JP2003258596A

JP2003258596A - ラム波型高周波共振器、これを用いた発振装置、及びラム波を用いた高周波信号生成方法

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Publication number: JP2003258596A
Application number: JP2002056024A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiko Nakagawa; 恭彦中川
Original assignee: ARIIZUMI TAKEHIKO
Current assignee: ARIIZUMI TAKEHIKO
Priority date: 2002-03-01
Filing date: 2002-03-01
Publication date: 2003-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】従来技術の方式によるバルク波を用いた共振
器や弾性表面波による共振器では実現が困難な高い周波
数で動作し、かつ素子の小型化が可能な高周波共振器を
提供する。また、この高周波共振器を用いた発振デバイ
スを提供すること。【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板の片面上に形
成され、前記圧電基板中を伝搬するラム波を励振するす
だれ状電極と、前記すだれ状電極の両側に設けられ、前
記ラム波を反射する反射器とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、通信デバイス、
コンピュータ等に用いられる高周波共振器、これを用い
た発振装置、及び高周波信号生成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】圧電材料を用いた共振器は、ＬＣ共振器
に比べてＱ値が高く、温度係数が小さく、経時変化も安
定で素子も小型化できるため、情報機器におけるクロッ
ク信号用や各種フィルター用として、種々の用途に合致
した圧電共振器が開発されている。

【０００３】従来の圧電共振器としては、厚みすべり波
を用いた共振器と、弾性表面波を用いたものがある。図
１９に厚みすべり波を用いた共振器の原理を示す。厚み
すべり波を用いる水晶振動子は図１９に示すように表面
の垂直方向（９０°方向）に伝搬するバルク弾性波（体
積波）を利用している。厚みすべり波の周波数は圧電基
板（水晶板）の厚さ（Ｈ）で決定される。

【０００４】このため、厚みすべり波を用いた共振器の
共振周波数を数百メガヘルツ以上の周波数で動作させる
ためには、厚さを３μｍ以下にしなければならない。そ
のための加工方法や平面度及び平行度をあげる高度な加
工技術の開発が要求されるという問題がある。

【０００５】また、仮に圧電基板（水晶板）薄く加工で
きても、電気的に励振するための電極の厚みのために動
作周波数が30〜40％も低下してしまうという問題があ
る。例えば、H=1.66μmに加工したＡＴカット水晶板の
共振器において、電極を付着させる前の共振周波数1000
MHzであったものが、両面に金電極を蒸着させると、周
波数が634MHzに下がる。

【０００６】他方、固体の表面に沿って伝搬する弾性波
を用いた弾性表面波共振器では横波より遅い弾性波であ
る表面波を使用している。一般的に表面波は横波の約９
０％の速度と遅い。

【０００７】弾性表面波は半無限弾性体の表面に沿って
伝搬する表面波を利用している。弾性表面波は表面に伝
搬する。周波数は速度（Ｖ）に比例し波長（λ）に反比
例するため、周波数を上げるためには電極の周期を微細
にしなければならないという問題がある。

【０００８】弾性表面波共振器では反射器を用いて共振
周波数を生成している。グレーティングによる弾性表面
波反射器の反射は、表面の電極の電気的効果及び弾性的
摂動効果で起こる。

【０００９】ここで、電気的効果とは、圧電基板上の弾
性表面波速度は表面が薄い金属で覆われた(電気的に短
絡)場合、圧電気効果により表面近傍の弾性定数が少し
小さくなり、その結果、弾性表面波の速度が低下する効
果である。そのために、表面が電気的に短絡された部分
と金属薄膜で覆われていない部分（電気的に自由）の弾
性表面波の速度が異なり、この速度差によって弾性表面
波の反射が起こる。

【００１０】弾性的摂動効果とは、弾性表面波伝搬路上
が波長に比べて無視できない厚さの金属の層で覆われた
場合に速度が遅くなる効果である。薄膜を上面に設ける
と金属薄膜中にも弾性波が進入する。その薄膜中の弾性
波速度は薄膜の膜厚と弾性定数で決まるために、基板中
を伝搬する弾性波速度とは異なり、一般に基板より質量
が大きい金属の場合はその速度低下が大きい。その結
果、両領域の速度の中間の大きさの速度で弾性表面波は
伝搬する。そのために、表面が金属薄膜で覆われている
部分（弾性的摂動効果）と覆われていない部分の弾性表
面波の速度が異なる。この速度差によって弾性表面波の
反射が起こる。

【００１１】圧電基板は半無限基板であるから弾性的摂
動効果が小さく、反射係数は一般に小さい。例えば、電
極の材料がアルミニウムであり、圧電基板が水晶である
ときの弾性表面波反射器の反射係数は、一波長あたり
（反射器２本分）高々０．５５％である。そのため、反
射器の本数は最低でも700本以上必要であり、素子の小
型化が望めないという問題がある。

【発明が解決しようとする課題】

【００１２】従来技術の方式によるバルク波を用いた共
振器や弾性表面波による共振器では実現が困難な高い周
波数で動作し、かつ素子の小型化が可能な高周波共振
器、この高周波共振器を用いた発振デバイス、および高
周波信号生成方法の提供を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【００１３】本発明のラム波型高周波共振器は、圧電基
板の片面上にラム波を励振するすだれ状の電極を形成
し、このすだれ状電極の両側に反射器を形成したラム波
型高周波共振器である。ラム波は、波長に比較して５波
長以下の厚さの板中を斜め約４５°方向に伝搬する弾性
波であり、位相速度が速いので共振器の周波数を高くす
ることができる。

【００１４】圧電基板の厚さＨとすだれ状電極が励振す
るラム波の波長λが、０＜（２Ｈ／λ）≦１０の式を満
足する場合は、ラム波の励振を効率的に行うことができ
る。また、ラム波の効率的な励振は、圧電基板の電気機
械結合係数ｋ² が０．００７％を越えている場合であ
る。

【００１５】すだれ状電極の一周期長とラム波の波長λ
とは共振時において一致する。圧電基板がＡＴカット水
晶であれば、共振周波数の温度特性が優れているため安
定した高周波共振器となる。

【００１６】反射器の材料は、アルミニウム、金、又は
クロムのいずれでもよい。この反射器の材料がアルミニ
ウムの場合であって、ラム波を励振するすだれ状電極の
一周期長λが１０μｍの場合、すだれ状電極の両側に設
ける反射器のうち、一つの反射器の本数は６７本でよ
い。ラム波は弾性表面波に比較して反射係数が大きいた
めである。この結果、共振器を小型化できる。

【００１７】同様に、反射器の材料が、金の場合であっ
て、ラム波を励振するすだれ状電極の一周期長λが５μ
ｍの場合、すだれ状電極の両側に設ける反射器のうち、
一つの反射器の本数は７本でよい。

【００１８】反射器の厚さｈは、すだれ状電極の一周期
長λが１０μｍの場合は、少なくとも０．５μｍ以上で
あり、前記λが５μｍの場合は、少なくとも０．２μｍ
以上であれば、反射係数γを２〜３％以上とすることが
でき共振器を小型化できる。

【００１９】本発明の高周波共振器はコルピッツ型発振
回路に組み込むことにより高周波発振装置となる。

【００２０】本発明は、圧電基板の厚さＨと前記圧電基
板の片面上に形成されたすだれ状電極が励振するラム波
の波長λとが、０＜（２Ｈ／λ）≦１０を実質的に満足
すれば、前記すだれ状電極によりラム波を励振すること
ができ、前記すだれ状電極の両側に形成された反射器に
より前記ラム波を反射させることにより高周波信号を生
成することができる。また、共振時において、すだれ状
電極の一周期長とラム波の波長λとは一致する。この方
法により、従来、圧電基板の厚さＨが２０μｍでは実現
できなかった高周波信号を生成できる。

【発明の実施の形態】

【００２１】ラム波は、ラム波の波長に比較して５波長
以下の厚さの基板中を表面方向に沿って伝搬する弾性波
である。別名板波とも言われている。基板中を伝搬する
ラム波の分散曲線と電気機械結合係数（ｋ２）について
理論解析を行い、ラム波を用いた高周波共振器の必要条
件を求めた。

【００２２】１.圧電基板中を伝搬するラム波の伝搬特
性（１）ラム波の分散曲線について図１は解析モデルの座標系を示したものである。圧電基
板は、ＡＴカットの水晶、厚さH＝２０μmと、伝搬方向
Ｘ₁ のラム波について解析した。運動方程式と圧電基本
式を用い波動の一般解を求め、得られた一般解に次の境
界条件を課し、ラム波の位相速度と波長とを求めた。こ
こで、波長は共振器の動作周波数が共振状態なら、すだ
れ状電極の一周期長に一致する。従って、以降ラム波の
波長をλで表記する。

【００２３】境界条件は、上下の両面で応力＝０、電
気的に開放（表面に電極を設けない）。上面で応力＝
０、電気的に短絡（表面に極薄電極を設ける）及び下面
で応力＝０、電気的に開放（表面に電極を設けない）の
2条件である。

【００２４】図２はATカット水晶基板中をＸ軸（水晶の
結晶軸）方向に伝搬するラム波の分散曲線の計算結果を
示したものである。縦軸は、の境界条件からもとまる
位相速度V_fから求めたラム波の周波数を、横軸は２Ｈ/
λを示す。図２に示す通り、周波数1000MHzを越えるラ
ム波が理論上存在することが分かる。ここで、縦軸は周
波数、横軸は２Ｈ/λである。

【００２５】（２）電気機械結合係数について圧電基板上にすだれ状電極を設けることにより、ラム波
を励振することができる。電気的励振の効率に比例する
係数として、電気機械結合係数ｋ² が定義されている。
ラム波励振に関しても、次式で電気機械結合係数ｋ² を
定義できる。ここでV_fはの境界条件から求まる位相速
度、V_s はの境界条件から求まる位相速度である。ｋ²＝２（V_f−V_s）／V_f

【００２６】図３は、圧電基板をＡＴカット水晶と仮定
し、Ｘ軸方向に伝搬するラム波に対する、電気機械結合
係数（ｋ² ）と2H/λの関係を示したものである。図３
に示す通り、２Ｈ/λ＞１０では、電気機械結合係数
（ｋ² ）が０．００７％を越えるラム波は非常に少なく
なる。

【００２７】図４は、ＡＴカット水晶基板をＸ軸方向に
伝搬するラム波に対する電気機械結合係数ｋ² の計算結
果を示したものである。横軸は周波数、縦軸は電気機械
結合係数ｋ² である。図４に示す通り、電気機械結合係
数（ｋ² ）が０．００７％以上のラム波が存在する。

【００２８】２．ラム波を反射するグレーティング反射
器についてグレーティング反射器（以下、反射器）は、すだれ状電
極と反射器の弾性的摂動効果を利用するものである。反
射器の反射係数（γ）が大きいほど反射器の本数を減ら
すことができ、共振器の小型化が実現できる。

【００２９】（１）弾性的摂動効果の大きさについてラム波を反射する反射器の弾性的摂動効果について理論
解析を行った。図５は、解析モデルのラム波反射器の断
面を示したものである。圧電基板（ＡＴカット水晶）の
厚さをＨ、反射器の厚さをｈとし、表面に反射器がある
部分のラム波の位相速度をV_m、電極のない部分の位相速
度をV_fとする。

【００３０】弾性表面波反射器の理論によるラム波の波
長λ当たりの反射係数γ（反射器（金属ストリップ）２
本分）の反射量）は、次式で与えられる。γ＝２（V_f−
V_m）／V_f

【００３１】V_fは図１に示した解析モデルである表面に
電極が存在しない場合のラム波の伝搬特性理論からもと
まる。V_mは図６の解析モデルでＸ₁ 方向に伝搬するラム
波の解析から得られる。解析理論は上述した平板中を伝
搬するラム波理論の解析手法と基本的に同じである。

【００３２】位相速度V_mは、反射器の上面、基板の下面
及び基板と反射器の境界面での境界条件から位相速度が
決定される。反射器の厚さｈ及び反射器材料の密度や弾
性定数により、ラム波の位相速度は変化する。

【００３３】反射器がＮ本から構成されているときの反
射器の反射量Rは弾性表面波反射器と同様に、Ｒ＝tanh
（Nγ/２）で与えられる。反射器の反射量R=1とするた
めには、tanh（Nγ/2）＝１から、反射器の本数はおよ
そ、Ｎ≧４/γ、以上あれば十分であることが判明し
た。

【００３４】以上により、共振器の寸法は反射係数γの
大きさで決まり、γが大きいほど素子形状を小さくする
ことが出来ることが判明した。

【００３５】反射量の解析結果を、図７、８，９に示
す。図７は電極がアルミニウムからなる反射器の１波長
当たり（反射器2本分：反射器１本の幅がλ／４）の反
射係数を示したものである。図７に示す通り、Ｈ＝１０
μm,λ＝１０μm、ＡＴカット水晶基板Ｘ軸方向伝搬、
ｆ＝５８０MHzのラム波に対して、ｈ/λ＝０．０６で、
γ＝３．０％を得る。したがって、反射器本数はＮ≧
１３４でよい。

【００３６】従来技術の水晶基板(34°Ｙ-Ｘ水晶)上の
弾性表面波の反射器にアルミニウム（Al）を用いたとき
の反射係数は、γ＝０．５５％であり、反射器の本数は
Ｎ≧727 である。（弾性波素子ハンドブック、ｐ１７
６、オーム社、１９９１年）。これらに比較して、ラム
波を用いると、反射器本数は弾性表面は反射器の約20％
で済み、素子の小型化が行える。

【００３７】図８は、反射器の材料を金、Ｈ=20μm,λ
＝10μm、ＡＴカット水晶基板Ｘ軸方向伝搬のラム波に
ついて、一波長当たり（反射器2本分：反射器１本の幅
がλ／４）の反射率（横軸）と反射器の厚さｈとの関係
について解析結果を示したものである。図８からｈ/λ
＝０．０６でγ=６．０％を得る。従って、反射器本数
は、Ｎ≧６７でよい。

【００３８】図９は、反射器の材料が金、Ｈ=２０μm,
λ＝５μm、ＡＴカット板Ｘ軸方向伝搬のラム波につい
て、一波長当たり（反射器2本：反射器１本の幅がλ／
４分）の反射率γと反射器の厚さｈとの関係について解
析結果を示したものである。図９から、H=20μm,λ＝5
μm、ｆ＝６２４MHzのラム波に対してｈ/λ＝０．０
６、でγ=６０％を得る。従って、反射器本数は、Ｎ≧
７でよい。

【００３９】以上、ラム波型共振器では、電極材料にア
ルミニウムを用いる場合は反射器の本数は、１３４本以
上が目安となり、電極材料に金を用いる場合は７本以上
が目安となる。このように、反射器の本数を極端に減ら
すことができ、素子の大幅な小型化が行える。

【００４０】実施例（ラム波型高周波共振器の製作）１．ラム波の励受信図１０に示す、ＡＴカット水晶、その厚さＨ＝２０μ
m、直径３mmの円形の圧電基板上に、図１０に示す形状
のすだれ状電極を二つ設けたラム波の励受信の素子を製
作した。この素子を用いＸ軸方向伝搬のラム波の励振と
受信の測定を行った。圧電基板上のすだれ状電極形状
は、一周期長λ＝１０μm、電極当たり（片側電極）４
０対、電極の長手方向の長さは１０００μmである。

