JP3191891B2 - ９０°移相器 - Google Patents
９０°移相器Info
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- JP3191891B2 JP3191891B2 JP09347493A JP9347493A JP3191891B2 JP 3191891 B2 JP3191891 B2 JP 3191891B2 JP 09347493 A JP09347493 A JP 09347493A JP 9347493 A JP9347493 A JP 9347493A JP 3191891 B2 JP3191891 B2 JP 3191891B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、９０°移相器に関
し、特にスイッチドライン型の９０°移相器に関するも
のである。
し、特にスイッチドライン型の９０°移相器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来のスイッチドライン型の移相
器の回路図である。図において、１は入力端子、２は出
力端子、３は入力端子１からの，あるいは出力端子２へ
のそれぞれ２つの経路に設けられた計４つの電界効果型
トランジスタ（以下ＦＥＴと称す）、４は該各ＦＥＴ３
のソース・ドレイン電極間にそれぞれ接続された共振用
インダクタンスを構成する共振用線路、５は各ＦＥＴ３
のゲートバイアス端子、６は入力側の一方のＦＥＴ３の
他端と出力側の一方のＦＥＴ３の他端との間に設けられ
た所定の電気長αを有する基準用線路、７は入力側の他
方のＦＥＴ３の他端と出力側の他方のＦＥＴ３の他端と
の間に設けられ、上記基準用線路６に対して所望の電気
長βだけ長い電気長（α＋β）を有する位相差発生用線
路である。
器の回路図である。図において、１は入力端子、２は出
力端子、３は入力端子１からの，あるいは出力端子２へ
のそれぞれ２つの経路に設けられた計４つの電界効果型
トランジスタ（以下ＦＥＴと称す）、４は該各ＦＥＴ３
のソース・ドレイン電極間にそれぞれ接続された共振用
インダクタンスを構成する共振用線路、５は各ＦＥＴ３
のゲートバイアス端子、６は入力側の一方のＦＥＴ３の
他端と出力側の一方のＦＥＴ３の他端との間に設けられ
た所定の電気長αを有する基準用線路、７は入力側の他
方のＦＥＴ３の他端と出力側の他方のＦＥＴ３の他端と
の間に設けられ、上記基準用線路６に対して所望の電気
長βだけ長い電気長（α＋β）を有する位相差発生用線
路である。
【０００３】次に動作について説明する。スイッチドラ
イン型移相器は、１つの入力端子１，２への入力を２つ
の出力端子４０ａと４０ｂ，４１ａと４１ｂのいずれか
へ切り換えるためのスイッチ（単極双投スイッチ；Sing
le Pole Double Throw Switch ）２個５０，５１と、該
２個のスイッチの一方，あるいは他方の各出力端子間に
それぞれ接続された電気長の異なる（この場合、それぞ
れα，α＋β）２つの伝送線路６，７とより構成されて
いる。したがって、本移相器の入力端子１から入力され
た信号が、電気長αを有する基準用線路６を伝送されて
本移相器の出力端子２に到達するか、あるいはこの基準
用線路６に対して所望の電気長βだけ長い（α＋β）の
線路７を伝送されて出力端子２に到達するかの、その径
路を切り換えることにより、相対的に電気長の差β、つ
まり移相量を得ている。
イン型移相器は、１つの入力端子１，２への入力を２つ
の出力端子４０ａと４０ｂ，４１ａと４１ｂのいずれか
へ切り換えるためのスイッチ（単極双投スイッチ；Sing
le Pole Double Throw Switch ）２個５０，５１と、該
２個のスイッチの一方，あるいは他方の各出力端子間に
それぞれ接続された電気長の異なる（この場合、それぞ
れα，α＋β）２つの伝送線路６，７とより構成されて
いる。したがって、本移相器の入力端子１から入力され
た信号が、電気長αを有する基準用線路６を伝送されて
本移相器の出力端子２に到達するか、あるいはこの基準
用線路６に対して所望の電気長βだけ長い（α＋β）の
線路７を伝送されて出力端子２に到達するかの、その径
路を切り換えることにより、相対的に電気長の差β、つ
まり移相量を得ている。
【０００４】即ち、図８に示すスイッチドライン型の移
相器は、ＦＥＴ３と共振用線路４とからなる共振回路に
よりスイッチの動作を行っている。ＦＥＴ３は、ゲート
バイアス電圧を０Ｖに設定した場合、ソース・ドレイン
電極間は等価的に数オーム以下の低抵抗とみなすことが
でき、オン状態となる。またＦＥＴ３のゲートバイアス
電圧をピンチオフ電圧以下に設定した場合には、ソース
・ドレイン電極間は等価的に数キロオームの抵抗とオフ
時の容量（ＣT ）との並列回路とみなすことができ、こ
のオフ時容量（ＣT ）とＦＥＴのソース・ドレイン間に
接続されている共振線路４とで共振し、オフ状態とな
る。しかしこのオフ状態においても理想的なオフ状態に
することは実際には不可能である。従って、オフ状態側
の線路を経由しては漏れ信号が伝送されることとなり、
その結果、該移相器の出力端子に出力される信号は、オ
ン状態の線路を伝送された信号と、オフ状態の線路を伝
送される漏れ信号とのベクトル合成されたものとなる。
図９にこのベクトル合成図を示す。
相器は、ＦＥＴ３と共振用線路４とからなる共振回路に
よりスイッチの動作を行っている。ＦＥＴ３は、ゲート
バイアス電圧を０Ｖに設定した場合、ソース・ドレイン
電極間は等価的に数オーム以下の低抵抗とみなすことが
でき、オン状態となる。またＦＥＴ３のゲートバイアス
電圧をピンチオフ電圧以下に設定した場合には、ソース
・ドレイン電極間は等価的に数キロオームの抵抗とオフ
時の容量（ＣT ）との並列回路とみなすことができ、こ
のオフ時容量（ＣT ）とＦＥＴのソース・ドレイン間に
接続されている共振線路４とで共振し、オフ状態とな
る。しかしこのオフ状態においても理想的なオフ状態に
することは実際には不可能である。従って、オフ状態側
の線路を経由しては漏れ信号が伝送されることとなり、
その結果、該移相器の出力端子に出力される信号は、オ
ン状態の線路を伝送された信号と、オフ状態の線路を伝
送される漏れ信号とのベクトル合成されたものとなる。
図９にこのベクトル合成図を示す。
