WO2005036744A1 - 弾性境界波装置 - Google Patents

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WO2005036744A1
WO2005036744A1 PCT/JP2004/012815 JP2004012815W WO2005036744A1 WO 2005036744 A1 WO2005036744 A1 WO 2005036744A1 JP 2004012815 W JP2004012815 W JP 2004012815W WO 2005036744 A1 WO2005036744 A1 WO 2005036744A1
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boundary acoustic
wave device
boundary
electrode
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Inventor
Hajime Kando
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices

Definitions

  • the present invention relates to a boundary acoustic wave device using a boundary acoustic wave propagating along a boundary between first and second medium layers having different sound speeds, and more particularly, to a boundary acoustic wave device having an improved electrode structure.
  • a boundary acoustic wave device using a boundary acoustic wave propagating along a boundary between first and second medium layers having different sound speeds, and more particularly, to a boundary acoustic wave device having an improved electrode structure.
  • a surface acoustic wave device using a surface acoustic wave such as a Rayleigh wave or a first leaky wave can be reduced in size and weight and does not require adjustment.
  • surface acoustic wave devices are widely used for RF filters or IF filters for mobile phones, resonators for VCOs, VIF filters for televisions, and the like.
  • a boundary acoustic wave device has been proposed as a device that does not require a package having a cavity as described above.
  • FIG. 5 is a schematic partial cutaway front sectional view showing an example of a conventional boundary acoustic wave device.
  • first and second medium layers 102 and 103 having different sound velocities are stacked.
  • An IDT 104 as an electroacoustic transducer is arranged at a boundary A between the first and second medium layers 102 and 103. Further, reflectors (not shown) are arranged on both sides of the IDT 104 in the direction of propagation of the boundary acoustic wave.
  • boundary acoustic wave device 101 a boundary acoustic wave is excited by applying an input signal to the IDT 104.
  • the boundary acoustic wave is represented by a boundary acoustic wave device as schematically shown by arrow B in Fig. 5. Propagate the boundary A of the location 101.
  • Non-Patent Document 1 shows an example of such a boundary acoustic wave device.
  • an IDT is formed on a 126 ° rotation Y-plate X-propagation LiTaO substrate, and a Si ⁇ film is formed to a predetermined thickness on the LiTaO substrate so as to cover the IDT.
  • a Si ⁇ film is formed to a predetermined thickness on the LiTaO substrate so as to cover the IDT.
  • Non-Patent Document 1 states that if the thickness of the SiO film is 1. ⁇ (where ⁇ is the wavelength of the boundary acoustic wave), an electromechanical coupling coefficient of 2% can be obtained.
  • Patent Document 1 discloses a boundary acoustic wave device having a structure in which an IDT made of A1 is formed on a LiTaO substrate that propagates a 126 ° rotating plate X propagation.
  • the thickness of the electrode finger of the interdigital electrode is H
  • the width of the electrode finger is L
  • the interval between the electrode fingers is S
  • a polycrystalline silicon oxide film constituting the second medium is formed on the IDT.
  • the duty ratio L / (L + S) of the interdigital electrode is set to 0.5.
  • Patent document 1 W098-52279
  • Non-Special Noon Document 1 “Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating Long the Interface Between Si ⁇ 2 and LiTa03j IEEE Trans. Sonics and ultrason., VOL. SU-25, No. 6, 1978 IEEE
  • the boundary acoustic wave device is strongly required to have a small frequency variation.
  • the conventional boundary acoustic wave device could not sufficiently satisfy this requirement, and it was difficult to increase the yield rate.
  • An object of the present invention is to provide good resonance characteristics and filter characteristics in view of the state of the art.
  • Another object of the present invention is to provide a boundary acoustic wave device having small frequency variations.
  • the present invention provides an elastic boundary including a first medium layer, a second medium layer, and an interdigital electrode and / or a reflector disposed at a boundary between the first and second medium layers.
  • a boundary acoustic wave device characterized in that when the duty ratio of the interdigital electrode and / or the reflector is d, 0.33 ⁇ d ⁇ 0.49.
  • the first medium layer is formed of LiNb. It is configured using a substrate mainly composed of o.
  • the second medium layer is formed of SiO 2
  • the duty ratio d of the interdigital electrode and Z or the reflector is greater than 0.33 and less than 0.49. Therefore, as will be apparent from a specific experimental example described later, it is possible to reduce the frequency variation during manufacturing.
  • the present invention is characterized in that in the boundary acoustic wave device, the duty ratio is set in the specific range described above, thereby reducing the frequency variation at the time of manufacturing.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a surface cross-sectional view showing a main part of the boundary acoustic wave device shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing a change in a manufacturing deviation ⁇ of a resonance frequency when a duty ratio of an interdigital electrode and a reflector of a boundary acoustic wave device is changed.
  • FIG. 4 is a diagram showing a change in a manufacturing deviation ⁇ of an anti-resonance frequency when a duty ratio of an interdigital electrode and a reflector of a boundary acoustic wave device is changed.
  • FIG. 5 is a schematic partial cutaway front sectional view for explaining a conventional boundary acoustic wave device.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
  • a rectangular plate-shaped LiNbO substrate 2 is used as the first medium layer.
  • the LiNbO substrate 2 uses a 15 ° rotating Y-plate X-propagation LiNbO substrate.
  • a rotating Y-plate X-propagating LiNbO substrate having another rotation angle may be used.
  • FIG. 1 the illustration of the SiO film is omitted, and the SiO film 3 and the L
  • the electrode structure arranged at the boundary with the 222 iNbO substrate 2 is shown. That is, LiNbO group
  • the interdigital electrode 4 has a plurality of mutually interleaved electrode fingers 4a and 4b.
  • the interdigital electrode 4 is weighted so that the crossing width changes in the direction of propagation of the surface acoustic wave as shown in the figure.
  • interdigital electrode 4 is weighted by the cross width as described above is to suppress the transverse mode spurious.
  • grating reflectors 5 and 5 are provided on both sides of the interdigital electrode 4 in the surface wave propagation direction.
  • the reflectors 5, 6 have a structure in which a plurality of electrode fingers 5a, 6a are short-circuited at both ends.
  • the duty ratio of the interdigital electrode 4 and the reflectors 5 and 6 is set to be larger than 0.33 and smaller than 0.49, the frequency variation at the time of manufacturing can be reduced. .
  • the interdigital electrode 4 and the reflectors 5 and 6 were formed by the following thin film forming method. That is, a 0.001 ⁇ thick NiCr film was formed on the LiNbO substrate 2 as a base layer by evaporation.
  • ⁇ indicates the arrangement of surface waves defined by the electrode finger period of the interdigital electrode 4.
  • An Au film having a thickness of 0.6 ⁇ was formed on the NiCr film by the same vapor deposition method. Thereafter, patterning was performed by a lift-off method, and interdigital electrodes 4 and reflectors 5 and 6 were formed.
  • the wavelength ⁇ of the interdigital electrode 4 was 3 ⁇ m.
  • the number of electrode fingers in the interdigital electrode 4 was 50 pairs, the number of electrode fingers in the reflector was 50, and the aperture length A in the reflector was 30 ⁇ .
  • the SiO film 3 is
  • a film was formed by the Ron sputtering method.
  • the temperature for film formation should be in the range of 200 ⁇ 50 ° C.
  • the thickness of the film was 1.5 ⁇ .
  • the SH type boundary acoustic wave is excited and confined between the reflectors 5 and 6, and the resonance characteristics of the SH type boundary acoustic wave are obtained. Can be.
  • boundary acoustic wave device 1 a plurality of types of boundary acoustic wave devices were manufactured by varying the duty ratio of the interdigital electrode 4.
  • a plurality of types of boundary acoustic wave devices prepared in this manner were taken out of each forty devices, and the frequency production deviation ⁇ of the resonance frequency and the antiresonance frequency was evaluated.
  • the deviation ⁇ is the standard deviation assuming that the frequency variation has a normal distribution.
  • FIG. 3 shows the relationship between the frequency production deviation of the resonance frequency and the duty ratio obtained as described above
  • FIG. 4 shows the relationship between the frequency production deviation of the anti-resonance frequency and the duty ratio.
  • the manufacturing deviation of the resonance frequency is ⁇ 2530 ppm, whereas the duty ratio is 0.49.
  • the manufacturing deviation ⁇ is smaller than 2330 ppm.
  • the production deviation ⁇ is further reduced to 2050 ppm or less.
  • the manufacturing deviation ⁇ of the anti-resonance frequency is 2580 ppm, whereas it is smaller than the duty ratio force SO.5 and larger than 0.31. It can be seen that the manufacturing deviation ⁇ of the anti-resonance frequency is smaller than 2410 ppm in the range. In addition, du It can be seen that when the tee ratio is smaller than 0.44 and larger than 0.33, the production deviation ⁇ of the anti-resonance frequency is further improved to 1970 ppm or less.
  • the boundary acoustic wave device 1 by making the duty ratio of the electrode larger than 0.33 and smaller than 0.49, the manufacturing deviation of the frequency can be effectively reduced, and the boundary acoustic wave device can be used. It can be seen that the non-defective rate of the device 1 can be greatly increased.
  • the manufacturing variation of the frequency at the lower end of the pass band is determined by the manufacturing deviation ⁇ of the resonance frequency of the boundary acoustic wave resonator.
  • the manufacturing deviation of the frequency at the upper end of the pass band is determined by the manufacturing deviation ⁇ of the antiresonant frequency. Therefore, when the boundary acoustic wave device 1 is used as a resonator for forming a ladder-type finoletor or the like, it is possible to effectively reduce the frequency variation of the filter.
  • the IDT electrode 4 and the reflector 5 are used.
  • the boundary acoustic wave device when the thickness of the SiO film is sufficiently large, the irregularities on the surface of the SiO film 3 are reduced. Also, even if such irregularities occur, the boundary acoustic wave Vibration energy is hardly distributed on the surface of the Si ⁇ film, and therefore is hardly affected by the irregularities.
  • the electrode material forming the interdigital electrodes and the reflectors 5 and 6 is configured by laminating an Au film on a base layer made of NiCr.
  • the electrode material is not limited to those mainly composed of Au, and metals and alloys such as Ag, Cu, Al, Fe, Ni, W, Ta, Pt, Mo, Cr, Ti, Zn ⁇ and ITO.
  • an oxide conductor may be used.
  • the material forming the first medium layer is not limited to the LiNbO substrate 2 but may be formed of another piezoelectric substrate such as a LiTaO substrate, a quartz substrate, and a langasite-based substrate. Further, the first medium layer may be made of glass or the like.
  • the second medium layer is not limited to the Si film, but may be another material such as an A1 film, a SiN film, or a polycrystalline Si film. It does not need to be formed into a thin film.
  • the boundary portion formed by the first and second medium layers is not particularly limited as long as the medium is filled in the interdigital electrode 4 and the space between the electrode fingers of the reflectors 5 and 6. It is not done.
  • the interdigital electrode 4 and the reflectors 5 and 6 are provided in the boundary acoustic wave device 1, but the number of interdigital electrodes and the number of reflectors are not particularly limited. That is, a longitudinally-coupled boundary acoustic wave filter in which a plurality of interdigital electrodes are arranged between a pair of reflectors may be configured. , May be arranged in parallel or in cascade.

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Abstract

　良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ周波数の製造偏差を低減し得る弾性境界波装置を提供する。 　第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ3基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ2膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．３３＜ｄ＜０．４９とされている、弾性境界波装置。

Description

明 細 書
弾性境界波装置
技術分野
[0001] 本発明は、音速の異なる第 1 ,第 2の媒質層間の境界を伝搬する弾性境界波を利 用した弾性境界波装置に関し、より詳細には、電極構造が改良された弾性境界波装 置に関する。
背景技術
[0002] レーリー波や第 1漏洩波などの弾性表面波を利用した弾性表面波装置では、小型 化及び軽量化を進めることができ、かつ調整が不要である。
[0003] 従って、弾性表面波装置は、携帯電話用 RFフィルタもしくは IFフィルタ、 VCO用共 振子またはテレビ用 VIFフィルタなどに広く用いられている。
[0004] もっとも、弾性表面波は、媒質表面を伝搬する性質を有するため、媒質の表面状態 の変化に敏感である。従って、弾性表面波が伝搬するチップでは、弾性表面波が伝 搬するチップ表面を保護しなければならない。そのため、弾性表面波チップのチップ 表面が空洞に臨むように、空洞が設けられたパッケージを用いて、弾性表面波装置 を気密封止する必要があった。このようなパッケージは一般にコストが高くつき、かつ パッケージの寸法が弾性表面波チップの寸法よりも大幅に大きくならざるを得なかつ た。
[0005] 上記のような空洞を有するパッケージを不要とするデバイスとして、弾性境界波装 置が提案されている。
[0006] 図 5は、従来の弾性境界波装置の一例を示す模式的部分切欠正面断面図である。
弾性境界波装置 101では、音速が異なる第 1 ,第 2の媒質層 102， 103が積層されて いる。第 1，第 2の媒質層 102, 103の境界 Aに、電気音響変換器としての IDT104 が配置されている。また IDT104の弾性境界波伝搬方向両側には、反射器（図示せ ず）が配置されている。
[0007] 弾性境界波装置 101では、 IDT104に入力信号を印加することにより、弾性境界波 が励振される。弾性境界波は、図 5の矢印 Bで模式的に示すように、弾性境界波装 置 101の境界 Aを伝搬する。
[0008] 下記の非特許文献 1には、このような弾性境界波装置の一例が示されてレ、る。ここ では、 126° 回転 Y板 X伝搬の LiTaO基板上に IDTが形成されており、さらに IDT を覆うように LiTaO基板上に Si〇膜が所定の厚みに形成されている。この構造では
、ストンリー波と称されている SV + P型の弾性境界波が伝搬することが示されている。 非特許文献 1では、 SiO膜の厚みを 1. Ο λ (但し、 λは弾性境界波の波長）とした場 合に、 2%の電気機械結合係数が得られるとされている。
[0009] 他方、下記の特許文献 1には、 126° 回転 Υ板 X伝搬の LiTaO基板上に A1からな る IDTを構成してなる構造を有する弾性境界波装置が開示されている。ここでは、ィ ンターデジタル電極の電極指の膜厚を H、電極指の幅を L、電極指間の間隔を Sとし た場合、 L = S = l x mとされてレ、る。そして、上記 IDT上に、第 2の媒質を構成する 多結晶酸化珪素膜が形成されている。ここでは、インターデジタル電極のデューティ 比 L/ (L + S)は 0. 5とされている。
特許文献 1： W098-52279号公報
非特午文献 1：「Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating Al ong the Interface Between Si〇2 and LiTa03j IEEE Trans . Sonics and ultrason. , VOL. SU—25, No. 6, 1978IEEE
発明の開示
[0010] 弾性境界波装置においても、弾性表面波装置と同様に、周波数ばらつきが小さい ことが強く求められている。し力、しながら、従来の弾性境界波装置では、この要求を十 分に満たすことはできず、良品率を高めることが困難であった。
[0011] 本発明の目的は、従来技術の現状に鑑み、良好な共振特性やフィルタ特性を有し
、かつ周波数ばらつきが小さい弾性境界波装置を提供することにある。
[0012] 本発明は、第 1の媒質層と、第 2の媒質層と、第 1，第 2の媒質層間の境界に配置さ れたインターデジタル電極及び/または反射器とを備えた弾性境界波装置において 、前記インターデジタル電極及び/または反射器のデューティ比を dとしたときに、 0 . 33 < d< 0. 49とされていることを特徴とする、弾性境界波装置である。
