KR101567472B1 - 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치 - Google Patents

송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101567472B1
KR101567472B1 KR1020130124262A KR20130124262A KR101567472B1 KR 101567472 B1 KR101567472 B1 KR 101567472B1 KR 1020130124262 A KR1020130124262 A KR 1020130124262A KR 20130124262 A KR20130124262 A KR 20130124262A KR 101567472 B1 KR101567472 B1 KR 101567472B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
amplifier
transmission line
bias voltage
power
gate bias
Prior art date
Application number
KR1020130124262A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150045057A (ko
Inventor
이동호
홍성철
김동민
심상훈
전계익
Original Assignee
한밭대학교 산학협력단
한국과학기술원
알에프코어 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한밭대학교 산학협력단, 한국과학기술원, 알에프코어 주식회사 filed Critical 한밭대학교 산학협력단
Priority to KR1020130124262A priority Critical patent/KR101567472B1/ko
Publication of KR20150045057A publication Critical patent/KR20150045057A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101567472B1 publication Critical patent/KR101567472B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics

Abstract

본 발명은 스위치가 없는 양방향 증폭장치에 관한 것으로, 송신부에 해당하는 적어도 하나의 전력증폭기, 수신부에 해당하는 적어도 하나의 저잡음증폭기, 전력증폭기의 일측에 전원을 인가하기 위해 전원인가 선로에 구비되어 있는 전송선, 저잡음증폭기의 일측에 전원을 인가하기 위해 전원인가 선로에 구비되어 있는 전송선, 전력증폭기와 저잡음증폭기에 전원을 공동으로 인가하기 위해 전원인가 선로에 구비되어 있는 전송선을 포함하고, 중간 이득단을 추가로 구비하여 광대역으로 이득을 증가시킨다.

Description

송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치{TRANSCEIVER SWITCHLESS BI-DIRECTIONAL DISTRIBUTED AMPLIFYING APPARATUS}
본 발명은 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치에 관한 것이다.
고주파(RF) 시스템에서 프론트 엔드 모듈(Front end module)을 구성하는 부분을 보게 되면 전력증폭기(PA)와 저잡음증폭기(LNA) 그리고 송수신 스위치로 구성된다. 이러한 송수신 스위치는 칩 사이즈의 증가와 삽입손실(insertion loss)을 증가시키는 원인이 된다. 이러한 송수신 스위치(transceiver Switch)가 없게 되면 칩 사이즈나 가격 면에서 상당한 이점을 보일 것으로 생각된다. X-band, Ku-band 레이더(radar) 등 다양한 대역의 레이더시스템(radar system)에서나 LTE. WLAN등 통신 시스템 등 민간 또는 군에 모두 적용 시킬 수 있는 방안 이라 생각된다.
송수신 스위치 없는 양방향 증폭기에 대한 필요성과 연구와 개발은 1990년대부터 시작 되어 왔다. 처음 연구되기 시작한 방법은 갈륨비소(GaAs) HEMT 공용게이트(common-gate) 구조로 양방향 증폭기가 설계되기 시작했다. 하지만 이 구조로는 저잡음 특성과 고전력 특성을 동시에 내기 어려운 한계점에 부딪혔다. 그 이후 개념적으로 연구는 되어 왔지만 수신모드 일 때와 송신보드 일 때 동시에 성능을 어느 정도 내는 구현은 어려움을 겪어 왔다.
그리고 최근 많이 요구되는 MMIC는 다중대역을 커버 할 수 있는가에 초점이 맞추어 지고 있다. 여러 대역을 한번에 커버 할 수 있게 되면 칩의 개수를 줄 일 수 있는 상당한 이점이 있게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광대역을 지원하면서도 송수신 스위치 없는 양방향 증폭 장치를 개발하여 전체 회로의 면적을 줄이고 송신부에 해당하는 전력증폭기(PA: Power Amplifier)회로와 수신부에 해당하는 저잡음증폭기(LNA: Low Noise Amplifier)회로의 동작 특성을 개선하여 송수신을 자유롭게 하고 다양한 환경에서 통화를 가능케 하는 프론트 엔드 모듈(Front End Module) 방식을 구현하기 위한 것이다.
본 발명의 한 실시 예에 따른 양방향 증폭장치는 송수신(Transceiver)스위치 없이 두 개의 포트(port)로 양방향 증폭이 가능한 전력증폭기(PA)용 트랜지스터와 저잡음증폭기(LNA)용 트랜지스터(transistor)가 나누어져 있고 각 증폭기의 트랜지스터 게이트 바이어스(gate bias)를 조절하여 각각의 모드(mode)를 컨트롤 하여 송수신 스위치가 없어도 양방향 증폭을 할 수 있도록 한 것이다.
이러한 특징에 따르면, 송수신 스위치 없이 두 개의 포트로 양방향 증폭을 함으로써 양방향 증폭장치 회로의 면적을 줄일 수 있으며, 개별 전력증폭기(PA)와 저잡음증폭기(LNA)회로의 동작 특성을 개선하여 송수신을 자유롭게 하고 다양한 환경에서 통화를 가능케 하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치의 회로를 나타낸 개념도이다.
도 2는 도 1에서 송신모드(Tx mode)의 구성을 도시한 개념도이다.
도 3은 저잡음증폭기(LNA)의 게이트 바이어스 전압(VGLNA)을 조절하여 저잡음증폭기 경로(path)의 트랜지스터(transistor)를 모두 오프(off) 상태로 유지시키고 전력증폭기(PA)로의 동작을 수행하는 것을 나타낸 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭기의 전력증폭기의 블럭 다이어그램(Switchless Bi-directional PA Block diagram)을 나타낸 도면이다.
도 4는 전력증폭기 사이에 공통소스증폭기를 추가하여 광대역 매칭과 높은 이득(gain)을 얻는 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭기의 전력증폭기의 블럭 다이어그램(Switchless Bi-directional PA Block diagram)을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 1에서 수신모드(Rx mode)의 구성을 도시한 개념도이다.
도 6은 전력증폭기(PA)의 게이트 바이어스 전압(VGPA)을 조절하여 전력증폭기의 경로(path)의 트랜지스터(transistor)를 모두 오프(off) 상태로 유지시키고 저잡음증폭기(LNA)의 동작을 수행하는 것을 나타낸 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭기의 저잡음증폭기의 블럭 다이어그램(Switchless Bi-directional LNA Block diagram)을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 4에서 저잡음증폭기 사이에 공통소스증폭기를 추가하여 광대역 매칭과 높은 이득(gain)을 얻는 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭기의 저잡음증폭기의 블럭 다이어그램(Switchless Bi-directional LNA Block diagram)을 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 7를 참고로 하면 본 발명의 한 실시예에 따른 스위치가 없는 양방향 증폭장치의 구성은 송신부에 해당하는 전력증폭기(110, 120, 130, 140), 수신부에 해당하는 저잡음증폭기(210, 220, 230, 240), 전원인가 선로에 구비되어 있는 전송선(11~15, 21~25, 31~36), 직류를 차단 시키는 역할을 하는 커패시터(C11~C13, C21~C23, C31~C33)와 임피던스를 매칭시켜 반사파가 유입되는 것을 방지하기 위한 저항(R11, R12, R21, R22, R31, R32)으로 구성되어 있다.
이때 전력증폭기 경로(11~15)와 저잡음증폭기 경로(21~25)는 나누어져 있으나 경로(31~36)은 공유하여 사용하도록 구성이 되어 있다.
다음은, 도 2와 도 5를 참고로 하여 송수신 시의 동작에 대해 설명을 한다.
도 2 및 도 5는 송신과 수신을 할 경우에 대한 개념도로, 송신할 경우에는 도 2처럼 저잡음증폭기(210, 220, 230, 240)를 모두 오프(off) 상태로 유지시키고 전력증폭기(110, 120, 130, 140)은 온(on) 상태를 만들어 주어, 고주파송신신호 입력포트(RF_PA_in)로 입력된 RF신호가 전력증폭기(110, 120, 130, 140)를 거쳐 증폭되어 고주파송신신호 출력포트(RF_PA_out)을 통하여 안테나(500)를 통하여 송신을 하게 된다.
수신을 할 경우에는 도 5처럼 전력증폭기(110, 120, 130, 140)를 모두 오프(off) 상태로 유지시키고 저잡음증폭기(210, 220, 230, 240)은 온(on) 상태를 만들어 주어, 안테나(500)를 통해 수신된 RF신호가 고주파수신신호입력포트(RF_LNA_in)로 입력되어 저잡음증폭기(210, 220, 230, 240)를 거쳐 증폭되어 고주파수신신호출력포트(RF_LNA_out)을 통하여 수신을 하게 된다.
이와 같이 두 개의 포트(RF_PA_in/out, RF_LNA_in/out)로 양방향 증폭이 가능하도록 전력증폭기(PA)와 저잡음증폭기(LNA)를 구성하고 각 증폭기를 온/오프 하여 송수신 스위치가 없어도 송신과 수신이 구별하여 동작시킬 수 있다.
도 3과 도 6은 송신과 수신동작에 대한 좀더 상세한 블럭 다이어그램이다.
송신 할 경우에는 도 3처럼 트랜지스터(210, 220)의 게이트 바이어스전압(VGLNA)과 전송선(24)와 전송선(25)사이의 게이트 바이어스전압(VGLNA)을 조절하여 트랜지스터(210~240)를 모두 오프 상태로 유지시킨다.
트랜지스터(130, 140)의 게이트 바이어스전압(VGPA)과 전송선(13)와 전송선(14)사이에 있는 게이트 바이어스전압(VGPA)을 조절하여 전력증폭기 경로의 트랜지스터(110~140)만 동작을 시켜 송신을 한다.
이 때 전력증폭기용 트랜지스터(110, 120)의 게이트(gate)쪽과 트랜지스터 (130, 140)의 드레인(drain) 쪽에 있는 전송선(11~17)는 전력증폭기용 트랜지스터(110, 120)의 게이트와 트랜지스터(130, 140)의 드레인과 함께 분산증폭기(distributed amplifier)를 구성하고, 전송선(31~36)는 전력증폭기용 트랜지스터(110, 120, 130, 140)뿐만 아니라 오프된 저잡음증폭기용 트랜지스터(210, 220)의 게이트 커패시턴스와 트랜지스터(230, 240)의 드레인 커패시턴스를 포함하여 분산증폭기(distributed amplifier)를 구성하게 된다. 오프된 상태의 저잡음증폭기의 기생 성분이 이미 설계에 포함되어 있기 때문에 전력증폭기는 문제없이 동작하게 된다.
고주파송신신호 입력포트(RF_PA_in)로 입력된 RF신호는 전력증폭기(140, 130)를 통과하고 전력증폭기(120, 110)를 거쳐 증폭되어 고주파송신신호 출력포트(RF_PA_out)을 거쳐 안테나(500)를 통하여 송신을 하게 된다.
수신 할 경우에는 도 6처럼 트랜지스터(130, 140)의 게이트 바이어스전압(VGPA)과 전송선(13)와 전송선(14)사이의 게이트 바이어스전압(VGPA)을 조절하여 전력증폭기용 트랜지스터(110~140)를 모두 오프 상태로 유지시킨다.
트랜지스터(210, 220)의 게이트 바이어스전압(VGLNA)과 전송선(24)와 전송선(25)사이에 있는 게이트 바이어스전압(VGLNA)을 조절하여 저잡음증폭기 경로의 트랜지스터(110~240)만 동작을 시켜 수신을 한다.
이 때 저잡음증폭기용 트랜지스터(230, 240)의 게이트(gate)쪽과 트랜지스터(210, 220)의 드레인(drain) 쪽에 있는 전송선(21~27)는 저잡음증폭기용 트랜지스터(110, 120)의 게이트와 트랜지스터(130, 140)의 드레인과 함께 분산증폭기(distributed amplifier)를 구성하고, 전송선(31~36)는 저잡음증폭기용 트랜지스터(210, 220, 230, 240)뿐만 아니라 오프된 전력증폭기용 트랜지스터(130, 140)의 게이트 커패시턴스와 트랜지스터(110, 120)의 드레인 커패시턴스를 포함하여 분산증폭기(distributed amplifier)를 구성하게 된다. 오프된 상태의 전력증폭기의 기생 성분이 이미 설계에 포함되어 있기 때문에 저잡음증폭기는 문제없이 동작하게 된다.
안테나(500)을 통하여 고주파수신신호 입력포트(RF_LNA_in)로 입력된 RF신호는 저잡음증폭기(210, 220)를 통과하고 저잡음증폭기(230, 240)를 거쳐 증폭되어 고주파수신신호 출력포트(RF_LNA_out)로 출력이 된다.
도 3 및 도 6에서는 투(2)스테이지(2 stage) 분산구조를 연결하였지만 스테이지를 늘릴 필요가 있을 경우 분산증폭기(distributed amplifier)를 연결하여 쓰리(3)스테이지, 포(4) 스테이지로 스테이지를 늘릴 수도 있으며, 분산증폭기를 구성하는 개별 트랜지스터는 캐스코드(cascode) 구조가 될 수 있다.
도 4 및 도 7는 본 발명의 또 다른 실시예로 송신 및 수신 동작을 나타내는 블럭 다이어그램이다.
광대역 출력 매칭과 과 높은 이득(gain)을 얻을 수 있도록 전압증폭기와 저잡음증폭기 각각 사이에 공통소스증폭기(600, 700)를 추가로 구성하였다. 공통소스증폭기(600, 700)는 손실매칭(lossy matching)을 할 수 있도록 트랜지스터(620, 720)의 드레인(drain) 쪽으로는 손실매칭 네트워크(610, 710)와 전원전압(VDD) 연결되어 있고, 게이트 쪽으로는 각 증폭기 게이트 바이어스전압(VGPA, VGLNA)과 손실매칭네트워크와 바어어스(630, 730)가 연결되어 있으며 공통소스증폭기(600, 700)의 양측으로는 직류차단 커패시터(C42, C43, C52, C53)가 연결되어 있다. 이렇게 구성을 하면 중간에서 광대역 특성을 유지하면서 수 데시벨(dB)의 이득 증가를 가져올 수 있다. 비손실매칭네트워크의 경우는 이득을 높일 수 있으나 광대역특성을 얻기 어렵기 때문에 여기에서는 의도적으로 손실매칭네트워크를 사용함으로써 적당한 이득에 광대역특성을 얻고자 하였다. 또한, 중간단에 분산증폭기(distributed amplifier)를 넣는 것도 가능하나 이 경우에는 전류 소모가 커지게 된다. 따라서 중간단에 공통소스증폭기를 손실매칭네트워크와 함께 사용하면 전류의 증가는 분산증폭기를 삽입할 때보다 크지 않으면서 이득을 올릴 수 있는 장점이 있다.
본 실시예의 동작에 대해 좀더 상세하게 설명을 하면, 송신을 할 경우에는 도 4처럼 트랜지스터(410, 420)의 게이트 바이어스전압(VGLNA)과 직류차단용 커패시터(C53)와 전송선(54)사이의 게이트 바이어스전압(VGLNA) 및 공통소스증폭기(700)의 게이트 바이어스전압(VGLNA)을 조절하여 저잡음증폭기용 트랜지스터(410~440, 720)를 모두 오프 상태로 유지시킨다.
트랜지스터(330, 340)의 게이트 바이어스전압(VGPA), 전송선(43)와 커패시터(C42)사이에 있는 게이트 바이어스전압(VGPA)과 공통소스증폭기(600)의 게이트 바이어스전압(VGPA)을 조절하여 전력증폭기 경로의 트랜지스터(310~340, 620)만 동작을 시켜 송신을 한다.
이 때 전력증폭기용 트랜지스터(310, 320)의 게이트(gate)쪽과 트랜지스터 (330, 340)의 드레인(drain) 쪽에 있는 전송선(41~46)는 전력증폭기용 트랜지스터(310, 320)의 게이트와 트랜지스터(330, 340)의 드레인과 함께 분산증폭기(distributed amplifier)를 구성하고, 전송선(31~36)는 전력증폭기용 트랜지스터(310, 320, 330, 340)뿐만 아니라 오프된 저잡음증폭기용 트랜지스터(410, 420)의 게이트 커패시턴스와 트랜지스터(430, 440)의 드레인 커패시턴스를 포함하여 분산증폭기(distributed amplifier)를 구성하게 된다. 오프된 상태의 저잡음증폭기의 기생 성분이 이미 설계에 포함되어 있기 때문에 전력증폭기는 문제없이 동작하게 된다.
고주파송신신호 입력포트(RF_PA_in)로 입력된 RF신호는 전력증폭기(340, 330)를 통과하고 공통소스증폭기(600)를 통과하여 전력증폭기(320, 310)를 거쳐 증폭되어 고주파송신신호 출력포트(RF_PA_out)을 거쳐 안테나(500)를 통하여 송신을 하게 된다.
수신을 할 경우에는 도 7처럼 트랜지스터(330, 340)의 게이트 바이어스전압(VGPA)과 직류차단용 커패시터(C42)와 전송선(43)사이의 게이트 바이어스전압(VGPA) 및 공통소스증폭기(600)의 게이트 바이어스전압(VGPA)을 조절하여 전력증폭기용 트랜지스터(310~340, 620)를 모두 오프 상태로 유지시킨다.
트랜지스터(410, 420)의 게이트 바이어스전압(VGLNA), 전송선(54)와 커패시터(C53)사이에 있는 게이트 바이어스전압(VGLNA)과 공통소스증폭기(700)의 게이트 바이어스전압(VGLNA)을 조절하여 저잡음증폭기 경로의 트랜지스터(410~440, 720)만 동작을 시켜 수신을 한다.
이 때 저잡음증폭기용 트랜지스터(430, 440)의 게이트(gate)쪽과 트랜지스터(410, 420)의 드레인(drain) 쪽에 있는 전송선(51~56)는 저잡음증폭기용 트랜지스터(410, 420)의 게이트와 트랜지스터(430, 440)의 드레인과 함께 분산증폭기(distributed amplifier)를 구성하고, 전송선(31~36)는 저잡음증폭기용 트랜지스터(410, 420, 430, 440)뿐만 아니라 오프된 전력증폭기용 트랜지스터(330, 340)의 게이트 커패시턴스와 트랜지스터(310, 320)의 드레인 커패시턴스를 포함하여 분산증폭기(distributed amplifier)를 구성하게 된다. 오프된 상태의 전력증폭기의 기생 성분이 이미 설계에 포함되어 있기 때문에 저잡음증폭기는 문제없이 동작하게 된다.
안테나(500)을 통하여 고주파수신신호 입력포트(RF_LNA_in)로 입력된 RF신호는 저잡음증폭기(410, 420)를 통과하고 공통소스증폭기(700)를 통과하여 저잡음증폭기(430, 440)를 거쳐 증폭되어 고주파수신신호 출력포트(RF_LNA_out)로 출력 된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110~140: 전력증폭기 210~240: 저잡음증폭기
11~25, 21~25, 31~36: 전송선
C11~C13, C21~C23, C31~C33: 커패시터
R11, R12, R21, R22, R31, R32: 저항

Claims (10)

  1. 고주파송신신호 입력포트(RF_PA_in)와 고주파수신신호 출력포트(RF_LNA_out)가 연결되어 있는 제1 경로(34-36),
    상기 제1 경로(34-36)에 입력단이 연결되어 있고 제1 게이트 바이어스 전압(VGPA)이 인가되는 적어도 하나의 제1 전력증폭기(130, 140),
    전원 인가 선로에 위치하며 상기 적어도 하나의 제1 전력증폭기(130, 140)의 출력단과 연결되어 있고, 상기 제1 게이트 바이어스 전압(VGPA)이 인가되는 제1 전송선(11-17),
    상기 제1 전송선(11-17)에 입력단이 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 전력증폭기(110, 120),
    고주파송신신호 출력포트(RF_PA_out)와 고주파수신신호 입력포트(RF_LNA_in)가 연결되어 있고 상기 제2 전력증폭기(110, 120)의 출력단이 연결되어 있는 제2 경로(31-33),
    상기 제2 경로(31-33)에 입력단이 연결되어 있고 제2 게이트 바이어스 전압(VGLNA)이 인가되는 적어도 하나의 제1 저잡음증폭기(210, 220),
    전원 인가 선로에 위치하며 상기 적어도 하나의 제1 저잡음증폭기(210, 220)의 출력단과 연결되어 있고, 상기 제2 게이트 바이어스 전압(VGLNA)이 인가되는 제2 전송선(21-27), 그리고
    상기 제2 전송선(21-27)에 입력단이 연결되어 있고 상기 제1 경로(34-36)에 출력단이 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 저잡음증폭기(230, 240)
    를 포함하고,
    상기 제1 게이트 바이어스 전압(VGPA)을 조절하여 상기 제1 전송선(11-17)과 상기 적어도 하나의 제1 및 제2 전력증폭기(110-140) 모두를 온시키거나 오프시키고, 상기 제2 게이트 바이어스 전압(VGLNA)을 조절하여 상기 제2 전송선(21-27)과 상기 적어도 하나의 제1 및 제2 저잡음증폭기(210-240) 모두를 오프시키거나 온시켜, 상기 고주파송신신호 입력포트(RF_PA_in)로 인가되는 신호는 모두 온된 상기 적어도 하나의 제1 및 제2 전력증폭기(110-140)와 상기 제1 전송선(11-17)을 통과해 상기 고주파송신신호 출력포트(RF_PA_out)로 출력되거나 상기 고주파수신신호 입력포트(RF_LNA_in)로 인가되는 신호는 모두 온된 상기 적어도 하나의 제1 및 제2 저잡음증폭기(210-240)와 제2 전송선(21-27)을 통과해 상기 고주파수신신호 출력포트(RF_LNA_out)로 출력되며,
    상기 적어도 하나의 제1 및 제2 전력증폭기(110-140)와 상기 적어도 하나의 제1 및 제2 저잡음증폭기(210-240)는 바이폴라 트랜지스터 또는 FET로 구성되어 있는
    송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치.
  2. 제1항에서,
    상기 적어도 하나의 제1 전력증폭기(130, 140)가 복수 개일 경우, 복수 개의 제1 전력증폭기(130, 140)는 상기 제1 전송선(11-17)과 상기 제1 경로(34-36) 사이에 병렬로 연결되어 있고, 상기 적어도 하나의 제2 전력증폭기(110, 120)가 복수 개일 경우, 복수 개의 제2 전력증폭기(110, 120)는 상기 제1 전송선(11-17)과 상기 제2 경로(31-33) 사이에 병렬로 연결되어 있는 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치.
  3. 제1항에서,
    상기 적어도 하나의 제1 전력증폭기(130, 140)와 상기 적어도 하나의 제2 전력증폭기(110, 120)는 각각 분산형 증폭기의 구조로 구성되고,
    상기 적어도 하나의 제1 저잡음증폭기(210, 220)와 상기 적어도 하나의 제2 저잡음증폭기(230, 240)는 각각 분산형 증폭기의 구조로 되어있는 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치.
  4. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 적어도 하나의 제1 저잡음증폭기(210, 220)가 복수 개일 경우, 복수 개의 제1 저잡음증폭기(210, 220)는 상기 제2 경로(31-33)와 상기 제2 전송선(21-27) 사이에 병렬로 연결되어 있고, 상기 적어도 하나의 제2 저잡음증폭기(230, 240)가 복수 개일 경우, 복수 개의 제2 저잡음증폭기(230, 240)는 상기 제1 경로(34-36)와 상기 제2 전송선(21-27) 사이에 병렬로 연결되어 있는 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치.
  5. 제1항에서,
    상기 적어도 하나의 제1 및 제2 전력증폭기(110-140)와 상기 적어도 하나의 제1 및 제2 저잡음증폭기(210-240)는 캐스코드 증폭기인 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에서,
    상기 제1 전송선(11-17) 중간에 위치하고 상기 제1 게이트 바이어스전압(VGPA)이 인가되는 제1 공통소스증폭기(600) 및 상기 제2 전송선(21-27) 중간에 위치하고 상기 제2 게이트 바이어스전압(VGLNA)이 인가되는 제2 공통소스증폭기(700)를 더 포함하고,
    상기 제1 게이트 바이어스전압(VGPA)에 의해 상기 제1 공통소스 증폭기(600)는 온되거나 오프되고, 상기 제2 게이트 바이어스전압(VGLNA)에 의해 상기 제2 공통소스 증폭기(700)는 온되거나 오프되는 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 공통소스증폭기(600)는 전원전압과 상기 제1 전송선(11-17)에 드레인 단자가 연결되고 접지에 소스 단자가 연결되며 상기 제1 전송선(11-17)과 연결된 게이트 단자로 상기 제1 게이트 바이어스전압(VGPA)이 인가되는 트랜지스터(620)를 포함하고,
    상기 제2 공통소스증폭기(700)는 전원전압과 상기 제2 전송선(21-27)에 드레인 단자가 연결되고 접지에 소스 단자가 연결되며 상기 제2 전송선(21-27)과 연결된 게이트 단자로 상기 제2 게이트 바이어스전압(VGLNA)이 인가되는 트랜지스터(720)를 포함하는 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치.
  10. 삭제
KR1020130124262A 2013-10-17 2013-10-17 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치 KR101567472B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130124262A KR101567472B1 (ko) 2013-10-17 2013-10-17 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130124262A KR101567472B1 (ko) 2013-10-17 2013-10-17 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150045057A KR20150045057A (ko) 2015-04-28
KR101567472B1 true KR101567472B1 (ko) 2015-11-10

Family

ID=53037117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130124262A KR101567472B1 (ko) 2013-10-17 2013-10-17 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101567472B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109510608B (zh) * 2018-11-16 2020-10-23 西安电子科技大学 用于25GHz以下频段通信系统的功率合成分配器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100060360A1 (en) 2006-08-28 2010-03-11 Hakan Berg Switch-less bidirectional amplifier

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100060360A1 (en) 2006-08-28 2010-03-11 Hakan Berg Switch-less bidirectional amplifier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
김동민, "GaN 공정을 이용한 X-Ku Band 저잡음 증폭기 및 X-Band 양방향 증폭기". 석사학위논문. KAIST (도서관 입고날짜:2013년 1월 25일) (2013.01.25.)*

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150045057A (ko) 2015-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3457577B1 (en) Method to build asymmetrical transmit/receive switch with 90 degrees impedance transformation section
KR102287445B1 (ko) 저잡음 증폭기를 바이패스하는 시스템 및 방법
US10153803B2 (en) Receiving circuit, wireless communication module, and wireless communication device
US9787352B2 (en) Radio frequency front end system with an integrated transmit/receive switch
KR101019716B1 (ko) 통합 대역 저잡음 증폭기
US20090140815A1 (en) Low noise amplifier for ultra wide band
US10778211B2 (en) Switching circuit and semiconductor module
US10396714B2 (en) Reconfigurable low-noise amplifier (LNA)
US9716475B1 (en) Programmable low noise amplifier
US20090146724A1 (en) Switching circuit for millimeter waveband control circuit
US11283413B2 (en) Amplification circuit
GB2504488A (en) Transceiver with a series switch positioned between a common impedance matching network and an LNA to provide transmit/receive switching
US20140179241A1 (en) Concurrent matching network using transmission lines for low loss
KR102163047B1 (ko) 저잡음 증폭 회로
KR102041655B1 (ko) 고주파 스위치
EP3868019B1 (en) Sequenced transmit muting for wideband power amplifiers
US10469124B2 (en) Communications device with receiver chain of reduced size
KR101567472B1 (ko) 송수신 스위치가 없는 양방향 증폭장치
US20230030709A1 (en) Broadband low noise amplifier using multiple cascode stages
KR20150087669A (ko) 컨커런트 다중밴드 고주파 증폭회로
KR100998666B1 (ko) 시분할 듀플렉스 방식의 송수신 장치 및 그의 송수신 스위칭 방법
CN112491437A (zh) 一种多天线模式的射频前端电路和集成电路模块
Jameson et al. An Ultra Low Cost Highly Reliable 18–22 GHz T/R Front-End With Adaptive Sensitivity, Rx Absorptive Calibration, and Fast Switching Time for Phased-Array Radars Applications
KR20160031921A (ko) 스택된 공통 게이트 구조의 인버티드 토폴로지를 갖는 신호 증폭기
US20080106331A1 (en) Switching Low Noise Amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191028

Year of fee payment: 5