DE10115719A1 - Hochfrequenzmodul und Radiovorrichtung, die dasselbe verwendet - Google Patents

Abstract

Ein Hochfrequenzmodul umfaßt einen ersten bis fünften Anschluß, ein Hochpaßfilter, einen Hochfrequenzschalter, ein Senderseitenbalun und ein Empfängerseitenbalun. Das Hochpaßfilter ist mit dem Hochfrequenzschalter verbunden, und der Hochfrequenzschalter ist außerdem mit dem Senderseitenbalun und dem Empfängerseitenbalun verbunden. Der erste Anschluß ist mit einer Antenne verbunden, der zweite und der dritte Anschluß sind mit einer Sendeschaltung verbunden, und der vierte und der fünfte Anschluß sind mit einer Empfängerschaltung verbunden.

Description

Die vorliegenden Erfindung bezieht sich allgemein auf ein Hochfrequenzmodul und eine Radiovorrichtung, die dasselbe umfaßt, und insbesondere auf ein Hochfrequenzmodul für die Verwendung bei einem symmetrischen Sender/Empfängersystem, und auf eine Radiovorrichtung, die dasselbe umfaßt.

Allgemein ist das 2,4 GHz-Band ein Frequenzband für Geräte für industrielle, wissenschaftliche und medizinische Zwecke (ISM = Industrial, Scientific and Medical), und es ist in­ ternational für die industrielle, wissenschaftliche und me­ dizinische Verwendung zugewiesen, um Beeinträchtigungen aufgrund von Übersprechen oder Störungen zu verhindern. Das 2,4 GHz-Band wird für drahtlose lokale Netzwerke (LANs = local area networks) verwendet, da es die Bandbreite si­ cherstellt, bei der Hochgeschwindigkeitsbreitbandübertra­ gungen von mehreren Megabits pro Sekunde (MBits/s) möglich sind, oder weil es bei niedrigen Kosten eine hohe Verfüg­ barkeit und hohe Radiowellenausbreitung aufweist.

Fig. 13 ist ein Blockdiagramm, das eine Radiofrequenz- (RF-)Schaltung für Bluetooth, ein drahtloses LAN-Protokoll zeigt, das in NIKKEI ELECTRONICS" Nr. 761, S. 155, veröf­ fentlicht von Nikkei Business Publications, Inc., vorge­ schlagen wurde. Die RF-Schaltung umfaßt ein Bandpaßfilter 51, einen Hochfrequenzschalter 52 zum Umschalten zwischen einem Sendesignal und einem Empfangssignal, eine Sender­ schaltung Tx mit einem Hochleistungsverstärker 53 und einem Multiplizierer 54, und eine Empfängerschaltung Rx mit einem rauscharmen Verstärker 55 und einem Mischer 56. Das Band­ paßfilter dämpft unerwünschte bzw. falsche Hochfrequenzsig­ nale wie z. B. Sende- und Empfangssignale anderer Frequenz­ bandkommunikationssysteme, repräsentiert durch GSM (Global System for Mobile communication = globales System für mobi­ le Kommunikation) im 900 MHz-Band, DCS (Digital Cellular System = digitales zellulares System) im 1,8 GHz-Band, und PCS (personal Communication Services = persönliche Kommuni­ kationsdienste) im 1,9 GHz-Band, und die zweiten und drit­ ten Oberschwingungen von Empfangssignalen des 2,4 GHz-Band- Kommunikationssystems der vorliegenden Erfindung. Das Band­ paßfilter 51 umfaßt einen ersten Anschluß 511, der mit ei­ ner Antenne ANT verbunden ist, und einen zweiten Anschluß 512, der mit einem ersten Anschluß 521 des Hochfrequenz­ schalters 52 verbunden ist. Ein zweiter Anschluß 522 und ein dritter Anschluß 523 des Hochfrequenzschalters 52 sind jeweils mit dem Hochleistungsverstärker 53 in der Sender­ schaltung Tx und dem rauscharmen Verstärker 55 in der Emp­ fängerschaltung Rx verbunden.

Bei der oben beschriebenen RF-Schaltung wird das Bandpaß­ filter als ein Hochfrequenzfilter zum Dämpfen unerwünschter Hochfrequenzsignale, wie z. B. Sende- und Empfangssignale von anderen Frequenzbandkommunikationssystemen und der zweiten und dritten Oberschwingung von Empfangssignalen des Kommunikationssystems der vorliegenden Erfindung, verwen­ det. Eine solche typische RF-Schaltung stößt auf Probleme mit dem reduzierten Einfügungsverlust, der an dem Hochfre­ quenzfilter, und reduziert folglich den Einfügungsverlust bei einem Hochfrequenzmodul.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbes­ sertes Hochfrequenzmodul und eine Radiovorrichtung, die ein solches umfaßt, zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch ein Hochfrequenzmodul gemäß An­ spruch 1 und 8 und 15 und durch eine Radiovorrichtung gemäß Anspruch 23 gelöst.

Um die oben beschriebenen Probleme zu bewältigen, schaffen bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein kompaktes Hochfrequenzmodul, das eine Reduktion bei dem Einfügungsverlust verhindert, und eine Radiovorrichtung, die ein solches neuartiges Hochfrequenzmodul umfaßt.

Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung umfaßt ein Hochfrequenzmodul ein Hochfre­ quenzfilter zum Dämpfen eines unerwünschten Hochfrequenz­ signals, einen Hochfrequenzschalter zum Umschalten zwischen einem Sendesignal und einem Empfangssignal, ein Sendersei­ tenbalun bzw. einen Senderseitensymmetrietransformator zum Umwandeln eines symmetrischen Signals in ein unsymmetri­ sches Signal, und ein Empfängerseitenbalun bzw. einen Emp­ fängerseitensystemtransformator zum Umwandeln eines unsym­ metrischen Signals in ein symmetrisches Signal. Das Hoch­ frequenzfilter ist zwischen einer Antenne und einem ersten Anschluß des Hochfrequenzschalters angeordnet, und ein zweiter und ein dritter Anschluß des Hochfrequenzschalters sind jeweils mit einem unsymmetrischen Anschluß des Sender­ seitenbaluns und einem unsymmetrischen Anschluß des Empfän­ gerseitenbaluns verbunden. Das Hochfrequenzfilter ist vor­ zugsweise ein Hochpaßfilter.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung umfaßt ein Hochfrequenzmodul einen Hochfrequenzschalter zum Dämpfen eines unerwünschten Hoch­ frequenzsignals, einen Hochfrequenzschalter zum Umschalten zwischen einem Sendesignal und einem Empfangssignal, ein Senderseitenbalun zum Umwandeln eines symmetrisches Signals in ein unsymmetrisches Signal, und ein Empfängerseitenbalun zum Umwandeln eines unsymmetrischen in ein symmetrisches Signal. Das Hochfrequenzfilter ist zwischen einer Antenne und einem ersten Anschluß des Hochfrequenzschalters ange­ ordnet, und ein zweiter und ein dritter Anschluß des Hoch­ frequenzschalters sind jeweils mit einem unsymmetrischen Anschluß des Senderseitenbaluns und einem unsymmetrischen Anschluß des Empfängerseitenbaluns verbunden. Das Hochfre­ quenzfilter ist vorzugsweise ein Kerbfilter.

Ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung ist ein Hochfrequenzmodul, das ein Hochpaß­ filter oder ein Kerbfilter zum Dämpfen eines unerwünschten Hochfrequenzsignals, einen Hochfrequenzschalter zum Um­ schalten zwischen einem Sendesignal und einem Empfangssig­ nal, ein Senderseitenbalun zum Umwandeln eines symmetri­ schen Signals in ein unsymmetrisches Signal, und ein Empfängerseitenbalun zum Umwandeln eines unsymmetrischen Signals in ein symmetrisches Signal umfaßt. Das Hochpaßfil­ ter oder Kerbfilter ist zwischen einer Antenne und einem ersten Anschluß des Hochfrequenzschalters angeordnet, und ein zweiter und ein dritter Anschluß des Hochfrequenzschal­ ters sind jeweils mit einem unsymmetrischen Anschluß des Senderseitenbaluns und einem unsymmetrischen Anschluß des Empfängerseitenbaluns verbunden. Das Hochfrequenzmodul um­ faßt ferner ein Mehrschichtsubstrat, das vorzugsweise durch Zusammenlaminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten gebildet ist.

Das Mehrschichtsubstrat dieses bevorzugten Ausführungsbei­ spiels kann alle Komponenten enthalten, die das Hochpaßfil­ ter oder Kerbfilter, das Senderseitenbalun und das Empfän­ gerseitenbalun definieren, und einige der Komponenten, die den Hochfrequenzschalter definieren, und kann den Rest der Komponenten, die den Hochfrequenzschalter definieren, auf demselben befestigt haben.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung umfaßt eine Radiovorrichtung irgendeine der Hochfrequenzmodule gemäß der oben beschriebenen bevor­ zugten Ausführungsbeispiele.

Dementsprechend umfaßt ein Hochfrequenzmodul gemäß der ver­ schiedenen bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegen­ den Erfindung ein Hochpaßfilter oder ein Kerbfilter als ein Hochfrequenzfilter zum Dämpfen unerwünschter Hochfrequenz­ signale, und reduziert daher den Einfügungsverlust an dem Hochfrequenzfilter.

Eine Radiovorrichtung gemäß einem weiteren bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Hochfrequenzmodul mit reduziertem Einfügungsverlust, und reduziert dadurch den Einfügungsverlust an der Radiovor­ richtung.

Andere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfin­ dung werden aus der detaillierten Beschreibung der bevor­ zugten Ausführungsbeispiele mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen offensichtlicher werden.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Blockdiagramm eines Hochfrequenzmoduls gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm eines Hochpaßfilters in dem in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmodul;

Fig. 3 ein Schaltungsdiagramm eines Hochfrequenzschal­ ters in dem in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmo­ dul;

Fig. 4A und 4B Schaltungsdiagramme jeweils eines Empfänger­ seitenbaluns und eines Senderseitenbaluns in dem in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmodul;

Fig. 5 eine teilweise perspektivische Explosionsansicht des in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmoduls;

Fig. 6A bis 6D Draufsichten einer ersten bis vierten die­ lektrischen Schicht, die ein Mehrschichtsubstrat des in Fig. 5 gezeigten Hochfrequenzmoduls defi­ nieren;

Fig. 7A bis 7D Draufsichten von der fünften bis achten die­ lektrischen Schicht, die das Mehrschichtsubstrat des in Fig. 5 gezeigten Hochfrequenzmoduls defi­ nieren;

Fig. 8A und 8B Draufsichten und eine Unteransicht einer neunten dielektrischen Schicht, die das Mehr­ schichtsubstrat des in Fig. 5 gezeigten Hochfre­ quenzmoduls definiert;

Fig. 9 ein Blockdiagramm eines Hochfrequenzmoduls gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 10 ein Schaltungsdiagramm eines Kerbfilters in dem in Fig. 9 gezeigten Hochfrequenzmodul;

Fig. 11 ein Blockdiagramm eines Hochfrequenzmoduls gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 12 ein Schaltungsdiagramm eines Tiefpaßfilters in dem in Fig. 11 gezeigten Hochfrequenzmodul; und

Fig. 13 ein Blockdiagramm einer typischen RF-Schaltung für Bluetooth Protokoll.

Fig. 1 zeigt ein Hochfrequenzmodul 10 gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Hochfrequenzmodul 10 umfaßt vorzugsweise den ersten bis fünften Anschluß 101 bis 105, ein Hochpaßfilter 11, einen Hochfrequenzschalter 12, ein Senderseitenbalun 13 und ein Empfängerseitenbalun 14.

Das Hochpaßfilter 11 dämpft unerwünschte Hochfrequenzsigna­ le, wie z. B. Sende- und Empfangssignale von anderen Fre­ quenzbandkommunikationssystemen, die durch GSM in dem 900 MHz-Band, DCS in dem 1,8 GHz-Band, und PCS in dem 1,9 GHz-Band repräsentiert werden.

