JP3469563B2 - 移相器及び多ビット移相器 - Google Patents
移相器及び多ビット移相器Info
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- JP3469563B2 JP3469563B2 JP2001143654A JP2001143654A JP3469563B2 JP 3469563 B2 JP3469563 B2 JP 3469563B2 JP 2001143654 A JP2001143654 A JP 2001143654A JP 2001143654 A JP2001143654 A JP 2001143654A JP 3469563 B2 JP3469563 B2 JP 3469563B2
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- forming electrode
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/16—Networks for phase shifting
- H03H11/18—Two-port phase shifters providing a predetermined phase shift, e.g. "all-pass" filters
Description
ミリ波帯で信号の通過位相を電気的に変化させる移相器
及び多ビット移相器に関するものである。
Microwave Theoryand Techn
iqu Symposium Digest」に示され
た従来の移相器を示す構成図であり、図において、1
a,1bは入出力端子、2a,2bはFET、3a,3
b,3cはインダクタ、4a,4cは抵抗、5a,5b
は制御信号端子、8はキャパシタである。
号端子5aに対してFET2aがピンチオフになる負電
圧が印加され、制御信号端子5bに対してFET2bが
通過状態になる0V又は正の電圧が印加されている場合
を考える。この場合、この移相器の等価回路は図14の
ように示される。ここで、FET2aのOFF容量とキ
ャパシタ8の容量の和が非常に小さく、FET2bのO
N抵抗が小さい場合、この回路はπ型の高域通過フィル
タとして動作する。
aが通過状態になる0V又は正の電圧が印加され、制御
信号端子5bに対してFET2bがピンチオフになる負
電圧が印加されている場合を考える。この場合、この移
相器の等価回路は図15のように示される。ここで、F
ET2aのON抵抗が小さく、FET2bのOFF容量
とインダクタ3cが所望周波数にて並列共振する場合、
インダクタ3a,3bの影響が小さくなり、スルーと等
価の状態になる。
ルーでは通過位相の変化がほとんど無いため、制御信号
を切り替えることにより、入出力端子1aから入出力端
子1bへの通過位相を電気的に切り替えることができ
る。
ように構成されているので、ピンチオフにしたFET2
aのOFF容量の影響を小さくするには、FET2aの
ゲート幅を小さくする必要があるため損失が増加する課
題があった。
めになされたもので、小型で低損失な移相器及び多ビッ
ト移相器を得ることを目的とする。
は、第3の電界効果トランジスタにおける一方のチャネ
ル形成電極と他方のチャネル形成電極間にインダクタを
接続するようにしたものである。
トランジスタにおける一方のチャネル形成電極と他方の
チャネル形成電極間にキャパシタを接続するようにした
ものである。
になるように回路定数を設定したものである。
になるように回路定数を設定したものである。
5記載の移相器と180度ビット移相器とを組み合わせ
て使用するようにしたものである。
5記載の移相器と、請求項6記載の移相器と、180度
ビット移相器と、22.5度ビット移相器と、11.2
5度ビット移相器とを組み合わせて使用するようにした
ものである。
説明する。 実施の形態1. 図1はこの発明の実施の形態1による移相器を示す構成
図であり、図2はこの発明の実施の形態1による移相器
を示すレイアウト図である。図において、1aは入出力
端子(第1の入出力端子)、1bは入出力端子(第2の
入出力端子)、2aは一方のチャネル形成電極であるド
レイン電極が入出力端子1aと接続されたFET(第1
の電界効果トランジスタ)、2bは一方のチャネル形成
電極であるドレイン電極がFET2aのソース電極と接
続され、他方のチャネル形成電極であるソース電極が入
出力端子1bと接続されたFET(第2の電界効果トラ
ンジスタ)である。
イン電極がFET2aのソース電極と接続されたFET
(第3の電界効果トランジスタ)、3aは一端がFET
2cのソース電極と接続され、他端がグランドと接続さ
れたインダクタ、4a,4b,4cは抵抗、5a,5b
は制御信号端子、6は半導体基板、7はスルーホールで
ある。なお、図3及び図4はこの発明の実施の形態1に
よる移相器の動作を示す等価回路図である。
号端子5aに対してFET2a,2bがピンチオフにな
