WO2023189276A1

WO2023189276A1 - 高周波回路および通信装置

Info

Publication number: WO2023189276A1
Application number: PCT/JP2023/008527
Authority: WO
Inventors: 農史小野; 伸也人見; 弘嗣森
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2022-03-28
Filing date: 2023-03-07
Publication date: 2023-10-05

Abstract

高周波回路（１）は、ＳＤＬの第１バンドおよびＳＤＬの第２バンドを含む通過帯域を有するフィルタ（１１）と、フィルタ（１１）に接続された低雑音増幅器（７３）と、を備える。

Description

高周波回路および通信装置

　本発明は、高周波回路および通信装置に関する。

　マルチバンド化に対応したフロントエンド回路に対して、複数の高周波信号を低損失かつ高アイソレーションで送受信することが求められている。

　特許文献１には、通過帯域の異なる複数のフィルタがマルチプレクサ（スイッチ）を介してアンテナに接続された構成を有する高周波モジュール（高周波回路）が開示されている。

米国特許出願公開第２０１６／０１２７０１５号明細書

　３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）では、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用バンドおよび時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用バンドに加えて、受信専用のＳＤＬ（Supplimentary DownLink）バンドが規定されている。しかしながら、ＦＤＤ用バンドおよびＴＤＤ用バンドに対応した従来の高周波回路に、ＳＤＬバンドに対応した伝送経路を追加すると、単に追加された伝送経路の分だけ高周波回路が大型化する。

　そこで、本発明は、ＳＤＬバンドの高周波信号を伝送可能な小型の高周波回路および通信装置を提供することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波回路は、ＳＤＬの第１バンドおよびＳＤＬの第２バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、第１フィルタに接続された低雑音増幅器と、を備える。

　本発明によれば、ＳＤＬバンドの高周波信号を伝送可能な小型の高周波回路および通信装置を提供することが可能となる。

図１は、実施の形態に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。図２は、実施の形態に係る高周波回路に適用されるバンドの周波数関係を例示した図である。図３Ａは、実施の形態に係る高周波回路の第１モードの回路状態を示す図である。図３Ｂは、実施の形態に係る高周波回路の第２モードの回路状態を示す図である。図４Ａは、比較例１に係る高周波回路の回路構成図である。図４Ｂは、比較例２に係る高周波回路の第１モードの回路状態を示す図である。図５は、変形例１に係る高周波回路の回路構成図である。図６は、変形例２に係る高周波回路およびプライマリ回路の回路構成図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、または比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、および比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡素化される場合がある。

　本開示において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含むことを意味する。また、「ＡとＢとの間に接続される」とは、ＡおよびＢを結ぶ経路上でＡおよびＢと接続されることを意味する。

　また、本開示において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

　（実施の形態）
　［１　高周波回路１および通信装置５の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波回路１および通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係る高周波回路１および通信装置５の回路構成図である。

　［１．１　通信装置５の回路構成］
　まず、通信装置５の回路構成について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。

　高周波回路１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の詳細な回路構成については後述する。

　アンテナ２は、高周波回路１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波回路１から出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波回路１へ出力する。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波回路１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチおよび増幅器等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部または全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４または高周波回路１に実装されてもよい。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

　［１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、高周波回路１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波回路１は、フィルタ１１、２１、３１、４１、５１、５２、５３、５４、５５および５６と、電力増幅器７１と、低雑音増幅器７２および７３と、スイッチ６０、６１、６２および６３と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１０と、高周波出力端子１２０および１３０と、を備える。

　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。高周波入力端子１１０は、ＲＦＩＣ３に接続され、ＲＦＩＣ３から高周波送信信号を受けるための端子である。高周波出力端子１２０および１３０は、ＲＦＩＣ３に接続され、ＲＦＩＣ３に高周波受信信号を出力するための端子である。

　フィルタ１１は、第１フィルタの一例であり、ＳＤＬ（Supplimentary DownLink）の第１バンドおよびＳＤＬの第２バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１の入力端は、スイッチ６０の端子６０ｅ（第１端子）を介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ１１の出力端は、スイッチ６３を介して低雑音増幅器７３に接続されている。

　第１バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９（７１７－７２８ＭＨｚ）である。また、第２バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７（７３８－７５８ＭＨｚ）である。

　低雑音増幅器７３は、スイッチ６３を介してフィルタ１１に接続され、アンテナ接続端子１００から入力された第１バンドおよび第２バンドの高周波受信信号（以下、受信信号と記す）を増幅する。

　フィルタ１１は、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）を通過帯域として含むので、高周波回路１を小型化できる。また、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）には、対応する送信バンドがないので、フィルタ１１の特性として、近傍にあるべき送信バンドの減衰仕様を満たす必要がないため、フィルタ設計を簡素化できる。また、フィルタ１１の通過帯域に送信バンドが含まれないことで高耐電力性を確保する必要がない。よって、フィルタ１１を小型化できる。

　フィルタ２１は、第２フィルタの一例であり、アップリンク用の第３バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２１の出力端は、スイッチ６０の端子６０ｄ（第２端子）を介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ２１の入力端は、スイッチ６１を介して電力増幅器７１に接続されている。第３バンドは、第１バンドおよび第２バンドの少なくとも一部と周波数が重なっている。

　第３バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２８のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８のアップリンク動作バンド（７０３－７４８ＭＨｚ）である。バンドＢ２８（バンドｎ２８）のアップリンク動作バンドは、バンドＢ２９（バンドｎ２９）およびバンドＢ６７（バンドｎ６７）の一部と周波数が重なっている。

　電力増幅器７１は、スイッチ６１を介してフィルタ２１に接続され、高周波入力端子１１０から入力された第３バンドの高周波送信信号（以下、送信信号と記す）を増幅する。

　スイッチ６０は、共通端子６０ａ、端子６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ（第２端子）および６０ｅ（第１端子）を有し、共通端子６０ａと端子６０ｂ、６０ｃ、６０ｄおよび６０ｅのそれぞれとの接続および非接続を切り替える。共通端子６０ａはアンテナ接続端子１００に接続され、端子６０ｂはフィルタ５１および５２に接続され、端子６０ｃはフィルタ５３および５４に接続され、端子６０ｄはフィルタ２１、５５および５６に接続され、端子６０ｅはフィルタ１１、３１および４１に接続されている。