Der Hochfrequenzschalter 12 schaltet ein Sendesignal und ein Empfangssignal, und dämpft die dritte Unterschwingung eines Empfangssignals des 2,4 GHz Kommunikationssystems von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfin­ dung.

Das Senderseitenbalun 13 wandelt ein symmetrisches Signal in ein unsymmetrisches Signal um. Das Empfängerseitenbalun 14 wandelt ein unsymmetrisches Signal in ein symmetrisches Signal um, und dämpft die zweite Oberschwingung des Emp­ fangssignals des Kommunikationssystems von bevorzugten Aus­ führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.

Ein erster Anschluß 111 des Hochpaßfilters 11, der dem ers­ ten Anschluß 101 des Hochfrequenzmoduls 10 entspricht, ist mit einer Antenne ANT verbunden. Ein zweiter Anschluß 112 des Hochpaßfilters 11 ist mit einem ersten Anschluß 121 des Hochfrequenzschalters 12 verbunden.

Ein zweiter Anschluß 122 und ein dritter Anschluß 123 des Hochfrequenzschalters 12 sind jeweils mit einem unsymmetri­ schen Anschluß 131 des Senderseitenbaluns 13 und einem un­ symmetrischen Anschluß 141 des Empfängerseitenbaluns 14 verbunden.

Symmetrische Anschlüsse 132 und 133 des Senderseitenbaluns 13, die jeweils dem zweiten und dritten Anschluß 102 und 103 des Hochfrequenzmoduls 10 entsprechen, sind mit der Senderschaltung Tx verbunden. Symmetrische Anschlüsse 142 und 143 des Empfängerseitenbaluns 14, die jeweils dem vier­ ten und fünften Anschluß 104 und 105 des Hochfrequenzmoduls 10 entsprechen, sind mit der Empfängerschaltung Rx verbun­ den.

Fig. 2 ist ein Schaltungsdiagramm des Hochpaßfilters 11 in dem in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmodul 10.

Das Hochpaßfilter 11 umfaßt Leiter L11 und L12 und Konden­ satoren C11 bis C15. Die Kondensatoren C11 bis C13 sind zwischen dem ersten Anschluß 111 und dem zweiten Anschluß 112 in Reihe geschaltet. Der Verbindungspunkt der Kondensa­ toren C11 und C12 ist durch den Induktor L11 und den Kon­ densator C14 geerdet, und der Verbindungspunkt der Konden­ satoren C12 und C13 ist durch den Induktor L12 und den Kon­ densator C15 geerdet.

Fig. 3 ist ein Schaltungsdiagramm des Hochfrequenzschalters in dem in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmodul 10.

Der Hochfrequenzschalter 12 umfaßt vorzugsweise Dioden D1 und D2, Induktoren L21 bis L23, Kondensatoren C21 bis C23 und den Widerstand R. Der Induktor L21 ist eine parallele Sperrspule und der Induktor L22 ist eine Drosselspule.

Die Diode D1 ist mit dem ersten Anschluß 121 und dem zwei­ ten Anschluß 122 verbunden, wobei die Kathode zu dem ersten Anschluß 121 gerichtet ist. Eine Serienschaltung des Induk­ tors L21 und des Kondensators C21 ist mit der Diode D1 pa­ rallel geschaltet.

Die Anode der Diode D1, die mit dem zweiten Anschluß 122 verbunden ist, ist durch den Induktor L22 und den Kondensa­ tor C22 geerdet, und ein Steuerungsanschluß Vc ist zwischen dem Induktor L22 und dem Kondensator C22 mit einer Kerbe verbunden.

Der Induktor L23 ist zwischen dem ersten Anschluß 121 und dem dritten Anschluß 122 verbunden, und eine Kerbe zwischen dem Induktor L23 und dem dritten Anschluß 123 ist durch die Diode D2 und den Kondensator C23 geerdet. Die Verbindung der Kathode der Diode D2 und des Kondensators C23 ist durch den Widerstand R geerdet.

Die Fig. 4A und 4B sind Schaltungsdiagramme, die jeweils das Senderseitenbalun 13 und das Empfängerseitenbalun 14 des in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmoduls 10 zeigen.

Da das Senderseitenbalun 13 und das Empfängerseitenbalun 14 vorzugsweise die gleiche Schaltungsstruktur aufweisen, wie es in den Fig. 4A und 4B dargestellt ist, ist eine Be­ schreibung des Empfängerseitenbaluns 14 ausgelassen, um Wiederholung zu vermeiden. Bezugszeichen, die denen des Senderseitenbaluns 13 entsprechen, sind jedoch in runden Klammern angegeben.

Das Transmitterseitenbalun 13 (14) umfaßt eine erste Lei­ tung 13a (14a), mit einem Ende, das mit dem unsymmetrischen Anschluß 131 (141) verbunden ist, eine zweite Leitung 13b (14b) mit einem Ende, das mit symmetrischen Anschluß 132 (142) verbunden ist, und eine dritte Leitung 13c (14c), mit einem Ende, das mit dem symmetrischen Anschluß 133 (143) verbunden ist. Das andere Ende der ersten Leitung 13a (14a) ist leerlaufend, und die anderen Enden der zweiten und dritten Leitung 13b und 13c (14b und 14c) sind geerdet.

Fig. 5 ist eine teilweise perspektivische Explosionsansicht des in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmoduls. Das Hochfre­ quenzmodul 10 umfaßt ein Mehrschichtsubstrat 15. Das Mehr­ schichtsubstrat 15 umfaßt vorzugsweise die Induktoren L11 und L12 und die Kondensatoren C11 bis C15 des Hochpaßfil­ ters 11 (siehe Fig. 2); die Induktoren L21 bis L23, und den Kondensator C22 des Hochfrequenzschalters 12 (siehe Fig. 3); die erste bis dritte Leitung 13a bis 13c des Sendersei­ tenbaluns 13 (siehe Fig. 4A); und die erste bis dritte Lei­ tung 14a bis 14c des Empfängerseitenbaluns 14 (siehe Fig. 4B), obwohl diese Komponenten in Fig. 5 nicht gezeigt sind.

