CN116746061A - 高频电路和通信装置 - Google Patents

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CN116746061A CN202180087746.9A CN202180087746A CN116746061A CN 116746061 A CN116746061 A CN 116746061A CN 202180087746 A CN202180087746 A CN 202180087746A CN 116746061 A CN116746061 A CN 116746061A
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上岛孝纪
相川清志
三浦正也
永森启之
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

高频电路(1)具备：与功率放大器(61)连接的B66‑Tx用的发送滤波器(31T)；与功率放大器(62)连接的B25‑Tx用的发送滤波器(42T)；具有端子(20a、20b、20c及20d)的开关电路(20)；具有公共端子(51a)、端子(51b及51c)的开关电路(51)；以及具有公共端子(52a)、端子(52b及52c)的开关电路(52)，其中，端子(20a)与公共端子(51a)连接，端子(20b)与公共端子(52a)连接，端子(51b)与发送滤波器(31T)连接，端子(52b)与发送滤波器(42T)连接，开关电路(51)的堆叠数小于开关电路(20)的堆叠数，并且，开关电路(52)的堆叠数小于开关电路(20)的堆叠数。

Description

高频电路和通信装置
技术领域
本发明涉及一种对高频信号进行处理的高频电路和通信装置。
背景技术
专利文献1中公开了一种高频模块，该高频模块具有多个双工器(发送滤波器和接收滤波器)连接于1个开关电路的结构，能够进行多个信号的同时发送。在双工器与开关的选择端子之间配置有相位电路。据此，能够抑制发送信号的谐波经由开关从一个双工器向其它双工器、也就是从一个信号路径向其它信号路径泄漏的情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2015/041125号
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1中公开的高频模块中，同时传输多个信号的所有双工器连接于1个开关电路，因此连接于该开关电路的发送路径变多，开关电路的端子数增加。当开关电路的端子数变多时，在多个发送信号同时被输入到上述开关电路的情况下，因施加于端子的电压上升而引起所产生的信号失真增大，信号质量下降。另外，若提高开关电路的耐压性能，开关电路会大型化。
因此，本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种使多个信号的同时发送时的传输性能的劣化得到抑制的小型的高频电路和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频电路具备：第一功率放大器及第二功率放大器；第一发送滤波器，其与第一功率放大器连接，该第一发送滤波器的通带中包含第一频带中包含的第一发送频带；第二发送滤波器，其与第二功率放大器连接，该第二发送滤波器的通带中包含与第一频带不同的第二频带中包含的第二发送频带；第一开关电路，其具有第一天线连接端子、第二天线连接端子、第一端子以及第二端子；第二开关电路，其具有第一公共端子、第三端子以及第四端子；以及第三开关电路，其具有第二公共端子、第五端子以及第六端子，其中，第一端子与第一公共端子连接，第二端子与第二公共端子连接，第三端子与第一发送滤波器连接，第五端子与第二发送滤波器连接，第一开关电路具有分别串联配置于第一天线连接端子与第一端子之间、第一天线连接端子与第二端子之间、第二天线连接端子与第一端子之间、以及第二天线连接端子与第二端子之间的第一开关，第二开关电路具有分别串联配置于第一公共端子与第三端子之间、以及第一公共端子与第四端子之间的第二开关，第三开关电路具有分别串联配置于第二公共端子与第五端子之间、以及第二公共端子与第六端子之间的第三开关，第二开关的堆叠数小于第一开关的堆叠数，并且，第三开关的堆叠数小于第一开关的堆叠数。
发明的效果
根据本发明，能够提供使多个信号的同时发送时的传输性能的劣化得到抑制的小型的高频电路和通信装置。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频电路和通信装置的电路结构图。
图2A是实施方式所涉及的第一开关电路的电路结构图。
图2B是实施方式所涉及的第二开关电路的电路结构图。
图2C是实施方式所涉及的第三开关电路的电路结构图。
图3是表示实施方式所涉及的高频电路中的双上行链路时的开关电路的电路状态的图。
图4是比较例所涉及的高频电路的电路结构图。
图5是表示比较例所涉及的高频电路中的双上行链路时的开关电路的电路状态的图。
图6是实施方式的变形例所涉及的高频电路的电路结构图。
具体实施方式
下面，详细说明本发明的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
另外，下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。
另外，在下面的实施方式中，“A与B连接”被定义为：不仅指A与B接触，还包括A与B经由导体电极、导体端子、布线或其它电路部件等电连接。另外，“连接于A与B之间”表示在A与B之间同A及B这两方连接。
另外，下面，“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
(实施方式)
[1.高频电路1和通信装置5的结构]
图1是实施方式所涉及的高频电路1和通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频电路1、天线2A及2B、RF信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。
