JP2001036378A - 弾性波装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低損失で広帯域な弾性波装置を得る。
【解決手段】 ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわり
に、結晶Ｙ軸より５５°から５７°の範囲で回転させた
面を基板の表面とし、すだれ状電極のデューティ比（電
極指幅ｗ／電極指の配列周期ｐ）を０．４以上、１．０
未満にする。
に、結晶Ｙ軸より５５°から５７°の範囲で回転させた
面を基板の表面とし、すだれ状電極のデューティ比（電
極指幅ｗ／電極指の配列周期ｐ）を０．４以上、１．０
未満にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、通信機器や電子
機器等の回路で使用され、弾性波を伝搬する弾性波装置
に関するものである。
機器等の回路で使用され、弾性波を伝搬する弾性波装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、特開平９−１６７９３６号公
報（文献１）に示されている従来のニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ３，以下ＬＮ）を用いた従来の弾性波装置
の特性を示す例である。図において、縦軸は弾性表面波
（以下、ＳＡＷ；ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃ Ｗ
ａｖｅ）の伝搬損失であり、ＳＡＷの伝搬距離の１波長
（λ）あたりの伝搬損失を、デシベル（ｄＢ）で表して
いる。横軸は波長λで規格化した規格化電極厚（ｈ／
λ）である。ここで、ｈは電極の厚みである。
報（文献１）に示されている従来のニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ３，以下ＬＮ）を用いた従来の弾性波装置
の特性を示す例である。図において、縦軸は弾性表面波
（以下、ＳＡＷ；ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃ Ｗ
ａｖｅ）の伝搬損失であり、ＳＡＷの伝搬距離の１波長
（λ）あたりの伝搬損失を、デシベル（ｄＢ）で表して
いる。横軸は波長λで規格化した規格化電極厚（ｈ／
λ）である。ここで、ｈは電極の厚みである。
【０００３】図１３に示した特性は、上記ＬＮの結晶Ｘ
軸をＳＡＷの伝搬方向とし、結晶Ｘ軸のまわりに結晶Ｙ
軸をθ回転した“θ回転Ｙ”軸に垂直な面を基板表面と
した場合の特性であり、θが６２°から７４°の範囲で
回転させた場合について示している。
軸をＳＡＷの伝搬方向とし、結晶Ｘ軸のまわりに結晶Ｙ
軸をθ回転した“θ回転Ｙ”軸に垂直な面を基板表面と
した場合の特性であり、θが６２°から７４°の範囲で
回転させた場合について示している。
【０００４】図１４は弾性波装置の断面を示す図であ
り、図において、１はＬＮ基板、２はＬＮ基板１上のア
ルミニウム（Ａｌ）等の電極である。図１４に示すよう
に、図１３は、“θ回転Ｙ”軸に垂直な面をＬＮ基板１
の表面とし、さらに、厚みｈの電極材料２で全面を被わ
れた場合の特性を示している。多くの場合、電極２はア
ルミニウム（Ａｌ）である。このように、“θ回転Ｙ”
軸に垂直な面をＬＮ基板１の表面とし、結晶Ｘ軸をＳＡ
Ｗの伝搬方向とするＬＮ基板１を、θ回転Ｙ−カットＸ
−伝搬ニオブ酸リチウムと表し、省略して、θＹＸ−Ｌ
ＮやθＹＸ−ＬｉＮｂＯ３と表す。
り、図において、１はＬＮ基板、２はＬＮ基板１上のア
ルミニウム（Ａｌ）等の電極である。図１４に示すよう
に、図１３は、“θ回転Ｙ”軸に垂直な面をＬＮ基板１
の表面とし、さらに、厚みｈの電極材料２で全面を被わ
れた場合の特性を示している。多くの場合、電極２はア
ルミニウム（Ａｌ）である。このように、“θ回転Ｙ”
軸に垂直な面をＬＮ基板１の表面とし、結晶Ｘ軸をＳＡ
Ｗの伝搬方向とするＬＮ基板１を、θ回転Ｙ−カットＸ
−伝搬ニオブ酸リチウムと表し、省略して、θＹＸ−Ｌ
ＮやθＹＸ−ＬｉＮｂＯ３と表す。
【０００５】図１３に示した特性からわかるように、例
えば、カット角θが６２°のときは、規格化電極厚（ｈ
／λ）が０．０３付近で伝搬損失が最小となる。また、
カット角θが７４°のときは、規格化電極厚（ｈ／λ）
が０．１付近で伝搬損失が最小となる。このため、規格
化電極厚（ｈ／λ）が０．０５より大きい領域でＳＡＷ
デバイスを実現する場合、伝搬損失を最小とするカット
角θは６６°より大きい範囲に存在することがわかる。
このように、適切な規格化電極厚（ｈ／λ）とカット角
θの組み合わせを選択することにより、伝搬損失を最小
とすることができ、ＳＡＷデバイスの挿入損失を低減で
きる。
えば、カット角θが６２°のときは、規格化電極厚（ｈ
／λ）が０．０３付近で伝搬損失が最小となる。また、
カット角θが７４°のときは、規格化電極厚（ｈ／λ）
が０．１付近で伝搬損失が最小となる。このため、規格
化電極厚（ｈ／λ）が０．０５より大きい領域でＳＡＷ
デバイスを実現する場合、伝搬損失を最小とするカット
角θは６６°より大きい範囲に存在することがわかる。
このように、適切な規格化電極厚（ｈ／λ）とカット角
θの組み合わせを選択することにより、伝搬損失を最小
とすることができ、ＳＡＷデバイスの挿入損失を低減で
きる。
【０００６】なお、弾性波には、このＳＡＷの他に数通
りの種類が存在し、図１３に示したカット角θが６２°
から７４°の付近で、伝搬方向をＸ軸とした場合には、
例えば、文献：電子通電学会論文誌'８４／１，Ｖｏ
ｌ．Ｊ６７−Ｃ，Ｎｏ．１，ｐｐ．１５８−１６５（文
献２）中に記載されているように、ＬＮ基板１の表面に
沿って伝搬するバルク波であるＳＳＢＷ（Ｓｕｒｆａｃ
ｅ ＳｋｉｍｍｉｎｇＢｕｌｋ Ｗａｖｅ）や、漏洩弾
性表面波（ＬＳＡＷ；Ｌｅａｋｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａ
ｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）が伝搬する。しかし、本願
では、これらを特に区別する場合を除き、ＳＡＷ，ＳＳ
ＢＷ，ＬＳＡＷを総称してＳＡＷと記すことにする。
りの種類が存在し、図１３に示したカット角θが６２°
から７４°の付近で、伝搬方向をＸ軸とした場合には、
例えば、文献：電子通電学会論文誌'８４／１，Ｖｏ
ｌ．Ｊ６７−Ｃ，Ｎｏ．１，ｐｐ．１５８−１６５（文
献２）中に記載されているように、ＬＮ基板１の表面に
沿って伝搬するバルク波であるＳＳＢＷ（Ｓｕｒｆａｃ
ｅ ＳｋｉｍｍｉｎｇＢｕｌｋ Ｗａｖｅ）や、漏洩弾
性表面波（ＬＳＡＷ；Ｌｅａｋｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａ
ｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）が伝搬する。しかし、本願
では、これらを特に区別する場合を除き、ＳＡＷ，ＳＳ
ＢＷ，ＬＳＡＷを総称してＳＡＷと記すことにする。
【０００７】図１５は弾性波装置の１種であるＳＡＷフ
ィルタの構成を示す図である。図において、１は圧電体
であるＬＮ基板、３は電極指、４はボンディングパッ
ド、５は電気−弾性表面波のエネルギー変換を行う入力
側ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕ
ｃｅｒ；すだれ状電極）、６は弾性表面波−電気のエネ
ルギー変換を行う出力側ＩＤＴ（すだれ状電極）、７は
入力端子、８は出力端子である。電極指３が交差する部
分の長さを交差幅Ｗとし、上記交差幅Ｗの最大の値を最
大交差幅Ｗ０とする。
ィルタの構成を示す図である。図において、１は圧電体
であるＬＮ基板、３は電極指、４はボンディングパッ
ド、５は電気−弾性表面波のエネルギー変換を行う入力
側ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕ
ｃｅｒ；すだれ状電極）、６は弾性表面波−電気のエネ
ルギー変換を行う出力側ＩＤＴ（すだれ状電極）、７は
入力端子、８は出力端子である。電極指３が交差する部
分の長さを交差幅Ｗとし、上記交差幅Ｗの最大の値を最
大交差幅Ｗ０とする。
【０００８】図１６は図１５に示すＳＡＷフィルタの断
面図であり、図において、ｗは電極指３の電極指幅、ｐ
は電極指３の配列周期、ｈは電極指３を構成する電極厚
みである。
面図であり、図において、ｗは電極指３の電極指幅、ｐ
は電極指３の配列周期、ｈは電極指３を構成する電極厚
みである。
【０００９】次に動作について説明する。入力端子７に
印加された電気信号は、入力側ＩＤＴ５の各電極指３の
交差部に電界をつくる。このとき、ＬＮ基板１が圧電体
であるため、上記電界によって歪が生じる。入力信号が
周波数ｆの場合、生じる歪も周波数ｆで振動し、これが
ＳＡＷとなって、電極指３に垂直な方向に伝搬する。ま
た、出力側ＩＤＴでは、ＳＡＷが再び電気信号に変換さ
れる。電気信号からＳＡＷに変換される場合と、ＳＡＷ
から電気信号に変換される場合は、互いに可逆な過程で
ある。
印加された電気信号は、入力側ＩＤＴ５の各電極指３の
交差部に電界をつくる。このとき、ＬＮ基板１が圧電体
であるため、上記電界によって歪が生じる。入力信号が
周波数ｆの場合、生じる歪も周波数ｆで振動し、これが
ＳＡＷとなって、電極指３に垂直な方向に伝搬する。ま
た、出力側ＩＤＴでは、ＳＡＷが再び電気信号に変換さ
れる。電気信号からＳＡＷに変換される場合と、ＳＡＷ
から電気信号に変換される場合は、互いに可逆な過程で
ある。
【００１０】図１３に示したようなカット角θが６４°
付近で伝搬方向がＸ軸の場合は、上記文献２に示されて
いるように、ＳＡＷの変位成分は上記電極指３に平行
で、かつ、ＬＮ基板１の表面に平行な方向性分を有す
る。この変位成分は、使用するＬＮ基板１の材料の種類
と、ＬＮ基板１の切断面及び切断面のカット角θと、Ｓ
ＡＷ伝搬方向に依存する。
付近で伝搬方向がＸ軸の場合は、上記文献２に示されて
いるように、ＳＡＷの変位成分は上記電極指３に平行
で、かつ、ＬＮ基板１の表面に平行な方向性分を有す
る。この変位成分は、使用するＬＮ基板１の材料の種類
と、ＬＮ基板１の切断面及び切断面のカット角θと、Ｓ
ＡＷ伝搬方向に依存する。
【００１１】入力側ＩＤＴ５により励振されたＳＡＷ
は、出力側ＩＤＴ６の方向に伝搬するが、このとき、Ｌ
Ｎ基板１に伝搬損失がある場合には、出力側ＩＤＴ６に
到達したＳＡＷの電力は、入力側ＩＤＴ５で励振された
直後のＳＡＷの電力よりも小さくなり、その損失の程度
は、ほぼ入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ６の中心間距離
を波長で規格化した距離に変換した値に、図１３にて示
した１波長あたりの伝搬損失を乗じた値にほぼ等しい。
は、出力側ＩＤＴ６の方向に伝搬するが、このとき、Ｌ
Ｎ基板１に伝搬損失がある場合には、出力側ＩＤＴ６に
到達したＳＡＷの電力は、入力側ＩＤＴ５で励振された
直後のＳＡＷの電力よりも小さくなり、その損失の程度
は、ほぼ入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ６の中心間距離
を波長で規格化した距離に変換した値に、図１３にて示
した１波長あたりの伝搬損失を乗じた値にほぼ等しい。
【００１２】このため、入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ
６との距離が同じであれば、ＬＮ基板１の伝搬損失が大
きいほど、ＳＡＷフィルタとしての挿入損失が大きくな
る。文献：弾性表面波工学、昭和５８年１１月、電子通
信学会発行、コロナ社、ｐｐ．５６−ｐｐ．８１（文献
３）に示されているように、ＳＡＷの波長λは電極指３
の配列周期ｐの２倍に相当するので、入力側ＩＤＴ５と
出力側ＩＤＴ６とが近接して配置されているとしても、
入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ６における電極指３の本
数の平均値の半分の数値を、伝搬損失に乗じた程度の損
失が、伝搬に伴う損失として生じる。
６との距離が同じであれば、ＬＮ基板１の伝搬損失が大
きいほど、ＳＡＷフィルタとしての挿入損失が大きくな
る。文献：弾性表面波工学、昭和５８年１１月、電子通
信学会発行、コロナ社、ｐｐ．５６−ｐｐ．８１（文献
３）に示されているように、ＳＡＷの波長λは電極指３
の配列周期ｐの２倍に相当するので、入力側ＩＤＴ５と
出力側ＩＤＴ６とが近接して配置されているとしても、
入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ６における電極指３の本
数の平均値の半分の数値を、伝搬損失に乗じた程度の損
失が、伝搬に伴う損失として生じる。
【００１３】例えば、図１５に示したように、入力側Ｉ
ＤＴ５と出力側ＩＤＴ６がそれぞれ７本の電極指３から
なり、入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ６とがすぐ近接し
て配置されているとすると、伝搬に伴う損失は、図１３
に示した伝搬損失の３〜４倍程度の値となる。例えば、
伝搬損失が０．０２（ｄＢ／λ）であるとすると、伝搬
に伴う損失は０．０６〜０．０８ｄＢもの値になる。
ＤＴ５と出力側ＩＤＴ６がそれぞれ７本の電極指３から
なり、入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ６とがすぐ近接し
て配置されているとすると、伝搬に伴う損失は、図１３
に示した伝搬損失の３〜４倍程度の値となる。例えば、
伝搬損失が０．０２（ｄＢ／λ）であるとすると、伝搬
に伴う損失は０．０６〜０．０８ｄＢもの値になる。
【００１４】このため、特に低損失なＳＡＷデバイスを
実現する場合には、伝搬損失の小さいＬＮ基板１を用い
ることが重要であり、従来のこの種の弾性波装置では、
カット角θが６４°より大きい範囲が使われていた。
実現する場合には、伝搬損失の小さいＬＮ基板１を用い
ることが重要であり、従来のこの種の弾性波装置では、
カット角θが６４°より大きい範囲が使われていた。
【００１５】上述のように、伝搬損失は、ＳＡＷフィル
タの挿入損失に大きな影響を与えるが、ＳＡＷフィルタ
の挿入損失に影響を与えるのは伝搬損失だけではない。
ＬＮ基板１の特性を表す材料定数として、伝搬損失以外
に、電気信号と弾性波との変換効率に関わる電気機械結
合係数Ｋ2 ，入力側ＩＤＴ５や出力側ＩＤＴ６のインピ
ーダンスに関わる静電容量Ｃ０，弾性波の伝搬速度Ｖ等
がある。これらのうちで、特に、上記電気機械結合係数
Ｋ2 は、ＳＡＷフィルタの挿入損失や通過帯域幅を決定
する重要なものである。
タの挿入損失に大きな影響を与えるが、ＳＡＷフィルタ
の挿入損失に影響を与えるのは伝搬損失だけではない。
ＬＮ基板１の特性を表す材料定数として、伝搬損失以外
に、電気信号と弾性波との変換効率に関わる電気機械結
合係数Ｋ2 ，入力側ＩＤＴ５や出力側ＩＤＴ６のインピ
ーダンスに関わる静電容量Ｃ０，弾性波の伝搬速度Ｖ等
がある。これらのうちで、特に、上記電気機械結合係数
Ｋ2 は、ＳＡＷフィルタの挿入損失や通過帯域幅を決定
する重要なものである。
【００１６】また、図１４に示したように、ＬＮ基板１
の表面全体に電極２が存在する場合と、図１６に示した
ように、電極指３が周期的に配列された場合では、ＳＡ
Ｗの伝搬は異なる。実際のＳＡＷフィルタは、図１６の
ように、電極指３を配列した構造を有するため、図１４
のような全体が電極２で被われた場合の特性と異なる特
性を示す。すなわち、レーリー波やＢＧＳ波（Ｂｌｅｕ
ｓｔｅｉｎ−Ｇｕｌｙａｅｖ−Ｓｈｉｍｉｚｕ ｗａｖ
ｅ）のような原理的には伝搬損失を伴わない純粋な弾性
表面波を用いた弾性波装置では知られていたが、ＬＳＡ
ＷやＳＳＢＷを用いた弾性波装置では具体的な条件が知
られていなかった。
の表面全体に電極２が存在する場合と、図１６に示した
ように、電極指３が周期的に配列された場合では、ＳＡ
Ｗの伝搬は異なる。実際のＳＡＷフィルタは、図１６の
ように、電極指３を配列した構造を有するため、図１４
のような全体が電極２で被われた場合の特性と異なる特
性を示す。すなわち、レーリー波やＢＧＳ波（Ｂｌｅｕ
ｓｔｅｉｎ−Ｇｕｌｙａｅｖ−Ｓｈｉｍｉｚｕ ｗａｖ
ｅ）のような原理的には伝搬損失を伴わない純粋な弾性
表面波を用いた弾性波装置では知られていたが、ＬＳＡ
ＷやＳＳＢＷを用いた弾性波装置では具体的な条件が知
られていなかった。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従来の弾性波装置は以
上のように構成されているので、全体が電極２で被われ
た場合の特性において、最も伝搬損失が小さくなる条件
で実現されてきたが、実際のＬＳＡＷやＳＳＢＷを用い
た弾性波装置では、最も良好な特性を示す条件は異なっ
ており、その差が原因となって、特性の劣化、すなわ
ち、挿入損失が実現可能な最小値よりも劣化するという
課題があった。
上のように構成されているので、全体が電極２で被われ
た場合の特性において、最も伝搬損失が小さくなる条件
で実現されてきたが、実際のＬＳＡＷやＳＳＢＷを用い
た弾性波装置では、最も良好な特性を示す条件は異なっ
ており、その差が原因となって、特性の劣化、すなわ
ち、挿入損失が実現可能な最小値よりも劣化するという
課題があった。
【００１８】また、従来のこの種の弾性波装置では、伝
搬損失が最小となる条件で用いられてきたが、弾性波装
置の特性に大きな影響を与える電気機械結合係数Ｋ2 が
最適な条件で用いられていないため、弾性波装置の挿入
損失や帯域幅が劣化するという課題があった。
搬損失が最小となる条件で用いられてきたが、弾性波装
置の特性に大きな影響を与える電気機械結合係数Ｋ2 が
最適な条件で用いられていないため、弾性波装置の挿入
損失や帯域幅が劣化するという課題があった。
【００１９】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、従来のこの種の弾性波装置よりも
低損失で広帯域な弾性波装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、従来のこの種の弾性波装置よりも
低損失で広帯域な弾性波装置を得ることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る弾性波装
置は、ニオブ酸リチウムを主成分とする圧電体の基板
に、所定の厚さを有する導体からなるすだれ状電極を形
成したものにおいて、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸
のまわりに、結晶Ｙ軸より５５°から５７°の範囲で回
転させた面を上記基板の表面とし、上記すだれ状電極の
電極指幅ｗと上記電極指の配列周期ｐにより決定される
上記電極指のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．４以上
１．０未満であるものである。
置は、ニオブ酸リチウムを主成分とする圧電体の基板
に、所定の厚さを有する導体からなるすだれ状電極を形
成したものにおいて、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸
のまわりに、結晶Ｙ軸より５５°から５７°の範囲で回
転させた面を上記基板の表面とし、上記すだれ状電極の
電極指幅ｗと上記電極指の配列周期ｐにより決定される
上記電極指のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．４以上
１．０未満であるものである。
【００２１】この発明に係る弾性波装置は、ニオブ酸リ
チウムを主成分とする圧電体の基板に、所定の厚さを有
する導体からなるすだれ状電極を形成したものにおい
て、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶
Ｙ軸より５７°から６２°の範囲で回転させた面を上記
基板の表面とし、上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記
電極指の配列周期ｐにより決定される上記電極指のデュ
ーティー比（ｗ／ｐ）が、０．５以上１．０未満である
ものである。
チウムを主成分とする圧電体の基板に、所定の厚さを有
する導体からなるすだれ状電極を形成したものにおい
て、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶
Ｙ軸より５７°から６２°の範囲で回転させた面を上記
基板の表面とし、上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記
電極指の配列周期ｐにより決定される上記電極指のデュ
ーティー比（ｗ／ｐ）が、０．５以上１．０未満である
ものである。
【００２２】この発明に係る弾性波装置は、ニオブ酸リ
チウムを主成分とする圧電体の基板に、所定の厚さを有
する導体からなるすだれ状電極を形成したものにおい
て、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶
Ｙ軸より６２°から６７°の範囲で回転させた面を上記
基板の表面とし、上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記
電極指の配列周期ｐにより決定される上記電極指のデュ
ーティー比（ｗ／ｐ）が、０．６以上１．０未満である
ことを特徴とするものである。
チウムを主成分とする圧電体の基板に、所定の厚さを有
する導体からなるすだれ状電極を形成したものにおい
て、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶
Ｙ軸より６２°から６７°の範囲で回転させた面を上記
基板の表面とし、上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記
電極指の配列周期ｐにより決定される上記電極指のデュ
ーティー比（ｗ／ｐ）が、０．６以上１．０未満である
ことを特徴とするものである。
【００２３】この発明に係る弾性波装置は、ニオブ酸リ
チウムを主成分とする圧電体の基板に、所定の厚さを有
する導体からなるすだれ状電極を形成したものにおい
て、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶
Ｙ軸より６７°から７１°の範囲で回転させた面を上記
基板の表面とし、上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記
電極指の配列周期ｐにより決定される上記電極指のデュ
ーティー比（ｗ／ｐ）が、０．７以上１．０未満である
ものである。
チウムを主成分とする圧電体の基板に、所定の厚さを有
する導体からなるすだれ状電極を形成したものにおい
て、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶
Ｙ軸より６７°から７１°の範囲で回転させた面を上記
基板の表面とし、上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記
電極指の配列周期ｐにより決定される上記電極指のデュ
ーティー比（ｗ／ｐ）が、０．７以上１．０未満である
ものである。
【００２４】この発明に係る弾性波装置は、ニオブ酸リ
チウムを主成分とする圧電体の基板に、所定の厚さを有
する導体からなるすだれ状電極を形成したものにおい
て、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶
Ｙ軸より７１°から７６°の範囲で回転させた面を上記
基板の表面とし、上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記
電極指の配列周期ｐにより決定される上記電極指のデュ
ーティー比（ｗ／ｐ）が、０．８以上１．０未満である
ものである。
チウムを主成分とする圧電体の基板に、所定の厚さを有
する導体からなるすだれ状電極を形成したものにおい
て、上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶
Ｙ軸より７１°から７６°の範囲で回転させた面を上記
基板の表面とし、上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記
電極指の配列周期ｐにより決定される上記電極指のデュ
ーティー比（ｗ／ｐ）が、０．８以上１．０未満である
ものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１は規格化電極厚（ｈ／λ）が０．０
１の場合のカット角θに対する減衰定数αの計算結果を
示す図である。図において、縦軸は減衰定数α（ｄＢ／
λ）であり、図１３の縦軸の伝搬損失と同じものであ
る。横軸はＬＮ基板１のカット角θであり、図１３と同
様に、ＬＮ基板１の結晶Ｘ軸をＳＡＷの伝搬方向とし、
結晶Ｘ軸のまわりに結晶Ｙ軸をθ回転させた軸に垂直な
面を、すなわち、結晶Ｘ軸のまわりに結晶Ｙ軸をθ回転
させた面をＬＮ基板１の表面としている。
説明する。 実施の形態１．図１は規格化電極厚（ｈ／λ）が０．０
１の場合のカット角θに対する減衰定数αの計算結果を
示す図である。図において、縦軸は減衰定数α（ｄＢ／
λ）であり、図１３の縦軸の伝搬損失と同じものであ
る。横軸はＬＮ基板１のカット角θであり、図１３と同
様に、ＬＮ基板１の結晶Ｘ軸をＳＡＷの伝搬方向とし、
結晶Ｘ軸のまわりに結晶Ｙ軸をθ回転させた軸に垂直な
面を、すなわち、結晶Ｘ軸のまわりに結晶Ｙ軸をθ回転
させた面をＬＮ基板１の表面としている。
【００２６】ここでは、図１４に示したように、ＬＮ基
板１の全面が電極２で被われた場合ではなく、図１６に
示したように、幅ｗ，配列周期ｐの電極指３が無限に配
列された場合におけるＳＡＷの伝搬特性を計算してい
る。図１において、電極指３の幅ｗと配列周期ｐの比を
デュ−ティ比（ｗ／ｐ）とし、デューティー比（ｗ／
ｐ）が０．２から０．８まで０．１おきの計算結果を示
している。
板１の全面が電極２で被われた場合ではなく、図１６に
示したように、幅ｗ，配列周期ｐの電極指３が無限に配
列された場合におけるＳＡＷの伝搬特性を計算してい
る。図１において、電極指３の幅ｗと配列周期ｐの比を
デュ−ティ比（ｗ／ｐ）とし、デューティー比（ｗ／
ｐ）が０．２から０．８まで０．１おきの計算結果を示
している。
【００２７】図２は電気機械結合係数Ｋ2 の計算結果で
ある。図において、縦軸は電気機械結合係数Ｋ2 であ
り、横軸は図１と同じＬＮ基板１のカット角θである。
また、デューティー比（ｗ／ｐ）も図１と同じ値で計算
している。
ある。図において、縦軸は電気機械結合係数Ｋ2 であ
り、横軸は図１と同じＬＮ基板１のカット角θである。
また、デューティー比（ｗ／ｐ）も図１と同じ値で計算
している。
【００２８】図１及び図２に示した計算結果は、例え
ば、文献：弾性波素子技術の最近の研究−委員会報告書
−、日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会、平
成７年３月、ｐｐ．６４９−ｐｐ．６５４（文献４），
ｐｐ．７８６−ｐｐ．７９１（文献５）及び、文献：第
２３回ＥＭシンポジウム、平成６年５月、ｐｐ．９３−
ｐｐ．１００（文献６）に示されている離散化グリーン
関数を用いた解析手法を用いており、文献５で述べられ
ているプログラム（ＦＥＭＳＤＡ）の後方散乱の影響を
除いた計算結果を用いている。
ば、文献：弾性波素子技術の最近の研究−委員会報告書
−、日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会、平
成７年３月、ｐｐ．６４９−ｐｐ．６５４（文献４），
ｐｐ．７８６−ｐｐ．７９１（文献５）及び、文献：第
２３回ＥＭシンポジウム、平成６年５月、ｐｐ．９３−
ｐｐ．１００（文献６）に示されている離散化グリーン
関数を用いた解析手法を用いており、文献５で述べられ
ているプログラム（ＦＥＭＳＤＡ）の後方散乱の影響を
除いた計算結果を用いている。
【００２９】図１３に示された計算結果についても、全
面が電極２で被われた場合についての計算結果である点
が異なるが、計算手法は同じ離散化グリーン関数を用い
る方法である。
面が電極２で被われた場合についての計算結果である点
が異なるが、計算手法は同じ離散化グリーン関数を用い
る方法である。
【００３０】図１の計算結果を見ると、例えば、デュ−
ティ比（ｗ／ｐ）が０．５の場合、カット角θが６２°
付近で減衰定数αがほぼゼロとなる最小値を示す。しか
し、図１３に示した従来のこの種の弾性波装置に適用さ
れた計算結果を見ると、カット角θが６２°から７４°
の範囲では、規格化電極厚（ｈ／λ）が０．０１付近に
最小値を示していない。これは、全体に電極２で被われ
た場合と、実際の電極指３の構造の場合とで、ＳＡＷの
伝搬の特性が異なっていることを示すものである。
ティ比（ｗ／ｐ）が０．５の場合、カット角θが６２°
付近で減衰定数αがほぼゼロとなる最小値を示す。しか
し、図１３に示した従来のこの種の弾性波装置に適用さ
れた計算結果を見ると、カット角θが６２°から７４°
の範囲では、規格化電極厚（ｈ／λ）が０．０１付近に
最小値を示していない。これは、全体に電極２で被われ
た場合と、実際の電極指３の構造の場合とで、ＳＡＷの
伝搬の特性が異なっていることを示すものである。
【００３１】図３及び図４は、規格化電極厚（ｈ／λ）
が０．０５の場合の図１及び図２と同様の計算結果であ
る。規格化電極厚（ｈ／λ）が０．０５という値は、Ｇ
Ｈｚ帯のＳＡＷデバイスでは比較的多く用いられる膜厚
である。図３を見ると、デューティー比（ｗ／ｐ）が大
きくなると、減衰定数αが最小となるカット角θが大き
くなる傾向がある。
が０．０５の場合の図１及び図２と同様の計算結果であ
る。規格化電極厚（ｈ／λ）が０．０５という値は、Ｇ
Ｈｚ帯のＳＡＷデバイスでは比較的多く用いられる膜厚
である。図３を見ると、デューティー比（ｗ／ｐ）が大
きくなると、減衰定数αが最小となるカット角θが大き
くなる傾向がある。
【００３２】しかし、図４を見ると、減衰定数αが小さ
くなるようなカット角θを選択すると、電気機械結合係
数Ｋ2 が小さくなることがわかる。例えば、デューティ
ー比（ｗ／ｐ）が０．５の場合に着目すると、減衰定数
αはカット角θが６６°付近で最小になる。しかし、電
気機械結合係数は、カット角θが６６°よりもさらに小
さい角度の方が大きい値を示す。
くなるようなカット角θを選択すると、電気機械結合係
数Ｋ2 が小さくなることがわかる。例えば、デューティ
ー比（ｗ／ｐ）が０．５の場合に着目すると、減衰定数
αはカット角θが６６°付近で最小になる。しかし、電
気機械結合係数は、カット角θが６６°よりもさらに小
さい角度の方が大きい値を示す。
【００３３】図５及び図６は、規格化電極厚（ｈ／λ）
が０．１の場合の図１及び図２や、図３及び図４と同様
の計算結果である。規格化電極厚（ｈ／λ）が大きくな
ると、伝搬定数αが最小となるカット角θが図３の場合
よりさらに大きくなる。しかし、この場合も、電気機械
結合係数Ｋ2 は、カット角θが小さい方が大きな値を示
す。
が０．１の場合の図１及び図２や、図３及び図４と同様
の計算結果である。規格化電極厚（ｈ／λ）が大きくな
ると、伝搬定数αが最小となるカット角θが図３の場合
よりさらに大きくなる。しかし、この場合も、電気機械
結合係数Ｋ2 は、カット角θが小さい方が大きな値を示
す。
【００３４】図７は、ここで行っている計算方法の妥当
性を検証するために、実際にＳＡＷフィルタを作成し、
測定した結果を計算結果と比較した図である。図におい
て、縦軸は音速Ｖｓであり、横軸はカット角θである。
図中、実線、破線、点線、一点鎖線等の線で表している
のが、図１から図６を計算するのと同じ計算手法で求め
た音速の計算結果であり、デューティー比（ｗ／ｐ）を
０．２から０．８まで０．１間隔で計算した結果であ
る。
性を検証するために、実際にＳＡＷフィルタを作成し、
測定した結果を計算結果と比較した図である。図におい
て、縦軸は音速Ｖｓであり、横軸はカット角θである。
図中、実線、破線、点線、一点鎖線等の線で表している
のが、図１から図６を計算するのと同じ計算手法で求め
た音速の計算結果であり、デューティー比（ｗ／ｐ）を
０．２から０．８まで０．１間隔で計算した結果であ
る。
【００３５】また、図７において、○で示すシンボル
は、デューティー比（ｗ／ｐ）を０．２５で試作したＳ
ＡＷフィルタから測定した音速である。同様に、□で示
すシンボルはデューティー比（ｗ／ｐ）を０．５で試作
した場合、◇及び◆で示すシンボルはデューティー比
（ｗ／ｐ）を０．７５で試作した場合の測定結果であ
る。また、計算値、測定値どちらの場合も全て、規格化
電極厚（ｈ／λ）が０．０５の場合であり、ＮｒはＳＡ
Ｗフィルタにおけるグレーティング反射器のストリップ
の本数である。
は、デューティー比（ｗ／ｐ）を０．２５で試作したＳ
ＡＷフィルタから測定した音速である。同様に、□で示
すシンボルはデューティー比（ｗ／ｐ）を０．５で試作
した場合、◇及び◆で示すシンボルはデューティー比
（ｗ／ｐ）を０．７５で試作した場合の測定結果であ
る。また、計算値、測定値どちらの場合も全て、規格化
電極厚（ｈ／λ）が０．０５の場合であり、ＮｒはＳＡ
Ｗフィルタにおけるグレーティング反射器のストリップ
の本数である。
【００３６】図８は、図７の測定結果を出すのに用いた
ＳＡＷフィルタのパターンの模式図である。このような
パターンは、例えば、文献：表面波デバイスとその応
用、電子材料工業会編、昭和５３年１２月、日刊工業新
聞社、ｐｐ．１５３−ｐｐ．１５５（文献７）中に記載
されている。入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ６との間に
２つのグレーティング反射器９を配置し、２つのグレー
ティング反射器９間の距離Ｄ１をグレーティング反射器
９の反射ストリップの配列周期ｐと同じにしている。
ＳＡＷフィルタのパターンの模式図である。このような
パターンは、例えば、文献：表面波デバイスとその応
用、電子材料工業会編、昭和５３年１２月、日刊工業新
聞社、ｐｐ．１５３−ｐｐ．１５５（文献７）中に記載
されている。入力側ＩＤＴ５と出力側ＩＤＴ６との間に
２つのグレーティング反射器９を配置し、２つのグレー
ティング反射器９間の距離Ｄ１をグレーティング反射器
９の反射ストリップの配列周期ｐと同じにしている。
【００３７】このように、グレーティング反射器９を配
置することにより、入力端子７から出力端子８までの通
過電力が図９に示すような特性を示し、特定の周波数の
弾性表面波だけを選択的に反射させている。図におい
て、ｆ０はグレーティング反射器９の中心周波数に相当
し、Ｆｂはグレーティング反射器９のストップバンド幅
に相当する。
置することにより、入力端子７から出力端子８までの通
過電力が図９に示すような特性を示し、特定の周波数の
弾性表面波だけを選択的に反射させている。図におい
て、ｆ０はグレーティング反射器９の中心周波数に相当
し、Ｆｂはグレーティング反射器９のストップバンド幅
に相当する。
【００３８】グレ−ティング反射器９の配列間隔ｐは、
グレーティング反射器９中での中心周波数ｆ０における
波長の２分の１になるので、中心周波数ｆ０に、配列周
期ｐの２倍の値２ｐを乗じた値がグレーティング反射器
９における音速Ｖｓに相当する。図７は、その音速Ｖｓ
値（Ｖｓ＝２ｐｆ０）を示している。なお、図７中に示
されたＮｒは、図８に示したグレーティング反射器９内
の線幅ｗの各ストリップの本数である。また、距離Ｄ２
は、図９に示した特性には、大きな影響は与えない。
グレーティング反射器９中での中心周波数ｆ０における
波長の２分の１になるので、中心周波数ｆ０に、配列周
期ｐの２倍の値２ｐを乗じた値がグレーティング反射器
９における音速Ｖｓに相当する。図７は、その音速Ｖｓ
値（Ｖｓ＝２ｐｆ０）を示している。なお、図７中に示
されたＮｒは、図８に示したグレーティング反射器９内
の線幅ｗの各ストリップの本数である。また、距離Ｄ２
は、図９に示した特性には、大きな影響は与えない。
【００３９】図８に示したように、グレーティング反射
器９の短絡ストリップ１０は、全て同電位になるように
しているので、電極指３の特性とほぼ同じとなり、上記
短絡ストリップの線幅ｗと配列周期ｐから決定される音
速Ｖｓ，減衰定数α、電気機械結合係数Ｋ2 等の様々な
材料定数は、同じデューティー比（ｗ／ｐ）の電極指３
の場合でもほぼ同じ結果となる。図７から明らかなよう
に、計算値と測定値とはよく一致しており、この計算が
よりＳＡＷフィルタの動作状態に近い、より高精度な結
果を示していることがわかる。
器９の短絡ストリップ１０は、全て同電位になるように
しているので、電極指３の特性とほぼ同じとなり、上記
短絡ストリップの線幅ｗと配列周期ｐから決定される音
速Ｖｓ，減衰定数α、電気機械結合係数Ｋ2 等の様々な
材料定数は、同じデューティー比（ｗ／ｐ）の電極指３
の場合でもほぼ同じ結果となる。図７から明らかなよう
に、計算値と測定値とはよく一致しており、この計算が
よりＳＡＷフィルタの動作状態に近い、より高精度な結
果を示していることがわかる。
【００４０】図１０は、図１から図６に示した計算結果
が、ＳＡＷフィルタに与える効果について確認するため
の、モード結合形のＳＡＷ共振器フィルタのパターンの
例である。図において、５は入力側ＩＤＴであり、電極
指３の数は２３本である。６は出力側ＩＤＴであり、２
つの出力側ＩＤＴを電気的に並列接続している。出力側
ＩＤＴ６の片側の電極指３の数は１６本である。９はグ
レーティング反射器であり、グレ−ティング反射器９の
各ストリップの本数は片側で１３０本である。入力側Ｉ
ＤＴ５の電極指３の線幅、出力側ＩＤＴ６の電極指３の
線幅は、全て同じｗｉであり、配列間隔も全て同じｐｉ
である。
が、ＳＡＷフィルタに与える効果について確認するため
の、モード結合形のＳＡＷ共振器フィルタのパターンの
例である。図において、５は入力側ＩＤＴであり、電極
指３の数は２３本である。６は出力側ＩＤＴであり、２
つの出力側ＩＤＴを電気的に並列接続している。出力側
ＩＤＴ６の片側の電極指３の数は１６本である。９はグ
レーティング反射器であり、グレ−ティング反射器９の
各ストリップの本数は片側で１３０本である。入力側Ｉ
ＤＴ５の電極指３の線幅、出力側ＩＤＴ６の電極指３の
線幅は、全て同じｗｉであり、配列間隔も全て同じｐｉ
である。
【００４１】図１０におけるグレーティング反射器９の
各ストリップの配列周期ｐｇは、入力側ＩＤＴ５、出力
側ＩＤＴ６の場合と異なり、ｐｇ＝１．０２２６ｐｉと
している。しかし、グレ−ティング反射器９の各ストリ
ップのディーティ比（ｗｇ／ｐｇ）と、入力側ＩＤＴ
５，出力側ＩＤＴ６の各電極指３のディーティ比（ｗｉ
／ｐｉ）と同じである。以下、これらのデューティー比
（ｗｉ／ｐｉ）及び（ｗｇ／ｐｇ）を総称して、デュー
ティー比（ｗ／ｐ）と表す。
各ストリップの配列周期ｐｇは、入力側ＩＤＴ５、出力
側ＩＤＴ６の場合と異なり、ｐｇ＝１．０２２６ｐｉと
している。しかし、グレ−ティング反射器９の各ストリ
ップのディーティ比（ｗｇ／ｐｇ）と、入力側ＩＤＴ
５，出力側ＩＤＴ６の各電極指３のディーティ比（ｗｉ
／ｐｉ）と同じである。以下、これらのデューティー比
（ｗｉ／ｐｉ）及び（ｗｇ／ｐｇ）を総称して、デュー
ティー比（ｗ／ｐ）と表す。
【００４２】また、距離Ｄ１は２．５ｐ，距離Ｄ２は
０．２５ｐである。カット角θやデューティー比（ｗ／
ｐ）を変えると、音速Ｖｓが変化するが、入力側ＩＤＴ
５及び出力側ＩＤＴ６の中心周波数ｆ０が８３９．２９
ＭＨｚになるように、配列周期ｐｉを変えて計算してい
る。最大交差幅Ｗ０は４４０μｍである。
０．２５ｐである。カット角θやデューティー比（ｗ／
ｐ）を変えると、音速Ｖｓが変化するが、入力側ＩＤＴ
５及び出力側ＩＤＴ６の中心周波数ｆ０が８３９．２９
ＭＨｚになるように、配列周期ｐｉを変えて計算してい
る。最大交差幅Ｗ０は４４０μｍである。
【００４３】図１１は、図１０に示したＳＡＷフィルタ
の挿入損失最小値と帯域内損失変動の計算結果をプロッ
トしたものである。計算は、例えば、文献：弾性波素子
技術ハンドブック、日本学術振興会弾性波素子技術第１
５０委員会、平成３年１１月、ｐｐ．１８５−ｐｐ．２
０５（文献８）中に示されているＳｍｉｔｈの等価回路
の２ｎｄモデルを入力側ＩＤＴ５及び出力側ＩＤＴ６に
使用している。
の挿入損失最小値と帯域内損失変動の計算結果をプロッ
トしたものである。計算は、例えば、文献：弾性波素子
技術ハンドブック、日本学術振興会弾性波素子技術第１
５０委員会、平成３年１１月、ｐｐ．１８５−ｐｐ．２
０５（文献８）中に示されているＳｍｉｔｈの等価回路
の２ｎｄモデルを入力側ＩＤＴ５及び出力側ＩＤＴ６に
使用している。
【００４４】グレーティング反射器９には、例えば、文
献：弾性波素子技術ハンドブック、日本学術振興会弾性
波素子技術第１５０委員会、平成３年１１月、ｐｐ．２
０６−ｐｐ．２２７（文献９）中に示されている分布定
数形の等価回路を使用している。これは文献９に示され
ている等価回路の電気端子を短絡した場合と同じであ
る。図１から図６には減衰定数α及び電気機械結合係数
Ｋ2 を示しているが、デューティー比（ｗ／ｐ）を変え
ると、音速Ｖｓ，静電容量Ｃ０，反射係数Ｃ１等の材料
定数も同時に変化するため、図１１に示した計算結果で
は、これらの材料定数の変化も考慮した。なお、図１１
は、規格化電極厚（ｈ／λ）が０．０５、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．５の場合のみを示している。
献：弾性波素子技術ハンドブック、日本学術振興会弾性
波素子技術第１５０委員会、平成３年１１月、ｐｐ．２
０６−ｐｐ．２２７（文献９）中に示されている分布定
数形の等価回路を使用している。これは文献９に示され
ている等価回路の電気端子を短絡した場合と同じであ
る。図１から図６には減衰定数α及び電気機械結合係数
Ｋ2 を示しているが、デューティー比（ｗ／ｐ）を変え
ると、音速Ｖｓ，静電容量Ｃ０，反射係数Ｃ１等の材料
定数も同時に変化するため、図１１に示した計算結果で
は、これらの材料定数の変化も考慮した。なお、図１１
は、規格化電極厚（ｈ／λ）が０．０５、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．５の場合のみを示している。
【００４５】図１１に示した計算結果を見ると、カット
角θが５５°よりも６６°の方が挿入損失最小値は小さ
くなる。しかし、通過域内の挿入損失の最小値と最大値
との差である帯域内損失変動を見ると、５５°の方が６
６°よりも小さい。図３を見ると、カット角θが６６°
よりも小さいと、減衰定数αは増大している。カット角
θが６６°よりも小さいと、挿入損失最小値が大きくな
るのは、このためである。しかし、図４を見ると、カッ
ト角θが６６°よりも小さい方が、電気機械結合係数Ｋ
2 は大きい。帯域内損失変動が小さいということは、言
い換えれば、実現できる帯域幅をより広くできるという
ことであり、電気機械結合係数Ｋ2 が大きいことによ
り、カット角θが５５°の方がより広帯域な特性を実現
できることを示している。例えば、帯域内損失変動を
０．５ｄＢ以下にする必要がある場合、従来の６４°で
は実現不能であり、６２°よりも小さいカット角θが必
要である。このとき、カット角θが５５°の挿入損失最
小値は６４°よりも増大するが、その差は０．０５ｄＢ
程度である。
角θが５５°よりも６６°の方が挿入損失最小値は小さ
くなる。しかし、通過域内の挿入損失の最小値と最大値
との差である帯域内損失変動を見ると、５５°の方が６
６°よりも小さい。図３を見ると、カット角θが６６°
よりも小さいと、減衰定数αは増大している。カット角
θが６６°よりも小さいと、挿入損失最小値が大きくな
るのは、このためである。しかし、図４を見ると、カッ
ト角θが６６°よりも小さい方が、電気機械結合係数Ｋ
2 は大きい。帯域内損失変動が小さいということは、言
い換えれば、実現できる帯域幅をより広くできるという
ことであり、電気機械結合係数Ｋ2 が大きいことによ
り、カット角θが５５°の方がより広帯域な特性を実現
できることを示している。例えば、帯域内損失変動を
０．５ｄＢ以下にする必要がある場合、従来の６４°で
は実現不能であり、６２°よりも小さいカット角θが必
要である。このとき、カット角θが５５°の挿入損失最
小値は６４°よりも増大するが、その差は０．０５ｄＢ
程度である。
【００４６】図１２は、カット角θが６４°，５８°，
５５°の場合についての通過特性計算結果例である。Ｓ
ＡＷフィルタのパターンは図１０に示したものである。
計算条件としては、規格化電極厚（ｈ／λ）は０．０
５，デューティー比（ｗ／ｐ）は０．５としている。
５５°の場合についての通過特性計算結果例である。Ｓ
ＡＷフィルタのパターンは図１０に示したものである。
計算条件としては、規格化電極厚（ｈ／λ）は０．０
５，デューティー比（ｗ／ｐ）は０．５としている。
【００４７】また、計算条件として、カット角θが６４
°のとき、音速Ｖｓは４４６５（ｍ／ｓ），減衰定数α
は０．０１０８（ｄＢ／λ），静電容量Ｃ０は電極指１
本あたり２５０（ｐＦ／ｍ），電気機械結合係数Ｋ2 は
１３．５％とし、カット角θが５８°のとき、音速Ｖｓ
は４４７７（ｍ／ｓ），減衰定数αは０．０１２（ｄＢ
／λ），静電容量Ｃ０は電極指１本あたり２８５（ｐＦ
／ｍ）、電気機械結合係数Ｋ2 は１８％とし、カット角
θが５５°のとき、音速Ｖｓは４４７７（ｍ／ｓ），減
衰定数αは０．００７６（ｄＢ／λ），静電容量Ｃ０は
電極指１本あたり２７７（ｐＦ／ｍ），電気機械結合係
数Ｋ2 は１６．７％としている。
°のとき、音速Ｖｓは４４６５（ｍ／ｓ），減衰定数α
は０．０１０８（ｄＢ／λ），静電容量Ｃ０は電極指１
本あたり２５０（ｐＦ／ｍ），電気機械結合係数Ｋ2 は
１３．５％とし、カット角θが５８°のとき、音速Ｖｓ
は４４７７（ｍ／ｓ），減衰定数αは０．０１２（ｄＢ
／λ），静電容量Ｃ０は電極指１本あたり２８５（ｐＦ
／ｍ）、電気機械結合係数Ｋ2 は１８％とし、カット角
θが５５°のとき、音速Ｖｓは４４７７（ｍ／ｓ），減
衰定数αは０．００７６（ｄＢ／λ），静電容量Ｃ０は
電極指１本あたり２７７（ｐＦ／ｍ），電気機械結合係
数Ｋ2 は１６．７％としている。
【００４８】カット角θが５５°や５８°のときは、図
１２に示す通過電力が最大値を示すときの挿入損失最小
値は、６４°の場合よりもわずかに大きいが、実質的に
はほぼ同じ損失である。これに対し、通過域における平
坦度が増しており、例えば、周波数が８０４ＭＨｚから
８４２ＭＨｚの範囲の挿入損失では、５５°や５８°の
方が低損失である。すなわち、従来の６４°よりも、５
５°や５８°の方が所要帯域内では低損失であり、言い
換えると、従来の６４°よりも、５５°や５８°の方が
広帯域である。
１２に示す通過電力が最大値を示すときの挿入損失最小
値は、６４°の場合よりもわずかに大きいが、実質的に
はほぼ同じ損失である。これに対し、通過域における平
坦度が増しており、例えば、周波数が８０４ＭＨｚから
８４２ＭＨｚの範囲の挿入損失では、５５°や５８°の
方が低損失である。すなわち、従来の６４°よりも、５
５°や５８°の方が所要帯域内では低損失であり、言い
換えると、従来の６４°よりも、５５°や５８°の方が
広帯域である。
【００４９】また、図１２を見れば明らかなように、従
来のカット角θが６４°の場合よりも、５５°及び５８
°の方が通過帯域幅が広い。以上から、実際のＳＡＷフ
ィルタの性能、特に、挿入損失や帯域幅は、減衰定数α
よりも電気機械結合係数Ｋ2の方が大きな影響を与える
ことがわかる。なお、本願において、「従来よりも低損
失で広帯域な特性」とは、同じ挿入損失なら、より広帯
域な特性を実現できること、あるいは、同じ通過帯域幅
なら、より低損失な特性を実現できることを示す。
来のカット角θが６４°の場合よりも、５５°及び５８
°の方が通過帯域幅が広い。以上から、実際のＳＡＷフ
ィルタの性能、特に、挿入損失や帯域幅は、減衰定数α
よりも電気機械結合係数Ｋ2の方が大きな影響を与える
ことがわかる。なお、本願において、「従来よりも低損
失で広帯域な特性」とは、同じ挿入損失なら、より広帯
域な特性を実現できること、あるいは、同じ通過帯域幅
なら、より低損失な特性を実現できることを示す。
【００５０】図４を見ると、カット角θが５５°から５
７°の範囲では、デューティー比（ｗ／ｐ）が０．４以
上の場合に、従来の６４°よりも大きな電気機械結合係
数Ｋ 2 を示す。この付近では、電気機械結合係数Ｋ2
は、規格化電極厚（ｈ／λ）にはあまり大きく依存しな
いので、図２及び図６を見ても、ほぼ同じ結果である。
７°の範囲では、デューティー比（ｗ／ｐ）が０．４以
上の場合に、従来の６４°よりも大きな電気機械結合係
数Ｋ 2 を示す。この付近では、電気機械結合係数Ｋ2
は、規格化電極厚（ｈ／λ）にはあまり大きく依存しな
いので、図２及び図６を見ても、ほぼ同じ結果である。
【００５１】ただし、規格化電極厚（ｈ／λ）が例えば
０．１と大きい場合に、デューティー比（ｗ／ｐ）を大
きくすると、電気機械結合係数Ｋ2 は大きくなっても、
減衰定数αも同時に大きくなる。このため、ＳＡＷフィ
ルタとしての挿入損失は、かえって、増大する場合があ
る。この場合は、カット角θとデューティー比（ｗ／
ｐ）を所要の特性を満足するように、適切な組み合わせ
とすればよい。
０．１と大きい場合に、デューティー比（ｗ／ｐ）を大
きくすると、電気機械結合係数Ｋ2 は大きくなっても、
減衰定数αも同時に大きくなる。このため、ＳＡＷフィ
ルタとしての挿入損失は、かえって、増大する場合があ
る。この場合は、カット角θとデューティー比（ｗ／
ｐ）を所要の特性を満足するように、適切な組み合わせ
とすればよい。
【００５２】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、カット角θが５５°から５７°の範囲で、デューテ
ィー比（ｗ／ｐ）が０．４以上１未満の場合には、従来
のこの種の弾性波装置よりも低損失で広帯域な弾性波装
置を実現できるという効果が得られる。
ば、カット角θが５５°から５７°の範囲で、デューテ
ィー比（ｗ／ｐ）が０．４以上１未満の場合には、従来
のこの種の弾性波装置よりも低損失で広帯域な弾性波装
置を実現できるという効果が得られる。
【００５３】実施の形態２．同様にして、図４から、カ
ット角θが５７°から６２°の範囲では、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．５以上の場合に、従来のカット角θ
が６４°よりも大きな電気機械結合係数Ｋ2 を示す。図
２を見てもほぼ同じ結果である。規格化膜厚（ｈ／λ）
が大きい図６の場合には、例えば、図４の場合と比べ
て、同じカット角θで同じデューティー比（ｗ／ｐ）の
場合の電気機械結合係数Ｋ2 は大きい。しかし、図５と
図３とを比べると、同じカット角θで同じデューティー
比（ｗ／ｐ）の場合の減衰定数αは、図５の方が大きく
なっている。特にデューティー比（ｗ／ｐ）が大きくな
ると、電気機械結合係数Ｋ2 は大きくなるが、減衰定数
αも同時に大きくなる。
ット角θが５７°から６２°の範囲では、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．５以上の場合に、従来のカット角θ
が６４°よりも大きな電気機械結合係数Ｋ2 を示す。図
２を見てもほぼ同じ結果である。規格化膜厚（ｈ／λ）
が大きい図６の場合には、例えば、図４の場合と比べ
て、同じカット角θで同じデューティー比（ｗ／ｐ）の
場合の電気機械結合係数Ｋ2 は大きい。しかし、図５と
図３とを比べると、同じカット角θで同じデューティー
比（ｗ／ｐ）の場合の減衰定数αは、図５の方が大きく
なっている。特にデューティー比（ｗ／ｐ）が大きくな
ると、電気機械結合係数Ｋ2 は大きくなるが、減衰定数
αも同時に大きくなる。
【００５４】このため、ＳＡＷフィルタとしての挿入損
失は、かえって増大する場合が生じる。この場合は、カ
ット角θとデューティー比（ｗ／ｐ）を所要の特性を満
足するように、適切な組み合わせとすればよい。しか
し、電気機械結合係数Ｋ2 自体は大きくなっているの
で、通過帯域幅は広くなる。すなわち、低損失で広帯域
な弾性波装置を実現できる。
失は、かえって増大する場合が生じる。この場合は、カ
ット角θとデューティー比（ｗ／ｐ）を所要の特性を満
足するように、適切な組み合わせとすればよい。しか
し、電気機械結合係数Ｋ2 自体は大きくなっているの
で、通過帯域幅は広くなる。すなわち、低損失で広帯域
な弾性波装置を実現できる。
【００５５】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、すなわち、カット角θが５７°から６２°の範囲
で、デューティー比（ｗ／ｐ）が０．５以上１未満の場
合には、従来のこの種の弾性波装置よりも低損失で広帯
域な弾性波装置を実現できるという効果が得られる。
ば、すなわち、カット角θが５７°から６２°の範囲
で、デューティー比（ｗ／ｐ）が０．５以上１未満の場
合には、従来のこの種の弾性波装置よりも低損失で広帯
域な弾性波装置を実現できるという効果が得られる。
【００５６】実施の形態３．同様にして、図４から、カ
ット角θが６２°から６７°の範囲では、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．６以上の場合に、従来のカット角θ
が６４°の場合よりも大きな電気機械結合係数Ｋ2 を示
す。図２を見てもほぼ同じ結果である。規格化膜厚（ｈ
／λ）が大きい図６の場合も、例えば、図４の場合と比
べて、同じカット角θで同じデューティー比（ｗ／ｐ）
の場合の電気機械結合係数Ｋ2 はほぼ同じである。しか
し、図５と図３とを比べると、同じカット角θで同じデ
ューティー比（ｗ／ｐ）の場合の減衰定数αは、図５の
方が大きくなっている。特にデューティー比（ｗ／ｐ）
が大きくなると、電気機械結合係数Ｋ2 は大きくなる
が、減衰定数αも同時に大きくなる。
ット角θが６２°から６７°の範囲では、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．６以上の場合に、従来のカット角θ
が６４°の場合よりも大きな電気機械結合係数Ｋ2 を示
す。図２を見てもほぼ同じ結果である。規格化膜厚（ｈ
／λ）が大きい図６の場合も、例えば、図４の場合と比
べて、同じカット角θで同じデューティー比（ｗ／ｐ）
の場合の電気機械結合係数Ｋ2 はほぼ同じである。しか
し、図５と図３とを比べると、同じカット角θで同じデ
ューティー比（ｗ／ｐ）の場合の減衰定数αは、図５の
方が大きくなっている。特にデューティー比（ｗ／ｐ）
が大きくなると、電気機械結合係数Ｋ2 は大きくなる
が、減衰定数αも同時に大きくなる。
【００５７】このため、ＳＡＷフィルタとしての挿入損
失は、かえって、増大する場合がある。この場合は、カ
ット角θとデューティー比（ｗ／ｐ）を所要の特性を満
足するように、適切な組み合わせとすればよい。しか
し、電気機械結合係数Ｋ2 自体は大きくなっているの
で、通過帯域幅は広くなる。すなわち、広帯域な弾性波
装置を実現できる。
失は、かえって、増大する場合がある。この場合は、カ
ット角θとデューティー比（ｗ／ｐ）を所要の特性を満
足するように、適切な組み合わせとすればよい。しか
し、電気機械結合係数Ｋ2 自体は大きくなっているの
で、通過帯域幅は広くなる。すなわち、広帯域な弾性波
装置を実現できる。
【００５８】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、カット角θが６２°から６７°の範囲で、デューテ
ィー比（ｗ／ｐ）が０．６以上１未満の場合には、従来
のこの種の弾性波装置よりも低損失で広帯域な弾性波装
置を実現できるという効果が得られる。
ば、カット角θが６２°から６７°の範囲で、デューテ
ィー比（ｗ／ｐ）が０．６以上１未満の場合には、従来
のこの種の弾性波装置よりも低損失で広帯域な弾性波装
置を実現できるという効果が得られる。
【００５９】実施の形態４．同様にして、図４から、カ
ット角θが６７°から７１°の範囲では、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．７以上の場合に、従来のカット角θ
が６４°の場合よりも大きな電気機械結合係数Ｋ2 を示
す。図２を見てもほぼ同じ結果である。規格化膜厚（ｈ
／λ）が大きい図６の場合も、例えば、図４の場合と比
べて、同じカット角θで同じデューティー比（ｗ／ｐ）
の場合の電気機械結合係数Ｋ2 はほぼ同じである。ま
た、図５と図３とを比べると、同じカット角θで同じデ
ューティー比（ｗ／ｐ）の場合の減衰定数αは、図５の
方が大きくなっているが、増大する割合はそれほど大き
くない。したがって、カット角θとデューティー比（ｗ
／ｐ）を、所要の特性を満足するように適切な組み合わ
せとすればよい。
ット角θが６７°から７１°の範囲では、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．７以上の場合に、従来のカット角θ
が６４°の場合よりも大きな電気機械結合係数Ｋ2 を示
す。図２を見てもほぼ同じ結果である。規格化膜厚（ｈ
／λ）が大きい図６の場合も、例えば、図４の場合と比
べて、同じカット角θで同じデューティー比（ｗ／ｐ）
の場合の電気機械結合係数Ｋ2 はほぼ同じである。ま
た、図５と図３とを比べると、同じカット角θで同じデ
ューティー比（ｗ／ｐ）の場合の減衰定数αは、図５の
方が大きくなっているが、増大する割合はそれほど大き
くない。したがって、カット角θとデューティー比（ｗ
／ｐ）を、所要の特性を満足するように適切な組み合わ
せとすればよい。
【００６０】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、カット角θが６７°から７１°の範囲で、デューテ
ィー比（ｗ／ｐ）が０．７以上１未満の場合には、従来
のこの種の弾性波装置よりも低損失で広帯域な弾性波装
置を実現できるという効果が得られる。
ば、カット角θが６７°から７１°の範囲で、デューテ
ィー比（ｗ／ｐ）が０．７以上１未満の場合には、従来
のこの種の弾性波装置よりも低損失で広帯域な弾性波装
置を実現できるという効果が得られる。
【００６１】実施の形態５．同様にして、図４から、カ
ット角θが７１°から７６°の範囲では、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．８以上の場合に、従来のカット角θ
が６４°の場合よりも大きな電気機械結合係数Ｋ2 を示
す。図２を見てもほぼ同じ結果である。規格化膜厚（ｈ
／λ）が大きい図６の場合も、例えば、図４の場合と比
べて、同じカット角θで同じデューティー比（ｗ／ｐ）
の場合の電気機械結合係数Ｋ2 はほぼ同じである。ま
た、図５と図３とを比べると、同じカット角θで同じデ
ューティー比（ｗ／ｐ）の場合の減衰定数αは、図５の
方が小さい。したがって、電気機械結合係数Ｋ2 が大き
くなる効果が、そのまま弾性波装置の特性に反映される
ので、従来より低損失で広帯域な特性が実現できる。
ット角θが７１°から７６°の範囲では、デューティー
比（ｗ／ｐ）が０．８以上の場合に、従来のカット角θ
が６４°の場合よりも大きな電気機械結合係数Ｋ2 を示
す。図２を見てもほぼ同じ結果である。規格化膜厚（ｈ
／λ）が大きい図６の場合も、例えば、図４の場合と比
べて、同じカット角θで同じデューティー比（ｗ／ｐ）
の場合の電気機械結合係数Ｋ2 はほぼ同じである。ま
た、図５と図３とを比べると、同じカット角θで同じデ
ューティー比（ｗ／ｐ）の場合の減衰定数αは、図５の
方が小さい。したがって、電気機械結合係数Ｋ2 が大き
くなる効果が、そのまま弾性波装置の特性に反映される
ので、従来より低損失で広帯域な特性が実現できる。
【００６２】以上のように、カット角θが７１°から７
６°の範囲で、デューティー比（ｗ／ｐ）が０．８以上
１未満の場合には、従来のこの種の弾性波装置よりも低
損失で広帯域な弾性波装置を実現できるという効果が得
られる。
６°の範囲で、デューティー比（ｗ／ｐ）が０．８以上
１未満の場合には、従来のこの種の弾性波装置よりも低
損失で広帯域な弾性波装置を実現できるという効果が得
られる。
【００６３】以上は、図１０に示したモード結合形のＳ
ＡＷ共振器フィルタを例に説明したが、この発明はこれ
に限らず、ＩＤＴの数は３以外の任意の数でも効果は同
じである。さらに、多電極構造のいわゆるトランスバー
サル形フィルタや、図１５に示した簡単な構造のＳＡＷ
フィルタに適用しても効果は同じである。
ＡＷ共振器フィルタを例に説明したが、この発明はこれ
に限らず、ＩＤＴの数は３以外の任意の数でも効果は同
じである。さらに、多電極構造のいわゆるトランスバー
サル形フィルタや、図１５に示した簡単な構造のＳＡＷ
フィルタに適用しても効果は同じである。
【００６４】さらに、電極指３の配列周期が全て同じ場
合について示したが、部分的あるいは全体的に上記配列
周期が変化する場合でも効果は同じである。また、ＩＤ
Ｔ内に浮き電極を有したり、あるいはＩＤＴ内の異なる
部位に存在する浮き電極どうしが電気的に接続された形
状の場合でも効果は同じである。
合について示したが、部分的あるいは全体的に上記配列
周期が変化する場合でも効果は同じである。また、ＩＤ
Ｔ内に浮き電極を有したり、あるいはＩＤＴ内の異なる
部位に存在する浮き電極どうしが電気的に接続された形
状の場合でも効果は同じである。
【００６５】さらに、この発明は、ＳＡＷフィルタだけ
でなく、１端子対ＳＡＷ共振器や、ＳＡＷ遅延線、ＳＡ
Ｗ分散形遅延線や、ＳＡＷコンボルバ等の電気信号とＬ
ＳＡＷ、ＳＳＢＷとの変換機能を有するＩＤＴを形成す
る他のＳＡＷデバイス全てに対して効果がある。また、
これらのＳＡＷデバイスを用いた弾性波装置全てに対し
ても効果がある。
でなく、１端子対ＳＡＷ共振器や、ＳＡＷ遅延線、ＳＡ
Ｗ分散形遅延線や、ＳＡＷコンボルバ等の電気信号とＬ
ＳＡＷ、ＳＳＢＷとの変換機能を有するＩＤＴを形成す
る他のＳＡＷデバイス全てに対して効果がある。また、
これらのＳＡＷデバイスを用いた弾性波装置全てに対し
ても効果がある。
【００６６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ニオ
ブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より５５
°から５７°の範囲で回転させた面を基板の表面とし、
すだれ状電極の電極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより
決定される電極指のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．
４以上１．０未満とすることにより、従来よりも低損失
で広帯域な弾性波装置を実現できるという効果がある。
ブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より５５
°から５７°の範囲で回転させた面を基板の表面とし、
すだれ状電極の電極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより
決定される電極指のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．
４以上１．０未満とすることにより、従来よりも低損失
で広帯域な弾性波装置を実現できるという効果がある。
【００６７】この発明によれば、ニオブ酸リチウムの結
晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より５７°から６２°の範
囲で回転させた面を上記基板の表面とし、すだれ状電極
の電極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより決定される電
極指のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．５以上１．０
未満とすることにより、従来よりも低損失で広帯域な弾
性波装置を実現できるという効果がある。
晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より５７°から６２°の範
囲で回転させた面を上記基板の表面とし、すだれ状電極
の電極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより決定される電
極指のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．５以上１．０
未満とすることにより、従来よりも低損失で広帯域な弾
性波装置を実現できるという効果がある。
【００６８】この発明によれば、ニオブ酸リチウムの結
晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より６２°から６７°の範
囲で回転させた面を基板の表面とし、すだれ状電極の電
極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより決定される電極指
のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．６以上１．０未満
とすることにより、従来よりも低損失で広帯域な弾性波
装置を実現できるという効果がある。
晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より６２°から６７°の範
囲で回転させた面を基板の表面とし、すだれ状電極の電
極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより決定される電極指
のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．６以上１．０未満
とすることにより、従来よりも低損失で広帯域な弾性波
装置を実現できるという効果がある。
【００６９】この発明によれば、ニオブ酸リチウムの結
晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より６７°から７１°の範
囲で回転させた面を基板の表面とし、すだれ状電極の電
極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより決定される電極指
のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．７以上１．０未満
とすることにより、従来よりも低損失で広帯域な弾性波
装置を実現できるという効果がある。
晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より６７°から７１°の範
囲で回転させた面を基板の表面とし、すだれ状電極の電
極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより決定される電極指
のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．７以上１．０未満
とすることにより、従来よりも低損失で広帯域な弾性波
装置を実現できるという効果がある。
【００７０】この発明によれば、ニオブ酸リチウムの結
晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より７１°から７６°の範
囲で回転させた面を基板の表面とし、すだれ状電極の電
極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより決定される電極指
のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．８以上１．０未満
とすることにより、従来よりも低損失で広帯域な弾性波
装置を実現できるという効果がある。
晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸より７１°から７６°の範
囲で回転させた面を基板の表面とし、すだれ状電極の電
極指幅ｗと電極指の配列周期ｐにより決定される電極指
のデューティー比（ｗ／ｐ）が、０．８以上１．０未満
とすることにより、従来よりも低損失で広帯域な弾性波
装置を実現できるという効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１による規格化電極厚
が０．０１の場合のＬＮ基板のカット角に対する減衰定
数の計算結果を示す図である。
が０．０１の場合のＬＮ基板のカット角に対する減衰定
数の計算結果を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による規格化電極厚
が０．０１の場合のＬＮ基板のカット角に対する電気機
械結合係数の計算結果を示す図である。
が０．０１の場合のＬＮ基板のカット角に対する電気機
械結合係数の計算結果を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態１による規格化電極厚
が０．０５の場合のＬＮ基板のカット角に対する減衰定
数の計算結果を示す図である。
が０．０５の場合のＬＮ基板のカット角に対する減衰定
数の計算結果を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態１による規格化電極厚
が０．０５の場合のＬＮ基板のカット角に対する電気機
械結合係数の計算結果を示す図である。
が０．０５の場合のＬＮ基板のカット角に対する電気機
械結合係数の計算結果を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態１による規格化電極厚
が０．１の場合のＬＮ基板のカット角に対する減衰定数
の計算結果を示す図である。
が０．１の場合のＬＮ基板のカット角に対する減衰定数
の計算結果を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態１による規格化電極厚
が０．１の場合のＬＮ基板のカット角に対する電気機械
結合係数の計算結果を示す図である。
が０．１の場合のＬＮ基板のカット角に対する電気機械
結合係数の計算結果を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態１による規格化電極厚
が０．０５の場合のＬＮ基板のカット角に対する音速の
測定結果を示す図である。
が０．０５の場合のＬＮ基板のカット角に対する音速の
測定結果を示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態１によるＳＡＷフィル
タのパターンの模式図である。
タのパターンの模式図である。
【図９】 この発明の実施の形態１による図８に示すＳ
ＡＷフィルタの周波数に対する通過電力特性を示す図で
ある。
ＡＷフィルタの周波数に対する通過電力特性を示す図で
ある。
【図１０】 この発明の実施の形態１によるモード結合
形ＳＡＷ共振器フィルタのパターンの模式図である。
形ＳＡＷ共振器フィルタのパターンの模式図である。
【図１１】 この発明の実施の形態１による図１０に示
すモード結合形ＳＡＷ共振器フィルタの挿入損失最小値
の計算結果を示す図である。
すモード結合形ＳＡＷ共振器フィルタの挿入損失最小値
の計算結果を示す図である。
【図１２】 この発明の実施の形態１による図１０に示
すモード結合形ＳＡＷ共振器フィルタの周波数に対する
通過電力特性を示す図である。
すモード結合形ＳＡＷ共振器フィルタの周波数に対する
通過電力特性を示す図である。
【図１３】 従来の弾性波装置による規格化電極厚に対
する伝搬損失特性を示す図である。
する伝搬損失特性を示す図である。
【図１４】 従来の弾性波装置の断面を示す図である。
【図１５】 弾性波装置の構成を示す図である。
【図１６】 弾性波装置の断面を示す図である。
１ ＬＮ基板（基板）、３ 電極指、５ 入力側ＩＤＴ
（すだれ状電極）、６入力側ＩＤＴ（すだれ状電極）。
（すだれ状電極）、６入力側ＩＤＴ（すだれ状電極）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 憲司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 永塚 勉 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 村井 康治 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山口 正恒 千葉県佐倉市宮ノ台３−10−４ (72)発明者 橋本 研也 千葉県船橋市二和西４−31−１ (72)発明者 大森 達也 千葉県千葉市中央区椿森６−７−18 Ｆターム(参考） 5J097 AA01 AA06 AA19 BB11 DD04 DD13 DD16 GG04 GG07 KK04 KK06 KK09
Claims (5)
- 【請求項１】 ニオブ酸リチウムを主成分とする圧電体
の基板に、所定の厚さを有する導体からなるすだれ状電
極を形成した弾性波装置において、 上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸
より５５°から５７°の範囲で回転させた面を上記基板
の表面とし、 上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記電極指の配列周期
ｐにより決定される上記電極指のデューティー比（ｗ／
ｐ）が、０．４以上１．０未満であることを特徴とする
弾性波装置。 - 【請求項２】 ニオブ酸リチウムを主成分とする圧電体
の基板に、所定の厚さを有する導体からなるすだれ状電
極を形成した弾性波装置において、 上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸
より５７°から６２°の範囲で回転させた面を上記基板
の表面とし、 上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記電極指の配列周期
ｐにより決定される上記電極指のデューティー比（ｗ／
ｐ）が、０．５以上１．０未満であることを特徴とする
弾性波装置。 - 【請求項３】 ニオブ酸リチウムを主成分とする圧電体
の基板に、所定の厚さを有する導体からなるすだれ状電
極を形成した弾性波装置において、 上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸
より６２°から６７°の範囲で回転させた面を上記基板
の表面とし、 上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記電極指の配列周期
ｐにより決定される上記電極指のデューティー比（ｗ／
ｐ）が、０．６以上１．０未満であることを特徴とする
弾性波装置。 - 【請求項４】 ニオブ酸リチウムを主成分とする圧電体
の基板に、所定の厚さを有する導体からなるすだれ状電
極を形成した弾性波装置において、 上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸
より６７°から７１°の範囲で回転させた面を上記基板
の表面とし、 上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記電極指の配列周期
ｐにより決定される上記電極指のデューティー比（ｗ／
ｐ）が、０．７以上１．０未満であることを特徴とする
弾性波装置。 - 【請求項５】 ニオブ酸リチウムを主成分とする圧電体
の基板に、所定の厚さを有する導体からなるすだれ状電
極を形成した弾性波装置において、 上記ニオブ酸リチウムの結晶Ｘ軸のまわりに、結晶Ｙ軸
より７１°から７６°の範囲で回転させた面を上記基板
の表面とし、 上記すだれ状電極の電極指幅ｗと上記電極指の配列周期
ｐにより決定される上記電極指のデューティー比（ｗ／
ｐ）が、０．８以上１．０未満であることを特徴とする
弾性波装置。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP11203662A JP2001036378A (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 弾性波装置 |
| PCT/JP2000/004469 WO2001006645A1 (fr) | 1999-07-16 | 2000-07-05 | Dispositif a onde elastique |
| KR1020017003348A KR20010075128A (ko) | 1999-07-16 | 2000-07-05 | 탄성파 장치 |
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