KR20220002521A - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents
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Abstract
실장 기판의 두께 방향에 있어서의 저배화를 꾀한다. 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9), 전자 부품(2), 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)을 구비한다. 전자 부품(2)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각은 기판(31)과, 회로부(32)를 포함한다. 기판(31)은 서로 대향하는 제 1 주면(311) 및 제 2 주면(312)을 갖는다. 회로부(32)는 기판(31)의 제 1 주면(311)측에 형성되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출하고 있다. 제 1 칩 부품(3A)에 있어서의 기판(31)의 재료와 제 2 칩 부품(3B)에 있어서의 기판(31)의 재료가 같다.
Description
본 발명은 일반적으로 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 실장 기판과 복수의 칩 부품을 구비하는 고주파 모듈, 및 그것을 구비하는 통신 장치에 관한 것이다.
종래, 고주파 모듈로서, 기판(실장 기판)과, 기판에 설치된 필터부와, 기판에 설치된 스위치 IC와, 증폭부를 구비하는 프런트엔드 모듈이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 개시된 프런트엔드 모듈의 일예에서는, 필터부는 기판의 일방주면에 설치되고, 스위치 IC는 기판의 타방 주면에 설치되어 있다.
또한, 프런트엔드 모듈은 기판의 타방 주면에 설치된 복수의 전극(외부 접속 단자)을 구비한다.
또한, 특허문헌 1에는, 안테나 소자에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로와, 프런트엔드 모듈을 구비하는 통신 장치가 개시되어 있다.
고주파 모듈에 있어서는 실장 기판의 일방 주면 및 타방 주면 각각에 부품을 실장해서 실장 기판의 소형화를 도모하는 경우에, 실장 기판의 두께 방향에 있어서의 고주파 모듈의 저배화가 요구되는 경우가 있다.
본 발명의 목적은 실장 기판의 두께 방향에 있어서의 저배화를 꾀하는 것이 가능한 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일형태에 따른 고주파 모듈은 실장 기판과, 전자 부품과, 제 1 칩 부품 및 제 2 칩 부품을 구비한다. 상기 실장 기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는다. 상기 전자 부품은 상기 실장 기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있다. 상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품은 상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있다. 상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품은 기판과, 회로부를 포함한다. 상기 기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는다. 상기 회로부는, 상기 기판의 상기 제 1 주면측에 형성되어 있다. 상기 고주파 모듈에서는, 상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품의 각각에 있어서의 상기 기판의 상기 제 2 주면의 적어도 일부가 노출되어 있다. 상기 제 1 칩 부품에 있어서의 상기 기판의 재료와 상기 제 2 칩 부품에 있어서의 상기 기판의 재료가 같다.
본 발명의 일형태에 따른 고주파 모듈은 실장 기판과, 전자 부품과, 제 1 칩 부품 및 제 2 칩 부품을 구비한다. 상기 실장 기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는다. 상기 전자 부품은 상기 실장 기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있다. 상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품은 상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있다. 상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품은 기판과 회로부를 포함한다. 상기 기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는다. 상기 회로부는, 상기 기판의 상기 제 1 주면측에 형성되어 있다. 상기 제 1 칩 부품에 있어서의 상기 기판의 재료와 상기 제 2 칩 부품에 있어서의 상기 기판의 재료는 같다. 상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 있어서 상기 제 1 칩 부품에 접속된 범프와의 접합 영역을 포함하는 평면을 기준면으로 했을 때에, 상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품에서는, 상기 실장 기판의 두께 방향에 있어서 상기 기준면과 상기 기판의 상기 제 2 주면의 거리가 서로 같다.
본 발명의 일형태에 따른 통신 장치는, 신호 처리 회로와, 상기 형태의 고주파 모듈을 구비한다. 상기 신호 처리 회로는, 안테나로부터의 수신 신호와 상기 안테나에의 송신 신호를 신호 처리한다. 상기 고주파 모듈은 상기 안테나와 상기 신호 처리 회로 사이에서 상기 수신 신호 및 상기 송신 신호를 전달한다.
본 발명의 상기 형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치는, 실장 기판의 두께 방향에 있어서의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 2는 동상의 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 3은 실시형태에 따른 고주파 모듈의 요부 설명도이다.
도 4는 실시형태의 변형예 1에 따른 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 5는 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 6은 실시형태의 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 7은 실시형태의 변형예 3에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 8은 실시형태의 변형예 4에 따른 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 9는 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 10은 실시형태의 변형예 5에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 11은 실시형태의 변형예 6에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 12는 실시형태의 변형예 7에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 2는 동상의 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 3은 실시형태에 따른 고주파 모듈의 요부 설명도이다.
도 4는 실시형태의 변형예 1에 따른 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 5는 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 6은 실시형태의 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 7은 실시형태의 변형예 3에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 8은 실시형태의 변형예 4에 따른 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 9는 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 10은 실시형태의 변형예 5에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 11은 실시형태의 변형예 6에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 12는 실시형태의 변형예 7에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
이하의 실시형태 등에 있어서 참조하는 도 1, 3, 5∼7 및 9∼12는 모두 모식적인 도면이며, 도면 중의 각 구성 요소의 크기나 두께 각각의 비가, 반드시 실제의 치수비를 반영하고 있다고는 할 수 없다.
(실시형태)
이하, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(300)에 대해서, 도 1 및 2를 참조해서 설명한다.
(1) 고주파 모듈 및 통신 장치
(1.1) 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성
실시형태에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(300)의 회로 구성에 대해서, 도 2를 참조해서 설명한다.
실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 예를 들면, 통신 장치(300)에 사용된다. 통신 장치(300)는 예를 들면, 휴대 전화(예를 들면 스마트폰)이지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 웨어러블 단말(예를 들면 스마트 워치) 등이어도 된다. 고주파 모듈(1)은 예를 들면, 4G(제 4 세대 이동 통신) 규격, 5G(제 5 세대 이동 통신)규격 등에 대응 가능한 모듈이다. 4G 규격은 예를 들면, 3GPP LTE(Long Term Evolution) 규격이다. 5G 규격은 예를 들면, 5G NR(New Radio)이다. 고주파 모듈(1)은 캐리어 애그리게이션 및 듀얼 커넥티비티에 대응 가능한 모듈이다.
고주파 모듈(1)은 예를 들면, 신호 처리 회로(301)로부터 입력된 송신 신호를 증폭해서 안테나(310)에 출력할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1)은 안테나(310)로부터 입력된 수신 신호를 증폭해서 신호 처리 회로(301)에 출력할 수 있도록 구성되어 있다. 신호 처리 회로(301)는 고주파 모듈(1)의 구성 요소가 아니라, 고주파 모듈(1)을 구비하는 통신 장치(300)의 구성 요소이다. 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 예를 들면, 통신 장치(300)가 구비하는 신호 처리 회로(301)에 의해 제어된다. 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1)과 신호 처리 회로(301)를 구비한다. 통신 장치(300)는 안테나(310)를 더 구비한다. 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1)이 실장된 회로 기판을 더 구비한다. 회로 기판은, 예를 들면 프린트 배선판이다. 회로 기판은 그라운드 전위가 부여되는 그라운드 전극을 갖는다.
신호 처리 회로(301)는 예를 들면, RF 신호 처리 회로(302)와 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)를 포함한다. RF 신호 처리 회로(302)는, 예를 들면 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)이며, 고주파 신호에 대한 신호 처리를 행한다. RF 신호 처리 회로(302)는 예를 들면, 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)로부터 출력된 고주파 신호(송신 신호)에 대하여 업 컨버트 등의 신호 처리를 행하고, 신호 처리가 행해진 고주파 신호를 출력한다. 또한, RF 신호 처리 회로(302)는 예를 들면, 고주파 모듈(1)로부터 출력된 고주파 신호(수신 신호)에 대하여 다운 컨버트 등의 신호 처리를 행하고, 신호 처리가 행해진 고주파 신호를 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)에 출력한다. 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)는 예를 들면, BBIC(Baseband Integrated Circuit)이고, 신호 처리 회로(301)의 외부로부터의 송신 신호에 대한 소정의 신호 처리를 행한다. 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)로 처리된 수신 신호는, 예를 들면 화상 신호로서 화상 표시를 위해, 또는 음성 신호로서 통화를 위해 사용된다. 고주파 모듈(1)은 안테나(310)와 신호 처리 회로(301)의 RF 신호 처리 회로(302) 사이에서 고주파 신호(수신 신호, 송신 신호)를 전달한다. 통신 장치(300)에서는, 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)는 필수의 구성 요소가 아니다.
실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 파워 앰프(11)와, 로우 노이즈 앰프(21)를 구비한다. 또한 고주파 모듈(1)은 2개의 송신용 필터(12A, 12B)와, 2개의 수신용 필터(22A, 22B)와, 송수신용 필터(24)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1)은 출력 정합 회로(13)와 입력 정합 회로(23)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1)은 제 1 스위치(4)와, 제 2 스위치(5)와, 제 3 스위치(6)와, 제 4 스위치(7)를 구비한다.
또한, 고주파 모듈(1)은 복수의 외부 접속 단자(80)를 구비하고 있다. 복수의 외부 접속 단자(80)는 안테나 단자(81)와, 신호 입력 단자(82)와, 신호 출력 단자(83)와, 복수의 그라운드 단자(85)를 포함한다. 도 1에서는, 복수의 외부 접속 단자(80) 중 2개의 외부 접속 단자(80)만 도시되어 있다. 복수의 그라운드 단자(85)는 통신 장치(300)가 구비하는 상술의 회로 기판의 그라운드 전극과 전기적으로 접속되어서 그라운드 전위가 부여되는 단자이다.
