KR102041655B1 - 고주파 스위치 - Google Patents

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KR102041655B1
KR102041655B1 KR1020150001771A KR20150001771A KR102041655B1 KR 102041655 B1 KR102041655 B1 KR 102041655B1 KR 1020150001771 A KR1020150001771 A KR 1020150001771A KR 20150001771 A KR20150001771 A KR 20150001771A KR 102041655 B1 KR102041655 B1 KR 102041655B1
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Abstract

본 발명은 고주파 스위치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치는 안테나 포트와 송신 포트 사이에 직렬 연결된 복수의 제1 스위치 소자를 포함하고 제1 게이트 신호에 의해 동작되는 제1 스위치부; 상기 안테나 포트와 수신 포트 사이에 직렬 연결된 복수의 제2 스위치 소자를 포함하고 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제2 스위치부; 상기 송신 포트와 접지 사이에 연결되어 상기 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제1 션트부; 상기 수신 포트와 접지 사이에 연결되어 상기 제1 게이트 신호에 의해 동작되는 제2 션트부; 및 상기 수신 포트와 일단이 접지된 인덕터의 타단 사이에 연결되어 상기 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제3 션트부를 포함할 수 있다.

Description

고주파 스위치{HIGH FREQUENCY SWITCH}
본 발명은 고주파 스위치에 관한 것이다.
무선통신 기술의 발달에 따라, 다양한 통신 표준이 동시적으로 사용되고 있다. 또한, 무선 통신 모듈의 소형화 및 휴대 단말의 고 성능화에 따라, 하나의 휴대 단말에 복수의 통신 표준을 적용하는 것이 요구되고 있다. 따라서, 하나의 휴대폰에서 지원해야 할 주파수 대역이 많아지고 있다.
이러한 동향에 따라, RF(Radio Frequency) 프론트 엔드(Front-End) 분야에서도 다양한 주파수 대역의 지원이 요구되고 있다. 예컨대, 안테나와 RF 칩셋 간의 신호 경로상에 위치하는 고주파 스위치에 대해서도, 다양한 주파수 대역을 지원하는 것이 요구되고 있다.
이러한 고주파 스위치는, 전력 소비를 줄이고 배터리 수명을 보존하기 위해 삽입 손실(Insertion Loss)을 최소화해야 하고, 송신 또는 수신 경로에 있어 다양한 주파수 대역간의 간섭을 최소화 하기 위해서 아이솔레이션 특성이 우수해야 한다.
한국 공개특허공보 제2011-0068584호 한국 공개특허공보 제2014-0086487호
본 발명의 일 실시예에 따르면, 노치필터(Notch Filter) 또는 밴드패스필터(Band Pass Filter)로 동작하는 션트 시리즈 스위치부를 채용하여, 낮은 삽입 손실 및 우수한 아이솔레이션 특성을 가지는 고주파 스위치가 제공된다.
상술한 본 발명의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 안테나 포트와 송신 포트 사이에 직렬 연결된 복수의 제1 스위치 소자를 포함하고 제1 게이트 신호에 의해 동작되는 제1 스위치부; 상기 안테나 포트와 수신 포트 사이에 직렬 연결된 복수의 제2 스위치 소자를 포함하고 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제2 스위치부; 상기 송신 포트와 접지 사이에 연결되어 상기 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제1 션트부; 상기 수신 포트와 접지 사이에 연결되어 상기 제1 게이트 신호에 의해 동작되는 제2 션트부; 및 상기 수신 포트와 일단이 접지된 인덕터의 타단 사이에 연결되어 상기 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제3 션트부;를 포함하는 고주파 스위치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치는 노치필터(Notch Filter) 또는 밴드패스필터(Band Pass Filter)로 동작하는 션트 시리즈 스위치부를 채용하여, 낮은 삽입 손실 및 우수한 아이솔레이션 특성을 가지는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 송신 모드시의 고주파 스위치를 나타내는 등가 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 수신 모드시의 고주파 스위치를 나타내는 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치를 나타내는 회로도이다.
