JPH09139601A - 高周波スイッチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロ波を用いた衛星通信や自動車電話あ
るいは携帯電話等の無線通信システムにおいて、送受信
系の切替等に用いて好適な高周波スイッチに関し、低挿
入損失且つ高アイソレーションの高周波スイッチを提供
することを目的とする。 【解決手段】 波長がλの高周波信号を伝送する信号伝
送線路１に直列に設けられたスイッチ部としての第１の
ＰＩＮダイオードＤ１と、第１のＰＩＮダイオードＤ１
をオンオフ制御するためのオンオフ制御信号を供給すべ
く、信号伝送線路１に並列に接続された制御電源２付き
制御線３と、制御線３に対し第１のＰＩＮダイオードＤ
１を挟んで信号伝送線路１に並列に一端を接続された線
路長がλ／４の長さの線路４と、線路４の他端に接続さ
れた第２のＰＩＮダイオードＤ２とをそなえるように構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】（目次） 発明の属する技術分野 従来の技術（図２１〜図２４） 発明が解決しようとする課題（図２５） 課題を解決するための手段 発明の実施の形態 ・本発明の高周波スイッチを適用しうる装置の説明（図
６） ・第１実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図１〜
図３） ・第２実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図４） ・第３実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図５） ・第４実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図７） ・第５実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図８） ・第６実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図９） ・第７実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図１
０） ・第８実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図１
１） ・第９実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図１
２） ・第１０実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図１
３〜図１５） ・第１１実施形態にかかる高周波スイッチの説明の説明
（図１６） ・第１２実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図１
７） ・第１３実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図１
８） ・第１４実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図１
９） ・第１５実施形態にかかる高周波スイッチの説明（図２
０） 発明の効果

【０００２】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波を用い
た衛星通信や自動車電話あるいは携帯電話等の無線通信
システムにおいて、送受信系の切替等に用いて好適な高
周波スイッチに関する。

【０００３】

【従来の技術】現在、マイクロ波を用いた衛星通信や自
動車電話あるいは携帯電話等の無線通信システムにおい
て、図２１に示すように、送信部Ｔｘと受信部Ｒｘ１，
Ｒｘ２の切替やアイソレーションあるいはスペースダイ
バシティ用の切替等に高周波スイッチＳＷ１〜ＳＷ３が
用いられている。なお、図２１中の符号ＡＴ１，ＡＴ２
はアンテナである。

【０００４】ところで、上記の高周波スイッチとして
は、従来より、ＰＩＮダイオードを使用した高周波スイ
ッチが使用されているが、一般的な高周波スイッチとし
て多く用いられている回路を図２２〜図２４に示す。ま
ず、図２２に示す高周波スイッチは、ＰＩＮダイオード
Ｄを伝送線路１１１に対して、直列に挿入し、ＰＩＮダ
イオードＤのＤＣバイアス線１１２（このＤＣバイアス
線１１２には抵抗ＲとインダクタＬ１０１とが直列に接
続されている）をオン（ＯＮ）オフ（ＯＦＦ）すること
により、信号のスイッチングを行なっている。すなわ
ち、ＤＣバイアス線１１２の制御端１１２Ａを＋にする
と、ＰＩＮダイオードＤがインダクタＬ１０２を介して
接地されることにより導通してスイッチＯＮの状態にな
る一方、ＤＣバイアス線１１２の制御端１１２Ａを０又
はオープンにすると、ＰＩＮダイオードＤが非導通状態
となってスイッチＯＦＦの状態になる。

【０００５】なお、図２２において、Ｃ１０１，Ｃ１０
２はＤＣカット用コンデンサである。また、図２３に示
す高周波スイッチは、ＰＩＮダイオードＤ′を伝送線路
１１１に対して、並列に挿入し、ＰＩＮダイオードＤ′
のＤＣバイアス線１１２′（このＤＣバイアス線１１
２′には抵抗Ｒ′とインダクタＬ１０１′とが直列に接
続されている）をオン（ＯＮ）オフ（ＯＦＦ）すること
により、信号のスイッチングを行なっている。すなわ
ち、ＤＣバイアス線１１２′の制御端１１２′Ａを＋に
すると、ＰＩＮダイオードＤ′が非導通状態になってス
イッチＯＦＦの状態になり、ＤＣバイアス線１１２′の
制御端１１２′Ａを０又はオープンにすると、ＰＩＮダ
イオードＤ′が導通状態となってスイッチＯＮの状態に
なる。

【０００６】なお、図２３において、Ｃ１０１′，Ｃ１
０２′はＤＣカット用コンデンサである。そして、上記
の図２２，図２３に示すスイッチは、例えばアイソレー
ション用のスイッチＳＷ３に使用される。また、図２２
に示すようなＰＩＮダイオードを直列に挿入したスイッ
チを図２４に示すように２つ組み合わせると、切替スイ
ッチ（図２１のスイッチＳＷ１，ＳＷ２参照）を構成す
ることができる。

【０００７】このようにすれば、ＤＣバイアス線１１２
−１の制御端１１２Ａ−１を＋にするとともに、ＤＣバ
イアス線１１２−２の制御端１１２Ａ−２を０又はオー
プンにすると、ＰＩＮダイオードＤ−１がインダクタＬ
１０２−１を介し導通してスイッチＯＮの状態になると
ともに、ＰＩＮダイオードＤ−２が非導通状態となり、
スイッチＯＦＦの状態になる。これにより、送信系ある
いは一方のアンテナ側をオン状態にすることができる。

【０００８】また、ＤＣバイアス線１１２−２の制御端
１１２Ａ−２を＋にするとともに、ＤＣバイアス線１１
２−１の制御端１１２Ａ−１を０又はオープンにする
と、ＰＩＮダイオードＤ−２がインダクタＬ１０２−２
を介し導通してスイッチＯＮの状態になるとともに、Ｐ
ＩＮダイオードＤ−１が非導通状態となり、スイッチＯ
ＦＦの状態になる。これにより、受信系あるいは他方の
アンテナ側をオン状態にすることができる。

【０００９】なお、Ｃ１０１，Ｃ１０２，Ｃ１０３，Ｃ
１０４はＤＣカット用コンデンサであり、Ｒ−１，Ｒ−
２は抵抗、Ｌ１０１−１，Ｌ１０１−２はインダクタで
ある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、高周波スイ
ッチの特性で重要なものとして、挿入損失とアイソレー
ションがある。挿入損失が大きいと、送信系では効率の
悪化、受信系では受信感度の悪化につながる。また、ア
イソレーションが小さいと、送信系ではスプリアスの増
加、受信系では送信時の電力増幅器からのリークによ
る、受信デバイス劣化が起こる。そこで、低挿入損失で
高アイソレーションの高周波スイッチが望まれる。

【００１１】しかし、従来の高周波スイッチでは、低挿
入損失で高アイソレーションを得ることが難しい。ま
た、ＰＩＮダイオードＤ−３を直列に挿入したスイッチ
とＰＩＮダイオードＤ−４を並列に挿入したスイッチと
を組み合わせて、図２５のようにして使用することも考
えられるが、このようなスイッチでも、ある程度は低挿
入損失特性あるいは高アイソレーション特性を満足でき
るのであるが、それでももう少し、特性を改善したい場
合には、この図２５に示すスイッチを多段接続するしか
なく、このようにすれば、挿入損失が悪化してしまう。

【００１２】なお、図２５中、同じ符号は同様の機能を
果たす素子を示している。さらに、現在、携帯電話では
８００ＭＨｚ帯が利用されているが、首都圏などトラフ
ィックの大きい地域では１．５ＧＨｚ帯の利用も始まっ
ており、今後はこの２つの周波数帯で使用できる携帯端
末が利用可能になる予定である。しかし、上記で説明し
た従来の高周波スイッチでは、挿入損失とアイソレーシ
ョンのどちらかの特性を犠牲にしてシステムを構成しな
ければならず、このため、この２つの周波数帯（デュア
ルバンド）で使用可能な、低挿入損失且つ高アイソレー
ションの高周波スイッチの出現が望まれている。

【００１３】なお、上記図２５に示す高周波スイッチ
を、デュアルバンドで使用すると、特性の劣化は避けら
れず、更に制御の仕方も複雑になり、又マイナス電源で
制御しなくてはならなかったり、制御端子が多くなって
回路の規模が大きくなってしまったりするという課題が
ある。本発明は、このような課題に鑑み創案されたもの
で、低挿入損失且つ高アイソレーションの高周波スイッ
チを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このため、本発明の請求
項１にかかる高周波スイッチは、波長がλの高周波信号
を伝送する信号伝送線路に直列に設けられたスイッチ部
としての第１のＰＩＮダイオードと、該第１のＰＩＮダ
イオードをオンオフ制御するためのオンオフ制御信号を
供給すべく、該信号伝送線路に並列に接続された制御電
源付き制御線と、該制御線に対し該第１のＰＩＮダイオ
ードを挟んで該信号伝送線路に並列に一端を接続された
線路長がλ／４の長さの線路と、該線路の他端に接続さ
れた第２のＰＩＮダイオードとをそなえて構成されたこ
とを特徴としている。

【００１５】また、本発明の請求項２にかかる高周波ス
イッチは、波長λ１，λ２（λ１＜λ２）の２種の高周
波信号を伝送しうる信号伝送線路に直列に設けられたス
イッチ部としての第１のＰＩＮダイオードと、該第１の
ＰＩＮダイオードをオンオフ制御するためのオンオフ制
御信号を供給すべく、該信号伝送線路に並列に接続され
た制御電源付き制御線と、該制御線に対し該第１のＰＩ
Ｎダイオードを挟んで該信号伝送線路に並列に一端を接
続された線路長がλ１／４の長さの第１線路と、該第１
線路の他端側に接続された第２のＰＩＮダイオードと、
該第２のＰＩＮダイオードに接続されて波長λ１の信号
に対しては低インピーダンスとなる一端接地型のコンデ
ンサと、該コンデンサに対し並列に接続されるととも
に、該第１線路と協働して線路長λ２／４の長さの線路
を構成する第２線路と、該第２線路に直列に接続された
第３のＰＩＮダイオードとをそなえて構成されたことを
特徴としている。

【００１６】さらに、本発明の請求項３にかかる高周波
スイッチは、波長λ１，λ２（λ１＜λ２）の２種の高
周波信号を伝送しうる信号伝送線路に直列に設けられた
スイッチ部としての第１のＰＩＮダイオードと、該第１
のＰＩＮダイオードをオンオフ制御するためのオンオフ
制御信号を供給すべく、該信号伝送線路に並列に接続さ
れた制御電源付き制御線と、該制御線に対し該第１のＰ
ＩＮダイオードを挟んで該信号伝送線路に並列に一端を
接続された線路長がλ１／４の長さの第１線路と、該第
１線路の他端側に接続されるべき第２のＰＩＮダイオー
ドと、該第１線路と協働して線路長λ２／４の長さの線
路を構成する第２線路と、該第２線路に直列に接続され
た第３のＰＩＮダイオードと、該第１線路と該第２線
路，該第２のＰＩＮダイオードとの間に介装されて、該
第１線路と該第２のＰＩＮダイオードの接続または該第
１線路と該第２線路との接続を選択的に切り替えるスイ
ッチ部とをそなえて構成されたことを特徴としている。

【００１７】また、本発明の請求項４にかかる高周波ス
イッチは、高周波信号を伝送する信号伝送線路に直列に
設けられたスイッチ部としてのＰＩＮダイオードと、該
ＰＩＮダイオードをオンオフ制御するためのオンオフ制
御信号を供給すべく、該信号伝送線路に並列に接続され
た制御電源付き制御線と、該制御線に対し該ＰＩＮダイ
オードを挟んで該信号伝送線路に並列に接続され、可変
容量ダイオードとストリップラインとからなる共振回路
部とをそなえ、該共振回路部が、該可変容量ダイオード
の容量を制御することにより、受信時はイメージ周波
数，送信時は送信周波数を減衰させるように構成されて
いることを特徴としている。

【００１８】また、本発明の請求項５にかかる高周波ス
イッチは、波長がλの高周波信号を伝送する信号伝送線
路に直列に設けられたスイッチ部としての第１のＰＩＮ
ダイオードと、該第１のＰＩＮダイオードをオンオフ制
御するためのオンオフ制御信号を供給すべく、該信号伝
送線路に並列に接続された制御電源付き制御線と、該制
御線に対し該第１のＰＩＮダイオードを挟んで該信号伝
送線路に並列に一端を接続された線路長がλ／４の長さ
の線路と、該線路の他端に接続された第２のＰＩＮダイ
オードとをそなえるともに、該信号伝送線路に並列に接
続され、該高周波信号のもつ周波数の３倍波のオープン
スタブまたはノッチフィルタをそなえて構成されたこと
を特徴としている。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。 （ａ）本発明の高周波スイッチを適用しうる装置の説明 図６はマイクロ波を用いた衛星通信や自動車電話あるい
は携帯電話等の無線通信システムにおける基地局あるい
は移動端末の送受信系の一部を示すブロック図である
が、この図６に示すように、スペースダイバシティ用の
一対のアンテナＡＴ１，ＡＴ２が設けられており、一方
のアンテナＡＴ１には、切替用の高周波スイッチＳＷ１
を介して、送信部Ｔｘと受信部Ｒｘ１とが接続されてお
り、更に他方のアンテナＡＴ２に接続された受信部Ｒｘ
２と、受信部Ｒｘ１とが切替用の高周波スイッチＳＷ２
を介して、感度等の良好な受信部出力が選択されるよう
になっている。

【００２０】なお、切替用高周波スイッチＳＷ１と受信
部Ｒｘ１との間に、更に高周波スイッチＳＷ３を介装す
ることも可能である。 （ｂ）第１実施形態にかかる高周波スイッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第１実施形態を図
１に示す。この図１に示す高周波スイッチは、例えば図
６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１と受信
部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ３に使
用されるもので、この高周波スイッチは、波長がλの高
周波信号（例えばＲＦ信号）を伝送する信号伝送線路１
に直列に設けられたスイッチ部としての第１のＰＩＮダ
イオードＤ１をそなえており、更にこの第１のＰＩＮダ
イオードＤ１をオンオフ制御するためのオンオフ制御信
号を供給するために、制御電源（プラス電源）２付き制
御線３（この制御線３にはインダクタＬ１が接続されて
いる）が、信号伝送線路１に並列に接続されている。

【００２１】また、この制御線３に対し第１のＰＩＮダ
イオードＤ１を挟んだ信号伝送線路１には、線路長がλ
／４の長さのストリップ線路（λ／４線路）４の一端が
並列に接続されている。更に、このλ／４線路４の他端
には、第２のＰＩＮダイオードＤ２のアノードが接続さ
れている。なお、第２のＰＩＮダイオードＤ２のカソー
ドが接地されている。

【００２２】なお、Ｃ１，Ｃ２はＤＣカット用コンデン
サである。上述の構成により、スイッチＯＮ時、つまり
プラス電源印加時には、各ＰＩＮダイオードＤ１，Ｄ２
がＯＮとなり、伝送線路１がスルー状態となり、λ／４
線路４の先端（伝送線路１と反対側）がショート（短
絡）となるため、λ／４線路４の伝送線路１側はオープ
ン（開放）となって、直列のＰＩＮダイオードＤ１の挿
入損失のみが見えることになる。これは図２に示すスイ
ッチＯＮ時の出力インピーダンスＳ２２特性，入力イン
ピーダンスＳ１１特性，通過インピーダンスＳ２１特性
を参照すれば、その効果は明らかである。

【００２３】また、スイッチＯＦＦ時、つまり制御電圧
が０Ｖまたはオープン時には、各ＰＩＮダイオードＤ
１，Ｄ２がＯＦＦとなり、直列のＰＩＮダイオードＤ１
は高抵抗状態となり、又このときλ／４線路４の先端が
オープンなので、λ／４線路４の伝送線路１側はショー
トとなり、この２つの減衰原因（ＰＩＮダイオードＤ１
が高抵抗状態で且つλ／４線路４の伝送線路１側がショ
ートとなっている状態）で高アイソレーション状態とな
る。これは図３に示すスイッチＯＦＦ時の出力インピー
ダンスＳ２２特性，入力インピーダンスＳ１１特性，通
過インピーダンスＳ２１特性を参照すれば、その効果は
明らかである。

【００２４】このように従来の高周波スイッチでは、挿
入損失またはアイソレーションのどちらかの特性を犠牲
にしなければならなかったが、この第１実施形態の高周
波スイッチのように、λ／４線路４を伝送路１に並列に
接続し、その先端のグランド（ＧＮＤ）側にＰＩＮダイ
オードＤ２を配置するとともに、２つのＰＩＮダイオー
ドＤ１，Ｄ２を制御するために別々の制御端子を必要と
することなく、１つの制御端子（単電源）でＯＮ，ＯＦ
Ｆ制御を可能としたことによって、低挿入損失及び高ア
イソレーションの両方を実現することができる。

【００２５】すなわち、ＰＩＮダイオードＤ１，Ｄ２を
直列と並列に配置し、並列のＰＩＮダイオードＤ２を使
用周波数のλ／４線路４で接続することで、ＰＩＮダイ
オードＤ１のバイアスを共用できるようにしており、こ
のような回路構成にすることで、プラス電源２のみでス
イッチのＯＮ，ＯＦＦを行なうことができ、これによ
り、低挿入損失、高アイソレーションを実現し、更には
λ／４線路４の周波数特性で使用周波数以外のスプリア
ス等を減衰させることもできるのである。

【００２６】（ｃ）第２実施形態にかかる高周波スイッ
チの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第２実施形態を図
４に示すが、この図４に示す高周波スイッチも、例えば
図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１と受
信部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ３に
使用されるもので、この高周波スイッチは、ＰＩＮダイ
オードＤ１′，Ｄ２′を上記の第１実施形態と反対向き
に実装し、伝送線路１に対し並列に接続されたＰＩＮダ
イオードＤ２′のアノード側をインダクタＬ２を介しプ
ラス電源電圧Ｖｃｃで固定しておき、この箇所をコンデ
ンサＣ３を用いて高周波的にショートしておくことで、
第１実施形態の動作を実現したものである。

【００２７】なお、図４中の符号３′は制御電源（プラ
ス電源）２′付き制御線であり、この制御線３′にはイ
ンダクタＬ１′が接続されている。また、Ｃ１′，Ｃ
２′はＤＣカット用コンデンサである。そして、この回
路の利点は、上記第１実施形態とは逆の制御動作で、上
記第１実施形態の特性が得られることにある。

【００２８】すなわち、スイッチＯＮ時、つまり制御電
圧が０Ｖまたはオープン時には、各ＰＩＮダイオードＤ
１′，Ｄ２′がＯＮとなり、伝送線路１がスルー状態と
なり、λ／４線路４′の先端（伝送線路１と反対側）が
ショート（短絡）となるため、伝送線路１側はオープン
（開放）となって、直列のＰＩＮダイオードＤ１′の挿
入損失のみが見えることになる。

【００２９】また、スイッチＯＦＦ時、つまりプラス電
源印加時には、各ＰＩＮダイオードＤ１′，Ｄ２′がＯ
ＦＦとなり、直列のＰＩＮダイオードＤ１′は高抵抗状
態となり、又このときλ／４線路４′の先端がオープン
なので、伝送線路１側はショートとなり、この２つの減
衰原因（ＰＩＮダイオードＤ１が高抵抗状態で且つ、λ
／４線路４の伝送線路１側がショートとなっている状
態）で高アイソレーション状態となるのである。

【００３０】このようにこの第２実施形態では、制御電
圧の逆転（例えば＋５Ｖ時ＯＮ，０Ｖ時ＯＦＦを＋５Ｖ
時ＯＦＦを０Ｖ時ＯＮに変更すること）を制御回路側で
行なうことなく、ＰＩＮダイオードのアノード側をＯＮ
時の電圧に固定しておき、カソード側の電圧を制御する
ことで、制御電圧の逆転を可能として、前述の第１実施
形態のものと同様の効果ないし利点が得られるようにし
たものということができる。

【００３１】すなわち、この第２実施形態の場合も、Ｐ
ＩＮダイオードＤ１′，Ｄ２′を直列と並列に配置し、
並列のＰＩＮダイオードＤ２′を使用周波数のλ／４線
路４′で接続することで、ＰＩＮダイオードＤ１′のバ
イアスを共用できるようにしており、このような回路構
成にすることで、プラス電源２′のみでスイッチのＯ
Ｎ，ＯＦＦを行なうことができ、これにより、低挿入損
失、高アイソレーションを実現し、更にはλ／４線路
４′の周波数特性で使用周波数以外のスプリアス等を減
衰させることもできるのである。

【００３２】（ｄ）第３実施形態にかかる高周波スイッ
チの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第３実施形態を図
５に示すが、この図５に示す高周波スイッチは、例えば
図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１，Ｓ
Ｗ２に使用されるものである。即ち、この高周波スイッ
チは、上記の第１実施形態の回路（図１参照）および第
２実施形態の回路（図４参照）を組み合わせることによ
り、上記のアンテナ切替スイッチなどに適用可能なＳＰ
ＤＴスイッチ（シングルポールダブルスロースイッチ）
として構成したものである。

【００３３】まず、この高周波スイッチでは、伝送線路
１に直列に相互に反対向きにＰＩＮダイオードＤ１，Ｄ
１′をそなえており、更にこのＰＩＮダイオードＤ１，
Ｄ１′をオンオフ制御するためのオンオフ制御信号を供
給するために、制御電源（プラス電源）２を共通とする
制御線３，３′（制御線３，３′にはそれぞれインダク
タＬ１，Ｌ１′が接続されている）が、伝送線路１に並
列に接続されている。

【００３４】また、制御線３に対しＰＩＮダイオードＤ
１を挟んだ伝送線路１には、λ／４線路４が並列に接続
され、更にこのλ／４線路４の他端には、カソードが接
地されたＰＩＮダイオードＤ２のアノードが接続される
ともに、制御線３′に対しＰＩＮダイオードＤ１′を挟
んだ伝送線路１には、λ／４線路４′が並列に接続さ
れ、更にこのλ／４線路４′の他端には、カソードが接
地されたＰＩＮダイオードＤ２′のアノードが接続され
ている。

【００３５】さらに、ＰＩＮダイオードＤ２′のアノー
ド側はインダクタＬ２を介しプラス電源電圧Ｖｃｃで固
定されており、この箇所は更にコンデンサＣ３を用いて
高周波的にショートされている。なお、Ｃ４〜Ｃ７はＤ
Ｃカット用コンデンサである。上述の構成により、この
高周波スイッチをアンテナ切替スイッチＳＷ１として使
用した場合は、まず、制御線３，３′にプラス電源を印
加すると、各ＰＩＮダイオードＤ１，Ｄ２がＯＮとなる
とともに、各ＰＩＮダイオードＤ１′，Ｄ２′がＯＦＦ
となる。これにより、高周波スイッチが受信部側に切り
替わって、アンテナと受信部とが接続される。このと
き、λ／４線路４の先端（伝送線路１と反対側）がショ
ート（短絡）となるため、λ／４線路４の伝送線路１側
はオープン（開放）となって、直列のＰＩＮダイオード
Ｄ１の挿入損失のみが見えることになる。

【００３６】さらに、このプラス電源印加時には、上記
のように各ＰＩＮダイオードＤ１′，Ｄ２′がＯＦＦと
なっているので、直列のＰＩＮダイオードＤ１′は高抵
抗状態となり、又このときλ／４線路４′の先端がオー
プンなので、λ／４線路４′の伝送線路１側はショート
となり、その結果、送信部に対しては、高アイソレーシ
ョン状態となるのである。

【００３７】一方、制御電圧を０Ｖまたはオープンにす
ると、各ＰＩＮダイオードＤ１，Ｄ２がＯＦＦになると
ともに、各ＰＩＮダイオードＤ１′，Ｄ２′がＯＮにな
る。これにより、直列に接続されたＰＩＮダイオードＤ
１は高抵抗状態となり、又このときλ／４線路４の先端
がオープンなので、λ／４線路４の伝送線路１側はショ
ートとなって、今度は、受信部側が高アイソレーション
状態となる。

【００３８】さらに、この制御電圧の０Ｖまたはオープ
ン時には、各ＰＩＮダイオードＤ１′，Ｄ２′がＯＮと
なっており、これにより、高周波スイッチが送信部側に
切り替わって、アンテナと送信部とが接続される。この
とき、λ／４線路４′の先端（伝送線路１と反対側）が
ショート（短絡）となるため、λ／４線路４′の伝送線
路１側はオープン（開放）となって、直列のＰＩＮダイ
オードＤ１′の挿入損失のみが見えることになる。

【００３９】このように本実施形態では、上記の第１実
施形態のものと第２実施形態のものとを組み合わせてＳ
ＰＤＴスイッチを構成することで、１つの制御端子で切
替制御を可能としており、これにより、このスイッチを
アンテナスイッチに適用した場合は、送信側ではロスを
少なくすることができ、その結果、電力の高効率化に寄
与することができ、更にはλ／４線路の周波数特性によ
る、スプリアスの減衰が期待できる。

【００４０】また、受信側では、ロスが少ないので、受
信感度の向上及びλ／４線路の周波数特性による、スプ
リアス・レスポンス特性の改善、ならびにローカル信号
等のアンテナ端輻射を抑制できる効果がある。さらに、
送信時の電力増幅器からアンテナスイッチを通って漏れ
てくる電力による受信デバイスの保護という面でも、高
アイソレーションが有効となる。

【００４１】（ｅ）第４実施形態にかかる高周波スイッ
チの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第４実施形態を図
７に示す。この図７に示す高周波スイッチは、例えば図
６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１と受信
部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ３に使
用されるもので、この高周波スイッチは、上述の第１実
施形態の回路のλ／４線路の部分を、ＰＩＮダイオード
スイッチを用いて、２つ以上の周波数ｆ１，ｆ２（ｆ１
＞ｆ２：例えばｆ１は１．５ＧＨｚ，ｆ２は８００ＭＨ
ｚ）のλ／４線路を切り替えて実現することで、マルチ
バンド（デュアルバンド）対応としたスイッチである。

【００４２】すなわち、波長λ１，λ２（λ１＜λ２）
の２種の高周波信号ｆ１，ｆ２（ｆ１＞ｆ２）を伝送し
うる信号伝送線路１１に直列に、スイッチ部としての第
１のＰＩＮダイオードＤ１１が設けられている。また、
第１のＰＩＮダイオードＤ１１をオンオフ制御するため
のオンオフ制御信号を供給するために、信号伝送線路１
１に並列に、制御電源１２付き制御線１３（この制御線
１３にはインダクタＬ１１が接続されている）が接続さ
れている。

【００４３】さらに、制御線１３に対し第１のＰＩＮダ
イオードＤ１１を挟んで信号伝送線路１１に並列に、線
路長がλ１／４の長さの第１線路１４−１の一端がコン
デンサＣ１４−１を介して接続されており、更にこの第
１線路１４−１の他端側には、第２のＰＩＮダイオード
Ｄ１２−１のアノードが接続されている。また、第２の
ＰＩＮダイオードＤ１２−１のカソードに接続されて波
長λ１（周波数ｆ１）の信号に対しては低インピーダン
ス（ショート）となるが波長λ２（周波数ｆ２）の信号
に対しては高インピーダンス（オープン）となる一端接
地型のコンデンサＣ１３が設けられている。

【００４４】また、コンデンサＣ１３に対し並列に、第
１線路１４−１と協働して線路長λ２／４の長さの線路
を構成する第２線路１４−２がコンデンサＣ１４−２を
介して接続されるとともに、この第２線路１４−２に直
列に、カソード接地の第３のＰＩＮダイオードＤ１２−
２が接続されている。さらに、第１線路１４−１とコン
デンサＣ１４−１との間には、インダクタＬ１２付き制
御線１４が接続されており、更にこの制御線１４付きの
電源１２−１は、周波数ｆ２の信号を扱うときは、＋と
なって、制御線１４をＯＮにし、周波数ｆ１の信号を扱
うときは、０又はオープンとなって、制御線１４をＯＦ
Ｆにするように構成されている。

【００４５】また、第１線路１４−２とコンデンサＣ１
４−２との間には、インダクタＬ１４付き制御線１５が
接続されており、更にこの制御線１５付きの電源１２−
２は、周波数ｆ２の信号を扱うときであって、スイッチ
ＯＮ時は、＋となって、制御線１４をＯＮにし、周波数
ｆ２の信号を扱うときであって、スイッチＯＦＦ時は、
０又はオープンとなって、制御線１４をＯＦＦにするよ
うに構成されている。

【００４６】なお、ＰＩＮダイオードＤ１２−１とコン
デンサＣ１３との接続点と、Ｃ１４−２との間は、イン
ダクタＬ１３を介して接地されている。また、一端が接
地されたインダクタＬ１５が信号伝送線路１１に並列に
接続されている。なお、Ｃ１１，Ｃ１２はＤＣカット用
コンデンサである。

【００４７】このような構成により、例えば高い方の周
波数ｆ１の信号を扱うときは、電源１２−１を０又はオ
ープンにして、制御線１４をＯＦＦにした状態で、制御
線１３をＯＮ，ＯＦＦする。すなわち、スイッチＯＮ時
は、制御線１３にプラス電源を印加する。これにより、
ＰＩＮダイオードＤ１１がインダクタＬ１５を介してＯ
Ｎとなり、伝送線路１１がスルー状態となり、第１線路
１４−１の先端（伝送線路１１と反対側）がショート
（短絡）となるため、第１線路１４−１の伝送線路１１
側はオープン（開放）となって、直列のＰＩＮダイオー
ドＤ１１の挿入損失のみが見えることになる。

【００４８】また、スイッチＯＦＦ時は、制御線１３の
制御電圧を０Ｖまたはオープンにする。これにより、Ｐ
ＩＮダイオードＤ１１がＯＦＦとなり、直列のＰＩＮダ
イオードＤ１１は高抵抗状態となり、又このとき第１線
路１４−１の先端がオープンなので、第１線路１４−１
の伝送線路１１側はショートとなり、高アイソレーショ
ン状態となる。

【００４９】次に、低い方の周波数ｆ２の信号を扱うと
きは、電源１２−１を＋にして、制御線１４をＯＮにし
た状態で、制御線１３，１５をＯＮ，ＯＦＦする。すな
わち、スイッチＯＮ時は、制御線１３，１５にプラス電
源を印加する。これにより、ＰＩＮダイオードＤ１１が
インダクタＬ１５を介してＯＮとなり、伝送線路１１が
スルー状態となる。このとき、第２線路１４−２の先端
（伝送線路１１と反対側）がショート（短絡）となるた
め、第１線路１４−１の伝送線路１１側はオープン（開
放）となって、直列のＰＩＮダイオードＤ１１の挿入損
失のみが見えることになる。

【００５０】また、スイッチＯＦＦ時は、制御線１３，
１５の制御電圧を０Ｖまたはオープンにする。これによ
り、ＰＩＮダイオードＤ１１がＯＦＦとなり、直列のＰ
ＩＮダイオードＤ１１は高抵抗状態となり、又このとき
第２線路１４−２の先端がオープンなので、第１線路１
４−１の伝送線路１１側はショートとなり、高アイソレ
ーション状態となる。

【００５１】このようにλ／４線路を２つのＰＩＮダイ
オードおよびコンデンサを用いることで、マルチバンド
（デュアルバンド）に対応させながら、低挿入損失、高
アイソレーションを実現し、更には使用周波数以外のス
プリアス等を減衰させることができる。 （ｆ）第５実施形態にかかる高周波スイッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第５実施形態を図
８に示すが、この図８に示す高周波スイッチも、例えば
図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１と受
信部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ３に
使用されるもので、この高周波スイッチは、上記の第４
実施形態とは逆の制御でスイッチをＯＮ，ＯＦＦできる
ようにしたものである。

【００５２】すなわち、波長λ１，λ２（λ１＜λ２）
の２種の高周波信号ｆ１，ｆ２（ｆ１＞ｆ２）を伝送し
うる信号伝送線路１１に直列に、上記第４実施形態のも
のとは逆向きにスイッチ部としての第１のＰＩＮダイオ
ードＤ１１′が設けられている。また、第１のＰＩＮダ
イオードＤ１１′をオンオフ制御するためのオンオフ制
御信号を供給するために、信号伝送線路１１に並列に、
制御電源１２′付き制御線１３′（この制御線１３′に
はインダクタＬ１１′が接続されている）が接続されて
いる。

【００５３】さらに、制御線１３′に対し第１のＰＩＮ
ダイオードＤ１１′を挟んで信号伝送線路１１に並列
に、線路長がλ１／４の長さの第１線路１４′−１の一
端がコンデンサＣ１４′−１を介して接続されており、
更にこの第１線路１４′−１の他端側には、第２のＰＩ
ＮダイオードＤ１２′−１のアノードが接続されてい
る。また、第２のＰＩＮダイオードＤ１２′−１のカソ
ードに接続されて波長λ１（周波数ｆ１）の信号に対し
ては低インピーダンス（ショート）となるが波長λ２
（周波数ｆ２）の信号に対しては高インピーダンス（オ
ープン）となる一端接地型のコンデンサＣ１３′が設け
られている。

【００５４】また、コンデンサＣ１３′に対し並列に、
第１線路１４′−１と協働して線路長λ２／４の長さの
線路を構成する第２線路１４′−２がコンデンサＣ１
４′−２を介して接続されるとともに、この第２線路１
４′−２に直列に、カソード接地の第３のＰＩＮダイオ
ードＤ１２′−２が接続されている。さらに、第１線路
１４′−１とコンデンサＣ１４′−１との間には、イン
ダクタＬ１２′付き制御線１４′が接続されており、更
にこの制御線１４′付きの電源１２′−１は、周波数ｆ
２の信号を扱うときは、＋となって、制御線１４′をＯ
Ｎにし、周波数ｆ１の信号を扱うときは、０又はオープ
ンとなって、制御線１４′をＯＦＦにするように構成さ
れている。

【００５５】また、第１線路１４′−２とコンデンサＣ
１４′−２との間には、インダクタＬ１４′付き制御線
１５′が接続されており、更にこの制御線１５′付きの
電源１２′−２は、周波数ｆ２の信号を扱うときであっ
て、スイッチＯＮ時は、＋となって、制御線１５′をＯ
Ｎにし、周波数ｆ２の信号を扱うときであって、スイッ
チＯＦＦ時は、０又はオープンとなって、制御線１５′
をＯＦＦにするように構成されている。

【００５６】なお、ＰＩＮダイオードＤ１２′−１とコ
ンデンサＣ１３′との接続点と、Ｃ１４′−２との間
は、インダクタＬ１３′を介して接地されている。ま
た、一端に電圧Ｖｃｃが印加されたインダクタＬ１５′
が信号伝送線路１１に並列に接続されている。なお、Ｃ
１１′，Ｃ１２′はＤＣカット用コンデンサである。

【００５７】このような構成により、例えば高い方の周
波数ｆ１の信号を扱うときは、電源１２′−１を０又は
オープンにして、制御線１４′をＯＦＦにした状態で、
制御線１３′をＯＮ，ＯＦＦする。すなわち、スイッチ
ＯＮ時は、制御線１３′の制御電圧を０Ｖまたはオープ
ンにする。これにより、ＰＩＮダイオードＤ１１′がイ
ンダクタＬ１５′を介してＯＮとなり、伝送線路１１が
スルー状態となり、第１線路１４′−１の先端（伝送線
路１１と反対側）がショート（短絡）となるため、第１
線路１４′−１の伝送線路１１側はオープン（開放）と
なって、直列のＰＩＮダイオードＤ１１′の挿入損失の
みが見えることになる。

【００５８】また、スイッチＯＦＦ時は、制御線１３′
にプラス電源を印加する。これにより、ＰＩＮダイオー
ドＤ１１′がＯＦＦとなり、直列のＰＩＮダイオードＤ
１１′は高抵抗状態となり、又このとき第１線路１４′
−１の先端がオープンなので、第１線路１４′−１の伝
送線路１１側はショートとなり、高アイソレーション状
態となる。

【００５９】次に、周波数ｆ１よりも低い周波数ｆ２の
信号を扱うときは、電源１２′−１を＋にして、制御線
１４′をＯＮにした状態で、制御線１３′，１５′をＯ
Ｎ，ＯＦＦする。すなわち、スイッチＯＮ時は、制御線
１３′の制御電圧を０Ｖまたはオープンにするととも
に、制御線１５′にプラス電源を印加する。これによ
り、ＰＩＮダイオードＤ１１′がインダクタＬ１５′を
介してＯＮとなり、伝送線路１１がスルー状態となり、
第２線路１４′−１の先端（伝送線路１１と反対側）が
ショート（短絡）となるため、第１線路１４′−１の伝
送線路１１側はオープン（開放）となって、直列のＰＩ
ＮダイオードＤ１１′の挿入損失のみが見えることにな
る。

【００６０】また、スイッチＯＦＦ時は、制御線１３′
にプラス電源を印加するとともに、制御線１５′の制御
電圧を０Ｖまたはオープンにする。これにより、ＰＩＮ
ダイオードＤ１１′がＯＦＦとなり、直列のＰＩＮダイ
オードＤ１１′は高抵抗状態となり、又このとき第２線
路１４′−１の先端がオープンなので、第１線路１４′
−１の伝送線路１１側はショートとなり、高アイソレー
ション状態となる。

【００６１】このようにＰＩＮダイオードのアノード側
をＯＮ時の電圧に固定しておき、カソード側の電圧を制
御することで、上記の第４実施形態とは逆の制御で、マ
ルチバンド（デュアルバンド）に対応させながら、低挿
入損失、高アイソレーションを実現し、更には使用周波
数以外のスプリアス等を減衰させることができる。 （ｇ）第６実施形態にかかる高周波スイッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第６実施形態を図
９に示すが、この図９に示す高周波スイッチは、例えば
図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１，Ｓ
Ｗ２に使用されるもので、この高周波スイッチは、上記
の第４実施形態の回路（図７参照）および第５実施形態
の回路（図８参照）を組み合わせることにより、上記の
アンテナ切替スイッチなどに適用可能なＳＰＤＴスイッ
チ（シングルポールダブルスロースイッチ）として構成
したものである。

【００６２】すなわち、伝送線路１１に直列に相互に反
対向きにＰＩＮダイオードＤ１１，Ｄ１１′をそなえて
おり、更にこのＰＩＮダイオードＤ１１，Ｄ１１′をオ
ンオフ制御するためのオンオフ制御信号を供給するため
に、制御電源（プラス電源）１２を共通とする制御線１
３，１３′（制御線１３，１３′にはそれぞれインダク
タＬ１１，Ｌ１１′が接続されている）が、伝送線路１
１に並列に接続されている。

【００６３】さらに、制御線１３，１３′に対しＰＩＮ
ダイオードＤ１１，Ｄ１１′を挟んで信号伝送線路１１
に並列に、線路長がλ１／４の長さの第１線路１４−
１，１４′−１の一端がコンデンサＣ１４−１，Ｃ１
４′−１を介して接続されており、更にこの第１線路１
４−１，１４′−１の他端側には、ＰＩＮダイオードＤ
１２−１，Ｄ１２′−１のアノードが接続されている。
また、ＰＩＮダイオードＤ１２−１，Ｄ１２′−１のカ
ソードに接続されて波長λ１（周波数ｆ１）の信号に対
しては低インピーダンス（ショート）となるが波長λ２
（周波数ｆ２）の信号に対しては高インピーダンス（オ
ープン）となる一端接地型のコンデンサＣ１３，Ｃ１
３′が設けられている。

【００６４】また、コンデンサＣ１３，Ｃ１３′に対し
並列に、第１線路１４−１，１４′−１と協働して線路
長λ２／４の長さの線路を構成する第２線路１４−２，
１４′−２がコンデンサＣ１４−２，Ｃ１４′−２を介
して接続されるとともに、この第２線路１４−２，１
４′−２に直列に、カソード接地のＰＩＮダイオードＤ
１２−２，Ｄ１２′−２が接続されている。

【００６５】さらに、第１線路１４−１，１４′−１と
コンデンサＣ１４−１，Ｃ１４′−１との間には、イン
ダクタＬ１２，Ｌ１２′付き制御線１４，１４′が接続
されており、更にこの制御線１４，１４′付きの電源１
２−１，１２′−１は、周波数ｆ２の信号を扱うとき
は、＋となって、制御線１４，１４ ′をＯＮにし、周
波数ｆ１の信号を扱うときは、０又はオープンとなっ
て、制御線１４，１４′をＯＦＦにするように構成され
ている。

【００６６】また、第１線路１４−２，１４′−２とコ
ンデンサＣ１４−２，Ｃ１４′−２との間には、インダ
クタＬ１４，Ｌ１４′付き制御線１５，１５′が接続さ
れており、更にこの制御線１５，１５′付きの電源１２
−２，１２′−２は、周波数ｆ２の信号を扱うときであ
って、スイッチＯＮ時は、＋となって、制御線１５，１
５′をＯＮにし、周波数ｆ２の信号を扱うときであっ
て、スイッチＯＦＦ時は、０又はオープンとなって、制
御線１５，１５′をＯＦＦにするように構成されてい
る。

【００６７】なお、ＰＩＮダイオードＤ１２−１，Ｄ１
２′−１とコンデンサＣ１３，Ｃ１３′との接続点と、
コンデンサＣ１４−２，Ｃ１４′−２との間は、インダ
クタＬ１３，Ｌ１３′を介して接地されている。また、
Ｌ１５は一端が接地されたインダクタ、Ｌ１５′は一端
に電圧Ｖｃｃが印加されたインダクタであり、Ｃ１１，
Ｃ１２′，Ｃ１５，Ｃ１６はＤＣカット用コンデンサで
ある。

【００６８】上述の構成により、この高周波スイッチを
アンテナ切替スイッチＳＷ１として使用することを考え
ると、まず、例えば高い方の周波数ｆ１の信号を扱うと
きは、電源１２−１，１２′−１を０又はオープンにし
て、制御線１４，１４′をＯＦＦにした状態で、制御線
１３，１３′をＯＮ，ＯＦＦする。すなわち、制御線１
３，１３′にプラス電源を印加して、制御線１３，１
３′をＯＮにすると、ＰＩＮダイオードＤ１１はインダ
クタＬ１５を介してＯＮになるとともに、ＰＩＮダイオ
ードＤ１１′はＯＦＦになる。これにより、高周波スイ
ッチが送信部側に切り替わって、アンテナと送信部とが
接続される。このとき、第１線路１４−１の先端（伝送
線路１１と反対側）がショート（短絡）となるため、第
１線路１４−１の伝送線路１１側はオープン（開放）と
なって、直列のＰＩＮダイオードＤ１１の挿入損失のみ
が見えることになる一方、ＰＩＮダイオードＤ１１′が
ＯＦＦとなっているので、ＰＩＮダイオードＤ１１′は
高抵抗状態となり、又このとき第１線路１４′−１の先
端がオープンなので、第１線路１４′−１の伝送線路１
１側はショートとなり、受信側に対しては高アイソレー
ション状態となる。

【００６９】また、制御線１３，１３′の制御電圧を０
Ｖまたはオープンにして、制御線１３，１３′をＯＦＦ
にすると、ＰＩＮダイオードＤ１１′がＯＦＦとなり、
ＰＩＮダイオードＤ１１′はインダクタＬ１５′を介し
てＯＮになる。これにより、高周波スイッチが受信部側
に切り替わって、アンテナと受信部とが接続される。こ
のとき、ＰＩＮダイオードＤ１１は高抵抗状態となり、
又このとき第１線路１４−１の先端がオープンなので、
第１線路１４−１の伝送線路１１側はショートとなり、
送信部側は、高アイソレーション状態となる一方、第１
線路１４′−１の先端（伝送線路１１と反対側）がショ
ート（短絡）となるため、第１線路１４′−１の伝送線
路１１側はオープン（開放）となって、直列のＰＩＮダ
イオードＤ１１′の挿入損失のみが見えることになる。

【００７０】次に、低い方の周波数ｆ２の信号を扱うと
きは、電源１２−１を＋にして、制御線１４をＯＮにし
た状態で、制御線１３，１５をＯＮ，ＯＦＦする。すな
わち、制御線１３，１３′にプラス電源を印加して、制
御線１３，１３′をＯＮにすると、ＰＩＮダイオードＤ
１１はインダクタＬ１５を介してＯＮになるとともに、
ＰＩＮダイオードＤ１１′はＯＦＦになる。これによ
り、高周波スイッチが送信部側に切り替わって、アンテ
ナと送信部とが接続される。このとき、第２線路１４−
２の先端（伝送線路１１と反対側）がショート（短絡）
となるため、第１線路１４−１の伝送線路１１側はオー
プン（開放）となって、直列のＰＩＮダイオードＤ１１
の挿入損失のみが見えることになる一方、ＰＩＮダイオ
ードＤ１１′がＯＦＦとなっているので、ＰＩＮダイオ
ードＤ１１′は高抵抗状態となり、又このとき第１線路
１４′−２の先端がオープンなので、第１線路１４′−
１の伝送線路１１側はショートとなり、受信側に対して
は高アイソレーション状態となる。

【００７１】また、制御線１３，１３′の制御電圧を０
Ｖまたはオープンにして、制御線１３，１３′をＯＦＦ
にすると、ＰＩＮダイオードＤ１１がＯＦＦとなり、Ｐ
ＩＮダイオードＤ１１′はインダクタＬ１５′を介して
ＯＮになる。これにより、高周波スイッチが受信部側に
切り替わって、アンテナと受信部とが接続される。この
とき、ＰＩＮダイオードＤ１１は高抵抗状態となり、又
このとき第１線路１４−２の先端がオープンなので、第
１線路１４−１の伝送線路１１側はショートとなり、送
信部側は、高アイソレーション状態となる一方、第１線
路１４′−２の先端（伝送線路１１と反対側）がショー
ト（短絡）となるため、第１線路１４′−１の伝送線路
１１側はオープン（開放）となって、直列のＰＩＮダイ
オードＤ１１′の挿入損失のみが見えることになる。

【００７２】このように前述の第４実施形態のものと第
５実施形態のものとを組み合わせてＳＰＤＴスイッチを
構成することで、１つの制御端子で切替制御を可能とす
ることにより、アンテナスイッチとして利用すること
で、デュアルバンド対応の低挿入損失，高アイソレーシ
ョンのスイッチとして利用することができる。すなわ
ち、マルチバンド（デュアルバンド）に対応させなが
ら、送信側ではロスを少なくすることができ、電力の高
効率化に寄与することができ、更にはλ／４線路の周波
数特性による、スプリアスの減衰が期待できるととも
に、受信側では、ロスが少ないので、受信感度の向上及
びλ／４線路の周波数特性による、スプリアス・レスポ
ンス特性の改善、ならびにローカル信号等のアンテナ端
輻射を抑制できる効果があるほか、送信時の電力増幅器
からアンテナスイッチを通って漏れてくる電力による受
信デバイスの保護という面でも、高アイソレーションが
有効となる。

【００７３】（ｈ）第７実施形態にかかる高周波スイッ
チの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第７実施形態を図
１０に示す。この図１０に示す高周波スイッチは、例え
ば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１と
受信部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ３
に使用されるもので、この高周波スイッチは、上記第４
実施形態のＰＩＮダイオードスイッチＤ１２−１をＦＥ
Ｔスイッチ等のＳＰＤＴスイッチと置き換えることで、
上記第４実施形態のようにλ／４線路のスイッチ切替え
を簡略化したものである。すなわち、上記第４実施形態
のように、ＰＩＮダイオードＤ１２−１を用いてスイッ
チを構成すると、どうしてもＤＣカットしなければなら
なくなるため、ＰＩＮダイオードスイッチＤ１２−１，
Ｄ１２−２用の制御端子が別々に必要になる。しかし、
本実施形態の回路構成にすることで、バンド切り換え制
御があるだけで、後はＯＮ，ＯＦＦの制御をするだけで
良く、デュアルバンド対応低挿入損失、高アイソレーシ
ョンで、制御が簡単な高周波スイッチを構成することが
できる。もちろん、このＳＰＤＴスイッチを追加するこ
とで、マルチバンドに対応することができる。すなわ
ち、この第７実施形態では、上述の第１実施形態の回路
のλ／４線路の部分を、ＦＥＴスイッチ等のＳＰＤＴス
イッチを用いて、２つ以上の周波数ｆ１，ｆ２（ｆ１＞
ｆ２：例えばｆ１は１．５ＧＨｚ，ｆ２は８００ＭＨ
ｚ）のλ／４線路を切り替えて実現することで、マルチ
バンド（デュアルバンド）対応としたスイッチである。

【００７４】この第７実施形態について、更に詳述する
と、波長λ１，λ２（λ１＜λ２）の２種の高周波信号
ｆ１，ｆ２（ｆ１＞ｆ２）を伝送しうる信号伝送線路２
１に直列に、スイッチ部としての第１のＰＩＮダイオー
ドＤ２１が設けられている。また、第１のＰＩＮダイオ
ードＤ２１をオンオフ制御するためのオンオフ制御信号
を供給するために、信号伝送線路２１に並列に、制御電
源２２付き制御線２３（この制御線２３にはインダクタ
Ｌ２１が接続されている）が接続されている。

【００７５】さらに、制御線２３に対し第１のＰＩＮダ
イオードＤ２１を挟んで信号伝送線路２１に並列に、線
路長がλ１／４の長さの第１線路２４−１の一端が接続
されており、更にこの第１線路２４−１の他端側には、
ＦＥＴスイッチ等のＳＰＤＴスイッチからなる切替スイ
ッチ２６が接続されている。この切替スイッチ２６に
は、カソードが接地された第２のＰＩＮダイオードＤ２
２−１のアノードが接続され、更に第１線路２４−１と
協働して線路長λ２／４の長さの線路を構成する第２線
路２４−２が接続されるとともに、この第２線路２４−
２に直列に、カソード接地の第３のＰＩＮダイオードＤ
２２−２が接続されている。

【００７６】なお、この切替スイッチ２６は、バンド選
択信号ＢＡＮＤ ＳＥＬを受けて、第１線路２４−１を
ＰＩＮダイオードＤ２２−１側に接続したり、第１線路
２４−１を第２線路２４−２，ＰＩＮダイオードＤ２２
−２側に接続するものである。なお、Ｃ２１，Ｃ２２は
ＤＣカット用コンデンサである。

【００７７】このような構成により、例えば高い方の周
波数ｆ１の信号を扱うときは、切替スイッチ２６によ
り、第１線路２４−１とＰＩＮダイオードＤ２２−１と
を接続した状態で、制御線２３をＯＮ，ＯＦＦする。す
なわち、スイッチＯＮ時は、制御線２３にプラス電源を
印加する。これにより、ＰＩＮダイオードＤ２１が第１
線路２４−１，ＰＩＮダイオードＤ２２−１を介してＯ
Ｎとなり、伝送線路２１がスルー状態となり、第１線路
２４−１の先端（伝送線路２１と反対側）がショート
（短絡）となるため、第１線路２４−１の伝送線路２１
側はオープン（開放）となって、直列のＰＩＮダイオー
ドＤ２１の挿入損失のみが見えることになる。

【００７８】また、スイッチＯＦＦ時は、制御線２３の
制御電圧を０Ｖまたはオープンにする。これにより、Ｐ
ＩＮダイオードＤ２１がＯＦＦとなり、このＰＩＮダイ
オードＤ２１は高抵抗状態となり、又このとき第１線路
２４−１の先端がオープンなので、第１線路２４−１の
伝送線路２１側はショートとなり、高アイソレーション
状態となる。

【００７９】次に、低い方の周波数ｆ２の信号を扱うと
きは、切替スイッチ２６により、第１線路２４−１と第
２線路２４−２，ＰＩＮダイオードＤ２２−２とを接続
した状態で、制御線２３をＯＮ，ＯＦＦする。すなわ
ち、スイッチＯＮ時は、制御線２３にプラス電源を印加
する。これにより、ＰＩＮダイオードＤ２１が第１線路
２４−１，第２線路２４−２，ＰＩＮダイオードＤ２２
−２を介してＯＮとなり、伝送線路２１がスルー状態と
なる。このとき、第２線路２４−１の先端（伝送線路２
１と反対側）がショート（短絡）となるため、第１線路
２４−１の伝送線路２１側はオープン（開放）となっ
て、直列のＰＩＮダイオードＤ２１の挿入損失のみが見
えることになる。

【００８０】また、スイッチＯＦＦ時は、制御線２３の
制御電圧を０Ｖまたはオープンにする。これにより、Ｐ
ＩＮダイオードＤ２１がＯＦＦとなり、このＰＩＮダイ
オードＤ２１は高抵抗状態となり、又このとき第２線路
２４−１の先端がオープンなので、第１線路２４−１の
伝送線路２１側はショートとなり、高アイソレーション
状態となる。

【００８１】このようにλ／４線路をスイッチで切り替
えることで、デュアルバンド無線機のような、複数の周
波数帯を使用するものにも十分に適用可能となる。すな
わち、この場合、バンド切替制御を施すだけで、後は制
御線２３のＯＮ，ＯＦＦの制御をするだけで良く、これ
により、デュアルバンド対応の低挿入損失、高アイソレ
ーションで、制御が簡単な高周波スイッチを構成するこ
とができる。

【００８２】（ｉ）第８実施形態にかかる高周波スイッ
チの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第８実施形態を図
１１に示すが、この図１１に示す高周波スイッチも、例
えば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１
と受信部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ
３に使用されるもので、この高周波スイッチは、上記の
第７実施形態とは逆の制御でスイッチをＯＮ，ＯＦＦで
きるようにしたものである。即ち、上述の第７実施形態
のバイアスを第５実施形態のもののように、片側をイン
ダクタＬ２２′−１，Ｌ２２′−２を介しプラス電源電
圧Ｖｃｃで固定しておくことで、上述第７実施形態と逆
のＯＮ，ＯＦＦ制御でスイッチにて制御することができ
るようになっている。なお、バンド切替スイッチの制御
は第７実施形態と同じである。

【００８３】すなわち、波長λ１，λ２（λ１＜λ２）
の２種の高周波信号ｆ１，ｆ２（ｆ１＞ｆ２）を伝送し
うる信号伝送線路２１に直列に、上記第７実施形態のも
のとは逆向きにスイッチ部としての第１のＰＩＮダイオ
ードＤ２１′が設けられている。また、ＰＩＮダイオー
ドＤ２１′をオンオフ制御するためのオンオフ制御信号
を供給するために、信号伝送線路２１に並列に、制御電
源２２′付き制御線２３′（この制御線２３′にはイン
ダクタＬ２１′が接続されている）が接続されている。

【００８４】さらに、制御線２３′に対し第１のＰＩＮ
ダイオードＤ２１′を挟んで信号伝送線路２１に並列
に、線路長がλ１／４の長さの第１線路２４′−１の一
端が接続されており、更にこの第１線路２４′−１の他
端側には、ＦＥＴスイッチ等のＳＰＤＴスイッチからな
る切替スイッチ２６′が接続されている。この切替スイ
ッチ２６′には、アノードがコンデンサＣ２３′−１を
介して接地された第２のＰＩＮダイオードＤ２２′−１
のカソードが接続されるとともに、第１線路２４′−１
と協働して線路長λ２／４の長さの線路を構成する第２
線路２４′−２が接続されるとともに、この第２線路２
４′−２に直列に、アノードがコンデンサＣ２３′−２
を介して接地された第３のＰＩＮダイオードＤ２２′−
２が接続されている。

【００８５】この切替スイッチ２６′は、バンド選択信
号ＢＡＮＤ ＳＥＬを受けて、第１線路２４′−１をＰ
ＩＮダイオードＤ２２′−１側に接続したり、第１線路
２４′−１を第２線路２４′−２，ＰＩＮダイオードＤ
２２′−２側に接続するものである。なお、ＰＩＮダイ
オードＤ２２′−１，Ｄ２２′−２のアノード側は、イ
ンダクタＬ２２′−１，Ｌ２２′−２を介してプラス電
源電圧Ｖｃｃで固定されている。また、Ｃ２１′，Ｃ２
２′はＤＣカット用コンデンサである。

【００８６】このような構成により、例えば高い方の周
波数ｆ１の信号を扱うときは、切替スイッチ２６′によ
り、第１線路２４−１とＰＩＮダイオードＤ２２−１と
を接続した状態で、制御線２３′をＯＮ，ＯＦＦする。
すなわち、スイッチＯＮ時は、制御線２３′の制御電圧
を０Ｖまたはオープンにする。これにより、ＰＩＮダイ
オードＤ２１′が第１線路２４′−１，ＰＩＮダイオー
ドＤ２２′−１を介してＯＮとなり、伝送線路２１がス
ルー状態となり、第１線路２４′−１の先端（伝送線路
２１と反対側）がショート（短絡）となるため、第１線
路２４′−１の伝送線路２１側はオープン（開放）とな
って、直列のＰＩＮダイオードＤ２１′の挿入損失のみ
が見えることになる。

【００８７】また、スイッチＯＦＦ時は、制御線２３′
にプラス電源を印加する。これにより、ＰＩＮダイオー
ドＤ２１′がＯＦＦとなり、このＰＩＮダイオードＤ２
１′は高抵抗状態となり、又このとき第１線路２４′−
１の先端がオープンなので、第１線路２４′−１の伝送
線路２１側はショートとなり、高アイソレーション状態
となる。

【００８８】次に、低い方の周波数ｆ２の信号を扱うと
きは、切替スイッチ２６′により、第１線路２４′−１
と第２線路２４′−２，ＰＩＮダイオードＤ２２′−２
とを接続した状態で、制御線２３′をＯＮ，ＯＦＦす
る。すなわち、スイッチＯＮ時は、制御線２３′の制御
電圧を０Ｖまたはオープンにする。これにより、ＰＩＮ
ダイオードＤ２１′が第１線路２４′−１，第２線路２
４′−２，ＰＩＮダイオードＤ２２′−２を介してＯＮ
となり、伝送線路２１がスルー状態となる。このとき、
第２線路２４′−１の先端（伝送線路２１と反対側）が
ショート（短絡）となるため、第１線路２４′−１の伝
送線路２１側はオープン（開放）となって、直列のＰＩ
ＮダイオードＤ２１′の挿入損失のみが見えることにな
る。

【００８９】また、スイッチＯＦＦ時は、制御線２３′
にプラス電源を印加する。これにより、ＰＩＮダイオー
ドＤ２１′がＯＦＦとなり、このＰＩＮダイオードＤ２
１′は高抵抗状態となり、又このとき第２線路２４′−
１の先端がオープンなので、第１線路２４′−１の伝送
線路２１側はショートとなり、高アイソレーション状態
となる。

【００９０】このようにＰＩＮダイオードのアノード側
をＯＮ時の電圧に固定しておき、カソード側の電圧を制
御することで、制御電圧の逆転を可能にし、このように
することで、この実施形態においても、バンド切替制御
を施すだけで、後は制御線２３′のＯＮ，ＯＦＦの制御
をするだけで良く、これにより、デュアルバンド対応の
低挿入損失、高アイソレーションで、制御が簡単な高周
波スイッチを構成することができる。

【００９１】（ｊ）第９実施形態にかかる高周波スイッ
チの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第９実施形態を図
１２に示すが、この図１２に示す高周波スイッチは、例
えば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ
１，ＳＷ２に使用されるもので、この高周波スイッチ
は、上記の第７実施形態の回路（図１０参照）および第
８実施形態の回路（図１１参照）を組み合わせることに
より、上記のアンテナ切替スイッチなどに適用可能なＳ
ＰＤＴスイッチとして構成したものである。

【００９２】すなわち、波長λ１，λ２（λ１＜λ２）
の２種の高周波信号ｆ１，ｆ２（ｆ１＞ｆ２）を伝送し
うる伝送線路２１に直列に相互に反対向きにＰＩＮダイ
オードＤ２１，Ｄ２１′をそなえており、更にこのＰＩ
ＮダイオードＤ２１，Ｄ２１′をオンオフ制御するため
のオンオフ制御信号を供給するために、制御電源（プラ
ス電源）２２を共通とする制御線２３，２３′（制御線
２３，２３′にはそれぞれインダクタＬ２１，Ｌ２１′
が接続されている）が、伝送線路２１に並列に接続され
ている。

【００９３】さらに、制御線２３に対しＰＩＮダイオー
ドＤ２１を挟んで信号伝送線路２１に並列に、線路長が
λ１／４の長さの第１線路２４−１の一端が接続されて
おり、更に第１線路２４−１の他端側には、ＦＥＴスイ
ッチ等のＳＰＤＴスイッチからなる切替スイッチ２６が
接続されている。この切替スイッチ２６には、カソード
が接地された第２のＰＩＮダイオードＤ２２−１のアノ
ードが接続されるとともに、第１線路２４−１と協働し
て線路長λ２／４の長さの線路を構成する第２線路２４
−２が接続されるとともに、この第２線路２４−２に直
列に、カソードが接地された第３のＰＩＮダイオードＤ
２２−２が接続されている。

【００９４】また、制御線２３′に対しＰＩＮダイオー
ドＤ２１′を挟んで信号伝送線路２１に並列に、線路長
がλ１／４の長さの第１線路２４′−１の一端が接続さ
れており、更に第１線路２４′−１の他端側には、ＦＥ
Ｔスイッチ等のＳＰＤＴスイッチからなる切替スイッチ
２６′が接続されている。この切替スイッチ２６′に
は、アノードがコンデンサＣ２３′−１を介して接地さ
れた第２のＰＩＮダイオードＤ２２′−１のカソードが
接続されるとともに、第１線路２４′−１と協働して線
路長λ２／４の長さの線路を構成する第２線路２４′−
２が接続されるとともに、この第２線路２４′−２に直
列に、アノードがコンデンサＣ２３′−２を介して接地
された第３のＰＩＮダイオードＤ２２′−２が接続され
ている。

【００９５】なお、切替スイッチ２６，２６′の機能
は、前述の第７，８実施形態のものと同じであるので、
その説明を省略する。また、ＰＩＮダイオードＤ２２′
−１，Ｄ２２′−２のアノード側は、インダクタＬ２
２′−１，Ｌ２２′−２を介してプラス電源電圧Ｖｃｃ
で固定されている。

【００９６】なお、Ｃ２１′，Ｃ２２′，Ｃ２４，Ｃ２
５はＤＣカット用コンデンサである。上述の構成によ
り、この高周波スイッチをアンテナ切替スイッチＳＷ１
として使用することを考えると、まず、例えば高い方の
周波数ｆ１の信号を扱うときは、切替スイッチ２６，２
６′により、第１線路２４−１，２４′−１とＰＩＮダ
イオードＤ２２−１，Ｄ２２′−１とを接続した状態
で、制御線２３，２３′をＯＮ，ＯＦＦする。

【００９７】すなわち、制御線２３，２３′にプラス電
源を印加して、制御線２３，２３′をＯＮにすると、Ｐ
ＩＮダイオードＤ２１がＯＮになるとともに、ＰＩＮダ
イオードＤ２１′がＯＦＦになる。これにより、高周波
スイッチが受信部側に切り替わって、アンテナと受信部
とが接続される。このとき、第１線路２４−１の先端
（伝送線路２１と反対側）がショート（短絡）となるた
め、第１線路２４−１の伝送線路２１側はオープン（開
放）となって、直列のＰＩＮダイオードＤ２１の挿入損
失のみが見えることになる一方、ＰＩＮダイオードＤ２
１′がＯＦＦとなっているので、ＰＩＮダイオードＤ２
１′は高抵抗状態となり、又このとき第１線路２４′−
１の先端がオープンなので、第１線路２４′−１の伝送
線路２１側はショートとなり、受信側に対しては高アイ
ソレーション状態となる。

【００９８】また、制御線２３，２３′の制御電圧を０
Ｖまたはオープンにして、制御線２３，２３′をＯＦＦ
にすると、ＰＩＮダイオードＤ２１がＯＦＦとなり、Ｐ
ＩＮダイオードＤ２１′がＯＮになる。これにより、高
周波スイッチが送信側に切り替わって、アンテナと送信
部とが接続される。このとき、ＰＩＮダイオードＤ２１
は高抵抗状態となり、又このとき第１線路２４−１の先
端がオープンなので、第１線路２４−１の伝送線路２１
側はショートとなり、受信部側は、高アイソレーション
状態となる一方、第１線路２４′−１の先端（伝送線路
２１と反対側）がショート（短絡）となるため、第１線
路２４′−１の伝送線路２１側はオープン（開放）とな
って、直列のＰＩＮダイオードＤ２１′の挿入損失のみ
が見えることになる。

【００９９】次に、低い方の周波数ｆ２の信号を扱うと
きは、切替スイッチ２６′により、第１線路２４′−１
と第２線路２４′−２，ＰＩＮダイオードＤ２２′−２
とを接続した状態で、制御線２３，２３′をＯＮ，ＯＦ
Ｆする。すなわち、制御線２３，２３′にプラス電源を
印加して、制御線２３，２３′をＯＮにすると、ＰＩＮ
ダイオードＤ２１がＯＮになるとともに、ＰＩＮダイオ
ードＤ２１′はＯＦＦになる。これにより、高周波スイ
ッチが受信部側に切り替わって、アンテナと受信部とが
接続される。このとき、第２線路２４−２の先端（伝送
線路２１と反対側）がショート（短絡）となるため、第
１線路２４−１の伝送線路２１側はオープン（開放）と
なって、直列のＰＩＮダイオードＤ２１の挿入損失のみ
が見えることになる一方、ＰＩＮダイオードＤ２１′が
ＯＦＦとなっているので、ＰＩＮダイオードＤ２１′は
高抵抗状態となり、又このとき第１線路２４′−２の先
端がオープンなので、第１線路２４′−１の伝送線路２
１側はショートとなり、送信側に対しては高アイソレー
ション状態となる。