　第３バンドは、第１バンドおよび第２バンドの少なくとも一部と周波数が重なっているにもかかわらず、フィルタ１１は、第３バンドの送信信号を通過させるフィルタとして機能せず、２つの受信用のＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）の受信信号を通過させるフィルタとして機能する。よって、フィルタ１１を通過する第１バンドおよび第２バンドの受信信号が第３バンドの送信信号により受信感度が劣化することを抑制できる。また、フィルタ１１とフィルタ２１とは、それぞれスイッチ６０の異なる端子６０ｅおよび６０ｄに接続されるので、フィルタ１１が接続された端子６０ｅの耐電力性を軽減できる。よって、スイッチ６０の構成を簡素化でき小型化できる。

　フィルタ３１は、第３フィルタの一例であり、ダウンリンク用の第４バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３１の入力端は、スイッチ６０の端子６０ｅ（第１端子）を介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ３１の出力端は、スイッチ６３を介して低雑音増幅器７３に接続されている。

　第４バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ５のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のダウンリンク動作バンド（８６９－８９４ＭＨｚ）である。また、第４バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ８のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８のダウンリンク動作バンド（９２５－９６０ＭＨｚ）、ＬＴＥのためのバンドＢ２０のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のダウンリンク動作バンド（７９１－８２１ＭＨｚ）、ＬＴＥのためのバンドＢ７１のダウンリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のダウンリンク動作バンド（６１７－６５２ＭＨｚ）であってもよい。

　フィルタ３１は受信用フィルタであるため、フィルタ３１が端子６０ｅに接続されることで端子６０ｅの耐電力性を高くする必要がない。よって、スイッチ６０が大型化することを抑制できる。

　なお、フィルタ３１は、第４バンドの少なくとも一部と周波数が重なるダウンリンク用の第５バンドを、通過帯域に含んでもよい。

　この場合、第４バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ５のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のダウンリンク動作バンドであり、第５バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２６のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６のダウンリンク動作バンド（８５９－８９４ＭＨｚ）である。

　これによれば、フィルタ３１は、２つの受信用バンド（第４バンドおよび第５バンド）を通過帯域として含むので、高周波回路１を小型化できる。

　フィルタ４１は、第４フィルタの一例であり、第４バンドと対応するアップリンク用の第６バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ４１の出力端は、スイッチ６０の端子６０ｅ（第１端子）を介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ４１の入力端は、スイッチ６１を介して電力増幅器７１に接続されている。

　第６バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ５のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のアップリンク動作バンド（８２４－８４９ＭＨｚ）である。また、第６バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ８のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８のアップリンク動作バンド（８８０－９１５ＭＨｚ）、ＬＴＥのためのバンドＢ２０のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のアップリンク動作バンド（８３２－８６２ＭＨｚ）、ＬＴＥのためのバンドＢ７１のアップリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のアップリンク動作バンド（６６３－６９８ＭＨｚ）であってもよい。

　これによれば、端子６０ｅ（第１端子）には、フィルタ４１以外に、受信用のフィルタ１１および３１が接続されているので、フィルタ４１にとって、近傍の送信帯域の減衰特性を考慮する必要がない。よって、フィルタ４１の設計を簡素化できる。

　また、フィルタ１１、３１および４１が端子６０ｅに共通接続されているので、第１バンドまたは第２バンドの受信信号と、第４バンドの受信信号と、第６バンドの送信信号との同時伝送を低損失かつ高精度に実現できる。

　なお、フィルタ４１は、第６バンドの少なくとも一部と周波数が重なるアップリンク用の第７バンドを、通過帯域に含んでもよい。

　この場合、第６バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ５のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のアップリンク動作バンドであり、第７バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２６のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６のアップリンク動作バンド（８１４－８４９ＭＨｚ）である。

　これによれば、フィルタ４１は、２つの送信用バンド（第６バンドおよび第７バンド）を通過帯域として含むので、高周波回路１を小型化できる。

　また、ローバンド群（６００ＭＨｚ－１ＧＨｚ）において、バンドＢ２９（バンドｎ２９）およびバンドＢ６７（バンドｎ６７）と周波数が最も離れているバンドＢ５（バンドｎ５）およびバンドＢ２６（バンドｎ２６）に対応したフィルタ３１および４１を、フィルタ１１と共通接続することで、フィルタ１１、３１および４１の減衰帯域に関する設計が容易となる。

　フィルタ５１は、アップリンク用の第９バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５１の出力端は、スイッチ６０の端子６０ｂを介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５１の入力端は、スイッチ６１を介して電力増幅器７１に接続されている。

　第９バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ８のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８のアップリンク動作バンドである。

　フィルタ５２は、ダウンリンク用の第１０バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５２の入力端は、スイッチ６０の端子６０ｂを介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５２の出力端は、スイッチ６２を介して低雑音増幅器７２に接続されている。

　第１０バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ８のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８のダウンリンク動作バンドである。

　フィルタ５１および５２は、デュプレクサを構成している。

　フィルタ５３は、アップリンク用の第１１バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５３の出力端は、スイッチ６０の端子６０ｃを介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５３の入力端は、スイッチ６１を介して電力増幅器７１に接続されている。

　第１１バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ７１のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のアップリンク動作バンドである。

　フィルタ５４は、ダウンリンク用の第１２バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５４の入力端は、スイッチ６０の端子６０ｃを介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５４の出力端は、スイッチ６２を介して低雑音増幅器７２に接続されている。

　第１２バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ７１のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のダウンリンク動作バンドである。

