JP2010103803A - 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 - Google Patents
弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010103803A JP2010103803A JP2008273971A JP2008273971A JP2010103803A JP 2010103803 A JP2010103803 A JP 2010103803A JP 2008273971 A JP2008273971 A JP 2008273971A JP 2008273971 A JP2008273971 A JP 2008273971A JP 2010103803 A JP2010103803 A JP 2010103803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- surface acoustic
- acoustic wave
- wave resonator
- line occupancy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 154
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14547—Fan shaped; Tilted; Shifted; Slanted; Tapered; Arched; Stepped finger transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】IDT12における電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、IDT12は、中央部に配置された第1領域14aと、その両側に配置された第2領域14bおよび第3領域14cとを備え、電極指間隔が第1領域14a、第2領域14b、第3領域14cのそれぞれの領域内において一様であり、かつ第1領域14aに比べて第2領域14bおよび第3領域14cは電極指間隔が大きく形成され、ライン占有率が第1領域14a、第2領域14b、第3領域14cのそれぞれの領域内において一様であり、第1領域14aは第2領域14bおよび第3領域14cに比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、第2領域14bおよび第3領域14cは第1領域14aに比べて弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有している。
【選択図】図1
Description
近年、携帯機器の普及により、これらに使用される弾性表面波共振子の小型化が要求されている。弾性表面波共振子の小型化のために、すだれ状電極により形成されたIDT(Interdigital Transducer)の対数を減少させると、Q値の低下あるいはCI(クリスタルインピーダンス)値の増加が起こり、弾性表面波共振子の特性が充分に得られないという問題がある。
Q値の低下は安定した弾性表面波の励振を阻害し、またCI値の増加は発振回路での消費電力の増加となっている。
この対策として、例えば特許文献1には、IDTを3つの領域に区分し、各領域のIDTの電極指を2%以内で異なる一定の周期長で形成することで、Q値を向上させてCI値を低下させ、弾性表面波共振子の小型化を可能にする技術が開示されている。
電極指間隔は、IDTの第1領域、第2領域、第3領域のそれぞれの領域内において一様であり、かつ第1領域に比べて第2領域および第3領域は電極指間隔が大きく形成されている。また、ライン占有率は第1領域、第2領域、第3領域のそれぞれの領域内において一様であり、第1領域は第2領域および第3領域に比べて電気機械結合係数が大きいライン占有率を有し、第2領域および第3領域は第1領域に比べて弾性表面波の反射が大きいライン占有率を有している。
弾性表面波共振子に生ずる弾性表面波の定在波は、IDTの中央に配置された第1領域で振動変位が大きくなり、その両外側に配置された第2領域および第3領域では振動変位が小さい。振動変位の大きい第1領域においては、CI値の上昇を抑制するため電気機械結合係数の高まるライン占有率を選択し、振動変位の小さい第2領域および第3領域においてはIDT内への振動エネルギーの閉じ込め効果を高めるために、弾性表面波の反射を大きくするライン占有率を選択する。これにより、CI値とQ値の両方が良好な弾性表面波共振子を実現することができる。
このことから、Q値を向上させて弾性表面波共振子の小型化を可能にし、CI値を低減して消費電力の少ない弾性表面波共振子を提供することができる。
(比較例)
最初に、本発明の実施形態との比較のため、従来技術を利用した弾性表面波共振子について説明する。
図13は、特開2004−194275号公報の発明に基づく弾性表面波共振子を説明する説明図である。
弾性表面波共振子100は、圧電基板としての水晶基板101にすだれ状電極からなるIDT102と、弾性表面波が伝播する方向にIDT102を両側から挟むように形成された1対の反射器103と、を有している。
IDT102は、電気的な極性が異なるように電極指102a,102bが交互に配列されて形成されている。この2本の電極指102a,102bを1対の電極指と呼ぶ。
また、IDT102は、中央部に第1領域104a、その両側に第2領域104b、および第3領域104cの3つの領域に区分されている。ここで、隣接する電極指102aと電極指102bの中心と中心との間隔を電極指間隔PTとする。各領域内においては、電極指間隔PTが一様であるが、領域により電極指間隔PTを異ならせて形成している。第1領域104aの電極指間隔をPTc、第2領域104bの電極指間隔をPTs2、第3領域104cの電極指間隔をPTs3とすると、PTc<PTs2=PTs3、となる関係にある。
反射器103は電極指103aが多数配列され、電気的に中立となるように形成されている。また、隣接する電極指103aの中心と中心との間隔である電極指間隔をPTrとすると、PTc<PTs2=PTs3<PTr、となる関係にある。
ここで、IDT102および反射器103における弾性表面波の伝播する方向に電極指の占める割合をライン占有率ηと呼ぶ。詳しくは図14に示すように、電極指102a,102bの線幅をL、隣接する電極指との間(電極指が形成されていないスペース部分)の寸法をS、隣接する電極指の中心と中心との間隔である電極指間隔をPTとすると、PT=S+(L/2+L/2)、ライン占有率η=(L/2+L/2)/PT、である。
なお、IDT102と反射器103は金属材料のアルミニウム(Al)で形成され、所定の膜厚(0.06λ:λは弾性表面波の波長)に設定されている。また、IDT102における電極指の対数は第1領域104aで68対、第2領域104bおよび第3領域104cでそれぞれ34対、反射器103でそれぞれ57対である(総対数250対)。電極指間隔はPTc=10.00μm、PTs=10.07μm、PTr=10.10μmである。
以上のような弾性表面波共振子100において、特性としてQ値が20500、CI値が18Ωを実現している。
(第1の実施形態)
図1は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図2は電極指の位置と電極指間隔の関係を示す説明図であり、図3は電極指の位置とライン占有率の関係を示す説明図である。また、図4は水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向を示す説明図である。
この弾性表面波共振子1は、IDT12で励振された弾性表面波は矢印H方向に伝播し、電極指12a,12bを交差する方向に弾性表面波が進行する。
また、IDT12は、3つの領域に区分され、中央部が第1領域14a、その両側が第2領域14b、および第3領域14cである。ここで、隣接する電極指12aと電極指12bの中心と中心との間隔を電極指間隔PTとする。図2に示すように、第1領域14a、第2領域14b、第3領域14cの各領域内においては、電極指間隔PTが一様であるが、領域により電極指間隔PTを異ならせて形成している。第1領域14aの電極指間隔をPTc、第2領域14bの電極指間隔をPTs2、第3領域14cの電極指間隔をPTs3とすると、PTc<PTs2=PTs3、となる関係にある。