る電圧より低いバイアスが印可され、制御信号端子5b
に対してFET2cがピンチオフになる電圧より大きい
バイアスが印可されている場合、即ち、FET2a,2
bがOFF状態、FET2cがON状態の場合、FET
2a,2bのドレイン−ソース間がキャパシタと等価に
振る舞い、FET2cのドレイン−ソース間をショート
と等価にみなすことができる。
この状態では、移相器はキャパシタと等価のFET2
a,2bとインダクタ3aから構成されたT型のHPF
として動作し、入出力端子1a,1b間を通過する高周
波信号の位相は進みの状態になる。
のゲートバイアスが印可され、FET2cがピンチオフ
以下のゲートバイアスが印可されている場合、即ち、F
ET2a,2bがON状態、FET2cがOFF状態の
場合、FET2a,2bのドレイン−ソース間をショー
トと等価にみなすことができ、FET2cのドレイン−
ソース間はキャパシタと等価に振る舞う。
この状態では、移相器はキャパシタと等価のFET2c
とインダクタ3aから構成された回路として動作する。
ここで、FET2cのゲート幅を小さくし、OFF時の
容量を非常に小さくすることにより、FET2cとイン
ダクタ3aの影響を小さくし、接続されていないのと同
様に扱うことができる。この場合、入出力端子1a,1
b間はスルーとほぼ同等になる。上記のように、FET
2a,2b,2cをON/OFFすることにより、通過
位相を変化させることができる移相器として動作する。
用いており、この実施の形態1ではT型高域通過フィル
タを用いている。図5は両者の比較を示している。使用
するインダクタのインダクタンスはT型の方が小さく、
さらに個数も少ない。高域通過フィルタを構成する際の
キャパシタンス(FET2a,2bのサイズに比例)は
T型の方が大きい。これにより、FET2a,2bのO
N抵抗が小さくなり、損失を低減できる。また、スルー
とほぼ同等になる際の反射について、インダクタを介し
て接地するFETの影響により、π型の方が反射が多
く、整合が十分に取れない。このように、従来の移相器
よりも、優れた特性を得ることが可能になる。
回路を構成したモノリシック構造について記している
が、誘電体基板上にディスクリート部品を用いて回路を
構成して、FETを接続しても同等の効果が得られる。
なお、この実施の形態1では、FET2aのドレイン電
極を入出力端子1aと接続するものについて示したが、
FET2aのソース電極を入出力端子1aと接続しても
よい。同様に、FET2bのソース電極を入出力端子1
bと接続するものについて示したが、FET2aのドレ
イン電極を入出力端子1bと接続してもよい。さらに、
FET2cのソース電極をグランドと接続するものにつ
いて示したが、FET2aのドレイン電極をグランドと
接続してもよい。
介して接地するものについて示したが、図6に示すよう
に、インダクタ3aをFET2cを介して接地してもよ
く、上記実施の形態1と同等の効果を得ることができ
る。
をFET2cによりON/OFFさせたものについて示
したが、図7に示すように、FET2cと並列にインダ
クタ3bを追加し、並列共振回路を構成して一方を接地
したインダクタ3aをON/OFFさせても同等の効果
を得ることができる。
2bがピンチオフ以上のゲートバイアスが印可され、F
ET2cがピンチオフ以下のゲートバイアスが印可され
ている場合、即ち、FET2a,2bがON状態、FE
T2cがOFF状態の場合、FET2a,2bのドレイ
ン−ソース間をショートと等価にみなすことができ、F
ET2cのドレイン−ソース間がキャパシタと等価に振
る舞う。
望の周波数で並列共振させることにより、インダクタ3
aの影響を小さくし、接続されていないのと同様に扱う
ことができる。この場合、入出力端子1a,1b間はス
ルーと同等になる。上記のように,FET2a,2b,
2cをON/OFFすることにより、通過位相を変化さ
せることができる移相器として動作する。
クタ3aとの接続関係を反転しても同等の効果が得られ
る(図8を参照)。また、FET2c及びインダクタ3
aの両側にインダクタ3bを接続しても同等の効果が得
られる。
イパスフィルタに用いるキャパシタをFET2a,2b
にて実現するものについて示したが、図9に示すよう
に、FET2a,2bと並列にキャパシタ8a,8bを
接続しても同等の効果が得られる。
号端子5aに対してFET2a,2bがピンチオフにな
る電圧より低いバイアスが印可され、制御信号端子5b
に対してFET2cがピンチオフになる電圧より大きい
バイアスが印可されている場合、即ち、FET2a,2
bがOFF状態、FET2cがON状態の場合、FET
2a,2bのドレイン−ソース間がキャパシタと等価に
振る舞い、FET2cのドレイン−ソース間をショート
と等価にみなすことができる。この状態では、移相器は
キャパシタと等価のFET2a,2bとキャパシタ8
a,8b及びインダクタ3aから構成されたT型のHP
Fとして動作する。
ON/OFFすることにより、通過位相を変化させるこ
とができる移相器として動作する。また、単位面積あた
りの容量がFETよりもキャパシタの方が大きい場合、
FETだけを用いてキャパシタを実現した場合に比べ
て、小型化が可能になる。
容量及びFET2bとキャパシタ8bの合計容量が一定
のままサイズを変化させることにより、FET2a,2
bがON時の抵抗値を変化させて移相量が一定のまま通
過損失を変化させることが可能になり、位相切り替え時
の損失差を小さくすることができる。
れたFET2a,2bにキャパシタ8a,8bを並列に
接続するものについて示したが、図10に示すように、
一方を接地したインダクタ3aをON/OFFさせるF
ET2c及びインダクタ3bと並列にキャパシタ8cを
接続しても同等の効果を得ることができる。
2bがピンチオフ以上のゲートバイアスが印可され、F
ET2cがピンチオフ以下のゲートバイアスが印可され
ている場合、即ち、FET2a,2bがON状態、FE
T2cがOFF状態の場合、FET2a,2bのドレイ
ン−ソース間をショートと等価にみなすことができ、F
ET2cのドレイン−ソース間がキャパシタと等価に振
る舞う。ここで、FET2cとインダクタ3bとキャパ
シタ8cを所望の周波数で並列共振させることにより、
インダクタ3a,3bの影響を小さくし、接続されてい
ないのと同様に扱うことができる。
ON/OFFすることにより、通過位相を変化させるこ
とができる移相器として動作する。また、単位面積あた
りの容量がFETよりもキャパシタの方が大きい場合、
FETだけを用いてキャパシタを実現した場合に比べ
て、小型化が可能になる。また、FET2cとキャパシ
タ8cの合計容量が一定のままサイズを変化させること
により、移相量が一定のまま通過損失を変化させること
ができるために、位相切り替え時の損失差を小さくする
ことが可能になる。
を示す構成図であり、図において、20a,20bはS
PDTスイッチ、21はハイパスフィルタ、22はロー
パスフィルタ、23は180°bit移相器、24は9
0°bit移相器である。なお、90°bit移相器2
4は上記実施の形態2に示した移相器である。
aに入力した高周波信号は、SPDTスイッチ20a,
20bにて通過する経路を切り替えられる。まず、ハイ
パスフィルタ21を通過する場合、通過位相はハイパス
フィルタ21により進む。一方、ローパスフィルタ21
を通過する場合、通過位相はローパスフィルタ22によ
り遅れる。ここで、ハイパスフィルタ21により進む位
相と、ローパスフィルタ22により遅れる位相の差を1
80°に設定することにより、180°移相器として動
作する。
相量が90°になるように設定することにより、90°
移相器24は90°位相を切り替えることができる。上
記のように構成することにより、通過位相を90°ステ
ップで切り替える2ビット移相器として動作する。
を示す構成図であり、図において、図11と同一符号は
同一または相当部分を示すので説明を省略する。25は
45°bit移相器、26は22.5°bit移相器、
27は11.25°bit移相器である。
相を11.25°ステップで切り替える5ビット移相器
として動作する。
の電界効果トランジスタにおける一方のチャネル形成電
極と他方のチャネル形成電極間にインダクタを接続する
ように構成したので、小型で低損失な移相器が得られる
効果がある。
ジスタにおける一方のチャネル形成電極と他方のチャネ
ル形成電極間にキャパシタを接続するように構成したの
で、小型で低損失な移相器が得られる効果がある。
ように回路定数を設定する構成にしたので、90°bi
t移相器が得られる効果がある。
ように回路定数を設定する構成にしたので、45°bi
t移相器が得られる効果がある。
と180度ビット移相器とを組み合わせて使用するよう
に構成したので、小型で低損失な多ビット移相器が得ら
れる効果がある。
と、請求項6記載の移相器と、180度ビット移相器
と、22.5度ビット移相器と、11.25度ビット移
相器とを組み合わせて使用するように構成したので、小
型で低損失な多ビット移相器が得られる効果がある。
構成図である。
レイアウト図である。
を示す等価回路図である。
を示す等価回路図である。
構成図である。
構成図である。
構成図である。
構成図である。
す構成図である。
相器を示す構成図である。
相器を示す構成図である。
る。
る。
端子(第2の入出力端子)、2a FET(第1の電界
効果トランジスタ)、2b FET(第2の電界効果ト
ランジスタ)、2c FET(第3の電界効果トランジ
スタ)、3a,3b インダクタ、4a,4b,4c
抵抗、5a,5b 制御信号端子、6半導体基板、7
スルーホール、8a,8b,8c キャパシタ、20
a,20b SPDTスイッチ、21 ハイパスフィル
タ、22 ローパスフィルタ、23 180°bit移
相器、24 90°bit移相器、25 45°bit
移相器、26 22.5°bit移相器、27 11.
25°bit移相器。
Claims (8)
- 【請求項1】 一方のチャネル形成電極が第1の入出力
端子と接続された第1の電界効果トランジスタと、一方
のチャネル形成電極が上記第1の電界効果トランジスタ
の他方のチャネル形成電極と接続され、他方のチャネル
形成電極が第2の入出力端子と接続された第2の電界効
果トランジスタと、一方のチャネル形成電極が上記第1
の電界効果トランジスタの他方のチャネル形成電極と接
続された第3の電界効果トランジスタと、一端が上記第
3の電界効果トランジスタの他方のチャネル形成電極と
接続され、他端がグランドと接続されたインダクタとを
備えた移相器において、上記第3の電界効果トランジス
タにおける一方のチャネル形成電極と他方のチャネル形
成電極間にインダクタを接続したことを特徴とする移相
器。 - 【請求項2】 一方のチャネル形成電極が第1の入出力
端子と接続された第1の電界効果トランジスタと、一方
のチャネル形成電極が上記第1の電界効果トランジスタ
の他方のチャネル形成電極と接続され、他方のチャネル
形成電極が第2の入出力端子と接続された第2の電界効
果トランジスタと、一端が上記第1の電界効果トランジ
スタの他方のチャネル形成電極と接続されたインダクタ
と、一方のチャネル形成電極が上記インダクタの他端と
接続され、他方のチャネル形成電極がグランドと接続さ
れた第3の電界効果トランジスタとを備えた移相器にお
いて、上記第3の電界効果トランジスタにおける一方の
チャネル形成電極と他方のチャネル形成電極間にインダ
クタを接続したことを特徴とする移相器。 - 【請求項3】 一方のチャネル形成電極が第1の入出力
端子と接続された第1の電界効果トランジスタと、一方
のチャネル形成電極が上記第1の電界効果トランジスタ
の他方のチャネル形成電極と接続され、他方のチャネル
形成電極が第2の入出力端子と接続された第2の電界効
果トランジスタと、一方のチャネル形成電極が上記第1
の電界効果トランジスタの他方のチャネル形成電極と接
続された第3の電界効果トランジスタと、一端が上記第
3の電界効果トランジスタの他方のチャネル形成電極と
接続され、他端がグランドと接続されたインダクタとを
備えた移相器において、上記第3の電界効果トランジス
タにおける一方のチャネル形成電極と他方のチャネル形
成電極間にキャパシタを接続したことを特徴とする移相
器。 - 【請求項4】 一方のチャネル形成電極が第1の入出力
端子と接続された第1の電界効果トランジスタと、一方
のチャネル形成電極が上記第1の電界効果トランジスタ
の他方のチャネル形成電極と接続され、他方のチャネル
形成電極が第2の入出力端子と接続された第2の電界効
果トランジスタと、一端が上記第1の電界効果トランジ
スタの他方のチャネル形成電極と接続されたインダクタ
と、一方のチャネル形成電極が上記インダクタの他端と
接続され、他方のチャネル形成電極がグランドと接続さ
れた第3の電界効果トランジスタとを備えた移相器にお
いて、上記第3の電界効果トランジスタにおける一方の
チャネル形成電極と他方のチャネル形成電極間にキャパ
シタを接続したことを特徴とする移相器。 - 【請求項5】 移相量が90度になるように回路定数を
設定したことを特徴とする請求項1から請求項4のうち
のいずれか1項記載の移相器。 - 【請求項6】 移相量が45度になるように回路定数を
設定したことを特徴とする請求項1から請求項4のうち
のいずれか1項記載の移相器。 - 【請求項7】 請求項5記載の移相器と180度ビット
移相器とを組み合わせて使用することを特徴とする多ビ
ット移相器。 - 【請求項8】 請求項5記載の移相器と、請求項6記載
の移相器と、180度ビット移相器と、22.5度ビッ
ト移相器と、11.25度ビット移相器とを組み合わせ
て使用することを特徴とする多ビット移相器。
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2002
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