CN109075751A - 高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路及通信装置 - Google Patents

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Abstract

高频信号放大电路使用于使高频发送信号和高频接收信号传播的前端电路(1)，具备：放大晶体管(17)，其放大高频发送信号；偏置电路(13)，其向放大晶体管(17)的信号输入端提供偏置；电阻(15)，其一端与偏置电路(13)连接，另一端与信号输入端连接；以及LC串联谐振电路(14)，其一端同电阻(15)与信号输入端的连接节点n1连接，另一端与接地端子连接，LC串联谐振电路(14)的谐振频率fr包含于高频发送信号与高频接收信号的差频带。

Description

高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路及通信装置
技术领域
本发明涉及高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路以及通信装置。
背景技术
近年来的移动电话要求以一个终端与多个频带对应(多频带化)。要求在与多频带化对应的前端电路中，使与多个频带对应的发送接收信号分别不劣化地传播。因此，要求在放大发送信号的高频功率放大电路中，具有使发送时的接收频带噪声等级降低，并使发送信号放大的较高的放大性能。
专利文献1公开了以频带外噪声的抑制为目的的高频功率放大器。图9是专利文献1所记载的高频功率放大器的电路框图。该图所记载的高频功率放大器具备RF输入端子501、RF输出端子505、输入匹配电路502、高频信号放大晶体管503、输出匹配电路504、偏置电路506以及串联谐振电路507。串联谐振电路507的一端连接在高频信号放大晶体管503与偏置电路506之间，另一端与地线连接，包含电感器508以及电容器509。根据该构成，能够抑制在偏置电路506产生的差频带的噪声输入到高频信号放大晶体管503，所以能够不使发送频带增益降低，而抑制频带外噪声。
专利文献1：国际公开第2014/087479号
在高频功率放大器中，通过成为电压与电流的相位偏移180度的状态，来进行理想的功率放大动作，但实际上，成为从电流相对于电压而言相位延迟180度的状态起相位进一步偏移的状态。与此相对，专利文献1所公开的串联谐振电路507潜在地具有补偿电流以及电压的上述相位偏移的功能。
然而，在专利文献1所记载的高频功率放大器中，根据串联谐振电路507的位置，因高频发送信号容易侵入至偏置电路而进行振荡，所以不能够充分地调整电流以及电压的相位偏移。其结果是，难以使饱和输出以及功率附加效率提高。
发明内容
因此，本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供稳定地抑制频带外噪声并使饱和输出以及功率附加效率提高的高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路以及通信装置。
为了实现上述目的，本发明的一方式所涉及的高频信号放大电路是使高频发送信号和高频接收信号传播的前端电路所使用的高频信号放大电路，具备：放大晶体管，其放大上述高频发送信号；偏置电路，其向上述放大晶体管的信号输入端提供偏置；第一电阻元件，其一端与上述偏置电路连接，另一端与上述信号输入端连接；以及LC串联谐振电路，其是一端同上述第一电阻元件与上述信号输入端的连接节点连接且另一端与接地端子连接的LC串联谐振电路，具有相互串联连接的电感器以及电容器，上述LC串联谐振电路的谐振频率被包含于上述高频发送信号与上述高频接收信号的差频带。
根据上述构成，在放大晶体管的信号输入端与偏置电路之间连接第一电阻元件，所以抑制高频信号侵入偏置电路，防止放大路径上的振荡，实现基于阻尼效应的放大动作的稳定化。另外，具有补偿放大路径上的电流以及电压的相位偏移的功能的LC串联谐振电路与第一电阻元件相比并联配置在放大晶体管侧，所以能够补偿未被第一电阻元件衰减的状态的高频发送信号的相位偏移。由此，能够抑制由偏置电路以及放大晶体管中的高频发送信号与差频带成分的混合而生成的高频接收信号成分并稳定地抑制频带外噪声，能够使高频发送信号的饱和输出以及功率附加效率提高。
另外，也可以上述LC串联谐振电路还在上述连接节点与上述接地端子之间具有与上述电感器以及上述电容器串联连接的第二电阻元件。
LC串联谐振电路通过具有第二电阻元件作为串联成分，能够抑制由电感器以及电容器的串联连接所产生的振荡现象。由此，能够使放大动作稳定化。
另外，也可以上述电容器的电容根据上述差频带可变。
由此，由于能够使LC串联谐振电路的谐振频率变化，所以能够与使用的发送频带以及接收频带的切换对应地稳定地抑制频带外噪声。
另外，也可以本发明的一方式所涉及的功率放大模块具备：前段放大元件，其放大高频发送信号；以及后段放大元件，其放大由上述前段放大元件放大后的高频发送信号，上述后段放大元件由上述记载的高频信号放大电路构成。
在根据要求规格而配置了多段放大元件的功率放大模块中，使处理大功率的最后段的放大元件的放大性能以及噪声性能提高最为重要。根据上述构成，由具有上述特征的高频信号放大电路构成后段放大元件，所以能够高效地使功率放大模块的放大性能以及噪声性能最佳化。
另外，也可以具备：前段放大元件，其放大高频发送信号；后段放大元件，其放大由上述前段放大元件放大后的高频发送信号；以及放大控制部，其根据上述高频发送信号的频带控制上述前段放大元件以及上述后段放大元件的放大特性，上述前段放大元件由技术方案1～3中任意一项所记载的高频信号放大电路构成，用第一芯片将上述前段放大元件以及上述放大控制部单芯片化。
由此，由于放大控制部与不容易受到高频发送信号的干扰的前段放大元件被单芯片化，所以能够维持高频信号的品质并实现小型化。
另外，也可以上述电容器以及上述电感器的至少一方外置于上述第一芯片。
根据电感器的电感值与电容器的电容值的积决定LC串联谐振电路的谐振频率。因此，假设根据设定的谐振频率，而电感值以及电容值中的至少一方为较大的值，电感器以及电容器中的至少一方成为不能够包含于第一芯片的尺寸的情况。
与此相对，根据上述构成，能够与电感值以及电容值无关地设定LC串联谐振电路的谐振频率。由此，能够降低所希望的差频带中的接收频带噪声。
另外，也可以上述前段放大元件以及上述后段放大元件配置在基板的安装面，外置于上述第一芯片的上述电容器以及上述电感器的至少一方被层叠配置成在俯视上述基板的情况下与上述第一芯片重叠。
由此，不仅通过前段放大元件与放大控制部元件的单芯片化带来省面积化，也通过前段放大元件与LC串联谐振电路的构成元件的层叠化，实现功率放大模块的进一步的省面积化。由此，能够维持高频信号的品质并实现进一步的小型化。
另外，也可以上述第一芯片由CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)构成。
由此，通过由CMOS构成不需要功率处理的放大控制部以及前段放大元件，能够廉价地制造功率放大模块。
另外，也可以由GaAs构成上述第一芯片。
由此，能够输出具有高品质的放大性能以及噪声性能的高频发送信号。
另外，也可以本发明的一方式所涉及的前端电路具备：上述记载的功率放大模块；发送用滤波器元件以及接收用滤波器元件；以及分波器，其将来自天线元件的高频接收信号输出给上述接收用滤波器元件，并且将由上述功率放大模块放大后的经由了上述发送用滤波器元件的高频发送信号输出给上述天线元件。
根据上述构成，能够提供稳定地抑制频带外噪声并使高频发送信号的饱和输出以及功率附加效率提高的前端电路。
另外，也可以具备配置在上述前段放大元件与上述后段放大元件之间并根据上述高频发送信号的频带使通带或者衰减频带可变的可变滤波电路，上述通带是与从多个通信频带选择的使用通信频带对应的发送频带，上述衰减频带是与上述使用通信频带对应的接收频带。
由此，能够构成与多个频带对应的功率放大模块，所以能够提供稳定地抑制频带外噪声并使高频发送信号的饱和输出以及功率附加效率提高的多频带对应的前端电路。
另外，也可以本发明的一方式所涉及的通信装置具备：上述记载的前端电路；RF信号处理电路，其向上述前端电路输出高频发送信号，并从上述前端电路输入高频接收信号；以及基带信号处理电路，其将从上述RF信号处理电路输入的高频接收信号转换为中频信号并进行信号处理，并且将中频信号转换为高频信号并输出给上述RF信号处理电路。
根据上述构成，能够提供稳定地抑制频带外噪声且高频发送信号的饱和输出以及功率附加效率提高了的通信装置。
根据本发明所涉及的高频信号放大电路，能够稳定地抑制频带外噪声，并且能够使饱和输出以及转换效率提高。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的通信装置的功能块构成图。
图2是实施方式1所涉及的PA模块的电路构成图。
图3是实施方式1所涉及的高频信号放大电路的电路构成图。
图4A是对实施方式1以及比较例所涉及的高频信号放大电路的饱和输出特性进行比较的曲线图。
图4B是对实施方式1以及比较例所涉及的高频信号放大电路的功率附加效率进行比较的曲线图。
图5A是表示实施方式1所涉及的高频信号放大电路的稳定化指数的曲线图。
图5B是表示实施方式1所涉及的高频信号放大电路的放大特性的曲线图。
图6是表示实施方式1所涉及的LC串联谐振电路的变形例的电路图。
图7A是实施方式2所涉及的PA模块的电路构成图。
图7B是实施方式2所涉及的高频信号放大电路的电路构成图。
图8A是实施方式2所涉及的PA模块的俯视构成图。
图8B是实施方式2所涉及的PA模块的剖面构成图。
图9是专利文献1所记载的高频功率放大器的电路框图。
具体实施方式
以下，使用实施方式及其附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式均示出概括或者具体的例子。以下的实施方式所示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不是对本发明进行限定的主旨。以下的实施方式中的构成要素中的、未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比并不一定严格。
(实施方式1)
[1.1通信装置的构成]
图1是实施方式1所涉及的通信装置100的功能块构成图。该图示出通信装置100、天线元件2以及显示部5。通信装置100具备前端电路1、RF信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。前端电路1例如配置在多模/多频带对应的移动电话的前端部。
前端电路1具备PA(Power Amplifier：功率放大器)模块10、低噪声放大器电路20、天线匹配电路30、天线开关40、接收用滤波器50、发送用滤波器60以及控制IC70。
天线匹配电路30是与天线元件2以及天线开关40连接并取得天线元件2与前端电路1的匹配的电路。由此，前端电路1能够以低损耗从天线元件2接收接收信号，并以低损耗向天线元件2输出发送信号。天线匹配电路30由一个以上的高频电路部件构成，例如由以芯片状或者图案形成的电感器、以及以芯片状或者图案形成的电容器构成。此外，天线匹配电路30并不是前端电路1的必需的构成要素。另外，天线匹配电路30也可以是与多频带以及多模对应，根据所选择的频带或者模式使阻抗可变的可变匹配电路。
天线开关40是通过将天线元件2(以及天线匹配电路30)与发送侧信号路径以及接收侧信号路径中的一方连接，来切换天线元件2与多个信号路径的连接的分波器。更具体而言，天线开关40具备与天线匹配电路30连接的共用端子和与上述发送侧信号路径或者接收侧信号路径连接的两个选择端子。
此外，在图1中，天线开关40示出单刀双掷型的高频开关，但在分别配置多个发送侧信号路径以及接收侧信号路径的情况下，天线开关40并不限定于单输入双输出型。另外，也可以代替天线开关40，而配置对发送波以及接收波进行分波的包含双工器或者三工器的多工器。
接收用滤波器50是以规定的通带对由天线元件2接收并经由了天线开关40的接收信号进行滤波，并输出给低噪声放大器电路201的接收用滤波器元件。
发送用滤波器60是以规定的通带对从PA模块10输出的发送信号进行滤波，并经由天线开关40输出给天线元件2的发送用滤波器元件。
PA模块10是对从RF信号处理电路3输出的高频发送信号进行放大，并朝向天线开关40输出的功率放大模块。PA模块10是本发明的主要部分，在后面进行详细说明。
低噪声放大器电路20是对从天线开关40输出的高频接收信号进行放大，并输出给RF信号处理电路3的高频放大电路。
RF信号处理电路3通过下变频等对从天线元件2经由接收侧信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的接收信号输出给基带信号处理电路4。RF信号处理电路3例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)。另外，RF信号处理电路3通过上变频等对从基带信号处理电路4输入的发送信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的高频发送信号输出给PA模块10。
基带信号处理电路4是使用与前端部中的高频信号相比低频的中间频带进行信号处理的电路。利用基带信号处理电路4处理的图像信号例如使用于显示部5的图像显示，利用基带信号处理电路4处理后的声音信号例如使用于经由扬声器的通话。
此外，前端电路1根据要求规格，也可以是没有接收用滤波器50以及发送用滤波器60中的至少一方的构成。
另外，虽然图1的前端电路1是各具有一个发送侧信号路径以及接收侧信号路径的构成，但为了与多频带对应，也可以是分别具有多个发送侧信号路径以及接收侧信号路径的构成。另外，该情况下，也可以与各频带对应地按照每个信号路径配置PA模块10、低噪声放大器电路20、接收用滤波器50以及发送用滤波器60。另外，PA模块10、低噪声放大器电路20、接收用滤波器50以及发送用滤波器60也可以是能够与选择的频带对应地使通过特性以及放大特性可变的构成，该情况下，也可以比信号路径的条数少。
[1.2PA模块的构成]
图2是实施方式1所涉及的PA模块10的电路构成图。此外，该图也示出控制PA模块10的放大特性的控制IC(Ctrl－IC)70。
PA模块10具备前段放大元件10A、后段放大元件10B以及可变滤波电路10F。
前段放大元件10A放大从输入端子101输入的高频发送信号，后段放大元件10B放大被前段放大元件10A放大后的高频信号并输出给输出端子102。输入端子101与RF信号处理电路3连接，输出端子102与发送用滤波器60连接。
可变滤波电路10F是配置在前段放大元件10A与后段放大元件10B之间，且通带或者衰减频带根据高频发送信号的频带或者选择频道而可变的电路。可变滤波电路10F的通带以及衰减频带能够根据从控制IC70输出的控制信号而可变。
可变滤波电路10F例如由通带以及衰减频带分别不同的多个滤波器元件和开关元件构成。多个滤波器元件典型而言是带通滤波器，但根据多个通带的频率配置关系，也可以是低通滤波器、高通滤波器或者带阻滤波器。此外，上述多个滤波器元件例示弹性表面波滤波器、弹性边界波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、以及由电感器元件以及电容器元件构成的LC滤波器等。另外，根据预定使用的频段数决定上述多个滤波器元件的数目。另外，也可以上述多个滤波器元件中的至少一个以上是直通线路。此外，直通线路是分布常数型的传输线路。
上述开关元件例如配置在前段放大元件10A与上述多个滤波器元件之间，切换前段放大元件10A的输出端子与上述多个滤波器元件的连接。另外，也可以在后段放大元件10B与上述多个滤波器元件之间也配置开关元件。上述开关元件根据由控制IC70供给的控制信号，切换前段放大元件10A以及后段放大元件10B与上述多个滤波器元件的连接。
控制IC70是根据高频发送信号的频带或者选择频道控制前段放大元件10A以及后段放大元件10B的放大特性的放大控制部。此外，前段放大元件10A以及后段放大元件10B的放大特性例如是前段放大元件10A以及后段放大元件10B的增益(放大率)。另外，控制IC70基于从RF信号处理电路3或者基带信号处理电路4供给的表示选择使用的通信频带(高频信号的频带)的控制信号，控制可变滤波电路10F的开关元件。更具体而言，上述控制信号例如在表示选择频段A的情况下，控制IC70控制开关元件使将频段A的发送频带作为通带并将频段A的接收频带作为衰减频带的滤波器元件与前段放大元件10A以及后段放大元件10B连接。
根据上述构成，从RF信号处理电路3输入到PA模块10的高频发送信号被前段放大元件10A放大。放大后的高频发送信号输入到可变滤波电路10F。输入到可变滤波电路10F的高频发送信号通过符合通信方式以及通信频带的滤波器元件。通过了可变滤波电路10F的高频发送信号被后段放大元件10B进一步放大，并从PA模块10输出。
在利用PA模块10放大具有选择的频带的高频发送信号时，该频带的接收频带成分也被前段放大元件10A放大，但该放大后的接收频带成分通过基于选择的频带选择的滤波器元件，从而某种程度被衰减。由此，能够抑制放大后的接收频带成分进入低噪声放大器电路20等而成为接收频带噪声。
另外，根据上述构成，能够进行配置在RF信号处理电路3以及PA模块10的后段的滤波器、天线开关等的特性缓和，并且能够实现最小限度地抑制了面积的增加的电路。
[1.3高频信号放大电路的构成]
这里，对本实施方式所涉及的前段放大元件10A的电路构成进行说明。
图3是实施方式1所涉及的前段放大元件10A的电路构成图。本实施方式所涉及的前段放大元件10A由图3所示的高频信号放大电路构成。该图所示的高频放大电路具备高频输入端子101A、高频输出端子102A、输入匹配电路11、段间匹配电路12、放大晶体管17、偏置电路13、扼流圈16、LC串联谐振电路14以及电阻15。
放大晶体管17是放大从高频输入端子101A输入的高频发送信号的晶体管，例如由GaAs构成，主要有场效应型晶体管(FET)和异质结双极晶体管(HBT)。放大晶体管17的基极端子(信号输入端)经由输入匹配电路11与高频输入端子101A连接，集电极端子经由扼流圈16与电源Vcc1连接，发射极端子接地。
偏置电路13由直流电流供给用晶体管13tr以及其它的电路元件构成。偏置电路13通过提供偏置电源Vbat、参照电压Vbias1，从直流电流供给用晶体管13tr向放大晶体管17供给直流偏置电流。
输入匹配电路11通过对输入到高频输入端子101A的高频发送信号的阻抗进行匹配，抑制来自放大晶体管17的高频信号的反射。
段间匹配电路12通过对被放大晶体管17放大后的高频发送信号的阻抗进行匹配，抑制来自高频输出端子102A的高频信号的反射。输入到放大晶体管17的高频发送信号被放大晶体管17放大，并经由段间匹配电路12以及高频输出端子102A输出到可变滤波电路10F。
电阻15是一端与偏置电路13连接，另一端与放大晶体管17的基极端子连接的第一电阻元件。
LC串联谐振电路14的一端同电阻15与放大晶体管17的基极端子的连接节点n1连接，另一端与接地端子连接。LC串联谐振电路14具有相互串联连接的电感器14L以及电容器14C。另外，LC串联谐振电路14还在连接节点n1与接地端子之间具有与电感器14L以及电容器14C串联连接的电阻14R(第二电阻元件)。
这里，按照以下的式1规定LC串联谐振电路14的谐振频率fr。
[式1]
换句话说，由上述式1规定的谐振频率fr的信号成分经由LC串联谐振电路14流向接地端子，所以能够从放大路径除去谐振频率fr的信号成分。这里，谐振频率fr包含于前端电路1的高频发送信号Tx与高频接收信号Rx的差频带|fTx－fRx|。此外，fTx是发送频带的中心频率，fRx是接收频带的中心频率。即，决定谐振频率fr与差频带|fTx－fRx|大致一致那样的电感值L以及电容值C。由此，能够抑制由偏置电路13以及放大晶体管17中的高频发送信号Tx(频率fTx)与差频带成分|fTx－fRx|的混合而生成的高频接收信号成分(频率fRx)。由此，能够降低高频发送信号的发送时的接收频带噪声。
此外，在图3中，LC串联谐振电路14同电阻15与放大晶体管17的基极端子的连接节点n1连接，但期望LC串联谐振电路14与放大晶体管17的基极端面连接。另外，即使在不能够将LC串联谐振电路14与放大晶体管17的基极端面连接的情况下，也期望将LC串联谐振电路14与连接节点n1中的接近放大晶体管17的基极端子的位置连接。这是因为若在放大晶体管17与LC串联谐振电路14之间附加布线、附加电路或者寄生电容等，则扰乱LC串联谐振电路14与放大晶体管的基极－发射极间电容的并列连接，从而抑制由高频发送信号Tx与差频带成分|f Tx－fRx|的混合而生成的高频接收信号成分(频率fRx)的功能降低。
此外，关于抑制高频接收信号成分(fRx)，也能够利用LC串联谐振电路14除去高频接收信号成分(fRx)本身。然而，在使谐振频率fr与高频接收信号成分(fRx)一致的情况下，存在于高频接收信号成分(fRx)附近的高频发送信号成分(fTx)也通过LC串联谐振电路14，并衰减。从该观点来看，通过使谐振频率fr与和高频接收信号成分(fRx)以及高频发送信号成分(f Tx)相比较存在于充分远离的低频段的差频带|f Tx－fRx|一致，能够有效地降低接收频带噪声。
这里，示出比较例以及本实施方式所涉及的高频信号放大电路的接收频带噪声的实测例。在LTE(Long Term Evolution：长期演进)标准中，从天线元件2输出的高频发送信号的输出功率必须在25dBm以上。因此，若假设PA模块10与天线元件2之间的衰减量为3dB，则PA模块10的输出功率需要满足28dBm。
对(1)未配置LC串联谐振电路14的比较例1、(2)在电阻15与偏置电路13之间并联配置LC串联谐振电路14的比较例2、(3)在电阻15与放大晶体管17之间并联配置未串联附加电阻14R的LC串联谐振电路14的实施例1、以及(4)在电阻15与放大晶体管17之间并联配置串联附加了电阻14R的LC串联谐振电路14的实施例2测定了上述PA模块10的输出功率条件(28dBm)下的接收频带噪声。此外，将LC串联谐振电路14的电感器14L的电感值设为10nH，将电容器14C的电容值设为1000pF，并将电阻14R的电阻值设为2Ω。另外，使用对象的频带是Band8(发送频带：880MHz－915MHz，接收频带：925MHz－960MHz)。另外，差频带|fTx－fRx|为30－200MHz。表1示出上述测定结果。
[表1]
根据表1，未配置LC串联谐振电路14的比较例1与配置了LC串联谐振电路14的比较例2、实施例1以及实施例2相比较，发送输出28dBm下的接收频带噪声恶化。另一方面，在配置了LC串联谐振电路14的比较例2、实施例1以及实施例2中，不管LC串联谐振电路14的配置位置以及电阻14R的有无，而接收频带噪声为同等等级。换句话说，通过配置LC串联谐振电路14，改善接收频带噪声。
与此相对，以下说明如实施例1以及实施例2那样，通过使LC串联谐振电路14的配置位置最佳化，来使高频信号放大电路的性能指标亦即饱和输出以及功率附加效率提高的情况。
此外，饱和输出是指饱和区域的最大输出。饱和区域是在提高对RF输入端子的输入电平的情况下，不能够保持线性区域的增益的区域。
另外，功率附加效率是指功率放大器的输出功率和输入功率的差异与DC消耗功率(Vcc1的电压与从集电极端子流向发射极端子的电流的积)之比。
在上述构成中，在放大晶体管17的基极端子与偏置电路13之间连接电阻15，所以能够抑制高频发送信号侵入偏置电路13，能够防止连接高频输入端子101A、输入匹配电路11、放大晶体管17以及偏置电路13的放大路径上的振荡。换句话说，实现基于阻尼效应的放大动作的稳定化。另外，与电阻15相比不在偏置电路13侧而在放大晶体管17侧并联配置具有补偿上述放大路径上的电流以及电压的相位偏移的功能的LC串联谐振电路14。由此，能够除去差频带成分|fTx－fRx|，并在未被电阻15衰减的状态下检知应调整上述相位偏移的高频发送信号，所以能够有效地补偿高频发送信号的相位偏移。由此，能够抑制由偏置电路13以及放大晶体管17中的高频发送信号Tx(频率fTx)与差频带成分|fTx－fRx|的混合而生成的高频接收信号成分并稳定地抑制频带外噪声，并使高频发送信号的饱和输出以及功率附加效率提高。
这里，使用图4A以及图4B对通过本实施方式所涉及的高频信号放大电路提高高频发送信号的饱和输出以及功率附加效率的情况进行说明。
图4A是比较实施方式1以及比较例所涉及的高频信号放大电路的饱和输出特性的曲线图。另外，图4B是比较实施方式1以及比较例所涉及的高频信号放大电路的功率附加效率的曲线图。
图4A的曲线图示出输入到高频信号放大电路的高频输入端子101A的高频输入信号Pin与从高频输入端子102A输出的高频输入信号Pout的线性关系。在该图中，可知：在输入匹配电路11与电阻15之间并联配置LC串联谐振电路14的实施例2所涉及的高频信号放大电路的线性特性(实线)与在偏置电路13与电阻15之间并联配置LC串联谐振电路14的比较例2所涉及的高频信号放大电路的线性特性(虚线)相比，线性延伸至高功率侧。
此外，虽然在图4A未图示，但未配置LC串联谐振电路14的比较例1所涉及的高频信号放大电路的线性特性与图4A的曲线图中的虚线的特性相同。另外，在输入匹配电路11与电阻15之间并联配置LC串联谐振电路14且未串联附加电阻14R的实施例1所涉及的高频信号放大电路的线性特性与图4A的曲线图中的实线的特性相同。
换句话说，通过与电阻15相比不在偏置电路13侧而在放大晶体管17侧并联配置具有串联连接电感器14L以及电容器14C的结构的LC串联谐振电路14，能够在未被电阻15衰减的状态下补偿高频发送信号的相位偏移，其结果是高频发送信号的饱和输出提高。
另外，图4B的曲线图示出高频输出信号与功率附加效率的关系。在该图中，可知：在输入匹配电路11与电阻15之间并联配置了LC串联谐振电路14的实施例2所涉及的高频信号放大电路的功率附加效率(实线)与在偏置电路13与电阻15之间并联配置了LC串联谐振电路14的比较例2所涉及的高频信号放大电路的功率附加效率(虚线)相比，在高功率侧具有较高的值。
此外，虽然在图4B未图示，但未配置LC串联谐振电路14的比较例1所涉及的高频信号放大电路的线性特性与图4B的曲线图中的虚线的特性相同。另外，在输入匹配电路11与电阻15之间并联配置LC串联谐振电路14且未串联附加电阻14R的实施例1所涉及的高频信号放大电路的线性特性与图4B的曲线图中的实线的特性相同。
换句话说，由于与电阻15相比不在偏置电路13侧而在放大晶体管17侧并联配置具有串联连接电感器14L以及电容器14C的结构的LC串联谐振电路14，所以在未被电阻15衰减的状态下补偿高频发送信号的相位偏移，其结果是高频发送信号的功率附加效率提高。
此外，在本实施方式中，LC串联谐振电路14是具有串联附加于电感器14L以及电容器14C的电阻14R的构成，但也可以没有电阻14R。即使是本实施方式所涉及的高频信号放大电路且是不配置电阻14R的构成，也能够如上述那样，使高频发送信号的饱和输出以及功率附加效率提高。
接下来，使用图5A以及图5B对LC串联谐振电路14的电阻14R的作用效果进行说明。
图5A是表示实施方式1所涉及的高频信号放大电路的稳定化指数的曲线图。另外，图5B是表示实施方式1所涉及的高频信号放大电路的放大特性的曲线图。图5A示出LC串联谐振电路14的稳定化指数亦即K因子的频率依赖性。另外，图5B示出高频信号放大电路的高频输入输出端子101A－高频输出端子102A间的放大特性。如图5B所示，在高频发送信号的通带(～1.5GHz)以及衰减频带(接收信号的通带：1.5GHz～)中，在串联附加了电阻14R的情况(实线)以及未串联附加电阻14R的情况(虚线)双方，放大特性没有差异。
另一方面，如图5A所示，在串联附加了电阻14R的情况下(实线)，在所有频带，作为1以上是稳定动作的标准的K因子在1以上。另一方面，在未串联附加电阻14R的情况下(虚线)，在相当于差频带成分|fTx－fRx|的频带(100MHz－150MHz)，K因子在1以下。换句话说，可知通过具有电阻14R作为串联成分，能够抑制LC串联谐振电路14的差频带成分|fTx－fRx|下的振荡现象，有助于放大动作的稳定化。
此外，在本实施方式中，电容器14C也可以根据差频带成分|fTx－fRx|而电容值可变。
图6是表示实施方式1所涉及的LC串联谐振电路的变形例的电路图。图6所示的LC串联谐振电路14A具有通过开关14SW，切换电容值不同的电容器14C1、14C2、…14Cn的连接的构成。由此，能够有选择地切换LC串联谐振电路14A的串联电容成分。另外，不仅是电容器的切换，也能够有选择地切换包含电感器的LC值。另一方面，LC串联谐振电路14B能够通过可变电容器14VC使电容值连续地变化。通过这些器件，能够使LC串联谐振电路14的谐振频率fr变化，所以即使是能够切换使用的发送频带以及接收频带的系统，也能够根据选择的发送频带以及接收频带稳定地抑制频带外噪声。
另外，后段放大元件10B也可以由本实施方式所涉及的高频放大电路构成。在根据要求规格而配置了多段放大元件的功率放大模块中，使处理大功率的最后段的放大元件的放大性能以及噪声性能提高最为重要。根据上述构成，由于由具有上述特征的高频信号放大电路构成后段放大元件10B，所以能够高效地使功率放大模块10的放大性能以及噪声性能最佳化。
另外，高频放大电路也可以由CMOS构成。由此，能够廉价地制造PA模块10。
另外，高频放大电路也可以由GaAs构成。由此，能够输出具有高品质的放大性能以及噪声性能的高频发送信号。
(实施方式2)
在本实施方式中，对使由实施方式1所涉及的高频信号放大电路构成的前段放大元件10A、后段放大元件10B以及可变滤波电路10F的配置关系最佳化的构成进行说明。
在全部以不同芯片构成前段放大元件10A、后段放大元件10B、可变滤波电路10F以及控制IC70的情况下，不能够有助于前端电路1的小型化。另一方面，在为了小型化，而使前段放大元件10A以及后段放大元件10B为同一芯片的情况下，有由于高频信号的相互干扰增强而产生的振荡等，而发送信号的品质劣化的担心。
图7A是实施方式2所涉及的PA模块的电路构成图。如图7A所示，在本实施方式所涉及的前端电路1中，利用芯片A(第一芯片)使前段放大元件10A以及控制IC70单芯片化。并且，后段放大元件10B不包含于芯片A。
根据上述构成，控制IC70与不容易受到高频发送信号的干扰的前段放大元件10A单芯片化，所以能够维持高频信号的品质并实现小型化。另外，通过利用不同芯片构成前段放大元件10A和后段放大元件10B，能够抑制高频信号的相互干扰。
此外，优选芯片A由CMOS构成。由此，通过以CMOS构成不需要功率处理的控制IC70以及前段放大元件10A，能够廉价地制造PA模块10。
另外，芯片A也可以由GaAs构成。由此，能够输出具有高品质的放大性能以及噪声性能的高频发送信号。
此外，也可以使可变滤波电路10F所包含的开关元件包含于芯片A。由此，能够实现前端电路1的进一步的小型化。
这里，根据式1所示的谐振频率fr决定构成LC串联谐振电路14的电容器14C。该情况下，在电容器14C的电容值例如比20pF大的情况下，有不容易将电容器C设置于芯片A的情况。
图7B是实施方式2所涉及的高频信号放大电路的电路构成图。该图示出芯片A所包含的高频信号放大电路的构成。如上述那样，在电容器14C的电容值比规定值大的情况下，电容器14C也可以外置于芯片A。另外，不仅是电容器14C，在电感器14L的电感值比规定值大的情况下，也可以将电感器14L外置于芯片A。
根据上述构成，能够不被电感值以及电容值限制地设定LC串联谐振电路14的谐振频率fr。由此，能够降低所希望的差频带下的接收频带噪声。
图8A是实施方式2所涉及的PA模块10的俯视构成图。另外，图8B是实施方式2所涉及的PA模块10的剖面构成图。具体而言，图8B是在图8A中的VIIB－VIIB线切断的情况下的剖视图。如图8A以及图8B所示，在本实施方式所涉及的PA模块10中，在基板200之上(在图中z轴方向)安装配置前段放大元件10A、后段放大元件10B、控制IC70、电容器14C以及可变滤波电路10F。另外，利用芯片A将前段放大元件10A以及控制IC70单芯片化。并且，电容器14C以及可变滤波电路10F被层叠配置为与芯片A重叠。换句话说，外置于芯片A的电容器14C被层叠配置为在俯视基板200的情况下与芯片A重叠。
由此，不仅通过前段放大元件10A与控制IC70的单芯片化来省面积化，还通过前段放大元件10A与LC串联谐振电路14的构成元件的层叠化，实现PA模块10的进一步的省面积化。由此，能够维持高频信号的品质并实现进一步的小型化。
(其它的实施方式等)
以上，列举实施方式1以及2对本发明的实施方式所涉及的高频信号放大电路、PA模块10、前端电路1以及通信装置100进行了说明，但本发明的高频信号放大电路、PA模块10、前端电路1以及通信装置100并不限定于上述实施方式。组合上述实施方式中的任意的构成要素实现的其它的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形得到的变形例、内置了本公开的高频信号放大电路或者PA模块10的各种设备也包含于本发明。
此外，在上述实施方式所涉及的高频信号放大电路以及PA模块10中，也可以在附图所公开的连接各电路元件以及信号路径的路径之间插入其它的高频电路元件以及布线等。
另外，可变滤波电路10F也可以是使TV空闲频道中正使用的使用频道以外的频带或者/以及IMD噪声衰减的滤波电路。根据这样的构成，在将TV频道中的空闲频道活用于其它的通信的系统中，能够将使用的频道的相邻频道的频率衰减，所以能够有效活用TV频道的空闲频道。
另外，本发明所涉及的控制IC70也可以作为集成电路亦即IC、LSI(Large ScaleIntegration：大规模集成)实现。另外，也可以利用专用电路或者通用处理器实现集成电路化的方法。也可以在LSI制造后，利用能够进行编程的FPGA(Field Programmable GateArray：现场可编程门阵列)、能够重建LSI内部的电路单元的连接或者设定的可重构处理器。并且，若通过半导体技术的进步或者派生的其它技术而出现与LSI置换的集成电路化的技术，则当然也可以使用该技术进行功能块的集成化。
产业上的可利用性
本发明能够作为配置于多频带/多模对应的前端部的功率放大模块，广泛地利用于移动电话等通信设备。
附图标记说明：1…前端电路，2…天线元件，3…RF信号处理电路，4…基带信号处理电路，5…显示部，10…PA模块(功率放大模块)，10A…前段放大元件，10B…后段放大元件，10F…可变滤波电路，11、502…输入匹配电路，12…段间匹配电路，13、506…偏置电路，14、14A、14B…LC串联谐振电路，14C、14C1、14C2、14Cn、509…电容器，14L、508…电感器，14R、15…电阻，14SW…开关，14VC…可变电容器，16…扼流圈，17…放大晶体管，20…低噪声放大器电路(接收放大电路)，30…天线匹配电路，40…天线开关，50…接收用滤波器，60…发送用滤波器，70…控制IC，100…通信装置，101…输入端子，101A…高频输入端子，102…输出端子，102A…高频输出端子，200…基板，501…RF输入端子，503…高频信号放大晶体管，504…输出匹配电路，507…串联谐振电路。

Claims (12)

1.一种高频信号放大电路，是使高频发送信号和高频接收信号传播的前端电路所使用的高频信号放大电路，所述高频信号放大电路具备：
放大晶体管，其放大所述高频发送信号；
偏置电路，其向所述放大晶体管的信号输入端提供偏置；
第一电阻元件，其一端与所述偏置电路连接，另一端与所述信号输入端连接；以及
LC串联谐振电路，其是一端同所述第一电阻元件与所述信号输入端的连接节点连接且另一端与接地端子连接的LC串联谐振电路，具有相互串联连接的电感器以及电容器，
所述LC串联谐振电路的谐振频率被包含于所述高频发送信号与所述高频接收信号的差频带。
2.根据权利要求1所述的高频信号放大电路，其中，
所述LC串联谐振电路还在所述连接节点与所述接地端子之间具有与所述电感器以及所述电容器串联连接的第二电阻元件。
3.根据权利要求1或者2所述的高频信号放大电路，其中，
所述电容器的电容根据所述差频带可变。
4.一种功率放大模块，具备：
前段放大元件，其放大高频发送信号；以及
后段放大元件，其放大由所述前段放大元件放大后的高频发送信号，
所述后段放大元件由权利要求1～3中任意一项所述的高频信号放大电路构成。
5.一种功率放大模块，具备：
前段放大元件，其放大高频发送信号；
后段放大元件，其放大由所述前段放大元件放大后的高频发送信号；以及
放大控制部，其根据所述高频发送信号的频带控制所述前段放大元件以及所述后段放大元件的放大特性，
所述前段放大元件由权利要求1～3中任意一项所述的高频信号放大电路构成，
所述前段放大元件以及所述放大控制部被用第一芯片而单芯片化。
6.根据权利要求5所述的功率放大模块，其中，
所述电容器以及所述电感器的至少一方外置于所述第一芯片。
7.根据权利要求6所述的功率放大模块，其中，
所述前段放大元件以及所述后段放大元件被配置于基板的安装面，
外置于所述第一芯片的所述电容器以及所述电感器的至少一方被层叠配置成在俯视所述基板的情况下与所述第一芯片重叠。
8.根据权利要求5～7中任意一项所述的功率放大模块，其中，
所述第一芯片由CMOS构成。
9.根据权利要求5～7中任意一项所述的功率放大模块，其中，
所述第一芯片由GaAs构成。
10.一种前端电路，具备：
权利要求4～9中任意一项所述的功率放大模块；
发送用滤波器元件以及接收用滤波器元件；以及
分波器，其将来自天线元件的高频接收信号向所述接收用滤波器元件输出，并且将由所述功率放大模块放大后的经由了所述发送用滤波器元件的高频发送信号向所述天线元件输出。
11.根据权利要求10所述的前端电路，其中，
具备可变滤波电路，所述可变滤波电路被配置在所述前段放大元件与所述后段放大元件之间，并且使通带或者衰减频带根据所述高频发送信号的频带可变，
所述通带是与从多个通信频带选择出的使用通信频带对应的发送频带，所述衰减频带是与所述使用通信频带对应的接收频带。
12.一种通信装置，具备：
权利要求10或者11所述的前端电路；
RF信号处理电路，其向所述前端电路输出高频发送信号，从所述前端电路输入高频接收信号；以及
基带信号处理电路，其将从所述RF信号处理电路输入的高频接收信号转换为中频信号并进行信号处理，并且将中频信号转换为高频信号并向所述RF信号处理电路输出。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111865337A (zh) * 2019-04-03 2020-10-30 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN111988004A (zh) * 2019-05-22 2020-11-24 株式会社村田制作所 放大电路、高频前端电路以及通信装置
CN114051695A (zh) * 2019-07-03 2022-02-15 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN114080756A (zh) * 2019-07-09 2022-02-22 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109075751B (zh) * 2016-03-30 2022-06-07 株式会社村田制作所 高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路及通信装置
JP2018050159A (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社村田製作所 送受信モジュール
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2018195937A (ja) * 2017-05-16 2018-12-06 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路
WO2019215988A1 (ja) * 2018-05-10 2019-11-14 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2021158556A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158554A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN112003574B (zh) * 2020-07-14 2024-02-09 天津工业大学 一种k波段cmos高效射频功率放大器电路
CN113794451B (zh) * 2021-08-11 2023-06-30 西安电子科技大学 一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路
CN113740878B (zh) * 2021-09-09 2023-09-22 南京牧镭激光科技股份有限公司 用于测风雷达的平衡探测器电路

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188643A (ja) * 1992-10-21 1994-07-08 Fukushima Nippon Denki Kk 高周波低雑音増幅器
US20020180556A1 (en) * 2000-03-15 2002-12-05 Mitsuhiro Watanabe High-frequency module and wireless communication device
JP2008219327A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Sharp Corp 電力増幅器及び通信装置
CN1977467B (zh) * 2004-06-30 2010-05-05 日立金属株式会社 高频部件和多波段通信装置
CN201541238U (zh) * 2009-09-11 2010-08-04 清华大学 一种能降低低频噪声的磁共振成像mri系统前置放大器
CN102257727A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 高通股份有限公司 具有电阻式电平移位电路的ab类放大器
JP2013132015A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Taiyo Yuden Co Ltd 回路基板
WO2013150564A1 (ja) * 2012-04-04 2013-10-10 三菱電機株式会社 マルチモード・マルチバンド増幅器
WO2014087479A1 (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
US20140347130A1 (en) * 2011-12-20 2014-11-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device and high-frequency power amplifier module
WO2015002127A1 (ja) * 2013-07-01 2015-01-08 株式会社村田製作所 電力増幅モジュールおよびフロントエンド回路
CN104426489A (zh) * 2013-09-11 2015-03-18 三菱电机株式会社 功率放大器

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005143079A (ja) 2003-10-14 2005-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器
CN101160734B (zh) * 2005-04-15 2011-04-13 日立金属株式会社 多频带高频电路、多频带高频电路部件及使用其的多频带通信装置
EP1850491A3 (en) * 2006-04-26 2012-02-22 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency device and communications apparatus
JP4640455B2 (ja) * 2008-06-24 2011-03-02 株式会社村田製作所 フェライト・磁石素子、非可逆回路素子及び複合電子部品
JP5487073B2 (ja) * 2010-10-21 2014-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波信号処理装置
CN103518325B (zh) * 2011-05-09 2016-08-24 株式会社村田制作所 阻抗匹配切换电路、天线装置、高频功率放大装置及通信终端装置
WO2012157645A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 株式会社村田製作所 電力増幅器およびその動作方法
WO2013039030A1 (ja) * 2011-09-15 2013-03-21 株式会社村田製作所 電力増幅器およびその動作方法
JP2013110619A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Mitsubishi Electric Corp 増幅器
WO2013099543A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 株式会社村田製作所 高周波信号処理装置および無線通信装置
JP5776849B2 (ja) * 2012-06-28 2015-09-09 株式会社村田製作所 高周波伝送線路および電子機器
US8816769B2 (en) * 2012-07-31 2014-08-26 Intel Mobile Communications GmbH Differential stacked output stage for power amplifiers
US9106072B2 (en) * 2012-12-19 2015-08-11 Qualcomm Incorporated Electrostatic discharge protection of amplifier cascode devices
JP6182937B2 (ja) 2013-04-01 2017-08-23 株式会社ソシオネクスト 電力増幅器及び通信装置
JP6168349B2 (ja) * 2013-06-05 2017-07-26 株式会社村田製作所 電力増幅器および無線通信装置
JP2015231123A (ja) 2014-06-04 2015-12-21 富士通株式会社 無線装置
WO2016117482A1 (ja) * 2015-01-21 2016-07-28 株式会社村田製作所 高周波電力増幅モジュールおよび通信装置
JP2017184060A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社村田製作所 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
CN109075751B (zh) * 2016-03-30 2022-06-07 株式会社村田制作所 高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路及通信装置
JP6702083B2 (ja) * 2016-08-23 2020-05-27 株式会社村田製作所 高周波増幅器モジュール
JP6710606B2 (ja) * 2016-08-23 2020-06-17 株式会社村田製作所 高周波増幅器モジュール
CN108809259B (zh) * 2017-05-05 2022-03-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 功率放大器电路及其形成方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188643A (ja) * 1992-10-21 1994-07-08 Fukushima Nippon Denki Kk 高周波低雑音増幅器
US20020180556A1 (en) * 2000-03-15 2002-12-05 Mitsuhiro Watanabe High-frequency module and wireless communication device
CN1977467B (zh) * 2004-06-30 2010-05-05 日立金属株式会社 高频部件和多波段通信装置
JP2008219327A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Sharp Corp 電力増幅器及び通信装置
CN102257727A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 高通股份有限公司 具有电阻式电平移位电路的ab类放大器
CN201541238U (zh) * 2009-09-11 2010-08-04 清华大学 一种能降低低频噪声的磁共振成像mri系统前置放大器
US20140347130A1 (en) * 2011-12-20 2014-11-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device and high-frequency power amplifier module
JP2013132015A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Taiyo Yuden Co Ltd 回路基板
WO2013150564A1 (ja) * 2012-04-04 2013-10-10 三菱電機株式会社 マルチモード・マルチバンド増幅器
WO2014087479A1 (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
WO2015002127A1 (ja) * 2013-07-01 2015-01-08 株式会社村田製作所 電力増幅モジュールおよびフロントエンド回路
CN104426489A (zh) * 2013-09-11 2015-03-18 三菱电机株式会社 功率放大器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JI HOON KIM 等: "Linearity Improvement of a Power Amplifier Using a Series LC Resonant Circuit", 《IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111865337A (zh) * 2019-04-03 2020-10-30 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN111988004A (zh) * 2019-05-22 2020-11-24 株式会社村田制作所 放大电路、高频前端电路以及通信装置
CN114051695A (zh) * 2019-07-03 2022-02-15 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN114051695B (zh) * 2019-07-03 2023-08-18 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN114080756A (zh) * 2019-07-09 2022-02-22 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN114080756B (zh) * 2019-07-09 2023-08-18 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109075751B (zh) 2022-06-07
US20190036488A1 (en) 2019-01-31
WO2017169645A1 (ja) 2017-10-05
US10389310B2 (en) 2019-08-20

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