JPWO2006137464A1 - 弾性表面波デバイス、モジュール、及び発振器 - Google Patents

Abstract

課題水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴの放射コンダクタンスのピーク周波数と反射器の反射係数のピーク周波数のずれによるＱ値の劣化を防止する。解決手段圧電基板１上に、ＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板である。そして、弾性表面波の波長をλとし、ＩＤＴの電極ピッチをＬｔ、前記反射器の電極ピッチをＬｒとした時、波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とし、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比Ｌｔ／Ｌｒを３１．５００×（Ｈ／λ）２−４．４３５×（Ｈ／λ）＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×（Ｈ／λ）２＋０．５０００×（Ｈ／λ）＋０．９７９６の範囲に設定する。

Description

本発明は、水晶基板を用いた弾性表面波デバイスにおいて、Ｑ値を高めることを目的とした弾性表面波デバイス、モジュール、および発振器に関する。

近年、弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷ）デバイスは移動体通信用端末や車載用機器等の部品として幅広く利用され、小型であること、Ｑ値が高いこと、周波数温度特性が優れていること等が強く要求されている。
これらの要求を実現するＳＡＷデバイスとして、ＳＴカット水晶基板を用いたＳＡＷデバイスがある。ＳＴカット水晶基板は結晶Ｘ軸を回転軸としてＸＺ面を結晶Ｚ軸より反時計方向に４２．７５°回転した面（ＸＺ’面）を持つ水晶板のカット名であり、結晶Ｘ軸方向に伝搬するレイリー波と呼ばれる（Ｐ＋ＳＶ）波であるＳＡＷ（以下、ＳＴカット水晶ＳＡＷと称す）を利用する。ＳＴカット水晶ＳＡＷデバイスの用途は、発振素子として用いられるＳＡＷ共振子や、移動体通信端末のＲＦ段とＩＣ間に配置されるＩＦ用フィルタなど幅広く存在する。
ＳＴカット水晶ＳＡＷデバイスが小型でＱ値の高いデバイスを実現できる理由として、ＳＡＷの反射を効率良く利用できる点が挙げられる。図４に示すＳＴカット水晶ＳＡＷ共振子を例に説明すると、ＳＴカット水晶ＳＡＷ共振子は、ＳＴカット水晶基板１０１上にそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有するくし形電極（以下、ＩＤＴと称す）１０２を配置し、該ＩＤＴ１０２の両側にＳＡＷを反射する為のグレーティング反射器１０３ａ、１０３ｂを配置した構造である。ＳＴカット水晶ＳＡＷは圧電基板の表面に沿って伝搬する波であるので、グレーティング反射器１０３ａ、１０３ｂにより効率良く反射され、ＳＡＷのエネルギーをＩＤＴ１０２の内部に十分閉じ込めることができるので、小型で且つＱ値の高いデバイスが得られる。
更に、ＳＡＷデバイスを使用する上で重要な要素に周波数温度特性がある。上述のＳＴカット水晶ＳＡＷにおいては、周波数温度特性の１次温度係数が零であり、その特性は２次曲線で表され、頂点温度を使用温度範囲の中心に位置するように調整すると周波数変動量が格段に小さくなるので周波数安定性に優れていることが一般的に知られている。
しかしながら、前記ＳＴカット水晶ＳＡＷデバイスは、１次温度係数は零であるが、２次温度係数は−０．０３４（ｐｐｍ／℃２）と比較的大きいので、使用温度範囲を拡大すると周波数変動量が極端に大きくなってしまうという問題があった。
前記問題を解決する手法として、Ｍｅｉｒｉｏｎ Ｌｅｗｉｓ，“Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｋｉｍｍｉｎｇ Ｂｕｌｋ Ｗａｖｅ，ＳＳＢＷ”，ＩＥＥＥ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．，ｐｐ．７４４〜７５２（１９７７）、及び特公昭６２−０１６０５０号公報に開示されたＳＡＷデバイスがある。このＳＡＷデバイスは、図５に示すように回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−５０°回転した付近に設定し、且つ、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して垂直方向（Ｚ’軸方向）にしたことが特徴である。なお、前述のカット角をオイラー角で表示する場合は（０°，θ＋９０°，９０°）＝（０°，４０°，９０°）となる。このＳＡＷデバイスは、圧電基板の表面直下を伝搬するＳＨ波をＩＤＴによって励起し、その振動エネルギーを電極直下に閉じ込めることを特徴としていて、周波数温度特性が３次曲線となり、使用温度範囲における周波数変動量が極めて少なくなるので良好な周波数温度特性が得られる。
しかしながら、前記ＳＨ波は基本的に基板内部に潜って進んでいく波であるため、圧電基板表面に沿って伝搬するＳＴカット水晶ＳＡＷと比較してグレーティング反射器によるＳＡＷの反射効率が悪い。従って、小型で高Ｑ値なＳＡＷデバイスを実現し難いという問題がある。また、前述の先行文献においてもＳＡＷの反射を利用しない遅延線としての応用については開示されているものの、ＳＡＷの反射を利用したデバイスへの応用は提案されておらず、発振素子やフィルタ素子としての実用化は困難であると言われていた。
この問題を解決すべく、特公平０１−０３４４１１号公報では、図６に示すように回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−５０°付近に設定し、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し垂直方向（Ｚ’軸方向）にした圧電基板１１１上に８００±２００対もの多対のＩＤＴ１１２を形成することにより、グレーティング反射器を利用せずＩＤＴ１１２自体の反射だけでＳＡＷエネルギーを閉じ込め高Ｑ値化を図った所謂多対ＩＤＴ型ＳＡＷ共振子が開示されている。
しかしながら、前記多対ＩＤＴ型ＳＡＷ共振子はグレーティング反射器を設けたＳＡＷ共振子と比較して効率的なエネルギー閉じ込め効果が得られず、高いＱ値を得るのに必要なＩＤＴ対数が８００±２００対と非常に多くなってしまうので、ＳＴカット水晶ＳＡＷ共振子よりもデバイスサイズが大きくなってしまい、近年の小型化の要求に応えることができないという問題があった。
また、前記特公平０１−０３４４１１号公報に開示されているＳＡＷ共振子においては、ＩＤＴにて励振されたＳＡＷの波長をλとした時、電極膜厚を２％λ以上、好ましくは４％λ以下にすることによりＱ値を高めることができるとされており、共振周波数２００ＭＨｚの場合、４％λ付近でＱ値が飽和に達するが、その時のＱ値は２００００程度しか得られずＳＴカット水晶ＳＡＷ共振子と比較してもほぼ同等のＱ値しか得られない。この原因として、膜厚が２％λ以上４％λ以下の範囲ではＳＡＷが圧電基板表面に十分集まっていないので反射が効率良く利用できないことが考えられる。
そこで、本発明者は特願２００４−３１０４５２号にて、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°、好ましくは−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板上に、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴを形成し、該ＩＤＴのＳＡＷの波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２、好ましくは０．０５＜Ｈ／λ＜０．１０としたＳＡＷデバイスを発明した。当該発明によれば、本来、圧電基板内部に潜って進んでいく波を基板表面に集中させてグレーティング反射器等によりＳＡＷの反射を効率良く利用することができるので、従来のＳＴカット水晶ＳＡＷデバイスと比較して小型でＱ値が高く、且つ周波数温度特性に優れたＳＡＷデバイスが実現できる。
ところで、ＳＡＷ共振子のＱ値を高くするには、圧電基板の表面上にＳＡＷの振動エネルギーを閉じ込めて、振動損失を極力減少せしめることが重要であり、そのためにはＩＤＴの放射コンダクタンスのピーク周波数と反射器の反射係数のピーク周波数を合わせる必要がある。図７は、ＩＤＴの電極ピッチをＬｔ、反射器の電極ピッチをＬｒとした時にＬｔ＝Ｌｒとした時のＩＤＴの放射コンダクタンスＧと反射器の反射係数｜Γ｜を示している。同図に示すように、ＩＤＴの放射コンダクタンスＧのピーク周波数ｆｔと反射器の反射係数｜Γ｜のピーク周波数ｆｒの間にはずれが生じていることが分かる。これは、ＩＤＴの中心周波数で十分な反射状態にならないことを意味しており、Ｑ値が劣化する原因となる。
そこで、ｆｔとｆｒを一致させるべく、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比Ｌｔ／Ｌｒを補正する必要がある。Ｌｔ／Ｌｒは、圧電基板のカットアングルや電極膜厚により補正値が変化するので、設計条件に応じてＬｔ／Ｌｒを適宜選択しないとｆｔとｆｒがずれてしまいＱ値が劣化する原因となる。従って、特願２００４−３１０４５２号に記載のＳＡＷデバイスにおいても、ｆｔとｆｒが一致するようなＬｔ／Ｌｒの最適値を検討する必要があった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、特願２００４−３１０４５２号に開示されたＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比Ｌｔ／Ｌｒを最適に設定することにより、ＩＤＴの放射コンダクタンスのピーク周波数と反射器の反射係数のピーク周波数を一致させ、高いＱ値を実現することを目的とする。