天线2A例如是主天线，是在天线性能等方面相比于天线2B而被优先使用的天线，且是能够发送和接收第一频带、第二频带、第三频带以及第四频带的信号的天线元件。另外，天线2B例如是副天线，且是能够发送和接收第一频带、第二频带、第三频带以及第四频带的信号的天线元件。
RFIC 3是对利用天线2A及2B发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频电路1输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频电路1的发送路径。
BBIC 4是使用频率比在高频电路1中传播的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
另外，RFIC 3还具有基于所使用的频段(频带)来控制高频电路1所具有的开关电路(后述)的连接的作为控制部的功能。具体地说，RFIC 3通过控制信号(未图示)来切换高频电路1所具有的开关电路的连接。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于高频电路1或BBIC 4。
接着，说明高频电路1的详细的电路结构。
如图1所示，高频电路1具备开关电路20、50、51、52、53及54、发送滤波器31T、34T、42T及43T、接收滤波器31R、32R、33R、34R、41R、42R、43R及44R、以及功率放大器61及62。
在本实施方式中，将4个频带分别分配到例如用于LTE(Long Term Evolution：长期演进)或5GNR(5th Generation New Radio：5G新空口)的具体的频段。第一频带例如是Band 66(发送频带：1710MHz-1780MHz、接收频带：2110MHz-2200MHz)。第二频带例如是Band25(发送频带：1850MHz-1915MHz、接收频带：1930MHz-1995MHz)。第三频带例如是Band1(发送频带：1920MHz-1980MHz、接收频带：2110MHz-2170MHz)。第四频带例如是Band 3(发送频带：1710MHz-1785MHz、接收频带：1805MHz-1880MHz)。
此外，在上述的频率分配中，处于Band 3的发送频带包含Band 66的发送频带的关系，且处于Band 66的接收频带包含Band 1的接收频带的关系。除此以外，在4个频带中不存在重叠和包含的关系。
根据上述频带的关系，在本实施方式所涉及的高频电路1中为以下结构：不执行Band 66与Band 3的双上行链路，另外，不执行Band 66与Band 1的双下行链路。
通过上述结构，高频电路1能够执行(1)同时发送第一频带(Band 66)中包含的第一发送频带(B66-Tx)的发送信号以及第二频带(Band 25)中包含的第二发送频带(B25-Tx)的发送信号的双上行链路、(2)同时接收第一频带(Band66)中包含的第一接收频带(B66-Rx)的接收信号以及第二频带(Band 25)中包含的第二接收频带(B25-Rx)的接收信号的双下行链路、(3)同时发送第三频带(Band 1)中包含的第三发送频带(B1-Tx)的发送信号以及第四频带(Band 3)中包含的第四发送频带(B3-Tx)的发送信号的双上行链路、以及(4)同时接收第三频带(Band 1)中包含的第三接收频带(B1-Rx)的接收信号以及第四频带(Band 3)中包含的第四接收频带(B3-Rx)的接收信号的双下行链路。
发送滤波器31T是以B66-Tx为通带的第一发送滤波器的一例，输入端子经由开关电路53来与功率放大器61连接，输出端子与端子51b连接。
发送滤波器34T是以B3-Tx为通带的第四发送滤波器的一例，输入端子经由开关电路53来与功率放大器61连接，输出端子与端子51c连接。
接收滤波器31R是以B66-Rx为通带的第一接收滤波器的一例，输入端子与端子51b连接。
接收滤波器32R是以B25-Rx为通带的第五接收滤波器的一例，输入端子与端子51b连接。
接收滤波器33R是以B1-Rx为通带的第七接收滤波器的一例，输入端子与端子51c连接。
接收滤波器34R是以B3-Rx为通带的第四接收滤波器的一例，输入端子与端子51c连接。
发送滤波器42T是以B25-Tx为通带的第二发送滤波器的一例，输入端子经由开关电路54来与功率放大器62连接，输出端子与端子52b连接。
发送滤波器43T是以B1-Tx为通带的第三发送滤波器的一例，输入端子经由开关电路54来与功率放大器62连接，输出端子与端子52c连接。
接收滤波器41R是以B66-Rx为通带的第六接收滤波器的一例，输入端子与端子52b连接。
接收滤波器42R是以B25-Rx为通带的第二接收滤波器的一例，输入端子与端子52b连接。
接收滤波器43R是以B1-Rx为通带的第三接收滤波器的一例，输入端子与端子52c连接。
接收滤波器44R是以B3-Rx为通带的第八接收滤波器的一例，输入端子与端子52c连接。
发送滤波器31T、34T、接收滤波器31R、32R、33R及34R构成能够选择性地发送Band66和Band 3的高频信号、且接收Band 66、Band 25、Band 1及Band 3的高频信号的第一多工器。第一多工器是连接于开关电路51与功率放大器61之间的滤波器的集合体。此外，第一多工器不具有以B25-Tx为通带的发送滤波器以及以B1-Tx为通带的发送滤波器。
发送滤波器42T、43T、接收滤波器41R、42R、43R及44R构成能够选择性地发送Band25和Band 1的高频信号、且接收Band 66、Band 25、Band 1及Band 3的高频信号的第二多工器。第二多工器是连接于开关电路52与功率放大器62之间的滤波器的集合体。此外，第二多工器不具有以B66-Tx为通带的发送滤波器以及以B3-Tx为通带的发送滤波器。
功率放大器61是第一功率放大器的一例，输入端子与开关电路50连接，输出端子与开关电路53连接。功率放大器62是第二功率放大器的一例，输入端子与开关电路50连接，输出端子与开关电路54连接。功率放大器61及62例如是由晶体管等构成的功率放大器。
开关电路20是第一开关电路的一例，具有端子20a(第一端子)、端子20b(第二端子)、端子20c(第一天线连接端子)以及端子20d(第二天线连接端子)。
端子20c与天线2A连接，端子20d与天线2B连接。另外，端子20a与公共端子51a连接，端子20b与公共端子52a连接。
