KR102489781B1 - 노이즈 억제 특성을 개선한 고주파 스위치 장치 - Google Patents

노이즈 억제 특성을 개선한 고주파 스위치 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치는, 안테나단자와 제1 신호단자 사이에 접속되어 제1 신호 밴드를 스위칭하도록 제1 직렬 스위치 회로와 제1 션트 스위치 회로를 포함하는 제1 스위치 회로; 상기 안테나단자와 제2 신호단자 사이에 접속되어 상기 제1 신호 밴드와 다른 제2 신호 밴드를 스위칭하는 제2 스위치 회로; 및 상기 제1 션트 스위치 회로와 접지 사이에 접속된 제1 인덕터 소자를 포함하는 인덕터 회로; 를 포함하고, 상기 인덕터 회로의 제1 인덕터 소자는 접속된 상기 제1 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 및 제2 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제할 있다.

Description

노이즈 억제 특성을 개선한 고주파 스위치 장치{RADIO FREQUENCY SWITCH APPARATUS WITH IMPROVED NOISE SUPPRESSION CHARACTERISTICS}
본 발명은 신호 대역의 고조파 등의 노이즈 억제 특성을 개선한 고주파 스위치 장치에 관한 것이다.
점차, 무선통신 시스템에서 캐리어 어그리게이션(Carrier Aggregation: CA)이 확대됨에 따라, 무선통신 시스템 내에서 사용되는 듀플렉서(duplexer)의 고조파 감쇠 (harmonic attenuation) 성능이 강화되고 있다. 특히, 로우밴드(low band) (600 ~ 1000 MHz)에서 사용되는 밴드(band)에서의 2차 고조파 (2nd harmonic) 또는 3차 고조파 (3rd harmonic)의 감쇠 특성이 중요시되고 있다.
종래의 기술 방식중 하나는 고조파 감쇠 특성을 확보하기 위해서는 안테나 스위치 모듈(Antenna Switch Module: ASM) 후단에 연결되는 듀플렉서 (duplexer)에서 고조파 억제 기능을 추가하는 것이다.
그러나, 듀플렉서(Duplexer)에서의 아이솔레이션(isolation) 성능이 고(高)사양으로 요구되기 때문에 아이솔레이션(isolation) 성능을 만족하면서 동시에 고조파 감쇠 성능을 확보하기에는 어려움이 있다.
또한, 종래 고조파 억제 방식중의 다른 하나는 듀플렉서의 송신 매칭 경로(matching path)에 밴드 억제 공진회로(band stop resonant circuit)를 추가하는 것이다.
이 경우에 적용되는 공진회로(resonant circuit)는 병렬 접속 공진회로(parallel connection resonant circuit) 또는 직렬 접속 션트 공진회로(series connection shunt resonant circuit)로 구현될 수 있는데, 이들 각각은 인덕터와 캐패시터 전체 2개 이상의 공진 소자를 필요로 하므로, 추가 공간 필요 및 단가 상승의 문제점이 있었다.
또 다른 종래의 기술 방식은 안테나 스위치 모듈(ASM)과 안테나 단자 사이에 고조파 감쇠를 위한 로우 패스 필터(low pass filter)를 배치하는 것이다.
이 경우에는 고조파 감쇠(harmonic attenuation)가 필요하지 않는 밴드까지 감쇠되기 때문에 삽입 손실(insertion loss) 부분에서의 열화가 발생될 수 있는 문제점이 있다.
한국 등록번호 제10-0638879호 공보
본 발명의 일 실시 예는, 오프상태인 스위치 소자의 커패시턴스를 이용하므로, 인덕터만을 추가하여 고조파 억제를 위한 공진회로를 구현할 수 있는 노이즈 억제 특성을 개선한 고주파 스위치 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의해, 안테나단자에 연결되어 제1 신호 밴드를 스위칭하도록 제1 직렬 스위치 회로와 제1 션트 스위치 회로를 포함하는 제1 스위치 회로; 상기 안테나단자에 연결되어 상기 제1 신호 밴드와 다른 제2 신호 밴드를 스위칭하는 제2 스위치 회로; 및 상기 제1 션트 스위치 회로와 접지 사이에 접속된 제1 인덕터 소자를 포함하는 인덕터 회로; 를 포함하고, 상기 인덕터 회로의 제1 인덕터 소자는 접속된 상기 제1 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 및 제2 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제하는 고주파 스위치 장치가 제안된다.