[0013] 本発明に係る弾性境界波装置のある特定の局面では、上記第 1の媒質層が LiNb oを主成分とする基板を用いて構成されている。
3
[0014] 本発明に係る弾性境界波装置の他の特定の局面では、上記第 2の媒質層が、 SiO
を主成分とする誘電体を用いて構成されてレ、る。
2
[0015] 本発明に係る弾性境界波装置では、インターデジタル電極及び Zまたは反射器の デューティ比 dが、 0. 33より大きく 0. 49未満とされている。そのため、後述の具体的 な実験例から明らかなように、製造に際しての周波数ばらつきの低減を図ることがで きる。
[0016] すなわち、本発明は、弾性境界波装置において、デューティ比を上記特定の範囲 としたことにより、製造に際しての周波数ばらつきの低減を果たしたことに特徴を有す る。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]図 1は本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置の電極構造を示す模式的 平面図である。
[図 2]図 2は図 1に示した弾性境界波装置の要部を示す表面断面図である。
[図 3]図 3は弾性境界波装置のインターデジタル電極及び反射器のデューティ比を変 化させた場合の共振周波数の製造偏差 σの変化を示す図である。
[図 4]図 4は弾性境界波装置のインターデジタル電極及び反射器のデューティ比を変 化させた場合の反共振周波数の製造偏差 σの変化を示す図である。
[図 5]図 5は従来の弾性境界波装置を説明するための模式的部分切欠正面断面図 である。
符号の説明
[0018] 1…弾性境界波装置
2- - -LiNbO基板 (第 1の媒質層）
3
3〜SiO膜 (第 2の媒質層）
2
4…インターデジタル電極
5, 6…反射器 1
発明を実施するための最良の形態
[0019] 以下、本発明の具体的な実施形態につき図面を参照しつつ説明することにより、本 発明を明らかにする。
[0020] 図 1は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置の電極構造を示す模式的断 面図である。
[0021] 弾性境界波装置 1では、第 1の媒質層として、矩形板状の LiNbO基板 2が用いら
3
れている。ここでは、 LiNbO基板 2は、 15° 回転 Y板 X伝搬の LiNbO基板を用い
3 3
て構成されている。もっとも、本発明においては、他の回転角の回転 Y板 X伝搬 LiNb O基板を用いてもよい。
3
[0022] LiNbO基板 2上には、図 2に模式的断面図で示すように、第 2の媒質層として、 Si
3
O膜 3が積層されている。なお、図 1では、 SiO膜の図示は省略されて、 SiO膜 3と L
2 2 2 iNbO基板 2との境界に配置された電極構造が示されている。すなわち、 LiNbO基
3 3 板 2上には、インターデジタル電極 4と、反射器 5, 6とが形成されている。インターデ ジタル電極 4は、複数本の互いに間揷し合う電極指 4a， 4bを有する。ここでは、イン ターデジタル電極 4は、交差幅が図示のように表面波伝搬方向において変化するよう に、交差幅重み付けされている。
[0023] なお、インターデジタル電極 4が上記のように交差幅重み付けされているのは、横 モードスプリアスを抑圧するためである。
[0024] また、インターデジタル電極 4の表面波伝搬方向両側に、グレーティング反射器 5,
6が配置されている。反射器 5, 6は、複数本の電極指 5a, 6aを両端で短絡した構造 を有する。
[0025] 本実施形態では、インターデジタル電極 4及び反射器 5, 6のデューティ比が、 0. 3 3より大きぐ 0. 49より小さくされているため、製造に際しての周波数ばらつきの低減 が図られる。これを具体的な実験例に基づき説明する。本発明でのデューティ比とは 、左右に隣接した電極指間のスペースの電極指中心間距離を P、電極指の幅をしと したときに、デューティ比 =L/Pで決定される値である。
[0026] インターデジタル電極 4及び反射器 5， 6を、以下の薄膜形成法により形成した。す なわち、 LiNbO基板 2上に、下地層として、蒸着法により厚さ 0. 001 λの NiCr膜を
3
形成した。なお、 λは、上記インターデジタル電極 4の電極指周期で規定される表面 波の配置を示す。 [0027] 上記 NiCr膜上に、同じく蒸着法により厚さ 0. 06 λの Au膜を形成した。しかる後、 リフトオフ法によりパターニングを行レ、インターデジタル電極 4及び反射器 5, 6を形成 した。
[0028] インターデジタル電極 4における波長 λは、 3 μ mとした。また、インターデジタル電 極 4における電極指の対数は 50対、反射器の電極指の本数は 50本、反射器におけ る開口長 Aは 30 λとした。
[0029] 上記インターデジタル電極 4及び反射器 5， 6を形成した後、 SiO膜 3を RFマグネト
2
ロンスパッタ法により成膜した。成膜に際しての温度は 200 ± 50°Cの範囲とし、 SiO
2 膜の厚みは 1. 5 λとした。
[0030] このようにして構成された弾性境界波装置 1では、 SH型の弾性境界波が励振され 、かつ反射器 5， 6間で閉じ込められ、 SH型の弾性境界波による共振特性を得ること ができる。
[0031] 上記弾性境界波装置 1において、インターデジタル電極 4におけるデューティ比を 種々異ならせ、複数種の弾性境界波装置を作製した。
[0032] このようにして用意された複数種の弾性境界波装置各 40個を取出し、共振周波数 及び反共振周波数の周波数製造偏差 σを評価した。偏差 σは、周波数ばらつきが 正規分布を有すると仮定した場合の標準偏差である。
[0033] 図 3は、上記のようにして求められた共振周波数の周波数製造偏差とデューティ比 との関係を示し、図 4は、反共振周波数の周波数製造偏差とデューティ比との関係を 示す。
[0034] 図 3から明らかなように、デューティ比が 0. 5では、すなわち、従来の弾性境界波装 置では、共振周波数の製造偏差 σ 2530ppmであったのに対し、デューティ比が 0. 49よりも小さく、 0. 33よりも大きい範囲では、製造偏差 σは 2330ppmよりも小さくな ること力 Sわ力る。さらに、デューティ比が 0. 44より小さぐ 0. 33より大きい範囲では、 2 050ppm以下と製造偏差 σがより一層小さくなることがわかる。
[0035] 他方、図 4からデューティ比が 0. 5の場合には、反共振周波数の製造偏差 σは、 2 580ppmであるのに対し、デューティ比力 SO. 5より小さく、 0. 31より大きレヽ範囲では、 反共振周波数の製造偏差 σは 2410ppmよりも小さくなることがわかる。さらに、デュ 一ティ比が 0. 44より小さぐ 0. 33より大きい場合には、反共振周波数の製造偏差 σ は 1970ppm以下とより一層良好となることがわかる。
[0036] 従って、弾性境界波装置 1において、電極のデューティ比を 0. 33より大きぐ 0. 49 より小さくすることにより、周波数の製造偏差を効果的に小さくすることができ、弾性境 界波装置 1の良品率を大幅に高め得ることがわかる。
[0037] なお、上記弾性境界波装置 1を共振子として用いたラダー型フィルタを構成した場 合、通過帯域下端の周波数の製造ばらつきは、弾性境界波共振子の共振周波数の 製造偏差 σにより決定され、通過帯域上端の周波数の製造偏差は、反共振周波数 の製造偏差 σにより決定される。従って、上記弾性境界波装置 1を、ラダー型フィノレ タなどを構成するための共振子として用いた場合、該フィルタの周波数ばらつきを効 果的に低減することができる。
[0038] なお、本発明において、デューティ比が小さくなると、周波数の製造偏差が小さくな る理由は、以下の通りであると考えられる。
[0039] LiNbO基板上に、境界波を励振または反射させるために、 IDT電極 4や反射器 5
, 6を配置し、その上に SiO膜を積層した構造について検討した。 IDT4や反射器 5
, 6は、前述した間隔 Pで表わされる区間を隣接させて連続配置させたグレーティング 構造を有する。このグレーティング構造は、電極指が存在する部分と存在しない部分 を有する。そして、 SiO膜 3を形成した場合、電極指間ギャップ Sが小さくなると、 SiO 膜 3のギャップへの充填状態が不安定となる。そのため、デューティ比が小さくなると
、 SiO膜の充填状態が安定となり、周波数の製造偏差が小さくなると考えられる。
[0040] もっとも、デューティ比が 0. 9付近の場合においても、周波数の製造偏差は小さく なっている。これは、逆に、 Si〇膜がギャップに充填されない状態で安定しているた め、周波数の製造偏差が小さくなつていると考えられる。
[0041] なお、弾性表面波では、 SiO膜力 電極を覆うように形成した場合、 Si〇膜の 厚みが薄いため、 SiO膜表面に凹凸が生じる。そして、表面波はこの凹凸の影響を 受ける。
[0042] し力、しながら、弾性境界波装置では、 SiO膜の厚みが十分に厚ぐ SiO膜 3の表面 の凹凸は小さくなる。また、もし、このような凹凸が生じていたとしても、弾性境界波の 振動エネルギーは、 Si〇膜表面にほとんど分布しないため、該凹凸による影響を受 け難い。
[0043] なお、上記実施形態では、インターデジタル電極及び反射器 5， 6を構成する電極 材料は、 NiCrからなる下地層上に、 Au膜を積層することにより構成されていた。しか しながら、電極材料は、 Auを主体とするものに限定されず、 Ag、 Cu、 Al、 Fe、 Ni、 W、 Ta、 Pt、 Mo、 Cr、 Ti、 Zn〇及び ITOなどの金属や合金、酸化物導体を用いても よレ、。また、上記 NiCrなどの密着層を下地層として形成する必要も必ずしもなレ、。す なわち、電極は単一の金属材料によってのみ構成されてレ、てもよレ、。
[0044] また、第 1の媒質層を構成する材料としても、 LiNbO基板 2に限定されず、 LiTaO 基板、水晶基板、ランガサイト系基板などの他の圧電基板により構成されてもよい。さ らに、第 1の媒質層は、硝子などにより構成されてもよい。
[0045] また、第 2の媒質層についても、 Si〇膜に限定されず、 A1膜、 SiN膜、多結晶 Si膜 などの他の材料であってもよぐさらに第 2の媒質層は必ずしも薄膜状とされる必要も ない。
[0046] また、第 1 ,第 2の媒質層で構成される境界部分は、インターデジタル電極 4や反射 器 5, 6の電極指間の間隔に媒質が充填される構造である限り、特に限定されるもの ではない。
[0047] さらに、上記実施形態では、弾性境界波装置 1において、インターデジタル電極 4と 反射器 5, 6とが設けられていたが、インターデジタル電極数や反射器の数は特に限 定されない。すなわち、複数のインターデジタル電極を、一対の反射器の間に配置し た縦結合型の弾性境界波フィルタが構成されていてもよぐまた、複数の弾性境界波 装置や弾性境界波フィルタが直列、並列あるいは縦続にされていてもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 第 1の媒質層と、第 2の媒質層と、第 1 ,第 2の媒質層間の境界に配置されたインタ 一デジタル電極及び/または反射器とを備えた弾性境界波装置において、 前記インターデジタル電極及び Zまたは反射器のデューティ比を dとしたときに、 0 . 33< d< 0. 49とされていることを特徴とする、弾性境界波装置。
[2] 前記第 1の媒質層が LiNbOを主成分とする基板からなる、請求項 1に記載の弾性 境界波装置。
[3] 前記第 2の媒質層が、 SiOを主成分とする誘電体からなる、請求項 1または 2に記 載の弾性境界波装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006319887A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波装置
WO2008038459A1 (fr) * 2006-09-25 2008-04-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filtre d'onde acoustique limite
US7471171B2 (en) * 2006-02-28 2008-12-30 Fujitsu Media Devices Limited Elastic boundary wave device, resonator, and filter
JP2009535869A (ja) * 2006-04-28 2009-10-01 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 電気音響部品
US7898145B2 (en) 2006-09-25 2011-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Boundary acoustic wave device
WO2012019904A1 (de) 2010-08-12 2012-02-16 Epcos Ag Mit akustischen wellen arbeitendes bauelement mit reduziertem temperaturgang der frequenzlage und verfahren zur herstellung
CN1989692B (zh) * 2005-05-20 2012-04-25 株式会社村田制作所 弹性边界波装置
JP2012175315A (ja) * 2011-02-21 2012-09-10 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置
US9394163B2 (en) 2010-04-14 2016-07-19 Epcos Ag Method for producing a dielectric layer on a component

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5643817A (en) * 1979-09-17 1981-04-22 Hitachi Ltd Surface elastic wave device
JPS5830216A (ja) * 1981-08-17 1983-02-22 Hitachi Ltd 弾性波装置
JPS5830217A (ja) * 1981-08-17 1983-02-22 Hitachi Ltd 弾性波装置
JPS5883420A (ja) * 1981-11-13 1983-05-19 Hitachi Ltd 弾性境界波装置
JPH05335879A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子
JPH08321743A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5643817A (en) * 1979-09-17 1981-04-22 Hitachi Ltd Surface elastic wave device
JPS5830216A (ja) * 1981-08-17 1983-02-22 Hitachi Ltd 弾性波装置
JPS5830217A (ja) * 1981-08-17 1983-02-22 Hitachi Ltd 弾性波装置
JPS5883420A (ja) * 1981-11-13 1983-05-19 Hitachi Ltd 弾性境界波装置
JPH05335879A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子
JPH08321743A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006319887A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波装置
CN1989692B (zh) * 2005-05-20 2012-04-25 株式会社村田制作所 弹性边界波装置
US7471171B2 (en) * 2006-02-28 2008-12-30 Fujitsu Media Devices Limited Elastic boundary wave device, resonator, and filter
JP2009535869A (ja) * 2006-04-28 2009-10-01 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 電気音響部品
EP2068443A4 (en) * 2006-09-25 2011-08-03 Murata Manufacturing Co ACOUSTIC WAVE FILTER LIMIT
JPWO2008038459A1 (ja) * 2006-09-25 2010-01-28 株式会社村田製作所 弾性境界波フィルタ装置
US7808344B2 (en) 2006-09-25 2010-10-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Boundary acoustic wave filter
US7898145B2 (en) 2006-09-25 2011-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Boundary acoustic wave device
EP2068443A1 (en) * 2006-09-25 2009-06-10 Murata Manufacturing Co. Ltd. Boundary acoustic wave filter
WO2008038459A1 (fr) * 2006-09-25 2008-04-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filtre d'onde acoustique limite
JP4947055B2 (ja) * 2006-09-25 2012-06-06 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
US9394163B2 (en) 2010-04-14 2016-07-19 Epcos Ag Method for producing a dielectric layer on a component
WO2012019904A1 (de) 2010-08-12 2012-02-16 Epcos Ag Mit akustischen wellen arbeitendes bauelement mit reduziertem temperaturgang der frequenzlage und verfahren zur herstellung
DE102010034121A1 (de) 2010-08-12 2012-02-16 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit reduziertem Temperaturgang der Frequenzlage und Verfahren zur Herstellung
US9160303B2 (en) 2010-08-12 2015-10-13 Epcos Ag Component working with acoustic waves having reduced temperature coefficient of frequencies and method for producing same
JP2012175315A (ja) * 2011-02-21 2012-09-10 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置

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