在开关电路20中，对端子20a与端子20c的导通以及端子20a与端子20d的导通排他地进行选择，对端子20b与端子20c的导通以及端子20b与端子20d的导通排他地进行选择。
开关电路20例如是具有端子20a、20b、20c及20d的DPDT(Double Pole DoubleThrow：双刀双掷)型的开关电路。此外，开关电路20也可以是DP3T(Double Pole 3Throw：双刀三掷)型和DP4T(Double Pole 4Throw：双刀四掷)型等的开关电路，在该情况下，根据要使用的频段数来使用所需要的端子即可。
开关电路51是第二开关电路的一例，具有公共端子51a(第一公共端子)、端子51b(第三端子)及51c(第四端子)，对公共端子51a与端子51b的导通以及公共端子51a与端子51c的导通排他地进行切换。公共端子51a与端子20a连接，端子51b与发送滤波器31T、接收滤波器31R及32R连接，端子51c与发送滤波器34T、接收滤波器33R及34R连接。由此，开关电路51对发送滤波器31T、接收滤波器31R及32R与开关电路20的连接以及发送滤波器34T、接收滤波器33R及34R与开关电路20的连接进行切换。
开关电路52是第三开关电路的一例，具有公共端子52a(第二公共端子)、端子52b(第五端子)及52c(第六端子)，对公共端子52a与端子52b的导通以及公共端子52a与端子52c的导通排他地进行切换。公共端子52a与端子20b连接，端子52b与发送滤波器42T、接收滤波器41R及42R连接，端子52c与发送滤波器43T、接收滤波器43R及44R连接。由此，开关电路52对发送滤波器42T、接收滤波器41R及42R与开关电路20的连接以及发送滤波器43T、接收滤波器43R及44R与开关电路20的连接进行切换。
开关电路51及52分别例如是SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路。
开关电路53具有公共端子53a、端子53c及53d，对公共端子53a与端子53c的导通以及公共端子53a与端子53d的导通排他地进行切换。公共端子53a与功率放大器61连接，端子53c与发送滤波器31T连接，端子53d与发送滤波器34T连接。由此，开关电路53对发送滤波器31T与功率放大器61的连接以及发送滤波器34T与功率放大器61的连接进行切换。
开关电路54具有公共端子54a、端子54c及54d，对公共端子54a与端子54c的导通以及公共端子54a与端子54d的导通排他地进行切换。公共端子54a与功率放大器62连接，端子54c与发送滤波器42T连接，端子54d与发送滤波器43T连接。由此，开关电路54对发送滤波器42T与功率放大器62的连接以及发送滤波器43T与功率放大器62的连接进行切换。
开关电路50具有端子50a、端子50b、端子50c以及端子50d。
端子50c与功率放大器61连接，端子50d与功率放大器62连接。另外，端子50a及50b分别与RFIC 3的不同的端子连接。
在开关电路50中，对端子50a与端子50c的导通以及端子50a与端子50d的导通排他地进行选择，对端子50b与端子50c的导通以及端子50b与端子50d的导通排他地进行选择。
开关电路50例如是DPDT型的开关电路。此外，开关电路50也可以是DP3T型和DP4T型等的开关电路，在该情况下，根据要使用的频段数来使用所需要的端子即可。
此外，也可以是，在构成高频电路1的上述的各电路部件之间插入有阻抗匹配电路。
通过上述结构，高频电路1通过切换开关电路20、50～54的连接状态，来将Band66、Band 25、Band 1及Band 3的高频信号任意地分配到天线2A及2B，从而能够执行上述(1)～(4)所列举的双上行链路双下行链路的同时传输。在此，第一多工器不具有Band 25的发送滤波器和Band 1的发送滤波器，第二多工器不具有Band 66的发送滤波器和Band 3的发送滤波器，能够提供能够执行双上行链路双下行链路的同时传输的小型的高频电路1。
此外，本发明所涉及的高频电路只要至少具有图1中示出的电路部件中的功率放大器61及62、发送滤波器31T及43T、以及开关电路20、51及52即可。
[2.实施方式所涉及的开关电路的结构]
接着，说明构成高频电路1的开关电路20、51及52的电路结构。
图2A是实施方式所涉及的开关电路20的电路结构图。如该图所示，开关电路20除了具有端子20a、20b、20c及20d以外，还具有开关210、220、230、240、215及235。
开关210是第一开关的一例，是串联配置于端子20c与端子20a之间的所谓的串联开关(series switch)。开关220是第一开关的一例，是串联配置于端子20d与端子20a之间的所谓的串联开关。开关230是第一开关的一例，是串联配置于端子20c与端子20b之间的所谓的串联开关。开关240是第一开关的一例，是串联配置于端子20d与端子20b之间的所谓的串联开关。
在此，开关串联配置于端子a与端子b之间是指以下的状态：在对2个端子之间的导通及非导通进行切换的开关中，该2个端子中的一方连接于端子a，该2个端子中的另一方连接于端子b。
开关215是第四开关的一例，是连接于端子20a与地之间的所谓的并联开关(shuntswitch)。开关235是第四开关的一例，是连接于端子20b与地之间的所谓的并联开关。
构成开关电路20的第一开关和第四开关分别由串联连接的1个以上的半导体元件构成。1个以上的半导体元件分别例如是由源极电极、漏极电极以及栅极电极构成的FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)。在此，在第一开关和第四开关的各开关中，将半导体元件的串联连接数定义为堆叠数。
此外，开关215及235也可以不存在。
图2B是实施方式所涉及的开关电路51的电路结构图。如该图所示，开关电路51除了具有公共端子51a、端子51b及51c以外，还具有开关511、515、512及516。
开关511是第二开关的一例，是串联配置于公共端子51a与端子51b之间的所谓的串联开关。开关515是第二开关的一例，是串联配置于公共端子51a与端子51c之间的所谓的串联开关。
开关512是第五开关的一例，是连接于端子51b与地之间的所谓的并联开关。开关516是第五开关的一例，是连接于端子51c与地之间的所谓的并联开关。
