌを通る。このとき、伝送線路ａｌｏと伝送線路
ｂｉｔの長さは所望の長さだけ違えであるので、２つの
状態で位相量を変化させることができる。
加する電圧を制御することによりＦＥＴｄ６及びＦＥＴ
ｂ７をオン状態にし、ＦＥＴｃ８及びＦＥＴｄ９をオフ
状態にした場合、入力端子ｌより人力されたＲＦ倍信号
伝送線路１０を通って出力端子２へ出力される。また、
逆にＦＥＴｄ６とＦＥＴｂ７をオフ状態、ＦＥＴｃ８及
びＦＥＴｄ９をオン状態にした場合、ＲＦ倍信号伝送線
路ｂｌｌを通る。このとき、伝送線路ａｌｏと伝送線路
ｂｉｔの長さは所望の長さだけ違えであるので、２つの
状態で位相量を変化させることができる。
また、第６図は従来のローテッドライン型移相器を示し
ており、図において、第４図及び第５図と同一符号は同
一部分を示し、１２は伝送線路Ｃである。このローテン
ドライン型移相器は１／４波長の伝送線路ｃ１２と２！
ＩＪｌの伝送線路とＦＥＴとの対で構成されている。伝
送線路とＦＥＴの対（１０と６及び１１と７）は、主線
路１２から見たサセプタンス値がＦＥＴ６，７がオン時
にはＪＢＳＦＥＴ６．７がオフ時には＋ｊＢとなるよう
にパラメータを設定する。このとき、サセプタンスと移
相量には以下の関係がある。
ており、図において、第４図及び第５図と同一符号は同
一部分を示し、１２は伝送線路Ｃである。このローテン
ドライン型移相器は１／４波長の伝送線路ｃ１２と２！
ＩＪｌの伝送線路とＦＥＴとの対で構成されている。伝
送線路とＦＥＴの対（１０と６及び１１と７）は、主線
路１２から見たサセプタンス値がＦＥＴ６，７がオン時
にはＪＢＳＦＥＴ６．７がオフ時には＋ｊＢとなるよう
にパラメータを設定する。このとき、サセプタンスと移
相量には以下の関係がある。
Ｂ＝ｊａｎ（Ａ／２）
但し、Ａ；所望の移相量
そして、その時の主線路１２の透過位相の差が所望の値
になるようにする。
になるようにする。
以上に説明した従来のマイクロ波用のスイッチ。
スイッチドライン型移相器、及びローテッドライン移相
器等に用いるインピーダンス制御回路では、ＦＥＴのオ
フ状態での容量値を使用して制御を行っているが、この
容量値はＦＥＴのプロセス上のバラツキで大きく異なる
ことが多く、このため、回路の特性が大きく異なるとい
う問題点があった。例えば、第７図（８１に示すような
共振回路において、インダクタ５に２ｎＨのものを用い
た場合にＦＥＴのオフ時の容量値が０．１５ｐＦの時の
通過特性を第７図（ｂ）に、また、Ｏ，ｌｐＦの時の通
過特性を第７図ｆｃ）にそれぞれ示す。これらの図から
明らかのように、ＦＥＴ５の容量値が０゜１５ｐＦの時
は入力端子１から出力端子２を見た時の減衰量Ｓ２１は
約９ＧＨｚで最大となるのに対し、容量値がＱ、ｌｐＦ
の時には約１１Ｇｆｌｚで最大となり、ＦＥＴ５の特性
のバラツキによりインピーダンスが無限大となる共振周
波数が大きく変化してしまう。
器等に用いるインピーダンス制御回路では、ＦＥＴのオ
フ状態での容量値を使用して制御を行っているが、この
容量値はＦＥＴのプロセス上のバラツキで大きく異なる
ことが多く、このため、回路の特性が大きく異なるとい
う問題点があった。例えば、第７図（８１に示すような
共振回路において、インダクタ５に２ｎＨのものを用い
た場合にＦＥＴのオフ時の容量値が０．１５ｐＦの時の
通過特性を第７図（ｂ）に、また、Ｏ，ｌｐＦの時の通
過特性を第７図ｆｃ）にそれぞれ示す。これらの図から
明らかのように、ＦＥＴ５の容量値が０゜１５ｐＦの時
は入力端子１から出力端子２を見た時の減衰量Ｓ２１は
約９ＧＨｚで最大となるのに対し、容量値がＱ、ｌｐＦ
の時には約１１Ｇｆｌｚで最大となり、ＦＥＴ５の特性
のバラツキによりインピーダンスが無限大となる共振周
波数が大きく変化してしまう。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ＦＥＴのオフ時の容量を調整でき、ＦＥＴの
特性のバラツキによらず常に均一な特性を得ることがで
きるマイクロ波素子を提供することを目０勺とする。
たもので、ＦＥＴのオフ時の容量を調整でき、ＦＥＴの
特性のバラツキによらず常に均一な特性を得ることがで
きるマイクロ波素子を提供することを目０勺とする。
この発明に係るマイクロ波素子は、ダイオードとキャパ
シタとの直列回路をＦＥＴのソース、ドレイン間に並列
に装荷し、ダイオードのバイアス電圧を調整することに
よりＦＥＴのソース、ドレイン間のオフ時の容量を調整
するようにしたものである。
シタとの直列回路をＦＥＴのソース、ドレイン間に並列