【０１００】また、制御線２３，２３′の制御電圧を０
Ｖまたはオープンにして、制御線２３，２３′をＯＦＦ
にすると、ＰＩＮダイオードＤ２１がＯＦＦとなり、Ｐ
ＩＮダイオードＤ２１′がＯＮになる。これにより、高
周波スイッチが送信部側に切り替わって、アンテナと送
信部とが接続される。このとき、ＰＩＮダイオードＤ２
１は高抵抗状態となり、又このとき第１線路２４−２の
先端がオープンなので、第１線路２４−１の伝送線路２
１側はショートとなり、受信部側は、高アイソレーショ
ン状態となる一方、第１線路２４′−２の先端（伝送線
路２１と反対側）がショート（短絡）となるため、第１
線路２４′−１の伝送線路２１側はオープン（開放）と
なって、直列のＰＩＮダイオードＤ２１′の挿入損失の
みが見えることになる。

【０１０１】このように第７実施形態と第８実施形態と
を組み合わせてＳＰＤＴスイッチを構成することで、１
つの制御端子で切替制御を可能としたことにより、デュ
アルバンド対応ＳＰＤＴスイッチとして使用することが
でき、更にはスイッチング制御はお互いに反対であるこ
とと、バンド切り換え制御はどちらも同じであるので、
たった２つの制御信号のみで、それも単電源でデュアル
バンド対応低挿入損失、高アイソレーションのアンテナ
スイッチを実現することができる。

【０１０２】すなわち、バンド切替制御を施すだけで、
後は制御線２３，２３′のＯＮ，ＯＦＦの簡単な制御を
するだけで良く、これにより、デュアルバンド対応の低
挿入損失、高アイソレーションで、制御が簡単な高周波
スイッチを構成することができるほか、アンテナスイッ
チとして利用することで、デュアルバンド対応の低挿入
損失，高アイソレーションのスイッチとして利用するこ
とができる。すなわち、マルチバンド（デュアルバン
ド）に対応させながら、送信側ではロスを少なくするこ
とができ、電力の高効率化に寄与することができ、更に
はλ／４線路の周波数特性による、スプリアスの減衰が
期待できるとともに、受信側では、ロスが少ないので、
受信感度の向上及びλ／４線路の周波数特性による、ス
プリアス・レスポンス特性の改善、ならびにローカル信
号等のアンテナ端輻射を抑制できる効果があるほか、送
信時の電力増幅器からアンテナスイッチを通って漏れて
くる電力による受信デバイスの保護という面でも、高ア
イソレーションが有効となる。

【０１０３】（ｋ）第１０実施形態にかかる高周波スイ
ッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第１０実施形態を
図１３に示す。この図１３に示す高周波スイッチは、例
えば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１
と受信部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ
３に使用されるもので、この高周波スイッチは、波長が
λの高周波信号（例えばＲＦ信号）を伝送する信号伝送
線路３１に直列に設けられたスイッチ部としてのＰＩＮ
ダイオードＤ３１をそなえており、更にこのＰＩＮダイ
オードＤ３１をオンオフ制御するためのオンオフ制御信
号を供給するために、制御電源（プラス電源）３２付き
制御線３３（この制御線３３にはインダクタＬ３１が接
続されている）が、信号伝送線路３１に並列に接続され
ている。

【０１０４】また、この制御線３３に対しＰＩＮダイオ
ードＤ３１を挟んだ信号伝送線路３１には、インダクタ
Ｌ３２が並列に接続されている。さらに、制御線３３に
対しＰＩＮダイオードＤ３１を挟んで信号伝送線路３１
に並列に接続された共振回路部３４をそなえている。こ
こで、共振回路部３４は、可変容量ダイオードＶＤと、
インダクタとして機能するストリップライン３５（この
ストリップライン３５は、受信するＲＦ信号とイメージ
周波数の高い方の周波数のλ／４線路として構成されて
いる）と、コンデンサＣ３３とをそなえており、更に可
変容量ダイオードＶＤの容量を制御するための制御線３
６（この制御線３６にはインダクタＬ３３が接続されて
いる）をそなえている。

【０１０５】そして、この共振回路部３４が、可変容量
ダイオードＶＤの容量を制御することにより、受信時は
イメージ周波数，送信時は送信周波数を減衰させるよう
に構成されている。なお、Ｃ３１，Ｃ３２はＤＣカット
用コンデンサである。このような構成により、受信時に
は、この高周波スイッチをＯＮさせるが、この場合は、
制御線３３にプラス電圧を印加する。これにより、ＰＩ
ＮダイオードＤ３１がインダクタＬ３２を介してＯＮに
なる。このとき、制御線３６を通じて所要の制御電圧を
作用させることにより、図１４に示す周波数特性（通過
インピーダンスＳ２１特性）からわかるように、イメー
ジ周波数を減衰させるようにしておく。これにより、受
信時は、イメージ周波数が十分に減衰され、イメージ・
レスポンスを改善することができ、その結果、良好な受
信を行なうことができる。

【０１０６】また、送信時は、この高周波スイッチをＯ
ＦＦさせるが、この場合は、制御線３３の制御電圧を０
またはオープンにする。これにより、ＰＩＮダイオード
Ｄ３１がＯＦＦになる。このとき、制御線３６を通じて
他の所要制御電圧を作用させることにより、図１５に示
す周波数特性（通過インピーダンスＳ２１特性）からわ
かるように、送信周波数を減衰させるようにしておく。
これにより、送信時には送信電力のリークから受信デバ
イスを十分に保護することができる。

【０１０７】このように、本実施形態では、伝送路の並
列に接続された、可変容量ダイオードとストリップライ
ンの共振周波数を、可変容量ダイオードを用いて制御
し、受信時はイメージ周波数、送信時は送信周波数を減
衰させることで、イメージレスポンスの改善および送信
電力リークによる受信デバイスの破壊を防止できる回路
を提供することができる。

【０１０８】すなわち、ＰＩＮダイオードＤ３１を伝送
路３１に直列に挿入し、受信するＲＦ信号とイメージ周
波数の高い方の周波数のλ／４線路３５と可変容量ダイ
オードＶＤとを直列に接続したものを、伝送路３１に対
して並列に挿入することにより、受信時は、可変容量ダ
イオードＶＤを制御して、イメージ周波数が減衰される
ようにするとともに、送信時は、可変容量ダイオードＶ
Ｄを制御して、送信周波数が減衰されるようにしてるの
で、受信時はイメージ・レスポンスを改善することがで
き、送信時には送信電力のリークから受信デバイスを十
分に保護することができる。

【０１０９】（ｌ）第１１実施形態にかかる高周波スイ
ッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第１１実施形態を
図１６に示す。この図１６に示す高周波スイッチは、例
えば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１
と受信部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ
３に使用されるものであるが、この高周波スイッチは、
上述の第１０実施形態のバイアスの片側をインダクタＬ
３３′を介してプラス電源で固定しておくことで、上記
の第１０実施形態と逆のＯＮ，ＯＦＦ制御でスイッチを
制御することができるようにしたものである。すなわ
ち、波長がλの高周波信号（例えばＲＦ信号）を伝送す
る信号伝送線路３１に前述の第１０実施形態のものとは
逆方向に直列に設けられたスイッチ部としてのＰＩＮダ
イオードＤ３１′をそなえており、更にこのＰＩＮダイ
オードＤ３１′をオンオフ制御するためのオンオフ制御
信号を供給するために、制御電源（プラス電源）３２′
付き制御線３３′（この制御線３３′にはインダクタＬ
３１′が接続されている）が、信号伝送線路３１に並列
に接続されている。

【０１１０】また、この制御線３３′に対しＰＩＮダイ
オードＤ３１′を挟んだ信号伝送線路３１には、所定電
圧Ｖｃｃを印加されたインダクタＬ３２′が並列に接続
されている。さらに、制御線３３′に対しＰＩＮダイオ
ードＤ３１′を挟んで信号伝送線路３１に並列に接続さ
れた共振回路部３４′をそなえている。ここで、共振回
路部３４′は、可変容量ダイオードＶＤ′と、インダク
タとして機能するストリップライン３５′（このストリ
ップライン３５′も、受信するＲＦ信号とイメージ周波
数の高い方の周波数のλ／４線路として構成されてい
る）とをそなえており、更に可変容量ダイオードＶＤ′
の容量を制御するための制御線３６′（この制御線３
６′にはインダクタＬ３３′が接続されている）をそな
えている。

【０１１１】そして、この共振回路部３４′は、可変容
量ダイオードＶＤ′の容量を制御することにより、受信
時はイメージ周波数，送信時は送信周波数を減衰させる
ように構成されている。なお、Ｃ３１′，Ｃ３２′，Ｃ
３４′はＤＣカット用コンデンサである。このような構
成により、受信時には、この高周波スイッチをＯＮさせ
るが、この場合は、制御線３３′の制御電圧を０または
オープンにする。これにより、ＰＩＮダイオードＤ３
１′がインダクタＬ３２′を介してＯＮになる。このと
き、制御線３６′を通じて所要の制御電圧を作用させる
ことにより、イメージ周波数を減衰させるようにしてお
く。これにより、受信時は、イメージ周波数が十分に減
衰され、イメージ・レスポンスを改善することができ、
その結果、良好な受信を行なうことができる。また、送
信時は、この高周波スイッチをＯＦＦさせるが、この場
合は、制御線３３′にプラス電圧を印加する。これによ
り、ＰＩＮダイオードＤ３１′がＯＦＦになる。このと
き、制御線３６′を通じて他の所要制御電圧を作用させ
ることにより、送信周波数を減衰させるようにしてお
く。これにより、送信時には送信電力のリークから受信
デバイスを十分に保護することができる。

【０１１２】このように、本実施形態では、ＰＩＮダイ
オードのアノード側をＯＮ時の電圧に固定しておき、カ
ソード側の電圧を制御することで、制御電圧の逆転を可
能とした回路を提供することができる。すなわち、上述
の第１０実施形態のバイアスの片側をインダクタＬ３
３′を介してプラス電源で固定しておくことで、上記の
第１０実施形態と逆のＯＮ，ＯＦＦ制御でスイッチを制
御することができ、これにより、前述の第１０実施形態
のものとほぼ同様な効果ないし利点が得られる。

【０１１３】（ｍ）第１２実施形態にかかる高周波スイ
ッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第１２実施形態を
図１７に示す。この図１７に示す高周波スイッチは、例
えば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１
と受信部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ
３に使用されるもので、この高周波スイッチは、前述の
第１実施形態において、使用周波数の２倍波のλ／４オ
ープンスタブ４５を、使用周波数に対してはオープンと
なるようなコンデンサＣ４３を介して、伝送路３１に対
して並列に挿入したものである。

【０１１４】すなわち、波長がλの高周波信号（例えば
ＲＦ信号）を伝送する信号伝送線路３１に直列に設けら
れたスイッチ部としての第１のＰＩＮダイオードＤ４１
をそなえており、更にこの第１のＰＩＮダイオードＤ４
１をオンオフ制御するためのオンオフ制御信号を供給す
るために、制御電源（プラス電源）４２付き制御線４３
（この制御線４３にはインダクタＬ４１が接続されてい
る）が、信号伝送線路３１に並列に接続されている。

【０１１５】また、この制御線４３に対し第１のＰＩＮ
ダイオードＤ４１を挟んだ信号伝送線路３１には、線路
長がλ／４の長さの線路（λ／４線路）４４の一端が並
列に接続されている。更に、このλ／４線路４４の他端
には、第２のＰＩＮダイオードＤ４２のアノードが接続
されている。なお、第２のＰＩＮダイオードＤ４２のカ
ソードが接地されている。

【０１１６】さらに、使用周波数の２倍波のλ／４オー
プンスタブ４５が、使用周波数に対してはオープンとな
るようなコンデンサＣ４３を用いて、伝送路３１に対し
て並列に挿入されている。なお、この例において、λ／
４オープンスタブ４５，コンデンサＣ４３と同様の機能
を果たすノッチフィルタを使用してもよい。

【０１１７】なお、Ｃ４１，Ｃ４２はＤＣカット用コン
デンサである。上述の構成により、スイッチＯＮ時、つ
まりプラス電源印加時には、各ＰＩＮダイオードＤ４
１，Ｄ４２がＯＮとなり、伝送線路３１がスルー状態と
なり、λ／４線路４４の先端（伝送線路１と反対側）が
ショート（短絡）となるため、λ／４線路４の伝送線路
３１側はオープン（開放）となって、直列のＰＩＮダイ
オードＤ４１の挿入損失のみが見えることになる。

【０１１８】また、スイッチＯＦＦ時、つまり制御線４
３の制御電圧が０Ｖまたはオープン時には、各ＰＩＮダ
イオードＤ４１，Ｄ４２がＯＦＦとなり、直列のＰＩＮ
ダイオードＤ４１は高抵抗状態となり、又このときλ／
４線路４４の先端がオープンなので、λ／４線路４４の
伝送線路３１側はショートとなり、高アイソレーション
状態となる。

【０１１９】また、オープンスタブ４５で３倍波、使用
周波数のλ／４線路４４で２倍波が減衰される。これに
より、電力増幅器等で発生する高調波スプリアス減衰に
有効となる。このように本実施形態では、使用周波数の
３倍波のオープンスタブまたはノッチフィルタ（以下、
ノッチフィルタを含んでいる場合でも、単にオープンス
タブということがある）を付加することで、このオープ
ンスタブで３倍波はショート、２倍波も使用周波数のλ
／４線路でショートとなり、送信系の後段等に使用する
ことで、高調波スプリアスの減衰ならびに高調波処理を
行なうことによる、送信電力効率の改善を可能とした回
路を提供できる。

【０１２０】すなわち、本実施形態では、プラス電源の
みでスイッチのＯＮ，ＯＦＦを行なうことができ、これ
により、低挿入損失、高アイソレーションを実現し、更
にはλ／４線路４の周波数特性で使用周波数以外のスプ
リアス等を減衰させることもできるほか、オープンスタ
ブ４５で３倍波、使用周波数のλ／４線路４２で２倍波
が減衰され、電力増幅器等で発生する高調波スプリアス
減衰に有効となる利点がある。

【０１２１】（ｎ）第１３実施形態にかかる高周波スイ
ッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第１３実施形態を
図１８に示す。この図１８に示す高周波スイッチは、例
えば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ１
と受信部Ｒｘ１との間に介装される高周波スイッチＳＷ
３に使用されるもので、この高周波スイッチは、前述の
第１２実施形態のバイアスの片側をプラス電源に接続し
ておくことで、上記第１２実施形態と逆のＯＮ，ＯＦＦ
制御でスイッチを制御できるようにしたものである。

【０１２２】すなわち、波長がλの高周波信号（例えば
ＲＦ信号）を伝送する信号伝送線路３１に直列に第１２
実施形態のものとは逆方向に設けられたスイッチ部とし
ての第１のＰＩＮダイオードＤ４１′をそなえており、
更にこの第１のＰＩＮダイオードＤ４１′をオンオフ制
御するためのオンオフ制御信号を供給するために、制御
電源（プラス電源）４２′付き制御線４３′（この制御
線４３′にはインダクタＬ４１′が接続されている）
が、信号伝送線路３１に並列に接続されている。

【０１２３】また、この制御線４３′に対し第１のＰＩ
ＮダイオードＤ４１′を挟んだ信号伝送線路３１には、
線路長がλ／４の長さの線路（λ／４線路）４４′の一
端が並列に接続されている。更に、このλ／４線路４
４′の他端には、第２のＰＩＮダイオードＤ４２′のカ
ソードが接続されている。なお、第２のＰＩＮダイオー
ドＤ４２′のアノードはコンデンサＣ４４′を介して接
地されるとともに、インダクタＬ４２′を介して所定電
圧Ｖｃｃが印加されている。

【０１２４】さらに、使用周波数の２倍波のλ／４オー
プンスタブ４５′が、使用周波数に対してはオープンと
なるようなコンデンサＣ４３′を用いて、伝送路３１に
対して並列に挿入されている。なお、Ｃ４１′，Ｃ４
２′はＤＣカット用コンデンサである。上述の構成によ
り、スイッチＯＮ時、つまり制御線４３′の制御電圧が
０Ｖまたはオープン時には、各ＰＩＮダイオードＤ４
１′，Ｄ４２′がＯＮとなり、伝送線路３１がスルー状
態となり、λ／４線路４４′の先端（伝送線路３１と反
対側）がショート（短絡）となるため、λ／４線路４
４′の伝送線路３１側はオープン（開放）となって、直
列のＰＩＮダイオードＤ４１′の挿入損失のみが見える
ことになる。

【０１２５】また、スイッチＯＦＦ時、つまり制御線４
３′のプラス電源印加時には、各ＰＩＮダイオードＤ４
１′，Ｄ４２′がＯＦＦとなり、直列のＰＩＮダイオー
ドＤ４１′は高抵抗状態となり、又このときλ／４線路
４４′の先端がオープンなので、λ／４線路４４′の伝
送線路３１側はショートとなり、高アイソレーション状
態となる。

【０１２６】また、オープンスタブ４５′で３倍波、使
用周波数のλ／４線路４４′で２倍波が減衰される。こ
れにより、電力増幅器等で発生する高調波スプリアス減
衰に有効となる。このように本実施形態では、ＰＩＮダ
イオードのアノード側をＯＮ時の電圧に固定しておき、
カソード側の電圧を制御することで、制御電圧の逆転を
可能とした回路を提供できる。

【０１２７】すなわち、この第１３実施形態において
も、プラス電源のみでスイッチのＯＮ，ＯＦＦを行なう
ことができ、これにより、低挿入損失、高アイソレーシ
ョンを実現し、更にはλ／４線路４４′の周波数特性で
使用周波数以外のスプリアス等を減衰させることもでき
るほか、オープンスタブ４５′で３倍波、使用周波数の
λ／４線路４２′で２倍波が減衰され、電力増幅器等で
発生する高調波スプリアス減衰に有効となる利点があ
る。

【０１２８】（ｏ）第１４実施形態にかかる高周波スイ
ッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第１４実施形態を
図１９に示すが、この図１９に示す高周波スイッチも、
例えば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ
１，ＳＷ２に使用されるもので、この高周波スイッチ
は、上記の第１０実施形態の回路（図１３参照）および
第１３実施形態の回路（図１８参照）を組み合わせるこ
とにより、上記のアンテナ切替スイッチなどに適用可能
なＳＰＤＴスイッチとして構成したものである。

【０１２９】すなわち、伝送線路３１に直列に相互に反
対向きにＰＩＮダイオードＤ３１，Ｄ４１′をそなえて
おり、更にこのＰＩＮダイオードＤ３１，Ｄ４１′をオ
ンオフ制御するためのオンオフ制御信号を供給するため
に、制御電源（プラス電源）５２を共通とする制御線３
３，４３′（制御線３３，４３′にはそれぞれインダク
タＬ３１，Ｌ４１′が接続されている）が、伝送線路３
１に並列に接続されている。

【０１３０】また、この制御線３３に対しＰＩＮダイオ
ードＤ３１を挟んだ信号伝送線路３１には、インダクタ
Ｌ３２が並列に接続されている。さらに、制御線３３に
対しＰＩＮダイオードＤ３１を挟んで信号伝送線路３１
に並列に接続された共振回路部３４をそなえている。こ
こで、共振回路部３４は、可変容量ダイオードＶＤと、
インダクタとして機能するストリップライン３５（この
ストリップライン３５は、受信するＲＦ信号とイメージ
周波数の高い方の周波数のλ／４線路として構成されて
いる）と、コンデンサＣ３３とをそなえており、更に可
変容量ダイオードＶＤの容量を制御するための制御線３
６（この制御線３６にはインダクタＬ３３が接続されて
いる）をそなえている。

【０１３１】そして、この共振回路部３４が、可変容量
ダイオードＶＤの容量を制御することにより、受信時は
イメージ周波数，送信時は送信周波数を減衰させるよう
に構成されている。また、この制御線４３′に対し第１
のＰＩＮダイオードＤ４１′を挟んだ信号伝送線路３１
には、線路長がλ／４の長さの線路（λ／４線路）４
４′の一端が並列に接続されている。更に、このλ／４
線路４４′の他端には、第２のＰＩＮダイオードＤ４
２′のカソードが接続されている。なお、第２のＰＩＮ
ダイオードＤ４２′のアノードはコンデンサＣ４４′を
介して接地されるとともに、インダクタＬ４２′を介し
て所定電圧Ｖｃｃが印加されている。

【０１３２】さらに、使用周波数の２倍波のλ／４オー
プンスタブ４５′が、使用周波数に対してはオープンと
なるようなコンデンサＣ４３′を用いて、伝送路３１に
対して並列に挿入されている。なお、この例において、
λ／４オープンスタブ４５′，コンデンサＣ４３′と同
様の機能を果たすノッチフィルタを使用してもよい。

【０１３３】また、Ｃ３１，Ｃ４２′，Ｃ５１，Ｃ５２
はＤＣカット用コンデンサである。このような構成によ
り、受信時には、制御線３３，４３′にプラス電圧を印
加する。これにより、ＰＩＮダイオードＤ３１がインダ
クタＬ３２を介してＯＮになるともに、ＰＩＮダイオー
ドＤ４１′がＯＦＦになる。これにより、高周波スイッ
チが受信部側に切り替わって、アンテナと受信部とが接
続される。このとき、制御線３６を通じて所要の制御電
圧を作用させることにより、イメージ周波数を減衰させ
るようにしておく。これにより、受信時は、イメージ周
波数が十分に減衰され、イメージ・レスポンスを改善す
ることができ、その結果、良好な受信を行なうことがで
きる。

【０１３４】また、送信時は、制御線３３，４３′の制
御電圧を０またはオープンにする。これにより、ＰＩＮ
ダイオードＤ３１がＯＦＦになるとともに、ＰＩＮダイ
オードＤ４１′がλ／４線路４４′，ＰＩＮダイオード
Ｄ４２′を介してＯＮになる。これにより、高周波スイ
ッチが送信部側に切り替わって、アンテナと送信部とが
接続される。このとき、制御線３６を通じて他の所要制
御電圧を作用させることにより、送信周波数を減衰させ
るようにしておく。これにより、送信時には送信電力の
リークから受信デバイスを十分に保護することができ
る。また、オープンスタブ４５′で３倍波、使用周波数
のλ／４線路４４′で２倍波が減衰される。これによ
り、電力増幅器等で発生する高調波スプリアス減衰に有
効となる。

【０１３５】このように、本実施形態では、第１０実施
形態と第１３実施形態とを組み合わせることにより、デ
ュアルバンド対応ＳＰＤＴスイッチとして使用すること
ができ、低挿入損失で高アイソレーションが得られると
ともに、受信時にはイメージ抑圧が可能で、且つ、送信
時には高調波減衰が可能な、送受信切替スイッチとして
十分適用が可能となる。

【０１３６】（ｐ）第１５実施形態にかかる高周波スイ
ッチの説明 本発明を応用した高周波数スイッチの第１５実施形態を
図２０に示すが、この図２０に示す高周波スイッチも、
例えば図６に示す回路では、切替用高周波スイッチＳＷ
１，ＳＷ２に使用されるもので、この高周波スイッチ
は、上記の第１１実施形態の回路（図１６参照）および
第１２実施形態の回路（図１７参照）を組み合わせるこ
とにより、上記のアンテナ切替スイッチなどに適用可能
なＳＰＤＴスイッチとして構成したものである。

【０１３７】すなわち、伝送線路３１に直列に相互に反
対向きにＰＩＮダイオードＤ３１′，Ｄ４１をそなえて
おり、更にこのＰＩＮダイオードＤ３１′，Ｄ４１をオ
ンオフ制御するためのオンオフ制御信号を供給するため
に、制御電源（プラス電源）５２′を共通とする制御線
３３′，４３（制御線３３′，４３にはそれぞれインダ
クタＬ３１′，Ｌ４１が接続されている）が、伝送線路
３１に並列に接続されている。

【０１３８】また、この制御線３３′に対しＰＩＮダイ
オードＤ３１′を挟んだ信号伝送線路３１には、インダ
クタＬ３２′が並列に接続されている。さらに、制御線
３３′に対しＰＩＮダイオードＤ３１′を挟んで信号伝
送線路３１に並列に接続された共振回路部３４′をそな
えている。ここで、共振回路部３４′は、可変容量ダイ
オードＶＤ′と、インダクタとして機能するストリップ
ライン３５′（このストリップライン３５′も、受信す
るＲＦ信号とイメージ周波数の高い方の周波数のλ／４
線路として構成されている）と、コンデンサＣ３３′と
をそなえており、更に可変容量ダイオードＶＤ′の容量
を制御するための制御線３６′（この制御線３６′には
インダクタＬ３３′が接続されている）をそなえてい
る。

【０１３９】そして、この共振回路部３４′が、可変容
量ダイオードＶＤ′の容量を制御することにより、受信
時はイメージ周波数，送信時は送信周波数を減衰させる
ように構成されている。また、この制御線４３に対し第
１のＰＩＮダイオードＤ４１を挟んだ信号伝送線路３１
には、線路長がλ／４の長さの線路（λ／４線路）４４
の一端が並列に接続されている。更に、このλ／４線路
４４の他端には、第２のＰＩＮダイオードＤ４２のアノ
ードが接続されている。なお、第２のＰＩＮダイオード
Ｄ４２のカソードが接地されている。

【０１４０】さらに、使用周波数の２倍波のλ／４オー
プンスタブ４５が、使用周波数に対してはオープンとな
るようなコンデンサＣ４３を用いて、伝送路３１に対し
て並列に挿入されている。なお、この例において、λ／
４オープンスタブ４５，コンデンサＣ４３と同様の機能
を果たすノッチフィルタを使用してもよい。なお、Ｃ３
１′，Ｃ３４′，Ｃ４２，Ｃ５１，Ｃ５２はＤＣカット
用コンデンサである。

【０１４１】このような構成により、受信時には、制御
線３３′，４３の制御電圧を０またはオープンにする。
これにより、ＰＩＮダイオードＤ３１′がインダクタＬ
３２′を介してＯＮになるともに、ＰＩＮダイオードＤ
４１がＯＦＦになる。これにより、高周波スイッチが受
信部側に切り替わって、アンテナと受信部とが接続され
る。このとき、制御線３６′を通じて所要の制御電圧を
作用させることにより、イメージ周波数を減衰させるよ
うにしておく。これにより、受信時は、イメージ周波数
が十分に減衰され、イメージ・レスポンスを改善するこ
とができ、その結果、良好な受信を行なうことができ
る。

【０１４２】また、送信時は、制御線３３′，４３にプ
ラス電圧を印加する。これにより、ＰＩＮダイオードＤ
３１′がＯＦＦになるとともに、ＰＩＮダイオードＤ４
１がλ／４線路４４，ＰＩＮダイオードＤ４２を介して
ＯＮになる。これにより、高周波スイッチが送信部側に
切り替わって、アンテナと送信部とが接続される。この
とき、制御線３６′を通じて他の所要制御電圧を作用さ
せることにより、送信周波数を減衰させるようにしてお
く。これにより、送信時には送信電力のリークから受信
デバイスを十分に保護することができる。また、オープ
ンスタブ４５で３倍波、使用周波数のλ／４線路４４で
２倍波が減衰される。これにより、電力増幅器等で発生
する高調波スプリアス減衰に有効となる。

【０１４３】このように本実施形態では、第１１実施形
態と第１２実施形態とを組み合わせることにより、第１
４実施形態の回路の制御電圧を逆転させることができ、
これにより、この場合も、デュアルバンド対応ＳＰＤＴ
スイッチとして使用することができ、低挿入損失で高ア
イソレーションが得られるとともに、受信時にはイメー
ジ抑圧が可能で、且つ、送信時には高調波減衰が可能
な、送受信切替スイッチとして十分適用が可能となる。

【０１４４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の高周波ス
イッチによれば、直列のＰＩＮダイオードスイッチに加
えて、使用周波数のλ／４線路を挿入した並列接続のＰ
ＩＮダイオードスイッチを組み合わせて、スイッチＯＮ
時には、並列のＰＩＮダイオードが開放に見え、スイッ
チＯＦＦ時には、ショートに見えるような構成とし、制
御は例えばプラス電源制御のみということを特徴として
いるので、低挿入損失、高アイソレーションの高周波ス
イッチを構成することができ、これにより、受信系の場
合は高感度化、送信系の場合は高効率化が可能になるほ
か、一般的な回路では、ＯＮ，ＯＦＦ制御を２つの制御
端子で行なうところを、１つの制御端子のみで制御する
ことができ、制御回路の簡略化および小型化が実現でき
る利点がある。

【０１４５】また、本発明の高周波スイッチでは、λ／
４線路をスイッチを用いて切り替えることにより、デュ
アルバンドに対応させており、更にスイッチの制御を逆
の組み合わせにする回路構成も可能としているので、デ
ュアルバンドまたはマルチバンドに対応することがで
き、本来、各周波数帯専用の回路を使用しなければなら
なかったのに対して、１つの回路で装置を構成すること
ができ、装置の小型化および低価格化が実現できる利点
がある。

【０１４６】さらに、本発明の高周波スイッチでは、λ
／４線路を使用することで、ノッチフィルタのような効
果も期待でき、使用周波数帯域以外のスプリアスを減衰
することができ、更にこれを発展させることにより、受
信系において、スイッチＯＮ時は、イメージ周波数のノ
ッチフィルタとして働き、スイッチＯＦＦ時には、ＲＦ
周波数のノッチフィルタとして働くことで、受信時には
イメージレスポンスの改善、送信時には電力増幅器から
の送信電力の漏れによる受信用デバイスの破壊を防止す
ることができる。即ち、λ／４線路の特性又はその切替
により、受信系であれば、イメージ周波数の除去、送信
系であれば、２倍波や３倍波の高調波スプリアスの減衰
及びその高調波処理を行なうことによる、送信系の高効
率化が実現できる。

【０１４７】また、本発明の高周波スイッチを組み合わ
せることで、低挿入損失、高アイソレーションで切り換
え制御が簡単なＳＰＤＴスイッチを構成することもでき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図２】本発明の第１実施形態の作用を説明するための
周波数特性図である。

【図３】本発明の第１実施形態の作用を説明するための
周波数特性図である。

【図４】本発明の第２実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図５】本発明の第３実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図６】無線通信システムにおける基地局あるいは移動
端末の送受信系の一部を示すブロック図である。

【図７】本発明の第４実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図８】本発明の第５実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図９】本発明の第６実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図１０】本発明の第７実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図１１】本発明の第８実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図１２】本発明の第９実施形態を示す電気回路図であ
る。

【図１３】本発明の第１０実施形態を示す電気回路図で
ある。

【図１４】本発明の第１０実施形態の作用を説明するた
めの周波数特性図である。

【図１５】本発明の第１０実施形態の作用を説明するた
めの周波数特性図である。

【図１６】本発明の第１１実施形態を示す電気回路図で
ある。

【図１７】本発明の第１２実施形態を示す電気回路図で
ある。

【図１８】本発明の第１３実施形態を示す電気回路図で
ある。

【図１９】本発明の第１４実施形態を示す電気回路図で
ある。

【図２０】本発明の第１５実施形態を示す電気回路図で
ある。

【図２１】無線通信システムにおける基地局あるいは移
動端末の送受信系の一部を示すブロック図である。

【図２２】第１従来例を示す電気回路図である。

【図２３】第２従来例を示す電気回路図である。

【図２４】第３従来例を示す電気回路図である。

【図２５】第４従来例を示す電気回路図である。

【符号の説明】

１，１１，２１，３１，１１１ 信号伝送線路 ２，２′，１２，１２′，２２，２２′，３２，３
２′，４２，４２′， 制御電源（プラス電源） ３，３′，１３，１３′，２３，２３′，３３，３
３′，３６，３６′ 制御線 ４，４′，１４−１，１４−２，１４′−１，１４′−
２，２４−１，２４−２，２４′−１，２４′−２，４
４，４４′ λ／４線路 １２−１，１２−２ 電源 ２６，２６′ 切替スイッチ ３４，３４′ 共振回路部 ３５，３５′ストリップライン ４５，４５′ オープンスタブ １１２，１１２′，１１２−１，１１２−２ ＤＣバイ
アス線 １１２Ａ，１１２′Ａ １１２Ａ−１，１１２Ａ−２
制御端 ＡＴ１，ＡＴ２ アンテナ Ｃ１，Ｃ１′，Ｃ２，Ｃ２′，Ｃ３，Ｃ４〜Ｃ７，Ｃ１
１，Ｃ１１′，Ｃ１２，Ｃ１２′，Ｃ１３，Ｃ１３′，
Ｃ１４−１，Ｃ１４−２，Ｃ１４′−１，Ｃ１４′−
２，Ｃ１５，Ｃ１６，Ｃ２１，Ｃ２１′，Ｃ２２，Ｃ２
２′，Ｃ２３′−１，Ｃ２３′−２，Ｃ２４，Ｃ２５，
Ｃ３１〜Ｃ３３，Ｃ３１′〜Ｃ３４′，Ｃ４１〜Ｃ４
３，Ｃ４１′〜Ｃ４４′，Ｃ５１，Ｃ５２，Ｃ１０１，
Ｃ１０１′，Ｃ１０２，Ｃ１０２′，Ｃ１０３，Ｃ１０
４ コンデンサ Ｄ，Ｄ′，Ｄ−１，Ｄ−２，Ｄ−３，Ｄ−４，Ｄ１，Ｄ
１′，Ｄ２，Ｄ２′，Ｄ１１，Ｄ１１′，Ｄ２１，Ｄ２
１′，Ｄ２２−１，Ｄ２２−２，Ｄ２２′−１，Ｄ２
２′−２，Ｄ３１，Ｄ３１′，Ｄ４１，Ｄ４１′，Ｄ４
２，Ｄ４２′ ＰＩＮダイオード Ｌ１，Ｌ１′，Ｌ２，Ｌ１１，Ｌ１１′，Ｌ１２，Ｌ１
２′，Ｌ１３，Ｌ１３′，Ｌ１４，Ｌ１４′，Ｌ１５，
Ｌ１５′，Ｌ２１，Ｌ２１′，Ｌ２２′−１，Ｌ２２′
−２，Ｌ３１〜Ｌ３３，Ｌ３１′〜Ｌ３３′，Ｌ４１，
Ｌ４１′，Ｌ４２′，Ｌ１０１，Ｌ１０１′，Ｌ１０
２，Ｌ１０２′，Ｌ１０２−１，Ｌ１０２−２ インダ
クタ Ｒ，Ｒ′ 抵抗 Ｒｘ１，Ｒｘ２ 受信部 ＳＷ１〜ＳＷ３ 高周波スイッチ Ｔｘ 送信部 ＶＤ，ＶＤ′ 可変容量ダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 慎一 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内 (72)発明者 斉藤 雅明 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 波長がλの高周波信号を伝送する信号伝
   送線路に直列に設けられたスイッチ部としての第１のＰ
   ＩＮダイオードと、 該第１のＰＩＮダイオードをオンオフ制御するためのオ
   ンオフ制御信号を供給すべく、該信号伝送線路に並列に
   接続された制御電源付き制御線と、 該制御線に対し該第１のＰＩＮダイオードを挟んで該信
   号伝送線路に並列に一端を接続された線路長がλ／４の
   長さの線路と、 該線路の他端に接続された第２のＰＩＮダイオードとを
   そなえて構成されたことを特徴とする、高周波スイッ
   チ。
2. 【請求項２】 波長λ１，λ２（λ１＜λ２）の２種の
   高周波信号を伝送しうる信号伝送線路に直列に設けられ
   たスイッチ部としての第１のＰＩＮダイオードと、 該第１のＰＩＮダイオードをオンオフ制御するためのオ
   ンオフ制御信号を供給すべく、該信号伝送線路に並列に
   接続された制御電源付き制御線と、 該制御線に対し該第１のＰＩＮダイオードを挟んで該信
   号伝送線路に並列に一端を接続された線路長がλ１／４
   の長さの第１線路と、 該第１線路の他端側に接続された第２のＰＩＮダイオー
   ドと、 該第２のＰＩＮダイオードに接続されて波長λ１の信号
   に対しては低インピーダンスとなる一端接地型のコンデ
   ンサと、 該コンデンサに対し並列に接続されるとともに、該第１
   線路と協働して線路長λ２／４の長さの線路を構成する
   第２線路と、 該第２線路に直列に接続された第３のＰＩＮダイオード
   とをそなえて構成されたことを特徴とする、高周波スイ
   ッチ。
3. 【請求項３】 波長λ１，λ２（λ１＜λ２）の２種の
   高周波信号を伝送しうる信号伝送線路に直列に設けられ
   たスイッチ部としての第１のＰＩＮダイオードと、 該第１のＰＩＮダイオードをオンオフ制御するためのオ
   ンオフ制御信号を供給すべく、該信号伝送線路に並列に
   接続された制御電源付き制御線と、 該制御線に対し該第１のＰＩＮダイオードを挟んで該信
   号伝送線路に並列に一端を接続された線路長がλ１／４
   の長さの第１線路と、 該第１線路の他端側に接続されるべき第２のＰＩＮダイ
   オードと、 該第１線路と協働して線路長λ２／４の長さの線路を構
   成する第２線路と、 該第２線路に直列に接続された第３のＰＩＮダイオード
   と、 該第１線路と該第２線路，該第２のＰＩＮダイオードと
   の間に介装されて、該第１線路と該第２のＰＩＮダイオ
   ードの接続または該第１線路と該第２線路との接続を選
   択的に切り替えるスイッチ部とをそなえて構成されたこ
   とを特徴とする、高周波スイッチ。
4. 【請求項４】 高周波信号を伝送する信号伝送線路に直
   列に設けられたスイッチ部としてのＰＩＮダイオード
   と、 該ＰＩＮダイオードをオンオフ制御するためのオンオフ
   制御信号を供給すべく、該信号伝送線路に並列に接続さ
   れた制御電源付き制御線と、 該制御線に対し該ＰＩＮダイオードを挟んで該信号伝送
   線路に並列に接続され、可変容量ダイオードとストリッ
   プラインとからなる共振回路部とをそなえ、 該共振回路部が、該可変容量ダイオードの容量を制御す
   ることにより、受信時はイメージ周波数，送信時は送信
   周波数を減衰させるように構成されていることを特徴と
   する、高周波スイッチ。
5. 【請求項５】 波長がλの高周波信号を伝送する信号伝
   送線路に直列に設けられたスイッチ部としての第１のＰ
   ＩＮダイオードと、 該第１のＰＩＮダイオードをオンオフ制御するためのオ
   ンオフ制御信号を供給すべく、該信号伝送線路に並列に
   接続された制御電源付き制御線と、 該制御線に対し該第１のＰＩＮダイオードを挟んで該信
   号伝送線路に並列に一端を接続された線路長がλ／４の
   長さの線路と、 該線路の他端に接続された第２のＰＩＮダイオードとを
   そなえるともに、 該信号伝送線路に並列に接続され、該高周波信号のもつ
   周波数の３倍波のオープンスタブまたはノッチフィルタ
   をそなえて構成されたことを特徴とする、高周波スイッ
   チ。