KR20210120838A - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

고주파 모듈 및 통신 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210120838A
KR20210120838A KR1020210030526A KR20210030526A KR20210120838A KR 20210120838 A KR20210120838 A KR 20210120838A KR 1020210030526 A KR1020210030526 A KR 1020210030526A KR 20210030526 A KR20210030526 A KR 20210030526A KR 20210120838 A KR20210120838 A KR 20210120838A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
main surface
power amplifier
output transformer
switch
circuit
Prior art date
Application number
KR1020210030526A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102476613B1 (ko
Inventor
유키야 야마구치
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20210120838A publication Critical patent/KR20210120838A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102476613B1 publication Critical patent/KR102476613B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0067—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands
    • H04B1/0075—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands using different intermediate frequencied for the different bands
    • H04B1/0078—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands using different intermediate frequencied for the different bands with a common intermediate frequency amplifier for the different intermediate frequencies, e.g. when using switched intermediate frequency filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0483—Transmitters with multiple parallel paths
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/537—A transformer being used as coupling element between two amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Abstract

고주파 모듈(1)은, 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖는 모듈 기판(91)과, 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(10A)와, 제 1 주파수 대역과 다른 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(20A)와, 전력 증폭기(10A)의 출력 단자 및 전력 증폭기(20A)의 출력 단자에 접속된 스위치(42)를 구비하고, 전력 증폭기(10A 및 20A)는 주면(91a)에 배치되어 있고, 스위치(42)는 주면(91b)에 배치되어 있다.

Description

고주파 모듈 및 통신 장치{RADIO FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE}
본 발명은 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.
휴대전화 등의 이동체 통신 기기에는 고주파 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기가 탑재된다. 특허문헌 1에는 송신 신호를 전송하는 PA 회로(송신 증폭 회로)와, 수신 신호를 전송하는 LNA 회로(수신 증폭 회로)를 구비하는 프론트 엔드 회로(RF 모듈)가 개시되어 있다. 송신 증폭 회로에는 전력 증폭기의 증폭 특성을 제어하는 PA 제어부가 배치되고, 수신 증폭 회로에는 저잡음 증폭기의 증폭 특성을 제어하는 LNA 제어부가 배치되어 있다.
일본 특허공개 2018-137522호 공보
그러나, 전력 증폭기는 특정의 주파수 대역(통신 밴드)에서 증폭 성능이 최적화되기 때문에, 특허문헌 1에 개시된 RF 모듈에서는 각 주파수 대역(통신 밴드)에 대응한 전력 증폭기가 필요하다. 즉, 멀티 밴드화가 진전됨에 따라 전력 증폭기가 증가하고, RF 모듈이 대형화되어 버린다는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 멀티 밴드화에 대응한 소형의 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일형태에 따른 고주파 모듈은, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 모듈 기판과, 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 제 1 전력 증폭기와, 상기 제 1 주파수 대역과 다른 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 제 2 전력 증폭기와, 상기 제 1 전력 증폭기의 출력 단자 및 상기 제 2 전력 증폭기의 출력 단자에 접속된 제 1 스위치를 구비하고, 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기는 상기 제 1 주면에 배치되어 있고, 상기 제 1 스위치는 상기 제 2 주면에 배치되어 있다.
본 발명에 의하면, 멀티 밴드화에 대응한 소형의 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 2는 송신 증폭 회로의 회로 구성도이다.
도 3a는 실시예 1에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 3b는 실시예 1에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
도 4a는 변형예 1에 따른 출력 트랜스의 단면 구성 개략도이다.
도 4b는 변형예 2에 따른 출력 트랜스의 단면 구성 개략도이다.
도 4c는 변형예 3에 따른 출력 트랜스의 단면 구성 개략도이다.
도 5는 변형예 4에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
도 6은 실시예 2에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세히 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태로 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다. 이하의 실시예 및 변형예에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타내어지는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지는 않다. 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략 또는 간략화할 경우가 있다.
또한, 이하에 있어서, 평행 및 수직 등의 요소간의 관계성을 나타내는 용어, 및, 직사각형상 등의 요소의 형상을 나타내는 용어, 및, 수치 범위는 엄격한 의미만을 나타내는 것은 아니고, 실질적으로 동등한 범위, 예를 들면 수% 정도의 차이도 포함하는 것을 의미한다.
또한, 이하에 있어서, 기판에 실장된 A, B 및 C에 있어서, 「기판(또는 기판의 주면)을 평면으로 볼 때에 있어서, A와 B 사이에 C가 배치되어 있다」란, 기판을 평면으로 볼 때에 있어서 A 내의 임의의 점과 B 내의 임의의 점을 연결하는 복수의 선분 중 적어도 1개가 C의 영역을 통과하는 것을 의미한다. 또한, 기판을 평면으로 보다란, 기판 및 기판에 실장된 회로 소자를 기판의 주면에 평행한 평면에 정투영해 보는 것을 의미한다.
또한, 이하에 있어서 「송신 경로」란, 고주파 송신 신호가 전파되는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다. 또한, 「수신 경로」란, 고주파 수신 신호가 전파되는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다. 또한, 「송수신경로」란, 고주파 송신 신호 및 고주파 수신 신호가 전파되는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다.
(실시형태)
[1. 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성]
도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(5)는 고주파 모듈(1)과, 안테나(2)와, RF 신호 처리 회로(RFIC)(3)와, 베이스 밴드 신호 처리 회로(BBIC)(4)를 구비한다.
RFIC(3)는 안테나(2)에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로이다. 구체적으로는, RFIC(3)는 고주파 모듈(1)의 수신 경로를 통해서 입력된 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 수신 신호를 BBIC(4)에 출력한다. 또한, RFIC(3)는 BBIC(4)로부터 입력된 송신 신호를 업 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 송신 신호를 고주파 모듈(1)의 송신 경로에 출력한다.
BBIC(4)는 고주파 모듈(1)을 전송하는 고주파 신호보다 저주파의 중간 주파수 대역을 사용하여 신호 처리하는 회로이다. BBIC(4)에서 처리된 신호는, 예를 들면 화상 표시를 위한 화상 신호로서 사용되거나, 또는, 스피커를 통한 통화를 위해 음성 신호로서 사용된다.
또한, RFIC(3)는 사용되는 통신 밴드(주파수 대역)에 의거하여, 고주파 모듈(1)이 갖는 스위치(41, 42, 43 및 44)의 접속을 제어하는 제어부로서의 기능도 갖는다. 구체적으로는, RFIC(3)는 제어 신호(도시하지 않음)에 의해 고주파 모듈(1)이 갖는 스위치(41~44)의 접속을 스위칭한다. 구체적으로는, RFIC(3)는 스위치(41~44)를 제어하기 위한 디지털 제어 신호를 PA 제어 회로(80)에 출력한다. 고주파 모듈(1)의 PA 제어 회로(80)는, RFIC(3)로부터 입력된 디지털 제어 신호에 의해, 스위치(41~44)에 디지털 제어 신호를 출력함으로써 스위치(41~44)의 접속 및 비접속을 제어한다.
또한, RFIC(3)는, 고주파 모듈(1)이 갖는 송신 증폭 회로(10 및 20)의 이득, 송신 증폭 회로(10 및 20)에 공급되는 전원 전압(Vcc) 및 바이어스 전압(Vbias)을 제어하는 제어부로서의 기능도 갖는다. 구체적으로는, RFIC(3)는 MIPI 및 GPIO 등의 디지털 제어 신호를 고주파 모듈(1)의 제어 신호 단자(140)에 출력한다. 고주파 모듈(1)의 PA 제어 회로(80)는, 제어 신호 단자(140)를 통해 입력된 디지털 제어 신호에 의해, 송신 증폭 회로(10 및 20)에 제어 신호, 전원 전압(Vcc) 또는 바이어스 전압(Vbias)을 출력함으로써 송신 증폭 회로(10 및 20)의 이득을 조정한다. 또한, 송신 증폭 회로(10 및 20)의 이득을 제어하는 디지털 제어 신호를 RFIC(3)로부터 받는 제어 신호 단자와, 송신 증폭 회로(10 및 20)에 공급되는 전원 전압(Vcc) 및 바이어스 전압(Vbias)을 제어하는 디지털 제어 신호를 RFIC(3)로부터 받는 제어 신호 단자는 달라도 좋다. 또한, 제어부는 RFIC(3)의 외부에 설치되어 있어도 좋고, 예를 들면 BBIC(4)에 설치되어 있어도 좋다.
안테나(2)는 고주파 모듈(1)의 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 고주파 모듈(1)로부터 출력된 고주파 신호를 방사하고, 또한, 외부로부터의 고주파 신호를 수신해서 고주파 모듈(1)에 출력한다.
또한, 본 실시형태에 따른 통신 장치(5)에 있어서, 안테나(2) 및 BBIC(4)는 필수의 구성 요소는 아니다.
이어서, 고주파 모듈(1)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1)은 안테나 접속 단자(100)와, 송신 증폭 회로(10 및 20)와, 저잡음 증폭기(30)와, 송신 필터(61T, 62T 및 63T)와, 수신 필터(61R, 62R 및 63R)와, PA 제어 회로(80)와, 정합 회로(51, 52, 53 및 54)와, 스위치(41, 42, 43 및 44)를 구비한다.
안테나 접속 단자(100)는 안테나(2)에 접속되는 안테나 공통 단자이다.
송신 증폭 회로(10)는, 송신 입력 단자(111 및 112)로부터 입력된 통신 밴드 A 및 통신 밴드 B의 송신 신호를 증폭하는 차동 증폭형의 증폭 회로이다. 또한, 고주파 모듈(1)은, 송신 증폭 회로(10) 대신에 통신 밴드 A의 고주파 신호를 증폭하는 제 1 송신 증폭 회로와, 통신 밴드 B의 고주파 신호를 증폭하는 제 1 송신 증폭 회로를 구비해도 좋다.
송신 증폭 회로(20)는 송신 입력 단자(121 및 122)로부터 입력된 통신 밴드 C의 송신 신호를 증폭하는 차동 증폭형의 증폭 회로이다.
PA 제어 회로(80)는, 제어 신호 단자(140)를 통해 입력된 디지털 제어 신호 MIPI 및 GPIO 등에 의해, 송신 증폭 회로(10 및 20)가 갖는 증폭 소자의 이득을 조정한다. PA 제어 회로(80)는 반도체 IC(Integrated Circuit)로 형성되어 있어도 좋다. 반도체 IC는, 예를 들면 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)로 구성되어 있다. 구체적으로는, SOI(Silicon On Insulator) 프로세스에 의해 형성되어 있다. 이것에 의해, 반도체 IC를 저렴하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 IC는 GaAs, SiGe 및 GaN 중 적어도 어느 하나로 구성되어 있어도 좋다. 이것에 의해, 고품질의 증폭 성능 및 잡음 성능을 갖는 고주파 신호를 출력하는 것이 가능해진다.
저잡음 증폭기(30)는 통신 밴드 A, B 및 C의 고주파 신호를 저잡음으로 증폭하고, 수신 출력 단자(130)에 출력하는 증폭기이다. 또한, 고주파 모듈(1)은 복수의 저잡음 증폭기를 구비하고 있어도 좋다. 예를 들면, 고주파 모듈(1)은, 통신 밴드 A 및 B의 고주파 신호를 증폭하는 제 1 저잡음 증폭기와, 통신 밴드 C의 고주파 신호를 증폭하는 제 2 저잡음 증폭기를 구비해도 좋다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 통신 밴드 A 및 B는 통신 밴드 C보다 저주파수측에 위치하고 있고, 통신 밴드 A 및 B는, 예를 들면 미들 밴드군(1.45-2.2㎓)에 속하는 통신 밴드이며, 통신 밴드 C는, 예를 들면 하이 밴드군(2.3-2.7㎓)에 속하는 통신 밴드이다. 단, 통신 밴드 A 및 B와 통신 밴드 C의 주파수의 고저 관계는 상기 예에 한정되지 않고, 통신 밴드 A 및 B가 통신 밴드 C보다 고주파수측에 위치하고 있어도 좋다. 또한, 미들 밴드군은 제 1 주파수 대역의 일례이며, 통신 밴드 C는 제 1 주파수 대역과 다른 제 2 주파수 대역의 일례이다.
송신 필터(61T)는 송신 입력 단자(111 및 112)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 송신 경로(AT)에 배치되고, 송신 증폭 회로(10)에서 증폭된 송신 신호 중, 통신 밴드 A의 송신 대역의 송신 신호를 통과시킨다. 또한, 송신 필터(62T)는, 송신 입력 단자(111 및 112)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 송신 경로(BT)에 배치되고, 송신 증폭 회로(10)에서 증폭된 송신 신호 중, 통신 밴드 B의 송신 대역의 송신 신호를 통과시킨다. 또한, 송신 필터(63T)는, 송신 입력 단자(121 및 122)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 송신 경로(CT)에 배치되고, 송신 증폭 회로(20)에서 증폭된 송신 신호 중, 통신 밴드 C의 송신 대역의 송신 신호를 통과시킨다.
수신 필터(61R)는 수신 출력 단자(130)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 수신 경로(AR)에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 통신 밴드 A의 수신 대역의 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(62R)는, 수신 출력 단자(130)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 수신 경로(BR)에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 통신 밴드 B의 수신 대역의 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(63R)는 수신 출력 단자(130)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 수신 경로(CR)에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 통신 밴드 C의 수신 대역의 수신 신호를 통과시킨다.
송신 필터(61T) 및 수신 필터(61R)는, 통신 밴드 A를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(61)를 구성하고 있다. 듀플렉서(61)는 통신 밴드 A의 송신 신호와 수신 신호를 주파수 분할 복신(FDD: Frequency Division Duplex) 방식으로 전송한다. 또한, 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)는, 통신 밴드 B를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(62)를 구성하고 있다. 듀플렉서(62)는 통신 밴드 B의 송신 신호와 수신 신호를 FDD 방식으로 전송한다. 또한, 송신 필터(63T) 및 수신 필터(63R)는, 통신 밴드 C를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(63)를 구성하고 있다. 듀플렉서(63)는 통신 밴드 C의 송신 신호와 수신 신호를 FDD 방식으로 전송한다.
또한, 듀플렉서(61~63)의 각각은, 복수의 송신 필터만으로 구성된 멀티플렉서, 복수의 수신 필터만으로 구성된 멀티플렉서, 복수의 듀플렉서로 구성된 멀티플렉서라도 좋다. 또한, 송신 필터(61T) 및 수신 필터(61R)는 듀플렉서(61)를 구성하고 있지 않아도 좋고, 시분할 복신(TDD: Time Division Duplex) 방식으로 전송하는 1개의 필터라도 좋다. 이 경우에는, 상기 1개의 필터의 전단 및 후단 중 적어도 일방에 송신 및 수신을 스위칭하는 스위치가 배치된다. 또한, 마찬가지로, 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)는 듀플렉서(62)를 구성하고 있지 않아도 좋고, TDD 방식으로 전송하는 1개의 필터라도 좋다. 또한, 마찬가지로, 송신 필터(63T) 및 수신 필터(63R)는 듀플렉서(63)를 구성하고 있지 않아도 좋고, TDD 방식으로 전송하는 1개의 필터라도 좋다.
정합 회로(51)는 스위치(44)와 듀플렉서(61)를 연결하는 경로에 배치되고, 스위치(44) 및 안테나(2)와 듀플렉서(61)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(52)는 스위치(44)와 듀플렉서(62)를 연결하는 경로에 배치되고, 스위치(44) 및 안테나(2)와, 듀플렉서(62)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(53)는 스위치(44)와 듀플렉서(63)를 연결하는 경로에 배치되고, 스위치(44) 및 안테나(2)와, 듀플렉서(63)의 임피던스 정합을 취한다.
정합 회로(54)는 저잡음 증폭기(30)와 스위치(43)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 저잡음 증폭기(30)와, 스위치(43) 및 듀플렉서(61~63)의 임피던스 정합을 취한다.
스위치(41)는 공통 단자(41a, 4lb), 선택 단자(41c, 41d, 41e 및 41f)를 갖는다. 공통 단자(41a)는 송신 증폭 회로(10)의 입력 단자(115)에 접속되어 있다. 공통 단자(4lb)는 송신 증폭 회로(20)의 입력 단자(125)에 접속되어 있다. 선택 단자(41c)는 송신 입력 단자(111)에 접속되고, 선택 단자(41d)는 송신 입력 단자(112)에 접속되고, 선택 단자(41e)는 송신 입력 단자(121)에 접속되고, 선택 단자(41f)는 송신 입력 단자(122)에 접속되어 있다. 스위치(41)는 송신 증폭 회로(10 및 20)의 입력 단자측에 배치된 스위치이다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(41)는송신 증폭 회로(10)와 송신 입력 단자(111)의 접속, 및, 송신 증폭 회로(10)와 송신 입력 단자(112)의 접속을 스위칭하고, 또한, 송신 증폭 회로(20)와 송신 입력 단자(121)의 접속, 및, 송신 증폭 회로(20)와 송신 입력 단자(122)의 접속을 스위칭한다. 스위치(41)는, 예를 들면, DP4T(Double Pole 4 Throw)형의 스위치 회로로 구성된다.
또한, 스위치(41)는 공통 단자(41a), 선택 단자(41c 및 41d)를 갖는 SPDT(Single Pole Double Throw)형의 스위치와, 공통 단자(4lb), 선택 단자(41e 및 41f)를 갖는 SPDT형의 스위치로 구성되어 있어도 좋다.
송신 입력 단자(111)로부터는, 예를 들면 통신 밴드 A의 송신 신호가 입력되고, 송신 입력 단자(112)로부터는, 예를 들면 통신 밴드 B의 송신 신호가 입력된다. 또한, 송신 입력 단자(121 및 122)로부터는, 예를 들면 통신 밴드 C의 송신 신호가 입력된다.
또한, 송신 입력 단자(111)로부터는, 예를 들면, 제 4 세대 이동 통신 시스템(4G)에 있어서의 통신 밴드 A 또는 B의 송신 신호가 입력되고, 송신 입력 단자 (112)로부터는, 예를 들면, 제 5 세대 이동 통신 시스템(5G)에 있어서의 통신 밴드 A 또는 B의 송신 신호가 입력되어도 좋다. 또한, 송신 입력 단자(121)로부터는, 예를 들면, 4G에 있어서의 통신 밴드 C의 송신 신호가 입력되고, 송신 입력 단자(122)로부터는, 예를 들면, 5G에 있어서의 통신 밴드 C의 송신 신호가 입력되어도 좋다.
또한, 스위치(41)는, 공통 단자가 송신 입력 단자(111, 112, 121, 및 122) 중 어느 하나의 송신 입력 단자(제 1 송신 입력 단자라고 한다)에 접속되고, 일방의 선택 단자가 송신 증폭 회로(10)의 입력 단자(115)에 접속되고, 타방의 선택 단자가 송신 증폭 회로(20)의 입력 단자(125)에 접속된 SPDT형의 스위치 회로라도 좋다.
이 경우에는, 제 1 송신 입력 단자로부터는, 예를 들면, 통신 밴드 A, 통신 밴드 B, 및 통신 밴드 C 중 어느 1개의 송신 신호가 선택적으로 입력되고, 스위치(41)는, 입력된 송신 신호에 따라, 제 1 송신 입력 단자와 송신 증폭 회로(10)의 접속, 및, 제 1 송신 입력 단자와 송신 증폭 회로(20)의 접속을 스위칭한다. 또한, 제 1 송신 입력 단자로부터는, 예를 들면 4G의 송신 신호와 5G의 송신 신호가 입력되고, 스위치(41)는, 입력된 송신 신호에 따라, 제 1 송신 입력 단자와 송신 증폭 회로(10)의 접속, 및, 제 1 송신 입력 단자와 송신 증폭 회로(20)의 접속을 스위칭해도 좋다.
또한, 스위치(41)는 2개의 공통 단자와 2개의 선택 단자를 갖는 DPDT(Double Pole Double Throw)형의 스위치 회로로 구성되어 있어도 좋다. 이 경우에는, 제 1 송신 입력 단자가 일방의 공통 단자와 접속되고, 제 2 송신 입력 단자가 타방의 공통 단자와 접속된다. 또한, 일방의 선택 단자가 송신 증폭 회로(10)에 접속되고, 타방의 선택 단자가 송신 증폭 회로(20)에 접속된다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(41)는, 일방의 공통 단자와 일방의 선택 단자의 접속 및 일방의 공통 단자와 타방의 선택 단자의 접속을 스위칭하고, 또한, 타방의 공통 단자와 일방의 선택 단자의 접속 및 타방의 공통 단자와 타방의 선택 단자의 접속을 스위칭한다.
이 경우에는, 예를 들면, 제 1 송신 입력 단자로부터 통신 밴드 A 또는 B의 송신 신호가 입력되고, 제 2 송신 입력 단자로부터 통신 밴드 C의 송신 신호가 입력된다. 또한, 예를 들면, 제 1 송신 입력 단자로부터 4G의 송신 신호가 입력되고, 제 2 송신 입력 단자로부터 5G의 송신 신호가 입력되어도 좋다.
스위치(42)는 제 1 스위치의 일례이며, 후술하는 출력 트랜스(15)를 통해 전력 증폭기(10A)의 출력 단자에 접속되어 있고, 또한, 후술하는 출력 트랜스(25)를 통해 전력 증폭기(20A)의 출력 단자에 접속되어 있다. 스위치(42)는 공통 단자(42a, 42b), 선택 단자(42c, 42d 및 42e)를 갖고, 공통 단자(42a)는 송신 증폭 회로(10)의 출력 단자(116)에 접속되고, 공통 단자(42b)는 송신 증폭 회로(20)의 출력 단자(126)에 접속되어 있다. 선택 단자(42c)는 송신 필터(61T)에 접속되고, 선택 단자(42d)는 송신 필터(62T)에 접속되고, 선택 단자(42e)는 송신 필터(63T)에 접속되어 있다. 스위치(42)는 송신 증폭 회로(10 및 20)의 출력 단자측에 배치된 스위치이다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(42)는, 송신 증폭 회로(10)와 송신 필터(61T)의 접속, 및, 송신 증폭 회로(10)와 송신 필터(62T)의 접속을 스위칭하고, 또한, 송신 증폭 회로(20)와 송신 필터(63T)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(42)는, 예를 들면, DP3T(Double Pole 3 Throw)형의 스위치 회로로 구성된다.
또한, 스위치(42)는, 공통 단자(42a), 선택 단자(42c 및 42d)를 갖는 SPDT형의 스위치와, 공통 단자(42b) 및 선택 단자(42e)를 갖는 SPST(Single Pole Single Throw)형의 스위치로 구성되어 있어도 좋다. 또한, 스위치(42)가 갖는 공통 단자 및 선택 단자의 수는, 고주파 모듈(1)이 갖는 송신 경로의 수에 따라 적당히 설정된다.
스위치(43)는 공통 단자(43a) 및 선택 단자(43b, 43c 및 43d)를 갖는다. 공통 단자(43a)는 정합 회로(54)를 통해 저잡음 증폭기(30)의 입력 단자에 접속되어 있다. 선택 단자(43b)는 수신 필터(61R)에 접속되고, 선택 단자(43c)는 수신 필터(62R)에 접속되고, 선택 단자(43d)는 수신 필터(63R)에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(43)는 저잡음 증폭기(30)와 수신 필터(61R)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 저잡음 증폭기(30)와 수신 필터(62R)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 및, 저잡음 증폭기(30)와 수신 필터(63R)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(43)는, 예를 들면, SP3T(Single Pole 3 Throw)형의 스위치 회로로 구성된다.
스위치(44)는 안테나 스위치의 일례이며, 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, (1) 안테나 접속 단자(100)와 송신 경로(AT) 및 수신 경로(AR)의 접속, (2) 안테나 접속 단자(100)와 송신 경로(BT) 및 수신 경로(BR)의 접속, 및, (3) 안테나 접속 단자(100)와 송신 경로(CT) 및 수신 경로(CR)의 접속을 스위칭한다. 또한, 스위치(44)는 상기 (1)~(3) 중 적어도 2개를 동시에 행하는 것이 가능한 멀티 접속형의 스위치 회로로 구성된다.
또한, 상기 송신 필터(61T~63T) 및 수신 필터(61R~63R)는, 예를 들면 SAW(Surface Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, LC 공진 필터, 및 유전체 필터 중 어느 것이라도 좋고, 또한, 이것들에는 한정되지 않는다.
또한, 정합 회로(51~54)는 본 발명에 따른 고주파 모듈에 필수의 구성 요소는 아니다.
또한, 송신 증폭 회로(10)와 스위치(42) 사이, 및, 송신 증폭 회로(20)와 스위치(42) 사이에 정합 회로가 배치되어 있어도 좋다. 또한, 안테나 접속 단자(100)와 스위치(44) 사이에 다이플렉서 및 커플러 등이 배치되어도 좋다.
고주파 모듈(1)의 구성에 있어서, 송신 증폭 회로(10), 스위치(42), 송신 필터(61T), 정합 회로(51), 및 스위치(44)는, 안테나 접속 단자(100)를 향해서 통신 밴드 A의 송신 신호를 전송하는 제 1 송신 회로를 구성한다. 또한, 스위치(44), 정합 회로(51), 수신 필터(61R), 스위치(43), 정합 회로(54), 및 저잡음 증폭기(30)는, 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해 통신 밴드 A의 수신 신호를 전송하는 제 1 수신 회로를 구성한다.
또한, 송신 증폭 회로(10), 스위치(42), 송신 필터(62T), 정합 회로(52), 및 스위치(44)는, 안테나 접속 단자(100)를 향해 통신 밴드 B의 송신 신호를 전송하는 제 2 송신 회로를 구성한다. 또한, 스위치(44), 정합 회로(52), 수신 필터(62R), 스위치(43), 정합 회로(54), 및 저잡음 증폭기(30)는, 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해 통신 밴드 B의 수신 신호를 전송하는 제 2 수신 회로를 구성한다.
또한, 송신 증폭 회로(20), 스위치(42), 송신 필터(63T), 정합 회로(53), 및 스위치(44)는, 안테나 접속 단자(100)를 향해서 통신 밴드 C의 송신 신호를 전송하는 제 3 송신 회로를 구성한다. 또한, 스위치(44), 정합 회로(53), 수신 필터(63R), 스위치(43), 정합 회로(54), 및 저잡음 증폭기(30)는, 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해 통신 밴드 C의 수신 신호를 전송하는 제 3 수신 회로를 구성한다.
상기 회로 구성에 의하면, 고주파 모듈(1)은 통신 밴드 A, 통신 밴드 B, 및 통신 밴드 C 중 어느 하나의 고주파 신호를 송신, 수신, 및 송수신 중 적어도 어느 하나로 실행하는 것이 가능하다. 또한, 고주파 모듈(1)은 통신 밴드 A, 통신 밴드 B, 및 통신 밴드 C의 고주파 신호를, 동시 송신, 동시 수신, 및 동시 송수신 중 적어도 어느 하나로 실행하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈에서는, 상기 3개의 송신 회로 및 상기 3개의 수신 회로가 스위치(44)를 통해 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있지 않아도 좋고, 상기 3개의 송신 회로 및 상기 3개의 수신 회로가 다른 단자를 통해 안테나(2)에 접속되어 있어도 좋다. 또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈은 PA 제어 회로(80)와, 제 1 송신 회로 및 제 3 송신 회로를 갖고 있으면 좋다.
또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈에 있어서, 제 1 송신 회로는 송신 증폭 회로(10)를 갖고 있으면 좋다. 또한, 제 3 송신 회로는 송신 증폭 회로(20)를 갖고 있으면 좋다.
또한, 저잡음 증폭기(30)와 스위치(41~44) 중 적어도 1개는 1개의 반도체 IC로 형성되어 있어도 좋다. 반도체 IC는, 예를 들면, CMOS로 구성되어 있다. 구체적으로는, SOI 프로세스에 의해 형성되어 있다. 이것에 의해, 반도체 IC를 저렴하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 IC는 GaAs, SiGe 및 GaN 중 적어도 어느 하나로 구성되어 있어도 좋다. 이것에 의해, 고품질의 증폭 성능 및 잡음 성능을 갖는 고주파 신호를 출력하는 것이 가능해진다.
도 2는 실시형태에 따른 송신 증폭 회로(10)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 송신 증폭 회로(10)는, 입력 단자(115) 및 출력 단자(116)와, 증폭 소자(12(제 1 증폭 소자) 및 13(제 2 증폭 소자))와, 증폭 소자(11)(전단 증폭 소자)와, 단간 트랜스(변압기)(14)와, 커패시터(16)와, 출력 트랜스(발룬: 비평형-평형 변환 소자)(15)를 갖고 있다. 증폭 소자(11~13)와, 단간 트랜스(14)와, 커패시터(16)는 전력 증폭기(10A)를 구성하고 있다. 전력 증폭기(10A)는 제 1 전력 증폭기의 일례이다.
단간 트랜스(14)는 1차측 코일(14a)과 2차측 코일(14b)로 구성되어 있다.
증폭 소자(11)의 입력 단자는 입력 단자(115)에 접속되고, 증폭 소자(11)의 출력 단자는 단간 트랜스(14)의 비평형 단자에 접속되어 있다. 단간 트랜스(14)의 일방의 평형 단자는 증폭 소자(12)의 입력 단자에 접속되어 있고, 단간 트랜스(14)의 타방의 평형 단자는 증폭 소자(13)의 입력 단자에 접속되어 있다.
입력 단자(115)로부터 입력된 고주파 신호는, 증폭 소자(11)에 바이어스 전압(Vcc1)이 인가된 상태에서 증폭 소자(11)에서 증폭된다. 증폭된 고주파 신호는 단간 트랜스(14)에 의해 비평형-평형 변환된다. 이 때, 단간 트랜스(14)의 일방의 평형 단자로부터 비반전 입력 신호가 출력되고, 단간 트랜스(14)의 타방의 평형 단자로부터 반전 입력 신호가 출력된다.
출력 트랜스(15)는 제 1 출력 트랜스의 일례이며, 1차측 코일(제 1 코일) (15a)과 2차측 코일(제 2 코일)(15b)로 구성되어 있다. 1차측 코일(15a)의 일단은 증폭 소자(12)의 출력 단자에 접속되어 있고, 1차측 코일(15a)의 타단은 증폭 소자(13)의 출력 단자에 접속되어 있다. 또한, 1차측 코일(15a)의 중점에는 바이어스 전압(Vcc2)이 공급된다. 2차측 코일(15b)의 일단은 출력 단자(116)에 접속되고, 2차측 코일(15b)의 타단은 그라운드에 접속되어 있다. 바꿔 말하면, 출력 트랜스(15)는, 증폭 소자(12)의 출력 단자 및 증폭 소자(13)의 출력 단자와, 출력 단자(116) 사이에 접속되어 있다.
커패시터(16)는 증폭 소자(12)의 출력 단자와 증폭 소자(13)의 출력 단자 사이에 접속되어 있다.
증폭 소자(12)에서 증폭된 비반전 입력 신호와, 증폭 소자(13)에서 증폭된 반전 입력 신호는, 역위상을 유지한 채, 출력 트랜스(15) 및 커패시터(16)로 임피던스 변환된다. 즉, 출력 단자(116)에 있어서의 전력 증폭기(10A)의 출력 임피던스는, 출력 트랜스(15) 및 커패시터(16)에 의해, 도 1에 나타내어진 스위치(42), 송신 필터(61T 및 62T)의 입력 임피던스와 임피던스 정합된다. 또한, 출력 단자(116)와 2차측 코일(15b)을 연결하는 경로와 그라운드 사이에 접속된 용량 소자도, 상기 임피던스 정합에 기여하고 있다. 또한, 상기 용량 소자는 출력 단자(116)와 2차측 코일(15b)을 연결하는 경로에 직렬 배치되어 있어도 좋고, 또한, 상기 용량 소자는 없어도 좋다.
여기에서, 증폭 소자(11~13), 단간 트랜스(14), 및 커패시터(16)는 전력 증폭기(10A)를 형성하고 있다. 특히, 증폭 소자(11~13) 및 단간 트랜스(14)는 1칩화, 또는, 동일 기판 상에 실장 등, 일체 형성될 경우가 많다. 이것에 대하여, 출력 트랜스(15)는 고출력의 송신 신호에 대응해서 높은 Q값을 필요로 하기 때문에, 증폭 소자(11~13) 및 단간 트랜스(14) 등과는 일체 형성되지 않는다. 즉, 송신 증폭 회로(10)를 구성하는 회로 부품 중, 출력 트랜스(15)를 제외한 회로 부품이 전력 증폭기(10A)를 구성하고 있다.
또한, 증폭 소자(11) 및 커패시터(16)는 전력 증폭기(10A)에 포함되지 않아도 좋다.
송신 증폭 회로(10)의 회로 구성에 의하면, 증폭 소자(12 및 13)가 반전 위상에서 동작한다. 이 때, 증폭 소자(12 및 13)의 기본파에서의 전류가 반전 위상, 즉 역방향으로 흐르기 때문에, 증폭 소자(12 및 13)로부터 대략 등거리에 배치된 그라운드 배선 및 전원 배선으로는 기본파의 전류는 흐르지 않게 된다. 이 때문에, 상기 배선으로의 불필요한 전류의 유입을 무시할 수 있으므로, 종래의 송신 증폭 회로에 보여지는 전력 이득(파워 게인)의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 증폭 소자(12 및 13)에서 증폭된 비반전 신호와 반전 신호가 합성되므로, 양쪽 신호에 동일하게 중첩된 노이즈 성분을 상쇄할 수 있고, 예를 들면 고조파 성분 등의 불필요파를 저감할 수 있다.
또한, 증폭 소자(11)는 송신 증폭 회로(10)에 필수의 구성 요소는 아니다. 또한, 비평형 입력 신호를 비반전 입력 신호 및 반전 입력 신호로 변환하는 수단은, 단간 트랜스(14)에 한정되지 않는다. 또한, 커패시터(16)는 임피던스 정합에 있어서 필수의 구성 요소는 아니다.
또한, 도시하고 있지 않지만, 송신 증폭 회로(20)는 도 2에 나타내어진 송신 증폭 회로(10)와 마찬가지의 회로 구성을 갖고 있다. 즉, 송신 증폭 회로(20)는 입력 단자(125) 및 출력 단자(126)와, 증폭 소자(22(제 3 증폭 소자) 및 23(제 4 증폭 소자))와, 증폭 소자(21)(전단 증폭 소자)와, 단간 트랜스(변압기)(24)와, 커패시터(26)와, 출력 트랜스(발룬: 비평형-평형 변환 소자)(25)를 갖고 있다. 증폭 소자(21~23)와, 단간 트랜스(24)와, 커패시터(26)는 전력 증폭기(20A)를 구성하고 있다. 전력 증폭기(20A)는 제 2 전력 증폭기의 일례이다.
단간 트랜스(24)는 1차측 코일(24a)과 2차측 코일(24b)로 구성되어 있다.
증폭 소자(21)의 입력 단자는 입력 단자(125)에 접속되고, 증폭 소자(21)의 출력 단자는 단간 트랜스(24)의 비평형 단자에 접속되어 있다. 단간 트랜스(24)의 일방의 평형 단자는 증폭 소자(22)의 입력 단자에 접속되어 있고, 단간 트랜스(24)의 타방의 평형 단자는 증폭 소자(23)의 입력 단자에 접속되어 있다.
출력 트랜스(25)는 제 2 출력 트랜스의 일례이며, 1차측 코일(제 3 코일)(25a)과 2차측 코일(제 4 코일)(25b)로 구성되어 있다. 1차측 코일(25a)의 일단은 증폭 소자(22)의 출력 단자에 접속되어 있고, 1차측 코일(25a)의 타단은 증폭 소자(23)의 출력 단자에 접속되어 있다. 또한, 1차측 코일(25a)의 중점에는 바이어스 전압(Vcc2)이 공급된다. 2차측 코일(25b)의 일단은 출력 단자(126)에 접속되고, 2차측 코일(25b)의 타단은 그라운드에 접속되어 있다. 바꿔 말하면, 출력 트랜스(25)는, 증폭 소자(22)의 출력 단자 및 증폭 소자(23)의 출력 단자와, 출력 단자(126) 사이에 접속되어 있다.
커패시터(26)는 증폭 소자(22)의 출력 단자와 증폭 소자(23)의 출력 단자 사이에 접속되어 있다.
여기에서, 증폭 소자(21~23), 단간 트랜스(24), 및 커패시터(26)는 전력 증폭기(20A)를 형성하고 있다. 특히, 증폭 소자(21~23) 및 단간 트랜스(24)는 1칩화, 또는, 동일 기판 상에 실장 등, 일체 형성될 경우가 많다. 이것에 대하여, 출력 트랜스(25)는 증폭 소자(21~23) 및 단간 트랜스(24) 등과는 일체 형성되지 않는다.
또한, 증폭 소자(21) 및 커패시터(26)는 전력 증폭기(20A)에 포함되지 않아도 좋다.
송신 증폭 회로(20)의 회로 구성에 의하면, 종래의 송신 증폭 회로에 보여지는 전력 이득(파워 게인)의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 증폭 소자(22 및 23)에서 증폭된 비반전 신호와 반전 신호가 합성되므로, 양쪽 신호에 동일하게 중첩된 노이즈 성분을 상쇄할 수 있고, 예를 들면 고조파 성분 등의 불필요파를 저감할 수 있다.
또한, 증폭 소자(21)는 송신 증폭 회로(20)에 필수의 구성 요소는 아니다. 또한, 비평형 입력 신호를 비반전 입력 신호 및 반전 입력 신호로 변환하는 수단은 단간 트랜스(24)에 한정되지 않는다. 또한, 커패시터(26)는 임피던스 정합에 있어서 필수의 구성 요소는 아니다.
또한, 증폭 소자(11~13, 21~23) 및 저잡음 증폭기(30)는, 예를 들면, Si계의 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 또는 GaAs를 재료로 한 전계 효과형 트랜지스터(FET) 또는 헤테로 바이폴라 트랜지스터(HBT) 등으로 구성되어 있다.
또한, 송신 증폭 회로(10)는 차동 증폭형의 전력 증폭기(10A)로 구성되지 않고, 비평형 신호를 입력 신호로 하고, 비평형 신호를 출력 신호로 하는, 소위 싱글 엔드형의 증폭 소자로 구성된 증폭기라도 좋다. 또한, 송신 증폭 회로(20)는 차동 증폭형의 전력 증폭기(20A)로 구성되지 않고, 비평형 신호를 입력 신호로 하고, 비평형 신호를 출력 신호로 하는, 소위 싱글 엔드형의 증폭 소자로 구성된 증폭기라도 좋다.
여기에서, 고주파 모듈(1)에 있어서, 송신 증폭 회로(10)는 통신 밴드 A 및 B의 송신 신호를 증폭하고, 송신 증폭 회로(20)는 통신 밴드 C의 송신 신호를 증폭한다. 즉, 송신 증폭 회로(10 및 20)는, 특정의 주파수 대역(통신 밴드)에서 증폭 성능이 최적화되기 때문에, 고주파 모듈(1)에는 각 주파수 대역(통신 밴드)에 대응한 복수의 송신 증폭 회로가 필요하다. 또한, 고주파 모듈(1)의 멀티 밴드화가 진전됨에 따라, 송신 증폭 회로의 배치수가 증가하고, 고주파 모듈(1)이 대형화되어 버린다는 문제가 발생한다. 또한, 소형화하기 위해 고밀도 실장하면, 송신 증폭 회로로부터 출력된 고출력의 송신 신호가, 고주파 모듈(1)을 구성하는 회로 부품에 간섭하고, 고주파 모듈(1)로부터 출력되는 고주파 신호의 신호 품질이 열화된다는 문제가 발생한다.
이것에 대하여, 이하에서는, 고주파 모듈(1)로부터 출력되는 고주파 신호의 품질 열화가 억제된 소형의 고주파 모듈(1)의 구성에 대하여 설명한다.
[2. 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)의 회로 소자 배치 구성]
도 3a는 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 3b는 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)의 단면 구성 개략도이며, 구체적으로는, 도 3a의 IIIB-IIIB선에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 3a의 (a)에는, 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 3a의 (b)에는, 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.
실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)은, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.
도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은, 도 1에 나타내어진 회로 구성에 추가해서, 모듈 기판(91)과, 수지 부재(92 및 93)와, 외부 접속 단자(150)를 더 갖고 있다.
모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(91a)(제 1 주면) 및 주면(91b)(제 2 주면)을 갖고, 상기 송신 회로 및 상기 수신 회로를 실장하는 기판이다. 모듈 기판(91)으로서는, 예를 들면, 복수의 유전체층의 적층 구조를 갖는 저온 동시 소성 세라믹스(Low Temperature Co-fired Ceramics: LTCC) 기판, 고온 동시 소성 세라믹스(High Temperature Co-fired Ceramics: HTCC) 기판, 부품 내장 기판, 재배선층(Redistribution Layer: RDL)을 갖는 기판, 또는, 프린트 기판 등이 사용된다.
수지 부재(92)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되고, 상기 송신 회로의 일부, 상기 수신 회로의 일부, 및 모듈 기판(91)의 주면(91a)을 덮고 있고, 상기 송신 회로 및 상기 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 수지 부재(93)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되고, 상기 송신 회로의 일부, 상기 수신 회로의 일부, 및 모듈 기판(91)의 주면(91b)을 덮고 있고, 상기 송신 회로 및 상기 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한, 수지 부재(92 및 93)는, 본 발명에 따른 고주파 모듈에 필수의 구성 요소는 아니다.
도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A) 에서는, 전력 증폭기(10A 및 20A), 출력 트랜스(15 및 25), 듀플렉서(61, 62 및 63), 및 정합 회로(51, 52, 53 및 54)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)(제 1 주면)에 배치되어 있다. 한편, PA 제어 회로(80), 저잡음 증폭기(30), 스위치(41, 42, 43 및 44)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)(제 2 주면)에 배치되어 있다.
또한, 도 3a에는 도시되어 있지 않지만, 도 1에 나타내어진 송신 경로(AT, BT 및 CT), 및, 수신 경로(AR, BR 및 CR)를 구성하는 배선은, 모듈 기판(91)의 내부, 주면(91a 및 91b)에 형성되어 있다. 또한, 상기 배선은, 양단이 주면(91a, 91b) 및 고주파 모듈(1A)을 구성하는 회로 소자 중 어느 하나에 접합된 본딩 와이어라도 좋고, 또한, 고주파 모듈(1A)을 구성하는 회로 소자의 표면에 형성된 단자, 전극 또는 배선이라도 좋다.
즉, 본 실시예에서는, 전력 증폭기(10A 및 20A)는 주면(91a)(제 1 주면)에 배치되어 있다. 한편, 스위치(42)는 주면(91b)(제 2 주면)에 실장되어 있다. 또한, 전력 증폭기(10A)는, 통신 밴드 A 및 B를 포함하는 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 제 1 전력 증폭기의 일례이며, 전력 증폭기(20A)는, 통신 밴드 C를 포함하는 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 제 2 전력 증폭기의 일례이다. 본 실시예에서는, 제 1 주파수 대역(통신 밴드 A 및 B)은 제 2 주파수 대역(통신 밴드 C)보다 저주파수측에 위치하고 있어도 좋고, 또한, 제 1 주파수 대역(통신 밴드 A 및 B)은 제 2 주파수 대역(통신 밴드 C)보다 고주파수측에 위치하고 있어도 좋다.
본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 상기 구성에 의하면, 전력 증폭기(10A 및 20A)와, 전력 증폭기(10A 및 20A)의 출력 신호가 통과하는 스위치(42)가 양면 실장되므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다. 또한, 비접속의 공통 단자와 선택 단자 사이에서 오프 용량을 갖는 스위치(42)와, 전력 증폭기(10A 및 20A)가, 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치된다. 이것에 의해, 전력 증폭기(10A 및 20A)로부터 출력되는 송신 신호가, 상기 오프 용량을 통해 비접속의 송신 경로 또는 수신 경로로 누설되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(10A 및 20A)로부터 출력되는 고주파 신호의 신호 품질의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 전력 증폭기(10A)는 적어도 증폭 소자(11~13) 및 단간 트랜스(14)를 갖고, 전력 증폭기(20A)는 적어도 증폭 소자(21~23) 및 단간 트랜스(24)를 갖고, 회로 소자수가 많아져 실장 면적이 커지기 때문에, 고주파 모듈(1A)이 대형화되는 경향이 있다. 송신 증폭 회로(10 및 20)가 차동 증폭형의 증폭 회로일 경우에는, 전력 증폭기(10A 및 20A)와 스위치(42)를 모듈 기판(91)으로 나누는 구성은, 고주파 모듈(1A)의 소형화에의 기여가 크다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)는 적어도 일부 겹치고, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)는 적어도 일부 겹쳐 있는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)를 연결하는 송신 신호 배선, 및, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)를 연결하는 송신 신호 배선을 짧게 할 수 있으므로, 송신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.
또한, 출력 트랜스(15, 25), 듀플렉서(61~63), 및 정합 회로(51~54)는 주면(91a)(제 1 주면)에 실장되어 있지만, 주면(91b)(제 2 주면)에 실장되어 있어도 좋다. 또한, 저잡음 증폭기(30), PA 제어 회로(80), 스위치(41, 43 및 44)는 주면(91b)(제 2 주면)에 실장되어 있지만, 주면(91a)(제 1 주면)에 실장되어 있어도 좋다.
또한, 모듈 기판(91)은 복수의 유전체층이 적층된 다층 구조를 갖고, 상기 복수의 유전체층 중 적어도 1개에는, 그라운드 전극 패턴이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 모듈 기판(91)의 전자계 차폐 기능이 향상한다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 모듈 기판(91)의 주면(91b) (제 2 주면)측에 복수의 외부 접속 단자(150)가 배치되어 있다. 고주파 모듈(1A)은, 고주파 모듈(1A)의 z축 부방향측에 배치되는 외부 기판과, 복수의 외부 접속 단자(150)를 경유해서, 전기 신호의 수수를 행한다. 도 3a의 (b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 외부 접속 단자에는 안테나 접속 단자(100), 송신 입력 단자(111, 112, 121 및 122), 수신 출력 단자(130), 및 제어 신호 단자(140)가 포함된다. 또한, 복수의 외부 접속 단자(150) 중 몇개는 외부 기판의 그라운드 전위로 설정된다. 주면(91a 및 91b) 중, 외부 기판과 대향하는 주면(91b)에는, 저배화가 곤란한 전력 증폭기(10A 및 20A)가 배치되지 않고, 저배화가 용이한 저잡음 증폭기(30), PA 제어 회로(80), 및 스위치(41~44)가 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A) 전체를 저배화하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 전력 증폭기(10A 및 20A)가 주면(91a)에 배치되고, 저잡음 증폭기(30)가 주면(91b)에 배치되어 있다. 이것에 의하면, 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(10A 및 20A)와, 수신 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기(30)가 양면에 나뉘어 배치되므로, 송수신 간의 아이솔레이션을 향상할 수 있다.
또한, 도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 주면(91b)(제 2 주면)에 배치된 저잡음 증폭기(30)와 스위치(42) 사이에, 그라운드 전위로 설정된 외부 접속 단자(150)가 배치되어 있다.
이것에 의하면, 수신 회로의 수신 감도에 크게 영향을 주는 저잡음 증폭기(30)와, 고출력의 송신 신호가 통과하는 스위치(42) 사이에, 그라운드 전극으로서 적용되는 외부 접속 단자(150)가 복수 배치되므로, 송신 신호 및 그 고조파 등에 의한 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 전력 증폭기(10A 및 20A)는 고주파 모듈(1A)이 갖는 회로 부품 중에서 발열량이 큰 부품이다. 고주파 모듈(1A)의 방열성을 향상시키기 위해서는, 전력 증폭기(10A 및 20A)의 발열을, 작은 열저항을 갖는 방열 경로에서 외부 기판에 방열하는 것이 중요하다. 가령, 전력 증폭기(10A 및 20A)를 주면(91b)에 실장했을 경우, 전력 증폭기(10A 및 20A)에 접속되는 전극 배선은 주면(91b) 상에 배치된다. 이 때문에, 방열 경로로서는, 주면(91b) 상의(xy 평면 방향을 따르는) 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 포함하게 된다. 상기 평면 배선 패턴은 금속 박막으로 형성되기 때문에 열저항이 크다. 이 때문에, 전력 증폭기(10A 및 20A)를 주면(91b) 상에 배치했을 경우에는 방열성이 저하되어 버린다.
이것에 대하여, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 주면(91a)에서 전력 증폭기(10A)의 그라운드 전극에 접속되고, 주면(91a)으로부터 주면(91b)에 이르는 방열용 비아 도체(95V)를 더 구비한다. 또한, 방열용 비아 도체(95V)는, 주면(91b)에서 복수의 외부 접속 단자(150) 중 그라운드 전위로 설정된 외부 접속 단자(150)와 접속되어 있다.
이것에 의하면, 전력 증폭기(10A)를 주면(91a)에 실장했을 경우, 방열용 비아 도체(95V)를 통해, 전력 증폭기(10A)와 외부 접속 단자(150)를 접속할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(10A)의 방열 경로로서, 모듈 기판(91) 내의 배선 중 열저항이 큰 xy 평면 방향을 따르는 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(10A)로부터의 외부 기판으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈(1A)을 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 도 3b에서는 전력 증폭기(10A), 방열용 비아 도체(95V), 및 외부 접속 단자(150)가 접속되어 있는 구성을 예시했지만, 고주파 모듈(1A)은 전력 증폭기(20A), 방열용 비아 도체(95V), 및 외부 접속 단자(150)가 접속된 구성을 갖고 있어도 좋다. 이것에 의해, 전력 증폭기(20A)로부터의 외부 기판으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈(1A)을 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 출력 트랜스(15 및 25)는 주면(91a)에 배치되어 있지만, 출력 트랜스(15 및 25)는 주면(91b)에 배치되어도 좋고, 또한, 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 좋다. 출력 트랜스(15 및 25)가 모듈 기판(91)에 내장되어 있을 경우에는, 출력 트랜스(15 및 25)를 구성하는 인덕터는, 예를 들면 모듈 기판(91)의 도전 패턴으로 형성된 평면 코일이다. 이와 같은 출력 트랜스(15 및 25)의 배치 구성에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 전력 증폭기(10A 및 20A)의 각각은 출력 트랜스(15 및 25)와 겹치지 않는 것이 바람직하다.
출력 트랜스(15 및 25)는, 고출력의 송신 신호에 대응해서 높은 Q값을 필요로 하기 때문에, 전력 증폭기(10A 및 20A)가 근접함으로써 출력 트랜스(15 및 25)에 의해 형성되는 자계가 변화되지 않는 것이 바람직하다. 상기 영역에 전력 증폭기(10A 및 20A)가 형성되어 있지 않음으로써, 출력 트랜스(15 및 25)를 구성하는 인덕터의 높은 Q값을 유지할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 출력 트랜스(15 및 25)는 주면(91a)에 배치되고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15)와 겹치는 주면(91b) 상의 영역, 및, 출력 트랜스(25)와 겹치는 주면(91b) 상의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않은 것이 바람직하다. 출력 트랜스(15 및 25)는, 예를 들면 복수의 인덕터가 내장된 칩 형상의 표면 실장 소자이다. 또한, 출력 트랜스(15 및 25)는, 예를 들면, 인덕터 등의 수동 소자가 Si 기판의 내부 또는 표면에 집적 실장된 집적형 수동 소자(IPD: Integrated Passive Device)라도 좋다. 출력 트랜스(15 및 25)가 IPD일 경우에는 고주파 모듈(1A)의 소형화를 촉진할 수 있다.
출력 트랜스(15 및 25)는 고출력의 송신 신호에 대응해서 높은 Q값을 필요로 하기 때문에, 다른 회로 부품이 근접함으로써 출력 트랜스(15 및 25)에 의해 형성되는 자계가 변화되지 않는 것이 바람직하다. 상기 영역에 회로 부품이 형성되어 있지 않음으로써, 출력 트랜스(15 및 25)를 구성하는 인덕터의 높은 Q값을 유지할 수 있다.
또한, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 모듈 기판(91)에 있어서의 영역이며 출력 트랜스(15 및 25)의 형성 영역과 겹치는 영역에는, 그라운드 전극층은 형성되어 있지 않은 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 출력 트랜스(15 및 25)와 그라운드 전극의 거리를 크게 확보하는 것이 가능해지기 때문에, 출력 트랜스(15 및 25)를 구성하는 인덕터의 높은 Q값을 유지할 수 있다.
또한, 출력 트랜스(15 및 25)의 형성 영역은 이하와 같이 정의된다. 또한, 이하에서는, 출력 트랜스(15)의 형성 영역에 대해서 나타내지만, 출력 트랜스(25)의 형성 영역에 대해서도 출력 트랜스(15)의 형성 영역과 마찬가지로 정의되기 때문에, 출력 트랜스(25)의 형성 영역의 정의에 대해서는 생략한다.
출력 트랜스(15)의 형성 영역이란, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 1차측 코일(15a)의 형성 영역과 2차측 코일(15b)의 형성 영역을 포함하는 최소 영역이다.
여기에서, 2차측 코일(15b)은 1차측 코일(15a)을 따라 형성되고, 1차측 코일(15a)과의 제 1 거리가 대략 일정한 구간에 배치된 배선 도체로 정의된다. 이 때, 상기 구간의 양측에 위치하는 배선 도체는, 1차측 코일(15a)과의 거리가 제 1 거리보다 큰 제 2 거리이며, 2차측 코일(15b)의 일단 및 타단은, 배선 도체의 1차측 코일(15a)까지의 거리가 제 1 거리로부터 제 2 거리로 변화되는 지점이다. 또한, 1차측 코일(15a)은 2차측 코일(15b)을 따라 형성되고, 2차측 코일(15b)과의 제 1 거리가 대략 일정한 구간에 배치된 배선 도체로 정의된다. 이 때, 상기 구간의 양측에 위치하는 배선 도체는 2차측 코일(15b)과의 거리가 제 1 거리보다 큰 제 2 거리이며, 1차측 코일(15a)의 일단 및 타단은, 배선 도체의 2차측 코일(15b)까지의 거리가 제 1 거리로부터 제 2 거리로 변화되는 지점이다.
또는, 2차측 코일(15b)은 1차측 코일(15a)을 따라 형성되고, 선폭이 대략 일정한 제 1 폭을 갖는 제 1 구간에 배치된 배선 도체로 정의된다. 또한, 1차측 코일(15a)은 2차측 코일(15b)을 따라 형성되고, 선폭이 대략 일정한 제 1 폭을 갖는 제 1 구간에 배치된 배선 도체로 정의된다.
또는, 2차측 코일(15b)은 1차측 코일(15a)을 따라 형성되고, 막두께가 대략 일정한 제 1 막두께를 갖는 제 1 구간에 배치된 배선 도체로 정의된다. 또한, 1차측 코일(15a)은 2차측 코일(15b)을 따라 형성되고, 막두께가 대략 일정한 제 1 막두께를 갖는 제 1 구간에 배치된 배선 도체로 정의된다.
또는, 2차측 코일(15b)은 1차측 코일(15a)을 따라 형성되고, 1차측 코일(15a)과의 결합도가 대략 일정한 제 1 결합도를 갖는 제 1 구간에 배치된 배선 도체로 정의된다. 또한, 1차측 코일(15a)은 2차측 코일(15b)을 따라 형성되고, 2차측 코일(15b)과의 결합도가 대략 일정한 제 1 결합도를 갖는 제 1 구간에 배치된 배선 도체로 정의된다.
도 4a는 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1D)에 있어서의 출력 트랜스(15)의 배치를 나타내는 단면 구성 개략도이다. 동 도면에는, 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1D)의 단면 구성 중, 출력 트랜스(15)의 배치가 기재되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1D)이 구비하는 출력 트랜스(15 및 25) 이외의 회로 부품의 배치 구성은, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 동일하다. 고주파 모듈(1D)에 있어서, 출력 트랜스(15 및 25)는 주면(91b)에 배치되어 있다. 이 경우에는, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15 및 25)의 형성 영역과 겹치는 주면(91a)의 영역에는 회로 부품은 배치되어 있지 않은 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 주면(91a)의 상기 영역에 회로 부품이 배치되어 있지 않으므로, 출력 트랜스(15 및 25)의 인덕터의 Q값이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
도 4b는 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1E)에 있어서의 출력 트랜스(15)의 배치를 나타내는 단면 구성 개략도이다. 동 도면에는, 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1E)의 단면 구성 중, 출력 트랜스(15)의 배치가 기재되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1E)이 구비하는 출력 트랜스(15 및 25) 이외의 회로 부품의 배치 구성은, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 동일하다. 고주파 모듈(1E)에 있어서, 출력 트랜스(15 및 25)는, 주면(91a)과 주면(91b) 사이의 모듈 기판(91)의 내부이며 주면(91a)에 가까이 형성되어 있다. 이 경우에는, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15 및 25)의 형성 영역과 중복되는 주면(91a)의 영역에는 회로 부품은 배치되어 있지 않고, 출력 트랜스(15 및 25)의 형성 영역과 중복되는 주면(91b)의 영역에는 회로 부품(도시하지 않음)은 배치되어 있어도 좋다.
이 경우여도, 출력 트랜스(15 및 25)에 의해 근접하는 주면(91a)의 상기 영역에 회로 부품이 배치되어 있지 않으므로, 출력 트랜스(15 및 25)의 인덕터의 Q값이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
도 4c는 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1F)에 있어서의 출력 트랜스(15)의 배치를 나타내는 단면 구성 개략도이다. 동 도면에는, 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1F)의 단면 구성 중, 출력 트랜스(15)의 배치가 기재되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1F)이 구비하는 출력 트랜스(15 및 25) 이외의 회로 부품의 배치 구성은, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 동일하다. 고주파 모듈(1F)에 있어서, 출력 트랜스(15 및 25)는, 주면(91a)과 주면(91b) 사이의 모듈 기판(91)의 내부이며 주면(91b)에 가까이 형성되어 있다. 이 경우에는, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15 및 25)의 형성 영역과 중복되는 주면(91b)의 영역에는 회로 부품은 배치되어 있지 않고, 출력 트랜스(15 및 25)의 형성 영역과 중복되는 주면(91a)의 영역에는 회로 부품(도시하지 않음)은 배치되어 있어도 좋다.
이 경우여도, 출력 트랜스(15 및 25)에 의해 근접하는 주면(91b)의 상기 영역에 회로 부품이 배치되어 있지 않으므로, 출력 트랜스(15 및 25)의 인덕터의 Q값이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 4b에 나타내어진 고주파 모듈(1E), 및, 도 4c에 나타내어진 고주파 모듈(1F)에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15 및 25)와 겹치는 주면(91a) 상의 영역 및 주면(91b) 상의 영역의 쌍방에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않은 것이 보다 바람직하다.
이것에 의하면, 출력 트랜스(15 및 25)의 인덕터의 Q값이 저하되는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 전력 증폭기(10A 및 20A)가 주면(91a)에 배치되고, 스위치(42)가 주면(91b)에 배치되었지만, 전력 증폭기(10A 및 20A)가 주면(91b)에 배치되고, 스위치(42)가 주면(91a)에 배치되어도 좋다. 이것에 의해서도, 전력 증폭기(10A 및 20A)와 스위치(42)가 양면 실장되므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다. 또한, 비접속의 공통 단자와 선택 단자 사이에서 오프 용량을 갖는 스위치(42)와, 전력 증폭기(10A 및 20A)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치된다. 이것에 의해, 전력 증폭기(10A 및 20A)로부터 출력되는 송신 신호가, 상기 오프 용량을 통해 비접속의 송신 경로 또는 수신 경로로 누설되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(10A 및 20A)로부터 출력되는 고주파 신호의 신호 품질의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 전력 증폭기(10A 및 20A)는 주면(91a)(제 1 주면)에 배치되어 있다. 한편, PA 제어 회로(80)는 주면(91b)(제 2 주면)에 실장되어 있다.
상기 구성에 의하면, 전력 증폭기(10A 및 20A)와, 전력 증폭기(10A 및 20A)를 제어하는 PA 제어 회로(80)가 양면 실장되므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다. 또한, 디지털 제어 신호를 입출력하는 PA 제어 회로(80)와 전력 증폭기(10A 및 20A)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되므로, 전력 증폭기(10A 및 20A)가 디지털 노이즈를 받는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(10A 및 20A)로부터 출력되는 고주파 신호의 신호 품질의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, PA 제어 회로(80), 스위치(41 및 42)는 1개의 반도체 IC(70)에 포함되어 있고, 반도체 IC(70)는 주면(91b)에 배치되어 있다. 이것에 의해, 송신 증폭 회로(10 및 20)에 접속되는 PA 제어 회로(80), 스위치(41 및 42)가 근접하므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다. 또한, PA 제어 회로(80)와 스위치(41)를 연결하는 제어 배선, 및, PA 제어 회로(80)와 스위치(42)를 연결하는 제어 배선을 짧게 할 수 있으므로, 상기 제어 배선으로부터의 노이즈의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 반도체 IC(70)는 스위치(41 및 42) 중 적어도 일방을 포함하지 않아도 좋다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 저잡음 증폭기(30), 스위치(43 및 44)는 1개의 반도체 IC(75)에 포함되어 있고, 반도체 IC(75)는 주면(91b)에 배치되어 있다. 이것에 의해, 수신 경로에 배치되는 저잡음 증폭기(30), 스위치(43 및 44)가 근접하므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다.
또한, 반도체 IC(75)는 스위치(43 및 44) 중 적어도 일방을 포함하지 않아도 좋다.
또한, 외부 접속 단자(150)는, 도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 수지 부재(93)를 z축 방향으로 관통하는 기둥 형상 전극이어도 좋고, 또한, 도 5에 나타내어진 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1B)과 같이, 외부 접속 단자(150)는 주면(91b) 상에 형성된 범프 전극(160)이라도 좋다. 이 경우에는, 주면(91b)측의 수지 부재(93)는 없어도 좋다.
또한, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A) 및 변형예 1~3에 따른 고주파 모듈(1D~1F)에 있어서, 외부 접속 단자(150)는 주면(91a)에 배치되어 있어도 좋다. 또한, 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1B)에 있어서, 범프 전극(160)은 주면(91a)에 배치되어 있어도 좋다.
[3. 실시예 2에 따른 고주파 모듈(1C)의 회로 소자 배치 구성]
도 6은 실시예 2에 따른 고주파 모듈(1C)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 6의 (a)에는, 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 6의 (b)에는, 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.
실시예 2에 따른 고주파 모듈(1C)은, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.
본 실시예에 따른 고주파 모듈(1C)은, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 비교하여, 반도체 IC(70)의 배치 구성만이 다르다. 이하, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1C)에 대해서, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 동일한 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1C)에서는, 전력 증폭기(10A 및 20A), 출력 트랜스(15 및 25), 듀플렉서(61, 62 및 63), 및 정합 회로(51, 52, 53 및 54)는, 모듈 기판(91)의 주면(91a)(제 1 주면)에 배치되어 있다. 한편, PA 제어 회로(80), 저잡음 증폭기(30), 스위치(41, 42, 43 및 44)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)(제 2 주면)에 배치되어 있다.
즉, 본 실시예에서는, 전력 증폭기(10A 및 20A)는 주면(91a)(제 1 주면)에 배치되어 있다. 한편, 스위치(42)는 주면(91b)(제 2 주면)에 실장되어 있다.
또한, 전력 증폭기(10A)는, 통신 밴드 A 및 B를 포함하는 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 제 1 전력 증폭기의 일례이며, 전력 증폭기(20A)는, 통신 밴드 C를 포함하는 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 제 2 전력 증폭기의 일례이다. 본 실시예에서는, 제 1 주파수 대역(통신 밴드 A 및 B)은 제 2 주파수 대역(통신 밴드 C)보다 저주파수측에 위치하고 있다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1C)에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)는 적어도 일부 겹치며, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)는 겹쳐 있지 않다.
전력 증폭기(10A 및 20A) 중, 보다 고주파의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(20A)의 쪽이 소비 전력이 크다. 따라서, 전력 증폭기(20A)와 겹치는 주면(91b)의 영역에는, 방열용 비아 도체(95V) 등의 방열 부재가 배치되는 것이 바람직하다. 한편, 전력 증폭기(10A 및 20A)와 스위치(42)를 연결하는 신호 배선에 있어서의 송신 신호의 전송 손실을 저감한다는 관점으로부터, 상기 신호 배선은 보다 짧은 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)가 적어도 일부 겹침으로써 상기 신호 배선을 짧게 할 수 있고, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)가 겹치지 않음으로써 전력 증폭기(20A)의 방열성을 향상시키면서 스위치(42)가 전력 증폭기(20A)로부터의 방열에 의한 데미지를 받는 것을 회피할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1C)에 있어서, 도 6에 나타내는 바와 같이, 출력 트랜스(15)는 출력 트랜스(25)보다 크다. 또한, 출력 트랜스(15)는 출력 트랜스(25)보다 크다란, 출력 트랜스(15)의 체적이 출력 트랜스(25)의 체적보다 큰 것을 가리킨다. 출력 트랜스(15 및 25)의 상기 체적의 대소 관계에 있어서, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)는 적어도 일부 겹치며, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)는 겹쳐 있지 않다.
전력 증폭기(10A 및 20A) 중, 보다 고주파의 송신 신호를 출력하는 출력 트랜스(25)의 쪽이 체적이 작다. 상기 구성에 의하면, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)가 적어도 일부 겹침으로써 상기 신호 배선을 짧게 할 수 있고, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)가 겹치지 않음으로써 전력 증폭기(20A)의 방열성을 향상시키면서 스위치(42)가 전력 증폭기(20A)로부터의 방열에 의한 데미지를 받는 것을 회피할 수 있다.
[4. 효과 등]
이상, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은, 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖는 모듈 기판(91)과, 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(10A)와, 제 1 주파수 대역과 다른 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(20A)와, 전력 증폭기(10A)의 출력 단자 및 전력 증폭기(20A)의 출력 단자에 접속된 스위치(42)를 구비하고, 전력 증폭기(10A 및 20A)는 주면(91a)에 배치되어 있고, 스위치(42)는 주면(91b)에 배치되어 있다.
이것에 의하면, 전력 증폭기(10A 및 20A)와, 전력 증폭기(10A 및 20A)의 출력 신호가 통과하는 스위치(42)가 양면 실장되므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다. 또한, 비접속의 공통 단자와 선택 단자 사이에서 오프 용량을 갖는 스위치(42)와, 전력 증폭기(10A 및 20A)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치된다. 이것에 의해, 전력 증폭기(10A 및 20A)로부터 출력되는 송신 신호가, 상기 오프 용량 을 통해 비접속의 송신 경로 또는 수신 경로로 누설되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(10A 및 20A)로부터 출력되는 고주파 신호의 신호 품질의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1)은 송신 필터(61T 및 62T)를 더 구비하고, 스위치(42)는 적어도 전력 증폭기(10A)와 송신 필터(61T)의 접속, 및, 전력 증폭기(10A)와 송신 필터(62T)의 접속을 스위칭한다.
또한, 고주파 모듈(1)은, 주면(91b)에 배치된 복수의 외부 접속 단자(150)를 더 구비해도 좋다.
이것에 의해, 주면(91a 및 91b) 중, 외부 기판과 대향하는 주면(91b)에는, 저배화가 곤란한 전력 증폭기(10A 및 20A)가 배치되지 않고, 저배화가 용이한 스위치(42)가 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1) 전체를 저배화하는 것이 가능해진다.
또한, 고주파 모듈(1)은, 전력 증폭기(10A 및 20A) 중 적어도 일방의 그라운드 전극에 접속되고, 주면(91a)으로부터 주면(91b)에 이르는 방열용 비아 도체(95V)를 더 구비하고, 방열용 비아 도체(95V)는, 주면(91b)에서 복수의 외부 접속 단자(150) 중 그라운드 전위로 설정된 외부 접속 단자와 접속되어 있어도 좋다.
이것에 의하면, 전력 증폭기(10A)를 주면(91a)에 실장했을 경우, 방열용 비아 도체(95V)를 통해 전력 증폭기(10A)와 외부 접속 단자(150)를 접속할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(10A)의 방열 경로로서, 모듈 기판(91) 내의 배선 중 열저항이 큰 xy 평면 방향을 따르는 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(10A)로부터의 외부 기판으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈(1)을 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 고주파 모듈(1)은, 주면(91b)에 배치된 수신 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기(30)를 더 구비하고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 스위치(42)와 저잡음 증폭기(30) 사이에, 복수의 외부 접속 단자(150) 중 그라운드 전위로 설정된 외부 접속 단자가 배치되어 있어도 좋다.
이것에 의하면, 수신 회로의 수신 감도에 크게 영향을 주는 저잡음 증폭기(30)와, 고출력의 송신 신호가 통과하는 스위치(42) 사이에, 그라운드 전극으로서 적용되는 외부 접속 단자(150)가 복수 배치되므로, 송신 신호 및 그 고조파 등에 의한 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1A)에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)는 적어도 일부 겹치며, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)는 적어도 일부 겹쳐 있어도 좋다.
이것에 의하면, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)를 연결하는 송신 신호 배선, 및, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)를 연결하는 송신 신호 배선을 짧게 할 수 있으므로, 송신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1C)에 있어서, 제 1 주파수 대역은 제 2 주파수 대역보다 저주파수측에 위치하고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)는 적어도 일부 겹치며, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)는 겹쳐 있지 않아도 좋다.
전력 증폭기(10A 및 20A) 중, 보다 고주파의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(20A)의 쪽이 소비 전력이 크다. 따라서, 전력 증폭기(20A)와 겹치는 주면(91b)의 영역에는, 방열용 비아 도체(95V) 등의 방열 부재가 배치되는 것이 바람직하다. 상기 구성에 의하면, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)가 적어도 일부 겹침으로써 상기 신호 배선을 짧게 할 수 있고, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)가 겹치지 않음으로써 전력 증폭기(20A)의 방열성을 향상시키면서 스위치(42)가 전력 증폭기(20A)로부터의 방열에 의한 데미지를 받는 것을 회피할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 전력 증폭기(10A)는 증폭 소자(12 및 13)를 갖고, 전력 증폭기(20A)는 증폭 소자(22 및 23)를 갖고, 고주파 모듈(1)은, 1차측 코일(15a) 및 2차측 코일(15b)을 갖는 출력 트랜스(15)와, 1차측 코일(25a) 및 2차측 코일(25b)을 갖는 출력 트랜스(25)를 더 구비하고, 1차측 코일(15a)의 일단은 증폭 소자(12)의 출력 단자에 접속되고, 1차측 코일(15a)의 타단은 증폭 소자(13)의 출력 단자에 접속되고, 2차측 코일(15b)의 일단은 전력 증폭기(10A)의 출력 단자에 접속되어 있고, 1차측 코일(25a)의 일단은 증폭 소자(22)의 출력 단자에 접속되고, 1차측 코일(25a)의 타단은 증폭 소자(23)의 출력 단자에 접속되고, 2차측 코일(25b)의 일단은 전력 증폭기(20A)의 출력 단자에 접속되어 있고, 전력 증폭기(10A) 및 출력 트랜스(15)는 송신 증폭 회로(10)를 구성하고 있고, 전력 증폭기(20A) 및 출력 트랜스(25)는 송신 증폭 회로(20)를 구성하고 있어도 좋다.
이것에 의하면, 증폭 소자(12 및 13)가 반전 위상에서 동작하므로 송신 증폭 회로(10)의 전력 이득(파워 게인)의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 증폭 소자(22 및 23)가 반전 위상에서 동작하므로 송신 증폭 회로(20)의 전력 이득의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 증폭 소자(12 및 13)에서 증폭된 비반전 신호와 반전 신호가 합성되고, 증폭 소자(22 및 23)에서 증폭된 비반전 신호와 반전 신호가 합성되므로, 고주파 모듈(1)에 있어서의 고조파 성분 등의 불필요파를 저감할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1C)에 있어서, 출력 트랜스(15)는 출력 트랜스(25)보다 크고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)는 적어도 일부 겹치며, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)는 겹쳐 있지 않아도 좋다.
전력 증폭기(10A 및 20A) 중, 보다 고주파의 송신 신호를 출력하는 출력 트랜스(25)의 쪽이 체적이 작다. 상기 구성에 의하면, 전력 증폭기(10A)와 스위치(42)가 적어도 일부 겹침으로써 상기 신호 배선을 짧게 할 수 있고, 또한, 전력 증폭기(20A)와 스위치(42)가 겹치지 않음으로써 전력 증폭기(20A)의 방열성을 향상시키면서 스위치(42)가 전력 증폭기(20A)로부터의 방열에 의한 데미지를 받는 것을 회피할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 전력 증폭기(10A 및 20A)의 각각은 출력 트랜스(15 및 25)와 겹치지 않아도 좋다.
출력 트랜스(15 및 25)는 고출력의 송신 신호에 대응해서 높은 Q값을 필요로 하기 때문에, 전력 증폭기(10A 및 20A)가 근접함으로써 출력 트랜스(15 및 25)에 의해 형성되는 자계가 변화되지 않는 것이 바람직하다. 상기 구성에 의하면, 상기 영역에 전력 증폭기(10A 및 20A)가 형성되어 있지 않음으로써, 출력 트랜스(15 및 25)를 구성하는 인덕터의 높은 Q값을 유지할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 출력 트랜스(15 및 25)는 주면(91a)에 배치되고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15)와 겹치는 주면(91b) 상의 영역, 및, 출력 트랜스(25)와 겹치는 주면(91b) 상의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않아도 좋다.
이것에 의하면, 주면(91b)의 상기 영역에 회로 부품이 배치되어 있지 않으므로, 출력 트랜스(15 및 25)를 구성하는 인덕터의 높은 Q값을 유지할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 출력 트랜스(15 및 25)는 주면(91b)에 배치되고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15)와 겹치는 주면(91a) 상의 영역, 및, 출력 트랜스(25)와 겹치는 주면(91a) 상의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않아도 좋다.
이것에 의하면, 주면(91a)의 상기 영역에 회로 부품이 배치되어 있지 않으므로, 출력 트랜스(15 및 25)를 구성하는 인덕터의 높은 Q값을 유지할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 출력 트랜스(15 및 25)는 주면(91a)과 주면(91b) 사이의 모듈 기판(91)의 내부에 형성되어 있고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15)와 중복되는 주면(91a) 상의 영역 및 주면(91b) 상의 영역, 및, 출력 트랜스(25)와 중복되는 주면(91a) 상의 영역 및 주면(91b) 상의 영역에는 회로 부품은 배치되어 있지 않아도 좋다.
이것에 의하면, 주면(91a) 및 주면(91b)의 상기 영역에 회로 부품이 배치되어 있지 않으므로, 출력 트랜스(15 및 25)를 구성하는 인덕터의 높은 Q값을 유지할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 출력 트랜스(15 및 25)는, 주면(91a)과 주면(91b) 사이의 모듈 기판(91)의 내부이고 주면(91a) 및 주면(91b)의 일방에 가까이 형성되어 있고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15)와 중복되는 주면(91a) 및 주면(91b)의 일방의 영역, 및, 출력 트랜스(25)와 중복되는 주면(91a) 및 주면(91b)의 일방의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않고, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 출력 트랜스(15)와 중복되는 주면(91a) 및 주면(91b)의 타방의 영역, 및, 출력 트랜스(25)와 중복되는 주면(91a) 및 주면(91b)의 타방의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있어도 좋다.
이 경우여도, 출력 트랜스(15 및 25)에 의해 근접하는 주면(91a) 및 주면(91b)의 일방의 영역에 회로 부품이 배치되어 있지 않으므로, 출력 트랜스(15 및 25)의 인덕터의 높은 Q값을 유지할 수 있다.
또한, 통신 장치(5)는 안테나(2)와, 안테나(2)에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RFIC(3)와, 안테나(2)와 RFIC(3) 사이에서 고주파 신호를 전송하는 고주파 모듈(1)을 구비한다.
이것에 의해, 멀티 밴드화에 대응한 소형의 통신 장치(5)를 제공하는 것이 가능해진다.
(그 밖의 실시형태 등)
이상, 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 대해서, 실시형태, 실시예 및 변형예를 들어서 설명했지만, 본 발명에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치는, 상기 실시형태, 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태, 실시예 및 변형예에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합시켜서 실현되는 별도의 실시형태나, 상기 실시형태, 실시예 및 변형예에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해낸 각종 변형을 실시해서 얻어지는 변형예나, 상기 고주파 모듈 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 상기 실시형태, 실시예 및 변형예에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 있어서, 도면에 개시된 각 회로 소자 및 신호 경로를 접속하는 경로의 사이에, 별도의 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어 있어도 좋다.
본 발명은 멀티 밴드 대응의 프론트 엔드부에 배치되는 고주파 모듈로서, 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.

Claims (15)

  1. 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 모듈 기판과,
    제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 제 1 전력 증폭기와,
    상기 제 1 주파수 대역과 다른 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭하는 제 2 전력 증폭기와,
    상기 제 1 전력 증폭기의 출력 단자 및 상기 제 2 전력 증폭기의 출력 단자에 접속된 제 1 스위치를 구비하고,
    상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기는 상기 제 1 주면에 배치되어 있고,
    상기 제 1 스위치는 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 1 송신 필터 및 제 2 송신 필터를 더 구비하고,
    상기 제 1 스위치는, 적어도 상기 제 1 전력 증폭기와 상기 제 1 송신 필터의 접속, 및, 상기 제 1 전력 증폭기와 상기 제 2 송신 필터의 접속을 스위칭하는 고주파 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 주면에 배치된 복수의 외부 접속 단자를 더 구비하는 고주파 모듈.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기 중 적어도 일방의 그라운드 전극에 접속되고, 상기 제 1 주면으로부터 상기 제 2 주면에 이르는 방열용 비아 도체를 더 구비하고,
    상기 방열용 비아 도체는 상기 제 2 주면에서 상기 복수의 외부 접속 단자 중 그라운드 전위에 설정된 외부 접속 단자와 접속되어 있는 고주파 모듈.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 주면에 배치된 수신 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기를 더 구비하고,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우에, 상기 제 1 스위치와 상기 저잡음 증폭기 사이에, 상기 복수의 외부 접속 단자 중 그라운드 전위로 설정된 외부 접속 단자가 배치되어 있는 고주파 모듈.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우, 상기 제 1 전력 증폭기와 상기 제 1 스위치는 적어도 일부 겹치고, 또한, 상기 제 2 전력 증폭기와 상기 제 1 스위치는 적어도 일부 겹쳐 있는 고주파 모듈.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 주파수 대역은 상기 제 2 주파수 대역보다 저주파수측에 위치하고,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우, 상기 제 1 전력 증폭기와 상기 제 1 스위치는 적어도 일부 겹치고, 또한, 상기 제 2 전력 증폭기와 상기 제 1 스위치는 겹쳐 있지 않는 고주파 모듈.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전력 증폭기는 제 1 증폭 소자 및 제 2 증폭 소자를 갖고,
    상기 제 2 전력 증폭기는 제 3 증폭 소자 및 제 4 증폭 소자를 갖고,
    상기 고주파 모듈은,
    제 1 코일 및 제 2 코일을 갖는 제 1 출력 트랜스와,
    제 3 코일 및 제 4 코일을 갖는 제 2 출력 트랜스를 더 구비하고,
    상기 제 1 코일의 일단은 상기 제 1 증폭 소자의 출력 단자에 접속되고, 상기 제 1 코일의 타단은 상기 제 2 증폭 소자의 출력 단자에 접속되고, 상기 제 2 코일의 일단은 상기 제 1 전력 증폭기의 출력 단자에 접속되어 있고,
    상기 제 3 코일의 일단은 상기 제 3 증폭 소자의 출력 단자에 접속되고, 상기 제 3 코일의 타단은 상기 제 4 증폭 소자의 출력 단자에 접속되고, 상기 제 4 코일의 일단은 상기 제 2 전력 증폭기의 출력 단자에 접속되어 있고,
    상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 1 출력 트랜스는 제 1 송신 증폭 회로를 구성하고 있고,
    상기 제 2 전력 증폭기 및 상기 제 2 출력 트랜스는 제 2 송신 증폭 회로를 구성하고 있는 고주파 모듈.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 출력 트랜스는 상기 제 2 출력 트랜스보다 크고,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우, 상기 제 1 전력 증폭기와 상기 제 1 스위치는 적어도 일부 겹치고, 또한, 상기 제 2 전력 증폭기와 상기 제 1 스위치는 겹쳐 있지 않는 고주파 모듈.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우, 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기의 각각은, 상기 제 1 출력 트랜스 및 상기 제 2 출력 트랜스와 겹치지 않는 고주파 모듈.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 출력 트랜스 및 상기 제 2 출력 트랜스는 상기 제 1 주면에 배치되고,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우에, 상기 제 1 출력 트랜스와 겹치는 상기 제 2 주면 상의 영역, 및, 상기 제 2 출력 트랜스와 겹치는 상기 제 2 주면 상의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않는 고주파 모듈.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 출력 트랜스 및 상기 제 2 출력 트랜스는 상기 제 2 주면에 배치되고,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우에, 상기 제 1 출력 트랜스와 겹치는 상기 제 1 주면 상의 영역, 및, 상기 제 2 출력 트랜스와 겹치는 상기 제 1 주면 상의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않는 고주파 모듈.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 출력 트랜스 및 상기 제 2 출력 트랜스는, 상기 제 1 주면과 상기 제 2 주면 사이의 상기 모듈 기판의 내부에 형성되어 있고,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우에, 상기 제 1 출력 트랜스와 중복되는 상기 제 1 주면 상의 영역 및 상기 제 2 주면 상의 영역, 및, 상기 제 2 출력 트랜스와 중복되는 상기 제 1 주면 상의 영역 및 상기 제 2 주면 상의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않는 고주파 모듈.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 출력 트랜스 및 상기 제 2 출력 트랜스는, 상기 제 1 주면과 상기 제 2 주면 사이의 상기 모듈 기판의 내부이며 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면의 일방에 가까이 형성되어 있고,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우에, 상기 제 1 출력 트랜스와 중복되는 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면의 상기 일방의 영역, 및, 상기 제 2 출력 트랜스와 중복되는 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면의 상기 일방의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있지 않고,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우에, 상기 제 1 출력 트랜스와 중복되는 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면의 타방의 영역, 및, 상기 제 2 출력 트랜스와 중복되는 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면의 타방의 영역에는, 회로 부품은 배치되어 있는 고주파 모듈.
  15. 안테나와,
    상기 안테나에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로와,
    상기 안테나와 상기 RF 신호 처리 회로 사이에서 상기 고주파 신호를 전송하는 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치.
KR1020210030526A 2020-03-27 2021-03-09 고주파 모듈 및 통신 장치 KR102476613B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020057626A JP2021158554A (ja) 2020-03-27 2020-03-27 高周波モジュールおよび通信装置
JPJP-P-2020-057626 2020-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210120838A true KR20210120838A (ko) 2021-10-07
KR102476613B1 KR102476613B1 (ko) 2022-12-12

Family

ID=76969041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210030526A KR102476613B1 (ko) 2020-03-27 2021-03-09 고주파 모듈 및 통신 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11394406B2 (ko)
JP (1) JP2021158554A (ko)
KR (1) KR102476613B1 (ko)
CN (2) CN216851961U (ko)
DE (1) DE202021101541U1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021164022A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN114285429A (zh) * 2021-12-28 2022-04-05 中国航天科工集团八五一一研究所 一种二次谐波抑制较高的宽带接收组件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060054090A (ko) * 2004-10-19 2006-05-22 알프스 덴키 가부시키가이샤 휴대전화기용 고주파 모듈
JP2018137522A (ja) 2017-02-20 2018-08-30 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2018168500A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US20200099348A1 (en) * 2018-09-26 2020-03-26 Skyworks Solutions, Inc. Load-line switching for push-pull power amplifiers

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3484090B2 (ja) * 1998-12-22 2004-01-06 株式会社日立製作所 スイッチ型アンテナ共用器および移動無線端末
JP2002064301A (ja) * 1999-03-18 2002-02-28 Hitachi Metals Ltd トリプルバンド用高周波スイッチモジュール
WO2001045285A1 (fr) * 1999-12-14 2001-06-21 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Composant composite, haute frequence, de commutation
JP2003032035A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Alps Electric Co Ltd 送受信ユニット
JP2003087149A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
JP2003087150A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
WO2003036806A1 (fr) * 2001-10-24 2003-05-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module de commutation composee haute frequence, et terminal de communication equipe de ce module
US6975841B2 (en) * 2001-11-12 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diplexer, and high-frequency switch and antenna duplexer using the same
US20040232982A1 (en) * 2002-07-19 2004-11-25 Ikuroh Ichitsubo RF front-end module for wireless communication devices
CN100536328C (zh) * 2002-10-25 2009-09-02 日立金属株式会社 平衡－不平衡型多频带滤波模块
US7295814B2 (en) * 2003-02-05 2007-11-13 Hitachi Metals, Ltd. Antenna switch circuit and antenna switch module
US7149496B2 (en) * 2003-03-27 2006-12-12 Kyocera Corporation High-frequency module and radio communication apparatus
JP4010504B2 (ja) * 2003-06-04 2007-11-21 日立金属株式会社 マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機
TWI220338B (en) * 2003-08-15 2004-08-11 Delta Electronics Inc Front end module for mobile telecommunication system
DE10340438B4 (de) * 2003-09-02 2005-08-04 Epcos Ag Sendemodul mit verbesserter Wärmeabführung
TW200520201A (en) * 2003-10-08 2005-06-16 Kyocera Corp High-frequency module and communication apparatus
US7596357B2 (en) * 2004-02-27 2009-09-29 Kyocera Corporation High-frequency switching circuit, high-frequency module, and wireless communications device
TWI288883B (en) * 2004-09-27 2007-10-21 Murata Manufacturing Co RF circuit module
JP4134129B2 (ja) * 2004-10-28 2008-08-13 Ｔｄｋ株式会社 高周波モジュール
JP4134004B2 (ja) * 2004-11-15 2008-08-13 Ｔｄｋ株式会社 高周波モジュール
JP4774791B2 (ja) * 2005-04-06 2011-09-14 日立金属株式会社 高周波モジュール
JPWO2006134959A1 (ja) * 2005-06-17 2009-01-08 松下電器産業株式会社 多重モード薄膜弾性波共振器フィルタ
JP2007073849A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Sharp Corp 電子回路モジュールとその製造方法
US7768792B2 (en) * 2005-09-12 2010-08-03 Lg Innotek Co., Ltd. Front end module
US8130787B2 (en) * 2006-01-17 2012-03-06 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit device, and communications apparatus comprising same
JP4637026B2 (ja) * 2006-02-08 2011-02-23 株式会社日立メディアエレクトロニクス 高周波回路装置及びこれを搭載した通信装置。
DE102006015072B4 (de) * 2006-03-31 2017-06-01 Epcos Ag Mobilfunkmodul für Multi-Band-Multi-Mode Betrieb
EP1850491A3 (en) * 2006-04-26 2012-02-22 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency device and communications apparatus
EP2128996B1 (en) * 2006-12-19 2018-07-18 Hitachi Metals, Ltd. High frequency circuit, high frequency component and communication device
DE102007019082B4 (de) * 2007-04-23 2018-04-05 Snaptrack Inc. Frontendmodul
US20090128254A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-21 Tdk Corporation High frequency electronic component
US7978031B2 (en) * 2008-01-31 2011-07-12 Tdk Corporation High frequency module provided with power amplifier
US8767859B2 (en) * 2008-06-25 2014-07-01 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency device, and communications apparatus
JP5158205B2 (ja) * 2008-10-20 2013-03-06 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
US8803632B2 (en) * 2008-11-05 2014-08-12 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency device, and multiband communications apparatus
WO2010087307A1 (ja) * 2009-01-29 2010-08-05 株式会社村田製作所 デュプレクサモジュール
WO2010143472A1 (ja) * 2009-06-11 2010-12-16 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
JP2011066599A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Renesas Electronics Corp 電力増幅装置
SG183135A1 (en) * 2010-02-04 2012-09-27 Taiyo Yuden Kk Filter, duplexer, communication module, communication device
US8644198B2 (en) * 2010-03-12 2014-02-04 Rf Micro Devices, Inc. Split-band power amplifiers and duplexers for LTE-advanced front end for improved IMD
JP5530265B2 (ja) * 2010-06-21 2014-06-25 パナソニック株式会社 電力増幅器
DE112011102499T5 (de) * 2010-07-27 2013-06-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hochfrequenzmodul
JP5590134B2 (ja) * 2010-09-29 2014-09-17 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN103283152B (zh) * 2011-01-06 2015-06-24 株式会社村田制作所 高频模块
US9866178B2 (en) * 2011-02-24 2018-01-09 Dsp Group Ltd. Radio frequency circuitr having an integrated harmonic filter and a radio frequency circuit having transistors of different threshold voltages
CN103430457B (zh) * 2011-03-24 2015-05-13 株式会社村田制作所 高频模块
JP5723667B2 (ja) * 2011-04-27 2015-05-27 太陽誘電株式会社 ラダーフィルタ、分波器及びモジュール
JP2012253497A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Taiyo Yuden Co Ltd 電子回路及び電子モジュール
US9118302B2 (en) * 2011-08-08 2015-08-25 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd Filter module
CN103814526B (zh) * 2011-09-22 2016-07-06 埃普科斯股份有限公司 用于频带聚合模式的前端电路
US9667306B2 (en) * 2011-10-26 2017-05-30 Adam James Wang Multimode multiband wireless device with broadband power amplifier
JP6017868B2 (ja) * 2011-11-04 2016-11-02 太陽誘電株式会社 分波器、フィルタ及び通信モジュール
JP5776847B2 (ja) * 2012-05-09 2015-09-09 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
US9319005B2 (en) * 2012-07-13 2016-04-19 Rf Micro Devices, Inc. Multi-band/multi-mode power amplifier with signal path hardware sharing
JP5859399B2 (ja) * 2012-08-10 2016-02-10 太陽誘電株式会社 高周波回路および通信装置。
KR101991489B1 (ko) * 2012-09-03 2019-09-30 삼성전자주식회사 무선 통신 회로와 장치 및 그 제어 방법
US9178555B2 (en) * 2013-02-20 2015-11-03 Micro Mobio Corporation World band radio frequency front end module, system and method thereof
US9515615B2 (en) * 2013-02-20 2016-12-06 Micro Mobio Corporation World band radio frequency front end module, system and method thereof
US20150236748A1 (en) * 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
US9935760B2 (en) * 2013-04-16 2018-04-03 Qorvo Us, Inc. Tunable filter for LTE bands
DE112014006008B4 (de) * 2013-12-25 2022-07-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elektronikkomponentenmodul
CN106464218B (zh) * 2014-02-25 2019-05-10 天工方案公司 关于改进的射频模块的系统、设备和方法
US9906318B2 (en) * 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
US9641201B2 (en) * 2014-04-29 2017-05-02 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency integrated circuit
KR20160039437A (ko) * 2014-10-01 2016-04-11 삼성전자주식회사 트랜시버 및 그 트랜시버의 동작 방법
US9866366B2 (en) * 2014-11-06 2018-01-09 Skyworks Solutions, Inc. Mobile device front end architecture for time division duplexing
CN107113019B (zh) * 2014-12-25 2019-06-21 株式会社村田制作所 高频模块
US10103695B2 (en) * 2014-12-30 2018-10-16 Skyworks Solutions, Inc. Integrated CMOS transmit/receive switch in a radio frequency device
US10149347B2 (en) * 2015-01-07 2018-12-04 Skyworks Solutions, Inc. Front-end integrated circuit for WLAN applications
WO2016129401A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 株式会社 村田製作所 送受信モジュール
JP2016149743A (ja) * 2015-02-15 2016-08-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器
US10211861B2 (en) * 2015-03-17 2019-02-19 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode integrated front end module
US9705557B2 (en) * 2015-04-27 2017-07-11 Taiyo Yuden Co., Ltd. Front end circuit, module, and communication device
CN112886972B (zh) * 2015-07-17 2022-08-30 株式会社村田制作所 前端模块
US9660614B2 (en) * 2015-07-31 2017-05-23 Nuvotronics, Inc. Stacked, switched filter banks
WO2017033564A1 (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US20170093442A1 (en) * 2015-09-28 2017-03-30 Skyworks Solutions, Inc. Integrated front-end architecture for carrier aggregation
WO2017057567A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
WO2017057568A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JP6358238B2 (ja) * 2015-11-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US10256863B2 (en) * 2016-01-11 2019-04-09 Qualcomm Incorporated Monolithic integration of antenna switch and diplexer
US10560127B2 (en) * 2016-01-28 2020-02-11 Amazon Technologies, Inc. Antenna structures and reflective chambers of a multi-radio, multi-channel (MRMC) mesh network device
JP6411398B2 (ja) * 2016-03-14 2018-10-24 太陽誘電株式会社 フィルタ回路、フロントエンド回路およびモジュール
WO2017169645A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社村田製作所 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JP2017184060A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社村田製作所 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
US9876513B2 (en) * 2016-03-31 2018-01-23 Qualcomm Incorporated LC filter layer stacking by layer transfer to make 3D multiplexer structures
US10263647B2 (en) * 2016-04-09 2019-04-16 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexing architectures for wireless applications
US10362678B2 (en) * 2016-04-18 2019-07-23 Skyworks Solutions, Inc. Crystal packaging with conductive pillars
WO2017210814A1 (zh) * 2016-06-06 2017-12-14 华为技术有限公司 互感耦合滤波器及无线保真WiFi模组
US10103754B2 (en) * 2016-07-17 2018-10-16 Skyworks Solutions, Inc. Architectures and methods related to transmit signal routing with re-use of filters
US10075199B2 (en) * 2016-07-17 2018-09-11 Skyworks Solutions, Inc. Uplink carrier aggregation front-end architecture that supports simultaneous MIMO
US10312193B2 (en) * 2016-08-12 2019-06-04 Qualcomm Incorporated Package comprising switches and filters
KR101854309B1 (ko) * 2016-11-16 2018-05-03 주식회사 케이엠더블유 Mimo 안테나 어셈블리
US10477550B2 (en) * 2016-11-30 2019-11-12 Skyworks Solutions, Inc. Front-end modules for carrier aggregation
JP2018098578A (ja) * 2016-12-09 2018-06-21 株式会社村田製作所 通信モジュール
JP2019537391A (ja) * 2016-12-12 2019-12-19 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 周波数及び偏波が再構成可能なアンテナシステム
US10284177B2 (en) * 2016-12-21 2019-05-07 Skyworks Solutions, Inc. Filter with over temperature protection
WO2018123698A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
TWI692935B (zh) * 2016-12-29 2020-05-01 美商天工方案公司 前端系統及相關裝置、積體電路、模組及方法
US9929769B1 (en) * 2017-01-20 2018-03-27 Resonant Inc. Communications receiver using multi-band transmit blocking filters
KR20180115219A (ko) * 2017-04-12 2018-10-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전력 증폭 모듈 및 고주파 모듈
CN107332573B (zh) * 2017-07-25 2021-04-13 Oppo广东移动通信有限公司 一种射频电路、天线装置及电子设备
US10734331B2 (en) * 2017-08-16 2020-08-04 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with an embedded inductor or transformer
US10979088B2 (en) * 2017-12-15 2021-04-13 Skyworks Solutions, Inc. Front end architecture for selectively adding external carrier aggregation band
US10778290B2 (en) * 2018-02-06 2020-09-15 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency front-end systems
WO2019169025A1 (en) * 2018-03-02 2019-09-06 Skyworks Solutions, Inc. Lamb wave loop circuit for acoustic wave filter
US10510694B2 (en) * 2018-04-18 2019-12-17 Analog Devices, Inc. Radio frequency communication systems
DE102019204755A1 (de) * 2018-04-18 2019-10-24 Skyworks Solutions, Inc. Akustikwellenvorrichtung mit mehrschichtigem piezoelektrischem substrat
CN112438024B (zh) * 2018-07-19 2022-10-14 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
US10749512B2 (en) * 2018-10-08 2020-08-18 Skyworks Solutions, Inc. Switch control circuitry
US11616279B2 (en) * 2018-11-26 2023-03-28 Thinkrf Corporation Stackable RF filter for a receiver or transmitter
CN109379053B (zh) * 2018-12-07 2020-09-25 曹秀妹 可切换负载线的匹配电路、负载线切换方法及功率放大器
US11522513B2 (en) * 2019-02-27 2022-12-06 Skyworks Global Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator structure
US11658688B2 (en) * 2019-05-01 2023-05-23 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexer with bulk acoustic wave filter and multilayer piezoelectric substrate filter
US20200412403A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Skyworks Solutions, Inc. Rf front-end with filter-based interface to multi-feed antenna
US11323097B2 (en) * 2019-07-24 2022-05-03 Skyworks Solutions, Inc. Bulk acoustic wave filters on shared die
US11411552B2 (en) * 2019-08-08 2022-08-09 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexer with acoustic wave filter including resonators on a plurality of die
JP7273693B2 (ja) * 2019-11-05 2023-05-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060054090A (ko) * 2004-10-19 2006-05-22 알프스 덴키 가부시키가이샤 휴대전화기용 고주파 모듈
JP2018137522A (ja) 2017-02-20 2018-08-30 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2018168500A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US20200099348A1 (en) * 2018-09-26 2020-03-26 Skyworks Solutions, Inc. Load-line switching for push-pull power amplifiers

Also Published As

Publication number Publication date
DE202021101541U1 (de) 2021-07-01
US11394406B2 (en) 2022-07-19
US11881876B2 (en) 2024-01-23
US20220311456A1 (en) 2022-09-29
CN216851961U (zh) 2022-06-28
JP2021158554A (ja) 2021-10-07
US20210306011A1 (en) 2021-09-30
CN214851219U (zh) 2021-11-23
KR102476613B1 (ko) 2022-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102395710B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102499032B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102414508B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102611705B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102543348B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102584792B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102575255B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신장치
KR102452114B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102476613B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102516508B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
KR102576367B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant