CN114080756B - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

更稳定地控制功率放大器。高频模块(1)具备安装基板(9)、多个外部连接端子(80)、功率放大器(11)以及控制器(14)。安装基板(9)具有彼此相向的第一主面(91)和第二主面(92)。多个外部连接端子(80)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。功率放大器(11)配置于安装基板(9)的第一主面(91)或第二主面(92)。控制器(14)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。多个外部连接端子(80)包括控制端子(84)。控制器(14)基于从控制端子(84)获取到的控制信号来控制功率放大器(11)。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本发明一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说涉及具备功率放大器的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。
背景技术
以往，已知具备驱动器级放大器(功率放大器)、输出级放大器(功率放大器)、输入开关、输出开关、输入匹配电路、级间匹配电路、输出匹配电路以及控制电路(控制器)的功率放大模块(例如，参照专利文献1)。功率放大模块是在便携式电话等移动通信终端中将输入信号的功率放大到向基站发送所需的水平的高频模块。
控制电路控制输入开关、输出开关、驱动器级放大器以及输出级放大器的动作。
功率放大模块的驱动器级放大器、输出级放大器、输入开关、输出开关、输入匹配电路、级间匹配电路、输出匹配电路以及控制电路等各结构部件配置于安装基板的安装面。输入开关、输出开关以及控制电路集成于单个IC芯片。驱动器级放大器和输出级放大器集成于单个IC芯片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-181943号公报
发明内容
发明要解决的问题
在高频模块中，有如下担忧：根据安装基板上的控制器的位置，在安装基板中通过的其它信号会干扰控制信号。在该情况下，控制器对功率放大器的控制有可能变得不稳定。
本发明的目的在于提供一种能够更稳定地控制功率放大器的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、多个外部连接端子、功率放大器以及控制器。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述多个外部连接端子配置于所述安装基板的所述第二主面。所述功率放大器配置于所述安装基板的所述第一主面或所述第二主面。所述控制器配置于所述安装基板的所述第二主面。所述多个外部连接端子包括控制端子。所述控制器基于从所述控制端子获取到的控制信号来控制所述功率放大器。
本发明的一个方式所涉及的通信装置具备上述方式的高频模块以及信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接。
发明的效果
本发明的上述方式所涉及的高频模块和通信装置能够更稳定地控制功率放大器。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的仰视图。
图2是示出同上的高频模块的图1的A-A线截面图。
图3是示出同上的高频模块的图1的B-B线截面图。
图4是具备同上的高频模块的通信装置的电路结构图。
图5是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的截面图。
图6是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的仰视图。
图7是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的仰视图。
图8是实施方式1的变形例4所涉及的高频模块的仰视图。
图9是示出同上的高频模块的图8的A-A线截面图。
图10是实施方式1的变形例5所涉及的高频模块的仰视图。
图11是示出同上的高频模块的图10的A-A线截面图。
图12是实施方式1的其它变形例所涉及的高频模块的仰视图。
图13是具备实施方式2所涉及的高频模块的通信装置的电路图。
图14是同上的高频模块的俯视图。
图15是关于同上的高频模块的、从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电子部件及多个外部连接端子的俯视图。
图16A是关于同上的高频模块的、用虚线示出配置于安装基板的第二主面的电子部件和外部连接端子的俯视图。图16B是图16A的A-A线截面图。
图17是实施方式2的变形例所涉及的高频模块的俯视图。
图18是关于同上的高频模块的、从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电子部件及多个外部连接端子的俯视图。
图19是关于同上的高频模块的、用虚线示出配置于安装基板的第二主面的电子部件和外部连接端子的俯视图。
图20是具备实施方式3所涉及的高频模块的通信装置的电路图。
图21是同上的高频模块的俯视图。
图22是关于同上的高频模块的、从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电子部件和多个外部连接端子的俯视图。
图23A是关于同上的高频模块的、用虚线示出配置于安装基板的第二主面的电子部件和外部连接端子的俯视图。图23B是图23A的A-A线截面图。
图24是实施方式3的变形例所涉及的高频模块的俯视图。
图25是关于同上的高频模块的、从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电子部件及多个外部连接端子的俯视图。
图26是关于同上的高频模块的、用虚线示出配置于安装基板的第二主面的电子部件和外部连接端子的俯视图。
具体实施方式
下面的实施方式等中所参照的图1～图3、图5～图12、图14～图19及图21～图26均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
下面，参照图1～图4来说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300。
(1.1)高频模块和通信装置
(1.1.1)高频模块和通信装置的电路结构
参照图4来说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300的电路结构。
实施方式1所涉及的高频模块1例如使用于通信装置300。通信装置300例如是便携式电话(例如，智能电话)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP LTE(Long Term Evolution：长期演进)标准。5G标准例如是5G NR(NewRadio：新空口)。高频模块1是能够支持载波聚合和双连接的模块。
高频模块1例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号放大后输出到天线310。另外，高频模块1构成为能够将从天线310输入的接收信号放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1的结构要素，而是具备高频模块1的通信装置300的结构要素。实施方式1所涉及的高频模块1例如由通信装置300所具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装有高频模块1的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具有被提供地电位的地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出被进行信号处理后的高频信号。另外，对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将被进行信号处理后的高频信号输出到基带信号处理电路303。基带信号处理电路303例如是BBIC(BasebandIntegrated Circuit：基带集成电路)，对来自信号处理电路301的外部的发送信号进行规定的信号处理。另外，基带信号处理电路303对从RF信号处理电路302输入的接收信号进行规定的信号处理。被基带信号处理电路303处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通话。高频模块1在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传输高频信号(接收信号、发送信号)。在通信装置300中，基带信号处理电路303不是必需的结构要素。
实施方式1所涉及的高频模块1具备功率放大器11和控制器14。另外，高频模块1还具备低噪声放大器21和三个双工器32A、32B、32C。双工器32A包括发送滤波器12A和接收滤波器22A。双工器32B包括发送滤波器12B和接收滤波器22B。双工器32C包括发送滤波器12C和接收滤波器22C。另外，高频模块1还具备第一开关4和第二开关5。另外，高频模块1还具备输出匹配电路13和输入匹配电路23。另外，高频模块1还具备三个匹配电路71A、71B、71C。
另外，高频模块1具备多个外部连接端子80。多个外部连接端子80包括天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、多个控制端子84以及多个地端子85(参照图1及图3)。多个地端子85是与通信装置300所具备的上述电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。
功率放大器11具有输入端子111和输出端子112。功率放大器11将输入到输入端子111的规定频带的发送信号放大后从输出端子112输出。在此，规定频带例如包括第一通信频段、第二通信频段以及第三通信频段。第一通信频段与通过发送滤波器12A的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band11。第二通信频段与通过发送滤波器12B的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band22。第三通信频段与通过发送滤波器12C的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band42、Band48或5G NR标准的n77。功率放大器11的输入端子111与信号输入端子82连接。功率放大器11的输入端子111经由信号输入端子82来与信号处理电路301连接。信号输入端子82是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块1的端子。功率放大器11的输出端子112经由输出匹配电路13来与第二开关5的公共端子50A连接。功率放大器11由控制器14进行控制。