　フィルタ５３および５４は、デュプレクサを構成している。

　これによれば、第１バンドまたは第２バンドの受信信号と、第１２バンドの受信信号と、第１１バンドの送信信号との同時伝送を実現できる。

　フィルタ５５は、アップリンク用の第１３バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５５の出力端は、スイッチ６０の端子６０ｄを介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５５の入力端は、スイッチ６１を介して電力増幅器７１に接続されている。

　第１３バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２０のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のアップリンク動作バンドである。

　フィルタ５６は、ダウンリンク用の第１４バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５６の入力端は、スイッチ６０の端子６０ｄを介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５６の出力端は、スイッチ６３を介して低雑音増幅器７３に接続されている。

　第１４バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２０のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のダウンリンク動作バンドである。

　なお、フィルタ５６は、第１４バンドの少なくとも一部と周波数が重なるアップリンク用の第１５バンドを、通過帯域に含んでもよい。

　この場合、第１４バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２０のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のダウンリンク動作バンドであり、第１５バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２８のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８のダウンリンク動作バンド（７５８－８０３ＭＨｚ）である。

　フィルタ５５および５６は、デュプレクサを構成している。

　低雑音増幅器７２は、スイッチ６２を介してフィルタ５２および５４に接続され、アンテナ接続端子１００から入力された第１０バンドおよび第１２バンドの受信信号を増幅する。

　スイッチ６１は、電力増幅器７１と、フィルタ２１、４１、５１、５３および５５との間に接続され、電力増幅器７１と、フィルタ２１、４１、５１、５３および５５のそれぞれとの接続および非接続を切り替える。

　スイッチ６２は、低雑音増幅器７２と、フィルタ５２および５４との間に接続され、低雑音増幅器７２と、フィルタ５２および５４のそれぞれとの接続および非接続を切り替える。

　スイッチ６３は、低雑音増幅器７３と、フィルタ１１、３１および５６との間に接続され、低雑音増幅器７３と、フィルタ１１、３１および５６のそれぞれとの接続および非接続を切り替える。

　なお、スイッチ６０は、半導体ＩＣ（Integrated Circuit）に形成されていてもよい。さらに、スイッチ６１～６３が、上記半導体ＩＣに含まれてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。

　なお、第１バンド～第１５バンドのそれぞれは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのために、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドを意味する。本実施の形態では、通信システムとしては、例えばＬＴＥ(Long Term Evolution)システム、５Ｇ（5th Generation）－ＮＲ（New Radio）システム、およびＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。

　また、アップリンク動作バンドとは、アップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、ダウンリンク動作バンドとは、ダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。

　なお、図１に示された回路素子のいくつかは、高周波回路１に含まれなくてもよい。高周波回路１において、フィルタ５１、５２、５３、５４、５５および５６、スイッチ６２、ならびに低雑音増幅器７２は、なくてもよい。また、さらに、フィルタ２１、３１および４１、スイッチ６１、６３、ならびに電力増幅器７１も、なくてもよい。

　本実施の形態に係る高周波回路１は、フィルタ１１および低雑音増幅器７３を、少なくとも備えていればよい。

　また、図１に示された回路素子のほか、高周波回路１は、インピーダンス整合素子などを備えていてもよい。

　図２は、実施の形態に係る高周波回路１に適用されるバンドの周波数関係を例示した図である。

　本実施の形態に係る高周波回路１では、第１バンドは、例えばＬＴＥのためのＳＤＬバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのＳＤＬバンドｎ２９である。

　第２バンドは、例えばＬＴＥのためのＳＤＬバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのＳＤＬバンドｎ６７である。

　第３バンドは、例えばＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ２８のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ２８のアップリンク動作バンドである。

　第４バンドは、例えばＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ５のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ５のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ８のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ８のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ２０のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ２０のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ７１のダウンリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ７１のダウンリンク動作バンドである。

　第５バンドは、例えばＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ２６のダウンリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ２６のダウンリンク動作バンドである。

　第６バンドは、例えばＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ５のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ５のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ８のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ８のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ２０のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ２０のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのＦＤＤバンドＢ７１のアップリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのＦＤＤバンドｎ７１のアップリンク動作バンドである。

　ここで、バンドＢ２９（バンドｎ２９）は、バンドＢ６７（バンドｎ６７）と近接している。これによれば、バンドＢ２９（バンドｎ２９）用のフィルタおよびバンドＢ６７（バンドｎ６７）用のフィルタを、１つのフィルタ１１で実現することが可能となる。

　また、バンドＢ２８（バンドｎ２８）のアップリンク動作バンドは、バンドＢ２９（バンドｎ２９）およびバンドＢ６７（バンドｎ６７）の少なくとも一部と周波数が重なっている。これによれば、フィルタ１１を、バンドＢ２８（バンドｎ２８）の送信信号を通過させるフィルタとして兼用させることが考えられるが、フィルタ１１は、２つのＳＤＬバンド（バンドＢ２９（バンドｎ２９）およびバンドＢ６７（バンドｎ６７））の受信信号のみを通過させるフィルタとして機能させている。よって、フィルタ１１を通過する２つのＳＤＬバンドの受信信号が第３バンドの送信信号により受信感度が劣化することを抑制できる。

　［１．３　実施の形態における同時伝送モードの回路状態］
　図３Ａは、実施の形態に係る高周波回路１の第１モードの回路状態を示す図である。また、図３Ｂは、実施の形態に係る高周波回路１の第２モードの回路状態を示す図である。

　なお、第１モードとは、第１バンドの受信信号、第４バンドの受信信号、および第６バンドの送信信号を同時伝送するモードである。また、第２モードとは、第１バンドの受信信号、第１１バンドの送信信号、および第１２バンドの受信信号を同時伝送するモードである。