도 6 및 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치의 시뮬레이션 데이터를 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다.
또한, 어떤 구성 요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 고주파 스위치는 제1 스위치부(100), 제2 스위치부(200), 제1 션트부(300), 제2 션트부(400), 및 제3 션트부(500)을 포함할 수 있다.
상기 제1 스위치부(100)는 안테나 포트(10)와 송신 포트(11) 사이에 위치하고 제1 게이트 신호(G1)에 의해 동작할 수 있다.
보다 상세하게는, 상기 제1 스위치부(100)는 안테나 포트(10)와 송신 포트(11) 사이에 접속될 수 있으며, 그 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단할 수 있다.
상기 제2 스위치부(200)는 안테나 포트(10)와 수신 포트(12) 사이에 위치하여 제2 게이트 신호(G2)에 의해 동작할 수 있다.
보다 상세하게는, 상기 제2 스위치부(200)는 안테나 포트(10)와 수신 포트(11) 사이에 접속될 수 있으며, 그 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단할 수 있다.
상기 제1 션트부(300)는 상기 송신 포트(11)와 접지 사이에 접속되어 상기 송신 포트(11)와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단할 수 있다.
이때, 상기 제1 션트부(300)는 제2 게이트 신호(G2)에 의해 동작할 수 있다.
상기 제2 션트부(400)는 상기 수신 포트(12)와 접지 사이에 접속되어 상기 수신 포트(12)와 접지 사이의 신호 전달 경로를 도통 또는 차단할 수 있다.
이때, 상기 제2 션트부(400)는 제1 게이트 신호(G1)에 의해 동작할 수 있다.
또한, 상기 제3 션트부(500)은 상기 수신 포트(12)와 일단이 접지된 인덕터(L1)의 타단 사이에 접속되어 상기 제2 게이트 신호(G2)에 의해 제어되어 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치를 나타내는 회로도이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치는 복수의 제1 스위치 소자를 포함하는 제1 스위치부(100), 복수의 제2 스위치 소자를 포함하는 제2 스위치부(200), 복수의 제3 스위치 소자를 포함하는 제1 션트부(300), 복수의 제4 스위치 소자를 포함하는 제2 션트부(400), 복수의 제5 스위치 소자를 포함하는 제3 션트부(500), 및 인덕터(L1)을 포함할 수 있다.
상기 제1 스위치 소자, 제2 스위치 소자, 제3 스위치 소자, 제4 스위치 소자 및 제5 스위치 소자는 각각 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
즉, 제1 스위치부(100), 제2 스위치부(200), 제1 션트부(300), 제2 션트부(400), 및 제3 션트부(500)는 복수의 FET 및 복수의 BJT 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 복수의 FET는 소스/드레인이 직렬로 연결되고, 게이트로 제1 게이트 신호(G1) 또는 제2 게이트 신호(G2) 중 하나가 인가되고, 복수의 BJT는 이미터/콜렉터가 직렬로 연결되고, 베이스로 게이트로 제1 게이트 신호(G1) 또는 제2 게이트 신호(G2) 중 하나가 인가될 수 있다.
이 경우, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 제1 신호 전달부(100) 측으로는 제1 게이트 신호(G1), 제2 신호 전달부(200) 측으로는 제2 게이트 신호(G2), 제1 션트부(300) 측으로는 제1 게이트 신호(G2), 제2 션트부(400) 측으로는 제1 게이트 신호(G1), 제3 션트부(500) 측으로는 제1 게이트 신호(G1)가 인가될 수 있다.
도 1에는 제1 및 제2 스위치부(100, 200) 및 제1 내지 제3 션트부(300, 400, 500)가 포함하는 복수의 스위치 소자로서 FET가 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며 상술한 BJT를 포함하는 것도 가능하다.
