JP3752232B2 - フロントエンドモジュール - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等の通信装置において送信信号および受信信号を処理するためのフロントエンドモジュールおよび高周波機能モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話は、第３世代を迎え、単なる通話機能だけではなく、高速データ通信機能をも有することが必須となりつつある。そのため、各国において、高速データ通信を可能にする種々の多重化方式の採用が検討されている。しかしながら、多重化方式の統一は困難な状況である。そのため、携帯電話には、マルチモード（複数方式）およびマルチバンド（複数の周波数帯）に対応することが求められている。
【０００３】
例えば、欧州では、既に、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）方式とＤＣＳ（Digital Cellular System）方式とに対応可能なデュアルバンド型携帯電話が全域で普及している。ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式は、いずれも時分割多重接続方式である。欧州では、第３世代携帯電話として、上記の２方式に加え、大きなデータ通信速度（例えば２Ｍｂｐｓ）を実現することができる広帯域符号分割多重接続（以下、Ｗ−ＣＤＭＡとも記す。）方式にも対応可能なデュアルモード・トリプルバンド型携帯電話を採用することを予定している。
【０００４】
携帯電話では、上述のように新たな機能が付加されると、回路がより複雑になると共に部品点数が増える。そのため、携帯電話では、より高密度の部品実装技術が要求されている。また、このような事情から、携帯電話の内部の高周波回路では、その実装スペースを削減するため、部品の小型軽量化、複合化および集積化が不可欠となっている。
【０００５】
ところで、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式に対応したデュアルバンド型携帯電話のフロントエンドモジュールは、例えば特許文献１に開示されているように既に知られていると共に、既に実用化されている。このフロントエンドモジュールでは、例えばダイプレクサを用いてＧＳＭ方式に対応した周波数帯域とＤＣＳ方式に対応した周波数帯域とを分離すると共に、例えば高周波スイッチを用いて送信信号と受信信号との分離を行うようになっている。
【０００６】
ここで、例えばＧＳＭ方式、ＤＣＳ方式およびＷ−ＣＤＭＡ方式に対応可能なデュアルモード・トリプルバンド型携帯電話のフロントエンドモジュールを構成することを考える。このフロントエンドモジュールでは、３つの方式に対応した各周波数帯域を分離すると共に、各方式毎に更に送信信号と受信信号とを分離する必要がある。ただし、Ｗ−ＣＤＭＡ方式は、符号分割多重接続方式であるがゆえに送信機能と受信機能のいずれもが常時動作していなければならない。そのため、Ｗ−ＣＤＭＡ方式では、高周波スイッチを用いて送信信号と受信信号とを時分割で分離することはできない。そのため、Ｗ−ＣＤＭＡ方式における送信信号と受信信号の分離には、アナログ方式の第１世代の携帯電話と同様に、周波数の違いによって送信信号と受信信号とを分離するデュプレクサが用いられる。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−２２５０８８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
現在、Ｗ−ＣＤＭＡ用のデュプレクサとしては、挿入損失の小さい同軸誘電体形のものが多く用いられている。しかしながら、同軸誘電体形のデュプレクサは、大きく重いため、フロントエンドモジュールの小型軽量化には不向きである。また、同軸誘電体形のデュプレクサは、その材質および構造が、従来のフロントエンドモジュールとは異質なため、フロントエンドモジュールの複合化および集積化にも不向きである。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、時分割多重接続方式と符号分割多重接続方式とに対応可能で、且つ小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュールを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式の送信信号および受信信号と符号分割多重接続方式の送信信号および受信信号とを処理するためのモジュールであって、
符号分割多重接続方式の送信信号と符号分割多重接続方式の受信信号とを分離するデュプレクサと、
時分割多重接続方式の送信信号と時分割多重接続方式の受信信号と符号分割多重接続方式の送信信号とを分離するスイッチと、
デュプレクサおよびスイッチを集積するための１つの集積用多層基板とを備え、
デュプレクサは、アンテナに接続されるアンテナ端子と、符号分割多重接続方式の受信信号を出力する受信端子と、符号分割多重接続方式の送信信号が入力される送信端子と、アンテナ端子に接続された第１の端子と、第２の端子と、アンテナ端子と受信端子の間に設けられ、フィルタとして機能する第１の弾性波素子と、第２の端子と送信端子との間に設けられ、フィルタとして機能する第２の弾性波素子とを有し、
スイッチは、可動接点と第１ないし第３の固定接点とを有し、可動接点は第１の端子に接続され、第１の固定接点は第２の端子に接続され、第２の固定接点には時分割多重接続方式の送信信号が入力され、第３の固定接点は時分割多重接続方式の受信信号を出力するものである。
【００１２】
本発明のフロントエンドモジュールでは、２つの弾性波素子を含むデュプレクサによって、符号分割多重接続方式の送信信号と符号分割多重接続方式の受信信号との分離が行われる。また、スイッチによって、時分割多重接続方式の送信信号と時分割多重接続方式の受信信号と符号分割多重接続方式の送信信号との分離が行われる。デュプレクサおよびスイッチは、１つの集積用多層基板によって集積されている。なお、弾性波素子とは、弾性波を利用した素子である。弾性波素子は、弾性表面波を利用する弾性表面波素子でもよいし、バルク弾性波を利用するバルク弾性波素子でもよい。
【００１３】
本発明のフロントエンドモジュールは、更に、スイッチに接続され、時分割多重接続方式の送信信号を通過させるフィルタと、スイッチに接続され、時分割多重接続方式の受信信号を通過させるフィルタと、デュプレクサに接続され、符号分割多重接続方式の受信信号を通過させるフィルタとを備え、集積用多層基板は、更に各フィルタも集積してもよい。
【００１４】
また、本発明のフロントエンドモジュールは、更に、時分割多重接続方式の送信信号を増幅する電力増幅器と、符号分割多重接続方式の送信信号を増幅する電力増幅器とを備え、集積用多層基板は、更に各電力増幅器も集積してもよい。
【００１５】
また、本発明のフロントエンドモジュールは、更に、アンテナを備え、集積用多層基板は、更にアンテナも集積してもよい。
【００１６】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、デュプレクサは、弾性波素子を含む１つまたは２つのチップと、このチップが実装された実装基板とを有し、実装基板は弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分を含み、デュプレクサは集積用多層基板に搭載されていてもよい。
【００１７】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、デュプレクサは、弾性波素子を含み集積用多層基板に搭載された１つまたは２つのチップを有し、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は集積用多層基板に含まれていてもよい。
【００１８】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、デュプレクサは、弾性波素子を含む１つまたは２つのチップと、このチップが実装された１つまたは２つの実装基板とを有し、チップおよび実装基板は集積用多層基板に搭載され、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は集積用多層基板に含まれていてもよい。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
始めに、本発明の第１の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式であるＧＳＭ方式と符号分割多重接続方式であるＷ−ＣＤＭＡ方式とに対応し、これらの各方式の送信信号および受信信号を処理するモジュールである。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域は８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚである。ＧＳＭ方式の受信信号の周波数帯域は９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚである。Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域は１９２０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚである。Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号の周波数帯域は２１１０ＭＨｚ〜２１８０ＭＨｚである。
【００４３】
まず、図１を参照して、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例について説明する。図１に示した高周波回路は、アンテナ１と、このアンテナ１に接続された本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ａと、主に信号の変調および復調を行う集積回路３Ａとを備えている。高周波回路は、更に、ＧＳＭ方式用の２つの電圧制御発振器（図ではＧＳＭ ＶＣＯと記す。）４Ｇ，５Ｇと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の電圧制御発振器（図ではＷ−ＣＤＭＡ ＶＣＯと記す。）６Ｗとを備えている。これらの電圧制御発振器４Ｇ，５Ｇ，６Ｗは集積回路３Ａに接続されている。
【００４４】
高周波回路は、更に、入力端がフロントエンドモジュール２Ａに接続され、出力端が集積回路３Ａに接続されたバンドパスフィルタ（図ではＢＰＦと記す。）２５Ｇと、入力端がフロントエンドモジュール２Ａに接続されたローノイズアンプ（図ではＬＮＡと記す。）３６Ｗと、入力端がローノイズアンプ３６Ｗの出力端に接続され、出力端が集積回路３Ａに接続されたバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えている。バンドパスフィルタ２５Ｇ，３７Ｗは、それぞれ弾性波素子を用いて構成されている。
【００４５】
高周波回路は、更に、入力端が集積回路３Ａに接続された電力増幅器（図ではＰＡと記す。）２１Ｇと、入力端が電力増幅器２１Ｇの出力端に接続されたカプラ２２Ｇと、カプラ２２Ｇの出力に基づいて、電力増幅器２１Ｇの出力利得が一定になるように電力増幅器２１Ｇを制御する自動出力制御回路（図ではＡＰＣと記す。）２３Ｇと、入力端がカプラ２２Ｇの出力端に接続され、出力端がフロントエンドモジュール２Ａに接続されたローパスフィルタ（図ではＬＰＦと記す。）２４Ｇとを備えている。
【００４６】
高周波回路は、更に、入力端が集積回路３Ａに接続されたバンドパスフィルタ３１Ｗと、入力端がバンドパスフィルタ３１Ｗの出力端に接続された電力増幅器３２Ｗと、入力端が電力増幅器３２Ｗの出力端に接続されたカプラ３３Ｗと、カプラ３３Ｗの出力に基づいて、電力増幅器３２Ｗの出力利得が一定になるように電力増幅器３２Ｗを制御する自動出力制御回路３４Ｗと、入力端がカプラ３３Ｗの出力端に接続され、出力端がフロントエンドモジュール２Ａに接続されたアイソレータ３５Ｗとを備えている。バンドパスフィルタ３１Ｗは弾性波素子を用いて構成されている。
【００４７】
次に、フロントエンドモジュール２Ａについて詳しく説明する。フロントエンドモジュール２Ａは、ダイプレクサ１１Ａと、高周波スイッチ１２Ｇと、デュプレクサ１３Ｗとを備えている。ダイプレクサ１１Ａは、第１ないし第３のポートを有している。第１のポートはアンテナ１に接続されている。第２のポートはＧＳＭ方式の信号を入出力するようになっている。第３のポートはＷ−ＣＤＭＡ方式の信号を入出力するようになっている。
【００４８】
ダイプレクサ１１Ａの第２のポートは、高周波スイッチ１２Ｇの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。ダイプレクサ１１Ａの第３のポートはデュプレクサ１３Ｗに接続されている。
【００４９】
デュプレクサ１３Ｗは、共通端子と受信端子（符号Ｒを付した端子）と送信端子（符号Ｔを付した端子）とを有している。デュプレクサ１３Ｗの共通端子は、ダイプレクサ１１Ａの第３のポートに接続されている。デュプレクサ１３Ｗの受信端子は、ローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの送信端子は、アイソレータ３５Ｗの出力端に接続されている。
【００５０】
ダイプレクサ１１Ａは、信号の周波数に応じて、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号とを分離する。具体的に説明すると、ダイプレクサ１１Ａは、第２のポートに入力されたＧＳＭ方式の送信信号と第３のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号を第１のポートより出力すると共に、第１のポートに入力されたＧＳＭ方式の受信信号を第２のポートより出力し、第１のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を第３のポートより出力する。ダイプレクサ１１Ａは、本発明における第１の分離手段に対応する。
【００５１】
高周波スイッチ１２Ｇは、ＧＳＭ方式の送信信号とＧＳＭ方式の受信信号とを分離する。具体的に説明すると、高周波スイッチ１２Ｇは、可動接点に入力されたＧＳＭ方式の受信信号（図では、ＧＳＭ／ＲＸと記す。）を一方の固定接点より出力し、他方の固定接点に入力されたＧＳＭ方式の送信信号（図では、ＧＳＭ／ＴＸと記す。）を可動接点より出力する。高周波スイッチ１２Ｇは、本発明における第２の分離手段に対応する。
【００５２】
デュプレクサ１３Ｗは、周波数の違いによって、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号とＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号とを分離する。具体的に説明すると、デュプレクサ１３Ｗは、共通端子に入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号（図では、ＷＣＤＭＡ／ＲＸと記す。）を受信端子より出力し、送信端子に入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号（図では、ＷＣＤＭＡ／ＴＸと記す。）を共通端子より出力する。
【００５３】
次に、集積回路３Ａについて説明する。集積回路３Ａは、同相成分信号（以下、Ｉ信号と記す。）と直交成分信号（以下、Ｑ信号と記す。）からなるベースバンドの入力信号を入力すると共に、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの出力信号を出力するようになっている。
【００５４】
集積回路３Ａは、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｇの出力端に接続されたミキサ４２Ｇと、入力端がミキサ４２Ｇの出力端に接続された増幅器４３Ｇと、入力端がバンドパスフィルタ３７Ｗの出力端に接続されたミキサ４２Ｗと、入力端がミキサ４２Ｗの出力端に接続された増幅器４３Ｗと、出力端が電力増幅器２１Ｇの入力端に接続されたミキサ４１Ｇと、出力端がバンドパスフィルタ３１Ｗの入力端に接続されたミキサ４１Ｗと備えている。ミキサ４２Ｇは電圧制御発振器５Ｇに接続されている。ミキサ４２Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。ミキサ４１Ｇは電圧制御発振器４Ｇに接続されている。ミキサ４１Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。
【００５５】
集積回路３Ａは、更に、ＧＳＭ方式用の位相同期化ループ回路（図ではＧＳＭＰＬＬと記す。）４４Ｇと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の位相同期化ループ回路（図ではＷ−ＣＤＭＡ ＰＬＬと記す。）４５Ｗとを備えている。位相同期化ループ回路４４Ｇは、電圧制御発振器４Ｇ，５Ｇに接続されている。位相同期化ループ回路４５Ｗは、電圧制御発振器６Ｗに接続されている。
【００５６】
ミキサ４２Ｇは、バンドパスフィルタ２５Ｇの出力信号に、電圧制御発振器５Ｇが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｗは、バンドパスフィルタ３７Ｗの出力信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。
【００５７】
ミキサ４１Ｇは、集積回路３Ａに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器４Ｇが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。ミキサ４１Ｗは、集積回路３Ａに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。
【００５８】
図示しないが、集積回路３Ａは、更に、入力したＩ信号とＱ信号を直交変調し、変調された信号をミキサ４１Ｇ，４１Ｗに送る機能と、増幅器４３Ｇ，４３Ｗの出力信号を直交復調してＩ信号とＱ信号とを生成し、これらを出力する機能とを備えている。なお、ミキサ４１Ｇ，４１Ｗが直交変調する機能を兼ね備えていてもよいし、ミキサ４２Ｇ，４２Ｗが直交復調する機能を兼ね備えていてもよい。
【００５９】
高周波スイッチ１２Ｇより出力されるＧＳＭ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｇを通過してミキサ４２Ｇに入力されるようになっている。デュプレクサ１３Ｗより出力されるＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号は、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを通過してミキサ４２Ｗに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｇの出力信号は、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇを通過して高周波スイッチ１２Ｇに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｗの出力信号は、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗおよびアイソレータ３５Ｗを通過してデュプレクサ１３Ｗに入力されるようになっている。
【００６０】
次に、図２を参照して、ダイプレクサ１１Ａの回路構成の一例について説明する。図２に示したダイプレクサ１１Ａは、第１ないし第３のポート１１１，１１２，１１３を有している。第１のポート１１１はアンテナ１に接続されるようになっている。第２のポート１１２はＧＳＭ方式の信号を入出力するようになっている。第３のポート１１３はＷ−ＣＤＭＡ方式の信号を入出力するようになっている。ダイプレクサ１１Ａは、更に、一端が第１のポート１１１に接続されたキャパシタ１１４と、一端がキャパシタ１１４の他端に接続されたインダクタ１１５と、一端がインダクタ１１５の他端に接続され、他端が第２のポート１１２に接続されたインダクタ１１６と、一端がインダクタ１１５の他端に接続され、他端が第２のポート１１２に接続されたキャパシタ１１７と、一端がインダクタ１１５の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ１１８と、一端が第２のポート１１２に接続され、他端が接地されたキャパシタ１１９とを有している。インダクタ１１５，１１６およびキャパシタ１１７，１１８，１１９は、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号を通過させるローパスフィルタ（ＬＰＦ）を構成している。
【００６１】
ダイプレクサ１１Ａは、更に、一端がキャパシタ１１４の他端に接続されたキャパシタ１２０と、一端がキャパシタ１２０の他端に接続され、他端が第３のポート１１３に接続されたキャパシタ１２１と、一端がキャパシタ１２０の他端に接続されたキャパシタ１２２と、一端がキャパシタ１２２の他端に接続され、他端が接地されたインダクタ１２３とを有している。キャパシタ１２０，１２１，１２２およびインダクタ１２３は、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号を通過させるハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を構成している。
【００６２】
次に、図３を参照して、高周波スイッチ１２Ｇの回路構成の一例について説明する。図３に示した高周波スイッチ１２Ｇは、可動接点１３１と、２つの固定接点１３２，１３３と、２つの制御端子１３４，１３５とを有している。固定接点１３２は、図１において記号Ｔを付した固定接点である。固定接点１３３は、図１において記号Ｒを付した固定接点である。高周波スイッチ１２Ｇは、更に、一端が可動接点１３１に接続されたキャパシタ１３６と、カソードがキャパシタ１３６の他端に接続されたダイオード１３７と、一端がダイオード１３７のアノードに接続され、他端が固定接点１３２に接続されたキャパシタ１３８と、一端がダイオード１３７のアノードに接続され、他端が制御端子１３４に接続されたインダクタ１３９と、一端が制御端子１３４に接続され、他端が接地されたキャパシタ１４０とを有している。
【００６３】
高周波スイッチ１２Ｇは、更に、一端がキャパシタ１３６の他端に接続されたインダクタ１４１と、一端がインダクタ１４１の他端に接続され、他端が固定接点１３３に接続されたキャパシタ１４２と、アノードがインダクタ１４１の他端に接続され、カソードが制御端子１３５に接続されたダイオード１４３と、一端が制御端子１３５に接続され、他端が接地されたキャパシタ１４４とを有している。
【００６４】
高周波スイッチ１２Ｇでは、制御端子１３４に印加される制御信号がハイレベルで、制御端子１３５に印加される制御信号がローレベルのときには、２つのダイオード１３７，１４３が共にオン状態となり、可動接点１３１に固定接点１３２が接続される。一方、制御端子１３４に印加される制御信号がローレベルで、制御端子１３５に印加される制御信号がハイレベルのときには、２つのダイオード１３７，１４３が共にオフ状態となり、可動接点１３１に固定接点１３３が接続される。
【００６５】
次に、図４を参照して、デュプレクサ１３Ｗの回路構成の一例について説明する。図４に示したデュプレクサ１３Ｗは、共通端子１５１と受信端子１５２と送信端子１５３とを有している。デュプレクサ１３Ｗは、更に、一端が共通端子１５１に接続された受信側ディレーライン１５４と、入力端が受信側ディレーライン１５４の他端に接続され、出力端が受信端子１５２に接続された受信側バンドパスフィルタ（図４では受信側ＢＰＦと記す。）１５５とを有している。デュプレクサ１３Ｗは、更に、一端が共通端子１５１に接続された送信側ディレーライン１５６と、出力端が送信側ディレーライン１５６の他端に接続され、入力端が送信端子１５３に接続された送信側バンドパスフィルタ（図４では送信側ＢＰＦと記す。）１５７とを有している。バンドパスフィルタ１５５，１５７は、いずれも弾性波素子を用いて構成されている。
【００６６】
受信側ディレーライン１５４は、受信端子１５２側からデュプレクサ１３Ｗを見たときに、受信信号の周波数帯域ではインピーダンスがほぼ５０Ωとなり、送信信号の周波数帯域ではインピーダンスが十分に大きくなるように、共通端子１５１と受信側バンドパスフィルタ１５５との間に挿入される。同様に、送信側ディレーライン１５６は、送信端子１５３側からデュプレクサ１３Ｗを見たときに、送信信号の周波数帯域ではインピーダンスがほぼ５０Ωとなり、受信信号の周波数帯域ではインピーダンスが十分に大きくなるように、共通端子１５１と送信側バンドパスフィルタ１５７との間に挿入される。なお、バンドパスフィルタ１５５，１５７の構成によっては、受信側ディレーライン１５４と送信側ディレーライン１５６の一方のみを設ければよい場合もある。
【００６７】
なお、図４に示したデュプレクサ１３Ｗにおける共通端子１５１、受信端子１５２、送信端子１５３と、それらに接続される外部の回路との間に、それぞれ、デュプレクサ１３Ｗと外部の回路とのインピーダンス整合を行う整合回路を設けてもよい。図５は、デュプレクサ１３Ｗおよびそれに接続される整合回路の回路構成の一例を示す回路図である。図５に示した例におけるデュプレクサ１３Ｗの構成は、図４に示したデュプレクサ１３Ｗの構成と同様である。図５に示した例では、共通端子１５１に整合回路２０１が接続され、受信端子１５２に整合回路２０２が接続され、送信端子１５３に整合回路２０３が接続されている。これらの整合回路２０１，２０２，２０３は、フロントエンドモジュール２Ａに含まれている。
【００６８】
整合回路２０１は、２つの端子２０４，２０５と、一端が端子２０４に接続されたインダクタ２０６と、一端がインダクタ２０６の他端に接続され、他端が端子２０５に接続されたインダクタ２０７と、一端がインダクタ２０６の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ２０８とを有している。端子２０４は、図１におけるダイプレクサ１１Ａの第３のポートに接続されている。端子２０５は、デュプレクサ１３Ｗの共通端子１５１に接続されている。
【００６９】
整合回路２０２は、２つの端子２１１，２１２と、この端子２１１，２１２の間に接続されたキャパシタ２１３とを有している。端子２１１は、デュプレクサ１３Ｗの受信端子１５２に接続されている。端子２１２は、図１におけるローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されている。
【００７０】
整合回路２０３は、２つの端子２１５，２１６と、一端が端子２１５に接続されたインダクタ２１７と、一端がインダクタ２１７の他端に接続され、他端が端子２１６に接続されたキャパシタ２１８と、一端がキャパシタ２１８の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ２１９とを有している。端子２１５は、デュプレクサ１３Ｗの送信端子１５３に接続されている。端子２１６は、図１におけるアイソレータ３５Ｗの出力端に接続されている。
【００７１】
次に、図６を参照して、ローパスフィルタ２４Ｇの回路構成の一例について説明する。図６に示したローパスフィルタ２４Ｇは、入力端子１６１と出力端子１６２とを有している。ローパスフィルタ２４Ｇは、更に、一端が入力端子１６１に接続され、他端が接地されたキャパシタ１６３と、一端が入力端子１６１に接続されたインダクタ１６４と、一端が入力端子１６１に接続され、他端がインダクタ１６４の他端に接続されたキャパシタ１６５と、一端がインダクタ１６４の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ１６６とを有している。ローパスフィルタ２４Ｇは、更に、一端がインダクタ１６４の他端に接続され、他端が出力端子１６２に接続されたインダクタ１６７と、一端がインダクタ１６４の他端に接続され、他端が出力端子１６２に接続されたキャパシタ１６８と、一端が出力端子１６２に接続され、他端が接地されたキャパシタ１６９とを有している。
【００７２】
次に、図７を参照して、カプラ２２Ｇの回路構成の一例について説明する。図７に示したカプラ２２Ｇは、入力端子１７１と、出力端子１７２と、モニタ端子１７３と、負荷接続端子１７４とを有している。カプラ２２Ｇは、更に、一端が入力端子１７１に接続され、他端がモニタ端子１７３に接続されたキャパシタ１７１と、一端が入力端子１７１に接続され、他端が出力端子１７２に接続されたインダクタ１７６と、一端がモニタ端子１７３に接続され、他端が負荷接続端子１７４に接続されたインダクタ１７７と、一端が出力端子１７２に接続され、他端が負荷接続端子１７４に接続されたキャパシタ１７８とを有している。モニタ端子１７３は、自動出力制御回路２３Ｇの入力端に接続されるようになっている。負荷接続端子１７４は、５０Ωの負荷を介して接地されるようになっている。なお、カプラ３３Ｗの回路構成はカプラ２２Ｇと同様である。
【００７３】
次に、図８を参照して、電力増幅器２１Ｇの回路構成の一例について説明する。図８に示した電力増幅器２１Ｇは、入力端子１８１と、出力端子１８２と、電源端子１８３と、接地端子１８４とを有している。電源端子１８３には、電源電圧が印加されるようになっている。
【００７４】
電力増幅器２１Ｇは、更に、増幅器として機能するモノリシック・マイクロウェーブ集積回路（以下、ＭＭＩＣと記す。）１８５を有している。ＭＭＩＣ１８５の接地端は接地端子１８４に接続されている。電力増幅器２１Ｇは、更に、一端が入力端子１８１に接続され、他端がＭＭＩＣ１８５の入力端に接続されたキャパシタ１８６と、一端がキャパシタ１８６の他端に接続され、他端が接地端子１８４に接続されたインダクタ１８７とを有している。キャパシタ１８６およびインダクタ１８７は、入力整合回路１９５を構成している。
【００７５】