파워 앰프(11)는 입력 단자(111) 및 출력 단자(112)를 갖는다. 파워 앰프(11)는 입력 단자(111)에 입력된 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력 단자(112)로부터 출력한다. 여기에 있어서, 제 1 주파수 대역은 예를 들면, 제 1 통신 밴드와 제 2 통신 밴드와 제 3 통신 밴드를 포함한다. 제 1 통신 밴드는, 송신용 필터(12A)를 지나는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면 3GPP LTE 규격의 Band 11이다. 제 2 통신 밴드는, 송신용 필터(12B)를 지나는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면 3GPP LTE 규격의 Band 22이다. 제 3 통신 밴드는, 송수신용 필터(24)를 지나는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면 3GPP LTE 규격의 Band 42, Band 48 또는 5G NR 규격의 n77이다. 파워 앰프(11)의 입력 단자(111)는 신호 입력 단자(82)에 접속되어 있다. 파워 앰프(11)의 입력 단자(111)는 신호 입력 단자(82)를 통하여 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 신호 입력 단자(82)는 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))로부터의 고주파 신호(송신 신호)를 고주파 모듈(1)에 입력하기 위한 단자이다. 파워 앰프(11)의 출력 단자(112)는 출력 정합 회로(13)를 통해서 제 2 스위치(5)의 공통 단자(50)에 접속되어 있다.
로우 노이즈 앰프(21)는 입력 단자(211) 및 출력 단자(212)를 갖는다. 로우 노이즈 앰프(21)는 입력 단자(211)에 입력된 제 2 주파수 대역의 수신 신호를 증폭해서 출력 단자(212)로부터 출력한다. 제 2 주파수 대역은 예를 들면, 제 1 주파수대역과 같고, 제 1 통신 밴드와 제 2 통신 밴드와 제 3 통신 밴드를 포함한다. 로우 노이즈 앰프(21)의 입력 단자(211)는 입력 정합 회로(23)를 통해서 제 3 스위치(6)의 공통 단자(60)에 접속되어 있다. 로우 노이즈 앰프(21)의 출력 단자(212)는 신호 출력 단자(83)에 접속되어 있다. 로우 노이즈 앰프(21)의 출력 단자(212)는 예를 들면, 신호 출력 단자(83)를 통해서 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 신호 출력 단자(83)는 로우 노이즈 앰프(21)로부터의 고주파 신호(수신 신호)를 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))에 출력하기 위한 단자이다.
송신용 필터(12A)는, 예를 들면 제 1 통신 밴드의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 송신용 필터(12B)는 예를 들면, 제 2 통신 밴드의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 수신용 필터(22A)는, 예를 들면 제 1 통신 밴드의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 수신용 필터(22B)는 예를 들면, 제 2 통신 밴드의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 송수신용 필터(24)는 예를 들면, 제 3 통신 밴드의 송수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
제 1 스위치(4)는 공통 단자(40)와, 3개의 선택 단자(41∼43)를 갖는다. 공통 단자(40)는 안테나 단자(81)에 접속되어 있다. 안테나 단자(81)에는, 안테나(310)가 접속된다. 선택 단자(41)는 송신용 필터(12A)의 출력 단자와 수신용 필터(22A)의 입력 단자의 접속점에 접속되어 있다. 선택 단자(42)는 송신용 필터(12B)의 출력 단자와 수신용 필터(22B)의 입력 단자의 접속점에 접속되어 있다. 선택 단자(43)는 송수신용 필터(24)에 접속되어 있다. 제 1 스위치(4)는 예를 들면, 공통 단자(40)에 3개의 선택 단자(41∼43) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기서, 제 1 스위치(4)는 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 1 스위치(4)는 예를 들면, 신호 처리 회로(301)에 의해 제어된다. 제 1 스위치(4)는 신호 처리 회로(301)의 RF 신호 처리 회로(302)로부터의 제어 신호에 따라서, 공통 단자(40)와 4개 선택 단자(41∼43)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 1 스위치(4)는 예를 들면, 스위치 IC(Integrated Circuit)이다.
제 2 스위치(5)는 공통 단자(50)와, 3개의 선택 단자(51∼53)를 갖는다. 공통 단자(50)는 출력 정합 회로(13)를 통해서 파워 앰프(11)의 출력 단자(112)에 접속되어 있다. 선택 단자(51)는 송신용 필터(12A)의 입력 단자에 접속되어 있다. 선택 단자(52)는 송신용 필터(12B)의 입력 단자에 접속되어 있다. 선택 단자(53)는 제 4 스위치(7)의 선택 단자(71)에 접속되어 있다. 제 2 스위치(5)는 예를 들면, 공통 단자(50)에 3개의 선택 단자(51∼53) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기서, 제 2 스위치(5)는 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 2 스위치(5)는 예를 들면, 신호 처리 회로(301)에 의해 제어된다. 제 2 스위치(5)는 신호 처리 회로(301)의 RF 신호 처리 회로(302)로부터의 제어 신호를 따라서, 공통 단자(50)와 3개 선택 단자(51∼53)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 2 스위치(5)는, 예를 들면 스위치 IC이다.
제 3 스위치(6)는 공통 단자(60)와, 3개의 선택 단자(61∼63)를 갖는다. 공통 단자(60)는 입력 정합 회로(23)를 통해서 로우 노이즈 앰프(21)의 입력 단자(211)에 접속되어 있다. 선택 단자(61)는 수신용 필터(22A)의 출력 단자에 접속되어 있다. 선택 단자(62)는 수신용 필터(22B)의 출력 단자에 접속되어 있다. 선택 단자(63)는 제 4 스위치(7)의 선택 단자(72)에 접속되어 있다. 제 3 스위치(6)는 예를 들면, 공통 단자(60)에 3개의 선택 단자(61∼63) 중 적어도 1개 이상을 접속가능한 스위치이다. 여기서, 제 3 스위치(6)는 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 3 스위치(6)는 예를 들면, 신호 처리 회로(301)에 의해 제어된다. 제 3 스위치(6)는 신호 처리 회로(301)의 RF 신호 처리 회로(302)로부터의 제어 신호에 따라서, 공통 단자(60)와 3개 선택 단자(61∼63)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 3 스위치(6)는 예를 들면, 스위치 IC이다.
제 4 스위치(7)는 공통 단자(70)와, 상술의 2개의 선택 단자(71, 72)를 갖는다. 공통 단자(70)는 송수신용 필터(24)의 2개의 입출력 단자 중 일방의 입출력 단자에 접속되어 있다. 선택 단자(71)는 제 2 스위치(5)의 선택 단자(53)에 접속되어 있다. 선택 단자(72)는 제 3 스위치(6)의 선택 단자(63)에 접속되어 있다. 제 4 스위치(7)는 제 4 스위치(7)에서는, 2개의 선택 단자(71, 72)가 공통 단자(70)에 배타적으로 접속된다. 제 4 스위치(7)는 예를 들면, SPDT(Single Pole Double Throw)형의 스위치에 의해 구성할 수 있다. 제 4 스위치는, 예를 들면 스위치 IC이다.
출력 정합 회로(13)는 파워 앰프(11)의 출력 단자(112)와 제 2 스위치(5)의 공통 단자(50) 사이의 신호 경로에 설치되어 있다. 출력 정합 회로(13)는 파워 앰프(11)와 송신용 필터(12A, 12B) 및 송수신용 필터(24)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 출력 정합 회로(13)는 예를 들면, 1개의 인덕터 L1(도 1 참조)로 구성되지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함하는 경우도 있다.
입력 정합 회로(23)는 로우 노이즈 앰프(21)의 입력 단자(211)와 제 3 스위치(6)의 공통 단자(60) 사이의 신호 경로에 설치되어 있다. 입력 정합 회로(23)는 로우 노이즈 앰프(21)와 수신용 필터(22A, 22B) 및 송수신용 필터(24)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 입력 정합 회로(23)는 예를 들면, 1개의 인덕터L2(도 1 참조)로 구성되어 있지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함하는 경우도 있다.
고주파 모듈(1)은 제 4 스위치(7)를 구비하고 있으므로, 예를 들면 TDD(Time Division Duplex)에 의해, 소정의 주파수 대역의 송신 신호(송신용의 고주파 신호)와 소정의 주파수 대역의 수신 신호(수신용의 고주파 신호)의 동시 송수신을 유사적으로 실현할 수 있다. 여기에 있어서, 유사적으로 실현한다란 송신 신호의 송신과 수신 신호의 수신이 동시는 아니지만, 동시라 간주할 수 있는 정도의 단기간에서 행해지는 것을 의미한다.
(1. 2) 고주파 모듈의 구조
이하, 고주파 모듈(1)의 구조에 대해서 도 1을 참조해서 설명한다.
고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)과, 복수의 회로 소자와, 복수의 외부 접속 단자(80)를 구비한다.
실장 기판(9)은 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는다. 실장 기판(9)은 예를 들면, 프린트 배선판, LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 기판 등이다. 여기에 있어서, 실장 기판(9)은 예를 들면, 복수의 유전체층 및 복수의 도체 패턴층을 포함하는 다층 기판이다. 복수의 유전체층 및 복수의 도체 패턴층은 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 적층되어 있다. 복수의 도체 패턴층은 각각 소정 패턴으로 형성되어 있다. 복수의 도체 패턴층의 각각은 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 직교하는 일평면내에 있어서 1개 또는 복수의 도체부를 포함한다. 각 도체 패턴층의 재료는, 예를 들면 구리이다. 복수의 도체 패턴층은 그라운드층을 포함한다. 고주파 모듈(1)에서는, 복수의 그라운드 단자(85)와 그라운드층이 실장 기판(9)이 갖는 비아 도체 등을 통해서 전기적으로 접속되어 있다.
실장 기판(9)의 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)은 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 떨어져 있고, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 교차한다. 실장 기판(9)에 있어서의 제 1 주면(91)은 예를 들면, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 직교하고 있지만, 예를 들면 두께 방향 D1에 직교하지 않는 면으로서 도체부의 측면 등을 포함하고 있어도 된다. 또한, 실장 기판(9)에 있어서의 제 2 주면(92)은 예를 들면, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 직교하고 있지만, 예를 들면 두께 방향 D1에 직교하지 않는 면으로서, 도체부의 측면 등을 포함하고 있어도 된다. 또한, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)은 미세한 요철 또는 오목부 또는 볼록부가 형성되어 있어도 된다.
고주파 모듈(1)은 복수의 회로 소자로서, 상술의 파워 앰프(11), 로우 노이즈 앰프(21), 2개의 송신용 필터(12A, 12B), 2개의 수신용 필터(22A, 22B), 송수신용 필터(24), 출력 정합 회로(13) 및 입력 정합 회로(23)를 구비한다. 고주파 모듈(1)의 복수의 회로 소자는, 실장 기판(9)에 실장되어 있다. 복수의 회로 소자는, 실장 기판(9)에 실장되는 전자 부품에만 한정되지 않고, 실장 기판(9) 내에 설치되는 회로 소자를 포함해도 된다. 도 1에서는, 복수의 회로 소자 중, 제 1 스위치(4), 제 2 스위치(5), 2개의 송신용 필터(12A, 12B), 2개의 수신용 필터(22A, 22B), 2개의 인덕터(L1, L2) 이외의 회로 소자의 도시를 생략하고 있다. 여기에 있어서, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 송신용 필터(12A), 수신용 필터(22A) 및 2개의 인덕터(L1, L2)의 각각이, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는, 송신용 필터(12B)는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)측에 있어서 송신용 필터(12A) 상에 배치되어 있다. 또한, 수신용 필터(22B)는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)측에 있어서 수신용 필터(22A) 상에 배치되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 스위치(4) 및 제 2 스위치(5)의 각각이 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 제 1 스위치(4)는 송신 신호용의 신호 경로와 수신 신호용의 신호 경로의 양방에 설치되어 있다. 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 스위치(4)는 파워 앰프(11)와 출력 정합 회로(13)와 제 2 스위치(5)와 송신용 필터(12A)가 설치되어 있는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 1 스위치(4)는 파워 앰프(11)와 출력 정합 회로(13)와 제 3 스위치(6)와 송신용 필터(12B)가 설치되어 있는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 1 스위치(4)는 파워 앰프(11)와 출력 정합 회로(13)와 제 4 스위치(7)와 송수신용 필터(24)가 설치되어 있는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 1 스위치(4)는 수신용 필터(22A)와 제 3 스위치(6)와 입력 정합 회로(23)와 로우 노이즈 앰프(21)가 설치되어 있는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 1 스위치(4)는 수신용 필터(22B)와 제 3 스위치(6)와 입력 정합 회로(23)와 로우 노이즈 앰프(21)가 설치되어 있는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 1 스위치(4)는 송수신용 필터(24)와 제 4 스위치(7)와 입력 정합 회로(23)와 로우 노이즈 앰프(21)가 설치되어 있는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 3 스위치(6), 제 4 스위치(7) 및 로우 노이즈 앰프(21)가 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다.
고주파 모듈(1)에서는, 파워 앰프(11)는 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과, 이 기판의 제 1 주면측에 형성된 적어도 1개의 트랜지스터를 포함하는 회로부(IC부)를 구비하는 칩 부품(IC칩)이다. 기판은 예를 들면, 갈륨 비소 기판이다. 회로부는, 파워 앰프(11)의 입력 단자(111)에 입력한 송신 신호를 증폭하는 기능을 갖는다. 트랜지스터는, 예를 들면, HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)이다. 파워 앰프(11)는 예를 들면, 직류 컷용의 커패시터를 포함하고 있어도 된다. 파워 앰프(11)를 구성하고 있는 칩 부품은 기판의 제 1 주면 및 제 2 주면 중 제 1 주면이 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)측이 되도록 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 파워 앰프(11)의 외주 형상은 사각 형상이다.
로우 노이즈 앰프(21)는 예를 들면, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과, 이 기판의 제 1 주면측에 형성된 회로부(IC부)를 구비하는 칩 부품(IC칩)이다. 기판은 예를 들면, 실리콘 기판이다. 회로부는, 로우 노이즈 앰프(21)의 입력 단자(211)에 입력된 수신 신호를 증폭하는 기능을 갖는다. 회로부는, 트랜지스터를 포함한다. 로우 노이즈 앰프(21)는 기판의 제 1 주면 및 제 2 주면 중 제 1 주면이 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측이 되도록 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 로우 노이즈 앰프(21)의 외주 형상은 사각 형상이다.
2개의 송신용 필터(12A, 12B), 2개의 수신용 필터(22A, 22B) 및 송수신용 필터(24)의 각각은 예를 들면, 칩 부품이다. 요컨대, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 송신용 필터(12A, 12B), 2개의 수신용 필터(22A, 22B) 및 송수신용 필터(24)의 각각의 외주 형상은 사각 형상이다.
2개의 송신용 필터(12A, 12B), 2개의 수신용 필터(22A, 22B) 및 송수신용 필터(24)의 각각은 예를 들면, 래더형 필터이고, 복수(예를 들면 4개)의 직렬 암 공진자와, 복수(예를 들면 3개)의 병렬 암 공진자를 갖는다. 2개의 송신용 필터(12A, 12B), 2개의 수신용 필터(22A, 22B) 및 송수신용 필터(24)의 각각은 예를 들면, 탄성파 필터이며, 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각이 탄성파 공진자에 의해 구성되어 있다. 탄성파 필터는, 예를 들면 탄성 표면파를 이용하는 표면 탄성파 필터이다.
표면 탄성파 필터에서는, 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각은 예를 들면, SAW(Surface Acoustic Wave) 공진자이다.
여기에 있어서, 표면 탄성파 필터는, 예를 들면 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과, 이 기판의 제 1 주면측에 형성되어 있는 회로부를 구비하는 칩 부품이다. 기판은 압전체 기판이다. 압전체 기판은 예를 들면, 리튬 탄탈레이트 기판, 리튬 니오베이트 기판 등이다. 회로부는, 복수의 직렬 암 공진자에 일대일에 대응하는 복수의 IDT(Interdigital Transducer) 전극과, 복수의 병렬 암 공진자에 일대일에 대응하는 복수의 IDT 전극을 갖고 있다.
송신용 필터(12A) 및 수신용 필터(22A)는, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 송신용 필터(12A) 및 수신용 필터(22A)는, 기판의 제 1 주면과 제 2 주면 중 제 1 주면이 실장 기판(9)측이 되도록 배치되어 있다.
제 1 스위치(4), 제 2 스위치(5), 제 3 스위치(6) 및 제 4 스위치(7)의 각각은 스위치 IC이다. 보다 상세하게는, 제 1 스위치(4), 제 2 스위치(5), 제 3 스위치(6) 및 제 4 스위치(7)의 각각은 예를 들면, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과, 이 기판의 제 1 주면측에 형성된 FET(Field Effect Transistor)를 포함하는 회로부(IC부)를 구비하는 칩 부품(IC칩)이다. 기판은 예를 들면, 실리콘 기판이다. 회로부는, 접속 상태를 스위칭하는 기능을 갖는 기능부이다. 제 1 스위치(4), 제 2 스위치(5), 제 3 스위치(6) 및 제 4 스위치(7)의 각각은 기판의 제 1 주면 및 제 2 주면 중 제 1 주면이 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측이 되도록 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 제 1 스위치(4), 제 2 스위치(5), 제 3 스위치(6) 및 제 4 스위치(7)의 각각을 구성하는 칩 부품의 외주 형상은 사각 형상이다.
출력 정합 회로(13)에 있어서의 인덕터 L1은 예를 들면 칩 인덕터이다. 출력 정합 회로(13)에 있어서의 인덕터 L1은 예를 들면, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 인덕터 L1의 외주 형상은 사각 형상이다.
입력 정합 회로(23)에 있어서의 인덕터 L2은 예를 들면, 칩 인덕터이다. 입력 정합 회로(23)에 있어서의 인덕터 L2은 예를 들면, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 인덕터 L2의 외주 형상은 사각 형상이다.
복수의 외부 접속 단자(80)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 복수의 외부 접속 단자(80)의 재료는, 예를 들면 금속(예를 들면 구리, 동합금 등)이다. 복수의 외부 접속 단자(80)의 각각은 기둥형상 전극이다. 여기에 있어서, 기둥형상 전극은 예를 들면 원기둥 형상의 전극이다.
복수의 외부 접속 단자(80)는 상술의 안테나 단자(81), 신호 입력 단자(82) 및 신호 출력 단자(83) 이외에 복수의 그라운드 단자(85)를 포함하고 있다. 도 1에서는, 복수의 외부 접속 단자(80)에 있어서의 복수의 그라운드 단자(85) 중 2개의 그라운드 단자(85)만 도시하고 있다. 복수의 그라운드 단자(85)는 상술한 바와 같이, 실장 기판(9)의 그라운드층과 전기적으로 접속되어 있다. 그라운드층은 고주파 모듈(1)의 회로 그라운드이고, 고주파 모듈(1)의 복수의 회로 소자는, 그라운드층과 전기적으로 접속되어 있는 회로 소자를 포함한다.
