WO2015002127A1 - 電力増幅モジュールおよびフロントエンド回路 - Google Patents

電力増幅モジュールおよびフロントエンド回路 Download PDF

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WO2015002127A1
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人見伸也
帯屋秀典
佐藤剛
柳原真悟
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株式会社村田製作所
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    • H04B2001/0416Circuits with power amplifiers having gain or transmission power control

Definitions

  • the present invention relates to a power amplification module that amplifies a transmission signal and a front-end circuit including the same.
  • Patent Document 1 As a conventional front-end circuit, for example, there is one disclosed in Patent Document 1.
  • the front end circuit described in Patent Document 1 includes a wideband power amplifier, a band switch, and a duplexer.
  • the broadband power amplifier is a multimode / multiband power amplifier.
  • a plurality of duplexers are provided for each communication band.
  • the broadband power amplifier and the duplexer are connected via a band switch.
  • the transmission signal amplified by the broadband power amplifier is sent to the duplexer corresponding to the communication band via the band switch.
  • the duplexer passes the transmission signal to the antenna side and prevents the transmission signal from wrapping around to the reception circuit side.
  • the front end circuit described in Patent Document 1 can transmit and receive high-frequency signals in a plurality of communication bands.
  • This noise includes reception band noise having a frequency within the reception band. If this reception band noise circulates to the receiving circuit side, the reception sensitivity is deteriorated.
  • reception band noise generated by a wideband power amplifier is attenuated by a duplexer.
  • the duplexer attempts to sufficiently attenuate the reception band noise, the transmission signal may be attenuated more than necessary.
  • An object of the present invention is to provide a power amplification module capable of realizing excellent communication characteristics in a frequency range including a plurality of communication bands, and a front-end circuit including the same.
  • the power amplification module of the present invention includes a plurality of amplification elements and a variable filter circuit.
  • the amplifying elements amplify the transmission signal in a frequency range including a plurality of communication bands, and are connected in cascade.
  • the variable filter circuit is connected between the amplifying elements.
  • the variable filter circuit sets a transmission band corresponding to a used communication band selected from a plurality of communication bands as a pass band and a reception band corresponding to the used communication band as an attenuation band.
  • the variable filter circuit uses a transmission band as a pass band and a reception band corresponding to the transmission band as an attenuation band in a frequency range including a plurality of communication bands. For this reason, the variable filter circuit attenuates the reception band noise generated when the transmission signal is amplified by the preceding amplification element. As a result, the level of reception band noise that wraps around to the reception circuit side is suppressed, so that deterioration in reception sensitivity is reduced. That is, in the frequency range including a plurality of communication bands, it is possible to prevent the reception sensitivity from deteriorating without greatly reducing the transmission signal. Therefore, excellent communication characteristics can be realized in a frequency range including a plurality of communication bands.
  • variable filter circuit attenuates the reception band noise generated when the transmission signal is amplified by the preceding amplification element. For this reason, the reception band noise is suppressed from being amplified by the subsequent amplifying element, so that power loss can be reduced.
  • variable filter circuit may include a plurality of filter components and a switch circuit that switches the filter components.
  • the attenuation band of the variable filter circuit may be continuously changed.
  • variable filter circuit may be a band pass filter.
  • the variable filter circuit may be a band elimination filter.
  • the size of the variable filter circuit can be reduced as compared with the case where the variable filter circuit is a band-pass filter, so that the power amplification module can be easily designed.
  • variable filter circuit uses only the transmission modulation band to be used in the transmission band as the pass band.
  • the pass band of the variable filter circuit is narrowed according to the transmission modulation band to be used rather than the entire transmission band to be used. Thereby, the pass characteristic of the variable filter circuit is improved, and the attenuation effect of the reception band noise becomes higher.
  • the power amplification module of the present invention is preferably configured as follows.
  • the power amplification module of the present invention includes at least one matching circuit that performs matching in a frequency range including a plurality of communication bands.
  • the amplifying element includes a first amplifying element and a second amplifying element.
  • the output terminal of the first amplifying element is connected to the input terminal of the variable filter circuit.
  • the input terminal of the second amplifying element is connected to the output terminal of the variable filter circuit.
  • the matching circuit is connected between at least one of the output terminal of the first amplifying element and the input terminal of the variable filter circuit or between the input terminal of the second amplifying element and the output terminal of the variable filter circuit.
  • the first amplifying element or the second amplifying element side can be matched with the variable filter circuit side. For this reason, it is possible to suppress degradation of output characteristics in the transmission band of the power amplification module caused by fluctuations in impedance of the variable filter circuit in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • the matching circuit is connected between the output terminal of the first amplification element and the variable filter circuit and between the input terminal of the second amplification element and the variable filter circuit.
  • the matching circuit is preferably connected to the input terminal side of the first amplification element and the output terminal side of the second amplification element.
  • the matching circuit may include at least one variable reactance.
  • matching can be achieved in a wide frequency range by changing the variable reactance in accordance with the frequency of the high-frequency signal to be used.
  • variable reactance may be a variable capacitance element.
  • variable reactance may include a plurality of reactances whose values do not change and a switch circuit that switches the reactances.
  • the matching circuit may compensate the temperature by changing the variable reactance based on the measurement result of the temperature sensor. With this configuration, matching can be achieved even when the impedance of the amplifying element or the variable filter circuit changes due to a temperature change.
  • the matching circuit may be configured by cascading circuits composed of reactances connected in series and reactances connected in parallel. With this configuration, it is possible to realize a matching circuit that performs matching in a wide frequency range without using variable reactance. That is, there is no need to control the variable reactance to achieve matching.
  • the front end circuit of the present invention includes a circulator, an antenna, a receiving circuit, and a transmitting circuit.
  • the circulator has a first terminal, a second terminal, and a third terminal.
  • the antenna is connected to the first terminal.
  • the receiving circuit is connected to the second terminal.
  • the transmission circuit is connected to the third terminal and includes the power amplification module of the present invention.
  • the circulator outputs a high-frequency signal input to the first terminal to the second terminal and a high-frequency signal input to the third terminal to the first terminal in a frequency range including a plurality of communication bands.
  • the circulator corresponds to a frequency range including a plurality of communication bands.
  • the circulator is smaller than a plurality of duplexers provided for each communication band.
  • the reception band noise output from the power amplification module is small, the level of reception band noise that wraps around from the third terminal of the circulator to the second terminal is suppressed. For this reason, even if a circulator is used to demultiplex a transmission signal and a reception signal, high isolation can be ensured between transmission and reception. Therefore, it is possible to obtain a small front-end circuit having excellent communication characteristics in a plurality of communication bands.
  • FIG. 10 is a lineblock diagram of PA module 10 concerning a 1st embodiment. It is a block diagram of PA module 20 of the conventional configuration.
  • FIG. 3A shows the output characteristics of the PA module.
  • FIG. 3B is a diagram for explaining the communication band.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific example of broadband matching circuits 33a to 33d.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a modification of the broadband matching circuits 33a to 33d.
  • FIG. 7A is a graph showing changes in reception band noise in band 5 with respect to the output of the PA module.
  • FIG. 7B is a graph showing a change in reception band noise in the band 13 with respect to the output of the PA module.
  • PA module 50 of the conventional configuration It is a schematic diagram which shows a transmission modulation band. It is a block diagram of the front end circuit 60 which concerns on 3rd Embodiment.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of the PA module 10.
  • the PA module 10 includes amplification elements 11a and 11b, a variable filter circuit 12, and a matching circuit 13.
  • the input terminal of the amplifying element 11 a is connected to the input terminal of the PA module 10.
  • the output terminal of the amplifying element 11 a is connected to the input terminal of the variable filter circuit 12.
  • the output terminal of the variable filter circuit 12 is connected to the input terminal of the amplifying element 11b.
  • the output terminal of the amplifying element 11 b is connected to the output terminal of the PA module 10 via the matching circuit 13.
  • the amplifying elements 11a and 11b are multimode / multiband power amplifiers that can be used in a plurality of communication systems and a plurality of communication bands.
  • the amplification elements 11a and 11b are formed, for example, in one PAIC (Power (Amplifier Integrated Circuit).
  • the amplifying element 11a is a first-stage amplifying element, and the amplifying element 11b is a last-stage amplifying element.
  • the variable filter circuit 12 is, for example, arranged close to the PAIC and connected to the PAIC by wire bonding or the like.
  • the variable filter circuit 12 includes, for example, a SAW (SurfaceSAcoustic ⁇ Wave) resonator and a BAW (BulkAcoustic Wave) resonator.
  • SAW SurfaceSAcoustic ⁇ Wave
  • BAW BulkAcoustic Wave
  • the variable filter circuit 12 includes switch circuits 121a and 121b and filter components 122a to 122c.
  • the switch circuits 121a and 121b have a common terminal and first to third individual terminals.
  • the common terminal is connected to any one of the first to third individual terminals by a control signal.
  • the filter components 122a to 122c are band pass filters.
  • the pass band characteristics of the filter components 122a to 122c are different from each other, and are set according to the communication band to be used.
  • the attenuation characteristics of the filter components 122a to 122c can be made steep by configuring the filter components 122a to 122c with SAW filters or the like. Thereby, only the high frequency signal of the communication band to pass through can be transmitted with low loss. That is, it is possible to transmit only the high-frequency signal in the communication band that is desired to pass, and to significantly attenuate the high-frequency signal in the other communication band.
  • the filter component may be a band elimination filter. Since the band elimination filter can be reduced in size as compared with the bandpass filter, the variable filter circuit and the PA module 10 can be easily designed.
  • the common terminal of the switch circuit 121a is connected to the output terminal of the amplifying element 11a.
  • the first individual terminal of the switch circuit 121a is connected to the first individual terminal of the switch circuit 121b via the filter component 122a.
  • the second individual terminal of the switch circuit 121a is connected to the second individual terminal of the switch circuit 121b via the filter component 122b.
  • the third individual terminal of the switch circuit 121a is connected to the third individual terminal of the switch circuit 121b via the filter component 122c.
  • the common terminal of the switch circuit 121b is connected to the input terminal of the amplifying element 11b.
  • the switch circuits 121a and 121b in the variable filter circuit 12 switch the signal path according to the communication method or the communication band. Thereby, the variable filter circuit 12 switches the pass band or the attenuation band in accordance with the communication method or the communication band. That is, the variable filter circuit 12 functions as a selectable filter.
  • variable filter circuit may be a tunable filter capable of continuously changing the pass band or the attenuation band, for example.
  • the transmission signal input to the PA module 10 is amplified by the amplification element 11a.
  • the amplified transmission signal is input to the variable filter circuit 12.
  • the transmission signal input to the variable filter circuit 12 passes through a filter component suitable for the communication method and communication band.
  • the transmission signal that has passed through the variable filter circuit 12 is further amplified by the amplification element 11 b and output from the PA module 10.
  • FIG. 2 is a configuration diagram of the PA module 20.
  • the PA module 20 includes amplification elements 11a and 11b and matching circuits 23a and 23b.
  • the input terminal of the amplifying element 11a is connected to the input terminal of the PA module 10.
  • the output terminal of the amplifying element 11a is connected to the input terminal of the amplifying element 11b via the matching circuit 23a.
  • the output terminal of the amplifying element 11b is connected to the output terminal of the PA module 10 via the matching circuit 23b.
  • FIG. 3A shows the output characteristics of the PA module.
  • the solid line 101 is the output characteristic of the PA module 10 when the communication band B 1 is selected.
  • the solid line 102 is the output characteristic of the PA module 10 when the communication band B 2 is selected.
  • Dashed line 103 represents the output characteristics of the PA module 20 when the communication band B 1 is selected.
  • Dashed line 104 represents the output characteristics of the PA module 20 when the communication band B 2 is selected.
  • the communication band B 1 is an 800 MHz band
  • the communication band B 2 is a 1 GHz band.
  • the transmission frequency ⁇ T1 indicates the center frequency of the transmission band B T1 corresponding to the communication band B 1 .
  • the reception frequency ⁇ R1 indicates the center frequency of the reception band B R1 corresponding to the communication band B 1 .
  • the transmission frequency ⁇ T2 indicates the center frequency of the transmission band B T2 corresponding to the communication band B 2 .
  • the reception frequency ⁇ R2 indicates the center frequency of the reception band B R2 corresponding to the communication band B 2 .
  • the PA module 10 increases the signal level of the output signal in the transmission band B T1 , but greatly attenuates the signal level of the output signal in the reception band B R1 .
  • the signal level of the output signal increases in the transmission band B T1 as in the PA module 10, but the signal level of the output signal does not attenuate much in the reception band BR1 .
  • the PA module 10 increases the signal level of the output signal in the transmission band B T2 , but greatly attenuates the signal level of the output signal in the reception band BR 2. To do. In the conventional PA module 20, the signal level of the output signal increases in the transmission band B T2 as in the PA module 10, but the signal level of the output signal does not attenuate much in the reception band BR2 .
  • the filter component 122a uses the transmission band B T1 as the pass band and the reception band B R1 as the attenuation band.
  • the filter component 122b uses the transmission band BT2 as a pass band and the reception band BR2 as an attenuation band. If the communication band B 1 as used communication bandwidth is selected, the transmission signal passes through the filter part 122a. If the communication band B 2 as used communication bandwidth is selected, the transmission signal passes through the filter part 122b.
  • the variable filter circuit 12, and thus the PA module 10 has the output characteristics shown in FIG.
  • the variable filter circuit 12 sets a transmission band as a pass band and a reception band corresponding to the transmission band as an attenuation band in a frequency range including a plurality of communication bands. For this reason, the variable filter circuit 12 attenuates the reception band noise generated when the transmission signal is amplified by the first stage amplifying element 11a. As a result, the level of reception band noise that wraps around to the reception circuit side is suppressed, so that deterioration in reception sensitivity is reduced. Further, as described above, since the transmission band is a pass band and the reception band corresponding to the transmission band is an attenuation band, the transmission signal is not significantly attenuated. That is, in the frequency range including a plurality of communication bands, it is possible to prevent the reception sensitivity from deteriorating without greatly reducing the transmission signal. Therefore, the PA module 10 can realize excellent communication characteristics in a frequency range including a plurality of communication bands.
  • the reception band noise generated when the transmission signal is amplified by the amplifying element 11a is amplified by the amplifying element 11b.
  • the variable filter circuit 12 attenuates the reception band noise generated when the transmission signal is amplified by the amplification element 11a. For this reason, it is suppressed that reception band noise is amplified by the amplification element 11b. As a result, the PA module 10 can reduce power loss compared to the PA module 20.
  • a PA module having two amplifying elements has been described as an example.
  • a PA module having three or more amplifying elements may be used.
  • the level of reception band noise generated during transmission can be reduced by inserting a variable filter circuit between the amplifying elements.
  • a variable filter circuit is inserted between the last stage amplifying element and the previous stage amplifying element connected adjacent to the amplifying element, the effect of reducing the reception band noise is the highest.
  • FIG. 4 is a configuration diagram of the PA module 30.
  • a broadband matching circuit 33a is connected between the input terminal of the PA module 30 and the input terminal of the amplifying element 11a.
  • a broadband matching circuit 33b is connected between the output terminal of the amplifying element 11a and the input terminal of the variable filter circuit 12.
  • a broadband matching circuit 33c is connected between the output terminal of the variable filter circuit 12 and the input terminal of the amplifying element 11b.
  • a broadband matching circuit 33d is connected between the output terminal of the amplifying element 11b and the output terminal of the PA module 30.
  • a temperature sensor (not shown) is provided near the PA module 30.
  • the temperature sensor is used to correct changes in impedance of the amplification elements 11a and 11b and the variable filter circuit 12 due to temperature changes.
  • the amplifying element 11a corresponds to the first amplifying element of the present invention.
  • the amplifying element 11b corresponds to the second amplifying element of the present invention.
  • the broadband matching circuits 33a to 33d correspond to the “matching circuit” of the present invention.
  • the broadband matching circuit 33a performs matching between the input terminal side of the PA module 30 and the amplification element 11a side in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • the broadband matching circuit 33b performs matching between the amplifying element 11a side and the variable filter circuit 12 side in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • the broadband matching circuit 33c matches the variable filter circuit 12 side and the amplification element 11b side in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • the wideband matching circuit 33d performs matching between the amplification element 11b side and the output terminal side of the PA module in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific example of the broadband matching circuits 33a to 33d.
  • the broadband matching circuit 41 as shown in FIG. 5A, an inductor L1 is connected between the terminal P1 and the terminal P2. A connection point between the inductor L1 and the terminal P2 is connected to the ground via the variable capacitance element VC1.
  • variable capacitance elements VC1 and VC2 are connected in series between the terminal P1 and the terminal P2. A connection point between the variable capacitance element VC1 and the variable capacitance element VC2 is connected to the ground via the inductor L1.
  • variable capacitance elements VC1 and VC2 are, for example, a DTC (Digital Tunable Capacitor), a MEMS (Micro Electro Mechanical System) variable capacitor, a BST (Barium Strontium Titanate) thin film capacitor, or the like.
  • the broadband matching circuits 41 and 42 match in a wide frequency range by changing the capacitances of the variable capacitance elements VC1 and VC2 according to the frequency of the high-frequency signal to be used.
  • the broadband matching circuit 43 As shown in FIG. 5C, capacitors C1 and C2 are connected in series between the terminal P1 and the terminal P2. A connection point between the capacitor C1 and the capacitor C2 is connected to the ground via the variable inductor VL1. In the variable inductor VL1, the value of the variable inductor VL1 is changed by switching the inductors L1 to L3 whose values do not change by the switch circuit 421.
  • the broadband matching circuit 43 performs matching in a wide frequency range by changing the value of the variable inductor VL1 according to the frequency of the high-frequency signal to be used.
  • variable capacitance elements VC1 and VC2 and the variable inductor VL1 are examples of variable reactance in which reactance changes by control.
  • the broadband matching circuits 33a to 33d may include a variable reactance having a configuration different from that of the variable capacitors VC1 and VC2 and the variable inductor VL1.
  • variable reactance may be integrally formed on the semiconductor chip together with the amplifying elements 11a and 11b.
  • a tunable filter may be used as the variable filter circuit, and the variable reactance may be integrally formed on the semiconductor chip together with the variable reactance included in the tunable filter.
  • the variable reactance value is changed according to the used communication band.
  • the variable reactance value is finely adjusted according to the measurement result obtained from the temperature sensor. Thereby, matching can be taken according to the used communication band. Further, matching can be achieved even when the impedances of the amplifier elements 11a and 11b and the variable filter circuit 12 change due to temperature changes. That is, the PA module 30 has a temperature compensation function.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a modification of the broadband matching circuits 33a to 33d.
  • the broadband matching circuit 44 as shown in FIG. 6A, LC circuits 441a and 441b are connected in cascade between the terminal P1 and the terminal P2.
  • the LC circuit 441a includes an inductor L1 connected in series and a capacitor C1 connected in parallel.
  • the LC circuit 441a functions as a matching circuit by adjusting the values of the inductor L1 and the capacitor C1.
  • the LC circuit 441b includes an inductor L2 and a capacitor C2, and is configured similarly to the LC circuit 441a.
  • LC circuits 451a and 451b are cascade-connected between the terminal P1 and the terminal P2.
  • the LC circuit 451a includes a capacitor C1 connected in series and an inductor L1 connected in parallel.
  • the LC circuit 451b includes a capacitor C2 and an inductor L2, and is configured in the same manner as the LC circuit 451a.
  • the LC circuits that are the matching circuits themselves are cascade-connected by adjusting the values of the inductor and the capacitor, so that matching can be achieved in a wide frequency range. Further, the broadband matching circuits 44 and 45 can achieve matching over a wide frequency range without using variable reactance. That is, there is no need to control the variable reactance to achieve matching.
  • the broadband matching circuits 33a to 33d are not limited to the broadband matching circuits 41 to 45, and may have any configuration as long as matching is achieved in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • FIG. 7A is a graph showing a change in reception band noise in band 5 with respect to the output of the PA module.
  • FIG. 7B is a graph showing a change in reception band noise in the band 13 with respect to the output of the PA module.
  • Bands 5 and 13 are defined by 3GPP (Third Generation Partnership Project) standards.
  • the solid line shows the noise characteristic of the PA module 30 having the present configuration, and the broken line shows the noise characteristic of the PA module 50 having the conventional configuration.
  • the PA module 50 is obtained by cascading amplification elements 11a and 11b.
  • the reception band noise of the PA module 30 varies in a range of about ⁇ 150 to ⁇ 145 dBm / Hz, and is highest when the output is about 27 dBm.
  • the reception band noise of the PA module 50 varies in a range of about ⁇ 140 to ⁇ 134 dBm / Hz, and is highest when the output is about 27 dBm.
  • the reception band noise of the PA module 30 varies in the range of about ⁇ 145 to ⁇ 140 dBm / Hz, and is highest when the output is about 27 dBm.
  • the reception band noise of the PA module 50 varies in a range of about ⁇ 135 to ⁇ 127 dBm / Hz, and is highest when the output is about 27 dBm.
  • the PA module 30 has a lower reception band noise of about 10 dBm / Hz than the PA module 50. That is, the configuration of the PA module 30 can reduce the reception band noise by about 10 dBm / Hz.
  • the PA module 30 can obtain a gain of 28 dB or more required as a power amplifier in a transmission band corresponding to a used communication band over a wide frequency range of 699 to 915 MHz.
  • broadband matching circuits 33b and 33c are inserted between the amplifying elements 11a and 11b and the variable filter circuit 12. For this reason, even if the impedance of the variable filter circuit 12 fluctuates according to the communication band used, the amplification elements 11a and 11b and the variable filter circuit 12 can be matched. As a result, fluctuations in output characteristics in the transmission band of the PA module 30 caused by fluctuations in impedance of the variable filter circuit 12 can be suppressed in a wide frequency range including a plurality of communication bands. In other words, it is possible to prevent deterioration of output characteristics in the transmission band of the PA module 30 caused by mismatching in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • the PA module 30 further includes broadband matching circuits 33a and 33d in addition to the broadband matching circuits 33b and 33c. For this reason, it is possible to further suppress degradation of output characteristics in the transmission band of the PA module 30 caused by mismatching in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • broadband matching circuits 33a to 33d are provided.
  • only one of the broadband matching circuits 33b and 33c may be provided, and the two broadband matching circuits 33b and 33c may be provided. You may provide only. Even in this case, the same effect as that of the PA module 30 can be obtained to some extent.
  • the PA module of the third embodiment is the same as the PA module 30 of the second embodiment except for the variable filter circuit 12 (see FIG. 4).
  • the variable filter circuit of the third embodiment only the transmission modulation band to be used in the transmission band is used as the pass band.
  • the transmission modulation band is a band of a predetermined width that is included in the transmission band corresponding to the communication band and used for transmission.
  • the channel bandwidth (frequency bandwidth) corresponding to the bandwidth of the transmission modulation bandwidth can be selected from 1.4 MHz, 3 MHz, 5 MHz, 10 MHz, 15 MHz, and 20 MHz.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing a transmission modulation band.
  • the communication band B, the transmission band B T and the reception band B R is defined.
  • the transmission band B T includes transmission modulation bands B TM1 to B TM3 .
  • the variable filter circuit sets only the transmission modulation band B TM1 as a pass band.
  • the variable filter circuit uses only the transmission modulation band B TM2 as a pass band.
  • the pass band of the variable filter circuit is narrowed according to the transmission modulation band to be used, not to the entire transmission band to be used. Thereby, the pass characteristic of the variable filter circuit is improved, and the attenuation effect of the reception band noise becomes higher.
  • FIG. 10 is a configuration diagram of the front end circuit 60.
  • the front end circuit 60 includes an antenna 61, a reception circuit 62, a transmission circuit 63 and a circulator 64.
  • the receiving circuit 62 includes a low noise amplifier 66 and a receiving unit 651.
  • the transmission circuit 63 includes a PA module 30, a broadband matching circuit 68, a variable filter circuit 67, and a transmission unit 652.
  • the receiving unit 651 and the transmitting unit 652 are provided in an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) 65.
  • RFIC Radio Frequency Integrated Circuit
  • the circulator 64 has terminals P61 to P63.
  • the high frequency signal input from the terminal P61 is output to the terminal P62.
  • the high frequency signal input from the terminal P63 is output to the terminal P61.
  • the circulator 64 transmits a high frequency signal with low loss in a wide frequency range including a plurality of communication bands. For example, it is possible to design a broadband circulator as described in the patent document (Japanese Patent Laid-Open No. 6-343005).
  • the terminal P61 corresponds to the first terminal of the present invention.
  • the terminal P62 corresponds to the second terminal of the present invention.
  • the terminal P63 corresponds to the third terminal of the present invention.
  • the antenna 61 is connected to the terminal P61.
  • the input terminal of the low noise amplifier 66 is connected to the terminal P62.
  • the output terminal of the low noise amplifier 66 is connected to the receiving unit 651.
  • the output terminal of the PA module 30 is connected to the terminal P63 via the variable filter circuit 67.
  • a broadband matching circuit 68 is connected between the output terminal of the PA module 30 and the variable filter circuit 67.
  • the input terminal of the PA module 30 is connected to the transmission unit 652.
  • the variable filter circuit 67 includes a variable reactance.
  • the pass characteristic of the variable filter circuit 67 is controlled by changing the value of the variable reactance, and the transmission band corresponding to the used communication band becomes the pass band. Thereby, the variable filter circuit 67 attenuates the reception band noise output from the PA module 30.
  • the variable reactance of the variable filter circuit 67 is a DTC, a MEMS variable capacitor, a BST thin film capacitor, or a reactance circuit including a switch circuit 421 such as the variable inductor VL1 of FIG.
  • the broadband matching circuit 68 performs matching between the variable filter circuit 67 side and the PA module 30 side in a wide frequency range including a plurality of communication bands.
  • the broadband matching circuit 68 is configured in the same manner as the broadband matching circuits 33a to 33d (see FIGS. 4 to 6).
  • the transmission signal generated by the transmitter 652 is amplified by the PA module 30, passes through the variable filter circuit 67 and the terminals P 63 and P 61 of the circulator 64, and is sent to the antenna 61.
  • the variable filter 67 attenuates the reception band noise generated in the final stage amplifying element 11b (see FIG. 4) of the PA module 30.
  • the received signal received by the antenna 61 passes through the terminals P 61 and P 62 of the circulator 64, is amplified by the low noise amplifier 66, and is sent to the receiving unit 651.
  • the circulator 64 transmits a high-frequency signal with a low loss in a wide frequency range including a plurality of communication bands. That is, the transmission loss between the antenna 61 and the RFIC 65 can be reduced. Further, the circulator 64 is smaller than a plurality of duplexers provided for each communication band. Furthermore, since the reception band noise output from the PA module 30 is small, the level of the reception band noise that wraps around from the terminal P3 of the circulator 64 to the terminal P2 is suppressed. For this reason, even if the circulator 64 is used to demultiplex the transmission signal and the reception signal, high isolation can be ensured between transmission and reception. Therefore, it is possible to obtain a small front-end circuit that has excellent communication characteristics in a plurality of communication bands.
  • the broadband matching circuit 68 matches the variable filter circuit 67 side and the PA module 30 side in a wide frequency range including a plurality of communication bands. Thereby, it is possible to realize the front-end circuit 60 in which the attenuation of the high-frequency signal in the pass band is below a desired level in a wide frequency range.
  • Transmission circuit 64 ... Circulator 65 ... RFIC 66 ... Low noise amplifiers 121a, 121b, 421 ... Switch circuits 122a to 122c ... Filter components 441a, 441b ... LC circuits 451a, 451b ... LC circuit 651 ... Receiver 652 ... Transmitter

