JP4148216B2 - 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 - Google Patents
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Description
適用例8の発明は、請求項1乃至6のいずれかに記載の弾性表面波デバイスを用いることを特徴とした発振回路である。
Tp=−50(℃):H/λ≒−1.02586×10−4×θ3 −1.73238×10−2×θ2−0.977607×θ−18.3420
Tp=0(℃):H/λ≒−9.87591×10−5×θ3−1.70304×10−2×θ2−0.981173×θ−18.7946
Tp=+70(℃):H/λ≒−1.44605×10−4×θ3−2.50690×10−2×θ2−1.45086×θ−27.9464
Tp=+125(℃):H/λ≒−1.34082×10−4×θ3−2.34969×10−2×θ2−1.37506×θ−26.7895
2 IDT
3a、3b グレーティング反射器
4a、4b 入出力用パッド
5a、5b 金属ワイヤ
6 パッケージ
31 圧電基板
32、33 IDT
34a、34b グレーティング反射器
41 圧電基板
42 SAW共振子
51 圧電基板
52 IDT
61 圧電基板
62 1ポートSAW共振子
71 圧電基板
72 入力用IDT
73 出力用IDT
74 シールド電極
75 吸音材
82、83 一方向性電極
Claims (8)
- 圧電基板と、該圧電基板上に形成されAl又はAlを主成分とする合金からなるIDTとを備え、前記IDTの両側にグレーティング反射器を有し、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、
前記圧電基板は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に−64.0°<θ<−49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、
励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記IDTの波長で基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12とし、
前記IDTを構成する電極指のライン占有率mrを電極指幅/(電極指幅+電極指間スペース)とした時に、前記ライン占有率mrを0.53≦mr≦0.65とすることを特徴とした弾性表面波デバイス。 - 圧電基板と、該圧電基板上に形成されAl又はAlを主成分とする合金からなるIDTとを備え、前記IDTの両側にグレーティング反射器を有し、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、
前記圧電基板は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に−64.0°<θ<−49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、
励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記IDTの波長で基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12とし、
前記IDTを構成する電極指のライン占有率mrを電極指幅/(電極指幅+電極指間スペース)とした時に、前記ライン占有率mrを0.55≦mr≦0.68とすることを特徴とした弾性表面波デバイス。 - 圧電基板と、該圧電基板上に形成されAl又はAlを主成分とする合金からなるIDTとを備え、前記IDTの両側にグレーティング反射器を有し、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、
前記圧電基板は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に−64.0°<θ<−49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、
励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記IDTの波長で基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12とし、
前記IDTを構成する電極指のライン占有率mrを電極指幅/(電極指幅+電極指間スペース)とした時に、前記ライン占有率mrを0.55≦mr≦0.65とすることを特徴とした弾性表面波デバイス。 - 前記カット角θが−61.4°<θ<−51.1°の範囲に設定されていることを特徴とした請求項1乃至3のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
- 前記電極膜厚H/λが0.05<H/λ<0.10の範囲に設定されていることを特徴とした請求項1乃至4のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
- 前記電極膜厚H/λが0.04≦H/λ≦0.08の範囲に設定されていることを特徴とした請求項1乃至4のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の弾性表面波デバイスを用いることを特徴としたモジュール装置。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の弾性表面波デバイスを用いることを特徴とした発振回路。
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