CN109586756A - 高频电路、前置模块以及通信装置 - Google Patents
高频电路、前置模块以及通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109586756A CN109586756A CN201811156508.5A CN201811156508A CN109586756A CN 109586756 A CN109586756 A CN 109586756A CN 201811156508 A CN201811156508 A CN 201811156508A CN 109586756 A CN109586756 A CN 109586756A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- terminal
- inductor
- selection
- impedance matching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 206010048669 Terminal state Diseases 0.000 claims 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 45
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 14
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000005426 magnetic field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
- H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
- H03F1/486—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers with IC amplifier blocks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
- H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/401—Circuits for selecting or indicating operating mode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/165—A filter circuit coupled to the input of an amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
本发明提供能够在包含多个频带的较宽的频率范围使放大器的输出匹配最佳化的小型的高频电路。高频电路(10)具备:信号路径(51),其传输第一频带组的高频信号;信号路径(52),其传输第二频带组的高频信号;开关(14),其具有共用端子(140)以及选择端子(141~143);低噪声放大器(41),其输入端子(410)与信号路径(51)连接,输出端子(411)与选择端子(141)连接;低噪声放大器(42),其输入端子(420)与信号路径(52)连接,输出端子(421)与选择端子(142)连接;以及输出侧阻抗匹配电路(33),其用于通过选择端子(143)与共用端子(140)的导通使低噪声放大器(41)的输出侧阻抗或者低噪声放大器(42)的输出侧阻抗与规定的阻抗匹配。
Description
技术领域
本发明涉及高频电路、前置模块以及通信装置。
背景技术
近年的移动体通信终端要求利用一个终端与多个频带对应的所谓的多频段化。随之,例如,具备低噪声放大器的前置接收电路也要求多频段化。
专利文献1公开了构成为利用共用天线和三个低噪声放大器在三个频带进行动作的多频段接收电路。在三个低噪声放大器的后段设有选择传输三个频带的各个的三个信号路径中的一个信号路径的开关。
专利文献1:日本特开2015-204628号公报
在专利文献1所记载的多频段接收电路中,需要在多个频带的全部,取得放大器的输出阻抗与开关侧的阻抗的输出匹配。作为其对策,例如列举对设置了放大器的每个信号路径在放大器的输出侧设置阻抗匹配电路的构成。
然而,若多频段化进展,则假设使多个不同的频带在一个信号路径传输。该情况下,难以通过设在各信号路径的放大器的输出侧的阻抗匹配电路,在包含多个不同的频带的宽带取得放大器的输出匹配。另外,随着频段数的增加,而阻抗匹配电路大型化。
发明内容
因此,本发明是为了解决上述课题而完成的,目的在于提供能够在包含多个频带的较宽的频率范围使放大器的输出匹配最佳化的小型的高频电路、前置模块以及通信装置。
为了实现上述目的,本发明的一方式所涉及的高频电路具备:第一信号路径,其传输第一频带组的高频信号;第二信号路径,其传输第二频带组的高频信号;第一开关,其具有共用端子以及多个选择端子;第一放大器,其具有第一输入端子以及第一输出端子,上述第一输入端子与上述第一信号路径连接,上述第一输出端子与上述多个选择端子中的第一选择端子连接;第二放大器,其具有第二输入端子以及第二输出端子,上述第二输入端子与上述第二信号路径连接,上述第二输出端子与上述多个选择端子中的第二选择端子连接;以及输出侧阻抗匹配电路,其与上述多个选择端子中的、与上述第一选择端子以及上述第二选择端子不同的一个以上的选择端子连接,用于通过该一个以上的选择端子与上述共用端子的导通,使上述第一放大器的上述第一输出端子侧的阻抗,或者,使上述第二放大器的上述第二输出端子侧的阻抗与规定的阻抗匹配,通过上述第一开关,排他性地切换上述第一选择端子与上述共用端子的导通、以及上述第二选择端子与上述共用端子的导通。
与作为高频电路的输出端子的上述共用端子连接的第一放大器以及第二放大器具有与各频带对应的频率特性,所以根据使用的频带组分开使用。因此,放大器的输出阻抗根据连接第一放大器以及第二放大器的哪一个而不同。
与此相对,根据上述构成,即使不对每个放大器附加独立的阻抗匹配电路,也能够根据连接第一放大器与共用端子的状态、以及连接第二放大器与共用端子的状态,有选择地对该连接路径附加阻抗匹配电路。由此,无论在上述共用端子连接了第一放大器以及第二放大器的哪一个的情况下,都能够使放大器的输出阻抗与上述共用端子的输出侧阻抗(规定的阻抗)匹配。由此,能够使用小型的阻抗匹配电路在包含第一频带组以及第二频带组的宽带对第一放大器以及第二放大器的输出阻抗进行匹配,所以能够改善输出匹配。
另外,也可以在史密斯圆图中,从上述共用端子观察上述第一放大器侧的情况下的上述第一频带组的阻抗与连接表示在上述第一频带组中上述第一放大器的增益最大的阻抗的增益圆中心点、和上述第一频带组中上述第一放大器的三阶输入截点最大的点的线交叉。
由此,在第一放大器输出侧,能够考虑第一放大器的增益以及互调失真双方,使输出匹配最佳化。
另外,也可以在史密斯圆图中,从上述共用端子观察上述第二放大器侧的情况下的上述第二频带组的阻抗与连接表示在上述第二频带组中上述第二放大器的增益最大的阻抗的增益圆中心点、和上述第二频带组中上述第二放大器的三阶输入截点最大的点的线交叉。
由此,在第二放大器输出侧,能够考虑第二放大器的增益以及互调失真双方,使输出匹配最佳化。
另外,也可以上述输出侧阻抗匹配电路包含连接在上述多个选择端子中的第三选择端子与地线之间的第一并联匹配电路,通过上述第一开关,(1)排他性地切换上述第一选择端子与上述共用端子的导通、以及上述第二选择端子与上述共用端子的导通,并且,(2)切换上述第三选择端子与上述共用端子的导通以及非导通。
由此,能够在连接第一放大器或者第二放大器与共用端子的路径上并联连接第一并联匹配电路。由此,能够在宽带对第一放大器以及第二放大器的输出阻抗进行匹配。
另外,也可以上述输出侧阻抗匹配电路还包含连接在上述多个选择端子中的第四选择端子与地线之间的第二并联匹配电路,通过上述第一开关,(1)排他性地切换上述第一选择端子与上述共用端子的导通、以及上述第二选择端子与上述共用端子的导通,并且,(2)切换上述第三选择端子与上述共用端子的导通以及非导通,并且,(3)切换上述第四选择端子与上述共用端子的导通以及非导通。
由此,能够在连接第一放大器或者第二放大器与共用端子的路径上并联连接第一并联匹配电路以及/或者第二并联匹配电路。由此,能够在宽带更高精度地对第一放大器以及第二放大器的输出阻抗进行匹配。
另外,也可以上述输出侧阻抗匹配电路包含连接在上述多个选择端子中的第五选择端子与第六选择端子之间的第一串联匹配电路,上述第五选择端子与上述共用端子连接,通过上述第一开关,排他性地切换(1)上述第一选择端子与上述共用端子的连接、以及(2)经由了上述第六选择端子、上述第一串联匹配电路以及上述第五选择端子的上述第一选择端子与上述共用端子的导通的任意一方、和(3)上述第二选择端子与上述共用端子的连接、以及(4)经由了上述第六选择端子、上述第一串联匹配电路以及上述第五选择端子的上述第二选择端子与上述共用端子的导通的任意一方。
由此,能够在连接第一放大器或者第二放大器与共用端子的路径上串联插入第一串联匹配电路。由此,能够在宽带对第一放大器以及第二放大器的输出阻抗进行匹配。
另外,也可以上述输出侧阻抗匹配电路还包含连接在上述多个选择端子中的第七选择端子与第八选择端子之间的第二串联匹配电路,上述第六选择端子与上述第七选择端子连接,通过上述第一开关,排他性地切换(1)上述第一选择端子与上述共用端子的连接、(2)经由了上述第六选择端子、上述第一串联匹配电路以及上述第五选择端子的上述第一选择端子与上述共用端子的导通、以及(3)经由了上述第八选择端子、上述第二串联匹配电路以及上述第七选择端子的上述第一选择端子与上述共用端子的导通的任意一个、和(4)上述第二选择端子与上述共用端子的连接、(5)经由了上述第六选择端子、上述第一串联匹配电路以及上述第五选择端子的上述第二选择端子与上述共用端子的导通、以及(6)经由了上述第八选择端子、上述第二串联匹配电路以及上述第七选择端子的上述第二选择端子与上述共用端子的导通的任意一个。
由此,能够在连接第一放大器或者第二放大器与共用端子的路径上串联插入第一串联匹配电路以及/或者第二串联匹配电路。由此,能够在宽带更高精度地对第一放大器以及第二放大器的输出阻抗进行匹配。
另外,也可以还具备:输入侧阻抗匹配电路,其与上述第一输入端子或者上述第二输入端子连接;以及基板,其安装了上述第一开关、上述第一放大器、上述第二放大器、上述输入侧阻抗匹配电路、以及上述输出侧阻抗匹配电路,上述输入侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第一电感器,上述输出侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第二电感器,构成上述第一电感器的线圈的卷绕轴与上述第一电感器的长边方向垂直,构成上述第二电感器的线圈的卷绕轴与上述第二电感器的长边方向垂直,在俯视上述基板的情况下,上述第一电感器的长边方向与上述第二电感器的长边方向相同,上述第一电感器与上述第二电感器配置在同一直线上。
由此,能够确保在第一电感器以及第二电感器的各个产生的磁通彼此的距离,所以能够抑制磁场的相互作用。由此,能够使输入侧阻抗匹配电路与输出侧阻抗匹配电路的绝缘提高。
另外,也可以还具备:输入侧阻抗匹配电路,其与上述第一输入端子或者上述第二输入端子连接;以及基板,其安装了上述第一开关、上述第一放大器、上述第二放大器、上述输入侧阻抗匹配电路、以及上述输出侧阻抗匹配电路,上述输入侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第一电感器,上述输出侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第二电感器,构成上述第一电感器的线圈的卷绕轴与上述第一电感器的长边方向垂直,构成上述第二电感器的线圈的卷绕轴与上述第二电感器的长边方向垂直,上述第一电感器与上述第二电感器配置为在俯视上述基板的情况下,上述第一电感器的长边方向与上述第二电感器的长边方向正交,且通过上述第一电感器以及上述第二电感器的一方的中心的与该一方的长边方向平行的直线通过上述第一电感器以及上述第二电感器的另一方的中心。
由此,在第一电感器以及第二电感器的各个产生的磁通彼此正交,所以能够抑制磁场的相互作用。由此,能够使输入侧阻抗匹配电路与输出侧阻抗匹配电路的绝缘提高。
另外,也可以还具备:输入侧阻抗匹配电路,其与上述第一输入端子或者上述第二输入端子连接;以及基板,其安装了上述第一开关、上述第一放大器、上述第二放大器、上述输入侧阻抗匹配电路、以及上述输出侧阻抗匹配电路,上述输入侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第一电感器,上述输出侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第二电感器,构成上述第一电感器的线圈的卷绕轴与第一电感器的长边方向垂直,构成上述第二电感器的线圈的卷绕轴与上述第二电感器的长边方向垂直,上述第一电感器以及上述第二电感器的一方的线圈的卷绕轴与上述基板的主面平行,上述第一电感器以及上述第二电感器的另一方的线圈的卷绕轴与上述基板的主面垂直,在俯视上述基板的情况下,上述第一电感器与上述第二电感器平行地配置为上述第一电感器的长边方向与上述第二电感器的长边方向相同。
由此,在第一电感器以及第二电感器的各个产生的磁通彼此正交,所以能够抑制磁场的相互作用。由此,能够使输入侧阻抗匹配电路与输出侧阻抗匹配电路的绝缘提高。
另外,本发明的一方式所涉及的前置模块具备:上述任意一项所述的高频电路;第二开关,其具有天线共用端子以及多个选择端子;第一滤波器,其配置在上述第一放大器的输入侧,连接在上述第一信号路径与上述第二开关之间,并将上述第一频带组所包含的第一频带作为通过频带;以及第二滤波器,其配置在上述第二放大器的输入侧,连接在上述第二信号路径与上述第二开关之间,并将上述第二频带组所包含的第二频带作为通过频带,通过上述第二开关,(1)切换上述天线共用端子与上述第一滤波器的连接以及非连接,并且,(2)切换上述天线共用端子与上述第二滤波器的连接以及非连接。
根据上述构成,能够提供在宽带改善了输出匹配的小型的前置模块。
另外,本发明的一方式所涉及的通信装置具备:RF信号处理电路,其对由天线元件接收的高频信号进行处理;以及上述记载的前置模块,其在上述天线元件与上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号。
根据上述构成,能够提供在宽带改善了输出匹配的小型的通信装置。
根据本发明,能够提供能够在包含多个频带的较宽的频率范围使放大器的输出匹配最佳化的小型的高频电路、前置模块以及通信装置。
附图说明
图1是实施方式所涉及的通信装置以及天线元件的电路构成图。
图2是比较例所涉及的前置模块的电路构成图。
图3是表示实施方式中的低噪声放大器的输出侧阻抗、增益圆以及IIP3圆的关系的史密斯圆图。
图4是实施方式的变形例1所涉及的前置模块的电路构成图。
图5是实施方式的变形例2所涉及的前置模块的电路构成图。
图6是实施方式的变形例3所涉及的前置模块的电路构成图。
图7A是实施方式的变形例4所涉及的高频电路的安装构成图。
图7B是实施方式的变形例5所涉及的高频电路的安装构成图。
图7C是实施方式的变形例6所涉及的高频电路的安装构成图。
具体实施方式
以下,使用实施例以及附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外,以下说明的实施例均示出概括或者具体的例子。以下的实施例所示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子,并不是对本发明进行限定的主旨。
(实施方式)
[1.1高频电路、前置模块、通信装置的构成]
图1是实施方式所涉及的通信装置5以及天线元件2的电路构成图。如该图所示,通信装置5具备前置模块1、RF信号处理电路(RFIC)3、以及基带信号处理电路(BBIC)4。
RFIC3是对由天线元件2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体而言,RFIC3通过下变频等对从天线元件2经由前置模块1输入的高频信号(这里是高频接收信号)进行信号处理,并将进行该信号处理生成的接收信号输出给BBIC4。
另外,在本实施方式中,RFIC3也具有作为基于使用的频带(频段),控制前置模块1具有的开关11、12、13以及14(后述)的连接的控制部的功能。具体而言,RFIC3根据控制信号(未图示),对开关11~14切换与共用端子连接的选择端子。此外,控制部也可以设在RFIC3的外部,例如也可以设在前置模块1或者BBIC4。
接下来,对前置模块1的详细的构成进行说明。
如图1所示,前置模块1是接收系统前置电路,具备高频电路10、开关11、12以及13、滤波器21A、21B、21C、21D、21E以及21F。
高频电路10具备低噪声放大器41以及42、开关14、输入侧阻抗匹配电路31以及32、输出侧阻抗匹配电路33、信号路径51以及52。
信号路径51是传输第一频带组的高频信号的第一信号路径。第一频带组例如用于低频段组。
信号路径52是传输第二频带组的高频信号的第二信号路径。第二频带组例如用于与低频段组相比分配到高频侧的高频段组。
开关14是配置在低噪声放大器41以及42的输出侧,且具有共用端子140、选择端子141(第一选择端子)、142(第二选择端子)以及143(第三选择端子)的第一开关。开关14排他性地切换选择端子141与共用端子140的导通、以及选择端子142与共用端子140的导通。另外,开关14切换共用端子140与选择端子143的导通以及非导通。换句话说,开关14是能够同时进行共用端子140与选择端子141的连接、以及共用端子140与选择端子143的连接,或者,同时进行共用端子140与选择端子142的连接、以及共用端子140与选择端子143的连接的所谓的多端口接通开关。
低噪声放大器41是具有输入端子410(第一输入端子)以及输出端子411(第一输出端子),输入端子410与信号路径51的一端连接,输出端子411与选择端子141连接的第一放大器。
低噪声放大器42是具有输入端子420(第二输入端子)以及输出端子421(第二输出端子),输入端子420与信号路径52的一端连接,输出端子421与选择端子142连接的第二放大器。
低噪声放大器41是对从滤波器21A~21C经由开关12输入的高频信号进行放大的低噪声放大电路,由晶体管等构成。另外,低噪声放大器42是对从滤波器21D~21F经由开关13输入的高频信号进行放大的低噪声放大电路,由晶体管等构成。
输出侧阻抗匹配电路33与多个选择端子中的、与选择端子141以及142不同的选择端子143连接,通过选择端子143与共用端子140的导通,能够使低噪声放大器41的输出端子411侧的阻抗,或者,低噪声放大器42的输出端子421侧的阻抗与规定的阻抗匹配。换句话说,在高频电路10中,对配置在低噪声放大器的输出侧的开关14追加选择端子143设置输出侧阻抗匹配电路33。在本实施方式中,输出侧阻抗匹配电路33成为连接在选择端子143与地线之间的第一并联匹配电路,成为所谓的与开关14并联连接的构成,但输出侧阻抗匹配电路33只要一端与选择端子143连接即可,另一端的连接目的地也可以不是地线。
输出侧阻抗匹配电路33例如成为串联或者并联连接电感器以及电容器等电路元件的电路构成。
输入侧阻抗匹配电路31在信号路径51上,且与低噪声放大器41的输入端子410连接。输入侧阻抗匹配电路32在信号路径52上,且与低噪声放大器42的输入端子420连接。输入侧阻抗匹配电路31以及32例如分别成为串联或者并联连接了电感器以及电容器等电路元件的电路构成。
开关11是具有天线共用端子110以及选择端子111、112、113、114、115以及116的第二开关。天线共用端子110例如与天线元件2连接。开关11是能够进行天线共用端子110与选择端子111~116中的一个以上的选择端子的连接的SP6T(Single Pole 6Throw:单极六投)型的开关电路。
开关12是配置在低噪声放大器41的输入侧,且具有共用端子120以及选择端子121、122以及123的开关,是将共用端子120与选择端子121、122以及123的任意一个连接的SP3T(Single Pole 3Throw:单极三投)型的开关电路。共用端子120与信号路径51的另一端连接。
开关13是配置在低噪声放大器42的输入侧,且具有共用端子130以及选择端子131、132以及133的开关,是将共用端子130与选择端子131、132以及133的任意一个连接的SP3T型的开关电路。共用端子130与信号路径52的另一端连接。
滤波器21A是配置在低噪声放大器41的输入侧,连接在选择端子111与选择端子121之间,并将第一频带组所包含的频段A(第一频带)作为通过频带的第一滤波器。
滤波器21B是配置在低噪声放大器41的输入侧,连接在选择端子112与选择端子122之间,并将第一频带组所包含的频段B作为通过频带的滤波器。
滤波器21C是配置在低噪声放大器41的输入侧,连接在选择端子113与选择端子123之间,并将第一频带组所包含的频段C作为通过频带的滤波器。
滤波器21D是配置在低噪声放大器42的输入侧,连接在选择端子114与选择端子131之间,并将第二频带组所包含的频段D(第二频带)作为通过频带的第二滤波器。
滤波器21E是配置在低噪声放大器42的输入侧,连接在选择端子115与选择端子132之间,并将第二频带组所包含的频段E作为通过频带的滤波器。
滤波器21F是配置在低噪声放大器42的输入侧,连接在选择端子116与选择端子133之间,并将第二频带组所包含的频段F作为通过频带的滤波器。
通过开关11,选择天线共用端子110与滤波器21A~21F的至少一个的连接。
通过开关12,选择滤波器21A~21C的任意一个与信号路径51的连接。另外,通过开关13,选择滤波器21D~21F的任意一个与信号路径52的连接。
在上述构成中,前置模块1通过开关11~14的切换,成为(1)滤波器21A~21C中的一个与天线元件2以及信号路径51连接的状态,并且,低噪声放大器41与RFIC3连接的状态,或者,成为(2)滤波器21D~21F中的一个与天线元件2以及信号路径52连接的状态,并且,低噪声放大器42与RFIC3连接的状态。
通过开关11~14,根据使用的频带组选择低噪声放大器41以及42。另外,低噪声放大器41以及42的输出阻抗根据使用的频带组、以及使用的频段而不同。
与此相对,根据上述构成,由于在开关14的选择端子143连接输出侧阻抗匹配电路33,所以即使不对每个放大器附加阻抗匹配电路,也能够根据(1)连接低噪声放大器41与共用端子140的状态、以及(2)连接低噪声放大器42与共用端子140的状态,对上述连接的路径有选择地附加输出侧阻抗匹配电路33。
例如,在(1)连接低噪声放大器41与共用端子140的状态(连接了选择端子141与共用端子140的状态)下,连接共用端子140与输出侧阻抗匹配电路33(连接共用端子140与选择端子143)。另一方面,在(2)连接低噪声放大器42与共用端子140的状态(连接选择端子142与共用端子140的状态)下,不将共用端子140与输出侧阻抗匹配电路33连接(不将共用端子140与选择端子143连接)。
或者,即使在(1)连接低噪声放大器41与共用端子140的状态下,在信号路径51连接了滤波器21A的状态下,将共用端子140与输出侧阻抗匹配电路33连接,在信号路径51连接了滤波器21B或者21C的状态下,不将共用端子140与输出侧阻抗匹配电路33连接。另外,即使在(2)连接低噪声放大器42与共用端子140的状态下,在信号路径52连接了滤波器21D的状态下,将共用端子140与输出侧阻抗匹配电路33连接,在信号路径52连接了滤波器21E或者21F的状态下,不将共用端子140与输出侧阻抗匹配电路33连接。换句话说,不仅能够根据使用的频带组,来切换共用端子140与输出侧阻抗匹配电路33的连接以及非连接,还能够根据使用的频段,来切换共用端子140与输出侧阻抗匹配电路33的连接以及非连接。
由此,无论在共用端子140连接了低噪声放大器41以及42的哪一个(使用哪个频带组)的情况下,另外,无论在使用哪一个频段的情况下,都能够对根据使用的频带组或者频段而不同的低噪声放大器41以及42的输出阻抗,使从共用端子140观察放大器侧的输出阻抗与规定的阻抗匹配。由此,能够使用小型的输出侧阻抗匹配电路33在包含第一频带组以及第二频带组的宽带对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
此外,虽然上述实施方式所涉及的高频电路10是具有使第一频带组的信号传输的信号路径51、以及使第二频带组的信号传输的信号路径52两个信号路径的构成,但信号路径的数目也可以是三个以上。
另外,虽然上述实施方式所涉及的前置模块1是具有与六个频段对应的六个滤波器21A~21F的构成,但将属于第一频带组的频段作为通过频带的滤波器也可以不是三个,只要至少有一个即可。此外,在将属于第一频带组的频段作为通过频带的滤波器为一个的情况下,不需要开关12。同样地,将属于第二频带组的频段作为通过频带的滤波器也可以不是三个,只要至少有一个即可。此外,在将属于第二频带组的频段作为通过频带的滤波器为一个的情况下,不需要开关13。
图2是比较例所涉及的前置模块500的电路构成图。如该图所示的前置模块500具备高频电路510、开关11~13、以及滤波器21A~21F。比较例所涉及的前置模块500与实施方式所涉及的前置模块1相比较,仅高频电路510的构成不同。高频电路510具备低噪声放大器41以及42、开关514、输入侧阻抗匹配电路531以及532。
在比较例的上述构成的情况下,首先,在连接低噪声放大器41与开关514的共用端子的的情况、和连接低噪声放大器42与开关514的共用端子的情况下,不能够从放大器的输出阻抗变更从该共用端子观察放大器的情况下的输出阻抗。这是因为在低噪声放大器41以及42的输出侧没有阻抗匹配电路。由此,例如,在低噪声放大器41的输出阻抗与低噪声放大器42的输出阻抗不同的情况下,不能够使从开关514的共用端子观察放大器的阻抗与规定的阻抗一致。
另外,若根据选择的频段(滤波器)而低噪声放大器41的动作频率不同,则低噪声放大器41的输出阻抗不同。与此相对,在比较例所涉及的前置模块500中,不能够根据动作频率,变更从开关514的共用端子观察低噪声放大器41的阻抗。同样地,若根据选择的频段(滤波器)而低噪声放大器42的动作频率不同,则低噪声放大器42的输出阻抗不同。与此相对,在比较例所涉及的前置模块500中,不能够根据动作频率,变更从开关514的共用端子观察低噪声放大器42的阻抗。换句话说,在比较例所涉及的前置模块500中,难以在包含多个频段的较宽的频率范围取得放大器的输出匹配。
与此相对,根据本实施方式所涉及的前置模块1,在连接了低噪声放大器41与开关14的共用端子140的情况下、和连接了低噪声放大器42与开关14的共用端子140的情况下,能够从放大器本身的输出阻抗变更从共用端子140观察放大器的情况下的输出阻抗。这是因为在开关14的选择端子143连接输出侧阻抗匹配电路33。由此,例如,在低噪声放大器41的输出阻抗与低噪声放大器42的输出阻抗不同的情况下,能够使从共用端子140观察放大器的阻抗与规定的阻抗一致。
另外,若根据选择的频段(滤波器)而低噪声放大器41的动作频率不同,则低噪声放大器41的输出阻抗不同。与此相对,在实施方式所涉及的前置模块1中,通过根据动作频率切换选择端子143与共用端子140的导通以及非导通,能够变更从共用端子140观察低噪声放大器41的阻抗。同样地,若根据选择的频段(滤波器)而低噪声放大器42的动作频率不同,则低噪声放大器42的输出阻抗不同。与此相对,在实施方式所涉及的前置模块1中,通过根据动作频率切换选择端子143与共用端子140的导通以及非导通,能够变更从共用端子140观察低噪声放大器42的阻抗。
[1.2输出阻抗的特性]
一般而言,在高频电路(分布常数电路)中,根据连接的电路彼此(例如,滤波器、低噪声放大器等)的阻抗关系而产生信号传输损耗等,或者输入输出信号间的线性劣化。这些信号传输损耗或者线性的劣化均成为使高频电路整体的特性恶化的重要因素。因此,在设计高频电路时,需要调整连接的电路彼此的阻抗关系的阻抗匹配(匹配:matching)。
然而,对于低噪声放大器41以及42等低噪声放大器来说,用于进行阻抗匹配(增益匹配)以使低噪声放大器的增益最大的阻抗亦即增益匹配阻抗、和用于进行阻抗匹配(IIP3匹配)以使表示低噪声放大器的线性的三阶输入截点(IIP3:3rd Order Input InterceptPoint)最大的阻抗亦即IIP3匹配阻抗不同。
图3是表示实施方式中的低噪声放大器的输出侧阻抗、增益圆以及IIP3圆的关系的史密斯圆图。如该图所示,表示低噪声放大器的输出侧的增益(增益:gain)最大的阻抗的增益圆中心点与低噪声放大器的输出侧的三阶输入截点最大的点不一致。
因此,例如,对于低噪声放大器,在将增益的改善作为目的进行增益匹配的情况下,由于IIP3匹配的恶化而低噪声放大器的线性劣化。另一方面,在将低噪声放大器的线性的改善作为目的对低噪声放大器进行IIP3匹配的情况下,由于增益匹配的恶化而低噪声放大器中的增益劣化。
因此,为了抑制高频电路10整体的线性的劣化并提高增益,需要使从共用端子140观察(包含输出侧阻抗匹配电路33的)低噪声放大器的阻抗位于低噪声放大器的增益最大的增益圆中心点与IIP3最大的点之间。
更具体而言,在共用端子140与选择端子141导通的状态下,在史密斯圆图中,期望从共用端子140观察低噪声放大器41侧的情况下的第一频带组的阻抗与连接表示在第一频带组中低噪声放大器41的增益最大的阻抗的增益圆中心点与在第一频带组中低噪声放大器41的IIP3最大的点的线交叉。
由此,在低噪声放大器41的输出侧,能够考虑低噪声放大器41的增益以及互调失真双方,使输出匹配最佳化。
另外同样地,在共用端子140与选择端子142导通的状态下,在史密斯圆图中,期望从共用端子140观察低噪声放大器42侧的情况下的第二频带组的阻抗与连接表示在第二频带组中低噪声放大器42的增益最大的阻抗的增益圆中心点与在第二频带组中低噪声放大器42的IIP3最大的点的线交叉。
由此,在低噪声放大器42的输出侧,能够考虑低噪声放大器42的增益以及互调失真双方,使输出匹配最佳化。
[1.3变形例1所涉及的高频电路、前置模块的构成]
图4是表示实施方式的变形例1所涉及的前置模块1A的电路构成图。如该图所示,前置模块1A是接收系统前置电路,具备高频电路10A、开关11、12以及13、滤波器21A、21B、21C、21D、21E以及21F。本变形例所涉及的前置模块1A与实施方式所涉及的前置模块1相比较,开关14A以及与其连接的输出侧阻抗匹配电路的构成不同。以下,对于本变形例所涉及的前置模块1A,对与实施方式所涉及的前置模块1相同的点省略说明,并以不同的点为中心进行说明。
高频电路10A具备低噪声放大器41以及42、开关14A、输入侧阻抗匹配电路31以及32、输出侧阻抗匹配电路33A以及34A、信号路径51以及52。
开关14A是配置在低噪声放大器41以及42的输出侧,且具有共用端子140、选择端子141(第一选择端子)、142(第二选择端子)、143(第三选择端子)、144(第五选择端子)以及145(第六选择端子)的第一开关。选择端子141与低噪声放大器41的输出端子连接,选择端子142与低噪声放大器42的输出端子连接,选择端子144与共用端子140连接。开关14排他性地切换选择端子141与共用端子140的导通、以及选择端子142与共用端子140的导通。另外,开关14A切换共用端子140与选择端子143的导通以及非导通。更具体而言,开关14A是能够切换(a)同时进行共用端子140与选择端子141的连接、以及共用端子140与选择端子143的连接、(b)同时进行共用端子140与选择端子142的连接、以及共用端子140与选择端子143的连接、(c)同时进行选择端子145与选择端子141的连接、以及共用端子140与选择端子143的连接、(d)同时进行选择端子145与选择端子142的连接、以及共用端子140与选择端子143的连接、(e)同时进行共用端子140与选择端子141的连接、以及选择端子143与选择端子145的连接、以及(f)同时进行共用端子140与选择端子142的连接、以及选择端子143与选择端子145的连接等连接方式的多端口接通开关。
输出侧阻抗匹配电路33A是连接在多个选择端子中的选择端子143与地线之间的第一并联匹配电路,通过选择端子143与共用端子140的导通,能够使低噪声放大器41的输出端子411侧的阻抗,或者,使低噪声放大器42的输出端子421侧的阻抗变更为规定的阻抗。
另外,输出侧阻抗匹配电路34A是连接在多个选择端子中的选择端子144与选择端子145之间的第一串联匹配电路。通过连接选择端子141与选择端子145,在选择端子141与共用端子140之间串联插入输出侧阻抗匹配电路34A,另外,通过连接选择端子142与选择端子145,在选择端子142与共用端子140之间串联插入输出侧阻抗匹配电路34A。
例如,若选择上述连接方式(a),则形成连接低噪声放大器41与共用端子140的路径,且在该路径并联连接输出侧阻抗匹配电路33A。另外,若选择上述连接方式(b),则形成连接低噪声放大器42与共用端子140的路径,且在该路径并联连接输出侧阻抗匹配电路33A。另外,若选择上述连接方式(c),则形成连接低噪声放大器41与共用端子140的路径,且在该路径上串联插入输出侧阻抗匹配电路34A,并在该路径并联连接输出侧阻抗匹配电路33A。另外,若选择上述连接方式(d),则形成连接低噪声放大器42与共用端子140的路径,且在该路径上串联插入输出侧阻抗匹配电路34A,并在该路径并联连接输出侧阻抗匹配电路33A。另外,若选择上述连接方式(e),则形成连接低噪声放大器41与共用端子140的路径,且在该路径并联连接将输出侧阻抗匹配电路33A与输出侧阻抗匹配电路34A串联连接后的电路。另外,若选择上述连接方式(f),则形成连接低噪声放大器42与共用端子140的路径,且在该路径并联连接将输出侧阻抗匹配电路33A与输出侧阻抗匹配电路34A串联连接后的电路。
换句话说,通过开关14A的切换,排他性地切换(1)选择端子141与共用端子140的连接、以及(2)经由了选择端子145、输出侧阻抗匹配电路34A以及选择端子144的选择端子141与共用端子140的导通的任意一方、和(3)选择端子142与共用端子140的连接、以及(4)经由了选择端子145、输出侧阻抗匹配电路34A以及选择端子144的选择端子142与共用端子140的导通的任意一方。
输出侧阻抗匹配电路33A以及34A例如成为串联或者并联连接了电感器以及电容器等电路元件的电路构成。
在上述构成中,前置模块1A通过开关11~14的切换,成为(1)滤波器21A~21C中的一个与天线元件2以及信号路径51连接的状态,并且,低噪声放大器41与RFIC3连接的状态,或者,成为(2)滤波器21D~21F中的一个与天线元件2以及信号路径52连接的状态,并且,低噪声放大器42与RFIC3连接的状态。
与此相对,根据上述构成,由于在开关14A的选择端子144以及145连接输出侧阻抗匹配电路34A,并在选择端子143连接输出侧阻抗匹配电路33A,所以即使不对每个放大器附加阻抗匹配电路,也能够根据(1)低噪声放大器41与共用端子140导通的状态、以及(2)低噪声放大器42与共用端子140导通的状态,在上述连接的路径有选择地附加输出侧阻抗匹配电路33A以及34A。
由此,例如,能够根据信号路径51与滤波器21A~21C的任意一个的连接、以及信号路径52与滤波器21D~21F的任意一个的连接那样的六个信号传输方式,适当地选择上述连接方式(a)~(f)的任意一个。
由此,无论在共用端子140连接了低噪声放大器41以及42的哪一个(使用哪一个频带组)的情况下,另外,无论在使用哪个频段的情况下,都能够对根据使用的频带组或者频段而不同的低噪声放大器41以及42的输出阻抗,使从共用端子140观察放大器侧的输出阻抗与规定的阻抗匹配。由此,能够使用小型的输出侧阻抗匹配电路33在包含第一频带组以及第二频带组的宽带并且高精度地对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
此外,虽然在本变形例中,构成为在开关14A连接两个输出侧阻抗匹配电路33A以及34A,但也可以是在开关14A仅连接输出侧阻抗匹配电路34A的构成。
[1.4变形例2所涉及的高频电路、前置模块的构成]
图5是实施方式的变形例2所涉及的前置模块1B的电路构成图。如该图所示,前置模块1B是具备高频电路10B、开关11、12以及13、滤波器21A、21B、21C、21D、21E以及21F的接收系统前置电路。本变形例所涉及的前置模块1B与实施方式所涉及的前置模块1相比较,开关14B以及与其连接的输出侧阻抗匹配电路的构成不同。以下,对于本变形例所涉及的前置模块1B,对与实施方式所涉及的前置模块1相同的点省略说明,并以不同的点为中心进行说明。
高频电路10B具备低噪声放大器41以及42、开关14A、输入侧阻抗匹配电路31以及32、输出侧阻抗匹配电路33B以及34B、信号路径51以及52。
开关14B是配置在低噪声放大器41以及42的输出侧,且具有共用端子140、选择端子141(第一选择端子)、142(第二选择端子)、143(第三选择端子)、以及146(第四选择端子)的第一开关。开关14B是能够(1)排他性地切换选择端子141与共用端子140的导通、以及选择端子142与共用端子140的导通,并且,(2)切换选择端子143与共用端子140的导通以及非导通,并且,(3)切换选择端子146与共用端子140的导通以及非导通的多端口接通开关。
输出侧阻抗匹配电路33B是连接在多个选择端子中的选择端子143与地线之间的第一并联匹配电路,通过选择端子143与共用端子140的导通,能够使低噪声放大器41的输出端子411侧的阻抗,或者,使低噪声放大器42的输出端子421侧的阻抗变更为规定的阻抗。
输出侧阻抗匹配电路34B是连接在多个选择端子中的选择端子146与地线之间的第二并联匹配电路,通过选择端子146与共用端子140的导通,能够使低噪声放大器41的输出端子411侧的阻抗,或者,使低噪声放大器42的输出端子421侧的阻抗变更为规定的阻抗。
更具体而言,例如,能够列举(a)同时进行共用端子140与选择端子141的连接、以及共用端子140与选择端子143的连接,或者,(b)同时进行共用端子140与选择端子142的连接、以及共用端子140与选择端子146的连接等连接方式。
若选择上述连接方式(a),则形成连接低噪声放大器41与共用端子140的路径,且在该路径并联连接输出侧阻抗匹配电路33B。另外,若选择上述连接方式(b),则形成连接低噪声放大器42与共用端子140的路径,且在该路径并联连接输出侧阻抗匹配电路34B。
输出侧阻抗匹配电路33B以及34B例如成为串联或者并联连接了电感器以及电容器等电路元件的电路构成。
在上述构成中,前置模块1B通过开关11~14的切换,成为(1)滤波器21A~21C中的一个与天线元件2以及信号路径51连接的状态,并且,低噪声放大器41与RFIC3连接的状态,或者,成为(2)滤波器21D~21F中的一个与天线元件2以及信号路径52连接的状态,并且,低噪声放大器42与RFIC3连接的状态。
与此相对,根据上述构成,例如,除了上述连接方式(a)以及(b)之外,还能够根据信号路径51与滤波器21A~21C的任意一个的连接、以及信号路径52与滤波器21D~21F的任意一个的连接那样的六个信号传输方式,适当地选择(c)同时进行共用端子140与选择端子141的连接、以及共用端子140与选择端子146的连接、(d)同时进行共用端子140与选择端子142的连接、以及共用端子140与选择端子143的连接、(e)同时进行共用端子140与选择端子141的连接、共用端子140与选择端子143的非连接、以及共用端子140与选择端子146的非连接、(f)同时进行共用端子140与选择端子142的连接、共用端子140与选择端子143的非连接、以及共用端子140与选择端子146的非连接、(g)同时进行共用端子140与选择端子141的连接、共用端子140与选择端子143的连接、以及共用端子140与选择端子146的连接、以及(h)同时进行共用端子140与选择端子142的连接、共用端子140与选择端子143的连接、以及共用端子140与选择端子146的连接的任意一个。
由此,无论在共用端子140连接了低噪声放大器41以及42的哪一个(使用哪一个频带组)的情况下,另外,无论在使用哪个频段的情况下,都能够对根据使用的频带组或者频段而不同的低噪声放大器41以及42的输出阻抗,使从共用端子140观察放大器侧的输出阻抗与规定的阻抗匹配。由此,能够使用小型的输出侧阻抗匹配电路33B以及34B在包含第一频带组以及第二频带组的宽带并且高精度地对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
此外,虽然在本变形例中,构成为在开关14B连接两个输出侧阻抗匹配电路33B以及34B,但也可以是与三个以上的选择端子对应地,连接三个以上的并联连接型的输出侧阻抗匹配电路的构成。并联连接型的输出侧阻抗匹配电路的连接数越多,越能够更高精度地对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
[1.5变形例3所涉及的高频电路、前置模块的构成]
图6是实施方式的变形例3所涉及的前置模块1C的电路构成图。如该图所示,前置模块1C是具备高频电路10C、开关11、12以及13、滤波器21A、21B、21C、21D、21E以及21F1接收系统前置电路。本变形例所涉及的前置模块1C与实施方式所涉及的前置模块1相比较,开关14C以及与其连接的输出侧阻抗匹配电路的构成不同。以下,对于本变形例所涉及的前置模块1C,对与实施方式所涉及的前置模块1相同的点省略说明,并以不同的点为中心进行说明。
高频电路10C具备低噪声放大器41以及42、开关14C、输入侧阻抗匹配电路31以及32、输出侧阻抗匹配电路33C以及34C、信号路径51以及52。
开关14C是配置在低噪声放大器41以及42的输出侧,且具有共用端子140、选择端子141(第一选择端子)、142(第二选择端子)、144(第五选择端子)、145(第六选择端子)、147(第七选择端子)以及148(第八选择端子)的第一开关。选择端子141与低噪声放大器41的输出端子连接,选择端子142与低噪声放大器42的输出端子连接。另外,选择端子144与共用端子140连接,选择端子145与选择端子147连接。
开关14C是能够排他性地切换(1)选择端子141与共用端子140的连接、(2)经由了选择端子145、输出侧阻抗匹配电路33C以及选择端子144的选择端子141与共用端子140的导通、以及(3)经由了选择端子148、输出侧阻抗匹配电路34C以及选择端子147的选择端子141与共用端子140的导通的任意一个、和(4)选择端子142与共用端子140的连接、(5)经由了选择端子145、输出侧阻抗匹配电路33C以及选择端子144的选择端子142与共用端子140的导通、以及(6)经由了选择端子148、输出侧阻抗匹配电路34C以及选择端子147的选择端子142与共用端子140的导通的任意一个的多端口接通开关。
输出侧阻抗匹配电路33C是连接在多个选择端子中的选择端子144与选择端子145之间的第一串联匹配电路。通过连接选择端子141与选择端子145,在选择端子141与共用端子140之间串联插入输出侧阻抗匹配电路33C,另外,通过连接选择端子142与选择端子145,在选择端子142与共用端子140之间串联插入输出侧阻抗匹配电路33C。
输出侧阻抗匹配电路34C是连接在多个选择端子中的选择端子147与选择端子148之间的第二串联匹配电路。通过连接选择端子141与选择端子148,在选择端子141与共用端子140之间串联插入输出侧阻抗匹配电路33C以及34C,另外,通过连接选择端子142与选择端子148,在选择端子142与共用端子140之间串联插入输出侧阻抗匹配电路33C以及34C。
更具体而言,若选择上述连接方式(1),则形成连接低噪声放大器41与共用端子140的路径,且在该路径上不连接输出侧阻抗匹配电路。另外,若选择上述连接方式(2),则形成连接低噪声放大器41与共用端子140的路径,且在该路径上串联插入输出侧阻抗匹配电路33C。另外,若选择上述连接方式(3),则形成连接低噪声放大器41与共用端子140的路径,且在该路径上串联插入输出侧阻抗匹配电路33C以及34C。另外,若选择上述连接方式(4),则形成连接低噪声放大器42与共用端子140的路径,且在该路径上不连接输出侧阻抗匹配电路。另外,若选择上述连接方式(5),则形成连接低噪声放大器42与共用端子140的路径,且在该路径上串联插入输出侧阻抗匹配电路33C。另外,若选择上述连接方式(6),则形成连接低噪声放大器42与共用端子140的路径,且在该路径上串联插入输出侧阻抗匹配电路33C以及34C。
输出侧阻抗匹配电路33C以及34C例如成为串联或者并联连接了电感器以及电容器等电路元件的电路构成。
在上述构成中,前置模块1C通过开关11~14的切换,成为(1)滤波器21A~21C中的一个与天线元件2以及信号路径51连接的状态,并且,低噪声放大器41与RFIC3连接的状态,或者,成为(2)滤波器21D~21F中的一个与天线元件2以及信号路径52连接的状态,并且,低噪声放大器42与RFIC3连接的状态。
与此相对,根据上述构成,例如,能够根据信号路径51与滤波器21A~21C的任意一个的连接、以及信号路径52与滤波器21D~21F的任意一个的连接那样的六个信号传输方式,适当地选择上述连接方式(1)~(6)的任意一个。
由此,无论在共用端子140连接了低噪声放大器41以及42的哪一个(使用哪一个频带组)的情况下,另外,无论在使用哪个频段的情况下,都能够对根据使用的频带组或者频段而不同的低噪声放大器41以及42的输出阻抗,使从共用端子140观察放大器侧的输出阻抗与规定的阻抗匹配。由此,能够使用小型的输出侧阻抗匹配电路33C以及34C在包含第一频带组以及第二频带组的宽带并且高精度地对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
此外,虽然在本变形例中,构成为在开关14C连接两个输出侧阻抗匹配电路33C以及34C,但也可以是连接三个以上的串联插入型的输出侧阻抗匹配电路的构成。串联插入型的输出侧阻抗匹配电路的连接数越多,越能够更高精度地对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
[1.6变形例4所涉及的高频电路的安装构成]
图7A是实施方式的变形例4所涉及的高频电路10D的安装构成图。在该图示出构成本变形例所涉及的高频电路10D的各电路元件的配置布局。
高频电路10D具备低噪声放大器41以及42、开关14、输入侧阻抗匹配电路31以及32、以及输出侧阻抗匹配电路33。此外,本变形例所涉及的高频电路10D的电路连接构成与实施方式所涉及的高频电路10的电路连接构成相同。
低噪声放大器41以及42、开关14、输入侧阻抗匹配电路31以及32、以及输出侧阻抗匹配电路33形成在安装基板100上。此外,这些电路元件并不限定于安装在安装基板100的表面,也可以形成在安装基板100的内部。
输入侧阻抗匹配电路31包含安装于安装基板100的电感器L1(第一电感器)。
输出侧阻抗匹配电路33包含安装于安装基板100的电感器L2(第二电感器)。
构成电感器L1的线圈的卷绕轴与电感器L1的长边方向垂直,构成电感器L2的线圈的卷绕轴与电感器L2的长边方向垂直。这里,在俯视安装基板100的情况下,电感器L1的长边方向与电感器L2的长边方向相同,电感器L1和电感器L2配置在同一直线S上。
由此,能够确保在电感器L1以及L2的各个产生的磁通彼此的距离,所以能够抑制磁场的相互作用。由此,能够使输入侧阻抗匹配电路31与输出侧阻抗匹配电路33的绝缘提高。
根据上述构成,能够使用小型的输出侧阻抗匹配电路33高精度地对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
此外,也可以在输入侧阻抗匹配电路32包含安装于安装基板100的电感器L7的情况下,构成电感器L7的线圈的卷绕轴与该电感器L7的长边方向垂直,在俯视安装基板100的情况下,电感器L7的长边方向与电感器L2的长边方向相同,电感器L7与电感器L2配置在同一直线S上。
[1.7变形例5所涉及的高频电路的安装构成]
图7B是实施方式的变形例5所涉及的高频电路10E的安装构成图。在该图示出构成本变形例所涉及的高频电路10E的各电路元件的配置布局。
高频电路10E具备低噪声放大器41以及42、开关14、输入侧阻抗匹配电路31以及32、以及输出侧阻抗匹配电路33。此外,本变形例所涉及的高频电路10E的电路连接构成与实施方式所涉及的高频电路10的电路连接构成相同。
低噪声放大器41以及42、开关14、输入侧阻抗匹配电路31以及32、以及输出侧阻抗匹配电路33形成在安装基板100上。此外,这些电路元件并不限定于安装在安装基板100的表面,也可以形成在安装基板100的内部。
输入侧阻抗匹配电路31包含安装于安装基板100的电感器L3(第一电感器)。
输出侧阻抗匹配电路33包含安装于安装基板100的电感器L4(第二电感器)。
构成电感器L3的线圈的卷绕轴与电感器L3的长边方向垂直,构成电感器L4的线圈的卷绕轴与电感器L4的长边方向垂直。这里,将电感器L3与电感器L4配置为在俯视安装基板100的情况下,电感器L3的长边方向与电感器L4的长边方向正交,且通过电感器L4的中心的与电感器L4的长边方向平行的直线S2通过电感器L3的中心。
由此,在电感器L3以及L4的各个产生的磁通彼此正交,所以能够抑制磁场的相互作用。由此,能够使输入侧阻抗匹配电路31与输出侧阻抗匹配电路33的绝缘提高。
根据上述构成,能够使用小型的输出侧阻抗匹配电路33高精度地对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
此外,电感器L3以及L4的配置关系也可以与上述的位置关系相反。换句话说,也可以将电感器L3和电感器L4配置为在俯视安装基板100的情况下,电感器L4的长边方向与电感器L3的长边方向正交,且通过电感器L3的中心的与电感器L3的长边方向平行的直线通过电感器L4的中心。
另外,也可以在输入侧阻抗匹配电路32包含安装于安装基板100的电感器L8的情况下,构成电感器L8的线圈的卷绕轴与电感器L8的长边方向垂直,并将电感器L8和电感器L4配置为在俯视安装基板100的情况下,电感器L8的长边方向与电感器L4的长边方向正交,且通过电感器L4的中心的与电感器L4的长边方向平行的直线通过电感器L8的中心。
[1.8变形例6所涉及的高频电路的安装构成]
图7C是实施方式的变形例6所涉及的高频电路10F的安装构成图。在该图示出构成本变形例所涉及的高频电路10F的各电路元件的配置布局。
高频电路10F具备低噪声放大器41以及42、开关14、输入侧阻抗匹配电路31以及32、以及输出侧阻抗匹配电路33。此外,本变形例所涉及的高频电路10F的电路连接构成与实施方式所涉及的高频电路10的电路连接构成相同。
低噪声放大器41以及42、开关14、输入侧阻抗匹配电路31以及32、以及输出侧阻抗匹配电路33形成在安装基板100上。此外,这些电路元件并不限定于安装在安装基板100的表面,也可以形成在安装基板100的内部。
输入侧阻抗匹配电路31包含安装于安装基板100的电感器L5(第一电感器)。
输出侧阻抗匹配电路33包含安装于安装基板100的电感器L6(第二电感器)。
构成电感器L5的线圈的卷绕轴与电感器L5的长边方向垂直,构成电感器L6的线圈的卷绕轴与电感器L6的长边方向垂直。
另外,电感器L5的线圈的卷绕轴与安装基板100的主面平行,电感器L6的线圈的卷绕轴与安装基板100的主面垂直。这里,在俯视安装基板100的情况下,电感器L5与电感器L6平行地配置,以使电感器L5的长边方向与电感器L6的长边方向相同。
由此,由于在电感器L5以及L6的各个产生的磁通彼此正交,所以能够抑制磁场的相互作用。由此,能够使输入侧阻抗匹配电路31与输出侧阻抗匹配电路33的绝缘提高。
根据上述构成,能够使用小型的输出侧阻抗匹配电路33高精度地对低噪声放大器41以及42的输出侧的阻抗进行输出匹配。
另外,在本变形例的情况下,与电感器L6相比较,能够使电感器L5为高Q值的SMD(Surface Mounted Device:表面贴装器件)部件。该情况下,能够使低噪声放大器41的前段的传输损耗降低。
此外,电感器L5以及L6的配置关系也可以与上述的位置关系相反。换句话说,也可以将电感器L5和电感器L6平行地配置为电感器L6的线圈的卷绕轴与安装基板100的主面平行,电感器L5的线圈的卷绕轴与安装基板100的主面垂直,且在俯视安装基板100的情况下,电感器L5的长边方向与电感器L6的长边方向相同。
另外,也可以在输入侧阻抗匹配电路32包含安装于安装基板100的电感器L9的情况下,将电感器L9和电感器L6平行地配置为电感器L9的线圈的卷绕轴与安装基板100的主面平行,电感器L6的线圈的卷绕轴与安装基板100的主面垂直,且在俯视安装基板100的情况下,电感器L9的长边方向与电感器L6的长边方向相同。
(其它的实施方式)
以上,列举实施方式以及变形例对本发明所涉及的高频电路、前置模块以及通信装置进行了说明,本发明并不限定于上述实施方式以及变形例。组合上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素实现的其它的实施方式、对上述实施方式施加本领域技术人员在不脱离本发明的主旨的范围内能够想到的各种变形得到的变形例、内置了本发明所涉及的高频电路、前置模块以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
例如,在上述说明中,高频电路具备输入侧阻抗匹配电路31以及32,但该高频电路也可以不具备输入侧阻抗匹配电路31以及32。
本发明作为能够应用于多频段系统的取得输出匹配的小型的高频电路、前置模块以及通信装置,能够广泛地利用于移动电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、500…前置模块,2…天线元件,3…RF信号处理电路(RFIC),4…基带信号处理电路(BBIC),5…通信装置,10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、510…高频电路,11、12、13、14、14A、14B、14C、514…开关,21A、21B、21C、21D、21E、21F…滤波器,31、32、531、532…输入侧阻抗匹配电路,33、33A、33B、33C、34A、34B、34C…输出侧阻抗匹配电路,41、42…低噪声放大器,51、52…信号路径,100…安装基板,110…天线共用端子,120、130、140…共用端子,111、112、113、114、115、116、121、122、123、131、132、133、141、142、143、144、145、146、147、148…选择端子,410、420…输入端子,411、421…输出端子,L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9…电感器。
Claims (12)
1.一种高频电路,其中,具备:
第一信号路径,其传输第一频带组的高频信号;
第二信号路径,其传输第二频带组的高频信号;
第一开关,其具有共用端子以及多个选择端子;
第一放大器,其具有第一输入端子以及第一输出端子,上述第一输入端子与上述第一信号路径连接,上述第一输出端子与上述多个选择端子中的第一选择端子连接;
第二放大器,其具有第二输入端子以及第二输出端子,上述第二输入端子与上述第二信号路径连接,上述第二输出端子与上述多个选择端子中的第二选择端子连接;以及
输出侧阻抗匹配电路,其与上述多个选择端子中的、与上述第一选择端子以及上述第二选择端子不同的一个以上的选择端子连接,用于通过该一个以上的选择端子与上述共用端子的导通,使上述第一放大器的上述第一输出端子侧的阻抗,或者,使上述第二放大器的上述第二输出端子侧的阻抗与规定的阻抗匹配,
通过上述第一开关,排他性地切换上述第一选择端子与上述共用端子的导通、以及上述第二选择端子与上述共用端子的导通。
2.根据权利要求1所述的高频电路,其中,
在史密斯圆图中,从上述共用端子观察上述第一放大器侧的情况下的上述第一频带组的阻抗与连接表示在上述第一频带组中上述第一放大器的增益最大的阻抗的增益圆中心点、和上述第一频带组中上述第一放大器的三阶输入截点最大的点的线交叉。
3.根据权利要求1或者2所述的高频电路,其中,
在史密斯圆图中,从上述共用端子观察上述第二放大器侧的情况下的上述第二频带组的阻抗与连接表示在上述第二频带组中上述第二放大器的增益最大的阻抗的增益圆中心点、和上述第二频带组中上述第二放大器的三阶输入截点最大的点的线交叉。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的高频电路,其中,
上述输出侧阻抗匹配电路包含连接在上述多个选择端子中的第三选择端子与地线之间的第一并联匹配电路,
通过上述第一开关,(1)排他性地切换上述第一选择端子与上述共用端子的导通、以及上述第二选择端子与上述共用端子的导通,并且,(2)切换上述第三选择端子与上述共用端子的导通以及非导通。
5.根据权利要求4所述的高频电路,其中,
上述输出侧阻抗匹配电路还包含连接在上述多个选择端子中的第四选择端子与地线之间的第二并联匹配电路,
通过上述第一开关,(1)排他性地切换上述第一选择端子与上述共用端子的导通、以及上述第二选择端子与上述共用端子的导通,并且,(2)切换上述第三选择端子与上述共用端子的导通以及非导通,并且,(3)切换上述第四选择端子与上述共用端子的导通以及非导通。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的高频电路,其中,
上述输出侧阻抗匹配电路包含连接在上述多个选择端子中的第五选择端子与第六选择端子之间的第一串联匹配电路,
上述第五选择端子与上述共用端子连接,
通过上述第一开关,排他性地切换(1)上述第一选择端子与上述共用端子的连接、以及(2)经由了上述第六选择端子、上述第一串联匹配电路以及上述第五选择端子的上述第一选择端子与上述共用端子的导通的任意一方、和(3)上述第二选择端子与上述共用端子的连接、以及(4)经由了上述第六选择端子、上述第一串联匹配电路以及上述第五选择端子的上述第二选择端子与上述共用端子的导通的任意一方。
7.根据权利要求6所述的高频电路,其中,
上述输出侧阻抗匹配电路还包含连接在上述多个选择端子中的第七选择端子与第八选择端子之间的第二串联匹配电路,
上述第六选择端子与上述第七选择端子连接,
通过上述第一开关,排他性地切换(1)上述第一选择端子与上述共用端子的连接、(2)经由了上述第六选择端子、上述第一串联匹配电路以及上述第五选择端子的上述第一选择端子与上述共用端子的导通、以及(3)经由了上述第八选择端子、上述第二串联匹配电路以及上述第七选择端子的上述第一选择端子与上述共用端子的导通的任意一个、和(4)上述第二选择端子与上述共用端子的连接、(5)经由了上述第六选择端子、上述第一串联匹配电路以及上述第五选择端子的上述第二选择端子与上述共用端子的导通、以及(6)经由了上述第八选择端子、上述第二串联匹配电路以及上述第七选择端子的上述第二选择端子与上述共用端子的导通的任意一个。
8.根据权利要求1~7中任意一项所述的高频电路,其中,还具备:
输入侧阻抗匹配电路,其与上述第一输入端子或者上述第二输入端子连接;以及
基板,其安装了上述第一开关、上述第一放大器、上述第二放大器、上述输入侧阻抗匹配电路、以及上述输出侧阻抗匹配电路,
上述输入侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第一电感器,
上述输出侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第二电感器,
构成上述第一电感器的线圈的卷绕轴与上述第一电感器的长边方向垂直,
构成上述第二电感器的线圈的卷绕轴与上述第二电感器的长边方向垂直,
在俯视上述基板的情况下,上述第一电感器的长边方向与上述第二电感器的长边方向相同,上述第一电感器与上述第二电感器配置在同一直线上。
9.根据权利要求1~7中任意一项所述的高频电路,其中,还具备:
输入侧阻抗匹配电路,其与上述第一输入端子或者上述第二输入端子连接;以及
基板,其安装了上述第一开关、上述第一放大器、上述第二放大器、上述输入侧阻抗匹配电路、以及上述输出侧阻抗匹配电路,
上述输入侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第一电感器,
上述输出侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第二电感器,
构成上述第一电感器的线圈的卷绕轴与上述第一电感器的长边方向垂直,
构成上述第二电感器的线圈的卷绕轴与上述第二电感器的长边方向垂直,
上述第一电感器与上述第二电感器配置为在俯视上述基板的情况下,上述第一电感器的长边方向与上述第二电感器的长边方向正交,通过上述第一电感器以及上述第二电感器的一方的中心且与该一方的长边方向平行的直线通过上述第一电感器以及上述第二电感器的另一方的中心。
10.根据权利要求1~7中任意一项所述的高频电路,其中,还具备:
输入侧阻抗匹配电路,其与上述第一输入端子或者上述第二输入端子连接;以及
基板,其安装了上述第一开关、上述第一放大器、上述第二放大器、上述输入侧阻抗匹配电路、以及上述输出侧阻抗匹配电路,
上述输入侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第一电感器,
上述输出侧阻抗匹配电路包含安装于上述基板的第二电感器,
构成上述第一电感器的线圈的卷绕轴与第一电感器的长边方向垂直,
构成上述第二电感器的线圈的卷绕轴与上述第二电感器的长边方向垂直,
上述第一电感器以及上述第二电感器的一方的线圈的卷绕轴与上述基板的主面平行,
上述第一电感器以及上述第二电感器的另一方的线圈的卷绕轴与上述基板的主面垂直,
在俯视上述基板的情况下,上述第一电感器与上述第二电感器平行地配置为上述第一电感器的长边方向与上述第二电感器的长边方向相同。
11.一种前置模块,具备:
权利要求1~10中任意一项所述的高频电路;
第二开关,其具有天线共用端子以及多个选择端子;
第一滤波器,其配置在上述第一放大器的输入侧,连接在上述第一信号路径与上述第二开关之间,并将上述第一频带组所包含的第一频带作为通过频带;以及
第二滤波器,其配置在上述第二放大器的输入侧,连接在上述第二信号路径与上述第二开关之间,并将上述第二频带组所包含的第二频带作为通过频带,
通过上述第二开关,(1)切换上述天线共用端子与上述第一滤波器的连接以及非连接,并且,(2)切换上述天线共用端子与上述第二滤波器的连接以及非连接。
12.一种通信装置,其中,具备:
RF信号处理电路,其对由天线元件接收的高频信号进行处理;以及
权利要求11所述的前置模块,其在上述天线元件与上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-190582 | 2017-09-29 | ||
JP2017190582A JP2019068205A (ja) | 2017-09-29 | 2017-09-29 | 高周波回路、フロントエンドモジュールおよび通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109586756A true CN109586756A (zh) | 2019-04-05 |
CN109586756B CN109586756B (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=65897374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811156508.5A Active CN109586756B (zh) | 2017-09-29 | 2018-09-28 | 高频电路、前置模块以及通信装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10381989B2 (zh) |
JP (1) | JP2019068205A (zh) |
CN (1) | CN109586756B (zh) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112671357A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-16 | 锐石创芯(深圳)科技有限公司 | 低噪声放大电路 |
CN113054913A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 株式会社村田制作所 | 高频电路 |
JP2021150731A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN113746488A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-12-03 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种射频模组及电子设备 |
CN114080755A (zh) * | 2019-07-09 | 2022-02-22 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
CN114080756A (zh) * | 2019-07-09 | 2022-02-22 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
CN114342267A (zh) * | 2019-08-28 | 2022-04-12 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
CN114731169A (zh) * | 2019-11-20 | 2022-07-08 | 株式会社村田制作所 | 高频电路、高频前端电路以及通信装置 |
CN115039345A (zh) * | 2020-02-07 | 2022-09-09 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6516018B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2019-05-22 | 株式会社村田製作所 | スイッチモジュール |
CN110392926B (zh) * | 2017-03-14 | 2022-12-06 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
KR20210143793A (ko) | 2019-03-29 | 2021-11-29 | 스미토모 겐키 가부시키가이샤 | 쇼벨 및 쇼벨의 제어장치 |
JP2020182138A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路および通信装置 |
US11258470B2 (en) * | 2019-07-23 | 2022-02-22 | Semiconductor Components Industries, Llc | Wireless transceiver |
WO2021039061A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路及び通信装置 |
JP2021052376A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
JP2021061577A (ja) * | 2019-10-09 | 2021-04-15 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
JP2021082914A (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
CN114641937B (zh) * | 2019-11-20 | 2023-08-08 | 株式会社村田制作所 | 高频电路、高频前端电路以及通信装置 |
CN114830543B (zh) * | 2019-12-10 | 2023-12-22 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
JP2022024343A (ja) * | 2020-07-16 | 2022-02-09 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
US20230147703A1 (en) * | 2021-11-10 | 2023-05-11 | Psemi Corporation | Hybrid input lna rf frontend architecture |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014003320A1 (ko) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | 주식회사 기가레인 | 다중경로 가변 매칭 회로 및 이를 이용한 다중경로 가변 매칭 방법 |
CN105429605A (zh) * | 2014-09-16 | 2016-03-23 | 天工方案公司 | 具有减小的频带加载的多频带设备 |
CN106452462A (zh) * | 2015-08-10 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | 开关模块、前端模块以及开关模块的驱动方法 |
CN106797222A (zh) * | 2015-09-02 | 2017-05-31 | 天工方案公司 | 轮廓调谐电路 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6949979B2 (en) * | 2002-12-05 | 2005-09-27 | Memetics Technology Co. LTD | Designing methods and circuits for multi-band electronic circuits |
US7440729B2 (en) * | 2004-04-16 | 2008-10-21 | M/A-Com Eurotec B.V. | Apparatus, methods and articles of manufacture for output impedance matching using multi-band signal processing |
JP2006237711A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Renesas Technology Corp | マルチバンド低雑音増幅器、マルチバンド低雑音増幅器モジュール、無線用半導体集積回路およびマルチバンドrfモジュール |
JP5042157B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-10-03 | パナソニック株式会社 | 携帯無線機 |
TWI492549B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-07-11 | Realtek Semiconductor Corp | 多模式功率放大電路、多模式無線發射模組及其方法 |
GB2591953B (en) | 2014-04-11 | 2021-12-29 | Skyworks Solutions Inc | Circuits and methods related to switchless carrier aggregation in radio-frequency receivers |
US9485001B2 (en) * | 2014-10-31 | 2016-11-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Diversity receiver front end system with switching network |
US10075160B2 (en) * | 2016-08-10 | 2018-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Switch circuit, radio-frequency module, and communication device |
-
2017
- 2017-09-29 JP JP2017190582A patent/JP2019068205A/ja active Pending
-
2018
- 2018-09-26 US US16/142,079 patent/US10381989B2/en active Active
- 2018-09-28 CN CN201811156508.5A patent/CN109586756B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014003320A1 (ko) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | 주식회사 기가레인 | 다중경로 가변 매칭 회로 및 이를 이용한 다중경로 가변 매칭 방법 |
CN105429605A (zh) * | 2014-09-16 | 2016-03-23 | 天工方案公司 | 具有减小的频带加载的多频带设备 |
CN106452462A (zh) * | 2015-08-10 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | 开关模块、前端模块以及开关模块的驱动方法 |
CN106797222A (zh) * | 2015-09-02 | 2017-05-31 | 天工方案公司 | 轮廓调谐电路 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114080755B (zh) * | 2019-07-09 | 2023-03-28 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
CN114080756B (zh) * | 2019-07-09 | 2023-08-18 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
CN114080755A (zh) * | 2019-07-09 | 2022-02-22 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
CN114080756A (zh) * | 2019-07-09 | 2022-02-22 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
CN114342267B (zh) * | 2019-08-28 | 2023-12-26 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
CN114342267A (zh) * | 2019-08-28 | 2022-04-12 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
CN114731169B (zh) * | 2019-11-20 | 2024-01-16 | 株式会社村田制作所 | 高频电路、高频前端电路以及通信装置 |
CN114731169A (zh) * | 2019-11-20 | 2022-07-08 | 株式会社村田制作所 | 高频电路、高频前端电路以及通信装置 |
CN113054913B (zh) * | 2019-12-26 | 2023-09-15 | 株式会社村田制作所 | 高频电路 |
CN113054913A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 株式会社村田制作所 | 高频电路 |
CN115039345A (zh) * | 2020-02-07 | 2022-09-09 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
CN115039345B (zh) * | 2020-02-07 | 2023-11-14 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
JP7234177B2 (ja) | 2020-03-17 | 2023-03-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2021150731A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN112671357A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-16 | 锐石创芯(深圳)科技有限公司 | 低噪声放大电路 |
CN113746488A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-12-03 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种射频模组及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019068205A (ja) | 2019-04-25 |
US20190103843A1 (en) | 2019-04-04 |
US10381989B2 (en) | 2019-08-13 |
CN109586756B (zh) | 2020-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109586756A (zh) | 高频电路、前置模块以及通信装置 | |
CN109565292B (zh) | 用于多频功率检测的电磁耦合器装置和包含其的设备 | |
CN108292793B (zh) | 用于多频功率检测的电磁耦合器 | |
US9960747B2 (en) | Integrated filter and directional coupler assemblies | |
US11558073B2 (en) | Switch module | |
US10476531B2 (en) | High-frequency front-end circuit | |
US10340959B2 (en) | Front-end module and communication device | |
KR101945344B1 (ko) | 스위칭 유닛을 구비한 디바이스 및 그 애플리케이션 | |
CN104953962B (zh) | 用于低噪声放大器的系统和方法 | |
US9722548B2 (en) | Amplification circuit | |
US11316486B2 (en) | High frequency circuit and communication device | |
US11855677B2 (en) | High-frequency signal transmission-reception circuit | |
CN110476358A (zh) | 高频模块 | |
US9866261B2 (en) | RF antenna switch and method of operating the antenna switch | |
US11437959B2 (en) | High frequency amplification circuit, high frequency front-end circuit, and communication device | |
US8953502B2 (en) | Receiver for receiving RF-signals in a plurality of different communication bands and transceiver | |
KR20140080309A (ko) | 전력 증폭 회로 및 그를 포함하는 프론트 엔드 모듈 | |
KR20210013261A (ko) | 프론트 엔드 모듈 | |
CN112953573A (zh) | 一种射频前端架构 | |
US10171112B2 (en) | RF multiplexer with integrated directional couplers | |
US12057878B2 (en) | Radio-frequency circuit and communication device | |
US20240072407A1 (en) | Directional coupler, radio-frequency module, and communication device | |
US20240332778A1 (en) | Directional coupler, radio frequency module, and communication apparatus | |
KR100756221B1 (ko) | 격리 동작 간소화를 위한 시분할 다중 송수신 시스템 | |
CN114665907A (zh) | 射频系统及通信设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |