JP5835765B2 - 弾性波素子 - Google Patents
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Description
η=Lt/Li
この実施形態の弾性波素子21は、図16に示すように、裏面側に一部が開口した凹部36を有する水晶基板22と、この水晶基板22の表面側に形成される励振電極23とで構成されている。また、前記水晶基板22の裏面側には、前記凹部36に沿って裏面電極24を形成することによって、周波数等の微調整が行えるように構成することもできる。
θ=37.6°〜38.3°、
1.07<H/λ<1.25、
0.00<Hs/λ<0.03、
0.00<Hb<0.05
の範囲に収まるように弾性波素子を設計することによって、
振動モードの位相速度が4500〜6000m/sとなり、
1次温度係数α×10−6が−1.0<α<+1.0、
2次温度係数β×10−8が−1.0<β<+1.0
の範囲内となる良好な板波を発生させることが可能となる。また、板厚がばらついた場合や周波数調整後においても1次温度係数αのばらつきを有効に抑えることが可能となる。
12 水晶基板
13 励振電極
14 裏面電極
15,16 IDT電極
15a,16a ベース電極部
15b,16b 電極指
21 弾性波素子
22 水晶基板
23 励振電極
24 裏面電極
25,26 IDT電極
25a,26a ベース電極部
25b,26b 電極指
31 振動部
32 保持部
33,34 側壁部
35 開口部
36 凹部
Claims (9)
- X軸、Y軸及びZ軸からなる三次元の結晶方位を有する水晶体からY軸及びZ軸をX軸の周りに回転させて切り出され、
右手系のオイラー角(φ,θ,Ψ)で規定される回転角によってカットされ、板厚H/λが0.8<H/λ<1.4の範囲にある水晶基板と、この水晶基板の表面に板波を励振させる少なくとも1つの励振電極とを備える弾性波素子であって、
前記水晶基板は回転角がφ=0±10°、θ=110°〜140°、Ψ=30〜50°の範囲でカットされ、25℃でテイラー展開したときの1次温度係数α×10−6が−1.0<α<+1.0、2次温度係数β×10−8が−1.0<β<+1.0の範囲内にあり且つ位相速度が3500〜4500m/sとなる板波を振動モードとしたことを特徴とする弾性波素子。 - 前記水晶基板の裏面側に周波数の調整を行う裏面電極が形成される請求項1に記載の弾性波素子。
- X軸、Y軸及びZ軸からなる三次元の結晶方位を有する水晶体からY軸及びZ軸をX軸の周りに回転させて切り出され、
右手系のオイラー角(φ,θ,Ψ)で規定される回転角によってカットされ、板厚H/λが1.25以下の水晶基板と、この水晶基板の表面に板波を励振させる少なくとも1つの励振電極とを備える弾性波素子であって、
前記水晶基板は回転角がφ=0±10°、θ=35°〜40°、Ψ=0±10°の範囲でカットされ、25℃でテイラー展開したときの1次温度係数α×10−6が−1.0<α<+1.0、2次温度係数β×10−8が−1.0<β<+1.0の範囲内にあり且つ位相速度が4500m/s〜6000m/sの板波を振動モードとし、
前記励振電極は複数の電極指を有する櫛形電極によって形成され、各電極指間距離に対する一の電極指の幅の比で規定されるメタライゼーションレシオηを0.6<η<0.9の範囲内に設定することによって、前記振動モード以外の不要振動による異常発振を低減させたことを特徴とする弾性波素子。 - 前記水晶基板の裏面側に周波数の調整を行う裏面電極が形成され、この裏面電極の膜厚を0.001<Hb/λ<0.005の範囲内に設定することによって、前記振動モード以外の不要振動による異常発振を低減させた請求項3に記載の弾性波素子。
- X軸、Y軸及びZ軸からなる三次元の結晶方位を有する水晶体からY軸及びZ軸をX軸の周りに回転させて切り出され、
右手系のオイラー角(φ,θ,Ψ)における各回転角がφ=0±10°、θ=35°〜40°、Ψ=0±10°の範囲でカットされ、25℃でテイラー展開したときの1次温度係数α×10−6が−0.5<α<+0.5、2次温度係数β×10−8が−1.0<β<+1.0の範囲内で、位相速度が4500m/s〜6000m/sの板波を振動モードとし、板厚H/λが1.00<H/λ<1.35の範囲にある水晶基板と、
回転後のX軸をX’軸、Y軸をY’軸としたとき、前記Y’軸を法線方向とし、前記板波を励振させる少なくとも1つの励振電極が形成される薄板状の振動部と、
前記X軸及びZ’軸を法線方向とし、前記振動部よりも厚みを有して振動部の周囲を保持する保持部とによって一体形成され、
少なくとも縦波成分を有する振動モードを得ると共に、前記励振電極が複数の電極指を有する櫛形電極によって形成され、各電極指間距離に対する一の電極指の幅の比で規定されるメタライゼーションレシオηを0.6<η<0.9の範囲内に設定することによって、前記振動モード以外の不要振動による異常発振を低減させたことを特徴とする弾性波素子。 - 前記保持部は、X軸又はZ’軸に面した少なくとも一方向が開口しており、少なくとも縦波成分を有する振動モードを得る請求項5に記載の弾性波素子。
- 前記水晶基板の裏面側に周波数の調整を行う裏面電極が形成され、この裏面電極の厚みを調整することで、前記振動モードにおける温度特性を調整する請求項5に記載の弾性波素子。
- 前記振動部及び保持部は、前記水晶基板をY’軸方向に凹設することによって形成される請求項5に記載の弾性波素子。
- 前記励振電極が複数の電極指を有する櫛形電極によって形成され、前記複数の電極指が設けられているエリアに対応した前記水晶基板の裏面側に周波数の調整を行う裏面電極が形成される請求項1,3,5のいずれかに記載の弾性波素子。
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Families Citing this family (9)
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---|---|---|---|---|
JP2016152494A (ja) * | 2015-02-17 | 2016-08-22 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶基板及びこれを用いたsawデバイス |
WO2017077892A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP7033462B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2022-03-10 | NDK SAW devices株式会社 | 弾性表面波デバイス |
JP6939761B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2021-09-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、及び電子部品モジュール |
CN110161371B (zh) * | 2019-05-14 | 2020-05-19 | 华中科技大学 | 一种基于负阻尼转矩的电力系统振荡源定位方法 |
US20220416765A1 (en) * | 2019-09-05 | 2022-12-29 | Changzhou Chemsemi Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonance device and bulk acoustic wave filter |
CN117254781A (zh) * | 2020-04-29 | 2023-12-19 | 株式会社村田制作所 | 弹性波器件和梯形滤波器 |
CN115428330B (zh) * | 2020-04-29 | 2023-09-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波器件 |
GB2598165B (en) * | 2020-08-18 | 2022-08-24 | River Eletec Corp | Acoustic wave device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002152007A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | ラム波型弾性波共振器 |
WO2005099089A1 (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス |
JP2006217566A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-08-17 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波共振子 |
JP2008098974A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Seiko Epson Corp | ラム波型高周波デバイス |
JP2010103803A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
JP2011259348A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | River Eletec Kk | 弾性波素子 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5768925A (en) | 1980-10-17 | 1982-04-27 | Fujitsu Ltd | Piezoelectric device |
JPS59210708A (ja) | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
JPH04306668A (ja) | 1991-04-04 | 1992-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像形成装置 |
JP2003258596A (ja) | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Yasuhiko Nakagawa | ラム波型高周波共振器、これを用いた発振装置、及びラム波を用いた高周波信号生成方法 |
JP2004274696A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置および弾性表面波装置の温度特性調整方法 |
CN1286266C (zh) * | 2002-10-04 | 2006-11-22 | 精工爱普生株式会社 | 弹性表面波器件及其温度特性调整方法 |
JP4465464B2 (ja) | 2004-03-19 | 2010-05-19 | 国立大学法人山梨大学 | ラム波型弾性波素子 |
CN100539411C (zh) | 2004-04-01 | 2009-09-09 | 爱普生拓优科梦株式会社 | 表面声波器件 |
JP2006148622A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置および電子機器 |
CN100477514C (zh) * | 2005-01-07 | 2009-04-08 | 精工爱普生株式会社 | 兰姆波型高频谐振器 |
JP4315174B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2009-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | ラム波型高周波デバイスの製造方法 |
JP4182993B2 (ja) | 2006-06-30 | 2008-11-19 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
CN101641863A (zh) * | 2007-03-15 | 2010-02-03 | 国立大学法人山梨大学 | 兰姆波型弹性波元件 |
JP5090471B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-12-05 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
DE112010000861B4 (de) | 2009-01-15 | 2016-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischenBauelements |
US8952596B2 (en) * | 2009-02-27 | 2015-02-10 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
JP2011171888A (ja) | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Seiko Epson Corp | ラム波型共振子および発振器 |
JP2012060418A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP5768925B2 (ja) | 2014-11-12 | 2015-08-26 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ |
-
2014
- 2014-06-26 WO PCT/JP2014/066981 patent/WO2014208664A1/ja active Application Filing
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- 2014-06-26 CN CN201480033294.6A patent/CN105393455B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002152007A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | ラム波型弾性波共振器 |
WO2005099089A1 (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス |
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