构成开关电路51的第二开关和第五开关分别由串联连接的1个以上的半导体元件构成。1个以上的半导体元件分别例如是由源极电极、漏极电极以及栅极电极构成的FET。在此，在第二开关和第五开关的各开关中，将半导体元件的串联连接数定义为堆叠数。
此外，开关512及516也可以不存在。
图2C是实施方式所涉及的开关电路52的电路结构图。如该图所示，开关电路52除了具有公共端子52a、端子52b及52c以外，还具有开关521、525、522及526。
开关521是第三开关的一例，是串联配置于公共端子52a与端子52b之间的所谓的串联开关。开关525是第三开关的一例，是串联配置于公共端子52a与端子52c之间的所谓的串联开关。
开关522是第六开关的一例，是连接于端子52b与地之间的所谓的并联开关。开关526是第六开关的一例，是连接于端子52c与地之间的所谓的并联开关。
构成开关电路52的第三开关和第六开关分别由串联连接的1个以上的半导体元件构成。1个以上的半导体元件分别例如是由源极电极、漏极电极以及栅极电极构成的FET。在此，在第三开关和第六开关的各开关中，将半导体元件的串联连接数定义为堆叠数。
此外，开关522及526也可以不存在。
图3是表示实施方式所涉及的高频电路1中的双上行链路时的开关电路20、51及52的电路状态的图。在该图中示出了同时发送第一频带(Band 66)中包含的第一发送频带(B66-Tx)的发送信号以及第二频带(Band 25)中包含的第二发送频带(B25-Tx)的发送信号的双上行链路时的电路状态。
如图3所示，B66-Tx的发送信号经由端子51b、开关511、公共端子51a、端子20a、开关210以及端子20c被输出到天线2A。与此同时，B25-Tx的发送信号经由端子52b、开关521、公共端子52a、端子20b、开关240以及端子20d被输出到天线2B。
此时，在开关电路51及52中均只有单一的发送信号流动。与此相对，在开关电路20中有2个发送信号同时流动。在发送信号流过开关电路的情况下，为了切断发送信号而成为非导通状态的开关需要与该发送信号的发送功率相应的耐压性能。
例如，开关电路51中的处于非导通状态的开关515需要与B66-Tx的发送信号的发送功率相应的耐压性能。另外，例如，开关电路52中的处于非导通状态的开关525需要与B25-Tx的发送信号的发送功率相应的耐压性能。
与此相对，例如，开关电路20中的处于非导通状态的开关220必须满足与从端子20a施加的B66-Tx的发送信号相应的耐压以及与从端子20d施加的B25-Tx的发送信号相应的耐压。
另外，例如，开关电路20中的处于非导通状态的开关230必须满足与从端子20c施加的B66-Tx的发送信号相应的耐压以及与从端子20b施加的B25-Tx的发送信号相应的耐压。
也就是说，作为构成开关电路51的串联开关的第二开关以及作为构成开关电路52的串联开关的第三开关的耐压性能可以比作为构成开关电路20的串联开关的第一开关的耐压性能低。
关于开关的耐压，构成该开关的半导体元件的堆叠数越大，则该开关的耐压越高。
从该观点出发，构成开关电路51的第二开关的堆叠数(例如N)小于构成开关电路20的第一开关的堆叠数(例如M)，并且，构成开关电路52的第三开关的堆叠数(例如N)小于构成开关电路20的第一开关的堆叠数(例如M)。
[3.比较例所涉及的高频电路和开关电路的结构]
接着，说明比较例所涉及的高频电路900的电路结构和开关电路90。
图4是比较例所涉及的高频电路900的电路结构图。如该图所示，高频电路900具备开关电路90、50、53及54、发送滤波器31T、34T、42T及43T、接收滤波器31R、32R、33R、34R、41R、42R、43R及44R、以及功率放大器61及62。比较例所涉及的高频电路900与实施方式所涉及的高频电路1相比仅在以下方面不同：配置有开关电路90来代替开关电路20、51及52。
下面，关于比较例所涉及的高频电路900，省略与实施方式所涉及的高频电路1相同的结构的说明，以不同的结构为中心来进行说明。
开关电路90具有端子90a、90b、90c、90d、90e及90f。
端子90e与天线2A连接，端子90f与天线2B连接。另外，端子90a与发送滤波器31T、接收滤波器31R及32R连接，端子90b与发送滤波器34T、接收滤波器33R及34R连接，端子90c与发送滤波器42T、接收滤波器41R及42R连接，端子90d与发送滤波器43T、接收滤波器43R及44R连接。
在开关电路90中，对端子90e与端子90a的导通、端子90e与端子90b的导通、端子90e与端子90c的导通、以及端子90e与端子90d的导通中的任一种排他地进行选择，对端子90f与端子90a的导通、端子90f与端子90b的导通、端子90f与端子90c的导通、以及端子90f与端子90d的导通中的任一种排他地进行选择。
通过上述结构，高频电路900通过切换开关电路90、50、53及54的连接状态，来将Band 66、Band 25、Band 1及Band 3的高频信号任意地分配到天线2A及2B，从而能够执行上述(1)～(4)所列举的双上行链路双下行链路的同时传输。
图5是表示比较例所涉及的高频电路900中的双上行链路时的开关电路90的电路状态的图。如该图所示，开关电路90除了具有端子90a、90b、90c、90d、90e及90f以外，还具有开关910、920、930、940、950、960、970、980、915、935、955及975。
开关910是串联配置于端子90e与端子90a之间的所谓的串联开关。开关920是串联配置于端子90f与端子90a之间的所谓的串联开关。开关930是串联配置于端子90e与端子90b之间的所谓的串联开关。开关940是串联配置于端子90f与端子90b之间的所谓的串联开关。开关950是串联配置于端子90e与端子90c之间的所谓的串联开关。开关960是串联配置于端子90f与端子90c之间的所谓的串联开关。开关970是串联配置于端子90e与端子90d之间的所谓的串联开关。开关980是串联配置于端子90f与端子90d之间的所谓的串联开关。
开关915是连接于端子90a与地之间的所谓的并联开关。开关935是连接于端子90b与地之间的所谓的并联开关。开关955是连接于端子90c与地之间的所谓的并联开关。开关975是连接于端子90d与地之间的所谓的并联开关。
