JPH1155002A - 2周波スイッチ、2周波アンテナ共用器およびそれを用いた2周波帯域用移動体通信機器 - Google Patents
2周波スイッチ、2周波アンテナ共用器およびそれを用いた2周波帯域用移動体通信機器Info
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- JPH1155002A JPH1155002A JP10131638A JP13163898A JPH1155002A JP H1155002 A JPH1155002 A JP H1155002A JP 10131638 A JP10131638 A JP 10131638A JP 13163898 A JP13163898 A JP 13163898A JP H1155002 A JPH1155002 A JP H1155002A
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 携帯電話等の移動体通信に用いられる高周波
スイッチに関し、簡単な構成で二つの帯域でON状態と
OFF状態を切り替えることができる2周波スイッチを
実現することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、PINダイオード101とそ
の補償回路102との並列接続体からなり、補償回路1
02を少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共振点
を有する回路で構成した2周波スイッチとするものであ
る。これにより、直流近傍の低周波において容量性であ
る補償回路のインピーダンスが最初の直列共振点を経て
誘導性となり、第1の帯域においてダイオードの寄生容
量をキャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振
点を経て再び誘導性となって第2の帯域において再度P
INダイオードの寄生容量をキャンセルすることができ
る。
スイッチに関し、簡単な構成で二つの帯域でON状態と
OFF状態を切り替えることができる2周波スイッチを
実現することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、PINダイオード101とそ
の補償回路102との並列接続体からなり、補償回路1
02を少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共振点
を有する回路で構成した2周波スイッチとするものであ
る。これにより、直流近傍の低周波において容量性であ
る補償回路のインピーダンスが最初の直列共振点を経て
誘導性となり、第1の帯域においてダイオードの寄生容
量をキャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振
点を経て再び誘導性となって第2の帯域において再度P
INダイオードの寄生容量をキャンセルすることができ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として携帯電話
等の移動体通信に用いられる2周波スイッチ、2周波ア
ンテナ共用器およびそれを用いた2周波帯域用移動体通
信機器に関するものである。
等の移動体通信に用いられる2周波スイッチ、2周波ア
ンテナ共用器およびそれを用いた2周波帯域用移動体通
信機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、この種の従来の高周波スイッチ
は、特開平7−321692号公報に開示されているよ
うなものが知られている。その回路構成は図13に示す
ように、PINダイオード1001とその補償回路10
02との並列接続体からなり、この補償回路1002は
コンデンサ1003とインダクタ1004を直列接続し
た構成となっている。補償回路1002はPINダイオ
ード1001が非導通の際にスイッチ回路をOFF状態
にするためのもので、非導通時のPINダイオード10
01の寄生容量をインダクタ1004がキャンセルして
所望の帯域において並列共振するように設定される。コ
ンデンサ1003はPINダイオード1001が導通し
てスイッチ回路をON状態とした際に補償回路の直流電
流経路を遮断するためのいわゆるDCカット素子であ
る。結果としてこの補償回路1002は直流近傍の周波
数で容量性、所望帯域において誘導性のインピーダンス
を有するものとなり、その間に一つの直列共振点を有す
る回路となる。
は、特開平7−321692号公報に開示されているよ
うなものが知られている。その回路構成は図13に示す
ように、PINダイオード1001とその補償回路10
02との並列接続体からなり、この補償回路1002は
コンデンサ1003とインダクタ1004を直列接続し
た構成となっている。補償回路1002はPINダイオ
ード1001が非導通の際にスイッチ回路をOFF状態
にするためのもので、非導通時のPINダイオード10
01の寄生容量をインダクタ1004がキャンセルして
所望の帯域において並列共振するように設定される。コ
ンデンサ1003はPINダイオード1001が導通し
てスイッチ回路をON状態とした際に補償回路の直流電
流経路を遮断するためのいわゆるDCカット素子であ
る。結果としてこの補償回路1002は直流近傍の周波
数で容量性、所望帯域において誘導性のインピーダンス
を有するものとなり、その間に一つの直列共振点を有す
る回路となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、移動体通信の利
用者が急増するにともない、通話チャネルを確保するた
めに、二つの周波数帯域のシステムを一つの通信機で使
用できるようにする試みが実施されている。この場合、
二つの帯域において機能するスイッチ回路が必要となる
が、従来の高周波スイッチではPINダイオードが非導
通時で一つの帯域でしか充分なOFF状態が得られなか
ったため、このようなシステムを実現しようとすると、
それぞれの帯域に応じた高周波スイッチを2つ用意する
必要があり、回路が複雑で大きくなるとともにコストア
ップにつながるといった課題を有していた。
用者が急増するにともない、通話チャネルを確保するた
めに、二つの周波数帯域のシステムを一つの通信機で使
用できるようにする試みが実施されている。この場合、
二つの帯域において機能するスイッチ回路が必要となる
が、従来の高周波スイッチではPINダイオードが非導
通時で一つの帯域でしか充分なOFF状態が得られなか
ったため、このようなシステムを実現しようとすると、
それぞれの帯域に応じた高周波スイッチを2つ用意する
必要があり、回路が複雑で大きくなるとともにコストア
ップにつながるといった課題を有していた。
【0004】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、簡単な構成で二つの帯域で充分なOFF状態が得
られる2周波スイッチを実現することを目的とする。
あり、簡単な構成で二つの帯域で充分なOFF状態が得
られる2周波スイッチを実現することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ダイオードとその補償回路との並列接続体
からなり、前記補償回路が少なくとも二つの直列共振点
と一つの並列共振点を有する回路で構成したものであ
る。
に本発明は、ダイオードとその補償回路との並列接続体
からなり、前記補償回路が少なくとも二つの直列共振点
と一つの並列共振点を有する回路で構成したものであ
る。
【0006】この構成によって、直流近傍の低周波にお
いて容量性である補償回路のインピーダンスが最初の直
列共振点を経て誘導性となり、第1の帯域においてダイ
オードの寄生容量をキャンセルすることができるととも
に、並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性と
なり、第2の帯域において再度ダイオードの寄生容量を
キャンセルすることができるため、簡単な構成で二つの
帯域で充分なOFF状態が得られる2周波スイッチを実
現することができる。
いて容量性である補償回路のインピーダンスが最初の直
列共振点を経て誘導性となり、第1の帯域においてダイ
オードの寄生容量をキャンセルすることができるととも
に、並列共振点から次の直列共振点を経て再び誘導性と
なり、第2の帯域において再度ダイオードの寄生容量を
キャンセルすることができるため、簡単な構成で二つの
帯域で充分なOFF状態が得られる2周波スイッチを実
現することができる。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、ダイオードとその補償回路との並列接続体からな
り、補償回路が少なくとも二つの直列共振点と一つの並
列共振点を有することを特徴とする2周波スイッチであ
り、ダイオードが非導通である時、直流近傍の低周波に
おいて容量性である補償回路のインピーダンスが最初の
直列共振点を経て誘導性となり、第1の帯域においてダ
イオードの寄生容量をキャンセルすることができるとと
もに、さらに並列共振点から次の直列共振点を経て再び
誘導性となり、第2の帯域において再度ダイオードの寄
生容量をキャンセルすることができるという作用を有す
る。
は、ダイオードとその補償回路との並列接続体からな
り、補償回路が少なくとも二つの直列共振点と一つの並
列共振点を有することを特徴とする2周波スイッチであ
り、ダイオードが非導通である時、直流近傍の低周波に
おいて容量性である補償回路のインピーダンスが最初の
直列共振点を経て誘導性となり、第1の帯域においてダ
イオードの寄生容量をキャンセルすることができるとと
もに、さらに並列共振点から次の直列共振点を経て再び
誘導性となり、第2の帯域において再度ダイオードの寄
生容量をキャンセルすることができるという作用を有す
る。
【0008】本発明の請求項2に記載の発明は、補償回
路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接続体に
より構成されたことを特徴とする請求項1記載の2周波
スイッチであり、この構成によって、直流近傍の低周波
で容量性である二つの直列共振点と一つの並列共振点を
有する補償回路を簡単な回路で構成することができると
いう作用を有する。
路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接続体に
より構成されたことを特徴とする請求項1記載の2周波
スイッチであり、この構成によって、直流近傍の低周波
で容量性である二つの直列共振点と一つの並列共振点を
有する補償回路を簡単な回路で構成することができると
いう作用を有する。
【0009】本発明の請求項3に記載の発明は、補償回
路が第1の直列共振回路と第2の直列共振回路からなる
並列接続体により構成されたことを特徴とする請求項1
記載の2周波スイッチであり、この構成により、直流近
傍の低周波で容量性である二つの直列共振点と一つの並
列共振点を有する補償回路を別の簡単な回路で構成する
ことができるという作用を有する。
路が第1の直列共振回路と第2の直列共振回路からなる
並列接続体により構成されたことを特徴とする請求項1
記載の2周波スイッチであり、この構成により、直流近
傍の低周波で容量性である二つの直列共振点と一つの並
列共振点を有する補償回路を別の簡単な回路で構成する
ことができるという作用を有する。
【0010】本発明の請求項4に記載の発明は、第1の
端子と第2の端子と共通端子を有し、第1の端子と共通
端子の間に接続された第1のダイオードと第1の補償回
路からなる第1の並列接続体と、共通端子と第2の端子
の間に接続された第2のダイードと第2の補償回路から
なる第2の並列接続体により構成されたことを特徴とす
る2周波スイッチであり、この構成により、第1のダイ
オードと第1の補償回路からなる第1の並列接続体によ
って第1の端子と共通端子との間にスイッチ(以下、第
1のスイッチ)が形成され、さらに第2のダイードと第
2の補償回路からなる第2の並列接続体によって共通端
子と第2の端子との間にスイッチ(以下、第2のスイッ
チ)が形成されるため、共通端子から第1の端子または
第2の端子への切り替えを行う、いわゆる単極双投スイ
ッチ(以下、SPDTスイッチ)を構成することができ
るという作用を有する。
端子と第2の端子と共通端子を有し、第1の端子と共通
端子の間に接続された第1のダイオードと第1の補償回
路からなる第1の並列接続体と、共通端子と第2の端子
の間に接続された第2のダイードと第2の補償回路から
なる第2の並列接続体により構成されたことを特徴とす
る2周波スイッチであり、この構成により、第1のダイ
オードと第1の補償回路からなる第1の並列接続体によ
って第1の端子と共通端子との間にスイッチ(以下、第
1のスイッチ)が形成され、さらに第2のダイードと第
2の補償回路からなる第2の並列接続体によって共通端
子と第2の端子との間にスイッチ(以下、第2のスイッ
チ)が形成されるため、共通端子から第1の端子または
第2の端子への切り替えを行う、いわゆる単極双投スイ
ッチ(以下、SPDTスイッチ)を構成することができ
るという作用を有する。
【0011】本発明の請求項5に記載の発明は、第1の
補償回路が少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共
振点を有することを特徴とする請求項4記載の2周波ス
イッチであり、この構成によって、第1のスイッチを簡
単な回路で実現することができるという作用を有する。
補償回路が少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共
振点を有することを特徴とする請求項4記載の2周波ス
イッチであり、この構成によって、第1のスイッチを簡
単な回路で実現することができるという作用を有する。
【0012】本発明の請求項6に記載の発明は、第1の
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項5記載の
2周波スイッチであり、この構成によって、第1の補償
回路を簡単な回路で構成することができるという作用を
有する。
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項5記載の
2周波スイッチであり、この構成によって、第1の補償
回路を簡単な回路で構成することができるという作用を
有する。
【0013】本発明の請求項7に記載の発明は、第1の
補償回路が第1の直列共振回路と第2の直列共振回路か
らなる並列接続体により構成されたことを特徴とする請
求項5記載の2周波スイッチであり、この構成により、
第1の補償回路を別の簡単な回路で構成することができ
るという作用を有する。
補償回路が第1の直列共振回路と第2の直列共振回路か
らなる並列接続体により構成されたことを特徴とする請
求項5記載の2周波スイッチであり、この構成により、
第1の補償回路を別の簡単な回路で構成することができ
るという作用を有する。
【0014】本発明の請求項8に記載の発明は、第2の
補償回路が少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共
振点を有することを特徴とする請求項4ないし7のいず
れかに記載の2周波スイッチであり、この構成によって
第2のスイッチを簡単な回路で構成できるとともに、第
1のスイッチがON状態である時は第2のスイッチにお
いて2周波で充分にOFF状態とすることができ、また
第2のスイッチがON状態である時は第1のスイッチに
おいて2周波で充分にOFF状態とすることができるた
め、切り替え特性が良好な2周波SPDTスイッチを実
現することができるという作用を有する。
補償回路が少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共
振点を有することを特徴とする請求項4ないし7のいず
れかに記載の2周波スイッチであり、この構成によって
第2のスイッチを簡単な回路で構成できるとともに、第
1のスイッチがON状態である時は第2のスイッチにお
いて2周波で充分にOFF状態とすることができ、また
第2のスイッチがON状態である時は第1のスイッチに
おいて2周波で充分にOFF状態とすることができるた
め、切り替え特性が良好な2周波SPDTスイッチを実
現することができるという作用を有する。
【0015】本発明の請求項9に記載の発明は、第2の
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項4ないし
8のいずれかに記載の2周波スイッチであり、この構成
によって、第2の補償回路を簡単な回路で構成すること
ができるという作用を有する。
補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列接
続体により構成されたことを特徴とする請求項4ないし
8のいずれかに記載の2周波スイッチであり、この構成
によって、第2の補償回路を簡単な回路で構成すること
ができるという作用を有する。
【0016】本発明の請求項10に記載の発明は、第2
の補償回路が第1の直列共振回路と第2の直列共振回路
からなる並列接続体により構成されたことを特徴とする
請求項4に記載の2周波スイッチであり、この構成によ
り、第2の補償回路を別の簡単な回路で構成することが
できるという作用を有する。
の補償回路が第1の直列共振回路と第2の直列共振回路
からなる並列接続体により構成されたことを特徴とする
請求項4に記載の2周波スイッチであり、この構成によ
り、第2の補償回路を別の簡単な回路で構成することが
できるという作用を有する。
【0017】本発明の請求項11に記載の発明は、第1
の端子と第2の端子と共通端子を有し、第1の端子と共
通端子の間に接続された第1のダイオードと第1の補償
回路からなる並列接続体と、共通端子と第2の端子の間
に接続された第1の移相回路と第2の移相回路からなる
第1の直列接続体と、第1の移相回路と第2の移相回路
との接続点とグランドとの間に接続された第2のダイオ
ードと第2の補償回路からなる第2の直列接続体と、第
2の端子とグランドとの間に接続された第3のダイオー
ドにより構成されたことを特徴とする2周波スイッチで
あり、この構成により、第1のダイオードと第1の補償
回路からなる並列接続体によって第1の端子と共通端子
との間に第1のスイッチが形成され、さらに第1の移相
回路と第2の移相回路と第2のダイオードおよび第2の
補償回路からなる直列接続体と第3のダイオードによっ
て共通端子と第2の端子との間に第2のスイッチが形成
されるため、共通端子から第1の端子または第2の端子
へ切り替えるSPDTスイッチを構成することができる
という作用を有する。
の端子と第2の端子と共通端子を有し、第1の端子と共
通端子の間に接続された第1のダイオードと第1の補償
回路からなる並列接続体と、共通端子と第2の端子の間
に接続された第1の移相回路と第2の移相回路からなる
第1の直列接続体と、第1の移相回路と第2の移相回路
との接続点とグランドとの間に接続された第2のダイオ
ードと第2の補償回路からなる第2の直列接続体と、第
2の端子とグランドとの間に接続された第3のダイオー
ドにより構成されたことを特徴とする2周波スイッチで
あり、この構成により、第1のダイオードと第1の補償
回路からなる並列接続体によって第1の端子と共通端子
との間に第1のスイッチが形成され、さらに第1の移相
回路と第2の移相回路と第2のダイオードおよび第2の
補償回路からなる直列接続体と第3のダイオードによっ
て共通端子と第2の端子との間に第2のスイッチが形成
されるため、共通端子から第1の端子または第2の端子
へ切り替えるSPDTスイッチを構成することができる
という作用を有する。
【0018】本発明の請求項12に記載の発明は、第1
の補償回路が少なくとも二つの直列共振点と一つの並列
共振点を有することを特徴とする請求項11記載の2周
波スイッチであり、この構成によって、第1のスイッチ
を簡単な回路で構成することができるという作用を有す
る。
の補償回路が少なくとも二つの直列共振点と一つの並列
共振点を有することを特徴とする請求項11記載の2周
波スイッチであり、この構成によって、第1のスイッチ
を簡単な回路で構成することができるという作用を有す
る。
【0019】本発明の請求項13に記載の発明は、第1
の補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列
接続体により構成されたことを特徴とする請求項11記
載の2周波スイッチであり、この構成によって、第1の
補償回路を簡単な回路で構成することができるという作
用を有する。
の補償回路が直列共振回路と並列共振回路からなる直列
接続体により構成されたことを特徴とする請求項11記
載の2周波スイッチであり、この構成によって、第1の
補償回路を簡単な回路で構成することができるという作
用を有する。
【0020】本発明の請求項14に記載の発明は、第1
の補償回路が第1の直列共振回路と第2の直列共振回路
からなる並列接続体により構成されたことを特徴とする
請求項11記載の2周波スイッチであり、この構成によ
り、第1の補償回路を別の簡単な回路で構成することが
できるという作用を有する。
の補償回路が第1の直列共振回路と第2の直列共振回路
からなる並列接続体により構成されたことを特徴とする
請求項11記載の2周波スイッチであり、この構成によ
り、第1の補償回路を別の簡単な回路で構成することが
できるという作用を有する。
【0021】本発明の請求項15に記載の発明は、第2
の補償回路が少なくとも一つの並列共振点を有すること
を特徴とする請求項11ないし14のいずれかに記載の
2周波スイッチであり、この構成によって補償回路は直
流電流の経路となるとともに、高周波では並列共振点を
へて容量性となり、導通時の第2のPINダイオードの
寄生インダクタンス分をキャンセルすることができると
いう作用を有する。
の補償回路が少なくとも一つの並列共振点を有すること
を特徴とする請求項11ないし14のいずれかに記載の
2周波スイッチであり、この構成によって補償回路は直
流電流の経路となるとともに、高周波では並列共振点を
へて容量性となり、導通時の第2のPINダイオードの
寄生インダクタンス分をキャンセルすることができると
いう作用を有する。
【0022】本発明の請求項16に記載の発明は、第1
の移相回路の位相が90°となる周波数において、導通
時の第2のダイオードの寄生インダクタンスと第2の補
償回路とが直列共振状態となることを特徴とする請求項
11ないし15のいずれかに記載の2周波スイッチであ
る。この構成によって、上記周波数において第2のダイ
オード導通時の寄生インダクタンス成分が補償回路によ
ってキャンセルされるため、共通端子から第1の移相回
路の90°位相を介して見たインピーダンスは充分に高
くなり、共通端子と第2の端子間において充分なスイッ
チOFF状態が得られるSPDTスイッチを実現するこ
とができるという作用を有する。
の移相回路の位相が90°となる周波数において、導通
時の第2のダイオードの寄生インダクタンスと第2の補
償回路とが直列共振状態となることを特徴とする請求項
11ないし15のいずれかに記載の2周波スイッチであ
る。この構成によって、上記周波数において第2のダイ
オード導通時の寄生インダクタンス成分が補償回路によ
ってキャンセルされるため、共通端子から第1の移相回
路の90°位相を介して見たインピーダンスは充分に高
くなり、共通端子と第2の端子間において充分なスイッ
チOFF状態が得られるSPDTスイッチを実現するこ
とができるという作用を有する。
【0023】本発明の請求項17に記載の発明は、第1
の移相回路の位相と第2の移相回路の位相の和が90°
となる周波数において、第2の補償回路が並列共振状態
となることを特徴とする請求項11ないし16のいずれ
かに記載の2周波スイッチである。この構成によって、
上記周波数において第2のダイオードの影響を無視する
ことができるため、共通端子から第1および第2の移相
回路の90°位相を介して見た第3のダイオード導通時
のインピーダンスは充分に高くなり、共通端子と第2の
端子間において充分なスイッチOFF状態が得られるS
PDTスイッチを実現することができる。
の移相回路の位相と第2の移相回路の位相の和が90°
となる周波数において、第2の補償回路が並列共振状態
となることを特徴とする請求項11ないし16のいずれ
かに記載の2周波スイッチである。この構成によって、
上記周波数において第2のダイオードの影響を無視する
ことができるため、共通端子から第1および第2の移相
回路の90°位相を介して見た第3のダイオード導通時
のインピーダンスは充分に高くなり、共通端子と第2の
端子間において充分なスイッチOFF状態が得られるS
PDTスイッチを実現することができる。
【0024】本発明の請求項18に記載の発明は、請求
項4ないし請求項17のいずれかに記載の2周波スイッ
チと、第1の送信側端子、第2の送信側端子および出力
端子を有する合成器と、第1の受信側端子、第2の受信
側端子および入力端子を有する分波器とからなり、前記
2周波スイッチの第1の端子に前記合成器の出力端子を
接続し、前記2周波スイッチの第2の端子に前記分波器
の入力端子を接続した2周波アンテナ共用器である。こ
の構成によって、送信時には第1の送信側端子から入力
した第1の帯域の送信信号を合成器から2周波スイッチ
の第1の端子を通して共通端子に出力し、また第2の送
信側端子から入力した第2の帯域の送信信号を合成器か
ら2周波スイッチの第1の端子を通して共通端子に出力
することができる。一方、受信時には共通端子から入力
された受信信号を2周波スイッチの第2の端子を通し、
分波器によって第1の帯域の信号成分を第1の受信側端
子へ、第2の帯域の信号成分を第2の受信側端子へ出力
することができる。この送受信の切り替えを2周波スイ
ッチにより行うことにより、二つの帯域で機能する2周
波アンテナ共用器を実現することができる。
項4ないし請求項17のいずれかに記載の2周波スイッ
チと、第1の送信側端子、第2の送信側端子および出力
端子を有する合成器と、第1の受信側端子、第2の受信
側端子および入力端子を有する分波器とからなり、前記
2周波スイッチの第1の端子に前記合成器の出力端子を
接続し、前記2周波スイッチの第2の端子に前記分波器
の入力端子を接続した2周波アンテナ共用器である。こ
の構成によって、送信時には第1の送信側端子から入力
した第1の帯域の送信信号を合成器から2周波スイッチ
の第1の端子を通して共通端子に出力し、また第2の送
信側端子から入力した第2の帯域の送信信号を合成器か
ら2周波スイッチの第1の端子を通して共通端子に出力
することができる。一方、受信時には共通端子から入力
された受信信号を2周波スイッチの第2の端子を通し、
分波器によって第1の帯域の信号成分を第1の受信側端
子へ、第2の帯域の信号成分を第2の受信側端子へ出力
することができる。この送受信の切り替えを2周波スイ
ッチにより行うことにより、二つの帯域で機能する2周
波アンテナ共用器を実現することができる。
【0025】本発明の請求項19に記載の発明は、合成
器が、第1の送信側端子と出力端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、第2の送信側端子と前記出力端
子との間に設けられた高域通過型フィルタとにより構成
された請求項18に記載の2周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって合成器を単純な回路で実現するこ
とができる。
器が、第1の送信側端子と出力端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、第2の送信側端子と前記出力端
子との間に設けられた高域通過型フィルタとにより構成
された請求項18に記載の2周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって合成器を単純な回路で実現するこ
とができる。
【0026】本発明の請求項20に記載の発明は、合成
器が、第1の送信側端子と出力端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、第2の送信側端子と前記出力端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタとにより構成
された請求項18に記載の2周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって、それぞれの経路においてそれぞ
れの送信信号の高調波成分を取り除く機能を付加するこ
とができる。
器が、第1の送信側端子と出力端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、第2の送信側端子と前記出力端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタとにより構成
された請求項18に記載の2周波アンテナ共用器であ
り、この構成によって、それぞれの経路においてそれぞ
れの送信信号の高調波成分を取り除く機能を付加するこ
とができる。
【0027】本発明の請求項21に記載の発明は、分波
器が、入力端子と第1の受信側端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、前記入力端子と第2の受信側端
子との間に設けられた高域通過型フィルタとにより構成
された請求項18ないし請求項20のいずれかに記載の
2周波アンテナ共用器であり、この構成によって分波器
を単純な回路で実現することができる。
器が、入力端子と第1の受信側端子との間に設けられた
低域通過型フィルタと、前記入力端子と第2の受信側端
子との間に設けられた高域通過型フィルタとにより構成
された請求項18ないし請求項20のいずれかに記載の
2周波アンテナ共用器であり、この構成によって分波器
を単純な回路で実現することができる。
【0028】本発明の請求項22に記載の発明は、分波
器が、入力端子と第1の受信側端子との間に設けられた
帯域通過型フィルタと、前記入力端子と第2の受信側端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタとにより構成
された請求項18ないし請求項20のいずれかに記載の
2周波アンテナ共用器であり、この構成によって、分波
器のそれぞれの経路に信号成分の高域側および低域側の
不要波を取り除く機能を付加することができる。
器が、入力端子と第1の受信側端子との間に設けられた
帯域通過型フィルタと、前記入力端子と第2の受信側端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタとにより構成
された請求項18ないし請求項20のいずれかに記載の
2周波アンテナ共用器であり、この構成によって、分波
器のそれぞれの経路に信号成分の高域側および低域側の
不要波を取り除く機能を付加することができる。
【0029】本発明の請求項23に記載の発明は、請求
項1または請求項4または請求項17のいずれかに記載
の2周波スイッチを高周波回路に用いたことを特徴とす
る2周波帯域用移動体通信機器であり、この構成によっ
て、二つの周波数帯域を利用できる移動体通信機器端末
の高周波回路を簡単に構成することができるという作用
を有する。
項1または請求項4または請求項17のいずれかに記載
の2周波スイッチを高周波回路に用いたことを特徴とす
る2周波帯域用移動体通信機器であり、この構成によっ
て、二つの周波数帯域を利用できる移動体通信機器端末
の高周波回路を簡単に構成することができるという作用
を有する。
【0030】以下、本発明の実施の形態について、図1
から図12を用いて説明する。(実施の形態1)図1は
本発明の実施の形態1における2周波スイッチを示す。
図1において、2周波スイッチはPINダイオード10
1とその補償回路102との並列接続体から構成され、
補償回路102は第1のコンデンサ103と第1のイン
ダクタ104からなる直列共振回路と、第2のコンデン
サ105と第2のインダクタ106からなる並列共振回
路の直列接続体で構成されている。
から図12を用いて説明する。(実施の形態1)図1は
本発明の実施の形態1における2周波スイッチを示す。
図1において、2周波スイッチはPINダイオード10
1とその補償回路102との並列接続体から構成され、
補償回路102は第1のコンデンサ103と第1のイン
ダクタ104からなる直列共振回路と、第2のコンデン
サ105と第2のインダクタ106からなる並列共振回
路の直列接続体で構成されている。
【0031】以上のように構成された2周波スイッチに
ついて、以下その動作を説明する。補償回路102は第
1のコンデンサ103の効果が支配的となる直流近傍の
低周波においては、そのインピーダンスが容量性を示
す。次に第1のインダクタ104、第2のコンデンサ1
05、および第2のインダクタ106の合成インピーダ
ンスと第1のコンデンサ103が形成する直列共振点を
経て補償回路102のインピーダンスは誘導性となり、
第1の帯域において非導通時のPINダイオード101
が持つ寄生容量をキャンセルし、スイッチは充分なOF
F状態となる。
ついて、以下その動作を説明する。補償回路102は第
1のコンデンサ103の効果が支配的となる直流近傍の
低周波においては、そのインピーダンスが容量性を示
す。次に第1のインダクタ104、第2のコンデンサ1
05、および第2のインダクタ106の合成インピーダ
ンスと第1のコンデンサ103が形成する直列共振点を
経て補償回路102のインピーダンスは誘導性となり、
第1の帯域において非導通時のPINダイオード101
が持つ寄生容量をキャンセルし、スイッチは充分なOF
F状態となる。
【0032】次に第2のコンデンサ105と第2のイン
ダクタ106が形成する並列共振点を経て補償回路10
2のインピーダンスは再び容量性となり、さらに第1の
コンデンサ103および第1のインダクタ104の合成
インピーダンスと並列共振回路が形成する直列共振点を
経て補償回路102のインピーダンスは再び誘導性とな
り、第2の帯域において非導通時のPINダイオード1
01が持つ寄生容量をキャンセルし、スイッチは再び充
分なOFF状態となる。
ダクタ106が形成する並列共振点を経て補償回路10
2のインピーダンスは再び容量性となり、さらに第1の
コンデンサ103および第1のインダクタ104の合成
インピーダンスと並列共振回路が形成する直列共振点を
経て補償回路102のインピーダンスは再び誘導性とな
り、第2の帯域において非導通時のPINダイオード1
01が持つ寄生容量をキャンセルし、スイッチは再び充
分なOFF状態となる。
【0033】なお、第1のコンデンサ103はPINダ
イオード101が導通してスイッチがON状態となった
際に、補償回路102の直流電流経路を遮断するための
いわゆる直流カット素子として作用する。
イオード101が導通してスイッチがON状態となった
際に、補償回路102の直流電流経路を遮断するための
いわゆる直流カット素子として作用する。
【0034】図2は本実施の形態における2周波スイッ
チのOFF時のリアクタンス特性を示した特性図であ
る。図中のX1は非導通時のPINダイオード101の
寄生容量によるリアクタンスであり、X2は補償回路1
02のリアクタンスである。寄生容量は、絶対値が等し
く極性が逆な回路を並列に接続することによりキャンセ
ルされるため、二つの直列共振点r1,r2と一つの並
列共振点a1とを有する補償回路102を並列に接続す
ることにより、図中の第1の帯域M1と第2の帯域M2
の2周波において寄生容量をキャンセルすることができ
る。
チのOFF時のリアクタンス特性を示した特性図であ
る。図中のX1は非導通時のPINダイオード101の
寄生容量によるリアクタンスであり、X2は補償回路1
02のリアクタンスである。寄生容量は、絶対値が等し
く極性が逆な回路を並列に接続することによりキャンセ
ルされるため、二つの直列共振点r1,r2と一つの並
列共振点a1とを有する補償回路102を並列に接続す
ることにより、図中の第1の帯域M1と第2の帯域M2
の2周波において寄生容量をキャンセルすることができ
る。
【0035】この2周波スイッチの伝送特性は図3のよ
うになる。すなわち、スイッチON時の挿入損失は全帯
域において0.5dB以下であり、スイッチOFF時の
アイソレーションは第1の帯域M1(890〜960M
Hz)および第2の帯域M2(1710〜1880MH
z)において25dB以上が得られる。
うになる。すなわち、スイッチON時の挿入損失は全帯
域において0.5dB以下であり、スイッチOFF時の
アイソレーションは第1の帯域M1(890〜960M
Hz)および第2の帯域M2(1710〜1880MH
z)において25dB以上が得られる。
【0036】以上のような構成により、本実施の形態は
二つの帯域で充分なOFF状態の得られる2周波スイッ
チとして作用する。
二つの帯域で充分なOFF状態の得られる2周波スイッ
チとして作用する。
【0037】なお、本実施の形態における補償回路10
2は直列共振回路と並列共振回路からなる直列接続体に
より構成されているが、これは図4に示すように二つの
直列共振回路からなる並列接続体で構成してもよい。す
なわち、二つの直列共振回路はそれぞれ第1のコンデン
サ403と第1のインダクタ404および第2のコンデ
ンサ405と第2のインダクタ406により構成され、
これらを並列に接続して補償回路102を形成してい
る。この回路は直流近傍の低周波で容量性で、かつ二つ
の直列共振点と一つの並列共振点を有する別の構成方法
を示している。
2は直列共振回路と並列共振回路からなる直列接続体に
より構成されているが、これは図4に示すように二つの
直列共振回路からなる並列接続体で構成してもよい。す
なわち、二つの直列共振回路はそれぞれ第1のコンデン
サ403と第1のインダクタ404および第2のコンデ
ンサ405と第2のインダクタ406により構成され、
これらを並列に接続して補償回路102を形成してい
る。この回路は直流近傍の低周波で容量性で、かつ二つ
の直列共振点と一つの並列共振点を有する別の構成方法
を示している。
【0038】図4の補償回路は図1の補償回路102を
変換して得られるものであるため、回路的には等価であ
る。従って、インピーダンス特性は図2と同じで、伝送
特性は図3と同じとなり、この構成でも二つの帯域M
1,M2で充分なOFF状態の得られる2周波スイッチ
を実現することができる。
変換して得られるものであるため、回路的には等価であ
る。従って、インピーダンス特性は図2と同じで、伝送
特性は図3と同じとなり、この構成でも二つの帯域M
1,M2で充分なOFF状態の得られる2周波スイッチ
を実現することができる。
【0039】なお、本実施の形態のようなスイッチにお
いてはPINダイオードを導通とするための抵抗、イン
ダクタ、およびバイパスコンデンサからなるバイアス回
路や、各端子の外部に直流電流が流れないようにするた
めの直流カットコンデンサが必要となるが、本発明はこ
れらの数値や構成の細部に限定されるものではない。
いてはPINダイオードを導通とするための抵抗、イン
ダクタ、およびバイパスコンデンサからなるバイアス回
路や、各端子の外部に直流電流が流れないようにするた
めの直流カットコンデンサが必要となるが、本発明はこ
れらの数値や構成の細部に限定されるものではない。
【0040】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の2周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成することができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の2周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成することができ、端末を小型で軽量にできる。
【0041】(実施の形態2)図5は本発明の実施の形
態2における2周波スイッチを示す。図5において、第
1の端子707と共通端子708の間に第1のPINダ
イオード701が接続され、第2の端子709と共通端
子708の間に第2のPINダイオード710が接続さ
れ、PINダイオードは共に共通端子708にカソード
が接続されている。また第1のコンデンサ703および
第1のインダクタ704で構成した直列共振回路と第2
のコンデンサ705および第2のインダクタ706で構
成した並列共振回路との直列接続体により第1の補償回
路702を構成し、これを第1のPINダイオード70
1に並列接続して第1のスイッチ717を構成してい
る。さらに、第3のコンデンサ712および第3のイン
ダクタ713で構成した直列共振回路と第4のコンデン
サ714および第4のインダクタ715で構成した並列
共振回路との直列接続体により第2の補償回路711を
構成し、これを第2のPINダイオード710に並列接
続して第2のスイッチ718を構成している。なお、共
通端子708とグランドとの間にチョークコイル716
が接続されている。
態2における2周波スイッチを示す。図5において、第
1の端子707と共通端子708の間に第1のPINダ