Auf einer Oberfläche des Mehrschichtsubstrats sind die Dio­ den D1 und D2, die Kondensatoren C21 und C23, und der Wi­ derstand des Hochfrequenzschalters 12 (siehe Fig. 3) und eine integrierte Schaltung (IC) aus Galliumarsenid (GaAs) befestigt, auf der die Senderschaltung Tx und die Empfän­ gerschaltung Rx befestigt sind. Diese Komponenten sind in Chips gebildet, und diese Chips sind auf dem Mehrschicht­ substrat 15 befestigt. Das Mehrschichtsubstrat 15 umfaßt vorzugsweise vier externe Anschlüsse T1 bis T4, die sich über Seitenoberflächen in Richtung der unteren Oberfläche erstrecken, unter Verwendung einer Technik wie z. B. Sieb­ druck.

Eine Metallabdeckung 18 mit kurzen Vorsprüngen 181 und 182, die einander gegenüber liegen, liegt über dem Mehrschicht­ substrat 15, um die Chips der Dioden D1 und D2, die Konden­ satoren C21 und C23, den Widerstand R und die GaAs-IC, die auf dem Mehrschichtsubstrat 15 befestigt sind, zu bedecken, so daß die Vorsprünge 181 und 182 gegen die externen An­ schlüsse T3 und T4 plaziert sind.

Die externen Anschlüsse T1 und T2 entsprechen jeweils dem ersten Anschluß 101 des Hochfrequenzmoduls 10 und dem Steu­ erungsanschluß Vc des Hochfrequenzschalters 12. Die exter­ nen Anschlüsse T3 und T4 definieren Masseanschlüsse.

Verbindungen zwischen dem zweiten Anschluß 112 des Hochpaß­ filters 11 und dem ersten Anschluß 121 des Hochfrequenz­ schalters 12, zwischen dem zweiten Anschluß 122 des Hoch­ frequenzschalters 12 und dem unsymmetrischen Anschluß 131 des Senderseitenbaluns 13, und zwischen dem dritten Anschluß 123 des Hochfrequenzschalters 12 und dem unsymmet­ rischen Anschluß 141 des Empfängerseitenbaluns 14 werden innerhalb des Mehrschichtsubstrats 15 erreicht.

Außerdem werden der zweite bis fünfte Anschluß 102 bis 105 des Hochfrequenzmoduls 10 mit der GaAs-IC verbunden, die die Senderschaltung Tx und die Empfängerschaltung Rx inner­ halb des Mehrschichtsubstrats 15 enthält.

Die Fig. 6A bis 6D und Fig. 7A bis 7D und Fig. 8A sind Draufsichten einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten, die das Mehrschichtsubstrat 15 des in Fig. 5 gezeigten Hochfrequenzmoduls 10 zeigen. Fig. 8B ist eine Unteransicht der in Fig. 8A gezeigten dielektrischen Schicht.

Das Mehrschichtsubstrat 15 ist vorzugsweise durch Laminie­ ren der ersten bis neunten dielektrischen Schicht 151 bis 159 in der angegebenen Reihenfolge von oben gebildet, wobei die Schichten vorzugsweise aus Keramik hergestellt sind, das im wesentlichen Bariumoxid, Aluminiumoxid und Silizium­ dioxid enthält, und durch Brennen des Laminats bei einer Brenntemperatur von nicht mehr als etwa 1000°C.

Die erste dielektrische Schicht 151, die in Fig. 6A gezeigt ist, weist Flächen La auf, die unter Verwendung einer Tech­ nik, wie z. B. Siebdruck, auf der oberen Oberfläche dersel­ ben gebildet sind. Die Flächen La umfassen vorzugsweise die Dioden D1 und D2, die Kondensatoren C21 und C23 und den Wi­ derstand R des Hochfrequenzschalters 12, und die GaAs-IC ist darauf angeordnet, und die Flächen La sind auf der Oberfläche des Mehrschichtsubstrats 15 befestigt. Die zweite dielektrische Schicht 152, die in Fig. 6B gezeigt ist, um­ faßt Leitungen Li, die unter Verwendung einer Technik, wie z. B. Siebdruck, oder eines anderen geeigneten Prozesses auf den oberen Oberflächen derselben gebildet sind.

Die dritte, siebte, und neunte dielektrische Schicht 153, 157 und 159, die in den Fig. 6C, 7C und 8A gezeigt sind, umfassen Erdungselektroden Gp1 bis Gp3, die jeweils unter Verwendung einer Technik, wie z. B. Siebdruck, oder eines anderen geeigneten Prozesses auf den oberen Oberflächen derselben gebildet sind. Die vierte bis sechste dielektri­ sche Schicht 154 bis 156, die in den Fig. 6D, 7A und 7B ge­ zeigt sind, umfassen Streifenleitungselektroden SL1 bis SL15, die jeweils unter Verwendung einer Technik, wie z. B. Siebdruck, oder eines anderen geeigneten Prozesses auf den oberen Oberflächen derselben gebildet sind.

Die siebte bis neunte dielektrische Schicht 157 bis 159, die in den Fig. 7C, 7D und 8A gezeigt sind, umfassen Kon­ densatorelektroden Cp1 bis Cp8, die jeweils unter Verwen­ dung einer Technik, wie z. B. Siebdruck, oder eines anderen geeigneten Prozesses auf den oberen Oberflächen derselben gebildet sind. Wie in Fig. 8B gezeigt, sind die externen Anschlüsse T1 und T4 auf der unteren Oberfläche 159u der neunten dielektrischen Schicht 159 unter Verwendung einer Technik wie z. B. Siebdruck oder einem anderen geeigneten Prozeß gedruckt und gebildet.