　図３Ａに示すように、第１モードが実行される場合、共通端子６０ａと端子６０ｅとが接続状態となる。

　このとき、第６バンド（バンドｎ５のアップリンク動作バンド）の送信信号は、高周波入力端子１１０、電力増幅器７１、スイッチ６１、フィルタ４１、スイッチ６０、およびアンテナ接続端子１００という送信経路を伝送する。また、第１バンド（バンドｎ２９）の受信信号は、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ１１、スイッチ６３、低雑音増幅器７３、および高周波出力端子１３０、という受信経路を伝送する。また、第４バンド（バンドｎ５のダウンリンク動作バンド）の受信信号は、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ３１、スイッチ６３、低雑音増幅器７３、および高周波出力端子１３０、という受信経路を伝送する。

　上記第１モードでは、フィルタ１１、３１および４１が端子６０ｅに共通接続されているので、第１バンドの受信信号と、第４バンドの受信信号と、第６バンドの送信信号との同時伝送を低損失かつ高精度に実現できる。

　また、図３Ｂに示すように、第２モードが実行される場合、共通端子６０ａと端子６０ｃとが接続状態となり、かつ、共通端子６０ａと端子６０ｅとが接続状態となる。

　このとき、第１１バンド（バンドｎ７１のアップリンク動作バンド）の送信信号は、高周波入力端子１１０、電力増幅器７１、スイッチ６１、フィルタ５３、スイッチ６０、およびアンテナ接続端子１００という送信経路を伝送する。また、第１バンド（バンドｎ２９）の受信信号は、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ１１、スイッチ６３、低雑音増幅器７３、および高周波出力端子１３０、という受信経路を伝送する。また、第１２バンド（バンドｎ７１のダウンリンク動作バンド）の受信信号は、アンテナ接続端子１００、スイッチ６０、フィルタ５４、スイッチ６２、低雑音増幅器７２、および高周波出力端子１２０、という受信経路を伝送する。

　上記第２モードでは、フィルタ１１と、フィルタ５３および５４とが、それぞれスイッチ６０の異なる端子６０ｅおよび６０ｃに接続されているので、第１バンドの受信信号が、第１１バンドの送信信号の干渉により受信感度が低下することを抑制できる。

　［１．４　比較例１に係る高周波回路５０１の回路構成］
　次に、比較例１に係る高周波回路５０１の回路構成について説明する。比較例１に係る高周波回路５０１は、ＳＤＬバンド対応の信号経路を付加した従来の高周波回路である。

　図４Ａは、比較例１に係る高周波回路５０１の回路構成図である。同図に示すように、高周波回路５０１は、フィルタ５１１、５１２、２１、３１、４１、５１、５２、５３、５４、５５および５６と、電力増幅器７１と、低雑音増幅器７２および７３と、スイッチ５６０、５６１、５６２および５６３と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１０と、高周波出力端子１２０および１３０と、を備える。本比較例に係る高周波回路５０１は、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、フィルタ１１の代わりにフィルタ５１１および５１２が配置されている点が主として異なる。以下、本比較例に係る高周波回路５０１について、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　フィルタ５１１は、ＳＤＬの第１バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５１１の入力端は、スイッチ５６０の一の端子を介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５１１の出力端は、スイッチ５６３を介して低雑音増幅器７３に接続されている。

　フィルタ５１２は、ＳＤＬの第２バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５１２の入力端は、スイッチ５６０の一の端子と異なる他の端子を介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５１２の出力端は、スイッチ５６３を介して低雑音増幅器７３に接続されている。

　比較例１に係る高周波回路５０１では、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）に対して、それぞれ、個別にフィルタ５１１および５１２が配置されるので、実施の形態に係る高周波回路１と比較して大型化してしまう。

　［１．５　比較例２に係る高周波回路５０２の回路構成］
　次に、比較例２に係る高周波回路５０２の回路構成について説明する。比較例２に係る高周波回路５０２は、ＳＤＬバンド対応の信号経路を付加した従来の高周波回路である。

　図４Ｂは、比較例２に係る高周波回路５０２の第１モードの回路状態を示す図である。同図に示すように、高周波回路５０２は、フィルタ５１２、５２１、３１、４１、５１、５２、５３、５４、５５および５６と、電力増幅器７１と、低雑音増幅器７２および７３と、スイッチ５６０、５６１、５６２、５６３および５６５と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１０と、高周波出力端子１２０および１３０と、を備える。本比較例に係る高周波回路５０２は、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、フィルタ１１および２１の代わりにフィルタ５１２、５２１およびスイッチ５６５が配置されている点が主として異なる。以下、本比較例に係る高周波回路５０２について、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　フィルタ５２１は、ＳＤＬの第１バンド（バンドｎ２９）およびＦＤＤのアップリンク用の第３バンド（バンドｎ２８のアップリンク動作バンド）を含む通過帯域を有する。フィルタ５２１の一端は、スイッチ５６０の一の端子を介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ５２１の他端は、スイッチ５６５および５６１を介して電力増幅器７１に接続され、また、スイッチ５６５および５６３を介して低雑音増幅器７３に接続されている。

　比較例２に係る高周波回路５０２では、ＳＤＬの第１バンド（バンドｎ２９）およびＦＤＤのアップリンク用の第３バンド（バンドｎ２８のアップリンク動作バンド）が一部重複していることを利用して、第１バンドに対応するフィルタと第３バンドに対応するフィルタとを、１つのフィルタ５２１とし、高周波回路５０２の小型化を図っている。ただし、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、スイッチ５６５が付加されている分、回路は大型化する。

　上記構成において、第１バンド（バンドｎ２９）の受信信号、第４バンド（バンドｎ５のダウンリンク動作バンド）の受信信号、および第６バンド（バンドｎ５のアップリンク動作バンド）の送信信号を同時伝送する第１モードが実行される場合、第６バンドの送信信号は、高周波入力端子１１０、電力増幅器７１、スイッチ５６１、フィルタ４１、スイッチ５６０、およびアンテナ接続端子１００という送信経路を伝送する。また、第４バンド（バンドｎ５のダウンリンク動作バンド）の受信信号は、アンテナ接続端子１００、スイッチ５６０、フィルタ３１、スイッチ５６２、低雑音増幅器７２、および高周波出力端子１２０、という受信経路を伝送する。また、第１バンド（バンドｎ２９）の受信信号は、アンテナ接続端子１００、スイッチ５６０、フィルタ５２１、スイッチ５６５、スイッチ５６３、低雑音増幅器７３、および高周波出力端子１３０、という受信経路を伝送する。