なお、第2領域14bの電極指間隔をPTs2と第3領域14cの電極指間隔をPTs3とは、それぞれを第1領域14aの電極指間隔をPTcより小さく形成すれば、異なって形成しても良い。
図3に示すように、IDT12の第1領域14a、第2領域14b、第3領域14cの各領域内においては、ライン占有率ηが一様であるが、領域によりライン占有率ηを異ならせて形成している。第1領域14aのライン占有率ηc、第2領域14bおよび第3領域14cのライン占有率ηsとすると、ηc>ηs、となる関係にある。
また、反射器13のライン占有率ηrとすると、ηc=ηr、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子1において、特性としてQ値が22700、CI値が16Ωを得た。このように、前述した弾性表面波共振子100に比べて、Q値およびCI値が向上した弾性表面波共振子1を得ることができた。
図5はIDTにおけるライン占有率と実効的結合係数との関係を示すグラフである。
弾性表面波共振子において、Q値と共に、CI値または等価抵抗R1が重要な特性であり、これを低くすることで消費電力を低く抑えることができる。このCI値または等価抵抗R1を低下させるためには、電気機械結合係数K2を高める必要がある。
電気機械結合係数K2は、次式から求めることができる。
K2=(2(Vo−Vs)/Vo)×100 〔%〕
ただし、Vo:IDTの各電極指を互いに電気的開放状態にした場合における弾性表面波の伝搬速度、Vs:IDTの各電極指を互いに電気的短絡状態にした場合における弾性表面波の伝搬速度である。
ライン占有率ηを変えたときの電気機械結合係数は、IDT開放時と短絡時との規格化した速度の差より求まり、ここでは実効的結合係数として示した。
本実施形態では、IDT12の第1領域には、大きな実効的結合係数を有するライン占有率ηの範囲として、0.35以上0.5以下の範囲を選択している。
Q値はライン占有率ηが0.15から大きくなるに従い上昇して、ライン占有率ηが約0.2で最大になる。このときのQ値はおよそ20000である。そして、ライン占有率ηが0.2からさらに大きくなるとQ値は低下していく。
Q値と反射量は相関関係にあり、Q値が最大となるとき反射量もほぼ最大になる。
つまり、反射量はライン占有率ηが約0.2で弾性表面波の反射がほぼ最大となり、このとき、共振子における振動エネルギーの閉じ込めが良好になり、Q値が最大となる。
このことから、本実施形態では、IDT12の第2領域および第3領域には、大きな反射を有するライン占有率ηの範囲として、0.35未満の範囲を選択している。
IDT12において、第1領域では、実効的結合係数の大きなライン占有率である0.35以上0.5以下の範囲とし、IDT12の端部である第2領域と第3領域では反射が大きくなるようにライン占有率を0.35未満としている。
弾性表面波共振子1に生ずる弾性表面波の定在波は、IDT12の中央に配置された第1領域14aで振動変位が大きくなり、その両外側に配置された第2領域14bおよび第3領域14cでは振動変位が小さい。振動変位の大きい第1領域14aにおいては、CI値の上昇を抑制するため電気機械結合係数の高まるライン占有率を選択し、振動変位の小さい第2領域14bおよび第3領域14cにおいてはIDT12内への振動エネルギーの閉じ込め効果を高めるために、弾性表面波の反射を大きくするライン占有率を選択する。これにより、CI値とQ値の両方が良好な弾性表面波共振子1を実現することができる。
このことから、Q値を向上させて弾性表面波共振子1の小型化を可能にし、CI値を低減して消費電力の少ない弾性表面波共振子1を提供することができる。
この図のように、ライン占有率ηが0.1から大きくなるに従い、周波数変動量は小さくなっていき、ライン占有率ηが約0.4において、ライン占有率ηが変動したときの周波数変動量が最小となる。
このため、第1領域14aに周波数変動量が小さいライン占有率ηの範囲を選択すれば、ライン占有率ηが変動したときの周波数変動量を小さくすることができる。
本実施形態ではIDT12の第1領域14aのライン占有率ηcとして、0.35以上0.5以下としている。
従って、製造時の周波数ばらつきを低減でき、周波数精度の高い弾性表面波共振子1を得ることができる。
電極指間隔シフト量は、IDT12の第1領域14aにおける電極指間隔PTcと、第2領域14bまたは第3領域14cにおける電極指間隔PTsとの比PTs/PTcである。
従来の弾性表面波共振子100は、電極指間隔シフト量が1.007のときに最大にQ値20500を得る。また、本実施形態の弾性表面波共振子1は電極指間隔シフト量が1.010のときに最大のQ値22700となり、従来の弾性表面波共振子100に比べて約11%のQ値を高めることができる。
また、電極指間隔シフト量を1.006以上、1.014以下に設定すれば、従来の弾性表面波共振子100に比べてQ値が向上した弾性表面波共振子1が得られる。
(第2の実施形態)
弾性表面波共振子は、図4における水晶基板11において、弾性表面波の伝搬方向がX軸(ψ=0°±3°)となるようにIDTを配置するものである。
また、IDTの各領域における電極指間隔は第1の実施形態と同様(図1,図2参照)であり、弾性表面波共振子の構成の説明は省略する。
図9に示すように、ライン占有率ηが0.2から大きくなるに従い、実効的結合係数が上昇してライン占有率ηが約0.5にて実効的結合係数が最大になる。このときの実効的結合係数はおよそ0.075%であり、同じQ値であれば、CI値または等価抵抗R1が最小となる。そして、ライン占有率ηが0.5から大きくなると実効的結合係数が低下する。
本実施形態では、IDT12の第1領域には、大きな実効的結合係数を有するライン占有率ηの範囲として、0.4以上0.6以下の範囲を選択している。
ここで、規格化反射量とは反射によって生じる周波数低下率から求めた弾性表面波反射量である。具体的には、ストップバンドの下端での共振周波数をFl、ストップバンドの上端での共振周波数をFh、水晶基板11の自由表面における弾性表面波伝搬速度をVf、弾性表面波の波長をλとした場合、規格化反射量は{(Fh−Fl)/2}/(Vf/λ)で表されるパラメータである。
反射量はライン占有率ηが約0.8で弾性表面波の反射がほぼ最大となり、このとき、共振子における振動エネルギーの閉じ込めが良好になり、Q値が最大となる。
このことから、本実施形態では、IDT12の第2領域および第3領域には、大きな反射を有するライン占有率ηの範囲として、0.6を超える値の範囲を選択している。
本実施形態では、IDTにおいて、第1領域では、実効的結合係数の大きなライン占有率である0.4以上0.6以下の範囲とし、IDT12の端部である第2領域と第3領域では反射が大きくなるようにライン占有率0.6を超える値としている。
このことから、Q値を向上させて弾性表面波共振子の小型化を可能にし、CI値を低減して消費電力の少ない弾性表面波共振子を提供することができる。
さらに、第1、第2の実施形態では、IDTの電極の膜厚をそれぞれ0.06λまたは0.04λ(λは弾性表面波の波長)としたが、これ以外の電極膜厚でも、同様な効果が得られることを確認した。
また、第1、第2の実施形態では、IDTの第1領域のライン占有率ηcと反射器のライン占有率ηrを等しく設定しているが、ηcとηrは必ずしも等しくする必要はない。例えば、反射器での反射が大きくなるように反射器のライン占有率ηrを設定しても良く、この場合第1の実施形態では反射器のライン占有率ηrを0.35未満にし、第2の実施形態では反射器のライン占有率ηrが0.6を超える値とすればよい。反射器のライン占有率はIDTの第2領域と第3領域の少なくとも一方のライン占有率と等しくしても良いし、IDTの第1〜第3領域と反射器の全ての領域でライン占有率が異なるようにしても良い。
また、第1、第2の実施形態では、IDTの第2領域と第3領域とで電極指間隔を等しくしたが、第2領域と第3領域の電極指間隔は互いに異なっていても良い。
また、第1、第2の実施形態では、IDTの両側に反射器を設けた構成としたが、反射器のない構成としても、同様な効果を得ることができる。
(第3の実施形態)
図11は弾性表面波共振子をパッケージ内に搭載した弾性表面波発振器を示す概略断面図である。
弾性表面波発振器30は、セラミックパッケージ31、ICチップ32、弾性表面波共振子1、蓋体37などを備えている。