イオード701が接続され、第2の端子709と共通端
子708の間に第2のPINダイオード710が接続さ
れ、PINダイオードは共に共通端子708にカソード
が接続されている。また第1のコンデンサ703および
第1のインダクタ704で構成した直列共振回路と第2
のコンデンサ705および第2のインダクタ706で構
成した並列共振回路との直列接続体により第1の補償回
路702を構成し、これを第1のPINダイオード70
1に並列接続して第1のスイッチ717を構成してい
る。さらに、第3のコンデンサ712および第3のイン
ダクタ713で構成した直列共振回路と第4のコンデン
サ714および第4のインダクタ715で構成した並列
共振回路との直列接続体により第2の補償回路711を
構成し、これを第2のPINダイオード710に並列接
続して第2のスイッチ718を構成している。なお、共
通端子708とグランドとの間にチョークコイル716
が接続されている。
【0042】以上のように構成された2周波スイッチに
ついて、以下その動作を説明する。第1のスイッチ71
7および第2のスイッチ718は共に単体としての動作
は実施の形態1で説明した2周波スイッチと同じである
ので詳細な説明は省略する。
ついて、以下その動作を説明する。第1のスイッチ71
7および第2のスイッチ718は共に単体としての動作
は実施の形態1で説明した2周波スイッチと同じである
ので詳細な説明は省略する。
【0043】第1のスイッチ717に直流電流を流して
ON状態とすると、この時、第2のPINダイオード7
10は逆方向であり、第2の補償回路711は第3のコ
ンデンサ712が直流分をカットするため、直流電流は
すべてチョークコイル716に流れて第2のスイッチは
OFF状態となる。また、第2の補償回路711は、実
施の形態1で述べたように二つの帯域(M1,M2)で
第2のPINダイオード710の持つ寄生容量をキャン
セルするので、これらの帯域で共通端子708から第2
のスイッチ718を見たインピーダンは極めて高くな
る。この結果、上記二つの帯域において第1の端子70
7から入力された信号は共通端子708にのみ出力さ
れ、第2の端子709には出力されない。
ON状態とすると、この時、第2のPINダイオード7
10は逆方向であり、第2の補償回路711は第3のコ
ンデンサ712が直流分をカットするため、直流電流は
すべてチョークコイル716に流れて第2のスイッチは
OFF状態となる。また、第2の補償回路711は、実
施の形態1で述べたように二つの帯域(M1,M2)で
第2のPINダイオード710の持つ寄生容量をキャン
セルするので、これらの帯域で共通端子708から第2
のスイッチ718を見たインピーダンは極めて高くな
る。この結果、上記二つの帯域において第1の端子70
7から入力された信号は共通端子708にのみ出力さ
れ、第2の端子709には出力されない。
【0044】同様に第2のスイッチに直流電流を流して
ON状態とすると、この時、第1のPINダイオード7
01は逆方向であり、第1の補償回路702は第1のコ
ンデンサ703が直流分をカットするため、直流電流は
すべてチョークコイル716に流れて第1のスイッチ7
17はOFF状態となる。また第1の補償回路702は
二つの帯域(M1,M2)で第1のPINダイオード7
01の持つ寄生容量をキャンセルするので、これらの帯
域で共通端子708から第1のスイッチ717を見たイ
ンピーダンスは極めて高くなり、この結果、二つの帯域
において共通端子708から入力された信号は第2の端
子709にのみ出力され、第1の端子707には出力さ
れない。
ON状態とすると、この時、第1のPINダイオード7
01は逆方向であり、第1の補償回路702は第1のコ
ンデンサ703が直流分をカットするため、直流電流は
すべてチョークコイル716に流れて第1のスイッチ7
17はOFF状態となる。また第1の補償回路702は
二つの帯域(M1,M2)で第1のPINダイオード7
01の持つ寄生容量をキャンセルするので、これらの帯
域で共通端子708から第1のスイッチ717を見たイ
ンピーダンスは極めて高くなり、この結果、二つの帯域
において共通端子708から入力された信号は第2の端
子709にのみ出力され、第1の端子707には出力さ
れない。
【0045】以上のような構成により、本実施の形態に
よれば第1のスイッチ717および第2のスイッチ71
8をそれぞれ個別にON状態とすることにより、二つの
帯域(M1,M2)で動作する2周波SPDTスイッチ
を実現することができる。
よれば第1のスイッチ717および第2のスイッチ71
8をそれぞれ個別にON状態とすることにより、二つの
帯域(M1,M2)で動作する2周波SPDTスイッチ
を実現することができる。
【0046】図6は、この2周波SPDTスイッチの伝
送特性を示した特性図である。第1の端子707から共
通端子708への伝送特性は、第1のスイッチ717が
ONの場合に第1の帯域M1と第2の帯域M2において
挿入損失0.5dB以下となり、第1のスイッチ717
がOFFの場合には同じくM1,M2においてアイソレ
ーション25dB以上が得られる。共通端子708から
第2の端子709への伝送特性は、第2のスイッチ71
8がONの場合に第1の帯域M1と第2の帯域M2にお
いて挿入損失0.5dB以下となり、第2のスイッチ7
18がOFFの場合には同じくM1,M2においてアイ
ソレーション25dB以上が得られる。以上のように、
本実施の形態の構成とすることによって、良好な2周波
SPDTスイッチ特性が得られるものである。
送特性を示した特性図である。第1の端子707から共
通端子708への伝送特性は、第1のスイッチ717が
ONの場合に第1の帯域M1と第2の帯域M2において
挿入損失0.5dB以下となり、第1のスイッチ717
がOFFの場合には同じくM1,M2においてアイソレ
ーション25dB以上が得られる。共通端子708から
第2の端子709への伝送特性は、第2のスイッチ71
8がONの場合に第1の帯域M1と第2の帯域M2にお
いて挿入損失0.5dB以下となり、第2のスイッチ7
18がOFFの場合には同じくM1,M2においてアイ
ソレーション25dB以上が得られる。以上のように、
本実施の形態の構成とすることによって、良好な2周波
SPDTスイッチ特性が得られるものである。
【0047】なお、本実施の形態における第1のスイッ
チ717および第2のスイッチ718は図1に示す回路
で構成しているが、これは図4で示す回路で構成しても
よい。
チ717および第2のスイッチ718は図1に示す回路
で構成しているが、これは図4で示す回路で構成しても
よい。
【0048】また、本実施の形態のような2周波SPD
Tスイッチにおいては、PINダイオードを導通とする
ための抵抗、インダクタ、およびバイパスコンデンサか
らなるバイアス回路がスイッチ個別に必要であり、また
各端子の外部に直流電流が流れないようにするための直
流カットコンデンサが必要であるが、本発明はこれらの
数値や構成の細部に限定されるものではない。
Tスイッチにおいては、PINダイオードを導通とする
ための抵抗、インダクタ、およびバイパスコンデンサか
らなるバイアス回路がスイッチ個別に必要であり、また
各端子の外部に直流電流が流れないようにするための直
流カットコンデンサが必要であるが、本発明はこれらの
数値や構成の細部に限定されるものではない。
【0049】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の2周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成するすることができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の2周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成するすることができ、端末を小型で軽量にできる。
【0050】(実施の形態3)図7は本発明の実施の形
態3における2周波スイッチを示す。なお、図7に示す
本発明の実施の形態3の2周波スイッチにおいて、第1
のスイッチ827は図5に示した実施の形態2の第1の
スイッチ717と同じ構成であるので、同一部分には同
一番号を付して詳細な説明を省略する。
態3における2周波スイッチを示す。なお、図7に示す
本発明の実施の形態3の2周波スイッチにおいて、第1
のスイッチ827は図5に示した実施の形態2の第1の
スイッチ717と同じ構成であるので、同一部分には同
一番号を付して詳細な説明を省略する。
【0051】図7において、共通端子708には第1の
スイッチ827の一端が接続されるとともに、第3のコ
ンデンサ817の一端と第3のインダクタ818の一端
が接続され、第3のコンデンサ817の他端は接地され
ている。第3のインダクタ818の他端には第4のコン
デンサ819の一端と第4のインダクタ820の一端と
第2のPINダイオード822のアノードが接続され、
第4のコンデンサ819の他端は接地されている。第4
のインダクタ820の他端は第2の端子709となると
ともに、第5のコンデンサ821の一端と第3のPIN
ダイオード826のアノードが接続され、第5のコンデ
ンサ821の他端は接地されている。第2のPINダイ
オード822のカソードには第6のコンデンサ824と
第5のインダクタ825の並列共振回路からなる第2の
補償回路823の一端が接続され、第2の補償回路82
3の他端は接地されている。第3のPINダイオード8
26のカソードは接地されている。以上の構成により共
通端子708と第2の端子709の間の第2のスイッチ
828が形成される。
スイッチ827の一端が接続されるとともに、第3のコ
ンデンサ817の一端と第3のインダクタ818の一端
が接続され、第3のコンデンサ817の他端は接地され
ている。第3のインダクタ818の他端には第4のコン
デンサ819の一端と第4のインダクタ820の一端と
第2のPINダイオード822のアノードが接続され、
第4のコンデンサ819の他端は接地されている。第4
のインダクタ820の他端は第2の端子709となると
ともに、第5のコンデンサ821の一端と第3のPIN
ダイオード826のアノードが接続され、第5のコンデ
ンサ821の他端は接地されている。第2のPINダイ
オード822のカソードには第6のコンデンサ824と
第5のインダクタ825の並列共振回路からなる第2の
補償回路823の一端が接続され、第2の補償回路82
3の他端は接地されている。第3のPINダイオード8
26のカソードは接地されている。以上の構成により共
通端子708と第2の端子709の間の第2のスイッチ
828が形成される。
【0052】第3のコンデンサ817と第3のインダク
タ818と第4のコンデンサ819とは第1の移相回路
829を構成し、第4のコンデンサ819と第4のイン
ダクタ820と第5のコンデンサ821とは第2の移相
回路830を構成している。ここで、第1の移相回路8
29は第2の帯域(実施の形態2におけるM2)におい
て位相が略90°となるように設定されており、第1の
移相回路829の位相と第2の移相回路830の位相と
の和は第1の帯域(実施の形態2におけるM1)におい
て略90°となるように設定されている。
タ818と第4のコンデンサ819とは第1の移相回路
829を構成し、第4のコンデンサ819と第4のイン
ダクタ820と第5のコンデンサ821とは第2の移相
回路830を構成している。ここで、第1の移相回路8
29は第2の帯域(実施の形態2におけるM2)におい
て位相が略90°となるように設定されており、第1の
移相回路829の位相と第2の移相回路830の位相と
の和は第1の帯域(実施の形態2におけるM1)におい
て略90°となるように設定されている。
【0053】第2の補償回路823は、第1の帯域M1
において並列共振状態となり、第2の帯域M2において
導通時の第2のPINダイオード822との間で直列共
振状態となるように設定されている。
において並列共振状態となり、第2の帯域M2において
導通時の第2のPINダイオード822との間で直列共
振状態となるように設定されている。
【0054】以上のように構成された2周波スイッチに
ついて、以下その動作を説明する。第1のPINダイオ
ード701の順方向にバイアスを印加し直流電流を流す
と、第1のスイッチ827は実施の形態1で述べたよう
にON状態となる。このとき、直流電流は第2のPIN
ダイオード822と第3のPINダイオード826に流
れ込み、ともに導通状態とする。ここで第2の帯域M2
においては、導通状態の第2のPINダイオード822
と第2の補償回路823とが直列共振状態となり、さら
に第1の移相回路829の位相が90°回るため、共通
端子708から第2のスイッチ828側を見たインピー
ダンスは高インピーダンスとなる。一方第1の帯域M1
においては、第2の補償回路823が並列共振状態とな
るために第2のPINダイオード822は高周波的に無
視することができ、第1の移相回路829の位相と第2
の移相回路830の位相との和が90°となるため、共
通端子708から第2のスイッチ828側を見たインピ
ーダンスはやはり高インピーダンス状態となる。図8は
この時の共通端子708から第2のスイッチ828側を
見たインピーダンス特性を示したものである。図8にお
いて、マーカ1とマーカ2の間が第1の帯域M1(89
0〜960MHz)であり、マーカ3とマーカ4の間が
第2の帯域M2(1710〜1880MHz)である。
これら二つの帯域で高インピーダンス状態が得られ、第
1の端子707から共通端子708へ伝送される信号が
第2の端子709には出力されないことがわかる。この
結果、M1,M2の二つの帯域において第2のスイッチ
828は充分なOFF状態となる。
ついて、以下その動作を説明する。第1のPINダイオ
