CN114731170A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及高频模块以及通信装置。提高第一路径与第二路径之间的隔离度。高频模块具备第一电感器(L1)、第二电感器(L2)、第三电感器(L3)以及开关(SW1、SW2)。第一电感器(L1)设置于第一通信信号通过的第一路径(T31)。第二电感器(L2)设置于第二通信信号通过且与第一路径(T31)同时被使用的第二路径(T32)。第三电感器(L3)设置于第三通信信号通过且不与第一路径(T31)同时被使用的第三路径(T33)。开关(SW1、SW2)设置在接地与第三路径(T33)上的节点(N1)之间，并与第三电感器(L3)连接。第三电感器(L3)配置在第一电感器(L1)与第二电感器(L2)之间。
Description
技术领域
本发明一般涉及高频模块以及通信装置，更详细而言，涉及具备多个电感器的高频模块、以及具备高频模块的通信装置。
背景技术
以往，已知同时使用多个路径进行通信的高频模块(例如，参照专利文献1)。专利文献1所记载的高频模块能够择一地选择载波聚合和非载波聚合。
专利文献1：日本特开2017-38352号公报
然而，近年来，在高频模块的技术领域中，为了提高数据转发的速度，同时使用多个路径的技术逐渐发展，另一方面，也要求高频模块的小型化。伴随于此，无法充分确保在高频模块中使用的电感器间的物理距离，或者电感器的配置的自由度变小，产生由电感器间的电感耦合引起的信号的跳跃。
发明内容
本发明是鉴于上述的点而完成的，本发明的目的在于提供能够提高第一路径与第二路径之间的隔离度的高频模块以及通信装置。
本发明的一方式所涉及的高频模块具备第一电感器、第二电感器、第三电感器以及开关。上述第一电感器设置于第一通信信号通过的第一路径。上述第二电感器设置于第二通信信号通过的第二路径。上述第二路径与上述第一路径同时使用。上述第三电感器设置于第三通信信号通过的第三路径。上述第三路径不与上述第一路径同时使用。上述开关设置在接地与上述第三路径上的节点之间，并与上述第三电感器连接。上述第三电感器配置在上述第一电感器与上述第二电感器之间。
本发明的一方式所涉及的高频模块具备第一电感器、第二电感器、第三电感器、第一开关以及第二开关。上述第一电感器设置于第一通信信号通过的第一路径。上述第二电感器设置于第二通信信号通过的第二路径。上述第三电感器设置于第三通信信号通过的第三路径。上述第一开关是设置在接地与上述第三路径上的节点之间的开关。上述第一开关与上述第三电感器连接。上述第二开关是能够将上述第一路径和上述第二路径同时连接到天线端子的开关。上述第三电感器配置在上述第一电感器与上述第二电感器之间。
本发明的一方式所涉及的通信装置具备上述高频模块和信号处理电路。上述信号处理电路对上述第一通信信号、上述第二通信信号以及上述第三通信信号进行处理。
根据本发明的上述方式所涉及的高频模块以及通信装置，能够提高第一路径与第二路径之间的隔离度。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的主要部分的俯视图。
图2是上述的高频模块的主要部分的示意图。
图3是实施方式1所涉及的通信装置的示意图。
图4是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的主要部分的示意图。
图5的A是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的主要部分的电路图。图5的B是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的主要部分的电路图。图5的C是实施方式1的变形例4所涉及的高频模块的主要部分的电路图。
图6是实施方式2所涉及的高频模块的主要部分的俯视图。
图7是实施方式3所涉及的高频模块的主要部分的示意图。
图8是实施方式4所涉及的高频模块的主要部分的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式1～4所涉及的高频模块以及通信装置进行说明。在下述的实施方式等中参照的图1以及图6是示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自的比不一定反映实际的尺寸比。
(实施方式1)
(1)高频模块
参照附图对实施方式1所涉及的高频模块1的结构进行说明。
如图3所示，实施方式1所涉及的高频模块1具备多个(在图示例中三个)功率放大器21和多个(在图示例中三个)低噪声放大器22。另外，高频模块1具备多个(在图示例中三个)发送用滤波器31和多个(在图示例中三个)接收用滤波器32。并且，高频模块1具备：多个(在图示例中三个)输出匹配电路41、多个(在图示例中三个)输入匹配电路42、多个(在图示例中三个)匹配电路43、匹配电路44、多个外部连接端子6以及开关8。另外，如图1所示，高频模块1具备安装基板5。
如图3所示，高频模块1例如使用于通信装置9。通信装置9例如是智能手机那样的移动电话。此外，通信装置9并不限定于是移动电话，例如，也可以是智能手表那样的可穿戴终端等。高频模块1例如是能够与4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准对应等的模块。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution)。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频模块1是能够与载波聚合以及双连接对应的模块。
高频模块1进行多个通信频段的通信。更详细而言，高频模块1发送多个通信频段的每个通信频段的发送信号，并且接收多个通信频段的每个通信频段的接收信号。具体而言，高频模块1进行第一通信频段的通信、第二通信频段的通信以及第三通信频段的通信。更详细而言，高频模块1发送第一通信频段的发送信号，并且接收第一通信频段的接收信号。另外，高频模块1发送第二通信频段的发送信号，并且接收第二通信频段的接收信号。并且，高频模块1发送第三通信频段的发送信号，并且接收第三通信频段的接收信号。
高频模块1具有多个(在图示例中三个)发送路径T1，以发送多个通信频段的发送信号。多个发送路径T1包括第一发送路径T11、第二发送路径T12以及第三发送路径T13。第一通信频段的第一发送信号通过第一发送路径T11，第二通信频段的第二发送信号通过第二发送路径T12，第三通信频段的第三发送信号通过第三发送路径T13。
高频模块1具有多个(在图示例中三个)接收路径T2，以接收多个通信频段的接收信号。多个接收路径T2包括第一接收路径T21、第二接收路径T22以及第三接收路径T23。第一通信频段的第一接收信号通过第一接收路径T21，第二通信频段的第二接收信号通过第二接收路径T22，第三通信频段的第三接收信号通过第三接收路径T23。
发送信号以及接收信号例如是FDD(Frequency Division Duplex：频分双工)的信号。FDD是对无线通信中的发送和接收分配不同的频带来进行发送以及接收的无线通信技术。此外，发送信号以及接收信号并不限定于FDD的信号，也可以是TDD(Time DivisionDuplex：时分双工)的信号。TDD是对无线通信中的发送和接收分配相同的频带，按照时间切换发送和接收来进行的无线通信技术。
(2)高频模块的电路结构
以下，参照附图对实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构进行说明。此处，对发送信号以及接收信号是FDD的信号的情况进行说明。
(2.1)功率放大器
图3所示的多个功率放大器21的每个功率放大器是对发送信号的振幅进行放大的放大器。各功率放大器21设置在连结天线端子61和后述的输入端子62的发送路径T1中的输入端子62与输出匹配电路41之间。各功率放大器21经由输入端子62与外部电路(例如信号处理电路92)连接。另外，功率放大器21与输出匹配电路41连接。
多个功率放大器21包括第一功率放大器21A、第二功率放大器21B以及第三功率放大器21C。第一功率放大器21A设置于第一发送路径T11，第二功率放大器21B设置于第二发送路径T12，第三功率放大器21C设置于第三发送路径T13。
(2.2)低噪声放大器
图3所示的多个低噪声放大器22的每个低噪声放大器是以低噪音放大接收信号的振幅的放大器。各低噪声放大器22设置在连结天线端子61和后述的输出端子63的接收路径T2中的输入匹配电路42与输出端子63之间。各低噪声放大器22经由输出端子63与外部电路(例如信号处理电路92)连接。
多个低噪声放大器22包括第一低噪声放大器22A、第二低噪声放大器22B以及第三低噪声放大器22C。第一低噪声放大器22A设置于第一接收路径T21，第二低噪声放大器22B设置于第二接收路径T22，第三低噪声放大器22C设置于第三接收路径T23。
(2.3)发送用滤波器
图3所示的多个发送用滤波器31的每个发送用滤波器是使发送信号通过的通信频段的发送用滤波器。各发送用滤波器31设置在发送路径T1中的输出匹配电路41与天线端子61之间。各发送用滤波器31使由功率放大器21放大的高频信号中的上述通信频段的发送频带的发送信号通过。
多个发送用滤波器31包括第一发送用滤波器31A、第二发送用滤波器31B以及第三发送用滤波器31C。第一发送用滤波器31A设置于第一发送路径T11，第二发送用滤波器31B设置于第二发送路径T12，第三发送用滤波器31C设置于第三发送路径T13。
(2.4)接收用滤波器
图3所示的多个接收用滤波器32的每个接收用滤波器是使接收信号通过的通信频段的接收用滤波器。各接收用滤波器32设置在连结天线端子61和输出端子63的接收路径T2中的天线端子61与输入匹配电路42之间。各接收用滤波器32通过接收路径T2与低噪声放大器22连接。接收用滤波器32使从天线端子61输入的高频信号中的上述通信频段的接收频带的接收信号通过。
多个接收用滤波器32包括第一接收用滤波器32A、第二接收用滤波器32B以及第三接收用滤波器32C。第一接收用滤波器32A设置于第一接收路径T21，第二接收用滤波器32B设置于第二接收路径T22，第三接收用滤波器32C设置于第三接收路径T23。
(2.5)输出匹配电路
如图3所示，多个输出匹配电路41的每个输出匹配电路设置在发送路径T1中的功率放大器21与发送用滤波器31之间。各输出匹配电路41是用于取得功率放大器21与发送用滤波器31之间的阻抗匹配的电路。
多个输出匹配电路41的每个输出匹配电路例如包括多个电感器(未图示)以及多个电容器(未图示)。此外，各输出匹配电路41并不限定于是包括多个电感器以及多个电容器的结构，例如，既可以是仅包括多个电感器的结构，也可以是仅包括多个电容器的结构。或者，各输出匹配电路41既可以是仅包括一个电感器的结构，也可以是仅包括一个电容器的结构。或者，各输出匹配电路41也可以是仅包括一个电感器以及一个电容器的结构。
多个输出匹配电路41包括第一输出匹配电路41A、第二输出匹配电路41B以及第三输出匹配电路41C。第一输出匹配电路41A设置于第一发送路径T11，第二输出匹配电路41B设置于第二发送路径T12，第三输出匹配电路41C设置于第三发送路径T13。
(2.6)输入匹配电路
如图3所示，多个输入匹配电路42的每个输入匹配电路设置在接收路径T2中的接收用滤波器32与低噪声放大器22之间。各输入匹配电路42是用于取得接收用滤波器32与低噪声放大器22的阻抗匹配的电路。
多个输入匹配电路42的每个输入匹配电路例如是包括一个电感器的结构。此外，各输入匹配电路42并不限定于是包括一个电感器的结构，例如，可以是包括多个电感器的结构，也可以是包括多个电感器以及多个电容器的结构。总之，各输入匹配电路42包括至少一个电感器。
多个输入匹配电路42包括第一输入匹配电路42A、第二输入匹配电路42B以及第三输入匹配电路42C。第一输入匹配电路42A设置于第一接收路径T21，第二输入匹配电路42B设置于第二接收路径T22，第三输入匹配电路42C设置于第三接收路径T23。
(2.7)匹配电路
如图3所示，多个匹配电路43的每个匹配电路设置在发送路径T1中的发送用滤波器31与开关8之间、且接收路径T2中的开关8与接收用滤波器32之间。
多个匹配电路43的每个匹配电路例如是包括一个电感器的结构。各匹配电路43的电感器例如设置在接地与发送路径T1上的节点之间。此外，各匹配电路43并不限定于是包括一个电感器的结构，例如，可以是包括多个电感器的结构，也可以是包括多个电感器以及多个电容器的结构。
多个匹配电路43包括第一匹配电路43A、第二匹配电路43B以及第三匹配电路43C。第一匹配电路43A设置于第一发送路径T11以及第一接收路径T21，第二输入匹配电路42B设置于第二发送路径T12以及第二接收路径T22，第三输入匹配电路42C设置于第三发送路径T13以及第三接收路径T23。
如图3所示，匹配电路44设置在天线端子61与开关8之间。匹配电路44例如是包括一个电感器的结构。
匹配电路44例如是包括一个电感器的结构。匹配电路44的电感器例如设置在接地与天线端子61和开关8之间的路径上的节点之间。此外，匹配电路44并不限定于是包括一个电感器的结构，例如，可以是包括多个电感器的结构，也可以是包括多个电感器以及多个电容器的结构。
(2.8)开关
如图3所示，开关8是切换与天线91连接的路径(发送路径T1、接收路径T2)的开关。开关8具有共用端子81和三个选择端子82～84。共用端子81与后述的天线端子61连接。选择端子82与第一匹配电路43A连接。选择端子83与第二匹配电路43B连接。选择端子84与第三匹配电路43C连接。
开关8是能够将三个选择端子82～84中的两个以上连接到共用端子81的开关。开关8是能够进行一对多的连接的直接映射开关。开关8例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。开关8例如由信号处理电路92控制。开关8按照来自信号处理电路92的RF信号处理电路93的控制信号，切换共用端子81和三个选择端子82～84的连接状态。
(2.9)外部连接端子
如图3所示，多个外部连接端子6包括天线端子61、多个(在图示例中三个)输入端子62以及多个(在图示例中三个)输出端子63。天线端子61是连接后述的天线91的端子。多个输入端子62以及多个输出端子63与后述的信号处理电路92连接。多个输入端子62的每个输入端子是将来自外部电路的高频信号(发送信号)输入到高频模块1的端子。多个输入端子62包括第一输入端子621、第二输入端子622以及第三输入端子623。多个输出端子63的每个输出端子是将来自低噪声放大器22的高频信号(接收信号)向外部电路输出的端子。多个输出端子63包括第一输出端子631、第二输出端子632以及第三输出端子633。
(3)高频模块的构造
以下，参照附图对实施方式1所涉及的高频模块1的构造进行说明。
如图1所示，高频模块1具备安装基板5和多个电路元件。高频模块1具备多个功率放大器21、多个低噪声放大器22、多个发送用滤波器31、多个接收用滤波器32、多个输出匹配电路41以及多个输入匹配电路42作为多个电路元件。在图1中，多个电路元件中的第一接收用滤波器32A和第三接收用滤波器32C由一个芯片52构成，第二接收用滤波器32B由一个芯片53构成。另外，在图1中，省略多个电路元件中的多个接收用滤波器32以及多个输入匹配电路42的电感器以外的电路元件的图示。
高频模块1能够与外部基板(未图示)电连接。外部基板例如相当于移动电话以及通信设备等的主板。此外，所谓的高频模块1能够与外部基板电连接不仅包括高频模块1直接安装于外部基板上的情况，还包括高频模块1间接安装于外部基板上的情况。此外，高频模块1间接安装于外部基板上的情况是指高频模块1在安装于外部基板上的其它的高频模块上安装的情况等。
(3.1)安装基板
如图1所示，安装基板5具有第一主面51以及第二主面(未图示)。第一主面51以及第二主面在安装基板5的厚度方向上相互对置。在高频模块1被设置于外部基板(未图示)时，第二主面与外部基板对置。
安装基板5是层叠有多个电介质层的多层基板。安装基板5具有多个导体图案部(未图示)和多个柱状电极(未图示)。多个导体图案部包括被设定为接地电位的导体图案部。多个柱状电极使用于安装于第一主面51的电路元件与安装基板5的导体图案部的电连接。另外，多个柱状电极使用于安装于第一主面51的电路元件及安装基板5的导体图案部与外部连接端子6的电连接。
(3.2)接收用滤波器
多个接收用滤波器32例如是包括多个串联臂谐振子以及多个并联臂谐振子的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用弹性表面波的SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)滤波器。并且，接收用滤波器32也可以包括与多个串联臂谐振子的任意的串联臂谐振子串联或并联连接的电感器以及电容器的至少一方，也可以包括与多个并联臂谐振子的任意的并联臂谐振子串联或者并联连接的电感器或者电容器。
(3.3)输入匹配电路
如图1所示，多个输入匹配电路42配置于安装基板5的第一主面51。输入匹配电路42如上述那样包括电感器。输入匹配电路42的电感器是表面安装部件或者集成无源器件的至少一部分。电感器例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件(片式电感器)、或者设置于安装基板5的导体图案部(布线电感器)。在图1的例子中，输入匹配电路42的电感器安装于安装基板5的第一主面51。总之，输入匹配电路42配置于安装基板5中比第二主面更靠第一主面51侧。在输入匹配电路42中的电感器是片式电感器的情况下，在从安装基板5的厚度方向俯视时，电感器的外周形状是四边形。
(3.4)低噪声放大器
多个低噪声放大器22的每个低噪声放大器例如配置于安装基板5的第一主面51。此外，也可以将低噪声放大器22的一部分安装于安装基板5的第一主面51，将低噪声放大器22的剩余部分内装于安装基板5。总之，低噪声放大器22配置于安装基板5中第一主面51侧，并且至少具有安装于第一主面51的部分。
(4)匹配电路的电感器的配置关系
接下来，参照图1和图2对匹配电路的电感器的配置关系进行说明。
实施方式1所涉及的高频模块1具备图2所示的多个(在图示例中三个)匹配电路71A～71C。
匹配电路71A具备第一电感器L1和多个开关SW3、SW4。第一电感器L1设置于第一通信信号通过的第一路径T31。更详细而言，第一电感器L1串联连接在第一路径T31上的两个节点N1、N2之间。开关SW3设置在接地与第一路径T31上的节点N3之间，并与第一电感器L1连接。在开关SW3为接通状态的情况下，第一电感器L1的一端侧成为接地电位。开关SW4设置在接地与第一路径T31上的节点N4之间，并与第一电感器L1连接。在开关SW4为接通状态的情况下，第一电感器L1的另一端侧成为接地电位。
匹配电路71B具备第二电感器L2和多个开关SW5、SW6。第二电感器L2设置于第二通信信号通过的第二路径T32。更详细而言，第一电感器L1串联连接在第一路径T31上的两个节点N1、N2之间。开关SW5设置在接地与第二路径T32上的节点N5之间，并与第二电感器L2连接。在开关SW5为接通状态的情况下，第二电感器L2的一端侧成为接地电位。开关SW6设置在接地与第二路径T32上的节点N6之间，并与第二电感器L2连接。在开关SW6为接通状态的情况下，第二电感器L2的另一端侧成为接地电位。
此处，开关8是能够将第一路径T31和第二路径T32同时连接到天线端子61的开关。第二路径T32与第一路径T31同时使用。
匹配电路71C具备第三电感器L3和多个开关SW1、SW2。第三电感器L3设置于第三通信信号通过的第三路径T33。开关SW1设置在第三电感器L3的一端侧(与低噪声放大器72C侧相反侧)与接地之间。开关SW1设置在接地与第三路径T33上的节点N1之间，并与第三电感器L3连接。开关SW1使与第三电感器L3连接的负载可变。更详细而言，在开关SW1为接通状态的情况下，第三电感器L3的一端侧成为接地电位。开关SW2设置在第三电感器L3的另一端侧(低噪声放大器72C侧)与接地之间。开关SW2设置在接地与第三路径T33上的节点N2之间，并与第三电感器L3连接。开关SW2使与第三电感器L3连接的负载可变。更详细而言，在开关SW2为接通状态的情况下，第三电感器L3的另一端侧成为接地电位。
此处，第三路径T33是不与第一路径T31同时使用的路径。也就是说，开关8不将第一路径T31和第三路径T33同时连接到天线端子61。
在上述那样的匹配电路71A～71C中，如图1所示，第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间。
此处，对多个输入匹配电路42的电感器的配置关系进行说明。设为第一接收路径T21和第二接收路径T22被同时使用的情况。该情况下，第三接收路径T23是不与第一接收路径T21及第二接收路径T22同时使用的路径。
如上所述，高频模块1具备多个输入匹配电路42。在图2中，第一输入匹配电路42A相当于匹配电路71A，第二输入匹配电路42B相当于匹配电路71B，第三输入匹配电路42C相当于匹配电路71C。
另外，如上所述，各输入匹配电路42是包括电感器的结构。在图2中，第一输入匹配电路42A的电感器相当于第一电感器L1，第二输入匹配电路42B的电感器相当于第二电感器L2，第三输入匹配电路42C的电感器相当于第三电感器L3。
多个输入匹配电路42的电感器如图1所示那样排列。第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间。在本说明书中，“配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间”是指在由连结第一电感器L1的任意的点和第二电感器L2的任意的点的直线包围的区域中配置有第三电感器L3。
通过将第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间，从而第一电感器L1与第三电感器L3之间的耦合度变高，并且第二电感器L2与第三电感器L3之间的耦合度变高。其结果，能够改善同时使用的第一接收路径T21与第二接收路径T22之间的隔离度。
特别是，在将第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间的状态下，使第三电感器L3的两端的开关SW1、SW2成为接通状态。第三电感器L3的两端成为接地电位。由此，能够进一步改善同时使用的第一接收路径T21与第二接收路径T22之间的隔离度。
另一方面，在第一电感器L1与第二电感器L2之间未配置第三电感器L3的情况下，设置有第一电感器L1的第一接收路径T21与设置有第二电感器L2的第二接收路径T22之间的隔离度降低。
例如，在同时使用的路径中的第一电感器L1与第二电感器L2之间的耦合系数为0.30的情况下，上述两个路径之间的隔离度为17dB。
另一方面，在同时使用的第一电感器L1与第二电感器L2之间配置有不同时使用的第三电感器L3的情况下，能够使第一电感器L1与第三电感器L3之间的耦合系数为0.50。同样地，也能够使第二电感器L2与第三电感器L3之间的耦合系数为0.50。
根据上述，能够不改变同时使用的两个路径之间的耦合系数而改善两个路径之间的隔离度。
然而，第一电感器L1以及第二电感器L2被配置为第一电感器L1与第二电感器L2之间的感性耦合度成为正值。根据上述，能够进一步提高第一路径T31中的通信与第二路径T32中的通信之间的隔离度。
另外，如上所述，第二电感器L2设置于第二路径T32中接收用滤波器32与低噪声放大器72B之间。根据上述，在比较容易受到噪音的影响的低噪声放大器72C的输入侧，能够减少第一电感器L1的影响。由此，能够进一步提高第一路径T31中的通信与第二路径T32中的通信之间的隔离度。
(5)高频模块的各构成要素的详细构造
(5.1)安装基板
图1所示的安装基板5例如是印刷布线板、LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics：低温共烧陶瓷)基板等。在此，安装基板5例如是包括多个电介质层(未图示)以及多个导体图案部(未图示)的多层基板。多个电介质层以及多个导体图案部在安装基板5的厚度方向上层叠。多个导体图案部分别形成为规定图案。多个导体图案部的每个导体图案部在与安装基板5的厚度方向正交的一个平面内包括一个或者多个导体部。各导体图案部的材料例如是铜。
安装基板5的第一主面51以及第二主面(未图示)在安装基板5的厚度方向上分离，与安装基板5的厚度方向交叉。安装基板5中的第一主面51例如与安装基板5的厚度方向正交，但例如也可以包括导体部的侧面等作为不与厚度方向正交的面。另外，安装基板5中的第二主面例如与安装基板5的厚度方向正交，但例如也可以包括导体部的侧面等作为不与厚度方向正交的面。另外，安装基板5的第一主面51以及第二主面也可以形成有微小的凹凸或凹部或凸部。
(5.2)滤波器
对多个发送用滤波器31以及多个接收用滤波器32的详细构造进行说明。在以下的说明中，不区别多个发送用滤波器31以及多个接收用滤波器32而设为滤波器。
滤波器是单芯片的滤波器。在此，在滤波器中，例如，多个串联臂谐振子以及多个并联臂谐振子分别由弹性波谐振子构成。该情况下，滤波器例如具备基板、压电体层以及多个IDT电极(Interdigital Transducer：叉指换能器)。基板具有第一面以及第二面。压电体层设置于基板的第一面。压电体层设置于低声速膜上。多个IDT电极设置于压电体层上。在此，低声速膜直接或者间接地设置于基板上。另外，压电体层直接或者间接地设置于低声速膜上。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。在基板中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。压电体层的材料例如是钽酸锂。低声速膜的材料例如是氧化硅。基板例如是硅基板。例如，在将由IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。低声速膜的厚度例如为2.0λ以下。
压电体层例如由钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、或者锆钛酸铅的任意一种形成即可。另外，低声速膜包含从由氧化硅、玻璃、氧氮化硅、氧化钽、在氧化硅中添加了氟或碳或硼的化合物构成的组中选择的至少一种材料即可。另外，基板包含从由硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶、氧化铝、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少一种材料即可。
滤波器例如还具备隔离层和盖部件。隔离层以及盖部件设置于基板的第一面。在从基板的厚度方向俯视时，隔离层包围多个IDT电极。在从基板的厚度方向俯视时，隔离层是框状(矩形框状)。隔离层具有电绝缘性。隔离层的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。盖部件是平板状。在从基板的厚度方向俯视时，盖部件是长方形，但并不限于此，例如，也可以是正方形。在滤波器中，在从基板的厚度方向俯视时，盖部件的外形尺寸、隔离层的外形尺寸、盖部件的外形尺寸大致相同。盖部件配置于隔离层，以便在基板的厚度方向上与基板对置。盖部件在基板的厚度方向上与多个IDT电极重复，并且在基板的厚度方向上与多个IDT电极分离。盖部件具有电绝缘性。盖部件的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。滤波器具有由基板、隔离层以及盖部件包围的空间。在滤波器中，气体进入空间。气体例如是空气、惰性气体(例如，氮气)等。多个端子从盖部件露出。多个端子的每个端子例如是凸块。各凸块例如是焊料凸块。各凸块不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块。
滤波器也可以包括例如介于低声速膜与压电体层之间的密接层。密接层例如由树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)构成。另外，滤波器也可以在低声速膜与压电体层之间、压电体层上、或者低声速膜下的任意一处具备介电膜。
另外，滤波器也可以具备例如介于基板与低声速膜之间的高声速膜。在此，高声速膜直接或者间接地设置于基板上。低声速膜直接或者间接地设置于高声速膜上。压电体层直接或者间接地设置于低声速膜上。在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。
高声速膜由类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶等的压电体、氧化铝、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等的各种陶瓷、氧化镁、金刚石、或者以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料构成。
关于高声速膜的厚度，高声速膜具有将弹性波封闭在压电体层以及低声速膜中的功能，因此高声速膜的厚度越厚越好。压电体基板也可以具有密接层、介电膜等作为高声速膜、低声速膜以及压电体层以外的其它膜。
多个串联臂谐振子以及多个并联臂谐振子的各个不限于上述的弹性波谐振子，例如，也可以是SAW谐振子或者BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)谐振子。在此，SAW谐振子例如包括压电体基板和设置于压电体基板上的IDT电极。在由SAW谐振子构成多个串联臂谐振子以及多个并联臂谐振子的各个的情况下，滤波器在一个压电体基板上具有与多个串联臂谐振子一对一对应的多个IDT电极、以及与多个并联臂谐振子一对一对应的多个IDT电极。压电体基板例如是钽酸锂基板、铌酸锂基板等。
(5.3)功率放大器
图3所示的多个功率放大器21的每个功率放大器例如是具备基板和放大功能部的单芯片的IC。基板具有相互对置的第一面以及第二面。基板例如是砷化镓基板。放大功能部包括形成于基板的第一面的至少一个晶体管。放大功能部是具有对规定的频带的发送信号进行放大的功能的功能部。晶体管例如是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极性晶体管)。在各功率放大器21中，将来自控制器(未图示)的电源电压施加到HBT的集电极－发射极之间。各功率放大器21除了放大功能部之外，例如还可以包括直流切断用的电容器。各功率放大器21例如倒装芯片安装于安装基板5的第一主面51，以便基板的第一面成为安装基板5的第一主面51侧。从安装基板5的厚度方向俯视时，各功率放大器21的外周形状例如是四边形。
(5.4)低噪声放大器
图3所示的多个低噪声放大器22的每个低噪声放大器例如是具备基板和放大功能部的一个IC芯片。基板具有相互对置的第一面以及第二面。基板例如是硅基板。放大功能部形成于基板的第一面。放大功能部是具有对规定的频带的接收信号进行放大的功能的功能部。各低噪声放大器22例如倒装芯片安装于安装基板5的第一主面51，以便基板的第一面成为安装基板5侧。从安装基板5的厚度方向俯视时，各低噪声放大器22的外周形状例如是四边形。
(6)通信装置
如图3所示，实施方式1所涉及的通信装置9具备高频模块1、天线91以及信号处理电路92。
(6.1)天线
天线91与高频模块1的天线端子61连接。天线91具有：通过电波辐射从高频模块1输出的发送信号的发送功能；以及将接收信号作为电波从外部接收并向高频模块1输出的接收功能。作为发送信号的例子，列举第一发送信号、第二发送信号以及第三发送信号。作为接收信号的例子，列举第一接收信号、第二接收信号以及第三接收信号。
(6.2)信号处理电路
信号处理电路92包括RF信号处理电路93和基带信号处理电路94。信号处理电路92对第一通信信号(第一发送信号、第一接收信号)、第二通信信号(第二发送信号、第二接收信号)、第三通信信号(第三发送信号、第三接收信号)进行处理。
(6.2.1)RF信号处理电路
RF信号处理电路93例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，进行对高频信号的信号处理。RF信号处理电路93对从基带信号处理电路94输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，将进行了信号处理的高频信号输出到高频模块1。RF信号处理电路93对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，将进行了信号处理的高频信号输出到基带信号处理电路94。
(6.2.2)基带信号处理电路
基带信号处理电路94例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)，进行对来自信号处理电路92的外部的发送信号的规定的信号处理。由基带信号处理电路94处理后的接收信号例如作为图像信号用作用于图像显示的图像信号，或者用作用于通话的声音信号。
(7)效果
在实施方式1所涉及的高频模块1中，设置有使与第三电感器L3连接的负载可变的开关SW1、SW2，并且将第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间。由此，在第一路径T31和第二路径T32被同时使用的情况下，能够减弱第一电感器L1与第二电感器L2的耦合。其结果，能够提高第一路径T31与第二路径T32之间的隔离度。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，设置有使与第三电感器L3连接的负载可变的开关SW1、SW2、以及能够将第一路径T31和第二路径T32同时连接到天线端子61的开关8。并且，将第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间。由此，在第一路径T31和第二路径T32同时连接到天线端子61的情况下，能够减弱第一电感器L1和第二电感器L2的耦合。其结果，能够提高第一路径T31中的通信与第二路径T32中的通信之间的隔离度。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，开关SW1、SW2能够使第三电感器L3的两端短路。由此，能够在使第三电感器L3的两端短路之后，调整同时使用的第一路径T31以及第二路径T32中的第一电感器L1与第二电感器L2之间、不同时使用的第一路径T31以及第三路径T33中的第一电感器L1与第三电感器L3之间、第二路径T32以及第三路径T33中的第二电感器L2与第三电感器L3之间各自的感性耦合度。其结果，能够进一步提高第一路径T31中的通信与第二路径T32中的通信之间的隔离度。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一电感器L1以及第二电感器L2被配置为第一电感器L1与第二电感器L2之间的感性耦合度成为正值。由此，能够进一步提高第一路径T31中的通信与第二路径T32中的通信之间的隔离度。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，第二电感器L2设置于第二路径T32中接收用滤波器32与低噪声放大器72C之间。由此，在比较容易受到噪音的影响的低噪声放大器72C的输入侧，能够减少第一电感器L1的影响。其结果，能够进一步提高第一路径T31中的通信与第二路径T32中的通信之间的隔离度。
(8)变形例
以下，对实施方式1的变形例进行说明。
作为实施方式1的变形例1，在图4中，第一路径T31可以是发送信号作为第一通信信号通过的发送路径T1，第二路径T32可以是接收信号作为第二通信信号通过的接收路径T2。匹配电路71A的第一电感器L1可以是设置于发送路径T1的输出匹配电路41的电感器，而不是输入匹配电路42的电感器。例如，第一输出匹配电路41A的电感器可以是第一电感器L1，第二输入匹配电路42B的电感器可以是第二电感器L2。即使在这样的情况下，通过将匹配电路71C的第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间，也能够提高同时使用的两个路径的隔离度。
另外，第一电感器L1以及第二电感器L2的至少一方也可以是匹配电路43的电感器。例如，第一匹配电路43A的电感器可以是第一电感器L1，第二输入匹配电路42B的电感器可以是第二电感器L2。即使在这样的情况下，通过将第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间，也能够提高同时使用的两个路径的隔离度。
并且，第一电感器L1以及第二电感器L2的至少一方也可以是匹配电路44的电感器。即使在这样的情况下，通过将第三电感器配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间，也能够提高同时使用的两个路径的隔离度。
另外，第三电感器L3也可以是设置于发送路径的输出匹配电路41的电感器，而不是输入匹配电路42的电感器。例如，第三输出匹配电路41C的电感器也可以是第三电感器L3。即使在这样的情况下，通过将第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间，也能够提高隔离度。
作为实施方式1的变形例2，如图5的A所示，高频模块1的匹配电路71C也可以仅具备开关SW1，而不具备开关SW2。
作为实施方式1的变形例3，高频模块1的匹配电路71C也可以具备图5的B所示那样的第四电感器L4。第四电感器L4设置在开关SW1与接地之间。也就是说，第四电感器L4设置在接地与第三路径T33上的节点N1之间。通过开关SW1成为接通状态，从而第三电感器L3和第四电感器L4被串联连接。
作为实施方式1的变形例4，高频模块1的匹配电路71C也可以具备图5的C所示那样的第四电感器L5。第四电感器L5是电感可变的可变电感器。第四电感器L4设置在开关SW1与接地之间。通过开关SW1成为接通状态，从而第三电感器L3和第四电感器L5被串联连接。
此外，作为实施方式1的其它变形例，第一电感器L1也可以设置在接地与第一路径T31上的节点之间。
(实施方式2)
如图6所示，实施方式2所涉及的高频模块1与实施方式1所涉及的高频模块1(参照图1)不同的点在于，第一电感器L1、第二电感器L2以及第三电感器L3由单芯片构成。此外，关于实施方式2所涉及的高频模块1，对于与实施方式1所涉及的高频模块1同样的构成要素，标注相同的附图标记而省略说明。
(1)结构
如图6所示，实施方式2所涉及的高频模块1具备电感器部件54。
电感器部件54设置于安装基板5的第一主面51。电感器部件54包括多个电感器(第一电感器L1、第二电感器L2、第三电感器L3)。第一电感器L1、第二电感器L2以及第三电感器L3由一个芯片构成。更详细而言，在电感器部件54中，多个电感器被阵列化。在电感器部件54内，第三电感器L3配置在第一电感器L1与第二电感器L2之间。此外，关于实施方式2的第一电感器L1、第二电感器L2以及第三电感器L3，对于与实施方式1的第一电感器L1、第二电感器L2以及第三电感器L3(参照图1)同样的结构以及功能省略说明。
根据上述，通过对第一电感器L1、第二电感器L2以及第三电感器L3进行阵列化，从而与第一电感器L1、第二电感器L2以及第三电感器L3是单独部件的情况相比，能够实现小型化。并且，能够使电感器间的耦合度稳定。
(2)效果
在实施方式2所涉及的高频模块1中，第一电感器L1、第二电感器L2以及第三电感器L3由一个芯片构成。由此，能够实现高频模块1的小型化。
(3)变形例
作为实施方式2的变形例，也可以在实施方式2所涉及的高频模块1中应用实施方式1的各变形例。在变形例所涉及的高频模块1中也起到与实施方式2所涉及的高频模块1同样的效果。
(实施方式3)
如图7所示，实施方式3所涉及的高频模块1与实施方式1所涉及的高频模块1(参照图2)不同的点在于具备电容器C1。此外，关于实施方式3所涉及的高频模块1，对于与实施方式1的高频模块1同样的构成要素，标注相同的附图标记而省略说明。
(1)结构
如图7所示，实施方式3的匹配电路71C具备第三电感器L3、多个(在图示例中两个)开关SW1、SW2以及电容器C1。此外，关于实施方式3的匹配电路71C，对于与实施方式1的匹配电路71C(参照图2)同样的结构以及功能省略说明。
电容器C1是第三电感器L3的一端侧(与低噪声放大器72C侧相反侧)的负载，设置在接地与第三路径T33上的节点N1之间。更详细而言，电容器C1设置在接地与在第三电感器L3的输入侧设置的开关SW1之间。
实施方式3的开关SW1能够切换第三电感器L3与电容器C1的连接。通过开关SW1成为接通状态，从而第三电感器L3和电容器C1被串联连接，能够在某个特定的频率形成极点。
(2)效果
在实施方式3所涉及的高频模块1中，作为第三电感器L3的一端侧的负载，在接地与第三路径T33上的节点N1之间设置有电容器C1。通过成为使第三电感器L3的一端侧短路、使另一侧与电容器C1连接的状态，从而能够调整同时使用的第一电感器L1与第二电感器L2之间、不同时使用的第一电感器L1与第三电感器L3之间、不同时使用的第二电感器L2与第三电感器L3之间的感性耦合度。并且，由于能够通过第三电感器L3和电容器C1在特定的频率形成耦合系数的极点，因此能够在特定的频率中进一步提高第一路径T31中的通信与第二路径T32中的通信之间的隔离度。其结果，能够根据通信条件，改变是否将电容器C1与第三电感器L3连接。
(3)变形例
作为实施方式3的变形例，也可以在实施方式3所涉及的高频模块1中应用实施方式1的各变形例。在变形例所涉及的高频模块1中也起到与实施方式3所涉及的高频模块1同样的效果。
(实施方式4)
实施方式4所涉及的高频模块1与实施方式3所涉及的高频模块1(参照图7)不同的点在于具备图8所示那样的电容器C2。此外，关于实施方式4所涉及的高频模块1，对于与实施方式3所涉及的高频模块1同样的构成要素，标注相同的附图标记而省略说明。
(1)结构
如图8所示，实施方式4的匹配电路71C具备电容器C2来代替实施方式3的电容器C1。另外，实施方式4的匹配电路71C与实施方式3的匹配电路71C同样地具备第三电感器L3和多个(在图示例中两个)开关SW1、SW2。此外，关于实施方式4的匹配电路71C，对于与实施方式3的匹配电路71C(参照图7)同样的结构以及功能省略说明。
电容器C2是电容可变的可变电容器。电容器C2设置在接地与在第三电感器L3的输入侧(与第三低噪声放大器22C侧相反侧)设置的开关SW1之间。电容器C2能够变更电容。通过开关SW1成为接通状态，从而第三电感器L3和电容器C2被串联连接。在该状态下，通过调整电容器C2的电容，能够调整成为极点的频率。
通过使第三电感器L3的一端侧短路，使第三电感器L3的另一端侧与电容器C2连接，从而能够产生与第一电感器L1与第三电感器L3之间的耦合度、第二电感器L2与第三电感器L3之间的耦合后相应的极点。其结果，在特定的频率下，能够提高第一接收路径T21与第二接收路径T22之间的隔离度。通过调整电容器C2的电容，能够与同时使用的路径中的通信频段相配合地进行调整。能够通过调整第三电感器L3与电容器C2之间的耦合度来实现特别重要的频率下的隔离度。
(2)效果
在实施方式4所涉及的高频模块1中，电容器C2的电容是可变的。由此，能够调整为符合使用状况的耦合系数的极点，因此能够与使用状况相配合地实现最佳的隔离度。
(3)变形例
作为实施方式4的变形例，也可以在实施方式4所涉及的高频模块1中应用实施方式1的各变形例。在变形例所涉及的高频模块1中也起到与实施方式4所涉及的高频模块1同样的效果。
以上说明的实施方式以及变形例只不过是本发明的各种实施方式以及变形例的一部分。另外，只要能够实现本发明的目的，实施方式以及变形例能够根据设计等进行各种变更。
(方式)
在本说明书中公开了以下的方式。
第一方式所涉及的高频模块(1)具备：第一电感器(L1)、第二电感器(L2)、第三电感器(L3)以及开关(SW1、SW2)。第一电感器(L1)设置于第一通信信号通过的第一路径(T31)。第二电感器(L2)设置于第二通信信号通过且与第一路径(T31)同时被使用的第二路径(T32)。第三电感器(L3)设置于第三通信信号通过且不与第一路径(T31)同时被使用的第三路径(T33)。开关(SW1、SW2)设置在接地与第三路径(T33)上的节点(N1)之间，并与第三电感器(L3)连接。第三电感器(L3)配置在第一电感器(L1)与第二电感器(L2)之间。
根据第一方式所涉及的高频模块(1)，在第一路径(T31)和第二路径(T32)被同时使用的情况下，能够减弱第一电感器(L1)与第二电感器(L2)的耦合。其结果，能够提高第一路径(T31)与第二路径(T32)之间的隔离度。
第二方式所涉及的高频模块(1)具备：第一电感器(L1)、第二电感器(L2)、第三电感器(L3)、第一开关(开关SW1、SW2)以及第二开关(开关8)。第一电感器(L1)设置于第一通信信号通过的第一路径(T31)。第二电感器(L2)设置于第二通信信号通过的第二路径(T32)。第三电感器(L3)设置于第三通信信号通过的第三路径(T33)。第一开关是设置在接地与第三路径(T33)上的节点(N1)之间的开关。第一开关与第三电感器(L3)连接。第二开关能够将第一路径(T31)和第二路径(T32)同时连接到天线端子(61)。第三电感器(L3)配置在第一电感器(L1)与第二电感器(L2)之间。
根据第二方式所涉及的高频模块(1)，在将第一路径(T31)和第二路径(T32)同时连接到天线端子(61)的情况下，能够减弱第一电感器(L1)与第二电感器(L2)的耦合。其结果，能够提高第一路径(T31)中的通信与第二路径(T32)中的通信之间的隔离度。
在第三方式所涉及的高频模块(1)中，在第一或第二方式中，第一电感器(L1)串联连接在第一路径(T31)上的两个节点(N1、N2)之间。
在第四方式所涉及的高频模块(1)中，在第一或第二方式中，第一电感器(L1)设置在接地与第一路径(T31)上的节点之间。
在第五方式所涉及的高频模块(1)中，在第一～第四方式的任意一个方式中，开关(SW1、SW2)能够使第三电感器(L3)的两端短路。
根据第五方式所涉及的高频模块(1)，能够在使第三电感器(L3)的两端短路之后，调整同时使用的第一路径(T31)以及第二路径(T32)中的第一电感器(L1)与第二电感器(L2)之间、不同时使用的第一路径(T31)以及第三路径(T33)中的第一电感器(L1)与第三电感器(L3)之间、第二路径(T32)以及第三路径(T33)中的第二电感器(L2)与第三电感器(L3)之间各自的感性耦合度。其结果，能够进一步提高第一路径(T31)中的通信与第二路径(T32)中的通信之间的隔离度。
在第一～第五方式的任意一个方式中，第六方式所涉及的高频模块(1)还具备电容器(C1、C2)。电容器(C1、C2)设置在接地与第三路径(T33)上的节点(N1)之间，并与开关(SW1)串联连接。开关(SW1)能够切换第三电感器(L3)与电容器(C1、C2)的连接。
根据第六方式所涉及的高频模块(1)，通过成为使第三电感器(L3)的一端侧成为短路、使另一侧与电容器(C1、C2)连接的状态，从而能够调整同时使用的第一电感器(L1)与第二电感器(L2)之间、不同时使用的第一电感器(L1)与第三电感器(L3)之间、不同时使用的第二电感器(L2)与第三电感器(L3)之间的感性耦合度。并且，由于能够通过第三电感器(L3)和电容器(C1、C2)，在特定的频率形成耦合系数的极点，因此能够在特定的频率下进一步提高第一路径(T31)中的通信与第二路径(T32)中的通信之间的隔离度。其结果，能够根据通信条件，改变是否将电容器(C1、C2)与第三电感器(L3)连接。
在第七方式所涉及的高频模块(1)中，在第六方式中，电容器(C2)的电容是可变的。
根据第七方式所涉及的高频模块(1)，由于能够调整为符合使用状况的耦合系数的极点，因此能够与使用状况相配合地实现最佳的隔离度。
在第一～第五方式的任意一个方式中，第八方式所涉及的高频模块(1)还具备第四电感器(L4、L5)。第四电感器(L4、L5)设置在接地与第三路径(T33)上的节点(N1)之间，并与开关(SW1)串联连接。开关(SW1)能够切换第三电感器(L3)与第四电感器(L4、L5)的连接。
在第九方式所涉及的高频模块(1)中，在第八方式中，第四电感器(L5)的电感是可变的。
在第十方式所涉及的高频模块(1)中，在第一～第九方式的任意一个方式中，第一电感器(L1)以及第二电感器(L2)被配置为第一电感器(L1)与第二电感器(L2)之间的感性耦合度成为正值。
根据第十方式所涉及的高频模块(1)，能够进一步提高第一路径(T31)中的通信与第二路径(T32)中的通信之间的隔离度。
在第十一方式所涉及的高频模块(1)中，在第一～第十方式的任意个方式中，第一电感器(L1)、第二电感器(L2)以及第三电感器(L3)由一个芯片构成。
根据第十一方式所涉及的高频模块(1)，能够实现高频模块(1)的小型化。
在第十二方式所涉及的高频模块(1)中，在第一～第十一方式的任意一个方式中，第二电感器(L2)设置于第二路径(T32)中接收用滤波器(32)与低噪声放大器(72B)之间。
根据第十二方式所涉及的高频模块(1)，在比较容易受到噪音的影响的低噪声放大器(72C)的输入侧，能够减少第一电感器(L1)的影响。其结果，能够进一步提高第一路径(T31)中的通信与第二路径(T32)中的通信之间的隔离度。
在第十三方式所涉及的高频模块(1)中，在第一～第十二方式的任意一个方式中，第一路径(T31)是发送信号作为第一通信信号通过的发送路径(T1)。第二路径(T32)是接收信号作为第二通信信号通过的接收路径(T2)。
第十四方式所涉及的通信装置(9)具备第一～第十三方式的任意一个方式的高频模块(1)和信号处理电路(92)。信号处理电路(92)对第一通信信号、第二通信信号以及第三通信信号进行处理。
根据第十四方式所涉及的通信装置(9)，在高频模块(1)中，在第一路径(T31)和第二路径(T32)被同时使用的情况下，能够减弱第一电感器(L1)与第二电感器(L2)的耦合。其结果，能够提高第一路径(T31)中的通信与第二路径(T32)中的通信之间的隔离度。
附图标记说明
1…高频模块；21…功率放大器；21A…第一功率放大器；21B…第二功率放大器；21C…第三功率放大器；22…低噪声放大器；22A…第一低噪声放大器；22B…第二低噪声放大器；22C…第三低噪声放大器；31…发送用滤波器；31A…第一发送用滤波器；31B…第二发送用滤波器；31C…第三发送用滤波器；32…接收用滤波器；32A…第一接收用滤波器；32B…第二接收用滤波器；32C…第三接收用滤波器；41…输出匹配电路；41A…第一输出匹配电路；41B…第二输出匹配电路；41C…第三输出匹配电路；42…输入匹配电路；42A…第一输入匹配电路；42B…第二输入匹配电路；42C…第三输入匹配电路；43…匹配电路；43A…第一匹配电路；43B…第二匹配电路；43C…第三匹配电路；44…匹配电路；5…安装基板；51…第一主面；52、53…芯片；54…电感器部件；6…外部连接端子；61…天线端子；62…输入端子；621…第一输入端子；622…第二输入端子；623…第三输入端子；63…输出端子；631…第一输出端子；632…第二输出端子；633…第三输出端子；71A…匹配电路；71B…匹配电路；71C…匹配电路；72A～72C…低噪声放大器；8…开关(第二开关)；81…共用端子；82～84…选择端子；9…通信装置；91…天线；92…信号处理电路；93…RF信号处理电路；94…基带信号处理电路；L1…第一电感器；L2…第二电感器；L3…第三电感器；L4、L5…第四电感器；C1、C2…电容器；SW1～SW6…开关(第一开关)；T1…发送路径；T11…第一发送路径；T12…第二发送路径；T13…第三发送路径；T2…接收路径；T21…第一接收路径；T22…第二接收路径；T23…第三接收路径；T31…第一路径；T32…第二路径；T33…第三路径；N1、N2…节点。
Claims (14)
1.一种高频模块，具备：
第一电感器，设置于第一通信信号通过的第一路径；
第二电感器，设置于第二通信信号通过且与上述第一路径同时被使用的第二路径；
第三电感器，设置于第三通信信号通过且不与上述第一路径同时被使用的第三路径；以及
开关，设置在接地与上述第三路径上的节点之间，并与上述第三电感器连接，
上述第三电感器配置在上述第一电感器与上述第二电感器之间。
2.一种高频模块，具备：
第一电感器，设置于第一通信信号通过的第一路径；
第二电感器，设置于第二通信信号通过的第二路径；
第三电感器，设置于第三通信信号通过的第三路径；
第一开关，是与上述第三电感器连接的开关，设置在接地与上述第三路径上的节点之间；以及
第二开关，能够将上述第一路径和上述第二路径同时连接到天线端子，
上述第三电感器配置在上述第一电感器与上述第二电感器之间。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
上述第一电感器串联连接在上述第一路径上的两个节点之间。
4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
上述第一电感器设置在接地与上述第一路径上的节点之间。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的高频模块，其中，
上述开关能够使上述第三电感器的两端短路。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的高频模块，其中，
还具备电容器，上述电容器设置在接地与上述第三路径上的节点之间，并与上述开关串联连接，
上述开关能够切换上述第三电感器与上述电容器的连接。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
上述电容器的电容是可变的。
8.根据权利要求1～5中任意一项所述的高频模块，其中，
还具备第四电感器，上述第四电感器设置在接地与上述第三路径上的节点之间，并与上述开关串联连接，
上述开关能够切换上述第三电感器与上述第四电感器的连接。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其中，
上述第四电感器的电感是可变的。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的高频模块，其中，
上述第一电感器以及上述第二电感器被配置为上述第一电感器与上述第二电感器之间的感性耦合度成为正值。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的高频模块，其中，
上述第一电感器、上述第二电感器以及上述第三电感器由一个芯片构成。
12.根据权利要求1～11中任意一项所述的高频模块，其中，
上述第二电感器设置于上述第二路径中接收用滤波器与低噪声放大器之间。
13.根据权利要求1～12中任意一项所述的高频模块，其中，
上述第一路径是发送信号作为上述第一通信信号通过的发送路径，
上述第二路径是接收信号作为上述第二通信信号通过的接收路径。
14.一种通信装置，具备：
权利要求1～13中任意一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，对上述第一通信信号、上述第二通信信号以及上述第三通信信号进行处理。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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