KR100299900B1 - 병렬 접속된 고역 통과신호 경로와 저역 통과신호 경로를 갖는반도체 이상기 - Google Patents

병렬 접속된 고역 통과신호 경로와 저역 통과신호 경로를 갖는반도체 이상기 Download PDF

Info

Publication number
KR100299900B1
KR100299900B1 KR1019980058856A KR19980058856A KR100299900B1 KR 100299900 B1 KR100299900 B1 KR 100299900B1 KR 1019980058856 A KR1019980058856 A KR 1019980058856A KR 19980058856 A KR19980058856 A KR 19980058856A KR 100299900 B1 KR100299900 B1 KR 100299900B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transmission line
field effect
effect transistor
signal path
terminal
Prior art date
Application number
KR1019980058856A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990063495A (ko
Inventor
히로시 미즈따니
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR19990063495A publication Critical patent/KR19990063495A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100299900B1 publication Critical patent/KR100299900B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/66—Phase shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/18—Phase-shifters
    • H01P1/184—Strip line phase-shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/16—Networks for phase shifting
    • H03H11/20—Two-port phase shifters providing an adjustable phase shift
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/18—Phase-shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/16—Networks for phase shifting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

반도체 이상기에 있어서, 고역통과 신호경로와 저역통과 신호경로가 입력단자 (IN) 와 출력단자 (OUT) 사이에 병렬로 접속된다. 고역통과 신호경로는 λ/4 의 실효길이를 갖고 입력단자와 출력단자에 접속된 제 1 및 제 2 전송선, 상기 제 1 전송선과 상기 제 2 전송선 간에 접속된 하나이상의 제 1 전계효과 트랜지스터, 및 상기 제 1 전계효과 트랜지스터들중의 하나의 트랜지스터와 접지단자에 접속된 2개이상의 제 2 전계효과 트랜지스터를 구비하며, 여기서 λ 는 전파하는 신호의 파장이다. 저역통과 경로는 λ/4 의 실효길이를 갖고 입력단자와 출력단자에 접속된 제 4 및 제 5 전송선, 상기 제 4 전송선과 상기 제 5 전송선 간에 접속된 하나이상의 제 6 전송선, 및 상기 제 6 전송선과 접지단자에 각각 접속된 2개이상의 제 2 전계효과 트랜지스터를 구비한다. 제 3 및 제 6 전송선은 각각 인덕터로서 기능한다.

Description

병렬접속된 고역 통과신호 경로와 저역 통과신호 경로를 갖는 반도체 이상기{SEMICONDUCTOR PHASE SHIFTER HAVING HIGH-PASS SIGNAL PATH AND LOW-PASS SIGNAL PATH CONNECTED IN PARALLEL}
본 발명은 위상 어레이 레이터 등에 사용되는 반도체 이상기 (phase shifter; 移相器) 에 관한 것이다.
제 1 종래의 반도체 이상기 (1972년 5월자로 발행된 IEEE Trans. of Microwave Theory and Techniques, Vol.MTT-20, No. 5, 페이지 314∼323, Robert V. Garrer 의 "Broad-Band Diode Phase Shifters" 참조) 에서는, T형 고역통과 필터 및 T형 저역통과 필터가 스위치를 배열하여 스위치된다. 이는 차후에 좀더 자세히 설명하기로 한다.
그러나, 이 제 1 종래기술의 반도체 이상기에서는, 2가지 제어 바이어스가 필요하여, 2개의 스위치가 요구되므로, 큰 삽입손실 (insertion loss) 이 발생되게 된다.
또, 제 2 종래기술의 반도체 이상기 (JPA 1-202007 호 참조)에서는, 단지하나의 제어 바이어스만이 제공된다. 이 또한, 차후에 좀더 상세히 설명하기로 한다.
그러나, 이 제 2 종래기술의 반도체 이상기에서는, 전파신호의 주파수가 원하는 주파수로부터 소량 천이하는 경우에도, 위상 변이가 벗어나게 되어, 반도체 이상기가 협대역이 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 삽입손실을 저감시키면서도 증대된 복귀손실 뿐만 아니라 넓은 동작 대역폭을 얻는 것이 가능한 반도체 이상기를 제공하는데 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 이상기에 있어서, 고역통과 신호경로와 저역통과 신호경로가 입력단자와 출력단자 사이에서 병렬로 접속된다. 고역통과 경로는 λ/4 의 실효길이를 갖고 입력단자와 출력단자에 접속된 제 1 및 제 2 전송선, 상기 제 1 전송선과 상기 제 2 전송선 간에 접속된 하나이상의 제 1 전계효과 트랜지스터, 및 상기 제 1 전계효과 트랜지스터와 접지단자에 접속된 2개이상의 제 2 전계효과 트랜지스터를 구비하며, 여기서 λ 는 전파하는 신호의 파장이다. 저역통과 경로는 λ/4 의 실효길이를 갖고 입력단자와 출력단자에 접속된 제 4 및 제 5 전송선, 상기 제 4 전송선과 상기 제 5 전송선 간에 접속된 하나이상의 제 6 전송선, 및 상기 제 6 전송선과 접지단자에 각각 접속된 2개이상의 제 2 전계효과 트랜지스터를 구비한다. 제 3 및 제 6 전송선은 각각 인덕터로서 기능한다.
이하, 첨부도면을 참조하여, 종래기술과 비교하여 설명한 하기 설명으로부터 본 발명을 명확히 이해할 수 있을 것이다.
도 1 은 제 1 종래기술의 반도체 이상기를 나타낸 회로도.
도 2 는 제 2 종래기술의 반도체 이상기를 나타낸 회로도.
도 3a 및 3b 는 고역통과 경로가 활성화되고 저역통과 경로가 비활성화된, 도 2 의 반도체 이상기의 등가회로도.
도 4 는 저역통과 경로가 활성화되고 고역통과 경로가 비활성화된, 도 2 의 반도체 이상기의 등가 회로도.
도 5 는 본 발명에 따른 반도체 이상기의 제 1 실시예를 나타낸 회로도.
도 6a 내지 6b 는 도 5 의 반도체 이상기의 등가 회로도.
도 7 은 도 5 의 반도체 이상기의 위상변이 특성을 나타낸 그래프.
도 8 은 본 발명에 따른 반도체 이상기의 제 2 실시예를 나타낸 회로도.
도 9a 및 9b 는 도 8 의 반도체 이상기의 등가 회로도.
도 10 은 도 8 의 반도체 이상기의 위상변이 특성을 나타낸 그래프.
도 11 은 본 발명에 따른 반도체 이상기의 제 3 실시예를 나타낸 회로도.
도 12 는 도 11 의 반도체 이상기의 위상변이 특성을 나타낸 그래프.
도 13 은 도 5 의 반도체 이상기의 변형예를 나타낸 회로도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1a, 1b, 2a, 2b, 2c, 5a, 5b, 6a 및 6b : 전송선
3a, 3b, 7a, 7b 및 7c : FET 4 : 분리 레지스터
8 : 분리 레지스터 9 : 분포상수 FET
103 및 104 : 스위치 CONT1 및 CONT2 : 제어단자
바람직한 실시예를 설명하기 전에, 도 1, 2, 3a, 3b 및 4 를 참조하여, 종래기술의 반도체 이상기를 설명하기로 한다.
제 1 종래기술의 반도체 이상기 (1972년 5월자로 발행된 IEEE Trans. of Microwave Theory and Techniques, Vol.MTT-20, No. 5, 페이지 314∼323, Robert V. Garrer 의 "Broad-Band Diode Phase Shifters" 참조) 를 나타낸 도 1 에서는, 스위치 (103 및 104) 를 배열하여, T형 고역통과 필터 (101) 및 T형 저역통과 필터 (102) 를 스위칭한다. 고역통과 필터 (101) 는 캐패시터 (1011 및 1012) 및 션트(shunt) 캐패시터 (1013) 와 직렬로 형성되어 위상 선행을 제공한다. 저역통과 필터 (102) 는 캐패시터 (1021 및 1022) 및 션트(shunt) 캐패시터 (1023) 와 직렬로 형성되어 위상 지연을 제공한다. 참조부호 IN 은 입력단자를 지시하고 OUT 는 출력단자를 나타낸다.
도 1 에서는, 고역통과 필터 (101) 가 활성화되고 저역통과 필터 (102) 가 비활성화되는 경우에는, 무선 주파수 신호의 위상 (φH) 은,
로 표현되며, 이때, X 는 정규화 리액턴스이며, B 는 정규화된 서셉턴스이다.
한편, 도 1 에서, 저역통과 필터 (102) 가 활성화되고 고역통과 필터 (101) 가 비활성화되는 경우에는, 위상 (φL) 은,
로 표현된다.
따라서, 식 1 및 식 2 로부터, 위상변이 (△φ) 는,
로 주어진다.
그러나, 도 1 의 반도체 이상기는, 2개의 제어 바이어스가 필요하여, 2개의 스위치 (103 및 104) 가 요구되므로, 큰 삽입손실을 발생하게 된다.
제 2 종래기술의 이상기 (JPA 1-202007호 참조) 를 나타낸 도 2 에서는, 단지 하나의 제어 바이어스가 제공된다. 즉, 직렬 인덕터 (201 및 202), 션트 캐패시터 (203) 및 병렬 인덕터 (204) 가 제공된다. 또한, 그 인덕터 (201) 과 인덕터 (202) 사이에 전계효과 트랜지스터 (TFT) 로 구성된 스위치 (205) 가 접속되며, 병렬 인덕터 (204) 에 FET 로 구성된 스위치 (206) 가 직렬 접속된다. FET (205 및 206) 는 제어단자 (CONT) 에서 전압에 의해 제어됨에 주의하여야 한다.
도 2 에서, FET (205 및 206) 가 턴-온되는 경우, 인덕터 (201 및 202) 의 종점이 회로단락되며, 도 2 의 회로가, 도 3a 에 나타낸 바와 같이, T형 고역통과 필터로 변화된다. 이때, 만약 캐패시터 (203) 의 용량 (C) 및 인덕터 (204) 의 인덕턴스 (L) 가, 소망의 주파수 (f0), 즉,
에서 공진회로를 형성하도록 선택되면, 도 2 의 회로는 도 3b 에 나타낸 바와 같이 간단한 회로로 표현될 수 있다.
한편, 도 2 에서, FET (205 및 206) 가 턴-오프되는 경우에는, 도 2 의 회로는 도 4 에 나타낸 바와 같이 T형 저역통과 필터로서 표현될 수 있다.
그러므로, 식 4 로부터, 위상변이 (△φ)는,
으로 주어진다.
그러나, 도 2 의 반도체 이상기는, 만약 전파 신호의 주파수가 원하는 주파수 f0로부터 조금이라도 변이되게 되면, 위상변이 (△φ) 가 이탈하여, 도 2 의 반도체 이상기는 협대역이 된다.
본 발명의 제 1 실시예를 나타낸 도 5 에서, 고역통과신호 경로는 실효길이 (λ/4, 3λ/4, 5λ/4, ... ) 를 각각 가지는 전송선 (1a 및 1b), 인덕터로서기능하는 전송선 (2a, 2b 및 2c), 및 전송선 (1a) 과 전송선 (1b) 사이에 접속되어 분리 레지스터 (4) 를 통하여 제어단자 (CONT1) 의 전압에 의해 제어되는 FET (3a 및 3b) 로 형성된 스위치로 구성되며, 여기서, λ 는 전파하는 신호의 실효길이이다.
또한, 저역통과 신호 경로는 실효길이 (λ/4, 3λ/4, 5λ/4, ... ) 를 각각 가지는 전송선 (5a 및 5b), 전송선 (5a) 과 전송선 (5b) 사이에 접속되어 인덕터로서 기능하는 전송선 (6a), 및 전송선 (5a) 과 전송선 (5b) 사이에 접속되어 분리 레지스터 (8) 를 통해 제어단자 (CONT1) 의 전압에 의해 제어되는 FET (7a 및 7b) 로 형성된 스위치로 구성된다.
일반적으로, 각 전송선 (1a, 1b, 5a 및 5b) 의 실효길이는, 서로 다를 수도 있으며, (2n+1)λ/4 로 표현되며, 여기서 n 은 0, 1, 2, ...... 이다.
도 5 에서, FET (3a 및 3b) 가 제어단자 (CONT1) 의 전압에 의해 오프되고 FET (7a 및 7b) 가 제어단자 (CONT2) 의 전압에 의해 온되는 경우에, 도 5 의 회로는 도 6a 에 나타낸 바와 같이 고역통과 필터로 변화되어 위상선행을 제공한다. 이때, 전송선 (5a 및 5b) 이 접지되므로, 이로부터 어떠한 반사도 발생되지 않게 된다.
한편, 도 5 에서, FET (3a 및 3b) 가 제어단자 (CONT1) 의 전압에 의해 온되고 FET (7a 및 7b) 가 제어단자 (CONT2) 의 전압에 의해 오프되는 경우에, 도 5 의 회로는 도 6b 에 나타낸 바와 같이 저역통과 필터로 변화되어 위상지연을 제공한다. 이때, 전송선 (1a 및 1b) 이 접지되므로, 이로부터 어떠한 반사도 발생되지 않게 된다.
도 5 의 반도체 이상기에서는, FET (3a, 3b, 7a 및 7b) 가 인덕터 뿐만 아니라 고역통과 경로 및 저역통과 경로를 스위칭하는 스위치로서 기능하므로, 도 1 의 반도체 이상기의 스위치 (103 및 104) 가 불필요하게 되어, 삽입손실이 저감되게 된다.
도 5 의 반도체 이상기의 예에서는, 각 FET (3a, 3b, 7a 및 7b) 는 0.15㎛ 의 게이트길이와 100㎛ 의 게이트 폭을 갖는 AlGaAs 이종접합 FET 이다. 이 경우, 이 FET 가 오프되는 경우 용량은 40fF 이고, 이 FET 가 온되는 경우에는 온 저항은 8Ω 이다. 각 전송선 (1a 및 1b) 이 10㎛ 의 폭과 280㎛의 길이를 가지는 마이크로스트립 (microstrip) 선이며, 각 전송선 (2a, 2b 및 2c) 은 10㎛ 의 폭과 190㎛의 길이를 가지는 마이크로스트립 선이다. 또한, 각 전송선 (5a 및 5b) 은 10㎛ 의 폭과 350㎛의 길이를 가지는 마이크로스트립 선이며, 전송선 (6a) 은 10㎛ 의 폭과 260㎛의 길이를 가지는 마이크로스트립 선이다. 상술한 도 5 의 반도체 이상기의 예의 위상특성은 도 7 에 나타낸 바와 같다. 즉, 위상변위는 77GHz 의 주파수에서 43.4° 이다. 또, 70 GHz 내지 80 GHz 의 넓은 대역폭에 걸쳐서 우수한 위상변이가 관찰된다. 또, 77GHz 에서의 삽입손실이 작으며 1.2 dB 이하이고, 77 GHz 에서의 복귀손실은 크고 25dB 이상이다.
본 발명의 제 2 실시예를 나타낸 도 8 에서는, 도 5 의 전송선 (6a) 과 동일구조를 가지는 전송선 (6b), 및 FET (7a 및 7b) 와 동일한 구조를 가지는 FET(7c) 로 형성된 스위치가 도 5 의 저역통과 신호 경로에 부가된다.
도 8 에서, FET (3a 및 3b) 가 제어단자 (CONT1) 의 전압에 의해 오프되고 FET (7a, 7b 및 7c) 가 제어단자 (CONT2) 의 전압에 의해 온되는 경우, 도 8 의 회로는 도 9a 에 나타낸 바와 같이 고역통과 필터로 변화되어, 위상선행을 제공한다. 이 경우, 전송선 (5a 및 5b) 이 접지되므로, 이로부터 어떠한 반사도 일어나지 않게 된다.
한편, 도 8 에서, FET (3a 및 3b) 가 제어단자 (CONT1) 의 전압에 의해 온되고 FET (7a, 7b 및 7c) 가 제어단자 (CONT2) 의 전압에 의해 오프되는 경우, 도 8 의 회로는 도 9b 에 나타낸 바와 같이 저역통과 필터로 변화되어, 위상지연을 제공한다.
또한, 도 8 의 반도체 이상기는, FET (3a, 3b, 7a, 7b 및 7c) 가 인덕터 뿐만 아니라 고역통과 신호경로와 저역통과 신호경로를 스위칭하는 스위치로서 기능하므로, 도 1 의 반도체 이상기의 스위치 (103 및 104) 가 불필요하게 되어, 삽입손실이 감소되게 된다.
상술한 예와 동일한 사이즈 특성을 갖는 도 8 의 반도체 이상기의 위상 특성은 도 10 에 나타낸 바와 같다. 즉, 위상변이는 75 GHz 의 주파수에서 93.3° 이다. 또, 70 GHz 내지 80GHz 의 넓은 대역폭에 걸쳐서 우수한 위상변이가 관찰된다. 또, 75 GHz 에서의 삽입손실이 작으며 1.3 dB 이하이고, 75 GHz 에서의 복귀손실은 크며 22 dB 이상이다.
본 발명의 제 3 실시예를 나타낸 도 11 에서는, 분포상수 FET (9) 가 도8 의 전송선 (6a 및 6b) 및 FET (7a, 7b 및 7c) 대신에 제공된다. 이 분포상부 FET (9) 는 게이트 전극과 이 게이트 전극을 샌드위치시키는 제 1 및 제 2 오믹 전극을 구비한 트랜지스터, 및 이 트랜지스터를 포위하는 활성층 (active layer) 으로 구성되며, 제 1 오믹전극은 접지되며 제 2 오믹전극의 단부는 FET (9) 의 입출력 단자로 기능한다. 분포상수 FET (9) 의 게이트 전극은 분리 레지스터 (8) 를 통하여 제어단자 (CONT2) 에 접속된다.
도 11 의 반도체 이상기의 예에서, 각 FET (3a 및 3b) 는 0.15㎛ 의 게이트 길이와 100㎛ 의 게이트 폭을 갖는 AlGaAs 이종접합 FET 이다. 이 경우, 이 FET 가 오프되는 경우, 용량은 40fF 이며, 이 FET 가 온되는 경우, 온 저항은 8Ω 이다.
각 전송선 (1a 및 1b) 이 10㎛ 의 폭과 280㎛의 길이를 가지는 마이크로스트립 선이며, 각 전송선 (2a, 2b 및 2c) 은 10㎛ 의 폭과 190㎛의 길이를 가지는 마이크로스트립 선이다. 또한, 각 전송선 (5a 및 5b) 은 10㎛ 의 폭과 190㎛의 길이를 가지는 마이크로스트립 선이다. 또, 분포상수 FET (9) 는 30㎛ 의 드레인 전극폭과 400㎛의 게이트 핑거 길이를 갖는다. 상술한 도 11 의 반도체 이상기의 예의 위상특성은 도 12 에 나타낸 바와 같다. 즉, 이상기는 77GHz 의 주파수에서 24.8° 이다. 또, 70 GHz 내지 80 GHz 의 넓은 대역폭에 걸쳐서 우수한 위상변이가 관찰된다. 또, 77GHz 에서의 삽입손실이 작으며 1.4 dB 이하이고, 77 GHz 에서의 복귀손실은 크고 23dB 이상이다.
상술한 실시예에서는, 3개의 전송선 (2a, 2b 및 2c) 및 2개의 FET (3a 및3b) 가 고역통과 신호경로에 제공되었지만, 2개, 4개이상의 전송선과, 1개, 3개이상의 FET 가 제공될 수도 있다. 이와 유사하게, 제 1 및 제 2 실시예에서는, 1개 또는 2개의 전송선 (6a 및 6b) 및 2개 또는 3개의 FET (7a, 7b 및 7c) 가 저역통과신호경로로서 제공되었지만, 3개이상의 전송선과 4개이상의 FET 가 제공될 수도 있다. 또한, FET 는 MOS 트랜지스터로 구성될 수도 있다.
또한, 본 발명은 도 13 에 나타낸 바와 같은 T형 고역통과 필터를 갖는 반도체 이상기에도 응용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 삽입손실이 저감될 수 있으며, 또한, 넓은 동작 대역폭이 얻어질 수 있다. 또한, 복귀손실이 증대될 수 있다.

Claims (12)

  1. 입력단자 (IN);
    출력단자 (OUT); 및
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에서 병렬 접속된 고역통과 신호경로와 저역통과 신호경로를 구비하되,
    상기 고역통과 신호경로는,
    상기 입력단자에 접속되며 (2n1+1)·λ/4 (n1= 0, 1, 2, ....) 의 실효길이를 갖는 제 1 전송선으로서, 이때 λ 는 전파하는 신호의 파장인, 제 1 전송선 (1a);
    상기 출력단자에 접속되며 (2n2+1)·λ/4 (n2=0, 1, 2,...) 의 실효길이를 갖는 제 2 전송선 (1b);
    상기 제 1 전송선과 상기 제 2 전송선 간에 접속된 하나 이상의 제 1 전계효과 트랜지스터 (3a, 3b); 및
    상기 제 1 전계효과 트랜지스터와 접지단자에 각각 접속되어, 인덕터로서 각각 기능하는 2개 이상의 제 3 전송선 (2a, 2b, 2c) 를 구비하고,
    상기 저역통과 신호경로는,
    상기 입력단자에 접속되며 (2n3+1)·λ/4 (n3= 0, 1, 2, ....) 의 실효길이를 갖는 제 4 전송선 (5a);
    상기 출력단자에 접속되며 (2n4+1)·λ/4 (n4=0, 1, 2,...) 의 실효길이를 갖는 제 5 전송선 (5b);
    상기 제 4 전송선과 상기 제 5 전송선 간에 접속되어 인덕터로서 각각 기능하는 하나이상의 제 6 전송선 (6a, 6b); 및
    상기 제 6 전송선과 상기 접지단자에 각각 접속된 2개이상의 제 2 전계효과 트랜지스터 (7a, 7b, 7c) 를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 6 전송선과 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는 분포상수 전계효과 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 분포상수 전계효과 트랜지스터는,
    제 1 및 제 2 오믹전극에 의해 샌드위치되며, 상기 제 1 및 제 2 오믹전극의 단부가 상기 분포상수 트랜지스터의 입출력단자로서 기능하는, 트랜지스터; 및
    상기 트랜지스터를 포위하는 활성층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 제 1 제어단자 (CONT1); 및
    상기 제 2 전계효과 트랜지스터의 게이트전극에 접속된 제 2 제어단자 (CONT2) 를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전계효과 트랜지스터는 각각 AlGaAs 이종접합 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전계효과 트랜지스터는 각각 MOS 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  7. 입력단자 (IN);
    출력단자 (OUT); 및
    상기 입력단자와 상기 출력단자 사이에서 병렬 접속된 고역통과 신호경로와 저역통과 신호경로를 구비하되,
    상기 고역통과 신호경로는,
    상기 입력단자에 접속되며 (2n1+1)·λ/4 (n1= 0, 1, 2, ....) 의 실효길이를 갖는 제 1 전송선으로서, 이때 λ 는 전파하는 신호의 파장인, 제 1 전송선 (1a);
    상기 출력단자에 접속되며 (2n2+1)·λ/4 (n2=0, 1, 2,...) 의 실효길이를 갖는 제 2 전송선 (1b);
    상기 제 1 전송선과 상기 제 2 전송선 간에 접속된 2개이상의 제 1 전계효과 트랜지스터 (3a, 3b); 및
    상기 제 1 전계효과 트랜지스터와 접지단자에 접속되어, 인덕터로서 기능하는 하나이상의 제 3 전송선 (2a, 2b, 2c) 를 구비하고,
    상기 저역통과 신호경로는,
    상기 입력단자에 접속되며 (2n3+1)·λ/4 (n3= 0, 1, 2, ....) 의 실효길이를 갖는 제 4 전송선 (5a);
    상기 출력단자에 접속되며 (2n4+1)·λ/4 (n4=0, 1, 2,...) 의 실효길이를 갖는 제 5 전송선 (5b);
    상기 제 4 전송선과 상기 제 5 전송선 간에 접속되어 인덕터로서 각각 기능하는 하나이상의 제 6 전송선 (6a, 6b); 및
    상기 제 6 전송선과 상기 접지단자에 각각 접속된 2개이상의 제 2 전계효과 트랜지스터 (7a, 7b, 7c) 를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 6 전송선과 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는 분포상수 전계효과 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 분포상수 전계효과 트랜지스터는,
    제 1 및 제 2 오믹전극에 의해 샌드위치되며, 상기 제 1 및 제 2 오믹전극의 단부가 상기 분포상수 트랜지스터의 입출력단자로서 기능하는, 트랜지스터; 및
    상기 트랜지스터를 포위하는 활성층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 제 1 제어단자 (CONT1); 및
    상기 제 2 전계효과 트랜지스터의 게이트전극에 접속된 제 2 제어단자 (CONT2) 를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전계효과 트랜지스터는 각각 AlGaAs 이종접합 전계효과트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전계효과 트랜지스터는 각각 MOS 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 이상기.
KR1019980058856A 1997-12-26 1998-12-26 병렬 접속된 고역 통과신호 경로와 저역 통과신호 경로를 갖는반도체 이상기 KR100299900B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09360501A JP3087844B2 (ja) 1997-12-26 1997-12-26 半導体移相器
JP97-360501 1997-12-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990063495A KR19990063495A (ko) 1999-07-26
KR100299900B1 true KR100299900B1 (ko) 2001-09-06

Family

ID=18469675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980058856A KR100299900B1 (ko) 1997-12-26 1998-12-26 병렬 접속된 고역 통과신호 경로와 저역 통과신호 경로를 갖는반도체 이상기

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6252474B1 (ko)
JP (1) JP3087844B2 (ko)
KR (1) KR100299900B1 (ko)
CN (1) CN1230049A (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3840361B2 (ja) * 2000-04-26 2006-11-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
JP3542116B2 (ja) * 2000-09-29 2004-07-14 ユーディナデバイス株式会社 高周波回路
US6674341B2 (en) * 2001-01-09 2004-01-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Phase shifter and multibit phase shifter
US6737935B1 (en) * 2002-12-03 2004-05-18 John Mezzalingua Associates, Inc. Diplex circuit forming bandstop filter
JP2008187661A (ja) 2007-01-31 2008-08-14 Nec Electronics Corp 移相器、ビット移相器
JP5522908B2 (ja) * 2008-07-02 2014-06-18 三菱電機株式会社 移相回路
JP5246301B2 (ja) * 2011-06-14 2013-07-24 株式会社村田製作所 方向性結合器
JP2014110605A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 Mitsubishi Electric Corp 移相回路
RU2607673C1 (ru) * 2015-10-20 2017-01-10 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-петербургский политехнический университет Петра Великого" ФГАОУ ВО "СПбПУ" Высокочастотный фазовращатель на МОП-транзисторах
CN108321472B (zh) * 2017-12-20 2020-04-14 华为技术有限公司 一种移相器、天馈系统及基站
US10305517B1 (en) * 2018-07-05 2019-05-28 Qualcomm Incorporated Current-mode filtering with switching
CN109216835B (zh) * 2018-09-30 2021-06-01 华为技术有限公司 一种移相器、天馈系统以及通信设备
CN109617536A (zh) * 2018-12-27 2019-04-12 复旦大学 一种x波段移相器
US11575188B2 (en) 2019-05-07 2023-02-07 Mitsubishi Electric Corporation Phase shifter

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3718873A (en) * 1971-06-28 1973-02-27 Us Army Phase shifter having at least one t-section lc circuit
US4733203A (en) * 1984-03-12 1988-03-22 Raytheon Company Passive phase shifter having switchable filter paths to provide selectable phase shift
JPS61208307A (ja) * 1985-03-13 1986-09-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体移相器
US5317290A (en) * 1987-10-19 1994-05-31 General Electric Company MMIC (monolithic microwave integrated circuit) switchable bidirectional phase shift network
JP2656284B2 (ja) 1988-02-08 1997-09-24 株式会社東芝 モノリシックマイクロ波移相器

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990063495A (ko) 1999-07-26
JPH11195960A (ja) 1999-07-21
JP3087844B2 (ja) 2000-09-11
US6252474B1 (en) 2001-06-26
CN1230049A (zh) 1999-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100294290B1 (ko) 스위칭 회로 및 반도체 장치
KR100299900B1 (ko) 병렬 접속된 고역 통과신호 경로와 저역 통과신호 경로를 갖는반도체 이상기
US7411471B2 (en) High-frequency switch
US5148062A (en) Simplified phase shifter circuit
EP0732808B1 (en) Phase shifter
US7123116B2 (en) Phase shifter and multibit phase shifter
US6674341B2 (en) Phase shifter and multibit phase shifter
US6320476B1 (en) Millimeter-band semiconductor switching circuit
US4556808A (en) Microwave monolithic spot FET switch configuration
JPH0330508A (ja) 連続可変アナログ移相器
JPH07321505A (ja) 移相器
US5309006A (en) FET crossbar switch device particularly useful for microwave applications
US7167064B2 (en) Phase shift circuit and phase shifter
JP2962771B2 (ja) 移相器
JP4122600B2 (ja) 電解効果トランジスタおよび半導体回路
JPH0119761B2 (ko)
US4853658A (en) Microwave phase shifters
JP2956383B2 (ja) 半導体スイッチ
JP3357715B2 (ja) マイクロ波移相器
KR100273735B1 (ko) 반도체장치의위상변위기
JP2001352204A (ja) 伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置
JPH0748603B2 (ja) 半導体移相器
JP3076350B2 (ja) 遅延線路及びマイクロ波移相器
MIYAGUCHI et al. A C-Ku band 5-bit MMIC phase shifter using optimized reflective series/parallel LC circuits
JPH0728161B2 (ja) マイクロ波半導体スイッチ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee