DE102018113624A1 - Elektroakustischer Resonator und HF-Filter, das einen elektroakustischen Resonator umfasst - Google Patents

Elektroakustischer Resonator und HF-Filter, das einen elektroakustischen Resonator umfasst Download PDF

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Abstract

Ein elektroakustischer Resonator, der ein HF-Filter mit einer großen Bandbreite ermöglicht, ist bereitgestellt. Der Resonator umfasst ein piezoelektrisches Material und eine Elektrodenstruktur auf dem piezoelektrischen Material. Das piezoelektrische Material ist Lithiumniobat und weist einen Kristallschnitt auf, der durch die Eulerwinkel (0°, 80° bis 88°, 0°) definiert ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft elektroakustische Resonatoren, die HF-Filter mit einer geringen Einfügedämpfung und mit einer relativ großen Bandbreite ermöglichen. Solche Filter können in Mobilkommunikationssystemen verwendet werden.
  • HF-Filter, z. B. in Mobilkommunikationssystemen, werden benötigt, um gewollte HF-Signale von nicht gewollten HF-Signalen zu separieren. Bandpassfilter sollten eine geringe Einfügedämpfung innerhalb eines Durchlassbandes und eine hohe Einfügedämpfung außerhalb des Durchlassbandes aufweisen. Ferner sollten charakteristische Frequenzen von HF-Filtern, z. B. eine Mittelfrequenz eines Durchlassbandes, temperaturunabhängig sein. Ferner sollte insbesondere zur Verwendung in modernen HF-Frequenzbändern die erhaltbare Bandbreite des entsprechenden HF-Filters groß sein.
  • Lithiumniobat (LiNbO3) ist ein bekanntes Material für elektroakustische Resonatoren. Ferner ist es bekannt, ein Lithiumniobat(LN)-128-rot-Y-Schnitt-Wafer zu verwenden, um elektroakustische Resonatoren für HF-Bandpassfilter einzurichten.
  • Jedoch können bekannte Lithiumniobat-basierte elektroakustische Resonatoren HF-Filter einrichten, die die Anwendung von externen (d. h. Off-Chip-) Spulen oder Induktivitäten erfordern, um eine ausreichende Bandbreite für moderne HF-Anwendungen bereitzustellen. Benötigte externe Spulen oder Induktivitäten erhöhen die Einfügedämpfung des entsprechenden HF-Filters aufgrund begrenzter Gütefaktoren der entsprechenden induktiven Komponenten. Ferner erhöht der Bedarf an externen Spulen oder Induktivitäten Herstellungskosten und räumliche Abmessungen entsprechender Filterkomponenten.
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen elektroakustischen Resonator bereitzustellen, der verwendet werden kann, um HF-Filter einzurichten, die eine gute Temperaturkompensation, d. h. eine reduzierte Temperaturabhängigkeit von charakteristischen Frequenzen, eine große Bandbreite, eine geringe Einfügedämpfung aufweisen und die günstig herzustellen sind. Ferner sollten elektroakustische Resonatoren unter Verwendung einfach handhabbarer Herstellungsschritte herstellbar sein. Ferner sollte der elektroakustische Resonator externe Anpassungseinheiten, z. B. Spulen oder Induktivitäten, für entsprechende HF-Filter redundant machen.
  • Zu diesem Zweck sind ein elektroakustischer Resonator und ein entsprechendes HF-Filter gemäß den unabhängigen Ansprüchen bereitgestellt. Abhängige Ansprüche stellen bevorzugte Ausführungsformen bereit.
  • Der elektroakustische Resonator umfasst ein piezoelektrisches Material mit einer Elektrodenstruktur auf dem piezoelektrischen Material. Eine akustische Hauptmode mit der akustischen Wellenlänge λ kann in dem Resonator propagieren. Das piezoelektrische Material ist Lithiumniobat oder dotiertes Lithiumniobit und weist einen Kristallschnitt auf, der durch die Eulerwinkel (0°, 80° bis 88°, 0°) = (λ' = 0°, 80° ≤ u ≤ 88°, θ = 0°) definiert ist. Bevorzugt sind Eulerwinkel (0°, 80° bis 83°, 0°).
  • Die Elektrodenstruktur in Kombination mit dem piezoelektrischen Material wird - aufgrund des piezoelektrischen Effekts - verwendet, um zwischen HF-Signalen, die an die Elektrodenstruktur angelegt werden, und akustischen Wellen, die in einer entsprechenden Resonanzstruktur des Resonators propagieren, zu wandeln.
  • Die akustische Hauptmode ist die gewünschte Arbeitsmode des Resonators.
  • Die Elektrodenstruktur kann Elektrodenfinger, die elektrisch mit einer von zwei Sammelschienen verbunden sind, und reflektierende Elemente, die an distalen Enden der entsprechenden akustischen Spur angeordnet sind, um akustische Energie in dem aktiven Bereich des Resonators einzugrenzen, umfassen.
  • Die Orientierung einer internen kristallografischen Struktur des piezoelektrischen Materials hinsichtlich der Propagationsrichtung der akustischen Hauptmode der Ebene, in der die Elektrodenstruktur auf dem piezoelektrischen Material angeordnet ist, ist durch die Eulerwinkel definiert.
  • In diesem Fall sind die Eulerwinkel (λ', µ, θ) wie folgt definiert: zuerst wird ein Satz von Achsen X, Y, Z als eine Basis genommen, welche die kristallografischen Achsen des piezoelektrischen Materials sind.
  • Der erste Winkel λ' spezifiziert, um welchen Betrag die X-Achse und die Y-Achse um die Z-Achse gedreht werden, wobei die X-Achse in der Richtung der Y-Achse gedreht wird. Ein neuer Satz von Achsen X', Y', Z' entsteht entsprechend, wobei Z = Z' gilt.
  • Bei einer weiteren Drehung werden die Z'-Achse und Y'-Achse um die X'-Achse um einen Winkel µ gedreht. In diesem Fall wird die Y'-Achse in der Richtung der Z'-Achse gedreht. Ein neuer Satz von Achsen X'', Y'', Z'' entsteht entsprechend, wobei X' = X'' gilt.
  • Bei einer dritten Drehung werden die X"-Achse und die Y"-Achse um die Z"-Achse um den Winkel θ gedreht. In diesem Fall wird die X''-Achse in der Richtung der Y''-Achse gedreht. Ein dritter Satz von Achsen X''', Y''', Z''' entsteht, wobei Z'' = Z''' gilt.
  • In diesem Fall sind die X'''-Achse und die Y'''-Achse parallel zu der Oberfläche des Substrats. Die Z'''-Achse ist die Normale zu der Oberfläche des Substrats. Die X'''-Achse spezifiziert die Propagationsrichtung der akustischen Wellen.
  • Die Definition entspricht dem internationalen Standard IEC 62276, 2005-05, Anhang A1.
  • Dementsprechend ist ein bevorzugter erster Eulerwinkel λ' 0°. Ein bevorzugter zweiter Eulerwinkel µ ist 80° oder größer und 88° oder kleiner. Bevorzugter ist der zweite Eulerwinkel 83° oder weniger. Ferner ist ein bevorzugter dritter Eulerwinkel θ 0°. Jedoch können die Toleranzen dieser numerischen Werte in einem Bereich von 5° bis 10° liegen. Dementsprechend ist es möglich, dass die Eulerwinkel (-5° bis 5°, 75° bis 93°, -5° bis 5°) oder (-10° bis 10°, 70° bis 98°, -10° bis 10°) sind.
  • Ein solcher elektroakustischer Resonator ermöglicht einen hohen intrinsischen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten κ2, der die erhaltbare Bandbreite bestimmt. Dementsprechend kann eine Zunahme an Bandbreite erhalten werden, indem der elektroakustische Resonator, wie oben beschrieben, verwendet wird. Dies ermöglicht es, externe Anpassungseinheiten, wie etwa Spulen oder Induktivitäten, wegzulassen. Das Ergebnis davon besteht darin, dass entsprechende HF-Filter mit kleineren räumlichen Abmessungen, mit reduzierten Herstellungskosten und mit weniger komplexen Herstellungsschritten hergestellt werden können. Ferner kann die Einfügedämpfung reduziert werden, was zu einer verbesserten Batterielebensdauer von Mobilkommunikationsvorrichtungen führt.
  • Es ist möglich, dass der Resonator ferner eine TCF-Schicht (TCF: Temperature Coefficients of Frequencies - Frequenztemperaturkoeffizienten) umfasst, die auf oder oberhalb der Elektrodenstruktur und dem/des piezoelektrischen Material(s) angeordnet ist.
  • Charakteristische Frequenzen, wie etwa Mittelfrequenzen von Durchlassbändern, hängen von den geometrischen Abmessungen der Elektrodenstruktur, insbesondere von dem Abstand zwischen Anregungszentren, die durch die Positionen von Elektrodenfingern entgegengesetzter Polarität definiert werden, ab. Ferner hängen die charakteristischen Frequenzen auch von Materialparametern, wie etwa dem Elastizitätsmodul und der Geschwindigkeit entsprechender akustischer Wellen, ab. Die geometrischen Abmessungen und die Materialparameter sind temperaturabhängig.
  • Temperaturänderungen, z. B. während eines Betriebs der entsprechenden Mobilkommunikationsvorrichtung, würden dementsprechend zu einer Frequenzverschiebung der charakteristischen Frequenzen führen. Infolgedessen könnten Spezifikationen hinsichtlich einer Einfügedämpfung entsprechender Frequenzbänder nicht eingehalten werden. Dementsprechend ist eine Frequenzverschiebung von charakteristischen Frequenzen nicht gewollt. Um die nachteiligen Effekte von sich ändernden Temperaturen zu beseitigen oder wenigstens zu reduzieren, weist die TCF-Schicht temperaturabhängige Eigenschaften auf, sodass Frequenzverschiebungen kompensiert werden. Das Material der TCF-Schicht ist dort, wo die Elektrodenstruktur auf dem piezoelektrischen Material vorliegt, auf der Elektrodenstruktur angeordnet. Bei Positionen, wo keine Elektrodenstrukturen auf dem oder oberhalb des piezoelektrischen Materials angeordnet sind, kann das Material der TCF-Schicht direkt auf dem piezoelektrischen Material, z. B. zwischen angrenzenden Elektrodenfingern, angeordnet sein.
  • Es ist möglich, dass die TCF-Schicht Siliciumoxid, z. B. Siliciumdioxid, oder ein alternatives Material, wie etwa Fluorsilicatglas, z. B. SiOF, umfasst.
  • Es ist auch möglich, dass die TCF-Schicht aus einem dieser Materialien besteht.
  • Es ist möglich, dass die TCF-Schicht eine Dicke von 20 % bis 40 % in Einheiten von λ aufweist. Dementsprechend ist die Dicke der TCF-Schicht 20 % A oder größer und 40 % A oder kleiner. In dieser Hinsicht ist die Dicke der TCF-Schicht als der Abstand zwischen der Unterseite der Elektrodenstruktur und der oberen Oberfläche der TCF-Schicht definiert. In Bereichen oberhalb der Elektrodenfinger kann die lokale Dicke kleiner sein.
  • Es ist ferner möglich, dass der Resonator eine Passivierungsschicht aufweist. Die Passivierungsschicht ist auf oder oberhalb der TCF-Schicht angeordnet.
  • Falls der elektroakustische Resonator eine TCF-Schicht aufweist, ist es dann möglich, dass die Passivierungsschicht auf der TCF-Schicht angeordnet ist. Falls keine TCF-Schicht vorhanden ist, kann die Passivierungsschicht direkt auf der Elektrodenstruktur bzw. dem piezoelektrischen Material angeordnet sein.
  • Die Passivierungsschicht wirkt als eine Barriere für ungewollte externe Einflüsse auf die Elektrodenstruktur, das piezoelektrische Material und die TCF-Schicht, falls vorhanden. Insbesondere kann die Passivierungsschicht verhindern, dass Wasser in das Material der TCF-Schicht eintritt, oder eine Korrosion der Elektrodenstruktur verhindern.
  • Es ist möglich, dass die TCF-Schicht Siliciumoxid (SiO2) oder dotiertes SiO2 umfasst oder daraus besteht.
  • Es ist möglich, dass die Passivierungsschicht eine Dicke von 1 % bis 4 % λ aufweist. Dementsprechend kann die Dicke der Passivierungsschicht 1 % A oder größer und 4 % A oder kleiner sein.
  • Es ist möglich, dass die Passivierungsschicht SiN umfasst.
  • Es ist möglich, dass die Elektrodenstruktur ein Material mit einer relativ großen spezifischen Dichte umfasst. Insbesondere ist es möglich, dass die Elektrodenstruktur ein Metall umfasst, das aus Gold (Au), Kupfer (Cu), Platin (Pt) und Wolfram (W) ausgewählt ist. Ferner kann die Elektrodenstruktur geschichtet sein, einschließlich einer Haftschicht und/oder einer Barriereschicht, die z. B. Cr oder Ti umfasst.
  • Das Materialsystem, das die oben bereitgestellte Orientierung des piezoelektrischen Materials und ein „schweres“ Elektrodenmaterial umfasst, stellt einen Wellenleiter bereit, in dem akustische Wellen propagieren können, sodass gute elektroakustische Eigenschaften des Resonators und des entsprechenden HF-Filters erhalten werden.
  • Es ist möglich, dass die Elektrodenstruktur eine Dicke von 6 % A bis 15 % λ aufweist. Dementsprechend weist die Elektrodenstruktur eine Dicke von 6 % A oder mehr und 15 % A oder weniger auf.
  • In dieser Hinsicht ist die Dicke der Elektrodenstruktur als der Abstand zwischen der Unterseite der Elektrodenstruktur, die zu dem piezoelektrischen Material hin gewandt ist, und der gegenüberliegenden Oberseite der Elektrodenstruktur definiert.
  • Es ist möglich, dass die Elektrodenstruktur ein Schichtsystem aufweist, das aus einer, zwei, drei oder mehr Metallschichten besteht. Jede Teilschicht kann ein unterschiedliches Material umfassen oder daraus bestehen. Jedoch wird es bevorzugt, dass der Hauptbestandteil der Elektrodenstruktur ein „schweres“ Metall ist.
  • Im Gegensatz zu herkömmlichen Elektrodenstrukturen, bei denen die Materialien der Elektrodenstrukturen gemäß ihren elektrischen Eigenschaften ausgewählt werden, insbesondere gemäß einer hohen Leitfähigkeit, ist die Auswahl des Materials der Elektrodenstruktur derart, dass es eine hohe spezifische Dichte aufweist, neu und kontraintuitiv.
  • Jedoch kann das Gesamtsystem des Resonators trotz eines möglicherweise erhöhten spezifischen Widerstands der Elektrodenstruktur HF-Filter mit reduzierter Einfügedämpfung aufgrund der oben beschriebenen Gründe bereitstellen.
  • Es ist möglich, dass die Hauptmode eine Schermode oder eine scherartige Mode ist. Die Hauptmode ist die akustische Mode, die im Wesentlichen zu der Umwandlung zwischen HF-Signalen und akustischen Wellen beiträgt. Ferner ist es möglich, dass andere Modentypen, z. B. eine Rayleigh-Mode, im Wesentlichen unterdrückt werden. Die Frequenz der zu unterdrückenden Rayleigh-Mode-Resonanz kann sich auch innerhalb von 2 % oberhalb der Hauptmodenresonanzfrequenz befinden. Die Frequenz der zu unterdrückenden Rayleigh-Mode-Resonanz kann sich auch innerhalb von 2 % unterhalb der Hauptmodenresonanzfrequenz befinden.
  • Es ist möglich, dass der Resonator ein SAW-Resonator (SAW: Surface Acoustic Wave - akustische Oberflächenwelle) oder ein GBAW-Resonator (GBAW: Guided Bulk Acoustiv Wave - geleitete akustische Volumenwelle) ist.
  • In einem SAW-Resonator propagiert die akustische Welle hauptsächlich bei der oberen Oberfläche des piezoelektrischen Materials.
  • Bei einem GBAW-Resonator propagiert die akustische Hauptmode hauptsächlich bei einer Grenzfläche zwischen dem piezoelektrischen Material und einem Wellenleitersystem, das oberhalb des oder auf dem piezoelektrischen Material angeordnet ist.
  • Es ist möglich, dass der Resonator, wie oben beschrieben, verwendet wird, um ein HF-Filter einzurichten. Dementsprechend umfasst ein entsprechendes HF-Filter einen oder mehrere Resonatoren, wie oben beschrieben.
  • Das HF-Filter kann seine Resonatoren in einer abzweigtypartigen Schaltkreistopologie aufweisen. Bei einer abzweigtypartigen Schaltkreistopologie sind Reihenresonatoren in einem Signalpfad zwischen einem ersten Teil und einem zweiten Teil elektrisch in Reihe verbunden. Parallelresonatoren sind elektrisch in den entsprechenden parallelen Shunt-Pfaden, die den Signalpfad elektrisch mit Masse verbinden, elektrisch verbunden.
  • Durch Nutzung einer solchen abzweigtypartigen Topologie können Bandpassfilter oder Bandsperrfilter eingerichtet werden.
  • Ein solcher HF-Bandpassfilter kann ein Empfangsfilter oder ein Transmissionsfilter in einer Mobilkommunikationsvorrichtung sein, z. B. in einem Frontend-Schaltkreis einer Mobilkommunikationsvorrichtung. Außerdem ist es möglich, dass das Filter ein Empfangsfilter oder ein Transmissionsfilter eines Duplexers einer Mobilkommunikationsvorrichtung oder ein Filter eines Multiplexers einer höheren Ordnung einer Mobilkommunikationsvorrichtung ist.
  • Es ist möglich, dass das Filter ein Bandpassfilter für das Band 71 oder das Band 28, 71, 41, 42 oder 43 oder ähnliche Anwendungen ist, die große Bandbreiten erfordern, die durch die oben beschriebenen Resonatoren bereitgestellt werden können.
  • Es ist möglich, dass das Filter ein Bandpassfilter für das Band 71 oder das Band 3, 8, 20 oder 26 ist.
  • Es ist möglich, dass das Filter ein Bandpassfilter für das Band 71 oder das Band 40, 48, 66 oder 68 ist.
  • Mit Bezug auf die bereitgestellten Bandzahlen wird auf die Standarddefinition der Bänder verwiesen, die zu der Zeit der Einreichung der vorliegenden Anmeldung gültig ist.
  • Charakteristische Hauptmodenbestimmungsparameter weisen eine starke Abhängigkeit von dem Schnittwinkel des piezoelektrischen Materials auf. Dementsprechend ist das Auswählen angemessener Schnittwinkel wesentlich für das Erhalten guter elektroakustischer Eigenschaften. Mit den oben definierten Eulerwinkeln werden Schnittwinkel bereitgestellt, die verbesserte elektroakustische Eigenschaften ermöglichen, die verbesserte HF-Filter mit verbesserten elektrischen Eigenschaften ermöglichen.
  • Zentrale Aspekte des vorliegenden Resonators und Einzelheiten bevorzugter Ausführungsformen sind in den begleitenden schematischen Figuren gezeigt.
  • In den Figuren gilt:
    • 1 zeigt eine grundlegende Konstruktion von Elektrodenstrukturen auf einem piezoelektrischen Material;
    • 2 zeigt ein piezoelektrisches Material, das auf einem Trägersubstrat angeordnet ist;
    • 3 zeigt die Verwendung einer TCF-Schicht;
    • 4 zeigt die Verwendung einer Passivierungsschicht;
    • 5 zeigt eine Elektrodenstruktur, die verschiedene Teilschichten umfasst;
    • 6 zeigt die Bedeutung der Eulerwinkel λ', µ, θ; und
    • 7 zeigt eine abzweigtypartige Schaltkreistopologie.
  • 1 zeigt ein piezoelektrisches Material PM, auf dem eine Elektrodenstruktur ES angeordnet ist. Das piezoelektrische Material PM in Kombination mit der Elektrodenstruktur ES richtet die wesentlichen Elemente eines elektroakustischen Resonators EAR ein, der mit akustischen Oberflächenwellen arbeitet. Die Elektrodenstruktur umfasst Elektrodenfinger EF, die auf dem piezoelektrischen Material PM angeordnet sind. Die Elektrodenfinger EF erstrecken sich in einer Richtung orthogonal zu der Propagationsrichtung der akustischen Hauptoberflächenmode. Dementsprechend zeigt 1 einen Querschnitt durch die entsprechenden Teile der elektroakustische Resonatoren EAR.
  • An den distalen Enden der akustischen Spur begrenzen Reflektorstrukturen REF, z. B. bereitgestellt als metallisierte Finger, die auf dem piezoelektrischen Material PM angeordnet sind, akustische Energie auf den aktiven Bereich des Resonators.
  • In 1 ist die Propagationsrichtung der akustischen Hauptmode in einer Horizontalrichtung von links nach rechts. Die Elektrodenfinger EF erstrecken sich in einer Richtung senkrecht zu der Ebene, die durch die Querschnittsansicht aus 1 bereitgestellt wird.
  • Es ist möglich, dass das piezoelektrische Material als ein monokristallines Material bereitgestellt ist.
  • 2 veranschaulicht die Möglichkeit des Anordnens des piezoelektrischen Materials PM auf einem Trägersubstrat CS.
  • 3 zeigt die Möglichkeit des Anordnens von Material einer Temperaturkompensationsschicht TCFL auf dem oder oberhalb des piezoelektrischen Materials PM und der Elektrodenstruktur ES. Die Dicke der TCF-Schicht ist als der Abstand zwischen der Oberseite der Elektrodenstruktur ES und der Oberseite des Materials der TCF-Schicht TCFL definiert, obwohl auch Material der TCF-Schicht TCFL zwischen Elektrodenfingern der Elektrodenstruktur ES angeordnet sein kann.
  • 4 veranschaulicht die Möglichkeit des Vorhandenseins einer Passivierungsschicht PL zum Schutz der Elemente des Resonators, die unterhalb der Passivierungsschicht PL angeordnet sind. Bei der in 4 gezeigten Schichtkonstruktion ist die Passivierungsschicht PL auf dem Material der TCF-Schicht TCFL angeordnet. Das Material der TCF-Schicht kann Siliciumoxid, z. B. Siliciumdioxid, umfassen und die Passivierungsschicht schützt das Material der TCF-Schicht davor, von seiner Umgebung kontaminiert zu werden. Insbesondere schützt die Passivierungsschicht PL das Material der TCF-Schicht davor, in Kontakt mit Wasser zukommen, das in der umgebenden Luft der Atmosphäre enthalten ist.
  • 5 veranschaulicht die Möglichkeit, dass die Elektrodenstruktur oder die Elektrodenfinger eine Schichtkonstruktion aufweisen. Dementsprechend können die Elektrodenstrukturen und Elektrodenfinger ein Teilschichtsystem umfassen, das zwei der mehr Teilschichten umfasst. Insbesondere ist es möglich, dass eine Haftschicht L1 zwischen dem piezoelektrischen Material PM und anderen Komponenten der Elektrodenstruktur ES angeordnet ist. Die Haftung L1 verbessert eine mechanische Verbindung der Elektrodenstruktur mit dem piezoelektrischen Material.
  • Es ist möglich, dass die Haftschicht L1 Titan umfasst oder daraus besteht.
  • Andere Teilschichten L2, die oberhalb der Haftschicht L1 angeordnet sind, umfassen im Wesentlichen die „schweren“ Metalle zum Bereitstellen des bevorzugten Wellenleiters.
  • 6 veranschaulicht die Bedeutung der Eulerwinkel λ', µ, θ und ihre Effekte auf die entsprechend gedrehten Achsen.
  • 7 veranschaulicht die Verwendung von abzweigtypartigen Topologien zum Einrichten von Filtern, z. B. für einen Duplexer DU. In einem Signalpfad sind Reihenresonatoren SR zwischen zwei Ports in Reihe verbunden. Parallelresonatoren PR sind in Shunt-Pfaden zwischen dem Signalpfad und Masse angeordnet. In solchen abzweigtypartigen Topologien können Transmissionsfilter TXF und Empfangsfilter RXF bereitgestellt werden. Ein Duplexer DU umfasst ein Transmissionsfilter TXF und ein Empfangsfilter RXF, die mit einem gemeinsamen Port verbunden sind, bei dem eine Antenne AN verbunden werden kann.
  • Der elektroakustische Resonator und das entsprechende HF-Filter sind nicht auf die oben genannten Merkmale und die in den Figuren gezeigten Ausführungsformen begrenzt. Ein Resonator kann weitere Elemente und Schichten, z. B. weitere funktionale Schichten oder Barriereschichten, z. B. zum Einrichten eines akustischen Wellenleiters, umfassen. Ein HF Filter kann weitere elektroakustische Resonatoren umfassen.
  • Bezugszeichenliste
    • AN:
    Antenne
    CS:
    Trägersubstrat
    EAR:
    Elektroakustischer Resonator
    EF:
    Elektrodenfinger
    ES:
    Elektrodenstruktur
    L1, L2:
    Teilschicht der Elektrodenstruktur
    PL:
    Passivierungsschicht
    PM:
    Piezoelektrisches Material
    PR:
    Parallelresonator
    REF:
    Reflektorstruktur
    RXF:
    Empfangsfilter
    SR:
    Serienresonator
    TCFL:
    Temperaturkompensationsschicht, TCF Schicht
    TXF:
    Sendefilter
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • IEC 62276, 2005-05, Anhang A1 [0017]

Claims (16)

  1. Elektroakustischer Resonator, umfassend: - ein piezoelektrisches Material und - eine Elektrodenstruktur auf dem piezoelektrischen Material, wobei - eine akustische Hauptmode mit der Wellenlänge λ propagieren kann, - das piezoelektrische Material Lithiumniobat oder dotiertes Lithiumniobat ist und - einen Kristallschnitt aufweist, der durch die Eulerwinkel (0°, 80° bis 88°, 0°) definiert ist.
  2. Resonator nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das piezoelektrische Material einen Kristallschnitt aufweist, der durch die Eulerwinkel (0°, 80° bis 83°, 0°) definiert ist.
  3. Resonator nach einem der zwei vorhergehenden Ansprüche, der ferner eine TCF-Schicht umfasst, die auf oder oberhalb der Elektrodenstruktur und dem/des piezoelektrischen Material(s) angeordnet ist.
  4. Resonator nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die TCF-Schicht SiO2 oder SiOF umfasst.
  5. Resonator nach einem der zwei vorhergehenden Ansprüche, wobei die TCF-Schicht eine Dicke von 20 % bis 40 % A aufweist.
  6. Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der ferner eine Passivierungsschicht umfasst, die auf oder oberhalb der TCF-Schicht angeordnet ist.
  7. Resonator nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Passivierungsschicht SiN umfasst.
  8. Resonator nach einem der zwei vorhergehenden Ansprüche, wobei die Passivierungsschicht eine Dicke von 1 % bis 4 % λ aufweist.
  9. Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Elektrodenstruktur ein Metall umfasst, das aus Au, Cu, Pt und W ausgewählt ist.
  10. Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Elektrodenstruktur eine Dicke von 6 % bis 15 % A aufweist.
  11. Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Hauptmode eine Schermode oder eine scherartige Mode ist.
  12. Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der ein SAW-Resonator oder ein GBAW-Resonator ist.
  13. HF-Filter, das einen Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfasst.
  14. Filter nach Anspruch 13, das ein Bandpassfilter für das Band 28, 71, 41, 42 oder 43 ist.
  15. Filter nach Anspruch 13, das ein Bandpassfilter für das Band 3, 8, 20 oder 26 ist.
  16. Filter nach Anspruch 13, das ein Bandpassfilter für das Band 40, 48, 66 oder 68 ist.
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