또한, 도 1에서 복수의 FET가 N 채널로 도시되어 있으나, N 채널뿐만 아니라 P 채널 FET도 포함할 수 있고, 복수의 스위치 소자로서 BJT가 이용되는 경우 NPN BJT 및 PNP BJT가 모두 이용될 수 있다.
부연하면, 도 1에서 상기 복수의 스위치 소자를 6개의 FET로 도시하였으나, 이는 설명을 위하여 한정적으로 표현한 것으로서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 2 이상의 복수를 포함할 수 있다.
이하, 설명의 편의상 제1 및 제2 스위치부(100, 200) 및 제1 내지 제3 션트부(300, 400, 500)는 복수의 스위치 소자로서 N 채널 FET를 구비하는 것으로 가정하여 설명하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치는 안테나 포트(10)와 송신 포트(11) 및 수신 포트(12)와 연결될 수 있다.
도시한 바와 같이, 제1 스위치부(100) 및 제2 스위치부(200)의 일단은 안테나 포트(10)와 상호 공통으로 연결되고, 제1 스위치부(100)의 타단은 송신 포트(11)와 연결되고, 제2 스위치부(200)의 타단은 수신 포트(12)와 연결될 수 있다.
이때, 안테나 포트(10)는 고주파 신호를 송신 또는 수신하는 안테나와 접속될 수 있다.
제1 스위치부(100)는 송신 포트(11)에서 입력받은 고주파 신호를 안테나를 통하여 송신하기 위해 안테나 포트(10)에 전달할 수 있다.
이하, 송신 포트(11) 및 안테나 포트(10) 사이에서 전달되는 고주파 신호를 제1 고주파 신호라 지칭한다.
또한, 제2 스위치부(200)는 안테나를 통하여 안테나 포트(10)에서 수신되는 고주파 신호를 수신 포트(11)에서 외부로 출력하기 위해 수신포트(11)로 전달할 수 있다.
이하, 수신 포트(12) 및 안테나 포트(10) 사이에서 전달되는 고주파 신호를 제2 고주파 신호라 지칭한다.
제1 션트부(300) 및 제2 션트부(400)는 각각 송신 포트(11) 및 접지와 수신 포트(12) 및 접지 사이에 위치하여, 제1 및 제2 게이트 신호(G1, G2)에 따라 스위칭 되어 각각 제1 스위치부(100) 및 제2 스위치부(200)의 잔류 신호 등을 접지로 바이패스 시킬 수 있다.
다시 말하면, 상기 제1 스위치부(100)가 상기 제1 고주파 신호의 경로를 형성하는 경우 상기 제2 션트부(400)는 상기 수신 포트(12)에서 접지로의 제1 바이패스 경로를 형성하고, 상기 제2 스위치부(200)가 상기 제2 고주파 신호의 경로를 형성하는 경우, 상기 제1 션트부(300)는 상기 송신 포트(11)에서 접지로의 제2 바이패스 경로를 형성할 수 있다.
또한, 제3 션트부(500)는 상기 수신 포트(12)와 일단이 접지된 인덕터(L1)의 타단 사이에 위치하여, 제2 게이트 신호(G2)에 따라 스위칭 되어 등가적으로 캐패시터 또는 저항으로 동작할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치의 송신 모드시의 등가 회로도이다.
이하, 도2 및 도3을 참고하여 고주파 스위치의 송신 모드시의 동작에 대하여 설명하도록 한다.
도 3의 예에서, 제1 스위치부(100)는 제2 션트부(400)와 동일하게 스위칭 동작을 수행하고, 제2 스위치부(200)는 제1 션트부(300) 및 제3 션트부(500)와 동일하게 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
즉, 제1 스위치부(100) 및 제2 션트부(400)는 제1 게이트 신호(G1)에 따라 스위칭 동작할 수 있고, 제2 스위치부(200), 제1 션트부(300) 및 제3 션트부(500)는 제2 게이트 신호(G2)에 따라 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
이때, 제1 스위치부(100), 제2 션트부(400)에 인가되는 제1 게이트 신호가 하이(high) 신호이고, 제2 스위치부(200), 제1 션트부(300) 및 제3 션트부(500)에 인가되는 제2 게이트 신호는 로우(low)신호일 수 있다.
