CN108321472B - 一种移相器、天馈系统及基站 - Google Patents

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Abstract

本申请的实施例公开了一种移相器、天馈系统及基站，涉及通信领域，能够实现降低移相器的插损。移相器，包括：微带线，微带线包括：分支传输线并联于射频输入主传输线与射频输出主传输线之间；二极管的阴极连接于分支传输线的第一连接点时，第一连接点与射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；二极管的阴极连接于分支传输线的第二连接点时，第二连接点与射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍,二极管的阳极连接射频接地电容；二极管的阳极连接控制信号输入端，控制信号输入端输入的控制信号用于控制二极管在导通状态与关断状态之间转换；微带线通过直流接地器件连接直流接地端。

Description

一种移相器、天馈系统及基站
技术领域
本申请涉及通信领域，尤其涉及一种移相器、天馈系统及基站。
背景技术
第五代通信技术(5G)较第四代通信技术(4G)通信容量要提升1000倍。提升通信容量主要通过编码频谱效率优化、带宽增加和天线数增加三方面实现。其中带宽从Sub3G(0～3GHz)，提升到毫米波(24/28/39/60GHz)和Sub6G(0～6GHz)；天线数增加的Massive MIMO技术是硬件上重要的关键技术。
Massive MIMO(Massive multiple-input multiple-output，大规模多输入多输出)现有两种典型架构：数字波束形成(digital beam forming，DBF)和混合数字波束形成(digitalhybrid beam forming，DHBF)。其中DHBF具有减少硬件有源通道数的优势。以64TR双极化Massive MIMO为例，DBF需要64路有源通道，1驱1列的DHBF只需要16路有源通道，通道数减少75％，两者性能相差在20％以内，因此DHBF是提升性价比的优选技术路径。DHBF硬件拓补中，功率放大器和天线之间连接有移相器，移相器会给射频信号带来插损，插损每减少0.5dB都可以增加覆盖面积12％，因此，如何实现移相器具有低插损，是本申请所要解决的技术问题。
发明内容
本申请的实施例提供一种移相器、天馈系统及基站，能够实现降低移相器的插损。
第一方面，提供一种移相器，包括：微带线、至少一个开关器件以及直流接地器件；微带线包括：射频输入主传输线、射频输出主传输线、以及至少两条分支传输线，所述至少两条分支传输线的长度均不相同，所述至少两条分支传输线并联于所述射频输入主传输线与所述射频输出主传输线之间；
任一所述分支传输线上连接有至少一个开关器件，其中：任一所述开关器件的第二端与所述分支传输线在第一连接点电连接时，所述第一连接点与所述射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；任一所述开关器件的第二端与所述分支传输线在第二连接点电连接时，所述第二连接点与所述射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；任一所述开关器件的第一端连接射频接地电容；任一所述开关器件的控制端连接控制信号输入端，其中所述控制信号输入端输入的控制信号用于控制所述开关器件在导通状态与关断状态之间转换，其中在导通状态所述开关器件的第一端和第二端导通，在关断状态所述开关器件的第一端和第二端断开；所述微带线通过直流接地器件连接直流接地端，所述直流接地器件用于将所述微带线上的直流信号导通至直流接地端。
基于上述的移相器的结构，对于射频信号而言，每条分支传输线通过连接的开关器件连接接地电容，实现射频接地，控制信号从开关器件的控制端施加，当控制信号控制开关器件导通时，开关器件阻抗较小，由于开关器件的第二端与分支传输线在第一连接点电连接时，第一连接点与射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；任一开关器件的第二端与分支传输线在第二连接点电连接时，第二连接点与射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；因此该分支传输线上的射频信号经过四分之一波长转换后在连接点的输入阻抗为无穷大，相当于该分支传输线断开；当控制信号控制开关器件反偏时，开关器件阻抗较大，对该分支传输线影响较小，此时射频信号从该分支传输线流过，通过上述过程实现了分支传输线的选择，由于每条分支传输线的长度均不相同，因此射频信号经过每条分支传输线路时产生的不同的相位，从而实现了移相器输出不同相位的功能；对于自射频输入主传输线流入移相器的直流信号而言，由于微带线通过直流接地器件连接直流接地端，因此直流信号可以直接通过该直流接地端释放；因而在微带线上无需设置隔直流器件，避免了射频信号流经隔直流器件引入的损耗；因此能够实现降低移相器的插损。