构成开关电路90的各开关由串联连接的1个以上的半导体元件构成。1个以上的半导体元件分别例如是由源极电极、漏极电极以及栅极电极构成的FET。
另外，图5中示出了同时发送第一频带(Band 66)中包含的第一发送频带(B66-Tx)的发送信号以及第二频带(Band 25)中包含的第二发送频带(B25-Tx)的发送信号的双上行链路时的电路状态。
如图5所示，B66-Tx的发送信号经由端子90a、开关910以及端子90e被输出到天线2A。与此同时，B25-Tx的发送信号经由端子90c、开关960以及端子90f被输出到天线2B。
此时，在开关电路90中有2个发送信号同时流动。在发送信号流过开关电路的情况下，为了切断发送信号而成为非导通状态的开关需要与该发送信号的发送功率相应的耐压性能。
例如，开关电路90中的处于非导通状态的开关920必须满足与从端子90a施加的B66-Tx的发送信号相应的耐压以及与从端子90f施加的B25-Tx的发送信号相应的耐压。
另外，例如，开关电路90中的处于非导通状态的开关950必须满足与从端子90e施加的B66-Tx的发送信号相应的耐压以及与从端子90c施加的B25-Tx的发送信号相应的耐压。
另外，在将B66Tx的发送信号从天线2B输出、将B25Tx的发送信号从天线2A输出的情况下，处于非导通状态的开关910及960分别必须满足与B66-Tx的发送信号相应的耐压以及与B25-Tx的发送信号相应的耐压。
同样地，在同时发送第三频带(Band 1)中包含的第三发送频带(B1-Tx)的发送信号以及第四频带(Band 3)中包含的第四发送频带(B3-Tx)的发送信号的双上行链路时，处于非导通状态的开关940及970分别必须满足与B1-Tx的发送信号相应的耐压以及与B3-Tx的发送信号相应的耐压。另外，处于非导通状态的开关930及980分别必须满足与B1-Tx的发送信号相应的耐压以及与B3-Tx的发送信号相应的耐压。
[4.实施方式和比较例所涉及的开关电路的结构比较]
也就是说，构成开关电路90的串联开关的耐压性能必须具有与构成开关电路20的第一开关等同的耐压性能。
从该观点出发，构成开关电路90的开关的堆叠数(例如M)与构成开关电路20的第一开关的堆叠数(例如M)为同等水平，且大于构成开关电路51的第二开关的堆叠数(例如N)，且大于构成开关电路52的第三开关的堆叠数(例如N)。
在比较例所涉及的高频电路900中，作为双上行链路对象的2个发送滤波器与1个开关电路90直接连接，因此连接于开关电路90的发送路径变多，开关电路90的端子数增加。当开关电路90的端子数变多时，开关电路90的截止电容增加，因该截止电容导致开关电路90的传输损耗增加。另外，当多个发送信号被同时输入到开关电路90时，施加于构成开关电路90的各开关的电压上升，信号失真增大，信号质量下降。开关电路90的端子数越多，则信号失真越大。对此，当为了提高构成开关电路90的各开关的耐压性能而使堆叠数大时，开关电路90大型化，高频电路900大型化。
与此相对，在实施方式所涉及的高频电路1中，作为双上行链路对象的2个发送滤波器彼此分开地连接于开关电路51及52，因此连接于开关电路51及52的发送路径分别是1个。因此，开关电路51及52的端子数相比于开关电路90而言减少。另外，开关电路20虽然连接有2个发送路径，但是通过配置开关电路51及52，端子数相比于开关电路90而言减少。因此，开关电路51、52及20的端子数相比于开关电路90而言分别变少，因此开关电路51、52及20的截止电容减少。由此，减少因该截止电容而引起的信号传输损耗。另外，当多个发送信号被同时输入到开关电路20时，施加于构成开关电路20的各开关的电压上升而产生信号失真，但是由于开关电路20的端子数少，因此与开关电路90相比能够减少信号失真。另外，构成开关电路20的各开关的堆叠数为与开关电路90同等的水平，但是构成开关电路51及52的各开关的堆叠数小于构成开关电路90的各开关的堆叠数。由此，能够使实施方式所涉及的高频电路1的开关电路与比较例所涉及的高频电路900的开关电路相比小型化。因此，能够提供使双上行链路时的传输性能的劣化得到抑制的小型的高频电路1。
[5.变形例所涉及的高频电路1A的结构]
图6是实施方式的变形例所涉及的高频电路1A的电路结构图。如该图所示，高频电路1A具备开关电路20、50、51、52、53及54、发送滤波器31T、34T、42T及43T、接收滤波器31R、32R、33R、34R、41R、42R、43R及44R、功率放大器61及62、以及低通滤波器81及82。本变形例所涉及的高频电路1A与实施方式所涉及的高频电路1相比仅在以下方面不同：配置有低通滤波器81及82。
下面，关于本变形例所涉及的高频电路1A，省略与实施方式所涉及的高频电路1相同的结构的说明，以不同的结构为中心来进行说明。
低通滤波器81是第一滤波电路的一例，连接于开关电路20与开关电路51之间。例如，低通滤波器81的通带中包含第一频带(Band 66)、第二频带(Band25)、第三频带(Band1)以及第四频带(Band 3)，低通滤波器81的衰减频带中包含第一频带(Band 66)的2倍频率以及第四频带(Band 3)的2倍频率。由此，能够抑制在功率放大器61、发送滤波器31T及34T中产生的谐波的发生。
低通滤波器82是第二滤波电路的一例，连接于开关电路20与开关电路52之间。例如，低通滤波器82的通带中包含第三频带(Band 66)、第二频带(Band25)、第三频带(Band1)以及第四频带(Band 3)，低通滤波器82的衰减频带中包含第二频带(Band 25)的2倍频率以及第三频带(Band 1)的2倍频率。由此，能够抑制在功率放大器62、发送滤波器42T及43T中产生的谐波的发生。
另外，在高频电路1A中，也可以是，在第一频带中包含的第一发送频带的发送信号的二次谐波与第二频带中包含的第二发送频带的发送信号的基波之间产生的互调失真(第一互调失真)的频率范围的至少一部分与第一频带的至少一部分重叠。或者也可以是，在第一频带中包含的第一发送频带的发送信号的基波与第二频带中包含的第二发送频带的发送信号的二次谐波之间产生的互调失真(第二互调失真)的频率范围的至少一部分与第二频带的至少一部分重叠。
即使在该情况下，也通过将低通滤波器81配置于开关电路20与开关电路51之间，而能够抑制第一互调失真从开关电路20侵入到开关电路51。另外，通过将低通滤波器82配置于开关电路20与开关电路52之间，能够抑制第二互调失真从开关电路20侵入到开关电路52。因此，能够抑制发送信号的质量劣化。
例如，在第一频带是Band 3、第二频带是Band 1的情况下，第一互调失真与Band 1的至少一部分重叠。
另外，例如，在第一频带是Band 1、第二频带是Band 3的情况下，第二互调失真与Band 3的至少一部分重叠。
另外，例如，在第一频带是Band 40(频带：2300MHz-2400MHz)、第二频带是Band 1的情况下，第一互调失真与Band 40的至少一部分重叠。
即使在这些情况下，也能够通过低通滤波器81来抑制第一互调失真从开关电路20侵入到开关电路51。另外，能够通过低通滤波器82来抑制第二互调失真从开关电路20侵入到开关电路52。因此，能够抑制发送信号的质量劣化。
此外，也可以配置高通滤波器或陷波滤波器来代替低通滤波器81及82。
另外，也可以配置取得阻抗匹配的第一匹配电路来代替低通滤波器81。另外，也可以配置取得阻抗匹配的第二匹配电路来代替低通滤波器82。此外，期望的是，第一匹配电路和第二匹配电路分别包括电感器。开关电路20、51及52由于非导通的端子而具有容性的阻抗的情况多。与此相对，配置于开关电路20与开关电路51之间的第一匹配电路以及配置于开关电路20与开关电路52之间的第二匹配电路具有感性的阻抗，由此能够有效地取得开关电路间的阻抗匹配，能够减少高频电路1A的传输损耗。
此外，构成各开关的半导体元件(FET)的栅极宽度越大，则能够使在不改变耐压性能的状态下导通时的导通电阻越小。因此，也可以使构成开关电路20的第一开关的半导体元件的(FET)的栅极宽度大。由此，能够在确保开关电路20的耐压性能的同时减小导通电阻。
[6.效果等]
以上，本实施方式所涉及的高频电路1具备：功率放大器61及62；发送滤波器31T，其与功率放大器61连接，该发送滤波器31T的通带中包含第一频带(Band 66)中包含的第一发送频带(B66-Tx)；发送滤波器42T，其与功率放大器62连接，该发送滤波器42T的通带中包含第二频带(Band 25)中包含的第二发送频带(B25-Tx)；开关电路20，其具有端子20c、20d、20a及20b，对端子20a与端子20c的导通以及端子20a与端子20d的导通进行切换，对端子20b与端子20c的导通以及端子20b与端子20d的导通进行切换；开关电路51，其具有公共端子51a、端子51b及51c，对公共端子51a与端子51b的导通以及公共端子51a与端子51c的导通进行切换；以及开关电路52，其具有公共端子52a、端子52b及52c，对公共端子52a与端子52b的导通以及公共端子52a与端子52c的导通进行切换。端子20a与公共端子51a连接，端子20b与公共端子52a连接，端子51b与发送滤波器31T连接，端子52b与发送滤波器42T连接。开关电路20具有分别串联配置于端子20c与端子20a之间、端子20c与端子20b之间、端子20d与端子20a之间、以及端子20d与端子20b之间的第一开关。开关电路51具有分别串联配置于公共端子51a与端子51b之间、以及公共端子51a与端子51c之间的第二开关。开关电路52具有分别串联配置于公共端子52a与端子52b之间、以及公共端子52a与端子52c之间的第三开关。在此，第二开关的堆叠数小于第一开关的堆叠数，并且，第三开关的堆叠数小于第一开关的堆叠数。
据此，2个发送滤波器31T及42T彼此分开地连接于开关电路51及52，因此连接于开关电路51及52的发送路径分别是1个。因此，开关电路51及52的端子数减少。另外，开关电路20虽然连接有2个发送路径，但是通过配置开关电路51及52，端子数减少。因此，开关电路51、52及20的端子数分别变少，因此开关电路51、52及20的截止电容减少。由此，减少因该截止电容而引起的信号传输损耗。另外，当多个发送信号被同时输入到开关电路20时，施加于构成开关电路20的各开关的电压上升而产生信号失真，但是由于开关电路20的端子数少，因此能够减少信号失真。另外，构成开关电路20的第一开关的堆叠数为与以往的开关电路同等的水平，但是构成开关电路51及52的各开关的堆叠数小于构成以往的开关电路的各开关的堆叠数。由此，能够使高频电路1的开关电路小型化。因此，能够提供使多个信号的同时发送时的传输性能的劣化得到抑制的小型的高频电路1。
另外，在高频电路1中，也可以是，开关电路20具有连接于以下各端子与地之间的第四开关：端子20c、20d、20a以及20b，开关电路51具有连接于以下各端子与地之间的第五开关：公共端子51a、端子51b以及51c，开关电路52具有连接于以下各端子与地之间的第六开关：公共端子52a、端子52b以及52c。
据此，能够提高构成开关电路20、51及52中的各开关电路的各端子之间的隔离度。
另外，在高频电路1中，也可以是，在开关电路20中，对端子20a与端子20c的导通以及端子20a与端子20d的导通进行切换，对端子20b与端子20c的导通以及端子20b与端子20d的导通进行切换，在开关电路51中，对公共端子51a与端子51b的导通以及公共端子51a与端子51c的导通进行切换，在开关电路52中，对公共端子52a与端子52b的导通以及公共端子52a与端子52c的导通进行切换。
另外，也可以是，高频电路1A还具备：第一匹配电路，其连接于开关电路20与开关电路51之间；以及第二匹配电路，其连接于开关电路20与开关电路52之间，第一匹配电路和第二匹配电路分别包括电感器。
开关电路20、51及52由于非导通的端子而具有容性的阻抗的情况多。与此相对，第一匹配电路和第二匹配电路具有感性的阻抗，由此能够有效地取得开关电路间的阻抗匹配，从而能够减少高频电路1A的传输损耗。
另外，也可以是，高频电路1A还具备：低通滤波器81，其连接于开关电路20与开关电路51之间；以及低通滤波器82，其连接于开关电路20与开关电路52之间。
据此，能够通过低通滤波器81来抑制在功率放大器61、发送滤波器31T及34T中产生的谐波的发生，能够通过低通滤波器82来抑制在功率放大器62、发送滤波器42T及43T中产生的谐波的发生。
