CN110739926A - 并联混合声学无源滤波器 - Google Patents

并联混合声学无源滤波器 Download PDF

Info

Publication number
CN110739926A
CN110739926A CN201910649842.2A CN201910649842A CN110739926A CN 110739926 A CN110739926 A CN 110739926A CN 201910649842 A CN201910649842 A CN 201910649842A CN 110739926 A CN110739926 A CN 110739926A
Authority
CN
China
Prior art keywords
filter
acoustic
sub
multiplexer
band
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910649842.2A
Other languages
English (en)
Inventor
H·H·谭
B·潘
W·孙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tiangong Program Co
Skyworks Solutions Inc
Original Assignee
Tiangong Program Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tiangong Program Co filed Critical Tiangong Program Co
Publication of CN110739926A publication Critical patent/CN110739926A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/04—Frequency selective two-port networks
    • H03H11/12—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
    • H03H11/1217—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback using a plurality of operational amplifiers
    • H03H11/1243—Simulation of ladder networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0138—Electrical filters or coupling circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1766—Parallel LC in series path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/643—Means for obtaining a particular transfer characteristic the transfer characteristic being determined by reflective or coupling array characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H04B1/1027—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal
    • H04B1/1036—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal with automatic suppression of narrow band noise or interference, e.g. by using tuneable notch filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H2007/013—Notch or bandstop filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L5/00—Arrangements affording multiple use of the transmission path
    • H04L5/14—Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex
    • H04L5/1461—Suppression of signals in the return path, i.e. bidirectional control circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本申请的多个方面涉及并联混合声学无源滤波器。该并联混合声学无源滤波器包括第一子滤波器和第二子滤波器。第一子滤波器包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件。第二子滤波器包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件。第一子滤波器和第二子滤波器被一起布置为对射频信号进行滤波。例如，并联混合声学滤波器可以是带通滤波器或带阻滤波器。公开了相关的多路复用器、无线通信设备和方法。