Die Streifenleitungselektroden SL1 bis SL15, die Kondensa­ torelektroden Cp1 bis Cp8 und die Erdungselektroden Gp1 bis Gp3 sind jede vorzugsweise durch Leiterschichten definiert.

Die erste bis achte dielektrische Schicht 151 bis 158, die in den Fig. 6A bis 6D und 7A bis 7D gezeigt sind, umfassen Durchkontaktierungslochelektroden Vh1 bis Vh9, die angeord­ net sind, um die Streifenleitungselektroden SL1 bis SL15, die Kondensatorelektroden Cp1 bis Cp8, die Erdungselektro­ den Gp1 bis Gp3, die Flächen La und die Leitungen Li an vorbestimmten Positionen zu verbinden.

Bei dem Hochpaßfilter 11 ist der Induktor L11 vorzugsweise durch die Streifenleitungselektroden SL2 und SL10 defi­ niert, und der Induktor L12 ist vorzugsweise durch die Streifenleitungselektroden SL3 und SL11 definiert. Der Kon­ densator C11 ist vorzugsweise durch die Kondensatorelektro­ den Cp2 und Cp7 definiert, der Kondensator C12 ist vorzugs­ weise durch die Kondensatorelektroden Cp1 bis Cp3 defi­ niert, der Kondensator C13 ist vorzugsweise durch die Kon­ densatorelektroden Cp3 und Cp8 definiert, der Kondensator C14 ist vorzugsweise durch die Kondensatorelektrode Cp4 und die Erdungselektroden Gp2 und Gp3 definiert, und der Kon­ densator C15 ist vorzugsweise durch die Kondensatorelektro­ de Cp5 und die Erdungselektroden Gp2 und Gp3 definiert.

Bei dem Hochfrequenzschalter 12 ist der Induktor L21 vor­ zugsweise durch die Streifenleitungselektroden SL1 und SL9 definiert, der Induktor L22 ist vorzugsweise durch die Streifenleitungselektroden SL4 und SL13 definiert, und der Induktor L23 ist vorzugsweise durch die Streifenleitungs­ elektrode SL12 definiert. Der Kondensator C22 des Hochfre­ quenzschalters 12 ist vorzugsweise durch die Kondensator­ elektrode Cp6 und die Erdungselektroden Gp2 und Gp3 defi­ niert.

Die erste, zweite und dritte Leitung 13a, 13b und 13c des Senderseitenbaluns 13 sind vorzugsweise jeweils durch die Streifenleitungselektroden SL14, SL6, und SL8 definiert.

Die erste, zweite und dritte Leitung 14a, 14b und 14c des Empfängerseitenbaluns 14 sind vorzugsweise jeweils durch die Streifenleitungselektroden SL15, SL5, und SL7 defi­ niert.

Gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel umfaßt das Hochfrequenzmodul 10 das Hochpaßfilter 11, das als ein Hochfrequenzfilter zum Dämpfen unerwünschter Hochfrequenz­ signale wirkt. Dies verhindert eine Verschlechterung des Einfügungsverlusts an dem Hochfrequenzfilter. Dies ermög­ licht es ferner, ein Hochfrequenzmodul zu schaffen, das ei­ ne hohe Leistungsfähigkeit für Sendung/Empfang aufweist, und daher die Leistungsfähigkeit für Sendung/Empfang in ei­ ner Radiovorrichtung verbessert.

Da der Hochfrequenzschalter 12 die dritte Oberschwingung des Empfangssignals dämpft, können das Hochpaßfilter 11 und der Hochfrequenzschalter 12 verwendet werden, um das uner­ wünschte Hochfrequenzsignal effektiv und ausreichend zu dämpfen. Dies schafft ein Hochfrequenzmodul mit einer höhe­ ren Leistungsfähigkeit für Sendung/Empfang.

Da das Empfängerseitenbalun 13 die zweite Oberschwingung des Empfangssignals dämpft, können das Hochpaßfilter 11 und das Empfängerseitenbalun 13 verwendet werden, um das uner­ wünschte Hochfrequenzsignal ausreichend zu dämpfen. Dies schafft ein Hochfrequenzmodul mit einer höheren Leistungs­ fähigkeit für Sendung/Empfang.

Da das Hochfrequenzmodul 10 das Mehrschichtsubstrat 15 um­ faßt, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektri­ schen Schichten definiert ist, werden Verbindungen des Hochpaßfilters 11, der Hochfrequenzschalter 12, des Empfän­ gerseitenbaluns 13 und des Senderseitenbaluns 14 innerhalb des Mehrschichtsubstrats 15 erhalten. Dies verringert die Verluste aufgrund der jeweiligen Verbindungen, und redu­ ziert folglich die Gesamtverluste des Hochfrequenzmoduls 10.

Das Mehrschichtsubstrat 15, das vorzugsweise durch Laminie­ ren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten gebildet ist, umfaßt vorzugsweise alle der Komponenten, die das Hochpaßfilter 11, das Empfängerseitenbalun 13 und das Sen­ derseitenbalun 14 definieren, und einige der Komponenten, die den Hochfrequenzschalter 12 definieren, und außerdem ist der Rest der Komponenten auf demselben gebildet. Dies ermöglicht Anpassung zwischen dem Hochpaßfilter 11 und dem Hochfrequenzschalter 12, zwischen dem Hochfrequenzschalter 12 und dem Empfängerseitenbalun 13, und zwischen dem Hoch­ frequenzschalter 12 und dem Senderseitenbalun 13. Folglich ist keine Anpassungsschaltung erforderlich, um Anpassung zwischen denselben zu liefern. Dies führt zu einem kompak­ ten Hochfrequenzmodul.

Fig. 9 zeigt ein Hochfrequenzmodul 20 gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Hochfrequenzmodul 20 umfaßt den ersten bis fünften Anschluß 201 bis 205, ein Kerbfilter 21, einen Hochfre­ quenzschalter 12, ein Senderseitenbalun 13 und ein Empfän­ gerseitenbalun 14.

Das Kerbfilter 21 dämpft unerwünschte Hochfrequenzsignale wie z. B. Sende- und Empfangssignale von anderen Frequenz­ bandkommunikationssystemen, die durch GSM in dem 900 MHz- Band, DCS in 1,8 GHz-Band und PCS in dem 1,9 GHz-Band rep­ räsentiert werden.

Der Hochfrequenzschalter 12, das Senderseitenbalun 13 und das Empfängerseitenbalun 14 haben die gleichen Funktionen wie diejenigen in dem in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzmodul 10 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel.

Ein erster Anschluß 211 des Kerbfilters 21, der dem ersten Anschluß 201 des Hochfrequenzmoduls 20 entspricht, ist mit einer Antenne ANT verbunden. Ein zweiter Anschluß 212 des Kerbfilters 21 ist mit einem ersten Anschluß 121 des Hoch­ frequenzschalters 12 verbunden.

Ein zweiter Anschluß 122 und ein dritter Anschluß 123 des Hochfrequenzschalters 12 sind jeweils mit einem unsymmetri­ schen Anschluß 131 des Senderseitenbaluns 13 und einem un­ symmetrischen Anschluß des Empfängerseitenbaluns 14 verbun­ den.

Symmetrische Anschlüsse 132 und 133 des Senderseitenbaluns 13, die jeweils dem zweiten und dritten Anschluß 202 und 203 des Hochfrequenzmoduls 20 entsprechen, sind mit der Senderschaltung Tx verbunden. Symmetrische Anschlüsse 142 und 143 des Empfängerseitenbaluns 14, die jeweils dem vier­ ten und fünften Anschluß 204 und 205 des Hochfrequenzmoduls 20 entsprechen, sind mit der Empfängerschaltung Rx verbun­ den.

Fig. 10 ist ein Schaltungsdiagramm des Kerbfilters 21 in dem in Fig. 9 gezeigten Hochfrequenzmodul 20.

Das Kerbfilter 21 umfaßt vorzugsweise Induktoren L31 und L32, und Kondensatoren C31 und C32. Eine Reihenschaltung des Induktors L31 und des Kondensators C31 und eine Reihen­ schaltung des Induktors L32 und des Kondensators C32 sind zwischen dem ersten Anschluß 211 und dem zweiten Anschluß 222 parallel geschaltet.

Gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel umfaßt das Hochfrequenzmodul 20 das Kerbfilter 21, das als Hoch­ frequenzfilter zum Dämpfen des unerwünschten Hochfrequenz­ signals wirkt. Dies verhindert, daß das Charakteristikum des Einfügungsverlusts an dem Hochfrequenzfilter ver­ schlechtert wird. Dies ermöglicht es ferner, ein Hochfre­ quenzmodul zu schaffen, das eine hohe Leistungsfähigkeit für Sendung/Empfang aufweist, und verbessert folglich die Leistungsfähigkeit für Sendung/Empfang bei einer Radiovor­ richtung.

Die höheren Oberschwingungen, die gedämpft werden sollen, werden nur in der Nachbarschaft gedämpft, und folglich wird der Einfluß auf das Grunddurchlaßband reduziert. Daher sind die Gesamtverluste des Hochfrequenzmoduls stark reduziert.

Fig. 11 zeigt ein Hochfrequenzmodul 13 gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Hochfrequenzmodul 30 umfaßt vorzugsweise einen ersten bis fünften Anschluß 301 bis 305, ein Hochpaßfilter 11, ei­ nen Hochfrequenzschalter 12, ein Senderseitenbalun 13, ein Empfängerseitenbalun 14, ein Tiefpaßfilter 31 und einen Hochleistungsverstärker 32.

Das Niedrigpaßfilter 31 dämpft das Rauschen, das durch den Hochleistungsverstärker 32 verursacht wird, welches ein un­ erwünschtes Hochfrequenzsignal ist, wie z. B. Oberschwin­ gung eines Sendesignals des 2,4 GHz Kommunikationssystems von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Er­ findung. Der Hochleistungsverstärker 32 verstärkt das Sen­ designal dieses Kommunikationssystems.

Das Hochpaßfilter 11, der Hochfrequenzschalter 12, das Sen­ derseitenbalun 13 und das Empfängerseitenbalun 14 weisen vorzugsweise die gleichen Funktionen auf wie die in dem Hochfrequenzmodul 10 gemäß dem in Fig. 1 gezeigten ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel.

Ein erster Anschluß 111 des Hochpaßfilters 11, der dem ers­ ten Anschluß 301 des Hochfrequenzmoduls 30 entspricht, ist mit einer Antenne ANT verbunden. Ein zweiter Anschluß 112 des Hochpaßfilters 11 ist mit einem ersten Anschluß 121 des Hochfrequenzschalters 12 verbunden.

Ein zweiter Anschluß 122 und ein dritter Anschluß 123 des Hochfrequenzschalters 12 sind jeweils mit einem ersten An­ schluß 311 des Tiefpaßfilters 31 und einem unsymmetrischen Anschluß 141 des Empfängerseitenbaluns 14 verbunden.

Ein zweiter Anschluß 312 des Tiefpaßfilters 31 ist mit ei­ nem ersten Anschluß 321 des Hochleistungsverstärkers 33 verbunden, und ein dritter Anschluß 322 des Hochleistungs­ verstärkers 32 ist mit einem unsymmetrischen Anschluß 131 des Senderseitenbaluns 13 verbunden.

Symmetrische Anschlüsse 132 und 133 des Senderseitenbaluns 13, die jeweils dem zweiten und dritten Anschluß 302 und 303 des Hochfrequenzmoduls 30 entsprechen, sind mit der Senderschaltung Tx verbunden. Symmetrische Anschlüsse 142 und 143 des Empfängerseitenbaluns 14, die jeweils dem vier­ ten und fünften Anschluß 204 und 205 des Hochfrequenzmoduls 20 entsprechen, sind mit der Empfängerschaltung Rx verbun­ den.

Fig. 12 ist ein Schaltungsdiagramm des Niedrigpaßfilters 31 in dem in Fig. 11 gezeigten Hochfrequenzmodul 30.

Das Tiefpaßfilter 31 umfaßt einen Induktor L41 und Konden­ satoren C41 bis C43. Eine Parallelschaltung des Induktors L41 und des Kondensators C41 ist zwischen dem ersten An­ schluß 311 und dem zweiten Anschluß 312 verbunden, und die Enden der Parallelschaltung sind jeweils durch die Konden­ satoren C42 und C43 geerdet.

Gemäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel umfaßt das Hochfrequenzmodul 30 das Hochpaßfilter 11 und das Tief­ paßfilter 31, um Rauschen zu beseitigen, das durch den Hochleistungsverstärker 32 verursacht wurde, der verwendet wird, um die Leistung des Sendesignals zu verstärken. Dies schafft eine Radiovorrichtung mit stark verbesserter Leis­ tungsfähigkeit für das Senden, was ein Hochleistungs- Sendesignal erfordert.

Bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen umfaßt ein Mehr­ schichtsubstrat alle der Komponenten, die ein Hochpaßfilter oder Kerbfilter, ein Empfängerseitenbalun und ein Sender­ seitenbalun definieren, und einige der Komponenten, die ei­ nen Hochfrequenzschalter definieren, und außerdem ist der Rest der Komponenten, die den Hochfrequenzschalter definie­ ren, auf demselben befestigt. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Struktur beschränkt. Das Hochfre­ quenzmodul kann auch so gestaltet sein, daß ein Mehr­ schichtsubstrat alle Komponenten enthält, die ein Hochpaß­ filter oder Kerbfilter, ein Empfängerseitenbalun und ein Senderseitenbalun definieren, und einige der Komponenten, die einen Hochfrequenzschalter definieren, und der Rest der Komponenten, die den Hochfrequenzschalter definieren, ist auf der gleichen Schaltungsplatine befestigt.

Bei dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel sind ein Tiefpaßfilter und ein Hochleistungsverstärker vorzugsweise zwischen einem Hochfrequenzschalter und einem Senderseiten­ balun angeordnet. Ein Kerbfilter und ein Hochleistungsver­ stärker können jedoch ebenfalls dazwischen angeordnet sein. In diesem Fall kann das Kerbfilter dafür verwendet werden, nur die Nähe des Rauschens zu dämpfen, das durch den Hoch­ leistungsverstärker verursacht wurde, das gedämpft werden soll, und folglich den Einfluß auf das Grunddurchlaßband reduziert. Daher ist der Einfügungsverlust an dem Grund­ durchlaßband reduziert, um die Gesamtverluste des Hochfre­ quenzmoduls zu reduzieren.

Claims (25)

1. Hochfrequenzmodul (10) mit:
einem Hochfrequenzfilter (11), das angeordnet ist, um ein unerwünschtes Hochfrequenzsignal zu dämpfen;
einem Hochfrequenzschalter (12, 52), der angeordnet ist, um zwischen einem Sendesignal und einem Empfangssignal umzuschalten;
einem Senderseitenbalun (13), das angeordnet ist, um ein symmetrisches Signal in ein unsymmetrisches Signal umzuwandeln; und
einem Empfängerseitenbalun (14), das angeordnet ist, um ein unsymmetrisches Signal in ein symmetrisches Si­ gnal umzuwandeln;
wobei das Hochfrequenzfilter (11) zwischen einer An­ tenne (ANT) und einem ersten Anschluß (121) des Hoch­ frequenzschalters (12) angeordnet ist, und ein zweiter Anschluß (122) des Hochfrequenzschalters (12) mit ei­ nem unsymmetrischen Anschluß (131) des Senderseitenba­ luns (13) verbunden ist, ein dritter Anschluß (123) des Hochfrequenzschalters (12) mit einem unsymmetri­ schen Anschluß (141) des Empfängerseitenbaluns (14) verbunden ist, und wobei das Hochfrequenzfilter (11) ein Hochpaßfilter ist.

2. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 1, bei dem das Hochpaßfilter (12) Sende- und Empfangssignale von GSM in dem 900 MHz-Band, DCS in dem 1,8 GHz-Band und PCS in dem 1,9 GHz-Band dämpft.

3. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem der Hochfrequenzschalter die dritte Oberschwingung des Empfangssignals eines 2,4 GHz Kommunikationssys­ tems dämpft.

4. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Empfängerseitenbalun (14) die zweite Oberschwingung des Empfangssignals dämpft.

5. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Hochpaßfilter (11) mindestens einen In­ duktor (L11, L12) und mindestens einen Kondensator (C11, C12) umfaßt.

6. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Hochfrequenzschalter (12) mindestens eine Diode (D1, D2), mindestens einen Induktor (L21, L22), mindestens einen Kondensator (C22, C21) und min­ destens einen Widerstand (R) umfaßt.

7. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, das ferner ein Mehrschichtsubstrat (15) umfaßt, das einen laminierten Körper mit einer Mehrzahl von die­ lektrischen Schichten (151-159) umfaßt, wobei die elektrischen Verbindungen zwischen dem zweiten An­ schluß (112) des Hochpaßfilters (11) und dem ersten Anschluß (121) des Hochfrequenzschalters (12), zwi­ schen dem zweiten Anschluß (122) des Hochfrequenz­ schalters (12) und dem unsymmetrischen Anschluß (131) des Senderseitenbaluns (13) und zwischen dem dritten Anschluß (123) des Hochfrequenzschalters (12) und dem unsymmetrischen Anschluß (141) des Empfängerseitenba­ luns (14) innerhalb des Mehrschichtsubstrats (15) er­ halten werden.

8. Hochfrequenzmodul (10) mit:
einem Hochfrequenzfilter (11), das angeordnet ist, um ein unerwünschtes Hochfrequenzsignal zu dämpfen;
einem Hochfrequenzschalter (12) zum Umschalten zwi­ schen einem Sendesignal und einem Empfangssignal;
einem Senderseitenbalun (13) zum Umwandeln eines sym­ metrischen Signals in ein unsymmetrisches Signal; und
einem Empfängerseitenbalun zum Umwandeln eines unsym­ metrischen Signals in ein symmetrisches Signal;
wobei das Hochfrequenzfilter (11) zwischen einer An­ tenne (ANT) und einem ersten Anschluß (121) des Hoch­ frequenzschalters (12) angeordnet ist, ein zweiter An­ schluß (122) des Hochfrequenzschalters (12) mit einem unsymmetrischen Anschluß (131) des Senderseitenbaluns (13) verbunden ist, ein dritter Anschluß (123) des Hochfrequenzschalters (12) mit einem unsymmetrischen Anschluß des Empfängerseitenbaluns (14) verbunden ist, und wobei das Hochfrequenzfilter (11) ein Kerbfilter ist.

9. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 8, bei dem das Hochpaßfilter (11) Sende- und Empfangssignale von GSM in dem 900 MHz-Band, DCS in dem 1,8 GHz-Band und PCS in dem 1,9 GHz-Band dämpft.

10. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 8 oder 9, bei dem der Hochfrequenzschalter (12) die dritte Ober­ schwingung des Empfangssignals eines 2,4 GHz- Kommunikationssystems dämpft.

11. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, bei dem das Empfängerseitenbalun (14) die zweite Oberschwingung des Empfangssignals dämpft.

12. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, bei dem das Hochpaßfilter (11) mindestens einen Induktor (L21, L22) und mindestens einen Kondensator (C21, C22) umfaßt.

13. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12, bei dem der Hochfrequenzschalter (12) mindestens eine Diode (D1, D2), mindestens einen Induktor (L21, L22), mindestens einen Kondensator (C21, C22) und min­ destens einen Widerstand (R) umfaßt.

14. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 13, das ferner ein Mehrschichtsubstrat (15) umfaßt, das einen laminierten Körper mit einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten (151-159) umfaßt, wobei die elektrischen Verbindungen zwischen dem zweiten An­ schluß (112) des Hochpaßfilters (11) und dem ersten Anschluß (121) des Hochfrequenzschalters (12), zwi­ schen dem zweiten Anschluß (122) des Hochfrequenz­ schalters (12) und dem unsymmetrischen Anschluß (131) des Senderseitenbaluns (13) und zwischen dem dritten Anschluß (123) des Hochfrequenzschalters (12) und dem unsymmetrischen Anschluß des Empfängerseitenbaluns (14) innerhalb des Mehrschichtsubstrats (15) erhalten werden.

15. Hochfrequenzmodul (10) mit:
entweder einem Hochpaßfilter (11) oder einem Kerbfil­ ter (11), das angeordnet ist, um ungewünschte Hochfre­ quenzsignale zu dämpfen;
einem Hochfrequenzschalter (12), der angeordnet ist, um zwischen einem Sendesignal und einem Empfangssignal umzuschalten;
einem Senderseitenbalun (13), das angeordnet ist, um ein symmetrisches Signal in ein unsymmetrisches Signal umzuwandeln; und
einem Empfängerseitenbalun (14), das angeordnet ist, um ein unsymmetrisches Signal in ein symmetrisches Si­ gnal umzuwandeln;
wobei entweder das Hochpaßfilter oder das Kerbfilter zwischen einer Antenne (ANT) und einem ersten Anschluß (121) des Hochfrequenzschalters (12) angeordnet ist, ein zweiter Anschluß (122) des Hochfrequenzschalters (12) mit einem unsymmetrischen Anschluß (131) des Sen­ derseitenbaluns (14) verbunden ist, ein dritter An­ schluß (123) des Hochfrequenzschalters (12) mit einem unsymmetrischen Anschluß (141) des Empfängerseitenba­ luns (14) verbunden ist, und das Hochfrequenzmodul (10) ferner ein Mehrschichtsubstrat (15) umfaßt, das einen laminierten Körper mit einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten (151-159) umfaßt.

16. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 15, bei dem das Mehrschichtsubstrat (15) alle der Komponenten umfaßt, die das Hochpaßfilter (11) oder das Kerbfilter, das Senderseitenbalun (13) und das Empfängerseitenbalun (14) definieren, und einige der Komponenten, die den Hochfrequenzschalter (12) definieren, wobei der Rest der Komponenten, die den Hochfrequenzschalter (12) definieren, auf dem Mehrschichtsubstrat befestigt ist.

17. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 15 oder 16, bei dem das Hochpaßfilter (11) Sende- und Empfangssignale von GSM in dem 900 MHz-Band, DCS in dem 1,8 GHz-Band und PCS in dem 1,9 GHz-Band dämpft.

18. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, bei dem der Hochfrequenzschalter (12) die dritte Oberschwingung des Empfangssignals eines 2,4 GHz Kommunikationssystems dämpft.

19. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, bei dem das Empfängerseitenbalun (14) die zweite Oberschwingung des Empfangssignals dämpft.

20. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 19, bei dem das Hochpaßfilter (11) mindestens ei­ nen Induktor und mindestens einen Kondensator umfaßt.

21. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 20, bei dem der Hochfrequenzschalter (12) zumin­ dest eine Diode (D1, D2), einen Induktor (21, 22), ei­ nen Kondensator (C21, C22) und zumindest einen Wider­ stand (R) umfaßt.

22. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 21, bei dem die elektrischen Verbindungen zwischen dem zweiten Anschluß (112) des Hochpaßfilters (11) und dem ersten Anschluß des Hochfrequenzschalters (12), zwischen dem zweiten Anschluß (122) des Hochfrequenz­ schalters (12) und dem unsymmetrischen Anschluß (131) des Senderseitenbaluns (13) und zwischen dem dritten Anschluß (123) des Hochfrequenzschalters (12) und dem unsymmetrischen Anschluß (141) des Empfängerseitenba­ luns (14) innerhalb des Mehrschichtsubstrats erhalten werden.

23. Radiovorrichtung, die ein Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 1 enthält.

24. Radiovorrichtung, die ein Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 8 enthält.

25. Radiovorrichtung, die ein Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 15 enthält.