に装荷し、ダイオードのバイアス電圧を調整することに
よりＦＥＴのソース、ドレイン間のオフ時の容量を調整
するようにしたものである。
この発明におけるマイクロ波素子においては、ＦＥＴに
並列に装荷したダイオードのバイアス電圧を微調整する
ことにより、ＦＥＴのオフ状態での等価的な容量値を制
御するようにしたので、ＦＥＴの特性のバラツキにより
オフ時の容量値が変化した場合においても常に均一な特
性を得ることができ、ＦＥＴによるインピーダンス制御
を精度よ（行うことができる。
並列に装荷したダイオードのバイアス電圧を微調整する
ことにより、ＦＥＴのオフ状態での等価的な容量値を制
御するようにしたので、ＦＥＴの特性のバラツキにより
オフ時の容量値が変化した場合においても常に均一な特
性を得ることができ、ＦＥＴによるインピーダンス制御
を精度よ（行うことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａｌは本発明のマイクロ波素子の第１の実施例
によるマイクロ波用スイッチの回路構成を示す図であり
、図において、１はＲＦ入力端子、２はＲＦ出力端子ａ
−，３はＲＦ出力端子ｂ、４はゲート端子、５はインダ
クタ、６はＦＥ’ｒａ、７はＦＥＴｂ、１３はダイオー
ドバイアス端子、１４はキャパシタ、１５はダイオ−ド
ロ、１６はダイオードｂである。また、第１図（ｂｌは
ＦＦ、Ｔがオフ時の等価回路、第１図（Ｃ１はＦＥＴが
オン時の等価回路を示す図である。
によるマイクロ波用スイッチの回路構成を示す図であり
、図において、１はＲＦ入力端子、２はＲＦ出力端子ａ
−，３はＲＦ出力端子ｂ、４はゲート端子、５はインダ
クタ、６はＦＥ’ｒａ、７はＦＥＴｂ、１３はダイオー
ドバイアス端子、１４はキャパシタ、１５はダイオ−ド
ロ、１６はダイオードｂである。また、第１図（ｂｌは
ＦＦ、Ｔがオフ時の等価回路、第１図（Ｃ１はＦＥＴが
オン時の等価回路を示す図である。
次にマイクロ波用スイッチの動作について説明する。
まず、ＲＦ倍信号入力端子ｌより入力して、出力端子ａ
２に出力させる場合、ＦＥＴａ６のゲート端子４にはＯ
■を印加してＦＥＴａ６をオン状態にし、ＦＥＴｂ７の
ゲート端子４にはＦＥＴｂ７のピンチオフ電圧以下の電
圧、例えば−５■印加してＦＥＴｂ７をオフ状態にする
。このとき、ＦＥＴａ６は第１図（ｂｌに示す等価回路
、ＦＥＴｂ７は第１図（Ｃ）に示す等価回路でそれぞれ
置き換えられる。入力端子ｌと出力端子ａ２との間には
抵抗が挿入されているだけなので、従来の場合と同様に
入力端子ｌから出力端子ａ２へはＲＦ倍信号通過するが
、入力端子ｌと出力端子ｂ３の間では所望の周波数でＦ
ＥＴｂ７に付加されたインダクタ５とＦＥＴｂ７のキャ
パシタが共振するため、はぼ無限大のインピーダンスが
挿入されたのと同等となり、入力端子１から出力端子ｂ
３へはＲＦ倍信号通過しない。
２に出力させる場合、ＦＥＴａ６のゲート端子４にはＯ
■を印加してＦＥＴａ６をオン状態にし、ＦＥＴｂ７の
ゲート端子４にはＦＥＴｂ７のピンチオフ電圧以下の電
圧、例えば−５■印加してＦＥＴｂ７をオフ状態にする
。このとき、ＦＥＴａ６は第１図（ｂｌに示す等価回路
、ＦＥＴｂ７は第１図（Ｃ）に示す等価回路でそれぞれ
置き換えられる。入力端子ｌと出力端子ａ２との間には
抵抗が挿入されているだけなので、従来の場合と同様に
入力端子ｌから出力端子ａ２へはＲＦ倍信号通過するが
、入力端子ｌと出力端子ｂ３の間では所望の周波数でＦ
ＥＴｂ７に付加されたインダクタ５とＦＥＴｂ７のキャ
パシタが共振するため、はぼ無限大のインピーダンスが
挿入されたのと同等となり、入力端子１から出力端子ｂ
３へはＲＦ倍信号通過しない。
ここで、プロセス上のバラツキによりＦＥＴのオフ時の
容量値が変動した場合には、ダイオードｂ１６のダイオ
ードバイアス端子１３に電圧を印加することにより、Ｆ
ＥＴの容量値を変化させることができる。例えば、第１
図ｆｂ）において、ＦＥＴのオフ時の容量値が０．１ｐ
Ｆ、キャパシタの値が５ｐＦ、そしてダイオードの容量
値がバイアスを調整することで０゜０５ｐＦ〜０．ｌｐ
Ｆまで可変できる場合、この制御回路全体では０．１５
ｐＦ〜０．１９８ｐＦの範囲の容量値を得ることが可能
である。従って、ダイオードのバイアス電圧の値を変化
させることでによりＦＥＴのオフ時の容量値を一定にす
ることができ、常に均一な特性の素子を得ることができ
る。
容量値が変動した場合には、ダイオードｂ１６のダイオ
ードバイアス端子１３に電圧を印加することにより、Ｆ
ＥＴの容量値を変化させることができる。例えば、第１
図ｆｂ）において、ＦＥＴのオフ時の容量値が０．１ｐ
Ｆ、キャパシタの値が５ｐＦ、そしてダイオードの容量
値がバイアスを調整することで０゜０５ｐＦ〜０．ｌｐ
Ｆまで可変できる場合、この制御回路全体では０．１５
ｐＦ〜０．１９８ｐＦの範囲の容量値を得ることが可能
である。従って、ダイオードのバイアス電圧の値を変化
させることでによりＦＥＴのオフ時の容量値を一定にす
ることができ、常に均一な特性の素子を得ることができ
る。
またＦＥＴｃ６とＦＥＴｂ７のゲート端子４への印加電
圧を逆にするとＲＦ倍信号出力端子ｂ３へ通過する。
圧を逆にするとＲＦ倍信号出力端子ｂ３へ通過する。
このような上記実施例においては、ＦＥＴｃ５及びＦＥ
Ｔｂ７がオフ時に各インダクタ５と共振してＦＥＴの両
端からみてインピーダンスが所望の周波数で無限大とな
るようにダイオードａ １５゜及びダイオードｂ１６の
バイアス電圧を調整してダイオード内の容量値を調整す
ることができるので、常に均一な特性を有するマイクロ
波用スイッチが得られる。
Ｔｂ７がオフ時に各インダクタ５と共振してＦＥＴの両
端からみてインピーダンスが所望の周波数で無限大とな
るようにダイオードａ １５゜及びダイオードｂ１６の
バイアス電圧を調整してダイオード内の容量値を調整す
ることができるので、常に均一な特性を有するマイクロ
波用スイッチが得られる。
また、逆に、このような本実施例においては、ダイオー
ドのバイアス電圧を調整してダイオード内の容量イ直を
可変にできるので、同一の回路構成で周波数帯域の異な
るマイクロ波用スイッチを構成することができるという
利点もある。
ドのバイアス電圧を調整してダイオード内の容量イ直を
可変にできるので、同一の回路構成で周波数帯域の異な
るマイクロ波用スイッチを構成することができるという
利点もある。
なお、上記実施例ではマイクロ波用スイッチにインピー
ダンス制御回路を用いたが、これはスイッチドライン型
移相器などにも用いることができる。即ち、第２図は本
発明のマイクロ波素子の第２の実施例によるマイクロ波
用スイッチドライン型移相器の回路構成を示す図であり
、図において、第１図と同一符号は同一部分を示し、８
はＦＥＴｃ、９はＦＥＴｄ、１０は伝送線路ａ、１１は
伝送線路ｂ、１７はダイオード０１１８はダイオードｄ
である。
ダンス制御回路を用いたが、これはスイッチドライン型
移相器などにも用いることができる。即ち、第２図は本
発明のマイクロ波素子の第２の実施例によるマイクロ波
用スイッチドライン型移相器の回路構成を示す図であり
、図において、第１図と同一符号は同一部分を示し、８
はＦＥＴｃ、９はＦＥＴｄ、１０は伝送線路ａ、１１は
伝送線路ｂ、１７はダイオード０１１８はダイオードｄ
である。
次に動作について説明する。
まず、ＦＥＴｃ６及びＦＥＴｂ７をオン状態、ＦＥＴｃ
８．ＦＥＴｄ９をオフ状態にした場合、ＲＦ倍信号入力
端子１より入射して伝送線路ＩＯを通って出力端子２へ
出力される。また、逆にＦＥＴｃ６とＦＥＴｂ７をオフ
状態、ＦＥＴｃ８とＦＥＴｄ９をオン状態にした場合、
ＲＦ倍信号伝送線路ｂｌｌを通る。このとき、伝送線路
ａｔＯと伝送線路ｂｌｌの長さは所望の長さだけ違えで
あるので、２つの状態で位相量を変化させることができ
る。上記実施例のスイッチの場合と同様にＦＥＴのオフ
時の容量値が変動した場合でも、各ダイオードのダイオ
ードバイアス端子１３に電圧を印加することにより、容
量値を変化させることができるため、均一な素子特性を
得ることができる。
８．ＦＥＴｄ９をオフ状態にした場合、ＲＦ倍信号入力
端子１より入射して伝送線路ＩＯを通って出力端子２へ
出力される。また、逆にＦＥＴｃ６とＦＥＴｂ７をオフ
状態、ＦＥＴｃ８とＦＥＴｄ９をオン状態にした場合、
ＲＦ倍信号伝送線路ｂｌｌを通る。このとき、伝送線路
ａｔＯと伝送線路ｂｌｌの長さは所望の長さだけ違えで
あるので、２つの状態で位相量を変化させることができ
る。上記実施例のスイッチの場合と同様にＦＥＴのオフ
時の容量値が変動した場合でも、各ダイオードのダイオ
ードバイアス端子１３に電圧を印加することにより、容
量値を変化させることができるため、均一な素子特性を
得ることができる。
次に本発明のマイクロ波素子の第３の実施例としてロー
テッドライン型移相器の回路構成を第３図に示す０図に
おいて、第１図及び第２図と同一符号は同一部分を示し
、図において、１２は伝送線路すである。本実施例のロ
ーテッドライン型移相器の動作は従来のものと同様であ
り、この場合においても、上記第１の実施例のスイッチ
及び第２の実施例のスイッチドライン型移相器の場合と
同様に、ダイオードバイアス電圧を変化させることによ
りダイオードの容量値を可変とすることができるため、
製造プロセス上においてＦＥＴの素子特性が異なった場
合においてもＦＥＴのオフ時のソース、ドレイン間容量
を均一にでき、素子特性を極めて向上させることができ
る。
テッドライン型移相器の回路構成を第３図に示す０図に
おいて、第１図及び第２図と同一符号は同一部分を示し
、図において、１２は伝送線路すである。本実施例のロ
ーテッドライン型移相器の動作は従来のものと同様であ
り、この場合においても、上記第１の実施例のスイッチ
及び第２の実施例のスイッチドライン型移相器の場合と
同様に、ダイオードバイアス電圧を変化させることによ
りダイオードの容量値を可変とすることができるため、
製造プロセス上においてＦＥＴの素子特性が異なった場
合においてもＦＥＴのオフ時のソース、ドレイン間容量
を均一にでき、素子特性を極めて向上させることができ
る。
なお、上記第１ないし第３の実施例においてはスイ・ノ
チ、及び移相器について述べたが、これは可変容量を使
用する素子ならば、これに限定されるものではなく、例
えば、電圧制御型発振器等にも適用することができる。
チ、及び移相器について述べたが、これは可変容量を使
用する素子ならば、これに限定されるものではなく、例
えば、電圧制御型発振器等にも適用することができる。
以上のように、この発明によればＦＥＴと並列に配置し
たダイオードによりＦＥＴのオフ時の容量を調整できる
ようにしたので、常に均一な特性を有するマイクロ波素
子を得ることができ、またさらには同一の回路構成の素
子で周波数帯域の異なるマイクロ波素子が得られる効果
がある。
たダイオードによりＦＥＴのオフ時の容量を調整できる
ようにしたので、常に均一な特性を有するマイクロ波素
子を得ることができ、またさらには同一の回路構成の素
子で周波数帯域の異なるマイクロ波素子が得られる効果
がある。
第１図＋８）はこの発明のマイクロ波素子の第１の実施
例によるマイクロ波用スイッチの回路図、第１図Ｔｂ）
、 （Ｃ）はそれぞれ第１図（ａ）のマイクロ波用スイ
ッチのＦＥＴのオフ時及びオン時の等価回路図、第２図
は本発明のマイクロ波素子の第２の実施例によるマイク
ロ波用スイッチドライン型移相器の回路構成を示す図、
第３図は本発明のマイクロ波素子の第３の実施例による
マイクロ波用ローテッドライン型移相器の回路構成を示
す図、第４図（ａ）は従来のマイクロ波用スイッチの回
路構成を示す図、第４図（ｂｌ、 （Ｃ）はそれぞれ第
４図（ａ）のマイクロ波用スイッチのＦＥＴのオフ時及
びオン時の等価回路を示す図、第５図は従来のマイクロ
波用スイッチドライン型移相器の回路構成を示す図、第
６図は従来のマイクロ波用ローテンドライン型移相器の
回路構成を示す図、第７図（ａ）〜ｆｃ）は従来のマイ
クロ波用スイッチの特性のバラツキを説明するための図
である。 図において、ｌはＲＦ入力端子、２はＲＦ出力端子ａ、
３はＲＦ出力端子ｂ、４はゲート端子、５はインダクタ
、６はＦＥＴ８％ ７はＦＥＴｂ。 ８はＦＥＴｃ、９はＦＥＴｄ、１０は伝送線路ａ、１１
は伝送線路ｂ、１２は伝送線路Ｃ５１３はダイオードバ
イアス端子、１４はキャパシタ、１５はダイオードａ１
１６はダイオードｂ、１７はダイオードＣ１１８はダイ
オードｄである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
例によるマイクロ波用スイッチの回路図、第１図Ｔｂ）
、 （Ｃ）はそれぞれ第１図（ａ）のマイクロ波用スイ
ッチのＦＥＴのオフ時及びオン時の等価回路図、第２図
は本発明のマイクロ波素子の第２の実施例によるマイク
ロ波用スイッチドライン型移相器の回路構成を示す図、
第３図は本発明のマイクロ波素子の第３の実施例による
マイクロ波用ローテッドライン型移相器の回路構成を示
す図、第４図（ａ）は従来のマイクロ波用スイッチの回
路構成を示す図、第４図（ｂｌ、 （Ｃ）はそれぞれ第
４図（ａ）のマイクロ波用スイッチのＦＥＴのオフ時及
びオン時の等価回路を示す図、第５図は従来のマイクロ
波用スイッチドライン型移相器の回路構成を示す図、第
６図は従来のマイクロ波用ローテンドライン型移相器の
回路構成を示す図、第７図（ａ）〜ｆｃ）は従来のマイ
クロ波用スイッチの特性のバラツキを説明するための図
である。 図において、ｌはＲＦ入力端子、２はＲＦ出力端子ａ、
３はＲＦ出力端子ｂ、４はゲート端子、５はインダクタ
、６はＦＥＴ８％ ７はＦＥＴｂ。 ８はＦＥＴｃ、９はＦＥＴｄ、１０は伝送線路ａ、１１
は伝送線路ｂ、１２は伝送線路Ｃ５１３はダイオードバ
イアス端子、１４はキャパシタ、１５はダイオードａ１
１６はダイオードｂ、１７はダイオードＣ１１８はダイ
オードｄである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）ＦＥＴのオフ状態での容量値を使用してインピー
ダンス制御を行うマイクロ波素子において、上記ＦＥＴ
のソース，ドレイン間に並列に接続された、ダイオード
とキャパシタからなる直列回路と、 該ダイオードに可変のバイアス電圧を印加する手段とを
備え、 上記ＦＥＴのソース，ドレイン間のオフ時の容量を調整
するインピーダンス制御回路を含むことを特徴とするマ
イクロ波素子。 - （２）直列に接続された第１，及び第２のＦＥＴと、 該第１，及び第２のＦＥＴのそれぞれのソース，ドレイ
ン間に接続された第１及び第２の請求項１記載のインピ
ーダンス制御回路と、 上記第１のＦＥＴと第２のＦＥＴとの接続点に接続され
た入力端子と、 上記第１のＦＥＴ及び第２のＦＥＴにそれぞれ接続され
た第１，第２の出力端子とを備えたマイクロ波用スイッ
チを構成することを特徴とする請求項１記載のマイクロ
波素子。 - （３）互いに電気長を異にして並列に配置された第１，
第２の伝送線路と、 該第１の伝送線路の両端に並列に接続された第１，第２
のＦＥＴと、 上記第２の伝送線路の両端に並列に接続されるとともに
上記第１及び第２のＦＥＴとそれぞれ直列接続された第
３，第４のＦＥＴと、 上記第１ないし第４のＦＥＴのそれぞれのソース，ドレ
イン間に接続された第１ないし第４の請求項１記載のイ
ンピーダンス制御回路と、 上記第１及び第３のＦＥＴの接続点に接続された入力端
子と、 上記第２及び第４のＦＥＴの接続点に接続された出力端
子とを備えたマイクロ波用スイッチドライン型移相器を
構成することを特徴とする請求項１記載のマイクロ波素
子。 - （４）主線路となる伝送線路と、 該主線路に並列に接続された、互いに同じ電気長を有す
る第１，第２の装荷線路と、 該第１，第２の装荷線路の終端と接地間に接続された第
１，第２のＦＥＴと、 該第１，第２のＦＥＴのそれぞれソース，ドレイン間に
接続された第１，第２の請求項１記載のインピーダンス
制御回路とを備えたマイクロ波用ローテッドライン型移
相器を構成することを特徴とする請求項１記載のマイク
ロ波素子。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP1185295A JPH0349401A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | マイクロ波素子 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5392010A (en) * | 1993-04-21 | 1995-02-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 90 degree phase shifter |
| JP2007336544A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Thomson Licensing | マルチメディア端子のための選択的アイソレーションを備えたスイッチ及びスイッチング装置 |
| JP2019180121A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | キヤノン株式会社 | 送電装置 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241220A (en) * | 1985-11-15 | 1993-08-31 | Karlock James A | Phase shifting circuit utilizing a transistor, a capacitor, and a diode |
| JP2519342B2 (ja) * | 1990-06-04 | 1996-07-31 | 株式会社東芝 | 出力回路装置 |
| US5191338A (en) * | 1991-11-29 | 1993-03-02 | General Electric Company | Wideband transmission-mode FET linearizer |
| JP2898470B2 (ja) * | 1992-05-08 | 1999-06-02 | 三菱電機株式会社 | スイッチドライン型移相器 |
| JP2869288B2 (ja) * | 1992-06-19 | 1999-03-10 | 三菱電機株式会社 | ローデットライン型移相器 |
| JPH06232601A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波スイッチ回路 |
| US5334959A (en) * | 1993-04-15 | 1994-08-02 | Westinghouse Electric Corporation | 180 degree phase shifter bit |
| IL105952A (en) * | 1993-06-08 | 1997-02-18 | Univ Ramot | Controlled semiconductor capacitors |
| JPH0730343A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 分布型増幅器及び双方向増幅器 |
| JPH08204528A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Sony Corp | スイツチ回路及び複合スイツチ回路 |
| JPH08204530A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Sony Corp | スイツチ回路 |
| JP3249393B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2002-01-21 | 株式会社東芝 | スイッチ回路 |
| JPH09232827A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路 |
| US6628159B2 (en) * | 1999-09-17 | 2003-09-30 | International Business Machines Corporation | SOI voltage-tolerant body-coupled pass transistor |
| EP1143551A1 (de) * | 2000-04-05 | 2001-10-10 | Infineon Technologies AG | Integrierte Hochfrequenzschaltung |
| US20020149400A1 (en) * | 2001-04-16 | 2002-10-17 | Namik Kocaman | Low voltage differential to single-ended converter |
| JP3469563B2 (ja) * | 2001-05-14 | 2003-11-25 | 三菱電機株式会社 | 移相器及び多ビット移相器 |
| US6989709B2 (en) * | 2001-07-11 | 2006-01-24 | International Business Machines Corporation | CMOS low voltage high-speed differential amplifier |
| US6664870B2 (en) * | 2001-10-30 | 2003-12-16 | Raytheon Company | Compact 180 degree phase shifter |
| JP4343043B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2009-10-14 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 移相器 |
| JP4298636B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2009-07-22 | パナソニック株式会社 | 高周波スイッチ回路装置 |
| FI20055642A0 (fi) * | 2005-12-02 | 2005-12-02 | Nokia Corp | Laajakaistainen vaiheen siirrin |
| US10312902B2 (en) * | 2016-10-28 | 2019-06-04 | Analog Devices Global | Low-area, low-power, power-on reset circuit |