控制器14与功率放大器11连接。控制器14经由多个(例如，四个)控制端子84来与信号处理电路301连接。多个控制端子84是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的控制信号输入到控制器14的端子。控制器14基于从多个控制端子84获取到的控制信号来控制功率放大器11。多个控制端子84例如支持MIPI(Mobile Industry ProcessorInterface：移动行业处理器接口)标准。控制器14具有与多个控制端子84连接的多个端子148，来作为供控制信号输入的输入部。多个端子148例如支持MIPI标准。在实施方式1所涉及的高频模块1中，控制器14与功率放大器11所具有的输入部118连接。控制器14按照来自RF信号处理电路302的控制信号来控制功率放大器11。在此，控制器14利用多个端子148接受来自RF信号处理电路302的控制信号，伴随该控制信号而例如向功率放大器11供给偏置电流。另外，控制器14还与第一开关4所具有的输入部48及第二开关5所具有的输入部58连接，还基于上述的控制信号来控制第一开关4和第二开关5。
低噪声放大器21具有输入端子211和输出端子212。低噪声放大器21将输入到输入端子211的上述规定频带的接收信号放大后从输出端子212输出。低噪声放大器21的输入端子211经由输入匹配电路23来与第二开关5的公共端子50B连接。低噪声放大器21的输出端子212与信号输出端子83连接。低噪声放大器21的输出端子212例如经由信号输出端子83来与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于将来自低噪声放大器21的高频信号(接收信号)向外部电路(例如，信号处理电路301)输出的端子。
发送滤波器12A例如是以第一通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器12B例如是以第二通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器12C例如是以第三通信频段的发送带为通带的滤波器。接收滤波器22A例如是以第一通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器22B例如是以第二通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器22C例如是以第三通信频段的接收带为通带的滤波器。
第一开关4具有公共端子40和三个选择端子41～43。公共端子40与天线端子81连接。天线310与天线端子81连接。选择端子41连接于发送滤波器12A的输出端子与接收滤波器22A的输入端子的连接点。选择端子42连接于发送滤波器12B的输出端子与接收滤波器22B的输入端子的连接点。选择端子43连接于发送滤波器12C的输出端子与接收滤波器22C的输入端子的连接点。第一开关4例如是能够将三个选择端子41～43中的至少一个以上的选择端子与公共端子40连接的开关。在此，第一开关4例如是能够进行一对一和一对多的连接的开关。
第一开关4例如由控制器14进行控制。按照来自控制器14的控制信号，来切换公共端子40与三个选择端子41～43的连接状态。第一开关4例如是开关IC(IntegratedCircuit：集成电路)。
第二开关5具有两个公共端子50A、50B、三个选择端子51A、52A、53A、以及三个选择端子51B、52B、53B。公共端子50A经由输出匹配电路13来与功率放大器11的输出端子112连接。选择端子51A与发送滤波器12A的输入端子(双工器32A的发送端子)连接。选择端子52A与发送滤波器12B的输入端子(双工器32B的发送端子)连接。选择端子53A与发送滤波器12C的输入端子(双工器32C的发送端子)连接。公共端子50B经由输入匹配电路23来与低噪声放大器21的输入端子211连接。选择端子51B与接收滤波器22A的输出端子(双工器32A的接收端子)连接。选择端子52B与接收滤波器22B的输出端子(双工器32B的接收端子)连接。选择端子53B与接收滤波器22C的输出端子(双工器32C的接收端子)连接。
第二开关5例如是能够将三个选择端子51A～53A中的至少一个以上的选择端子与公共端子50A连接的开关。另外，第二开关5例如是能够将三个选择端子51B～53B中的至少一个以上的选择端子与公共端子50B连接的开关。在此，第二开关5例如是能够针对两个公共端子50A、50B中的各公共端子进行一对一和一对多的连接的开关。
第二开关5例如由控制器14进行控制。第二开关5例如按照来自控制器14的控制信号，来切换公共端子50A与三个选择端子51A～53A的连接状态，并切换公共端子50B与三个选择端子51B～53B的连接状态。第二开关5例如是开关IC。
输出匹配电路13设置于功率放大器11的输出端子112与第二开关5的公共端子50A之间的信号路径。输出匹配电路13是用于取得功率放大器11与发送滤波器12A、12B、12C的阻抗匹配的电路。输出匹配电路13例如由一个电感器131(参照图2)构成，但是不限于此，例如，有时也包括多个电感器和多个电容器。
输入匹配电路23设置于低噪声放大器21的输入端子211与第二开关5的公共端子50B之间的信号路径。输入匹配电路23是用于取得低噪声放大器21与接收滤波器22A、22B、22C的阻抗匹配的电路。输入匹配电路23例如由一个电感器构成，但是不限于此，例如，有时也包括多个电感器和多个电容器。
匹配电路71A是用于取得双工器32A与同天线端子81连接的天线310及第一开关4的阻抗匹配的电路。匹配电路71A设置于第一开关4的选择端子41与双工器32A的天线侧端子之间的信号路径。匹配电路71A例如由一个电感器构成，但是不限于此，例如，有时也包括多个电感器和多个电容器。
匹配电路71B是用于取得双工器32B与同天线端子81连接的天线310及第一开关4的阻抗匹配的电路。匹配电路71B设置于第一开关4的选择端子42与双工器32B的天线侧端子之间的信号路径。匹配电路71B例如由一个电感器构成，但是不限于此，例如，有时也包括多个电感器和多个电容器。
匹配电路71C是用于取得双工器32C与同天线端子81连接的天线310及第一开关4的阻抗匹配的电路。匹配电路71C设置于第一开关4的选择端子43与双工器32C的天线侧端子之间的信号路径。匹配电路71C例如由一个电感器构成，但是不限于此，例如，有时也包括多个电感器和多个电容器。
(1.1.2)高频模块的构造
下面，参照图1～图3来说明高频模块1的构造。
高频模块1具备安装基板9、多个电路元件以及多个外部连接端子80。
安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上彼此相向的第一主面91和第二主面92。安装基板9例如是印刷电路板、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板等。在此，安装基板9例如是包括多个电介质层和多个导体图案层的多层基板。多个电介质层和多个导体图案层在安装基板9的厚度方向D1上被层叠。多个导体图案层分别形成为规定图案。多个导体图案层中的各导体图案层在与安装基板9的厚度方向D1正交的一个平面内包括一个或多个导体部。各导体图案层的材料例如是铜。多个导体图案层包括地层。在高频模块1中，多个地端子85与地层经由安装基板9所具有的通路导体等来电连接。
安装基板9的第一主面91和第二主面92在安装基板9的厚度方向D1上相分离，且与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9的第一主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板9的第二主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板9的第一主面91和第二主面92也可以形成有微细的凹凸或凹部或凸部。
高频模块1具备上述的功率放大器11、控制器14、低噪声放大器21、三个双工器32A、32B、32C、第一开关4、第二开关5、输出匹配电路13、输入匹配电路23、以及三个匹配电路71A、71B、71C，来作为多个电路元件。高频模块1的多个电路元件安装于安装基板9。“电路元件安装于安装基板9”包括电路元件配置于安装基板9(被机械地连接)、以及电路元件与安装基板9(的适当的导体部)电连接。多个电路元件不仅仅限于安装于安装基板9的电子部件，也可以包括设置于安装基板9内的电路元件。在图1中，省略多个电路元件中的除功率放大器11、控制器14、低噪声放大器21、第一开关4及第二开关5以外的电路元件的图示。在实施方式1所涉及的高频模块1中，功率放大器11安装于安装基板9的第一主面91。另外，在高频模块1中，控制器14、低噪声放大器21、第一开关4以及第二开关5安装于安装基板9的第二主面92。第一开关4设置于发送信号用的信号路径和接收信号用的信号路径这两方。在高频模块1中，第一开关4设置于设置有功率放大器11、输出匹配电路13、第二开关5以及发送滤波器12A的发送信号用的信号路径。另外，第一开关4设置于设置有功率放大器11、输出匹配电路13、第二开关5以及发送滤波器12B的发送信号用的信号路径。另外，第一开关4设置于设置有功率放大器11、输出匹配电路13、第二开关5以及发送滤波器12C的发送信号用的信号路径。另外，第一开关4设置于设置有接收滤波器22A、第二开关5、输入匹配电路23以及低噪声放大器21的接收信号用的信号路径。另外，第一开关4设置于设置有接收滤波器22B、第二开关5、输入匹配电路23以及低噪声放大器21的接收信号用的信号路径。另外，第一开关4设置于设置有接收滤波器22C、第二开关5、输入匹配电路23以及低噪声放大器21的接收信号用的信号路径。
在高频模块1中，功率放大器11是具备基板和IC部的IC芯片，该基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，该IC部包括形成于该基板的第一主面侧的至少一个晶体管。基板例如是砷化镓基板。IC部具有将输入到功率放大器11的输入端子111的发送信号放大的功能。晶体管例如是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极晶体管)。功率放大器11例如也可以包括直流截止用的电容器。构成功率放大器11的IC芯片以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91，使得基板的第一主面和第二主面中的第一主面面对安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11的外周形状呈四边形形状。
在高频模块1中，控制器14是具备基板和IC部的IC芯片，该基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，该IC部形成于该基板的第一主面侧。基板例如是硅基板。IC部具有控制功率放大器11的功能。另外，IC部具有控制第一开关4的功能和控制第二开关5的功能。构成控制器14的IC芯片以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第二主面92，使得基板的第一主面和第二主面中的第一主面面对安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，控制器14的外周形状呈四边形形状。
低噪声放大器21例如是具备基板和IC部的单芯片的IC芯片，该基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，该IC部形成于该基板的第一主面侧。基板例如是硅基板。IC部具有将输入到低噪声放大器21的输入端子211的接收信号放大的功能。低噪声放大器21以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第二主面92，使得基板的第一主面和第二主面中的第一主面面对安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，低噪声放大器21的外周形状呈四边形形状。
三个双工器32A、32B、32C中的各双工器例如是裸芯片的双工器。如上所述，双工器32A具有发送滤波器12A和接收滤波器22A。双工器32B具有发送滤波器12B和接收滤波器22B。双工器32C具有发送滤波器12C和接收滤波器22C。
三个发送滤波器12A、12B、12C以及三个接收滤波器22A、22B、22C中的各滤波器例如是梯型滤波器，具有多个(例如，四个)串联臂谐振器和多个(例如，三个)并联臂谐振器。三个发送滤波器12A、12B、12C以及三个接收滤波器22A、22B、22C中的各滤波器例如是弹性波滤波器，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。
在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是SAW(SurfaceAcousticWave：声表面波)谐振器。
三个双工器32A、32B、32C中的各双工器例如具有：具有第一主面和第二主面的基板、形成于该基板的第一主面侧的作为发送滤波器(发送滤波器12A、12B、12C中的对应的发送滤波器)的第一电路部、以及形成于该基板的第一主面侧的作为接收滤波器(接收滤波器22A、22B、22C中的对应的接收滤波器)的第二电路部。基板例如是压电体基板。压电体基板例如是钽酸锂基板、铌酸锂基板等。第一电路部和第二电路部中的各电路部具有与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT(InterdigitalTransducer：叉指换能器)电极以及与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。
三个双工器32A、32B、32C安装于安装基板9的第一主面91。三个双工器32A、32B、32C配置为基板的第一主面和第二主面中的第一主面面对安装基板9。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，三个双工器32A、32B、32C中的各双工器的外周形状呈四边形形状。
在三个双工器32A、32B、32C中的各双工器中，基板不限于压电体基板，例如也可以是硅基板。在该情况下，三个双工器32A、32B、32C中的各双工器具备设置于基板的第一主面上的低声速膜以及设置于低声速膜上的压电体层。多个第一IDT电极设置于压电体层上。低声速膜直接地或间接地设置于基板上。另外，压电体层直接地或间接地设置于低声速膜上。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。压电体层的材料例如是钽酸锂。低声速膜的材料例如是氧化硅。在将以IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度例如为3.5λ以下。低声速膜的厚度例如为2.0λ以下。
压电体层只要例如由钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝以及锆钛酸铅中的任一者形成即可。另外，低声速膜只要包括从由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、对氧化硅添加氟或碳或硼所得到的化合物构成的组中选择的至少一种材料即可。另外，基板只要包括从由硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少一种材料即可。
三个双工器32A、32B、32C中的各双工器例如也可以包括介于低声速膜与压电体层之间的贴合层。贴合层例如由树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)构成。另外，三个双工器32A、32B、32C中的各双工器也可以在低声速膜与压电体层之间、压电体层上、以及低声速膜下的任一位置具备电介质膜。
另外，三个双工器32A、32B、32C中的各双工器例如也可以具备介于基板与低声速膜之间的高声速膜。高声速膜直接地或间接地设置于基板上。低声速膜直接地或间接地设置于高声速膜上。压电体层直接地或间接地设置于低声速膜上。在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。
高声速膜由类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等的压电体、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等的各种陶瓷、氧化镁、金刚石、以上述各材料为主要成分的材料、或以上述各材料的混合物为主要成分的材料构成。
关于高声速膜的厚度，由于高声速膜具有将弹性波封入压电体层和低声速膜的功能，因此高声速膜的厚度越厚越理想。
三个双工器32A、32B、32C中的各双工器例如也可以还具备间隔层和罩构件。间隔层和罩构件设置于基板的第一主面侧。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，间隔层包围多个IDT电极。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，间隔层呈框状(矩形框状)。间隔层具有电绝缘性。间隔层的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。罩构件呈平板状。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，罩构件呈长方形形状，但是不限于此，例如也可以呈正方形形状。在三个双工器32A、32B、32C中的各双工器中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，罩构件的外形尺寸与间隔层的外形尺寸大致相同。罩构件以在安装基板9的厚度方向D1上与基板相向的方式配置于间隔层。罩构件在安装基板9的厚度方向D1上与多个IDT电极重叠，且在安装基板9的厚度方向D1上与多个IDT电极分离。罩构件具有电绝缘性。罩构件的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。三个双工器32A、32B、32C中的各双工器具有被基板、间隔层以及罩构件包围的空间。在三个双工器32A、32B、32C中的各双工器中，气体进入空间。气体例如是空气、非活性气体(例如，氮气)等。三个双工器32A、32B、32C各自的多个端子从罩构件暴露出来。多个端子中的各个端子例如是凸块。各凸块例如是焊锡凸块。各凸块不限于焊锡凸块，例如也可以是金凸块。
第一开关4和第二开关5中的各开关是开关IC。更详细地说，第一开关4和第二开关5中的各开关例如是具备基板和IC部的单芯片的IC芯片，该基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，该IC部包括形成于该基板的第一主面侧的FET(FieldEffectTransistor：场效应晶体管)。基板例如是硅基板。IC部是具有切换连接状态的功能的功能部。第一开关4和第二开关5中的各开关以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第二主面92，使得基板的第一主面和第二主面中的第一主面面对安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，构成第一开关4和第二开关5中的各开关的IC芯片的外周形状呈四边形形状。
输出匹配电路13中的电感器131例如是芯片电感器。输出匹配电路13中的电感器131例如安装于安装基板9的第一主面91，但是不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电感器的外周形状呈四边形形状。
输入匹配电路23中的电感器例如是芯片电感器。输入匹配电路23中的电感器例如安装于安装基板9的第一主面91，但是不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电感器的外周形状呈四边形形状。
三个匹配电路71A、71B、71C中的各匹配电路中的电感器例如是芯片电感器。三个匹配电路71A、71B、71C中的各匹配电路中的电感器例如安装于安装基板9的第一主面91，但是不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电感器的外周形状呈四边形形状。
多个外部连接端子80配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子80的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。多个外部连接端子80中的各外部连接端子是柱状电极。在此，柱状电极例如是圆柱状的电极。
如上所述，多个外部连接端子80包括天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、多个控制端子84以及多个地端子85。如上所述，多个地端子85与安装基板9的地层电连接。地层是高频模块1的电路地，高频模块1的多个电路元件包括与地层电连接的电路元件。另外，多个外部连接端子80例如包括用于将电压从外部供给到功率放大器11等的电源端子。
高频模块1还具备第一树脂层101，该第一树脂层101在安装基板9的第一主面91侧覆盖安装于安装基板9的第一主面91的多个电路元件(功率放大器11、三个双工器32A、32B、32C、输出匹配电路13的电感器131、输入匹配电路的电感器、三个匹配电路71A、71B、71C中的各匹配电路的电感器)等。第一树脂层101包括树脂。也可以是，第一树脂层101除了包括树脂之外还包括填料。
另外，高频模块1还具备第二树脂层102，该第二树脂层102在安装基板9的第二主面92侧覆盖安装于安装基板9的第二主面92的多个电路元件(控制器14、低噪声放大器21、第一开关4以及第二开关5)中的各电路元件的一部分。第二树脂层102以使控制器14、低噪声放大器21、第一开关4以及第二开关5各自的基板的第二主面暴露出来的方式形成。第二树脂层102包括树脂。也可以是，第二树脂层102除了包括树脂之外还包括填料。第二树脂层102的材料可以是与第一树脂层101的材料相同的材料，也可以是与第一树脂层101的材料不同的材料。
另外，高频模块1还具备屏蔽层。屏蔽层的材料例如是金属。屏蔽层覆盖第一树脂层101的主面1011及外周面1013、安装基板9的外周面93、以及第二树脂层102的外周面1023。屏蔽层与安装基板9所具有的地层接触。由此，能够使屏蔽层的电位与地层的电位相同。
(1.2)高频模块的制造方法
在高频模块的制造方法中，例如进行将多个电路元件安装于安装基板9的第一工序。另外，在第一工序中，进行将成为多个外部连接端子80的基础的多个导体支柱配置于安装基板9的第二主面92的步骤。
在上述的第一工序之后，进行第二工序。在第二工序中，进行以下步骤：形成覆盖安装基板9的第一主面91侧的多个电路元件的第一树脂层101；以及形成覆盖安装基板9的第二主面92侧的多个电路元件及多个导体支柱的、成为第二树脂层102的基础的树脂层。
在上述的第二工序之后，进行第三工序。在第三工序中，从与安装基板9侧相反的一侧的面研磨在第二工序中形成的树脂层等。在此，在第三工序中，通过研磨树脂层，来形成第二树脂层102。另外，在第三工序中，在通过研磨树脂层来使多个电路元件中的至少一个电路元件中的基板的第二主面暴露出来之后，还进一步进行研磨，由此使多个电路元件中的各电路元件中的基板变薄。在第三工序中，通过研磨多个导体支柱来形成多个外部连接端子80。
在上述的第三工序之后，进行第四工序。在第四工序中，形成屏蔽层。此外，也可以对具备多个安装基板9且能够使安装基板9多连片的多连片基板进行第一工序、第二工序以及第三工序。在该情况下，例如只要在第三工序之后将多连片基板分离为各个安装基板9后进行第四工序即可。
(1.3)总结
(1.3.1)高频模块
实施方式1所涉及的高频模块1具备安装基板9、多个外部连接端子80、功率放大器11以及控制器14。安装基板9具有彼此相向的第一主面91和第二主面92。多个外部连接端子80配置于安装基板9的第二主面92。功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91。控制器14配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子80包括控制端子84。控制器14基于从控制端子84获取到的控制信号来控制功率放大器11。此外，功率放大器11设置于发送信号用的信号路径。
实施方式1所涉及的高频模块1能够更稳定地控制功率放大器11。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，控制器14配置于安装基板9的第二主面92，因此能够抑制从外部电路(例如，信号处理电路301)发送来的控制信号(几MHz～几十MHz的数字信号)的不需要的辐射所导致的相邻信道泄漏功率比(Adjacent ChannelLeakage Ratio：ACLR，邻道泄漏比)的劣化和发送信号的劣化。
另外，在与实施方式1所涉及的高频模块1不同的、在安装基板的第一主面配置有控制器且在安装基板的第二主面配置有包括控制端子的多个外部连接端子的比较例的高频模块中，通过控制端子被输入到控制器的控制信号在安装基板中通过。在比较例的高频模块中，在安装基板中通过的其它信号会干扰控制信号，控制器对功率放大器的控制有可能变得不稳定。与此相对，在实施方式1所涉及的高频模块1中，如上所述，控制端子84配置于安装基板9的第二主面92，控制器14配置于安装基板9的第二主面92。因而，在实施方式1所涉及的高频模块1中，例如能够利用安装基板9的多个导体图案层中的在安装基板9的厚度方向D1上最靠第二主面92侧的导体图案层所包含的导体部，来构成将控制端子84与控制器14连接的布线。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，与将控制端子84与控制器14连接的布线沿着安装基板9的厚度方向D1形成的情况相比，控制信号不易受到其它信号(例如，发送信号等)的干扰，因此能够提高控制信号与其它信号的隔离度。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够更稳定地控制功率放大器11。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，控制器14安装于安装基板9的第二主面92，因此与控制器14安装于安装基板9的第一主面91的情况相比，安装于安装基板9的第一主面91的电路元件的布局的自由度变高。另外，实施方式1所涉及的高频模块1能够实现小型化。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，多个外部连接端子80包括多个控制端子84。多个控制端子84支持MIPI标准。控制器14具有支持MIPI标准且与多个控制端子84连接的多个端子148。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，支持MIPI标准的控制信号不易受到其它信号的干扰。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，容易使由功率放大器11产生的热量散发。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，功率放大器11以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91。安装基板9还具有贯通电极95。贯通电极95在安装基板9中沿着安装基板9的厚度方向D1形成，与功率放大器11连接。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，更容易使由功率放大器11产生的热量散发。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11与控制器14不重叠。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够提高功率放大器11与控制器14的隔离度，从而能够进一步提高发送信号与控制信号的隔离度。
另外，实施方式1所涉及的高频模块1还具备低噪声放大器21。低噪声放大器21安装于安装基板9的第二主面92。低噪声放大器21设置于接收信号用的信号路径。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11与低噪声放大器21不重叠。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够提高功率放大器11与低噪声放大器21的隔离度。
(1.3.2)通信装置
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。信号处理电路301与高频模块1连接。信号处理电路301对向天线310发送的发送信号进行信号处理。高频模块1在天线310与信号处理电路301之间传输发送信号。
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块1，因此能够更稳定地控制功率放大器11。构成信号处理电路301的多个电子部件例如可以安装于上述的电路基板，也可以安装于与安装有高频模块1的电路基板(第一电路基板)不同的电路基板(第二电路基板)。
(1.4)高频模块的变形例
(1.4.1)变形例1
参照图5来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频模块1a。关于变形例1所涉及的高频模块1a，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素标注同一附图标记并省略说明。
变形例1所涉及的高频模块1a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：多个外部连接端子80为球形凸块。另外，变形例1所涉及的高频模块1a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：不具备实施方式1所涉及的高频模块1的第二树脂层102。变形例1所涉及的高频模块1a也可以具备设置于第一开关4、第二开关5及控制器14各自与安装基板9的第二主面92之间的间隙的底部填充部。
构成多个外部连接端子80中的各外部连接端子的球形凸块的材料例如是金、铜、焊锡等。
也可以是，在多个外部连接端子80中，由球形凸块构成的外部连接端子80与由柱状电极构成的外部连接端子80混合存在。
(1.4.2)变形例2
参照图6来说明实施方式1的变形例2所涉及的高频模块1b。关于变形例2所涉及的高频模块1b，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素标注同一附图标记并省略说明。
变形例2所涉及的高频模块1b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：第二开关5与控制器14形成为单芯片。因而，变形例2所涉及的高频模块1b具有包括控制器14和第二开关5的IC芯片7，因此能够实现部件个数(IC芯片的数量)的削减。由此，在变形例2所涉及的高频模块1b中，能够提高安装于安装基板9的第二主面92的电路元件的布局的自由度。另外，在变形例2所涉及的高频模块1b中，能够增加配置于安装基板9的第二主面92的地端子85的数量。
(1.4.3)变形例3
参照图7来说明实施方式1的变形例3所涉及的高频模块1c。关于变形例3所涉及的高频模块1c，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素标注同一附图标记并省略说明。
变形例3所涉及的高频模块1c在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：第二开关5(参照图1)不是安装于安装基板9的第二主面92而是安装于第一主面91。
(1.4.4)变形例4
参照图8及图9来说明实施方式1的变形例4所涉及的高频模块1d。关于变形例4所涉及的高频模块1d，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素标注同一附图标记并省略说明。
变形例4所涉及的高频模块1d在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：第一开关4与控制器14形成为单芯片。因而，变形例4所涉及的高频模块1d具有包括控制器14和第一开关4的IC芯片3，因此能够实现部件个数(IC芯片的数量)的削减。由此，变形例4所涉及的高频模块1d能够提高安装于安装基板9的第二主面92的电路元件的布局的自由度。另外，变形例4所涉及的高频模块1d能够增加配置于安装基板9的第二主面92的地端子85的数量。
另外，变形例4所涉及的高频模块1d在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：第二开关5(参照图1)不是安装于安装基板9的第二主面92而是安装于第一主面91。由此，变形例4所涉及的高频模块1d能够进一步提高安装于安装基板9的第二主面92的电路元件的布局的自由度。
(1.4.5)变形例5
参照图10及图11来说明实施方式1的变形例5所涉及的高频模块1e。关于变形例5所涉及的高频模块1e，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素标注同一附图标记并省略说明。
变形例5所涉及的高频模块1e在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：第一开关4(参照图1)、第二开关5(参照图1)以及低噪声放大器21(参照图1)不是安装于安装基板9的第二主面92而是安装于第一主面91。由此，变形例5所涉及的高频模块1e能够进一步提高安装于安装基板9的第二主面92的电路元件的布局的自由度。
(1.5)其它变形例
上述的实施方式1等不过是本发明的各种实施方式之一。只要能够达成本发明的目的，上述的实施方式1等能够根据设计等来进行各种的变更。
例如，安装基板9不限于是印刷电路板或LTCC基板的情况，例如也可以是HTCC(HighTemperatureCo-firedCeramics：高温共烧陶瓷)基板、部件内置基板等。
另外，安装基板9例如也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层形成为按层决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层形成为按层决定的规定图案。导电层也可以包括一个或多个重布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上彼此相向的两个面中的第一面为安装基板9的第一主面91，第二面为安装基板9的第二主面92。布线构造体例如也可以是中介层。中介层可以是使用硅基板的中介层，也可以是多层地构成的基板。
功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91，但是不限于此，也可以如图12所示那样配置于安装基板9的第二主面92。另外，功率放大器11也可以通过利用接合线的安装方式来安装，来代替以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91。即，也可以是，在功率放大器11中，使基板的第二主面面对安装基板9的第一主面91来利用管芯接合(diebond)材料将基板的第二主面与安装基板9的第一主面91接合，基板的第一主面侧的端子(焊盘电极)经由接合线来与安装基板9的第一主面91侧的导体图案层的导体部电连接。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，安装于安装基板9的第二主面92的多个电路元件(控制器14、低噪声放大器21、第一开关4以及第二开关5)中的各电路元件中的基板的第二主面也可以被第二树脂层102覆盖。
第一开关4和第二开关5中的各开关的选择端子的数量只要是多个即可，不限于例示出的数量。
另外，实施方式1所涉及的高频模块1也可以具备具有公共端子50A及三个选择端子51A～53A的开关IC、以及具有公共端子50B及三个选择端子51B～53B的开关IC，来代替第二开关5。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一开关4、第二开关5以及控制器14也可以形成为单芯片。也就是说，高频模块1也可以具有包括第一开关4、第二开关5以及控制器14的IC芯片。
第一开关4和第二开关5中的各开关例如也可以根据来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号进行控制，来代替由控制器14进行控制。
另外，功率放大器11的基板不限于砷化镓基板，例如也可以是硅基板。在该情况下，功率放大器11所包括的晶体管不是HBT而是双极晶体管或MOSFET。
另外，发送滤波器12A、12B、12C以及接收滤波器22A、22B、22C等滤波器不限于梯型滤波器，例如也可以是纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。
另外，上述的滤波器是利用声表面波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如也可以是利用弹性界面波、板波等的弹性波滤波器。
在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器不限于SAW谐振器，例如也可以是BAW(BulkAcousticWave：体声波)谐振器。
另外，滤波器也可以是LC滤波器。相比于滤波器由LC滤波器构成的情况，在滤波器由弹性波滤波器构成的情况下，能够提高通带附近的衰减特性。另外，相比于滤波器由LC滤波器构成的情况，在滤波器由弹性波滤波器构成的情况下，能够使中频段的Γ(反射系数)大。
输出匹配电路13例如也可以是具备基板和IC部的单芯片的IC芯片，该基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，该IC部包括形成于该基板的第一主面侧的多个电感器和多个电容器。在该情况下，IC芯片也可以是IPD(Integrated Passive Device：集成型无源器件)。基板例如是硅基板。在IPD的情况下，输出匹配电路13例如以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91，使得基板的第一主面和第二主面中的第一主面面对安装基板9的第一主面91。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，多个外部连接端子80中的各外部连接端子的前端部例如也可以包括镀金层。
高频模块1～1e的电路结构不限于上述的例子。另外，高频模块1～1e例如也可以具有支持MIMO(Multi Input Multi Output：多输入多输出)的高频前端电路来作为电路结构。
另外，实施方式1所涉及的通信装置300也可以具备高频模块1a、1b、1c、1d、1e中的任一者来代替高频模块1。
(实施方式2)
下面，参照图13～图16B来说明实施方式2所涉及的高频模块1f和通信装置300f。关于实施方式2所涉及的高频模块1f和通信装置300f，对分别与实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300相同的结构要素标注同一附图标记并适当省略说明。
(2.1)高频模块和通信装置
(2.1.1)高频模块和通信装置的电路结构
下面，基于图13来说明实施方式2所涉及的高频模块1f和通信装置300f。
高频模块1f例如使用于支持多模式/多频段的通信装置300f。通信装置300f例如是便携式电话(例如，智能电话)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块1f例如是能够支持4G标准、5G标准等的模块。
高频模块1f例如构成为将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大后输出到天线310。另外，高频模块1f构成为将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1f的结构要素，而是具备高频模块1f的通信装置300f的结构要素。高频模块1f例如由通信装置300f所具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300f具备高频模块1f和信号处理电路301。通信装置300f还具备天线310。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。
实施方式2所涉及的高频模块1f具备控制器14和多个(在图示例中为两个)功率放大器11。另外，高频模块1f还具备多工器10。另外，高频模块1还具备开关6和多个(在图示例中为两个)第一开关4。另外，高频模块1还具备多个(在图示例中为两个)输出匹配电路13。另外，高频模块1f还具备多个(在图示例中为两个)低噪声放大器21。另外，高频模块1f还具备多个(在图示例中为两个)输入匹配电路23。
另外，高频模块1f具备多个外部连接端子80。多个外部连接端子80包括天线端子81、信号输入端子82、多个(在图示例中为两个)信号输出端子83、多个(在图示例中为四个)控制端子84、以及多个地端子85(参照图15)。多个地端子85是与通信装置300f所具备的电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。
高频模块1f在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：具备多个(两个)功率放大器11。另外，高频模块1f在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：具备两个输出匹配电路13。另外，实施方式2所涉及的高频模块1f在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：不具备实施方式1所涉及的高频模块1的双工器32A～32C，而具备多工器10。另外，高频模块1f在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：具备多个(两个)低噪声放大器21。另外，高频模块1f在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：具备两个输入匹配电路23。另外，高频模块1f在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：具备多个(两个)第一开关4。
下面，为了便于说明，有时也将两个功率放大器11中的一方称为第一功率放大器11A，并将另一方称为第二功率放大器11B。另外，有时也将两个输出匹配电路13中的一方称为第一输出匹配电路13A，并将另一方称为第二输出匹配电路13B。另外，有时也将两个低噪声放大器21中的一方称为第一低噪声放大器21A，并将另一方称为第二低噪声放大器21B。另外，有时也将两个输入匹配电路23中的一方称为第一输入匹配电路23A，并将另一方称为第二输入匹配电路23B。另外，有时也将两个第一开关4中的一方称为第一开关4A，并将另一方称为第一开关4B。
多工器10具有：各自具有第一输入输出端及第二输入输出端的多个(例如，两个)滤波器、一个公共端子105、以及多个(在图示例中为两个)端子106、107。在多工器10中，多个滤波器的第一输入输出端与公共端子105连接。另外，在多工器10中，多个滤波器的第二输入输出端与多个端子106、107一对一地连接。在高频模块1f中，多工器10的公共端子105与天线端子81连接。天线端子81与天线310连接。
在多工器10中，多个滤波器具有互不相同的通带。下面，为了便于说明，在多工器10中，有时也将连接于公共端子105与端子106之间的滤波器称为第一滤波器，并将连接于公共端子105与端子107之间的滤波器称为第二滤波器。
在多工器10中，例如，第一滤波器的通带包括5G NR标准的n77的频带，第二滤波器的通带包括5G NR标准的n79的频带，但是第一滤波器的通带与第二滤波器的通带的组合不限于此。例如，也可以是，在多工器10中，第一滤波器的通带包括Wi-Fi(注册商标)的2.4GHz频段的频带，第二滤波器的通带包括Wi-Fi(注册商标)的5GHz频段的频带。
在高频模块1f中，两个功率放大器11与多工器10连接。更详细地说，第一功率放大器11A经由第一开关4A来与多工器10的端子106连接。另外，第二功率放大器11B经由第一开关4B来与多工器10的端子107连接。
第一开关4A具有公共端子40和多个(在图示例中为两个)选择端子41、42。第一开关4A的公共端子40与第一滤波器(的第二输入输出端)连接。第一开关4A的选择端子41经由第一输出匹配电路13A来与第一功率放大器11A的输出端子112连接。第一开关4A的选择端子42经由第一输入匹配电路23A来与第一低噪声放大器21A的输入端子211连接。
第一开关4B具有公共端子40和多个(在图示例中为两个)选择端子41、42。第一开关4B的公共端子40与第二滤波器(的第二输入输出端)连接。第一开关4B的选择端子41经由第二输出匹配电路13B来与第二功率放大器11B的输出端子112连接。第一开关4B的选择端子42经由第二输入匹配电路23B来与第二低噪声放大器21B的输入端子211连接。
两个第一开关4中的各第一开关是能够将多个选择端子41、42中的一个以上的选择端子与公共端子40连接的开关。
两个第一开关4例如由信号处理电路301进行控制。两个第一开关4中的各第一开关例如支持MIPI标准。两个第一开关4例如按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，来切换公共端子40与多个选择端子41、42的连接状态。两个第一开关4中的各第一开关例如是开关IC。