이러한 경우, 상기 제1 스위치부(100)는 온 상태가 되어 송신 포트(11)와 안테나 포트(10) 사이를 도통하게 되고, 제2 스위치부(200)는 오프 상태가 되어 수신 포트(12)와 안테나 포트(10) 사이를 차단하게 된다.
또한, 제1 션트부(300)는 오프 상태가 되어 송신 포트(11)와 접지 사이를 차단하고, 제2 션트부(400)는 온 상태가 되어 수신 포트(12)와 접지 사이를 도통하게 되며, 제3 션트부(500)는 오프 상태가 되어 등가적으로 커패시터로 동작하게 된다.
즉, 상기 제1 스위치부(100)가 송신패스를 형성하게 되고, 상기 제2 션트부(400)는 상기 수신 포트(12)의 잔류 신호를 접지로 전달할 수 있다.
여기서, 제3 션트부(500)는 등가적으로 캐패시터로 동작하여 상기 인덕터(L1)와 노치필터(Notch Filter)를 형성할 수 있다.
따라서, 제1 스위치부(100)가 온 상태로 동작하여, 송신 포트(11)와 안테나 포트(10) 사이에서 제1 고주파 신호가 원활히 전달될 수 있으며, 제2 스위치부(200) 및 제1 션트부(300)가 오프 상태로 동작하여, 불필요한 제1 고주파 신호의 흐름을 차단할 수 있다.
또한, 수신 포트(12)와 접지 사이의 제2 션트부(400)가 온 상태로 동작하여 제1 고주파 신호가 수신 포트(12)에 전달되는 것을 방지하고, 인덕터(L1)가 온 상태인 제3 션트부(500)와 노치필터를 형성함으로써 삽입 손실과 아이솔레이션 특성 및 수신단의 밴드 노이즈(Rx Band Noise) 특성을 개선할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치의 수신 모드시의 고주파 등가 회로도이다.
이하, 도2 및 도4를 참고하여 고주파 스위치의 송신 모드시의 동작에 대하여 설명하도록 한다.
도 4의 예에서, 제1 스위치부(100)는 제2 션트부(400)와 동일하게 스위칭 동작을 수행하고, 제2 스위치부(200)는 제1 션트부(300) 및 제3 션트부(500)와 동일하게 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
즉, 제1 스위치부(100) 및 제2 션트부(400)는 제1 게이트 신호(G1)에 따라 스위칭 동작할 수 있고, 제2 스위치부(200), 제1 션트부(300) 및 제3 션트부(500)는 제2 게이트 신호(G2)에 따라 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
이때, 제1 스위치부(100), 제2 션트부(400)에 인가되는 제1 게이트 신호가 하이(low) 신호이고, 제2 스위치부(200), 제1 션트부(300) 및 제3 션트부(500)에 인가되는 제2 게이트 신호는 로우(high) 신호일 수 있다.
이러한 경우, 상기 제1 스위치부(100)는 오프 상태가 되어 송신 포트(11)와 안테나 포트(10) 사이를 차단하게 되고, 제2 스위치부(200)는 온 상태가 되어 수신 포트(12)와 안테나 포트(10) 사이를 도통하게 된다.
또한, 제1 션트부(300)는 온 상태가 되어 송신 포트(11)와 접지 사이를 도통하고, 제2 션트부(400)는 온 상태가 되어 수신 포트(12)와 접지 사이를 차단하게 되며, 제3 션트부(500)는 온 상태가 되어 등가적으로 저항으로 동작하게 된다.
즉, 상기 제2 스위치부(200)가 수신패스를 형성하게 되고, 상기 제1 션트부(300)는 상기 송신 포트(11)의 잔류 신호를 접지로 전달할 수 있다.
여기서, 제2 션트부(400)은 등가적으로 캐패시터로 동작하여 상기 인덕터와 밴드패스필터(Band Pass Filter)를 형성할 수 있다.
따라서, 제2 스위치부(200)가 온 상태로 동작하여, 수신 포트(12)와 안테나 포트(10) 사이에서 제2 고주파 신호가 원활히 전달될 수 있으며, 제1 스위치부(100) 및 제2 션트부(400)가 오프 상태로 동작하여, 불필요한 제2 고주파 신호의 흐름을 차단할 수 있다.
또한, 송신 포트(11)와 접지 사이의 제1 션트부(300)가 온 상태로 동작하여 제1 고주파 신호가 수신 포트(12)에 전달되는 것을 방지하고, 인덕터(L1)가 오프 상태인 제2 션트부(400)와 밴드패스필터를 형성함으로써 삽입 손실, 아이솔레이션 특성을 개선하고 수신단의 반사특성인 VSWR(voltage standing wave ratio)을 향상 시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치를 나타내는 회로도이다.
도 5를 참고하면, 본 발명의 고주파 스위치는 송신 포트(11)와 연결되는 증폭부(600)를 포함할 수 있다.
상기 증폭부(600)는 증폭된 송신 신호를 제1 고주파 신호로서 송신 포트(11)를 통하여 제1 스위치부(100)로 입력할 수 있다.
온 상태인 제1 스위치부(100)는 송신패스를 형성하여 제1 고주파 신호를 안테나 포트(10)로 전달하고, 상기 제1 고주파 신호는 안테나 포트(10)와 연결된 안테나를 통하여 송신될 수 있다.
또한, 고주파 신호를 송신 또는 수신하는 안테나 포트(10)는 입출력되는 고주파 신호와 인접한 대역 신호의 간섭을 제거하는 밴드패스필터(700)와 연결될 수 있다.
도 6 및 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치의 시뮬레이션 데이터를 나타내는 그래프이다.
도 6은 밴드 노이즈 특성을 나타낸 그래프로서, 도 3을 참고하면, 제1 스위치부(100)가 송신패스를 형성하고, 제2 션트부(400)가 수신 포트(12)의 신호를 접지로 전달하며, 제3 션트부(300)는 등가적으로 캐패시터로 동작하여 인덕터(L1)와 노치필터를 형성하는 송신 모드의 경우에 관한 것이다.
2.5GHz의 주파수(Freq_Mid)를 살펴보면, -175.5dB로서 수신단의 밴드 노이즈 특성이 개선된 것을 확인할 수 있다.
또한, 약 2.3GHz(Freq_Low)에서 약 2.7GHz(Freq_High)에 이르는 주파수대에서 밴드 노이즈 특성이 개선된 것을 확인할 수 있다.
도 7의 (a)는 통과 특성을 나타낸 그래프로서, 도 4를 참고하면, 제2 스위치부(200)가 수신패스를 형성하고, 제1 션트부(100)가 송신 포트(11)의 신호를 접지로 전달하며, 제2 션트부(400)는 등가적으로 캐패시터로 동작하여 상기 인덕터와 밴드패스필터(Band Pass Filter)를 형성하는 수신 모드의 경우에 관한 것이다.
2.5GHz의 주파수를 살펴보면, -0.393dB로서 수신단의 통과 특성이 개선된 것을 확인할 수 있다.
도 7의 (b)는 반사 특성을 나타낸 그래프로서, 도3을 참고하면, 상기 송신 모드의 경우에 관한 것이다.
2.5GHz의 주파수를 살펴보면, -36.884dB로서 노치필터에 의해 반사 특성이 개선된 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 안테나 포트
11: 송신 포트
12: 수신 포트
100: 제1 스위치부
200: 제2 스위치부
300: 제1 션트부
400: 제2 션트부
500: 제3 션트부

Claims (17)

  1. 안테나 포트와 송신 포트 사이에 직렬 연결된 복수의 제1 스위치 소자를 포함하고 제1 게이트 신호에 의해 동작되는 제1 스위치부;
    상기 안테나 포트와 수신 포트 사이에 직렬 연결된 복수의 제2 스위치 소자를 포함하고 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제2 스위치부;
    상기 송신 포트와 접지 사이에 연결되어 상기 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제1 션트부;
    상기 수신 포트와 접지 사이에 연결되어 상기 제1 게이트 신호에 의해 동작되는 제2 션트부; 및
    상기 수신 포트와 일단이 접지된 인덕터의 타단 사이에 연결되어 상기 제2 게이트 신호에 의해 동작되는 제3 션트부;
    를 포함하는 고주파 스위치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 게이트 신호가 하이 신호인 경우 상기 제2 게이트 신호는 로우 신호이고, 상기 제1 게이트 신호가 로우 신호인 경우 상기 제2 게이트 신호는 하이 신호인 고주파 스위치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스위치부가 송신패스를 형성하는 경우, 상기 제2 션트부는 상기 수신 포트의 신호를 접지로 전달하는 고주파 스위치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 스위치부가 수신패스를 형성하는 경우, 상기 제1 션트부는 상기 송신 포트의 신호를 접지로 전달하는 고주파 스위치.
  5. 제1항에 있어서
    상기 제3 션트부 및 제4 션트부 각각은 복수의 제3 스위치 소자 및 복수의 제4 스위치 소자를 포함하는 고주파 스위치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3 션트부는 복수의 제5 스위치 소자를 포함하는 고주파 스위치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스위치부가 송신패스를 형성하는 경우, 상기 제3 션트부는 등가적으로 캐패시터로 동작하여 상기 인덕터와 노치필터(Notch Filter)를 형성하는 고주파 스위치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 스위치부가 수신패스를 형성하는 경우, 상기 복수의 제2 션트부는 등가적으로 캐패시터로 동작하여 상기 인덕터와 밴드패스필터(Band Pass Filter)를 형성하는 고주파 스위치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 제1 스위치 소자 내지 제5 스위치 소자 각각은 N채널 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 P채널 전계 효과 트랜지스터(FET)인 고주파 스위치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 송신 포트와 연결되어 증폭된 송신 신호를 출력하는 증폭부를 포함하는 고주파 스위치.
  11. 제1 고주파 신호를 입력받는 송신 포트;
    제2 고주파 신호를 출력하는 수신 포트;
    상기 제1 고주파 신호를 송신하거나, 상기 제2 고주파 신호를 수신하는 안테나 포트;
    서로 직렬로 연결되는 복수의 제1 스위치 소자를 포함하고, 상기 송신 포트 및 상기 안테나 포트 사이의 상기 제1 고주파 신호의 경로를 형성 또는 차단하는 제1 스위치부;
    서로 직렬로 연결되는 복수의 제2 스위치 소자를 포함하고, 상기 수신 포트 및 상기 안테나 포트 사이의 상기 제2 고주파 신호의 경로를 형성 또는 차단하는 제2 스위치부;
    서로 직렬로 연결되는 복수의 제3 스위치 소자를 포함하고, 상기 송신 포트 및 접지 사이에 연결된 제1 션트부;
    서로 직렬로 연결되는 복수의 제4 스위치 소자를 포함하고, 상기 수신 포트 및 상기 접지 사이에 연결된 제2 션트부; 및
    상기 수신 포트와 일단이 접지된 인덕터의 타단 사이에 위치하고, 서로 직렬로 연결되는 복수의 제5 스위치 소자를 포함하는 제3 션트부
    를 포함하는 고주파 스위치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 스위치부가 상기 제1 고주파 신호의 경로를 형성하는 경우, 상기 제2 션트부는 상기 수신 포트에서 접지로의 제1 바이패스 경로를 형성하는 고주파 스위치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제2 스위치부가 상기 제2 고주파 신호의 경로를 형성하는 경우, 상기 제1 션트부는 상기 송신 포트에서 접지로의 제2 바이패스 경로를 형성하는 고주파 스위치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 스위치부가 상기 제1 고주파 신호의 경로를 형성하는 경우, 상기 복수의 제5 스위치 소자는 등가적으로 캐패시터로 동작하여 상기 인덕터와 노치필터(Notch Filter)를 형성하는 고주파 스위치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제2 스위치 회로부가 제2 고주파 신호의 경로를 형성하는 경우, 상기 복수의 제4 스위치 소자는 등가적으로 캐패시터로 동작하여 상기 인덕터와 밴드패스필터(Band Pass Filter)를 형성하는 고주파 스위치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 안테나 포트와 연결되고, 상기 제1 고주파 신호 또는 상기 제2 고주파 신호와 인접한 대역 신호의 간섭을 제거하는 밴드패스필터를 포함하는 고주파 스위치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 안테나 포트는 안테나와 연결된 고주파 스위치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016174236A (ja) * 2015-03-16 2016-09-29 株式会社東芝 半導体装置
KR102489781B1 (ko) * 2016-11-18 2023-01-17 삼성전기주식회사 노이즈 억제 특성을 개선한 고주파 스위치 장치
KR20200074419A (ko) * 2018-12-17 2020-06-25 전자부품연구원 밀리미터웨이브 고출력 스위치
CN111130519B (zh) * 2020-01-03 2023-01-31 广州慧智微电子股份有限公司 开关电路、控制方法、装置、射频开关及可读存储介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003101304A (ja) 2001-09-25 2003-04-04 Murata Mfg Co Ltd 高周波スイッチ回路およびそれを用いた電子装置
JP2006157423A (ja) 2004-11-29 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路
JP2007129571A (ja) 2005-11-04 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路及び半導体装置
JP5041154B2 (ja) 2007-11-19 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波スイッチ回路
JP2014042345A (ja) 2009-02-24 2014-03-06 Nec Corp 高周波スイッチ回路
JP5492672B2 (ja) 2010-06-23 2014-05-14 新日本無線株式会社 高周波スイッチ回路の設計方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005006072A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置および半導体装置
US7546089B2 (en) * 2004-12-23 2009-06-09 Triquint Semiconductor, Inc. Switchable directional coupler for use with RF devices
KR20090043837A (ko) * 2007-10-30 2009-05-07 엘지전자 주식회사 Rf 스위칭 모듈의 격리도 향상장치
US20090181630A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Radio frequency switch circuit
KR101301209B1 (ko) 2009-12-16 2013-08-29 한국전자통신연구원 고주파 대역 스위칭용 씨모오스 스위치 및 스위칭 격리도 강화방법
US9948348B2 (en) 2010-05-26 2018-04-17 Skyworks Solutions, Inc. High isolation switch with notch filter
US9124265B2 (en) * 2011-07-13 2015-09-01 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for transistor switch isolation
KR101532125B1 (ko) * 2012-11-23 2015-06-26 삼성전기주식회사 고주파 스위치
KR101616597B1 (ko) * 2012-11-26 2016-04-28 삼성전기주식회사 고주파 스위치
KR101771745B1 (ko) * 2012-12-13 2017-08-25 삼성전기주식회사 에스피디티 스위치
KR20140086487A (ko) 2012-12-28 2014-07-08 삼성전기주식회사 고주파 스위치 회로
KR101642584B1 (ko) * 2014-08-14 2016-07-25 삼성전기주식회사 고주파 스위치 회로

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003101304A (ja) 2001-09-25 2003-04-04 Murata Mfg Co Ltd 高周波スイッチ回路およびそれを用いた電子装置
JP2006157423A (ja) 2004-11-29 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路
JP2007129571A (ja) 2005-11-04 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路及び半導体装置
JP5041154B2 (ja) 2007-11-19 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波スイッチ回路
JP2014042345A (ja) 2009-02-24 2014-03-06 Nec Corp 高周波スイッチ回路
JP5492672B2 (ja) 2010-06-23 2014-05-14 新日本無線株式会社 高周波スイッチ回路の設計方法

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