ード701の順方向にバイアスを印加し直流電流を流す
と、第1のスイッチ827は実施の形態1で述べたよう
にON状態となる。このとき、直流電流は第2のPIN
ダイオード822と第3のPINダイオード826に流
れ込み、ともに導通状態とする。ここで第2の帯域M2
においては、導通状態の第2のPINダイオード822
と第2の補償回路823とが直列共振状態となり、さら
に第1の移相回路829の位相が90°回るため、共通
端子708から第2のスイッチ828側を見たインピー
ダンスは高インピーダンスとなる。一方第1の帯域M1
においては、第2の補償回路823が並列共振状態とな
るために第2のPINダイオード822は高周波的に無
視することができ、第1の移相回路829の位相と第2
の移相回路830の位相との和が90°となるため、共
通端子708から第2のスイッチ828側を見たインピ
ーダンスはやはり高インピーダンス状態となる。図8は
この時の共通端子708から第2のスイッチ828側を
見たインピーダンス特性を示したものである。図8にお
いて、マーカ1とマーカ2の間が第1の帯域M1(89
0〜960MHz)であり、マーカ3とマーカ4の間が
第2の帯域M2(1710〜1880MHz)である。
これら二つの帯域で高インピーダンス状態が得られ、第
1の端子707から共通端子708へ伝送される信号が
第2の端子709には出力されないことがわかる。この
結果、M1,M2の二つの帯域において第2のスイッチ
828は充分なOFF状態となる。
【0055】次に図7において、バイアスを解除した場
合には、第1のスイッチ827は実施の形態1で述べた
ように第1の帯域M1および第2の帯域M2でOFF状
態となり、共通端子708から第1のスイッチ827側
を見たインピーダンスはこの二つの帯域において高イン
ピーダンスとなる。またこのとき、第2のPINダイオ
ード822と第3のPINダイオード826とはともに
非導通状態となり、第2のスイッチ828は第1の移相
回路829と第2の移相回路830のみの回路となるた
め、共通端子708からの信号はそのまま第2の端子7
09へ伝送される。この結果、第2のスイッチ828は
ON状態となる。
合には、第1のスイッチ827は実施の形態1で述べた
ように第1の帯域M1および第2の帯域M2でOFF状
態となり、共通端子708から第1のスイッチ827側
を見たインピーダンスはこの二つの帯域において高イン
ピーダンスとなる。またこのとき、第2のPINダイオ
ード822と第3のPINダイオード826とはともに
非導通状態となり、第2のスイッチ828は第1の移相
回路829と第2の移相回路830のみの回路となるた
め、共通端子708からの信号はそのまま第2の端子7
09へ伝送される。この結果、第2のスイッチ828は
ON状態となる。
【0056】図9は、この2周波SPDTスイッチの伝
送特性を示した特性図である。第1の端子707から共
通端子708への伝送特性は、バイアスONの場合に第
1の帯域M1と第2の帯域M2において挿入損失0.5
dB以下となり、バイアスOFFの場合には同じくM
1,M2においてアイソレーション25dB以上が得ら
れる。共通端子708から第2の端子709への伝送特
性は、バイアスOFFの場合に第1の帯域M1と第2の
帯域M2において挿入損失0.5dB以下となり、バイ
アスONの場合には同じくM1,M2においてアイソレ
ーション25dB以上が得られる。以上のように本実施
の形態の構成により、第1のPINダイオード701と
第2のPINダイオード822と第3のPINダイオー
ド826を同時に導通状態もしくは非導通状態とするこ
とにより、M1,M2の二つの帯域で動作する2周波S
PDTスイッチを実現することができる。この2周波S
PDTスイッチは、バイアス回路が一つでよく、また第
2のスイッチ828のON時には直流電流を供給しなく
てもよいため消費電流を小さく抑えることができるとい
う利点を有している。
送特性を示した特性図である。第1の端子707から共
通端子708への伝送特性は、バイアスONの場合に第
1の帯域M1と第2の帯域M2において挿入損失0.5
dB以下となり、バイアスOFFの場合には同じくM
1,M2においてアイソレーション25dB以上が得ら
れる。共通端子708から第2の端子709への伝送特
性は、バイアスOFFの場合に第1の帯域M1と第2の
帯域M2において挿入損失0.5dB以下となり、バイ
アスONの場合には同じくM1,M2においてアイソレ
ーション25dB以上が得られる。以上のように本実施
の形態の構成により、第1のPINダイオード701と
第2のPINダイオード822と第3のPINダイオー
ド826を同時に導通状態もしくは非導通状態とするこ
とにより、M1,M2の二つの帯域で動作する2周波S
PDTスイッチを実現することができる。この2周波S
PDTスイッチは、バイアス回路が一つでよく、また第
2のスイッチ828のON時には直流電流を供給しなく
てもよいため消費電流を小さく抑えることができるとい
う利点を有している。
【0057】なお、本実施の形態における第1のスイッ
チ827は図1に示す回路で構成しているが、これは図
4で示す回路で構成してもよい。
チ827は図1に示す回路で構成しているが、これは図
4で示す回路で構成してもよい。
【0058】また、本実施の形態における第1の移相回
路829および第2の移相回路830は集中定数素子の
コンデンサとインダクタで構成しているが、これは分布
定数素子の伝送線路で構成してもよい。この場合は素子
数の削減と共に、移相回路を理想的に構成することがで
きる効果がある。
路829および第2の移相回路830は集中定数素子の
コンデンサとインダクタで構成しているが、これは分布
定数素子の伝送線路で構成してもよい。この場合は素子
数の削減と共に、移相回路を理想的に構成することがで
きる効果がある。
【0059】また、本実施の形態における第3のPIN
ダイオード826のカソードは直接接地されているが、
これはコンデンサとインダクタで構成される並列共振回
路からなる補償回路を介して接地してもよい。この場合
は第3のPINダイオード826導通時に、第2の移相
回路830と第3のPINダイオード826の接続点を
充分な低インピーダンス状態とすることができる効果が
ある。
ダイオード826のカソードは直接接地されているが、
これはコンデンサとインダクタで構成される並列共振回
路からなる補償回路を介して接地してもよい。この場合
は第3のPINダイオード826導通時に、第2の移相
回路830と第3のPINダイオード826の接続点を
充分な低インピーダンス状態とすることができる効果が
ある。
【0060】なお、本実施の形態のような2周波SPD
Tスイッチにおいては、PINダイオードをON状態と
するための抵抗、インダクタ、およびバイパスコンデン
サからなるバイアス回路が必要であり、また各端子の外
部に直流電流が流れないようにするための直流カットコ
ンデンサが必要であるが、本発明はこれらの数値や構成
の細部に限定されるものではない。
Tスイッチにおいては、PINダイオードをON状態と
するための抵抗、インダクタ、およびバイパスコンデン
サからなるバイアス回路が必要であり、また各端子の外
部に直流電流が流れないようにするための直流カットコ
ンデンサが必要であるが、本発明はこれらの数値や構成
の細部に限定されるものではない。
【0061】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の2周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成することができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の2周波スイッチを用いるこ
とにより、端末の高周波スイッチ回路を簡単な回路で構
成することができ、端末を小型で軽量にできる。
【0062】(実施の形態4)図10は本発明の実施の
形態4における2周波アンテナ共用器である。なお、図
10に示す本発明の実施の形態4の2周波アンテナ共用
器の2周波スイッチ900は図7に示した実施の形態3
の2周波スイッチと同じ構成であるので、詳細な回路図
および説明は省略する。
形態4における2周波アンテナ共用器である。なお、図
10に示す本発明の実施の形態4の2周波アンテナ共用
器の2周波スイッチ900は図7に示した実施の形態3
の2周波スイッチと同じ構成であるので、詳細な回路図
および説明は省略する。
【0063】図10の2周波アンテナ共用器において、
2周波スイッチ900の第1の端子707には合成器9
01の出力端子902が直流カットコンデンサ911を
介して接続され、また第2の端子709には第2の分波
器905の入力端子906が直流カットコンデンサ91
2を介して接続されている。さらに、2周波スイッチ9
00に制御信号を入力するための制御端子909および
バイアス回路910を付与して2周波アンテナ共用器を
構成している。合成器901は、第1の送信側端子90
3から入力された第1の帯域M1の送信信号を出力端子
902へ伝送するとともに、第2の送信側端子904か
ら入力された第2の帯域M2の送信信号を同じく出力端
子902へ伝送する機能を有するものである。一方の分
波器905は、入力端子906から入力された第1の帯
域M1の受信信号を第1の受信側端子907へ伝送する
とともに、同じく入力端子906から入力された第2の
帯域M2の受信信号を第2の受信側端子908へ伝送す
る機能を有している。
2周波スイッチ900の第1の端子707には合成器9
01の出力端子902が直流カットコンデンサ911を
介して接続され、また第2の端子709には第2の分波
器905の入力端子906が直流カットコンデンサ91
2を介して接続されている。さらに、2周波スイッチ9
00に制御信号を入力するための制御端子909および
バイアス回路910を付与して2周波アンテナ共用器を
構成している。合成器901は、第1の送信側端子90
3から入力された第1の帯域M1の送信信号を出力端子
902へ伝送するとともに、第2の送信側端子904か
ら入力された第2の帯域M2の送信信号を同じく出力端
子902へ伝送する機能を有するものである。一方の分
波器905は、入力端子906から入力された第1の帯
域M1の受信信号を第1の受信側端子907へ伝送する
とともに、同じく入力端子906から入力された第2の
帯域M2の受信信号を第2の受信側端子908へ伝送す
る機能を有している。
【0064】合成器901において、第1の送信側端子
903から出力端子902への経路は、第1の帯域M1
を通過し第2の帯域M2を阻止すべく4素子の梯子型低
域通過型フィルタとなっており、第2の送信側端子90
4から出力端子902への経路は、第1の帯域M1を阻
止し第2の帯域M2を通過すべく4素子の梯子型高域通
過型フィルタとなっている。この構成により、第1の送
信側端子903から入力された第1の帯域M1の送信信
号は第2の送信側端子904にもれることなく出力端子
902へ伝送され、一方第2の送信側端子904から入
力された第2の帯域M2の送信信号は第1の送信側端子
903にもれることなく出力端子902へ伝送される。
903から出力端子902への経路は、第1の帯域M1
を通過し第2の帯域M2を阻止すべく4素子の梯子型低
域通過型フィルタとなっており、第2の送信側端子90
4から出力端子902への経路は、第1の帯域M1を阻
止し第2の帯域M2を通過すべく4素子の梯子型高域通
過型フィルタとなっている。この構成により、第1の送
信側端子903から入力された第1の帯域M1の送信信
号は第2の送信側端子904にもれることなく出力端子
902へ伝送され、一方第2の送信側端子904から入
力された第2の帯域M2の送信信号は第1の送信側端子
903にもれることなく出力端子902へ伝送される。
【0065】分波器905は合成器901を逆方向に用
いればよく、構成は全く同じである。これによって入力
端子906から入力された受信信号は、第1の帯域M1
の成分が第1の受信側端子907へ、第2の帯域M2の
成分が第2の受信側端子908へ分波され、いずれも他
へもれることはない。
いればよく、構成は全く同じである。これによって入力
端子906から入力された受信信号は、第1の帯域M1
の成分が第1の受信側端子907へ、第2の帯域M2の
成分が第2の受信側端子908へ分波され、いずれも他
へもれることはない。
【0066】上記構成の2周波アンテナ共用器の動作に
ついて説明する。送信時には制御端子909にバイアス
を印加して2周波スイッチ900の第1の端子707と
共通端子708との間をON状態とする。これにより、
第1の送信側端子903から入力した第1の帯域M1の
送信信号は合成器901から2周波スイッチ900の第
1の端子707を通して共通端子708に出力され、ま
た第2の送信側端子904から入力した第2の帯域M2
の送信信号も合成器901から2周波スイッチ900の
第1の端子707を通して共通端子708に出力される
(共通端子708は通常、通信機器のアンテナに接続さ
れる)。この際、合成器901の機能によりそれぞれの
帯域の送信信号が他方の送信側端子へ信号がもれること
はなく、また2周波スイッチ900の機能により第1の
受信側端子907および第2の受信側端子908へもれ
ることもない。次に受信時には制御端子909のバイア
スを解除して共通端子708と2周波スイッチ900の
第2の端子709との間をON状態とする。これによ
り、共通端子708から入力された受信信号は2周波ス
イッチ900の第2の端子709を通し、分波器905
によって第1の帯域M1の信号成分は第1の受信側端子
907へ、第2の帯域M2の信号成分は第2の受信側端
子908へ出力することができる。この際、分波器90
7の機能によりそれぞれの帯域の受信信号は他方の受信
側端子へもれることはなく、また2周波スイッチ900
の機能により第1の送信側端子903および第2の送信
側端子904へもれることもない。
ついて説明する。送信時には制御端子909にバイアス
を印加して2周波スイッチ900の第1の端子707と
共通端子708との間をON状態とする。これにより、
第1の送信側端子903から入力した第1の帯域M1の
送信信号は合成器901から2周波スイッチ900の第
1の端子707を通して共通端子708に出力され、ま
た第2の送信側端子904から入力した第2の帯域M2
の送信信号も合成器901から2周波スイッチ900の
第1の端子707を通して共通端子708に出力される
(共通端子708は通常、通信機器のアンテナに接続さ
れる)。この際、合成器901の機能によりそれぞれの
帯域の送信信号が他方の送信側端子へ信号がもれること
はなく、また2周波スイッチ900の機能により第1の
受信側端子907および第2の受信側端子908へもれ
ることもない。次に受信時には制御端子909のバイア
スを解除して共通端子708と2周波スイッチ900の
第2の端子709との間をON状態とする。これによ
り、共通端子708から入力された受信信号は2周波ス
イッチ900の第2の端子709を通し、分波器905
によって第1の帯域M1の信号成分は第1の受信側端子
907へ、第2の帯域M2の信号成分は第2の受信側端
子908へ出力することができる。この際、分波器90
7の機能によりそれぞれの帯域の受信信号は他方の受信
側端子へもれることはなく、また2周波スイッチ900
の機能により第1の送信側端子903および第2の送信
側端子904へもれることもない。
【0067】図11および図12は、この2周波アンテ
ナ共用器の通過特性を示した特性図である。第1の帯域
M1は890〜960MHzに、第2の帯域M2は17
10〜1880MHzに設定されている。図11(a)
に示す如く、第1の送信側端子903から共通端子70
8への伝送特性は、送信時に第1の帯域M1で挿入損失
1dB以下、第2の帯域で減衰量25dB以上が得られ
ており、第1の帯域M1の送信信号が共通端子708に
伝送されるようになっている。また、受信時にはいずれ
の帯域においても25dB以上のアイソレーションが得
られている。一方、第2の送信側端子904から共通端
子708への伝送特性は、図11(b)に示す如く、送
信時に第1の帯域M1で減衰量25dB以上、第2の帯
域M2で挿入損失1dB以下となっており、第2の帯域
M2の送信信号が共通端子708に伝送されるようにな
っている。受信時のアイソレーションはいずれの帯域に
おいても25dB以上である。次に、共通端子708か
ら第1の受信側端子907への伝送特性は、図12
(a)に示す如く、受信時に第1の帯域M1で挿入損失
1dB以下、第2の帯域M2で減衰量25dB以上とな
っており、共通端子708から入力された第1の帯域M
1の受信信号が第1の受信側端子907に伝送されるよ
うになっている。また、送信時にはいずれの帯域におい
ても25dB以上のアイソレーションが得られている。
最後に、共通端子708から第2の受信側端子908へ
の伝送特性は、図12(b)に示す如く、受信時に第1
の帯域M1で減衰量25dB以上、第2の帯域M2で挿
入損失1dB以下となっており、共通端子708から入
力された第2の帯域M2の受信信号が第2の受信側端子
908に伝送されるようになっている。また、送信時に
はいずれの帯域においても25dB以上のアイソレーシ
ョンが得られている。以上のように、本発明の2周波ア
ンテナ共用器は、第1の帯域M1のシステムと第2の帯
域M2のシステムとを扱う複合システム対応の携帯端末
用アンテナ共用器として適した特性を有している。
ナ共用器の通過特性を示した特性図である。第1の帯域
M1は890〜960MHzに、第2の帯域M2は17
10〜1880MHzに設定されている。図11(a)
に示す如く、第1の送信側端子903から共通端子70
8への伝送特性は、送信時に第1の帯域M1で挿入損失
1dB以下、第2の帯域で減衰量25dB以上が得られ
ており、第1の帯域M1の送信信号が共通端子708に
伝送されるようになっている。また、受信時にはいずれ
の帯域においても25dB以上のアイソレーションが得
られている。一方、第2の送信側端子904から共通端
子708への伝送特性は、図11(b)に示す如く、送
信時に第1の帯域M1で減衰量25dB以上、第2の帯
域M2で挿入損失1dB以下となっており、第2の帯域
M2の送信信号が共通端子708に伝送されるようにな
っている。受信時のアイソレーションはいずれの帯域に
おいても25dB以上である。次に、共通端子708か
ら第1の受信側端子907への伝送特性は、図12
(a)に示す如く、受信時に第1の帯域M1で挿入損失
1dB以下、第2の帯域M2で減衰量25dB以上とな
っており、共通端子708から入力された第1の帯域M
1の受信信号が第1の受信側端子907に伝送されるよ
うになっている。また、送信時にはいずれの帯域におい
ても25dB以上のアイソレーションが得られている。
最後に、共通端子708から第2の受信側端子908へ
の伝送特性は、図12(b)に示す如く、受信時に第1
の帯域M1で減衰量25dB以上、第2の帯域M2で挿
入損失1dB以下となっており、共通端子708から入
力された第2の帯域M2の受信信号が第2の受信側端子
908に伝送されるようになっている。また、送信時に
はいずれの帯域においても25dB以上のアイソレーシ
ョンが得られている。以上のように、本発明の2周波ア
ンテナ共用器は、第1の帯域M1のシステムと第2の帯
域M2のシステムとを扱う複合システム対応の携帯端末
用アンテナ共用器として適した特性を有している。
【0068】なお本実施の形態において、合成器90
1、分波器905ともに低域通過型フィルタと高域通過
型フィルタとの複合回路で構成したが、不要な周波数成
分を取り除くためにそれらの一部または全部を帯域通過
型フィルタで構成してもよい。たとえば送信側では信号
成分の高調波が問題となる場合が多いが高域通過フィル
タではこれを取り除くことはできない。このためこれを
帯域通過型フィルタとして合成器を構成してもよい。一
方受信側では、高調波成分以外に周波数変換時のローカ
ル周波数やイメージ周波数等を取り除く必要があるた
め、分波器を帯域通過型フィルタと帯域通過型フィルタ
との複合回路で構成して信号成分の高域および低域の不
要波を除去してもよい。
1、分波器905ともに低域通過型フィルタと高域通過
型フィルタとの複合回路で構成したが、不要な周波数成
分を取り除くためにそれらの一部または全部を帯域通過
型フィルタで構成してもよい。たとえば送信側では信号
成分の高調波が問題となる場合が多いが高域通過フィル
タではこれを取り除くことはできない。このためこれを
帯域通過型フィルタとして合成器を構成してもよい。一
方受信側では、高調波成分以外に周波数変換時のローカ
ル周波数やイメージ周波数等を取り除く必要があるた
め、分波器を帯域通過型フィルタと帯域通過型フィルタ
との複合回路で構成して信号成分の高域および低域の不
要波を除去してもよい。
【0069】さらに本実施の形態において、2周波スイ
ッチ900として実施の形態3の構成を用いたが、それ
以外にも実施の形態2の構成を用いてもかまわない。こ
の場合制御端子およびバイアス回路がそれぞれ2つ必要
となり、常にいずれか一方にバイアスがかかるため消費
電流が大きくなるが、使用するPINダイオードは2個
でよく簡素な回路構成とすることができる。
ッチ900として実施の形態3の構成を用いたが、それ
以外にも実施の形態2の構成を用いてもかまわない。こ
の場合制御端子およびバイアス回路がそれぞれ2つ必要
となり、常にいずれか一方にバイアスがかかるため消費
電流が大きくなるが、使用するPINダイオードは2個
でよく簡素な回路構成とすることができる。
【0070】また二つの周波数帯域を使用できる携帯電
話機端末において、本発明の2周波アンテナ共用器を用
いることにより、端末のアンテナ共用器を簡単な回路で
構成することができ、端末を小型で軽量にできる。
話機端末において、本発明の2周波アンテナ共用器を用
いることにより、端末のアンテナ共用器を簡単な回路で
構成することができ、端末を小型で軽量にできる。
【0071】
【発明の効果】以上のように本発明には、ダイオードと
その補償回路との並列接続体からなり、前記補償回路が
少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共振点を有す
る回路で構成した2周波スイッチとするものである。こ
の構成によって、直流近傍の低周波において容量性であ
る補償回路のインピーダンスが最初の直列共振点を経て
誘導性となり、第1の帯域においてダイオードの寄生容
量をキャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振
点を経て再び誘導性となって第2の帯域において再度P
INダイオードの寄生容量をキャンセルすることができ
るため、二つの帯域で充分なOFF状態が得られる2周
波スイッチを一つのPINダイオードで構成することが
でき、小型で安価な2周波スイッチを実現することがで
きる。
その補償回路との並列接続体からなり、前記補償回路が
少なくとも二つの直列共振点と一つの並列共振点を有す
る回路で構成した2周波スイッチとするものである。こ
の構成によって、直流近傍の低周波において容量性であ
る補償回路のインピーダンスが最初の直列共振点を経て
誘導性となり、第1の帯域においてダイオードの寄生容
量をキャンセルし、さらに並列共振点から次の直列共振
点を経て再び誘導性となって第2の帯域において再度P
INダイオードの寄生容量をキャンセルすることができ
るため、二つの帯域で充分なOFF状態が得られる2周
波スイッチを一つのPINダイオードで構成することが
でき、小型で安価な2周波スイッチを実現することがで
きる。
【図1】本発明の実施の形態1における2周波スイッチ
の回路図
の回路図
【図2】同2周波スイッチのOFF時のリアクタンスの
周波数特性を示す図
周波数特性を示す図
【図3】同2周波スイッチの伝送特性を示す図
【図4】本発明の実施の形態1における2周波スイッチ
の別の構成例を示す回路図
の別の構成例を示す回路図
【図5】本発明の実施の形態2における2周波スイッチ
の回路図
の回路図
【図6】同2周波スイッチの伝送特性を示す図
【図7】本発明の実施の形態3における2周波スイッチ
の回路図
の回路図
【図8】同2周波スイッチの第2のスイッチOFF時の
インピーダンス特性を示す図
インピーダンス特性を示す図
【図9】同2周波スイッチの伝送特性を示す図
【図10】本発明の実施の形態4における2周波アンテ
ナ共用器の回路図
ナ共用器の回路図
【図11】同2周波アンテナ共用器の送信側の伝送特性
を示す図
を示す図
【図12】同2周波アンテナ共用器の受信側の伝送特性
を示す図
を示す図
【図13】従来の高周波スイッチの回路図
101 PINダイオード 102 補償回路 103 第1のコンデンサ 104 第1のインダクタ 105 第2のコンデンサ 106 第2のインダクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤川 誠 京都府京田辺市大住浜55−12 松下日東電 器株式会社内
Claims (23)
- 【請求項1】 ダイオードとその補償回路との並列接続
体からなり、前記補償回路が少なくとも二つの直列共振
点と一つの並列共振点を有することを特徴とする2周波
スイッチ。 - 【請求項2】 補償回路が直列共振回路と並列共振回路
からなる直列接続体により構成されたことを特徴とする
請求項1記載の2周波スイッチ。 - 【請求項3】 補償回路が第1の直列共振回路と第2の
直列共振回路からなる並列接続体により構成されたこと
を特徴とする請求項1記載の2周波スイッチ。 - 【請求項4】 第1の端子と第2の端子と共通端子を有
し、第1の端子と共通端子の間に接続された第1のダイ
オードと第1の補償回路からなる第1の並列接続体と、
共通端子と第2の端子の間に接続された第2のダイード
と第2の補償回路からなる第2の並列接続体により構成
されたことを特徴とする2周波スイッチ。 - 【請求項5】 第1の補償回路が少なくとも二つの直列
共振点と一つの並列共振点を有することを特徴とする請
求項4記載の2周波スイッチ。 - 【請求項6】 第1の補償回路が直列共振回路と並列共
振回路からなる直列接続体により構成されたことを特徴
とする請求項5記載の2周波スイッチ。 - 【請求項7】 第1の補償回路が第1の直列共振回路と
第2の直列共振回路からなる並列接続体により構成され
たことを特徴とする請求項5記載の2周波スイッチ。 - 【請求項8】 第2の補償回路が少なくとも二つの直列
共振点と一つの並列共振点を有することを特徴とする請
求項4に記載の2周波スイッチ。 - 【請求項9】 第2の補償回路が直列共振回路と並列共
振回路からなる直列接続体により構成されたことを特徴
とする請求項4に記載の2周波スイッチ。 - 【請求項10】 第2の補償回路が第1の直列共振回路
と第2の直列共振回路からなる並列接続体により構成さ
れたことを特徴とする請求項4に記載の2周波スイッ
チ。 - 【請求項11】 第1の端子と第2の端子と共通端子を
有し、第1の端子と共通端子の間に接続された第1のダ
イオードと第1の補償回路からなる並列接続体と、共通
端子と第2の端子の間に接続された第1の移相回路と第
2の移相回路からなる第1の直列接続体と、第1の移相
回路と第2の移相回路との接続点とグランドとの間に接
続された第2のダイオードと第2の補償回路からなる第
2の直列接続体と、第2の端子とグランドとの間に接続
された第3のダイオードにより構成されたことを特徴と
する2周波スイッチ。 - 【請求項12】 第1の補償回路が少なくとも二つの直
列共振点と一つの並列共振点を有することを特徴とする
請求項11記載の2周波スイッチ。 - 【請求項13】 第1の補償回路が直列共振回路と並列
共振回路からなる直列接続体により構成されたことを特
徴とする請求項11記載の2周波スイッチ。 - 【請求項14】 第1の補償回路が第1の直列共振回路
と第2の直列共振回路からなる並列接続体により構成さ
れたことを特徴とする請求項11記載の2周波スイッ
チ。 - 【請求項15】 第2の補償回路が少なくとも一つの並
列共振点を有することを特徴とする請求項11に記載の
2周波スイッチ。 - 【請求項16】 第1の移相回路の位相が90°となる
周波数において、導通時の第2のダイオードの寄生イン
ダクタンスと第2の補償回路とが直列共振状態となるこ
とを特徴とする請求項11に記載の2周波スイッチ。 - 【請求項17】 第1の移相回路の位相と第2の移相回
路の位相との和が90°となる周波数において、第2の
補償回路が並列共振状態となることを特徴とする請求項
11に記載の2周波スイッチ。 - 【請求項18】 請求項4ないし請求項17のいずれか
に記載の2周波スイッチと、第1の送信側端子、第2の
送信側端子および出力端子を有する合成器と、第1の受
信側端子、第2の受信側端子および入力端子を有する分
波器とからなり、前記2周波スイッチの第1の端子に前
記合成器の出力端子を接続し、前記2周波スイッチの第
2の端子に前記分波器の入力端子を接続した2周波アン
テナ共用器。 - 【請求項19】 合成器が、第1の送信側端子と出力端
子との間に設けられた低域通過型フィルタと、第2の送
信側端子と前記出力端子との間に設けられた高域通過型
フィルタとにより構成された請求項18に記載の2周波
アンテナ共用器。 - 【請求項20】 合成器が、第1の送信側端子と出力端
子との間に設けられた低域通過型フィルタと、第2の送
信側端子と前記出力端子との間に設けられた帯域通過型
フィルタとにより構成された請求項18に記載の2周波
アンテナ共用器。 - 【請求項21】 分波器が、入力端子と第1の受信側端
子との間に設けられた低域通過型フィルタと、前記入力
端子と第2の受信側端子との間に設けられた高域通過型
フィルタとにより構成された請求項18に記載の2周波
アンテナ共用器。 - 【請求項22】 分波器が、入力端子と第1の受信側端
子との間に設けられた帯域通過型フィルタと、前記入力
端子と第2の受信側端子との間に設けられた帯域通過型
フィルタとにより構成された請求項18に記載の2周波
アンテナ共用器。 - 【請求項23】 請求項1または請求項4または請求項
11に記載の2周波スイッチを高周波回路に用いたこと
を特徴とする2周波帯域用移動体通信機器。
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US09/242,139 US6496083B1 (en) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Diode compensation circuit including two series and one parallel resonance points |
EP98923080A EP0928038B1 (en) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Two-frequency switch, device using two-frequency antenna in common, and mobile radio communication equipment for two-frequency bands using the device |
CNB988005883A CN100386917C (zh) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | 双频带开关 |
DE69835937T DE69835937T2 (de) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Zweifrequenzschalter, anordnung mit gemeinsamer zweifrequenzantenne und mobile zweifrequenz-funkübertragungsausrüstung damit |
PCT/JP1998/002428 WO1998056060A1 (fr) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Commutateur a deux frequences, dispositif utilisant une antenne a deux frequences commune, et equipement de radiocommunication mobile pour deux bandes de frequence, utilisant ledit dispositif |
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WO (1) | WO1998056060A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6329886B1 (en) | 1998-05-12 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Impedance-matching method and circuit at different frequences |
JP2002290269A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 複合高周波部品及びこれを用いた情報端末装置 |
US6542021B2 (en) | 2000-01-20 | 2003-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency switch and communication apparatus with a high frequency voltage divider |
JP2005102139A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-04-14 | Yazaki Corp | 高周波スイッチ回路、これを用いた車載通信システム及び高周波スイッチ回路の帯域幅調整方法 |
KR100609585B1 (ko) | 2004-08-31 | 2006-08-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 다중대역 핀 다이오드 스위치 회로 |
KR100670215B1 (ko) | 2004-08-20 | 2007-01-16 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 다이오드 믹서 |
WO2007029624A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子回路、分周器及び無線機 |
JP2007120947A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Yokogawa Electric Corp | サンプラー |
US7388453B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-06-17 | Tdk Corporation | High frequency module |
CN100442658C (zh) * | 2002-05-01 | 2008-12-10 | Nxp股份有限公司 | 具有双频带天线装置的无线终端、rf模块及系统 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100437293B1 (ko) | 1999-09-21 | 2004-06-25 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 고분자 전해질형 연료전지 및 그 제조방법 |
DE60028937T2 (de) * | 1999-12-14 | 2006-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Hochfrequenz zusammengesetzter schaltergauelement |
JP3707351B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2005-10-19 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及びそれを用いた無線機器 |
US6650199B2 (en) * | 2001-10-15 | 2003-11-18 | Zenith Electronics Corporation | RF A/B switch with substantial isolation |
ATE370553T1 (de) * | 2003-08-15 | 2007-09-15 | Tdk Corp | Antennenumschaltungsvorrichtung |
CN1293776C (zh) * | 2004-01-06 | 2007-01-03 | 英华达(南京)科技有限公司 | 低功率与高功率系统同时在双频手机上待机接收的方法 |
JP2005303940A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナスイッチ回路、ならびにそれを用いた複合高周波部品および移動体通信機器 |
US7880683B2 (en) | 2004-08-18 | 2011-02-01 | Ruckus Wireless, Inc. | Antennas with polarization diversity |
US7696946B2 (en) | 2004-08-18 | 2010-04-13 | Ruckus Wireless, Inc. | Reducing stray capacitance in antenna element switching |
US8031129B2 (en) | 2004-08-18 | 2011-10-04 | Ruckus Wireless, Inc. | Dual band dual polarization antenna array |
US7193562B2 (en) | 2004-11-22 | 2007-03-20 | Ruckus Wireless, Inc. | Circuit board having a peripheral antenna apparatus with selectable antenna elements |
US7362280B2 (en) | 2004-08-18 | 2008-04-22 | Ruckus Wireless, Inc. | System and method for a minimized antenna apparatus with selectable elements |
US7965252B2 (en) | 2004-08-18 | 2011-06-21 | Ruckus Wireless, Inc. | Dual polarization antenna array with increased wireless coverage |
US7292198B2 (en) | 2004-08-18 | 2007-11-06 | Ruckus Wireless, Inc. | System and method for an omnidirectional planar antenna apparatus with selectable elements |
US7498996B2 (en) | 2004-08-18 | 2009-03-03 | Ruckus Wireless, Inc. | Antennas with polarization diversity |
US7652632B2 (en) | 2004-08-18 | 2010-01-26 | Ruckus Wireless, Inc. | Multiband omnidirectional planar antenna apparatus with selectable elements |
CN1934750B (zh) | 2004-11-22 | 2012-07-18 | 鲁库斯无线公司 | 包括具有可选择天线元件的外围天线装置的电路板 |
US7358912B1 (en) | 2005-06-24 | 2008-04-15 | Ruckus Wireless, Inc. | Coverage antenna apparatus with selectable horizontal and vertical polarization elements |
US7893882B2 (en) | 2007-01-08 | 2011-02-22 | Ruckus Wireless, Inc. | Pattern shaping of RF emission patterns |
US7646343B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-01-12 | Ruckus Wireless, Inc. | Multiple-input multiple-output wireless antennas |
US7639106B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-12-29 | Ruckus Wireless, Inc. | PIN diode network for multiband RF coupling |
US7602159B2 (en) * | 2007-02-26 | 2009-10-13 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Common mode noise reduction using parasitic capacitance cancellation |
US7642880B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-01-05 | Nokia Corporation | Switch arrangement |
US8217843B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-07-10 | Ruckus Wireless, Inc. | Adjustment of radiation patterns utilizing a position sensor |
US8457685B1 (en) * | 2009-04-20 | 2013-06-04 | Rf Micro Devices, Inc. | Method and system for increasing efficiency in a radio front-end |
US8698675B2 (en) | 2009-05-12 | 2014-04-15 | Ruckus Wireless, Inc. | Mountable antenna elements for dual band antenna |
US9407012B2 (en) | 2010-09-21 | 2016-08-02 | Ruckus Wireless, Inc. | Antenna with dual polarization and mountable antenna elements |
CN102130672A (zh) * | 2010-12-15 | 2011-07-20 | 摩比天线技术(深圳)有限公司 | 一种提高二极管零偏置隔离电路及信号开关控制电路 |
US8324964B2 (en) | 2011-01-25 | 2012-12-04 | Rf Micro Devices, Inc. | High efficiency multiple power mode linear radio frequency power amplifier |
US9190712B2 (en) * | 2012-02-03 | 2015-11-17 | Apple Inc. | Tunable antenna system |
US8756668B2 (en) | 2012-02-09 | 2014-06-17 | Ruckus Wireless, Inc. | Dynamic PSK for hotspots |
US9634403B2 (en) | 2012-02-14 | 2017-04-25 | Ruckus Wireless, Inc. | Radio frequency emission pattern shaping |
US10186750B2 (en) | 2012-02-14 | 2019-01-22 | Arris Enterprises Llc | Radio frequency antenna array with spacing element |
US9092610B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-07-28 | Ruckus Wireless, Inc. | Key assignment for a brand |
DE102012208529B4 (de) * | 2012-05-22 | 2018-10-18 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Elektronischer Schalter mit Kompensation nichtlinearer Verzerrungen |
US9570799B2 (en) | 2012-09-07 | 2017-02-14 | Ruckus Wireless, Inc. | Multiband monopole antenna apparatus with ground plane aperture |
EP2974045A4 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-09 | Ruckus Wireless Inc | LOWBAND REFLECTOR FOR A DIRECTED DOUBLE BELT ANTENNA |
CN103944527B (zh) * | 2014-04-15 | 2017-03-08 | 华为技术有限公司 | 一种高通滤波器电路及集成电路 |
US9847804B2 (en) * | 2014-04-30 | 2017-12-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Bypass path loss reduction |
US9479160B2 (en) | 2014-12-17 | 2016-10-25 | GlobalFoundries, Inc. | Resonant radio frequency switch |
RU178443U1 (ru) * | 2017-07-26 | 2018-04-04 | Акционерное Общество "Светлана-Электронприбор" | Сверхширокополосный автономный антенный переключатель для коротких видеоимпульсов |
CN107819174A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-03-20 | 四川海湾微波科技有限责任公司 | 一种lc谐振式单刀五掷微波开关 |
CN108900183B (zh) * | 2018-07-11 | 2020-10-23 | 电子科技大学 | 一种基于介质集成悬置线的低损耗开关电路 |
CN110190830B (zh) * | 2019-07-04 | 2021-08-06 | 电子科技大学 | 一种双频带小型化数字移相器 |
CN111090064B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-02-01 | 上海联影医疗科技股份有限公司 | 射频收发链路、装置和磁共振设备 |
US11323147B1 (en) * | 2021-06-07 | 2022-05-03 | Futurecom Systems Group, ULC | Reducing insertion loss in a switch for a communication device |
US12095496B2 (en) | 2021-10-18 | 2024-09-17 | Futurecom Systems Group, ULC | Self-diagnostic systems and method for a transceiver |
US12041533B2 (en) | 2022-05-10 | 2024-07-16 | Motorola Solutions, Inc. | System and method for configuring a portable communication system |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60114402A (ja) | 1983-11-21 | 1985-06-20 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 切削工具用チツプおよびその研削方法 |
JPS6313418A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Fujitsu Ten Ltd | ダイオ−ド高周波スイツチ |
JPH02108301A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | λ/4形スイッチ回路 |
JPH0590935A (ja) | 1991-02-25 | 1993-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | Fetスイツチ装置 |
JPH0555803A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波スイツチ |
JP3333317B2 (ja) | 1994-05-23 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | アンテナスイッチ共用器 |
JPH0774604A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Murata Mfg Co Ltd | アンテナの送受切換用rfスイッチ |
JP3228011B2 (ja) | 1994-07-20 | 2001-11-12 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
JP3299065B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2002-07-08 | 株式会社村田製作所 | 高周波複合スイッチ |
JP3777209B2 (ja) | 1995-11-14 | 2006-05-24 | 富士通株式会社 | 高周波スイッチ及び高周波スイッチ付き送受信装置 |
JP3094920B2 (ja) * | 1996-10-11 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | 半導体スイッチ |
-
1998
- 1998-05-14 JP JP13163898A patent/JP3220679B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6329886B1 (en) | 1998-05-12 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Impedance-matching method and circuit at different frequences |
US6542021B2 (en) | 2000-01-20 | 2003-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency switch and communication apparatus with a high frequency voltage divider |
JP2002290269A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 複合高周波部品及びこれを用いた情報端末装置 |
CN100442658C (zh) * | 2002-05-01 | 2008-12-10 | Nxp股份有限公司 | 具有双频带天线装置的无线终端、rf模块及系统 |
JP2005102139A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-04-14 | Yazaki Corp | 高周波スイッチ回路、これを用いた車載通信システム及び高周波スイッチ回路の帯域幅調整方法 |
KR100670215B1 (ko) | 2004-08-20 | 2007-01-16 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 다이오드 믹서 |
KR100609585B1 (ko) | 2004-08-31 | 2006-08-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 다중대역 핀 다이오드 스위치 회로 |
US7388453B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-06-17 | Tdk Corporation | High frequency module |
WO2007029624A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子回路、分周器及び無線機 |
US7969210B2 (en) | 2005-09-05 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Electronic circuit, frequency divider and radio set |
JP2007120947A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Yokogawa Electric Corp | サンプラー |
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Publication number | Publication date |
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