两个功率放大器11经由开关6来与信号输入端子82连接。开关6具有公共端子60和多个(在图示例中为两个)选择端子61、62。开关6的公共端子60与信号输入端子82连接。开关6的选择端子61与第一功率放大器11A的输入端子111连接。开关6的选择端子62与第二功率放大器11B的输入端子111连接。开关6例如由信号处理电路301进行控制。开关6例如支持MIPI标准。开关6例如按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，来切换公共端子60与多个选择端子61、62的连接状态。开关6例如是开关IC。
两个功率放大器11例如将来自信号处理电路301的发送信号(高频信号)放大后输出。两个功率放大器11将频带互不相同的发送信号放大。两个功率放大器11由控制器14进行控制。控制器14与两个功率放大器11连接。控制器14经由多个(例如，四个)控制端子84来与信号处理电路301连接。多个控制端子84是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的控制信号输入到控制器14的端子。控制器14基于从多个控制端子84获取到的控制信号来控制两个功率放大器11。多个控制端子84例如支持MIPI标准。控制器14具有与多个控制端子84连接的多个端子148来作为供控制信号输入的输入部。多个端子148例如支持MIPI标准。在实施方式2所涉及的高频模块1f中，控制器14与两个功率放大器11各自具有的输入部118连接。控制器14按照来自RF信号处理电路302的控制信号来控制两个功率放大器11。在此，控制器14利用多个端子148接受来自RF信号处理电路302的控制信号，并基于该控制信号来向例如两个功率放大器11供给偏置电流。控制器14不仅仅限于控制两个功率放大器11，也可以基于上述的控制信号来控制两个第一开关4和开关6。
第一输出匹配电路13A是用于取得第一功率放大器11A与第一开关4A的阻抗匹配的电路。第二输出匹配电路13B是用于取得第二功率放大器11B与第一开关4B的阻抗匹配的电路。
第一低噪声放大器21A的输入端子211经由第一输入匹配电路23A来与第一开关4A的选择端子42连接。第二低噪声放大器21B的输入端子211经由第二输入匹配电路23B来与第一开关4B的选择端子42连接。第一低噪声放大器21A将输入到输入端子211的接收信号放大后从输出端子212输出。第二低噪声放大器21B将输入到输入端子211的接收信号放大后向输出端子212输出。在高频模块1f中，多个外部连接端子80包括与两个低噪声放大器21的输出端子212一对一地连接的两个信号输出端子83。两个信号输出端子83是用于将来自两个低噪声放大器21中的对应的低噪声放大器21的高频信号(接收信号)向外部电路(例如，信号处理电路301)输出的端子，与信号处理电路301连接。
第一输入匹配电路23A是用于取得第一开关4A与第一低噪声放大器21A的阻抗匹配的电路。第二输入匹配电路23B是用于取得第一开关4B与第二低噪声放大器21B的阻抗匹配的电路。
另外，高频模块1f包括多个地端子85(参照图15)。多个地端子85是与通信装置300f所具备的上述电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。
(2.1.2)高频模块的构造
下面，参照图14～图16B来说明高频模块1f的构造。
如图14、图16A以及图16B所示，在高频模块1f中，在安装基板9的第一主面91配置有多工器10、第一开关4A、第一开关4B以及两个功率放大器11。第一开关4A与第一开关4B形成为单芯片，但是不限于此，也可以是互不相同的芯片。另外，在高频模块1f中，在安装基板9的第一主面91配置有第一输出匹配电路13A、第二输出匹配电路13B、第一输入匹配电路23A、第二输入匹配电路23B各自的结构要素(电路元件等)。
如图15、图16A以及图16B所示，在高频模块1f中，在安装基板9的第二主面92配置有控制器14、开关6以及两个低噪声放大器21。
(2.2)总结
(2.2.1)高频模块
实施方式2所涉及的高频模块1f具备安装基板9、多个外部连接端子80、两个功率放大器11以及控制器14。安装基板9具有彼此相向的第一主面91和第二主面92。多个外部连接端子80配置于安装基板9的第二主面92。两个功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91。控制器14配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子80包括控制端子84。控制器14基于从控制端子84获取到的控制信号来控制两个功率放大器11。
实施方式2所涉及的高频模块1f能够更稳定地控制两个功率放大器11。
另外，在高频模块1f中，两个功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91，因此容易使由两个功率放大器11产生的热量散发。
另外，在高频模块1f中，控制器14配置于安装基板9的第二主面92，因此能够抑制从外部电路(例如，信号处理电路301)发送来的控制信号(几MHz～几十MHz的数字信号)的不需要的辐射所导致的ACLR的劣化和发送信号的劣化。
另外，在高频模块1f中，如图16A及图16B所示，在安装基板9的厚度方向D1上两个功率放大器11与控制器14不重叠。由此，控制器14不易受到来自两个功率放大器11的热量的影响。
另外，在高频模块1f中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器11A与第一输出匹配电路13A相邻。“第一功率放大器11A与第一输出匹配电路13A相邻”是指：在安装基板9的第一主面91的、将第一功率放大器11A与第一输出匹配电路13A所包含的电路元件中的最接近第一功率放大器11A的电路元件连结的直线上不配置除第一输出匹配电路13A以外的电路元件，而第一功率放大器11A与第一输出匹配电路13A彼此相邻。高频模块1f能够使第一功率放大器11A的输出端子112与第一输出匹配电路13A之间的布线短，能够降低不需要的寄生电容，从而能够实现发送特性的提高。另外，高频模块1f能够使第一功率放大器11A的输出端子112与第一输出匹配电路13A之间的布线短，因此能够抑制插入损耗。
另外，在高频模块1f中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第二功率放大器11B与第二输出匹配电路13B相邻。“第二功率放大器11B与第二输出匹配电路13B相邻”是指：在安装基板9的第一主面91的、将第二功率放大器11B与第二输出匹配电路13B所包含的电路元件中的最接近第二功率放大器11B的电路元件连结的直线上不配置除第二输出匹配电路13B以外的电路元件，而第二功率放大器11B与第二输出匹配电路13B彼此相邻。高频模块1f能够使第二功率放大器11B的输出端子112与第二输出匹配电路13B之间的布线短，能够降低不需要的寄生电容，从而能够实现发送特性的提高。另外，高频模块1f能够使第二功率放大器11B的输出端子112与第二输出匹配电路13B之间的布线短，因此能够抑制插入损耗。
另外，在高频模块1f中，控制器14配置于安装基板9的第二主面92，各功率放大器11及各输出匹配电路13配置于安装基板9的第一主面91，因此能够提高控制器14与各功率放大器11及各输出匹配电路13的隔离度。另外，高频模块1f能够通过安装基板9来使支持MIPI标准的控制信号和发送信号相互分离。
(2.2.2)通信装置
实施方式2所涉及的通信装置300f具备高频模块1f和信号处理电路301。信号处理电路301与高频模块1f连接。信号处理电路301对向天线310发送的发送信号进行信号处理。另外，信号处理电路301对来自天线310的接收信号进行信号处理。高频模块1f在天线310与信号处理电路301之间传输发送信号和接收信号。
实施方式2所涉及的通信装置300f具备高频模块1f，因此能够更稳定地控制多个功率放大器11。
(2.3)高频模块的变形例
参照图17～图19来说明实施方式2的变形例所涉及的高频模块1h。关于变形例所涉及的高频模块1h，对与实施方式2所涉及的高频模块1f相同的结构要素标注同一附图标记并省略说明。
在变形例所涉及的高频模块1h中，如图17及图19所示，在安装基板9的第一主面91配置有第一开关4A、第一开关4B、两个功率放大器11、以及开关6。第一开关4A与第一开关4B形成为单芯片，但是不限于此，也可以是互不相同的芯片。另外，在高频模块1h中，在安装基板9的第一主面91配置有第一输出匹配电路13A、第二输出匹配电路13B、第一输入匹配电路23A、第二输入匹配电路23B各自的结构要素(电路元件等)。
在高频模块1h中，如图18及图19所示，在安装基板9的第二主面92配置有多工器10、控制器14以及两个低噪声放大器21。
变形例所涉及的高频模块1h中的多工器10及开关6的位置与实施方式2所涉及的高频模块1f的多工器10及开关6的位置不同。
变形例涉及的高频模块1h具备安装基板9、多个外部连接端子80、两个功率放大器11、以及控制器14。安装基板9具有彼此相向的第一主面91和第二主面92。多个外部连接端子80配置于安装基板9的第二主面92。两个功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91。控制器14配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子80包括控制端子84。控制器14基于从控制端子84获取到的控制信号来控制两个功率放大器11。
变形例所涉及的高频模块1h能够更稳定地控制两个功率放大器11。
在变形例所涉及的高频模块1h中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，多工器10被多个地端子85包围。由此，变形例所涉及的高频模块1h能够抑制多工器10的特性劣化。
(实施方式3)
下面，参照图20～图23B来说明实施方式3所涉及的高频模块1i和通信装置300i。关于实施方式3所涉及的高频模块1i和通信装置300i，对分别与实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300相同的结构要素标注同一附图标记并适当省略说明。
(3.1)高频模块和通信装置
(3.1.1)高频模块和通信装置的概要
参照图20来说明实施方式3所涉及的高频模块1i和通信装置300i的电路结构。
实施方式3所涉及的高频模块1i例如使用于通信装置300i。通信装置300i例如是便携式电话(例如，智能电话)，但是不限于此，例如，也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)。高频模块1i例如是能够支持4G标准、5G标准的模块。4G标准例如是3GPP LTE标准。5G标准例如是5G NR。高频模块1i是能够支持载波聚合和双连接的模块。
高频模块1i例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大后输出到天线310。另外，高频模块1i构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1i的结构要素，而是具备高频模块1i的通信装置300i的结构要素。实施方式3所涉及的高频模块1i例如由通信装置300i所具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300i具备高频模块1i和信号处理电路301。通信装置300i还具备天线310。通信装置300i还具备安装有高频模块1i的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具有被提供地电位的地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。高频模块1i在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传输高频信号(接收信号、发送信号)。
实施方式3所涉及的高频模块1i具备功率放大器11和控制器14。另外，实施方式3所涉及的高频模块1i还具备多工器10、多个(在图示例中为两个)第一开关4、多个(在图示例中为两个)双工器32A，32B、输出匹配电路13以及开关6。另外，高频模块1i还具备多个(在图示例中为两个)低噪声放大器21、多个输入匹配电路23、多个(在图示例中为两个)接收滤波器22D、22E、多个(在图示例中为三个)第二开关5、以及多个(在图示例中为四个)匹配电路71A、71B、71D、71E。
下面，为了便于说明，有时也将两个低噪声放大器21中的一方称为第一低噪声放大器21A，并将另一方称为第二低噪声放大器21B。另外，有时也将两个输入匹配电路23中的一方称为第一输入匹配电路23A，并将另一方称为第二输入匹配电路23B。另外，有时也将两个第一开关4中的一方称为第一开关4A，并将另一方称为第一开关4B。另外，有时也将三个第二开关5中的与输出匹配电路13连接的第二开关5称为第二开关5A，将与第一输入匹配电路23A连接的第二开关5称为第二开关5B，并将与第二输入匹配电路23B连接的第二开关5称为第二开关5C。
多工器10具有：各自具有第一输入输出端及第二输入输出端的多个滤波器(例如，两个)、一个公共端子105、以及多个(在图示例中为两个)端子106、107。在多工器10中，多个滤波器的第一输入输出端与公共端子105连接。另外，在多工器10中，多个滤波器的第二输入输出端与多个端子106、107一对一地连接。在高频模块1i中，多工器10的公共端子105与天线端子81连接。天线端子81与天线310连接。另外，多工器10的端子106与第一开关4A的公共端子40连接。另外，多工器10的端子107与第一开关4B的公共端子40连接。
在多工器10中，多个滤波器具有互不相同的通带。下面，为了便于说明，在多工器10中，有时也将连接于公共端子105与端子106之间的滤波器称为第一滤波器，并将连接于公共端子105与端子107之间的滤波器称为第二滤波器。
在多工器10中，例如，第二滤波器具有比第一滤波器的通带更靠低频侧的通带。第一滤波器是中高频段用滤波器，第二滤波器是低频段用滤波器。第一滤波器的通带例如包括Band1、Band3、Band4、Band11、Band25、Band70、Band34、Band39、Band7、Band30、Band40、Band41、Band53、n75以及n76中的任一者。第二滤波器的通带例如包括Band71、Band28A、Band28B、Band12、Band13、Band14、Band20、Band26以及Band8中的任一者。实施方式3所涉及的高频模块1i是能够进行对中高频段的接收信号的接收和对低频段的接收信号的接收的分集模块。
在实施方式3所涉及的高频模块1i中，双工器32A经由匹配电路71A来与第一开关4A的两个选择端子41、42中的选择端子41连接，双工器32B经由匹配电路71B来与选择端子42连接。双工器32A具有发送滤波器12A和接收滤波器22A。双工器32B具有发送滤波器12B和接收滤波器22B。
功率放大器11的输入端子111经由开关6来与多个(在图示例中为两个)信号输入端子82连接。开关6具有公共端子60和多个(在图示例中为两个)选择端子61、62。开关6的公共端子60与功率放大器11的输入端子111连接。开关6的多个选择端子61、62与多个信号输入端子82一对一地连接。
功率放大器11的输出端子112经由输出匹配电路13及第二开关5A来与两个双工器32A、32B连接。第二开关5A具有公共端子50A和两个选择端子51A、52A。第二开关5A的公共端子50A与输出匹配电路13连接。第二开关5A的选择端子51A与双工器32A的发送滤波器12A连接。第二开关5A的选择端子52A与双工器32B的发送滤波器12B连接。
第一低噪声放大器21A的输入端子211经由第一输入匹配电路23A及第二开关5B来与两个双工器32A、32B连接。第二开关5B具有公共端子50B和两个选择端子51B、52B。第二开关5B的公共端子50B与第一输入匹配电路23A连接。第二开关5B的选择端子51B与双工器32A的接收滤波器22A连接。第二开关5B的选择端子52B与双工器32B的接收滤波器22B连接。
第一低噪声放大器21A的输出端子212与多个外部连接端子80所包含的信号输出端子83A连接。
在实施方式3所涉及的高频模块1i中，接收滤波器22D经由匹配电路71D来与第一开关4B的两个选择端子41、42中的选择端子41连接，接收滤波器22E经由匹配电路71E来与选择端子42连接。
第二低噪声放大器21B的输入端子211经由第二输入匹配电路23B及第二开关5C来与两个接收滤波器22D、22E连接。第二开关5C具有公共端子50C和两个选择端子51C、52C。第二开关5C的公共端子50C与第二输入匹配电路23B连接。第二开关5C的选择端子51C与接收滤波器22D连接。第二开关5C的选择端子52C与接收滤波器22E连接。
第二低噪声放大器21B的输出端子212与多个外部连接端子80所包含的信号输出端子83B连接。
两个匹配电路71D、71E中的各匹配电路例如由一个电感器构成，但是不限于此，例如，有时也包括多个电感器和多个电容器。
(3.1.2)高频模块的构造
下面，参照图21～图23B来说明高频模块1i的构造。
在高频模块1i中，如图21、图23A以及图23B所示，在安装基板9的第一主面91配置有多工器10、第一开关4A、第一开关4B、开关6以及功率放大器11。第一开关4A与第一开关4B形成为单芯片，但是不限于此，也可以是互不相同的芯片。另外，在高频模块1i中，在安装基板9的第一主面91配置有四个匹配电路71A、71B、71D、71E、输出匹配电路13、第一输入匹配电路23A、第二输入匹配电路23B各自的结构要素(电路元件等)。另外，在高频模块1i中，在安装基板9的第一主面91配置有两个双工器32A、32B、以及两个接收滤波器22D、22E。两个接收滤波器22D、22E中的各接收滤波器例如是弹性波滤波器，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是SAW谐振器。
两个接收滤波器22D、22E中的各接收滤波器例如具备基板和电路部，该基板具有第一主面和第二主面，该电路部形成于该基板的第一主面侧。基板例如是压电体基板。压电体基板例如是钽酸锂基板、铌酸锂基板等。电路部具有与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT电极、以及与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。两个接收滤波器22D、22E以使基板的第一主面和第二主面中的第一主面成为安装基板9侧的方式配置。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，两个接收滤波器22D、22E中的各接收滤波器的外周形状呈四边形形状。
在高频模块1i中，如图22、图23A以及图23B所示，在安装基板9的第二主面92配置有控制器14、三个第二开关5A、5B、5C、以及两个低噪声放大器21。在实施方式3所涉及的高频模块1i中，第一低噪声放大器21A与第二开关5B形成为单芯片，但是不限于此，也可以是互不相同的芯片。另外，在实施方式3所涉及的高频模块1i中，第二低噪声放大器21B与第二开关5C形成为单芯片，但是不限于此，也可以是互不相同的芯片。
(3.2)总结
(3.2.1)高频模块
实施方式3所涉及的高频模块1i具备安装基板9、多个外部连接端子80、功率放大器11以及控制器14。安装基板9具有彼此相向的第一主面91和第二主面92。多个外部连接端子80配置于安装基板9的第二主面92。功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91。控制器14配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子80包括控制端子84。控制器14基于从控制端子84获取到的控制信号来控制功率放大器11。
实施方式3所涉及的高频模块1i能够更稳定地控制功率放大器11。
另外，在高频模块1i中，功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91，因此容易使由功率放大器11产生的热量散发。
另外，在高频模块1i中，控制器14配置于安装基板9的第二主面92，因此能够抑制从外部电路(例如，信号处理电路301)发送来的控制信号(几MHz～几十MHz的数字信号)的不需要的辐射所导致的ACLR的劣化和发送信号的劣化。
另外，在高频模块1i中，如图23A及图23B所示，在安装基板9的厚度方向D1上功率放大器11与控制器14有一部分彼此重叠。由此，在高频模块1i中，能够抑制热量从功率放大器11向控制器14传递，并且能够使将控制器14与功率放大器11连接的布线的长度更短。
另外，在高频模块1i中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11与输出匹配电路13相邻。“功率放大器11与输出匹配电路13相邻”是指：在安装基板9的第一主面91的、将功率放大器11与输出匹配电路13所包含的电路元件中的最接近功率放大器11的电路元件连结的直线上不配置除输出匹配电路13以外的电路元件，而功率放大器11与输出匹配电路13彼此相邻。由此，高频模块1i能够使功率放大器11的输出端子112与输出匹配电路13之间的布线短，能够降低不需要的寄生电容，从而能够实现发送特性的提高。另外，高频模块1i能够使功率放大器11的输出端子112与输出匹配电路13之间的布线短，因此能够抑制插入损耗。
另外，在高频模块1i中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11与两个低噪声放大器21不重叠。由此，在高频模块1i中，能够提高功率放大器11与两个低噪声放大器21的隔离度。在高频模块1i中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，安装基板9呈长方形形状。在高频模块1i中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11位于安装基板9的长边方向上的一端，两个低噪声放大器21位于安装基板9的长边方向上的另一端。在高频模块1i中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，沿着安装基板9的两个短边中的一各短边(下面，也称为第一短边)配置有功率放大器11，沿着另一短边(下面，也称为第二短边)配置有两个低噪声放大器21。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，在安装基板9的长边方向上，功率放大器11与各低噪声放大器21的距离比功率放大器11与安装基板9的第一短边的第一距离以及两个低噪声放大器21与安装基板9的第二边的第二距离长。由此，在高频模块1i中，能够进一步提高功率放大器11与两个低噪声放大器21的隔离度。
另外，在高频模块1i中，控制器14配置于安装基板9的第二主面92，功率放大器11和输出匹配电路13配置于安装基板9的第一主面91，因此能够提高控制器14与功率放大器11及输出匹配电路13的隔离度。另外，高频模块1i能够通过安装基板9来使支持MIPI标准的控制信号与发送信号相互分离。
(3.2.2)通信装置
实施方式3所涉及的通信装置300i具备高频模块1i和信号处理电路301。信号处理电路301与高频模块1i连接。信号处理电路301对向天线310发送的发送信号进行信号处理。高频模块1i在天线310与信号处理电路301之间传输发送信号。
实施方式3所涉及的通信装置300i具备高频模块1i，因此能够更稳定地控制功率放大器11。
(3.3)高频模块的变形例
参照图24～图26来说明实施方式3的变形例所涉及的高频模块1j。关于变形例所涉及的高频模块1j，对与实施方式3所涉及的高频模块1i相同的结构要素标注同一附图标记并省略说明。
变形例所涉及的高频模块1j在以下方面与实施方式3所涉及的高频模块1i不同：多工器10不是配置于安装基板9的第一主面91，而是配置于第二主面92。
变形例所涉及的高频模块1j能够与实施方式3所涉及的高频模块1i同样地，更稳定地控制功率放大器11。
(方式)
在本说明书中，公开了下面的方式。
第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)具备安装基板(9)、多个外部连接端子(80)、功率放大器(11)以及控制器(14)。安装基板(9)具有彼此相向的第一主面(91)和第二主面(92)。多个外部连接端子(80)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。功率放大器(11)配置于安装基板(9)的第一主面(91)或第二主面(92)。控制器(14)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。多个外部连接端子(80)包括控制端子(84)。控制器(14)基于从控制端子(84)获取到的控制信号来控制功率放大器(11)。
第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)能够更稳定地控制功率放大器(11)。
在根据第一方式的第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)中，多个外部连接端子(80)包括多个控制端子(84)。多个控制端子(84)支持MIPI标准。控制器(14)具有支持MIPI标准且与多个控制端子(84)连接的多个端子(148)。
在第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)中，支持MIPI标准的控制信号不易受到其它信号的干扰。
在根据第一方式或第二方式的第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)中，功率放大器(11)配置于第一主面(91)。
第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)容易使由功率放大器(11)产生的热量散发。
在根据第三方式的第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)中，安装基板(9)还具有贯通电极(95)。贯通电极(95)沿着安装基板(9)的厚度方向(D1)形成，与功率放大器(11)连接。
在第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)中，更容易使由功率放大器(11)产生的热量散发。
在根据第一方式～第四方式中的任一个方式的第五方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h)中，在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时，功率放大器(11)与控制器(14)不重叠。
在第五方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h)中，能够提高功率放大器(11)与控制器(14)的隔离度。
根据第一方式～第五方式中的任一个方式的第六方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1i；1j)还具备多个发送滤波器(12A、12B、12C)和频段选择开关(第二开关5)。多个发送滤波器(12A、12B、12C)以互不相同的通信频段的发送带为通带。频段选择开关(第二开关5)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。频段选择开关(第二开关5)连接于功率放大器(11)与多个发送滤波器(12A、12B、12C)之间。控制器(14)控制频段选择开关(第二开关5)。此外，频段选择开关(第二开关5)切换通信频段互不相同的多个信号路径。
根据第六方式的第七方式所涉及的高频模块(1b)具有包括控制器(14)和频段选择开关(第二开关5)的IC芯片(7)。
关于第七方式所涉及的高频模块(1b)，相比于控制器(14)与频段选择开关(第二开关5)为互不相同的IC芯片的情况，能够实现部件个数的削减。
在根据第一方式～第七方式中的任一个方式的第八方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)中，多个外部连接端子(80)包括天线端子(81)。高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e)还具备天线开关(第一开关4)。天线开关(第一开关4)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。天线开关(第一开关4)与天线端子(81)连接。控制器(14)控制天线开关(第一开关4)。此外，天线开关(第一开关4)是与天线端子(81)连接的、用于信号路径切换的开关。
根据第八方式的第九方式所涉及的高频模块(1d)具有包括控制器(14)和天线开关(第一开关4)的IC芯片(3)。
关于第九方式所涉及的高频模块(1d)，相比于控制器(14)与天线开关(第一开关4)为互不相同的IC芯片的情况，能够实现部件个数的削减。
在根据第一方式～第九方式中的任一个方式的第十方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)还具备低噪声放大器(21)。低噪声放大器(21)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时，功率放大器(11)与低噪声放大器(21)不重叠。此外，低噪声放大器(21)设置于接收信号用的信号路径。
第十方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)能够提高功率放大器(11)与低噪声放大器(21)的隔离度。
第十一方式所涉及的通信装置(300；300f；300i)具备第一方式～第十方式中的任一个方式的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)以及信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1h；1i；1j)连接。
在第十一方式所涉及的通信装置(300；300f；300i)中，能够更稳定地控制功率放大器(11)。
附图标记说明
1、1a、1b、1c、1d、1e、1f、1h、1i、1j：高频模块；3：IC芯片；4、4A、4B：第一开关(天线开关)；40：公共端子；41～43：选择端子；5、5A、5B：第二开关(频段选择开关)；50A、50B：公共端子；51A、52A、53A、51B、52B、53B：选择端子；6：开关；60：公共端子；61、62：选择端子；7：IC芯片；10：多工器；105：公共端子；106：端子；107：端子；11：功率放大器；11A：第一功率放大器；11B：第二功率放大器；111：输入端子；112：输出端子；12A、12B、12C：发送滤波器；13：输出匹配电路；13A：第一输出匹配电路；13B：第二输出匹配电路；14：控制器；148：端子；21：低噪声放大器；21A：第一低噪声放大器；21B：第二低噪声放大器；211：输入端子；212：输出端子；22A、22B、22C、22D、22E：接收滤波器；23：输入匹配电路；23A：第一输入匹配电路；23B：第二输入匹配电路；32A、32B、32C：双工器；71A、71B、71C、71D、71E：匹配电路；80：外部连接端子；81：天线端子；82：信号输入端子；83：信号输出端子；84：控制端子；85：地端子；9：安装基板；91：第一主面；92：第二主面；93：外周面；95：贯通电极；101：第一树脂层；1011：主面；1013：外周面；102：第二树脂层；1021：主面；1023：外周面；300、300f、300i：通信装置；301：信号处理电路；302：RF信号处理电路；303：基带信号处理电路；310：天线；D1：厚度方向。

Claims (11)

1.一种高频模块，具备：
功率放大器；
多个发送滤波器；
开关，其连接于所述功率放大器与所述多个发送滤波器之间；
控制器，其基于控制信号来控制所述功率放大器；
控制端子，其被输入所述控制信号；以及
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，
其中，所述功率放大器与所述多个发送滤波器配置于所述第一主面，
所述控制器、所述控制端子以及所述开关配置于所述第二主面。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
具备输出匹配电路，所述输出匹配电路连接于所述多个发送滤波器中的至少一个发送滤波器与所述功率放大器之间，
所述输出匹配电路配置于所述第一主面。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述功率放大器与所述输出匹配电路相邻。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述安装基板还具有贯通电极，所述贯通电极与所述功率放大器连接，贯通所述安装基板。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述功率放大器与所述控制器不重叠。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述控制器控制所述开关。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
具有包括所述控制器和所述开关的集成电路芯片。
8.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
具备配置于所述第二主面的天线端子，
所述高频模块还具备天线开关，所述天线开关配置于所述第二主面，与所述天线端子连接，
所述控制器控制所述天线开关。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述高频模块具有包括所述控制器和所述天线开关的集成电路芯片。
10.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
具备低噪声放大器，所述低噪声放大器配置于所述第二主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述功率放大器与低噪声放大器不重叠。
11.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块；以及
与所述高频模块连接的信号处理电路。
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