| CN110233316A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-09-13 | 电子科技大学 | 一种改进开关线型移相器 |
| US11736102B1 (en) * | 2022-01-18 | 2023-08-22 | Psemi Corporation | RF switch with improved isolation at target frequencies |
| CN114639929B (zh) * | 2022-05-18 | 2022-08-19 | 合肥芯谷微电子有限公司 | 开关线型移相器及通讯设备 |
| CN116248074B (zh) * | 2023-03-22 | 2024-01-12 | 南京米乐为微电子科技有限公司 | 一种超宽带小度数移相器及其控制方法以及波束控制系统 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3882431A (en) * | 1973-08-10 | 1975-05-06 | Us Navy | Digital phase shifter |
| US3909751A (en) * | 1973-12-28 | 1975-09-30 | Hughes Aircraft Co | Microwave switch and shifter including a bistate capacitor |
| JPS5791334U (ja) * | 1980-11-21 | 1982-06-05 | ||
| US4605912A (en) * | 1981-12-03 | 1986-08-12 | General Electric Company | Continuously variable phase shifting element comprised of interdigitated electrode MESFET |
| US4789846A (en) * | 1986-11-28 | 1988-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave semiconductor switch |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1185295A patent/JPH0349401A/ja active Pending
-
1990
- 1990-03-16 EP EP90302902A patent/EP0409374B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-16 DE DE69020971T patent/DE69020971T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-22 US US07/497,306 patent/US5039873A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5392010A (en) * | 1993-04-21 | 1995-02-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 90 degree phase shifter |
| JP2007336544A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Thomson Licensing | マルチメディア端子のための選択的アイソレーションを備えたスイッチ及びスイッチング装置 |
| JP2019180121A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | キヤノン株式会社 | 送電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0409374B1 (en) | 1995-07-19 |
| US5039873A (en) | 1991-08-13 |
| EP0409374A2 (en) | 1991-01-23 |
| DE69020971T2 (de) | 1995-11-30 |
| EP0409374A3 (en) | 1991-04-17 |
| DE69020971D1 (de) | 1995-08-24 |
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