【００４１】図１１はその電極間の挿入損失（伝送特
性）の周波数依存性の測定結果を示したものである。図
１１より、周波数２９８MHz、３２３MHz、５７９MHzに
受信振幅の大きな応答が見られる。これは、これらの周
波数のラム波が強く励振、受信されたことを示してい
る。この結果は、図４の電気機械結合係数ｋ² の計算結
果と非常に良く符合している。すなわち、図４中電気機
械結合係数ｋ² の値が０．００７％以上の周波数のラ
ム波について励振がされたことを示している。

【００４２】次に、ＡＴカット水晶基板Ｙ’軸方向（Ａ
Ｔカット面内でＸ軸に直角な方向）伝搬のラム波を用い
た励振受信特性を測定した。図１２は、ＡＴカット水晶
基板上をＹ’軸方向に伝搬するラム波に対する電気機械
結合係数ｋ² の計算結果を示したものである。

【００４３】図１３は、すだれ状電極間の挿入損失（伝
送特性）の周波数依存性の測定結果を示したものであ
る。周波数５１１MHz、５３４MHzに大きな応答が得られ
ている。これは、これらの周波数のラム波が強く励振、
受信されたことを示している。この結果は、図１２の電
気機械結合係数ｋ² の計算結果と非常に良く符合してい
る。

【００４４】このように、図１０に示す励受信素子を用
いた測定により、ＡＴカット水晶薄板中を伝搬するラム
波の伝搬特性の解析結果を実験的に証明することができ
た。

【００４５】２．高周波共振器の製作図１４はラム波型高周波共振器の一実施例の概観図を示
したものである。圧電基板１０は、ＡＴカット水晶、厚
さＨ＝２０μmである。この圧電基板の上面に、アルミ
ニウムを蒸着させ、すだれ状電極（ラム波励振電極の一
周期長λ＝１０μm）を形成した。すだれ状電極の厚さ
は、ｈ=１μm、対数Ｎ＝３０とした。なお、２Ｈ/λは
４であり、これは０＜（２Ｈ／λ）≦１０の関係を満た
す。

【００４６】図１４に示す反射器の電極材料はアルミニ
ウムとした。反射器は一本の幅がすだれ状電極の一周期
長λの１／４とし、反射体の間隔もλ/４とした。反射
器が、Ｎ本の反射器から構成されているときの反射器の
全反射量は、Ｒ＝tanh（Ｎγ/２）の式で与えられる。

【００４７】γは一波長当たり（反射体2本分）のラム
波の反射係数である。反射器の反射量をR=1とするため
には、tanh（Ｎγ/２）＝１から、反射器の本数は、Ｎ
≧４/γを満たす必要がある。これより、反射器の本数
を１３４とした。

【００４８】ラム波の伝搬方向はＡＴカット水晶基板上
のＸ軸方向伝搬と、ＡＴカット水晶基板上のＹ’軸方向
（ＡＴカット面内でＸ軸に垂直な方向）の２通りがあ
る。本実施例においては、Ｘ軸方向に伝搬するラム波を
反射するように反射器を設置した高周波共振器と、Ｙ’
軸方向に伝搬するラム波を反射するように反射器を設置
した２例の高周波共振器を製作した。

【００４９】図１５はラム波型高周波共振器の断面を示
したものである。ＡＴカット水晶体（Ｈ＝20μm）の圧
電基板上のすだれ状電極（ｈ＝１．０μm）の両側にそ
れぞれ、電極幅がλ/４、反射器２本がλとなるように
反射器１３４本を形成した。

【００５０】図１４に示すラム波型共振器は、すだれ状
電極を一端子対回路とみなすことが出来る。その一端子
対回路のアドミッタンスの周波数依存性の測定結果を図
１６，１７に示す。

【００５１】図１６はＸ軸方向伝搬のラム波の共振特性
の測定結果を示す。ｆ=３０５MHzに強い共振を得てい
る。図１７は、Ｙ’軸方向伝搬ラム波の共振特性の測定
結果を示す。ｆ＝５０９MHzに強い共振を得ており、こ
の素子の共振の鋭さを表す指数Ｑ値は、図１７に示すｆ
₁ ＝５０８．６ＭＨｚとｆ₂ ＝５０８．７７から約3000
である。

【００５２】以上の実施例の結果、共振周波数は、同一
厚さのＡＴカット基板の厚みすべり振動子の基本動作周
波数の４〜１２倍である。また水晶ＳＴ基板上の弾性表
面波共振器周波数に比べても、３倍の高周波である。

【００５３】圧電基板に直径3mmの円板を用いることに
より、反射器を通過してしまったラム波の反射波の反射
方向はランダムな方向になり、その結果すだれ状電極に
は受信されない。その結果、共振特性に悪い影響（スプ
リアス）を与えないメリットがある。

【００５４】図１８にラム波型共振器を組み込んだコル
ピッツ形発振器の応用例を示す。ラム波型共振器は、動
作特性が水晶振動子と動作特性と極めてよく似ており、
水晶振動子を組み込んだ発振回路が基本的に利用でき
る。

【００５５】

【発明の効果】従来技術の方式によるバルク波振動子や
弾性表面波による共振器では実現が困難な高い周波数で
動作する振動子が実現できた。従来技術の厚み振動子と
同じ板厚ならば、４〜１２倍の高周波で動作する。

【００５６】従来技術の方式によるバルク波振動子で
は、数ミクロン以下に薄くした場合、せっかく高周波化
しても励振電極を両面に付けるために、その質量効果で
動作周波数が３０％〜４０％低下してしまう問題点があ
った。本発明により、ラム波が基板の面内方向に伝搬す
ることと、片面だけに電極を付着させればよいので周波
数の低下はほとんど起きない。

【００５７】ラム波は薄い板中を伝搬するために、表面
に付着させる電極（アルミニウム、金）の弾性的摂動効
果が非常に大きくなる。そのため、ラム波の反射器の反
射係数を大きくすることが可能であり、一波長当たり容
易に３〜６０％にすることができた。

【００５８】圧電基板上の弾性表面波反射器の反射係数
はアルミニウムを用いた場合、高々０．５５％であり、
水晶基板上の弾性表面波反射器の本数は最低でも７００
本以上必要である。これを本発明により、電極材料にア
ルミニウムを用いる場合は１３４本で実現できた。ま
た、電極材料に金を用いる場合は７本で実現できる。

【００５９】このように、反射器の本数を極端に減らす
ことができた結果、素子の大幅な小型化が実現できた。
また、電極に金も使用できるので、水晶振動子の場合と
同様に、素子の経年変化を極端に低く抑えることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】ラム波解析モデルの座標系を示した図。

【図２】ラム波の分散曲線の計算結果を示した図。

【図３】圧電基板としてＡＴカット水晶板と仮定し、Ｘ
軸方向に伝搬するラム波に対する、電気機械結合係数ｋ
² と2H/λの関係を示した図。

【図４】電気機械結合係数ｋ² とＸ軸方向に伝搬するラ
ム波に対する電気機械結合係数の計算結果を示した図。

【図５】解析モデルのラム波反射器の断面を示した図。

【図６】Ｘ₁ 方向に伝搬するラム波の解析モデルを示し
た図。

【図７】電極がアルミニウムからなる反射器の一波長当
たり（反射器2本分）の反射係数を示した図。

【図８】反射器の電極を金とした場合の一波長当たり
（反射器2本分）の反射係数の解析結果を示した図。

【図９】反射器の電極が金であり、ラム波がＡＴカット
板Ｘ軸方向伝搬の場合の一波長当たり（反射器2本分）
の反射係数の解析結果を示した図。

【図１０】ラム波の励受信素子。

【図１１】電極間の挿入損失（伝送特性）の周波数依存
性の測定結果を示した図。

【図１２】ＡＴカット水晶基板上をＹ’軸方向に伝搬す
るラム波に対する電気機械結合係数の計算結果を示した
図。

【図１３】すだれ状電極間の挿入損失（伝送特性）の周
波数依存性の測定結果を示した図。

【図１４】ラム波型高周波共振器の一実施例の概観図。

【図１５】ラム波型共振器の断面。

【図１６】Ｘ軸方向伝搬のラム波の共振特性の測定結果
を示した図。

【図１７】Ｙ’軸方向伝搬ラム波の共振特性の測定結果
を示下図。

【図１８】ラム波型共振器を組み込んだコルピッツ形発
振器。

【図１９】厚みすべり波を用いた共振子の原理を示した
図。

【符号の説明】

１ラム波型高周波共振器１０圧電基板（ＡＴカット水晶）１１すだれ状電極１２１３反射器１４１５電極端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板と、前記圧電基板の片面上に形成され、前記圧電基板中を伝
搬するラム波を励振するすだれ状電極と、前記すだれ状電極の両側に設けられ、前記ラム波を反射
する反射器とを備えたラム波型高周波共振器。
【請求項２】前記圧電基板の厚さＨと前記すだれ状電極
が励振するラム波の波長λとが、０＜（２Ｈ／λ）≦１
０の式を実質的に満足する請求項１に記載のラム波型高
周波共振器。
【請求項３】前記すだれ状電極の一周期長は前記ラム波
の波長λと一致する請求項１または請求項２に記載のラ
ム波型高周波共振器。
【請求項４】前記圧電基板中を伝搬するラム波の電気的
励振効率である電気機械結合係数ｋ ² は、少なくとも
０．００７％である請求項１から請求項３のいずれかに
記載のラム波型高周波共振器。
【請求項５】前記圧電基板はＡＴカット水晶である請求
項１から請求項４のいずれかに記載のラム波型高周波共
振器。
【請求項６】前記反射器の材料は、アルミニウム、金、
又はクロムのいずれかである請求項１から請求項５のい
ずれかに記載のラム波型高周波共振器。
【請求項７】前記反射器の本数は、反射器の材料がアル
ミニウムであり、前記すだれ状電極の一周期長が１０μ
ｍの場合は、前記すだれ状電極の片側に少なくとも６７
本、反射器の材料が金であり、前記一周期長が５μｍの
場合は、前記すだれ状電極の片側に少なくとも７本形成
した請求項１から請求項６のいずれかに記載のラム波型
高周波共振器。
【請求項８】前記反射器の厚さｈは、前記一周期長が１
０μｍの場合は、少なくとも０．５μｍ以上であり、前
記一周期長が５μｍの場合は、少なくとも０．２μｍ以
上である請求項１から請求項７のいずれかに記載のラム
波型高周波共振器。
【請求項９】請求項１から請求項８のいずれかに記載の
ラム波型高周波共振器を備えた発振装置。
【請求項１０】圧電基板の厚さＨと、前記圧電基板中を
伝搬するラム波の波長λとが、０＜（２Ｈ／λ）≦１０
を実質的に満足し、前記すだれ状電極により前記ラム波を励振し、前記すだれ状電極の両側に形成された反射器により前記
ラム波を反射させることにより高周波信号を生成するこ
とを特徴とするラム波を用いた高周波信号生成方法。
【請求項１１】前記すだれ状電極の一周期長は前記ラム
波の波長と一致することを特徴とする請求項１０に記載
の高周波信号生成方法。