本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板と、該圧電基板の主面上に形成した少なくとも１つのＩＤＴとその両側に反射器とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとしたとき、前記ＩＤＴの波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とし、前記ＩＤＴの電極ピッチをＬｔ、前記反射器の電極ピッチをＬｒとしたとき、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比Ｌｔ／Ｌｒを３１．５０×（Ｈ／λ）２−４．４３５×（Ｈ／λ）＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×（Ｈ／λ）２＋０．５０００×（Ｈ／λ）＋０．９７９６の範囲に設定することを特徴とする。
また、前記ＩＤＴ及び前記反射器は、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金から形成されていることを特徴とする。
また、本発明のモジュールは、前述の弾性表面波デバイスを備えていることを特徴とする。
また、本発明の発振器は、前述の弾性表面波デバイスを備えていることを特徴とする。

本発明に係るＳＡＷデバイスの一例としてのＳＡＷ共振子を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は電極部の拡大図。 本発明に係るＳＡＷデバイスの電極膜厚Ｈ／λが０．０５、０．０６、０．０７である時のＬｔ／ＬｒとＱ値の関係を示すグラフ。 本発明に係るＳＡＷデバイスの２００００以上のＱ値が得られるＨ／λとＬｔ／Ｌｒの領域を示すグラフ。 従来のＳＴカット水晶ＳＡＷ共振子を説明する平面図。 −５０°回転Ｙカット９０°Ｘ伝搬水晶基板を説明する図であり、（ａ）は、正面図、（ｂ）は平面図。 従来の多対ＩＤＴ型ＳＡＷ共振子を説明する平面図。 ＩＤＴの放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性を示すグラフ。

以下、本発明の実施の形態を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明に係るＳＡＷデバイスの一例としてのＳＡＷ共振子の平面図を示しており、圧電基板１上に正電極指と負電極指とがそれぞれ互いに間挿し合うＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にＳＡＷを反射する為のグレーティング反射器３ａ、３ｂとを配置する。そして、前記ＩＤＴ２の入出力パッド４ａ、４ｂとパッケージ６の入出力用端子とを金属ワイヤ５ａ、５ｂにより電気的に導通し、パッケージ６の開口部を蓋（リッド）で気密封止する。圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°に設定し、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対しほぼ垂直方向（９０°±５°）にした水晶平板であって、励振するＳＡＷはＳＨ波である。なお、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂの電極材料はＡｌ又はＡｌを主成分とする合金である。また、図１（ｂ）は、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂの拡大図を示しており、ＩＤＴ２上を励振するＳＡＷの波長をλ、ＩＤＴ２の電極ピッチをＬｔ、グレーティング反射器３ａ、３ｂの電極ピッチをＬｒとし、電極指幅をＬ、電極指間スペースをＳとしている。なお、以下に示す実施例では、電極膜厚Ｈを波長で基準化した値Ｈ／λで表し、ライン占有率ｍｒを電極指幅Ｌ／（電極指幅Ｌ＋電極指間スペースＳ）で表し、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比をＬｔ／Ｌｒで表すこととする。
本発明では、特願２００４−３１０４５２号に記載の回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°に設定し、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対しほぼ垂直方向（９０°±５°）にした水晶平板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、Ｌｔ／Ｌｒを最適に設定し、ＩＤＴの放射コンダクタンスのピーク周波数と反射器の反射係数のピーク周波数を一致させることにより、振動エネルギーを効率よく閉じ込めて高Ｑ化を図った。
図２は、電極膜厚Ｈ／λを０．０５、０．０６、０．０７とした時のＬｔ／ＬｒとＱ値の関係を示している。ここでは水晶基板のカット角θを−５２°±０．５°、ライン占有率ｍｒを０．６０、ＩＤＴ２の対数を１００対、グレーティング反射器３ａ、３ｂの本数を各々１００本とし、共振周波数を３１５ＭＨｚとしたＳＡＷ共振子を試作し、その実験結果をプロットした。いずれの電極膜厚の条件においても、Ｌｔ／Ｌｒ＝０．９９５付近でＱ値は約２５０００の最大値をとり、Ｌｔ／Ｌｒ＝０．９９５よりずれるとＱ値が減少することが分かる。また、Ｈ／λ＝０．０５の場合で０．９９０≦Ｌｔ／Ｌｒ≦０．９９７の範囲、Ｈ／λ＝０．０６の場合で０．９８０≦Ｌｔ／Ｌｒ≦０．９９８の範囲、Ｈ／λ＝０．０７の場合で０．９９７≦Ｌｔ／Ｌｒ≦１．００の範囲において２００００以上もの高いＱ値が得られた。これは、Ｌｔ／Ｌｒを補正することにより、ＩＤＴの放射コンダクタンスのピーク周波数が、反射係数の大きい周波数である範囲に入っているためだと考えられる。
ここで、特公平０１−０３４４１１号公報の多対ＩＤＴ型ＳＡＷ共振子と本発明のＳＡＷ共振子のＱ値を比較すると、特公平０１−０３４４１１号公報で得られているＱ値は共振周波数が２０７．５６１（ＭＨｚ）における値であり、これを本実施例で適用している共振周波数３１５（ＭＨｚ）に変換するとＱ値は１５０００程度であり、本発明のＳＡＷデバイスのＱ値は、１５０００を超える。本発明のＳＡＷデバイスのＱ値は、特公平０１−０３４４１１号公報で得られているＱ値よりも大きいことが分かる。また、共振子のサイズを比較すると、特公平０１−０３４４１１号公報の多対ＩＤＴ型ＳＡＷ共振子は８００±２００対もの対数が必要なのに対し、本発明はＩＤＴの両方で２００対分の大きさで十分であるので格段に小型化できる。
次に、図３は、図２に示す電極膜厚Ｈ／λの各条件において、２００００以上のＱ値が得られるＬｔ／Ｌｒの上限値及び下限値をプロットした図を示している。ここで、Ｌｔ／Ｌｒの上限値を表す近似式を曲線Ａとし、Ｌｔ／Ｌｒの下限値を表す近似式を曲線Ｂとした時、曲線Ａ及びＢは以下のように表すことができる。曲線Ａ：Ｌｔ／Ｌｒ≒−３．０００×（Ｈ／λ）２＋０．５００×（Ｈ／λ）＋０．９７９６曲線Ｂ：Ｌｔ／Ｌｒ≒３１．５０×（Ｈ／λ）２−４．４３５×（Ｈ／λ）＋１．１３３この曲線Ａ及びＢに囲まれる領域内にＬｔ／Ｌｒを設定すれば、２００００以上のＱ値を得ることができる。即ち、０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とした時に、Ｌｔ／ＬｒとＨ／λを３１．５０×（Ｈ／λ）２−４．４３５×（Ｈ／λ）＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×（Ｈ／λ）２＋０．５０００×（Ｈ／λ）＋０．９７９６の範囲内に設定すれば良い。
以上説明した通り、本発明に係るＳＡＷデバイスは、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°に設定し、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対しほぼ垂直方向（９０°±５°）にした水晶平板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、電極膜厚Ｈ／λを０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とした時に、Ｌｔ／Ｌｒを３１．５０×（Ｈ／λ）２−４．４３５×（Ｈ／λ）＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×（Ｈ／λ）２＋０．５０００×（Ｈ／λ）＋０．９７９６の範囲内に設定することにより、従来品と比較して小型で高いＱ値を実現することができる。
また、特願２００４−３１０４５２号に記載されているように、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６１．４°＜θ＜−５１．４°に設定すれば、周波数温度特性の頂点温度を実用的な０〜７０℃の間に設定することができる。
以上では電極膜厚Ｈ／λを０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とした場合についてのみ説明してきたが、これ以外の電極膜厚であっても３１．５０×（Ｈ／λ）２−４．４３５×（Ｈ／λ）＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×（Ｈ／λ）２＋０．５０００×（Ｈ／λ）＋０．９７９６の範囲内にＬｔ／Ｌｒを設定すればＱ値の高いＳＡＷデバイスを実現できる。また、ライン占有率ｍｒは０．６０に固定したが、これ以外のライン占有率としても良い。電極材料についても上述ではＡｌ又はＡｌを主成分とする合金としたが、それ以外のＴａ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ等の金属又はそれらを主成分とする合金としても良い。
デバイス構造に関しては、図１に示すような１ポートのＳＡＷ共振子以外に、２ポートＳＡＷ共振子、ＳＡＷ共振子の音響結合を利用した２重モードＳＡＷ（ＤＭＳ）フィルタ、ＳＡＷ共振子を直列腕と並列腕に梯子状に配置したラダー型ＳＡＷフィルタ、入力用ＩＤＴと出力用ＩＤＴを所定の間隙をあけて配置したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ等のＳＡＷデバイスに適用しても良い。
また、上述のＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴやグレーティング反射器上にＳｉＯ２等の保護膜やＡｌを陽極酸化した保護膜等を形成したり、Ａｌ電極の上部あるいは下部に密着層あるいは耐電力向上等の目的で別の金属薄膜を形成した場合においても、本発明と同様の効果を得られることは明らかである。また、センサ装置やモジュール装置、発振回路等にも本発明のＳＡＷデバイスを適用可能である。
また、本発明のＳＡＷデバイスは、図１に示すようなＳＡＷチップとパッケージをワイヤボンディングした構造以外でも良く、ＳＡＷチップの電極パッドとパッケージの端子とを金属バンプで接続したフリップチップボンディング（ＦＣＢ）構造や、配線基板上にＳＡＷチップをフリップチップボンディングしＳＡＷチップの周囲を樹脂封止したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造、或いは、ＳＡＷチップ上に金属膜や樹脂層を形成することによりパッケージや配線基板を不要としたＷＬＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造等にしても良い。更には、水晶デバイスを水晶又はガラス基板で挟んで積層封止したＡＱＰ（Ａｌｌ Ｑｕａｒｔｚ Ｐａｃｋａｇｅ）構造としても良い。前記ＡＱＰ構造は、水晶又はガラス基板で挟んだだけの構造であるのでパッケージが不要で薄型化が可能であり、低融点ガラス封止や直接接合とすれば接着剤によるアウトガスが少なくなりエージング特性に優れた効果を奏する。
以上説明したように、本発明によれば、カット角θが−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲にある回転Ｙカット水晶基板を用い、ＳＡＷの伝搬方向が結晶Ｘ軸に対して９０°±５°として励振されるＳＨ波を用い、ＩＤＴ及びグレーティング反射器の電極材料をＡｌまたはＡｌを主とした合金にて構成し、波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とし、前記ＩＤＴの電極ピッチをＬｔ、前記反射器の電極ピッチをＬｒとしたとき、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比Ｌｔ／Ｌｒを３１．５０×（Ｈ／λ）２−４．４３５×（Ｈ／λ）＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×（Ｈ／λ）２＋０．５０００×（Ｈ／λ）＋０．９７９６の範囲に設定することにより、ＩＤＴの放射コンダクタンスのピーク周波数を反射器の反射係数の周波数範囲内に位置させることができるので、高いＱ値を実現することが可能な弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを提供することができる。また、前述のＳＡＷデバイスをモジュール装置、又は発振回路等に用いれば、小型化、高性能化を実現できる。

Claims (4)

1. 圧電基板と、該圧電基板の主面上に形成した少なくとも１つのＩＤＴとその両側に反射器とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとしたとき、前記ＩＤＴの波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とし、前記ＩＤＴの電極ピッチをＬｔ、前記反射器の電極ピッチをＬｒとしたとき、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比Ｌｔ／Ｌｒを３１．５０×（Ｈ／λ）２−４．４３５×（Ｈ／λ）＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×（Ｈ／λ）２＋０．５０００×（Ｈ／λ）＋０．９７９６の範囲に設定することを特徴とした弾性表面波デバイス。
2. 前記ＩＤＴ及び前記反射器は、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金から形成されていることを特徴とした請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
3. 請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスを用いたモジュール。
4. 請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスを用いた発振器。