JP3285469B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JP3285469B2 JP3285469B2 JP17485995A JP17485995A JP3285469B2 JP 3285469 B2 JP3285469 B2 JP 3285469B2 JP 17485995 A JP17485995 A JP 17485995A JP 17485995 A JP17485995 A JP 17485995A JP 3285469 B2 JP3285469 B2 JP 3285469B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- electrode
- comb
- transducer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置、
特に通信機器に用いられる弾性表面波トランスデューサ
の圧電性物質及び櫛型電極部の構成並びに弾性表面波装
置を用いた機器に関する。
特に通信機器に用いられる弾性表面波トランスデューサ
の圧電性物質及び櫛型電極部の構成並びに弾性表面波装
置を用いた機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置を構成する弾性表面波ト
ランスデューサは、圧電性物質の平面に電極指をもつ櫛
型電極を設けて構成され、共振器、フィルタ等の固体回
路素子として通信機器等に使用されている。
ランスデューサは、圧電性物質の平面に電極指をもつ櫛
型電極を設けて構成され、共振器、フィルタ等の固体回
路素子として通信機器等に使用されている。
【０００３】通信機器に使用される弾性表面波トランス
デューサは、特性上、機械振動と電気振動間の変換効率
のよさを表す目安となる容量比が小さいことが要求され
る。従来、容量比が小さい弾性表面波共振器のトランス
デューサは、Ｙカットのニオブ酸リチウム（ＬＮ）単結
晶圧電基板の平面に、金（Ａｕ）を主成分とする金属膜
をパターニングした櫛型電極をＸ軸と平行方向に形成し
ている。この場合、櫛型電極の電極はＡｕを主成分とす
る金属で、電極膜厚ｈと櫛型電極の電極ピッチＰの比が
２％（以下Ａｕ２％／ＹＸ−ＬＮと略す）である必要が
あるとされている（例えば、第２０回波動デバイス・周
波数制御シンポジウム予稿集（１９９１）第１１５頁か
ら第１２０頁)。
デューサは、特性上、機械振動と電気振動間の変換効率
のよさを表す目安となる容量比が小さいことが要求され
る。従来、容量比が小さい弾性表面波共振器のトランス
デューサは、Ｙカットのニオブ酸リチウム（ＬＮ）単結
晶圧電基板の平面に、金（Ａｕ）を主成分とする金属膜
をパターニングした櫛型電極をＸ軸と平行方向に形成し
ている。この場合、櫛型電極の電極はＡｕを主成分とす
る金属で、電極膜厚ｈと櫛型電極の電極ピッチＰの比が
２％（以下Ａｕ２％／ＹＸ−ＬＮと略す）である必要が
あるとされている（例えば、第２０回波動デバイス・周
波数制御シンポジウム予稿集（１９９１）第１１５頁か
ら第１２０頁)。
【０００４】弾性表面波トランスデューサの金属電極材
料、金属電極膜厚、圧電材料のカット角及び櫛型電極の
方向の組合せは、Ｃａｍｐｂｅｌｌ等が提案した弾性表
面波の伝搬速度計算シミュレータ（例えば、ジャーナル
アプライド フィジックス、ボリューム ４３、ナン
バー３ （１９７２）第８５６頁から第８６２頁（J. A
ppl. Phys. Vol. 43、 No.3 (1972) pp.856-862)文献
１)により、様々な組合せが検討されており、大型単結
晶作成可能な圧電材料を用いた弾性表面波共振器のトラ
ンスデューサでは、上記組合せ、つまりＡｕ２％／ＹＸ
−ＬＮが、容量比γを３以下にする唯一の組合せであ
り、Ａｕの替わりにアルミニウム（Ａｌ）を使用する
と、容量比γを全く小さくできないと結論付けられてい
た。
料、金属電極膜厚、圧電材料のカット角及び櫛型電極の
方向の組合せは、Ｃａｍｐｂｅｌｌ等が提案した弾性表
面波の伝搬速度計算シミュレータ（例えば、ジャーナル
アプライド フィジックス、ボリューム ４３、ナン
バー３ （１９７２）第８５６頁から第８６２頁（J. A
ppl. Phys. Vol. 43、 No.3 (1972) pp.856-862)文献
１)により、様々な組合せが検討されており、大型単結
晶作成可能な圧電材料を用いた弾性表面波共振器のトラ
ンスデューサでは、上記組合せ、つまりＡｕ２％／ＹＸ
−ＬＮが、容量比γを３以下にする唯一の組合せであ
り、Ａｕの替わりにアルミニウム（Ａｌ）を使用する
と、容量比γを全く小さくできないと結論付けられてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】通信機器等に使用され
る弾性表面波トランスデューサには、容量比γが小さい
ことの他に副共振(スプリアス)がないこと、共振Ｑ値、
反共振Ｑ値が大きいこと等の特性が優れていること、さ
らに、経済性すなわち製造コストの低減が要求される。
上記容量比γを小さくするため、従来のＡｕ２％／ＹＸ
−ＬＮは、金属電極膜材料として高価なＡｕを用いてい
るため、弾性表面波共振器の作成コストが低減できな
い。また、金属電極膜材料としてＡｕを用いているた
め、他の弾性表面波装置（金属電極膜材料として、Ａｌ
を用いている）とは別の生産ラインを必要とする。製造
設備のコストが高くなり、弾性表面波トランスデューサ
の製造コストを低減できない。このため、従来の低容量
比な弾性表面波共振器等は極めて高価であり、それを用
いた共振器、フィルタ、発振器、相関器及びこれらの主
な用途である通信機器のコスト低減が困難であった。
る弾性表面波トランスデューサには、容量比γが小さい
ことの他に副共振(スプリアス)がないこと、共振Ｑ値、
反共振Ｑ値が大きいこと等の特性が優れていること、さ
らに、経済性すなわち製造コストの低減が要求される。
上記容量比γを小さくするため、従来のＡｕ２％／ＹＸ
−ＬＮは、金属電極膜材料として高価なＡｕを用いてい
るため、弾性表面波共振器の作成コストが低減できな
い。また、金属電極膜材料としてＡｕを用いているた
め、他の弾性表面波装置（金属電極膜材料として、Ａｌ
を用いている）とは別の生産ラインを必要とする。製造
設備のコストが高くなり、弾性表面波トランスデューサ
の製造コストを低減できない。このため、従来の低容量
比な弾性表面波共振器等は極めて高価であり、それを用
いた共振器、フィルタ、発振器、相関器及びこれらの主
な用途である通信機器のコスト低減が困難であった。
【０００６】また、圧電基板として、６４度回転Ｙカッ
トニオブ酸リチウム単結晶を用いた弾性表面波トランス
デューサでは、金属電極膜材料としてＡｌを使用してい
るものもあるが、金属電極膜の厚さは特性に影響を与え
ないため、極めて薄い材料が用いられている。しかしそ
の容量比γは１０程度でかなり高いものである。
トニオブ酸リチウム単結晶を用いた弾性表面波トランス
デューサでは、金属電極膜材料としてＡｌを使用してい
るものもあるが、金属電極膜の厚さは特性に影響を与え
ないため、極めて薄い材料が用いられている。しかしそ
の容量比γは１０程度でかなり高いものである。
【０００７】本発明の主な目的は、製造コストが低く、
容量比γが小さい弾性表面波トランスデューサ及びそれ
を用いた通信機器を提供することである。本発明の他の
目的は、金属電極膜材料にＡｌを用いかつ低容量比な弾
性表面波トランスデューサを提供することである。本発
明の更に他の目的は、上記目的を達成すると共に副共振
がなく、共振Ｑ値、反共振Ｑ値が大きいθ度回転Ｙカッ
トニオブ酸リチウム単結晶弾性表面波トランスデューサ
を提供することである。
容量比γが小さい弾性表面波トランスデューサ及びそれ
を用いた通信機器を提供することである。本発明の他の
目的は、金属電極膜材料にＡｌを用いかつ低容量比な弾
性表面波トランスデューサを提供することである。本発
明の更に他の目的は、上記目的を達成すると共に副共振
がなく、共振Ｑ値、反共振Ｑ値が大きいθ度回転Ｙカッ
トニオブ酸リチウム単結晶弾性表面波トランスデューサ
を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、櫛型電極の電極指エッジにおける弾性表
面波の停留を主原因とし、上記櫛型電極で励振される弾
性表面波の伝搬速度が、上記弾性表面波と同方向の速度
ベクトルを有し非表面波で上記櫛型電極又は材料の形状
に依存しない上記材料固有の弾性波の伝搬速度より遅く
なる様に、櫛型電極の電極の厚さｈと電極のピッチＰの
値を特定した。
め、本発明は、櫛型電極の電極指エッジにおける弾性表
面波の停留を主原因とし、上記櫛型電極で励振される弾
性表面波の伝搬速度が、上記弾性表面波と同方向の速度
ベクトルを有し非表面波で上記櫛型電極又は材料の形状
に依存しない上記材料固有の弾性波の伝搬速度より遅く
なる様に、櫛型電極の電極の厚さｈと電極のピッチＰの
値を特定した。
【０００９】特に、好ましい形態として、圧電材料にθ
度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板を用
い、櫛型電極にＡｌを主成分とする金属膜を用い、櫛型
電極の方向をニオブ酸リチウム結晶のＸ軸と平行にし、 （θ＋５）2／３００＋１１／１２≦ｈ／Ｐ×１００−
８≦−０．０００１×（θ＋５）3＋０．１６２５×
（θ＋５）＋５．５ 且つ −３０≦θ≦２０ とすることによって副共振（スプリアス）を無くした。
度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板を用
い、櫛型電極にＡｌを主成分とする金属膜を用い、櫛型
電極の方向をニオブ酸リチウム結晶のＸ軸と平行にし、 （θ＋５）2／３００＋１１／１２≦ｈ／Ｐ×１００−
８≦−０．０００１×（θ＋５）3＋０．１６２５×
（θ＋５）＋５．５ 且つ −３０≦θ≦２０ とすることによって副共振（スプリアス）を無くした。
【００１０】ここで、θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウ
ム単結晶圧電基板とは、ＩＲＥ標準の＋Ｙ軸からＩＲＥ
標準の＋Ｚ軸方向にθ度傾けた方向、又はＩＲＥ標準の
−Ｙ軸からＩＲＥ標準の−Ｚ軸方向にθ度傾けた方向に
対して略垂直（誤差１度以内）であるようにニオブ酸リ
チウム単結晶を切り出したニオブ酸リチウム単結晶圧電
基板を意味する。
ム単結晶圧電基板とは、ＩＲＥ標準の＋Ｙ軸からＩＲＥ
標準の＋Ｚ軸方向にθ度傾けた方向、又はＩＲＥ標準の
−Ｙ軸からＩＲＥ標準の−Ｚ軸方向にθ度傾けた方向に
対して略垂直（誤差１度以内）であるようにニオブ酸リ
チウム単結晶を切り出したニオブ酸リチウム単結晶圧電
基板を意味する。
【００１１】また、 ０.００１×θ＋０.１２≦ｈ／Ｐ、且つ−３０≦θ＜−
１０ 又は ０.１１≦ｈ／Ｐ、且つ−１０≦θ≦３０ とすることによってＱ値を高め低損失化を実現した。
１０ 又は ０.１１≦ｈ／Ｐ、且つ−１０≦θ≦３０ とすることによってＱ値を高め低損失化を実現した。
【００１２】さらに、 −０.００５×θ＋０.０７≦ｈ
／Ｐ≦−０.００４×θ＋０.１８−１０≦θ＜２０ 且
つ ０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ とし容量比を３以下とした。
／Ｐ≦−０.００４×θ＋０.１８−１０≦θ＜２０ 且
つ ０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ とし容量比を３以下とした。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を説明する前に本
発明の弾性表面波トランスデューサによる特性改善の原
理について説明する。弾性表面波共振器用トランスデュ
ーサの容量比γは、共振周波数をｆｒ、反共振周波数を
ｆaとすると γ＝１／｛（ｆａ／ｆｒ）2−１｝で表さ
れる。慣性質量の大きい物質が圧電材料表面に存在する
と、弾性表面波の伝搬速度が減少することを利用し、共
振周波数と反共振周波数を低くし、低容量比化を行って
いる。そのため、トランスデューサの金属電極材料に
は、慣性質量が大きい、つまり密度の大きいＡｕを用い
ていた。
発明の弾性表面波トランスデューサによる特性改善の原
理について説明する。弾性表面波共振器用トランスデュ
ーサの容量比γは、共振周波数をｆｒ、反共振周波数を
ｆaとすると γ＝１／｛（ｆａ／ｆｒ）2−１｝で表さ
れる。慣性質量の大きい物質が圧電材料表面に存在する
と、弾性表面波の伝搬速度が減少することを利用し、共
振周波数と反共振周波数を低くし、低容量比化を行って
いる。そのため、トランスデューサの金属電極材料に
は、慣性質量が大きい、つまり密度の大きいＡｕを用い
ていた。
【００１４】電極にＡｕを用いた弾性表面波共振器の開
発にはＣａｍｐｂｅｌｌ等が提案した弾性表面波の伝搬
速度計算シミュレータ（以下音速シミュレータと略す）
を用いていた。上記音速シミュレータでは、共振周波数
と反共振周波数を直接計算することはできない。図１に
上記音速シミュレータのモデルを示す。圧電基板２の表
面に膜厚ｈの金属膜１が存在する。圧電基板２と金属膜
１の界面を電気的に短絡したときに計算される二種（ラ
ブ波型表面波及びレーリ波）の伝搬速度Ｖｍ１、Ｖｍ
２、電気的に開放したときに計算される二種の伝搬速度
Ｖｏ１、Ｖｏ２から、電極ピッチをＰとすると近似的に
共振周波数ｆｒ１＝Ｖｍ１／Ｐ、ｆｒ２＝Ｖｍ２／Ｐ、
反共振周波数ｆａ１＝Ｖｏ１／Ｐ、ｆａ２＝Ｖｏ２／Ｐ
としていた。
発にはＣａｍｐｂｅｌｌ等が提案した弾性表面波の伝搬
速度計算シミュレータ（以下音速シミュレータと略す）
を用いていた。上記音速シミュレータでは、共振周波数
と反共振周波数を直接計算することはできない。図１に
上記音速シミュレータのモデルを示す。圧電基板２の表
面に膜厚ｈの金属膜１が存在する。圧電基板２と金属膜
１の界面を電気的に短絡したときに計算される二種（ラ
ブ波型表面波及びレーリ波）の伝搬速度Ｖｍ１、Ｖｍ
２、電気的に開放したときに計算される二種の伝搬速度
Ｖｏ１、Ｖｏ２から、電極ピッチをＰとすると近似的に
共振周波数ｆｒ１＝Ｖｍ１／Ｐ、ｆｒ２＝Ｖｍ２／Ｐ、
反共振周波数ｆａ１＝Ｖｏ１／Ｐ、ｆａ２＝Ｖｏ２／Ｐ
としていた。
【００１５】Ａｕ２％／ＹＸ−ＬＮでは、上記音速シミ
ュレータの計算値は実験値と良く一致していた（例え
ば、実験値として第２０回波動デバイス・周波数制御シ
ンポジウム予稿集（１９９１）第１１５頁から第１２０
頁、計算値として電子通信学会技術研究報告ユーエス８
６−３７第３１頁から第３８頁)。しかし、Ａｌ金属膜
を電極として用いた弾性表面波共振器では実験値と上記
音速シミュレータから得られる結果とは一致しない。Ａ
ｌ金属膜を電極として用いた場合について上記音速シミ
ュレータから計算される伝搬速度と電極ピッチＰの関係
を図２に示す。
ュレータの計算値は実験値と良く一致していた（例え
ば、実験値として第２０回波動デバイス・周波数制御シ
ンポジウム予稿集（１９９１）第１１５頁から第１２０
頁、計算値として電子通信学会技術研究報告ユーエス８
６−３７第３１頁から第３８頁)。しかし、Ａｌ金属膜
を電極として用いた弾性表面波共振器では実験値と上記
音速シミュレータから得られる結果とは一致しない。Ａ
ｌ金属膜を電極として用いた場合について上記音速シミ
ュレータから計算される伝搬速度と電極ピッチＰの関係
を図２に示す。
【００１６】図３は、カット角θ＝０のＡｌ金属膜を電
極としたＹカットニオブ酸リチウム単結晶を圧電基板と
した弾性表面波共振器用トランスデューサにおいて、一
開口共振器の共振周波数ｆｒ及び反共振周波数ｆａとＡ
ｌ電極膜厚ｈ、電極ピッチＰの関係の実験結果を示す。
縦軸、横軸とも図２と同じである。縦軸は共振周波数ｆ
ｒ又は反共振周波数ｆａと電極ピッチＰの積で、伝搬速
度の次元（ｍ／ｓ）をもつ。横軸はＡｌ電極膜厚ｈと電
極ピッチＰの比ｈ／Ｐである。図中Ｖｂはシュミレーシ
ョンによる圧電性物質Ｙカットニオブ酸リチウム固有の
弾性波の伝搬速度である。
極としたＹカットニオブ酸リチウム単結晶を圧電基板と
した弾性表面波共振器用トランスデューサにおいて、一
開口共振器の共振周波数ｆｒ及び反共振周波数ｆａとＡ
ｌ電極膜厚ｈ、電極ピッチＰの関係の実験結果を示す。
縦軸、横軸とも図２と同じである。縦軸は共振周波数ｆ
ｒ又は反共振周波数ｆａと電極ピッチＰの積で、伝搬速
度の次元（ｍ／ｓ）をもつ。横軸はＡｌ電極膜厚ｈと電
極ピッチＰの比ｈ／Ｐである。図中Ｖｂはシュミレーシ
ョンによる圧電性物質Ｙカットニオブ酸リチウム固有の
弾性波の伝搬速度である。
【００１７】同図から分かるように、電極膜厚ｈによっ
て、共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａが各２個（ｆｒ
１とｆｒ２及びｆａ１とｆａ２）存在するｈ／Ｐと実質
的に共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａが各１個存在す
るｈ／Ｐの範囲があり、これらは２種類の弾性表面波
（ラブ波型弾性表面波とレーリー波）が励振されるため
に、周波数特性にも２個の共振特性が表れる。副共振で
あるレーリー波の共振はｈ／Ｐ＝０.０７ではｆｒ１、
ｆａ１、ｈ／Ｐ＝０.１６〜０.２０ではｆｒ２、ｆａ２
である。ｈ／Ｐ＝０.０９〜０.１４ではラブ波型弾性表
面波とレーリー波が混成している。特にｈ／Ｐ＝０.１
０〜０.１３では混成が強いため、ｆａ１とｆｒ２が消
失している。ｆａ１とｆｒ２が消失しているため、共振
周波数及び反共振周波数がそれぞれ一個づつの共振特
性、すなわち副共振（スプリアス）のない共振特性が実
現できている。ｈ／Ｐ＝０.１６〜０.２０及びｈ／Ｐ＝
０.１０〜０.１３のそれぞれの場合における弾性表面波
共振器用トランスデューサのインピーダンスの複素成分
Ｉｍ（Ｚ）の周波数特性を図６（ａ）及び（ｂ）に示
す。
て、共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａが各２個（ｆｒ
１とｆｒ２及びｆａ１とｆａ２）存在するｈ／Ｐと実質
的に共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａが各１個存在す
るｈ／Ｐの範囲があり、これらは２種類の弾性表面波
（ラブ波型弾性表面波とレーリー波）が励振されるため
に、周波数特性にも２個の共振特性が表れる。副共振で
あるレーリー波の共振はｈ／Ｐ＝０.０７ではｆｒ１、
ｆａ１、ｈ／Ｐ＝０.１６〜０.２０ではｆｒ２、ｆａ２
である。ｈ／Ｐ＝０.０９〜０.１４ではラブ波型弾性表
面波とレーリー波が混成している。特にｈ／Ｐ＝０.１
０〜０.１３では混成が強いため、ｆａ１とｆｒ２が消
失している。ｆａ１とｆｒ２が消失しているため、共振
周波数及び反共振周波数がそれぞれ一個づつの共振特
性、すなわち副共振（スプリアス）のない共振特性が実
現できている。ｈ／Ｐ＝０.１６〜０.２０及びｈ／Ｐ＝
０.１０〜０.１３のそれぞれの場合における弾性表面波
共振器用トランスデューサのインピーダンスの複素成分
Ｉｍ（Ｚ）の周波数特性を図６（ａ）及び（ｂ）に示
す。
【００１８】図３の特性は図２の特性と明らかに異な
る。副共振（スプリアス）のない共振特性は電極材料に
Ａｕ等密度が大きい材料を用いないと現われないものと
されていたが、ｈ／Ｐが特定の範囲（０.０９〜０.１
４）では、電極材料に密度の小さいＡｌを用いても、同
様の現象が現われことが分かった。すなわち、カット角
θが０度で、０.０９≦ｈ／Ｐ≦０.１４のとき、副共振
の無い共振器ができる。
る。副共振（スプリアス）のない共振特性は電極材料に
Ａｕ等密度が大きい材料を用いないと現われないものと
されていたが、ｈ／Ｐが特定の範囲（０.０９〜０.１
４）では、電極材料に密度の小さいＡｌを用いても、同
様の現象が現われことが分かった。すなわち、カット角
θが０度で、０.０９≦ｈ／Ｐ≦０.１４のとき、副共振
の無い共振器ができる。
【００１９】さらに、図４は、図３のｆｒとｆａから計
算されるＡｌ金属膜を電極としたＹカットニオブ酸リチ
ウム単結晶を用いた弾性表面波共振器の容量比γとｈ／
Ｐの関係を示す。横軸はｈ／Ｐ、縦軸は１／γを表す。
同図から明らかなように、ｈ／Ｐ＝０.０９のとき、最
も容量比γが小さくなった。０.１４＜ｈ／Ｐでは、副
共振のため、γが急激に劣化する。また、０.０７≦ｈ
／Ｐ≦０.１４の範囲で、容量比γが３以下に小さくな
っている。
算されるＡｌ金属膜を電極としたＹカットニオブ酸リチ
ウム単結晶を用いた弾性表面波共振器の容量比γとｈ／
Ｐの関係を示す。横軸はｈ／Ｐ、縦軸は１／γを表す。
同図から明らかなように、ｈ／Ｐ＝０.０９のとき、最
も容量比γが小さくなった。０.１４＜ｈ／Ｐでは、副
共振のため、γが急激に劣化する。また、０.０７≦ｈ
／Ｐ≦０.１４の範囲で、容量比γが３以下に小さくな
っている。
【００２０】上記実験結果による現象は下述の原理によ
る。図５に示すような圧電基板２の表面に電極指４を設
けた弾性表面波共振器のトランスデューサにおいて、弾
性表面波の伝搬形態は、電極指空隙部と電極指１部では
全く異なり、電極指空隙部１と電極指部の境界である電
極指エッジ３部では、弾性表面波の伝搬形態の不整合性
から、弾性表面波の停留が生じる。弾性表面波の停留は
電極指４の厚さｈによって影響を受け、弾性表面波の伝
搬速度の減少を引き起こす作用がある。その結果共振周
波数ｆｒと反共振周波数ｆａの比（ｆａ／ｆｒ）がｈ／
Ｐの特定の範囲において増大する。
る。図５に示すような圧電基板２の表面に電極指４を設
けた弾性表面波共振器のトランスデューサにおいて、弾
性表面波の伝搬形態は、電極指空隙部と電極指１部では
全く異なり、電極指空隙部１と電極指部の境界である電
極指エッジ３部では、弾性表面波の伝搬形態の不整合性
から、弾性表面波の停留が生じる。弾性表面波の停留は
電極指４の厚さｈによって影響を受け、弾性表面波の伝
搬速度の減少を引き起こす作用がある。その結果共振周
波数ｆｒと反共振周波数ｆａの比（ｆａ／ｆｒ）がｈ／
Ｐの特定の範囲において増大する。
【００２１】上記原理に基づき、金属電極材料にＡｌを
使用し、圧電材料にＹカットニオブ酸リチウム単結晶を
用い、電極方位はＹカットニオブ酸リチウム単結晶のＸ
軸と平行方向にし、対数５０対、開口長３０Ｐである櫛
型電極構造を有する一開口共振器で、停留に関係をもつ
様々なθ、ｈ／Ｐの弾性表面波共振器を作製し、θ、ｈ
／Ｐと弾性表面波の停留、共振特性（共振周波数ｆｒ、
反共振周波数ｆａ，Ｑ値）、容量比の減少等の関係を測
定した。
使用し、圧電材料にＹカットニオブ酸リチウム単結晶を
用い、電極方位はＹカットニオブ酸リチウム単結晶のＸ
軸と平行方向にし、対数５０対、開口長３０Ｐである櫛
型電極構造を有する一開口共振器で、停留に関係をもつ
様々なθ、ｈ／Ｐの弾性表面波共振器を作製し、θ、ｈ
／Ｐと弾性表面波の停留、共振特性（共振周波数ｆｒ、
反共振周波数ｆａ，Ｑ値）、容量比の減少等の関係を測
定した。
【００２２】作製した共振器は、θ＝−３０、−２０、
−１０、０、１０、２０、３０、ｈ／Ｐ＝０.０７、０.
０９、０.１０、０.１１、０.１２、０.１３、０.１
４、０.１６、０.１８（電極膜厚ｈ＝１.８５μｍ、電
極ピッチＰ＝１０.３、１１.６、１３.２、１４.２、１
５.４、１６.８、１８.５、２０.６、２６.４μｍ）で
ある。その結果、−３０≦θ≦２０、ｈ／Ｐ≧０.０７
の時、弾性表面波の停留による共振周波数ｆｒ、反共振
周波数ｆａの減少が実験により確認できた。
−１０、０、１０、２０、３０、ｈ／Ｐ＝０.０７、０.
０９、０.１０、０.１１、０.１２、０.１３、０.１
４、０.１６、０.１８（電極膜厚ｈ＝１.８５μｍ、電
極ピッチＰ＝１０.３、１１.６、１３.２、１４.２、１
５.４、１６.８、１８.５、２０.６、２６.４μｍ）で
ある。その結果、−３０≦θ≦２０、ｈ／Ｐ≧０.０７
の時、弾性表面波の停留による共振周波数ｆｒ、反共振
周波数ｆａの減少が実験により確認できた。
【００２３】また、以下の弾性表面波共振器で副共振が
発生しなかった。 θ＝−３０のとき、 ｈ／Ｐ＝０.１１ θ＝−２０のとき、０.１０≦ｈ／Ｐ≦０.１１ θ＝−１０のとき、０.０９≦ｈ／Ｐ≦０.１２ θ＝ ０のとき、０.０９≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝ １０のとき、０.１０≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝ ２０のとき、０.１２≦ｈ／Ｐ≦０.１６ 以上のことから、θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単
結晶圧電基板表面に、ニオブ酸リチウム結晶のＸ軸と平
行にＡｌ櫛型電極を形成した場合、 （θ＋５）2／３００＋１１／１２≦ｈ／Ｐ×１００
−８≦−０.０００１×（θ＋５）3＋０.１６２５×
（θ＋５）＋５.５ 且つ −３０≦θ≦２０ のとき、副共振が生じない共振器を作成することができ
る。
発生しなかった。 θ＝−３０のとき、 ｈ／Ｐ＝０.１１ θ＝−２０のとき、０.１０≦ｈ／Ｐ≦０.１１ θ＝−１０のとき、０.０９≦ｈ／Ｐ≦０.１２ θ＝ ０のとき、０.０９≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝ １０のとき、０.１０≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝ ２０のとき、０.１２≦ｈ／Ｐ≦０.１６ 以上のことから、θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単
結晶圧電基板表面に、ニオブ酸リチウム結晶のＸ軸と平
行にＡｌ櫛型電極を形成した場合、 （θ＋５）2／３００＋１１／１２≦ｈ／Ｐ×１００
−８≦−０.０００１×（θ＋５）3＋０.１６２５×
（θ＋５）＋５.５ 且つ −３０≦θ≦２０ のとき、副共振が生じない共振器を作成することができ
る。
【００２４】次に共振特性の中で最も基礎的な要素であ
る共振Ｑ及び反共振Ｑを調べた。Ａｌ金属膜を電極とし
たＹカットニオブ酸リチウム単結晶を用いた弾性表面波
共振器では、遅い横波（バルク波）の共振周波数Ｖｂ／
Ｐより高周波側では弾性表面波のエネルギーがバルク波
に流失するため、Ｑ値が小さくなってしまう。このため
Ｑ値を大きくするためには共振Ｑはｆｒ＜ｆｂ、反共振
Ｑはｆａ＜ｆｂのとする必要があり、弾性表面波の共振
周波数ｆｒと反共振周波数ｆａは、バルク波の共振周波
数ｆｂ＝Ｖｂ／Ｐより小さくする必要があることが知ら
れている。試作した弾性表面波共振器のｆｒ、ｆａとｆ
ｂの比較を行った結果、共振周波数ｆｒは試作した全共
振器においてｆｒ＜ｆｂであった。反共振器周波数ｆａ
は以下の共振器でｆａ＜ｆｂであった。
る共振Ｑ及び反共振Ｑを調べた。Ａｌ金属膜を電極とし
たＹカットニオブ酸リチウム単結晶を用いた弾性表面波
共振器では、遅い横波（バルク波）の共振周波数Ｖｂ／
Ｐより高周波側では弾性表面波のエネルギーがバルク波
に流失するため、Ｑ値が小さくなってしまう。このため
Ｑ値を大きくするためには共振Ｑはｆｒ＜ｆｂ、反共振
Ｑはｆａ＜ｆｂのとする必要があり、弾性表面波の共振
周波数ｆｒと反共振周波数ｆａは、バルク波の共振周波
数ｆｂ＝Ｖｂ／Ｐより小さくする必要があることが知ら
れている。試作した弾性表面波共振器のｆｒ、ｆａとｆ
ｂの比較を行った結果、共振周波数ｆｒは試作した全共
振器においてｆｒ＜ｆｂであった。反共振器周波数ｆａ
は以下の共振器でｆａ＜ｆｂであった。
【００２５】 θ＝−３０のとき、 ０.０９≦ｈ／Ｐ θ＝−２０のとき、 ０.１０≦ｈ／Ｐ θ＝−１０のとき、 ０.１１≦ｈ／Ｐ θ＝ ０のとき、 ０.１１≦ｈ／Ｐ θ＝ １０のとき、 ０.１１≦ｈ／Ｐ θ＝ ２０のとき、 ０.１１≦ｈ／Ｐ θ＝ ３０のとき、 ０.１１≦ｈ／Ｐ 以上のことから、θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単
結晶圧電基板表面に、ニオブ酸リチウム結晶のＸ軸と平
行にＡｌ櫛型電極を形成した場合、 ０.００１×θ＋０.１２≦ｈ／Ｐ 且つ −３０≦θ
＜−１０ 又は ０.１１≦ｈ／Ｐ 且つ −１０≦θ≦３０ のとき、共振Ｑ及び反共振Ｑの優れた共振器を作成する
ことができる。
結晶圧電基板表面に、ニオブ酸リチウム結晶のＸ軸と平
行にＡｌ櫛型電極を形成した場合、 ０.００１×θ＋０.１２≦ｈ／Ｐ 且つ −３０≦θ
＜−１０ 又は ０.１１≦ｈ／Ｐ 且つ −１０≦θ≦３０ のとき、共振Ｑ及び反共振Ｑの優れた共振器を作成する
ことができる。
【００２６】次に共振特性の中で重要な要素である容量
比γを調べた。容量比γは以下の素子で３以下であっ
た。 θ＝−２０のとき、０.１１≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝−１０のとき、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝ ０のとき、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝ １０のとき、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１８ θ＝ ２０のとき、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１６ 以上のことから、θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単
結晶圧電基板表面に、ニオブ酸リチウム結晶のＸ軸と平
行にＡｌ櫛型電極を形成した場合、 −０.００５×θ＋０.０７≦ｈ／Ｐ≦−０.００４×
θ＋０.１８ 且つ −１０≦θ＜２０ 且つ ０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ のとき、容量比γの優れた共振器を作成することができ
る。
比γを調べた。容量比γは以下の素子で３以下であっ
た。 θ＝−２０のとき、０.１１≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝−１０のとき、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝ ０のとき、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ θ＝ １０のとき、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１８ θ＝ ２０のとき、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１６ 以上のことから、θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単
結晶圧電基板表面に、ニオブ酸リチウム結晶のＸ軸と平
行にＡｌ櫛型電極を形成した場合、 −０.００５×θ＋０.０７≦ｈ／Ｐ≦−０.００４×
θ＋０.１８ 且つ −１０≦θ＜２０ 且つ ０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ のとき、容量比γの優れた共振器を作成することができ
る。
【００２７】上記結果は電極対数、開口長を変えた場合
にも同様の結果が得られた。以上の事から、、又は
の条件で弾性表面波トランスデューサを作製すること
により、スプリアスの無い又は共振Ｑと反共振Ｑが共に
大きい又は容量比の優れた弾性表面波装置を低作製コス
トで作製することができる。また、上記トランスデュー
サを用いて弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタ、弾
性表面波発振器、弾性表面波相関器等の弾性表面波装置
を作成すれば、製作コストが安く、スプリアスの無い又
はＱが大きい又は広帯域な弾性表面波装置が実現され
る。
にも同様の結果が得られた。以上の事から、、又は
の条件で弾性表面波トランスデューサを作製すること
により、スプリアスの無い又は共振Ｑと反共振Ｑが共に
大きい又は容量比の優れた弾性表面波装置を低作製コス
トで作製することができる。また、上記トランスデュー
サを用いて弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタ、弾
性表面波発振器、弾性表面波相関器等の弾性表面波装置
を作成すれば、製作コストが安く、スプリアスの無い又
はＱが大きい又は広帯域な弾性表面波装置が実現され
る。
【００２８】
【実施例】図７及び図８は、それぞれ本発明によるの弾
性表面波トランスデューサの一実施例の平面図、及び図
７のＡ−Ａ’部分の断面図を示す。表面を平坦に研磨し
たＡｌ金属膜を電極としたＹカットニオブ酸リチウム単
結晶の圧電基板５の表面に、Ａｌを主成分（Ａｌが９８
％、Ｃｕが２％）とする膜厚ｈの金属膜で、電極ピッチ
Ｐ＝１.８５μｍで作成した櫛型電極（４Ｂ、４）をニ
オブ酸リチウム単結晶のＸ軸と平行に形成している。こ
こで−３０≦θ≦２０、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１８であ
る。櫛型電極は、電極方向と直角方向の多数の電極指４
と、その電極指４を交互に接続する２本のバスバー４Ｂ
をもつ。電極指４の幅ｗと電極指間隙ｓの比はほぼ１対
１に形成されている。２本のバスバー４Ｂ間に高周波電
気信号１３を印加すると、波数ベクトルをニオブ酸リチ
ウム単結晶のＸ軸又は−Ｘ軸方向とし、櫛型電極４のピ
ッチＰを略波長とする弾性表面波が圧電基板２の表面に
励振される。
性表面波トランスデューサの一実施例の平面図、及び図
７のＡ−Ａ’部分の断面図を示す。表面を平坦に研磨し
たＡｌ金属膜を電極としたＹカットニオブ酸リチウム単
結晶の圧電基板５の表面に、Ａｌを主成分（Ａｌが９８
％、Ｃｕが２％）とする膜厚ｈの金属膜で、電極ピッチ
Ｐ＝１.８５μｍで作成した櫛型電極（４Ｂ、４）をニ
オブ酸リチウム単結晶のＸ軸と平行に形成している。こ
こで−３０≦θ≦２０、０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１８であ
る。櫛型電極は、電極方向と直角方向の多数の電極指４
と、その電極指４を交互に接続する２本のバスバー４Ｂ
をもつ。電極指４の幅ｗと電極指間隙ｓの比はほぼ１対
１に形成されている。２本のバスバー４Ｂ間に高周波電
気信号１３を印加すると、波数ベクトルをニオブ酸リチ
ウム単結晶のＸ軸又は−Ｘ軸方向とし、櫛型電極４のピ
ッチＰを略波長とする弾性表面波が圧電基板２の表面に
励振される。
【００２９】図９は、本発明による弾性表面波トランス
デューサを用いて作成した一開口共振器の一実施例を５
０オーム系で測定したインピーダンスの周波数特性を示
す。図面の縦軸はインピーダンスの絶対値｜Ｚ｜（オー
ム）を、横軸は周波数を示している。本実施例によるＡ
ｌ金属膜を電極としたＹカットニオブ酸リチウム単結晶
基板は、θ＝０度（Ｙカット）、ｈ／Ｐ＝０.１１とし
た。共振周波数ｆｒは２０８.６８ＭＨｚ、反共振周波
数ｆａは２４１.８ＭＨｚであった。なお、共振周波数
ｆｒ、反共振周波数ｆａはインピーダンスの複素成分
（以下Ｉｍ（Ｚ）と略す）がゼロになる周波数で、共振
周波数ｆｒは負（−）側から、反共振周波数ｆａは正
（＋）からＩｍ（Ｚ）がゼロになる周波数とした。共振
周波数と反共振周波数のＱ値が大きく、スプリアス（副
共振）も発生していない。容量比γは γ＝１／｛（ｆａ／ｆｒ）2−１｝ で定義されるから、本実施例によれば、電極材料にＡｌ
を用いたにも係らず、Ｑ値が優れ、スプリアスが無く、
且つ低容量比γ＝２.９２と極めて低容量比な弾性表面
波共振器が実現されている。
デューサを用いて作成した一開口共振器の一実施例を５
０オーム系で測定したインピーダンスの周波数特性を示
す。図面の縦軸はインピーダンスの絶対値｜Ｚ｜（オー
ム）を、横軸は周波数を示している。本実施例によるＡ
ｌ金属膜を電極としたＹカットニオブ酸リチウム単結晶
基板は、θ＝０度（Ｙカット）、ｈ／Ｐ＝０.１１とし
た。共振周波数ｆｒは２０８.６８ＭＨｚ、反共振周波
数ｆａは２４１.８ＭＨｚであった。なお、共振周波数
ｆｒ、反共振周波数ｆａはインピーダンスの複素成分
（以下Ｉｍ（Ｚ）と略す）がゼロになる周波数で、共振
周波数ｆｒは負（−）側から、反共振周波数ｆａは正
（＋）からＩｍ（Ｚ）がゼロになる周波数とした。共振
周波数と反共振周波数のＱ値が大きく、スプリアス（副
共振）も発生していない。容量比γは γ＝１／｛（ｆａ／ｆｒ）2−１｝ で定義されるから、本実施例によれば、電極材料にＡｌ
を用いたにも係らず、Ｑ値が優れ、スプリアスが無く、
且つ低容量比γ＝２.９２と極めて低容量比な弾性表面
波共振器が実現されている。
【００３０】図１０は、本発明による端面反射型弾性表
面波共振器の実施例の斜視図である。θ度回転Ｙカット
ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板５の表面に、Ａｌを主
成分とし、数対の電極指を有する櫛型電極４がニオブ酸
リチウム単結晶のＸ軸方向に形成されている。θとｈ／
Ｐは、前述条件のいずれかに設定されている。弾性表面
波を効率的に閉じ込めるため、電極両端の電極指が他の
電極指の幅の半分の位置で切断されている。本実施例に
よると、端面反射型弾性表面波共振器は、電極指対数を
少なくすることができるため、製作コストを更に低減す
ることができる。
面波共振器の実施例の斜視図である。θ度回転Ｙカット
ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板５の表面に、Ａｌを主
成分とし、数対の電極指を有する櫛型電極４がニオブ酸
リチウム単結晶のＸ軸方向に形成されている。θとｈ／
Ｐは、前述条件のいずれかに設定されている。弾性表面
波を効率的に閉じ込めるため、電極両端の電極指が他の
電極指の幅の半分の位置で切断されている。本実施例に
よると、端面反射型弾性表面波共振器は、電極指対数を
少なくすることができるため、製作コストを更に低減す
ることができる。
【００３１】図１１は、本発明による弾性表面波トラン
スジューサの他の実施例の平面図である。本実施例は図
１０に示した弾性表面波トランスデューサを２個並べて
二開口共振器を構成したものである。本実施例は、θ度
回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板５の表面
に、Ａｌを主成分とし、数対の電極指を有する櫛型電極
４がニオブ酸リチウム単結晶のＸ軸と平行に形成されて
いる。θとｈ／Ｐは、上記条件のいずれかに設定されて
いる。２個のトランスデューサの相対位置関係は、ニオ
ブ酸リチウム単結晶のＸ軸と平行になっている。一方の
トランスデューサ４−１で電気信号を弾性表面波に、他
方のトランスデューサ４−２で弾性表面波を電気信号に
変換している。本実施例によると、作成コストの安いＡ
ｌを電極材料としたトランスデューサを２個用いること
により、安くて低損失、又は高Ｑ、又はスプリアスが無
い二開口共振器ができる。また、通過型フィルタとして
用いると、安くて通過周波数での損失が小さいフィルタ
を提供することができる。
スジューサの他の実施例の平面図である。本実施例は図
１０に示した弾性表面波トランスデューサを２個並べて
二開口共振器を構成したものである。本実施例は、θ度
回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板５の表面
に、Ａｌを主成分とし、数対の電極指を有する櫛型電極
４がニオブ酸リチウム単結晶のＸ軸と平行に形成されて
いる。θとｈ／Ｐは、上記条件のいずれかに設定されて
いる。２個のトランスデューサの相対位置関係は、ニオ
ブ酸リチウム単結晶のＸ軸と平行になっている。一方の
トランスデューサ４−１で電気信号を弾性表面波に、他
方のトランスデューサ４−２で弾性表面波を電気信号に
変換している。本実施例によると、作成コストの安いＡ
ｌを電極材料としたトランスデューサを２個用いること
により、安くて低損失、又は高Ｑ、又はスプリアスが無
い二開口共振器ができる。また、通過型フィルタとして
用いると、安くて通過周波数での損失が小さいフィルタ
を提供することができる。
【００３２】図１２は、本発明による複数の弾性表面波
共振器を用いたフィルタの他の実施例の回路図を示す。
本実施例は３個の弾性表面波共振器６−１、６−２及び
６−３でフィルタを構成したもので、３個の弾性表面波
共振器６−１、６−２及び６−３は、いずれも０度回転
Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板とその表面に
Ａｌ金属薄膜で形成された櫛型電極で構成されている。
電極対数は５０対、開口長は３０Ｐ、また櫛型電極の方
向はニオブ酸リチウム単結晶のＸ軸の方向に形成されて
いる。並列接続された２個の弾性表面波共振器６−１及
び６−３の電極ピッチＰは１４.２μｍ、Ａｌ金属薄膜
の膜厚ｈは１.６μｍ、また、直列接続されたさ弾性表
面波共振器６−２の電極ピッチＰは１６.８μｍ、Ａｌ
金属薄膜の膜厚ｈは１.８５μｍである。並列接続され
た弾性表面波共振器６−１及び６−３の反共振周波数と
直列接続されたさ弾性表面波共振器６−２の共振周波数
を一致させることにより、その周波数を通過周波数と
し、並列接続された弾性表面波共振器６−１及び６−３
の共振周波数と直列接続されたさ弾性表面波共振器６−
２の反共振周波数を阻止周波数とするバンドパスフィル
タを構成している。本実施例によれば、作成コストの安
いＡｌを電極材料とした弾性表面波共振器を複数個用い
ることにより、低コストで広帯域、高Ｑ、又はスプリア
スが無いフィルタが得られる。
共振器を用いたフィルタの他の実施例の回路図を示す。
本実施例は３個の弾性表面波共振器６−１、６−２及び
６−３でフィルタを構成したもので、３個の弾性表面波
共振器６−１、６−２及び６−３は、いずれも０度回転
Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板とその表面に
Ａｌ金属薄膜で形成された櫛型電極で構成されている。
電極対数は５０対、開口長は３０Ｐ、また櫛型電極の方
向はニオブ酸リチウム単結晶のＸ軸の方向に形成されて
いる。並列接続された２個の弾性表面波共振器６−１及
び６−３の電極ピッチＰは１４.２μｍ、Ａｌ金属薄膜
の膜厚ｈは１.６μｍ、また、直列接続されたさ弾性表
面波共振器６−２の電極ピッチＰは１６.８μｍ、Ａｌ
金属薄膜の膜厚ｈは１.８５μｍである。並列接続され
た弾性表面波共振器６−１及び６−３の反共振周波数と
直列接続されたさ弾性表面波共振器６−２の共振周波数
を一致させることにより、その周波数を通過周波数と
し、並列接続された弾性表面波共振器６−１及び６−３
の共振周波数と直列接続されたさ弾性表面波共振器６−
２の反共振周波数を阻止周波数とするバンドパスフィル
タを構成している。本実施例によれば、作成コストの安
いＡｌを電極材料とした弾性表面波共振器を複数個用い
ることにより、低コストで広帯域、高Ｑ、又はスプリア
スが無いフィルタが得られる。
【００３３】図１３は、本発明による弾性表面波共振器
を用いたコルピッツ型の弾性表面波電圧制御発振器の一
実施例の回路図を示す。本発振回路において、帰還信号
の位相を１８０度回すために、容量Ｃ１、Ｃ２と弾性表
面波共振器６−４を用いている。発振周波数を変化させ
るために、弾性表面波共振器６ー４と直列に可変容量８
が接続されている。抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６はトラ
ンジスタ７−１及び７−２のベース電位を決める抵抗、
Ｒ４、Ｒ８はトランジスタ７−１及び７−２に流れる電
流を決める抵抗、Ｒ３、Ｒ７は出力抵抗である。トラン
ジスタ７−１及び７−２を直流的に分離するために容量
Ｃ４が、また出力を大きくするために容量Ｃ３が接続さ
れている。
を用いたコルピッツ型の弾性表面波電圧制御発振器の一
実施例の回路図を示す。本発振回路において、帰還信号
の位相を１８０度回すために、容量Ｃ１、Ｃ２と弾性表
面波共振器６−４を用いている。発振周波数を変化させ
るために、弾性表面波共振器６ー４と直列に可変容量８
が接続されている。抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６はトラ
ンジスタ７−１及び７−２のベース電位を決める抵抗、
Ｒ４、Ｒ８はトランジスタ７−１及び７−２に流れる電
流を決める抵抗、Ｒ３、Ｒ７は出力抵抗である。トラン
ジスタ７−１及び７−２を直流的に分離するために容量
Ｃ４が、また出力を大きくするために容量Ｃ３が接続さ
れている。
【００３４】弾性表面波共振器６は、０度回転Ｙカット
ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板とその表面にＡｌ金属
薄膜で形成された櫛型電極で構成されている。電極対数
は５０対、開口長は３０Ｐ、また櫛型電極の方向はニオ
ブ酸リチウム単結晶のＸ軸の方向に形成されている。電
極ピッチＰは１６.８μｍ、Ａｌ金属薄膜の膜厚ｈは１.
８５μｍである。本実施例によると、作成コストの安い
Ａｌを電極材料とした弾性表面波共振器を用いることに
より、低コストで広可変周波数幅、高Ｑ、又はスプリア
スが無い弾性表面波電圧制御発振器が得られる。
ニオブ酸リチウム単結晶圧電基板とその表面にＡｌ金属
薄膜で形成された櫛型電極で構成されている。電極対数
は５０対、開口長は３０Ｐ、また櫛型電極の方向はニオ
ブ酸リチウム単結晶のＸ軸の方向に形成されている。電
極ピッチＰは１６.８μｍ、Ａｌ金属薄膜の膜厚ｈは１.
８５μｍである。本実施例によると、作成コストの安い
Ａｌを電極材料とした弾性表面波共振器を用いることに
より、低コストで広可変周波数幅、高Ｑ、又はスプリア
スが無い弾性表面波電圧制御発振器が得られる。
【００３５】図１４は、本発明による弾性表面波相関器
の一実施例の平面図である。弾性表面波相関器は、二個
の弾性表面波トランスデューサ４−１と４−２の間のニ
オブ酸リチウム単結晶圧電基板の表面に半導体膜として
ガリウム砒素化合物膜１２が成膜されている。二個の弾
性表面波トランスデューサ４−３と４−４は共に上記弾
性表面波トランスデューサを用いている。半導体膜１２
表面に形成された金属膜から出力信号を得ている。それ
ぞれの弾性表面波トランスデューサ４−３と４−４で励
振された弾性表面波が作る電場は半導体膜内にも侵入す
る。半導体膜の電気的非線形性から、２個の弾性表面波
の相関信号が出力される。本実施例によれば、作成コス
トの安いＡｌを電極材料とし、容量比が小さい弾性表面
波共振器を用いているため、低コスト低損失でＢＴ積が
大きい、高Ｑ又はスプリアスが無い弾性表面波相関器が
得られる。
の一実施例の平面図である。弾性表面波相関器は、二個
の弾性表面波トランスデューサ４−１と４−２の間のニ
オブ酸リチウム単結晶圧電基板の表面に半導体膜として
ガリウム砒素化合物膜１２が成膜されている。二個の弾
性表面波トランスデューサ４−３と４−４は共に上記弾
性表面波トランスデューサを用いている。半導体膜１２
表面に形成された金属膜から出力信号を得ている。それ
ぞれの弾性表面波トランスデューサ４−３と４−４で励
振された弾性表面波が作る電場は半導体膜内にも侵入す
る。半導体膜の電気的非線形性から、２個の弾性表面波
の相関信号が出力される。本実施例によれば、作成コス
トの安いＡｌを電極材料とし、容量比が小さい弾性表面
波共振器を用いているため、低コスト低損失でＢＴ積が
大きい、高Ｑ又はスプリアスが無い弾性表面波相関器が
得られる。
【００３６】弾性表面波相関器には、バルク半導体を用
いたものもある。このときは、バルク半導体をニオブ酸
リチウム単結晶の表面に載せる、又はギャップを設けて
載せる。また、半導体を用いずに、ニオブ酸リチウム単
結晶の有する弾性的非線形性を利用するものもある。い
ずれの場合でも、トランスデューサに本発明を適用する
ことにより、上記性能を有する弾性表面波相関器を提供
することができる。また、無線通信機端末等にこれらの
共振器、フィルタ、発振器、相関器を用いることで、端
末の値段を安くすることができる。
いたものもある。このときは、バルク半導体をニオブ酸
リチウム単結晶の表面に載せる、又はギャップを設けて
載せる。また、半導体を用いずに、ニオブ酸リチウム単
結晶の有する弾性的非線形性を利用するものもある。い
ずれの場合でも、トランスデューサに本発明を適用する
ことにより、上記性能を有する弾性表面波相関器を提供
することができる。また、無線通信機端末等にこれらの
共振器、フィルタ、発振器、相関器を用いることで、端
末の値段を安くすることができる。
【００３７】以上本発明の実施例について説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、電極指
エッジでの弾性表面波の停留を利用しているため、電極
指幅と電極指間隙の比が１対１以外のものも本発明の効
果があることは明らかである。また、櫛型電極指の構成
も、間引き、アポタイズ等の重み付けされた櫛型電極を
有するものでもよい。更に、電極材料もＡｌの上にＡｌ
と密度が似ている酸化珪素などを形成したものでもよ
い。弾性表面波を用いた装置では、圧電基板の結晶の対
称性から、θ度回転Ｙカットとθ＋１８０度回転Ｙカッ
トは全く等価である。このため、上記発明が、θをθ＋
１８０に置き換えても、同意味であることは明らかであ
る。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、電極指
エッジでの弾性表面波の停留を利用しているため、電極
指幅と電極指間隙の比が１対１以外のものも本発明の効
果があることは明らかである。また、櫛型電極指の構成
も、間引き、アポタイズ等の重み付けされた櫛型電極を
有するものでもよい。更に、電極材料もＡｌの上にＡｌ
と密度が似ている酸化珪素などを形成したものでもよ
い。弾性表面波を用いた装置では、圧電基板の結晶の対
称性から、θ度回転Ｙカットとθ＋１８０度回転Ｙカッ
トは全く等価である。このため、上記発明が、θをθ＋
１８０に置き換えても、同意味であることは明らかであ
る。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上
に、アルミニウムを主成分とする金属膜で作られた櫛型
電極を形成し、櫛型電極をニオブ酸リチウム結晶のＸ軸
と平行にし、θ及び電極の膜厚ｈを上記条件にした弾性
表面波トランスデューサを用いると、低容量比の弾性表
面波共振器、弾性表面波フィルタ、弾性表面波発振器、
弾性表面波相関器等弾性表面波装置の製作コストを下げ
る効果がある。また、これらのものを無線通信機器に適
用することにより、無線通信機器の作成コストを下げる
効果がある。
θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板上
に、アルミニウムを主成分とする金属膜で作られた櫛型
電極を形成し、櫛型電極をニオブ酸リチウム結晶のＸ軸
と平行にし、θ及び電極の膜厚ｈを上記条件にした弾性
表面波トランスデューサを用いると、低容量比の弾性表
面波共振器、弾性表面波フィルタ、弾性表面波発振器、
弾性表面波相関器等弾性表面波装置の製作コストを下げ
る効果がある。また、これらのものを無線通信機器に適
用することにより、無線通信機器の作成コストを下げる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】音速シミュレータのモデルを示した図
【図２】Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板にお
いて、ｈ／Ｐと音速シミュレータから計算される弾性表
面波の伝搬速度の関係を示した図
いて、ｈ／Ｐと音速シミュレータから計算される弾性表
面波の伝搬速度の関係を示した図
【図３】Ａｌ金属膜を電極としたＹカットニオブ酸リチ
ウム単結晶をによる一開口共振器において、θ＝０度と
し、θ一開口共振器の共振周波数ｆｒ及び反共振周波数
ｆａとＡｌ電極膜厚ｈの関係の実験結果を示す図
ウム単結晶をによる一開口共振器において、θ＝０度と
し、θ一開口共振器の共振周波数ｆｒ及び反共振周波数
ｆａとＡｌ電極膜厚ｈの関係の実験結果を示す図
【図４】図３のｆｒとｆａから計算されるＡｌ金属膜を
電極としたＹカットニオブ酸リチウム単結晶をを用いた
弾性表面波共振器の容量比γの膜厚依存性を示す図
電極としたＹカットニオブ酸リチウム単結晶をを用いた
弾性表面波共振器の容量比γの膜厚依存性を示す図
【図５】発明の作用説明のための弾性表面波トランスデ
ューサの部分断面図
ューサの部分断面図
【図６】弾性表面波トランスデューサのインピーダンス
の複素成分の周波数特性図
の複素成分の周波数特性図
【図７】本発明によるの弾性表面波トランスデューサの
一実施例の平面図
一実施例の平面図
【図８】図７のＡ−Ａ’部分の断面図
【図９】本発明による弾性表面波トランスデューサを用
いた一開口共振器の一実施例のインピーダンス特性図
いた一開口共振器の一実施例のインピーダンス特性図
【図１０】本発明による端面反射型弾性表面波共振器の
他の実施例の斜視図
他の実施例の斜視図
【図１１】本発明による二開口共振器の一実施例の平面
図
図
【図１２】本発明による複数の弾性表面波共振器を用い
たフィルタの一実施例の回路図
たフィルタの一実施例の回路図
【図１３】本発明による弾性表面波共振器を用いたコル
ピッツ型の弾性表面波電圧制御発振器の一実施例の回路
図
ピッツ型の弾性表面波電圧制御発振器の一実施例の回路
図
【図１４】本発明による弾性表面波相関器の一実施例の
平面図
平面図
１…アルミニウム、金等低抵抗金属で形成された櫛型電
極、 ２…表面を平坦に研磨された圧電材料、 ３…電極指エッジ近傍に発生した弾性表面波の停留、 ４…アルミニウムを主成分とする金属で形成された櫛型
電極、 ５…θ回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板、 ６…本発明の一実施例である弾性表面波共振器、 ７…増幅器、 ８…可変容量、 ９…定電圧電源用端子 １０…可変容量用コントロール電源端子、 １１…出力端子、 １２…表面に出力端子として金属膜が形成されたガリウ
ム砒素化合物膜 １３…高周波信号。
極、 ２…表面を平坦に研磨された圧電材料、 ３…電極指エッジ近傍に発生した弾性表面波の停留、 ４…アルミニウムを主成分とする金属で形成された櫛型
電極、 ５…θ回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板、 ６…本発明の一実施例である弾性表面波共振器、 ７…増幅器、 ８…可変容量、 ９…定電圧電源用端子 １０…可変容量用コントロール電源端子、 １１…出力端子、 １２…表面に出力端子として金属膜が形成されたガリウ
ム砒素化合物膜 １３…高周波信号。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅井 健吾 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 平１−120110（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−260213（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/25
Claims (9)
- 【請求項１】θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶
圧電基板の表面に櫛型電極とを有する弾性表面波トラン
スデューサにおいて、上記櫛型電極の方向をニオブ酸リ
チウム単結晶のＸ軸と平行とし、上記櫛型電極の主成分
をアルミニウムとし、且つ上記圧電基板のカット角θと
上記櫛型電極の電極指の膜厚ｈと上記電極指のピッチＰ
の関係を、 （θ＋５） 2 ／３００＋１１／１２≦ｈ／Ｐ×１００−８ ≦−０.０００１×（θ＋５） 3 ＋０.１６２５×（θ＋５）＋５.５ 且つ −３０≦θ≦２０ としたことを特徴とする弾性表面波トランスデューサ。 - 【請求項２】上記圧電基板のカット角θと上記櫛型電極
の電極指の膜厚ｈと上記電極指のピッチＰの関係を、更
に ０.００１×θ＋０.１２≦ｈ／Ｐ、且つ−３０≦θ＜−１０ 又は ０.１１≦ｈ／Ｐ、且つ−１０≦θ≦３０ としたことを特徴とする請求項1記載の弾性表面波トラ
ンスデューサ。 - 【請求項３】θ度回転Ｙカットニオブ酸リチウム単結晶
圧電基板の表面に櫛型電極とを有する弾性表面波トラン
スデューサにおいて、上記櫛型電極の方向をニオブ酸リ
チウム単結晶のＸ軸と平行とし、上記櫛型電極の主成分
をアルミニウムとし、且つ上記圧電基板のカット角θと
上記櫛型電極の電極指の膜厚ｈと上記櫛型電極の電極ピ
ッチＰの関係を −０.００５×θ＋０.０７≦ｈ／Ｐ≦−０.００４×θ＋０.１８ 且つ −１０≦θ＜２０ 且つ ０.０７≦ｈ／Ｐ≦０.１４ としたことを特徴とする弾性表面波トランスデューサ。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載の弾性表面波トラ
ンスデューサを少なくとも一個有することを特徴とする
弾性表面波共振器。 - 【請求項５】圧電材料の平坦に研磨された面に弾性表面
波トランスデューサを複数形成した弾性表面波フィルタ
において、上記弾性表面波トランスデューサの少なくと
も二個が請求項１、２又は３記載の弾性表面波トランス
デューサであり、上記少なくとも二個の弾性表面波トラ
ンスデューサの相対位置関係がニオブ酸リチウム単結晶
のＸ軸と平行であることを特徴とする弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項６】請求項４記載の弾性表面波共振器を複数個
電気的に接続したこと特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項７】請求項４記載の弾性表面波共振器を有する
ことを特徴とした弾性表面波発振器。 - 【請求項８】圧電材料の平坦に研磨された面を少なくと
も一つ有する面に弾性表面波トランスデューサを複数形
成した弾性表面波相関器において、上記弾性表面波トラ
ンスデューサの少なくても一個が請求項１、２又は３記
載の弾性表面波トランスデューサであることを特徴とし
た弾性表面波相関器。 - 【請求項９】請求項１、２又は３記載の弾性表面波トラ
ンスデューサ、請求項４記載の弾性表面波共振器、請求
項５又は６の弾性表面波フィルタ、請求項７記載の弾性
表面波発振器又は請求項８記載の弾性表面波相関器のい
ずれかを有することを特徴とした無線通信機。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17485995A JP3285469B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 弾性表面波装置 |
| US08/676,683 US5814917A (en) | 1995-07-11 | 1996-07-10 | Surface acoustic wave equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17485995A JP3285469B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927727A JPH0927727A (ja) | 1997-01-28 |
| JP3285469B2 true JP3285469B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=15985909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17485995A Expired - Lifetime JP3285469B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 弾性表面波装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5814917A (ja) |
| JP (1) | JP3285469B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3206548B2 (ja) * | 1998-05-14 | 2001-09-10 | 株式会社村田製作所 | 表面波フィルタ、共用器、通信機装置 |
| JP3353742B2 (ja) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、表面波装置、通信機装置 |
| JP2001036378A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性波装置 |
| JP3897229B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2007-03-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波フィルタ |
| JP3744479B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2006-02-08 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機 |
| EP1401099B1 (en) * | 2002-04-15 | 2012-06-06 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device, and mobile communication device and sensor both using same |
| JP2004254291A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-09-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| US6940209B2 (en) | 2003-09-08 | 2005-09-06 | New Scale Technologies | Ultrasonic lead screw motor |
| US7170214B2 (en) * | 2003-09-08 | 2007-01-30 | New Scale Technologies, Inc. | Mechanism comprised of ultrasonic lead screw motor |
| US7309943B2 (en) * | 2003-09-08 | 2007-12-18 | New Scale Technologies, Inc. | Mechanism comprised of ultrasonic lead screw motor |
| US6938905B1 (en) | 2004-11-05 | 2005-09-06 | Haiming Tsai | Hand truck |
| US20070206370A1 (en) * | 2006-03-05 | 2007-09-06 | Paul Crunk | Low Power LED-Fluorescent Lighting System |
| DE112007001405B4 (de) * | 2006-06-16 | 2013-12-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oberflächenschallwellenvorrichtung |
| JP2009027689A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-02-05 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタと、それを用いたアンテナ共用器 |
| JP2011182220A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 弾性波共振器及びこれを用いた縦結合二重モードフィルタ、ラダー型フィルタ |
| WO2016129662A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
| JP6970402B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2021-11-24 | メリット・メディカル・システムズ・インコーポレイテッドMerit Medical Systems, Inc. | 補強シリンジ本体 |
| WO2019094763A1 (en) | 2017-11-13 | 2019-05-16 | Merit Medical Systems, Inc. | Staged deflation syringe systems and associated methods |
| US11595019B2 (en) * | 2018-04-20 | 2023-02-28 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave resonator, filter, and multiplexer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3863497A (en) * | 1972-10-24 | 1975-02-04 | Sperry Rand Corp | Acoustic delay surface wave motion transducers |
| US3858064A (en) * | 1973-08-30 | 1974-12-31 | Sperry Rand Corp | Stable acoustic delay surface wave motion transducer systems |
| US3894286A (en) * | 1974-01-28 | 1975-07-08 | Crystal Tech Inc | Temperature compensated voltage tunable circuits using surface wave devices |
| US3940636A (en) * | 1975-03-03 | 1976-02-24 | Sperry Rand Corporation | Acoustic delay surface wave motion transducer systems with enhanced stability |
| US5506552A (en) * | 1993-11-05 | 1996-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with multiple ground terminals |
-
1995
- 1995-07-11 JP JP17485995A patent/JP3285469B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-07-10 US US08/676,683 patent/US5814917A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0927727A (ja) | 1997-01-28 |
| US5814917A (en) | 1998-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3285469B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS581850B2 (ja) | 表面音響波変換器 | |
| JPH029485B2 (ja) | ||
| US4249146A (en) | Surface acoustic wave resonators utilizing harmonic frequencies | |
| JPS60126907A (ja) | 単一応答複合圧電振動素子 | |
| Colombo et al. | Sub-GHz X-Cut Lithium Niobate S₀ Mode MEMS Resonators | |
| JPH08288788A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP3950611B2 (ja) | 弾性表面波共振器 | |
| JPH1084245A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP3373840B2 (ja) | ラーメモード水晶振動子 | |
| Isobe et al. | Propagation characteristics of longitudinal leaky SAW in Al-grating structure | |
| JP3281510B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP3068140B2 (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JP3379383B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH1188100A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP2000312125A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH10126208A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH09266431A (ja) | 体積超音波トランスジューサ及び弾性表面波装置 | |
| WO1997047085A1 (fr) | Element a onde acoustique de surface | |
| JPH0450652Y2 (ja) | ||
| JP3201971B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3276826B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP3132109B2 (ja) | ２ポートｓａｗ共振子 | |
| Hunt et al. | Ballato electronic circuit models for programmable SAW filters | |
| Li et al. | Optimal design of an RSPUDT-based SAW filter with constant group delay |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120308 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130308 Year of fee payment: 11 |