　しかしながら、上記第１モードの場合、電力増幅器７１からの第６バンド（バンドｎ５のアップリンク動作バンド）の送信信号がスイッチ５６５を経由して低雑音増幅器７３に漏洩してしまい、第１バンド（バンドｎ２９）の受信信号の受信感度が劣化するという問題が生じる。

　これに対して、本実施の形態に係る高周波回路１では、フィルタ１１は、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）を通過帯域として含むので、高周波回路１を小型化できる。また、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）には、対応する送信バンドがないので、フィルタ１１の特性として、近傍にあるべき送信バンドの減衰仕様を満たす必要がないため、フィルタ設計を簡素化できる。また、フィルタ１１の通過帯域に送信バンドが含まれないことで高耐電力性を確保する必要がない。よって、フィルタ１１を小型化できる。

　［１．６　変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成］
　次に、変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成について、図５を参照しながら説明する。

　図５は、変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ａは、フィルタ１１、２１、３１、４１、５１、５２、５３、５４、５５および５６と、電力増幅器７１と、低雑音増幅器７２および７３と、スイッチ６０Ａ、６１、６２および６３と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１０と、高周波出力端子１２０および１３０と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ａは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、スイッチ６０Ａの構成およびフィルタ１１の接続構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ａについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　スイッチ６０Ａは、共通端子６０ａ、端子６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ（第２端子）、６０ｅ（第１端子）および６０ｆを有し、共通端子６０ａと端子６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅおよび６０ｆのそれぞれとの接続および非接続を切り替える。共通端子６０ａはアンテナ接続端子１００に接続され、端子６０ｂはフィルタ５１および５２に接続され、端子６０ｃはフィルタ５３および５４に接続され、端子６０ｄはフィルタ２１、５５および５６に接続され、端子６０ｅはフィルタ１１に接続され、端子６０ｆはフィルタ３１および４１に接続されている。

　フィルタ１１は、第１フィルタの一例であり、ＳＤＬの第１バンドおよびＳＤＬの第２バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１の入力端は、スイッチ６０Ａの端子６０ｅ（第１端子）を介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ１１の出力端は、スイッチ６３を介して低雑音増幅器７３に接続されている。

　フィルタ３１は、第３フィルタの一例であり、ダウンリンク用の第４バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３１の入力端は、スイッチ６０Ａの端子６０ｆを介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ３１の出力端は、スイッチ６３を介して低雑音増幅器７３に接続されている。

　フィルタ４１は、第４フィルタの一例であり、第４バンドと対応するアップリンク用の第６バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ４１の出力端は、スイッチ６０の端子６０ｆを介してアンテナ接続端子１００に接続され、フィルタ４１の入力端は、スイッチ６１を介して電力増幅器７１に接続されている。

　フィルタ１１は、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）を通過帯域として含むので、高周波回路１Ａを小型化できる。また、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）には、対応する送信バンドがないので、フィルタ１１の特性として、近傍にあるべき送信バンドの減衰仕様を満たす必要がないため、フィルタ設計を簡素化できる。また、フィルタ１１の通過帯域に送信バンドが含まれないことで高耐電力性を確保する必要がない。さらに、フィルタ１１が接続された端子６０ｅには、送信用フィルタが接続されていないので、端子６０ｅの耐電力性を軽減できる。よって、スイッチ６０Ａの構成を簡素化でき小型化できる。

　［１．７　変形例２に係るダイバーシティ回路１Ｂの回路構成］
　次に、変形例２に係るダイバーシティ回路１Ｂの回路構成について、図６を参照しながら説明する。

　図６は、変形例２に係るダイバーシティ回路１Ｂおよびプライマリ回路２００の回路構成図である。

　プライマリ回路２００は、電力増幅器７１と、低雑音増幅器７２と、スイッチ２６５、２６６および２６７と、フィルタ群と、を備え、第３バンドの送信信号、第４バンドの受信信号、第５バンドの受信信号、第６バンドの送信信号、第７バンドの送信信号を伝送する回路である。

　第７バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２６のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６のアップリンク動作バンドである。

　フィルタ群は、第３バンドを通過帯域とするフィルタ、第４バンドを通過帯域とするフィルタ、第５バンドを通過帯域とするフィルタ、第６バンドを通過帯域とするフィルタ、および第７バンドを通過帯域とするフィルタを有する。

　スイッチ２６５は、共通端子２６５ａ、端子２６５ｂ、２６５ｃ、２６５ｄ、２６５ｅおよび２６５ｆを有し、共通端子２６５ａと端子２６５ｃ、２６５ｄ、２６５ｅおよび２６５ｆのそれぞれとの接続および非接続を切り替え、また、端子２６５ｂと端子２６５ｃ、２６５ｄ、２６５ｅおよび２６５ｆのそれぞれとの接続および非接続を切り替える。

　共通端子２６５ａはアンテナ２Ａに接続されている。端子２６５ｂは、ダイバーシティ回路１Ｂが備えるスイッチ６５の端子６５ｃに接続されている。端子２６５ｃ、２６５ｄおよび２６５ｅのそれぞれはフィルタ群に属するフィルタに接続されている。端子２６５ｆはダイバーシティ回路１Ｂが備えるスイッチ６５の端子６５ｂ（第３端子）に接続されている。

　ダイバーシティ回路１Ｂは、変形例２に係る高周波回路であり、フィルタ１１、３１、５２、５４および５６と、低雑音増幅器７４および７５と、スイッチ６５、６６および６７と、高周波出力端子１４０および１５０と、を備える。本変形例に係るダイバーシティ回路１Ｂは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、送信用のフィルタおよび電力増幅器がなく、また、スイッチ６５がプライマリ回路２００に接続されている点が異なる。以下、本変形例に係るダイバーシティ回路１Ｂについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　高周波出力端子１４０および１５０は、ＲＦＩＣ３に接続され、ＲＦＩＣ３に高周波受信信号を出力するための端子である。

　フィルタ１１は、第１フィルタの一例であり、ＳＤＬの第１バンドおよびＳＤＬの第２バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１の入力端は、スイッチ６５の端子６５ｇ（第１端子）および共通端子６５ａを介してアンテナ２Ｂに接続され、また、スイッチ６５の端子６５ｇ（第１端子）、端子６５ｂおよびプライマリ回路２００を介してアンテナ２Ａに接続される。フィルタ１１の出力端は、スイッチ６７を介して低雑音増幅器７５に接続されている。

　第１バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９である。また、第２バンドは、例えばＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７である。

　低雑音増幅器７５は、スイッチ６７を介してフィルタ１１に接続され、アンテナ２Ａまたは２Ｂから入力された第１バンドおよび第２バンドの受信信号を増幅する。

　フィルタ１１は、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）を通過帯域として含むので、ダイバーシティ回路１Ｂを小型化できる。また、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）には、対応する送信バンドがないので、フィルタ１１の特性として、近傍にあるべき送信バンドの減衰仕様を満たす必要がないため、フィルタ設計を簡素化できる。また、フィルタ１１の通過帯域に送信バンドが含まれないことで高耐電力性を確保する必要がない。よって、フィルタ１１を小型化できる。

　なお、フィルタ１１は、ＳＤＬの第１バンド、ＳＤＬの第２バンドおよび第８バンドを含む通過帯域を有してもよい。第８バンドは、ＦＤＤのダウンリンク動作バンドである。

　第８バンドは、例えば、ＬＴＥのためのバンドＢ１２のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１２（７２９－７４６ＭＨｚ）のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ１３のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３のダウンリンク動作バンド（７４６－７５６ＭＨｚ）、ＬＴＥのためのバンドＢ１４のダウンリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１４のダウンリンク動作バンド（７５８－７６８ＭＨｚ）、である。

　これによれば、フィルタ１１は、第１バンドおよび第２バンドに加えて、第８バンドを通過帯域として含むので、ダイバーシティ回路１Ｂを小型化できる。

　スイッチ６５は、共通端子６５ａ、端子６５ｂ（第３端子）、６５ｃ、６５ｄ、６５ｅ、６５ｆおよび６５ｇ（第１端子）を有し、共通端子６５ａと端子６５ｃ、６５ｄおよび６５ｅ、６５ｆおよび６５ｇのそれぞれとの接続および非接続を切り替え、また、端子６５ｂと端子６５ｃ、６５ｄおよび６５ｅ、６５ｆおよび６５ｇのそれぞれとの接続および非接続を切り替える。共通端子６５ａはアンテナ２Ｂに接続され、端子６５ｂはプライマリ回路２００が備えるスイッチ２６５の端子２６５ｆに接続され、端子６５ｃはプライマリ回路２００が備えるスイッチ２６５の端子２６５ｂに接続され、端子６５ｄはフィルタ５２に接続され、端子６５ｅはフィルタ５４に接続され、端子６５ｆはフィルタ５６に接続され、端子６５ｇはフィルタ１１および３１に接続されている。

　フィルタ３１は、第３フィルタの一例であり、ダウンリンク用の第４バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３１の入力端は、端子６５ｇ（第１端子）に接続され、フィルタ３１の出力端は、スイッチ６７を介して低雑音増幅器７５に接続されている。

　フィルタ３１は受信用フィルタであるため、フィルタ３１が端子６５ｇに接続されることで端子６５ｇの耐電力性を高くする必要がない。よって、スイッチ６５が大型化することを抑制できる。

　これによれば、フィルタ３１は、２つの受信用バンド（第４バンドおよび第５バンド）を通過帯域として含むので、ダイバーシティ回路１Ｂを小型化できる。

　フィルタ５２は、ダウンリンク用の第１０バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５２の入力端は、端子６５ｄに接続され、フィルタ５２の出力端は、スイッチ６６を介して低雑音増幅器７４に接続されている。

　フィルタ５４は、ダウンリンク用の第１２バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５４の入力端は、端子６５ｅに接続され、フィルタ５４の出力端は、スイッチ６６を介して低雑音増幅器７４に接続されている。

　フィルタ５６は、ダウンリンク用の第１４バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ５６の入力端は、端子６５ｆに接続され、フィルタ５６の出力端は、スイッチ６７を介して低雑音増幅器７５に接続されている。

　低雑音増幅器７４は、スイッチ６６を介してフィルタ５２および５４に接続され、アンテナ２Ａまたは２Ｂから入力された第１０バンドおよび第１２バンドの受信信号を増幅する。

　スイッチ６６は、低雑音増幅器７４と、フィルタ５２および５４との間に接続され、低雑音増幅器７４と、フィルタ５２および５４のそれぞれとの接続および非接続を切り替える。

　スイッチ６７は、低雑音増幅器７５と、フィルタ１１、３１および５６との間に接続され、低雑音増幅器７５と、フィルタ１１、３１および５６のそれぞれとの接続および非接続を切り替える。

　なお、図６に示された回路素子のいくつかは、ダイバーシティ回路１Ｂに含まれなくてもよい。ダイバーシティ回路１Ｂにおいて、フィルタ５２、５４および５６、スイッチ６６、ならびに低雑音増幅器７４は、なくてもよい。また、さらに、フィルタ３１およびスイッチ６７も、なくてもよい。

　本変形例に係るダイバーシティ回路１Ｂは、フィルタ１１、低雑音増幅器７５およびスイッチ６５を少なくとも備えていればよい。

　また、図６に示された回路素子のほか、ダイバーシティ回路１Ｂは、インピーダンス整合素子などを備えていてもよい。

　上記構成によれば、共通端子２６５ａと端子２６５ｃ、２６５ｄおよび２６５ｅの少なくとも１つとが接続され、共通端子６５ａと端子６５ｄ、６５ｅ、６５ｆおよび６５ｇの少なくとも１つとが接続されることにより、プライマリ回路２００をアンテナ２Ａに接続し、ダイバーシティ回路１Ｂをアンテナ２Ｂに接続できる。また、共通端子２６５ａと端子２６５ｆとが接続され、端子６５ｂと端子６５ｄ、６５ｅ、６５ｆおよび６５ｇの少なくとも１つとが接続されることにより、ダイバーシティ回路１Ｂをアンテナ２Ａに接続できる。また、共通端子６５ａと端子６５ｃとが接続され、端子２６５ｂと端子２６５ｃ、２６５ｄおよび２６５ｅの少なくとも１つとが接続されることにより、プライマリ回路２００をアンテナ２Ｂに接続できる。つまり、アンテナ２Ａおよび２Ｂの感度状態に応じて、プライマリ回路２００およびダイバーシティ回路１Ｂに接続されるアンテナを選択することが可能となる。

　［２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１は、ＳＤＬの第１バンドおよびＳＤＬの第２バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１１と、フィルタ１１に接続された低雑音増幅器７３と、を備える。

　これによれば、フィルタ１１は、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）を通過帯域として含むので、高周波回路１を小型化できる。また、２つのＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）には、対応する送信バンドがないので、フィルタ１１の特性として、近傍にあるべき送信バンドの減衰仕様を満たす必要がないため、フィルタ設計を簡素化できる。また、フィルタ１１の通過帯域に送信バンドが含まれないことで高耐電力性を確保する必要がない。よって、フィルタ１１を小型化できる。

　また例えば、高周波回路１において、第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９であり、第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７であってもよい。

　また例えば、高周波回路１は、さらに、アップリンク用の第３バンドを含む通過帯域を有するフィルタ２１と、フィルタ２１に接続された電力増幅器７１と、共通端子６０ａ、フィルタ１１に接続された端子６０ｅおよびフィルタ２１に接続された端子６０ｄを有し、共通端子６０ａと端子６０ｅとの接続および非接続を切り替え、共通端子６０ａと端子６０ｄとの接続および非接続を切り替えるスイッチ６０と、を備え、第３バンドは第１バンドおよび第２バンドの少なくとも一部と重なってもよい。

　これによれば、第３バンドは、第１バンドおよび第２バンドの少なくとも一部と周波数が重なっているにもかかわらず、フィルタ１１は、第３バンドの送信信号を通過させるフィルタとして機能せず、２つの受信用のＳＤＬバンド（第１バンドおよび第２バンド）の受信信号を通過させるフィルタとして機能する。よって、フィルタ１１を通過する第１バンドおよび第２バンドの受信信号が第３バンドの送信信号により受信感度が劣化することを抑制できる。また、フィルタ１１とフィルタ２１とは、それぞれスイッチ６０の異なる端子６０ｅおよび６０ｄに接続されるので、フィルタ１１が接続された端子６０ｅの耐電力性を軽減できる。よって、スイッチ６０の構成を簡素化でき小型化できる。

　また例えば、高周波回路１において、第３バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２８のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８のアップリンク動作バンドであってもよい。

　また例えば、高周波回路１は、さらに、ダウンリンク用の第４バンドを含む通過帯域を有し、端子６０ｅに接続されたフィルタ３１を備えてもよい。

　これによれば、フィルタ３１は受信用フィルタであるため、フィルタ３１が端子６０ｅに接続されることで端子６０ｅの耐電力性を高くする必要がない。よって、スイッチ６０が大型化することを抑制できる。

　また例えば、高周波回路１において、第４バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ５のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ８のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ２０のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ７１のダウンリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のダウンリンク動作バンド、であってもよい。

　また例えば、高周波回路１において、フィルタ３１は、第４バンドおよびダウンリンク用の第５バンドを含む通過帯域を有し、第５バンドは第４バンドの少なくとも一部と重なってもよい。

　また例えば、高周波回路１において、第４バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ５のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のダウンリンク動作バンドであり、第５バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２６のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６のダウンリンク動作バンドであってもよい。

　また例えば、高周波回路１は、さらに、第４バンドと対応するアップリンク用の第６バンドを含む通過帯域を有し、端子６０ｅに接続されたフィルタ４１を備えてもよい。

　これによれば、端子６０ｅには、フィルタ４１以外に、受信用のフィルタ１１および３１が接続されているので、フィルタ４１にとって、近傍の送信帯域の減衰特性を考慮する必要がない。よって、フィルタ４１の設計を簡素化できる。また、フィルタ１１、３１および４１が端子６０ｅに共通接続されているので、第１バンドまたは第２バンドの受信信号と、第４バンドの受信信号と、第６バンドの送信信号との同時伝送を低損失かつ高精度に実現できる。

　また例えば、高周波回路１において、第６バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ５のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ８のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ２０のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ７１のアップリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のアップリンク動作バンド、であってもよい。

　また例えば、高周波回路１において、フィルタ４１は、第６バンドおよびアップリンク用の第７バンドを含む通過帯域を有し、第７バンドは、第６バンドの少なくとも一部と重なってもよい。

　また例えば、高周波回路１において、第６バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ５のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のアップリンク動作バンドであり、第７バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２６のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６のアップリンク動作バンドであってもよい。

　また例えば、ダイバーシティ回路１Ｂは、さらに、アンテナ２Ｂに接続された共通端子６５ａ、フィルタ１１に接続された端子６５ｇおよびプライマリ回路２００に接続された端子６５ｂを有し、共通端子６５ａと端子６５ｇとの接続および端子６５ｂと端子６５ｇとの接続を切り替えるスイッチ６５を備えてもよい。

　これによれば、共通端子６５ａと端子６５ｇとが接続されることにより、プライマリ回路２００をアンテナ２Ａに接続し、ダイバーシティ回路１Ｂをアンテナ２Ｂに接続できる。また、端子６５ｂと端子６５ｇとが接続されることにより、ダイバーシティ回路１Ｂをアンテナ２Ａに接続できる。つまり、アンテナ２Ａおよび２Ｂの感度状態に応じて、プライマリ回路２００およびダイバーシティ回路１Ｂに接続されるアンテナを選択することが可能となる。

　また例えば、ダイバーシティ回路１Ｂにおいて、フィルタ１１は、第１バンド、第２バンドおよび第８バンドを含む通過帯域を有し、第８バンドは、ＦＤＤのダウンリンク動作バンドであってもよい。

　また例えば、ダイバーシティ回路１Ｂにおいて、第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９であり、第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７であり、第８バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１２のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１２のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ１３のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ１４のダウンリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１４のダウンリンク動作バンド、であってもよい。

　また、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２との間で高周波信号を伝送する高周波回路１と、を備える。

　これによれば、通信装置５は、高周波回路１の上記効果と同様の効果を奏することができる。

　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波回路および通信装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明に係る高周波回路および通信装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記実施の形態および変形例に係る高周波回路および通信装置の回路構成において、図面に表された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されてもよい。

　また、上記実施の形態において、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥのためのバンドが用いられていたが、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥに加えてまたは代わりに、他の無線アクセス技術のための通信バンドが用いられてもよい。例えば、無線ローカルエリアネットワークのための通信バンドが用いられてもよい。また例えば、７ギガヘルツ以上のミリ波帯域が用いられてもよい。この場合、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３とは、ミリ波アンテナモジュールを構成し、フィルタとして、例えば分布定数型フィルタが用いられてもよい。

　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、５０１、５０２　　高周波回路
　１Ｂ　　ダイバーシティ回路
　２、２Ａ、２Ｂ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１１、２１、３１、４１、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５１１、５１２、５２１　　フィルタ
　６０、６０Ａ、６１、６２、６３、６５、６６、６７、２６５、２６６、２６７、５６０、５６１、５６２、５６３、５６５　　スイッチ
　６０ａ、６５ａ、２６５ａ　　共通端子
　６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅ、６０ｆ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｅ、６５ｆ、６５ｇ、２６５ｂ、２６５ｃ、２６５ｄ、２６５ｅ、２６５ｆ　　端子
　７１　　電力増幅器
　７２、７３、７４、７５　　低雑音増幅器
　１００　　アンテナ接続端子
　１１０　　高周波入力端子
　１２０、１３０、１４０、１５０　　高周波出力端子
　２００　　プライマリ回路

Claims

　ＳＤＬ（Supplimentary DownLink）の第１バンドおよびＳＤＬの第２バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１フィルタに接続された低雑音増幅器と、を備える、
　高周波回路。
　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９であり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７である、
　請求項１に記載の高周波回路。
　さらに、
　アップリンク用の第３バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　前記第２フィルタに接続された電力増幅器と、
　共通端子、前記第１フィルタに接続された第１端子および前記第２フィルタに接続された第２端子を有し、前記共通端子と前記第１端子との接続および非接続を切り替え、前記共通端子と前記第２端子との接続および非接続を切り替えるスイッチと、を備え、
　前記第３バンドは、前記第１バンドおよび前記第２バンドの少なくとも一部と重なる、
　請求項１に記載の高周波回路。
　前記第３バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２８のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２８のアップリンク動作バンドである、
　請求項３に記載の高周波回路。
　さらに、
　ダウンリンク用の第４バンドを含む通過帯域を有し、前記第１端子に接続された第３フィルタを備える、
　請求項３または４に記載の高周波回路。
　前記第４バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ５のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ８のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ２０のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ７１のダウンリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のダウンリンク動作バンド、である、
　請求項５に記載の高周波回路。
　前記第３フィルタは、前記第４バンドおよびダウンリンク用の第５バンドを含む通過帯域を有し、
　前記第５バンドは、前記第４バンドの少なくとも一部と重なる、
　請求項５または６に記載の高周波回路。
　前記第４バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ５のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のダウンリンク動作バンドであり、
　前記第５バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２６のダウンリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６のダウンリンク動作バンドである、
　請求項７に記載の高周波回路。
　さらに、
　前記第４バンドと対応するアップリンク用の第６バンドを含む通過帯域を有し、前記第１端子に接続された第４フィルタを備える、
　請求項５～８のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第６バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ５のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ８のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ８のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ２０のアップリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２０のアップリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ７１のアップリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ７１のアップリンク動作バンド、である、
　請求項９に記載の高周波回路。
　前記第４フィルタは、前記第６バンドおよびアップリンク用の第７バンドを含む通過帯域を有し、
　前記第７バンドは、前記第６バンドの少なくとも一部と重なる、
　請求項９または１０に記載の高周波回路。
　前記第６バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ５のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ５のアップリンク動作バンドであり、
　前記第７バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２６のアップリンク動作バンドまたは５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２６のアップリンク動作バンドである、
　請求項１１に記載の高周波回路。
　前記高周波回路は、ダイバーシティ回路であり、
　さらに、
　アンテナに接続された共通端子、前記第１フィルタに接続された第１端子およびプライマリ回路に接続された第３端子を有し、前記共通端子と前記第１端子との接続および前記第３端子と前記第１端子との接続を切り替えるスイッチを備える、
　請求項１に記載の高周波回路。
　前記第１フィルタは、前記第１バンド、前記第２バンドおよび第８バンドを含む通過帯域を有し、
　前記第８バンドは、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）のダウンリンク動作バンドである
　請求項１３に記載の高周波回路。
　前記第１バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ２９または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ２９であり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ６７または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ６７であり、
　前記第８バンドは、ＬＴＥのためのバンドＢ１２のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１２のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ１３のダウンリンク動作バンド、５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１３のダウンリンク動作バンド、ＬＴＥのためのバンドＢ１４のダウンリンク動作バンド、または５Ｇ－ＮＲのためのバンドｎ１４のダウンリンク動作バンド、である、
　請求項１４に記載の高周波回路。
　高周波信号を処理する信号処理回路と、
　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波回路と、備える、
　通信装置。