본 과제의 해결 수단에서는, 하기 상세한 설명에서 설명되는 여러 개념들 중 하나가 제공된다. 본 과제 해결 수단은, 청구된 사항의 핵심 기술 또는 필수적인 기술을 확인하기 위해 의도된 것이 아니며, 단지 청구된 사항들 중 하나가 기재된 것이며, 청구된 사항들 각각은 하기 상세한 설명에서 구체적으로 설명된다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 특정 주파수에 대한 고조파 (2차 고조파 혹은 3차 고조파) 등의 노이즈를 억제할 수 있고, 복수의 송수신 밴드중 원하는 송수신에 대한 고조파를 억제할 수 있다.
또한, 공진회로에서 필요한 커패시터 및 인턱터중에서, 커패시터는 오프상태의 스위치가 이용되므로 인덕터만 추가하여 공진회로를 형성할 수 있으므로, 공간적인 측면에서의 절약 및 단가 절감이 가능하다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 일 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 다른 일 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 다른 일 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 스위치 회로의 온상태에 대한 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 스위치 회로의 오프상태에 대한 등가 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 주파수 특성을 보이는 도면이다.
이하에서는, 본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 각 실시 예에 있어서, 하나의 예로써 설명되는 구조, 형상 및 수치는 본 발명의 기술적 사항의 이해를 돕기 위한 예에 불과하므로, 이에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 본 발명의 실시 예들은 서로 조합되어 여러 가지 새로운 실시 예가 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명에 참조된 도면에서 본 발명의 전반적인 내용에 비추어 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 일 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치는 고주파 스위치 회로(100)를 포함하고, 상기 고주파 스위치 회로(100)는 제1 스위치 회로(100-1), 제2 스위치 회로(100-2) 및 인덕터 회로(120)를 포함할 수 있다.
상기 제1 스위치 회로(100-1)는 안테나단자(TANT)와 제1 신호단자(T1) 사이에 접속되어 제1 신호 밴드(SB1)를 스위칭하도록 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)와 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)를 포함할 수 있다.
상기 제2 스위치 회로(100-2)는 상기 안테나단자(TANT)와 제2 신호단자(T2) 사이에 접속되어 상기 제1 신호 밴드(SB1)와 다른 제2 신호 밴드(SB2)를 스위칭하도록 제2 직렬 스위치 회로(SW2-1)와 제2 션트 스위치 회로(SW2-2)를 포함할 수 있다.
상기 인덕터 회로(120)는 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)와 접지 사이에 접속된 제1 인덕터 소자(121)를 포함할 수 있다.
상기 인덕터 회로(120)의 제1 인덕터 소자(121)는 접속된 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 및 제2 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제할 수 있다.
본 발명의 각 실시 예에서, 억제될 대상인 노이즈는 제1 신호밴드, 제2 신호 밴드 등의 복수의 신호 밴드중 어느 하나의 밴드의 고조파가 될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 다른 일 예시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치는 제1 고주파 스위치 회로(100) 및 듀플렉서 회로부(200)를 포함할 수 있다.
상기 제1 고주파 스위치 회로(100)는 안테나(ANT)로부터의 제1 신호 밴드 내지 제N 신호 밴드를 스위칭하는 제1 스위치 회로(100-1) 내지 제N 스위치 회로(100-N)를 포함할 수 있다.
상기 제1 스위치 회로(100-1)는 안테나단자(TANT)와 제1 신호단자(T1) 사이에 접속되어 제1 신호 밴드(SB1)를 스위칭하도록 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)와 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)를 포함할 수 있다.
상기 제2 스위치 회로(100-2)는 상기 안테나단자(TANT)와 제2 신호단자(T2) 사이에 접속되어 제2 신호 밴드(SB2)를 스위칭하도록 제2 직렬 스위치 회로(SW2-1)와 제2 션트 스위치 회로(SW2-2)를 포함할 수 있다.
상기 제N 스위치 회로(100-N)는 상기 안테나단자(TANT)와 제N 신호단자(TN) 사이에 접속되어 제N 신호 밴드(SBN)를 스위칭하도록 제N 직렬 스위치 회로(SWN-1)와 제N 션트 스위치 회로(SWN-2)를 포함할 수 있다.
상기 듀플렉서 회로부(200)는 제1 듀플렉서 내지 제N 듀플렉서(200-1~200-N)포함할 수 있다.
상기 제1 듀플렉서(200-1)는 제1 신호단자(T1)와 제1 송수신단(TRx-1) 사이에서 상기 제1 스위치 회로(100-1)에 접속되어, 제1 신호 밴드(SB1)를 통과시킬 수 있다.
상기 제2 듀플렉서(200-2)는 제2 신호단자(T2)와 제2 송수신단(TRx-2) 사이에서 상기 제2 스위치 회로(100-2)에 접속되어, 제2 신호 밴드(SB2)를 통과시킬 수 있다.
그리고, 상기 제1 듀플렉서(200-1)는 제N 신호단자(T1)와 제N 송수신단(TRx-N) 사이에서 상기 제N 스위치 회로(100-N)에 접속되어, 제N 신호 밴드(SBN)를 통과시킬 수 있다.
상기 인덕터 회로(120)는 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)와 접지 사이에 접속된 제1 인덕터 소자(121)를 포함할 수 있다. 상기 인덕터 회로(120)의 제1 인덕터 소자(121)는 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 및 제2 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제할 수 있다.
상기 인덕터 회로(120)는 상기 제2 션트 스위치 회로(SW2-2)와 접지 사이에 접속된 제2 인덕터 소자(122)를 포함할 수 있다. 상기 제2 인덕터 소자(122)는 상기 제2 션트 스위치 회로(SW2-2)의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 및 제2 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제할 수 있다.
일 예로, 제1 인덕터(121)에 의한 공진 주파수와 제2 인덕터(122)에 의한 공진 주파수가 해당 신호밴드의 2차 고조파에 설정되는 경우에는 해당 신호밴드의 2차 고조파 억제 특성이 더욱 향상될 수 있다. 이와 달리, 제1 인덕터(121)에 의한 공진 주파수는 해당 신호밴드의 2차 고조파에 설정되고, 제2 인덕터(122)에 의한 공진 주파수가 해당 신호밴드의 3차 고조파에 설정되는 경우에는 해당 신호밴드의 2차 고조파 및 3차 고조파 억제 특성이 개선될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 다른 일 예시도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치는 제1 고주파 스위치 회로(100) 및 듀플렉서 회로부(200)를 포함할 수 있다.
상기 제1 고주파 스위치 회로(100)는 안테나(ANT)로부터의 제1 신호 밴드 내지 제N 신호 밴드를 스위칭하는 제1 스위치 회로(100-1) 내지 제N 스위치 회로(100-N)를 포함할 수 있다.
상기 제1 스위치 회로(100-1)는 안테나단자(TANT)와 제1 신호단자(T1) 사이에 접속되어 제1 신호 밴드(SB1)를 스위칭하도록 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)와 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)를 포함할 수 있다.
상기 제2 스위치 회로(100-2)는 상기 안테나단자(TANT)와 제2 신호단자(T2) 사이에 접속되어 제2 신호 밴드(SB2)를 스위칭하도록 제2 직렬 스위치 회로(SW2-1)와 제2 션트 스위치 회로(SW2-2)를 포함할 수 있다.
상기 제N 스위치 회로(100-N)는 상기 안테나단자(TANT)와 제N 신호단자(TN) 사이에 접속되어 제N 신호 밴드(SBN)를 스위칭하도록 제N 직렬 스위치 회로(SWN-1)와 제N 션트 스위치 회로(SWN-2)를 포함할 수 있다.
상기 듀플렉서 회로부(200)는 제1 듀플렉서 내지 제N 듀플렉서(200-1~200-N)포함할 수 있다.
상기 제1 듀플렉서(200-1)는 제1 신호단자(T1)와 제1 송수신단(TRx-1) 사이에서 상기 제1 스위치 회로(100-1)에 접속되어, 제1 신호 밴드(SB1)를 통과시킬 수 있다.
상기 제2 듀플렉서(200-2)는 제2 신호단자(T2)와 제2 송수신단(TRx-2) 사이에서 상기 제2 스위치 회로(100-2)에 접속되어, 제2 신호 밴드(SB2)를 통과시킬 수 있다.
그리고, 상기 제1 듀플렉서(200-1)는 제N 신호단자(T1)와 제N 송수신단(TRx-N) 사이에서 상기 제N 스위치 회로(100-N)에 접속되어, 제N 신호 밴드(SBN)를 통과시킬 수 있다.
상기 인덕터 회로(120)는 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2), 상기 제2 션트 스위치 회로(SW2-2) 및 상기 제N 션트 스위치 회로(SWN-2) 각각의 공통 접속노드(Ncom)와 접지 사이에 접속된 제1 인덕터 소자(121)를 포함할 수 있다.
상기 인덕터 회로(120)의 제1 인덕터 소자(121)는 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2), 제2 션트 스위치 회로(SW2-2) 및 제N 션트 스위치 회로(SW1-N)중 해당 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 신호 밴드, 상기 제2 신호 밴드 및 상기 제N 신호 밴드중 적어도 하나의 밴드의 고조파를 억제할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 스위치 회로의 온상태에 대한 등가 회로도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 스위치 회로의 오프상태에 대한 등가 회로도이다.