在一种示例性的实现方式中，任一分支传输线上连接有第一开关器件、第二开关器件；
其中，所述第一开关器件的第二端与所述分支传输线的连接点与所述射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；所述第二开关器件的第二端与所述分支传输线的连接点与所述射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍。
在一种示例性的实现方式中，任一所述分支传输线上连接有第三开关器件；
其中，所述第三开关器件的第二端与所述分支传输线的连接点与所述射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；所述第三开关器件的第二端与所述分支传输线的连接点与所述射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍。
在一种示例性的实现方式中，所述直流接地器件包括四分之一波长转换器或集总电感器件或微带转基片集成波导(SIW,substrate integraded waveguide)。
在一种示例性的实现方式中，所述射频接地电容包括集总电容，所述集总电容的一端连接所述开关器件的第二端，所述射频接地电容的另一端连接射频接地端。
在一种示例性的实现方式中，所述射频接地电容包括开路线，所述开关器件的第一端连接所述开路线。
在一种示例性的实现方式中，所述开路线为扇形或矩形。
在一种示例性的实现方式中，所述射频输入主传输线、射频输出主传输线以及至少两条分支传输线中的至少一个通过所述直流接地器件连接直流接地端。
第二方面，提供一种天馈系统，包括：至少一个天馈单元，其中所述天馈单元包括上述的移相器以及天线，其中所述移相器的射频输出主传输线连接所述天线。
第三方面，提供一种基站，包括基带单元、射频单元以及上述的天馈系统；其中，所述射频单元包括至少一条信号收发通道，所述信号收发通道的输入端连接所述基带单元，所述信号收发通道的输出端连接至少一个移相器的射频输入主传输线。
其中，天馈系统和基站均采用了上述的移相器，由于第一方面中任一一种设计方式能够实现降低移相器的插损，第二方面和第三方面中任一种设计方式所带来的技术效果可参见上述第一方面中不同设计方法所带来的技术效果，由于移相器的低插损，因此可以提高天馈系统和基站的信号发射质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本申请的实施例提供的一种基站的结构示意图；
图2为本申请的实施例提供的一种射频单元和天馈系统的连接结构示意图；
图3为本申请的实施例提供的一种移相器的结构示意图；
图4为本申请的实施例提供的一种移相器的工作原理示意图；
图5为本申请的另一实施例提供的一种移相器的结构示意图；
图6为本申请的实施例提供的一种移相器的印刷电路布线图；
图7为本申请的实施例提供的180度移相器在两种移相状态下的反射系数曲线示意图；
图8为本申请的实施例提供的180度移相器在两种移相状态下的插损曲线示意；
图9为本申请的实施例提供的180度移相器在两种移相状态下的相位跳变曲线示意图；
图10为本申请的实施例提供的90度移相器在两种移相状态下的反射系数曲线示意图；
图11为本申请的实施例提供的90度移相器在两种移相状态下的插损曲线示意图；
图12为本申请的实施例提供的90度移相器在两种移相状态下的相位跳变曲线示意图；
图13为本申请的实施例提供的45度移相器在两种移相状态下的反射系数曲线示意图；
图14为本申请的实施例提供的45度移相器在两种移相状态下的插损曲线示意图；
图15为本申请的实施例提供的45度移相器在两种移相状态下的相位跳变曲线示意图；
图16为本申请的实施例提供的22.5度移相器在两种移相状态下的反射系数曲线示意图；
图17为本申请的实施例提供的22.5度移相器在两种移相状态下的插损曲线示意图；
图18为本申请的实施例提供的22.5度移相器在两种移相状态下的相位跳变曲线示意图；