另外，在高频电路1A中，也可以是，在第一频带中包含的第一发送频带的发送信号的二次谐波与第二频带中包含的第二发送频带的发送信号的基波之间产生的互调失真(第一互调失真)的频率范围的至少一部分与第一频带的至少一部分重叠。或者也可以是，在第一频带中包含的第一发送频带的发送信号的基波与第二频带中包含的第二发送频带的发送信号的二次谐波之间产生的互调失真(第二互调失真)的频率范围的至少一部分与第二频带的至少一部分重叠。
据此，通过将低通滤波器81配置于开关电路20与开关电路51之间，能够抑制第一互调失真从开关电路20侵入到开关电路51。另外，通过将低通滤波器82配置于开关电路20与开关电路52之间，能够抑制第二互调失真从开关电路20侵入到开关电路52。因此，能够抑制发送信号的质量劣化。
另外，在高频电路1A中，也可以是，在第一频带是Band 3、第二频带是Band 1的情况下，第一互调失真与Band 1的至少一部分重叠。
另外，在高频电路1A中，也可以是，在第一频带是Band 1、第二频带是Band 3的情况下，第二互调失真与Band 3的至少一部分重叠。
另外，在高频电路1A中，也可以是，在第一频带是Band 40、第二频带是Band 1的情况下，第一互调失真与Band 40的至少一部分重叠。
即使在这些情况下，也能够通过低通滤波器81来抑制第一互调失真从开关电路20侵入到开关电路51。另外，能够通过低通滤波器82来抑制第二互调失真从开关电路20侵入到开关电路52。因此，能够抑制发送信号的质量劣化。
另外，也可以是，高频电路1还具备：发送滤波器34T，其与功率放大器61连接，该发送滤波器34T的通带中包含第四频带(Band 3)中包含的第四发送频带(B3-Tx)；以及发送滤波器43T，其与功率放大器62连接，该发送滤波器43T的通带中包含第三频带(Band 1)中包含的第三发送频带(B1-Tx)，端子51c与发送滤波器34T连接，端子52c与发送滤波器43T连接，在功率放大器61与开关电路51之间，没有配置通带中包含第二发送频带的发送滤波器以及通带中包含第三发送频带的发送滤波器，在功率放大器62与开关电路52之间，没有配置通带中包含第一发送频带的发送滤波器以及通带中包含第四发送频带的发送滤波器，通过公共端子51a与端子51b的导通以及公共端子52a与端子52b的导通，执行第一发送频带的发送信号与第二发送频带的发送信号的双上行链路，通过公共端子51a与端子51c的导通以及公共端子52a与端子52c的导通，执行第三发送频带的发送信号与第四发送频带的发送信号的双上行链路。
据此，通过切换开关电路20、51及52的连接状态，将第一频带(Band 66)、第二频带(Band 25)、第三频带(Band 1)以及第四频带(Band 3)的高频信号任意地分配到天线2A及2B，从而能够执行双上行链路的同时传输。在此，在功率放大器61与开关电路51之间没有配置通带中包含第二发送频带的发送滤波器以及通带中包含第三发送频带的发送滤波器，在功率放大器62与开关电路52之间没有配置通带中包含第一发送频带的发送滤波器以及通带中包含第四发送频带的发送滤波器，因此能够提供能够执行多个信号的同时传输的小型的高频电路1。
另外，通信装置5具备高频电路1以及对利用高频电路1发送接收的高频信号进行处理的RFIC 3。
据此，能够提供使多个信号的同时发送时的传输性能的劣化得到抑制的小型的通信装置5。
(其它实施方式)
以上，关于实施方式所涉及的高频电路和通信装置，列举实施方式及其变形例来进行了说明，但是本发明的高频电路和通信装置不限定于上述实施方式及其变形例。将上述实施方式及其变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式及其变形例实施本领域技术人员在不脱离本发明的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有本公开的高频电路和通信装置的各种设备也包括在本发明中。
此外，在上述实施方式及其变形例中，例示了同时传输第一频带的高频信号和第二频带的高频信号的双上行链路以及同时传输第三频带的高频信号和第四频带的高频信号的双上行链路的结构，但是本发明所涉及的高频电路和通信装置的结构也能够应用于同时使用3个以上的不同频带的上行链路(例如3上行链路)的结构。也就是说，上述实施方式及其变形例中的双上行链路是也包括同时使用3个以上的不同频带的多上行链路的、执行同时使用3个以上的不同频带的上行链路的结构，包括上述实施方式及其变形例所涉及的高频电路或通信装置的结构的高频电路或通信装置也包括在本发明中。
例如，在上述实施方式及其变形例所涉及的高频电路和通信装置中，也可以在附图中公开的将各电路元件和信号路径连接的路径之间插入其它的高频电路元件和布线等。
产业上的可利用性
本发明作为能够执行双上行链路的支持多频段/多模式的前端电路，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、900：高频电路；2A、2B：天线；3：RF信号处理电路(RFIC)；4：基带信号处理电路(BBIC)；5：通信装置；20、50、51、52、53、54、90：开关电路；20a、20b、20c、20d、50a、50b、50c、50d、51b、51c、52b、52c、53c、53d、54c、54d、90a、90b、90c、90d、90e、90f：端子；51a、52a、53a、54a：公共端子；31R、32R、33R、34R、41R、42R、43R、44R：接收滤波器；31T、34T、42T、43T：发送滤波器；61、62：功率放大器；81、82：低通滤波器；210、215、220、230、235、240、511、512、515、516、521、522、525、526、910、915、920、930、935、940、950、955、960、970、975、980：开关。

Claims (10)

1.一种高频电路，具备：
第一功率放大器及第二功率放大器；
第一发送滤波器，其与所述第一功率放大器连接，所述第一发送滤波器的通带中包含第一频带中包含的第一发送频带；
第二发送滤波器，其与所述第二功率放大器连接，所述第二发送滤波器的通带中包含与所述第一频带不同的第二频带中包含的第二发送频带；
第一开关电路，其具有第一天线连接端子、第二天线连接端子、第一端子以及第二端子；
第二开关电路，其具有第一公共端子、第三端子以及第四端子；以及
第三开关电路，其具有第二公共端子、第五端子以及第六端子，
