JPH02151113A - Ｌｐｆ／ｈｐｆ移相器 - Google Patents
Ｌｐｆ／ｈｐｆ移相器Info
- Publication number
- JPH02151113A JPH02151113A JP30522588A JP30522588A JPH02151113A JP H02151113 A JPH02151113 A JP H02151113A JP 30522588 A JP30522588 A JP 30522588A JP 30522588 A JP30522588 A JP 30522588A JP H02151113 A JPH02151113 A JP H02151113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lpf
- mesfets
- hpf
- mesfet
- phase shifter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101000614028 Vespa velutina Phospholipase A1 verutoxin-1 Proteins 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＬＰＦ／ＨＰＦ移相器に関し、特にＭＥ Ｓ
Ｆ ＥＴのスイッチング容量を用いた移相器に関する。
Ｆ ＥＴのスイッチング容量を用いた移相器に関する。
従来、この種のＬ Ｐ Ｆ／ＨＰ Ｆ移相器の基本的な
等価回路は、第３図に示す様に、ＬＰＦ用の素子として
インダクタＬ４．ｔ、、およびキャパシタＣ８、ＨＰＦ
用の素子としてキャパシタＣＩ。
等価回路は、第３図に示す様に、ＬＰＦ用の素子として
インダクタＬ４．ｔ、、およびキャパシタＣ８、ＨＰＦ
用の素子としてキャパシタＣＩ。
Ｃ２およびインダクタＬ６を有し、これらＬＰＦとＨＰ
Ｆの切換スイッチとして用いられるＭＥＳＦ Ｅ Ｔ
Ｑ ４〜Ｑ９とから構成されている。
Ｆの切換スイッチとして用いられるＭＥＳＦ Ｅ Ｔ
Ｑ ４〜Ｑ９とから構成されている。
上述した従来のＬＰＦ／ＨＰＦ移相器は、この移相器を
ＩＣ化する場合、切換スイッチであるＭＥＳＦＥＴの数
が多く、更に広い面積を必要とするキャパシタを含むの
で、ＩＣのチップサイズを小型化し難く、またそのため
に損失が大きくなるという欠点がある。
ＩＣ化する場合、切換スイッチであるＭＥＳＦＥＴの数
が多く、更に広い面積を必要とするキャパシタを含むの
で、ＩＣのチップサイズを小型化し難く、またそのため
に損失が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、ＭＥ５ＦＥＴ
の数を少くすると共に、チップサイズを小型化したＬＰ
Ｆ／ＨＰＦ移相器を提供することにある。
の数を少くすると共に、チップサイズを小型化したＬＰ
Ｆ／ＨＰＦ移相器を提供することにある。
本発明のＬ Ｐ Ｆ／ＨＰ Ｆ移相器の構成は、第１お
よび第２のＭＥＳＦＥＴのドレイン電極にそれぞれ第１
および第２のインダクタを接続した第１および第２の回
路を用いてそれぞれのソース電極を接続して直列回路を
形成し、第３のＭＥＳＦＥＴのソース電極に一端を接地
させたインダクタとを接続した第３の回路を、そのドレ
イン電極が前記第１．第２のＭＥＳ’ＦＥＴのソース電
極接続端と接続されてＴ形回路を構成、前記第１．第２
および第３の各ＭＥＳＦＥＴのゲート電極に印加する制
御電圧により、ＬＰＦまたはＨＰＦに切換えることを特
徴とする。
よび第２のＭＥＳＦＥＴのドレイン電極にそれぞれ第１
および第２のインダクタを接続した第１および第２の回
路を用いてそれぞれのソース電極を接続して直列回路を
形成し、第３のＭＥＳＦＥＴのソース電極に一端を接地
させたインダクタとを接続した第３の回路を、そのドレ
イン電極が前記第１．第２のＭＥＳ’ＦＥＴのソース電
極接続端と接続されてＴ形回路を構成、前記第１．第２
および第３の各ＭＥＳＦＥＴのゲート電極に印加する制
御電圧により、ＬＰＦまたはＨＰＦに切換えることを特
徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の等価回路図である。本実施
例は、３つのインダクタＬ、、Ｌ２゜Ｌ３とこれらに直
列接続された３つのＭＥＳＦＥＴＱ＋ 、Ｇ２ 、Ｇ３
とをＴ型に接続し、端子１１．１２を入出力端子とした
２ポ一ト回路であり、端子１３〜１５は各々ＭＥＳＦＥ
ＴＱ、〜Ｑ、のＯＮ／○ＦＦを制御するゲート端子であ
る。
例は、３つのインダクタＬ、、Ｌ２゜Ｌ３とこれらに直
列接続された３つのＭＥＳＦＥＴＱ＋ 、Ｇ２ 、Ｇ３
とをＴ型に接続し、端子１１．１２を入出力端子とした
２ポ一ト回路であり、端子１３〜１５は各々ＭＥＳＦＥ
ＴＱ、〜Ｑ、のＯＮ／○ＦＦを制御するゲート端子であ
る。
スイッチとしてのＭ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ｔ〜Ｑ
３は、等価的にオフ状態で小さな抵抗に、オフ状態では
キャパシタに置き換えられる。このオフ状態でのキャパ
シタ容量は各Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ＋〜Ｑ３の
ゲート幅で変えることができるので、ＭＥＳＦＥＴＱＩ
〜Ｑ３のゲート幅を適切に選ぶと、第１の等価回路は、
（１）ＭＥＳＦＥＴＱｔ 、Ｇ２がオン、Ｍ Ｅ Ｓ
Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ３がオフ状態でＬＰＦとなり、（２＞
ＭＥＳＦＥＴＱ！、Ｇ２がオフ、ＭＥＳＦＥＴＱ３がオ
ン状態でＨＰ Ｆとなる。従って、これら（１） 、
（２）の状態を端子１３，１４．１５への印加電圧によ
って切換えることにより、ＬＰＦ／ＨＰ Ｆ移相器とし
て動作させることができる。また、インダクタＬ、、Ｌ
、のインダクタンスには、理想Ｔ型ＬＰＦに於けるイン
ダクタの値を選び、インダクタし３のインダクタンスに
は、理想Ｔ型ＨＰＦの値をｊ１！び、各々ＭＥＳＦＥＴ
のゲート幅は、オフ状態でのキャパシタ容量が所望の移
相量を満たす値に選ぶ。
３は、等価的にオフ状態で小さな抵抗に、オフ状態では
キャパシタに置き換えられる。このオフ状態でのキャパ
シタ容量は各Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ＋〜Ｑ３の
ゲート幅で変えることができるので、ＭＥＳＦＥＴＱＩ
〜Ｑ３のゲート幅を適切に選ぶと、第１の等価回路は、
（１）ＭＥＳＦＥＴＱｔ 、Ｇ２がオン、Ｍ Ｅ Ｓ
Ｆ Ｅ Ｔ Ｑ ３がオフ状態でＬＰＦとなり、（２＞
ＭＥＳＦＥＴＱ！、Ｇ２がオフ、ＭＥＳＦＥＴＱ３がオ
ン状態でＨＰ Ｆとなる。従って、これら（１） 、
（２）の状態を端子１３，１４．１５への印加電圧によ
って切換えることにより、ＬＰＦ／ＨＰ Ｆ移相器とし
て動作させることができる。また、インダクタＬ、、Ｌ
、のインダクタンスには、理想Ｔ型ＬＰＦに於けるイン
ダクタの値を選び、インダクタし３のインダクタンスに
は、理想Ｔ型ＨＰＦの値をｊ１！び、各々ＭＥＳＦＥＴ
のゲート幅は、オフ状態でのキャパシタ容量が所望の移
相量を満たす値に選ぶ。
次に、具体的例として、ＧａＡｓＭＥ Ｓ Ｆ ＥＴ
（ゲート長０．５μｍ、ＶＴ−１，２Ｖ）を用いて中心
周波数９．７ＧＨｚ、帯域幅Ｉ Ｇ１１ｚ 、移相量９
０°の場合のシミュレーション結果を第２図に示す。
（ゲート長０．５μｍ、ＶＴ−１，２Ｖ）を用いて中心
周波数９．７ＧＨｚ、帯域幅Ｉ Ｇ１１ｚ 、移相量９
０°の場合のシミュレーション結果を第２図に示す。
第２図＜ａ）は、各々ＬＰＦとＨＰＦの状態でのリター
ンロスの周波数特性１ｂおよび２ｂを示し、帯域内に於
いて２４ ｄＢ以上が得られている。
ンロスの周波数特性１ｂおよび２ｂを示し、帯域内に於
いて２４ ｄＢ以上が得られている。
また、第２図（ｂ）は各々ＬＰＦとＨＰＦの状態での挿
入損３ｂおよび４ｂの特性図であり、帯域内に於いて約
１ｄＢとなっている。第２図（ｃ）は、ＬＰＦ／ＨＰＦ
移相器としての移相量の特性図を示し、帯域内での最大
移相誤差は２．ｌ゛であるが、移相変動量は０．９°に
抑えられていることを示している。
入損３ｂおよび４ｂの特性図であり、帯域内に於いて約
１ｄＢとなっている。第２図（ｃ）は、ＬＰＦ／ＨＰＦ
移相器としての移相量の特性図を示し、帯域内での最大
移相誤差は２．ｌ゛であるが、移相変動量は０．９°に
抑えられていることを示している。
以上説明したように本発明は、ＭＥＳＦＥＴのスイッチ
ング容量を利用することにより、回路構成上キャパシタ
を不要とすることができ、更に切換スイッチの素子数を
低減させることができるので、ＩＣのチップサイズを大
幅に低減でき、さらに挿入損失も小さくできるという効
果がある。
ング容量を利用することにより、回路構成上キャパシタ
を不要とすることができ、更に切換スイッチの素子数を
低減させることができるので、ＩＣのチップサイズを大
幅に低減でき、さらに挿入損失も小さくできるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す等価回路図、第２図（
ａン、（ｂ）、（ｃ）は第１図の等価回路の動作例のリ
ターンロス挿入損および移相量の周波数特性図、第３図
は従来のＬ Ｐ Ｆ／ＨＰ Ｆ移相器の等価回路図であ
る。 １１・・・入力端子、１２・・・出力端子、１３〜１８
・・・制御端子、Ｃ１〜Ｃ３・・・キャパシタ、Ｌ１〜
Ｌ６・・・インダクタ、Ｑｌ〜Ｑ９・・・ＭＥＳＦＥＴ
。 代理人 弁理士 内 原 晋 で 図 肩 ワ ヒ」 声 ！
ａン、（ｂ）、（ｃ）は第１図の等価回路の動作例のリ
ターンロス挿入損および移相量の周波数特性図、第３図
は従来のＬ Ｐ Ｆ／ＨＰ Ｆ移相器の等価回路図であ
る。 １１・・・入力端子、１２・・・出力端子、１３〜１８
・・・制御端子、Ｃ１〜Ｃ３・・・キャパシタ、Ｌ１〜
Ｌ６・・・インダクタ、Ｑｌ〜Ｑ９・・・ＭＥＳＦＥＴ
。 代理人 弁理士 内 原 晋 で 図 肩 ワ ヒ」 声 ！
Claims (1)
- 第１および第２のＭＥＳＦＥＴのドレイン電極にそれ
ぞれ第１および第２のインダクタを接続した第１および
第２の回路を用いてそれぞれのソース電極を接続して直
列回路を形成し、第３のＭＥＳＦＥＴのソース電極に一
端を接地させたインダクタとを接続した第３の回路を、
そのドレイン電極が前記第１，第２のＭＥＳＦＥＴのソ
ース電極接続端と接続されてＴ形回路を構成し、前記第
１，第２および第３の各ＭＥＳＦＥＴのゲート電極に印
加する制御電圧により、ＬＰＦまたはＨＰＦに切換える
ことを特徴とするＬＰＦ／ＨＰＦ移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30522588A JPH02151113A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | Ｌｐｆ／ｈｐｆ移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30522588A JPH02151113A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | Ｌｐｆ／ｈｐｆ移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151113A true JPH02151113A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17942544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30522588A Pending JPH02151113A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | Ｌｐｆ／ｈｐｆ移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02151113A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519349A (en) * | 1993-09-29 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifter |
| WO2002093743A1 (fr) * | 2001-05-14 | 2002-11-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Compensateur de phase et compensateur de phase multibit |
| EP1519483A2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-30 | Seiko Epson Corporation | Impedance circuit, and filter circuit, amplifier circuit, semiconductor integrated circuit, electronic component, and wireless communications device using the same |
| WO2005093951A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 移相回路、高周波スイッチ並びに移相器 |
| JP2013131797A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Alps Electric Co Ltd | アンテナ一体型高周波モジュール |
| WO2014085640A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Qualcomm Incorporated | Digitally controlled phase shifter |
| JPWO2015119176A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | フィルタ回路および無線通信装置 |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP30522588A patent/JPH02151113A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519349A (en) * | 1993-09-29 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifter |
| US7123116B2 (en) | 2001-05-14 | 2006-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifter and multibit phase shifter |
| WO2002093743A1 (fr) * | 2001-05-14 | 2002-11-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Compensateur de phase et compensateur de phase multibit |
| EP1519483A2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-30 | Seiko Epson Corporation | Impedance circuit, and filter circuit, amplifier circuit, semiconductor integrated circuit, electronic component, and wireless communications device using the same |
| EP1519483A3 (en) * | 2003-09-24 | 2006-04-26 | Seiko Epson Corporation | Impedance circuit, and filter circuit, amplifier circuit, semiconductor integrated circuit, electronic component, and wireless communications device using the same |
| JPWO2005093951A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2007-08-30 | 三菱電機株式会社 | 移相回路、高周波スイッチ並びに移相器 |
| WO2005093951A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 移相回路、高周波スイッチ並びに移相器 |
| US7495529B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift circuit, high frequency switch, and phase shifter |
| JP4814089B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-11-09 | 三菱電機株式会社 | 移相回路及び多ビット移相器 |
| JP2013131797A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Alps Electric Co Ltd | アンテナ一体型高周波モジュール |
| WO2014085640A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Qualcomm Incorporated | Digitally controlled phase shifter |
| US9319021B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-04-19 | Qualcomm Incorporated | Digitally controlled phase shifter |
| JPWO2015119176A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | フィルタ回路および無線通信装置 |
| US9985605B2 (en) | 2014-02-10 | 2018-05-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter circuit and wireless communication apparatus |
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