图19为本申请的再一实施例提供的一种移相器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本申请的实施例进行描述。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本申请的实施例应用于基站(Base Station，BS)设备，也可称为基站，是一种部署在无线接入网用以提供无线通信功能的装置。例如在2G网络中提供基站功能的设备包括基地无线收发站(Base Transceiver Station,BTS)和基站控制器(Base StationController,BSC)，3G网络中提供基站功能的设备包括节点B(NodeB)和无线网络控制器(Radio Network Controller,RNC)，在4G网络中提供基站功能的设备包括演进的节点B(evolved NodeB，eNB)，在无线局域网(Wireless Local Area Networks，WLAN)中，提供基站功能的设备为接入点(Access Point，AP)。在5G通信系统中，提供基站功能的设备包括eNB、新无线节点B(New Radio NodeB,gNB)，集中单元(Centralized Unit,CU)，分布式单元(Distributed Unit)和新无线控制器等。
本申请的实施例提供的开关器件可以为场效应晶体管或者二极管，开关器件包含控制端、第一端和第二端，开关器件具有两种状态即导通状态或关断状态，开关器件处于导通状态或关断状态的控制信号从控制端输入，在导通状态开关器件的第一端和第二端导通，在关断状态开关器件的第一端和第二端断开。其中当开关器件采用场效应晶体管时，开关器件的控制端为场效应晶体管的栅极，开关器件的第一端为场效应晶体管的源极或漏极，开关器件的第二端为场效应晶体管的漏极或源极；当开关器件采用二极管时，开关器件的第一端为二极管的阳极，开关器件的第二端为二极管的阴极；或者开关器件的第二端为二极管的阳极，开关器件的第一端为二极管的阴极，开关器件的控制端为二极管的第一端(阳极或阴极)，即开关器件处于导通状态或关断状态的控制信号从二极管的第一端(阳极或阴极)输入；开关器件还可以是通过串联或并联组合上述至少一种元件的方式实现。在以下方案中仅以二极管作为开关器件为例进行说明，可以理解的是采用其他形式的开关器件替代以下实施例中的二极管也是可以的。
在一个示例中，提供一种基站的硬件结构，如图1所示，包括：基带单元11、射频单元12和天馈系统13；其中，射频单元12分别与基带单元11以及天馈系统13相连。示例性的，基带单元可以为RRU，射频单元BBU。如图2所示，射频单元12包括至少一条信号收发通道(121-12n)，每条信号收发通道中处理一条射频信号流Stream(Stream1-Stream(n))。信号收发通道上包括数字上变频(DUC,Digital Up Converter)、波峰因子消减(CFR,CrestFactor Reduction)装置、数字模拟转换器(Digital to analog converter，DAC)以及功率放大器(Power Amplifier，PA)，其中图2只是一种示例，当然该信号收发通道上还可以包括其他的实体功能模块，例如PA之后还可以设置滤波器等等。天馈系统13，也叫作天馈线系统(Antenna Feeder System)指天线与馈线系统，其包括：至少一个天馈单元(131-13k)，天馈单元包括移相器P1(P1-Pk)以及天线A1(A1-Ak)，信号收发通道(121-12n)的输入端连接基带单元11，信号收发通道(121-12n)的输出端连接至少一个天馈单元，其中信号收发通道(121-12n)的输出端通过移相器P1连接天线A1。移相器P1的相位控制信号由射频单元12提供，移相器P1的相位控制信号控制移相器的移相状态，从而控制对应的天线的口面电磁波的相位分布，实现天线波束的切换。
参照图3所示，本申请的实施例提供一种移相器30，包括：微带线31、至少一个二极管D(D1-Dy)以及直流接地器件32；微带线31包括：射频输入主传输线311、射频输出主传输线312、以及至少两条分支传输线313(313-1～313～x)，至少两条分支传输线313(313-1～313～x)的长度均不相同，至少两条分支传输线313(313-1～313～x)并联于射频输入主传输线311与射频输出主传输线312之间；同时参照图2所示，移相器P1的射频输入主传输线311连接信号收发通道(121-12n)的输出端，射频输出主传输线连接天线A1。
任一分支传输线313(313-1～313-x)上连接有至少一个二极管D(D1-Dy)，其中任一二极管D1(D1-Dy)的阴极与分支传输线313(313-1～313-x)的第一连接点X1(X1-Xy)电连接时，第一连接点X1(X1-Xy)与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍；任一二极管D2(D1-Dy)的阴极与分支传输线313(313-1～313-x)的第二连接点X2(X1-Xy)电连接时，第二连接点X2(X1-Xy)与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍，任一二极管D(D1-Dy)的阳极连接射频接地电容C(C1-Cy)；任一二极管D(D1-Dy)的阳极连接控制信号输入端K(K1-Ky)，其中，控制信号输入端K(K1-Ky)输入的控制信号用于控制二极管D(D1-Dy)在导通状态与关断状态之间转换；微带线30通过直流接地器件32连接直流接地端GND，直流接地器件32用于将微带线30上的直流信号导通至直流接地端GND。
基于上述的移相器的结构，对于射频信号而言，每条分支传输线通过连接的二极管连接接地电容，实现射频接地，控制信号从二极管的阳极施加，当控制信号控制二极管导通时，二极管阻抗较小，由于二极管的阴极与分支传输线的第一连接点电连接时，第一连接点与射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍,二极管的阴极与分支传输线的第二连接点电连接时，第二连接点与射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍，因此该分支传输线上的射频信号经过四分之一波长转换后在连接点的输入阻抗为无穷大，相当于该分支传输线断开；当控制信号控制二极管反偏时，二极管阻抗较大，对该分支传输线影响较小，此时射频信号从该分支传输线流过，通过上述过程实现了分支传输线的选择，由于每条分支传输线的长度均不相同，因此射频信号经过每条分支传输线路时产生的不同的相位，从而实现了移相器输出不同相位的功能；对于自射频输入主传输线流入移相器的直流信号而言，由于微带线通过直流接地器件连接直流接地端，因此直流信号可以直接通过该直流接地端释放；因而在微带线上无需设置隔直流器件，避免了射频信号流经隔直流器件引入的损耗；因此能够实现降低移相器的插损。
示例性的，直流接地器件32为直流接地器件包括四分之一波长转换器或集总电感器件或微带转基片集成波导，其中四分之一波长转换器可以采用四分之一波长传输线。射频输入主传输线311、射频输出主传输线312以及至少两条分支传输线313(313-1～313-x)中的至少一个通过直流接地器件32连接直流接地端GND。根据射频接地电容的接地方式划分，射频接地电容可以采用集总电容或开路线形式，如图3所示，集总电容C(C1-Cy)的一端连接二极管D(D1-Dy)的阴极，射频接地电容C(C1-Cy)的另一端连接射频接地端COM。在如图5所示的方案中，射频接地电容C(C1-Cy)包括相对设置的开路线c1和射频接地电极c2，其中射频接地电极c2与射频接地端COM导通，二极管D(D1-Dy)的阴极连接开路线c1，开路线c1为扇形或矩形。
如图3所示的方案中，包含两条分支传输线313-1和313-2，每一分支传输线连接有两个二极管，如图3所示，分支传输线313-1上连接有第一二极管D1、第二二极管D2；第一二极管D1的阴极与分支传输线313-1的连接点X1电连接时，X1与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍；第二二极管D2的阴极与分支传输线313-1的连接点X2电连接时，X2与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍。
分支传输线313-2上连接有第三二极管D3、第四二极管D4；第三二极管D3的阴极与分支传输线313-2的连接点X3电连接时，X3与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍；第四二极管D4的阴极与分支传输线313-2的连接点X4电连接时，X4与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍。此外，在如图3所示的实施例中，分支传输线313-1通过直流接地器件32连接直流接地端GND。当然也可以采用其他分支传输线、射频输入主传输线311或者射频输出主传输线312通过四分之一波长转换器连接直流接地端GND的形式。
参照图4所示，对该移相器的原理说明如下：当D1的控制信号1和D2的控制信号2给定适当反向电压(OFF，关闭)，D3的控制信号3和D4的控制信号4给定适当正向电压(ON，开启)。D1和D2关断，两个关断的二极管对分支传输线313-1影响小，射频输入主传输线311输入的射频信号可以流经分支传输线313-1到达射频输出主传输线312。D3和D4导通阻抗为零，D3通过C3连接射频接地端COM，D4通过C4连接射频接地端COM，由于D3的阴极与分支传输线313-2的连接点X3电连接时，X3与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍，D4的阴极与分支传输线313-2的连接点X4电连接时，X4与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍，相当于射频信号经过四分之一波长线(λ/4)的转换，这样在分支传输线313-2在连接点X3和X4处的输入阻抗为无穷大，从而使得该分支传输线313-2不能流过射频信号。若分支传输线313-1与分支传输线313-2上二极管的控制信号电压对调后，则可使得射频信号从支传输线313-2流过，而不会流经支传输线313-1。因此，实现了控制射频信号的流经线路，而分支传输线长度不同，对应的在射频输出主传输线312输出的信号的相位不同，从而实现移相。分支传输线313-1通过直流接地器件32连接直流接地端GND，构成直流回路，这样，各分支传输线313(313-1～313-x)、射频输入主传输线311或者射频输出主传输线312都无需设置隔直流器件，避免了射频信号流经隔直流器件引入的损耗，从而确保移相器插损最低；此外，保证了移相器的带内移相更加平坦，即移相无色散。
在如图5所示的方案中，包含两条分支传输线313-1和313-2，分支传输线313-1连接有两个二极管，分支传输线313-2连接有一个二极管；分支传输线313-1上连接有第一二极管D1、第二二极管D2；第一二极管D1的阴极与分支传输线313-1的连接点X1电连接时，X1与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍；第二二极管D2的阴极与分支传输线313-1的连接点X2电连接时，X2与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍。
分支传输线313-2上连接有第三二极管D3；第三二极管D3的阴极与分支传输线313-2的连接点X3与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍；第三二极管D3的阴极与分支传输线313-2的连接点X3电连接时，X3与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍。此外在该方案中，分支传输线313-1通过直流接地器件32连接直流接地端GND,射频接地电容C(C1-Cy)包括相对设置的开路线c1和射频接地电极c2(图中未示出)。开路线c1采用扇形。
如图6所示，提供了如图5所示的移相器电路的印刷电路布线图，印刷线路板的一面为射频接地电极c2其连接射频接地端COM,另一面印有上述图5所示电路的其他部分。与图3所示示例不同的是，二极管一端的射频接地电容用扇形开路线实现，这在高频工况下具有优势，因为高频波长短，扇形的开路线实现的射频接地电容尺寸小，使得移相器更适用于高频如毫米波波段。此外，扇形的开路线的射频损耗也会比集总电容小，使得移相器的在一定带宽内移相更加平坦，色散更小。同时，在分支传输线313-2上，可以实现更短的长度，相比于图3中的分支传输线313-2可以减少一个二极管，整个电路从原有的4个二极管缩减为3个，减低成本。
对采用如图6所示的移相器的反射、插损、相移进行仿真测试，测试中移相器制作采用的板材为TSM-DS3，介电常数3，损耗角正切值0.0011，厚度10m i l，铜箔为超低轮廓铜箔ULPH；图7-18示出了180度、90度、45度和22.5度移相器的仿真测试结果，以180度移相器为例，S1为180度移相器第一种移相状态的输入端口、S2为180度移相器第一种移相状态的输出端口，S3为180度移相器第二种移相状态的输入端口、S4为180度移相器第二种移相状态的输出端口，180度移相器的第一种移相状态与180度移相器的第二种移相状态的输出信号具有180度相位差；以90度移相器为例，S5为90度移相器第一种移相状态的输入端口、S6为90度移相器第一种移相状态的输出端口，S7为90度移相器第二种移相状态的输入端口、S8为90度移相器第二种移相状态的输出端口，90度移相器的第一种移相状态与90度移相器的第二种移相状态的输出信号具有90度相位差；以45度移相器为例，S9为45度移相器第一种移相状态的输入端口、S10为45度移相器第一种移相状态的输出端口，S11为45度移相器第二种移相状态的输入端口、S12为45度移相器第二种移相状态的输出端口，45度移相器的第一种移相状态与45度移相器的第二种一项状态的输出信号具有45度相位差；以22.5度移相器为例，S13为22.5度移相器第一种移相状态的输入端口、S14为22.5度移相器第一种移相状态的输出端口，S15为22.5度移相器第二种移相状态的输入端口、S16为22.5度移相器第二种移相状态的输出端口，22.5度移相器的第一种移相状态与22.5度移相器的第二种一项状态的输出信号具有22.5度相位差。
如图9所示，横轴为信号频率，纵轴为移相器相移，其示出了S(4、3)/S(2、1)的相位跳变unrap(phase(S(4、3)/S(2、1)))与频率的对应关系；信号频率在28GHz附近时，移相器形成180度移相器；如图7所示，其示出了180度移相器端口S1的反射功率S(1、1)、移相器端口S3的反射功率S(3、3)与频率的对应关系；如图8所示，示出了180度移相器端口S2对端口S1的插损S(2、1)、端口S4对端口S3的插损S(4、3)与频率的对应关系；从测试结果图7-18可以看出工作频带(26.5～29.5GHz)内最大插损小于0.7dB。
如图12所示，横轴为信号频率，纵轴为移相器相移，其示出了S(8、7)/S(6、5)的相位跳变unrap(phase(S(8、7)/S(6、5)))与频率的对应关系；信号频率在27GHz附近时，移相器形成90度移相器；如图10所示，其示出了90度移相器端口S1的反射功率S11、移相器端口S3的反射功率S(3、3)与频率的对应关系；如图11所示，示出了90度移相器端口S6对端口S5的插损S(6、5)、端口S8对端口S7的插损S(8、7)与频率的对应关系；从测试结果图可以看出工作频带(26.5～29.5GHz)内最大插损小于0.7dB。
如图15所示，横轴为信号频率，纵轴为移相器相移，其示出了S(12、11)/S(10、9)的相位跳变unrap(phase(S(12、11)/S(10、9)))与频率的对应关系；信号频率在27GHz附近时，移相器形成45度移相器；如图13所示，其示出了45度移相器端口S9的反射功率S(9、9)、移相器端口S11的反射功率S(11、11)与频率的对应关系；如图15所示，示出了45度移相器端口S10对端口S9的插损S(10、9)、端口S12对端口S11的插损S(12、11)与频率的对应关系；从测试结果图可以看出工作频带(26.5～29.5GHz)内最大插损小于0.4dB。
如图18所示，横轴为信号频率，纵轴为移相器相移，其示出了S(16、15)/S(14、13)的相位跳变unrap(phase(S(16、15)/S(14、13)))与频率的对应关系；信号频率在27GHz附近时，移相器形成22.5度移相器；如图16所示，其示出了22.5度移相器端口S13的反射功率S(13、13)、移相器端口S15的反射功率S(15、15)与频率的对应关系；如图17所示，示出了22.5度移相器端口S14对端口S13的插损S(14、13)、端口S16对端口S15的插损S(16、15)与频率的对应关系；从测试结果可以看出工作频带(26.5～29.5GHz)内最大插损小于0.26dB。
此外，移相器30微带线31也可以包括三条或三条以上的分支传输线313(313-1～313～x)，如图19所示，包含三条分支传输线313-1、313-2和313-3，分支传输线313-1上连接有第一二极管D1、第二二极管D2；第一二极管D1的阴极与分支传输线313-1的连接点X1电连接时，X1与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍；第二二极管D2的阴极与分支传输线313-1的连接点X2电连接时，X2与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍。
分支传输线313-2上连接有第三二极管D3、第四二极管D4；第三二极管D3的阴极与分支传输线313-2的连接点X3电连接时，X3与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍；第四二极管D4的阴极与分支传输线313-2的连接点X4电连接时，X4与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍。分支传输线313-3上连接有第五二极管D5；第五二极管D5的阴极与分支传输线313-3的连接点X5电连接时，X5与射频输入主传输线311的距离为四分之一波长的奇数倍；第五二极管D5的阴极与分支传输线313-3的连接点X5电连接时，X5与射频输出主传输线312的距离为四分之一波长的奇数倍。
其中，针对每个分支传输线连接的二极管的数量，以及射频接地电容的形式可以为上述各实施例提供的任一形式的组合，这里不再枚举。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种移相器，其特征在于，包括：微带线、至少一个开关器件以及直流接地器件；
其中，所述微带线包括：射频输入主传输线、射频输出主传输线、以及至少两条分支传输线，所述至少两条分支传输线的长度均不相同，所述至少两条分支传输线并联于所述射频输入主传输线与所述射频输出主传输线之间，所述移相器根据所述至少两条分支传输线的长度不同实现移相；
任一所述分支传输线上连接有至少一个开关器件，其中：任一所述开关器件的第二端与所述分支传输线在第一连接点电连接时，所述第一连接点与所述射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；任一所述开关器件的第二端与所述分支传输线在第二连接点电连接时，所述第二连接点与所述射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；
任一所述开关器件的第一端连接射频接地电容；任一所述开关器件的控制端连接控制信号输入端，其中所述控制信号输入端输入的控制信号用于控制所述开关器件在导通状态与关断状态之间转换，其中在导通状态所述开关器件的第一端和第二端导通，在关断状态所述开关器件的第一端和第二端断开；
所述微带线通过所述直流接地器件连接直流接地端，所述直流接地器件用于将所述微带线上的直流信号导通至直流接地端；其中，所述射频输入主传输线、射频输出主传输线以及至少两条分支传输线中的至少一个通过所述直流接地器件连接直流接地端。
2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，任一所述分支传输线上连接有第一开关器件、第二开关器件；
其中，所述第一开关器件的第二端与所述分支传输线的连接点与所述射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；所述第二开关器件的第二端与所述分支传输线的连接点与所述射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍。
3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，任一所述分支传输线上连接有第三开关器件；
其中，所述第三开关器件的第二端与所述分支传输线的连接点与所述射频输入主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍；所述第三开关器件的第二端与所述分支传输线的连接点与所述射频输出主传输线的距离为四分之一波长的奇数倍。
4.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述直流接地器件包括四分之一波长转换器或集总电感器件或微带转基片集成波导。
5.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述射频接地电容包括集总电容，所述集总电容的一端连接所述开关器件的第一端，所述射频接地电容的另一端连接射频接地端。
6.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述射频接地电容包括相对设置的开路线和射频接地电极，所述开关器件的第一端连接所述开路线。
7.根据权利要求6所述的移相器，其特征在于，所述开路线为扇形或矩形。
8.一种天馈系统，其特征在于，包括：至少一个天馈单元，其中所述天馈单元包括如权利要求1-7任一项所述的移相器以及天线，其中所述移相器的射频输出主传输线连接所述天线。
9.一种基站，其特征在于，包括基带单元、射频单元以及如权利要求8所述的天馈系统；
其中，所述射频单元包括至少一条信号收发通道，所述信号收发通道的输入端连接所述基带单元，所述信号收发通道的输出端连接至少一个移相器的射频输入主传输线。
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