고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)측에 있어서 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있는 복수의 전자 부품(2) 등을 덮고 있는 제 1 수지층(101)을 더 구비한다. 고주파 모듈(1)에서는, 복수의 전자 부품(2)은 송신용 필터(12A), 수신용 필터(22A), 인덕터 L1 및 인덕터 L2를 포함한다. 복수의 전자 부품(2)은 송신용 필터(12A), 수신용 필터(22A), 인덕터 L1 및 인덕터 L2 이외에, 예를 들면 파워 앰프(11)를 포함한다. 복수의 전자 부품(2)의 각각은 예를 들면, 복수의 범프(26)에 의해 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 여기에 있어서, 고주파 모듈(1)에서는, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있는 복수의 전자 부품(2) 중 2개의 전자 부품(2)에 일대일로 겹치도록 배치되어 있는 2개의 전자 부품(20)을 갖고 있다. 2개의 전자 부품(20)은 2개의 전자 부품(2) 중 대응하는 전자 부품(2)에 대하여 복수의 범프(27)에 의해 접합되어 있다. 2개의 전자 부품(20)은 송신용 필터(12B) 및 수신용 필터(22B)이다. 제 1 수지층(101)은 복수의 전자 부품(2) 이외에 2개의 전자 부품(20)도 덮고 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 전자 부품(2)에 겹치는 전자 부품(20)은 예를 들면, 범프(27) 및 전자 부품(2)이 갖는 관통 전극을 통해서 실장 기판(9)과 전기적으로 접속되어 있다. 전자 부품(20)은 전자 부품(2)을 통해서 실장 기판(9)에 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 겹치는 전자 부품(20)과 전자 부품(2)은 두께 방향 D1로부터 보아서 같은 크기이지만, 이것에 한정하지 않고, 서로 다른 크기이어도 된다. 예를 들면, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 겹치는 전자 부품(20)과 전자 부품(2)의 셋트에서는, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 실장 기판(9)과 전자 부품(20)의 사이에 위치하는 전자 부품(2)이 전자 부품(20)보다도 커도 된다. 이 경우, 전자 부품(20)은 범프(27) 및 전자 부품(2)의 관통 전극을 통해서 실장 기판(9)과 전기적으로 접속되는 예에 한정되지 않고, 예를 들면 범프(27) 및 본딩 와이어를 통해서 실장 기판(9)과 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 제 1 수지층(101)은 수지 이외에 필러를 포함하고 있어도 된다.
또한, 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있는 복수의 칩 부품(3) 등의 일부를 덮고 있는 제 2 수지층(102)을 더 구비한다. 복수의 칩 부품(3)의 각각은 예를 들면, 복수의 범프(36)에 의해 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 고주파 모듈(1)에서는, 복수의 칩 부품(3)은 제 1 칩 부품(3A)(제 1 스위치(4)) 및 제 2 칩 부품(3B)(제 2 스위치(5))을 포함한다. 도 1에서는, 복수의 칩 부품(3)의 각각은 상술한 바와 같이, 기판(이하, 기판(31)이라고도 한다)과 회로부(이하, 회로부(32)라고도 한다)를 구비한다. 기판(31)은 서로 대향하는 제 1 주면(311) 및 제 2 주면(312)을 갖는다. 기판(31)은 예를 들면, 실리콘 기판이다. 회로부(32)는 기판(31)의 제 1 주면(311)측에 형성되어 있다. 또한, 복수의 칩 부품(3)은 예를 들면, 제 1 칩 부품(3A)(제 1 스위치(4)) 및 제 2 칩 부품(3B)(제 2 스위치(5)) 이외에, 예를 들면 제 3 스위치(6), 제 4 스위치(7) 및 로우 노이즈 앰프(21)를 포함한다. 제 2 수지층(102)은 복수의 칩 부품(3)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)을 노출시키도록 형성되어 있다. 따라서, 제 2 수지층(102)은 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)을 노출시키도록 형성되어 있다. 제 2 수지층(102)은 수지 이외에 필러를 포함하고 있어도 된다. 제 2 수지층(102)의 재료는, 제 1 수지층(101)의 재료와 같은 재료이어도 되고, 다른 재료이어도 된다.
또한, 고주파 모듈(1)은 실드층(103)을 더 구비한다. 실드층(103)의 재료는, 예를 들면, 금속이다. 실드층(103)은 제 1 수지층(101)의 주면(1011) 및 외주면(1013)과, 실장 기판(9)의 외주면(93)과, 제 2 수지층(102)의 외주면(1023)을 덮고 있다. 실드층(103)은 실장 기판(9)이 갖는 그라운드층과 접촉하고 있다. 이것에 의해, 실드층(103)의 전위를 그라운드층의 전위와 같게 할 수 있다.
(2) 고주파 모듈의 제조 방법
고주파 모듈의 제조 방법에서는, 예를 들면 실장 기판(9)에 복수의 회로 소자를 실장하는 제 1 공정을 행한다. 제 1 공정에서는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 복수의 전자 부품(2)을 실장하는 스텝을 행하고, 그 후, 2개의 전자 부품(2) 상에 2개의 전자 부품(20)을 배치하는 스텝을 행한다. 또한, 제 1 공정에서는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 복수의 칩 부품(3)을 실장하는 스텝을 행한다. 제 1 공정에 있어서 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 복수의 전자 부품(2)을 실장하는 스텝과, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 복수의 칩 부품(3)을 실장하는 스텝중 어느 쪽이 먼저이어도 좋다. 또한, 제 1 공정에서는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 복수의 외부 접속 단자(80)의 근본이 되는 복수의 도체 필러를 배치하는 스텝을 행한다.
상술의 제 1 공정 후, 제 2 공정을 행한다. 제 2 공정에서는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)측의 복수의 전자 부품(2) 및 복수의 전자 부품(20)을 덮는 제 1 수지층(101)을 형성하는 스텝과, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측의 복수의 칩 부품(3) 및 복수의 도체 필러를 덮어 제 2 수지층(102)의 근본이 되는 수지층을 형성하는 스텝을 행한다.
상술의 제 2 공정 후, 제 3 공정을 행한다. 제 3 공정에서는 제 2 공정에 있어서 형성한 수지층 등을 실장 기판(9)측과는 반대측의 면으로부터 연삭한다. 여기에 있어서, 제 3 공정에서는 수지층을 연삭함으로써, 제 2 수지층(102)을 형성한다. 또한, 제 3 공정에서는 수지층의 연삭에 의해 복수의 칩 부품(3) 중 적어도 1개의 칩 부품(3)에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)을 노출시킨 후도 더욱 연삭을 행함으로써, 복수의 칩 부품(3) 중 적어도 2개의 칩 부품(3)의 기판(31)을 연삭함으로써 기판(31)을 얇게 한다. 제 3 공정에서는 복수의 도체 기둥(pillar)을 연삭함으로써 복수의 외부 접속 단자(80)를 형성한다. 고주파 모듈의 제조 방법에서는, 제 3 공정에 있어서, 복수의 칩 부품(3)의 각각의 기판(31)의 제 2 주면(312)과, 복수의 외부 접속 단자(80)의 각각의 선단면(801)을 노출시킨다.
상술의 제 3 공정 후, 제 4 공정을 행한다. 제 4 공정에서는 실드층(103)을 형성한다. 또한, 제 1 공정, 제 2 공정 및 제 3 공정은 복수의 실장 기판(9)을 구비해서 실장 기판(9)의 다수개 수행이 가능한 다수개 기판에 대하여 행해도 된다. 이 경우에는, 예를 들면 제 3 공정 후에 다수개 기판을 개개의 실장 기판(9)으로 분리한 후, 제 4 공정을 행하면 된다.
(3) 정리
(3.1) 고주파 모듈
실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)과, 전자 부품(2)과, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)을 구비한다. 실장 기판(9)은 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는다. 전자 부품(2)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각은 기판(31)과 회로부(32)를 포함한다. 기판(31)은 서로 대향하는 제 1 주면(311) 및 제 2 주면(312)을 갖는다. 회로부(32)는 기판(31)의 제 1 주면(311)측에 형성되어 있다. 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출하고 있다. 제 1 칩 부품(3A)에 있어서의 기판(31)의 재료와, 제 2 칩 부품(3B)에 있어서의 기판(31)의 재료가 같다. 「제 1 칩 부품(3A)에 있어서의 기판(31)의 재료와, 제 2 칩 부품(3B)에 있어서의 기판(31)의 재료가 같다」란 기판(31)의 주성분이 같은 것을 의미한다. 주성분은 불순물을 포함하지 않는다. 예를 들면, 기판(31)이 실리콘 기판인 경우, 기판(31)의 주성분은 실리콘이고, 실리콘 기판에 첨가되어 있는 불순물(예를 들면 붕소, 인 등)은 포함하지 않는다.
실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서의 고주파 모듈(1)의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
기판(31)은 실리콘 기판이지만, 제 2 주면(312)측에 있어서, 두께 20nm∼100nm 정도의 자연 산화막(실리콘 산화막)을 포함해도 되고, 이 경우에는 「기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출하고 있다」란 실리콘 산화막이 노출하고 있는 것을 포함한다.
또한, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는 도 1 및 3에 나타내는 바와 같이 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)의 형상에 의하지 않고, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 있어서 제 1 칩 부품(3A)에 접속되어 있는 범프(36)의 접합 영역(923)을 포함하는 평면을 기준면(920)으로 했을 때에, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)에서는 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 기준면(920)과 기판(31)의 제 2 주면(312)의 거리 H1이 서로 같다. 이것에 의해 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서의 고주파 모듈(1)의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다. 실시형태에 따른 고주파 모듈에서는, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각의 기판(31)의 제 2 주면(312)과, 제 2 수지층(102)의 주면(1021)과, 복수의 외부 접속 단자(80)의 각각의 선단면(801)이 대략 동일 높이이다. 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)에 관해서, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 기준면(920)과 기판(31)의 제 2 주면(312)의 거리 H1이 서로 같으면, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B) 중 적어도 일방의 기판(31)의 제 2 주면(312)에 도체층 또는 절연층이 적층되어 있어도 된다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)에 관해서, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 기준면(920)과 기판(31)의 제 2 주면(312)의 거리 H1이 서로 같다란 엄밀하게 같을 경우에만 한하지 않고, 접합 영역(923)에 범퍼(26)에 의해 실장되어 있는 제 1 칩 부품(3A)에 관한 거리 H1을 기준으로서, 기준면(920)과 제 2 칩 부품(3B)의 기판(31)의 제 2 주면(312)의 거리가, 거리 H1±15%의 범위 내이면 되고, 거리 H1±10%의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 거리 H1±5%의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다.
실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 칩 부품(3A)은 신호 경로 스위칭용의 제 1 스위치(4)이고, 제 2 칩 부품(3B)은 신호 경로 스위칭용의 제 2 스위치(5)이다. 이들 2개의 칩 부품(3)(제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)) 이외의 칩 부품(3)(예를 들면, 제 3 스위치(6), 제 4 스위치(7) 및 로우 노이즈 앰프(21))에 관해서는, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 기준면(920)과 기판(31)의 제 2 주면(312)의 거리가, 거리 H1과 같은 경우에 한하지 않고, 거리 H1보다 짧아도 된다. 즉, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B) 이외의 칩 부품(3)(예를 들면, 제 3 스위치(6), 제 4 스위치(7) 및 로우 노이즈 앰프(21))에 관해서는, 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출하고 있는 것이 필수가 아니다.
(3.2) 통신 장치
실시형태에 따른 통신 장치(300)는 신호 처리 회로(301)와, 고주파 모듈(1)을 구비한다. 신호 처리 회로(301)는 안테나(310)로부터의 수신 신호와 안테나(310)로의 송신 신호를 신호 처리한다. 고주파 모듈(1)은 안테나(310)와 신호 처리 회로(301) 간에서 수신 신호 및 송신 신호를 전달한다.
실시형태에 따른 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1)을 구비하므로, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서의 고주파 모듈(1)의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다. 또한, 실시형태에 따른 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1)과 상술의 회로 기판을 포함해서 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다. 이 경우, 신호 처리 회로(301)를 구성하는 복수의 전자 부품은 예를 들면, 상술의 회로 기판에 실장되어 있어도 되고, 고주파 모듈(1)이 실장된 회로 기판(제 1 회로 기판)과는 다른 회로 기판(제 2 회로 기판)에 실장되어 있어도 된다.
(4) 고주파 모듈의 변형예
(4.1) 변형예 1
실시형태의 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a) 및 통신 장치(300a)에 대해서, 도 4 및 5를 참조해서 설명한다. 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a) 및 통신 장치(300a)에 관하여, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(300) 각각과 같은 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 설명을 생략한다.
변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에 있어서의 송수신용 필터(24) 및 제 4 스위치(7) 대신에, 송신용 필터(12C) 및 수신용 필터(22C)를 구비하는 점에서, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 상위한다. 송신용 필터(12C)는 예를 들면, 제 3 통신 밴드의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 수신용 필터(22C)는 예를 들면, 제 3 통신 밴드의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
송신용 필터(12C) 및 수신용 필터(22C)의 각각은 예를 들면 칩 부품이다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 송신용 필터(12C) 및 수신용 필터(22C)의 각각의 외주 형상은 사각 형상이다.
송신용 필터(12C) 및 수신용 필터(22C)의 각각은 예를 들면, 래더형 필터이고, 복수(예를 들면 4개)의 직렬 암 공진자와, 복수(예를 들면 3개)의 병렬 암 공진자를 갖는다. 송신용 필터(12C) 및 수신용 필터(22C)의 각각은 예를 들면, 송신용 필터(12A, 12B) 및 수신용 필터(22A, 22B)와 같이 탄성파 필터이며, 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각이 탄성파 공진자에 의해 구성되어 있다. 탄성파 필터는, 예를 들면 탄성 표면파를 이용하는 표면 탄성파 필터이다. 표면 탄성파 필터에서는, 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각은, 예를 들면 SAW 공진자이다. 여기에 있어서, 표면 탄성파 필터는, 예를 들면 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과, 이 기판의 제 1 주면측에 형성되어 있는 회로부를 구비하는 칩 부품이다. 기판은 압전체 기판이다. 압전체 기판은 예를 들면, 리튬 탄탈레이트기판, 리튬 니오베이트 기판 등이다. 회로부는, 복수의 직렬 암 공진자에 일대일로 대응하는 복수의 IDT 전극과, 복수의 병렬 암 공진자에 일대일로 대응하는 복수의 IDT 전극을 갖고 있다.
송신용 필터(12C) 및 수신용 필터(22C)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 송신용 필터(12C) 및 수신용 필터(22C)는 기판의 제 1 주면과 제 2 주면 중 제 1 주면이 실장 기판(9)측이 되도록 배치되어 있다.
변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)에서는 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 같이, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있는 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각은 기판(31)과 회로부(32)를 포함하고 있다. 기판(31)은 서로 대향하는 제 1 주면(311) 및 제 2 주면(312)을 갖는다. 회로부(32)는 기판(31)의 제 1 주면(311)측에 형성되어 있다. 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출하고 있다. 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)에서는 송신용 필터(12C)가 제 1 칩 부품(3A)에 포함되는 제 1 필터를 구성하고, 수신용 필터(22C)가 제 2 칩 부품(3B)에 포함되는 제 2 필터를 구성하고 있다. 제 1 필터는, 제 1 고주파 신호(여기에서는, 제 3 밴드의 송신 대역의 고주파 신호)를 통과시킨다. 제 2 필터는, 제 2 고주파 신호(여기에서는, 제 3 밴드의 수신 대역의 고주파 신호)를 통과시킨다. 또한, 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)에 있어서의 기판(31)의 재료와, 제 2 칩 부품(3B)에 있어서의 기판(31)의 재료가 같다. 예를 들면, 기판(31)이 리튬 탄탈레이트 기판인 경우, 기판(31)의 주성분은 리튬, 탄탈 및 산소이고, 리튬 탄탈레이트에 불순물이 첨가되어 있는 경우에도 주성분은 불순물을 포함하지 않는다. 마찬가지로, 기판(31)이 리튬 니오베이트 기판인 경우, 기판(31)의 주성분은 리튬, 니오브 및 산소이고, 리튬 니오베이트에 불순물이 첨가되어 있는 경우에도 주성분은 불순물을 포함하지 않는다.
변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)은 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출하고 있으므로, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 같이 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
또한, 실시형태의 변형예 1에 따른 통신 장치(300a)는, 고주파 모듈(1a)을 구비하므로, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서의 고주파 모듈(1)의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
(4.2) 변형예 2
실시형태의 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1b)에 대해서, 도 6을 참조해서 설명한다. 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1b)에 관하여, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 같은 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 설명을 생략한다.
변형예 2에 따른 고주파 모듈(1b)에서는 제 1 스위치(4)가 제 1 칩 부품(3A)을 구성하고, 로우 노이즈 앰프(21)가 제 2 칩 부품(3B)을 구성하고 있다. 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1b)에서는 제 1 스위치(4)가 신호 경로 스위칭용의 스위치를 구성하고 있다. 로우 노이즈 앰프(21)는 수신 신호의 신호 경로에 설치되어 있다.
변형예 2에 따른 고주파 모듈(1b)은 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 같이 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출하고 있으므로, 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
(4.3) 변형예 3
실시형태의 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1c)에 대해서, 도 7을 참조해서 설명한다. 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1c)에 관하여, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 같은 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 설명을 생략한다.
변형예 3에 따른 고주파 모듈(1c)에서는 제 1 스위치(4)가 제 1 칩 부품(3A)를 구성하고, 송수신용 필터(24)가 제 2 칩 부품(3B)을 구성하고 있다. 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1c)에서는 제 1 스위치(4)가 신호 경로 스위칭용의 스위치를 구성하고 있다. 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1c)에서는 송수신용 필터(24)가 신호 경로에 설치되어 있는 표면 탄성파 필터를 구성하고 있다.
표면 탄성파 필터를 구성하는 칩 부품(3)은 기판(31)과 회로부(32)를 구비한다. 기판(31)은 제 1 주면(311) 및 제 2 주면(312)을 갖는다. 회로부(32)는 직렬 암 공진자에 일대일로 대응하는 복수의 제 1 IDT 전극 및 복수의 병렬 암 공진자에 일대일로 대응하는 복수의 제 2 IDT 전극을 구비한다. 송수신용 필터(24)에서는, 기판(31)은 예를 들면, 실리콘 기판이다. 또한, 송수신용 필터(24)는 이 기판(31)의 제 1 주면(311) 상에 설치된 저음속막(33)과, 저음속막(33) 상에 설치된 압전체층(34)을 구비한다. 복수의 제 1 IDT 전극 및 복수의 제 2 IDT 전극은 압전체층(34) 상에 설치되어 있다. 저음속막(33)은 기판(31) 상에 직접적 또는 간접적으로 설치되어 있다. 또한, 압전체층(34)은 저음속막(33) 상에 직접적 또는 간접적으로 설치되어 있다. 저음속막(33)에서는, 압전체층(34)을 전파하는 벌크파의 음속보다 저음속막을 전파하는 벌크파의 음속이 저속이다. 기판(31)에서는, 압전체층(34)을 전파하는 탄성파의 음속보다 기판(31)을 전파하는 벌크파의 음속이 고속이다. 압전체층(34)의 재료는 예를 들면, 리튬 탄탈레이트이다. 저음속막(33)의 재료는 예를 들면, 산화 규소이다. 압전체층(34)의 두께는, 예를 들면 IDT 전극의 전극지(electrode finger) 주기에서 정해지는 탄성파의 파장을 λ라고 했을 때에, 3.5λ이하이다. 저음속막(33)의 두께는, 예를 들면 2.0λ 이하이다.
압전체층(34)은 예를 들면, 리튬 탄탈레이트, 리튬 니오베이트, 산화 아연, 질화 알루미늄 또는 티탄산 지르콘산납 중 어느 하나에 의해 형성되어 있으면 된다. 또한 저음속막(33)은 산화 규소, 유리, 산질화 규소, 산화 탄탈, 산화 규소에 불소 또는 탄소 또는 붕소를 첨가한 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하고 있으면 된다. 또한, 기판은 실리콘, 질화 알루미늄, 산화 알류미늄, 탄화 규소, 질화 규소, 사파이어, 리튬 탄탈레이트, 리튬 니오베이트, 수정, 알루미나, 지르코니아, 코딜라이트, 뮬라이트, 스테아타이트, 포오스테라이트, 마그네시아 및 다이아몬드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하고 있으면 좋다.
표면 탄성파 필터는, 예를 들면 저음속막(33)과 압전체층(34)의 사이에 개재하는 밀착층을 포함하고 있어도 된다. 밀착층은 예를 들면, 수지(에폭시 수지, 폴리이미드 수지)로 이루어진다. 또한, 표면 탄성파 필터는, 저음속막(33)과 압전체층(34) 사이, 압전체층(34) 상 또는 저음속막(33) 하 중 어느 하나에 유전체막을 구비하고 있어도 된다.
또한, 표면 탄성파 필터는, 예를 들면 기판(31)과 저음속막(33) 사이에 개재하는 고음속막을 구비하고 있어도 된다. 여기에 있어서, 고음속막은 기판(31) 상에 직접적 또는 간접적으로 형성되어 있다. 저음속막(33)은 고음속막 상에 직접적 또는 간접적으로 형성되어 있다. 압전체층(34)은 저음속막(33) 상에 직접적 또는 간접적으로 형성되어 있다. 고음속막에서는, 압전체층(34)을 전파하는 탄성파의 음속보다 고음속막을 전파하는 벌크파의 음속이 고속이다. 저음속막(33)에서는, 압전체층(34)을 전파하는 벌크파의 음속보다 저음속막(33)을 전파하는 벌크파의 음속이 저속이다.
고음속막은 다이아몬드 라이크 카본, 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 탄화 규소, 질화 규소, 실리콘, 사파이어, 리튬 탄탈레이트, 리튬 니오베이트, 수정 등의 압전체, 알루미나, 지르코니아, 코딜라이트, 뮬라이트, 스테아타이트, 포오스테라이트 등의 각종 세라믹, 마그네시아, 다이아몬드 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료, 상기 각 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 재료로 이루어진다.
고음속막의 두께에 관해서는, 탄성파를 압전체층(34) 및 저음속막(33)에 가두는 기능을 고음속막이 갖기 때문에, 고음속막의 두께는 두꺼울수록 바람직하다.
표면 탄성파 필터는 예를 들면, 스페이서층과 커버 부재를 더 구비해도 된다. 스페이서층 및 커버 부재는, 기판(31)의 제 1 주면(311)측에 설치된다. 스페이서층은 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 복수의 IDT 전극을 둘러싸고 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 스페이서층은 프레임 형상(직사각형 프레임 형상)이다. 스페이서층은 전기 절연성을 갖는다. 스페이서층의 재료는, 예를 들면 에폭시 수지, 폴리이미드 등의 합성 수지이다. 커버 부재는, 평판 형상이다. 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 커버 부재는 장방 형상이지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 정방 형상이어도 된다. 표면 탄성파 필터에서는, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 커버 부재의 외형 사이즈와, 스페이서층의 외형 사이즈와, 커버 부재의 외형 사이즈가 대략 같다. 커버 부재는, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 기판(31)에 대향하도록 스페이서층에 배치되어 있다. 커버 부재는, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 복수의 IDT 전극과 중복하고, 또한, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서 복수의 IDT 전극으로부터 떨어져 있다. 커버 부재는, 전기 절연성을 갖는다. 커버 부재의 재료는, 예를 들면 에폭시 수지, 폴리이미드 등의 합성수지이다. 표면 탄성파 필터는, 기판(31)과 스페이서층과 커버 부재로 둘러싸여진 공간을 갖는다. 표면 탄성파 필터에서는, 공간에는 기체가 들어 있다. 기체는, 예를 들면 공기, 불활성 가스(예를 들면, 질소 가스) 등이다. 표면 탄성파 필터에 있어서의 복수의 단자는, 커버 부재로부터 노출하고 있다. 복수의 단자의 각각은 예를 들면 범프이다. 각 범프는, 예를 들면 땜납 범프이다. 각 범프는 땜납 범프에 한정되지 않고, 예를 들면, 금 범프이어도 된다.
변형예 3에 따른 고주파 모듈(1c)은 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 같이 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출되어 있으므로, 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
(4.4) 변형예 4
실시형태의 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d) 및 통신 장치(300d)에 대해서, 도 8 및 9를 참조해서 설명한다. 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d) 및 통신 장치(300d)에 관하여, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(300) 각각과 같은 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 설명을 생략한다.
변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 2개의 송신용 필터(12A, 12B) 및 2개의 수신용 필터(22A, 22B) 대신에, 1개의 송신용 필터(12) 및 1개의 수신용 필터(22)를 구비한다. 또한, 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 송수신용 필터(24)를 구비하지 않는다.
변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)에서는 도 8에 나타내는 바와 같이, 파워 앰프(11)의 출력 단자(112)가 송신용 필터(12)를 통해서 제 1 스위치(4)의 선택 단자(41)와 접속되어 있다. 또한, 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)에서는 로우 노이즈 앰프(21)의 입력 단자(211)가 수신용 필터(22)를 통해서 제 1 스위치(4)의 선택 단자(42)와 접속되어 있다. 로우 노이즈 앰프(21)는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 수신용 필터(22)는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)에서는 복수의 전자 부품(2)은 파워 앰프(11)와, 송신용 필터(12)를 포함한다. 파워 앰프(11)는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 송신용 필터(12)는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
또한, 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)에서는 로우 노이즈 앰프(21)가 제 1 칩 부품(3A)을 구성하고, 수신용 필터(22)가 제 2 칩 부품(3B)을 구성하고 있다. 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)에서는 수신용 필터(22)는 변형예 3과 같은 표면 탄성파 필터이고, 기판(31)과, 회로부(32)를 구비하고, 저음속막(33)과 압전체층(34)을 더 구비한다.
변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)은 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 같이 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출되어 있으므로, 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
또한, 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 파워 앰프(11) 및 송신용 필터(12)가 실장되고, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 로우 노이즈 앰프(21) 및 수신용 필터(22)가 실장되어 있다. 이것에 의해 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)은 실장 기판(9)이 송신 경로와 수신 경로 사이에 위치하는 그라운드층을 구비함으로써, 송신 경로와 수신 경로 사이의 아이설레이션을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)에서는 실장 기판(9)의 두께 방향 D1로부터의 평면으로 볼 때에, 파워 앰프(11)와 로우 노이즈 앰프(21)는 중복되어 있지 않다. 이것에 의해 파워 앰프(11)와 로우 노이즈 앰프(21)의 아이설레이션을 향상시킬 수 있다.
또한, 변형예 4에 따른 통신 장치(300d)는, 고주파 모듈(1d)을 구비하므로, 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 있어서의 고주파 모듈(1d)의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
(4.5) 변형예 5
실시형태의 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)에 대해서, 도 10을 참조해서 설명한다. 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)에 관하여, 실시형태의 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)과 같은 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 설명을 생략한다.
변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 복수의 전자 부품(2)은 파워 앰프(11)와 수신용 필터(22)를 포함한다. 또한, 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 로우 노이즈 앰프(21)가 제 1 칩 부품(3A)을 구성하고, 송신용 필터(12)가 제 2 칩 부품(3B)을 구성하고 있다. 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 송신용 필터(12)는 변형예 3과 같은 표면 탄성파 필터이고, 기판(31)과, 회로부(32)를 구비하고, 저음속막(33)과 압전체층(34)을 더 구비한다.
변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)은, 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)과 같이 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출되어 있으므로, 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
또한, 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 실장 기판(9)이, 수신용 필터(22)와 로우 노이즈 앰프(21)를 전기적으로 접속하고 있는 배선부(95)를 구비한다. 배선부(95)는 실장 기판(9)의 두께 방향 D1에 관통하고 있다. 이것에 의해, 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)은 수신용 필터(22)와 로우 노이즈 앰프(21)가 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)을 따라 배치된 배선부로 접속되어 있는 경우와 비교하여 배선부(95)와 실장 기판(9)이 갖는 그라운드층 사이의 기생 용량을 작게 하는 것이 가능하게 된다. 이것에 의해 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)은 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1d)과 비교하여 로우 노이즈 앰프(21)의 NF(Noise Figure)를 작게 하는 것이 가능하게 된다.
또한, 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되는 제 2 칩 부품(3B)(송신용 필터(12))과 수신 신호용의 신호 경로에 설치되는 제 1 칩 부품(3A)(여기에서는, 로우 노이즈 앰프(21))과의 사이에 그라운드 단자(85)가 위치하고 있다. 이것에 의해, 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1e)은, 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 제 2 칩 부품(3B)(송신용 필터(12))과 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 제 1 칩 부품(3A)(로우 노이즈 앰프(21))의 아이설레이션을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(4.6) 변형예 6
실시형태의 변형예 6에 따른 고주파 모듈(1f)에 대해서, 도 11을 참조해서 설명한다. 변형예 6에 따른 고주파 모듈(1f)에 관하여, 실시형태의 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)과 같은 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 설명을 생략한다.
변형예 6에 따른 고주파 모듈(1f)에서는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 스위치(제 3 스위치(6))가 제 1 칩 부품(3A)을 구성하고, 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 수신용 필터(22A)가 제 2 칩 부품(3B)을 구성하고 있다. 변형예 6에 따른 고주파 모듈(1g)에서는 수신용 필터(22A)는, 변형예 3과 같은 표면 탄성파 필터이고, 기판(31)과, 회로부(32)를 구비하고, 저음속막(33)과 압전체층(34)을 더 구비한다.
또한, 복수의 전자 부품(2)은 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 파워 앰프(11)와, 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 필터(송신용 필터(12A))를 포함한다.
변형예 6에 따른 고주파 모듈(1f)은 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 같이 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출되어 있으므로, 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
(4.7) 변형예 7
실시형태의 변형예 7에 따른 고주파 모듈(1g)에 대해서, 도 12를 참조해서 설명한다. 변형예 7에 따른 고주파 모듈(1g)에 관하여, 실시형태의 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1a)과 동일한 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여해서 설명을 생략한다.
변형예 7에 따른 고주파 모듈(1g)에서는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 스위치(제 3 스위치(6))가 제 1 칩 부품(3A)을 구성하고, 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 송신용 필터(12A)가 제 2 칩 부품(3B)을 구성하고 있다.
또한, 복수의 전자 부품(2)은 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 파워 앰프(11)와, 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 수신용 필터(22A)를 포함한다.
변형예 7에 따른 고주파 모듈(1g)은 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(1)과 같이 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)이 노출하고 있으므로, 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
상기의 실시형태는, 본 발명의 여러가지 실시형태의 하나에서 지나지 않는다. 상기의 실시형태는, 본 발명의 목적을 달성할 수 있으면, 설계 등에 따라 여러가지 변경이 가능하다.
예를 들면, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)의 전역이 노출되어 있는 경우에 한하지 않고, 제 2 주면(312)의 일부만이 노출되어 있어도 된다.
또한, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되는 전자 부품(2)의 수는, 복수에 한하지 않고, 1개이어도 된다.
또한, 실장 기판(9)은 프린트 배선판 또는 LTCC 기판인 경우에 한하지 않고, 예를 들면 HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics) 기판, 부품 내장 기판 등이어도 된다.
제 1 스위치(4), 제 2 스위치(5), 제 3 스위치(6), 제 4 스위치(7) 및 로우 노이즈 앰프(21)는 예를 들면, 실시형태의 고주파 모듈(1)과 같이, 각각 다른 칩 부품(IC칩)에 의해 구성되어 있어도 되고, 임의의 조합으로 1칩화되어 있어도 된다.
고주파 모듈(1∼1g)은 신호 처리 회로(301)로부터의 제어 신호에 기초하여 파워 앰프(11)를 제어하는 컨트롤러(파워 앰프 컨트롤러)를 구비하고 있어도 된다. 컨트롤러는, 예를 들면 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과, 이 기판의 제 1 주면측에 형성된 제어 기능부를 구비하는 칩 부품(IC칩)이다. 여기에 있어서, 기판은 예를 들면 실리콘 기판이다.
또한, 파워 앰프(11)의 기판은 갈륨 비소 기판에 한정되지 않고, 예를 들면 실리콘 기판이어도 된다. 이 경우, 파워 앰프(11)가 포함하는 트랜지스터는 HBT가 아니라, 바이폴라트랜지스터이다.
제 1 스위치(4), 제 2 스위치(5), 제 3 스위치(6) 및 제 4 스위치(7)의 각각에 있어서의 선택 단자의 수는, 복수이면 되고, 예시한 수에 한정되지 않는다.
또한, 송신용 필터(12, 12A, 12B, 12C) 등의 필터는, 래더형 필터에 한하지 않고, 예를 들면 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터이어도 된다.
또한, 상술의 필터는, 탄성 표면파를 이용하는 탄성파 필터이지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 탄성 경계파, 판파 등을 이용하는 탄성파 필터이어도 된다.
탄성파 필터에서는, 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각은 SAW 공진자에 한하지 않고, 예를 들면 BAW(Bulk Acoustic Wave) 공진자이어도 된다.
또한 필터는, LC 필터이어도 된다. 필터는, 탄성파 필터에 의해 구성되어 있는 경우, LC 필터에 의해 구성되어 있는 경우보다 통과 대역 부근의 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다. 또한 필터는, 탄성파 필터에 의해 구성되어 있는 경우, LC 필터에 의해 구성되어 있는 경우보다도, 미드 밴드에서의 Γ(반사 계수)을 크게 할 수 있다.
출력 정합 회로(13)는 예를 들면, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과, 이 기판의 제 1 주면측에 형성된 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함하는 회로부를 구비하는 칩 부품(IC칩)이어도 된다. 이 경우, IC칩은 IPD(Integrated Passive Device)이어도 된다. 기판은 예를 들면, 실리콘 기판이다. 출력 정합 회로(13)는 IPD의 경우, 예를 들면 기판의 제 1 주면 및 제 2 주면 중 제 1 주면이 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)측이 되도록 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 플립 칩 실장된다.
복수의 외부 접속 단자(80)의 각각의 선단부는, 예를 들면 금도금층을 함유하고 있어도 된다.
복수의 외부 접속 단자(80)의 각각은 기둥형상 전극에 한하지 않고, 예를 들면 범프이어도 된다. 여기에 있어서, 범프는 예를 들면 구형상이다. 이 경우, 복수의 외부 접속 단자(80)의 각각은 볼 범프이다. 볼 범프의 재료는, 예를 들면 금, 동, 땜납 등이다.
고주파 모듈(1∼1e)의 회로 구성은 상술의 예에 한정되지 않는다. 또한, 고주파 모듈(1∼1e)은 회로 구성으로서, 예를 들면 MIMO(Multi Input Multi Output)대응의 고주파 프런트엔드 회로를 갖고 있어도 된다.
또한, 실시형태에 따른 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1) 대신에, 고주파 모듈(1a, 1b, 1c, 1d, 1e) 중 어느 하나를 구비해도 된다.
(형태)
본 명세서에는, 이하의 형태가 개시되어 있다.
제 1 형태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g)은 실장 기판(9)과, 전자 부품(2)과, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)을 구비한다. 실장 기판(9)은 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는다. 전자 부품(2)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각은 기판(31)과, 회로부(32)를 포함한다. 기판(31)은 서로 대향하는 제 1 주면(311) 및 제 2 주면(312)을 갖는다. 회로부(32)는 기판(31)의 제 1 주면(311)측에 형성되어 있다. 고주파 모듈 (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g)에서는, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각에 있어서의 기판(31)의 제 2 주면(312)의 적어도 일부가 노출되어 있다. 제 1 칩 부품(3A)에 있어서의 기판(31)의 재료와 제 2 칩 부품(3B)에 있어서의 기판(31)의 재료가 같다.
제 1 형태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
제 2 형태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g)은 실장 기판(9)과, 전자 부품(2)과, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)을 구비한다. 실장 기판(9)은 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는다. 전자 부품(2)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각은 기판(31)과, 회로부(32)를 포함한다. 기판(31)은 서로 대향하는 제 1 주면(311) 및 제 2 주면(312)을 갖는다. 회로부(32)는 기판(31)의 제 1 주면(311)측에 형성되어 있다. 제 1 칩 부품(3A)에 있어서의 기판(31)의 재료와, 제 2 칩 부품(3B)에 있어서의 기판(31)의 재료가 같다. 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 있어서 제 1 칩 부품(3A)에 접속된 범프(36)와의 접합 영역(923)을 포함하는 평면을 기준면(920)으로 했을 때에, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)에서는 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 기준면(920)과 기판(31)의 제 2 주면(312)의 거리(H1)가 서로 같다.
제 2 형태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
제 3 형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 제 1 또는 2의 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)은 신호 경로 스위칭용의 제 1 스위치(4)이고, 제 2 칩 부품(3B)은 신호 경로 스위칭용의 제 2 스위치(5)이다.
제 4 형태에 따른 고주파 모듈(1a)에서는, 제 1 또는 2의 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)은 제 1 필터(송신용 필터(12C))이고, 제 2 칩 부품(3B)은 제 2 필터(수신용 필터(22C))이다. 제 1 필터는 제 1 고주파 신호를 통과시킨다. 제 2 필터는 제 2 고주파 신호를 통과시킨다.
제 5 형태에 따른 고주파 모듈(1b)에서는 제 1 또는 2의 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)은 신호 경로 스위칭용의 스위치(제 1 스위치(4))이고, 제 2 칩 부품(3B)은 로우 노이즈 앰프(21)이다. 로우 노이즈 앰프(21)는 수신 신호의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 6 형태에 따른 고주파 모듈(1c)에서는 제 1 또는 2의 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)은 신호 경로 스위칭용의 스위치(제 1 스위치(4))이고, 제 2 칩 부품(3B)은 표면 탄성파 필터(송수신용 필터(24))이다. 표면 탄성파 필터는, 신호 경로에 설치되어 있다.
제 7 형태에 따른 고주파 모듈(1d)은 제 1 또는 2의 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)은 로우 노이즈 앰프(21)이고, 제 2 칩 부품(3B)은 표면 탄성파 필터(수신용 필터(22))이다. 로우 노이즈 앰프(21)는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 표면 탄성파 필터(수신용 필터(22))는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 8 형태에 따른 고주파 모듈(1d)은 제 7 형태에 있어서, 전자 부품(2)을 복수 구비한다. 복수의 전자 부품(2)은 파워 앰프(11)와, 필터(송신용 필터(12))를 포함한다. 파워 앰프(11)는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 필터(송신용 필터(12))는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 9 형태에 따른 고주파 모듈(1f)은 제 1 또는 2의 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)은 스위치(제 3 스위치(6))이고, 제 2 칩 부품(3B)은 표면 탄성파 필터(수신용 필터(22A))이다. 스위치(제 3 스위치(6))는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 표면 탄성파 필터(수신용 필터(22A))는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 10의 형태에 따른 고주파 모듈(1f)은 제 9 형태에 있어서, 전자 부품(2)을 복수 구비한다. 복수의 전자 부품(2)은 파워 앰프(11)와, 필터(송신용 필터(12A))를 포함한다. 파워 앰프(11)는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.필터(송신용 필터(12A))는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 11 형태에 따른 고주파 모듈(1e)은 제 1 또는 2의 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)은 로우 노이즈 앰프(21)이고, 제 2 칩 부품(3B)은 송신용 필터(12)이다. 로우 노이즈 앰프(21)는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 송신용 필터(12)는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 12 형태에 따른 고주파 모듈(1e)은 제 11 형태에 있어서, 전자 부품(2)을 복수 구비한다. 복수의 전자 부품(2)은 파워 앰프(11)와, 수신용 필터(22)를 포함한다. 파워 앰프(11)는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 수신용 필터(22)는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 13 형태에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 제 12 형태에 있어서, 실장 기판(9)은 배선부(95)를 더 구비한다. 배선부(95)는 수신용 필터(22)와 로우 노이즈 앰프(21)를 전기적으로 접속하고 있다. 고주파 모듈(1e)은 그라운드 단자(85)를 더 구비한다. 그라운드 단자(85)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 그라운드 단자(85)는 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로 볼 때에 로우 노이즈 앰프(21)와 송신용 필터(12) 사이에 위치하고 있다.
제 13 형태에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 실장 기판(9)이 수신용 필터(22)와 로우 노이즈 앰프(21)를 전기적으로 접속하고 있는 배선부(95)를 구비함으로써, 수신용 필터(22)와 로우 노이즈 앰프(21)가 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)을 따라 배치된 배선부에서 접속되어 있는 경우와 비교하여, 배선부(95)와 실장 기판(9)이 갖는 그라운드층 사이의 기생 용량을 작게 하는 것이 가능하게 된다. 또한, 제 9 형태에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 로우 노이즈 앰프(21)와 송신용 필터(12) 사이에 위치하고 있는 그라운드 단자(85)를 구비함으로써, 로우 노이즈 앰프(21)와 송신용 필터(12)의 아이설레이션을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
제 14 형태에 따른 고주파 모듈(1e)에서는 제 13 형태에 있어서, 그라운드 단자(85)는 기둥형상 전극이다.
제 15 형태에 따른 고주파 모듈(1g)에서는, 제 1 또는 2의 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A)은 스위치(제 3 스위치(6))이고, 제 2 칩 부품(3B)은 송신용 필터(12A)이다. 스위치(제 3 스위치(6))는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 송신용 필터(12A)는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 16 형태에 따른 고주파 모듈(1g)은 제 15 형태에 있어서, 전자 부품(2)을 복수 구비한다. 복수의 전자 부품(2)은 파워 앰프(11)와, 수신용 필터(22A)를 포함한다. 파워 앰프(11)는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 수신용 필터(22A)는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 17 형태에 따른 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e)에서는 제 1∼16 형태 중 어느 하나에 있어서, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각의 기판(31)은 실리콘 기판이다.
제 18 형태에 따른 고주파 모듈(1a )에서는, 제 4 형태에 있어서, 제 1 칩 부품(3A) 및 제 2 칩 부품(3B)의 각각의 기판(31)은 리튬 탄탈레이트 기판 또는 리튬 니오베이트 기판이다.
제 19 형태에 따른 통신 장치(300; 300a; 300d)는 신호 처리 회로(301)와, 제 1∼18 형태 중 어느 하나의 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e)을 구비한다. 신호 처리 회로(301)는 안테나(310)로부터의 수신 신호와 안테나(310)에의 송신 신호를 신호 처리한다. 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e)은 안테나(310)와 신호 처리 회로(301) 사이에서 수신 신호 및 송신 신호를 전달한다.
제 19 형태에 따른 통신 장치(300; 300a; 300d)에서는 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.
1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g 고주파 모듈
2 전자 부품
20 전자 부품
26 범프
27 범프
3 칩 부품
3A 제 1 칩 부품
3B 제 2 칩 부품
31 기판
311 제 1 주면
312 제 2 주면
32 회로부
33 저음속막
34 압전체층
36 범프
4 제 1 스위치(안테나 스위치)
40 공통 단자
41∼43 선택 단자
5 제 2 스위치
50 공통 단자
51∼53 선택 단자
6 제 3 스위치
60 공통 단자
61∼63 선택 단자
7 제 4 스위치
70 공통 단자
71, 72 선택 단자
11 파워 앰프
111 입력 단자
112 출력 단자
12, 12A, 12B 송신용 필터
12C 송신용 필터(제 1 필터)
13 출력 정합 회로
21 로우 노이즈 앰프
211 입력 단자
212 출력 단자
23 입력 정합 회로
22, 22A, 22B 수신용 필터
22C 수신용 필터(제 2 필터)
24 송수신용 필터
80 외부 접속 단자
81 안테나 단자
82 신호 입력 단자
83 신호 출력 단자
85 그라운드 단자
9 실장 기판
91 제 1 주면
92 제 2 주면
920 기준면
923 접합 영역
93 외주면
95 배선부
101 제 1 수지층
1011 주면
1013 외주면
102 제 2 수지층
1021 주면
1023 외주면
103 실드층
300, 300a, 300d 통신 장치
301 신호 처리 회로
302 RF 신호 처리 회로
303 베이스 밴드 신호 처리 회로
310 안테나
H1 거리
L1 인덕터
L2 인덕터
2 전자 부품
20 전자 부품
26 범프
27 범프
3 칩 부품
3A 제 1 칩 부품
3B 제 2 칩 부품
31 기판
311 제 1 주면
312 제 2 주면
32 회로부
33 저음속막
34 압전체층
36 범프
4 제 1 스위치(안테나 스위치)
40 공통 단자
41∼43 선택 단자
5 제 2 스위치
50 공통 단자
51∼53 선택 단자
6 제 3 스위치
60 공통 단자
61∼63 선택 단자
7 제 4 스위치
70 공통 단자
71, 72 선택 단자
11 파워 앰프
111 입력 단자
112 출력 단자
12, 12A, 12B 송신용 필터
12C 송신용 필터(제 1 필터)
13 출력 정합 회로
21 로우 노이즈 앰프
211 입력 단자
212 출력 단자
23 입력 정합 회로
22, 22A, 22B 수신용 필터
22C 수신용 필터(제 2 필터)
24 송수신용 필터
80 외부 접속 단자
81 안테나 단자
82 신호 입력 단자
83 신호 출력 단자
85 그라운드 단자
9 실장 기판
91 제 1 주면
92 제 2 주면
920 기준면
923 접합 영역
93 외주면
95 배선부
101 제 1 수지층
1011 주면
1013 외주면
102 제 2 수지층
1021 주면
1023 외주면
103 실드층
300, 300a, 300d 통신 장치
301 신호 처리 회로
302 RF 신호 처리 회로
303 베이스 밴드 신호 처리 회로
310 안테나
H1 거리
L1 인덕터
L2 인덕터
Claims (19)
- 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 실장 기판과,
상기 실장 기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있는 전자 부품과,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있는 제 1 칩 부품 및 제 2 칩 부품을 구비하고,
상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품은,
서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과,
상기 기판의 상기 제 1 주면측에 형성된 회로부를 포함하고,
상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품의 각각에 있어서의 상기 기판의 상기 제 2 주면의 적어도 일부가 노출되어 있고,
상기 제 1 칩 부품에 있어서의 상기 기판의 재료와 상기 제 2 칩 부품에 있어서의 상기 기판의 재료가 같은, 고주파 모듈. - 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 실장 기판과,
상기 실장 기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있는 전자 부품과,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있는 제 1 칩 부품 및 제 2 칩 부품을 구비하고,
상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품은,
서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판과,
상기 기판의 상기 제 1 주면측에 형성된 회로부를 포함하고,
상기 제 1 칩 부품에 있어서의 상기 기판의 재료와 상기 제 2 칩 부품에 있어서의 상기 기판의 재료가 같고,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 있어서 상기 제 1 칩 부품에 접속된 범프와의 접합 영역을 포함하는 평면을 기준면으로 했을 때에,
상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품에서는, 상기 실장 기판의 두께 방향에 있어서 상기 기준면과 상기 기판의 상기 제 2 주면의 거리가 서로 같은, 고주파 모듈. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품은 신호 경로 스위칭용의 제 1 스위치이고,
상기 제 2 칩 부품은 신호 경로 스위칭용의 제 2 스위치인, 고주파 모듈. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품은 제 1 고주파 신호를 통과시키는 제 1 필터이고,
상기 제 2 칩 부품은 제 2 고주파 신호를 통과시키는 제 2 필터인, 고주파 모듈. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품은 신호 경로 스위칭용의 스위치이고,
상기 제 2 칩 부품은 수신 신호의 신호 경로에 설치되어 있는 로우 노이즈 앰프인, 고주파 모듈. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품은 신호 경로 스위칭용의 스위치이고,
상기 제 2 칩 부품은 신호 경로에 설치되어 있는 표면 탄성파 필터인, 고주파 모듈. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품은 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 로우 노이즈 앰프이고,
상기 제 2 칩 부품은 상기 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 표면 탄성파 필터인, 고주파 모듈. - 제 7 항에 있어서,
상기 전자 부품을 복수 구비하고,
상기 복수의 전자 부품은,
송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 파워 앰프와,
상기 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 필터를 포함하는, 고주파 모듈. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품은 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 스위치이고,
상기 제 2 칩 부품은 상기 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 표면 탄성파 필터인, 고주파 모듈. - 제 9 항에 있어서,
상기 전자 부품을 복수 구비하고,
상기 복수의 전자 부품은,
송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 파워 앰프와,
상기 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 필터를 포함하는, 고주파 모듈. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품은 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 로우 노이즈 앰프이고,
상기 제 2 칩 부품은 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 송신용 필터인, 고주파 모듈. - 제 11 항에 있어서,
상기 전자 부품을 복수 구비하고,
상기 복수의 전자 부품은,
송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 파워 앰프와,
상기 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 수신용 필터를 포함하는, 고주파 모듈. - 제 12 항에 있어서,
상기 실장 기판은 상기 수신용 필터와 상기 로우 노이즈 앰프를 전기적으로 접속하고 있는 배선부를 더 구비하고,
상기 고주파 모듈은,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있고, 상기 실장 기판의 두께 방향으로부터의 평면으로 볼 때에 상기 로우 노이즈 앰프와 상기 송신용 필터 사이에 위치하고 있는 그라운드 단자를 더 구비하는, 고주파 모듈. - 제 13 항에 있어서,
상기 그라운드 단자는 기둥형상 전극인, 고주파 모듈. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품은 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 스위치이고,
상기 제 2 칩 부품은 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 송신용 필터인, 고주파 모듈. - 제 15 항에 있어서,
상기 전자 부품을 복수 구비하고,
상기 복수의 전자 부품은,
송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 파워 앰프와,
상기 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있는 수신용 필터를 포함하는, 고주파 모듈. - 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품의 각각의 상기 기판은 실리콘 기판인, 고주파 모듈. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 칩 부품 및 상기 제 2 칩 부품의 각각의 상기 기판은 리튬 탄탈레이트 기판 또는 리튬 니오베이트 기판인, 고주파 모듈. - 안테나로부터의 수신 신호와 상기 안테나에의 송신 신호를 신호 처리하는 신호 처리 회로와,
상기 안테나와 상기 신호 처리 회로 사이에서 상기 수신 신호 및 상기 송신 신호를 전달하는 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 고주파 모듈을 구비하는, 통신 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019124839 | 2019-07-03 | ||
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