JP2008187661A - 移相器、ビット移相器 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波での周波数特性に優れ、かつ、安価な移相器を提供することである。
【解決手段】第一の信号経路と、第二の信号経路と、並びに、前記第一の信号経路と、前記第二の信号経路とを切り替えるスイッチ１０，１２とを具備する。前記第一の信号経路にフィルタ２０を設け、前記第二の信号経路に伝送線路３０を設ける。前記フィルタ２０は、ＨＰＦ（High Path Filter）とすることができる。前記伝送線路３０は、マイクロストリップ線路とすることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、移相器、ビット移相器に関する。

フェーズドアレー技術は、従前、レーダー等の特殊用途でのみ使用されていたが、最近は、民生製品でも利用されるようになり、さらに、衛星放送受信への応用も検討されている。フェーズドアレー技術を利用するには、移相器が必要不可欠である。フェーズドアレー技術の用途が拡大することに伴い、民生製品に適した安価な移相器への要求、及び、衛星放送受信に適した高周波性能の良好な移相器への要求が高まっている。しかし、従来の移相器では、安価という移相器への要求を満足させること、かつ、高周波性能が良いという移相器への要求を満足させること、これらを両立させることが難しかった。

マイクロ波で使用されるスイッチ切替型の移相器に関しては、従来より、ＨＰＦＬＰＦ（High Path Filter Low Path Filter：ハイパスフィルタローパスフィルタ）切替型移相器、又は、スイッチドライン型移相器が使われていた。特許２６７９３３１号公報（特許文献１参照）には、ＨＰＦＬＰＦ切替型移相器の代表例が記載されていて、特開平７−３８３０４号公報（特許文献２参照）には、スイッチドライン型移相器の代表例が記載されている。

図１は、ＨＰＦＬＰＦ切替型移相器の構成図である。図１を用いて、ＨＰＦＬＰＦ切替え型移相器について説明する。図１において、ＨＰＦＬＰＦ切替型移相器は、入力側ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）スイッチ１００と、ＨＰＦ（High Path Filter）１１０と、ＬＰＦ（Low Path Filter）１１２と、出力側ＳＰＤＴスイッチ１０２とを有して構成されている。

入力側ＳＰＤＴスイッチ１００は、第一の信号経路に繋がる［ＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）］Ｆ１０と、第二の信号経路に繋がる［ＦＥＴ］Ｆ１１とを有している。入力側ＳＰＤＴスイッチ１００において、制御端子ＣＯＮ１０と制御端子ＣＯＮ１１には、相補的に制御電圧が印加される。すなわち、制御端子ＣＯＮ１０にオン電圧を印加するとき、制御端子ＣＯＮ１１には、オフ電圧が印加され、制御端子ＣＯＮ１０にオフ電圧を印加するとき、制御端子ＣＯＮ１１には、オン電圧が印加される。従って、［ＦＥＴ］Ｆ１０がオン状態のとき、［ＦＥＴ］Ｆ１１はオフ状態となり、［ＦＥＴ］Ｆ１０がオフ状態のとき、［ＦＥＴ］Ｆ１１はオン状態となる。

出力側ＳＰＤＴスイッチ１０２は、第一の信号経路に繋がる［ＦＥＴ］Ｆ１２と、第二の信号経路に繋がる［ＦＥＴ］Ｆ１３とを有している。出力側ＳＰＤＴスイッチ１０２において、制御端子ＣＯＮ１２と制御端子ＣＯＮ１３には、相補的に制御電圧が印加される。制御端子ＣＯＮ１２にオン電圧を印加するとき、制御端子ＣＯＮ１３には、オフ電圧が印加されるので、［ＦＥＴ］Ｆ１２がオン状態のとき、［ＦＥＴ］Ｆ１３はオフ状態となる。また、制御端子ＣＯＮ１２にオフ電圧を印加するとき、制御端子ＣＯＮ１３には、オン電圧が印加されるので、［ＦＥＴ］Ｆ１２がオフ状態のとき、［ＦＥＴ］Ｆ１３はオン状態となる。