Abstract

 PAモジュール(10)は複数の増幅素子(11a,11b)および可変フィルタ回路(12)を備える。増幅素子(11a,11b)は、複数の通信帯域を含む周波数範囲で送信信号を増幅し、縦続接続される。可変フィルタ回路(12)は増幅素子(11a,11b)の間に接続される。可変フィルタ回路(12)は、複数の通信帯域から選択される使用通信帯域に対応する送信帯域を通過帯域とし、使用通信帯域に対応する受信帯域を減衰帯域とする。

Description

電力増幅モジュールおよびフロントエンド回路
 本発明は、送信信号を増幅する電力増幅モジュール、およびそれを備えるフロントエンド回路に関する。
 従来のフロントエンド回路として、例えば、特許文献1に開示されたものがある。特許文献1に記載のフロントエンド回路は、広帯域パワーアンプ、バンドスイッチおよびデュプレクサを備える。広帯域パワーアンプはマルチモード/マルチバンドパワーアンプである。デュプレクサは通信帯域ごとに複数設けられている。広帯域パワーアンプとデュプレクサとはバンドスイッチを介して接続されている。
 ある通信帯域で送信する場合、広帯域パワーアンプで増幅された送信信号は、バンドスイッチを介して、その通信帯域に対応するデュプレクサに送られる。デュプレクサは、送信信号をアンテナ側に通過させるとともに、送信信号が受信回路側に回り込むのを防止する。これにより、特許文献1に記載のフロントエンド回路は、複数の通信帯域で高周波信号を送受信することができる。
特開2011-182271号公報
 一般的に、送信信号をパワーアンプで増幅する場合、発熱および高調波歪みが生じ、雑音が発生する。この雑音には受信帯域内の周波数を有する受信帯域雑音が含まれる。この受信帯域雑音が受信回路側に回り込むと、受信感度が劣化してしまう。
 特許文献1に記載のフロントエンド回路では、広帯域パワーアンプで発生する受信帯域雑音をデュプレクサで減衰させている。しかし、デュプレクサで受信帯域雑音を十分に減衰させようとすると、送信信号が必要以上に減衰するおそれがある。
 本発明の目的は、複数の通信帯域を含む周波数範囲で優れた通信特性を実現することができる電力増幅モジュール、およびそれを備えたフロントエンド回路を提供することにある。
 本発明の電力増幅モジュールは複数の増幅素子および可変フィルタ回路を備える。増幅素子は、複数の通信帯域を含む周波数範囲で送信信号を増幅し、縦続接続される。可変フィルタ回路は増幅素子の間に接続される。可変フィルタ回路は、複数の通信帯域から選択される使用通信帯域に対応する送信帯域を通過帯域とし、使用通信帯域に対応する受信帯域を減衰帯域とする。
 この構成では、可変フィルタ回路は、複数の通信帯域を含む周波数範囲において、送信帯域を通過帯域とし、送信帯域に対応する受信帯域を減衰帯域とする。このため、可変フィルタ回路は、送信信号が前段の増幅素子で増幅されたときに発生した受信帯域雑音を減衰させる。この結果、受信回路側に回り込む受信帯域雑音のレベルが抑制されるので、受信感度の劣化が低減される。すなわち、複数の通信帯域を含む周波数範囲において、送信信号を大きく減衰させることなく、受信感度の劣化を防ぐことができる。従って、複数の通信帯域を含む周波数範囲で優れた通信特性を実現することができる。
 また、可変フィルタ回路は、上述のように、送信信号が前段の増幅素子で増幅されたときに発生した受信帯域雑音を減衰させる。このため、受信帯域雑音が後段の増幅素子により増幅されることが抑制されるので、電力損失を低減させることができる。
 本発明の電力増幅モジュールでは、可変フィルタ回路は、複数のフィルタ部品と、フィルタ部品を切り換えるスイッチ回路とを含んでもよい。
 本発明の電力増幅モジュールでは、可変フィルタ回路の減衰帯域を連続的に変化させてもよい。
 本発明の電力増幅モジュールでは、可変フィルタ回路はバンドパスフィルタでもよい。
 本発明の電力増幅モジュールでは、可変フィルタ回路はバンドエリミネーションフィルタでもよい。この構成では、可変フィルタ回路がバンドパスフィルタである場合に比べて、可変フィルタ回路のサイズを小さくすることができるので、電力増幅モジュールを設計することが容易となる。
 本発明の電力増幅モジュールでは、可変フィルタ回路は、送信帯域のうち使用する送信変調帯域のみを通過帯域とすることが好ましい。この構成では、使用する送信帯域全体ではなく、使用する送信変調帯域に合わせて、可変フィルタ回路の通過帯域を狭める。これにより、可変フィルタ回路の通過特性が改善され、受信帯域雑音の減衰効果がより高くなる。
 本発明の電力増幅モジュールは次のように構成されることが好ましい。本発明の電力増幅モジュールは、複数の通信帯域を含む周波数範囲で整合をとる整合回路を少なくとも1つ備える。増幅素子は第1増幅素子および第2増幅素子を含む。第1増幅素子の出力端子は可変フィルタ回路の入力端子に接続される。第2増幅素子の入力端子は可変フィルタ回路の出力端子に接続される。整合回路は、第1増幅素子の出力端子と可変フィルタ回路の入力端子との間または第2増幅素子の入力端子と可変フィルタ回路の出力端子との間の少なくとも一方に接続される。
 この構成では、使用通信帯域に応じて可変フィルタ回路のインピーダンスが変動しても、第1増幅素子または第2増幅素子側と可変フィルタ回路側との整合をとることができる。このため、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、可変フィルタ回路のインピーダンスの変動により生じる電力増幅モジュールの送信帯域における出力特性の劣化を抑制することができる。
 本発明の電力増幅モジュールでは、整合回路は、第1増幅素子の出力端子と可変フィルタ回路との間および第2増幅素子の入力端子と可変フィルタ回路との間に接続されることが好ましい。
 本発明の電力増幅モジュールでは、整合回路は、第1増幅素子の入力端子側および第2増幅素子の出力端子側に接続されることが好ましい。
 本発明の電力増幅モジュールでは、整合回路は少なくとも1つ以上の可変リアクタンスを含んでもよい。この構成では、使用する高周波信号の周波数に応じて可変リアクタンスを変化させることにより、広い周波数範囲で整合をとることができる。
 本発明の電力増幅モジュールでは、可変リアクタンスは可変容量素子でもよい。
 本発明の電力増幅モジュールでは、可変リアクタンスは、値が変化しない複数のリアクタンスと、リアクタンスを切り換えるスイッチ回路とを含んでもよい。
 本発明の電力増幅モジュールでは、整合回路は、温度センサの計測結果に基づいて可変リアクタンスを変化させることにより温度補償してもよい。この構成では、温度変化により増幅素子や可変フィルタ回路のインピーダンスが変化した場合でも、整合を取ることができる。
 本発明の電力増幅モジュールでは、整合回路は、直列接続されたリアクタンスおよび並列接続されたリアクタンスからなる回路を縦続接続することにより構成されてもよい。この構成では、可変リアクタンスを用いずに、広い周波数範囲で整合をとる整合回路を実現することができる。すなわち、整合をとるために可変リアクタンスを制御する必要がない。
 本発明のフロントエンド回路は、サーキュレータ、アンテナ、受信回路および送信回路を備える。サーキュレータは、第1端子、第2端子および第3端子を有する。アンテナは第1端子に接続される。受信回路は第2端子に接続される。送信回路は、第3端子に接続され、本発明の電力増幅モジュールを含む。サーキュレータは、複数の通信帯域を含む周波数範囲で、第1端子に入力される高周波信号を第2端子に出力し、第3端子に入力される高周波信号を第1端子に出力する。
 この構成では、サーキュレータは、複数の通信帯域を含む周波数範囲に対応する。また、サーキュレータは、通信帯域ごとに設けられた複数のデュプレクサに比べて小型である。また、電力増幅モジュールから出力される受信帯域雑音は小さいので、サーキュレータの第3端子から第2端子に回り込む受信帯域雑音のレベルが抑制される。このため、送信信号と受信信号と分波するためにサーキュレータを用いても、送受信間で、高いアイソレーションを確保することができる。従って、複数の通信帯域で通信特性に優れる小型のフロントエンド回路を得ることができる。
 本発明によれば、複数の通信帯域を含む周波数範囲で優れた通信特性を実現することができる。
第1の実施形態に係るPAモジュール10の構成図である。 従来構成のPAモジュール20の構成図である。 図3(A)は、PAモジュールの出力特性を示す図である。図3(B)は、通信帯域について説明するための図である。 第2の実施形態に係るPAモジュール30の構成図である。 広帯域整合回路33a~33dの具体例を示す回路図である。 広帯域整合回路33a~33dの変形例を示す回路図である。 図7(A)は、PAモジュールの出力に対する、バンド5における受信帯域雑音の変化を示すグラフである。図7(B)は、PAモジュールの出力に対する、バンド13における受信帯域雑音の変化を示すグラフである。 従来構成のPAモジュール50の構成図である。 送信変調帯域を示す模式図である。 第3の実施形態に係るフロントエンド回路60の構成図である。
《第1の実施形態》
 本発明の第1の実施形態に係るPA(PowerAmplifier)モジュール10について説明する。PAモジュール10は本発明の電力増幅モジュールに相当する。図1はPAモジュール10の構成図である。PAモジュール10は、増幅素子11a,11b、可変フィルタ回路12および整合回路13を備える。増幅素子11aの入力端子はPAモジュール10の入力端子に接続されている。増幅素子11aの出力端子は可変フィルタ回路12の入力端子に接続されている。可変フィルタ回路12の出力端子は増幅素子11bの入力端子に接続されている。増幅素子11bの出力端子は整合回路13を介してPAモジュール10の出力端子に接続されている。
 増幅素子11a,11bは、複数の通信方式および複数の通信帯域で使用することができるマルチモード/マルチバンドパワーアンプである。増幅素子11a,11bは、例えば、1つのPAIC(Power Amplifier Integrated Circuit)に形成されている。なお、増幅素子11aは初段の増幅素子であり、増幅素子11bは最終段の増幅素子である。
 可変フィルタ回路12は、例えば、PAICに近接配置され、ワイヤボンディング等によりPAICに接続される。可変フィルタ回路12は、例えば、SAW(Surface Acoustic Wave)共振子、BAW(BulkAcoustic Wave)共振子を含んで構成される。
 可変フィルタ回路12は、スイッチ回路121a,121bおよびフィルタ部品122a~122cを有する。スイッチ回路121a,121bは、共通端子および第1~第3個別端子を有する。共通端子は、制御信号により、第1~第3個別端子のいずれか1つに接続される。フィルタ部品122a~122cはバンドパスフィルタである。フィルタ部品122a~122cの通過帯域特性は、互いに異なり、使用する通信帯域に応じて設定されている。
 なお、フィルタ部品122a~122cをSAWフィルタ等によって構成することで、フィルタ部品122a~122cの減衰特性を急峻にすることができる。これにより、通過させたい通信帯域の高周波信号のみを低損失に伝送させることができる。すなわち、通過させたい通信帯域の高周波信号のみを伝送させ、他の通信帯域の高周波信号を大幅に減衰させることができる。
 また、フィルタ部品はバンドエリミネーションフィルタでもよい。バンドエリミネーションフィルタでは、バンドパスフィルタに比べて、そのサイズを小さくすることができるので、可変フィルタ回路延いてはPAモジュール10を設計することが容易となる。
 スイッチ回路121aの共通端子は増幅素子11aの出力端子に接続されている。スイッチ回路121aの第1個別端子はフィルタ部品122aを介してスイッチ回路121bの第1個別端子に接続されている。スイッチ回路121aの第2個別端子はフィルタ部品122bを介してスイッチ回路121bの第2個別端子に接続されている。スイッチ回路121aの第3個別端子はフィルタ部品122cを介してスイッチ回路121bの第3個別端子に接続されている。スイッチ回路121bの共通端子は増幅素子11bの入力端子に接続されている。
 可変フィルタ回路12内のスイッチ回路121a,121bは、通信方式または通信帯域に合わせて、信号経路を切り換える。これにより、可変フィルタ回路12は、通信方式または通信帯域に合わせて、通過帯域または減衰帯域を切り換える。すなわち、可変フィルタ回路12はセレクタブルフィルタとして機能する。
 なお、可変フィルタ回路は、例えば、通過帯域または減衰帯域を連続的に変化させることができるチューナブルフィルタでもよい。
 PAモジュール10に入力された送信信号は、増幅素子11aで増幅される。増幅された送信信号は可変フィルタ回路12に入力される。可変フィルタ回路12に入力された送信信号は、通信方式および通信帯域に合ったフィルタ部品を通過する。可変フィルタ回路12を通過した送信信号は、増幅素子11bでさらに増幅され、PAモジュール10から出力される。
 ここで、PAモジュール10と比較するために、従来構成のPAモジュール20について説明する。図2はPAモジュール20の構成図である。PAモジュール20は、増幅素子11a,11bおよび整合回路23a,23bを備える。
 増幅素子11aの入力端子はPAモジュール10の入力端子に接続されている。増幅素子11aの出力端子は整合回路23aを介して増幅素子11bの入力端子に接続されている。増幅素子11bの出力端子は整合回路23bを介してPAモジュール10の出力端子に接続されている。
 図3(A)は、PAモジュールの出力特性を示す図である。実線101は、通信帯域Bが選択されたときのPAモジュール10の出力特性である。実線102は、通信帯域Bが選択されたときのPAモジュール10の出力特性である。破線103は通信帯域Bが選択されたときのPAモジュール20の出力特性である。破線104は通信帯域Bが選択されたときのPAモジュール20の出力特性である。例えば、通信帯域Bは800MHz帯であり、通信帯域Bは1GHz帯である。
 図3(B)に示すように、送信周波数ωT1は、通信帯域Bに対応する送信帯域BT1の中心周波数を示す。受信周波数ωR1は、通信帯域Bに対応する受信帯域BR1の中心周波数を示す。送信周波数ωT2は、通信帯域Bに対応する送信帯域BT2の中心周波数を示す。受信周波数ωR2は、通信帯域Bに対応する受信帯域BR2の中心周波数を示す。
 使用通信帯域として通信帯域Bが選択されたとき、PAモジュール10では、送信帯域BT1で出力信号の信号レベルが大きくなるが、受信帯域BR1で出力信号の信号レベルが大きく減衰する。従来のPAモジュール20では、PAモジュール10と同様に送信帯域BT1で出力信号の信号レベルが大きくなるが、受信帯域BR1で出力信号の信号レベルがあまり減衰しない。
 同様に、使用通信帯域として通信帯域Bが選択されたとき、PAモジュール10では、送信帯域BT2で出力信号の信号レベルが大きくなるが、受信帯域BR2で出力信号の信号レベルが大きく減衰する。従来のPAモジュール20では、PAモジュール10と同様に送信帯域BT2で出力信号の信号レベルが大きくなるが、受信帯域BR2で出力信号の信号レベルがあまり減衰しない。
 例えば、フィルタ部品122aは、送信帯域BT1を通過帯域とし、受信帯域BR1を減衰帯域とする。フィルタ部品122bは、送信帯域BT2を通過帯域とし、受信帯域BR2を減衰帯域とする。使用通信帯域として通信帯域Bが選択された場合、送信信号はフィルタ部品122aを通過する。使用通信帯域として通信帯域Bが選択された場合、送信信号はフィルタ部品122bを通過する。これにより、可変フィルタ回路12、延いては、PAモジュール10は、図3(A)に示す出力特性を有する。
 第1の実施形態では、可変フィルタ回路12は、複数の通信帯域を含む周波数範囲において、送信帯域を通過帯域とし、送信帯域に対応する受信帯域を減衰帯域とする。このため、可変フィルタ回路12は、送信信号が初段の増幅素子11aで増幅されたときに発生した受信帯域雑音を減衰させる。この結果、受信回路側に回り込む受信帯域雑音のレベルが抑制されるので、受信感度の劣化が低減される。また、上述のように、送信帯域を通過帯域とし、当該送信帯域に対応する受信帯域を減衰帯域としているので、送信信号はあまり減衰しない。すなわち、複数の通信帯域を含む周波数範囲において、送信信号を大きく減衰させることなく、受信感度の劣化を防ぐことができる。従って、PAモジュール10では、複数の通信帯域を含む周波数範囲で優れた通信特性を実現することができる。
 また、従来構成のPAモジュール20では、送信信号が増幅素子11aにより増幅されたときに発生した受信帯域雑音が増幅素子11bにより増幅される。一方、第1の実施形態のPAモジュール10では、送信信号が増幅素子11aで増幅されたときに発生した受信帯域雑音を可変フィルタ回路12が減衰させる。このため、受信帯域雑音が増幅素子11bにより増幅されることが抑制される。この結果、PAモジュール10では、PAモジュール20に比べて、電力損失を低減させることができる。
 なお、第1の実施形態では、2つの増幅素子を有するPAモジュールを例に説明したが、3つ以上の増幅素子を有するPAモジュールを用いてもよい。この構成でも、第1の実施形態と同様に、増幅素子の間に可変フィルタ回路を挿入することで、送信時に発生する受信帯域雑音のレベルを低減することができる。この場合、最終段の増幅素子と、当該増幅素子に隣接して接続される前段の増幅素子との間に、可変フィルタ回路を挿入すると、受信帯域雑音の低減効果が最も高くなる。
《第2の実施形態》
 本発明の第2の実施形態に係るPAモジュール30について説明する。図4はPAモジュール30の構成図である。PAモジュール30の入力端子と増幅素子11aの入力端子との間には広帯域整合回路33aが接続されている。増幅素子11aの出力端子と可変フィルタ回路12の入力端子との間には広帯域整合回路33bが接続されている。可変フィルタ回路12の出力端子と増幅素子11bの入力端子との間には広帯域整合回路33cが接続されている。増幅素子11bの出力端子とPAモジュール30の出力端子との間には広帯域整合回路33dが接続されている。PAモジュール30の近くには、温度センサ(図示せず)が設けられている。温度センサは、温度変化による増幅素子11a,11bや可変フィルタ回路12のインピーダンスの変化を補正するために用いられる。増幅素子11aは本発明の第1増幅素子に相当する。増幅素子11bは本発明の第2増幅素子に相当する。広帯域整合回路33a~33dは本発明の「整合回路」に相当する。
 広帯域整合回路33aは、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、PAモジュール30の入力端子側と増幅素子11a側との整合をとる。広帯域整合回路33bは、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、増幅素子11a側と可変フィルタ回路12側との整合をとる。広帯域整合回路33cは、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、可変フィルタ回路12側と増幅素子11b側の整合をとる。広帯域整合回路33dは、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、増幅素子11b側とPAモジュールの出力端子側との整合をとる。
 図5は、広帯域整合回路33a~33dの具体例を示す回路図である。広帯域整合回路41では、図5(A)に示すように、端子P1と端子P2との間にインダクタL1が接続されている。インダクタL1と端子P2との接続点は可変容量素子VC1を介してグランドに接続されている。広帯域整合回路42では、図5(B)に示すように、端子P1と端子P2との間に可変容量素子VC1,VC2が直列接続されている。可変容量素子VC1と可変容量素子VC2との接続点はインダクタL1を介してグランドに接続されている。可変容量素子VC1,VC2は、例えば、DTC(Digital Tunable Capacitor)、MEMS(MicroElectro Mechanical Systems)可変キャパシタ、BST(Barium Strontium Titanate)薄膜キャパシタ等である。広帯域整合回路41,42は、使用する高周波信号の周波数に応じて可変容量素子VC1,VC2の容量を変化させることにより、広い周波数範囲で整合をとる。
 広帯域整合回路43では、図5(C)に示すように、端子P1と端子P2との間にキャパシタC1,C2が直列接続されている。キャパシタC1とキャパシタC2との接続点は、可変インダクタVL1を介してグランドに接続されている。可変インダクタVL1では、スイッチ回路421により、値が変化しないインダクタL1~L3を切替えることで、可変インダクタVL1の値を変化させる。広帯域整合回路43は、使用する高周波信号の周波数に応じて可変インダクタVL1の値を変化させることにより、広い周波数範囲で整合をとる。
 なお、可変容量素子VC1,VC2や可変インダクタVL1は、制御によりリアクタンスが変化する可変リアクタンスの一例である。広帯域整合回路33a~33dは、可変容量素子VC1,VC2や可変インダクタVL1と異なる構成の可変リアクタンスを含んでもよい。
 また、可変リアクタンスを増幅素子11a,11bとともに半導体チップ上に一体形成してもよい。また、可変フィルタ回路としてチューナブルフィルタを使用し、可変リアクタンスを、チューナブルフィルタに含まれる可変リアクタンスとともに半導体チップ上に一体形成してもよい。これにより、PAモジュール30を小型化することができる。
 PAモジュール30では、使用通信帯域に応じて可変リアクタンスの値を変化させる。次に、温度センサから得られる計測結果に応じて可変リアクタンスの値を微調整する。これにより、使用通信帯域に応じて整合をとることができる。また、温度変化により増幅素子11a,11bや可変フィルタ回路12のインピーダンスが変化した場合でも、整合をとることができる。すなわち、PAモジュール30は温度補償の機能を有する。
 図6は、広帯域整合回路33a~33dの変形例を示す回路図である。広帯域整合回路44では、図6(A)に示すように、端子P1と端子P2との間にLC回路441a,441bが縦続接続されている。LC回路441aは、直列接続されたインダクタL1と並列接続されたキャパシタC1とからなる。LC回路441aは、インダクタL1およびキャパシタC1の値を調整することにより、それ自体で整合回路として機能するものである。LC回路441bは、インダクタL2およびキャパシタC2を有し、LC回路441aと同様に構成されている。
 広帯域整合回路45では、図6(B)に示すように、端子P1と端子P2との間にLC回路451a,451bが縦続接続されている。LC回路451aは、直列接続されたキャパシタC1と並列接続されたインダクタL1とからなる。LC回路451bは、キャパシタC2およびインダクタL2を有し、LC回路451aと同様に構成されている。
 広帯域整合回路44,45では、インダクタおよびキャパシタの値を調整することによりそれ自体で整合回路となるLC回路を縦続接続しているで、広い周波数範囲で整合をとることができる。また、広帯域整合回路44,45では、可変リアクタンスを用いずに、広い周波数範囲で整合をとることができる。すなわち、整合をとるために可変リアクタンスを制御する必要がない。
 なお、広帯域整合回路33a~33dは、広帯域整合回路41~45に限定されず、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で整合をとるものであればどのような構成でもよい。
 図7(A)は、PAモジュールの出力に対する、バンド5における受信帯域雑音の変化を示すグラフである。図7(B)は、PAモジュールの出力に対する、バンド13における受信帯域雑音の変化を示すグラフである。バンド5,13は3GPP(Third Generation Partnership Project)の規格で規定されたものである。実線は本願構成のPAモジュール30のノイズ特性を示し、破線は従来構成のPAモジュール50のノイズ特性を示している。PAモジュール50は、図8に示すように、増幅素子11a,11bを縦続接続したものである。
 図7(A)に示すように、バンド5において、PAモジュール30の受信帯域雑音は、約-150~-145dBm/Hzの範囲で変化し、出力が約27dBmのときに最も高くなっている。PAモジュール50の受信帯域雑音は、約-140~-134dBm/Hzの範囲で変化し、出力が約27dBmのときに最も高くなっている。
 図7(B)に示すように、バンド13において、PAモジュール30の受信帯域雑音は、約-145~-140dBm/Hzの範囲で変化し、出力が約27dBmのときに最も高くなっている。PAモジュール50の受信帯域雑音は、約-135~-127dBm/Hzの範囲で変化し、出力が約27dBmのときに最も高くなっている。
 このように、バンド5,13において、PAモジュール30では、PAモジュール50より10dBm/Hzほど受信帯域雑音が低くなっている。すなわち、PAモジュール30の構成により10dBm/Hzほど受信帯域雑音を軽減することができる。
 また、PAモジュール30では、699~915MHzの広い周波数範囲に亘って、使用通信帯域に対応する送信帯域において、パワーアンプとして求められる28dB以上のゲインを得ることができることがわかっている。
 第2の実施形態では、増幅素子11a,11bと可変フィルタ回路12との間に広帯域整合回路33b,33cが挿入されている。このため、使用通信帯域に応じて可変フィルタ回路12のインピーダンスが変動しても、増幅素子11a,11b側と可変フィルタ回路12側との整合をとることができる。この結果、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、可変フィルタ回路12のインピーダンスの変動により生じるPAモジュール30の送信帯域における出力特性の変動を抑制することができる。言い換えると、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、不整合により生じるPAモジュール30の送信帯域における出力特性の劣化を防止することができる。
 PAモジュール30は、広帯域整合回路33b,33cに加えて、さらに広帯域整合回路33a,33dを備える。このため、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、不整合により生じるPAモジュール30の送信帯域における出力特性の劣化をさらに抑制することができる。
 なお、第2の実施形態では、4つの広帯域整合回路33a~33dを設けているが、本発明では、広帯域整合回路33b,33cの一方のみを設けてもよく、2つの広帯域整合回路33b,33cのみを設けてもよい。この場合でも、PAモジュール30の場合と同様の効果をある程度得ることができる。
《第3の実施形態》
 本発明の第3の実施形態に係るPAモジュールについて説明する。第3の実施形態のPAモジュールは、可変フィルタ回路12(図4参照)を除いて、第2の実施形態のPAモジュール30と同様である。第3の実施形態の可変フィルタ回路は、送信帯域のうち使用する送信変調帯域のみを通過帯域とする。送信変調帯域は、通信帯域に対応する送信帯域に含まれ、送信に使用される所定幅の帯域である。例えば、3GPPの規格では、送信変調帯域の帯域幅に相当するチャネル帯域幅(周波数帯域幅)を、1.4MHz、3MHz、5MHz、10MHz、15MHzおよび20MHzの中から選択することができる。
 図9は、送信変調帯域を示す模式図である。通信帯域Bには、送信帯域Bおよび受信帯域Bが規定されている。送信帯域Bには、送信変調帯域BTM1~BTM3が含まれている。例えば、送信変調帯域BTM1を使用して送信する場合、可変フィルタ回路は送信変調帯域BTM1のみを通過帯域とする。送信変調帯域BTM2を使用して送信する場合、可変フィルタ回路は送信変調帯域BTM2のみを通過帯域とする。
 第3の実施形態では、上述のように、送信帯域のうち使用する送信変調帯域のみを可変フィルタ回路の通過帯域とする。すなわち、使用する送信帯域全体ではなく、使用する送信変調帯域に合わせて、可変フィルタ回路の通過帯域を狭める。これにより、可変フィルタ回路の通過特性が改善され、受信帯域雑音の減衰効果がより高くなる。
《第4の実施形態》
 本発明の第4の実施形態に係るフロントエンド回路60について説明する。図10はフロントエンド回路60の構成図である。フロントエンド回路60は、アンテナ61、受信回路62、送信回路63およびサーキュレータ64を備える。受信回路62は低雑音増幅器66および受信部651を有する。送信回路63はPAモジュール30、広帯域整合回路68、可変フィルタ回路67および送信部652を有する。受信部651および送信部652はRFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)65内に設けられている。
 サーキュレータ64は端子P61~P63を有する。端子P61から入力された高周波信号は端子P62に出力される。端子P63から入力された高周波信号は端子P61に出力される。サーキュレータ64は、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で高周波信号を低損失に伝送する。例えば、特許文献(特開平6-343005)に記載のような広帯域のサーキュレータを設計することは可能である。
 端子P61は本発明の第1端子に相当する。端子P62は本発明の第2端子に相当する。端子P63は本発明の第3端子に相当する。
 アンテナ61は端子P61に接続されている。低雑音増幅器66の入力端子は端子P62に接続されている。低雑音増幅器66の出力端子は受信部651に接続されている。PAモジュール30の出力端子は、可変フィルタ回路67を介して端子P63に接続されている。PAモジュール30の出力端子と可変フィルタ回路67との間には、広帯域整合回路68が接続されている。PAモジュール30の入力端子は送信部652に接続されている。
 可変フィルタ回路67は可変リアクタンスを含む。可変フィルタ回路67では、可変リアクタンスの値を変えることにより可変フィルタ回路67の通過特性が制御され、使用通信帯域に対応する送信帯域が通過帯域となる。これにより、可変フィルタ回路67は、PAモジュール30から出力される受信帯域雑音を減衰させる。可変フィルタ回路67の可変リアクタンスは、DTC、MEMS可変キャパシタ、BST薄膜キャパシタ、あるいは図5(C)の可変インダクタVL1のようなスイッチ回路421を含むリアクタンス回路等、である。広帯域整合回路68は、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、可変フィルタ回路67側とPAモジュール30側の整合をとる。広帯域整合回路68は、広帯域整合回路33a~33d(図4~図6参照)と同様に構成されている。
 送信部652で生成された送信信号は、PAモジュール30で増幅され、可変フィルタ回路67およびサーキュレータ64の端子P63,P61を通過し、アンテナ61に送られる。この際、可変フィルタ67により、PAモジュール30の最終段の増幅素子11b(図4参照)で発生する受信帯域雑音が減衰される。また、アンテナ61で受信された受信信号は、サーキュレータ64の端子P61,P62を通過して、低雑音増幅器66で増幅され、受信部651に送られる。
 第4の実施形態では、上述のように、サーキュレータ64は、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で高周波信号を低損失に伝送する。すなわち、アンテナ61とRFIC65との間の伝送損失を小さくすることができる。また、サーキュレータ64は、通信帯域ごとに設けられた複数のデュプレクサに比べて小型である。さらに、PAモジュール30から出力される受信帯域雑音は小さいので、サーキュレータ64の端子P3から端子P2に回り込む受信帯域雑音のレベルが抑制される。このため、送信信号と受信信号と分波するためにサーキュレータ64を用いても、送受信間で、高いアイソレーションを確保することができる。従って、複数の通信帯域で通信特性に優れる、小型のフロントエンド回路を得ることができる。
 また、広帯域整合回路68は、上述のように、複数の通信帯域を含む広い周波数範囲で、可変フィルタ回路67側とPAモジュール30側の整合をとる。これにより、広い周波数範囲で、通過帯域における高周波信号の減衰が所望のレベル以下となるフロントエンド回路60を実現することができる。
C1,C2…キャパシタ
L1…インダクタ
L2…インダクタ
P1,P2,P3…端子
P61…端子(第1端子)
P62…端子(第2端子)
P63…端子(第3端子)
VC1,VC2…可変容量素子
VL1…可変インダクタ
10,20,30,50…PAモジュール(電力増幅モジュール)
11a…増幅素子(第1増幅素子)
11b…増幅素子(第2増幅素子)
12,67…可変フィルタ回路
13,23a,23b…整合回路
33a~33d,41~45,68…広帯域整合回路
60…フロントエンド回路
61…アンテナ
62…受信回路
63…送信回路
64…サーキュレータ
65…RFIC
66…低雑音増幅器
121a,121b,421…スイッチ回路
122a~122c…フィルタ部品
441a,441b…LC回路
451a,451b…LC回路
651…受信部
652…送信部

Claims (15)

  1.  複数の通信帯域を含む周波数範囲で送信信号を増幅し、縦続接続される複数の増幅素子と、
     前記増幅素子の間に接続される可変フィルタ回路と、を備え、
     前記可変フィルタ回路は、前記複数の通信帯域から選択される使用通信帯域に対応する送信帯域を通過帯域とし、前記使用通信帯域に対応する受信帯域を減衰帯域とする、電力増幅モジュール。
  2.  前記可変フィルタ回路は、複数のフィルタ部品と、前記フィルタ部品を切り換えるスイッチ回路とを含む、請求項1に記載の電力増幅モジュール。
  3.  前記可変フィルタ回路の前記減衰帯域を連続的に変化させることができる、請求項1に記載の電力増幅モジュール。
  4.  前記可変フィルタ回路はバンドパスフィルタである、請求項1ないし3のいずれかに記載の電力増幅モジュール。
  5.  前記可変フィルタ回路はバンドエリミネーションフィルタである、請求項1ないし3のいずれかに記載の電力増幅モジュール。
  6.  前記可変フィルタ回路は、前記送信帯域のうち使用する送信変調帯域のみを通過帯域とする、請求項1ないし5のいずれかに記載の電力増幅モジュール。
  7.  前記複数の通信帯域を含む周波数範囲で整合をとる整合回路を少なくとも1つ備え、
     前記増幅素子は第1増幅素子および第2増幅素子を含み、
     前記第1増幅素子の出力端子は前記可変フィルタ回路の入力端子に接続され、
     前記第2増幅素子の入力端子は前記可変フィルタ回路の出力端子に接続され、
     前記整合回路は、前記第1増幅素子の出力端子と前記可変フィルタ回路の入力端子との間または前記第2増幅素子の入力端子と前記可変フィルタ回路の出力端子との間の少なくとも一方に接続される、請求項1ないし6のいずれかに記載の電力増幅モジュール。
  8.  前記整合回路は、前記第1増幅素子の出力端子と前記可変フィルタ回路との間および前記第2増幅素子の入力端子と前記可変フィルタ回路との間に接続される、請求項7に記載の電力増幅モジュール。
  9.  前記整合回路は、前記第1増幅素子の入力端子側および前記第2増幅素子の出力端子側に接続される、請求項7または8に記載の電力増幅モジュール。
  10.  前記整合回路は少なくとも1つ以上の可変リアクタンスを含む、請求項7ないし9のいずれかに記載の電力増幅モジュール。
  11.  前記可変リアクタンスは可変容量素子である、請求項10に記載の電力増幅モジュール。
  12.  前記可変リアクタンスは、値が変化しない複数のリアクタンスと、前記リアクタンスを切り換えるスイッチ回路とを含む、請求項10に記載の電力増幅モジュール。
  13.  前記整合回路は、温度センサの計測結果に基づいて前記可変リアクタンスを変化させることにより温度補償する、請求項10ないし12のいずれかに記載の電力増幅モジュール。
  14.  前記整合回路は、直列接続されたリアクタンスおよび並列接続されたリアクタンスからなる回路を縦続接続することにより構成される、請求項7ないし9のいずれかに記載の電力増幅モジュール。
  15.  第1端子、第2端子および第3端子を有するサーキュレータと、
     前記第1端子に接続されるアンテナと、
     前記第2端子に接続される受信回路と、
     前記第3端子に接続され、請求項1ないし14のいずれかに記載の電力増幅モジュールを含む送信回路と、を備え、
     前記サーキュレータは、前記複数の通信帯域を含む周波数範囲で、前記第1端子に入力される高周波信号を前記第2端子に出力し、前記第3端子に入力される高周波信号を前記第1端子に出力する、フロントエンド回路。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017057568A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
WO2017057567A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JP2017098630A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2017169645A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社村田製作所 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JPWO2017077852A1 (ja) * 2015-11-04 2018-08-09 株式会社村田製作所 分波装置及びその設計方法
US11750158B2 (en) 2020-06-19 2023-09-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency module and communication apparatus
WO2023199663A1 (ja) * 2022-04-12 2023-10-19 株式会社村田製作所 高周波回路
WO2023248631A1 (ja) * 2022-06-21 2023-12-28 株式会社村田製作所 高周波回路

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018107502A (ja) 2016-12-22 2018-07-05 株式会社村田製作所 通信モジュール
WO2020003676A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US20220029646A1 (en) * 2020-07-27 2022-01-27 Corning Research & Development Corporation Radio frequency transceiver filter circuit having inter-stage impedance matching

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335831A (ja) * 1995-06-09 1996-12-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 増幅器
JP2000115016A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Kokusai Electric Co Ltd 全二重無線機とその回り込み防止方法
JP2002185262A (ja) * 2000-10-03 2002-06-28 Agilent Technol Inc 電力増幅器
JP2004194097A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 全二重無線機
JP2007060455A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Sanyo Electric Co Ltd 送信装置
JP2013110619A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Mitsubishi Electric Corp 増幅器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4422047A (en) * 1981-11-23 1983-12-20 E-Systems, Inc. Solid state autotune power amplifier
WO1996042134A1 (fr) * 1995-06-09 1996-12-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Amplificateur
US6806767B2 (en) * 2002-07-09 2004-10-19 Anadigics, Inc. Power amplifier with load switching circuit
WO2004105231A2 (en) * 2003-05-20 2004-12-02 Epic Communications, Inc. Smart linearized power amplifier and related systems and methods
US7796953B2 (en) * 2006-03-17 2010-09-14 Nokia Corporation Transmitter, power amplifier and filtering method
US8160275B2 (en) * 2008-04-28 2012-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for an integrated, multi-mode, multi-band, and multi-stage power amplifier
US8213537B2 (en) * 2009-01-23 2012-07-03 Verizon Patent And Licensing Inc. Apparatuses, systems, and methods for reducing spurious emissions resulting from carrier leakage
US9143172B2 (en) * 2009-06-03 2015-09-22 Qualcomm Incorporated Tunable matching circuits for power amplifiers
US20110117862A1 (en) * 2009-11-16 2011-05-19 Oluf Bagger Multiband RF Device
KR101087629B1 (ko) * 2009-12-30 2011-11-30 광주과학기술원 다중 대역 전력증폭기
JP2011182271A (ja) 2010-03-03 2011-09-15 Nec Corp 無線送信回路、無線通信機器及びそれらに用いる無線送信回路の構成方法
JP2011234155A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Renesas Electronics Corp 送信器
JP5581126B2 (ja) * 2010-06-15 2014-08-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置および無線通信システム
WO2012104972A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 富士通株式会社 整合装置、送信増幅器及び無線通信装置
US8634789B2 (en) * 2011-11-10 2014-01-21 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode power amplifier
US9049664B2 (en) * 2013-06-24 2015-06-02 Mediatek Inc. Wireless communications circuit for improving current consumption and RF performance

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335831A (ja) * 1995-06-09 1996-12-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 増幅器
JP2000115016A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Kokusai Electric Co Ltd 全二重無線機とその回り込み防止方法
JP2002185262A (ja) * 2000-10-03 2002-06-28 Agilent Technol Inc 電力増幅器
JP2004194097A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 全二重無線機
JP2007060455A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Sanyo Electric Co Ltd 送信装置
JP2013110619A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Mitsubishi Electric Corp 増幅器

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017057568A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
WO2017057567A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
US10505505B2 (en) 2015-10-02 2019-12-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module, front-end circuit, and communication device
US10340971B2 (en) 2015-10-02 2019-07-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module, front-end circuit, and communication device
US10298273B2 (en) 2015-11-04 2019-05-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Demultiplexing apparatus and method of designing the apparatus
JPWO2017077852A1 (ja) * 2015-11-04 2018-08-09 株式会社村田製作所 分波装置及びその設計方法
KR102060406B1 (ko) * 2015-11-04 2019-12-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 분파 장치 및 그 설계 방법
US10879942B2 (en) 2015-11-04 2020-12-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Demultiplexing apparatus and method of designing the apparatus
JP2017098630A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN109075751A (zh) * 2016-03-30 2018-12-21 株式会社村田制作所 高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路及通信装置
WO2017169645A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社村田製作所 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
US10389310B2 (en) 2016-03-30 2019-08-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency signal amplifier circuit, power amplifier module, front-end circuit, and communication device
US11750158B2 (en) 2020-06-19 2023-09-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency module and communication apparatus
WO2023199663A1 (ja) * 2022-04-12 2023-10-19 株式会社村田製作所 高周波回路
WO2023248631A1 (ja) * 2022-06-21 2023-12-28 株式会社村田製作所 高周波回路

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