【０００５】図９において、８は基準用線路６を伝送さ
れた信号の信号ベクトル、９は線路７を伝送された漏れ
信号の信号ベクトルであり、１０は両者の合成ベクトル
である。１１は基準用線路６を伝送された信号の信号ベ
クトル、１２は線路７を伝送された信号の信号ベクト
ル、１３は両者の合成ベクトルである。本例において
は、ベクトル９はベクトル８に対し進相となっているの
に対し、ベクトル１２はベクトル１１に対し遅相となっ
ており、合成ベクトル１３は合成ベクトル１０に対し約
９０°進相となっており、この位相の差が、本移相器の
移相量出力となっている。
れた信号の信号ベクトル、９は線路７を伝送された漏れ
信号の信号ベクトルであり、１０は両者の合成ベクトル
である。１１は基準用線路６を伝送された信号の信号ベ
クトル、１２は線路７を伝送された信号の信号ベクト
ル、１３は両者の合成ベクトルである。本例において
は、ベクトル９はベクトル８に対し進相となっているの
に対し、ベクトル１２はベクトル１１に対し遅相となっ
ており、合成ベクトル１３は合成ベクトル１０に対し約
９０°進相となっており、この位相の差が、本移相器の
移相量出力となっている。
【０００６】このように本マイクロ波移相器において
は、ベクトル９はベクトル８に対し進相となっているの
に対し、ベクトル１２はベクトル１１に対し遅相となる
ため、合成ベクトル１３が合成ベクトル１０に対し９０
°逆相となるように、線路７の電気長（α＋β）の線路
６の電気長αより長い分の電気長βを、９０°以上に設
定しているものである。
は、ベクトル９はベクトル８に対し進相となっているの
に対し、ベクトル１２はベクトル１１に対し遅相となる
ため、合成ベクトル１３が合成ベクトル１０に対し９０
°逆相となるように、線路７の電気長（α＋β）の線路
６の電気長αより長い分の電気長βを、９０°以上に設
定しているものである。
【０００７】かかるスイッチドライン型移相器におい
て、該移相器を実際に設ける場合には、設計によってオ
フ状態のＦＥＴの漏れ信号の大きさがばらつくからベク
トル９，１２の大きさが変化するとともに、設計にあた
ってはあらかじめＦＥＴのオフ状態の漏れ信号の大きさ
を知る必要があり、ベクトル１０，１３も変化し、両者
のなす角が９０°からずれてしまうこととなる。従って
設計にあたってはあらかじめＦＥＴのオフ状態の漏れ信
号の大きさを知る必要があり、その分でずれる移相量の
補正を行う必要がある。しかるにこの装置では隣り同士
の２つのＦＥＴが漏れ分が同じでかつその値が設計値と
一致していないと、移相量は９０°とすることができ
ず、プロセスの不均一によりＦＥＴのオフ容量（ＣT ）
が隣り同士で変化した場合には、漏れ信号の大きさも変
化し、移相量が９０°から変わってしまうこととなる。
て、該移相器を実際に設ける場合には、設計によってオ
フ状態のＦＥＴの漏れ信号の大きさがばらつくからベク
トル９，１２の大きさが変化するとともに、設計にあた
ってはあらかじめＦＥＴのオフ状態の漏れ信号の大きさ
を知る必要があり、ベクトル１０，１３も変化し、両者
のなす角が９０°からずれてしまうこととなる。従って
設計にあたってはあらかじめＦＥＴのオフ状態の漏れ信
号の大きさを知る必要があり、その分でずれる移相量の
補正を行う必要がある。しかるにこの装置では隣り同士
の２つのＦＥＴが漏れ分が同じでかつその値が設計値と
一致していないと、移相量は９０°とすることができ
ず、プロセスの不均一によりＦＥＴのオフ容量（ＣT ）
が隣り同士で変化した場合には、漏れ信号の大きさも変
化し、移相量が９０°から変わってしまうこととなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のスイッチドライ
ン型移相器は以上のように構成されているので、プロセ
スの変動によりＦＥＴ３のオフ時容量（ＣT ）がばらつ
いた時には、オフ側の線路をリークする信号の量が変わ
り、これにより図９の合成ベクトル１０，１３が変化す
ることとなるため、移相量がずれてしまうという問題点
があった。
ン型移相器は以上のように構成されているので、プロセ
スの変動によりＦＥＴ３のオフ時容量（ＣT ）がばらつ
いた時には、オフ側の線路をリークする信号の量が変わ
り、これにより図９の合成ベクトル１０，１３が変化す
ることとなるため、移相量がずれてしまうという問題点
があった。
【０００９】この発明は、上記のような従来の問題点を
解消するためになされたもので、設計時に共振回路のリ
ークの影響を考慮しなくてよい構成のスイッチドライン
型９０°移相器を得ることを目的としており、さらに共
振回路のリークのばらつきを打ち消すことにより移相量
の悪化を防ぐことのできる９０°移相器を得ることを目
的としている。
解消するためになされたもので、設計時に共振回路のリ
ークの影響を考慮しなくてよい構成のスイッチドライン
型９０°移相器を得ることを目的としており、さらに共
振回路のリークのばらつきを打ち消すことにより移相量
の悪化を防ぐことのできる９０°移相器を得ることを目
的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係るスイッチ
ドライン型の９０°移相器は、１つの端子への入力を２
つの端子のいずれかに出力する，あるいは２つの各端子
への２つの信号のうちのいずれかを一つの端子に出力す
る，２個の単極双投スイッチと、該２個の単極双投スイ
ッチの各２つの端子の一方の間に接続された，使用周波
数において電気長αを有する基準用伝送線路と、上記２
個の単極双投スイッチの各２つの端子の他方の間に接続
された，使用周波数において電気長（９０°＋α）を有
する位相差用伝送線路と、上記基準用伝送線路に、該基
準用線路に対し直列に挿入されるか、挿入されないかを
切換えスイッチにより切り換え可能に付加された位相反
転回路とを備えたものである。
ドライン型の９０°移相器は、１つの端子への入力を２
つの端子のいずれかに出力する，あるいは２つの各端子
への２つの信号のうちのいずれかを一つの端子に出力す
る，２個の単極双投スイッチと、該２個の単極双投スイ
ッチの各２つの端子の一方の間に接続された，使用周波
数において電気長αを有する基準用伝送線路と、上記２
個の単極双投スイッチの各２つの端子の他方の間に接続
された，使用周波数において電気長（９０°＋α）を有
する位相差用伝送線路と、上記基準用伝送線路に、該基
準用線路に対し直列に挿入されるか、挿入されないかを
切換えスイッチにより切り換え可能に付加された位相反
転回路とを備えたものである。
【００１１】この発明にかかる９０°移相器は、上記位
相反転回路を、上記基準用伝送線路のその一端からその
全体の電気長の１／２の位置に該基準用伝送線路に直列
に挿入され、ＦＥＴと共振線路とからなり上記スイッチ
を構成する共振回路と、該共振回路に並列に接続して設
けられた電気長１８０°の半波長線路とで構成したもの
である。
相反転回路を、上記基準用伝送線路のその一端からその
全体の電気長の１／２の位置に該基準用伝送線路に直列
に挿入され、ＦＥＴと共振線路とからなり上記スイッチ
を構成する共振回路と、該共振回路に並列に接続して設
けられた電気長１８０°の半波長線路とで構成したもの
である。
【００１２】この発明にかかる９０°移相器は、上記位
相反転回路を、反射型１８０°移相器で構成したもので
ある。
相反転回路を、反射型１８０°移相器で構成したもので
ある。
【００１３】この発明にかかる９０°移相器は、上記反
射型１８０°移相器を、ランゲカプラーを用いた３ｄＢ
方向性結合器により構成したものである。
射型１８０°移相器を、ランゲカプラーを用いた３ｄＢ
方向性結合器により構成したものである。
【００１４】この発明にかかる９０°移相器は、上記反
射型１８０°移相器を、ブランチラインタイプの３ｄＢ
方向性結合器を用いて構成したものである。
射型１８０°移相器を、ブランチラインタイプの３ｄＢ
方向性結合器を用いて構成したものである。
【００１５】
【作用】この発明におけるスイッチドライン型９０°移
相器は、基準用線路と位相差用線路との位相差を９０°
とし、かつ基準用線路に位相反転回路を設け、該基準用
線路を漏れ信号が流れる場合には該漏れ信号は該位相反
転回路を通るようにしたから、主信号が流れる線路に対
して他方の線路の漏れ信号は必ず進相となり、かつ得ら
れる移相量は必ず９０°となるから、共振回路のオフ時
のリークによる移相量への影響をなくすることができ
る。
相器は、基準用線路と位相差用線路との位相差を９０°
とし、かつ基準用線路に位相反転回路を設け、該基準用
線路を漏れ信号が流れる場合には該漏れ信号は該位相反
転回路を通るようにしたから、主信号が流れる線路に対
して他方の線路の漏れ信号は必ず進相となり、かつ得ら
れる移相量は必ず９０°となるから、共振回路のオフ時
のリークによる移相量への影響をなくすることができ
る。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の一実施例による９０°移相
器を示し、図において、図５と同一符号は同一のものを
示し、１４は使用周波数において基準線路の電気長であ
るαと電気長９０°との和である（α＋９０°）の線路
長を有する９０°移相用線路、１５ａ，１５ｂはそれぞ
れ該９０°移相用線路１４において述べた基準線路の電
気長αの１／２である（α／２）の線路長を有し、両者
で電気長αの線路を構成する基準側線路、５，４は該２
つの基準側線路１５ａ，１５ｂ間に相互に並列接続して
設けられた、ＦＥＴスイッチ、及び共振用インダクタン
ス線路であり、この並列回路により共振回路を構成す
る。１６は上記ＦＥＴ５と共振用線路４とからなる並列
回路に並列に接続して設けられた、位相反転回路を形成
する電気長１８０°の伝送線路である。
る。 実施例１．図１はこの発明の一実施例による９０°移相
器を示し、図において、図５と同一符号は同一のものを
示し、１４は使用周波数において基準線路の電気長であ
るαと電気長９０°との和である（α＋９０°）の線路
長を有する９０°移相用線路、１５ａ，１５ｂはそれぞ
れ該９０°移相用線路１４において述べた基準線路の電
気長αの１／２である（α／２）の線路長を有し、両者
で電気長αの線路を構成する基準側線路、５，４は該２
つの基準側線路１５ａ，１５ｂ間に相互に並列接続して
設けられた、ＦＥＴスイッチ、及び共振用インダクタン
ス線路であり、この並列回路により共振回路を構成す
る。１６は上記ＦＥＴ５と共振用線路４とからなる並列
回路に並列に接続して設けられた、位相反転回路を形成
する電気長１８０°の伝送線路である。
【００１７】本実施例の９０°移相器のパターン図を図
１０に示す。図１０において、図中の符号は上記で説明
したものに対応し、１０１は基板である。本実施例の９
０°移相器の基本的な動作は従来とほぼ同じであり、こ
の発明の主旨は従来のスイッチドライン型移相器でオフ
状態のＦＥＴから漏れていた信号を、基準用線路１５側
に設けた位相反転回路１６により位相を反転しようとす
るものである。
１０に示す。図１０において、図中の符号は上記で説明
したものに対応し、１０１は基板である。本実施例の９
０°移相器の基本的な動作は従来とほぼ同じであり、こ
の発明の主旨は従来のスイッチドライン型移相器でオフ
状態のＦＥＴから漏れていた信号を、基準用線路１５側
に設けた位相反転回路１６により位相を反転しようとす
るものである。
【００１８】図２は本９０°移相器の動作状態を示すベ
クトル図であり、これを参照して動作について説明す
る。まず位相反転回路１６の設けてある基準用線路１５
ａ，１５ｂ側をオンとし、かつ位相反転回路１６はオ
フ、つまり位相反転をさせない状態にし、９０°移相用
側の線路１４をオフとする。この時オン側の基準用線路
１５を通る信号は信号ベクトル８、オフ側の９０°移相
用側の線路１４を通る漏れ信号は信号ベクトル９であ
る。従って得られる出力信号はベクトル８，９のベクト
ル合成により信号ベクトル１０となる。
クトル図であり、これを参照して動作について説明す
る。まず位相反転回路１６の設けてある基準用線路１５
ａ，１５ｂ側をオンとし、かつ位相反転回路１６はオ
フ、つまり位相反転をさせない状態にし、９０°移相用
側の線路１４をオフとする。この時オン側の基準用線路
１５を通る信号は信号ベクトル８、オフ側の９０°移相
用側の線路１４を通る漏れ信号は信号ベクトル９であ
る。従って得られる出力信号はベクトル８，９のベクト
ル合成により信号ベクトル１０となる。
【００１９】次に位相反転回路１６の設けてある基準用
線路１５をＦＥＴスイッチ３によりオフとし、かつ位相
反転回路１６はオン、つまり位相反転させる状態にし、
９０°移相用側の線路１４をオンとする。この時オン側
の線路１４を通る信号は信号ベクトル１３、オフ側の線
路１５及び位相反転回路１６を通る信号は信号ベクトル
１７である。従って得られる出力信号はベクトル１３，
１７のベクトル合成により信号ベクトル１８となる。
線路１５をＦＥＴスイッチ３によりオフとし、かつ位相
反転回路１６はオン、つまり位相反転させる状態にし、
９０°移相用側の線路１４をオンとする。この時オン側
の線路１４を通る信号は信号ベクトル１３、オフ側の線
路１５及び位相反転回路１６を通る信号は信号ベクトル
１７である。従って得られる出力信号はベクトル１３，
１７のベクトル合成により信号ベクトル１８となる。
【００２０】このような動作を行うことによりオン側の
線路の信号８，１３に対しオフ側の線路を漏洩する信号
はいずれの場合も９０°進相した信号９，１７となり、
しかも線路１４と線路１５の電気長の差は９０°の位相
差を生ずる電気長としているので、ベクトル１０とベク
トル１８とは常に９０°の位相差を実現することができ
る。またプロセスの不均一により、ＦＥＴのオフ容量
（ＣT ）が変化しても隣接して形成されるＦＥＴ３の特
性が同じであれば、ベクトル９，１７が同時に同量だけ
変化するため、合成されるベクトル１０とベクトル１８
の位相差は常に９０°に保たれることとなり、安定した
動作を行う９０°移相器を提供できる。
線路の信号８，１３に対しオフ側の線路を漏洩する信号
はいずれの場合も９０°進相した信号９，１７となり、
しかも線路１４と線路１５の電気長の差は９０°の位相
差を生ずる電気長としているので、ベクトル１０とベク
トル１８とは常に９０°の位相差を実現することができ
る。またプロセスの不均一により、ＦＥＴのオフ容量
（ＣT ）が変化しても隣接して形成されるＦＥＴ３の特
性が同じであれば、ベクトル９，１７が同時に同量だけ
変化するため、合成されるベクトル１０とベクトル１８
の位相差は常に９０°に保たれることとなり、安定した
動作を行う９０°移相器を提供できる。
【００２１】このように本実施例１の９０°移相器で
は、スイッチドライン型９０°移相器において、基準用
線路１５ａ，１５ｂと位相差用線路１４の電気長の差を
９０°とし、そのうちの基準用線路に直列に挿入する
か、挿入しないかをスイッチング可能として位相反転回
路１６を付加することにより、共振回路がオフ状態であ
るとき基準用線路または位相差用線路に流れる漏れ信号
を、オン側の線路の信号に対し必ず９０°進相となるよ
うにしている。従って、漏れ信号による移相量に対する
影響は漏れ信号がいずれの線路側に生じる場合にも同じ
となり、移相器の動作としては、この漏れ信号による影
響が打ち消されることとなる。従って、隣接して形成さ
れるＦＥＴの漏れ信号が同じである限り、設計時に前も
って漏れ信号の大きさを知る必要はなく、また考慮する
必要もないこととなり、回路設計を非常に容易に、かつ
高精度に行うことができることとなる。またプロセスに
よる不均一も吸収することができ、高歩留りをも達成す
ることができるものである。
は、スイッチドライン型９０°移相器において、基準用
線路１５ａ，１５ｂと位相差用線路１４の電気長の差を
９０°とし、そのうちの基準用線路に直列に挿入する
か、挿入しないかをスイッチング可能として位相反転回
路１６を付加することにより、共振回路がオフ状態であ
るとき基準用線路または位相差用線路に流れる漏れ信号
を、オン側の線路の信号に対し必ず９０°進相となるよ
うにしている。従って、漏れ信号による移相量に対する
影響は漏れ信号がいずれの線路側に生じる場合にも同じ
となり、移相器の動作としては、この漏れ信号による影
響が打ち消されることとなる。従って、隣接して形成さ
れるＦＥＴの漏れ信号が同じである限り、設計時に前も
って漏れ信号の大きさを知る必要はなく、また考慮する
必要もないこととなり、回路設計を非常に容易に、かつ
高精度に行うことができることとなる。またプロセスに
よる不均一も吸収することができ、高歩留りをも達成す
ることができるものである。
【００２２】実施例２．図３は本発明の実施例２による
９０°移相器を示す。上記実施例１では、位相反転回路
を、ＦＥＴ３と共振用線路４からなる共振回路に並列に
接続した１８０°線路１６により構成したが、本実施例
２はこれを１８０°の反射型移相器２０で構成したもの
である。
９０°移相器を示す。上記実施例１では、位相反転回路
を、ＦＥＴ３と共振用線路４からなる共振回路に並列に
接続した１８０°線路１６により構成したが、本実施例
２はこれを１８０°の反射型移相器２０で構成したもの
である。
【００２３】また、図１１は本実施例２のパターン図を
示すものである。図１１において、１９はＦＥＴ３と共
振用線路４からなる２つのスイッチとともに、１８０°
の反射型移相器２０を構成する，ランゲカプラーを用い
た３ｄＢ方向性結合器である。また、７０はグランドパ
ッド、１０２は基板である。
示すものである。図１１において、１９はＦＥＴ３と共
振用線路４からなる２つのスイッチとともに、１８０°
の反射型移相器２０を構成する，ランゲカプラーを用い
た３ｄＢ方向性結合器である。また、７０はグランドパ
ッド、１０２は基板である。
【００２４】図４は本実施例２の９０°移相器の動作状
態を示すベクトル図を示す。以下図４を用いて本実施例
２の９０°移相器の動作について説明する。まず１８０
°の反射型移相器１９の設けてある線路１５側をオンと
し、かつ反射型移相器１９はオフ、つまり位相反転をさ
せない状態にし、９０°移相用側の線路１４をオフとす
る。この時オン側の線路１５の信号は信号ベクトル８、
オフ側の線路１４の信号は信号ベクトル９である。従っ
て得られる出力信号はベクトル８，９のベクトル合成に
より信号ベクトル１０となる。
態を示すベクトル図を示す。以下図４を用いて本実施例
２の９０°移相器の動作について説明する。まず１８０
°の反射型移相器１９の設けてある線路１５側をオンと
し、かつ反射型移相器１９はオフ、つまり位相反転をさ
せない状態にし、９０°移相用側の線路１４をオフとす
る。この時オン側の線路１５の信号は信号ベクトル８、
オフ側の線路１４の信号は信号ベクトル９である。従っ
て得られる出力信号はベクトル８，９のベクトル合成に
より信号ベクトル１０となる。
【００２５】次に反射型移相器１９の設けてある線路１
５をオフとし、かつ反射型移相器１９はオン、つまり１
８０°反射移相をする，即ち位相反転させる状態にし、
９０°移相用側の線路１４をオンとする。この時オン側
の線路１４の信号は信号ベクトル１３、オフ側の線路１
５の信号は信号ベクトル１７である。従って得られる出
力信号はベクトル１３，１７のベクトル合成により信号
ベクトル１８となる。
５をオフとし、かつ反射型移相器１９はオン、つまり１
８０°反射移相をする，即ち位相反転させる状態にし、
９０°移相用側の線路１４をオンとする。この時オン側
の線路１４の信号は信号ベクトル１３、オフ側の線路１
５の信号は信号ベクトル１７である。従って得られる出
力信号はベクトル１３，１７のベクトル合成により信号
ベクトル１８となる。
【００２６】このような動作を行うことにより、オン側
の線路の信号に対しオフ側の線路を漏洩する信号はいず
れの場合も９０°進相した信号となり、しかも線路１４
と線路１５とは９０°の位相差を生ずる電気長としてい
るので、ベクトル１０とベクトル１８とは常に９０°の
位相差を実現することができる。またプロセスの不均一
によりＦＥＴのオフ容量（ＣT ）が変化しても、隣接し
て形成されるＦＥＴ３の特性が同じであれば、ベクトル
９，１７が同時に同量だけ変化するため、合成されるベ
クトル１０とベクトル１８の位相差は常に９０°に保た
れることとなり、安定な動作を行う９０°移相器が得ら
れることとなる。
の線路の信号に対しオフ側の線路を漏洩する信号はいず
れの場合も９０°進相した信号となり、しかも線路１４
と線路１５とは９０°の位相差を生ずる電気長としてい
るので、ベクトル１０とベクトル１８とは常に９０°の
位相差を実現することができる。またプロセスの不均一
によりＦＥＴのオフ容量（ＣT ）が変化しても、隣接し
て形成されるＦＥＴ３の特性が同じであれば、ベクトル
９，１７が同時に同量だけ変化するため、合成されるベ
クトル１０とベクトル１８の位相差は常に９０°に保た
れることとなり、安定な動作を行う９０°移相器が得ら
れることとなる。
【００２７】実施例３．本発明の実施例３は、上記実施
例２における１８０°反射型移相器２０を構成する３ｄ
Ｂ方向性結合器を、ブランチラインタイプの３ｄＢ方向
性結合器により構成したものである。
例２における１８０°反射型移相器２０を構成する３ｄ
Ｂ方向性結合器を、ブランチラインタイプの３ｄＢ方向
性結合器により構成したものである。
【００２８】(1) ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性
結合器の説明 ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器の等価回路
を図５(a) に示す。図５の伝送線路６０〜６３はすべて
９０°の電気長を有する。また特性インピーダンスは、
伝送線路６０，６２はＺ0 ，伝送線路６１，６３はＺ0
／√２である。また、各端子は、５１は入力端子、５２
は出力端子、５８，５９は負荷端子である。
結合器の説明 ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器の等価回路
を図５(a) に示す。図５の伝送線路６０〜６３はすべて
９０°の電気長を有する。また特性インピーダンスは、
伝送線路６０，６２はＺ0 ，伝送線路６１，６３はＺ0
／√２である。また、各端子は、５１は入力端子、５２
は出力端子、５８，５９は負荷端子である。
【００２９】図５(b) に負荷端子５８，５９を接地した
ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器の等価回路
を示す。ここで負荷端子５８，５９が接地されているこ
とより伝送線路６２は無いものと同じと考えられる。ま
た各伝送線路の電気長が９０°であることより、伝送線
路６１については負荷端子５８が接地されているので入
力端子５１から伝送線路６１をみたインピーダンスは無
限大となる。同様に伝送線路６３についても出力端子５
２からみたインピーダンスは無限大となる。従って図５
(b) の等価回路は図５(c) の等価回路で表わすことがで
きる。
ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器の等価回路
を示す。ここで負荷端子５８，５９が接地されているこ
とより伝送線路６２は無いものと同じと考えられる。ま
た各伝送線路の電気長が９０°であることより、伝送線
路６１については負荷端子５８が接地されているので入
力端子５１から伝送線路６１をみたインピーダンスは無
限大となる。同様に伝送線路６３についても出力端子５
２からみたインピーダンスは無限大となる。従って図５
(b) の等価回路は図５(c) の等価回路で表わすことがで
きる。
【００３０】次に図５(d) に負荷端子５８，５９を開放
したブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器の等価
回路を示す。ここで、負荷端子５８，５９が開放されて
いることより、入力端子５１から伝送線路６１をみたイ
ンピーダンスはゼロ，つまりショート状態になる。同様
に出力端子５２から伝送線路６３をみたインピーダンス
もゼロとなる。逆に伝送線路６０に対しては、入力端子
５１，出力端子５２からみたインピーダンスはいずれも
無限大となり、伝送線路６０は無いものと考えることが
できる。従って図５(d) の等価回路は図５(e) の等価回
路で表わすことができる。
したブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器の等価
回路を示す。ここで、負荷端子５８，５９が開放されて
いることより、入力端子５１から伝送線路６１をみたイ
ンピーダンスはゼロ，つまりショート状態になる。同様
に出力端子５２から伝送線路６３をみたインピーダンス
もゼロとなる。逆に伝送線路６０に対しては、入力端子
５１，出力端子５２からみたインピーダンスはいずれも
無限大となり、伝送線路６０は無いものと考えることが
できる。従って図５(d) の等価回路は図５(e) の等価回
路で表わすことができる。
【００３１】各伝送回路の電気長は９０°であることよ
り、図５(c) と図５(e) の等価回路の電気長の差は１８
０°になっており、これにより、図３の反射型移相器２
０を構成できる。
り、図５(c) と図５(e) の等価回路の電気長の差は１８
０°になっており、これにより、図３の反射型移相器２
０を構成できる。
【００３２】(2) 本実施例３の９０°移相器における反
射型移相器２０の説明 即ち、この３ｄＢ方向性結合器１９にブランチラインタ
イプのものを用いた反射型移相器２０を構成した場合
の、該反射型移相器の等価回路を図６に示す。図６にお
いて、６４は信号の伝送方向に直列に装荷したＦＥＴ、
６５は信号の伝送方向に並列に装荷したＦＥＴ、６６
ｂ，６６ｃはＦＥＴのゲートバイアス端子、６７はこれ
らＦＥＴ６４，６５で構成される広帯域特性のＳＰＤＴ
スイッチ、５１は入力端子、５２は出力端子である。そ
して、図６の端子５１を、図３の３ｄＢ方向性結合器１
９の入力端子Ａ、図６の端子５２を、図３の出力端子
Ｃ、図６の端子６６ｂを図３の端子５ｂ、図６の端子６
６ｃを、図３の端子５ｃとすればよい。
射型移相器２０の説明 即ち、この３ｄＢ方向性結合器１９にブランチラインタ
イプのものを用いた反射型移相器２０を構成した場合
の、該反射型移相器の等価回路を図６に示す。図６にお
いて、６４は信号の伝送方向に直列に装荷したＦＥＴ、
６５は信号の伝送方向に並列に装荷したＦＥＴ、６６
ｂ，６６ｃはＦＥＴのゲートバイアス端子、６７はこれ
らＦＥＴ６４，６５で構成される広帯域特性のＳＰＤＴ
スイッチ、５１は入力端子、５２は出力端子である。そ
して、図６の端子５１を、図３の３ｄＢ方向性結合器１
９の入力端子Ａ、図６の端子５２を、図３の出力端子
Ｃ、図６の端子６６ｂを図３の端子５ｂ、図６の端子６
６ｃを、図３の端子５ｃとすればよい。
【００３３】また、本実施例３の，図６の反射型移相器
のパターン図を図１２に示す。図１２において、図中の
符号は上記で説明したものに対応し、７０はグランドパ
ッド、１０３は基板である。
のパターン図を図１２に示す。図１２において、図中の
符号は上記で説明したものに対応し、７０はグランドパ
ッド、１０３は基板である。
【００３４】(3) 本実施例３の９０°移相器の動作の説
明 本実施例の９０°移相器は、ブランチラインタイプの方
向性結合器の帯域が中心周波数の±１０％であるので、
移相器の帯域もこれと同じになる。
明 本実施例の９０°移相器は、ブランチラインタイプの方
向性結合器の帯域が中心周波数の±１０％であるので、
移相器の帯域もこれと同じになる。
【００３５】このような反射型１８０°移相器を用いた
本実施例の９０°移相器も基本的な動作は、図１の実施
例１の９０°移相器と全く同じである。
本実施例の９０°移相器も基本的な動作は、図１の実施
例１の９０°移相器と全く同じである。
【００３６】本実施例３の９０°移相器の動作状態を示
すベクトル図も図４と全く同じであり、その動作の説明
は省略する。
すベクトル図も図４と全く同じであり、その動作の説明
は省略する。
【００３７】(4) 本実施例３の９０度移相器の効果の説
明 このような動作を行うことによりオン側の線路の信号に
対しオフ側の線路を漏洩する信号はいずれの場合も９０
°進相した信号となり、しかも線路１４と線路１５とは
９０°の位相差を生ずる電気長としているので、ベクト
ル１０とベクトル１８とは常に９０°の位相差を実現す
ることができる。またプロセスの不均一によりＦＥＴの
オフ容量（ＣT ）が変化しても、隣接して形成されるＦ
ＥＴ３の特性が同じであれば、ベクトル９，１７が同時
に同量だけ変化するため、合成されるベクトル１０とベ
クトル１８の位相差は常に９０°に保たれることとな
り、安定な動作を行う９０°移相器が得られることとな
る。
明 このような動作を行うことによりオン側の線路の信号に
対しオフ側の線路を漏洩する信号はいずれの場合も９０
°進相した信号となり、しかも線路１４と線路１５とは
９０°の位相差を生ずる電気長としているので、ベクト
ル１０とベクトル１８とは常に９０°の位相差を実現す
ることができる。またプロセスの不均一によりＦＥＴの
オフ容量（ＣT ）が変化しても、隣接して形成されるＦ
ＥＴ３の特性が同じであれば、ベクトル９，１７が同時
に同量だけ変化するため、合成されるベクトル１０とベ
クトル１８の位相差は常に９０°に保たれることとな
り、安定な動作を行う９０°移相器が得られることとな
る。
【００３８】実施例４．前述したブランチタイプの３ｄ
Ｂ方向性結合器を用いたものと同じ動作を行う１８０°
移相器を、ランゲカプラーを用いることによっても実現
することができる。本実施例４による９０°移相器は、
上記実施例３における１８０°反射型移相器（２０）
を、図７にその等価回路を示すランゲカプラーを用いた
１８０°反射型移相器により構成したものである。
Ｂ方向性結合器を用いたものと同じ動作を行う１８０°
移相器を、ランゲカプラーを用いることによっても実現
することができる。本実施例４による９０°移相器は、
上記実施例３における１８０°反射型移相器（２０）
を、図７にその等価回路を示すランゲカプラーを用いた
１８０°反射型移相器により構成したものである。
【００３９】図７において、６８は負荷端子を接地した
ランゲカプラー，６９は負荷端子を開放したランゲカプ
ラーであり、６４〜６７，５１，５２は図１２の場合と
同じである。即ち、６４は信号の伝送方向に直列に装荷
したＦＥＴ，６５は信号の伝送方向に並列に装荷したＦ
ＥＴ，６６はＦＥＴのゲートバイアス端子，６７はこれ
らＦＥＴ６４，６５で構成される広帯域特性のＳＰＤＴ
スイッチ，５１は入力端子，５２は出力端子であり、こ
のような反射型１８０°移相器を用いた本実施例の９０
°移相器は、図７の端子５１を、図３の３ｄＢ方向性結
合器１９の入力端子Ａとし、図７の端子５２を、図３の
出力端子Ｃとし、図７の端子６６ｂを図３の端子５ｂと
し、図７の端子６６ｃを、図３の端子５ｃとすればよ
い。
ランゲカプラー，６９は負荷端子を開放したランゲカプ
ラーであり、６４〜６７，５１，５２は図１２の場合と
同じである。即ち、６４は信号の伝送方向に直列に装荷
したＦＥＴ，６５は信号の伝送方向に並列に装荷したＦ
ＥＴ，６６はＦＥＴのゲートバイアス端子，６７はこれ
らＦＥＴ６４，６５で構成される広帯域特性のＳＰＤＴ
スイッチ，５１は入力端子，５２は出力端子であり、こ
のような反射型１８０°移相器を用いた本実施例の９０
°移相器は、図７の端子５１を、図３の３ｄＢ方向性結
合器１９の入力端子Ａとし、図７の端子５２を、図３の
出力端子Ｃとし、図７の端子６６ｂを図３の端子５ｂと
し、図７の端子６６ｃを、図３の端子５ｃとすればよ
い。
【００４０】本実施例４の１８０°反射型移相器の回路
パターン図を図１３に示す。図中の符号は上記で説明し
たものに対応し、１０４は基板である。
パターン図を図１３に示す。図中の符号は上記で説明し
たものに対応し、１０４は基板である。
【００４１】このような、その回路パターンを図１３に
示す図７の反射型１８０°移相器を用いた本実施例４の
９０°移相器は、上記実施例２，３の９０°移相器と全
く同じ動作を行う。ただし、図７のこの１８０°反射型
移相器は、ランゲカプラーの帯域が約１オクターブなの
で、中心周波数まで使用可能な広帯域な特性となる。
示す図７の反射型１８０°移相器を用いた本実施例４の
９０°移相器は、上記実施例２，３の９０°移相器と全
く同じ動作を行う。ただし、図７のこの１８０°反射型
移相器は、ランゲカプラーの帯域が約１オクターブなの
で、中心周波数まで使用可能な広帯域な特性となる。
【００４２】
【発明の効果】以上のようにこの発明にかかる９０°移
相器によれば、スイッチドライン型９０°移相器におい
て、基準用線路と位相差用線路の電気長の差を９０°と
し、そのうちの基準用線路に直列に挿入するか、挿入し
ないかをスイッチング可能として位相反転回路を付加す
ることにより、共振回路がオフ状態であるとき基準用線
路または位相差用線路に流れる漏れ信号を、オン側の線
路の信号に対し必ず９０°進相となるようにして、漏れ
信号による移相量に対する影響を、漏れ信号がいずれの
線路側に生じる場合にも同じとし、移相器の動作におい
てはこの漏れ信号による影響が打ち消されるように構成
したので、隣接して形成されるＦＥＴの漏れ信号が同じ
である限り、設計時に前もって漏れ信号の大きさを知る
必要、あるいは考慮する必要がないこととなり、回路設
計を非常に容易に、かつ高精度に行うことができること
となる。またプロセスによる不均一も吸収することがで
き、高歩留りをも達成できる効果がある。
相器によれば、スイッチドライン型９０°移相器におい
て、基準用線路と位相差用線路の電気長の差を９０°と
し、そのうちの基準用線路に直列に挿入するか、挿入し
ないかをスイッチング可能として位相反転回路を付加す
ることにより、共振回路がオフ状態であるとき基準用線
路または位相差用線路に流れる漏れ信号を、オン側の線
路の信号に対し必ず９０°進相となるようにして、漏れ
信号による移相量に対する影響を、漏れ信号がいずれの
線路側に生じる場合にも同じとし、移相器の動作におい
てはこの漏れ信号による影響が打ち消されるように構成
したので、隣接して形成されるＦＥＴの漏れ信号が同じ
である限り、設計時に前もって漏れ信号の大きさを知る
必要、あるいは考慮する必要がないこととなり、回路設
計を非常に容易に、かつ高精度に行うことができること
となる。またプロセスによる不均一も吸収することがで
き、高歩留りをも達成できる効果がある。
【図１】本発明の実施例１の９０°移相器の回路構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の実施例１の９０°移相器の動作状態を
示すベクトル図である。
示すベクトル図である。
【図３】本発明の実施例２，３，４の９０°移相器の回
路構成を示す図である。
路構成を示す図である。
【図４】本発明の実施例２，３，４の９０°移相器の動
作状態を示すベクトル図である。
作状態を示すベクトル図である。
【図５】(a) は、本発明の実施例３による９０°移相器
において，１８０°反射型移相器２０を構成するのに用
いるブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器の等価
回路を示す図、(b) は、該ブランチラインタイプの３ｄ
Ｂ方向性結合器の，負荷端子５８，５９を接地した状態
の等価回路を示す図、(c) は、図(b) の等価回路を示す
図、(d) は、該ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結
合器の，負荷端子５８，５９を開放した状態の等価回路
を示す図、(e) は図(d) の等価回路を示す図である。
において，１８０°反射型移相器２０を構成するのに用
いるブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器の等価
回路を示す図、(b) は、該ブランチラインタイプの３ｄ
Ｂ方向性結合器の，負荷端子５８，５９を接地した状態
の等価回路を示す図、(c) は、図(b) の等価回路を示す
図、(d) は、該ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結
合器の，負荷端子５８，５９を開放した状態の等価回路
を示す図、(e) は図(d) の等価回路を示す図である。
【図６】本発明の実施例３による９０°移相器におい
て，ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器を用い
て構成した１８０°反射型移相器の等価回路を示す図で
ある。
て，ブランチラインタイプの３ｄＢ方向性結合器を用い
て構成した１８０°反射型移相器の等価回路を示す図で
ある。
【図７】本発明の実施例４による９０°移相器におい
て，ランゲカプラーによる３ｄＢ方向性結合器を用いて
構成した１８０°反射型移相器の等価回路を示す図であ
る。
て，ランゲカプラーによる３ｄＢ方向性結合器を用いて
構成した１８０°反射型移相器の等価回路を示す図であ
る。
【図８】従来の９０°移相器の回路構成を示す図であ
る。
る。
【図９】従来の９０°移相器の動作状態を示すベクトル
図である。
図である。
【図１０】本発明の実施例１の９０°移相器の回路パタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図１１】本発明の実施例２の９０°移相器の回路パタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図１２】本発明の実施例３の９０°移相器のブランチ
ラインタイプの３ｄＢ方向性結合器を用いて構成した１
８０°反射型移相器の回路パターンを示す図である。
ラインタイプの３ｄＢ方向性結合器を用いて構成した１
８０°反射型移相器の回路パターンを示す図である。
【図１３】本発明の実施例４の９０°移相器のランゲカ
プラーを用いて構成した１８０°反射型移相器の回路パ
ターンを示す図である。
プラーを用いて構成した１８０°反射型移相器の回路パ
ターンを示す図である。
１ 入力端子 ２ 出力端子 ３ 電界効果型トランジスタ ４ 共振用線路 ５ ゲートバイアス端子 ６ 基準用線路 ７ 伝送線路 ８ 基準線路を伝送される信号のベクトル（オン時） ９ 位相差用線路を伝送される信号のベクトル（オフ
時） １０ ８，９の合成ベクトル １１ 位相差用線路を伝送される信号ベクトル（オン
時） １２ 基準用線路を伝送される信号のベクトル（オフ
時） １３ １１，１２の合成ベクトル １４ 電気長９０°＋基準用線路を付加した伝送線路 １５ 基準用線路の１／２の長さの伝送線路 １６ 電気長１８０°の伝送線路 １７ 位相反転回路で反転された信号 １８ １３，１７の合成ベクトル １９ ３ｄＢ方向性結合器
時） １０ ８，９の合成ベクトル １１ 位相差用線路を伝送される信号ベクトル（オン
時） １２ 基準用線路を伝送される信号のベクトル（オフ
時） １３ １１，１２の合成ベクトル １４ 電気長９０°＋基準用線路を付加した伝送線路 １５ 基準用線路の１／２の長さの伝送線路 １６ 電気長１８０°の伝送線路 １７ 位相反転回路で反転された信号 １８ １３，１７の合成ベクトル １９ ３ｄＢ方向性結合器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−32301（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−303095（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−208307（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−232604（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−237807（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−70201（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−149102（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−143301（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/185 H01P 1/15 H01P 5/22 H03H 11/18
Claims (5)
- 【請求項１】 それぞれ１つの端子への入力を２つの端
子のいずれかに出力する，あるいは２つの各端子への２
つの信号のうちのいずれかを一つの端子に出力する，第
１，第２の単極双投スイッチと、 上記第１，第２の単極双投スイッチの各上記２つの端子
の一方の間に接続された、使用周波数において電気長α
を有する基準用伝送線路と、 上記第１，第２の単極双投スイッチの各上記２つの端子
の他方の間に接続された、使用周波数において電気長
（９０°＋α）を有する位相差用伝送線路と、 上記基準用伝送線路に、該基準用線路に対し直列に挿入
されるか、挿入されないかを切替えスイッチにより切り
換え可能に付加された位相反転回路とを備え、 上記第１の単極双投スイッチの１つの端子を全体回路の
入力端子とし、 上記第２の単極双投スイッチの１つの端子を全体回路の
出力端子としたことを特徴とする９０°移相器。 - 【請求項２】 請求項１記載の９０°移相器において、 上記位相反転回路は、 上記基準用伝送線路のその一端からその全体の電気長の
１／２の位置に該基準用伝送線路に直列に挿入され、Ｆ
ＥＴと共振線路とからなり上記切換えスイッチを構成す
る共振回路と、 該共振回路に並列に接続され、使用周波数において電気
長１８０°を有する半波長線路とを備えてなることを特
徴とする９０°移相器。 - 【請求項３】 請求項１記載の９０°移相器において、 上記位相反転回路は、反射型１８０°移相器で構成され
てなることを特徴とする９０°移相器。 - 【請求項４】 請求項３記載の９０°移相器において、 上記反射型１８０°移相器は、ランゲカプラーを用いた
３ｄＢ方向性結合器により構成されてなることを特徴と
する９０°移相器。 - 【請求項５】 請求項３記載の９０°移相器において、 上記反射型１８０°移相器は、ブランチラインタイプの
３ｄＢ方向性結合器を用いて構成されてなることを特徴
とする９０°移相器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09347493A JP3191891B2 (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | ９０°移相器 |
| US08/158,772 US5392010A (en) | 1993-04-21 | 1993-12-01 | 90 degree phase shifter |
| EP93120788A EP0621650B1 (en) | 1993-04-21 | 1993-12-23 | A 90 degree phase shifter |
| DE69318395T DE69318395T2 (de) | 1993-04-21 | 1993-12-23 | 90-Grad Phasenschieber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09347493A JP3191891B2 (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | ９０°移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310901A JPH06310901A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3191891B2 true JP3191891B2 (ja) | 2001-07-23 |
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