도 4 및 도 5는 고주파 스위치 장치가 SPST(Single pole Single Throw)인 경우에 대한 등가 회로도를 도시하고 있으며, 상기 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)와 제1 션트 스위치 회로(SW1-2) 각각은 직렬로 접속된 N개의 트랜지스터를 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 스위치 회로(100-1)가 온상태에 대한 등가 회로도로서, 상기 제1 스위치 회로(100-1)가 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)와 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)를 포함하는 경우, 상기 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)의 N개의 트랜지스터가 모두 온상태가 되어 등가 회로로 저항(Ron-1~Ron-N)으로 도시될 수 있고, 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)의 N개 트랜지스터가 모두 오프상태가 되어 등가 회로로 커패시터(Con-1~Con-N)로 도시될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 스위치 회로(100-1)에 의해 제1 신호 밴드(SB1)가 통과될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 스위치 회로(100-1)가 오프상태에 대한 등가 회로도로서, 상기 제1 스위치 회로(100-1)가 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)와 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)를 포함하는 경우, 상기 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)의 N개의 트랜지스터가 모두 오프상태가 되어 등가 회로로 커패시터(Coff-1~Coff-N)로 도시될 수 있고, 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)의 N개 트랜지스터가 모두 온상태가 되어 등가 회로로 저항(Roff-1~Roff-N)으로 도시될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 스위치 회로(100-1)에 의해 제1 신호 밴드(SB1)가 차단될 수 있다.
전술한 바와 같이, 도 4를 참조라면, 제1 스위치 회로(100-1)가 온상태일 경우, 상기 제1 직렬 스위치 회로(SW1-1)의 N개의 트랜지스터가 온상태로 되어 등가 회로적으로 저항(Ron-1~Ron-N)으로 나타나게 된다. 이와 동시에 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)의 N개의 트랜지스터가 모두 오프상태로 되어 등가 회로적으로 캐패시터(Con-1~Con-N)로 나타나게 된다.
이때, 상기 제1 션트 스위치 회로(SW1-2)의 N개 트랜지스터가 모드 오프상태인 경우에 등가 회로적으로 나타나는 커패시턴스는 상기 인덕터 회로(120)의 제1 인덕터 소자(121)의 인덕턴스와 공진하고, 일 예로, 공진 주파수에서 임피던스가 거의 영(ZERO)이 되므로, 상기 공진 주파수를 제1 신호 밴드의 고조파에 설정하면 제1 신호 밴드의 고조파를 접지로 바이패스시켜 제1 신호 밴드의 고조파를 억제할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 주파수 특성을 보이는 도면이다.
도 6에 도시된 G1 및 G2는 중심 주파수가 700MHz인 제1 신호 밴드에 대한 주파수 특성을 보이는 그래프로서, G1은 기존의 고주파 스위치 장치의 주파수 특성 그래프이고, G2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치의 주파수 특성 그래프이다.
G1을 참조하면, 기존의 고주파 스위치 장치는 고주파 감쇠에 대한 성능을 변화시킬 수 있는 구성요소가 없기 때문에 고조파에 대해 감쇠할 수 없다.
그러나, G2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 장치는 700MHz에 대한 2차 고조파에 대해 감쇠 성능을 보여주고 있다. 즉, G2를 참조하면 중심주파수 700 MHz의 2차 고조파 주파수 1.4 GHz에 대한 감쇠 특성이 G1의 그래프에 비해 15 dB 이상 개선할 수 있음을 알 수 있다. 뿐만 아니라, 공진 주파수(resonant frequency)에 따른 통과대역(passband)에서의 삽입손실(insertion loss) 열화가 인덕터 삽입 전에 비해 0.002 dB 차이로 열화 정도가 무시 가능함을 알 수 있다.
100: 제1 고주파 스위치 회로
100-1: 제1 스위치 회로
100-N: 제N 스위치 회로
120: 인덕터 회로
121: 제1 인덕터 소자
122: 제2 인덕터 소자
SW1-1: 제1 직렬 스위치 회로
SW1-2: 제1 션트 스위치 회로
SW2-1: 제2 직렬 스위치 회로
SW2-2: 제2 션트 스위치 회로
SWN-1: 제N 직렬 스위치 회로
SWN-2: 제N 션트 스위치 회로
200: 듀플렉서 회로부
200-1: 제1 듀플렉서
200-N: 제N 듀플렉서

Claims (12)

  1. 안테나단자와 제1 신호단자 사이에 접속되어 제1 신호 밴드를 스위칭하며, 제1 직렬 스위치 회로와 제1 션트 스위치 회로를 포함하는 제1 스위치 회로;
    상기 안테나단자와 제2 신호단자 사이에 접속되어 상기 제1 신호 밴드와 다른 제2 신호 밴드를 스위칭하는 제2 스위치 회로; 및
    상기 제1 션트 스위치 회로와 접지 사이에 접속된 제1 인덕터 소자를 포함하는 인덕터 회로; 를 포함하며,
    상기 제1 션트 스위치 회로는 상기 제1 직렬 스위치 회로가 온 상태일 때 오프 상태로 되며,
    상기 제1 직렬 스위치 회로의 상기 온 상태일 때, 상기 인덕터 회로의 제1 인덕터 소자는 상기 제1 션트 스위치 회로의 상기 오프 상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 및 제2 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제하는
    고주파 스위치 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 스위치 회로는,
    상기 제2 신호 밴드를 스위칭하도록 제2 직렬 스위치 회로와 제2 션트 스위치 회로를 포함하는 고주파 스위치 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 인덕터 회로는
    상기 제2 션트 스위치 회로와 접지 사이에 접속된 제2 인덕터 소자를 포함하고,
    상기 제2 인덕터 소자는 접속된 상기 제2 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 및 제2 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제하는
    고주파 스위치 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 인덕터 회로의 제1 인덕터 소자는
    상기 제2 션트 스위치 회로와 접지 사이에 접속되는 고주파 스위치 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 인덕터 회로의 제1 인덕터 소자는
    상기 제1 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 신호 밴드 및 상기 제2 신호 밴드중 적어도 하나의 밴드의 고조파를 억제하는
    고주파 스위치 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 인덕터 회로의 제2 인덕터 소자는
    상기 제2 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 신호 밴드 및 상기 제2 신호 밴드중 적어도 하나의 밴드의 고조파를 억제하는
    고주파 스위치 장치.
  7. 안테나로부터의 제1 신호 밴드 내지 제N 신호 밴드(여기서, N은 2이상의 자연수 임)를 스위칭하는 제1 스위치 회로 내지 제N 스위치 회로를 포함하고, 상기 제1 스위치 회로는 안테나단자와 제1 신호단자 사이에 접속되어 제1 신호 밴드를 스위칭하며 제1 직렬 스위치 회로와 제1 션트 스위치 회로를 포함하는 제1 고주파 스위치 회로; 및
    상기 제1 스위치 회로 내지 제N 스위치 회로 각각에 접속되어, 해당 신호 밴드를 통과시키는 제1 내지 제N 듀플렉서를 포함하는 듀플렉서 회로부; 를 포함하며,
    상기 제1 션트 스위치 회로는 상기 제1 직렬 스위치 회로가 온 상태일 때 오프 상태로 되며,
    상기 제1 고주파 스위치 회로는
    상기 제1 션트 스위치 회로와 접지 사이에 접속된 제1 인덕터 소자를 포함하고, 상기 제1 직렬 스위치 회로의 상기 온 상태일 때 상기 제1 인덕터 소자는 상기 제1 션트 스위치 회로의 상기 오프 상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 내지 제N 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제하는 인덕터 회로; 를 더 포함하는
    고주파 스위치 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 스위치 회로는
    상기 안테나단자와 제2 신호단자 사이에 접속되어 제2 신호 밴드를 스위칭하도록 제2 직렬 스위치 회로와 제2 션트 스위치 회로를 포함하고,
    상기 제N 스위치 회로는 상기 안테나단자와 제N 신호단자 사이에 접속되어 제N 신호 밴드를 스위칭하도록 제N 직렬 스위치 회로와 제N 션트 스위치 회로를 포함하는
    고주파 스위치 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 인덕터 회로는
    상기 제2 션트 스위치 회로와 접지 사이에 접속된 제2 인덕터 소자를 포함하고,
    상기 제2 인덕터 소자는 접속된 상기 제2 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 및 제2 신호 밴드 이외의 노이즈를 억제하는
    고주파 스위치 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 인덕터 회로의 제1 인덕터 소자는
    상기 제2 션트 스위치 회로 내지 상기 제N 션트 스위치 회로 각각과 접지 사이에 접속되는 고주파 스위치 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 인덕터 회로의 제1 인덕터 소자는
    상기 제1 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 내지 제N 신호 밴드중 적어도 하나의 밴드의 고조파를 억제하는
    고주파 스위치 장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 인덕터 회로의 제2 인덕터 소자는
    상기 제2 션트 스위치 회로의 오프상태에서의 커패시턴스와 공진하여 상기 제1 내지 제N 신호 밴드중 적어도 하나의 밴드의 고조파를 억제하는
    고주파 스위치 장치.




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