其中，所述第一端子与所述第一公共端子连接，所述第二端子与所述第二公共端子连接，所述第三端子与所述第一发送滤波器连接，所述第五端子与所述第二发送滤波器连接，
所述第一开关电路具有分别串联配置于所述第一天线连接端子与所述第一端子之间、所述第一天线连接端子与所述第二端子之间、所述第二天线连接端子与所述第一端子之间、以及所述第二天线连接端子与所述第二端子之间的第一开关，
所述第二开关电路具有分别串联配置于所述第一公共端子与所述第三端子之间、以及所述第一公共端子与所述第四端子之间的第二开关，
所述第三开关电路具有分别串联配置于所述第二公共端子与所述第五端子之间、以及所述第二公共端子与所述第六端子之间的第三开关，
所述第二开关的堆叠数小于所述第一开关的堆叠数，并且，所述第三开关的堆叠数小于所述第一开关的堆叠数。
2.根据权利要求1所述的高频电路，其中，
所述第一开关电路具有连接于以下各端子与地之间的第四开关：所述第一天线连接端子、所述第二天线连接端子、所述第一端子以及所述第二端子，
所述第二开关电路具有连接于以下各端子与地之间的第五开关：所述第一公共端子、所述第三端子以及所述第四端子，
所述第三开关电路具有连接于以下各端子与地之间的第六开关：所述第二公共端子、所述第五端子以及所述第六端子。
3.根据权利要求1或2所述的高频电路，其中，
在所述第一开关电路中，对所述第一端子与所述第一天线连接端子的导通以及所述第一端子与所述第二天线连接端子的导通进行切换，对所述第二端子与所述第一天线连接端子的导通以及所述第二端子与所述第二天线连接端子的导通进行切换，
在所述第二开关电路中，对所述第一公共端子与所述第三端子的导通以及所述第一公共端子与所述第四端子的导通进行切换，
在所述第三开关电路中，对所述第二公共端子与所述第五端子的导通以及所述第二公共端子与所述第六端子的导通进行切换。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频电路，其中，还具备：
第一匹配电路，其连接于所述第一开关电路与所述第二开关电路之间；以及
第二匹配电路，其连接于所述第一开关电路与所述第三开关电路之间，所述第一匹配电路和所述第二匹配电路分别包括电感器。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频电路，其中，还具备：
第一滤波电路，其连接于所述第一开关电路与所述第二开关电路之间；以及
第二滤波电路，其连接于所述第一开关电路与所述第三开关电路之间，
所述第一滤波电路是低通型滤波器或带通型滤波器，
所述第二滤波电路是低通型滤波器或带通型滤波器。
6.根据权利要求5所述的高频电路，其中，
在所述第一发送频带的发送信号的二次谐波与所述第二发送频带的发送信号的基波之间产生的互调失真的频率范围的至少一部分与所述第一频带的至少一部分重叠，或者，
在所述第一发送频带的发送信号的基波与所述第二发送频带的发送信号的二次谐波之间产生的互调失真的频率范围的至少一部分与所述第二频带的至少一部分重叠。
7.根据权利要求6所述的高频电路，其中，
所述第一频带是用于长期演进即LTE或5G新空口即5GNR的Band 3，
所述第二频带是用于LTE或5GNR的Band 1。
8.根据权利要求6所述的高频电路，其中，
所述第一频带是用于长期演进即LTE或5G新空口即5GNR的Band 40，
所述第二频带是用于LTE或5GNR的Band 1。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的高频电路，其中，还具备：
第四发送滤波器，其与所述第一功率放大器连接，所述第四发送滤波器的通带中包含与所述第一频带及所述第二频带不同的第四频带中包含的第四发送频带；以及
第三发送滤波器，其与所述第二功率放大器连接，所述第三发送滤波器的通带中包含与所述第一频带、所述第二频带及所述第四频带不同的第三频带中包含的第三发送频带，
所述第四端子与所述第四发送滤波器连接，所述第六端子与所述第三发送滤波器连接，
在所述第一功率放大器与所述第二开关电路之间，没有配置通带中包含所述第二发送频带的发送滤波器以及通带中包含所述第三发送频带的发送滤波器，
在所述第二功率放大器与所述第三开关电路之间，没有配置通带中包含所述第一发送频带的发送滤波器以及通带中包含所述第四发送频带的发送滤波器，
通过所述第一公共端子与所述第三端子的导通以及所述第二公共端子与所述第五端子的导通，执行所述第一发送频带的发送信号与所述第二发送频带的发送信号的双上行链路，
通过所述第一公共端子与所述第四端子的导通以及所述第二公共端子与所述第六端子的导通，执行所述第三发送频带的发送信号与所述第四发送频带的发送信号的双上行链路。
10.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～9中的任一项所述的高频电路；以及
射频信号处理电路即RF信号处理电路，其对利用所述高频电路发送接收的高频信号进行处理。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4232879B2 (ja) * 1999-09-02 2009-03-04 パナソニック株式会社 通信装置
US8150454B2 (en) * 2005-12-19 2012-04-03 Sony Ericsson Mobile Communications Ab System and method for implementing antenna diversity
US8942644B2 (en) * 2011-11-11 2015-01-27 Apple Inc. Systems and methods for protecting microelectromechanical systems switches from radio-frequency signals using switching circuitry
JP2017152896A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 ソニー株式会社 半導体装置、アンテナスイッチ回路、モジュール装置、及び無線通信装置
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