入力側ＳＰＤＴスイッチ１００の制御端子ＣＯＮ１０と、出力側ＳＰＤＴスイッチ１０２の制御端子ＣＯＮ１２には、同一の制御電圧が印加される。従って、入力側ＳＰＤＴスイッチ１００の［ＦＥＴ］Ｆ１０がオンの時、出力側ＳＰＤＴスイッチ１０２の［ＦＥＴ］Ｆ１２もオンとなり、このとき、第一の信号経路が選択される。また、入力側ＳＰＤＴスイッチ１００の制御端子ＣＯＮ１１と、出力側ＳＰＤＴスイッチ１０２の制御端子ＣＯＮ１３にも、同一の制御電圧が印加される。従って、入力側ＳＰＤＴスイッチ１００の［ＦＥＴ］Ｆ１１がオンの時、出力側ＳＰＤＴスイッチ１０２の［ＦＥＴ］Ｆ１３もオンとなり、このとき、第二の信号経路が選択される。

第一の信号経路には、ＨＰＦ１１０が接続されている。ＨＰＦ１１０は、グランドに繋がるシャントのインダクタＬ１０と、このインダクタＬ１０を挟むように、二つのシリーズのキャパシタＣ１０，Ｃ１１を有している。一方、第二の信号経路には、ＬＰＦ１１２が接続されている。ＬＰＦ１１２は、グランドに繋がるシャントのキャパシタＣ１２と、このキャパシタＣ１２を挟むように、二つのシリーズのインダクタＬ１１，Ｌ１２を有している。

制御端子ＣＯＮ１０と制御端子ＣＯＮ１２にオン電圧を印加し、制御端子ＣＯＮ１１と制御端子ＣＯＮ１３にオフ電圧を印加したとき、入力端子ＩＮ１０から入力される信号波は、ＨＰＦ１１０を経由して、出力端子ＯＵＴ１０から出力される。このとき、信号波は、ＨＰＦ１１０を通過するので、その位相は進むことになる。一方、制御端子ＣＯＮ１０と制御端子ＣＯＮ１２にオフ電圧を印加し、制御端子ＣＯＮ１１と制御端子ＣＯＮ１３にオン電圧を印加したとき、入力端子ＩＮ１０から入力される信号波は、ＬＰＦ１１２を経由して、出力端子ＯＵＴ１０から出力される。このとき、信号波は、ＬＰＦ１１２を通過するので、その位相は遅れることになる。

ＨＰＦＬＰＦ切替型移相器では、ＳＰＤＴスイッチ１００，１０２により、ＨＰＦ１１０が接続される信号経路と、ＬＰＦ１１２が接続される信号経路とを切り替えることにより、二つの信号経路での位相差分の移相量を得ることができる。移相量は、ＨＰＦ１１０及びＬＰＦ１１２を構成するキャパシタＣ１０，Ｃ１１，Ｃ１２と、インダクタＬ１０．Ｌ１１，Ｌ１２との定数を選定することで、任意の移相量を得る事ができる。設計周波数においては、ＨＰＦ１１０側は位相が進み、ＬＰＦ１１２側では位相が遅れる。例えば、設計周波数において、ＨＰＦ１１０側の移相が２２．５度進み、ＬＰＦ１１２側の位相が２２．５度遅れるように設計すれば、４５°の移相量を得る事ができる。

図２は、一般にスイッチドライン型移相器と呼ばれている移相器の構成図である。図２を用いて、スイッチドライン型移相器について説明する。図２において、スイッチドライン型移相器は、入力側ＳＰＤＴスイッチ１０４と、第一の伝送線路１２０と、第二の伝送路１２２と、出力側ＳＰＤＴスイッチ１０６とを有して構成されている。

図２において、制御端子ＣＯＮ１４と制御端子ＣＯＮ１６にオン電圧を印加し、制御端子ＣＯＮ１５と制御端子ＣＯＮ１７にオフ電圧を印加したとき、［ＦＥＴ］Ｆ１４がオン、［ＦＥＴ］Ｆ１６がオン、［ＦＥＴ］Ｆ１５がオフ、［ＦＥＴ］Ｆ１７がオフとなる。このとき、入力端子ＩＮ１１から入力される信号波は、伝送線路１２０を経由して、出力端子ＯＵＴ１１から出力される。一方、制御端子ＣＯＮ１４と制御端子ＣＯＮ１６にオフ電圧を印加し、制御端子ＣＯＮ１５と制御端子ＣＯＮ１７にオン電圧を印加したとき、［ＦＥＴ］Ｆ１４がオフ、［ＦＥＴ］Ｆ１６がオフ、［ＦＥＴ］Ｆ１５がオン、［ＦＥＴ］Ｆ１７がオンとなる。このとき、入力端子ＩＮ１１から入力される信号波は、伝送線路１２２を経由して、出力端子ＯＵＴ１１から出力される。

動作的には、図１と同じように、ＳＰＤＴスイッチ１０４，１０６のオンオフ制御により信号経路を切り替える。スイッチドライン型移相器では、二つの信号経路の位相差を移相量として得る事ができる。それぞれの信号経路には、長さの異なる伝送線路１２０，１２２が接続されており、線路長の違いによる通過位相の差を利用する。どちらの信号経路も位相が遅れるので、例えば、伝送線路１２０が設計周波数において位相が１０°遅れる長さとし、伝送線路１２２が５５°位相が遅れる長さとする。このとき、移相量として４５°を得る事ができる。

このように、ＨＰＦＬＰＦ切替型移相器ではＨＰＦとＬＰＦのペアを用いる事を特徴とし、スイッチドライン型移相器では長さの異なる伝送線路のペアを用いる事を特徴としている。その他、ミリ波帯で使用される移相器に関しては、特開平１１−１９５９６０号公報（特許文献３参照）に記載された移相器が知られる。特許文献３に記載された移相器は、ＳＰＤＴスイッチの特性が得られないミリ波帯の移相器に関するものであるため、信号切替スイッチを使用しない構成となっている。マイクロ波帯で使用されるＨＰＦＬＰＦ切替型、スイッチドライン型のいずれとも異なる構成となっている。なお、特許文献３の移相器では、λ/4長の線路を多用（最低4本使用）するため、チップサイズが増大する。従って、安価な移相器を作ることが非常に難しい。

特許第２６７９３３１号公報 特開平７−３８３０４号公報 特開平１１−１９５９６０号公報

おおよそ多くの場合、従来のどちらかのタイプ、すなわちＨＰＦＬＰＦ切替型移相器、あるいはスイッチドライン型移相器で問題なく移相器を構成する事ができる。しかしながら、特定の使用周波数及び移相量によっては、それぞれ下記の欠点が生じてくる。

ＨＰＦＬＰＦ切替型では、移相量を小さくしようとすると、ＨＰＦで進み、ＬＰＦで遅れる位相を、それぞれ小さくする必要がある。フィルタの移相回りを小さくするには、フィルタを構成するキャパシタとインダクタの定数を小さくする必要がある。ＬＰＦは、信号経路に対して、シリーズのインダクタとシャントのキャパシタで構成されるが、移相量を小さくする場合には、これらの素子の定数が小さくなる。しかし、シャントのキャパシタについては、高い周波数においては、パターンの引き回し等による寄生インダクタンスの影響が無視できなくなる。そのため、小さい値の容量を実現する事が難しくなってくる。また、シャントのキャパシタを小さい容量にするために、プロセスばらつきに対しての変動要因が増大し、移相誤差が大きくなるという問題を生じる。従って、高周波で移相量の小さい移相器をＨＰＦＬＰＦ切替型移相器で構成する場合は、ある程度、周波数特性を犠牲にしなくてはならなかった。

一方、スイッチドライン型の場合は、移相量が大きくなると大きな線路長の差が必要となる。そのため、長い伝送線路を配置する必要が生じ、その結果チップサイズが増大してしまい、コストアップに繋がるという欠点がある。また、線路長の差が大きくなればなるほど、移相器における周波数特性の影響が増大するという問題が生じる。

それぞれこのような問題が有る中で、例えば１０〜１５ＧＨｚ程度の周波数で移相量を２０〜４５°とした場合、ＨＰＦＬＰＦ型、スイッチドライン型どちらにしても、上記の欠点が問題となる。そのため、従来の移相器では、周波数特性あるいはコストを犠牲にしなければならなかった。本発明の課題は、高周波での周波数特性に優れた移相器を提供することである。本発明の他の課題は、安価な移相器を提供することである。本発明のその他の課題は、多様な移相器を作ることである。

以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号・符号を用いて、［課題を解決するための手段］を説明する。これらの番号・符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。

本発明による移相器は、第一の信号経路と、第二の信号経路と、前記第一の信号経路と、前記第二の信号経路とを切り替えるスイッチ（１０，１２）とを具備する。第一の信号経路にはフィルタ（２０）を設け、第二の信号経路には伝送線路（３０）を設ける。これにより、多様な移相器を作ることができる。例えば、フィルタ（２０）を、ＨＰＦとすれば、安価で周波数特性に優れた移相器を作ることができる。位相が進むＨＰＦと、位相が遅れる伝送線路（３０）との組み合わせになるので、スイッチドライン型の伝送線路よりも、伝送線路の長さが短くなる。よって、安価な移相器を提供できる。また、ＬＰＦを使用しないので、シャントのキャパシタが不要となる。よって、ＨＰＦＬＰＦ型よりも周波数特性が改善される。

本発明によれば、高周波での周波数特性に優れた移相器を提供することができ、また、安価な移相器を提供することができる。その他、多様な移相器を作ることができる。

本最良の形態では、二つの信号経路を切り替えて移相量を得るスイッチ切替型のマイクロ波用移相器において、一方の信号経路にＨＰＦを設け、もう一方の信号経路に伝送線路を設けた。こうする事により、ＨＰＦＬＰＦ切替型移相器での問題点と、スイッチドライン型移相器での問題点とを解消する事ができ、安価で周波数特性の良いマイクロ波用移相器を提供する事ができる。

図３に、本発明を実施するための最良の形態の基本構成を示す。本形態では、信号経路を切り替えるスイッチ１０，１２を設け、このスイッチによって切り替わる信号経路の一方にＨＰＦ２０を配置し、他方に伝送線路３０を配置した。

図３を用いて、本実施の形態の動作を説明する。図３において、制御端子ＣＯＮ１と制御端子ＣＯＮ３にオン電圧を印加し、制御端子ＣＯＮ２と制御端子ＣＯＮ４にオフ電圧を印加したとき、［ＦＥＴ］Ｆ１がオン、［ＦＥＴ］Ｆ３がオン、［ＦＥＴ］Ｆ２がオフ、［ＦＥＴ］Ｆ４がオフとなる。このとき、入力端子ＩＮ１から入力されるマイクロ波は、キャパシタＣ１，Ｃ２とインダクタＬ１とで成るＨＰＦ２０を経由して、出力端子ＯＵＴ１から出力される。一方、制御端子ＣＯＮ１と制御端子ＣＯＮ３にオフ電圧を印加し、制御端子ＣＯＮ２と制御端子ＣＯＮ４にオン電圧を印加したとき、［ＦＥＴ］Ｆ１がオフ、［ＦＥＴ］Ｆ３がオフ、［ＦＥＴ］Ｆ２がオン、［ＦＥＴ］Ｆ４がオンとなる。このとき、入力端子ＩＮ１から入力されるマイクロ波は、伝送線路３０を経由して、出力端子ＯＵＴ１から出力される。

本実施の形態では、ＳＰＤＴスイッチ１０，１２により、ＨＰＦ２０が設けられた信号経路と、伝送線路３０が設けられた信号経路とを切り替える。これにより、それぞれの信号経路での位相差分を移相量として得る事ができる。ここで、ＨＰＦ２０側の信号経路では、設計周波数において位相が進み、伝送線路３０側の信号経路では、線路長に対応して位相が遅れる。例えば、ＨＰＦ２０側の移相が２２．５°進み、伝送線路３０側の位相が２２．５°遅れるように設計した場合、４５°の移相量を得る事ができる。

本実施の形態では、ＬＰＦを用いていない。そのため、高周波での小さい移相量を実現する際に問題となっていたＬＰＦを構成するために必要なシャントのキャパシタを配置しなくても良い構成となっている。その結果、高周波において、小さい移相量を得る移相器を構成する場合でも、設計性及びばらつき特性の良い移相器を構成する事ができる。

本実施の形態では伝送線路を用いている。スイッチドライン型では位相が遅れる線路同士の位相差を移相量として得ていたのに対して、本実施の形態では、位相が進むＨＰＦとの位相差で移相量を得る。従って、同じ移相量を得るための線路長は、スイッチドライン型より短くする事ができる。例えば、発明の背景の欄で説明したように、スイッチドライン型では４５°の移相量を得るために、５５°の位相が遅れる長さの伝送線路が必要であった。これに対して、本実施の形態における上述の例では、２２．５°位相が遅れる伝送線路で、４５°の移相量を得る事ができる。このように、本実施の形態で使用する伝送線路の線路長は、スイッチドライン型で同じ移相量を得るために必要となる線路長の半分以下で良い。よって、チップサイズを格段に小さくする事ができる。

以上説明したように、本実施の形態では、ＬＰＦを使用していないので、高周波で比較的小さい移相量の移相器を構成する際、実現が難しい上にプロセスばらつきによる特性影響が大きくなる小容量のシャントのキャパシタが不要となる。その結果、設計性、ばらつき特性の良い移相器を作ることができる。また、ＨＰＦを利用しているので、使用する伝送線路の線路長は、例えば、スイッチドライン型における５５°の約半分の２２．５°の長さで済むので、チップサイズを小型にする事ができる。従来のスイッチドライン型の約半分、ＨＰＦＬＰＦ切替型と比較しても、同等以下のチップサイズで構成する事ができる。

図４に、本実施の形態の具体的な適用例を示す。図４における移相器は、入力側ＳＰＤＴスイッチ１４と、第一の経路に設けられたＨＰＦ２２と、第二の経路に設けられた伝送線路３２と、出力側ＳＰＤＴスイッチ１６とを有している。

入力側ＳＰＤＴスイッチ１４は、第一の信号経路に繋がる［ＦＥＴ］Ｆ５と、第二の信号経路に繋がる［ＦＥＴ］Ｆ６とを有している。インダクタ５０，５２は、ゲート電極にオフ電圧を印加した時に、キャパシタとして働く［ＦＥＴ］Ｆ５、［ＦＥＴ］Ｆ６と共振する。制御端子ＣＯＮ５と制御端子ＣＯＮ６には、相補的に制御電圧が印加される。出力側ＳＰＤＴスイッチ１６は、第一の信号経路に繋がる［ＦＥＴ］Ｆ７と、第二の信号経路に繋がる［ＦＥＴ］Ｆ８とを有している。インダクタ５４，５６は、ゲート電極にオフ電圧を印加した時にキャパシタとして働く［ＦＥＴ］Ｆ７、［ＦＥＴ］Ｆ８と共振する。制御端子ＣＯＮ７と制御端子ＣＯＮ８には、相補的に制御電圧が印加される。図示するように、入力側ＳＰＤＴスイッチ１４、出力側ＳＰＤＴスイッチ１６とも、［ＦＥＴ］Ｆ５〜Ｆ８のドレイン−ソース間を、インダクタ５０，５２，５４，５６で並列接続した共振型スイッチとなっている。信号経路を切り替えるため、入力側ＳＰＤＴスイッチ１４の制御端子ＣＯＮ５と、出力側ＳＰＤＴスイッチ１６の制御端子ＣＯＮ７には、同一の制御電圧が印加され、入力側ＳＰＤＴスイッチ１４の制御端子ＣＯＮ６と、出力側ＳＰＤＴスイッチ１６の制御端子ＣＯＮ８にも、同一の制御電圧が印加される。

図４において、第一の信号経路には、ＨＰＦ２２が接続されている。ＨＰＦ２２は、シリーズのキャパシタＣ３と、グランドに繋がるシャントのインダクタＬ２，Ｌ３とを有している。図４のＨＰＦ２２は、図３のＨＰＦ２０と、若干、回路構成が異なっている。一方、第二の信号経路には、伝送線路３２が接続されている。この伝送線路３２は、オープンスタブ４０が付いた構成となっている。オープンスタブ４０は、特性調整回路として働く。図４の移相器は、図３の移相器と同じく、スイッチで、ＨＰＦの信号経路と、伝送線路の信号経路とを切り替える構成となっている。従って、図４の移相器と、図３の移相器との回路動作は、同様であり、同様の効果を得ることができる。

本実施の形態におけるＳＰＤＴスイッチ部分は、図４の例で示した共振型スイッチの他、シリーズシャント型スイッチをはじめ、ＦＥＴ以外のダイオードを用いたスイッチなど、信号を切り替える目的のスイッチであれば適用する事ができる。信号経路のＨＰＦは、容量とインダクタの色々な組合せ以外にも、ＦＥＴやダイオード等による可変容量素子や、可変抵抗素子を用いて、複数の位相が得られるようなものであっても良く、設計周波数で位相を進めるものであれば適用できる。また、伝送線路は、特性インピーダンスの違いや、あるいはスタブ等による形状の違いがあっても、マイクロストリップ線路等の分布定数回路の構成によって位相を遅らせるものであれば適用できる。

図３及び図４に示したように、本実施の形態は、インダクタとキャパシタとで構成され、設計周波数において位相を進めることができるフィルタと、フィルタ以外の部材で位相を遅らせる伝送線路とのペアで移相器を構成することが本質である。従って、実際に本実施の形態による移相器を実現する際には、色々なバリエーションが考えられる。

以上、本発明の最良の実施形態として、スイッチで、ＨＰＦと伝送線路とを切り替えるマイクロ波用移相器について説明した。その他、スイッチで、第一のＨＰＦと、第二のＨＰＦとを切り替えるマイクロ波用移相器も考えられる。第一のＨＰＦで進む位相と、第二のＨＰＦで進む位相との間に差を設ければ、所望の移相量を得ることができる。また、ＬＰＦを用いないので、シャントのキャパシタが不要となり、高周波特性に優れた移相器を作ることができる。それから、設計周波数によっては、スイッチで、第一のＬＰＦと、第二のＬＰＦとを切り替える移相器、及び、スイッチで、ＬＰＦと、伝送線路とを切り替える移相器も考え得る。上記移相器に、第三の信号経路を付加した移相器も考え得る。

図５は、本実施の形態による移相器を含むビット移相器を示す図である。図５では、四つの固定移相器６２，６４，６６，６８を、縦列配列して、ビット移相器６０を構成している。例えば、固定移相器６２は、２２．５°の移相量を持ち、固定移相器６４は、４５°の移相量を持ち、固定移相器６６は、９０°の移相量を持ち、固定移相器６８は、１８０°の移相量を持つとする。このとき、ビット移相器６０に、デジタルデータ”１０００”を与えると、固定移相器６２の２２．５°の移相量を得ることができ、入力端子ＩＮ３から入力されるマイクロ波は、２２．５°の移相量を持って出力端子ＯＵＴ３から出力される。同様に、デジタルデータ”０１００”を与えると、固定移相器６４の４５°の移相量を得ることができる。デジタルデータ”１１００” を与えると、固定移相器６２の２２．５°の移相量と、固定移相器６４の４５°の移相量とを和した６７．５°の移相量を得ることができる。デジタルデータ”１１１１” を与えると、固定移相器６２の２２．５°の移相量と、固定移相器６４の４５°の移相量と、固定移相器６６の９０°の移相量と、固定移相器６８の１８０°の移相量とを和した３３７．５°の移相量を得ることができる。

本実施の形態による移相器は、ある特定の移相量を実現する場合に、従来のＨＰＦＬＰＦ切替型やスイッチドライン型で生じる問題点を解決できるものである。よって、ビット移相器６０の中の従来移相器では構成できない部分に適用することが考えられる。例えば、固定移相器６２のみを、スイッチでＨＰＦと伝送線路とを切り替える本実施の形態による移相器とし、その他の固定移相器６４，６６，６８をＨＰＦＬＰＦ切替型の移相器とすることができる。また、実際のビット移相器を作る際には、本実施の形態による移相器を、全部の固定移相器に適用することもできる。すなわち、全ての固定移相器６２，６４，６６，６８を、本実施の形態による移相器としてもよい。

図１は、ＨＰＦＬＰＦ切替型移相器の構成図である。 図２は、スイッチドライン型移相器の構成図である。 図３は、本発明を実施するための最良の形態の基本構成を示す図である。 図４は、本実施の形態の具体的な適用例を示す図である。 図５は、本実施の形態による移相器を含むビット移相器を示す図である。

符号の説明

１０，１２，１４，１６，１００，１０２，１０４，１０６ ＳＰＤＴスイッチ
２０，２２，１１０ ＨＰＦ
３０，３２，１２０，１２２ 伝送線路
４０ オープンスタブ
５０，５２，５４，５６ 共振用インダクタ
６０ ビット移相器
６２，６４，６６，６８ 固定移相器
１１２ ＬＰＦ

Claims (7)

1. 第一の信号経路と、
   第二の信号経路と、
   前記第一の信号経路と、前記第二の信号経路とを切り替えるスイッチとを具備し、
   前記第一の信号経路にフィルタを設け、
   前記第二の信号経路に伝送線路を設けた
   移相器。
2. 前記フィルタが、ＨＰＦ（High Path Filter）である
   請求項１記載の移相器。
3. 前記伝送線路が、マイクロストリップ線路である
   請求項１又は２記載の移相器。
4. 第一の信号経路と、
   第二の信号経路と、
   前記第一の信号経路と、前記第二の信号経路とを切り替えるスイッチとを具備し、
   ［ａ］前記第一の信号経路と、前記第二の信号経路とに、ＨＰＦを設けた、若しくは、
   ［ｂ］前記第一の信号経路と、前記第二の信号経路とに、ＬＰＦ（Low Path Filter）を設けた
   移相器。
5. 前記スイッチが、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）スイッチで成る
   請求項１〜４いずれか１項に記載の移相器。
6. 前記ＳＰＤＴスイッチが、電界効果トランジスタ又はダイオードを制御することにより、信号経路を切り替える
   請求項５記載の移相器。
7. 第一の移相器と、
   請求項１〜６いずれか１項に記載の第二の移相器とを含む
   ビット移相器。

Images