Description

并联混合声学无源滤波器
相关申请的交叉引用
与本申请一起提交的申请数据表中标识了外国或国内优先权主张的任何和所有申请，基于37CFR§1.57，特此通过引用并入本文。本申请基于35 U.S.C.§119(e)要求享有于2018年7月18日提交的标题为“HYBRID ACOUSTIC LC FILTER CASCADED WITH LC FILTER”的第62/700,142号美国临时专利申请、于2018年7月18日提交的标题为“PARALLEL HYBRIDACOUSTIC PASSIVE FILTER”的第62/700,148号美国临时专利申请以及于2018年7月18日提交的标题为“HYBRID ACOUSTIC LC FILTER WITH HARMONIC DETPRESSION”的第62/700,146号美国临时专利申请的优先权。特此通过引用将这些优先权申请中的每一个的公开内容全部并入本文。
技术领域
本申请的实施例涉及一种混合声学LC(电感电容)滤波器。
背景技术
声波滤波器可包括被布置为对射频信号进行滤波的多个声学谐振器。多个声学谐振器可以被布置为梯形滤波器(ladder filter)以对射频信号进行滤波。示例声波滤波器包括表面声波(surface acoustic wave，SAW)滤波器和体声波(bulk acoustic wave，BAW)滤波器。声波滤波器可实现在射频电子系统中。例如，移动电话的射频前端中的滤波器可包括声波滤波器。
LC滤波器至少包括电感器和电容器。LC滤波器是包括无源部件的非声学滤波器。LC滤波器可对射频信号进行滤波。
对相对高频的射频信号进行滤波并满足严格的滤波规范可能是困难的。因此，期望改进的滤波器以对相对高频的信号进行滤波并满足性能规范。
发明内容
在权利要求书中描述的新发明的每一个均具有若干方面，但没有单个方面单独地对其期望的属性负责。在不限制权利要求的范围的情况下，现在将简要描述本申请的一些突出特征。
本申请的一方面是一种用于射频滤波的级联滤波器。级联滤波器包括混合声学LC滤波器和与混合声学LC滤波器级联的非声学LC滤波器。混合声学LC滤波器被配置为对射频信号进行滤波。混合声学LC滤波器包括在声学谐振器晶片(die)上的第一声学谐振器、第二声学谐振器、在声学谐振器晶片外部的电容器以及在声学谐振器晶片外部的电感器。非声学LC滤波器包括LC电路。
混合声学LC滤波器还可包括与第二声学谐振器并联的第二电感器，其中第二声学谐振器被布置为与该电感器串联的分流(shunt)谐振器。
第一声学谐振器和第二声学谐振器可以是分流谐振器。电容器和电感器可以被布置为耦接在第一声学谐振器与第二声学谐振器之间的LC槽(tank)。
第一声学谐振器可耦接到在LC电路与电感器和电容器这两者之间的信号路径中的节点。
第一声学谐振器和第二声学谐振器可以是体声波谐振器。例如，第一声学谐振器和第二声学谐振器可以是薄膜体声波谐振器。
非声学LC滤波器的LC电路可包括在集成无源器件晶片上的集成无源器件。混合声学LC滤波器的电感器可以是表面安装电感器(surface mount inductor)。混合声学LC滤波器的电感器可包括基板的导电迹线。集成无源器件可包括LC分流电路和串联LC谐振电路。
非声学LC滤波器的LC电路可包括串联LC谐振电路和LC分流电路。串联LC谐振电路可包括并联LC电路。LC分流电路可包括串联LC电路。非声学LC滤波器的LC电路还可包括第二分流串联LC电路。
可通过非声学LC滤波器设置级联滤波器的通带。第一声学谐振器可被布置为在该通带之外的频带提供阻斥(rejection)。该通带的下限可以是至少3千兆赫兹(gigahertz)。通带可跨越至少3.3千兆赫兹至4.2千兆赫兹。
本申请的另一方面是一种多路复用器，其包括耦接到公共节点的第一滤波器和耦接到该公共节点的第二滤波器。第一滤波器被配置为对射频信号进行滤波。第一滤波器包括混合声学LC滤波器和与该混合声学LC滤波器级联的非声学LC滤波器。混合声学LC滤波器包括在声学谐振器晶片上的第一声学谐振器、第二声学谐振器、在声学谐振器晶片外部的电容器以及在声学谐振器晶片外部的电感器。
多路复用器还可包括耦接到公共节点的第三滤波器。第二滤波器可包括第二混合声学LC滤波器。第二滤波器可包括第二非声学LC滤波器。
本申请的另一方面是一种无线通信设备，该无线通信设备包括天线和与天线通信的射频前端。射频前端包括滤波器，该滤波器被配置为对射频信号进行滤波以便经由天线发射。滤波器包括混合声学LC滤波器和与该混合声学LC滤波器级联的非声学LC滤波器。混合声学LC滤波器包括在声学谐振器晶片上的声学谐振器、在声学谐振器晶片外部的电容器以及在声学谐振器晶片外部的电感器。
无线通信设备可以是移动电话。
本申请的另一方面是一种用于射频滤波的级联滤波器电路，其包括混合声学LC滤波器、包括LC电路的非声学LC滤波器以及被配置为选择性地耦接混合声学LC滤波器和非声学LC滤波器的开关。混合声学LC滤波器被配置为对射频信号进行滤波。混合声学LC滤波器包括在声学谐振器晶片上的声学谐振器、在声学谐振器晶片外部的电容器以及在声学谐振器晶片外部的电感器。
级联滤波器电路还可包括第二非声学LC滤波器，其中开关被配置为在第一状态下耦接混合声学LC滤波器和非声学LC滤波器，并且其中开关被配置为在第二状态下耦接混合声学LC滤波器和第二非声学LC滤波器。非声学LC滤波器可以是发射滤波器，并且第二非声学LC滤波器可以是接收滤波器。
级联滤波器电路还可包括第二混合声学LC滤波器，其中开关被配置为在第一状态下耦接混合声学LC滤波器和非声学LC滤波器，并且其中开关被配置为在第二状态下耦接第二混合声学LC滤波器和非声学LC滤波器。
混合声学LC滤波器还可包括与声学谐振器并联的第二电感器，其中声学谐振器被布置为与电感器串联的分流谐振器。
混合声学LC滤波器还可包括第二声学谐振器。第一声学谐振器和第二声学谐振器可以是分流谐振器。电容器和电感器可被布置为在声学谐振器与第二声学谐振器之间的LC槽。混合声学LC滤波器还可包括与第一声学谐振器串联的第二电感器和与第二声学谐振器串联的第三电感器。
声学谐振器可以是体声波谐振器。
非声学LC滤波器的LC电路可包括集成无源器件晶片的集成无源器件。混合声学LC滤波器的电感器可以是表面安装电感器。混合声学LC滤波器的电感器可包括基板的导电迹线。
可以通过非声学LC滤波器来设置包括非声学LC滤波器和混合声学LC滤波器的级联滤波器的通带。该通带的下限可以是至少3千兆赫兹。
本申请的另一方面是一种对射频信号进行滤波的方法。该方法包括：用开关耦接混合声学LC滤波器和非声学LC滤波器。混合声学LC滤波器包括在声学谐振器晶片上的声学谐振器、在声学谐振器晶片外部的电容器以及在声学谐振器晶片外部的电感器。该方法还包括：在将混合声学LC滤波器和非声学滤波器耦接在一起时，对射频信号进行滤波。
该方法还可包括：用开关将混合声学LC滤波器从非声学LC滤波器解耦(decoupling)；以及用开关耦接混合声学LC滤波器和第二非声学LC滤波器。该方法还可包括：用功率放大器向非声学LC滤波器提供射频信号；以及用低噪声放大器放大由第二非声学滤波器提供的经滤波的信号。
滤波可以包括：使用混合声学LC滤波器的声学谐振器，在包括混合声学LC滤波器和非声学LC滤波器的滤波器的通带之外提供阻斥。
射频信号可具有从3千兆赫兹至5千兆赫兹的范围内的频率。
本申请的另一方面是一种无线通信设备，其包括天线和与天线通信的射频前端。射频前端包括滤波器，该滤波器被配置为对射频信号进行滤波以便经由天线发射。滤波器包括混合声学LC滤波器、非声学LC滤波器和开关，该开关被配置为选择性地耦接混合声学LC滤波器和非声学LC滤波器。混合声学LC滤波器包括在声学谐振器晶片上的声学谐振器和在声学谐振器晶片外部的LC部件。
无线通信设备可以是移动电话。
本申请的另一方面是一种并联混合声学无源滤波器，其包括第一子滤波器和与第一子滤波器并联耦接的第二子滤波器。第一子滤波器包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件。第二子滤波器包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件。第一子滤波器和第二子滤波器被一起布置为对射频信号进行滤波。
第一子滤波器和第二子滤波器可被一起布置为具有通带的带通滤波器。并联混合声学无源滤波器的频率响应可具有对应于第一子滤波器的第一子通带、对应于第二子滤波器的第二子通带以及在第一子通带与第二个子通带之间的陷波频率处的陷波(notch)。
第一子滤波器和第二子滤波器可被一起布置为具有阻带的带阻滤波器。带阻滤波器可以具有在阻带中的陷波。
第一子滤波器可包括体声波谐振器，该体声波谐振器包括声学谐振器。
第一非声学无源部件可包括第一电感器和第二电感器，其中第一电感器与声学谐振器并联，并且其中声学谐振器被布置为与第二电感器串联的分流谐振器。
第一子滤波器还可包括附加声学谐振器，其中第一声学谐振器和附加声学谐振器是分流谐振器，并且其中第一非声学无源部件包括被布置为LC槽的电容器和电感器，该LC槽耦接在第一声学谐振器与附加声学谐振器之间。
第二非声学无源部件可包括集成无源器件。
第一子滤波器和第二子滤波器可具有不同的通带。并联混合声学无源滤波器的通带的下限可以是至少2千兆赫兹。
本申请的另一方面是一种具有并联混合声学无源滤波器的多路复用器。多路复用器包括耦接到公共节点的第一滤波器和耦接到该公共节点的第二滤波器。第一滤波器被配置为对射频信号进行滤波。第一滤波器包括与第二子滤波器并联的第一子滤波器。第一子滤波器包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件。第二子滤波器包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件。
第一滤波器可以是带通滤波器。第一滤波器的频率响应可具有对应于第一子滤波器的第一子通带、对应于第二子滤波器的第二子通带以及在第一子通带与第二子通带之间的陷波频率处的陷波。第二滤波器可以是带阻滤波器。
第一滤波器可以是具有阻带和该阻带中的陷波的带阻滤波器。
第二滤波器可包括另一声学谐振器和另一非声学无源部件。
第一滤波器可具有第一通带，第二滤波器可具有第二通带，并且第一通带可具有在比第二通带的上边缘更高频率处的下边缘。
多路复用器还可包括耦接到公共节点的第三滤波器。
多路复用器还可包括在第一滤波器与公共节点之间串联的共享滤波器，其中共享滤波器还串联在第二滤波器与公共节点之间。共享滤波器可以是高通滤波器。
本申请的另一方面是一种无线通信设备，其包括射频前端和与射频前端通信的天线。射频前端包括滤波器，该滤波器被配置为对射频信号进行滤波。滤波器包括与第二子滤波器并联的第一子滤波器。第一子滤波器包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件。第二子滤波器包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件。
本申请的另一方面是一种具有混合声学无源滤波器的多路复用器。该多路复用器包括：多个滤波器，其被配置为对各个射频信号进行滤波；共享滤波器，其耦接在该多个滤波器中的每个滤波器与公共节点之间；以及射频滤波器，其耦接到该公共节点。该多个滤波器中的每个滤波器具有不同的通带。该多个滤波器中的至少第一滤波器包括多个声学谐振器和非声学无源部件。
该多个滤波器可包括第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器。第一滤波器可以是具有第一通带的第一带通滤波器。第二滤波器可以是具有第二通带的第二带通滤波器。第三滤波器可以是具有阻带的带阻滤波器，该阻带包括第一通带和第二通带。
共享滤波器可以是高通滤波器。射频滤波器可以是低通滤波器。
共享滤波器可以是非声学LC滤波器。共享滤波器可包括第二声学谐振器和LC部件。
非声学无源部件可包括与多个声学谐振器中的第一声学谐振器并联布置的电感器。
声学谐振器可实施在声学谐振器晶片上。非声学无源部件可包括在声学谐振器晶片外部的电感器和在声学谐振器晶片外部的电容器。
多个滤波器中的第二滤波器可包括多个第二声学谐振器和第二非声学无源部件。第一滤波器可具有第一通带，并且第二滤波器可具有第二通带。第一通带和第二通带两者都可以在从2千兆赫兹至5千兆赫兹的频率范围内。第一通带和第二通带两者都可以在从2千兆赫兹至3千兆赫兹的频率范围内。
多路复用器可以被布置为四工器(quadplexer)。
本申请的另一方面是无线通信设备，其包括天线和与天线通信的多路复用器。该多路复用器包括：多个滤波器，其被配置为对各个射频信号进行滤波；共享滤波器，其耦接在该多个滤波器中的每个滤波器与公共节点之间；以及射频滤波器，其耦接到该公共节点。该多个滤波器包括第一滤波器，该第一滤波器包括多个声学谐振器和非声学无源部件。
该多个滤波器中的第二滤波器可包括多个第二声学谐振器和第二非声学无源部件。无线通信设备可被配置为支持在公共节点处的载波聚合。载波聚合可包括第一载波和第二载波，其中第一载波在第一滤波器的第一通带内，并且其中第二载波在第二滤波器的第一通带和第二通带之外。
本申请的另一方面是一种具有混合声学无源滤波器的多路复用器。该多路复用器包括：多个滤波器，其包括具有不同射频通带的第一滤波器和第二滤波器；共享高通滤波器，其耦接在该多个滤波器中的每个滤波器与公共节点之间；以及低通滤波器，其耦接到该公共节点。第一滤波器包括多个第一声学谐振器和第一LC电路。第二滤波器包括多个第二声学谐振器和第二LC电路。
该多个滤波器还可包括具有阻带的带阻滤波器，该阻带包括第一滤波器和第二滤波器的通带。
本申请的另一方面是一种具有谐波抑制的混合声学LC滤波器。混合声学LC滤波器包括被配置为对射频信号进行滤波的混合无源/声学滤波器和与混合无源/声学滤波器级联的非声学LC滤波器。混合无源/声学滤波器包括多个声学谐振器和非声学无源部件。非声学LC滤波器被配置为抑制射频信号的谐波。
非声学LC滤波器可以是陷波滤波器。陷波滤波器的频率响应可具有与射频信号的二次谐波相对应的陷波。陷波滤波器的频率响应可具有与射频信号的不同谐波相对应的两个陷波。
非声学LC滤波器可以是低通滤波器。
非声学LC滤波器可包括集成无源器件晶片的集成无源器件。
该多个声学谐振器可包括多个体声波谐振器。
非声学无源部件可包括第一电感器和第二电感器。声学谐振器可包括第一分流声学谐振器，该第一分流声学谐振器被布置为与第一电感器串联并与第二电感器并联。
该多个声学谐振器可包括第一分流声学谐振器和第二分流声学谐振器。非声学无源部件可包括耦接在第一分流声学谐振器与第二分流声学谐振器之间的LC槽。
本申请的另一方面是一种多路复用器，其包括被配置为对射频信号进行滤波的第一滤波器以及在共同节点处耦接到第一滤波器的第二滤波器。第一滤波器包括混合无源/声学滤波器和与混合无源/声学滤波器级联的非声学LC滤波器。混合无源/声学滤波器包括多个声学谐振器和非声学无源部件。非声学LC滤波器被配置为抑制射频信号的谐波。
第二滤波器可包括多个第二声学谐振器和第二非声学无源部件。第一滤波器可以是中频带滤波器，并且第二滤波器可以是高频带滤波器。多路复用器还可包括低频带滤波器，该低频带滤波器在公共节点处耦接到第一滤波器和第二滤波器。
非声学LC滤波器可包括集成无源器件晶片的集成无源器件。
非声学无源部件可包括第一电感器和第二电感器。该多个声学谐振器可包括与第一电感器串联且与第二电感器并联地布置的第一分流声学谐振器。
多个声学谐振器可包括第一分流声学谐振器和第二分流声学谐振器。非声学无源部件可包括耦接在第一分流声学谐振器与第二分流声学谐振器之间的LC槽。
多个声学谐振器可包括体声波谐振器。
本申请的另一方面是一种无线通信设备，其包括射频前端和与射频前端通信的天线。射频前端包括被配置为对射频信号进行滤波的滤波器。该滤波器包括混合无源/声学滤波器和与混合无源/声学滤波器级联的LC滤波器。混合无源/声学滤波器包括多个声学谐振器和非声学无源部件。非声学LC滤波器被配置为抑制射频信号的谐波。天线被配置为发射谐波被抑制的射频信号的经滤波的版本。
无线通信设备可被配置为移动电话。
无线通信设备还可包括基带处理器和收发器，其中收发器与射频前端通信并且还与基带处理器通信。
出于概述本申请的目的，在这里已经描述了新发明的一些方面、有利方面和新颖特征。应该理解，未必所有这些有利方面均可以根据任何特定实施例来实现。因此，可以采用实现或优化如在本文中所教导的一个或一组有利方面的方式来实施或执行各个新发明，而不必实现在本文中可能教导或建议的其他有利方面。
附图说明
将通过非限制性示例并参考附图来描述本申请的实施例。
图1A是根据一个实施例的级联滤波器的示意性框图，该级联滤波器包括混合声学LC滤波器和LC滤波器。
图1B是根据一个实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统包括在功率放大器与天线之间的信号路径中的级联滤波器。
图1C是根据一个实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统包括在天线与低噪声放大器之间的信号路径中的级联滤波器。
图2A是根据一个实施例的级联滤波器电路的示意性框图，该级联滤波器电路包括通过开关而耦接到LC滤波器的混合声学LC滤波器。
图2B是根据一个实施例的级联滤波器电路的示意性框图，该级联滤波器电路包括通过开关而耦接到混合声学LC滤波器的LC滤波器。
图3A是根据一个实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统具有级联滤波器电路。
图3B是根据另一实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统具有级联滤波器电路。
图3C是根据另一实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统具有级联滤波器电路。
图4A是根据一个实施例的多路复用器的示意性框图，该多路复用器包括级联滤波器和另一滤波器。
图4B是根据另一实施例的多路复用器的示意性框图，该多路复用器包括级联滤波器和另一滤波器。
图5A是根据一个实施例的多路复用器的示意性框图，该多路复用器包括级联滤波器和通过开关耦接到公共节点的另一滤波器。
图5B是根据另一实施例的多路复用器的示意性框图，该多路复用器包括级联滤波器和通过开关耦接到公共节点的另一滤波器。
图6A是根据一个实施例的级联滤波器的示意图。
图6B是图6A的级联滤波器的频率响应的图表。
图7是根据另一实施例的级联滤波器的示意图。
图8是根据另一实施例的级联滤波器的示意图。
图9是根据另一实施例的级联滤波器的示意图。
图10是根据另一实施例的级联滤波器的示意图。
图11A是根据一个实施例的混合谐振器的示意图。
图11B是图11A的混合谐振器的频率响应的图表。
图12是根据另一实施例的混合谐振器的示意图。
图13是根据一个实施例的混合并联带通滤波器的示意性框图。
图14是根据一个实施例的双工器(diplexer)的示意性框图，该双工器包括混合并联带通滤波器。
图15是根据一个实施例的三工器(triplexer)的示意性框图，该三工器包括混合并联带通滤波器。
图16是根据一个实施例的三工器的示意性框图，该三工器包括共享高通滤波器和混合并联带通滤波器。
图17是根据一个实施例的四工器的示意性框图，该四工器包括共享高通滤波器和混合带通滤波器。
图18是根据一个实施例的三工器的示意图，该三工器包括混合并联带通滤波器。
图19A示出图18的三工器的模拟结果。
图19B示出图18的三工器与先前设计相比的模拟结果的图表。
图20是根据一个实施例的混合并联带阻滤波器的示意性框图。
图21是根据一个实施例的混合并联带阻滤波器的示意图表。
图22是图21的混合并联带阻滤波器的频率响应的图表。
图23A是根据一个实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统包括与低通滤波器级联的混合声学LC滤波器。
图23B是根据一个实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统包括与二次谐波陷波滤波器级联的混合声学LC滤波器。
图24A是示例低通滤波器的示意图。
图24B是另一示例低通滤波器的示意图。
图24C是示例二次谐波陷波滤波器的示意图。
图24D是示例谐波陷波滤波器的示意图。
图24E是示例二次谐波陷波和低通滤波器的示意图。
图25A是根据一个实施例的三工器的示意性框图，该三工器包括与低通滤波器级联的混合声学LC滤波器。
图25B是根据一个实施例的三工器的示意性框图，该三工器包括与二次谐波陷波滤波器级联的混合声学LC滤波器。
图26是根据一个实施例的射频模块的示意图，该射频模块具有包括滤波器的发射路径。
图27是根据一个实施例的射频模块的示意图，该射频模块具有包括滤波器的接收路径。
图28是根据一个实施例的射频模块的示意图，该射频模块包括滤波器。
图29是根据一个实施例的无线通信设备的示意图，该无线通信设备包括滤波器。
图30是根据另一实施例的无线通信设备的示意图，该无线通信设备包括滤波器。
具体实施方式
下面的一些实施例的详细描述呈现特定实施例的各种描述。然而，在本文中所描述的新发明能够以例如由权利要求书所限定和覆盖的众多不同的方式来实施。在该描述中，参考附图，其中类似的标号可以指示相同或在功能上相似的元件。应当理解，在附图中所例示的元件未必是按比例绘制的。而且，应当理解，一些实施例可以包括比在附图中所例示的更多的元件和/或在附图中所例示的元件的子集。另外，一些实施例可以合并来自两个或多个附图的特征的任何适当的组合。在本文中提供的标题仅是为了方便，而未必影响权利要求的范围或含义。
本申请涉及包括声学部件和非声学无源部件的滤波器。某些实施例涉及与LC滤波器级联的混合声学LC滤波器。这样的滤波器可实现相对宽的通带，并且还满足严格的带外阻斥规范。一些实施例涉及具有彼此并联布置的声学部件和非声学无源部件的滤波器。这样的滤波器可实现相对宽的带宽和在相对靠近通带的阻带处的高阻斥且在通带中没有高损耗。在本文中公开的实施例涉及与混合无源/声学滤波器级联的非声学LC滤波器，其中非声学LC滤波器被布置为抑制由混合无源/声学滤波器提供的射频信号的谐波。这样的滤波器可实现相对高的带宽和高阻斥，同时抑制自生谐波。在本文中公开的实施例的特征的任何适当组合可彼此组合。在各种应用中，两个或更多个实施例可以彼此一起实现。
与LC滤波器级联的混合声学LC滤波器
随着第五代(5G)无线通信技术的发展，非声学宽带超高频带(non-acousticwideband ultra-high band，UHB)滤波器设计在满足新的载波聚合规范方面遇到困难。新的载波聚合通常会产生更多的互调频率，其可能降低接收器侧灵敏度。因此，载波聚合规范可具有针对滤波器的更严格的互调失真(intermodulation distortion，IMD)阻斥规范。
诸如集成无源器件(integrated passive device，IPD)带通滤波器这样的LC带通滤波器具有宽带宽和相对良好的宽的带外阻斥的优点。然而，LC带通滤波器在靠近通带的频率处没有特别锐利(sharp)的阻斥。与声波滤波器相比，非声学通带滤波器在通带边缘频率处具有明显更差的滚降(rolling-off)损耗。这在对于靠近通带的阻带期望有高阻斥时通常是不期望的。
由于比LC谐振器更高的质量因子(Q)，声学谐振器滤波器可在靠近通带的频率处提供更高的阻斥而不存在高的边缘滚降损耗，因此无源非声学滤波器可与混合声学LC滤波器级联，以实现宽的带宽和在靠近通带的阻带处的锐利阻斥这两者。
为了提供在相对靠近滤波器的通带的频率处具有相对锐利阻斥的载波聚合IMD阻斥兼容滤波器，可实现混合声学LC滤波器。该混合声学LC滤波器可以是包括一个或多个电容器、一个或多个电感器以及一个或多个声学谐振器的宽带滤波器。该混合声学LC滤波器可包括多个混合谐振器，该多个混合谐振器包括声学谐振器、至少一个电感器和至少一个电容器。
混合声学LC滤波器可以与LC滤波器级联，以提供相对低损耗的宽通带，并且还在相对靠近级联滤波器的通带的频率处提供相对锐利的阻斥。LC滤波器可包括在集成无源器件晶片上的集成无源器件(IPD)。混合声学LC滤波器可包括一个或多个体声波谐振器。级联滤波器中的体声波谐振器和LC电路元件的组合可提供相对宽的通带并且还可满足相对严格的带外阻斥规范。
本申请的多个方面涉及一种用于对射频信号进行滤波的级联滤波器。该级联滤波器包括混合声学LC滤波器和与该混合声学LC滤波器级联的非声学LC滤波器。混合声学LC滤波器包括多个声学谐振器、电容器和电感器。非声学LC滤波器包括LC电路。
只要可使用声学谐振器，就可针对包括无线频带的各种频带实现本文讨论的级联滤波器。作为示例，级联滤波器可具有通带，在某些应用中具有至少2.5千兆赫兹(GHz)或至少3GHz的频率下限。在某些应用中，级联滤波器可具有相对高的通带上限，诸如约4.5GHz、约6GHz、约8.5GHz或约10GHz。本文讨论的级联滤波器可实现在功率放大器模块、分集接收模块或任何其他适当的射频前端模块中。本文讨论的级联滤波器可满足以下设计规范：相对低的插入损耗(insertion loss，IL)、相对锐利的频率截止以及相对强的互调频率和谐波的抑制。
图1A是根据一个实施例的级联滤波器10的示意性框图，该级联滤波器10包括混合声学LC滤波器12和LC滤波器14。级联滤波器10具有第一端口RF1和第二端口RF2。混合声学LC滤波器12和LC滤波器14在第一端口RF1与第二端口RF2之间彼此串联地布置。在某些应用中，射频信号可以从第一端口RF1传播到第二端口RF2。在各种应用中，射频信号可从第二端口RF2传播到第一端口RF1。
混合声学LC电路12包括一个或多个声学谐振器、一个或多个电感器以及一个或多个电容器。一个或多个声学谐振器可以是BAW谐振器，诸如薄膜体声波谐振器(FBAR)。例如，BAW谐振器对于对具有诸如高于2.5GHz的频率这样的更高频率的信号进行滤波可能更有利。一个或多个声学谐振器可替代地或附加地包括任何其他适当的声波谐振器，诸如一个或多个表面声波(SAW)谐振器、一个或多个边界声波谐振器和/或一个或多个兰姆(Lamb)波谐振器。混合声学LC滤波器12可包括在包括声学谐振器的晶片的外部的电容器和电感器。混合声学LC滤波器12可以是梯形滤波器。在某些应用中，混合声学滤波器12可以是固定滤波器。在一些实例中，可以通过比可调谐滤波器更低的复杂度来实现固定滤波器。在某些应用中，混合声学LC滤波器12可以是可调谐的。在混合声学LC滤波器12可调谐时，陷波和/或阻带可以是可调谐的。
LC电路14包括一个或多个电感器和一个或多个电容器。LC电路14可包括一个或多个IPD、一个或多个表面安装部件、在封装基板上实现的一个或多个无源器件或其任何适当的组合。在一些频率上表面安装部件可比在封装基板上实现的IPD和无源器件具有更高的质量因子和更低的插入损耗。一个或多个电容器可以是显式电容器和/或寄生电容器。LC电路14还可实现阻抗匹配。
图1B是根据一个实施例的射频(RF)系统15的示意性框图，该射频系统15包括在功率放大器16与天线17之间的信号路径中的级联滤波器10。图1B示出级联滤波器10可包括在发射信号路径中。在某些应用中，级联滤波器10的第一端口RF1可电耦接到功率放大器16的输出，并且级联滤波器10的第二端口RF2可电耦接到天线17。在一些应用中，级联滤波器10的第一端口RF1可电耦接到天线17，并且级联滤波器10的第二端口RF2可电耦接到功率放大器16的输出。
图1C是根据一个实施例的RF系统18的示意性框图，该RF系统18包括在天线17与低噪声放大器19之间的信号路径中的级联滤波器10。图1C示出级联滤波器10可包括在接收信号路径中。在某些应用中，级联滤波器10的第一端口RF1可电耦接到低噪声放大器19的输入，并且级联滤波器10的第二端口RF2可电耦接到天线17。在一些应用中，级联滤波器10的第一端口RF1可电耦接到天线17，并且级联滤波器10的第二端口RF2可电耦接到低噪声放大器19的输入。
图2A是根据一个实施例的级联滤波器电路20的示意性框图，该级联滤波器电路20包括通过开关22耦接到LC滤波器14A至14N的混合声学LC滤波器12。级联滤波器电路20可在多个LC电路14A至14N之间共享混合声学LC滤波器12。开关22可将混合声学LC滤波器12与所选择的LC电路串联地电连接，以实现级联滤波器。图示的开关22是多掷射频开关。开关22可将混合声学LC滤波器12电耦接到所选择的LC滤波器。开关22可具有任何适当数量的掷，并且级联滤波器电路20可具有对应数量的LC滤波器14A至14N。图示的LC滤波器14A和14N每个分别耦接到级联滤波器电路20的对应端口RF21和RF2N。在级联滤波器电路20中，混合声学LC滤波器12可与LC滤波器14A至14N中的所选择的一个或多个结合，在相对靠近通带的频率处实现相对锐利的阻斥。在某些应用中，混合声学LC滤波器12可以是可调谐的，以针对与其电耦接的LC滤波器14A至14N中的所选择的一个或多个，调谐在相对靠近通带的频率处的阻斥。
图2B是根据一个实施例的级联滤波器电路25的示意性框图，该级联滤波器电路25包括通过开关22耦接到混合声学LC滤波器12A和12N的LC滤波器14。级联滤波器电路20可在多个混合声学LC电路12A至12N之间共享LC滤波器14。开关22可将LC滤波器14与所选择的混合声学LC电路串联地电连接，以实现级联滤波器。图示的开关22是多掷射频开关。开关22可将LC滤波器14电耦接到所选择的混合声学LC滤波器。开关22可具有任何适当数量的掷，并且级联滤波器电路25可具有对应数量的混合声学LC滤波器12A至12N。图示的混合声学LC滤波器12A和12N每个分别耦接到级联滤波器电路25的对应端口RF11和RF1N。
图3A是根据一个实施例的具有级联滤波器电路的射频系统30A的示意性框图。射频系统30是可实现图2A的级联电路20的示例系统。如图所示，天线32耦接到混合声学LC滤波器12，开关22是发射/接收开关，并且LC滤波器14A和14B分别连接到功率放大器34和低噪声放大器36。图2B的级联电路25可实现在与射频系统30A相似的射频系统中。
图3B是根据另一实施例的具有级联滤波器电路的射频系统30B的示意性框图。图3B示出LC电路14A和14B可在具有相应的功率放大器34A和34B的不同的发射路径中。因此，混合声学LC滤波器12可包括在(a)在功率放大器34A与天线32之间具有LC滤波器14A的级联滤波器电路中以及(b)在功率放大器34B与天线32之间具有LC滤波器14B的级联滤波器电路中。
图3C是根据另一实施例的具有级联滤波器电路的射频系统30C的示意性框图。例如，射频系统30C的级联滤波器可实现在分集接收应用中。图3C示出LC电路14A和14B可在具有相应的低噪声放大器36A和36B的不同的接收路径中。因此，混合声学LC滤波器12可包括在(a)在低噪声放大器36A与天线32之间具有LC滤波器14A的级联滤波器电路中以及(b)在低噪声放大器36B与天线32之间具有LC滤波器14B的级联滤波器电路。
图4A是根据一个实施例的多路复用器40的示意性框图，该多路复用器40包括级联滤波器和另一滤波器。多路复用器40包括耦接到公共节点的多个滤波器。如图所示，包括LC滤波器14和混合声学LC滤波器12的级联滤波器以及其他滤波器42在公共节点处耦接在一起。在多路复用器40中，LC滤波器14通过混合声学LC滤波器12耦接到公共节点。多路复用器40可以是具有两个滤波器的双工器、具有三个滤波器的三工器、具有四个滤波器的四工器等。其他滤波器42可包括任何适当数量的滤波器。(其他滤波器42可包括一个或多个LC滤波器(例如，IPD滤波器)、一个或多个声波滤波器、一个或多个混合声学LC滤波器等或者其任何适当的组合。
图4B是根据另一实施例的多路复用器45的示意性框图，该多路复用器45包括级联滤波器和另一滤波器。除了混合声学LC滤波器12通过LC滤波器14耦接到公共节点以外，多路复用器45与图4A的多路复用器40相同。
多个滤波器可通过开关与诸如天线节点这样的公共节点通信。图5A是射频系统50的示意图，该射频系统50包括通过开关52耦接到公共节点的级联滤波器和另一滤波器42。该级联滤波器、该另一滤波器42和开关52可以实现开关复用(switch-plexing)。开关复用可实现按需多路复用。
图5B是根据另一实施例的射频系统55的示意性框图，该射频系统55包括通过开关耦接到公共节点的级联滤波器和另一滤波器。除了混合声学LC滤波器12和LC滤波器14以不同次序布置以外，射频系统55与图5A的射频系统50相同。
图6A是根据一个实施例的级联滤波器60的示意图。级联滤波器60可以是带通滤波器，该带通滤波器被布置为使诸如频带42(Band 42)信号和/或频带43(Band 43)信号和/或频带48(Band 48)信号这样的具有高于3GHz的频率的射频信号通过。在这样的应用中，滤波器60的声波谐振器可以是BAW谐振器。滤波器60可用于第5代(5G)无线系统应用。5G技术可称为5G新空口(New Radio，NR)。级联滤波器60包括与LC滤波器64级联的混合声学LC滤波器62。混合声学LC滤波器62是混合声学LC滤波器12的示例。LC滤波器64是LC滤波器14的示例。
混合声学LC滤波器62包括：声学谐振器A61和A62；电感器L601、L602、L603、L604、L605和L606；以及电容器C601、C602、C603和C604。声学谐振器A61和A62可以是诸如FBAR这样的BAW谐振器。在一些实例中，声学谐振器A61和A62可包括SAW谐振器，温度补偿SAW(temperature compensated SAW、TCSAW)谐振器、边界声波谐振器、兰姆波谐振器等或其任何适当的组合。电感器L601、L602、L603、L604、L605和L606以及电容器C601、C602、C603和C604是LC/非声学部件。混合声学LC滤波器62的LC/非声学部件可实现在包括声学谐振器A61和A62的晶片外部。混合声学LC滤波器62的LC/非声学部件可包括一个或多个表面安装技术(surface mount technology，SMT)电感器和/或电容器。在一些情况下，混合声学LC滤波器62的LC/非声学部件可以包括一个或多个IPD和/或封装基板上的一个或多个电感性迹线。
如图所示，混合声学LC滤波器62包括混合谐振器结构，其中电感器L602与声学谐振器A62并联，其中电感器L603与电感器L602和声学谐振器A62串联。参考图11A和图11B提供关于该混合谐振器结构的更多细节。图示的LC滤波器62还包括在声学节点之间的LC槽，在这些声学节点处声学谐振器A61和A62与分流电路中的相应电感器L603和L606串联地布置，其中LC槽包括电容器C604和电感器L605。参考图12提供关于该混合谐振器结构的更多细节。
LC滤波器64可以是带通滤波器。例如，LC滤波器64可以是频带42/频带43带通滤波器。LC滤波器64包括在IPD晶片上的IPD部分65、包括在封装基板上的迹线的封装基板部分66以及包括SMT部件的SMT部分67。IPD部分65包括IPD电容器C605、C606、C607、C608、C609和C610以及IPD电感器L608。封装基板部分66包括被布置为电感器L609、L610、L611和L612的电感性迹线。SMT部件67包括SMT电容器C611和C612。
如图所示，LC滤波器64包括桥式电容器、LC谐振电路、耦接电容器和串联LC槽。第一桥式电容器C610具有耦接到串联LC槽的第一端和耦接到LC滤波器64的输入节点的第二端。串联LC槽包括电容器C605和电感器L608。第一桥式电容器C610与三个耦接电容器C606、C607和C608并联。
第一LC谐振电路是LC分流谐振电路。如图所示，第一LC谐振电路包括分流电感器L611，该分流电感器L611与包括电感器L612和电容器C612的串联LC电路并联。第二桥式电容器C609具有耦接到串联LC槽的第一端和耦接到第一LC谐振电路的第二端。第二桥式电容器C609与两个耦接电容器C606和C607并联。第二LC谐振电路是LC分流谐振电路。如图所示，第二LC谐振电路包括与串联LC电路并联的分流电感器L609，该串联LC电路包括电感器L610和电容器C611。
第一耦接电容器C608耦接在滤波器的输入与如下节点之间，在该节点处第一耦接电容器C608耦接到第一LC谐振电路和第二耦接电容器C607。第二耦接电容器C607串联地耦接在第一耦接电容器C608与第三耦接电容器C606之间。第二耦接电容器C607还耦接在第一LC谐振电路与第二LC谐振电路之间。第三耦接电容器C606耦接在串联LC槽与如下节点之间，在该节点处第三耦接电容器C606耦接到第二LC谐振电路和第二耦接电容器C607。图示的串联LC槽是并联LC电路。
图6B是图6A的级联滤波器60的频率响应的图表。所示曲线表示图6A的级联滤波器60的频率响应。阶梯线代表设计规范或滤波掩模。图6B中的曲线表明，除了在9GHz处之外，图6A的级联滤波器60的频率响应满足设计规范。如图所示，滤波器响应具有由分流声学谐振器A61和A62产生的两个零值(null)。频率响应在通带边缘处具有相对锐利的滚降。图6A的非声学LC滤波器64可提供相对大的带宽。频率响应具有在所示的频率响应中从约3.1GHz到4.2GHz的相对宽的带宽。因此，图6A的级联滤波器60可具有至少1GHz的带宽。在一些其他实施例中，具有与非声学LC滤波器级联的混合声学LC滤波器的级联滤波器可具有在范围上比通过声学谐振器耦合因子确定的明显更宽的带宽，例如从约3.3GHz到4.2GHz的带宽或者从约4.4GHz到5GHz的带宽。
图6A的级联滤波器60是与混合声学LC滤波器级联的非声学LC滤波器的示例。本文讨论的原理和有利方面可以各种其他滤波器拓扑来实现。一些示例滤波器拓扑在图7至图10中示出。例如，这些滤波器可用于5G应用中。这些滤波器包括诸如FBAR这样的声学谐振器以及电感器和电容器。电感器和电容器可包括一个或多个IPD、一个或多个表面安装电感器、一个或多个表面安装电容器、在封装基板上的一个或多个电感性迹线等或其任何适当的组合。图7至图10的示例滤波器示出用于各种应用和设计规范的滤波器。这些滤波器的特征的任何适当的组合可彼此一起实现和/或根据本文讨论的任何其他原理和有利方面来实现。
图7是根据另一实施例的级联滤波器70的示意图。级联滤波器70包括与LC滤波器74级联的混合声学LC滤波器72。混合声学LC滤波器72是混合声学LC滤波器12的示例。LC滤波器74是LC滤波器14的示例。例如，级联滤波器70可以是接收滤波器。在某些应用中，级联滤波器70可具有从3.4GHz至3.7GHz的通带。
混合声学LC滤波器72包括：声学谐振器A71、A72、A73、A74、A75和A76；电容器C701、C702和C703；以及电感器L701、L702、L703、L704、L705、L706、L707、L708和L709。声学谐振器A71至A76可以是BAW谐振器。电容器C701至C703可以是SMT电容器。电感器L701至L709可包括SMT电感器和封装基板的导电迹线的组合。
所示的LC滤波器74包括电容器C704和C705以及电感器L710和L711。在某些实施例中，LC滤波器74可通过在IPD晶片上的IPD电容器和电感器来实现。在一些其他实施例中，LC滤波器74可通过在IPD晶片上的SMT电容器和电感器来实现。
图8是根据另一实施例的级联滤波器80的示意图。级联滤波器80包括与LC滤波器84级联的混合声学LC滤波器82。混合声学LC滤波器82是混合声学LC滤波器12的示例。LC滤波器84是LC滤波器14的示例。在一个实施例中，级联滤波器80可以是具有从约3.3GHz到4.2GHz的通带的带通滤波器。根据另一实施例，级联滤波器可具有从3.4GHz至3.7GHz的通带。例如，级联滤波器80可以是接收滤波器。
混合声学LC滤波器82包括：声学谐振器A81、A82、A83、A84和A85；电容器C801和C802；以及电感器L801、L802、L803、L804、L805和L806。声学谐振器A81至A85可以是BAW谐振器。电容器C801和C802可以是SMT电容器。电感器L801至L805可包括SMT电感器和封装基板的导电迹线的组合。包括电感器L802和L803以及声学谐振器A81、A82和A83的混合谐振器可与参考图11A和图11B描述的混合谐振器相似地起作用。包括电感器L802至L805、电容器C802和声学谐振器A81至A85的混合梯形结构可与参照图12描述的混合梯形结构相似地起作用。
所示的LC滤波器84包括电容器C803、C804、C805、C806和C807以及电感器L806、L807、L808和L809。LC滤波器84可包括一个或多个IPD、一个或多个SMT部件、基板的一个或多个导电迹线或其任何适当的组合。
图9是根据另一实施例的级联滤波器90的示意图。级联滤波器90包括与LC滤波器94级联的混合声学LC滤波器92。混合声学LC滤波器92是混合声学LC滤波器12的示例。LC滤波器94是LC滤波器14的示例。在一些实施例中，除了耦接在声学谐振器与地之间的分流电感器之外，级联滤波器90可包括表面安装无源部件，其中这样的分流电感器可以是在封装基板上的印刷迹线。这样，在这样的实施例中，级联滤波器90不包括IPD。在某些实例中，级联滤波器90可以是耦接在天线开关与低噪声放大器之间的接收滤波器。相对于先前的设计，级联滤波器90可改善插入损耗。级联滤波器90可以是接收滤波器。
混合声学LC滤波器92包括：声学谐振器A91、A92和A93；电容器C901、C902、C903和C904；以及电感器L901、L902、L903和L904。声学谐振器A91至A93可以是BAW谐振器。电容器C901至C904可以是SMT电容器。电感器L901至L904可包括SMT电感器和封装基板的导电迹线的组合。
所示的LC滤波器94包括电容器C903、C904和C905以及电感器L905、L906、L907和L908。LC滤波器94可包括一个或多个IPD、一个或多个SMT部件、基板的一个或多个导电迹线或其任何适当的组合。在一个实施例中，LC滤波器94由SMT电感器和电容器组成。
图10是根据另一实施例的级联滤波器的示意图。级联滤波器100包括与LC滤波器104级联的混合声学LC滤波器102。混合声学LC滤波器102是混合声学LC滤波器12的示例。LC滤波器104是LC滤波器14的示例。在某些实施例中，级联滤波器100可包括IPD、表面安装无源部件、在层压材料上的电感性迹线，以及FBAR。在某些实例中，级联滤波器100可以是耦接在天线开关与低噪声放大器之间的接收滤波器。级联滤波器100可以是具有从约3.3GHz到4.2GHz的通带的带通滤波器。在某些实施例中，级联滤波器100是接收滤波器。
混合声学LC滤波器102包括：声学谐振器A101、A102和A103；电容器C1001和C1002；以及电感器L1001、L1002、L1003、L1004、L1005和L1006。声学谐振器A101至A103可以是BAW谐振器。电容器C1001和C1002可包括SMT电容器和/或IPD电容器。电感器L1001至L1006可包括一个或多个SMT电感器、一个或多个IPD电感器、封装基板的一个或多个导电迹线或其任何适当的组合。在一个实施例中，电感器L1001至L1006至少包括SMT电感器、至少一个IPD电感器和封装基板的至少一个导电迹线。
包括电感器L1002和L1003以及声学谐振器A102的混合谐振器可以与参考图11A和图11B描述的混合谐振器相似地起作用。包括电感器L1005和L1006以及声学谐振器A103的混合谐振器可与参考图11A和图11B描述的混合谐振器相似地起作用。包括电感器L802至L806、电容器C1002和声学谐振器A102至A103的混合梯形结构可与参照图12描述的混合梯形结构相似地起作用。
所示的LC滤波器104包括电容器C1003、C1004、C1005、C1006和C1007以及电感器L1007、L1008、L1009和L1010。LC滤波器104可包括一个或多个IPD、一个或多个SMT部件、基板的一个或多个导电迹线或其任何适当的组合。在一个实施例中，LC滤波器104至少包括SMT部件、至少一个IPD和封装基板的至少一个导电迹线。
本文讨论的混合声学LC滤波器可包括各种混合谐振器，该各种混合谐振器包括声波谐振器和非声学无源部件。将参考图11A至图12来讨论示例混合谐振器。这些混合谐振器可与本文讨论的任何适当的实施例相关联地实现。
图11A是根据一个实施例的混合谐振器110的示意图。混合谐振器110包括声学谐振器112、第一电感器114和第二电感器116。声学谐振器112被布置为分流谐振器。例如，声学谐振器112可以是FBAR。声学谐振器112可以是任何其他适当的声学谐振器。声学谐振器112与第一电感器114并联。声学谐振器112与第二电感器116串联。电感器114和116与声学谐振器112的组合可产生一对相对靠近通带而对传输损耗没有明显影响的陷波。陷波可在距通带的下限或上限约1.1GHz至8.5GHz的范围内。
图11B是图11A的混合谐振器110的频率响应的图表。频率响应示出参考图11A讨论的一对陷波。频率响应还示出模拟的混合谐振器110不会引入明显的传输损耗。
图12是根据另一实施例的混合谐振器120的示意图。混合谐振器120是混合梯形结构。混合谐振器120包括第一串联分流电路、LC槽和第二串联分流电路。第一串联分流电路包括第一声学谐振器122和第一电感器123。第二串联分流电路包括第二声学谐振器124和第二电感器125。LC槽包括与第三电感器127并联的电容器126。混合谐振器120包括在声学节点之间的LC槽。这可在包括混合谐振器120的滤波器的频率响应中提供谐振器间阻抗匹配和远端陷波两者。混合谐振器120包括混合梯形结构。例如，混合谐振器120可用于低通滤波器和/或高通滤波器。混合谐振器120是混合梯形拓扑。
并联混合声学无源滤波器
随着5G无线通信技术的发展，新的载波聚合(carrier aggregation，CA)规范可以针对滤波器指定更严格的互调失真(IMD)阻斥。这种新的CA可比先前的CA涉及更多的多路复用滤波器。为了提供在靠近通带的频率处具有锐利阻斥的CA IMD阻斥兼容滤波器，可以用诸如混合声学LC谐振器这样的混合谐振器来设计声学辅助滤波器，以提供相对低的损耗、宽的通带，并且在靠近通带的频率处具有相对锐利的阻斥。在施加相对高的功率时，声学谐振器可产生谐波。由表面声波器件或体声波器件产生的谐波可泄漏到更高的频带和/或具有超过标准规范的逸射(emission)。
为了提供在边缘频带频率处具有锐利阻斥的CA兼容多路复用滤波器，可以在一些或所有通带臂(passband arm)中包括混合声学LC宽带滤波器。为了减少和/或最小化滤波器声学晶片和无源部件的使用，混合声学LC滤波器或者集成无源器件(IPD)滤波器或者无源低通(LP)或高通(HP)滤波器可由两个或更多的通带臂共享。另外，为了在带通滤波器(BPF)中在高频带臂(例如，在Wi-Fi 2.4GHz)中提供特定的锐利阻斥，可包括并联混合声学LC滤波器。在一些实例中，并联混合声学LC滤波器可与诸如无源非声学滤波器这样的另一滤波器级联。
公开了具有并联混合声学LC子滤波器的混合声学LC滤波器。在一个实施例中，并联声学LC滤波器包括被配置为对射频信号进行滤波的第一子滤波器以及与第一子滤波器并联耦接的第二子滤波器。第一子滤波器包括第一声学谐振器和第一LC部件。第二子滤波器包括第二声学谐振器和第二LC部件。并联混合声学LC滤波器可实现在多路复用器中，该多路复用器包括在公共节点处耦接在一起的多个滤波器。并联混合声学滤波器可实现本文公开的声学LC电路的任何适当的原理和有利方面。作为一个示例，并联混合声学LC滤波器可包括图11A的混合谐振器110。作为又一个示例，并联混合声学LC滤波器可包括图12的混合梯形结构120。
并联混合声学LC滤波器可以是带通滤波器。并联混合声学LC滤波器可以是带阻滤波器。并联混合声学LC滤波器可处于高频带路径中。这样的滤波器可以减少和/或最小化设计复杂度。另外，在某些应用中，这样的滤波器可以采用更少的无源部件和/或更少的物理面积来实现。本文讨论的并联混合无源滤波器可满足高频带路径的设计规范，例如在特定频率(例如，Wi-Fi频带)的期望阻斥。这可允许高频带路径同时由发射路径和接收路径共享。
并联混合声学LC滤波器可提供相对宽的带宽以及在特定频带的强阻斥。并联混合声学LC滤波器可包括针对不同频带的彼此并联且被布置为对另一频带提供强阻斥的多个混合滤波器。作为一个示例，并联频带40和频带41混合声学LC带通滤波器可对通带40和频带41信号提供足够宽的带宽，同时还针对2.4GHz Wi-Fi频带提供强阻斥。在一些实施例中，无源非声学滤波器可与并联混合声学LC滤波器级联，以在高频带路径中实现宽带宽和锐利阻斥。根据某些实施例，可通过耦接到公共节点的并联混合声学LC滤波器和两个其他滤波器来实现三工器。例如，用于低频带(LB)/中频带(MB)/高频带(HB)的三工器可包括LB滤波器、MB滤波器和由混合声学LC滤波器实现的HB滤波器，该混合声学LC滤波器包括与频带41滤波器并联的频带40滤波器。这样的三工器可有效地用作四工器，以使系统级载波聚合应用受益。
图13是根据一个实施例的混合并联带通滤波器130的示意性框图。并联混合带通滤波器130包括彼此并联布置的第一带通滤波器132和第二带通滤波器134。第一带通滤波器132和第二带通滤波器134被布置为对射频信号进行滤波。第一带通滤波器132是包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件的混合声学无源滤波器。第一非声学无源部件可至少包括电感器和电容器。第二带通滤波器134可以是包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件的混合声学无源滤波器。第二非声学无源部件可至少包括电感器和电容器。第一带通滤波器132具有第一通带，并且第二带通滤波器134具有第二通带。通过包括彼此并联的两个滤波器，相对于在并联滤波器中包括的单独滤波器的两个中的任一个，并联滤波器的带宽能够增加。混合并联带通滤波器130具有包括第一通带和第二通带的通带。混合并联带通滤波器130的频率响应可在第一通带与第二通带之间的其通带中具有陷波。例如，陷波可用于2.4GHz的Wi-Fi频带。在图13中还示出并联混合带通滤波器130的标记(symbol)135。
虽然参考用于高频带滤波器的并联混合声学LC滤波器讨论了实施例，但是本文所讨论的任何适当的原理和有利方面可应用于中频带滤波器、低频带滤波器或可以受益于本文讨论的特征的任何其他滤波器。
本文讨论的并联混合声学LC滤波器可实现在功率放大器模块、分集接收模块或任何其他适当的射频前端模块中。
本文讨论的并联混合声学无源滤波器可在多路复用器中实现，该多路复用器包括在公共节点处耦接在一起的多个滤波器。这种多路复用器可包括双工器、三工器、四工器等。任何适当数量的滤波器可在多路复用器中的公共节点处耦接在一起。多个滤波器可通过多掷射频开关在公共节点处耦接在一起，以实现开关复用功能。将参考图14至图16来描述包括并联混合声学无源滤波器的一些示例多路复用器。示例多路复用器包括图13的并联混合声学滤波器130，并且可根据并联混合声学滤波器130的任何适当的原理和有利方面来实现。
图14是根据一个实施例的双工器140的示意性框图，该双工器140包括混合并联带通滤波器130。双工器140包括混合并联带通滤波器130和第二滤波器144。并联混合声学滤波器130可以是高频带滤波器，并且第二滤波器144可以是如图所示的中频带滤波器。并联混合声学滤波器130和第二滤波器144可在诸如图示的天线节点ANT这样的公共节点处耦接在一起。第二滤波器144可以是混合声学无源滤波器、非声学LC滤波器或声波滤波器。第二滤波器144可以是带阻滤波器。带阻滤波器的阻带可包括第一带通滤波器132的第一通带和/或第二带通滤波器134的第二通带中的一些或全部。
图15是根据一个实施例的三工器150的示意性框图，该三工器包括混合并联带通滤波器130。三工器150包括混合并联带通滤波器130、第二滤波器154和第三滤波器156。并联混合声学滤波器130可以是高频带滤波器，并且第二滤波器154可以是中频带滤波器，并且第三滤波器156可以是如图所示的低频带滤波器。并联混合声学滤波器130、第二滤波器154和第三滤波器156可在诸如图示的天线节点这样的公共节点处耦接在一起。第二滤波器154可以是高通和带阻滤波器。高通和带阻滤波器的阻带可包括第一带通滤波器132的第一通带和/或第二带通滤波器134的第二通带中的一些或全部。第二滤波器154可以是混合声学LC滤波器、非声学LC滤波器或声波滤波器。第三滤波器156可以是低通滤波器。第三滤波器156可以是混合声学LC滤波器、非声学LC滤波器或声波滤波器。第三滤波器156可以使低于第二滤波器154和混合并联带通滤波器130的相应通带的频率通过。
图16是根据一个实施例的三工器160的示意性框图，该三工器160包括共享高通滤波器162和混合并联带通滤波器130。除了共享高通滤波器162与混合并联带通滤波器130和第二滤波器144两者级联并且第二滤波器144是带阻滤波器之外，三工器160与图15的三工器150相同。因此，共享高通滤波器162耦接在并联混合声学滤波器130与公共节点之间。共享高通滤波器162还耦接在第二滤波器144与公共节点之间。例如，共享高通滤波器162可以是LC滤波器或混合声学LC滤波器。在一个实施例中，共享高通滤波器162可以是非声学无源滤波器。这样的共享高通滤波器162与并联混合声学滤波器130一起可实现相对宽的带宽和针对高频带路径的相对锐利的阻斥。
图17是根据一个实施例的四工器170的示意性框图，该四工器包括共享高通滤波器162和混合带通滤波器。除了分别对第一带通滤波器132和第二带通滤波器134提供单独的端子之外，四工器170与图16的三工器160相同。这可以在载波聚合选项方面提供更多的自由。在四工器170中，第一带通滤波器132和第二带通滤波器134可接收不同频带内的信号并对相应的信号进行滤波。
图17是包括混合声学无源滤波器的多路复用器的示例。第一带通滤波器132和第二带通滤波器134具有不同的通带，并且两者都通过共享高通滤波器162耦接到公共节点(图17中的天线节点ANT)。第一带通滤波器132和/或第二带通滤波器134可包括多个声学谐振器和非声学无源部件。非声学无源部件可包括在包括声波谐振器的晶片外部的电感器和电容器。非声学无源部件可包括与多个声学谐振器中的一声学谐振器并联的电感器。第一带通滤波器132和/或第二带通滤波器134可包括本文公开的混合声学无源滤波器的特征的任何适当组合。在某些实施例中，第一带通滤波器132和第二带通滤波器134每个具有在从2千兆赫兹至5千兆赫兹的频率范围内的通带，例如在从2千兆赫兹至3千兆赫兹的频率范围内的通带。
带阻滤波器144通过共享高通滤波器162耦接到公共节点。带阻滤波器144包括阻带，该阻带包括第一带通滤波器132和第二带通滤波器的通带。低通滤波器156耦接到公共节点。
采用四工器170，可相对于图16的三工器160改善某些载波聚合性能。例如，包括四工器的无线通信设备可在包括第一载波和第二载波的公共节点处支持载波聚合。在该示例中，分别地，第一载波可在第一带通滤波器132的通带内并且在第二带通滤波器134的通带之外，并且第二载波可在第一带通滤波器132和第二带通滤波器134两者的通带之外。通过不用第二带通滤波器134对第一载波进行滤波，相对于三工器160，在四工器170中可存在更少的插入损耗劣化
图18是根据一个实施例的三工器180的示意图，该三工器180包括混合并联带通滤波器182。在图18中，示出了具有混合并联带通滤波器的示例多路复用器。如图所示，三工器180包括混合并联带通滤波器182、混合声学LC滤波器184、非声学LC滤波器186以及谐波陷波滤波器188。
混合并联带通滤波器182是混合并联带通滤波器130的示例。混合并联带通滤波器182是三工器180中的高频带滤波器。混合并联带通滤波器182是声波谐振器和电感器的示例滤波器拓扑。如图所示，通过电感器L1801和L1802向混合并联带通滤波器182提供高频带信号。混合并联带通滤波器182包括第一子滤波器，该第一子滤波器包括声学谐振器A1801、A1802、A1803、A1804、A1805、A1806、A1807、A1808、A1809和A1810以及电感器L1803、L1804和L1805。混合并联带通滤波器182还包括第二子滤波器，该第二子滤波器包括声学谐振器A1811、A1812、A1813、A1814、A1815、A1816、A1817、A1818、A1819和A1820以及电感器L1806和L1807。混合并联带通电路182包括在图18中未示出的寄生电容，尽管这些寄生电容是混合并联带通滤波器182的LC电路的一部分。混合并联带通滤波器182的电感器可包括一个或多个SMT电感器和/或基板的一个或多个导电迹线。混合并联带通滤波器182的声学谐振器可包括一个或多个BAW谐振器，诸如一个或多个FBAR。
混合声学LC滤波器184包括声学谐振器、电感器和电容器。如图所示，混合声学LC滤波器184包括：声学谐振器A1821、A1822、A1823、A1824、A1825、A1826、A1827、A1828和A1829；电感器L1808、L1809、L1810、L1811和L1812；以及电容器C1801和C1802。混合声学LC滤波器184可根据本文公开的混合声学LC滤波器的任何适当的原理和有利方面来实现。混合声学LC滤波器184是三工器180中的中频带滤波器。
非声学LC滤波器186是三工器180中的低频带滤波器。非声学LC滤波器186可以是低通滤波器。例如，这样的低通滤波器可根据图24A和/或图24B的低通滤波器的任何适当的原理和有利方面来实现。
谐波陷波滤波器188可在射频信号的谐波处提供陷波以滤掉谐波。例如，谐波陷波滤波器188可根据图24D的低通滤波器的任何适当的原理和有利方面来实现。所示的谐波陷波滤波器188包括电容器C1803、C1804、C1805和C1806以及电感器L1813和L1814。谐波陷波滤波器188可提供在两个谐波频率处的陷波。
图19A示出图18的三工器180的模拟结果。图19A示出三工器180的滤波器182、184和186的通带。低通滤波器186具有由使用实线的曲线指示的通带。中频带滤波器184具有由第一虚曲线表示的通带。并联混合声学带通滤波器182通带由不同的虚曲线表示。并联混合声学带通滤波器182在其通带的中间部分具有陷波。该陷波可对应于在并联混合声学带通滤波器182被布置为通过的两个不同频带之间的频率范围。模拟结果表明，与先前的设计相比，跨越三工器180中的中频带和高频带滤波器，隔离被改善。在具有9:1的负载拉移(loadpull)的图18的三工器180的模拟中存在合理的插入损耗。
图19B示出与先前设计相比的图18的三工器180的模拟结果的图表。这些模拟结果表明，与先前的设计相比，使用三工器180，插入损耗和隔离这两者都被改善。
虽然本文讨论的并联混合声学滤波器的实施例涉及带通滤波器，但是本文讨论的并联混合声学滤波器的任何适当的原理和有利方面可应用于带阻滤波器。并联混合声学带阻滤波器可实现为独立滤波器或者实现在多路复用器中。将参考图20至22讨论示例性并联混合声学带阻滤波器。
图20是根据实施例的混合并联带阻滤波器200的示意性框图。混合并联带阻滤波器200可在紧密靠近另一滤波器的通带处产生相对宽的频带阻斥，而不使用LC陷波滤波器，这可更明显地降低带内损耗。
并联混合带阻滤波器200包括彼此并联布置的第一带阻滤波器202和第二带阻滤波器204。第一带阻滤波器202和第二带阻滤波器204被布置为用于对射频信号进行滤波。第一带阻滤波器202是包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件的混合声学无源滤波器。第一非声学无源部件可至少包括电感器和电容器。第二带阻滤波器204是包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件的混合声学无源滤波器。第二非声学无源部件可至少包括电感器和电容器。第一带阻滤波器202具有第一阻带，并且第二带阻滤波器204具有第二阻带。通过包括彼此并联的两个滤波器，相对于包括在并联滤波器中的单独滤波器202或204的两个中的任一个，可以增加并联混合带阻滤波器200的阻带。
混合并联带阻滤波器200具有阻带，该阻带包括第一阻带和第二阻带。混合并联带阻滤波器200的频率响应可在第一阻带与第二阻带之间的其阻带中具有陷波。在图20中还示出并联混合带通滤波器200的标记205。
图21是根据一个实施例的混合并联带阻滤波器210的示意图。混合并联带阻滤波器210是图20的混合并联带阻滤波器200的示例。混合并联带阻滤波器210是声波谐振器和电感器的示例滤波器拓扑。混合并联带阻滤波器210包括在图21中未示出的寄生电容，尽管这些寄生电容是混合并联带阻滤波器210的LC电路的一部分。
如图所示，可通过电感器L2101和L2102将射频信号提供给混合并联带阻滤波器210。混合并联带阻滤波器210包括第一子滤波器212，该第一子滤波器212包括声学谐振器A2101、A2102、A2103、A2104和A2105以及电感器L2103、L2104、L2105、L2106和L2107。混合并联带阻滤波器210还包括第二子滤波器214，该第二子滤波器214包括：声学谐振器A216、A217、A218、A219和A220；电感器L2108、L2109和L2110；以及电容器C2101。混合并联带阻滤波器210的电感器可包括一个或多个SMT电感器和/或基板的一个或多个导电迹线。混合并联带阻滤波器210的声学谐振器可包括一个或多个BAW谐振器，例如一个或多个FBAR。
图22是图21的混合并联带阻滤波器210的频率响应的图表。图22中的频率响应示出采用并联混合声学带阻滤波器210可实现相对宽的阻带。
具有谐波抑制的混合声学LC滤波器
随着5G无线通信技术的发展，新的载波聚合(CA)可以针对滤波器指定更严格的互调失真(IMD)阻斥。为了提供在靠近通带的频率处具有锐利阻斥的CAIMD阻斥兼容滤波器，可以用诸如混合声学LC谐振器这样的混合谐振器来设计声学辅助滤波器，以提供相对低的损耗、宽的通带，并且在靠近通带的频率处还具有相对锐利的阻斥。在施加相对高的功率时，声学谐振器可产生谐波。由表面声学器件或体声学器件产生的谐波可泄漏到更高的频带和/或具有超过标准规范的逸射。
由于声学谐振器滤波器可以以相对高的功率产生谐波，因此无源非声学滤波器可与混合声学LC滤波器级联，以实现混合声学LC滤波器阻斥和抑制谐振器产生的谐波这两者。因此，诸如集成无源器件(IPD)滤波器这样的非声学LC滤波器可与混合声学LC滤波器级联，以实现相对宽的带宽和相对高的阻斥，同时抑制自生谐波。
本文讨论的混合声学LC滤波器和/或多路复用器可包括谐波抑制滤波器，以抑制一个或多个谐波频率。谐波抑制滤波器可以是低通滤波器和/或陷波滤波器。所公开的谐波抑制滤波器包括非声学滤波器。例如，谐波抑制滤波器可以是IPD滤波器。谐波抑制滤波器与混合声学LC滤波器级联。这些级联滤波器可耦接在功率放大器与天线端口之间。例如，谐波抑制滤波器可耦接在天线端口与混合声学LC滤波器之间。
本公开的多个方面涉及具有谐波抑制的混合声学LC滤波器。混合声学LC包括混合无源/声学滤波器以及非声学LC滤波器，该混合无源/声学滤波器被配置为对射频信号进行滤波，该非声学LC滤波器被配置为抑制射频信号的谐波。混合无源/声学滤波器包括多个声学谐振器和非声学无源部件。非声学LC滤波器与混合无源/声学滤波器级联。
非声学LC滤波器可以是陷波滤波器。陷波滤波器的频率响应可具有与射频信号的二次谐波相对应的陷波。陷波滤波器的频率响应可具有与射频信号的三次谐波相对应的陷波。非声学LC滤波器可以是低通滤波器。非声学LC滤波器可包括集成无源器件晶片的集成无源器件。
可根据本文公开的任何混合谐振器的任何适当的原理和有利方面来实现混合无源/声学滤波器。例如，混合无源/声学滤波器可包括图11A的混合谐振器和/或图12的混合谐振器。声学谐振器可包括体波声学谐振器。
具有谐波抑制的混合声学LC滤波器可实现在各种应用中，诸如独立滤波器、在包括被布置为对射频信号进行滤波的多个滤波器的多路复用器中以及在诸如移动电话这样的无线通信设备中。本文讨论的具有谐波抑制的混合声学LC滤波器可在功率放大器模块、分集接收模块或任何其他适当的射频前端模块中实现。
图23A是根据一个实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统包括滤波器230，该滤波器230包括与低通滤波器233级联的混合声学LC滤波器232。射频系统还包括功率放大器231和天线234。如图所示，混合声学LC滤波器232可接收来自功率放大器231的射频信号。来自功率放大器231的射频信号可具有相对高的功率。混合声学LC滤波器232的声学谐振器可产生一个或多个谐波。低通滤波器233可滤掉这样的谐波。因此，滤波器230是具有谐波抑制的混合声学LC滤波器。如图所示，低通滤波器233耦接在混合声学LC滤波器232的输出与天线234之间。天线234可发射由功率放大器231提供的射频信号的经滤波的版本。
混合声学LC滤波器232可包括声学谐振器和非声学无源部件。声学谐振器可包括诸如FBAR这样的一个或多个体声波谐振器、一个或多个SAW谐振器、一个或多个边界波谐振器、一个或多个兰姆波谐振器等或其任何适当的组合。混合声学LC滤波器232可包括LC电路，该LC电路包括一个或多个电感器和一个或多个电容器。一个或多个电容器可包括一个或多个IPD电容器、一个或多个表面安装电容器、一个或多个寄生电容器等或其任何适当的组合。一个或多个电感器可包括一个或多个IPD电感器、一个或多个表面安装导体、被实现为封装基板的导电迹线的一个或多个电感器等或其任何适当的组合。混合声学LC滤波器232可根据本文公开的混合声学LC滤波器的任何适当的原理和有利方面来实现。在一些实例中，混合声学LC滤波器232可包括图11A的混合谐振器110。在某些应用中，混合声学LC滤波器232可包括图12的混合梯形结构120。
在某些应用中，混合声学LC滤波器232可具有从3.3GHz至4.2GHz的通带。根据一些其他应用，混合声学LC滤波器232可具有从4.4GHz至5GHz的通带。在各种实施例中，混合声学LC滤波器232可以对(a)载波聚合发射阻断器(blocker)和(b)连续波带外阻断器提供阻斥。
低通滤波器233可使低于截止频率的信号通过并且抑制高于截止频率的信号。因此，可选择低通滤波器233的截止频率，以便使来自混合声学LC滤波器232的射频信号通过，并抑制射频信号的一个或多个谐波。例如，截止频率可以被设置为高于射频信号的频率并低于射频信号的二次谐波的频率。在某些实施例中，混合声学LC滤波器232是带通滤波器，并且低通滤波器233的截止频率高于带通滤波器的通带并低于被带通滤波器通过的射频信号的二次谐波。
低通滤波器233可以是非声学LC滤波器。低通滤波器233可包括一个或多个电容器以及一个或多个电感器。低通滤波器233可包括一个或多个IPD、一个或多个表面安装无源部件、封装基板的一个或多个无源部件(诸如在封装基板上的一个或多个电感迹线)等或其任何适当的组合。将参考图24A和24B讨论用于低通滤波器233的示例电路拓扑。
图23B是根据一个实施例的射频系统的示意性框图，该射频系统包括滤波器235，该滤波器235包括与谐波陷波滤波器236级联的混合声学LC滤波器232。除了图23A的滤波器230被图23B中的滤波器235代替以外，图23B的射频系统与图23A的射频系统相同。除了代替来自图23A的滤波器230的低通滤波器233而包括谐波陷波滤波器236以外，滤波器235与图23A的滤波器230相同。如图所示，谐波陷波滤波器236耦接在混合声学LC滤波器232的输出与天线234之间。
谐波陷波滤波器236可在其频率响应中具有一个或多个陷波，以滤掉来自混合声学LC滤波器232的射频信号的一个或多个对应的谐波。由混合声学谐振器LC滤波器232的声学谐振器产生的二次谐波可以是最明显的谐波。因此，谐波陷波滤波器236可以是在其频率响应中在二次谐波处具有陷波的二次谐波陷波滤波器。谐波陷波滤波器236可在一个或多个其他谐波处具有陷波。在某些实施例中，与混合声学LC滤波器232级联的谐波陷波滤波器可以在任何适当的谐波处具有两个或更多个陷波。作为示例，谐波陷波滤波器可在二次谐波和三次谐波处具有陷波。利用由混合声学LC滤波器232提供的射频信号的谐波处的陷波，谐波陷波滤波器236可抑制由混合声学LC滤波器232的声学谐振器产生的谐波。
谐波陷波滤波器236可以是非声学LC滤波器，该非声学LC滤波器包括一个或多个电容器和一个或多个电感器。谐波陷波滤波器236可包括一个或多个IPD、一个或多个表面安装无源部件、封装基板的一个或多个无源部件，例如在封装基板上的一个或多个电感迹线，等或其任何适当的组合。将参考图24C和24D讨论用于谐波陷波滤波器236和/或其他适当的谐波陷波滤波器的示例电路拓扑。
图24A是示例低通滤波器240的示意图。低通滤波器240是图23A的低通滤波器233的示例。低通滤波器240包括被布置为滤掉高于截止频率的频率的串联电感器L1和分流电容器C1。串联电感器L1的电感和分流电容器C1的电容可一起设置低通滤波器240中的截止频率。
图24B是另一示例低通滤波器242的示意图。低通滤波器242是图23A的低通滤波器233的示例。低通滤波器242包括串联电感器L1至LN和分流电容器C1至CN。串联电感器L1至LN的电感和分流电容器C1至CN的电容可一起设置低通滤波器242中的截止频率。
图24C是示例谐波陷波滤波器243的示意图。谐波陷波滤波器243是图23B的谐波陷波滤波器236的示例。谐波陷波滤波器243包括分流串联LC电路。分流串联LC电路的电感器Ls和电容器C1可设置陷波的频率。电感器Ls和电容器C1的不同阻抗可一起在不同的对应频率处产生陷波。可以在任何适当的谐波频率处提供陷波。例如，可将陷波设置为被提供给谐波陷波滤波器243的射频信号的二次谐波。作为另一个示例，可将陷波设置为被提供给谐波陷波滤波器243的射频信号的三次谐波。
图24D是示例谐波陷波滤波器244的示意图。谐波陷波滤波器244是图23B的谐波陷波滤波器236的示例。谐波陷波滤波器244包括两个分流串联LC电路。第一分流串联LC电路包括电容器C1和电感器Ls1。第二分流串联LC电路包括电容器C2和电感器Ls2。两个分流串联LC电路可提供在诸如二次谐波和三次谐波这样的不同谐波处的陷波。因此，所示的谐波陷波滤波器244可在两个不同的谐波处提供陷波。每个分流串联LC的阻抗可设置每个陷波的相应频率。其他谐波陷波滤波器可提供三个或更多谐波处的陷波。
图24E是示例谐波陷波和低通滤波器245的示意图。谐波陷波和低通滤波器245可提供低通滤波器，该低通滤波器还包括在频率响应中在谐波处的陷波。分流串联LC电路可提供谐波陷波。分流串联LC电路包括电容器C1和电感器Ls。串联电感器L1连同分流电容器C2一起可提供低通滤波器特性。
本文讨论的具有谐波抑制的混合声学LC滤波器可在多路复用器中实现，该多路复用器包括在公共节点处耦接在一起的多个射频滤波器。示例多路复用器包括双工器、三工器、四工器等。任何适当数量的滤波器可在多路复用器中的公共节点处耦接在一起。多个滤波器可通过多掷射频开关在公共节点处耦接在一起，以实现开关复用功能。将参考图25A至25B描述包括具有谐波抑制的混合声学LC滤波器的一些示例多路复用器。虽然在这些示例实施例中多路复用器是三工器，但是与这些实施例相关联的原理和有利方面可应用于任何其他适当的多路复用器。其他适当的多路复用器包括双工器、四工器等。
图25A是根据一个实施例的三工器250的示意性框图，该三工器250包括与低通滤波器233级联的混合声学LC滤波器232。三工器250包括图23A的滤波器230、高频带滤波器252和低频带滤波器254。滤波器230、高频带滤波器252和低频带滤波器254在公共节点处耦接在一起，该公共节点是三工器250中的天线节点。滤波器230是三工器250中的中频带滤波器。高频带滤波器252可以是带通滤波器或高通滤波器。高频带滤波器252被布置为对高频带射频信号进行滤波。高频带滤波器252可以是根据本文讨论的任何适当的原理和有利方面实现的混合声学LC滤波器。作为一个示例，高频带滤波器可包括并联混合声学无源滤波器。在一些其他实施例中，高频带滤波器252可由任何其他适当的电路元件(例如非声学LC电路元件)来实现。低频带滤波器254可以是低通滤波器或带通滤波器。低频带滤波器254被布置为对低频带射频信号进行滤波。低频带滤波器254可以是根据本文讨论的任何适当的原理和有利方面实现的混合声学LC滤波器。在一些其他实施例中，低频带滤波器254可由任何其他适当的电路元件(例如非声学LC电路元件)来实现。
图25B是根据一个实施例的三工器255的示意性框图，该三工器255包括与谐波陷波滤波器236级联的混合声学LC滤波器232。除了代替滤波器230而包括滤波器235以外，三工器255与图25A的三工器250相同。滤波器235包括谐波陷波滤波器236，谐波陷波滤波器236被被布置为抑制由混合声学LC滤波器232提供的射频信号中的谐波。在一些应用中，谐波陷波滤波器236可以对两个或更多个谐波提供陷波。在某些实施例中，多路复用器的滤波器可包括与低通和谐波陷波滤波器级联的混合声学LC滤波器。
射频模块
本文公开的滤波器可以在各种封装模块中实现。现在将公开一些示例封装模块，其中可实现本文公开的滤波器和/或多路复用器的任何适当的原理和有利方面。示例封装模块可包括封闭所示电路元件的封装。包括射频部件的模块可称为射频模块。所示电路元件可部署在公共封装基板上。例如，封装基板可以是层压基板。图26至图28是根据某些实施例的示例性封装模块的示意性框图。可以相互实现这些封装模块的特征的任何适当的组合。虽然在图26至图28的示例封装模块中示出了滤波器，但是任何这样的滤波器都可以在适当的多路复用器中实现。
图26是根据一个实施例的射频模块260的示意图，该射频模块260具有包括滤波器262的发射路径。所示模块260包括滤波器262、功率放大器263和射频开关264。包括功率放大器的射频模块可称为功率放大器模块。功率放大器263可放大射频信号。射频开关264可以是多掷射频开关。射频开关264可将功率放大器263的输出电耦接到滤波器262。滤波器262是被布置为对发射射频信号进行滤波的发射滤波器。滤波器262可包括本文公开的滤波器的特征的任何适当的组合。在一些其他实例中，射频开关可将发射信号路径选择性地电连接到功率放大器263的输入。
图27是根据一个实施例的射频模块270的示意图，该射频模块270具有包括滤波器272的接收路径。所示模块270包括滤波器272、低噪声放大器274和射频开关274。滤波器272是被布置为对所接收的射频信号进行滤波的接收滤波器。滤波器272可包括本文公开的滤波器的特征的任何适当的组合。低噪声放大器274可放大由滤波器272提供的经滤波的所接收的射频信号。射频开关274可将低噪声放大器274的输出电耦接到接收路径。在某些实施例中，射频开关276可以是多掷射频开关，其被布置为将低噪声放大器274的输出选择性地电耦接到一个或多个所选择的接收路径。在这样的实施例中，射频分离器(未示出)可以耦接在低噪声放大器274与射频开关276之间。
图28是根据一个实施例的射频模块280的示意图，该射频模块280包括滤波器282。所示模块280包括一个或多个滤波器282、射频开关284、功率放大器263和低噪声放大器274。一个或多个滤波器282可包括本文公开的滤波器的特征的任何适当的组合。射频开关284可将一个或多个滤波器282电耦接到功率放大器263和/或低噪声放大器274。
无线通信设备
本文讨论的滤波器可对无线通信设备中的射频信号进行滤波。将参考图29和图30来讨论示例无线通信设备。
图29是根据一个实施例的无线通信设备290的示意图，该无线通信设备290包括射频前端292中的滤波器293。无线通信设备290可以是任何适当的无线通信设备。例如，无线通信设备290可以是诸如智能电话这样的移动电话。如图所示，无线通信设备290包括天线291、包括滤波器293的RF前端292、收发器294、处理器295、存储器296和用户接口297。天线291可发射由RF前端292提供的RF信号。这样的RF信号可包括载波聚合信号。天线291可将所接收的RF信号提供给RF前端292以进行处理。这样的RF信号可包括载波聚合信号。
RF前端292可包括一个或多个功率放大器、一个或多个低噪声放大器、RF开关、接收滤波器、发射滤波器、双工滤波器、多路复用器、频率多路复用电路或其任何组合。RF前端292可发射和接收与任何适当的通信标准相关联的RF信号。滤波器293可根据本文讨论的滤波器的任何适当的原理和有利方面来实现。例如，滤波器293可实现参考图1至图25B中的任何一个所讨论的特征的任何适当的组合。RF前端292的两个或更多个滤波器可根据本文公开的任何适当的原理和有利方面来实现。
收发器294可向RF前端292提供RF信号以便于放大和/或其他处理。收发器294还可处理由RF前端292的低噪声放大器提供的RF信号。收发器294与处理器295通信。处理器295可以是基带处理器。处理器295可以对无线通信设备290提供任何适当的基带处理功能。存储器296可由处理器295存取。存储器296可存储无线通信设备290的任何适当的数据。处理器295也与用户接口297通信。用户接口297可以是任何适当的用户接口，例如显示器。
图30是根据一个实施例的无线通信设备300的示意图，该无线通信设备300包括射频前端292中的滤波器293和分集接收模块302中的第二滤波器303。除了无线通信设备300还包括分集接收特征之外，无线通信设备300与图29的无线通信设备290相同。如图30所示，无线通信设备300包括分集天线301、分集模块302和收发器304，分集模块302被配置为处理由分集天线301接收的信号并且包括滤波器303，收发器304与射频前端292和分集接收模块302两者通信。可根据本文所讨论的滤波器的任何适当的原理和有利方面来实现滤波器303。例如，滤波器303可以实现参考图1至图25B中的任何一个所讨论的特征的任何适当的组合。分集接收模块302的两个或更多个滤波器可根据本文公开的任何适当的原理和有利方面来实现。
结论
本文讨论的任何原理和有利方面可应用于其他适当的系统、模块、芯片、滤波器组件、滤波器、无线通信设备和方法，而非仅适用于上述的系统、模块、芯片、滤波器组件、滤波器、无线和方法。可以组合上述各种实施例的元件和操作以提供另外的实施例。本文讨论的任何原理和有利方面可与如下射频电路相关联地实现，这些射频电路被配置为处理频率在从约30kHz至300GHz的范围内的频率(例如在从约450MHz至8.5GHz的范围内的频率)的信号。
本公开的多个方面可在各种电子设备中实现。电子设备的示例可包括但不限于消费电子产品、诸如芯片和/或封装的射频模块这样的消费电子产品的部件、电子测试设备、上行链路无线通信设备、个人区域网通信设备等。消费电子产品的示例可包括但不限于诸如智能电话这样的移动电话、诸如智能手表或耳机这样的可穿戴计算设备、电话、电视、计算机监视器、计算机、路由器、调制解调器、手持式计算机、膝上型计算机、平板计算机、个人数字助理(personal digital assistant、PDA)、诸如汽车电子系统这样的车载电子系统、微波炉、冰箱、立体声系统、数字音乐播放器、诸如数码相机这样的相机、便携式存储器芯片、家用电器等。此外，电子设备可包括未完成的产品。
除非另有说明或以其他方式理解的，否则本文使用的条件语言诸如“可”、“可以”、“可能”、“能够”、“例如”、“如”、“诸如”等在所使用的上下文中通常旨在表达某些实施例包括、而其他实施例不包括某些特征、元件和/或状态。在本文中一般所使用的词语“耦接”涉及可以直接连接或者通过一个或多个中间元件连接的两个或多个元件。同样，在本文中一般使用的词语“连接”涉及可以直接连接或者通过一个或多个中间元件连接的两个或多个元件。另外，词句“在本文中”、“在上文”、“在下文”以及类似意思的措词在本申请中使用时应当涉及本申请的整体而不是本申请的任何特定部分。在上下文允许时，在上述具体实施方式中使用单数或复数的词语也可以分别包括复数或单数。关于在提及两个或多个项目的列表时的词语“或”，该词语涵盖关于该词语的以下解释的全部：列表中的任何项目；列表中的所有项目；以及列表中的项目的任何组合。
虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅作为示例呈现，并且不旨在限制本申请的范围。实际上，本文描述的新颖器件、滤波器、滤波器组件、芯片、方法、装置和系统可以以各种其他形式实施。而且，在不脱离本申请的精神的情况下，可以对本文描述的方法，装置和系统的形式进行各种省略，替换和改变。例如，可以删除、移动、添加、细分、组合和/或修改本文描述的电路块。这些电路块中的每一个可以以各种不同的方式实现。所附权利要求及其等同物旨在涵盖落入本申请的范围和精神内的任何这样的形式或修改。

Claims (41)

1.一种并联混合声学无源滤波器，包括：
第一子滤波器，其包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件；以及
与所述第一子滤波器并联耦接的第二子滤波器，所述第二子滤波器包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件，并且所述第一子滤波器和所述第二子滤波器被一起布置为对射频信号进行滤波。
2.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述第一子滤波器和所述第二子滤波器被一起布置为具有通带的带通滤波器。
3.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述并联混合声学无源滤波器的频率响应具有对应于所述第一子滤波器的第一子通带、对应于所述第二子滤波器的第二子通带以及在所述第一子通带与所述第二子通带之间的陷波频率处的陷波。
4.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述第一子滤波器和所述第二子滤波器被一起布置为具有阻带的带阻滤波器。
5.根据权利要求4所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述带阻滤波器在所述阻带中具有陷波。
6.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述第一子滤波器包括多个体声波谐振器，所述多个体声波谐振器包括声学谐振器。
7.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述第一非声学无源部件包括第一电感器和第二电感器，所述第一电感器与声学谐振器并联，并且所述声学谐振器被布置为与所述第二电感器串联的分流谐振器。
8.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述第一子滤波器还包括附加声学谐振器，所述第一声学谐振器和所述附加声学谐振器是分流谐振器，并且所述第一非声学无源部件包括电容器和电感器，所述电容器和电感器被布置为耦接在所述第一声学谐振器与所述附加声学谐振器之间的LC槽。
9.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述第二非声学无源部件包括集成无源器件。
10.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述第一子滤波器和所述第二子滤波器具有不同的通带。
11.根据权利要求1所述的并联混合声学无源滤波器，其中，所述并联混合声学无源滤波器的通带的下限为至少2千兆赫兹。
12.一种具有并联混合声学无源滤波器的多路复用器，所述多路复用器包括：
第一滤波器，其耦接到公共节点并且被配置为对射频信号进行滤波，所述第一滤波器包括第一子滤波器，所述第一子滤波器与第二子滤波器并联，所述第一子滤波器包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件，并且所述第二子滤波器包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件；以及
第二滤波器，其耦接到所述公共节点。
13.根据权利要求12所述的多路复用器，其中，所述第一滤波器是带通滤波器。
14.根据权利要求13所述的多路复用器，其中，所述第一滤波器的频率响应具有对应于所述第一子滤波器的第一子通带、对应于所述第二子滤波器的第二子通带以及在所述第一子通带与所述第二子通带之间的陷波频率处的陷波。
15.根据权利要求13所述的多路复用器，其中，第二滤波器是带阻滤波器。
16.根据权利要求12所述的多路复用器，其中，所述第一滤波器是带阻滤波器，所述带阻滤波器具有阻带和在所述阻带中的陷波。
17.根据权利要求12所述的多路复用器，其中，所述第二滤波器包括另一声学谐振器和另一非声学无源部件。
18.根据权利要求12所述的多路复用器，其中，所述第一滤波器具有第一通带，所述第二滤波器具有第二通带，所述第一通带具有在比所述第二通带的上边缘更高的频率处的下边缘。
19.根据权利要求12所述的多路复用器，还包含耦接到所述公共节点的第三滤波器。
20.根据权利要求12所述的多路复用器，还包含在所述第一滤波器与所述公共节点之间串联的共享滤波器，所述共享滤波器还串联在所述第二滤波器与所述公共节点之间。
21.根据权利要求20所述的多路复用器，其中，所述共享滤波器是高通滤波器。
22.一种无线通信设备，包括：
射频前端，所述射频前端包括滤波器，所述滤波器被配置为对射频信号进行滤波，所述滤波器包括第一子滤波器，所述第一子滤波器与第二子滤波器并联，所述第一子滤波器包括第一声学谐振器和第一非声学无源部件，并且所述第二子滤波器包括第二声学谐振器和第二非声学无源部件；以及
与所述射频前端通信的天线。
23.一种具有混合声学无源滤波器的多路复用器，所述多路复用器包括：
多个滤波器，其被配置为对相应的射频信号进行滤波，所述多个滤波器中的每个滤波器具有不同的通带，并且所述多个滤波器中的至少第一滤波器包括多个声学谐振器和非声学无源部件；
共享滤波器，其耦接在所述多个滤波器中的每个滤波器与公共节点之间；以及
耦接到所述公共节点的射频滤波器。
24.根据权利要求23所述的多路复用器，其中，所述多个滤波器包括第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器。
25.根据权利要求24所述的多路复用器，其中，所述第一滤波器是具有第一通带的第一带通滤波器，并且所述第二滤波器是具有第二通带的第二带通滤波器。
26.根据权利要求25所述的多路复用器，其中，所述第三滤波器是带阻滤波器，所述带阻滤波器具有包括所述第一通带和所述第二通带的阻带。
27.根据权利要求23所述的多路复用器，其中，所述共享滤波器是高通滤波器。
28.根据权利要求27所述的多路复用器，其中，所述射频滤波器是低通滤波器。
29.根据权利要求23所述的多路复用器，其中，所述共享滤波器是非声学LC滤波器。
30.根据权利要求23所述的多路复用器，其中，所述共享滤波器包括多个第二声学谐振器和LC部件。
31.根据权利要求23所述的多路复用器，其中，所述非声学无源部件包括与所述多个声学谐振器中的第一声学谐振器并联布置的电感器。
32.根据权利要求23所述的多路复用器，其中，所述声学谐振器实施在声学谐振器晶片上，并且所述非声学无源部件包括在所述声学谐振器晶片外部的电感器和在所述声学谐振器晶片外部的电容器。
33.根据权利要求23所述的多路复用器，其中，所述多个滤波器中的第二滤波器包括多个第二声学谐振器和第二非声学无源部件。
34.根据权利要求33所述的多路复用器，其中，所述第一滤波器具有第一通带，并且所述第二滤波器具有第二通带，并且所述第一通带和所述第二通带两者都在从2千兆赫兹至5千兆赫兹的频率范围内。
35.根据权利要求33所述的多路复用器，其中，所述第一滤波器具有第一通带，并且所述第二滤波器具有第二通带，并且所述第一通带和所述第二通带两者都在从2千兆赫兹至3千兆赫兹的频率范围内。
36.根据权利要求23所述的多路复用器，其中，所述多路复用器被布置为四工器。
37.一种无线通信设备，包括：
天线；以及
与所述天线通信的多路复用器，所述多路复用器包括被配置为对各个射频信号进行滤波的多个滤波器、耦接在所述多个滤波器的每一个与公共节点中之间的共享滤波器以及耦接到所述公共节点的射频滤波器，所述多个滤波器包括第一滤波器，所述第一滤波器包括多个声学谐振器和非声学无源部件。
38.根据权利要求37所述的无线通信设备，其中，所述多个滤波器中的第二滤波器包括多个第二声学谐振器和第二非声学无源部件。
39.根据权利要求38所述的无线通信设备，其中，所述无线通信设备被配置为支持在所述公共节点处的载波聚合，所述载波聚合包括第一载波和第二载波，所述第一载波在所述第一滤波器的第一通带内，并且所述第二载波在所述第一通带和所述第二滤波器的第二通带之外。
40.一种具有混合声学无源滤波器的多路复用器，所述多路复用器包括：
多个滤波器，其包括具有不同射频通带的第一滤波器和第二滤波器，所述第一滤波器包括多个第一声学谐振器和第一LC电路，并且所述第二滤波器包括多个第二声学谐振器和第二LC电路；
共享高通滤波器，其耦接在所述多个滤波器中的每一个与公共节点之间；以及
低通滤波器，其耦接到所述公共节点。
41.根据权利要求40所述的多路复用器，其中，所述多个滤波器还包括带阻滤波器，所述带阻滤波器具有阻带，所述阻带包括所述第一滤波器和所述第二滤波器的通带。
CN201910649842.2A 2018-07-18 2019-07-18 并联混合声学无源滤波器 Pending CN110739926A (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862700148P 2018-07-18 2018-07-18
US201862700142P 2018-07-18 2018-07-18
US201862700146P 2018-07-18 2018-07-18
US62/700,142 2018-07-18
US62/700,148 2018-07-18
US62/700,146 2018-07-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110739926A true CN110739926A (zh) 2020-01-31

Family

ID=67839751

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910649842.2A Pending CN110739926A (zh) 2018-07-18 2019-07-18 并联混合声学无源滤波器
CN201910650014.0A Pending CN110739927A (zh) 2018-07-18 2019-07-18 具有谐波抑制的混合声学电感电容滤波器
CN201910649705.9A Pending CN110739932A (zh) 2018-07-18 2019-07-18 与电感电容滤波器级联的混合声学电感电容滤波器

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910650014.0A Pending CN110739927A (zh) 2018-07-18 2019-07-18 具有谐波抑制的混合声学电感电容滤波器
CN201910649705.9A Pending CN110739932A (zh) 2018-07-18 2019-07-18 与电感电容滤波器级联的混合声学电感电容滤波器

Country Status (8)

Country Link
US (10) US11791793B2 (zh)
JP (4) JP7234062B2 (zh)
KR (3) KR20200010095A (zh)
CN (3) CN110739926A (zh)
DE (3) DE102019210496A1 (zh)
GB (6) GB2577362B (zh)
SG (3) SG10201906636YA (zh)
TW (4) TWI834692B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111211752A (zh) * 2020-02-26 2020-05-29 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器及其制造方法、多工器和通信设备

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11063576B2 (en) * 2016-03-11 2021-07-13 Akoustis, Inc. Front end module for 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
SG10201902753RA (en) * 2018-04-12 2019-11-28 Skyworks Solutions Inc Filter Including Two Types Of Acoustic Wave Resonators
US20220321099A1 (en) * 2021-04-02 2022-10-06 Resonant Inc. Tiled transversely-excited film bulk acoustic resonator high power filters
TWI834692B (zh) 2018-07-18 2024-03-11 美商天工方案公司 具有諧波抑制的混合式聲音諧振（lc）濾波器
JP6885376B2 (ja) * 2018-08-10 2021-06-16 株式会社村田製作所 フィルタおよびマルチプレクサ
US11245432B2 (en) 2019-03-06 2022-02-08 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency device with integrated antenna tuner and multiplexer
CN113557671B (zh) * 2019-03-13 2022-12-30 株式会社村田制作所 多工器、高频模块以及通信装置
WO2020202891A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP7352855B2 (ja) * 2019-08-21 2023-09-29 株式会社村田製作所 分波器
JP2021175031A (ja) 2020-04-21 2021-11-01 株式会社村田製作所 高周波信号送受信回路
DE112020000169T5 (de) * 2020-05-12 2022-06-23 Anhui Anuki Technologies Co., Ltd. Bandpassfilterschaltung und multiplexer
US11476834B2 (en) 2020-10-05 2022-10-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors
US11728784B2 (en) 2020-10-05 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters
US11658639B2 (en) 2020-10-05 2023-05-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband
CN112511126B (zh) * 2020-10-30 2022-03-15 诺思(天津)微系统有限责任公司 多工器和改善多工器隔离度的方法以及通信设备
US11496113B2 (en) 2020-11-13 2022-11-08 Resonant Inc. XBAR devices with excess piezoelectric material removed
US20220200645A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Skyworks Solutions, Inc. Stacked resonator based antennaplexer
WO2022164496A1 (en) * 2021-01-29 2022-08-04 Skyworks Solutions, Inc. Method of testing acoustic wave devices
US11923827B2 (en) * 2021-02-23 2024-03-05 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave resonator stacked onto an integrated passive device
CN117099305A (zh) * 2021-03-31 2023-11-21 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN117136497A (zh) * 2021-03-31 2023-11-28 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
WO2022231866A1 (en) * 2021-04-27 2022-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors
WO2022231865A1 (en) * 2021-04-27 2022-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband
CN117642981A (zh) * 2021-07-16 2024-03-01 株式会社村田制作所 高频电路和通信装置
US20230074812A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-09 Skyworks Solutions, Inc. Out-of-band rejection for acoustic-wave filters
US20230198504A1 (en) * 2021-12-17 2023-06-22 Qorvo Us, Inc. Resonator-assisted lc filter exhibiting high-pass and bandpass behavior
WO2023177581A1 (en) * 2022-03-17 2023-09-21 Northrop Grumman Systems Corporation Acoustic resonator filter bank system
CN114531171B (zh) * 2022-04-24 2022-07-05 安徽矽磊电子科技有限公司 一种内嵌滤波器的射频前端电路
KR20240074207A (ko) * 2022-11-21 2024-05-28 삼성전기주식회사 대역 통과 필터 및 이를 포함하는 수신기 모듈
CN116599493A (zh) * 2023-03-17 2023-08-15 安徽安努奇科技有限公司 一种低通滤波器、带通滤波器及复用器

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5575310A (en) * 1986-03-04 1996-11-19 Deka Products Limited Partnership Flow control system with volume-measuring system using a resonatable mass
JPH09121138A (ja) * 1995-08-24 1997-05-06 Fujitsu Ltd フィルタ装置及びこれを用いた無線装置
JP3478264B2 (ja) 2000-03-10 2003-12-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3920620B2 (ja) 2001-10-22 2007-05-30 日本特殊陶業株式会社 アンテナスイッチモジュール
JP4170865B2 (ja) * 2002-09-18 2008-10-22 日本電波工業株式会社 Ｓａｗフィルタ
JP3972810B2 (ja) 2002-12-18 2007-09-05 株式会社村田製作所 分波器、および通信機
JP2005123910A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Kyocera Corp 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器
JP4979897B2 (ja) 2005-05-25 2012-07-18 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタおよび弾性波分波器
JP2007036856A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Fujitsu Media Device Kk 共振器、フィルタおよびアンテナ分波器
JP2007074698A (ja) 2005-08-08 2007-03-22 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びラダー型フィルタ
JP5039290B2 (ja) 2005-08-25 2012-10-03 太陽誘電株式会社 フィルタおよびアンテナ分波器
DE102005045372B4 (de) * 2005-09-22 2021-08-19 Snaptrack, Inc. Bauelement mit mindestens einem mit akustischen Wellen arbeitenden Filter
JP5101048B2 (ja) * 2006-06-19 2012-12-19 太陽誘電株式会社 分波器
JP4813984B2 (ja) 2006-06-23 2011-11-09 京セラキンセキ株式会社 ローパスフィルタ
US7592882B2 (en) * 2007-02-22 2009-09-22 John Mezzalingua Associates, Inc. Dual bandstop filter with enhanced upper passband response
JP5081742B2 (ja) * 2007-06-29 2012-11-28 日本電波工業株式会社 アンテナ分波器
JP2010206375A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Ube Ind Ltd 分波器
US8018304B2 (en) * 2009-04-15 2011-09-13 Nortel Networks Limited Device and method for cascading filters of different materials
US8606211B2 (en) * 2009-06-23 2013-12-10 Qualcomm Incorporated High dynamic range receiver front-end with Q-enhancement
US9082622B2 (en) * 2010-02-26 2015-07-14 Littelfuse, Inc. Circuit elements comprising ferroic materials
CN105391421B (zh) 2010-11-09 2018-04-06 天工滤波方案日本有限公司 弹性波装置
US8736399B2 (en) * 2011-04-06 2014-05-27 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Triplexer topology
EP2530835B1 (en) * 2011-05-30 2015-07-22 Harman Becker Automotive Systems GmbH Automatic adjustment of a speed dependent equalizing control system
CN103597744B (zh) * 2011-06-17 2016-09-07 株式会社村田制作所 分波器
GB2496390B (en) * 2011-11-08 2017-06-28 Filtronic Wireless Ltd A filter block and a signal transceiver comprising such a filter block
JP2013197772A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性波フィルタ
CN104221285B (zh) * 2012-04-10 2016-12-21 株式会社村田制作所 梯型弹性表面波滤波器
WO2014064987A1 (ja) 2012-10-24 2014-05-01 株式会社村田製作所 フィルタ装置
CN105556741A (zh) * 2013-09-17 2016-05-04 株式会社村田制作所 高频模块及通信装置
WO2015119177A1 (ja) * 2014-02-10 2015-08-13 株式会社村田製作所 可変フィルタ回路および無線通信装置
JP6629072B2 (ja) * 2014-02-10 2020-01-15 株式会社村田製作所 可変フィルタ回路および無線通信装置
WO2015127097A1 (en) * 2014-02-19 2015-08-27 University Of Southern California Miniature acoustic resonator-based filters and duplexers
US20150295559A1 (en) * 2014-04-09 2015-10-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiplexer using multiple tuned output impedances for reduced harmonic generation
CN106664068B (zh) * 2014-07-25 2019-06-14 株式会社村田制作所 带通滤波器以及滤波器模块
US9819384B2 (en) 2014-10-23 2017-11-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiplexer device with multiple notch filters connected in parallel
CN107112970B (zh) 2014-11-11 2020-08-14 株式会社村田制作所 滤波电路、rf前端电路、以及通信装置
CN107005215B (zh) 2014-12-10 2020-05-29 株式会社村田制作所 可变滤波电路
DE112016000452B4 (de) 2015-01-23 2023-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filtervorrichtung
US9837983B2 (en) * 2015-03-13 2017-12-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic filter device with combined passband
US9742451B2 (en) * 2015-03-30 2017-08-22 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiplexer device with hybrid LC/acoustic filter
US10541713B2 (en) 2015-06-29 2020-01-21 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexers having hybrid circuits with resonators
US9966927B2 (en) 2015-07-03 2018-05-08 Qorvo Us, Inc. Radio frequency filtering circuitry
CN108028635B (zh) 2015-09-09 2021-04-20 株式会社村田制作所 频率可变lc滤波器、高频前端电路
JP6416067B2 (ja) 2015-09-24 2018-10-31 太陽誘電株式会社 モジュール
US9762208B2 (en) * 2015-09-30 2017-09-12 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Very wide bandwidth composite bandpass filter with steep roll-off
US9893713B2 (en) * 2015-09-30 2018-02-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wide bandwidth muliplexer based on LC and acoustic resonator circuits for performing carrier aggregation
JP6668213B2 (ja) * 2015-10-01 2020-03-18 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 分波器と通信機器
JP6743396B2 (ja) * 2016-01-25 2020-08-19 Tdk株式会社 バンドパスフィルタおよび分波器
DE112017001943T5 (de) 2016-04-08 2019-04-25 Resonant Inc. Funkfrequenzfilter, Triplexer hoher Selektivität und Kommunikationsvorrichtung
CN109643984B (zh) 2016-06-21 2023-09-01 诺思(天津)微系统有限责任公司 一种梯形结构宽带压电滤波器
US10284174B2 (en) * 2016-09-15 2019-05-07 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter employing inductive coupling
US10250214B2 (en) * 2016-10-31 2019-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device, multiplexer, radio-frequency front end circuit, and communication device
JP2018078542A (ja) * 2016-10-31 2018-05-17 株式会社村田製作所 フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6798456B2 (ja) 2016-11-25 2020-12-09 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10944379B2 (en) 2016-12-14 2021-03-09 Qualcomm Incorporated Hybrid passive-on-glass (POG) acoustic filter
JP7086592B2 (ja) 2016-12-21 2022-06-20 スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド 過温度保護を備えた無線周波数システム、弾性表面波フィルタ及びパッケージ状モジュール
US10700666B2 (en) 2017-02-08 2020-06-30 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter circuit, multiplexer, and module
CN110476354B (zh) * 2017-03-31 2023-01-13 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信装置
JP6708177B2 (ja) 2017-07-21 2020-06-10 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
CN117060880A (zh) 2017-07-25 2023-11-14 株式会社村田制作所 高频滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置
WO2019065619A1 (ja) 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019064990A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
CN111164889B (zh) 2017-09-29 2023-11-03 株式会社村田制作所 混合滤波器装置以及多路调制器
US10432237B2 (en) * 2017-10-20 2019-10-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multiplexer
CN111279612B (zh) * 2017-10-24 2023-08-22 株式会社村田制作所 高频电路、多工器、高频前端电路以及通信装置
DE102017130924B3 (de) 2017-12-21 2019-05-16 RF360 Europe GmbH Hybridfilter
TWI834692B (zh) 2018-07-18 2024-03-11 美商天工方案公司 具有諧波抑制的混合式聲音諧振（lc）濾波器
KR102586511B1 (ko) 2018-09-07 2023-10-10 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
US20210126619A1 (en) 2019-10-24 2021-04-29 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave filter with different types of resonators
JP2021125775A (ja) 2020-02-04 2021-08-30 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、フロントエンド回路および通信装置
JP2022012383A (ja) 2020-07-01 2022-01-17 株式会社村田製作所 フィルタ装置、マルチプレクサおよび通信装置
US11770115B2 (en) 2020-10-16 2023-09-26 Qualcomm Incorporated Tunable circuit including integrated filter circuit coupled to variable capacitance, and related integrated circuit (IC) packages and fabrication methods
US20220200645A1 (en) 2020-12-18 2022-06-23 Skyworks Solutions, Inc. Stacked resonator based antennaplexer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111211752A (zh) * 2020-02-26 2020-05-29 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器及其制造方法、多工器和通信设备

Also Published As

Publication number Publication date
TWI829722B (zh) 2024-01-21
US20200028489A1 (en) 2020-01-23
GB201910283D0 (en) 2019-09-04
JP2020014205A (ja) 2020-01-23
US20200028479A1 (en) 2020-01-23
US11652462B2 (en) 2023-05-16
TW202011690A (zh) 2020-03-16
GB202215917D0 (en) 2022-12-14
GB202209968D0 (en) 2022-08-24
GB2610689B (en) 2023-05-31
US20200028481A1 (en) 2020-01-23
US10931253B2 (en) 2021-02-23
GB202209973D0 (en) 2022-08-24
TW202423048A (zh) 2024-06-01
GB2613250A (en) 2023-05-31
JP2024119890A (ja) 2024-09-03
TWI834691B (zh) 2024-03-11
GB2577164A (en) 2020-03-18
US20240063770A1 (en) 2024-02-22
JP7234062B2 (ja) 2023-03-07
US20200028493A1 (en) 2020-01-23
TWI834692B (zh) 2024-03-11
JP2020014204A (ja) 2020-01-23
TW202015333A (zh) 2020-04-16
US11502662B2 (en) 2022-11-15
US11799439B2 (en) 2023-10-24
US20220123708A1 (en) 2022-04-21
GB2577360B (en) 2023-05-03
GB201910287D0 (en) 2019-09-04
US20200028492A1 (en) 2020-01-23
GB2577362A (en) 2020-03-25
KR20200010094A (ko) 2020-01-30
DE102019210495A1 (de) 2020-01-23
CN110739927A (zh) 2020-01-31
KR20200010093A (ko) 2020-01-30
SG10201906635PA (en) 2020-02-27
GB201910293D0 (en) 2019-09-04
US20210119598A1 (en) 2021-04-22
US20240088862A1 (en) 2024-03-14
GB2613250B (en) 2023-11-01
CN110739932A (zh) 2020-01-31
DE102019210493A1 (de) 2020-01-23
GB2610690B (en) 2023-06-07
GB2577360A (en) 2020-03-25
GB2610689A (en) 2023-03-15
GB2577164B (en) 2023-05-03
US20230283254A1 (en) 2023-09-07
US11791793B2 (en) 2023-10-17
JP2020014206A (ja) 2020-01-23
KR20200010095A (ko) 2020-01-30
SG10201906636YA (en) 2020-02-27
SG10201906624PA (en) 2020-02-27
DE102019210496A1 (de) 2020-01-23
GB2610690A (en) 2023-03-15
GB2577362B (en) 2023-05-03
TW202023188A (zh) 2020-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7234062B2 (ja) 無線周波数フィルタのためのカスケード接続フィルタ回路、及び無線周波数信号をフィルタリングする方法
US11916528B2 (en) Band pass filter
CN110071702B (zh) 一种带通滤波器及双工器
KR20180056234A (ko) 노이즈 억제 특성을 개선한 고주파 스위치 장치
US11601115B2 (en) Electronic RF filter
TW201637377A (zh) 無線通訊裝置與其濾波器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 40023064

Country of ref document: HK

SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination