KR102431544B1 - 고주파 모듈 및 통신장치 - Google Patents

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아키 사토
루이 타나카
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Abstract

(과제) 실장기판의 소형화를 도모한다.
(해결수단) 고주파 모듈(1)은, 실장기판(14)과, 제 1 전력 증폭기(9a)와, 제 2 전력 증폭기(9b)와, 회로부품(IC칩(28))과, 외부 접속단자(218, 219)를 구비한다. 실장기판(14)은 서로 대향하는 제 1 주면(141) 및 제 2 주면(142)을 갖는다. 제 1 전력 증폭기(9a)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 제 2 전력 증폭기(9b)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 회로부품은 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있다. 외부 접속단자(218, 219)는 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 배치되어 있다. 외부 접속단자(218, 219)는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)에 전원전압을 공급하는 전원(제 1 전원(21), 제 2 전원(22))에 접속된다.

Description

고주파 모듈 및 통신장치{RADIO FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION APPARATUS}
본 발명은 일반적으로 고주파 모듈 및 통신장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 2개의 전력 증폭기를 구비하는 고주파 모듈, 및 고주파 모듈을 구비하는 통신장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 전력 증폭 회로(전력 증폭기)를 구비하는 고주파 모듈이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 1에는 고주파 모듈을 구비하는 통신장치가 개시되어 있다.
일본 특허공개 2018-137522호 공보
고주파 모듈에 있어서는, 상술의 전력 증폭 회로 등이 실장되는 실장기판의 소형화가 요구될 경우가 있다.
본 발명의 목적은, 실장기판의 소형화를 도모하는 것이 가능한 고주파 모듈 및 통신장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일양태에 따른 고주파 모듈은, 실장기판과, 제 1 전력 증폭기와, 제 2 전력 증폭기와, 회로부품과, 외부 접속단자를 구비한다. 상기 실장기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는다. 상기 제 1 전력 증폭기는 상기 실장기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있다. 상기 제 2 전력 증폭기는 상기 실장기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있다. 상기 회로부품은 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기와는 다른 부품이며, 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있다. 상기 외부 접속단자는 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있다. 상기 외부 접속단자는 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기에 전원전압을 공급하는 전원에 접속되어 있다. 상기 외부 접속단자는 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기의 양쪽에 접속되어 있다.
본 발명의 일양태에 따른 통신장치는, 상기 고주파 모듈과, 신호처리회로를 구비한다. 상기 신호처리회로는 상기 고주파 모듈에 접속되어 있다.
본 발명의 일양태에 따른 고주파 모듈 및 통신장치는, 실장기판의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태 1에 따른 고주파 모듈을 구비하는 통신장치의 회로 구성도이다.
도 2는 동상의 고주파 모듈의 요부의 회로 구성도이다.
도 3A는 동상의 고주파 모듈에 관한 것으로서, 실드층 및 수지층을 생략한 평면도이다. 도 3B는 동상의 고주파 모듈에 관한 것으로서, 실장기판의 제 2 주면과, 실장기판의 제 2 주면에 배치된 회로부품 및 복수의 외부 접속단자를 실장기판의 제 1 주면측에서 투시한 평면도이다.
도 4는 동상의 고주파 모듈에 관한 것으로서, 도 3A의 A1-A1선 단면도이다.
도 5는 동상의 고주파 모듈에 관한 것으로서, 도 3A의 A2-A2선 단면도이다.
도 6은 실시형태 1의 변형예 1에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 7은 실시형태 2에 따른 고주파 모듈의 요부의 회로 구성도이다.
도 8A는 동상의 고주파 모듈에 관한 것으로서, 실드층 및 수지층을 생략한 평면도이다. 도 8B는 동상의 고주파 모듈에 관한 것으로서, 실장기판의 제 2 주면과, 실장기판의 제 2 주면에 배치된 회로부품 및 복수의 외부 접속단자를 실장기판의 제 1 주면측에서 투시한 평면도이다.
이하의 실시형태 1, 2 등에 있어서 참조하는 도 3A∼도 6, 도 8A 및 도 8B는 모두 모식적인 도면이며, 도면 중의 각 구성요소의 크기나 두께 각각의 비가, 반드시 실제의 치수비를 반영하고 있다고는 할 수 없다.
(실시형태 1)
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 도 3A 및 도 3B에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)과, 제 1 전력 증폭기(9a)와, 제 2 전력 증폭기(9b)와, 회로부품(예를 들면, IC칩(28))과, 외부 접속단자(제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219))를 구비한다. 실장기판(14)은 서로 대향하는 제 1 주면(141) 및 제 2 주면(142)을 갖는다. 제 1 전력 증폭기(9a)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 제 2 전력 증폭기(9b)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 회로부품은 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있다. 외부 접속단자는 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 배치되어 있다. 외부 접속단자는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)에 전원전압을 공급하는 전원(제 1 전원(21) 및 제 2 전원(22))에 접속되어 있다. 외부 접속단자는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 양쪽에 접속되어 있다. 이것에 의해, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 실장기판(14)의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
이하, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신장치(300)에 대해서, 도 1∼도 6을 참조해서 설명한다.
(1) 고주파 모듈 및 통신장치
(1.1) 고주파 모듈 및 통신장치의 회로구성
우선, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신장치(300)의 회로구성에 대해서, 도 1 및 도 2를 참조해서 설명한다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 예를 들면, 멀티 모드/멀티 밴드 대응의 통신장치(300)에 사용된다. 통신장치(300)는, 예를 들면, 휴대전화(예를 들면, 스마트폰)이지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면, 웨어러블 단말(예를 들면, 스마트워치)이라도 좋다. 고주파 모듈(1)은, 예를 들면, 4G(제 4 세대 이동통신) 규격, 5G(제 5 세대 이동통신) 규격에 대응 가능한 모듈이다. 4G 규격은, 예를 들면, 3GPP LTE 규격(LTE: Long Term Evolution)이다. 5G 규격은, 예를 들면, 5G NR(New Radio)이다. 고주파 모듈(1)은, 예를 들면, 캐리어 어그리게이션 및 듀얼 커넥티비티에 대응 가능한 모듈이다. 여기에서, 캐리어 어그리게이션 및 듀얼 커넥티비티란, 복수의 주파수 대역의 전파를 동시에 사용하는 통신을 말한다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 4G로 규정되어 있는 주파수 대역의 신호의 통신과, 4G로 규정되어 있는 별도의 주파수 대역의 신호의 통신을 동시에 행한다. 또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 4G로 규정되어 있는 주파수 대역의 신호의 통신과, 5G로 규정되어 있는 주파수 대역의 신호의 통신을 동시에 행한다. 또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 5G로 규정되어 있는 주파수 대역의 신호의 통신과, 5G로 규정되어 있는 별도의 주파수 대역의 신호의 통신을 동시에 행한다. 이하, 캐리어 어그리게이션 또는 듀얼 커넥티비티에 의한 통신을 동시 통신이라고도 한다.
고주파 모듈(1)은, 예를 들면, 신호처리회로(301)로부터 입력된 송신신호(고주파 신호)를 증폭해서 제 1 안테나(310) 및 제 2 안테나(311)에 출력 할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1)은, 제 1 안테나(310) 및 제 2 안테나(311)로부터 입력된 수신신호(고주파 신호)를 증폭해서 신호처리회로(301)에 출력할 수 있게 구성되어 있다. 신호처리회로(301)는 고주파 모듈(1)의 구성요소가 아니라, 고주파 모듈(1)을 구비하는 통신장치(300)의 구성요소이다. 고주파 모듈(1)은, 예를 들면, 통신장치(300)가 구비하는 신호처리회로(301)에 의해 제어된다. 통신장치(300)는 고주파 모듈(1)과 신호처리회로(301)를 구비한다. 통신장치(300)는 제 1 안테나(310) 및 제 2 안테나(311)를 더 구비한다. 통신장치(300)는 고주파 모듈(1)이 실장된 회로기판을 더 구비한다. 회로기판은, 예를 들면, 프린트 배선판이다. 회로기판은 그라운드 전위가 주어지는 그라운드 전극을 갖는다.
신호처리회로(301)는, 예를 들면, RF 신호처리회로(302)와, 베이스밴드 신호처리회로(303)를 포함한다. RF 신호처리회로(302)는, 예를 들면, RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)이며, 고주파 신호에 대한 신호처리를 행한다. RF 신호처리회로(302)는, 예를 들면, 베이스밴드 신호처리회로(303)로부터 출력된 고주파 신호(송신신호)에 대하여 업컨버팅 등의 신호처리를 행하고, 신호처리가 행하여진 고주파 신호를 고주파 모듈(1)에 출력한다. 또한, RF 신호처리회로(302)는, 예를 들면, 고주파 모듈(1)로부터 출력된 고주파 신호(수신신호)에 대하여 다운컨버팅 등의 신호처리를 행하고, 신호처리가 행하여진 고주파 신호를 베이스밴드 신호처리회로(303)에 출력한다.
베이스밴드 신호처리회로(303)는, 예를 들면, BBIC(Baseband Integrated Circuit)이다. 베이스밴드 신호처리회로(303)는 베이스밴드 신호로부터 I상 신호 및 Q상 신호를 생성한다. 베이스밴드 신호는, 예를 들면, 외부로부터 입력되는 음성 신호, 화상 신호 등이다. 베이스밴드 신호처리회로(303)는, I상 신호와 Q상 신호를 합성함으로써 IQ 변조처리를 행해서 송신신호를 출력한다. 이 때, 송신신호는 소정 주파수의 반송파 신호를, 상기 반송파 신호의 주기보다 긴 주기로 진폭 변조 한 변조 신호(IQ 신호)로서 생성된다. 베이스밴드 신호처리회로(303)에서 처리된 수신신호는, 예를 들면, 화상 신호로서 화상표시를 위해서, 또는, 음성 신호로서 통화를 위해서 사용된다. 고주파 모듈(1)은 제 1 안테나(310) 및 제 2 안테나(311)와 신호처리회로(301)의 RF 신호처리회로(302) 사이에서 고주파 신호(수신신호, 송신신호)를 전달한다.
고주파 모듈(1)은 복수(도시예에서는 2개)의 전력 증폭기(9)와, 저잡음 증폭기(13)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1)은 복수(도시예에서는 3개)의 필터(6)와, 복수(도시예에서는 2개)의 저역통과필터(3A, 3B)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1)은 복수(도시예에서는 2개)의 출력 정합회로(8)와, 입력 정합회로(12)와, 복수(도시예에서는 3개)의 정합회로(5)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1)은 제 1 스위치(4)와, 제 2 스위치(7)와, 제 3 스위치(11)와, 복수(도시예에서는 2개)의 제 4 스위치(10)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1)은 컨트롤러(20)를 구비한다.
또한, 고주파 모듈(1)은 복수의 외부 접속단자(210)를 구비한다. 복수의 외부 접속단자(210)는 복수(도시예에서는 2개)의 안테나 단자(2A, 2B)와, 복수(도시예에서는 2개)의 제 1 신호입력단자(212, 214)와, 복수(도시예에서는 2개)의 제 2 신호입력단자(213, 215)와, 제어단자(216)와, 신호출력단자(217)와, 복수의 그라운드 단자(211)(도 3B 및 도 4 참조)를 포함한다. 또한, 복수의 외부 접속단자(210)는 복수의 전원단자(218, 219)를 더 포함한다. 복수의 그라운드 단자(211)는 통신장치(300)가 구비하는 상술의 회로기판의 그라운드 전극과 전기적으로 접속되어서 그라운드 전위가 주어지는 단자이다.
이하의 설명에 있어서, 복수의 저역통과필터(3A, 3B)를 구별할 필요가 있을 경우에는, 복수의 저역통과필터(3A, 3B)의 각각을 제 1 저역통과필터(3A), 제 2 저역통과필터(3B)라고 칭한다. 또한, 복수의 정합회로(5)를 구별할 필요가 있을 경우에는, 복수의 정합회로(5)의 각각을 제 1 정합회로(5a), 제 2 정합회로(5b), 제 3 정합회로(5c)라고 칭한다. 또한, 복수의 필터(6)를 구별할 필요가 있을 경우에는, 복수의 필터(6)의 각각을 제 1 필터(6a), 제 2 필터(6b), 제 3 필터(6c)라고 칭한다. 또한, 복수의 출력 정합회로(8)를 구별할 필요가 있을 경우에는, 복수의 출력 정합회로(8)의 각각을 제 1 출력 정합회로(8a), 제 2 출력 정합회로(8b)라고 칭한다. 또한, 복수의 전력 증폭기(9)를 구별할 필요가 있을 경우에는, 복수의 전력 증폭기(9)의 각각을 제 1 전력 증폭기(9a), 제 2 전력 증폭기(9b)라고 칭한다. 또한, 복수의 제 4 스위치(10)를 구별할 필요가 있을 경우에는, 복수의 제 4 스위치(10)의 각각을 하이밴드용 제 4 스위치(10a), 미들밴드용 제 4 스위치(10b)라고 칭한다.
제 1 전력 증폭기(9a)는 제 1 입력단자 및 제 1 출력단자를 갖는다. 제 1 전력 증폭기(9a)는 제 1 입력단자에 입력된 제 1 주파수 대역의 송신신호를 증폭해서 제 1 출력단자로부터 출력한다. 제 1 주파수 대역은, 예를 들면, TDD(Time Division Duplex)용의 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 보다 상세하게는, 제 1 주파수 대역은 TDD용의 제 1 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 제 1 통신밴드는 제 1 필터(6a)의 제 1 송신 필터(61)를 지나는 송신신호에 대응하고, 예를 들면, 3GPP LTE 규격의 Band40 또는 Band41 및 5G NR의 n41이다.
제 1 전력 증폭기(9a)의 제 1 입력단자는 하이밴드용 제 4 스위치(10a)를 통해서 2개의 제 1 신호입력단자(212, 214)에 선택적으로 접속된다. 제 1 전력 증폭기(9a)의 제 1 입력단자는 2개의 제 1 신호입력단자(212, 214) 중 어느 하나를 통해서 신호처리회로(301)에 접속된다. 2개의 제 1 신호입력단자(212, 214)는 외부회로(예를 들면, 신호처리회로(301))부터의 고주파 신호(송신신호)를 고주파 모듈(1)에 입력하기 위한 단자이다. 2개의 제 1 신호입력단자(212, 214) 중 한쪽은, 4G 규격에 대응한 송신신호를 고주파 모듈(1)에 입력하기 위한 단자이며, 다른쪽은 5G 규격에 대응한 송신신호를 고주파 모듈(1)에 입력하기 위한 단자이다. 제 1 전력 증폭기(9a)의 제 1 출력단자는 제 1 출력 정합회로(8a)를 통해서 제 2 스위치(7)의 제 1 공통단자(71)에 접속되어 있다. 따라서, 제 1 전력 증폭기(9a)의 제 1 출력단자는 제 2 스위치(7)를 통해서 제 1 필터(6a)에 접속 가능하다.
제 1 전력 증폭기(9a)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 증폭부(91a)와, 제 2 증폭부(92a)를 갖는다. 제 1 증폭부(91a)는, 예를 들면, 드라이버단의 증폭부이다. 제 2 증폭부(92a)는, 예를 들면, 파워단의 증폭부이다. 제 1 증폭부(91a) 및 제 2 증폭부(92a)의 각각은, 예를 들면, 트랜지스터(도시하지 않음)를 포함한다. 제 1 증폭부(91a)는 제 1 전원단자(218)를 통해서 제 1 전원(21)으로부터 전원전압이 공급된다. 또한, 제 2 증폭부(92a)는 제 2 전원단자(219)를 통해서 제 2 전원(22)으로부터 전원전압이 공급된다. 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전원(21) 및 제 2 전원(22)은 고주파 모듈(1)이 실장된 회로기판에 설치되어 있다. 여기에서, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)의 각각이 외부 접속단자이다. 또, 제 1 전원(21)과 제 2 전원(22)은 1모듈이여도 좋고, 각각의 모듈이여도 좋다.
제 2 전력 증폭기(9b)는 제 2 입력단자 및 제 2 출력단자를 갖는다. 제 2 전력 증폭기(9b)는 제 2 입력단자에 입력된 제 2 주파수 대역의 송신신호를 증폭해서 제 2 출력단자로부터 출력한다. 제 2 주파수 대역은 제 1 주파수 대역보다 저주파측의 주파수 대역이다. 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 주파수 대역이 하이밴드의 주파수 대역이며, 제 2 주파수 대역이 미들밴드의 주파수 대역이다. 제 2 주파수 대역은, 예를 들면, FDD(Frequency Division Duplex)용의 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 보다 상세하게는, 제 2 주파수 대역은 FDD용의 제 2 통신밴드의 송신 대역과 FDD용의 제 3 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 제 2 통신밴드는 제 2 필터(6b)의 제 2 송신 필터(63)를 지나는 송신신호에 대응하고, 예를 들면, 3GPP LTE 규격의 Band1, Band3, Band2, Band25, Band4, Band66, Band39, Band34 또는 5G NR의 n1이다. 제 3 통신밴드는 제 3 필터(6c)의 제 3 송신 필터(65)를 지나는 송신신호에 대응하고, 예를 들면, 3GPP LTE 규격의 Band3 및 5G NR의 n3이다.
제 2 전력 증폭기(9b)의 제 2 입력단자는 미들밴드용 제 4 스위치(10b)를 통해서 2개의 제 2 신호입력단자(213, 215)에 선택적으로 접속된다. 제 2 전력 증폭기(9b)의 제 2 입력단자는 2개의 제 2 신호입력단자(213, 215) 중 어느 하나를 통해서 신호처리회로(301)에 접속된다. 2개의 제 2 신호입력단자(213, 215)는 외부회로(예를 들면, 신호처리회로(301))로부터의 고주파 신호(송신신호)를 고주파 모듈(1)에 입력하기 위한 단자이다. 2개의 제 2 신호입력단자(213, 215) 중 한쪽은, 4G 규격에 대응한 송신신호를 고주파 모듈(1)에 입력하기 위한 단자이며, 다른쪽은 5G 규격에 대응한 송신신호를 고주파 모듈(1)에 입력하기 위한 단자이다. 제 2 전력 증폭기(9b)의 제 2 출력단자는 제 2 출력 정합회로(8b)를 통해서 제 2 스위치(7)의 제 2 공통단자(75)에 접속되어 있다. 따라서, 제 2 전력 증폭기(9b)의 제 2 출력단자는 제 2 스위치(7)를 통해서 제 2 필터(6b) 및 제 3 필터(6c)에 접속 가능하다.
제 2 전력 증폭기(9b)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 증폭부(91b)와, 제 2 증폭부(92b)를 갖는다. 제 1 증폭부(91b)는, 예를 들면, 드라이버단의 증폭부이다. 제 2 증폭부(92b)는, 예를 들면, 파워단의 증폭부이다. 제 1 증폭부(91b) 및 제 2 증폭부(92b)의 각각은, 예를 들면, 트랜지스터(도시하지 않음)를 포함한다. 제 1 증폭부(91b)는 제 1 전원단자(218)를 통해서 제 1 전원(21)으로부터 전원전압이 공급된다. 또한, 제 2 증폭부(92b)는 제 2 전원단자(219)를 통해서 제 2 전원(22)으로부터 전원전압이 공급된다. 즉, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 외부 접속단자로서의 제 1 전원단자(218)는 제 1 전원(21)에 접속되고, 또한 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 양쪽에 접속되어 있다. 또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 외부 접속단자로서의 제 2 전원단자(219)는 제 2 전원(22)에 접속되고, 또한 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 양쪽에 접속되어 있다. 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전원단자(218)가 제 1 외부 접속단자이며, 제 2 전원단자(219)가 제 2 외부 접속단자이다.
제 1 저역통과필터(3A)는 제 1 안테나 단자(2A)와 제 1 스위치(4)의 제 1 공통단자(41A) 사이의 신호경로에 접속되어 있다. 제 1 저역통과필터(3A)는, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함한다. 제 1 저역통과필터(3A)는 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함하는 IPD(Integrated Passive Device)라도 좋다.
제 2 저역통과필터(3B)는 제 2 안테나 단자(2B)와 제 1 스위치(4)의 제 2 공통단자(41B) 사이의 신호경로에 접속되어 있다. 제 2 저역통과필터(3B)는, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함한다. 제 2 저역통과필터(3B)는 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함하는 IPD라도 좋다.
저잡음 증폭기(13)는 입력단자 및 출력단자를 갖는다. 저잡음 증폭기(13)는 입력단자에 입력된 제 1 주파수 대역의 수신신호를 증폭해서 출력단자로부터 출력한다. 저잡음 증폭기(13)의 입력단자는 입력 정합회로(12)를 통해서 제 3 스위치(11)의 공통단자(111)에 접속되어 있다. 저잡음 증폭기(13)의 출력단자는 신호출력단자(217)에 접속되어 있다. 저잡음 증폭기(13)의 출력단자는, 예를 들면, 신호출력단자(217)를 통해서 신호처리회로(301)에 접속된다. 신호출력단자(217)는 저잡음 증폭기(13)로부터의 고주파 신호(수신신호)를 외부회로(예를 들면, 신호처리회로(301))에 출력하기 위한 단자이다.
복수의 필터(6)(제 1 필터(6a), 제 2 필터(6b), 제 3 필터(6c))의 각각은, 예를 들면, 듀플렉서이다. 제 1 필터(6a)는 제 1 송신 필터(61)와 제 1 수신 필터(62)를 포함한다. 제 2 필터(6b)는 제 2 송신 필터(63)와 제 2 수신 필터(64)를 포함한다. 제 3 필터(6c)는 제 3 송신 필터(65)와 제 3 수신 필터(66)를 포함한다.
제 1 송신 필터(61)는, 예를 들면, 제 1 통신밴드의 송신 대역을 통과대역으로 하는 대역통과필터이다. 제 2 송신 필터(63)는, 예를 들면, 제 2 통신밴드의 송신 대역을 통과대역으로 하는 대역통과필터이다. 제 3 송신 필터(65)는, 예를 들면, 제 3 통신밴드의 송신 대역을 통과대역으로 하는 대역통과필터이다.
제 1 수신 필터(62)는, 예를 들면, 제 1 통신밴드의 수신 대역을 통과대역으로 하는 대역통과필터이다. 제 2 수신 필터(64)는, 예를 들면, 제 2 통신밴드의 수신 대역을 통과대역으로 하는 대역통과필터이다. 제 3 수신 필터(66)는, 예를 들면, 제 3 통신밴드의 수신 대역을 통과대역으로 하는 대역통과필터이다.
제 1 송신 필터(61)의 입력단자는 제 2 스위치(7)의 제 1 선택단자(72)에 접속되어 있다. 제 1 송신 필터(61)의 출력단자는 제 1 정합회로(5a)를 통해서 제 1 스위치(4)의 제 1 선택단자(42)에 접속되어 있다. 제 2 송신 필터(63)의 입력단자는 제 2 스위치(7)의 제 2 선택단자(76)에 접속되어 있다. 제 2 송신 필터(63)의 출력단자는 제 2 정합회로(5b)를 통해서 제 1 스위치(4)의 제 2 선택단자(43)에 접속되어 있다. 제 3 송신 필터(65)의 입력단자는 제 2 스위치(7)의 제 2 선택단자(77)에 접속되어 있다. 제 3 송신 필터(65)의 출력단자는 제 3 정합회로(5c)를 통해서 제 1 스위치(4)의 제 2 선택단자(44)에 접속되어 있다.
제 1 수신 필터(62)의 입력단자는 제 1 정합회로(5a)를 통해서 제 1 스위치(4)의 제 1 선택단자(42)에 접속되어 있다. 제 1 수신 필터(62)의 출력단자는 제 3 스위치(11)의 선택단자(112)에 접속되어 있다. 제 2 수신 필터(64)의 입력단자는 제 2 정합회로(5b)를 통해서 제 1 스위치(4)의 제 2 선택단자(43)에 접속되어 있다. 제 2 수신 필터(64)의 출력단자는 제 3 스위치(11)의 선택단자(113)에 접속되어 있다. 제 3 수신 필터(66)의 입력단자는 제 3 정합회로(5c)를 통해서 제 1 스위치(4)의 제 2 선택단자(44)에 접속되어 있다. 제 3 수신 필터(66)의 출력단자는 제 3 스위치(11)의 선택단자(114)에 접속되어 있다.
제 1 스위치(4)는, 제 1 공통단자(41A)와, 제 2 공통단자(41B)와, 제 1 공통단자(41A)에 접속 가능한 제 1 선택단자(42)와, 제 2 공통단자(41B)에 접속 가능한 복수(도시예에서는 2개)의 제 2 선택단자(43, 44)를 갖는다. 제 1 공통단자(41A)는 제 1 저역통과필터(3A)를 통해서 제 1 안테나 단자(2A)에 접속되어 있다. 제 1 안테나 단자(2A)에는 제 1 안테나(310)가 접속된다. 제 1 선택단자(42)는 제 1 정합회로(5a)에 접속되어 있다. 제 2 공통단자(41B)는 제 2 저역통과필터(3B)를 통해서 제 2 안테나 단자(2B)에 접속되어 있다. 제 2 안테나 단자(2B)에는 제 2 안테나(311)가 접속된다. 복수의 제 2 선택단자(43, 44) 중 제 2 선택단자(43)는 제 2 정합회로(5b)에 접속되어 있다. 복수의 제 2 선택단자(43, 44) 중 제 2 선택단자(44)는 제 3 정합회로(5c)에 접속되어 있다. 제 1 스위치(4)는, 예를 들면, 제 2 공통단자(41B)에 복수의 제 2 선택단자(43, 44) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서, 제 1 스위치(4)는, 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 1 스위치(4)는, 예를 들면, 스위치 IC(Integrated Circuit)이다. 제 1 스위치(4)는, 예를 들면, 신호처리회로(301)에 의해 제어된다. 이 경우, 제 1 스위치(4)는 신호처리회로(301)의 RF 신호처리회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 제 1 공통단자(41A)와 제 1 선택단자(42)의 접속 상태, 및 제 2 공통단자(41B)와 복수의 제 2 선택단자(43, 44)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 1 스위치(4)는 신호처리회로(301)에 의해 제어되는 대신에, 컨트롤러(20)에 의해 제어되어도 좋다.
제 2 스위치(7)는, 제 1 공통단자(71)와, 제 2 공통단자(75)와, 제 1 공통단자(71)에 접속 가능한 제 1 선택단자(72)와, 제 2 공통단자(75)에 접속 가능한 복수(도시예에서는 2개)의 제 2 선택단자(76, 77)를 갖는다. 제 1 공통단자(71)는 제 1 출력 정합회로(8a)를 통해서 제 1 전력 증폭기(9a)의 출력단자에 접속되어 있다. 제 1 선택단자(72)는 제 1 송신 필터(61)의 입력단자에 접속되어 있다. 제 2 공통단자(75)는 제 2 출력 정합회로(8b)를 통해서 제 2 전력 증폭기(9b)의 출력단자에 접속되어 있다. 복수의 제 2 선택단자(76, 77) 중 제 2 선택단자(76)는 제 2 송신 필터(63)의 입력단자에 접속되어 있다. 복수의 제 2 선택단자(76, 77) 중 제 2 선택단자(77)는 제 3 송신 필터(65)의 입력단자에 접속되어 있다. 제 2 스위치(7)는, 예를 들면, 제 2 공통단자(75)에 복수의 제 2 선택단자(76, 77) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서, 제 2 스위치(7)는, 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 2 스위치(7)는, 예를 들면, 스위치 IC이다. 제 2 스위치(7)는, 예를 들면, 신호처리회로(301)에 의해 제어된다. 이 경우, 제 2 스위치(7)는 신호처리회로(301)의 RF 신호처리회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 제 1 공통단자(71)와 제 1 선택단자(72)의 접속 상태, 및 제 2 공통단자(75)와 복수의 제 2 선택단자(76, 77)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 2 스위치(7)는 신호처리회로(301)에 의해 제어되는 대신에, 컨트롤러(20)에 의해 제어되어도 좋다.
제 3 스위치(11)는 공통단자(111)와, 복수(도시예에서는 3개)의 선택단자(112, 113, 114)를 갖는다. 공통단자(111)는 입력 정합회로(12)를 통해서 저잡음 증폭기(13)의 입력단자에 접속되어 있다. 복수의 선택단자(112, 113, 114) 중 선택단자(112)는 제 1 수신 필터(62)의 출력단자에 접속되어 있다. 복수의 선택단자(112, 113, 114) 중 선택단자(113)는 제 2 수신 필터(64)의 출력단자에 접속되어 있다. 복수의 선택단자(112, 113, 114) 중 선택단자(114)는 제 3 수신 필터(66)의 출력단자에 접속되어 있다. 제 3 스위치(11)는, 예를 들면, 공통단자(111)에 복수의 선택단자(112, 113, 114) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서, 제 3 스위치(11)는, 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 3 스위치(11)는, 예를 들면, 스위치 IC이다. 제 3 스위치(11)는, 예를 들면, 신호처리회로(301)에 의해 제어된다. 이 경우, 제 3 스위치(11)는 신호처리회로(301)의 RF 신호처리회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 공통단자(111)와 복수의 선택단자(112, 113, 114)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 3 스위치(11)는 신호처리회로(301)에 의해 제어되는 대신에, 컨트롤러(20)에 의해 제어되어도 좋다.
하이밴드용 제 4 스위치(10a)는 공통단자(101)와, 복수(도시예에서는 2개)의 선택단자(102, 103)를 갖는다. 공통단자(101)는 제 1 전력 증폭기(9a)의 입력단자에 접속되어 있다. 2개의 선택단자(102, 103)는 2개의 제 1 신호입력단자(212, 214)에 일대일로 접속되어 있다.
하이밴드용 제 4 스위치(10a)는, 예를 들면, 스위치 IC이다. 하이밴드용 제 4 스위치(10a)는, 예를 들면, 컨트롤러(20)에 의해 제어된다. 이 경우, 하이밴드용 제 4 스위치(10a)는 컨트롤러(20)에 의해 제어되어서, 공통단자(101)와 복수의 선택단자(102, 103)의 접속 상태를 스위칭한다. 하이밴드용 제 4 스위치(10a)는 신호처리회로(301)에 의해 제어되어도 좋다. 이 경우, 하이밴드용 제 4 스위치(10a)는 신호처리회로(301)의 RF 신호처리회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 공통단자(101)와 복수의 선택단자(102, 103)의 접속 상태를 스위칭한다.
미들밴드용 제 4 스위치(10b)는 공통단자(105)와 복수(도시예에서는 2개)의 선택단자(106, 107)를 갖는다. 공통단자(105)는 제 2 전력 증폭기(9b)의 입력단자에 접속되어 있다. 2개의 선택단자(106, 107)는 2개의 제 2 신호입력단자(213, 215)에 일대일로 접속되어 있다.
미들밴드용 제 4 스위치(10b)는, 예를 들면, 스위치 IC이다. 미들밴드용 제 4 스위치(10b)는, 예를 들면, 컨트롤러(20)에 의해 제어된다. 이 경우, 미들밴드용 제 4 스위치(10b)는 컨트롤러(20)에 의해 제어되어서, 공통단자(105)와 복수의 선택단자(106, 107)의 접속 상태를 스위칭한다. 미들밴드용 제 4 스위치(10b)는 신호처리회로(301)에 의해 제어되어도 좋다. 이 경우, 미들밴드용 제 4 스위치(10b)는 신호처리회로(301)의 RF 신호처리회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 공통단자(105)와 복수의 선택단자(106, 107)의 접속 상태를 스위칭한다.
제 1 출력 정합회로(8a)는 제 1 전력 증폭기(9a)의 출력단자와 제 2 스위치(7)의 제 1 공통단자(71) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 1 출력 정합회로(8a)는 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 1 송신 필터(61)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 1 출력 정합회로(8a)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되어도 좋고, 트랜스를 포함해서 구성되어도 좋다.
제 2 출력 정합회로(8b)는 제 2 전력 증폭기(9b)의 출력단자와 제 2 스위치(7)의 제 2 공통단자(75) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 2 출력 정합회로(8b)는 제 2 전력 증폭기(9b)와 제 2 송신 필터(63) 및 제 3 송신 필터(65)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 2 출력 정합회로(8b)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되어도 좋고, 트랜스를 포함해서 구성되어도 좋다.
입력 정합회로(12)는 저잡음 증폭기(13)의 입력단자와 제 3 스위치(11)의 공통단자(111) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 입력 정합회로(12)는 저잡음 증폭기(13)와 제 1 수신 필터(62), 제 2 수신 필터(64) 및 제 3 수신 필터(66)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 입력 정합회로(12)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되어도 좋다.
제 1 정합회로(5a)는 제 1 송신 필터(61)의 출력단자 및 제 1 수신 필터(62)의 입력단자의 접속점과 제 1 스위치(4)의 제 1 선택단자(42) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 1 정합회로(5a)는 제 1 필터(6a)와 제 1 스위치(4)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 1 정합회로(5a)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되어도 좋다.
제 2 정합회로(5b)는 제 2 송신 필터(63)의 출력단자 및 제 2 수신 필터(64)의 입력단자의 접속점과 제 1 스위치(4)의 제 2 선택단자(43) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 2 정합회로(5b)는 제 2 필터(6b)와 제 1 스위치(4)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 2 정합회로(5b)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되어도 좋다.
제 3 정합회로(5c)는 제 3 송신 필터(65)의 출력단자 및 제 3 수신 필터(66)의 입력단자의 접속점과 제 1 스위치(4)의 제 2 선택단자(44) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 3 정합회로(5c)는 제 3 필터(6c)와 제 1 스위치(4)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 3 정합회로(5c)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되어도 좋다.
컨트롤러(20)는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)와 접속되어 있다. 또한, 컨트롤러(20)는 복수(예를 들면, 4개)의 제어단자(216)를 통해서 신호처리회로(301)에 접속되어 있다. 도 1에서는, 4개의 제어단자(216) 중 1개만 도시하고 있다. 복수의 제어단자(216)는 외부회로(예를 들면, 신호처리회로(301))로부터의 제어신호를 컨트롤러(20)에 입력하기 위한 단자이다. 컨트롤러(20)는 복수의 제어단자(216)로부터 취득한 제어신호에 의거하여 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)를 제어한다. 복수의 제어단자(216)는, 예를 들면, MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 규격에 대응하고 있다. 컨트롤러(20)는 제어신호가 입력되는 입력부로서, 복수의 제어단자(216)에 접속되어 있는 복수의 단자를 갖는다. 복수의 단자는, 예를 들면, MIPI 규격에 대응하고 있다. 컨트롤러(20)는 RF 신호처리회로(302)로부터의 제어신호에 따라서 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)를 제어한다.
컨트롤러(20)는 RF 신호처리회로(302)로부터의 제어신호를 복수의 단자에서 받고, 이 제어신호에 따라, 예를 들면, 제 1 전력 증폭기(9a)가 갖는 제 1 증폭부(91a) 및 제 2 증폭부(92a)(도 2 참조)에 제 1 바이어스(제 1 바이어스 전류 또는 제 1 바이어스 전압)를 공급하고, 제 2 전력 증폭기(9b)가 갖는 제 1 증폭부(91b) 및 제 2 증폭부(92b)(도 2 참조)에 제 2 바이어스(제 2 바이어스 전류 또는 제 2 바이어스 전압)를 공급한다. 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 컨트롤러(20)는 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)의 한쪽만을 동작시킨다. 바꿔 말하면, 컨트롤러(20)는 제 1 전력 증폭기(9a)로부터 송신신호를 출력시키는 제 1 기간과, 제 2 전력 증폭기(9b)로부터 송신신호를 출력시키는 제 2 기간을 다르게 한다. 컨트롤러(20)는, 제 1 기간에서는 제 1 전력 증폭기(9a)에 제 1 바이어스를 공급하고, 제 2 기간에서는 제 2 전력 증폭기(9b)에 제 2 바이어스를 공급한다. 제어신호는 MIPI 규격에 대응한 제어신호에 한하지 않고, GPIO(General Purpose Input/Output)에 대응한 제어신호라도 좋다. 또한 컨트롤러(20)는, 제 1 스위치(4)와, 제 2 스위치(7), 제 3 스위치(11) 및 복수의 제 4 스위치(10)에도 접속되어 있고, 상술의 제어신호에 의거하여 제 1 스위치(4)와, 제 2 스위치(7), 제 3 스위치(11) 및 복수의 제 4 스위치(10)도 제어한다.
(1.2) 고주파 모듈의 구조
다음에 ,실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)의 구조에 대해서 도 3A∼도 5를 참조해서 설명한다. 또, 도 5에서는, 실장기판(14) 내에 설치된 배선의 도시를 생략하고 있다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 도 3A∼도 5에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)과, 복수의 회로부품과, 복수의 외부 접속단자(210)를 구비한다. 또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 제 1 수지층(201)과, 제 2 수지층(202)과, 실드층(203)을 더 구비한다.
복수의 회로부품은, 상술의 복수의 전력 증폭기(9), 복수의 저역통과필터(3A, 3B), 저잡음 증폭기(13), 복수의 필터(6), 복수의 출력 정합회로(8), 입력 정합회로(12) 및 복수의 정합회로(5)를 포함한다. 또한, 복수의 회로부품은 상술의 제 1 스위치(4), 제 2 스위치(7), 제 3 스위치(11) 및 복수의 제 4 스위치(10)를 더 포함한다.
실장기판(14)은 실장기판(14)의 두께 방향(D1)에 있어서 서로 대향하는 제 1 주면(141) 및 제 2 주면(142)을 갖는다. 실장기판(14)은, 예를 들면, 복수의 유전체층 및 복수의 도전층을 포함하는 다층 기판이다. 복수의 유전체층 및 복수의 도전층은 실장기판(14)의 두께 방향(D1)에 있어서 적층되어 있다. 복수의 도전층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 복수의 도전층의 각각은, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)에 직교하는 1평면 내에 있어서 1개 또는 복수의 도체부를 포함한다. 각 도전층의 재료는, 예를 들면, 구리이다. 복수의 도전층은 그라운드층을 포함한다. 고주파 모듈(1)에서는 복수의 그라운드 단자(211)(도 3B 및 도 4 참조)와 그라운드층이, 실장기판(14)이 갖는 비아 도체 등을 통해서 전기적으로 접속되어 있다. 실장기판(14)은, 예를 들면, LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 기판이다. 실장기판(14)은 LTCC 기판에 한하지 않고, 예를 들면, 프린트 배선판, HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics) 기판, 또는 수지 다층 기판이라도 좋다.
또한, 실장기판(14)은 LTCC 기판에 한하지 않고, 예를 들면, 배선 구조체라도 좋다. 배선 구조체는, 예를 들면, 다층 구조체이다. 다층 구조체는 적어도 1개의 절연층과 적어도 1개의 도전층을 포함한다. 절연층은 소정 패턴으로 형성되어 있다. 절연층이 복수일 경우에는, 복수의 절연층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층은 절연층의 소정 패턴과는 다른 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층이 복수일 경우에는, 복수의 도전층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층은 1개 또는 복수의 재배선부를 포함하고 있어도 좋다. 배선 구조체에서는, 다층 구조체의 두께 방향에 있어서 서로 대향하는 2개의 면 중 제 1 면이 실장기판(14)의 제 1 주면(141)이며, 제 2 면이 실장기판(14)의 제 2 주면(142)이다. 배선 구조체는, 예를 들면, 인터포저여도 좋다. 인터포저는 규소 기판을 사용한 인터포저여도 좋고, 다층으로 구성된 기판이여도 좋다.
실장기판(14)의 제 1 주면(141) 및 제 2 주면(142)은 실장기판(14)의 두께 방향(D1)에 있어서 떨어져 있고, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)에 교차한다. 실장기판(14)에 있어서의 제 1 주면(141)은, 예를 들면, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)에 직교하고 있지만, 예를 들면, 두께 방향(D1)에 직교하지 않는 면으로서 도체부의 측면 등을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 실장기판(14)에 있어서의 제 2 주면(142)은, 예를 들면, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)에 직교하고 있지만, 예를 들면, 두께 방향(D1)에 직교하지 않는 면으로서 도체부의 측면 등을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 실장기판(14)의 제 1 주면(141) 및 제 2 주면(142)은 미세한 요철, 오목부 또는 볼록부가 형성되어 있어도 좋다. 예를 들면, 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 오목부가 형성되어 있을 경우, 오목부의 내면은 제 1 주면(141)에 포함된다. 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 실장기판(14)은 직사각 형상이지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 정사각 형상이여도 좋다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 복수의 회로부품은 실장기판(14)의 제 1 주면(141) 또는 제 2 주면(142)에 실장되어 있다. 본 개시에 있어서 「회로부품이 실장기판(14)의 제 1 주면(141) 또는 제 2 주면(142)에 실장되어 있다」란, 회로부품이 실장기판(14)의 제 1 주면(141) 또는 제 2 주면(142)에 배치되어 있는 것(기계적으로 접속되어 있는 것)과, 회로부품이 실장기판(14)(의 적당한 도체부)과 전기적으로 접속되어 있는 것을 포함한다. 따라서, 고주파 모듈(1)에서는, 복수의 회로부품은 실장기판(14)의 제 1 주면(141) 또는 제 2 주면(142)에 배치되어 있다. 또, 고주파 모듈(1)은 실장기판(14)에 실장되는 복수의 회로부품에만 한하지 않고, 실장기판(14) 내에 설치되는 회로소자를 포함하고 있어도 좋다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 복수의 전력 증폭기(9) 및 복수의 출력 정합회로(8)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 복수의 저역통과필터(3A, 3B), 복수의 정합회로(5), 복수의 필터(6) 및 입력 정합회로(12)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다.
또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 2 스위치(7), 복수의 제 4 스위치(10) 및 컨트롤러(20)를 포함하는 1칩의 IC칩(27)은, 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있다. 또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 스위치(4), 제 3 스위치(11) 및 저잡음 증폭기(13)를 포함하는 1칩의 IC칩(28)은 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있다.
제 1 전력 증폭기(9a)는 제 1 증폭부(91a) 및 제 2 증폭부(92a)를 갖는 회로부를 포함하는 IC칩이다. 제 1 전력 증폭기(9a)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 플립칩 실장되어 있다. 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 전력 증폭기(9a)의 외주 형상은 사각 형상이다. 제 1 증폭부(91a) 및 제 2 증폭부(92a)의 각각을 구성하는 트랜지스터는, 예를 들면, HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)이다. 이 경우, 제 1 전력 증폭기(9a)를 구성하는 IC칩은, 예를 들면, GaAs계 IC칩이다. 제 1 증폭부(91a) 및 제 2 증폭부(92a)의 각각을 구성하는 트랜지스터는, HBT 등의 바이폴러 트랜지스터에 한하지 않고, 예를 들면 FET(Field Effect Transistor)라도 좋다. FET는, 예를 들면, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)이다. 제 1 전력 증폭기(9a)를 구성하는 IC칩은, GaAs계 IC칩에 한하지 않고, 예를 들면 Si계 IC칩, SiGe계 IC칩 또는 GaN계 IC칩이라도 좋다.
제 2 전력 증폭기(9b)는 제 1 증폭부(91b) 및 제 2 증폭부(92b)를 갖는 회로부를 포함하는 IC칩이다. 제 2 전력 증폭기(9b)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 플립칩 실장되어 있다. 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 전력 증폭기(9b)의 외주 형상은 사각 형상이다. 제 1 증폭부(91b) 및 제 2 증폭부(92b)의 각각을 구성하는 트랜지스터는, 예를 들면 HBT이다. 이 경우, 제 2 전력 증폭기(9b)를 구성하는 IC칩은, 예를 들면, GaAs계 IC칩이다. 제 1 증폭부(91b) 및 제 2 증폭부(92b)의 각각을 구성하는 트랜지스터는, HBT 등의 바이폴러 트랜지스터에 한하지 않고, 예를 들면, FET라도 좋다. FET는, 예를 들면, MOSFET이다. 제 2 전력 증폭기(9b)를 구성하는 IC칩은 GaAs계 IC칩에 한하지 않고, 예를 들면, Si계 IC칩, SiGe계 IC칩 또는 GaN계 IC칩이라도 좋다.
여기에서, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 도 3A, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 1개의 패키지(16)에 수납되어 있다. 바꿔 말하면, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)를 수납하고 있는 패키지(16)를 더 구비한다. 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 패키지(16)가 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장됨으로써, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)가 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장된다. 이것에 의해, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)를 각각 와이어 본딩으로 실장기판(14)에 접속할 경우에 비하여, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 있어서의 제 1 주면(141)의 면적을 작게 하는 것이 가능해진다. 여기에 있어서, 패키지(16)에 있어서의 실장기판(14)측과는 반대측의 부분은, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 방열성을 고려하여 방열성이 높은 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
제 1 필터(6a)의 제 1 송신 필터(61) 및 제 1 수신 필터(62)의 각각은, 예를 들면, 사다리형 필터이다. 또한, 제 2 필터(6b)의 제 2 송신 필터(63) 및 제 2 수신 필터(64)의 각각은, 예를 들면, 사다리형 필터이다. 또한, 제 3 필터(6c)의 제 3 송신 필터(65) 및 제 3 수신 필터(66)의 각각은, 예를 들면, 사다리형 필터이다. 제 1 송신 필터(61) 및 제 1 수신 필터(62)의 각각은, 복수(예를 들면, 4개)의 직렬 암 공진자와, 복수(예를 들면, 3개)의 병렬 암 공진자를 갖는다. 또한, 제 2 송신 필터(63) 및 제 2 수신 필터(64)의 각각은, 복수(예를 들면, 4개)의 직렬 암 공진자와, 복수(예를 들면, 3개)의 병렬 암 공진자를 갖는다. 또한, 제 3 송신 필터(65) 및 제 3 수신 필터(66)의 각각은, 복수(예를 들면, 4개)의 직렬 암 공진자와, 복수(예를 들면, 3개)의 병렬 암 공진자를 갖는다.
제 1 송신 필터(61) 및 제 1 수신 필터(62)의 각각은, 예를 들면, 탄성파 필터이다. 또한, 제 2 송신 필터(63) 및 제 2 수신 필터(64)의 각각은, 예를 들면, 탄성파 필터이다. 또한, 제 3 송신 필터(65) 및 제 3 수신 필터(66)의 각각은, 예를 들면, 탄성파 필터이다. 탄성파 필터는 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각이 탄성파 공진자에 의해 구성되어 있다. 탄성파 필터는, 예를 들면, 탄성 표면파를 이용하는 표면 탄성파 필터이다.
표면 탄성파 필터에서는, 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각은, 예를 들면, SAW(Surface Acoustic Wave) 공진자이다.
표면 탄성파 필터는, 예를 들면, 압전성 기판과, 압전성 기판 상에 형성되어 있고, 복수의 직렬 암 공진자에 일대일로 대응하는 복수의 IDT(Interdigital Transducer) 전극과, 압전성 기판 상에 형성되어 있고, 복수의 병렬 암 공진자에 일대일로 대응하는 복수의 IDT 전극을 갖고 있다. 압전성 기판은, 예를 들면, 압전 기판이다. 압전 기판은, 예를 들면, 리튬니오베이트 기판, 리튬탄탈레이트 기판 또는 수정 기판이다. 압전성 기판은 압전 기판에 한하지 않고, 예를 들면, 규소 기판과, 규소 기판 상의 고음속막과, 고음속막 상의 저음속막과, 저음속막 상의 압전체층을 포함하는 적층형 기판이라도 좋다. 적층형 기판에서는, 압전체층의 재료는, 예를 들면, 리튬니오베이트 또는 리튬탄탈레이트이다. 저음속막은 압전체층을 전파하는 벌크파의 음속보다, 저음속막을 전파하는 벌크파의 음속이 저속으로 되는 막이다. 저음속막의 재료는, 예를 들면, 산화규소이다. 고음속막은 압전체층을 전파하는 탄성파의 음속보다, 고음속막을 전파하는 벌크파의 음속이 고속으로 되는 막이다. 고음속막의 재료는, 예를 들면, 질화규소이다.
실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 필터(6a), 제 2 필터(6b) 및 제 3 필터(6c)의 각각의 외주 형상은 사각 형상이다. 제 1 필터(6a), 제 2 필터(6b) 및 제 3 필터(6c)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다.
제 1 출력 정합회로(8a)의 회로부품(인덕터)은, 예를 들면, 칩 인덕터이다. 제 1 출력 정합회로(8a)의 회로부품은, 예를 들면, 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 출력 정합회로(8a)의 회로부품의 외주 형상은 사각 형상이다. 제 1 출력 정합회로(8a)는 실장기판(14) 내에 설치되는 내층 인덕터를 포함하고 있어도 좋다.
제 2 출력 정합회로(8b)의 회로부품(인덕터)은, 예를 들면, 칩 인덕터이다. 제 2 출력 정합회로(8b)의 회로부품은, 예를 들면, 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 출력 정합회로(8b)의 회로부품의 외주 형상은 사각 형상이다. 제 2 출력 정합회로(8b)는 실장기판(14) 내에 설치되는 내층 인덕터를 포함하고 있어도 좋다.
제 1 정합회로(5a), 제 2 정합회로(5b) 및 제 3 정합회로(5c)의 각각의 회로부품(인덕터)은, 예를 들면, 칩 인덕터이다. 제 1 정합회로(5a), 제 2 정합회로(5b) 및 제 3 정합회로(5c)의 각각의 회로부품은, 예를 들면, 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 정합회로(5a), 제 2 정합회로(5b) 및 제 3 정합회로(5c)의 각각의 회로부품의 외주 형상은 사각 형상이다. 제 1 정합회로(5a), 제 2 정합회로(5b) 및 제 3 정합회로(5c)의 각각은, 실장기판(14) 내에 설치되는 내층 인덕터를 포함하고 있어도 좋다.
제 1 저역통과필터(3A)의 차단 주파수는 제 1 주파수 대역의 상한보다 고주파이다. 제 2 저역통과필터(3B)의 차단 주파수는 제 2 주파수 대역의 상한보다 고주파이다. 제 1 저역통과필터(3A) 및 제 2 저역통과필터(3B)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 2 스위치(7)와 컨트롤러(20)와 복수의 제 4 스위치(10)를 포함하는 IC칩(27)은 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있다. 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, IC칩(27)의 외주 형상은 사각 형상이다. IC칩(27)은 Si계 IC칩이지만, 이것에 한정되지 않는다.
또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 저잡음 증폭기(13)와 제 1 스위치(4)와 제 3 스위치(11)를 포함하는 IC칩(28)은 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있다. 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, IC칩(28)의 외주 형상은 사각 형상이다. 저잡음 증폭기(13)가 갖는 증폭용의 트랜지스터는 전계효과 트랜지스터이지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면, 바이폴러 트랜지스터라도 좋다. IC칩(28)은 Si계 IC칩이지만, 이것에 한정되지 않는다.
복수의 외부 접속단자(210)는 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 배치되어 있다. 「외부 접속단자(210)가 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 배치되어 있다」란, 외부 접속단자(210)가 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 기계적으로 접속되어 있는 것과, 외부 접속단자(210)가 실장기판(14)(의 적당한 도체부)과 전기적으로 접속되어 있는 것을 포함한다. 복수의 외부 접속단자(210)의 재료는, 예를 들면, 금속(예를 들면, 구리, 구리 합금 등)이다. 복수의 외부 접속단자(210)의 각각은 주상전극이다. 주상전극은, 예를 들면, 원기둥 형상의 전극이다. 복수의 외부 접속단자(210)는 실장기판(14)의 도체부에 대하여, 예를 들면, 땜납에 의해 접합되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 도전성 접착제(예를 들면, 도전성 페이스트)를 이용하여 접합되어 있어도 되고, 직접 접합되어 있어도 된다.
복수의 외부 접속단자(210)는 상술의 제 1 안테나 단자(2A), 제 2 안테나 단자(2B), 2개의 제 1 신호입력단자(212, 214), 2개의 제 2 신호입력단자(213, 215), 4개의 제어단자(216) 및 신호출력단자(217) 이외에 복수의 그라운드 단자(211)를 포함한다. 복수의 그라운드 단자(211)는, 상술한 바와 같이, 실장기판(14)의 그라운드층과 전기적으로 접속되어 있다. 그라운드층은 고주파 모듈(1)의 회로 그라운드이다. 복수의 회로부품은 그라운드층과 전기적으로 접속되어 있는 회로부품을 포함한다. 또한, 복수의 외부 접속단자(210)는 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)를 더 포함한다.
제 1 수지층(201)은 실장기판(14)의 제 1 주면(141)측에 있어서, 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있는 복수의 회로부품의 각각을 덮고 있다. 제 1 수지층(201)은, 수지(예를 들면, 에폭시 수지)를 포함한다. 제 1 수지층(201)은 수지 이외에 필러를 포함하고 있어도 좋다.
제 2 수지층(202)은 실장기판(14)의 제 2 주면(142)측에 있어서, 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있는 복수의 회로부품의 각각, 및 복수의 외부 접속단자(210)의 각각의 외주면을 덮고 있다. 제 2 수지층(202)은, 수지(예를 들면, 에폭시 수지)를 포함한다. 제 2 수지층(202)은 수지 이외에 필러를 포함하고 있어도 좋다. 제 2 수지층(202)의 재료는 제 1 수지층(201)의 재료와 같은 재료이여도 좋고, 다른 재료이여도 좋다.
제 2 수지층(202)은 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있는 복수의 회로부품의 각각에 있어서의 실장기판(14)측과는 반대측의 주면을 노출시키도록 형성되어 있어도 좋다.
실드층(203)은 도전성을 갖는다. 실드층(203)은 복수의 금속층을 적층한 다층 구조를 갖고 있지만, 이에 한정하지 않고, 1개의 금속층이라도 좋다. 금속층은 하나 또는 복수종의 금속을 포함한다. 실드층(203)은 제 1 수지층(201)에 있어서의 실장기판(14)측과는 반대측의 주면과, 제 1 수지층(201)의 외주면과, 실장기판(14)의 외주면과, 제 2 수지층(202)의 외주면을 덮고 있다. 실드층(203)은 실장기판(14)이 갖는 그라운드층과 접촉하고 있다. 이것에 의해, 실드층(203)의 전위를 그라운드층의 전위와 같게 할 수 있다.
(1.3) 고주파 모듈의 레이아웃
고주파 모듈(1)에서는, 도 3A에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 인접하고 있다. 본 개시에 있어서 「제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 인접하고 있다」란, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b) 사이에 다른 회로부품이 없고, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 이웃하고 있는 것을 의미한다.
또한, 고주파 모듈(1)에서는, 도 3A에 나타내는 바와 같이, 제 1 출력 정합회로(8a)가 제 1 전력 증폭기(9a)로부터 보아서 제 2 전력 증폭기(9b)와는 반대측에 위치하고 있다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는, 제 2 출력 정합회로(8b)가 제 2 전력 증폭기(9b)로부터 보아서 제 1 전력 증폭기(9a)와는 반대측에 위치하고 있다. 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 배열되는 방향(이하, 제 2 방향(D2)이라고 한다)에 있어서, 제 1 출력 정합회로(8a), 제 1 전력 증폭기(9a), 제 2 전력 증폭기(9b) 및 제 2 출력 정합회로(8b)가, 제 1 출력 정합회로(8a), 제 1 전력 증폭기(9a), 제 2 전력 증폭기(9b), 제 2 출력 정합회로(8b)의 순서로 배열되어 있다.
고주파 모듈(1)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 하이밴드용 제 4 스위치(10a)가 제 1 전력 증폭기(9a)와 겹쳐 있다. 도 4에서는, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 하이밴드용 제 4 스위치(10a)의 전부가 제 1 전력 증폭기(9a)의 일부와 겹쳐 있지만, 이에 한정하지 않고, 하이밴드용 제 4 스위치(10a)의 일부가 제 1 전력 증폭기(9a)의 일부와 겹쳐 있어도 좋다. 또한, 하이밴드용 제 4 스위치(10a)의 전부가 제 1 전력 증폭기(9a)의 전부와 겹쳐 있어도 좋고, 하이밴드용 제 4 스위치(10a)의 일부가 제 1 전력 증폭기(9a)의 전부와 겹쳐 있어도 좋다.
또한, 고주파 모듈(1)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 미들밴드용 제 4 스위치(10b)가 제 2 전력 증폭기(9b)와 겹쳐 있다. 도 4에서는, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 미들밴드용 제 4 스위치(10b)의 일부가 제 2 전력 증폭기(9b)의 일부와 겹쳐 있지만, 이에 한정하지 않고, 미들밴드용 제 4 스위치(10b)의 전부가 제 2 전력 증폭기(9b)의 일부와 겹쳐 있어도 좋다. 또한, 미들밴드용 제 4 스위치(10b)의 전부가 제 2 전력 증폭기(9b)의 전부와 겹쳐 있어도 좋고, 미들밴드용 제 4 스위치(10b)의 일부가 제 2 전력 증폭기(9b)의 전부와 겹쳐 있어도 좋다.
또한, 고주파 모듈(1)에서는, 도 3A 및 도 3B에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)가 저잡음 증폭기(13)와 겹치지 않는다.
또한, 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전력 증폭기(9a)의 제 1 증폭부(91a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 제 1 증폭부(91b)에 전원전압을 공급하는 제 1 전원(21)에 접속되어 있는 제 1 전원단자(218), 및 제 1 전력 증폭기(9a)의 제 2 증폭부(92a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 제 2 증폭부(92b)에 전원전압을 공급하는 제 2 전원(22)에 접속되어 있는 제 2 전원단자(219)는, 도 3A 및 도 3B에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 2 방향(D2)을 따라서 배열되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)는 실장기판(14)의 두께 방향(D1)과 제 2 방향(D2)의 양쪽에 교차하는 제 3 방향(D3)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 전력 증폭기(9a)에 있어서의 제 2 전력 증폭기(9b)측과는 반대측의 외주면(91)과, 제 2 전력 증폭기(9b)에 있어서의 제 1 전력 증폭기(9a)측과는 반대측의 외주면(92)의 사이에 배치되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)는, 도 3A 및 도 3B에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, IC칩(28)보다 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)에 가깝다. 바꿔 말하면, 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)로부터 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)까지의 거리는, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)로부터 IC칩(28)까지의 거리보다 짧다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)는, 도 3A에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)와 겹치지 않는다.
여기에서, 고주파 모듈(1)의 회로구성은 송신신호를 송신하는 송신 회로와 수신신호를 수신하는 수신 회로를 갖고 있다. 고주파 모듈(1)에서는, 복수의 회로부품 중 송신 회로에만 포함되는 회로부품과, 그 이외의 회로부품(수신 회로에만 포함되는 회로부품, 송신 회로와 수신 회로에서 공용되는 회로부품)이 실장기판(14)의 두께 방향(D1)에 있어서 겹치지 않는다. 복수의 회로부품 중 송신 회로에만 포함되는 회로부품의 군은, 제 1 전력 증폭기(9a), 제 2 전력 증폭기(9b), 제 1 출력 정합회로(8a), 제 2 출력 정합회로(8b), 제 2 스위치(7), 복수의 제 4 스위치(10) 및 컨트롤러(20)를 포함한다. 복수의 회로부품 중 수신 회로에만 포함되는 회로부품의 군은, 제 3 스위치(11), 입력 정합회로(12) 및 저잡음 증폭기(13)를 포함한다. 송신 회로와 수신 회로에서 공용되는 회로부품의 군은, 복수의 필터(6), 복수의 정합회로(5), 제 1 스위치(4), 복수의 저역통과필터(3A, 3B)를 포함한다.
고주파 모듈(1)은, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 복수의 회로부품 중 송신 회로에만 포함되는 회로부품의 군이 배치되어 있는 제 1 영역과, 수신 회로에만 포함되는 회로부품의 군 및 송신 회로와 수신 회로에서 공용되는 회로부품의 군이 배치되어 있는 제 2 영역이 나뉘어져 있다.
(2) 효과
(2.1) 고주파 모듈
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 실장기판(14)과, 제 1 전력 증폭기(9a)와, 제 2 전력 증폭기(9b)와, 회로부품(예를 들면, IC칩(28))과, 외부 접속단자(제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219))를 구비한다. 실장기판(14)은 서로 대향하는 제 1 주면(141) 및 제 2 주면(142)을 갖는다. 제 1 전력 증폭기(9a)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 제 2 전력 증폭기(9b)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 회로부품은 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있다. 외부 접속단자는 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 배치되어 있다. 외부 접속단자는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)에 전원전압을 공급하는 전원(제 1 전원(21) 및 제 2 전원(22))에 접속되어 있다. 외부 접속단자는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 양쪽에 접속되어 있다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은, 상술한 바와 같이, 외부 접속단자가 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 양쪽에 접속되어 있다. 그 때문에, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 각각에 대하여 외부 접속단자가 설치되어 있을 경우에 비하여, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 있어서의 실장기판(14)의 제 1 주면(141)의 면적을 작게 하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은 실장기판(14)의 소형화를 도모하는 것이 가능해지고, 결과적으로, 고주파 모듈(1)의 소형화를 도모하는 것도 가능해진다.
또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 외부 접속단자는 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, IC칩(28)보다 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)에 가깝다. 이것에 의해, 외부 접속단자로부터 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)로의 배선길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.
또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 외부 접속단자는 제 3 방향(D3)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 전력 증폭기(9a)에 있어서의 제 2 전력 증폭기(9b)측과는 반대측의 외주면(91)과, 제 2 전력 증폭기(9b)에 있어서의 제 1 전력 증폭기(9a)측과는 반대측의 외주면(92) 사이에 배치되어 있다. 이것에 의해, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은 외부 접속단자로부터 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)로의 배선길이를 짧게 하는 것이 가능해지고, 그 결과, 발진을 억제하는 것이 가능해짐과 아울러 노이즈의 침투를 저감하는 것이 가능해진다.
또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 외부 접속단자는 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)와 겹치지 않는다. 이것에 의해, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)은 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 바로 아래에 서멀 비아(방열 비아)를 배치하는 것이 가능해지고, 그 결과, 방열성을 향상시키는 것이 가능해진다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 패키지(16)에 수납되어 있지만, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 각각 설치되어 있어도 좋다.
실시형태 1에서는, 고주파 모듈(1)은 2개의 안테나(310, 311)를 사용한 동시 통신을 하도록 구성되어 있지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 고주파 모듈(1)은 1개의 안테나를 사용한 동시 통신을 행하도록 구성되어 있어도 좋다.
(2.2) 통신장치
실시형태 1에 따른 통신장치(300)는 상술한 고주파 모듈(1)과 신호처리회로(301)를 구비한다. 신호처리회로(301)는 고주파 모듈(1)에 접속되어 있다.
실시형태 1에 따른 통신장치(300)는 고주파 모듈(1)을 구비하므로, 실장기판의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
신호처리회로(301)를 구성하는 복수의 회로부품은, 예를 들면, 상술의 회로기판에 실장되어 있어도 좋고, 고주파 모듈(1)이 실장된 회로기판(제 1 회로기판)과는 다른 회로기판(제 2 회로기판)에 실장되어 있어도 좋다.
(3) 변형예
(3.1) 변형예 1
실시형태 1의 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)에 대해서, 도 6을 참조해서 설명한다. 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)에 관하여, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 같은 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 첨부해서 설명을 생략한다. 또, 고주파 모듈(1a)의 회로구성에 대해서는, 도 1을 참조해서 설명한 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)의 회로구성과 같다.
변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)은, 복수의 외부 접속단자(210)가 볼 범프인 점에서 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 상위하다. 또한, 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)은, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)의 제 2 수지층(202)을 구비하고 있지 않은 점에서 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 상위하다. 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)은, 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있는 회로부품(IC칩(27) 및 IC칩(28))과 실장기판(14)의 제 2 주면(142) 사이의 간극에 형성된 언더필부를 구비하고 있어도 좋다.
복수의 외부 접속단자(210)의 각각을 구성하는 볼 범프의 재료는, 예를 들면, 금, 구리, 땜납 등이다.
복수의 외부 접속단자(210)는, 볼 범프에 의해 구성된 외부 접속단자(210)와, 주상전극에 의해 구성된 외부 접속단자(210)가 혼재해도 좋다.
(실시형태 2)
실시형태 2에 따른 고주파 모듈(1b)에 대해서, 도 7, 도 8A 및 도 8B를 참조해서 설명한다. 실시형태 2에 따른 고주파 모듈(1b)에 관하여, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 같은 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 첨부해서 설명을 생략한다.
실시형태 2에 따른 고주파 모듈(1b)은, 복수(도시예에서는 2개)의 용량소자(15)를 더 구비하고 있는 점에서, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 상위하다. 복수의 용량소자(15) 중 한쪽의 용량소자(15)는, 제 1 전원단자(218)와 제 1 증폭부(91a, 91b)를 연결하는 경로(R1)와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 또한, 복수의 용량소자(15) 중 다른쪽의 용량소자(15)는, 제 2 전원단자(219)와 제 2 증폭부(92a, 92b)를 연결하는 경로(R2)와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 바꿔 말하면, 실시형태 2에 따른 고주파 모듈(1b)은, 외부 접속단자(제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219))와 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)를 연결하는 경로(R1, R2)과 그라운드 사이에 접속되어 있는 용량소자(15)를 더 구비한다. 복수의 용량소자(15)의 각각은, 예를 들면, 커패시터이다. 복수의 용량소자(15)의 각각은, 경로(R1, R2)에 보이는 고주파 노이즈를 그라운드에 바이패스하는 바이패스 콘덴서로서 기능한다.
여기에서, 실시형태 2에 따른 고주파 모듈(1b)에서는, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)는, 도 8A 및 도 8B에 나타내는 바와 같이, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 용량소자(15)와 겹쳐 있다. 이것에 의해, 실시형태 2에 따른 고주파 모듈(1b)은, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)와 용량소자(15) 사이의 배선길이를 짧게 하는 것이 가능해진다. 도 8A 및 도 8B에서는, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)의 전부가 용량소자(15)의 일부와 겹치고 있지만, 예를 들면, 제 1 전원단자(218) 및 제 2 전원단자(219)의 일부가 용량소자(15)의 일부와 겹쳐 있어도 좋다.
(양태)
본 명세서에는 이하의 양태가 개시되어 있다.
제 1 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)은, 실장기판(14)과, 제 1 전력 증폭기(9a)와, 제 2 전력 증폭기(9b)와, 회로부품(예를 들면, IC칩(28))과, 외부 접속단자(218, 219)를 구비한다. 실장기판(14)은 서로 대향하는 제 1 주면(141) 및 제 2 주면(142)을 갖는다. 제 1 전력 증폭기(9a)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 제 2 전력 증폭기(9b)는 실장기판(14)의 제 1 주면(141)에 실장되어 있다. 회로부품은 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)와는 다른 부품이며, 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 실장되어 있다. 외부 접속단자(218, 219)는 실장기판(14)의 제 2 주면(142)에 배치되어 있다. 외부 접속단자(218, 219)는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)에 전원전압을 공급하는 전원(21, 22)에 접속된다. 외부 접속단자(218, 219)는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 양쪽에 접속되어 있다.
이 양태에 의하면, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 각각에 대하여 외부 접속단자를 설치할 경우에 비하여, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 있어서의 실장기판(14)의 표면적을 작게 하는 것이 가능해진다. 즉, 이 양태에 의하면, 실장기판(14)의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
제 2 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)은, 제 1 양태에 있어서, 안테나 단자(2A, 2B)를 더 구비한다. 회로부품은 안테나 단자(2A, 2B)에 접속되어 있는 스위치(4)와 저잡음 증폭기(13)를 포함하는 IC칩(28)이다. 외부 접속단자(218, 219)는 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, IC칩(28)보다 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)에 가깝다.
이 양태에 의하면, 외부 접속단자(218, 219)로부터 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)로의 배선길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.
제 3 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)에서는, 제 1 또는 제 2 양태에 있어서, 외부 접속단자(218, 219)는 실장기판(14)의 두께 방향(D1), 및 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 배열되는 방향(제 2 방향(D2))의 양쪽에 교차하는 방향(제 3 방향(D3))으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 전력 증폭기(9a)에 있어서의 제 2 전력 증폭기(9ｂ)측과는 반대측의 외주면(91)과 제 2 전력 증폭기(9b)에 있어서의 제 1 전력 증폭기(9a)측과는 반대측의 외주면(92) 사이에 배치되어 있다.
이 양태에 의하면, 외부 접속단자(218, 219)부터 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)로의 배선길이를 짧게 하는 것이 가능해지고, 그 결과, 발진을 억제하는 것이 가능해짐과 아울러 노이즈의 침투를 저감하는 것이 가능해진다.
제 4 양태에 따른 고주파 모듈(1b)은, 제 1∼제 3 양태 중 어느 하나에 있어서, 용량소자(15)를 더 구비한다. 용량소자(15)는 외부 접속단자(218, 219)와 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)를 연결하는 경로(R1, R2)와 그라운드의 사이에 접속되어 있다.
이 양태에 의하면, 회로의 간소화를 도모하는 것이 가능해진다.
제 5 양태에 따른 고주파 모듈(1b)에서는, 제 4 양태에 있어서, 외부 접속단자(218, 219)는 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 용량소자(15)와 겹쳐 있다.
이 양태에 의하면, 외부 접속단자(218, 219)와 용량소자(15) 사이의 배선길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.
제 6 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)에서는, 제 1∼제 5 양태 중 어느 하나에 있어서, 외부 접속단자(218, 219)는 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)와 겹치지 않는다.
이 양태에 의하면, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 바로 아래에 서멀 비아(방열 비아)를 배치하는 것이 가능해지고, 그 결과, 방열성을 향상시키는 것이 가능해진다.
제 7 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)은, 제 1∼제 6 양태 중 어느 하나에 있어서, 외부 접속단자로서의 제 1 외부 접속단자(218)와는 다른 제 2 외부 접속단자(219)를 더 구비한다. 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 각각은, 다단 접속되어 있는 제 1 증폭부(91a, 91b) 및 제 2 증폭부(92a, 92b)를 갖는다. 제 1 외부 접속단자(218)는 제 1 전력 증폭기(9a)의 제 1 증폭부(91a)와 제 2 전력 증폭기(9b)의 제 1 증폭부(91b)에 접속되어 있다. 제 2 외부 접속단자(219)는 제 1 전력 증폭기(9a)의 제 2 증폭부(92a)와 제 2 전력 증폭기(9b)의 제 2 증폭부(92b)에 접속되어 있다.
이 양태에 의하면, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 각각에 대하여 외부 접속단자를 설치할 경우에 비하여, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 실장기판(14)의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
제 8 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)에서는, 제 1∼제 7 양태 중 어느 하나에 있어서, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)가 1개의 패키지(16)에 수납되어 있다.
이 양태에 의하면, 제 1 전력 증폭기(9a)와 제 2 전력 증폭기(9b)를 각각 와이어 본딩으로 실장기판(14)에 접속할 경우에 비하여, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 있어서의 실장기판(14)의 표면적을 작게 하는 것이 가능해진다.
제 9 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)에서는, 제 1∼제 8 양태 중 어느 하나에 있어서, 제 1 전력 증폭기(9a)는 제 1 주파수 대역의 송신신호를 증폭해서 출력한다. 제 2 전력 증폭기(9b)는 제 1 주파수 대역보다 저주파측의 제 2 주파수 대역의 송신신호를 증폭해서 출력한다.
이 양태에 의하면, 제 1 주파수 대역의 송신신호의 송신 전력을, 제 2 주파수 대역의 송신신호의 송신 전력보다 크게 하는 것이 가능해진다.
제 10 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)에서는, 제 9 양태에 있어서, 제 1 주파수 대역은 TDD용 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 제 2 주파수 대역은 FDD용 통신밴드의 송신 대역을 포함한다.
이 양태에 의하면, TDD용의 송신신호의 송신 전력을 FDD용의 송신신호의 송신 전력보다 크게 하는 것이 가능해진다.
제 11 양태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b)은, 제 1∼제 10 양태 중 어느 하나에 있어서, 컨트롤러(20)를 더 구비한다. 컨트롤러(20)는 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)를 제어한다. 컨트롤러(20)는 제 1 전력 증폭기(9a)로부터 송신신호를 출력시키는 기간과, 제 2 전력 증폭기(9b)로부터 송신신호를 출력시키는 기간을 다르게 하고 있다.
이 양태에 의하면, 1개의 전원(21, 22)에서 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 양쪽을 제어하는 것이 가능해진다.
제 12 양태에 따른 통신장치(300)는, 제 1∼제 11 양태 중 어느 하나의 고주파 모듈(1; 1a; 1b)과, 신호처리회로(301)를 구비한다. 신호처리회로(301)는 고주파 모듈(1; 1a; 1b)에 접속되어 있다.
이 양태에 의하면, 제 1 전력 증폭기(9a) 및 제 2 전력 증폭기(9b)의 각각에 대하여 외부 접속단자를 설치할 경우에 비하여, 실장기판(14)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 있어서의 실장기판(14)의 표면적을 작게 하는 것이 가능해진다. 즉, 이 양태에 의하면, 실장기판(14)의 소형화를 도모하는 것이 가능해진다.
1,1a ,lb : 고주파 모듈
2A : 제 1 안테나 단자(안테나 단자)
2B : 제 2 안테나 단자(안테나 단자)
3A : 제 1 저역통과필터
3B : 제 2 저역통과필터
4 : 제 1 스위치
5 : 정합회로
5a : 제 1 정합회로
5b : 제 2 정합회로
5c : 제 3 정합회로
6 : 필터
6a : 제 1 필터
6b : 제 2 필터
6c : 제 3 필터
7 : 제 2 스위치
8 : 출력 정합회로
8a : 제 1 출력 정합회로
8b : 제 2 출력 정합회로
9 : 전력 증폭기
9a : 제 1 전력 증폭기
9b : 제 2 전력 증폭기
10 : 제 4 스위치
10a : 하이밴드용 제 4 스위치
10b : 미들밴드용 제 4 스위치
11 : 제 3 스위치
12 : 입력 정합회로
13 : 저잡음 증폭기
14 : 실장기판
15 : 용량소자
16 : 패키지
20 : 컨트롤러
21 : 제 1 전원(전원)
22 : 제 2 전원(전원)
27 : IC칩
28 : IC칩
41A : 제 1 공통단자
41B : 제 2 공통단자
42 : 제 1 선택단자
43, 44 : 제 2 선택단자
61 : 제 1 송신 필터
62 : 제 1 수신 필터
63 : 제 2 송신 필터
64 : 제 2 수신 필터
65 : 제 3 송신 필터
66 : 제 3 수신 필터
71 : 제 1 공통단자
72 : 제 1 선택단자
75 : 제 2 공통단자
76, 77 : 제 2 선택단자
91a, 9lb : 제 1 증폭부
92a, 92b : 제 2 증폭부
101 : 공통단자
102, 103 : 선택단자
105 : 공통단자
106, 107 : 선택단자
111 : 공통단자
112, 113, 114 : 선택단자
141 : 제 1 주면
142 : 제 2 주면
201 : 제 1 수지층
202 : 제 2 수지층
203 : 실드층
210 : 외부 접속단자
211 : 그라운드 단자
212, 214 : 제 1 신호입력단자
213, 215 : 제 2 신호입력단자
216 : 제어단자
217 : 신호출력단자
218 : 제 1 전원단자(제 1 외부 접속단자)
219 : 제 2 전원단자(제 2 외부 접속단자)
300 : 통신장치
301 : 신호처리회로
302 : RF 신호처리회로
303 : 베이스밴드 신호처리회로
310 : 제 1 안테나
311 : 제 2 안테나
D1 : 두께 방향
D2 : 제 2 방향
D3 : 제 3 방향
R1 : 경로
R2 : 경로

Claims (12)

  1. 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 실장기판과,
    상기 실장기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있는 제 1 전력 증폭기와,
    상기 실장기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있는 제 2 전력 증폭기와,
    상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기와는 다른 부품이며, 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있는 회로부품과,
    상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있고, 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기에 전원전압을 공급하는 전원에 접속되며, 또한 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기의 양쪽에 접속되어 있는 외부 접속단자를 구비하는 고주파 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    안테나 단자를 더 구비하고,
    상기 회로부품은 상기 안테나 단자에 접속되어 있는 스위치와 저잡음 증폭기를 포함하는 IC칩이며,
    상기 외부 접속단자는, 상기 실장기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 볼 때에, 상기 IC칩보다 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기에 가까운 고주파 모듈.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 접속단자는, 상기 실장기판의 두께 방향, 및 상기 제 1 전력 증폭기와 상기 제 2 전력 증폭기가 배열되는 방향의 양쪽에 교차하는 방향으로부터의 평면에서 볼 때에, 상기 제 1 전력 증폭기에 있어서의 상기 제 2 전력 증폭기측과는 반대측의 외주면과 상기 제 2 전력 증폭기에 있어서의 상기 제 1 전력 증폭기측과는 반대측의 외주면 사이에 배치되어 있는 고주파 모듈.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 접속단자와 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기를 연결하는 경로와 그라운드 사이에 접속되어 있는 용량소자를 더 구비하는 고주파 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 외부 접속단자는, 상기 실장기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 볼 때에, 상기 용량소자와 겹쳐 있는 고주파 모듈.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 접속단자는, 상기 실장기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 볼 때에, 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기와 겹치지 않는 고주파 모듈.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 접속단자로서의 제 1 외부 접속단자와는 다른 제 2 외부 접속단자를 더 구비하고,
    상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기의 각각은, 다단 접속되어 있는 제 1 증폭부 및 제 2 증폭부를 갖고,
    상기 제 1 외부 접속단자는, 상기 제 1 전력 증폭기의 상기 제 1 증폭부와 상기 제 2 전력 증폭기의 상기 제 1 증폭부에 접속되어 있고,
    상기 제 2 외부 접속단자는, 상기 제 1 전력 증폭기의 상기 제 2 증폭부와 상기 제 2 전력 증폭기의 상기 제 2 증폭부에 접속되어 있는 고주파 모듈.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전력 증폭기와 상기 제 2 전력 증폭기가 1개의 패키지에 수납되어 있는 고주파 모듈.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전력 증폭기는 제 1 주파수 대역의 송신신호를 증폭해서 출력하고,
    상기 제 2 전력 증폭기는 상기 제 1 주파수 대역보다 저주파측의 제 2 주파수 대역의 송신신호를 증폭해서 출력하는 고주파 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 주파수 대역은 TDD용 통신밴드의 송신 대역을 포함하고,
    상기 제 2 주파수 대역은 FDD용 통신밴드의 송신 대역을 포함하는 고주파 모듈.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기를 제어하는 컨트롤러를 더 구비하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 제 1 전력 증폭기로부터 송신신호를 출력시키는 기간과, 상기 제 2 전력 증폭기로부터 송신신호를 출력시키는 기간을 다르게 하고 있는 고주파 모듈.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 고주파 모듈과,
    상기 고주파 모듈에 접속되어 있는 신호처리회로를 구비하는 통신장치.
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