電力増幅器２１Ｇは、更に、一端がＭＭＩＣ１８５の出力端に接続されたキャパシタ１８８と、一端がキャパシタ１８８の他端に接続され、他端が出力端子１８２に接続されたキャパシタ１８９と、一端がキャパシタ１８８の他端に接続され、他端が接地端子１８４に接続されたインダクタ１９０と、一端が出力端子１８２に接続され、他端が接地端子１８４に接続されたインダクタ１９１とを有している。キャパシタ１８８，１８９およびインダクタ１９０，１９１は、出力整合回路１９６を構成している。
【００７６】
電力増幅器２１Ｇは、更に、それぞれ一端が電源端子１８３に接続され、他端が接地端子１８４に接続されたキャパシタ１９２，１９３と、一端が電源端子１８３に接続され、他端がＭＭＩＣ１８５の電源入力端に接続されたチョークコイル１９４とを有している。なお、電力増幅器３２Ｗの回路構成は、電力増幅器２１Ｇと同様である。
【００７７】
次に、フロントエンドモジュール２Ａの構造について説明する。フロントエンドモジュール２Ａは、ダイプレクサ１１Ａ、高周波スイッチ１２Ｇおよびデュプレクサ１３Ｗを集積するための１つの集積用多層基板を備えている。集積用多層基板は、誘電体層と、パターン化された導体層とが交互に積層された構造になっている。フロントエンドモジュール２Ａの回路は、集積用多層基板の内部または表面上の導体層と、集積用多層基板に搭載された素子とによって構成されている。
【００７８】
次に、図９ないし図１１を参照して、本実施の形態におけるデュプレクサ１３Ｗの構造の３つの例について順に説明する。なお、ここでは、弾性波素子として弾性表面波素子を用いた場合の例について説明するが、弾性表面波素子の代わりにバルク弾性波素子を用いてもよい。弾性表面波素子が圧電体の表面を伝播する音波（弾性表面波）を利用しているのに対し、バルク弾性波素子は、圧電体内部を伝播する音波（バルク弾性波）を利用するものである。このバルク弾性波素子のうち、特に圧電体薄膜を用いて作製されたものを薄膜バルク波素子と呼び、特に圧電体薄膜を用いて作製された共振器を薄膜バルク波共振器（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）と呼ぶ。上記弾性波素子としては、上記薄膜バルク波素子を用いてもよい。この薄膜バルク波素子は、弾性表面波素子に比べて温度特性が良好である。一般に、弾性表面波素子の温度特性が４０ｐｐｍ／℃程度であるのに対し、薄膜バルク波素子の温度特性は２０ｐｐｍ／℃程度である。従って、薄膜バルク波素子は、フィルタに要求される急峻な周波数特性を実現するのに有利である。
【００７９】
図９は、デュプレクサ１３Ｗの構造の第１の例を示す断面図である。第１の例では、デュプレクサ１３Ｗは、図４における受信側バンドパスフィルタ１５５に用いられる弾性表面波素子を含むチップ５１と、図４における送信側バンドパスフィルタ１５７に用いられる弾性表面波素子を含むチップ５２と、これら２つのチップ５１，５２が実装された実装基板５３と、チップ５１，５２を封止するキャップ５４とを有している。実装基板５３は、例えば、誘電体層の材料としてセラミックを用いたセラミック多層基板になっている。実装基板５３は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分を含んでいる。例えば、デュプレクサ１３Ｗの受信側ディレーライン１５４および送信側ディレーライン１５６は、実装基板５３の内部または表面上の導体層を用いて構成されている。また、デュプレクサ１３Ｗの共通端子１５１、受信端子１５２および送信端子１５３は、実装基板５３の下面に配置されている。
【００８０】
チップ５１，５２は、ＬｉＴａＯ３等の圧電材料からなる圧電基板と、この圧電基板の一方の面に形成された櫛形電極と、この櫛形電極を外部の回路に接続するための接続電極５５とを有している。図９に示した例では、接続電極５５は、櫛形電極と同一面上に配置されている。また、この例では、チップ５１，５２は、櫛形電極が実装基板５３の上面に対向するように、フリップチップボンディングによって、実装基板５３に実装されている。なお、チップ５１，５２が実装基板５３に実装された状態で、櫛形電極と実装基板５３の上面との間に空間が形成されるようになっている。
【００８１】
第１の例では、上記の構成のデュプレクサ１３Ｗは、フロントエンドモジュール２Ａの集積用多層基板２０に搭載されている。集積用多層基板２０は、例えば低温焼成セラミック多層基板になっている。集積用多層基板２０は、デュプレクサ１３Ｗ以外のフロントエンドモジュール２Ａの回路を含んでいる。
【００８２】
図９には、第１の例におけるフロントエンドモジュール２Ａの厚さの一例が示されている。この例では、デュプレクサ１３Ｗの実装基板５３の厚さが０．５ｍｍ、デュプレクサ１３Ｗの実装基板５３の上面からキャップ５４の上面までの部分の厚さが０．５ｍｍ、集積用多層基板２０の厚さが０．８ｍｍとなっている。従って、この例では、フロントエンドモジュール２Ａの厚さは、１．８ｍｍ以上となる。
【００８３】
図１０は、デュプレクサ１３Ｗの構造の第２の例を示す断面図である。第２の例では、デュプレクサ１３Ｗは、第１の例と同様のチップ５１，５２を有している。しかし、第２の例では実装基板５３は設けられておらず、チップ５１，５２は、フロントエンドモジュール２Ａの集積用多層基板２０に、直接搭載されている。チップ５１，５２は、例えば、櫛形電極が集積用多層基板２０の上面に対向するように、フリップチップボンディングによって、集積用多層基板２０に実装されている。なお、チップ５１，５２が集積用多層基板２０に実装された状態で、櫛形電極と集積用多層基板２０の上面との間に空間が形成されるようになっている。また、チップ５１，５２は、キャップ５４によって封止されている。
【００８４】
第２の例では、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分は、集積用多層基板２０に含まれている。例えば、デュプレクサ１３Ｗの受信側ディレーライン１５４および送信側ディレーライン１５６は、集積用多層基板２０の内部または表面上の導体層を用いて構成されている。また、デュプレクサ１３Ｗの共通端子１５１、受信端子１５２および送信端子１５３は、集積用多層基板２０の下面に配置されている。また、集積用多層基板２０は、デュプレクサ１３Ｗ以外のフロントエンドモジュール２Ａの回路を含んでいる。第２の例のデュプレクサ１３Ｗを含むフロントエンドモジュール２Ａは、本発明の第１の高周波機能モジュールに対応する。なお、第１の高周波機能モジュールは、少なくともデュプレクサ１３Ｗと集積用多層基板２０を含んでいればよく、フロントエンドモジュール２Ａの一部であってもよい。第１の高周波機能モジュールにおける集積用多層基板２０は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分およびデュプレクサ１３Ｗに接続される回路のうちの少なくとも一部を含んでいればよい。すなわち、第１の高周波機能モジュールにおける集積用多層基板２０は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分の一部のみを含んでいてもよく、あるいはデュプレクサ１３Ｗに接続される回路の一部のみを含んでいてもよい。
【００８５】
図１０には、第２の例におけるフロントエンドモジュール２Ａの厚さの一例が示されている。この例では、集積用多層基板２０の上面からデュプレクサ１３Ｗのキャップ５４の上面までの部分の厚さが０．５ｍｍ、集積用多層基板２０の厚さが０．８ｍｍとなっている。従って、この例では、フロントエンドモジュール２Ａの厚さは、１．３ｍｍ以上となる。
【００８６】
図１１は、デュプレクサ１３Ｗの構造の第３の例を示す断面図である。第３の例では、デュプレクサ１３Ｗは、第１の例と同様のチップ５１，５２と、これらのチップ５１，５２が実装された１つまたは２つの実装基板５６と、チップ５１，５２を封止するキャップ５４とを有している。なお、図１１には、２つのチップ５１，５２を１つの実装基板５６に実装した例を示しているが、チップ５１，５２を、それぞれ別個の実装基板５６に実装してもよい。
【００８７】
実装基板５６は、単層の誘電体層と、この誘電体層の上面および下面に設けられた、パターン化された導体層と、誘電体層の側面に設けられ、誘電体層の上面に設けられた導体層と下面に設けられた導体層とを接続する導体部とを有している。チップ５１，５２は、例えば、櫛形電極が実装基板５６の上面に対向するように、フリップチップボンディングによって、実装基板５６に実装されている。なお、チップ５１，５２が実装基板５６に実装された状態で、櫛形電極と実装基板５６の上面との間に空間が形成されるようになっている。
【００８８】
チップ５１，５２および実装基板５６は、フロントエンドモジュール２Ａの集積用多層基板２０に搭載されている。第３の例では、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分は、集積用多層基板２０に含まれている。例えば、デュプレクサ１３Ｗの受信側ディレーライン１５４および送信側ディレーライン１５６は、集積用多層基板２０の内部または表面上の導体層を用いて構成されている。また、デュプレクサ１３Ｗの共通端子１５１、受信端子１５２および送信端子１５３は、集積用多層基板２０の下面に配置されている。また、集積用多層基板２０は、デュプレクサ１３Ｗ以外のフロントエンドモジュール２Ａの回路を含んでいる。第３の例のデュプレクサ１３Ｗを含むフロントエンドモジュール２Ａは、本発明の第２の高周波機能モジュールに対応する。なお、第２の高周波機能モジュールは、少なくともデュプレクサ１３Ｗと集積用多層基板２０を含んでいればよく、フロントエンドモジュール２Ａの一部であってもよい。第２の高周波機能モジュールにおける集積用多層基板２０は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分およびデュプレクサ１３Ｗに接続される回路のうちの少なくとも一部を含んでいればよい。すなわち、第２の高周波機能モジュールにおける集積用多層基板２０は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分の一部のみを含んでいてもよく、あるいはデュプレクサ１３Ｗに接続される回路の一部のみを含んでいてもよい。
【００８９】
図１１には、第３の例におけるフロントエンドモジュール２Ａの厚さの一例が示されている。この例では、集積用多層基板２０の上面からデュプレクサ１３Ｗのキャップ５４の上面までの部分の厚さが０．７ｍｍ、集積用多層基板２０の厚さが０．８ｍｍとなっている。従って、この例では、フロントエンドモジュール２Ａの厚さは、１．５ｍｍ以上となる。
【００９０】
以上説明したように、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ａでは、ダイプレクサ１１Ａと、高周波スイッチ１２Ｇと、２つの弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗとを、１つの集積用多層基板２０によって集積している。弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗは、同軸誘電体形のデュプレクサに比べて、小型および軽量であると共に、複合化および集積化が容易である。従って、本実施の形態によれば、時分割多重接続方式（ＧＳＭ方式）と符号分割多重接続方式（Ｗ−ＣＤＭＡ方式）とに対応可能で、且つ、小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュール２Ａを実現することができる。
【００９１】
また、本実施の形態によれば、弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗを、ダイプレクサ１１Ａおよび高周波スイッチ１２Ｇと一体化することにより、デュプレクサ１３Ｗとその周辺回路とのインピーダンス整合を最適化することが可能になる。従って、本実施の形態によれば、フロントエンドモジュール２Ａの性能を向上させることも可能になる。
【００９２】
ところで、デュプレクサ１３Ｗでは、共通端子１５１、受信端子１５２、送信端子１５３の各インピーダンスは、通過帯域内の周波数に対しては、挿入損失が最小になるよう５０Ωに設定され、阻止帯域内の周波数に対しては、減衰が大きくなるように大きな値に設定される。そのため、弾性波素子と、弾性波素子以外の構成部分（ディレーライン１５４，１５６や整合回路）とを含むデュプレクサ１３Ｗ全体で、特性を最適化する必要がある。
【００９３】
図９に示したデュプレクサ１３Ｗの構造の第１の例では、それぞれ弾性波素子を含むチップ５１，５２と、弾性波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分を含む実装基板５３とが一体化されている。そのため、第１の例では、デュプレクサ１３Ｗを、フロントエンドモジュール２Ａにおける他の構成要素から独立した状態で製造することができる。従って、第１の例では、特性が最適化された状態のデュプレクサ１３Ｗを、集積用多層基板２０に搭載することができる。しかし、第１の例では、フロントエンドモジュール２Ａの厚さが大きくなってしまうという不具合がある。
【００９４】
図１０に示したデュプレクサ１３Ｗの構造の第２の例では、弾性波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分は集積用多層基板２０に設けられ、それぞれ弾性波素子を含むチップ５１，５２は集積用多層基板２０に搭載されている。この第２の例によれば、フロントエンドモジュール２Ａの厚さを小さくすることができる。また、第２の例によれば、デュプレクサ１３Ｗ全体で特性が最適になるように、チップ５１，５２の特性と、集積用多層基板２０に設けられた、弾性波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分の特性とを設計し、設計通りのチップ５１，５２および集積用多層基板２０を使用することによって、デュプレクサ１３Ｗ全体の特性を最適化することが可能になる。
【００９５】
ところで、ベアチップの状態であるチップ５１，５２の特性を測定するにはプローブを用いる必要がある。しかし、プローブ自体が高周波特性を持つため、チップ５１，５２の高周波特性を正確に測定することは難しい。そのため、ある割合で不良品のチップ５１，５２が集積用多層基板２０に搭載されるという不具合がある。不良品のチップ５１，５２が集積用多層基板２０に搭載されると、デュプレクサ１３Ｗ以外のフロントエンドモジュール２Ａの構成部分の特性が良好であっても、フロントエンドモジュール２Ａ全体が不良品になってしまう。そのため、第２の例では、フロントエンドモジュール２Ａの歩留まりが低くなるという不具合がある。
【００９６】
図１１に示したデュプレクサ１３Ｗの構造の第３の例では、それぞれ弾性波素子を含むチップ５１，５２は実装基板５６に実装されている。従って、チップ５１，５２および実装基板５６は、パッケージ化された１つの部品を構成している。また、第３の例では、弾性波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分は集積用多層基板２０に設けられ、チップ５１，５２および実装基板５６は、集積用多層基板２０に搭載されている。チップ５１，５２および実装基板５６によって構成された部品については、プローブを用いることなく、通常の部品を測定するための治具を用いて正確に特性を測定することができる。従って、第３の例によれば、良品のチップ５１，５２および実装基板５６のみを集積用多層基板２０に搭載することができ、その結果、フロントエンドモジュール２Ａの歩留まりを向上させることができる。また、第３の例によれば、実装基板５６は薄くてもよいため、フロントエンドモジュール２Ａの厚さを小さくすることもできる。
【００９７】
以下、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ａの３つの変形例について説明する。
【００９８】
図１２は、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ａを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ａは、図１におけるダイプレクサ１１Ａの代わりに高周波スイッチ１４を備え、図１における高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を備えている。高周波スイッチ１４の可動接点はアンテナ１に接続されている。高周波スイッチ１４の２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号ＧＳＭを付した固定接点）はデュプレクサ１５の共通端子に接続されている。高周波スイッチ１４の他方の固定接点（符号Ｗ−ＣＤＭＡを付した固定接点）はデュプレクサ１３Ｗの共通端子に接続されている。
【００９９】
デュプレクサ１５の受信端子（符号Ｒを付した端子）は、バンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。デュプレクサ１５の送信端子（符号Ｔを付した端子）は、ローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。
【０１００】
高周波スイッチ１４の回路構成は高周波スイッチ１２Ｇと同様である。高周波スイッチ１４は、本発明における第１の分離手段に対応する。デュプレクサ１５の回路構成は、デュプレクサ１３Ｗと同様である。デュプレクサ１５は、本発明における第２の分離手段に対応する。第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ａのその他の構成は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａと同様である。
【０１０１】
このように、第１の分離手段は、ダイプレクサ１１Ａでもよいし、高周波スイッチ１４でもよい。また、第２の分離手段は、高周波スイッチ１２Ｇでもよいし、デュプレクサ１５でもよい。従って、第１の分離手段としてダイプレクサ１１Ａを用い、第２の分離手段としてデュプレクサ１５を用いてもよい。また、第１の分離手段として高周波スイッチ１４を用い、第２の分離手段として高周波スイッチ１２Ｇを用いてもよい。
【０１０２】
図１３は、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ａを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ａは、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａの構成要素に加え、ＧＳＭ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、ＧＳＭ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｇと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えている。また、第２の変形例では、集積用多層基板２０は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１０３】
第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ａのその他の構成は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａと同様である。第２の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ａに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ａ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１０４】
なお、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ａにおいて、ダイプレクサ１１Ａの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１０５】
図１４は、第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａは、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａの構成要素に加え、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇ、自動出力制御回路２３Ｇ、ローパスフィルタ２４Ｇ、バンドパスフィルタ２５Ｇ、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗ、アイソレータ３５Ｗ、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを備えている。また、第３の変形例では、集積用多層基板２０は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１０６】
第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａのその他の構成は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａと同様である。第３の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ａに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ａ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１０７】
なお、第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａにおいて、ダイプレクサ１１Ａの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１０８】
図１５は、第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａにおける電力増幅器２１Ｇの配置の一例を示す断面図である。この例では、電力増幅器２１ＧのＭＭＩＣ１８５は集積用多層基板２０に搭載されている。電力増幅器２１Ｇの入力整合回路１９５および出力整合回路１９６は、集積用多層基板２０の内部または表面上の導体層を用いて構成されている。図示しないが、電力増幅器２１Ｇのキャパシタ１９２，１９３およびチョークコイル１９４は集積用多層基板２０に搭載されている。また、集積用多層基板２０におけるＭＭＩＣ１８５が搭載される面とは反対側の面には、ＭＭＩＣ１８５が発生する熱を放散させるための導体層１９７が形成されている。集積用多層基板２０には、更に、ＭＭＩＣ１８５が発生する熱を導体層１９７に導くためにＭＭＩＣ１８５の下面と導体層１９７を接続する複数のビアホール１９８が形成されている。なお、電力増幅器３２Ｗの配置も、電力増幅器２１Ｇと同様である。
【０１０９】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式であるＧＳＭ方式と、時分割多重接続方式であるＤＣＳ方式と、符号分割多重接続方式であるＷ−ＣＤＭＡ方式とに対応し、これらの各方式の送信信号および受信信号を処理するモジュールである。ＤＣＳ方式の送信信号の周波数帯域は１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚである。ＤＣＳ方式の受信信号の周波数帯域は１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚである。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１０】
まず、図１６を参照して、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例について説明する。図１６に示した高周波回路は、アンテナ１と、このアンテナ１に接続された本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｂと、主に信号の変調および復調を行う集積回路３Ｂとを備えている。高周波回路は、更に、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式用の２つの電圧制御発振器（図ではＧＳＭ／ＤＣＳ ＶＣＯと記す。）４，５と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の電圧制御発振器６Ｗとを備えている。これらの電圧制御発振器４，５，６Ｗは集積回路３Ｂに接続されている。
【０１１１】
高周波回路は、更に、入力端がフロントエンドモジュール２Ｂに接続され、それぞれ出力端が集積回路３Ｂに接続されたバンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄと、入力端がフロントエンドモジュール２Ｂに接続されたローノイズアンプ３６Ｗと、入力端がローノイズアンプ３６Ｗの出力端に接続され、出力端が集積回路３Ｂに接続されたバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えている。バンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄ，３７Ｗは、それぞれ弾性波素子を用いて構成されている。
【０１１２】
高周波回路は、更に、第１の実施の形態と同様に構成された電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇ、自動出力制御回路２３Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、これらと同様に構成された、ＤＣＳ方式用の電力増幅器２１Ｄ、カプラ２２Ｄ、自動出力制御回路２３Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄとを備えている。
【０１１３】
高周波回路は、更に、第１の実施の形態と同様に構成されたバンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗおよびアイソレータ３５Ｗを備えている。バンドパスフィルタ３１Ｗは弾性波素子を用いて構成されている。
【０１１４】
次に、フロントエンドモジュール２Ｂについて詳しく説明する。フロントエンドモジュール２Ｂは、ダイプレクサ１１Ｂと、高周波スイッチ１６，１２Ｇ，１２Ｄと、デュプレクサ１３Ｗとを備えている。ダイプレクサ１１Ｂは、第１ないし第３のポートを有している。第１のポートはアンテナ１に接続されている。第２のポートはＧＳＭ方式の信号を入出力するようになっている。第３のポートはＷ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＤＣＳ方式の信号を入出力するようになっている。
【０１１５】
ダイプレクサ１１Ｂの第２のポートは、高周波スイッチ１２Ｇの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。ダイプレクサ１１Ｂの第３のポートは、高周波スイッチ１６の可動接点に接続されている。
【０１１６】
高周波スイッチ１６の２つの固定接点のうちの一方の固定接点はデュプレクサ１３Ｗに接続されている。高周波スイッチ１６の他方の固定接点は、高周波スイッチ１２Ｄの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｄの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｄの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｄの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｄの出力端に接続されている。
【０１１７】
デュプレクサ１３Ｗは、共通端子と受信端子（符号Ｒを付した端子）と送信端子（符号Ｔを付した端子）とを有している。デュプレクサ１３Ｗの共通端子は、高周波スイッチ１６の一方の固定接点に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの受信端子は、ローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの送信端子は、アイソレータ３５Ｗの出力端に接続されている。
【０１１８】
ダイプレクサ１１Ｂは、信号の周波数に応じて、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号、受信信号およびＤＣＳ方式の送信信号、受信信号とを分離する。具体的に説明すると、ダイプレクサ１１Ｂは、第２のポートに入力されたＧＳＭ方式の送信信号と、第３のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号またはＤＣＳ方式の送信信号を第１のポートより出力する。また、ダイプレクサ１１Ｂは、第１のポートに入力されたＧＳＭ方式の受信信号を第２のポートより出力し、第１のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号またはＤＣＳ方式の受信信号を第３のポートより出力する。ダイプレクサ１１Ｂの構成は、第１の実施の形態におけるダイプレクサ１１Ａと同様である。
【０１１９】
高周波スイッチ１６は、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号と、ＤＣＳ方式の送信信号および受信信号とを分離する。具体的に説明すると、高周波スイッチ１６は、一方の固定接点に入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号を可動接点より出力し、可動接点に入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を一方の固定接点より出力する。また、高周波スイッチ１６は、他方の固定接点に入力されたＤＣＳ方式の送信信号を可動接点より出力し、可動接点に入力されたＤＣＳ方式の受信信号を他方の固定接点より出力する。高周波スイッチ１６の構成は、高周波スイッチ１２Ｇと同様である。ダイプレクサ１１Ｂおよび高周波スイッチ１６は、本発明における第１の分離手段に対応する。
【０１２０】
高周波スイッチ１２Ｇは、ＧＳＭ方式の送信信号とＧＳＭ方式の受信信号とを分離する。高周波スイッチ１２Ｇの具体的な動作は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。高周波スイッチ１２Ｇは、本発明における第２の分離手段に対応する。
【０１２１】
高周波スイッチ１２Ｄは、ＤＣＳ方式の送信信号とＤＣＳ方式の受信信号とを分離する。具体的に説明すると、高周波スイッチ１２Ｄは、可動接点に入力されたＤＣＳ方式の受信信号（図では、ＤＣＳ／ＲＸと記す。）を一方の固定接点より出力し、他方の固定接点に入力されたＤＣＳ方式の送信信号（図では、ＤＣＳ／ＴＸと記す。）を可動接点より出力する。高周波スイッチ１２Ｄの構成は、高周波スイッチ１２Ｇと同様である。高周波スイッチ１２Ｄは、本発明における第３の分離手段に対応する。
【０１２２】
デュプレクサ１３Ｗは、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号とＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号とを分離する。デュプレクサ１３Ｗの具体的な動作は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２３】
次に、集積回路３Ｂについて説明する。集積回路３Ｂは、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの入力信号を入力すると共に、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの出力信号を出力するようになっている。
【０１２４】
集積回路３Ｂは、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｇの出力端に接続されたミキサ４２Ｇと、入力端がミキサ４２Ｇの出力端に接続された増幅器４３Ｇと、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｄの出力端に接続されたミキサ４２Ｄと、入力端がミキサ４２Ｄの出力端に接続された増幅器４３Ｄと、入力端がバンドパスフィルタ３７Ｗの出力端に接続されたミキサ４２Ｗと、入力端がミキサ４２Ｗの出力端に接続された増幅器４３Ｗと、出力端が電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄの各入力端に接続されたミキサ４１と、出力端がバンドパスフィルタ３１Ｗの入力端に接続されたミキサ４１Ｗと備えている。ミキサ４２Ｇ，４２Ｄは電圧制御発振器５に接続されている。ミキサ４２Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。ミキサ４１は電圧制御発振器４に接続されている。ミキサ４１Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。
【０１２５】
集積回路３Ｂは、更に、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式用の位相同期化ループ回路（図ではＧＳＭ／ＤＣＳ ＰＬＬと記す。）４４と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の位相同期化ループ回路４５Ｗとを備えている。位相同期化ループ回路４４は、電圧制御発振器４，５に接続されている。位相同期化ループ回路４５Ｗは、電圧制御発振器６Ｗに接続されている。
【０１２６】
ミキサ４２Ｇは、バンドパスフィルタ２５Ｇの出力信号に、電圧制御発振器５が出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｄは、バンドパスフィルタ２５Ｄの出力信号に、電圧制御発振器５が出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｗは、バンドパスフィルタ３７Ｗの出力信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。
【０１２７】
ミキサ４１は、集積回路３Ｂに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器４が出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。ミキサ４１Ｗは、集積回路３Ｂに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。
【０１２８】
図示しないが、集積回路３Ｂは、更に、入力したＩ信号とＱ信号を直交変調し、変調された信号をミキサ４１，４１Ｗに送る機能と、増幅器４３Ｇ，４３Ｄ，４３Ｗの出力信号を直交復調してＩ信号とＱ信号とを生成し、これらを出力する機能とを備えている。なお、ミキサ４１，４１Ｗが直交変調する機能を兼ね備えていてもよいし、ミキサ４２Ｇ，４２Ｄ，４２Ｗが直交復調する機能を兼ね備えていてもよい。
【０１２９】
高周波スイッチ１２Ｇより出力されるＧＳＭ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｇを通過してミキサ４２Ｇに入力されるようになっている。高周波スイッチ１２Ｄより出力されるＤＣＳ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｄを通過してミキサ４２Ｄに入力されるようになっている。デュプレクサ１３Ｗより出力されるＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号は、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを通過してミキサ４２Ｗに入力されるようになっている。
【０１３０】
ミキサ４１の出力信号は、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇを通過して高周波スイッチ１２Ｇに入力されると共に、電力増幅器２１Ｄ、カプラ２２Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄを通過して高周波スイッチ１２Ｄに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｗの出力信号は、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗおよびアイソレータ３５Ｗを通過してデュプレクサ１３Ｗに入力されるようになっている。
【０１３１】
次に、フロントエンドモジュール２Ｂの構造について説明する。フロントエンドモジュール２Ｂは、ダイプレクサ１１Ｂ、高周波スイッチ１６，１２Ｇ，１２Ｄおよびデュプレクサ１３Ｗを集積するための１つの集積用多層基板２０を備えている。集積用多層基板２０の基本的な構造は、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態におけるデュプレクサ１３Ｗの構造は、第１の実施の形態と同様に、図９ないし図１１に示した第１ないし第３の例のいずれでもよい。
【０１３２】
以上説明したように、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｂでは、ダイプレクサ１１Ｂと、高周波スイッチ１６，１２Ｇ，１２Ｄと、２つの弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗとを、１つの集積用多層基板２０によって集積している。従って、本実施の形態によれば、２種類の時分割多重接続方式（ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式）と１種類の符号分割多重接続方式（Ｗ−ＣＤＭＡ方式）とに対応可能で、且つ、小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュール２Ｂを実現することができる。
【０１３３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、ダイプレクサ１１Ｂの代わりに、図１２に示した高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりに、図１２に示したデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりに、図１２に示したデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１３４】
以下、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｂの２つの変形例について説明する。
【０１３５】
図１７は、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂは、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂの構成要素に加え、ＧＳＭ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、ＤＣＳ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄと、ＧＳＭ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｇと、ＤＣＳ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｄと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えている。また、第１の変形例では、集積用多層基板２０は、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１３６】
第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂのその他の構成は、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂと同様である。第２の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ｂに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ｂ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１３７】
なお、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂにおいて、ダイプレクサ１１Ｂの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１３８】
図１８は、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂの構造の一例を示す平面図である。図１９は、図１８に示したフロントエンドモジュール２ＢのＡ−Ａ線断面図である。図１８に示したように、この例では、集積用多層基板２０の上面に６つの領域が形成されている。６つの領域とは、ダイプレクサ部６１、高周波スイッチ回路部６２、高周波スイッチ回路部６３、デュプレクサ部６４、送信回路部６５および受信回路部６６である。
【０１３９】
ダイプレクサ部６１にはダイプレクサ１１Ｂが搭載されている。高周波スイッチ回路部６２には、高周波スイッチ１２Ｇに含まれる２つのダイオード７１が搭載されている。高周波スイッチ回路部６３には、高周波スイッチ１６に含まれる２つのダイオード７２と高周波スイッチ１２Ｄに含まれる２つのダイオード７２とが搭載されている。デュプレクサ部６４には、デュプレクサ１３Ｗに含まれる２つのチップ７３が搭載されている。２つのチップ７３は、それぞれ弾性波素子を含んでいる。送信回路部６５には、ローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄとカプラ２２Ｇ，２２Ｄが搭載されている。受信回路部６６には、バンドパスフィルタ２５Ｇに含まれるチップ７４と、バンドパスフィルタ２５Ｄに含まれるチップ７５と、バンドパスフィルタ３７Ｗに含まれるチップ７６とが搭載されている。チップ７４，７５，７６は、それぞれ弾性波素子を含んでいる。なお、ダイプレクサ１１Ｂ、ローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄ、カプラ２２Ｇ，２２Ｄは、図２、図６および図７から明らかなように、インダクタとキャパシタによって構成できるため、これらの全部または一部を集積用多層基板２０の内部において構成してもよい。
【０１４０】
図１９に示したように、集積用多層基板２０の上面に搭載された上記の各構成要素は、シールドケース７７によって覆われている。なお、図１８ではシールドケース７７を省略している。
【０１４１】
また、この例では、図１８に示したように、集積用多層基板２０の上面の形状は、縦６ｍｍ、横１０ｍｍの矩形になっている。また、図１９に示したように、フロントエンドモジュール２Ｂの厚さは１．５ｍｍになっている。
【０１４２】
図２０は、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂは、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂの構成要素に加え、電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄ、カプラ２２Ｇ，２２Ｄ、自動出力制御回路２３Ｇ，２３Ｄ、ローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄ、バンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄ、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗ、アイソレータ３５Ｗ、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを備えている。また、第２の変形例では、集積用多層基板２０は、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１４３】
第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂのその他の構成は、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂと同様である。第２の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ｂに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ｂ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１４４】
なお、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂにおいて、ダイプレクサ１１Ｂの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１４５】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式であるＧＳＭ方式と、時分割多重接続方式であるＤＣＳ方式と、符号分割多重接続方式であるＷ−ＣＤＭＡ方式と、符号分割多重接続方式である狭帯域符号分割多重接続（以下、Ｎ−ＣＤＭＡと記す。）方式に対応し、これらの各方式の送信信号および受信信号を処理するモジュールである。Ｎ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域は８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚである。Ｎ−ＣＤＭＡ方式の受信信号の周波数帯域は８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚである。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域は、第１の実施の形態と同様である。また、ＤＣＳ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域は第２の実施の形態と同様である。
【０１４６】
まず、図２１を参照して、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例について説明する。図２１に示した高周波回路は、アンテナ１と、このアンテナ１に接続された本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｃと、主に信号の変調および復調を行う集積回路３Ｃとを備えている。高周波回路は、更に、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式用の２つの電圧制御発振器４，５と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の電圧制御発振器６Ｗと、Ｎ−ＣＤＭＡ方式用の電圧制御発振器６Ｎとを備えている。これらの電圧制御発振器４，５，６Ｗ，６Ｎは集積回路３Ｃに接続されている。
【０１４７】
高周波回路は、更に、入力端がフロントエンドモジュール２Ｃに接続され、それぞれ出力端が集積回路３Ｃに接続されたバンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄと、入力端がフロントエンドモジュール２Ｃに接続されたローノイズアンプ３６Ｗと、入力端がローノイズアンプ３６Ｗの出力端に接続され、出力端が集積回路３Ｃに接続されたバンドパスフィルタ３７Ｗと、入力端がフロントエンドモジュール２Ｃに接続されたローノイズアンプ３６Ｎと、入力端がローノイズアンプ３６Ｎの出力端に接続され、出力端が集積回路３Ｃに接続されたバンドパスフィルタ３７Ｎとを備えている。バンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄ，３７Ｗ，３７Ｎは、それぞれ弾性波素子を用いて構成されている。
【０１４８】
高周波回路は、更に、第２の実施の形態と同様に構成された電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄ、カプラ２２Ｇ，２２Ｄ、自動出力制御回路２３Ｇ，２３Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄを備えている。
【０１４９】
高周波回路は、更に、第１の実施の形態と同様に構成されたバンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗおよびアイソレータ３５Ｗと、これらと同様に構成された、Ｎ−ＣＤＭＡ方式用のバンドパスフィルタ３１Ｎ、電力増幅器３２Ｎ、カプラ３３Ｎ、自動出力制御回路３４Ｎおよびアイソレータ３５Ｎとを備えている。バンドパスフィルタ３１Ｗ，３１Ｎは弾性波素子を用いて構成されている。
【０１５０】
次に、フロントエンドモジュール２Ｃについて詳しく説明する。フロントエンドモジュール２Ｃは、ダイプレクサ１１Ｃと、高周波スイッチ１６，１７，１２Ｇ，１２Ｄと、デュプレクサ１３Ｗ，１３Ｎとを備えている。ダイプレクサ１１Ｃは、第１ないし第３のポートを有している。第１のポートはアンテナ１に接続されている。第２のポートはＮ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＧＳＭ方式の信号を入出力するようになっている。第３のポートはＷ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＤＣＳ方式の信号を入出力するようになっている。
【０１５１】
ダイプレクサ１１Ｃの第２のポートは、高周波スイッチ１７の可動接点に接続されている。高周波スイッチ１７の２つの固定接点のうちの一方の固定接点はデュプレクサ１３Ｎに接続されている。高周波スイッチ１７の他方の固定接点は、高周波スイッチ１２Ｇの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。
【０１５２】
ダイプレクサ１１Ｃの第３のポートは、高周波スイッチ１６の可動接点に接続されている。高周波スイッチ１６の２つの固定接点のうちの一方の固定接点はデュプレクサ１３Ｗに接続されている。高周波スイッチ１６の他方の固定接点は、高周波スイッチ１２Ｄの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｄの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｄの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｄの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｄの出力端に接続されている。
【０１５３】
デュプレクサ１３Ｎは、共通端子と受信端子（符号Ｒを付した端子）と送信端子（符号Ｔを付した端子）とを有している。デュプレクサ１３Ｎの共通端子は、高周波スイッチ１７の一方の固定接点に接続されている。デュプレクサ１３Ｎの受信端子は、ローノイズアンプ３６Ｎの入力端に接続されている。デュプレクサ１３Ｎの送信端子は、アイソレータ３５Ｎの出力端に接続されている。
【０１５４】
デュプレクサ１３Ｗは、共通端子と受信端子（符号Ｒを付した端子）と送信端子（符号Ｔを付した端子）とを有している。デュプレクサ１３Ｗの共通端子は、高周波スイッチ１６の一方の固定接点に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの受信端子は、ローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの送信端子は、アイソレータ３５Ｗの出力端に接続されている。
【０１５５】
ダイプレクサ１１Ｃは、信号の周波数に応じて、Ｎ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＧＳＭ方式の信号と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＤＣＳ方式の信号とを分離する。具体的に説明すると、ダイプレクサ１１Ｃは、第２のポートに入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の送信信号またはＧＳＭ方式の送信信号と、第３のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号またはＤＣＳ方式の送信信号を第１のポートより出力する。また、ダイプレクサ１１Ｃは、第１のポートに入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号またはＧＳＭ方式の受信信号を第２のポートより出力し、第１のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号またはＤＣＳ方式の受信信号を第３のポートより出力する。ダイプレクサ１１Ｃの構成は、第１の実施の形態におけるダイプレクサ１１Ａと同様である。
【０１５６】
高周波スイッチ１７は、Ｎ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号と、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号とを分離する。具体的に説明すると、高周波スイッチ１７は、一方の固定接点に入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の送信信号を可動接点より出力し、可動接点に入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を一方の固定接点より出力する。また、高周波スイッチ１７は、他方の固定接点に入力されたＧＳＭ方式の送信信号を可動接点より出力し、可動接点に入力されたＧＳＭ方式の受信信号を他方の固定接点より出力する。高周波スイッチ１７の構成は、高周波スイッチ１２Ｇと同様である。
【０１５７】
高周波スイッチ１６は、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号と、ＤＣＳ方式の送信信号および受信信号とを分離する。高周波スイッチ１６の具体的な動作は、第２の実施の形態と同様であるため説明を省略する。ダイプレクサ１１Ｃおよび高周波スイッチ１６，１７は、本発明における第１の分離手段に対応する。
【０１５８】
高周波スイッチ１２Ｇは、ＧＳＭ方式の送信信号とＧＳＭ方式の受信信号とを分離する。高周波スイッチ１２Ｇの具体的な動作は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。高周波スイッチ１２Ｇは、本発明における第２の分離手段に対応する。
【０１５９】
高周波スイッチ１２Ｄは、ＤＣＳ方式の送信信号とＤＣＳ方式の受信信号とを分離する。高周波スイッチ１２Ｄの具体的な動作は、第２の実施の形態と同様であるため説明を省略する。高周波スイッチ１２Ｄは、本発明における第３の分離手段に対応する。
【０１６０】
デュプレクサ１３Ｗは、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号とＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号とを分離する。デュプレクサ１３Ｗの動作は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。デュプレクサ１３Ｗは、本発明における第１のデュプレクサに対応する。
【０１６１】
デュプレクサ１３Ｎは、Ｎ−ＣＤＭＡ方式の送信信号とＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号とを分離する。具体的に説明すると、デュプレクサ１３Ｎは、共通端子に入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号（図では、ＮＣＤＭＡ／ＲＸと記す。）を受信端子より出力し、送信端子に入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の送信信号（図では、ＮＣＤＭＡ／ＴＸと記す。）を共通端子より出力する。デュプレクサ１３Ｎの構成は、デュプレクサ１３Ｗと同様である。デュプレクサ１３Ｎは、本発明における第２のデュプレクサに対応する。
【０１６２】
次に、集積回路３Ｃについて説明する。集積回路３Ｃは、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの入力信号を入力すると共に、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの出力信号を出力するようになっている。
【０１６３】
集積回路３Ｃは、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｇの出力端に接続されたミキサ４２Ｇと、入力端がミキサ４２Ｇの出力端に接続された増幅器４３Ｇと、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｄの出力端に接続されたミキサ４２Ｄと、入力端がミキサ４２Ｄの出力端に接続された増幅器４３Ｄとを備えている。集積回路３Ｃは、更に、入力端がバンドパスフィルタ３７Ｗの出力端に接続されたミキサ４２Ｗと、入力端がミキサ４２Ｗの出力端に接続された増幅器４３Ｗと、入力端がバンドパスフィルタ３７Ｎの出力端に接続されたミキサ４２Ｎと、入力端がミキサ４２Ｎの出力端に接続された増幅器４３Ｎとを備えている。
【０１６４】
集積回路３Ｃは、更に、出力端が電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄの各入力端に接続されたミキサ４１と、出力端がバンドパスフィルタ３１Ｗの入力端に接続されたミキサ４１Ｗと、出力端がバンドパスフィルタ３１Ｎの入力端に接続されたミキサ４１Ｎと備えている。ミキサ４２Ｇ，４２Ｄは電圧制御発振器５に接続されている。ミキサ４２Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。ミキサ４１は電圧制御発振器４に接続されている。ミキサ４１Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。ミキサ４１Ｎは電圧制御発振器６Ｎに接続されている。
【０１６５】
集積回路３Ｃは、更に、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式用の位相同期化ループ回路４４と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の位相同期化ループ回路４５Ｗと、Ｎ−ＣＤＭＡ方式用の位相同期化ループ回路４５Ｎとを備えている。位相同期化ループ回路４４は、電圧制御発振器４，５に接続されている。位相同期化ループ回路４５Ｗは、電圧制御発振器６Ｗに接続されている。位相同期化ループ回路４５Ｎは、電圧制御発振器６Ｎに接続されている。
【０１６６】
ミキサ４２Ｇは、バンドパスフィルタ２５Ｇの出力信号に、電圧制御発振器５が出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｄは、バンドパスフィルタ２５Ｄの出力信号に、電圧制御発振器５が出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｗは、バンドパスフィルタ３７Ｗの出力信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｎは、バンドパスフィルタ３７Ｎの出力信号に、電圧制御発振器６Ｎが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。
【０１６７】
ミキサ４１は、集積回路３Ｃに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器４が出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。ミキサ４１Ｗは、集積回路３Ｃに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。ミキサ４１Ｎは、集積回路３Ｃに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器６Ｎが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。
【０１６８】
図示しないが、集積回路３Ｃは、更に、入力したＩ信号とＱ信号を直交変調し、変調された信号をミキサ４１，４１Ｗ，４１Ｎに送る機能と、増幅器４３Ｇ，４３Ｄ，４３Ｗ，４３Ｎの出力信号を直交復調してＩ信号とＱ信号とを生成し、これらを出力する機能とを備えている。なお、ミキサ４１，４１Ｗ，４１Ｎが直交変調する機能を兼ね備えていてもよいし、ミキサ４２Ｇ，４２Ｄ，４２Ｗ，４２Ｎが直交復調する機能を兼ね備えていてもよい。
【０１６９】
高周波スイッチ１２Ｇより出力されるＧＳＭ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｇを通過してミキサ４２Ｇに入力されるようになっている。高周波スイッチ１２Ｄより出力されるＤＣＳ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｄを通過してミキサ４２Ｄに入力されるようになっている。デュプレクサ１３Ｗより出力されるＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号は、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを通過してミキサ４２Ｗに入力されるようになっている。デュプレクサ１３Ｎより出力されるＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号は、ローノイズアンプ３６Ｎおよびバンドパスフィルタ３７Ｎを通過してミキサ４２Ｎに入力されるようになっている。
【０１７０】
ミキサ４１の出力信号は、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇを通過して高周波スイッチ１２Ｇに入力されると共に、電力増幅器２１Ｄ、カプラ２２Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄを通過して高周波スイッチ１２Ｄに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｗの出力信号は、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗおよびアイソレータ３５Ｗを通過してデュプレクサ１３Ｗに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｎの出力信号は、バンドパスフィルタ３１Ｎ、電力増幅器３２Ｎ、カプラ３３Ｎおよびアイソレータ３５Ｎを通過してデュプレクサ１３Ｎに入力されるようになっている。
【０１７１】
次に、フロントエンドモジュール２Ｃの構造について説明する。フロントエンドモジュール２Ｃは、ダイプレクサ１１Ｃ、高周波スイッチ１６，１７，１２Ｇ，１２Ｄおよびデュプレクサ１３Ｗ，１３Ｎを集積するための１つの集積用多層基板２０を備えている。集積用多層基板２０の基本的な構造は、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態におけるデュプレクサ１３Ｗ，１３Ｎの構造は、第１の実施の形態と同様に、図９ないし図１１に示した第１ないし第３の例のいずれでもよい。本実施の形態において、デュプレクサ１３Ｗに含まれる２つの弾性波素子は、本発明における第１の弾性波素子に対応し、デュプレクサ１３Ｎに含まれる２つの弾性波素子は、本発明における第２の弾性波素子に対応する。従って、デュプレクサ１３Ｗに含まれる弾性波素子を含むチップは、本発明における第１のチップに対応し、デュプレクサ１３Ｎに含まれる弾性波素子を含むチップは、本発明における第２のチップに対応する。また、デュプレクサ１３Ｗに含まれる弾性波素子を含むチップが搭載される実装基板５３，５６は、本発明における第１の実装基板に対応し、デュプレクサ１３Ｎに含まれる弾性波素子を含むチップが搭載される実装基板５３，５６は、本発明における第２の実装基板に対応する。
【０１７２】
以上説明したように、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｃでは、ダイプレクサ１１Ｃと、高周波スイッチ１６，１７，１２Ｇ，１２Ｄと、２つの弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗと、２つの弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｎとを、１つの集積用多層基板２０によって集積している。従って、本実施の形態によれば、２種類の時分割多重接続方式（ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式）と２種類の符号分割多重接続方式（Ｗ−ＣＤＭＡ方式とＮ−ＣＤＭＡ方式）とに対応可能で、且つ、小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュール２Ｃを実現することができる。
【０１７３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、ダイプレクサ１１Ｃの代わりに、図１２に示した高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりに、図１２に示したデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりに、図１２に示したデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１７４】
以下、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｃの２つの変形例について説明する。
【０１７５】
図２２は、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃは、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃの構成要素に加え、ＧＳＭ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、ＤＣＳ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄと、ＧＳＭ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｇと、ＤＣＳ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｄと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｗと、Ｎ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｎとを備えている。また、第１の変形例では、集積用多層基板２０は、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１７６】
第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃのその他の構成は、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃと同様である。第１の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ｃに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ｃ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１７７】
なお、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃにおいて、ダイプレクサ１１Ｃの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１７８】
図２３は、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃは、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃの構成要素に加え、電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄ、カプラ２２Ｇ，２２Ｄ、自動出力制御回路２３Ｇ，２３Ｄ、ローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄ、バンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄ、バンドパスフィルタ３１Ｗ，３１Ｎ、電力増幅器３２Ｗ，３２Ｎ、カプラ３３Ｗ，３３Ｎ、自動出力制御回路３４Ｗ，３４Ｎ、アイソレータ３５Ｗ，３５Ｎ、ローノイズアンプ３６Ｗ，３６Ｎおよびバンドパスフィルタ３７Ｗ，３７Ｎを備えている。また、第２の変形例では、集積用多層基板２０は、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１７９】
第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃのその他の構成は、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃと同様である。第２の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ｃに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ｃ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１８０】
なお、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃにおいて、ダイプレクサ１１Ｃの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１８１】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、第１ないし第３の各実施の形態に係るフロントエンドモジュールにおいて、更にアンテナ１を備えたものである。本実施の形態において、集積用多層基板２０は、第１ないし第３の各実施の形態における構成要素に加え、アンテナ１も集積する。
【０１８２】
以下、本実施の形態におけるアンテナ１の構造の２つの例について説明する。携帯電話に用いられるアンテナとしては、各種の形式および構造のものが知られているが、ここでは、アンテナ１としてパッチアンテナを用いるものとする。
【０１８３】
図２４は、アンテナ１の構造の第１の例を示す斜視図である。第１の例では、アンテナ１は、集積用多層基板２０とは別個に製造され、例えば半田付けによって集積用多層基板２０に搭載されている。第１の例におけるアンテナ１は、誘電体よりなる直方体形状の誘電体部８１と、この誘電体部８１の上面に設けられた電極８２と、誘電体部８１の底面に設けられ、接地面を形成する導体層８３と、誘電体部８１の側部に設けられた給電用導体部８４と備えている。電極８２および導体層８３は、それぞれ矩形の平板状になっている。給電用導体部８４の上端部は、電極８２の側部に対して、所定の間隔を開けて対向している。集積用多層基板２０の上面には、給電用導体部８４の下端部に接続される導体層８５が設けられている。
【０１８４】
図２５は、アンテナ１の構造の第２の例を示す斜視図である。第２の例では、アンテナ１は、集積用多層基板２０に組み込まれている。第２の例におけるアンテナ１は、集積用多層基板２０の上面に設けられた電極９２と、集積用多層基板２０の内部において電極９２に対向する位置に配置され、接地面を形成する導体層９３と、集積用多層基板２０の側部に設けられた給電用導体部９４と備えている。電極９２および導体層９３は、それぞれ矩形の平板状になっている。給電用導体部９４の上端部は、電極９２の側部に対して、所定の間隔を開けて対向している。また、集積用多層基板２０の内部において、導体層９３よりも下の位置には、給電用導体部９４の下端部に接続される導体層９５が設けられている。
【０１８５】
本実施の形態によれば、アンテナ１も含めて、フロントエンドモジュール全体の特性の最適化を図ることができる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、変形例も含めて第１ないし第３のいずれかの実施の形態と同様である。
【０１８６】
［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式であるＧＳＭ方式と符号分割多重接続方式であるＷ−ＣＤＭＡ方式とに対応し、これらの各方式の送信信号および受信信号を処理するモジュールである。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域は、第１の実施の形態と同様である。
【０１８７】
まず、図２６を参照して、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例について説明する。図２６に示した高周波回路は、アンテナ１と、このアンテナ１に接続された本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｅとを備えている。図２６に示した高周波回路におけるその他の部分の構成は、第１の実施の形態における高周波回路におけるアンテナ１およびフロントエンドモジュール２Ａ以外の部分の構成と同様である。
【０１８８】
次に、フロントエンドモジュール２Ｅについて詳しく説明する。フロントエンドモジュール２Ｅは、デュプレクサ２５０と高周波スイッチ２６０とを備えている。高周波スイッチ２６０は、可動接点２６０ａと、３つの固定接点２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄとを有している。可動接点２６０ａはアンテナ１に接続されている。固定接点２６０ｂは、後述する送信側ディレーライン２５６の一端に接続されている。固定接点２６０ｃはローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。固定接点２６０ｄはバンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。
【０１８９】
デュプレクサ２５０は、一端がアンテナ１に接続された受信側ディレーライン２５４と、入力端が受信側ディレーライン２５４の他端に接続され、出力端がローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続された受信側バンドパスフィルタ（図２６ではＢＰＦと記す。）２５５とを有している。デュプレクサ２５０は、更に、一端が高周波スイッチ２６０の固定接点２６０ｂに接続された送信側ディレーライン２５６と、出力端が送信側ディレーライン２５６の他端に接続され、入力端がアイソレータ３５Ｗの出力端に接続された送信側バンドパスフィルタ（図２６ではＢＰＦと記す。）２５７とを有している。バンドパスフィルタ２５５，２５７は、いずれも弾性波素子を用いて構成されている。ディレーライン２５４，２５６の作用は第１の実施の形態におけるディレーライン１５４，１５６と同様である。また、バンドパスフィルタ２５５，２５７の構成および作用は、第１の実施の形態におけるバンドパスフィルタ１５５，１５７と同様である。
【０１９０】
図２７は、図２６におけるデュプレクサ２５０を示すブロック図である。デュプレクサ２５０は、前述のディレーライン２５４，２５６およびバンドパスフィルタ２５５，２５７の他に、アンテナ端子２５１と受信端子２５２と送信端子２５３と端子２７１，２７２とを有している。アンテナ端子２５１は、受信側ディレーライン２５４の一端に接続されている。また、アンテナ端子２５１は、アンテナ１に接続されるようになっている。受信端子２５２は、受信側バンドパスフィルタ（図２７では受信側ＢＰＦと記す。）２５５の出力端に接続されている。また、受信端子２５２は、ローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されるようになっている。送信端子２５３は、送信側バンドパスフィルタ（図２７では送信側ＢＰＦと記す。）２５７の入力端に接続されている。また、送信端子２５３は、アイソレータ３５Ｗの出力端に接続されるようになっている。端子２７１は、受信側ディレーライン２５４の一端に接続されている。また、端子２７１は、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａに接続されるようになっている。端子２７２は、送信側ディレーライン２５６の一端に接続されている。また、端子２７２は、高周波スイッチ２６０の固定接点２６０ｂに接続されるようになっている。
【０１９１】
図２６および図２７に示したように、本実施の形態では、受信側ディレーライン２５４の一端は、常にアンテナ１に接続されている。一方、送信側ディレーライン２５６の一端は、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａと固定接点２６０ｂとが接続されたときにのみ、アンテナ１に接続される。高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａと固定接点２６０ｂとが接続された状態では、図２７に示したデュプレクサ２５０は、図４に示したデュプレクサ１３Ｗと同様の構成になる。本発明におけるデュプレクサは、図２７に示した構成のものも含む。
【０１９２】
なお、図５に示した回路構成と同様に、図２７に示したデュプレクサ２５０におけるアンテナ端子２５１、受信端子２５２、送信端子２５３と、それらに接続される外部の回路との間に、それぞれ、デュプレクサ２５０と外部の回路とのインピーダンス整合を行う整合回路を設けてもよい。
【０１９３】
次に、本実施の形態におけるフロントエンドモジュール２Ｅの作用について説明する。このフロントエンドモジュール２Ｅでは、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号（図２６では、ＷＣＤＭＡ／ＲＸと記す。）を常に受信できる状態になっている。従って、このフロントエンドモジュール２Ｅでは、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号をデータの信号とすれば、常にデータの受信を行うことが可能である。また、このフロントエンドモジュール２Ｅによれば、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を常に受信しながら、ＧＳＭ方式の信号を用いて通話を行うことが可能になる。すなわち、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａが固定接点２６０ｃに接続されると、ＧＳＭ方式の送信信号（図２６では、ＧＳＭ／ＴＸと記す。）をアンテナ１に送ることができる。また、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａが固定接点２６０ｄに接続されると、ＧＳＭ方式の受信信号（図２６では、ＧＳＭ／ＲＸと記す。）をバンドパスフィルタ２５Ｇに送ることができる。また、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａが固定接点２６０ｂに接続されると、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号（図２６では、ＷＣＤＭＡ／ＴＸと記す。）をアンテナ１に送ることができる。
【０１９４】
次に、フロントエンドモジュール２Ｅの構造について説明する。フロントエンドモジュール２Ｅは、デュプレクサ２５０および高周波スイッチ２６０を集積するための１つの集積用多層基板２０を備えている。集積用多層基板２０の基本的な構造は、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態におけるデュプレクサ２５０の構造は、第１の実施の形態と同様に、図９ないし図１１に示した第１ないし第３の例のいずれでもよい。
【０１９５】
本実施の形態において、フロントエンドモジュール２Ｅは、第１の実施の形態における第２の変形例と同様に、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、ＧＳＭ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、ＧＳＭ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｇと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えていてもよい。この場合、集積用多層基板２０は、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積する。
【０１９６】
また、本実施の形態において、フロントエンドモジュール２Ｅは、第１の実施の形態における第３の変形例と同様に、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇ、自動出力制御回路２３Ｇ、ローパスフィルタ２４Ｇ、バンドパスフィルタ２５Ｇ、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗ、アイソレータ３５Ｗ、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを備えていてもよい。この場合、集積用多層基板２０は、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積する。
【０１９７】
また、本実施の形態において、フロントエンドモジュール２Ｅは、第４の実施の形態と同様に、更にアンテナ１を備えていてもよい。この場合、集積用多層基板２０は、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、アンテナ１も集積する。
【０１９８】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１９９】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明における時分割多重接続方式は、実施の形態で挙げたＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式に限らず、他の方式であってもよい。また、本発明における符号分割多重接続方式は、実施の形態で挙げたＷ−ＣＤＭＡ方式およびＮ−ＣＤＭＡ方式に限らず、他の方式であってもよい。
【０２００】
また、各実施の形態では、デュプレクサにおける受信側バンドパスフィルタに用いられる弾性波素子を含むチップと送信側バンドパスフィルタに用いられる弾性波素子を含むチップとが別体であるものとして説明している。しかし、これらの２つのチップを合体して１つのチップとしても、各実施の形態に示した構成と同様の構成が可能であることは言うまでもない。また、本発明は、このように、デュプレクサにおける受信側バンドパスフィルタに用いられる弾性波素子と送信側バンドパスフィルタに用いられる弾性波素子とを１つのチップ内に設けた場合も含む。
【０２０１】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし７のいずれかに記載のフロントエンドモジュールでは、２つの弾性波素子を含むデュプレクサとスイッチとを、１つの集積用多層基板によって集積している。従って、本発明によれば、時分割多重接続方式と符号分割多重接続方式とに対応可能で、且つ、小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュールを実現することができるという効果を奏する。
【０２０２】
また、請求項６記載のフロントエンドモジュールでは、デュプレクサは、弾性波素子を含み集積用多層基板に搭載されたチップを有し、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は集積用多層基板に含まれている。従って、本発明によれば、フロントエンドモジュールの厚さを小さくすることができるという効果を奏する。
【０２０３】
また、請求項７記載のフロントエンドモジュールでは、デュプレクサは、弾性波素子を含むチップと、このチップが実装された実装基板とを有し、チップおよび実装基板は集積用多層基板に搭載され、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は集積用多層基板に含まれている。従って、本発明によれば、フロントエンドモジュールの厚さを小さくすることができると共に、フロントエンドモジュールの歩留りを向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例を示すブロック図である。
【図２】図１におけるダイプレクサの回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】図１における高周波スイッチの回路構成の一例を示す回路図である。
【図４】図１におけるデュプレクサの回路構成の一例を示すブロック図である。
【図５】図１におけるデュプレクサおよびそれに接続される整合回路の回路構成の一例を示す回路図である。
【図６】図１におけるローパスフィルタの回路構成の一例を示す回路図である。
【図７】図１におけるカプラの回路構成の一例を示す回路図である。
【図８】図１における電力増幅器の回路構成の一例を示す回路図である。
【図９】図１におけるデュプレクサの構造の第１の例を示す断面図である。
【図１０】図１におけるデュプレクサの構造の第２の例を示す断面図である。
【図１１】図１におけるデュプレクサの構造の第３の例を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態における第１の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態における第２の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態における第３の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図１５】図１４に示したフロントエンドモジュールにおける電力増幅器の配置の一例を示す断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例を示すブロック図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態における第１の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図１８】図１７に示したフロントエンドモジュールの構造の一例を示す平面図である。
【図１９】図１８に示したフロントエンドモジュールのＡ−Ａ線断面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態における第２の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例を示すブロック図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態における第１の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態における第２の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図２４】本発明の第４の実施の形態におけるアンテナの構造の第１の例を示す斜視図である。
【図２５】本発明の第４の実施の形態におけるアンテナの構造の第２の例を示す斜視図である。
【図２６】本発明の第５の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例を示すブロック図である。
【図２７】図２６におけるデュプレクサを示すブロック図である。
【符号の説明】
１…アンテナ、２Ａ…フロントエンドモジュール、３Ａ…集積回路、１１Ａ…ダイプレクサ、１２Ｇ…高周波スイッチ、１３Ｗ…デュプレクサ、２０…集積用多層基板、５１，５２…チップ、５３…実装基板、５６…実装基板、１５４…受信側ディレーライン、１５５…受信側バンドパスフィルタ、１５６…送信側ディレーライン、１５７…送信側バンドパスフィルタ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等の通信装置において送信信号および受信信号を処理するためのフロントエンドモジュールおよび高周波機能モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話は、第３世代を迎え、単なる通話機能だけではなく、高速データ通信機能をも有することが必須となりつつある。そのため、各国において、高速データ通信を可能にする種々の多重化方式の採用が検討されている。しかしながら、多重化方式の統一は困難な状況である。そのため、携帯電話には、マルチモード（複数方式）およびマルチバンド（複数の周波数帯）に対応することが求められている。
【０００３】
例えば、欧州では、既に、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）方式とＤＣＳ（Digital Cellular System）方式とに対応可能なデュアルバンド型携帯電話が全域で普及している。ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式は、いずれも時分割多重接続方式である。欧州では、第３世代携帯電話として、上記の２方式に加え、大きなデータ通信速度（例えば２Ｍｂｐｓ）を実現することができる広帯域符号分割多重接続（以下、Ｗ−ＣＤＭＡとも記す。）方式にも対応可能なデュアルモード・トリプルバンド型携帯電話を採用することを予定している。
【０００４】
携帯電話では、上述のように新たな機能が付加されると、回路がより複雑になると共に部品点数が増える。そのため、携帯電話では、より高密度の部品実装技術が要求されている。また、このような事情から、携帯電話の内部の高周波回路では、その実装スペースを削減するため、部品の小型軽量化、複合化および集積化が不可欠となっている。
【０００５】
ところで、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式に対応したデュアルバンド型携帯電話のフロントエンドモジュールは、例えば特許文献１に開示されているように既に知られていると共に、既に実用化されている。このフロントエンドモジュールでは、例えばダイプレクサを用いてＧＳＭ方式に対応した周波数帯域とＤＣＳ方式に対応した周波数帯域とを分離すると共に、例えば高周波スイッチを用いて送信信号と受信信号との分離を行うようになっている。
【０００６】
ここで、例えばＧＳＭ方式、ＤＣＳ方式およびＷ−ＣＤＭＡ方式に対応可能なデュアルモード・トリプルバンド型携帯電話のフロントエンドモジュールを構成することを考える。このフロントエンドモジュールでは、３つの方式に対応した各周波数帯域を分離すると共に、各方式毎に更に送信信号と受信信号とを分離する必要がある。ただし、Ｗ−ＣＤＭＡ方式は、符号分割多重接続方式であるがゆえに送信機能と受信機能のいずれもが常時動作していなければならない。そのため、Ｗ−ＣＤＭＡ方式では、高周波スイッチを用いて送信信号と受信信号とを時分割で分離することはできない。そのため、Ｗ−ＣＤＭＡ方式における送信信号と受信信号の分離には、アナログ方式の第１世代の携帯電話と同様に、周波数の違いによって送信信号と受信信号とを分離するデュプレクサが用いられる。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−２２５０８８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
現在、Ｗ−ＣＤＭＡ用のデュプレクサとしては、挿入損失の小さい同軸誘電体形のものが多く用いられている。しかしながら、同軸誘電体形のデュプレクサは、大きく重いため、フロントエンドモジュールの小型軽量化には不向きである。また、同軸誘電体形のデュプレクサは、その材質および構造が、従来のフロントエンドモジュールとは異質なため、フロントエンドモジュールの複合化および集積化にも不向きである。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、時分割多重接続方式と符号分割多重接続方式とに対応可能で、且つ小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュールを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式の送信信号および受信信号と符号分割多重接続方式の送信信号および受信信号とを処理するためのモジュールであって、
符号分割多重接続方式の送信信号と符号分割多重接続方式の受信信号とを分離するデュプレクサと、
時分割多重接続方式の送信信号と時分割多重接続方式の受信信号と符号分割多重接続方式の送信信号とを分離するスイッチと、
デュプレクサおよびスイッチを集積するための１つの集積用多層基板とを備え、
デュプレクサは、アンテナに接続されるアンテナ端子と、符号分割多重接続方式の受信信号を出力する受信端子と、符号分割多重接続方式の送信信号が入力される送信端子と、アンテナ端子に接続された第１の端子と、第２の端子と、アンテナ端子と受信端子の間に設けられ、フィルタとして機能する第１の弾性波素子と、第２の端子と送信端子との間に設けられ、フィルタとして機能する第２の弾性波素子とを有し、
スイッチは、可動接点と第１ないし第３の固定接点とを有し、可動接点は第１の端子に接続され、第１の固定接点は第２の端子に接続され、第２の固定接点には時分割多重接続方式の送信信号が入力され、第３の固定接点は時分割多重接続方式の受信信号を出力するものである。
【００１２】
本発明のフロントエンドモジュールでは、２つの弾性波素子を含むデュプレクサによって、符号分割多重接続方式の送信信号と符号分割多重接続方式の受信信号との分離が行われる。また、スイッチによって、時分割多重接続方式の送信信号と時分割多重接続方式の受信信号と符号分割多重接続方式の送信信号との分離が行われる。デュプレクサおよびスイッチは、１つの集積用多層基板によって集積されている。なお、弾性波素子とは、弾性波を利用した素子である。弾性波素子は、弾性表面波を利用する弾性表面波素子でもよいし、バルク弾性波を利用するバルク弾性波素子でもよい。
【００１３】
本発明のフロントエンドモジュールは、更に、スイッチに接続され、時分割多重接続方式の送信信号を通過させるフィルタと、スイッチに接続され、時分割多重接続方式の受信信号を通過させるフィルタと、デュプレクサに接続され、符号分割多重接続方式の受信信号を通過させるフィルタとを備え、集積用多層基板は、更に各フィルタも集積してもよい。
【００１４】
また、本発明のフロントエンドモジュールは、更に、時分割多重接続方式の送信信号を増幅する電力増幅器と、符号分割多重接続方式の送信信号を増幅する電力増幅器とを備え、集積用多層基板は、更に各電力増幅器も集積してもよい。
【００１５】
また、本発明のフロントエンドモジュールは、更に、アンテナを備え、集積用多層基板は、更にアンテナも集積してもよい。
【００１６】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、デュプレクサは、弾性波素子を含む１つまたは２つのチップと、このチップが実装された実装基板とを有し、実装基板は弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分を含み、デュプレクサは集積用多層基板に搭載されていてもよい。
【００１７】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、デュプレクサは、弾性波素子を含み集積用多層基板に搭載された１つまたは２つのチップを有し、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は集積用多層基板に含まれていてもよい。
【００１８】
また、本発明のフロントエンドモジュールにおいて、デュプレクサは、弾性波素子を含む１つまたは２つのチップと、このチップが実装された１つまたは２つの実装基板とを有し、チップおよび実装基板は集積用多層基板に搭載され、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は集積用多層基板に含まれていてもよい。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
始めに、本発明の第１の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式であるＧＳＭ方式と符号分割多重接続方式であるＷ−ＣＤＭＡ方式とに対応し、これらの各方式の送信信号および受信信号を処理するモジュールである。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域は８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚである。ＧＳＭ方式の受信信号の周波数帯域は９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚである。Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域は１９２０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚである。Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号の周波数帯域は２１１０ＭＨｚ〜２１８０ＭＨｚである。
【００４３】
まず、図１を参照して、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例について説明する。図１に示した高周波回路は、アンテナ１と、このアンテナ１に接続された本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ａと、主に信号の変調および復調を行う集積回路３Ａとを備えている。高周波回路は、更に、ＧＳＭ方式用の２つの電圧制御発振器（図ではＧＳＭ ＶＣＯと記す。）４Ｇ，５Ｇと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の電圧制御発振器（図ではＷ−ＣＤＭＡ ＶＣＯと記す。）６Ｗとを備えている。これらの電圧制御発振器４Ｇ，５Ｇ，６Ｗは集積回路３Ａに接続されている。
【００４４】
高周波回路は、更に、入力端がフロントエンドモジュール２Ａに接続され、出力端が集積回路３Ａに接続されたバンドパスフィルタ（図ではＢＰＦと記す。）２５Ｇと、入力端がフロントエンドモジュール２Ａに接続されたローノイズアンプ（図ではＬＮＡと記す。）３６Ｗと、入力端がローノイズアンプ３６Ｗの出力端に接続され、出力端が集積回路３Ａに接続されたバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えている。バンドパスフィルタ２５Ｇ，３７Ｗは、それぞれ弾性波素子を用いて構成されている。
【００４５】
高周波回路は、更に、入力端が集積回路３Ａに接続された電力増幅器（図ではＰＡと記す。）２１Ｇと、入力端が電力増幅器２１Ｇの出力端に接続されたカプラ２２Ｇと、カプラ２２Ｇの出力に基づいて、電力増幅器２１Ｇの出力利得が一定になるように電力増幅器２１Ｇを制御する自動出力制御回路（図ではＡＰＣと記す。）２３Ｇと、入力端がカプラ２２Ｇの出力端に接続され、出力端がフロントエンドモジュール２Ａに接続されたローパスフィルタ（図ではＬＰＦと記す。）２４Ｇとを備えている。
【００４６】
高周波回路は、更に、入力端が集積回路３Ａに接続されたバンドパスフィルタ３１Ｗと、入力端がバンドパスフィルタ３１Ｗの出力端に接続された電力増幅器３２Ｗと、入力端が電力増幅器３２Ｗの出力端に接続されたカプラ３３Ｗと、カプラ３３Ｗの出力に基づいて、電力増幅器３２Ｗの出力利得が一定になるように電力増幅器３２Ｗを制御する自動出力制御回路３４Ｗと、入力端がカプラ３３Ｗの出力端に接続され、出力端がフロントエンドモジュール２Ａに接続されたアイソレータ３５Ｗとを備えている。バンドパスフィルタ３１Ｗは弾性波素子を用いて構成されている。
【００４７】
次に、フロントエンドモジュール２Ａについて詳しく説明する。フロントエンドモジュール２Ａは、ダイプレクサ１１Ａと、高周波スイッチ１２Ｇと、デュプレクサ１３Ｗとを備えている。ダイプレクサ１１Ａは、第１ないし第３のポートを有している。第１のポートはアンテナ１に接続されている。第２のポートはＧＳＭ方式の信号を入出力するようになっている。第３のポートはＷ−ＣＤＭＡ方式の信号を入出力するようになっている。
【００４８】
ダイプレクサ１１Ａの第２のポートは、高周波スイッチ１２Ｇの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。ダイプレクサ１１Ａの第３のポートはデュプレクサ１３Ｗに接続されている。
【００４９】
デュプレクサ１３Ｗは、共通端子と受信端子（符号Ｒを付した端子）と送信端子（符号Ｔを付した端子）とを有している。デュプレクサ１３Ｗの共通端子は、ダイプレクサ１１Ａの第３のポートに接続されている。デュプレクサ１３Ｗの受信端子は、ローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの送信端子は、アイソレータ３５Ｗの出力端に接続されている。
【００５０】
ダイプレクサ１１Ａは、信号の周波数に応じて、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号とを分離する。具体的に説明すると、ダイプレクサ１１Ａは、第２のポートに入力されたＧＳＭ方式の送信信号と第３のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号を第１のポートより出力すると共に、第１のポートに入力されたＧＳＭ方式の受信信号を第２のポートより出力し、第１のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を第３のポートより出力する。ダイプレクサ１１Ａは、本発明における第１の分離手段に対応する。
【００５１】
高周波スイッチ１２Ｇは、ＧＳＭ方式の送信信号とＧＳＭ方式の受信信号とを分離する。具体的に説明すると、高周波スイッチ１２Ｇは、可動接点に入力されたＧＳＭ方式の受信信号（図では、ＧＳＭ／ＲＸと記す。）を一方の固定接点より出力し、他方の固定接点に入力されたＧＳＭ方式の送信信号（図では、ＧＳＭ／ＴＸと記す。）を可動接点より出力する。高周波スイッチ１２Ｇは、本発明における第２の分離手段に対応する。
【００５２】
デュプレクサ１３Ｗは、周波数の違いによって、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号とＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号とを分離する。具体的に説明すると、デュプレクサ１３Ｗは、共通端子に入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号（図では、ＷＣＤＭＡ／ＲＸと記す。）を受信端子より出力し、送信端子に入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号（図では、ＷＣＤＭＡ／ＴＸと記す。）を共通端子より出力する。
【００５３】
次に、集積回路３Ａについて説明する。集積回路３Ａは、同相成分信号（以下、Ｉ信号と記す。）と直交成分信号（以下、Ｑ信号と記す。）からなるベースバンドの入力信号を入力すると共に、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの出力信号を出力するようになっている。
【００５４】
集積回路３Ａは、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｇの出力端に接続されたミキサ４２Ｇと、入力端がミキサ４２Ｇの出力端に接続された増幅器４３Ｇと、入力端がバンドパスフィルタ３７Ｗの出力端に接続されたミキサ４２Ｗと、入力端がミキサ４２Ｗの出力端に接続された増幅器４３Ｗと、出力端が電力増幅器２１Ｇの入力端に接続されたミキサ４１Ｇと、出力端がバンドパスフィルタ３１Ｗの入力端に接続されたミキサ４１Ｗと備えている。ミキサ４２Ｇは電圧制御発振器５Ｇに接続されている。ミキサ４２Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。ミキサ４１Ｇは電圧制御発振器４Ｇに接続されている。ミキサ４１Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。
【００５５】
集積回路３Ａは、更に、ＧＳＭ方式用の位相同期化ループ回路（図ではＧＳＭＰＬＬと記す。）４４Ｇと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の位相同期化ループ回路（図ではＷ−ＣＤＭＡ ＰＬＬと記す。）４５Ｗとを備えている。位相同期化ループ回路４４Ｇは、電圧制御発振器４Ｇ，５Ｇに接続されている。位相同期化ループ回路４５Ｗは、電圧制御発振器６Ｗに接続されている。
【００５６】
ミキサ４２Ｇは、バンドパスフィルタ２５Ｇの出力信号に、電圧制御発振器５Ｇが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｗは、バンドパスフィルタ３７Ｗの出力信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。
【００５７】
ミキサ４１Ｇは、集積回路３Ａに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器４Ｇが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。ミキサ４１Ｗは、集積回路３Ａに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。
【００５８】
図示しないが、集積回路３Ａは、更に、入力したＩ信号とＱ信号を直交変調し、変調された信号をミキサ４１Ｇ，４１Ｗに送る機能と、増幅器４３Ｇ，４３Ｗの出力信号を直交復調してＩ信号とＱ信号とを生成し、これらを出力する機能とを備えている。なお、ミキサ４１Ｇ，４１Ｗが直交変調する機能を兼ね備えていてもよいし、ミキサ４２Ｇ，４２Ｗが直交復調する機能を兼ね備えていてもよい。
【００５９】
高周波スイッチ１２Ｇより出力されるＧＳＭ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｇを通過してミキサ４２Ｇに入力されるようになっている。デュプレクサ１３Ｗより出力されるＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号は、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを通過してミキサ４２Ｗに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｇの出力信号は、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇを通過して高周波スイッチ１２Ｇに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｗの出力信号は、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗおよびアイソレータ３５Ｗを通過してデュプレクサ１３Ｗに入力されるようになっている。
【００６０】
次に、図２を参照して、ダイプレクサ１１Ａの回路構成の一例について説明する。図２に示したダイプレクサ１１Ａは、第１ないし第３のポート１１１，１１２，１１３を有している。第１のポート１１１はアンテナ１に接続されるようになっている。第２のポート１１２はＧＳＭ方式の信号を入出力するようになっている。第３のポート１１３はＷ−ＣＤＭＡ方式の信号を入出力するようになっている。ダイプレクサ１１Ａは、更に、一端が第１のポート１１１に接続されたキャパシタ１１４と、一端がキャパシタ１１４の他端に接続されたインダクタ１１５と、一端がインダクタ１１５の他端に接続され、他端が第２のポート１１２に接続されたインダクタ１１６と、一端がインダクタ１１５の他端に接続され、他端が第２のポート１１２に接続されたキャパシタ１１７と、一端がインダクタ１１５の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ１１８と、一端が第２のポート１１２に接続され、他端が接地されたキャパシタ１１９とを有している。インダクタ１１５，１１６およびキャパシタ１１７，１１８，１１９は、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号を通過させるローパスフィルタ（ＬＰＦ）を構成している。
【００６１】
ダイプレクサ１１Ａは、更に、一端がキャパシタ１１４の他端に接続されたキャパシタ１２０と、一端がキャパシタ１２０の他端に接続され、他端が第３のポート１１３に接続されたキャパシタ１２１と、一端がキャパシタ１２０の他端に接続されたキャパシタ１２２と、一端がキャパシタ１２２の他端に接続され、他端が接地されたインダクタ１２３とを有している。キャパシタ１２０，１２１，１２２およびインダクタ１２３は、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号を通過させるハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を構成している。
【００６２】
次に、図３を参照して、高周波スイッチ１２Ｇの回路構成の一例について説明する。図３に示した高周波スイッチ１２Ｇは、可動接点１３１と、２つの固定接点１３２，１３３と、２つの制御端子１３４，１３５とを有している。固定接点１３２は、図１において記号Ｔを付した固定接点である。固定接点１３３は、図１において記号Ｒを付した固定接点である。高周波スイッチ１２Ｇは、更に、一端が可動接点１３１に接続されたキャパシタ１３６と、カソードがキャパシタ１３６の他端に接続されたダイオード１３７と、一端がダイオード１３７のアノードに接続され、他端が固定接点１３２に接続されたキャパシタ１３８と、一端がダイオード１３７のアノードに接続され、他端が制御端子１３４に接続されたインダクタ１３９と、一端が制御端子１３４に接続され、他端が接地されたキャパシタ１４０とを有している。
【００６３】
高周波スイッチ１２Ｇは、更に、一端がキャパシタ１３６の他端に接続されたインダクタ１４１と、一端がインダクタ１４１の他端に接続され、他端が固定接点１３３に接続されたキャパシタ１４２と、アノードがインダクタ１４１の他端に接続され、カソードが制御端子１３５に接続されたダイオード１４３と、一端が制御端子１３５に接続され、他端が接地されたキャパシタ１４４とを有している。
【００６４】
高周波スイッチ１２Ｇでは、制御端子１３４に印加される制御信号がハイレベルで、制御端子１３５に印加される制御信号がローレベルのときには、２つのダイオード１３７，１４３が共にオン状態となり、可動接点１３１に固定接点１３２が接続される。一方、制御端子１３４に印加される制御信号がローレベルで、制御端子１３５に印加される制御信号がハイレベルのときには、２つのダイオード１３７，１４３が共にオフ状態となり、可動接点１３１に固定接点１３３が接続される。
【００６５】
次に、図４を参照して、デュプレクサ１３Ｗの回路構成の一例について説明する。図４に示したデュプレクサ１３Ｗは、共通端子１５１と受信端子１５２と送信端子１５３とを有している。デュプレクサ１３Ｗは、更に、一端が共通端子１５１に接続された受信側ディレーライン１５４と、入力端が受信側ディレーライン１５４の他端に接続され、出力端が受信端子１５２に接続された受信側バンドパスフィルタ（図４では受信側ＢＰＦと記す。）１５５とを有している。デュプレクサ１３Ｗは、更に、一端が共通端子１５１に接続された送信側ディレーライン１５６と、出力端が送信側ディレーライン１５６の他端に接続され、入力端が送信端子１５３に接続された送信側バンドパスフィルタ（図４では送信側ＢＰＦと記す。）１５７とを有している。バンドパスフィルタ１５５，１５７は、いずれも弾性波素子を用いて構成されている。
【００６６】
受信側ディレーライン１５４は、受信端子１５２側からデュプレクサ１３Ｗを見たときに、受信信号の周波数帯域ではインピーダンスがほぼ５０Ωとなり、送信信号の周波数帯域ではインピーダンスが十分に大きくなるように、共通端子１５１と受信側バンドパスフィルタ１５５との間に挿入される。同様に、送信側ディレーライン１５６は、送信端子１５３側からデュプレクサ１３Ｗを見たときに、送信信号の周波数帯域ではインピーダンスがほぼ５０Ωとなり、受信信号の周波数帯域ではインピーダンスが十分に大きくなるように、共通端子１５１と送信側バンドパスフィルタ１５７との間に挿入される。なお、バンドパスフィルタ１５５，１５７の構成によっては、受信側ディレーライン１５４と送信側ディレーライン１５６の一方のみを設ければよい場合もある。
【００６７】
なお、図４に示したデュプレクサ１３Ｗにおける共通端子１５１、受信端子１５２、送信端子１５３と、それらに接続される外部の回路との間に、それぞれ、デュプレクサ１３Ｗと外部の回路とのインピーダンス整合を行う整合回路を設けてもよい。図５は、デュプレクサ１３Ｗおよびそれに接続される整合回路の回路構成の一例を示す回路図である。図５に示した例におけるデュプレクサ１３Ｗの構成は、図４に示したデュプレクサ１３Ｗの構成と同様である。図５に示した例では、共通端子１５１に整合回路２０１が接続され、受信端子１５２に整合回路２０２が接続され、送信端子１５３に整合回路２０３が接続されている。これらの整合回路２０１，２０２，２０３は、フロントエンドモジュール２Ａに含まれている。
【００６８】
整合回路２０１は、２つの端子２０４，２０５と、一端が端子２０４に接続されたインダクタ２０６と、一端がインダクタ２０６の他端に接続され、他端が端子２０５に接続されたインダクタ２０７と、一端がインダクタ２０６の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ２０８とを有している。端子２０４は、図１におけるダイプレクサ１１Ａの第３のポートに接続されている。端子２０５は、デュプレクサ１３Ｗの共通端子１５１に接続されている。
【００６９】
整合回路２０２は、２つの端子２１１，２１２と、この端子２１１，２１２の間に接続されたキャパシタ２１３とを有している。端子２１１は、デュプレクサ１３Ｗの受信端子１５２に接続されている。端子２１２は、図１におけるローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されている。
【００７０】
整合回路２０３は、２つの端子２１５，２１６と、一端が端子２１５に接続されたインダクタ２１７と、一端がインダクタ２１７の他端に接続され、他端が端子２１６に接続されたキャパシタ２１８と、一端がキャパシタ２１８の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ２１９とを有している。端子２１５は、デュプレクサ１３Ｗの送信端子１５３に接続されている。端子２１６は、図１におけるアイソレータ３５Ｗの出力端に接続されている。
【００７１】
次に、図６を参照して、ローパスフィルタ２４Ｇの回路構成の一例について説明する。図６に示したローパスフィルタ２４Ｇは、入力端子１６１と出力端子１６２とを有している。ローパスフィルタ２４Ｇは、更に、一端が入力端子１６１に接続され、他端が接地されたキャパシタ１６３と、一端が入力端子１６１に接続されたインダクタ１６４と、一端が入力端子１６１に接続され、他端がインダクタ１６４の他端に接続されたキャパシタ１６５と、一端がインダクタ１６４の他端に接続され、他端が接地されたキャパシタ１６６とを有している。ローパスフィルタ２４Ｇは、更に、一端がインダクタ１６４の他端に接続され、他端が出力端子１６２に接続されたインダクタ１６７と、一端がインダクタ１６４の他端に接続され、他端が出力端子１６２に接続されたキャパシタ１６８と、一端が出力端子１６２に接続され、他端が接地されたキャパシタ１６９とを有している。
【００７２】
次に、図７を参照して、カプラ２２Ｇの回路構成の一例について説明する。図７に示したカプラ２２Ｇは、入力端子１７１と、出力端子１７２と、モニタ端子１７３と、負荷接続端子１７４とを有している。カプラ２２Ｇは、更に、一端が入力端子１７１に接続され、他端がモニタ端子１７３に接続されたキャパシタ１７１と、一端が入力端子１７１に接続され、他端が出力端子１７２に接続されたインダクタ１７６と、一端がモニタ端子１７３に接続され、他端が負荷接続端子１７４に接続されたインダクタ１７７と、一端が出力端子１７２に接続され、他端が負荷接続端子１７４に接続されたキャパシタ１７８とを有している。モニタ端子１７３は、自動出力制御回路２３Ｇの入力端に接続されるようになっている。負荷接続端子１７４は、５０Ωの負荷を介して接地されるようになっている。なお、カプラ３３Ｗの回路構成はカプラ２２Ｇと同様である。
【００７３】
次に、図８を参照して、電力増幅器２１Ｇの回路構成の一例について説明する。図８に示した電力増幅器２１Ｇは、入力端子１８１と、出力端子１８２と、電源端子１８３と、接地端子１８４とを有している。電源端子１８３には、電源電圧が印加されるようになっている。
【００７４】
電力増幅器２１Ｇは、更に、増幅器として機能するモノリシック・マイクロウェーブ集積回路（以下、ＭＭＩＣと記す。）１８５を有している。ＭＭＩＣ１８５の接地端は接地端子１８４に接続されている。電力増幅器２１Ｇは、更に、一端が入力端子１８１に接続され、他端がＭＭＩＣ１８５の入力端に接続されたキャパシタ１８６と、一端がキャパシタ１８６の他端に接続され、他端が接地端子１８４に接続されたインダクタ１８７とを有している。キャパシタ１８６およびインダクタ１８７は、入力整合回路１９５を構成している。
【００７５】
電力増幅器２１Ｇは、更に、一端がＭＭＩＣ１８５の出力端に接続されたキャパシタ１８８と、一端がキャパシタ１８８の他端に接続され、他端が出力端子１８２に接続されたキャパシタ１８９と、一端がキャパシタ１８８の他端に接続され、他端が接地端子１８４に接続されたインダクタ１９０と、一端が出力端子１８２に接続され、他端が接地端子１８４に接続されたインダクタ１９１とを有している。キャパシタ１８８，１８９およびインダクタ１９０，１９１は、出力整合回路１９６を構成している。
【００７６】
電力増幅器２１Ｇは、更に、それぞれ一端が電源端子１８３に接続され、他端が接地端子１８４に接続されたキャパシタ１９２，１９３と、一端が電源端子１８３に接続され、他端がＭＭＩＣ１８５の電源入力端に接続されたチョークコイル１９４とを有している。なお、電力増幅器３２Ｗの回路構成は、電力増幅器２１Ｇと同様である。
【００７７】
次に、フロントエンドモジュール２Ａの構造について説明する。フロントエンドモジュール２Ａは、ダイプレクサ１１Ａ、高周波スイッチ１２Ｇおよびデュプレクサ１３Ｗを集積するための１つの集積用多層基板を備えている。集積用多層基板は、誘電体層と、パターン化された導体層とが交互に積層された構造になっている。フロントエンドモジュール２Ａの回路は、集積用多層基板の内部または表面上の導体層と、集積用多層基板に搭載された素子とによって構成されている。
【００７８】
次に、図９ないし図１１を参照して、本実施の形態におけるデュプレクサ１３Ｗの構造の３つの例について順に説明する。なお、ここでは、弾性波素子として弾性表面波素子を用いた場合の例について説明するが、弾性表面波素子の代わりにバルク弾性波素子を用いてもよい。弾性表面波素子が圧電体の表面を伝播する音波（弾性表面波）を利用しているのに対し、バルク弾性波素子は、圧電体内部を伝播する音波（バルク弾性波）を利用するものである。このバルク弾性波素子のうち、特に圧電体薄膜を用いて作製されたものを薄膜バルク波素子と呼び、特に圧電体薄膜を用いて作製された共振器を薄膜バルク波共振器（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）と呼ぶ。上記弾性波素子としては、上記薄膜バルク波素子を用いてもよい。この薄膜バルク波素子は、弾性表面波素子に比べて温度特性が良好である。一般に、弾性表面波素子の温度特性が４０ｐｐｍ／℃程度であるのに対し、薄膜バルク波素子の温度特性は２０ｐｐｍ／℃程度である。従って、薄膜バルク波素子は、フィルタに要求される急峻な周波数特性を実現するのに有利である。
【００７９】
図９は、デュプレクサ１３Ｗの構造の第１の例を示す断面図である。第１の例では、デュプレクサ１３Ｗは、図４における受信側バンドパスフィルタ１５５に用いられる弾性表面波素子を含むチップ５１と、図４における送信側バンドパスフィルタ１５７に用いられる弾性表面波素子を含むチップ５２と、これら２つのチップ５１，５２が実装された実装基板５３と、チップ５１，５２を封止するキャップ５４とを有している。実装基板５３は、例えば、誘電体層の材料としてセラミックを用いたセラミック多層基板になっている。実装基板５３は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分を含んでいる。例えば、デュプレクサ１３Ｗの受信側ディレーライン１５４および送信側ディレーライン１５６は、実装基板５３の内部または表面上の導体層を用いて構成されている。また、デュプレクサ１３Ｗの共通端子１５１、受信端子１５２および送信端子１５３は、実装基板５３の下面に配置されている。
【００８０】
チップ５１，５２は、ＬｉＴａＯ３等の圧電材料からなる圧電基板と、この圧電基板の一方の面に形成された櫛形電極と、この櫛形電極を外部の回路に接続するための接続電極５５とを有している。図９に示した例では、接続電極５５は、櫛形電極と同一面上に配置されている。また、この例では、チップ５１，５２は、櫛形電極が実装基板５３の上面に対向するように、フリップチップボンディングによって、実装基板５３に実装されている。なお、チップ５１，５２が実装基板５３に実装された状態で、櫛形電極と実装基板５３の上面との間に空間が形成されるようになっている。
【００８１】
第１の例では、上記の構成のデュプレクサ１３Ｗは、フロントエンドモジュール２Ａの集積用多層基板２０に搭載されている。集積用多層基板２０は、例えば低温焼成セラミック多層基板になっている。集積用多層基板２０は、デュプレクサ１３Ｗ以外のフロントエンドモジュール２Ａの回路を含んでいる。
【００８２】
図９には、第１の例におけるフロントエンドモジュール２Ａの厚さの一例が示されている。この例では、デュプレクサ１３Ｗの実装基板５３の厚さが０．５ｍｍ、デュプレクサ１３Ｗの実装基板５３の上面からキャップ５４の上面までの部分の厚さが０．５ｍｍ、集積用多層基板２０の厚さが０．８ｍｍとなっている。従って、この例では、フロントエンドモジュール２Ａの厚さは、１．８ｍｍ以上となる。
【００８３】
図１０は、デュプレクサ１３Ｗの構造の第２の例を示す断面図である。第２の例では、デュプレクサ１３Ｗは、第１の例と同様のチップ５１，５２を有している。しかし、第２の例では実装基板５３は設けられておらず、チップ５１，５２は、フロントエンドモジュール２Ａの集積用多層基板２０に、直接搭載されている。チップ５１，５２は、例えば、櫛形電極が集積用多層基板２０の上面に対向するように、フリップチップボンディングによって、集積用多層基板２０に実装されている。なお、チップ５１，５２が集積用多層基板２０に実装された状態で、櫛形電極と集積用多層基板２０の上面との間に空間が形成されるようになっている。また、チップ５１，５２は、キャップ５４によって封止されている。
【００８４】
第２の例では、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分は、集積用多層基板２０に含まれている。例えば、デュプレクサ１３Ｗの受信側ディレーライン１５４および送信側ディレーライン１５６は、集積用多層基板２０の内部または表面上の導体層を用いて構成されている。また、デュプレクサ１３Ｗの共通端子１５１、受信端子１５２および送信端子１５３は、集積用多層基板２０の下面に配置されている。また、集積用多層基板２０は、デュプレクサ１３Ｗ以外のフロントエンドモジュール２Ａの回路を含んでいる。第２の例のデュプレクサ１３Ｗを含むフロントエンドモジュール２Ａは、本発明の第１の高周波機能モジュールに対応する。なお、第１の高周波機能モジュールは、少なくともデュプレクサ１３Ｗと集積用多層基板２０を含んでいればよく、フロントエンドモジュール２Ａの一部であってもよい。第１の高周波機能モジュールにおける集積用多層基板２０は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分およびデュプレクサ１３Ｗに接続される回路のうちの少なくとも一部を含んでいればよい。すなわち、第１の高周波機能モジュールにおける集積用多層基板２０は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分の一部のみを含んでいてもよく、あるいはデュプレクサ１３Ｗに接続される回路の一部のみを含んでいてもよい。
【００８５】
図１０には、第２の例におけるフロントエンドモジュール２Ａの厚さの一例が示されている。この例では、集積用多層基板２０の上面からデュプレクサ１３Ｗのキャップ５４の上面までの部分の厚さが０．５ｍｍ、集積用多層基板２０の厚さが０．８ｍｍとなっている。従って、この例では、フロントエンドモジュール２Ａの厚さは、１．３ｍｍ以上となる。
【００８６】
図１１は、デュプレクサ１３Ｗの構造の第３の例を示す断面図である。第３の例では、デュプレクサ１３Ｗは、第１の例と同様のチップ５１，５２と、これらのチップ５１，５２が実装された１つまたは２つの実装基板５６と、チップ５１，５２を封止するキャップ５４とを有している。なお、図１１には、２つのチップ５１，５２を１つの実装基板５６に実装した例を示しているが、チップ５１，５２を、それぞれ別個の実装基板５６に実装してもよい。
【００８７】
実装基板５６は、単層の誘電体層と、この誘電体層の上面および下面に設けられた、パターン化された導体層と、誘電体層の側面に設けられ、誘電体層の上面に設けられた導体層と下面に設けられた導体層とを接続する導体部とを有している。チップ５１，５２は、例えば、櫛形電極が実装基板５６の上面に対向するように、フリップチップボンディングによって、実装基板５６に実装されている。なお、チップ５１，５２が実装基板５６に実装された状態で、櫛形電極と実装基板５６の上面との間に空間が形成されるようになっている。
【００８８】
チップ５１，５２および実装基板５６は、フロントエンドモジュール２Ａの集積用多層基板２０に搭載されている。第３の例では、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分は、集積用多層基板２０に含まれている。例えば、デュプレクサ１３Ｗの受信側ディレーライン１５４および送信側ディレーライン１５６は、集積用多層基板２０の内部または表面上の導体層を用いて構成されている。また、デュプレクサ１３Ｗの共通端子１５１、受信端子１５２および送信端子１５３は、集積用多層基板２０の下面に配置されている。また、集積用多層基板２０は、デュプレクサ１３Ｗ以外のフロントエンドモジュール２Ａの回路を含んでいる。第３の例のデュプレクサ１３Ｗを含むフロントエンドモジュール２Ａは、本発明の第２の高周波機能モジュールに対応する。なお、第２の高周波機能モジュールは、少なくともデュプレクサ１３Ｗと集積用多層基板２０を含んでいればよく、フロントエンドモジュール２Ａの一部であってもよい。第２の高周波機能モジュールにおける集積用多層基板２０は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分およびデュプレクサ１３Ｗに接続される回路のうちの少なくとも一部を含んでいればよい。すなわち、第２の高周波機能モジュールにおける集積用多層基板２０は、弾性表面波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分の一部のみを含んでいてもよく、あるいはデュプレクサ１３Ｗに接続される回路の一部のみを含んでいてもよい。
【００８９】
図１１には、第３の例におけるフロントエンドモジュール２Ａの厚さの一例が示されている。この例では、集積用多層基板２０の上面からデュプレクサ１３Ｗのキャップ５４の上面までの部分の厚さが０．７ｍｍ、集積用多層基板２０の厚さが０．８ｍｍとなっている。従って、この例では、フロントエンドモジュール２Ａの厚さは、１．５ｍｍ以上となる。
【００９０】
以上説明したように、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ａでは、ダイプレクサ１１Ａと、高周波スイッチ１２Ｇと、２つの弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗとを、１つの集積用多層基板２０によって集積している。弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗは、同軸誘電体形のデュプレクサに比べて、小型および軽量であると共に、複合化および集積化が容易である。従って、本実施の形態によれば、時分割多重接続方式（ＧＳＭ方式）と符号分割多重接続方式（Ｗ−ＣＤＭＡ方式）とに対応可能で、且つ、小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュール２Ａを実現することができる。
【００９１】
また、本実施の形態によれば、弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗを、ダイプレクサ１１Ａおよび高周波スイッチ１２Ｇと一体化することにより、デュプレクサ１３Ｗとその周辺回路とのインピーダンス整合を最適化することが可能になる。従って、本実施の形態によれば、フロントエンドモジュール２Ａの性能を向上させることも可能になる。
【００９２】
ところで、デュプレクサ１３Ｗでは、共通端子１５１、受信端子１５２、送信端子１５３の各インピーダンスは、通過帯域内の周波数に対しては、挿入損失が最小になるよう５０Ωに設定され、阻止帯域内の周波数に対しては、減衰が大きくなるように大きな値に設定される。そのため、弾性波素子と、弾性波素子以外の構成部分（ディレーライン１５４，１５６や整合回路）とを含むデュプレクサ１３Ｗ全体で、特性を最適化する必要がある。
【００９３】
図９に示したデュプレクサ１３Ｗの構造の第１の例では、それぞれ弾性波素子を含むチップ５１，５２と、弾性波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分を含む実装基板５３とが一体化されている。そのため、第１の例では、デュプレクサ１３Ｗを、フロントエンドモジュール２Ａにおける他の構成要素から独立した状態で製造することができる。従って、第１の例では、特性が最適化された状態のデュプレクサ１３Ｗを、集積用多層基板２０に搭載することができる。しかし、第１の例では、フロントエンドモジュール２Ａの厚さが大きくなってしまうという不具合がある。
【００９４】
図１０に示したデュプレクサ１３Ｗの構造の第２の例では、弾性波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分は集積用多層基板２０に設けられ、それぞれ弾性波素子を含むチップ５１，５２は集積用多層基板２０に搭載されている。この第２の例によれば、フロントエンドモジュール２Ａの厚さを小さくすることができる。また、第２の例によれば、デュプレクサ１３Ｗ全体で特性が最適になるように、チップ５１，５２の特性と、集積用多層基板２０に設けられた、弾性波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分の特性とを設計し、設計通りのチップ５１，５２および集積用多層基板２０を使用することによって、デュプレクサ１３Ｗ全体の特性を最適化することが可能になる。
【００９５】
ところで、ベアチップの状態であるチップ５１，５２の特性を測定するにはプローブを用いる必要がある。しかし、プローブ自体が高周波特性を持つため、チップ５１，５２の高周波特性を正確に測定することは難しい。そのため、ある割合で不良品のチップ５１，５２が集積用多層基板２０に搭載されるという不具合がある。不良品のチップ５１，５２が集積用多層基板２０に搭載されると、デュプレクサ１３Ｗ以外のフロントエンドモジュール２Ａの構成部分の特性が良好であっても、フロントエンドモジュール２Ａ全体が不良品になってしまう。そのため、第２の例では、フロントエンドモジュール２Ａの歩留まりが低くなるという不具合がある。
【００９６】
図１１に示したデュプレクサ１３Ｗの構造の第３の例では、それぞれ弾性波素子を含むチップ５１，５２は実装基板５６に実装されている。従って、チップ５１，５２および実装基板５６は、パッケージ化された１つの部品を構成している。また、第３の例では、弾性波素子以外のデュプレクサ１３Ｗの構成部分は集積用多層基板２０に設けられ、チップ５１，５２および実装基板５６は、集積用多層基板２０に搭載されている。チップ５１，５２および実装基板５６によって構成された部品については、プローブを用いることなく、通常の部品を測定するための治具を用いて正確に特性を測定することができる。従って、第３の例によれば、良品のチップ５１，５２および実装基板５６のみを集積用多層基板２０に搭載することができ、その結果、フロントエンドモジュール２Ａの歩留まりを向上させることができる。また、第３の例によれば、実装基板５６は薄くてもよいため、フロントエンドモジュール２Ａの厚さを小さくすることもできる。
【００９７】
以下、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ａの３つの変形例について説明する。
【００９８】
図１２は、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ａを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ａは、図１におけるダイプレクサ１１Ａの代わりに高周波スイッチ１４を備え、図１における高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を備えている。高周波スイッチ１４の可動接点はアンテナ１に接続されている。高周波スイッチ１４の２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号ＧＳＭを付した固定接点）はデュプレクサ１５の共通端子に接続されている。高周波スイッチ１４の他方の固定接点（符号Ｗ−ＣＤＭＡを付した固定接点）はデュプレクサ１３Ｗの共通端子に接続されている。
【００９９】
デュプレクサ１５の受信端子（符号Ｒを付した端子）は、バンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。デュプレクサ１５の送信端子（符号Ｔを付した端子）は、ローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。
【０１００】
高周波スイッチ１４の回路構成は高周波スイッチ１２Ｇと同様である。高周波スイッチ１４は、本発明における第１の分離手段に対応する。デュプレクサ１５の回路構成は、デュプレクサ１３Ｗと同様である。デュプレクサ１５は、本発明における第２の分離手段に対応する。第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ａのその他の構成は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａと同様である。
【０１０１】
このように、第１の分離手段は、ダイプレクサ１１Ａでもよいし、高周波スイッチ１４でもよい。また、第２の分離手段は、高周波スイッチ１２Ｇでもよいし、デュプレクサ１５でもよい。従って、第１の分離手段としてダイプレクサ１１Ａを用い、第２の分離手段としてデュプレクサ１５を用いてもよい。また、第１の分離手段として高周波スイッチ１４を用い、第２の分離手段として高周波スイッチ１２Ｇを用いてもよい。
【０１０２】
図１３は、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ａを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ａは、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａの構成要素に加え、ＧＳＭ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、ＧＳＭ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｇと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えている。また、第２の変形例では、集積用多層基板２０は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１０３】
第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ａのその他の構成は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａと同様である。第２の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ａに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ａ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１０４】
なお、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ａにおいて、ダイプレクサ１１Ａの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１０５】
図１４は、第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａは、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａの構成要素に加え、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇ、自動出力制御回路２３Ｇ、ローパスフィルタ２４Ｇ、バンドパスフィルタ２５Ｇ、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗ、アイソレータ３５Ｗ、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを備えている。また、第３の変形例では、集積用多層基板２０は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１０６】
第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａのその他の構成は、図１に示したフロントエンドモジュール２Ａと同様である。第３の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ａに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ａ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１０７】
なお、第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａにおいて、ダイプレクサ１１Ａの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１０８】
図１５は、第３の変形例のフロントエンドモジュール２Ａにおける電力増幅器２１Ｇの配置の一例を示す断面図である。この例では、電力増幅器２１ＧのＭＭＩＣ１８５は集積用多層基板２０に搭載されている。電力増幅器２１Ｇの入力整合回路１９５および出力整合回路１９６は、集積用多層基板２０の内部または表面上の導体層を用いて構成されている。図示しないが、電力増幅器２１Ｇのキャパシタ１９２，１９３およびチョークコイル１９４は集積用多層基板２０に搭載されている。また、集積用多層基板２０におけるＭＭＩＣ１８５が搭載される面とは反対側の面には、ＭＭＩＣ１８５が発生する熱を放散させるための導体層１９７が形成されている。集積用多層基板２０には、更に、ＭＭＩＣ１８５が発生する熱を導体層１９７に導くためにＭＭＩＣ１８５の下面と導体層１９７を接続する複数のビアホール１９８が形成されている。なお、電力増幅器３２Ｗの配置も、電力増幅器２１Ｇと同様である。
【０１０９】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式であるＧＳＭ方式と、時分割多重接続方式であるＤＣＳ方式と、符号分割多重接続方式であるＷ−ＣＤＭＡ方式とに対応し、これらの各方式の送信信号および受信信号を処理するモジュールである。ＤＣＳ方式の送信信号の周波数帯域は１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚである。ＤＣＳ方式の受信信号の周波数帯域は１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚである。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１０】
まず、図１６を参照して、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例について説明する。図１６に示した高周波回路は、アンテナ１と、このアンテナ１に接続された本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｂと、主に信号の変調および復調を行う集積回路３Ｂとを備えている。高周波回路は、更に、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式用の２つの電圧制御発振器（図ではＧＳＭ／ＤＣＳ ＶＣＯと記す。）４，５と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の電圧制御発振器６Ｗとを備えている。これらの電圧制御発振器４，５，６Ｗは集積回路３Ｂに接続されている。
【０１１１】
高周波回路は、更に、入力端がフロントエンドモジュール２Ｂに接続され、それぞれ出力端が集積回路３Ｂに接続されたバンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄと、入力端がフロントエンドモジュール２Ｂに接続されたローノイズアンプ３６Ｗと、入力端がローノイズアンプ３６Ｗの出力端に接続され、出力端が集積回路３Ｂに接続されたバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えている。バンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄ，３７Ｗは、それぞれ弾性波素子を用いて構成されている。
【０１１２】
高周波回路は、更に、第１の実施の形態と同様に構成された電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇ、自動出力制御回路２３Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、これらと同様に構成された、ＤＣＳ方式用の電力増幅器２１Ｄ、カプラ２２Ｄ、自動出力制御回路２３Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄとを備えている。
【０１１３】
高周波回路は、更に、第１の実施の形態と同様に構成されたバンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗおよびアイソレータ３５Ｗを備えている。バンドパスフィルタ３１Ｗは弾性波素子を用いて構成されている。
【０１１４】
次に、フロントエンドモジュール２Ｂについて詳しく説明する。フロントエンドモジュール２Ｂは、ダイプレクサ１１Ｂと、高周波スイッチ１６，１２Ｇ，１２Ｄと、デュプレクサ１３Ｗとを備えている。ダイプレクサ１１Ｂは、第１ないし第３のポートを有している。第１のポートはアンテナ１に接続されている。第２のポートはＧＳＭ方式の信号を入出力するようになっている。第３のポートはＷ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＤＣＳ方式の信号を入出力するようになっている。
【０１１５】
ダイプレクサ１１Ｂの第２のポートは、高周波スイッチ１２Ｇの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。ダイプレクサ１１Ｂの第３のポートは、高周波スイッチ１６の可動接点に接続されている。
【０１１６】
高周波スイッチ１６の２つの固定接点のうちの一方の固定接点はデュプレクサ１３Ｗに接続されている。高周波スイッチ１６の他方の固定接点は、高周波スイッチ１２Ｄの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｄの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｄの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｄの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｄの出力端に接続されている。
【０１１７】
デュプレクサ１３Ｗは、共通端子と受信端子（符号Ｒを付した端子）と送信端子（符号Ｔを付した端子）とを有している。デュプレクサ１３Ｗの共通端子は、高周波スイッチ１６の一方の固定接点に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの受信端子は、ローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの送信端子は、アイソレータ３５Ｗの出力端に接続されている。
【０１１８】
ダイプレクサ１１Ｂは、信号の周波数に応じて、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号、受信信号およびＤＣＳ方式の送信信号、受信信号とを分離する。具体的に説明すると、ダイプレクサ１１Ｂは、第２のポートに入力されたＧＳＭ方式の送信信号と、第３のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号またはＤＣＳ方式の送信信号を第１のポートより出力する。また、ダイプレクサ１１Ｂは、第１のポートに入力されたＧＳＭ方式の受信信号を第２のポートより出力し、第１のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号またはＤＣＳ方式の受信信号を第３のポートより出力する。ダイプレクサ１１Ｂの構成は、第１の実施の形態におけるダイプレクサ１１Ａと同様である。
【０１１９】
高周波スイッチ１６は、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号と、ＤＣＳ方式の送信信号および受信信号とを分離する。具体的に説明すると、高周波スイッチ１６は、一方の固定接点に入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号を可動接点より出力し、可動接点に入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を一方の固定接点より出力する。また、高周波スイッチ１６は、他方の固定接点に入力されたＤＣＳ方式の送信信号を可動接点より出力し、可動接点に入力されたＤＣＳ方式の受信信号を他方の固定接点より出力する。高周波スイッチ１６の構成は、高周波スイッチ１２Ｇと同様である。ダイプレクサ１１Ｂおよび高周波スイッチ１６は、本発明における第１の分離手段に対応する。
【０１２０】
高周波スイッチ１２Ｇは、ＧＳＭ方式の送信信号とＧＳＭ方式の受信信号とを分離する。高周波スイッチ１２Ｇの具体的な動作は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。高周波スイッチ１２Ｇは、本発明における第２の分離手段に対応する。
【０１２１】
高周波スイッチ１２Ｄは、ＤＣＳ方式の送信信号とＤＣＳ方式の受信信号とを分離する。具体的に説明すると、高周波スイッチ１２Ｄは、可動接点に入力されたＤＣＳ方式の受信信号（図では、ＤＣＳ／ＲＸと記す。）を一方の固定接点より出力し、他方の固定接点に入力されたＤＣＳ方式の送信信号（図では、ＤＣＳ／ＴＸと記す。）を可動接点より出力する。高周波スイッチ１２Ｄの構成は、高周波スイッチ１２Ｇと同様である。高周波スイッチ１２Ｄは、本発明における第３の分離手段に対応する。
【０１２２】
デュプレクサ１３Ｗは、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号とＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号とを分離する。デュプレクサ１３Ｗの具体的な動作は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２３】
次に、集積回路３Ｂについて説明する。集積回路３Ｂは、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの入力信号を入力すると共に、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの出力信号を出力するようになっている。
【０１２４】
集積回路３Ｂは、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｇの出力端に接続されたミキサ４２Ｇと、入力端がミキサ４２Ｇの出力端に接続された増幅器４３Ｇと、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｄの出力端に接続されたミキサ４２Ｄと、入力端がミキサ４２Ｄの出力端に接続された増幅器４３Ｄと、入力端がバンドパスフィルタ３７Ｗの出力端に接続されたミキサ４２Ｗと、入力端がミキサ４２Ｗの出力端に接続された増幅器４３Ｗと、出力端が電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄの各入力端に接続されたミキサ４１と、出力端がバンドパスフィルタ３１Ｗの入力端に接続されたミキサ４１Ｗと備えている。ミキサ４２Ｇ，４２Ｄは電圧制御発振器５に接続されている。ミキサ４２Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。ミキサ４１は電圧制御発振器４に接続されている。ミキサ４１Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。
【０１２５】
集積回路３Ｂは、更に、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式用の位相同期化ループ回路（図ではＧＳＭ／ＤＣＳ ＰＬＬと記す。）４４と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の位相同期化ループ回路４５Ｗとを備えている。位相同期化ループ回路４４は、電圧制御発振器４，５に接続されている。位相同期化ループ回路４５Ｗは、電圧制御発振器６Ｗに接続されている。
【０１２６】
ミキサ４２Ｇは、バンドパスフィルタ２５Ｇの出力信号に、電圧制御発振器５が出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｄは、バンドパスフィルタ２５Ｄの出力信号に、電圧制御発振器５が出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｗは、バンドパスフィルタ３７Ｗの出力信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。
【０１２７】
ミキサ４１は、集積回路３Ｂに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器４が出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。ミキサ４１Ｗは、集積回路３Ｂに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。
【０１２８】
図示しないが、集積回路３Ｂは、更に、入力したＩ信号とＱ信号を直交変調し、変調された信号をミキサ４１，４１Ｗに送る機能と、増幅器４３Ｇ，４３Ｄ，４３Ｗの出力信号を直交復調してＩ信号とＱ信号とを生成し、これらを出力する機能とを備えている。なお、ミキサ４１，４１Ｗが直交変調する機能を兼ね備えていてもよいし、ミキサ４２Ｇ，４２Ｄ，４２Ｗが直交復調する機能を兼ね備えていてもよい。
【０１２９】
高周波スイッチ１２Ｇより出力されるＧＳＭ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｇを通過してミキサ４２Ｇに入力されるようになっている。高周波スイッチ１２Ｄより出力されるＤＣＳ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｄを通過してミキサ４２Ｄに入力されるようになっている。デュプレクサ１３Ｗより出力されるＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号は、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを通過してミキサ４２Ｗに入力されるようになっている。
【０１３０】
ミキサ４１の出力信号は、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇを通過して高周波スイッチ１２Ｇに入力されると共に、電力増幅器２１Ｄ、カプラ２２Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄを通過して高周波スイッチ１２Ｄに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｗの出力信号は、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗおよびアイソレータ３５Ｗを通過してデュプレクサ１３Ｗに入力されるようになっている。
【０１３１】
次に、フロントエンドモジュール２Ｂの構造について説明する。フロントエンドモジュール２Ｂは、ダイプレクサ１１Ｂ、高周波スイッチ１６，１２Ｇ，１２Ｄおよびデュプレクサ１３Ｗを集積するための１つの集積用多層基板２０を備えている。集積用多層基板２０の基本的な構造は、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態におけるデュプレクサ１３Ｗの構造は、第１の実施の形態と同様に、図９ないし図１１に示した第１ないし第３の例のいずれでもよい。
【０１３２】
以上説明したように、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｂでは、ダイプレクサ１１Ｂと、高周波スイッチ１６，１２Ｇ，１２Ｄと、２つの弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗとを、１つの集積用多層基板２０によって集積している。従って、本実施の形態によれば、２種類の時分割多重接続方式（ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式）と１種類の符号分割多重接続方式（Ｗ−ＣＤＭＡ方式）とに対応可能で、且つ、小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュール２Ｂを実現することができる。
【０１３３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、ダイプレクサ１１Ｂの代わりに、図１２に示した高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりに、図１２に示したデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりに、図１２に示したデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１３４】
以下、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｂの２つの変形例について説明する。
【０１３５】
図１７は、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂは、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂの構成要素に加え、ＧＳＭ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、ＤＣＳ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄと、ＧＳＭ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｇと、ＤＣＳ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｄと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えている。また、第１の変形例では、集積用多層基板２０は、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１３６】
第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂのその他の構成は、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂと同様である。第２の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ｂに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ｂ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１３７】
なお、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂにおいて、ダイプレクサ１１Ｂの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１３８】
図１８は、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂの構造の一例を示す平面図である。図１９は、図１８に示したフロントエンドモジュール２ＢのＡ−Ａ線断面図である。図１８に示したように、この例では、集積用多層基板２０の上面に６つの領域が形成されている。６つの領域とは、ダイプレクサ部６１、高周波スイッチ回路部６２、高周波スイッチ回路部６３、デュプレクサ部６４、送信回路部６５および受信回路部６６である。
【０１３９】
ダイプレクサ部６１にはダイプレクサ１１Ｂが搭載されている。高周波スイッチ回路部６２には、高周波スイッチ１２Ｇに含まれる２つのダイオード７１が搭載されている。高周波スイッチ回路部６３には、高周波スイッチ１６に含まれる２つのダイオード７２と高周波スイッチ１２Ｄに含まれる２つのダイオード７２とが搭載されている。デュプレクサ部６４には、デュプレクサ１３Ｗに含まれる２つのチップ７３が搭載されている。２つのチップ７３は、それぞれ弾性波素子を含んでいる。送信回路部６５には、ローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄとカプラ２２Ｇ，２２Ｄが搭載されている。受信回路部６６には、バンドパスフィルタ２５Ｇに含まれるチップ７４と、バンドパスフィルタ２５Ｄに含まれるチップ７５と、バンドパスフィルタ３７Ｗに含まれるチップ７６とが搭載されている。チップ７４，７５，７６は、それぞれ弾性波素子を含んでいる。なお、ダイプレクサ１１Ｂ、ローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄ、カプラ２２Ｇ，２２Ｄは、図２、図６および図７から明らかなように、インダクタとキャパシタによって構成できるため、これらの全部または一部を集積用多層基板２０の内部において構成してもよい。
【０１４０】
図１９に示したように、集積用多層基板２０の上面に搭載された上記の各構成要素は、シールドケース７７によって覆われている。なお、図１８ではシールドケース７７を省略している。
【０１４１】
また、この例では、図１８に示したように、集積用多層基板２０の上面の形状は、縦６ｍｍ、横１０ｍｍの矩形になっている。また、図１９に示したように、フロントエンドモジュール２Ｂの厚さは１．５ｍｍになっている。
【０１４２】
図２０は、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂは、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂの構成要素に加え、電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄ、カプラ２２Ｇ，２２Ｄ、自動出力制御回路２３Ｇ，２３Ｄ、ローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄ、バンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄ、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗ、アイソレータ３５Ｗ、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを備えている。また、第２の変形例では、集積用多層基板２０は、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１４３】
第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂのその他の構成は、図１６に示したフロントエンドモジュール２Ｂと同様である。第２の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ｂに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ｂ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１４４】
なお、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｂにおいて、ダイプレクサ１１Ｂの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１４５】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式であるＧＳＭ方式と、時分割多重接続方式であるＤＣＳ方式と、符号分割多重接続方式であるＷ−ＣＤＭＡ方式と、符号分割多重接続方式である狭帯域符号分割多重接続（以下、Ｎ−ＣＤＭＡと記す。）方式に対応し、これらの各方式の送信信号および受信信号を処理するモジュールである。Ｎ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域は８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚである。Ｎ−ＣＤＭＡ方式の受信信号の周波数帯域は８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚである。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域は、第１の実施の形態と同様である。また、ＤＣＳ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域は第２の実施の形態と同様である。
【０１４６】
まず、図２１を参照して、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例について説明する。図２１に示した高周波回路は、アンテナ１と、このアンテナ１に接続された本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｃと、主に信号の変調および復調を行う集積回路３Ｃとを備えている。高周波回路は、更に、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式用の２つの電圧制御発振器４，５と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の電圧制御発振器６Ｗと、Ｎ−ＣＤＭＡ方式用の電圧制御発振器６Ｎとを備えている。これらの電圧制御発振器４，５，６Ｗ，６Ｎは集積回路３Ｃに接続されている。
【０１４７】
高周波回路は、更に、入力端がフロントエンドモジュール２Ｃに接続され、それぞれ出力端が集積回路３Ｃに接続されたバンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄと、入力端がフロントエンドモジュール２Ｃに接続されたローノイズアンプ３６Ｗと、入力端がローノイズアンプ３６Ｗの出力端に接続され、出力端が集積回路３Ｃに接続されたバンドパスフィルタ３７Ｗと、入力端がフロントエンドモジュール２Ｃに接続されたローノイズアンプ３６Ｎと、入力端がローノイズアンプ３６Ｎの出力端に接続され、出力端が集積回路３Ｃに接続されたバンドパスフィルタ３７Ｎとを備えている。バンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄ，３７Ｗ，３７Ｎは、それぞれ弾性波素子を用いて構成されている。
【０１４８】
高周波回路は、更に、第２の実施の形態と同様に構成された電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄ、カプラ２２Ｇ，２２Ｄ、自動出力制御回路２３Ｇ，２３Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄを備えている。
【０１４９】
高周波回路は、更に、第１の実施の形態と同様に構成されたバンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗおよびアイソレータ３５Ｗと、これらと同様に構成された、Ｎ−ＣＤＭＡ方式用のバンドパスフィルタ３１Ｎ、電力増幅器３２Ｎ、カプラ３３Ｎ、自動出力制御回路３４Ｎおよびアイソレータ３５Ｎとを備えている。バンドパスフィルタ３１Ｗ，３１Ｎは弾性波素子を用いて構成されている。
【０１５０】
次に、フロントエンドモジュール２Ｃについて詳しく説明する。フロントエンドモジュール２Ｃは、ダイプレクサ１１Ｃと、高周波スイッチ１６，１７，１２Ｇ，１２Ｄと、デュプレクサ１３Ｗ，１３Ｎとを備えている。ダイプレクサ１１Ｃは、第１ないし第３のポートを有している。第１のポートはアンテナ１に接続されている。第２のポートはＮ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＧＳＭ方式の信号を入出力するようになっている。第３のポートはＷ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＤＣＳ方式の信号を入出力するようになっている。
【０１５１】
ダイプレクサ１１Ｃの第２のポートは、高周波スイッチ１７の可動接点に接続されている。高周波スイッチ１７の２つの固定接点のうちの一方の固定接点はデュプレクサ１３Ｎに接続されている。高周波スイッチ１７の他方の固定接点は、高周波スイッチ１２Ｇの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｇの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。
【０１５２】
ダイプレクサ１１Ｃの第３のポートは、高周波スイッチ１６の可動接点に接続されている。高周波スイッチ１６の２つの固定接点のうちの一方の固定接点はデュプレクサ１３Ｗに接続されている。高周波スイッチ１６の他方の固定接点は、高周波スイッチ１２Ｄの可動接点に接続されている。高周波スイッチ１２Ｄの２つの固定接点のうちの一方の固定接点（符号Ｒを付した固定接点）はバンドパスフィルタ２５Ｄの入力端に接続されている。高周波スイッチ１２Ｄの他方の固定接点（符号Ｔを付した固定接点）はローパスフィルタ２４Ｄの出力端に接続されている。
【０１５３】
デュプレクサ１３Ｎは、共通端子と受信端子（符号Ｒを付した端子）と送信端子（符号Ｔを付した端子）とを有している。デュプレクサ１３Ｎの共通端子は、高周波スイッチ１７の一方の固定接点に接続されている。デュプレクサ１３Ｎの受信端子は、ローノイズアンプ３６Ｎの入力端に接続されている。デュプレクサ１３Ｎの送信端子は、アイソレータ３５Ｎの出力端に接続されている。
【０１５４】
デュプレクサ１３Ｗは、共通端子と受信端子（符号Ｒを付した端子）と送信端子（符号Ｔを付した端子）とを有している。デュプレクサ１３Ｗの共通端子は、高周波スイッチ１６の一方の固定接点に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの受信端子は、ローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されている。デュプレクサ１３Ｗの送信端子は、アイソレータ３５Ｗの出力端に接続されている。
【０１５５】
ダイプレクサ１１Ｃは、信号の周波数に応じて、Ｎ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＧＳＭ方式の信号と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の信号およびＤＣＳ方式の信号とを分離する。具体的に説明すると、ダイプレクサ１１Ｃは、第２のポートに入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の送信信号またはＧＳＭ方式の送信信号と、第３のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の送信信号またはＤＣＳ方式の送信信号を第１のポートより出力する。また、ダイプレクサ１１Ｃは、第１のポートに入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号またはＧＳＭ方式の受信信号を第２のポートより出力し、第１のポートに入力されたＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号またはＤＣＳ方式の受信信号を第３のポートより出力する。ダイプレクサ１１Ｃの構成は、第１の実施の形態におけるダイプレクサ１１Ａと同様である。
【０１５６】
高周波スイッチ１７は、Ｎ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号と、ＧＳＭ方式の送信信号および受信信号とを分離する。具体的に説明すると、高周波スイッチ１７は、一方の固定接点に入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の送信信号を可動接点より出力し、可動接点に入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を一方の固定接点より出力する。また、高周波スイッチ１７は、他方の固定接点に入力されたＧＳＭ方式の送信信号を可動接点より出力し、可動接点に入力されたＧＳＭ方式の受信信号を他方の固定接点より出力する。高周波スイッチ１７の構成は、高周波スイッチ１２Ｇと同様である。
【０１５７】
高周波スイッチ１６は、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号および受信信号と、ＤＣＳ方式の送信信号および受信信号とを分離する。高周波スイッチ１６の具体的な動作は、第２の実施の形態と同様であるため説明を省略する。ダイプレクサ１１Ｃおよび高周波スイッチ１６，１７は、本発明における第１の分離手段に対応する。
【０１５８】
高周波スイッチ１２Ｇは、ＧＳＭ方式の送信信号とＧＳＭ方式の受信信号とを分離する。高周波スイッチ１２Ｇの具体的な動作は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。高周波スイッチ１２Ｇは、本発明における第２の分離手段に対応する。
【０１５９】
高周波スイッチ１２Ｄは、ＤＣＳ方式の送信信号とＤＣＳ方式の受信信号とを分離する。高周波スイッチ１２Ｄの具体的な動作は、第２の実施の形態と同様であるため説明を省略する。高周波スイッチ１２Ｄは、本発明における第３の分離手段に対応する。
【０１６０】
デュプレクサ１３Ｗは、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号とＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号とを分離する。デュプレクサ１３Ｗの動作は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。デュプレクサ１３Ｗは、本発明における第１のデュプレクサに対応する。
【０１６１】
デュプレクサ１３Ｎは、Ｎ−ＣＤＭＡ方式の送信信号とＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号とを分離する。具体的に説明すると、デュプレクサ１３Ｎは、共通端子に入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号（図では、ＮＣＤＭＡ／ＲＸと記す。）を受信端子より出力し、送信端子に入力されたＮ−ＣＤＭＡ方式の送信信号（図では、ＮＣＤＭＡ／ＴＸと記す。）を共通端子より出力する。デュプレクサ１３Ｎの構成は、デュプレクサ１３Ｗと同様である。デュプレクサ１３Ｎは、本発明における第２のデュプレクサに対応する。
【０１６２】
次に、集積回路３Ｃについて説明する。集積回路３Ｃは、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの入力信号を入力すると共に、Ｉ信号とＱ信号からなるベースバンドの出力信号を出力するようになっている。
【０１６３】
集積回路３Ｃは、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｇの出力端に接続されたミキサ４２Ｇと、入力端がミキサ４２Ｇの出力端に接続された増幅器４３Ｇと、入力端がバンドパスフィルタ２５Ｄの出力端に接続されたミキサ４２Ｄと、入力端がミキサ４２Ｄの出力端に接続された増幅器４３Ｄとを備えている。集積回路３Ｃは、更に、入力端がバンドパスフィルタ３７Ｗの出力端に接続されたミキサ４２Ｗと、入力端がミキサ４２Ｗの出力端に接続された増幅器４３Ｗと、入力端がバンドパスフィルタ３７Ｎの出力端に接続されたミキサ４２Ｎと、入力端がミキサ４２Ｎの出力端に接続された増幅器４３Ｎとを備えている。
【０１６４】
集積回路３Ｃは、更に、出力端が電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄの各入力端に接続されたミキサ４１と、出力端がバンドパスフィルタ３１Ｗの入力端に接続されたミキサ４１Ｗと、出力端がバンドパスフィルタ３１Ｎの入力端に接続されたミキサ４１Ｎと備えている。ミキサ４２Ｇ，４２Ｄは電圧制御発振器５に接続されている。ミキサ４２Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。ミキサ４１は電圧制御発振器４に接続されている。ミキサ４１Ｗは電圧制御発振器６Ｗに接続されている。ミキサ４１Ｎは電圧制御発振器６Ｎに接続されている。
【０１６５】
集積回路３Ｃは、更に、ＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式用の位相同期化ループ回路４４と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式用の位相同期化ループ回路４５Ｗと、Ｎ−ＣＤＭＡ方式用の位相同期化ループ回路４５Ｎとを備えている。位相同期化ループ回路４４は、電圧制御発振器４，５に接続されている。位相同期化ループ回路４５Ｗは、電圧制御発振器６Ｗに接続されている。位相同期化ループ回路４５Ｎは、電圧制御発振器６Ｎに接続されている。
【０１６６】
ミキサ４２Ｇは、バンドパスフィルタ２５Ｇの出力信号に、電圧制御発振器５が出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｄは、バンドパスフィルタ２５Ｄの出力信号に、電圧制御発振器５が出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｗは、バンドパスフィルタ３７Ｗの出力信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。ミキサ４２Ｎは、バンドパスフィルタ３７Ｎの出力信号に、電圧制御発振器６Ｎが出力する高周波信号をミックスして、高周波の受信信号をベースバンド信号に変換するようになっている。
【０１６７】
ミキサ４１は、集積回路３Ｃに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器４が出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。ミキサ４１Ｗは、集積回路３Ｃに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器６Ｗが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。ミキサ４１Ｎは、集積回路３Ｃに入力されたベースバンド信号に、電圧制御発振器６Ｎが出力する高周波信号をミックスして、ベースバンド信号を高周波の送信信号に変換するようになっている。
【０１６８】
図示しないが、集積回路３Ｃは、更に、入力したＩ信号とＱ信号を直交変調し、変調された信号をミキサ４１，４１Ｗ，４１Ｎに送る機能と、増幅器４３Ｇ，４３Ｄ，４３Ｗ，４３Ｎの出力信号を直交復調してＩ信号とＱ信号とを生成し、これらを出力する機能とを備えている。なお、ミキサ４１，４１Ｗ，４１Ｎが直交変調する機能を兼ね備えていてもよいし、ミキサ４２Ｇ，４２Ｄ，４２Ｗ，４２Ｎが直交復調する機能を兼ね備えていてもよい。
【０１６９】
高周波スイッチ１２Ｇより出力されるＧＳＭ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｇを通過してミキサ４２Ｇに入力されるようになっている。高周波スイッチ１２Ｄより出力されるＤＣＳ方式の受信信号は、バンドパスフィルタ２５Ｄを通過してミキサ４２Ｄに入力されるようになっている。デュプレクサ１３Ｗより出力されるＷ−ＣＤＭＡ方式の受信信号は、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを通過してミキサ４２Ｗに入力されるようになっている。デュプレクサ１３Ｎより出力されるＮ−ＣＤＭＡ方式の受信信号は、ローノイズアンプ３６Ｎおよびバンドパスフィルタ３７Ｎを通過してミキサ４２Ｎに入力されるようになっている。
【０１７０】
ミキサ４１の出力信号は、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇを通過して高周波スイッチ１２Ｇに入力されると共に、電力増幅器２１Ｄ、カプラ２２Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄを通過して高周波スイッチ１２Ｄに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｗの出力信号は、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗおよびアイソレータ３５Ｗを通過してデュプレクサ１３Ｗに入力されるようになっている。ミキサ４１Ｎの出力信号は、バンドパスフィルタ３１Ｎ、電力増幅器３２Ｎ、カプラ３３Ｎおよびアイソレータ３５Ｎを通過してデュプレクサ１３Ｎに入力されるようになっている。
【０１７１】
次に、フロントエンドモジュール２Ｃの構造について説明する。フロントエンドモジュール２Ｃは、ダイプレクサ１１Ｃ、高周波スイッチ１６，１７，１２Ｇ，１２Ｄおよびデュプレクサ１３Ｗ，１３Ｎを集積するための１つの集積用多層基板２０を備えている。集積用多層基板２０の基本的な構造は、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態におけるデュプレクサ１３Ｗ，１３Ｎの構造は、第１の実施の形態と同様に、図９ないし図１１に示した第１ないし第３の例のいずれでもよい。本実施の形態において、デュプレクサ１３Ｗに含まれる２つの弾性波素子は、本発明における第１の弾性波素子に対応し、デュプレクサ１３Ｎに含まれる２つの弾性波素子は、本発明における第２の弾性波素子に対応する。従って、デュプレクサ１３Ｗに含まれる弾性波素子を含むチップは、本発明における第１のチップに対応し、デュプレクサ１３Ｎに含まれる弾性波素子を含むチップは、本発明における第２のチップに対応する。また、デュプレクサ１３Ｗに含まれる弾性波素子を含むチップが搭載される実装基板５３，５６は、本発明における第１の実装基板に対応し、デュプレクサ１３Ｎに含まれる弾性波素子を含むチップが搭載される実装基板５３，５６は、本発明における第２の実装基板に対応する。
【０１７２】
以上説明したように、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｃでは、ダイプレクサ１１Ｃと、高周波スイッチ１６，１７，１２Ｇ，１２Ｄと、２つの弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｗと、２つの弾性波素子を含むデュプレクサ１３Ｎとを、１つの集積用多層基板２０によって集積している。従って、本実施の形態によれば、２種類の時分割多重接続方式（ＧＳＭ方式とＤＣＳ方式）と２種類の符号分割多重接続方式（Ｗ−ＣＤＭＡ方式とＮ−ＣＤＭＡ方式）とに対応可能で、且つ、小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュール２Ｃを実現することができる。
【０１７３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、ダイプレクサ１１Ｃの代わりに、図１２に示した高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりに、図１２に示したデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりに、図１２に示したデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１７４】
以下、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｃの２つの変形例について説明する。
【０１７５】
図２２は、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃは、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃの構成要素に加え、ＧＳＭ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、ＤＣＳ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｄおよびローパスフィルタ２４Ｄと、ＧＳＭ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｇと、ＤＣＳ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｄと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｗと、Ｎ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｎとを備えている。また、第１の変形例では、集積用多層基板２０は、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１７６】
第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃのその他の構成は、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃと同様である。第１の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ｃに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ｃ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１７７】
なお、第１の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃにおいて、ダイプレクサ１１Ｃの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１７８】
図２３は、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃは、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃの構成要素に加え、電力増幅器２１Ｇ，２１Ｄ、カプラ２２Ｇ，２２Ｄ、自動出力制御回路２３Ｇ，２３Ｄ、ローパスフィルタ２４Ｇ，２４Ｄ、バンドパスフィルタ２５Ｇ，２５Ｄ、バンドパスフィルタ３１Ｗ，３１Ｎ、電力増幅器３２Ｗ，３２Ｎ、カプラ３３Ｗ，３３Ｎ、自動出力制御回路３４Ｗ，３４Ｎ、アイソレータ３５Ｗ，３５Ｎ、ローノイズアンプ３６Ｗ，３６Ｎおよびバンドパスフィルタ３７Ｗ，３７Ｎを備えている。また、第２の変形例では、集積用多層基板２０は、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積している。
【０１７９】
第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃのその他の構成は、図２１に示したフロントエンドモジュール２Ｃと同様である。第２の変形例によれば、フロントエンドモジュール２Ｃに新たに加えられた上記の各構成要素も含めて、フロントエンドモジュール２Ｃ全体の特性の最適化を図ることができる。
【０１８０】
なお、第２の変形例のフロントエンドモジュール２Ｃにおいて、ダイプレクサ１１Ｃの代わりに高周波スイッチ１４を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｇの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよいし、高周波スイッチ１２Ｄの代わりにデュプレクサ１５を用いてもよい。
【０１８１】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、第１ないし第３の各実施の形態に係るフロントエンドモジュールにおいて、更にアンテナ１を備えたものである。本実施の形態において、集積用多層基板２０は、第１ないし第３の各実施の形態における構成要素に加え、アンテナ１も集積する。
【０１８２】
以下、本実施の形態におけるアンテナ１の構造の２つの例について説明する。携帯電話に用いられるアンテナとしては、各種の形式および構造のものが知られているが、ここでは、アンテナ１としてパッチアンテナを用いるものとする。
【０１８３】
図２４は、アンテナ１の構造の第１の例を示す斜視図である。第１の例では、アンテナ１は、集積用多層基板２０とは別個に製造され、例えば半田付けによって集積用多層基板２０に搭載されている。第１の例におけるアンテナ１は、誘電体よりなる直方体形状の誘電体部８１と、この誘電体部８１の上面に設けられた電極８２と、誘電体部８１の底面に設けられ、接地面を形成する導体層８３と、誘電体部８１の側部に設けられた給電用導体部８４と備えている。電極８２および導体層８３は、それぞれ矩形の平板状になっている。給電用導体部８４の上端部は、電極８２の側部に対して、所定の間隔を開けて対向している。集積用多層基板２０の上面には、給電用導体部８４の下端部に接続される導体層８５が設けられている。
【０１８４】
図２５は、アンテナ１の構造の第２の例を示す斜視図である。第２の例では、アンテナ１は、集積用多層基板２０に組み込まれている。第２の例におけるアンテナ１は、集積用多層基板２０の上面に設けられた電極９２と、集積用多層基板２０の内部において電極９２に対向する位置に配置され、接地面を形成する導体層９３と、集積用多層基板２０の側部に設けられた給電用導体部９４と備えている。電極９２および導体層９３は、それぞれ矩形の平板状になっている。給電用導体部９４の上端部は、電極９２の側部に対して、所定の間隔を開けて対向している。また、集積用多層基板２０の内部において、導体層９３よりも下の位置には、給電用導体部９４の下端部に接続される導体層９５が設けられている。
【０１８５】
本実施の形態によれば、アンテナ１も含めて、フロントエンドモジュール全体の特性の最適化を図ることができる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、変形例も含めて第１ないし第３のいずれかの実施の形態と同様である。
【０１８６】
［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態に係るフロントエンドモジュールについて説明する。本実施の形態に係るフロントエンドモジュールは、時分割多重接続方式であるＧＳＭ方式と符号分割多重接続方式であるＷ−ＣＤＭＡ方式とに対応し、これらの各方式の送信信号および受信信号を処理するモジュールである。ＧＳＭ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域と、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号の周波数帯域および受信信号の周波数帯域は、第１の実施の形態と同様である。
【０１８７】
まず、図２６を参照して、本実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例について説明する。図２６に示した高周波回路は、アンテナ１と、このアンテナ１に接続された本実施の形態に係るフロントエンドモジュール２Ｅとを備えている。図２６に示した高周波回路におけるその他の部分の構成は、第１の実施の形態における高周波回路におけるアンテナ１およびフロントエンドモジュール２Ａ以外の部分の構成と同様である。
【０１８８】
次に、フロントエンドモジュール２Ｅについて詳しく説明する。フロントエンドモジュール２Ｅは、デュプレクサ２５０と高周波スイッチ２６０とを備えている。高周波スイッチ２６０は、可動接点２６０ａと、３つの固定接点２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄとを有している。可動接点２６０ａはアンテナ１に接続されている。固定接点２６０ｂは、後述する送信側ディレーライン２５６の一端に接続されている。固定接点２６０ｃはローパスフィルタ２４Ｇの出力端に接続されている。固定接点２６０ｄはバンドパスフィルタ２５Ｇの入力端に接続されている。
【０１８９】
デュプレクサ２５０は、一端がアンテナ１に接続された受信側ディレーライン２５４と、入力端が受信側ディレーライン２５４の他端に接続され、出力端がローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続された受信側バンドパスフィルタ（図２６ではＢＰＦと記す。）２５５とを有している。デュプレクサ２５０は、更に、一端が高周波スイッチ２６０の固定接点２６０ｂに接続された送信側ディレーライン２５６と、出力端が送信側ディレーライン２５６の他端に接続され、入力端がアイソレータ３５Ｗの出力端に接続された送信側バンドパスフィルタ（図２６ではＢＰＦと記す。）２５７とを有している。バンドパスフィルタ２５５，２５７は、いずれも弾性波素子を用いて構成されている。ディレーライン２５４，２５６の作用は第１の実施の形態におけるディレーライン１５４，１５６と同様である。また、バンドパスフィルタ２５５，２５７の構成および作用は、第１の実施の形態におけるバンドパスフィルタ１５５，１５７と同様である。
【０１９０】
図２７は、図２６におけるデュプレクサ２５０を示すブロック図である。デュプレクサ２５０は、前述のディレーライン２５４，２５６およびバンドパスフィルタ２５５，２５７の他に、アンテナ端子２５１と受信端子２５２と送信端子２５３と端子２７１，２７２とを有している。アンテナ端子２５１は、受信側ディレーライン２５４の一端に接続されている。また、アンテナ端子２５１は、アンテナ１に接続されるようになっている。受信端子２５２は、受信側バンドパスフィルタ（図２７では受信側ＢＰＦと記す。）２５５の出力端に接続されている。また、受信端子２５２は、ローノイズアンプ３６Ｗの入力端に接続されるようになっている。送信端子２５３は、送信側バンドパスフィルタ（図２７では送信側ＢＰＦと記す。）２５７の入力端に接続されている。また、送信端子２５３は、アイソレータ３５Ｗの出力端に接続されるようになっている。端子２７１は、受信側ディレーライン２５４の一端に接続されている。また、端子２７１は、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａに接続されるようになっている。端子２７２は、送信側ディレーライン２５６の一端に接続されている。また、端子２７２は、高周波スイッチ２６０の固定接点２６０ｂに接続されるようになっている。
【０１９１】
図２６および図２７に示したように、本実施の形態では、受信側ディレーライン２５４の一端は、常にアンテナ１に接続されている。一方、送信側ディレーライン２５６の一端は、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａと固定接点２６０ｂとが接続されたときにのみ、アンテナ１に接続される。高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａと固定接点２６０ｂとが接続された状態では、図２７に示したデュプレクサ２５０は、図４に示したデュプレクサ１３Ｗと同様の構成になる。本発明におけるデュプレクサは、図２７に示した構成のものも含む。
【０１９２】
なお、図５に示した回路構成と同様に、図２７に示したデュプレクサ２５０におけるアンテナ端子２５１、受信端子２５２、送信端子２５３と、それらに接続される外部の回路との間に、それぞれ、デュプレクサ２５０と外部の回路とのインピーダンス整合を行う整合回路を設けてもよい。
【０１９３】
次に、本実施の形態におけるフロントエンドモジュール２Ｅの作用について説明する。このフロントエンドモジュール２Ｅでは、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号（図２６では、ＷＣＤＭＡ／ＲＸと記す。）を常に受信できる状態になっている。従って、このフロントエンドモジュール２Ｅでは、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号をデータの信号とすれば、常にデータの受信を行うことが可能である。また、このフロントエンドモジュール２Ｅによれば、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を常に受信しながら、ＧＳＭ方式の信号を用いて通話を行うことが可能になる。すなわち、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａが固定接点２６０ｃに接続されると、ＧＳＭ方式の送信信号（図２６では、ＧＳＭ／ＴＸと記す。）をアンテナ１に送ることができる。また、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａが固定接点２６０ｄに接続されると、ＧＳＭ方式の受信信号（図２６では、ＧＳＭ／ＲＸと記す。）をバンドパスフィルタ２５Ｇに送ることができる。また、高周波スイッチ２６０の可動接点２６０ａが固定接点２６０ｂに接続されると、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の送信信号（図２６では、ＷＣＤＭＡ／ＴＸと記す。）をアンテナ１に送ることができる。
【０１９４】
次に、フロントエンドモジュール２Ｅの構造について説明する。フロントエンドモジュール２Ｅは、デュプレクサ２５０および高周波スイッチ２６０を集積するための１つの集積用多層基板２０を備えている。集積用多層基板２０の基本的な構造は、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態におけるデュプレクサ２５０の構造は、第１の実施の形態と同様に、図９ないし図１１に示した第１ないし第３の例のいずれでもよい。
【０１９５】
本実施の形態において、フロントエンドモジュール２Ｅは、第１の実施の形態における第２の変形例と同様に、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、ＧＳＭ方式の送信信号を通過させるカプラ２２Ｇおよびローパスフィルタ２４Ｇと、ＧＳＭ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ２５Ｇと、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ３７Ｗとを備えていてもよい。この場合、集積用多層基板２０は、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積する。
【０１９６】
また、本実施の形態において、フロントエンドモジュール２Ｅは、第１の実施の形態における第３の変形例と同様に、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、電力増幅器２１Ｇ、カプラ２２Ｇ、自動出力制御回路２３Ｇ、ローパスフィルタ２４Ｇ、バンドパスフィルタ２５Ｇ、バンドパスフィルタ３１Ｗ、電力増幅器３２Ｗ、カプラ３３Ｗ、自動出力制御回路３４Ｗ、アイソレータ３５Ｗ、ローノイズアンプ３６Ｗおよびバンドパスフィルタ３７Ｗを備えていてもよい。この場合、集積用多層基板２０は、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、新たに加えられた上記の各構成要素も集積する。
【０１９７】
また、本実施の形態において、フロントエンドモジュール２Ｅは、第４の実施の形態と同様に、更にアンテナ１を備えていてもよい。この場合、集積用多層基板２０は、図２６に示したフロントエンドモジュール２Ｅの構成要素に加え、アンテナ１も集積する。
【０１９８】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１９９】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明における時分割多重接続方式は、実施の形態で挙げたＧＳＭ方式およびＤＣＳ方式に限らず、他の方式であってもよい。また、本発明における符号分割多重接続方式は、実施の形態で挙げたＷ−ＣＤＭＡ方式およびＮ−ＣＤＭＡ方式に限らず、他の方式であってもよい。
【０２００】
また、各実施の形態では、デュプレクサにおける受信側バンドパスフィルタに用いられる弾性波素子を含むチップと送信側バンドパスフィルタに用いられる弾性波素子を含むチップとが別体であるものとして説明している。しかし、これらの２つのチップを合体して１つのチップとしても、各実施の形態に示した構成と同様の構成が可能であることは言うまでもない。また、本発明は、このように、デュプレクサにおける受信側バンドパスフィルタに用いられる弾性波素子と送信側バンドパスフィルタに用いられる弾性波素子とを１つのチップ内に設けた場合も含む。
【０２０１】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし７のいずれかに記載のフロントエンドモジュールでは、２つの弾性波素子を含むデュプレクサとスイッチとを、１つの集積用多層基板によって集積している。従って、本発明によれば、時分割多重接続方式と符号分割多重接続方式とに対応可能で、且つ、小型軽量化、複合化および集積化が容易なフロントエンドモジュールを実現することができるという効果を奏する。
【０２０２】
また、請求項６記載のフロントエンドモジュールでは、デュプレクサは、弾性波素子を含み集積用多層基板に搭載されたチップを有し、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は集積用多層基板に含まれている。従って、本発明によれば、フロントエンドモジュールの厚さを小さくすることができるという効果を奏する。
【０２０３】
また、請求項７記載のフロントエンドモジュールでは、デュプレクサは、弾性波素子を含むチップと、このチップが実装された実装基板とを有し、チップおよび実装基板は集積用多層基板に搭載され、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は集積用多層基板に含まれている。従って、本発明によれば、フロントエンドモジュールの厚さを小さくすることができると共に、フロントエンドモジュールの歩留りを向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例を示すブロック図である。
【図２】図１におけるダイプレクサの回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】図１における高周波スイッチの回路構成の一例を示す回路図である。
【図４】図１におけるデュプレクサの回路構成の一例を示すブロック図である。
【図５】図１におけるデュプレクサおよびそれに接続される整合回路の回路構成の一例を示す回路図である。
【図６】図１におけるローパスフィルタの回路構成の一例を示す回路図である。
【図７】図１におけるカプラの回路構成の一例を示す回路図である。
【図８】図１における電力増幅器の回路構成の一例を示す回路図である。
【図９】図１におけるデュプレクサの構造の第１の例を示す断面図である。
【図１０】図１におけるデュプレクサの構造の第２の例を示す断面図である。
【図１１】図１におけるデュプレクサの構造の第３の例を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態における第１の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態における第２の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態における第３の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図１５】図１４に示したフロントエンドモジュールにおける電力増幅器の配置の一例を示す断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例を示すブロック図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態における第１の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図１８】図１７に示したフロントエンドモジュールの構造の一例を示す平面図である。
【図１９】図１８に示したフロントエンドモジュールのＡ−Ａ線断面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態における第２の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例を示すブロック図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態における第１の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態における第２の変形例のフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路を示すブロック図である。
【図２４】本発明の第４の実施の形態におけるアンテナの構造の第１の例を示す斜視図である。
【図２５】本発明の第４の実施の形態におけるアンテナの構造の第２の例を示す斜視図である。
【図２６】本発明の第５の実施の形態に係るフロントエンドモジュールを含む携帯電話の高周波回路の一例を示すブロック図である。
【図２７】図２６におけるデュプレクサを示すブロック図である。
【符号の説明】
１…アンテナ、２Ａ…フロントエンドモジュール、３Ａ…集積回路、１１Ａ…ダイプレクサ、１２Ｇ…高周波スイッチ、１３Ｗ…デュプレクサ、２０…集積用多層基板、５１，５２…チップ、５３…実装基板、５６…実装基板、１５４…受信側ディレーライン、１５５…受信側バンドパスフィルタ、１５６…送信側ディレーライン、１５７…送信側バンドパスフィルタ。
Claims (7)
- 時分割多重接続方式の送信信号および受信信号と符号分割多重接続方式の送信信号および受信信号とを処理するためのフロントエンドモジュールであって、
符号分割多重接続方式の送信信号と符号分割多重接続方式の受信信号とを分離するデュプレクサと、
時分割多重接続方式の送信信号と時分割多重接続方式の受信信号と符号分割多重接続方式の送信信号とを分離するスイッチと、
前記デュプレクサおよびスイッチを集積するための１つの集積用多層基板とを備え、
前記デュプレクサは、アンテナに接続されるアンテナ端子と、符号分割多重接続方式の受信信号を出力する受信端子と、符号分割多重接続方式の送信信号が入力される送信端子と、前記アンテナ端子に接続された第１の端子と、第２の端子と、前記アンテナ端子と受信端子の間に設けられ、フィルタとして機能する第１の弾性波素子と、前記第２の端子と送信端子との間に設けられ、フィルタとして機能する第２の弾性波素子とを有し、
前記スイッチは、可動接点と第１ないし第３の固定接点とを有し、可動接点は前記第１の端子に接続され、第１の固定接点は前記第２の端子に接続され、前記第２の固定接点には時分割多重接続方式の送信信号が入力され、前記第３の固定接点は時分割多重接続方式の受信信号を出力することを特徴とするフロントエンドモジュール。 - 更に、前記スイッチに接続され、時分割多重接続方式の送信信号を通過させるフィルタと、
前記スイッチに接続され、時分割多重接続方式の受信信号を通過させるフィルタと、
前記デュプレクサに接続され、符号分割多重接続方式の受信信号を通過させるフィルタとを備え、
前記集積用多層基板は、更に前記各フィルタも集積することを特徴とする請求項１記載のフロントエンドモジュール。 - 更に、時分割多重接続方式の送信信号を増幅する電力増幅器と、符号分割多重接続方式の送信信号を増幅する電力増幅器とを備え、
前記集積用多層基板は、更に前記各電力増幅器も集積することを特徴とする請求項１または２記載のフロントエンドモジュール。 - 更に、前記アンテナを備え、前記集積用多層基板は、更に前記アンテナも集積することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のフロントエンドモジュール。
- 前記デュプレクサは、前記弾性波素子を含む１つまたは２つのチップと、前記チップが実装された実装基板とを有し、前記実装基板は弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分を含み、前記デュプレクサは前記集積用多層基板に搭載されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のフロントエンドモジュール。
- 前記デュプレクサは、前記弾性波素子を含み前記集積用多層基板に搭載された１つまたは２つのチップを有し、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は前記集積用多層基板に含まれていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のフロントエンドモジュール。
- 前記デュプレクサは、前記弾性波素子を含む１つまたは２つのチップと、前記チップが実装された１つまたは２つの実装基板とを有し、前記チップおよび実装基板は前記集積用多層基板に搭載され、弾性波素子以外のデュプレクサの構成部分は前記集積用多層基板に含まれていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のフロントエンドモジュール。
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