セラミックパッケージ31には、開口された凹部38が形成されている。また、セラミックパッケージ31には凹部38を囲むようにコバールなどの金属材料で形成されたシームリング35が設けられている。さらに、セラミックパッケージ31の外周面には、回路基板などの外部との接続を果たす外部接続電極36が形成されている。なお、図示しないが外部接続電極36とセラミックパッケージ31の凹部38内とを接続する配線が設けられている。
このように、Q値が向上しCI値が低減した弾性表面波共振子1をセラミックパッケージ31内に搭載していることから、弾性表面波の励振が安定し、消費電力が低下した弾性表面波発振器30を得ることができる。
(第4の実施形態)
図12は弾性表面波モジュール装置の一例として、回路基板に弾性表面波共振子を搭載して受信機モジュールを構成した回路ブロック図である。
受信アンテナ41はLNA42を介して混合器43の入力に接続している。また、局部発振器44も混合器43の入力に接続している。この局部発振器44は、弾性表面波共振子と弾性表面波共振子を励振させる発振回路を備えている。これにより、局部発振器44は、周波数信号を混合器43に確実に出力できる。そして、混合器43の出力には、IF増幅器45と検波器46が直列に接続している。
なお、上記の受信機モジュールを外装などに取り付けて、電子機器として構成することも可能である。
Claims (7)
- 圧電基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するIDTが設けられた弾性表面波共振子であって、
前記電極指の幅を、隣接する前記電極指の中心と中心との間隔である電極指間隔で除した値をライン占有率とし、
前記IDTにおける電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、前記弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、
前記IDTは、中央部に配置された第1領域と、該第1領域の両側に配置された第2領域および第3領域とを備え、
前記電極指間隔が前記第1領域、前記第2領域、前記第3領域のそれぞれの領域内において一様であり、かつ前記第1領域に比べて前記第2領域および前記第3領域は前記電極指間隔が大きく形成され、
前記ライン占有率が前記第1領域、前記第2領域、前記第3領域のそれぞれの領域内において一様であり、前記第1領域は前記第2領域および前記第3領域に比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、前記第2領域および前記第3領域は前記第1領域に比べて前記弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有していることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1に記載の弾性表面波共振子において、
前記第1領域における電極指間隔PTcと前記第2領域おける電極指間隔PTs2との比PTs2/PTcが、1.006以上、1.014以下であり、かつ、
前記第1領域における電極指間隔PTcと前記第3領域おける電極指間隔PTs3との比PTs3/PTcが、1.006以上、1.014以下であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1または2に記載の弾性表面波共振子において、
前記第1領域では電気機械結合係数が最大となるライン占有率を有し、
前記第2領域および前記第3領域では前記弾性表面波の反射が最大となるライン占有率を有していることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
前記圧電基板がオイラー角(−1°〜+1°,113°〜135°,±(40°〜49°))の水晶基板であり、
前記第1領域のライン占有率が0.35以上0.5以下で、前記第2領域および前記第3領域のライン占有率が0.35未満、であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
前記圧電基板がオイラー角(−1°〜+1°,121°〜132°,−3°〜+3°)の水晶基板であり、
前記第1領域のライン占有率が0.4以上0.6以下で、前記第2領域および前記第3領域のライン占有率が0.6を超える値、であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子と回路素子とをパッケージに搭載したことを特徴とする弾性表面波発振器。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子を回路基板に搭載したことを特徴とする弾性表面波モジュール装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008273971A JP5239741B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
US12/603,225 US8084917B2 (en) | 2008-10-24 | 2009-10-21 | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module device |
US13/305,880 US8736140B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-11-29 | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008273971A JP5239741B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010103803A true JP2010103803A (ja) | 2010-05-06 |
JP5239741B2 JP5239741B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=42116783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008273971A Expired - Fee Related JP5239741B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8084917B2 (ja) |
JP (1) | JP5239741B2 (ja) |
Cited By (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014208664A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
JP2015032889A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 日本電波工業株式会社 | 弾性表面波素子、発振器及び電子部品 |
WO2017131170A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器および通信装置 |
JP2017523642A (ja) * | 2014-08-19 | 2017-08-17 | スナップトラック・インコーポレーテッド | 音響表面波で動作する1ポート共振器 |
JP2018026695A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社日本製鋼所 | 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波デバイスおよび接合基板の製造方法 |
JP2018032904A (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 京セラ株式会社 | 容量素子、弾性波素子および弾性波モジュール |
CN108428783A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-21 | 济南大学 | 一种纵向梯度压电纤维复合材料及其制备方法 |
JP2018182460A (ja) * | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
US10389363B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-08-20 | Seiko Epson Corporation | Oscillator, electronic apparatus, and vehicle |
WO2021177108A1 (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 京セラ株式会社 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器、通信装置 |
JP2022119204A (ja) * | 2021-02-03 | 2022-08-16 | レゾナント インコーポレイテッド | マルチマーク・インターデジタル変換器を有する横方向励起フィルムバルク音響共振器 |
US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US11817840B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
US11824520B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-11-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US11831289B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11901876B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
US11901874B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with half-lambda dielectric layer |
US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
US11936361B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US11949399B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
US11949403B2 (en) | 2019-08-28 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US11955952B2 (en) | 2019-06-24 | 2024-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solidly-mounted transversely-excited bulk acoustic resonator split ladder filter |
US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US11967942B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
US11984872B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
US11984868B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
US11990888B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonator using YX-cut lithium niobate for high power applications |
US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
US11996826B2 (en) | 2020-02-18 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with thermally conductive etch-stop layer |
US12015393B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
US12021496B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US12028040B2 (en) | 2020-07-18 | 2024-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
US12034428B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic filter using pitch to establish frequency separation between resonators |
US12040781B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
US12040778B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency, high power film bulk acoustic resonators |
US12081187B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US12088280B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
US12088270B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method |
US12088272B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US12095446B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US12113512B2 (en) | 2021-03-29 | 2024-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Layout of XBARs with multiple sub-resonators in parallel |
US12119805B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Substrate processing and membrane release of transversely-excited film bulk acoustic resonator using a sacrificial tub |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5239741B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2013-07-17 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
JP2012060422A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
US9893264B2 (en) | 2012-06-15 | 2018-02-13 | Carnegie Mellon University | Method for forming a suspended lithium-based membrane semiconductor structure |
JP6441590B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2018-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
CN107431471B (zh) * | 2015-03-27 | 2020-10-13 | 株式会社村田制作所 | 弹性波谐振器、弹性波滤波器以及双工器 |
US20170104470A1 (en) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Interdigitated transducers and reflectors for surface acoustic wave devices with non-uniformly spaced elements |
KR102645422B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2024-03-07 | 가부시키가이샤 와이솔재팬 | 탄성 표면파 장치, 듀플렉서, 및 빗형 전극 |
US20210273629A1 (en) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
US20220116020A1 (en) | 2020-04-20 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Low loss transversely-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US12003226B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63135010A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-07 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
JP2000188521A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-07-04 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置及び2ポ―ト弾性表面波共振子 |
JP2004363641A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0815247B2 (ja) | 1985-03-27 | 1996-02-14 | 日本電気株式会社 | 弾性表面波装置 |
US5189330A (en) * | 1989-08-16 | 1993-02-23 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
JP2938478B2 (ja) | 1989-10-24 | 1999-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
GB2296614B (en) * | 1994-12-23 | 1999-09-15 | Advanced Saw Prod Sa | Saw filter |
JP3310132B2 (ja) | 1995-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波装置及びそれを用いたアンテナ分波器 |
JP3379383B2 (ja) | 1997-05-29 | 2003-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置 |
DE19849782B4 (de) | 1998-10-28 | 2004-09-30 | Epcos Ag | Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen |
DE10111959B4 (de) | 2001-03-13 | 2014-11-20 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitende Wandlerstruktur |
JP2003258595A (ja) | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置 |
JP4049034B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、通信装置 |
JP4059152B2 (ja) | 2002-10-16 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子 |
JP2005204042A (ja) | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子および弾性表面波フィルタ |
KR20110089267A (ko) * | 2008-10-24 | 2011-08-05 | 엡슨 토요콤 가부시키 가이샤 | 탄성 표면파 공진자, 탄성 표면파 발진기 및 탄성 표면파 모듈 장치 |
JP5239741B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2013-07-17 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
WO2010047113A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
WO2010047114A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
-
2008
- 2008-10-24 JP JP2008273971A patent/JP5239741B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-21 US US12/603,225 patent/US8084917B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-11-29 US US13/305,880 patent/US8736140B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63135010A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-07 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
JP2000188521A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-07-04 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置及び2ポ―ト弾性表面波共振子 |
JP2004363641A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子 |
Cited By (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014208664A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
JP5835765B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2015-12-24 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
JPWO2014208664A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-02-23 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
US9800225B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-10-24 | River Eletec Corporation | Elastic wave device |
JP2015032889A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 日本電波工業株式会社 | 弾性表面波素子、発振器及び電子部品 |
JP2017523642A (ja) * | 2014-08-19 | 2017-08-17 | スナップトラック・インコーポレーテッド | 音響表面波で動作する1ポート共振器 |
WO2017131170A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器および通信装置 |
JPWO2017131170A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2018-02-08 | 京セラ株式会社 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器および通信装置 |
US10389363B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-08-20 | Seiko Epson Corporation | Oscillator, electronic apparatus, and vehicle |
JP2018026695A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社日本製鋼所 | 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波デバイスおよび接合基板の製造方法 |
JP6998650B2 (ja) | 2016-08-10 | 2022-01-18 | 株式会社日本製鋼所 | 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波デバイスおよび接合基板の製造方法 |
JP2018032904A (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 京セラ株式会社 | 容量素子、弾性波素子および弾性波モジュール |
JP2018182460A (ja) * | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
CN108428783A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-21 | 济南大学 | 一种纵向梯度压电纤维复合材料及其制备方法 |
CN108428783B (zh) * | 2018-03-16 | 2023-02-14 | 济南大学 | 一种纵向梯度压电纤维复合材料及其制备方法 |
US11949399B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
US11984868B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
US11817840B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
US11824520B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-11-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US11831289B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US12119808B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
US11901874B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with half-lambda dielectric layer |
US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
US12119805B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Substrate processing and membrane release of transversely-excited film bulk acoustic resonator using a sacrificial tub |
US11923821B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-03-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11929735B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
US12095448B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method |
US11929727B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11936361B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US12095446B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US11942922B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-03-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US12088272B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US12088280B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
US12081187B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US12040778B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency, high power film bulk acoustic resonators |
US12040781B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US11967942B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
US12034428B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic filter using pitch to establish frequency separation between resonators |
US11984872B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
US12021502B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-mark electrodes and optimized electrode thickness |
US11990888B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonator using YX-cut lithium niobate for high power applications |
US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
US12021503B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized piezoelectric plate thickness and having multiple pitches and marks |
US12021504B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a front-side dielectric layer and optimized pitch and mark |
US12015393B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
US12119798B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method |
US12095438B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method |
US12095437B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US12088270B2 (en) | 2019-04-05 | 2024-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method |
US12113517B2 (en) | 2019-06-24 | 2024-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited bulk acoustic resonator split ladder filter |
US11955952B2 (en) | 2019-06-24 | 2024-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solidly-mounted transversely-excited bulk acoustic resonator split ladder filter |
US11949403B2 (en) | 2019-08-28 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US12009804B2 (en) | 2019-08-28 | 2024-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US11996826B2 (en) | 2020-02-18 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with thermally conductive etch-stop layer |
US12081198B2 (en) | 2020-02-18 | 2024-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a back-side dielectric layer and an etch-stop layer |
US12028049B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator filters with sub-resonators having different mark and pitch |
US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
WO2021177108A1 (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 京セラ株式会社 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器、通信装置 |
US11967943B2 (en) | 2020-05-04 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US12028040B2 (en) | 2020-07-18 | 2024-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US12021496B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
US11901876B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
JP7476912B2 (ja) | 2021-02-03 | 2024-05-01 | 株式会社村田製作所 | 音響共振器及びフィルタデバイス |
JP2022119204A (ja) * | 2021-02-03 | 2022-08-16 | レゾナント インコーポレイテッド | マルチマーク・インターデジタル変換器を有する横方向励起フィルムバルク音響共振器 |
US12113512B2 (en) | 2021-03-29 | 2024-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Layout of XBARs with multiple sub-resonators in parallel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8736140B2 (en) | 2014-05-27 |
US20120105165A1 (en) | 2012-05-03 |
US20100102669A1 (en) | 2010-04-29 |
US8084917B2 (en) | 2011-12-27 |
JP5239741B2 (ja) | 2013-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5239741B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 | |
JP5177230B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 | |
JP5163746B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 | |
JP4148294B2 (ja) | 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 | |
JPWO2006137464A1 (ja) | 弾性表面波デバイス、モジュール、及び発振器 | |
JP2007142794A (ja) | 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス | |
JP5163747B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 | |
JPWO2020095586A1 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
JP4148220B2 (ja) | 弾性表面波デバイス、複合デバイス、発振回路およびモジュール | |
JP7493306B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP5158104B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 | |
JP4356773B2 (ja) | 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 | |
JP5488680B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 | |
JP4148216B2 (ja) | 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 | |
JP2007013682A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP4356675B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP2005348269A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP2006229423A (ja) | 弾性表面波素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110729 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110819 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130318 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5239741 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |