JP6432944B2 - 接合基板及びこれを用いた弾性表面波デバイス - Google Patents
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Description
ここで、本発明における「多分域構造」とは、単一分域状態の構造から乱れた状態を表すものである。この多分域構造は、完全に圧電特性が失われた状態とは限らず、圧電特性の反応を示すことはあるが、一様に単一分域された状態ではない。
したがって、このような関係を表す式を用いれば、酸化物単結晶基板の任意の位置における組成を評価することが可能である。
Li/(Li+Ta)=(53.15-0.5FWHM1)/100 (1)
ここで、「FWHM1」は、600cm-1付近のラマンシフトピークの半値幅である。測定条件の詳細については文献を参照されたい。
実施例1は、42°回転YカットLiTaO3基板とベース基板を接合して構成される接合基板に関するものである。この実施例1では、最初にLiTaO3基板のベース基板と接する接合面のLi濃度が接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きく、接合面側が多分域構造である接合基板を用意した。そして、このLi濃度が大きいLiTaO3が多分域構造である場合のモデルから、主たる波動モードであるLiTaO3結晶のX軸方向に伝搬するシェアホリゾンタル波(SH波)の水平方向の変位の強度の厚み方向による変化をコンピュータ解析により計算した。なお、この計算では、LiTaO3の表層は電気的に開放されているとした。
ここで、上記SH波の波長は0.47μmとした。
比較例1では、42°回転YカットのLi濃度が50 mol %であるLiTaO3基板(SLT)とベース基板を接合して構成される接合基板モデルを想定した。なお、この接合基板モデルは、そのLiTaO3基板のベース基板と接する接合面のLi濃度とLiTaO3基板側表面のLi濃度が同じ50 mol %である。
なお、この計算でも、LiTaO3の表層は電気的に開放されているとした。
ここで、上記SH波の波長は0.47μmとした。
実施例2では、最初に、単一分域処理を施したLi:Ta=48.5:51.5である概略コングルーエント組成の4インチ径LiTaO3単結晶インゴットをスライスして、42°回転YカットのLiTaO3基板を370μm厚に切り出した。その後、必要に応じて、各スライスウエハの面粗さをラップ工程により算術平均粗さRa値で0.15μmに調整し、その仕上がり厚みを350μmとした。
なお、Al電極の形成は、RIE(reactive ion etching)により行うとともに、このRIEのガスは、BCl3,Cl2,CF4,N2の混合ガスを用いた。
比較例2では、単一分域処理を施したLi:Ta=48.5:51.5である概略コングルーエント組成の4インチ径LiTaO3単結晶インゴットをスライスして、42°回転YカットのLiTaO3基板を370μm厚に切り出した。その後、必要に応じて、各スライスウエハの面粗さをラップ工程により算術平均粗さRa値で0.15μmに調整し、その仕上がり厚みを350μmとした。
なお、Al電極の形成は、RIE(reactive ion etching)により行うとともに、このRIEのガスはBCl3,Cl2,CF4,N2の混合ガスを用いた。
したがって、比較例2の温度係数は、実施例2と同じであり、変化がないことが確認された。
Claims (10)
- LiTaO3基板とベース基板を接合して構成される接合基板であって、前記LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度は、前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きく、かつ前記Li濃度が大きい接合面側の範囲では多分域構造であることを特徴とする接合基板。
- 前記LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%であり、αが-1.0<α<0.5の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の接合基板。
- 前記Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%であり、αが-0.5<α<0.5の範囲は、前記LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の0.5〜5倍にわたって形成されていることを特徴とする請求項2に記載の接合基板。
- 前記LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、Li濃度が減少する範囲を有する請求項1から3の何れかに記載の接合基板。
- 前記Li濃度が減少する範囲は、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の1〜5倍にわたって形成されていることを特徴とする請求項4に記載の接合基板。
- 前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%であり、βが-0.25<β<0.25の範囲であることを特徴とする請求項1から5の何れかに記載の接合基板。
- 前記Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%であり、βが-0.25<β<0.25の範囲は、前記接合基板のLiTaO3基板側表面からLiTaO3基板の接合面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の1〜10倍にわたって形成されていることを特徴とする請求項6に記載の接合基板。
- 前記LiTaO3基板の結晶方位は、回転36°Y〜49°Yカットであることを特徴とする請求項1から7の何れかに記載の接合基板。
- 前記ベース基板は、Si、SiC、スピネルから選択されることを特徴とする請求項1から8の何れかに記載の接合基板。
- 請求項1から9の何れかに記載の接合基板を用いて構成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
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