JP2011114397A - ラム波型弾性波素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】化学的ウエットエッチング方式が適用可能なオイラー角の水晶基板を用いた高周波共振器の提供。
【解決手段】水晶基板1上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極2又は該電極2と反射器3が配置され、該水晶基板1のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示(λ,μ,θ)で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。
【選択図】図1
【解決手段】水晶基板1上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極2又は該電極2と反射器3が配置され、該水晶基板1のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示(λ,μ,θ)で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。
【選択図】図1
Description
本発明は、共振器や周波数フィルタ等に用いる振動素子に関し、とくに水晶基板内のラム波型弾性波を利用した、きわめて安定な周波数温度特性を持つ弾性波素子に関する。
水晶は、物理的、化学的にきわめて安定した結晶であり、経年変化が少ないことから、水晶振動子として古くから広く用いられてきた。水晶振動子は、水晶の結晶の機械的な共振振動を、圧電現象を介して安定な電気振動として取り出す電子部品であり、電子回路が動作するための基準クロックとして必要不可欠な存在である。また、水晶振動子は、発振器やフィルタなどにおける周波数の標準として広く用いられており、情報通信機器のみならずほとんどあらゆる電子機器に利用されている。このように水晶振動子が広く用いられる理由は、温度変化に伴う周波数変化が、他の電子部品に比べて非常に小さいことにある。
振動子や共振器を電子デバイスに用いる場合に、振動子の周波数温度特性はきわめて重要な特性であり、その改善のためにさまざまな努力が積み重ねられてきた。現在最も安定した周波数温度特性を有する振動子基板は、バルク波(厚みすべり波)を用いるATカット水晶基板である。ATカット水晶振動子の一般化した周波数温度特性は3次関数の特性を示し、通常の使用温度範囲(−20℃〜+80℃)において、周波数変化量はおおよそ12ppmと小さな値である。
また、表面弾性波を用いる水晶振動子も広く普及しているが、一般に周波数温度特性が劣るという欠点がある。例えば、表面弾性波用基板として広く用いられているSTカット水晶では、周波数温度特性は2次関数の特性を示し、その周波数変化量はATカット水晶の10倍近い値になる。
一方、従来のバルク波や表面弾性波と異なる弾性波を用いる振動素子として、本発明者らは先にラム波型弾性波を用いた高周波共振器を提案している(特許文献1、特許文献2)。
しかし、これらの文献に記載されている周波数温度特性は、従来のATカット水晶振動子に比して約1/8、−20℃から+80℃に範囲での周波数変化量(Δf/f)は、1.7ppm程度であり、1チャネルの帯域が百ギガヘルツ以上となると、周波数変化が数十KHZとなりチャネル間の干渉が起こる可能性がある。
しかし、これらの文献に記載されている周波数温度特性は、従来のATカット水晶振動子に比して約1/8、−20℃から+80℃に範囲での周波数変化量(Δf/f)は、1.7ppm程度であり、1チャネルの帯域が百ギガヘルツ以上となると、周波数変化が数十KHZとなりチャネル間の干渉が起こる可能性がある。
そこで、本発明者は周波数温度特性の良い水晶基板内のラム波型弾性波を利用したラム波型弾性波素子を提案している(特許文献3)。ここでは水晶基板の厚みHとすだれ状電極の周期長Λとの比H/Λを1.7〜2.3としている。しかし、特許文献3で示されるカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向を示すオイラー角の水晶基板は、その板厚を薄くするに際し、水晶の結晶構造上化学的なウエットエッチング方式が適用できず、機械研磨又は研削によらなければならない。結晶表面上に三角錘状のエッチピットが生じるため、水晶基板厚を40μm以下にすることができないという問題があった。これを解決する試みが特許文献4であり、周波数温度特性が良好であるが最良の範囲はH/Λが0.9から1.1である。また、現在すでに極薄加工技術の確立されているATカット板近傍から少し離れていることから、極薄加工(厚さ5〜10μm)技術の開発が遅れており、ラム波型共振子の周波数の高周波化が進んでいない。このため、現在すでに極薄加工技術の確立されているATカット板近傍の新超温度安定性基板の探索が急務であった。
そこで本発明は、現在すでに極薄加工技術の確立されているATカット板のカット技術が適用でき、かつ、現在最も周波数温度特性の良いラム波型弾性波を用いた高周波共振器の周波数変化量と同等の振動子の提供を課題としている。さらに周波数温度特性の良い条件探索を実施するため、より小さいH/Λ<1.0 の範囲に限定して特に0.5以下の探索を行なった。
本発明の弾性波素子はラム波を利用する。ラム波は、波長に比較して同程度か又はそれ以下の厚みの基板中を表面方向に沿って伝搬する弾性波で、別名「板波」とも呼ばれる。基板の板厚がラム波の波長の5倍程度以下の時に、ラム波を効率良く発生させることができることが知られている。ラム波を利用した高周波共振器は、圧電基板の片面上にラム波を励振するすだれ状電極(IDT,Inter Digital Transducer)と、その両側に反射器を配置することによって構成される。この共振器の動作周波数fは、ラム波の位相速度Vとラム波の波長(=電極の周期長Λ)とから、f=V/Λとして求められる。
本発明者らは、ラム波の位相速度について理論解析を行い、水晶結晶の材料定数の温度依存性に基づいて、動作周波数fの温度特性の理論計算を行なった。ATカット水晶基板について、この温度特性の計算値と測定値の対比を検討したところ、両者は良好な一致を示し、この理論計算法が適切なことが確かめられた。また、結晶の材料定数は、カット面やラム波の伝搬の方向によって変わるので、これらを種々に変えて、周波数温度変化率Δf/fの値が小さくなる条件を探索したところ、ラム波のΔf/fの値がきわめて小さくなる範囲があることを知見した。
この知見に基づく本発明の請求項1に記載のラム波型弾性波素子は、水晶基板上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極又は該電極と反射器が配置され、該水晶基板のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示(λ,μ,θ)で下記(1)式から(6)式のいずれかを満たすように構成されていることを特徴とする。
(1)λ=−2°〜−2°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(2)λ=118°〜122°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(3)λ=238°〜242°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(4)λ=−2°〜−2°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0°
(5)λ=118°〜122°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0°
(6)λ=238°〜242°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0°
すなわち、λ=−2°〜−2°,μ=127.0°〜131.0°の範囲内にあるカッ
ト面上にすだれ状電極等が、θが147.0°〜151.0°の伝搬方向でラム波型弾性波を発生させる配置で設けられていることを特徴とするものであり、また、λ=−2°〜−2°,μ=123.0°〜127.0°の範囲内にあるカット面上にすだれ状電極等が、θが65.0°〜69.0°の伝搬方向でラム波型弾性波を発生させる配置で設けられていることを特徴とするものである。
ここで、上記(1)オイラー角のλに対して、(2)のλは120°回転したものあり、(3)は更に120°回転したオイラー角である。同じく、(4)オイラー角のλに対して、(5)のλは120°回転したものあり、(6)は更に120°回転したオイラー角である。これは、水晶のZ軸回りの対称性によるためであり、3回回転軸の対称性といわれるものである。即ち、3回回転軸とは、オイラー角λの値を0°と120°そして240°としても、同じ物理現象を示すことをいう。
また、λ、μ、θの範囲が±2°となっているのは、オイラー角計算で推定されるオイラー角の最適条件に関しては、各材料定数の測定誤差や結晶物性のバラツキに起因する不確定誤差が含まれる。このため、3 個のオイラー角それぞれに±2 °程度の許容範囲を設定することが好ましいためである。
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載のラム波型弾性波素子において、水晶基板の厚みHと前記すだれ状電極の周期長Λとの比H/Λが0.2〜0.4であることを特徴とする。
請求項3に記載の本発明は、請求項1又は2に記載のラム波型弾性波素子を備えた振動素子である。
請求項4に記載の本発明は、請求項1又は2に記載のラム波型弾性波素子を備えた高周波発振装置である。
(1)λ=−2°〜−2°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(2)λ=118°〜122°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(3)λ=238°〜242°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(4)λ=−2°〜−2°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0°
(5)λ=118°〜122°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0°
(6)λ=238°〜242°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0°
すなわち、λ=−2°〜−2°,μ=127.0°〜131.0°の範囲内にあるカッ
ト面上にすだれ状電極等が、θが147.0°〜151.0°の伝搬方向でラム波型弾性波を発生させる配置で設けられていることを特徴とするものであり、また、λ=−2°〜−2°,μ=123.0°〜127.0°の範囲内にあるカット面上にすだれ状電極等が、θが65.0°〜69.0°の伝搬方向でラム波型弾性波を発生させる配置で設けられていることを特徴とするものである。
ここで、上記(1)オイラー角のλに対して、(2)のλは120°回転したものあり、(3)は更に120°回転したオイラー角である。同じく、(4)オイラー角のλに対して、(5)のλは120°回転したものあり、(6)は更に120°回転したオイラー角である。これは、水晶のZ軸回りの対称性によるためであり、3回回転軸の対称性といわれるものである。即ち、3回回転軸とは、オイラー角λの値を0°と120°そして240°としても、同じ物理現象を示すことをいう。
また、λ、μ、θの範囲が±2°となっているのは、オイラー角計算で推定されるオイラー角の最適条件に関しては、各材料定数の測定誤差や結晶物性のバラツキに起因する不確定誤差が含まれる。このため、3 個のオイラー角それぞれに±2 °程度の許容範囲を設定することが好ましいためである。
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載のラム波型弾性波素子において、水晶基板の厚みHと前記すだれ状電極の周期長Λとの比H/Λが0.2〜0.4であることを特徴とする。
請求項3に記載の本発明は、請求項1又は2に記載のラム波型弾性波素子を備えた振動素子である。
請求項4に記載の本発明は、請求項1又は2に記載のラム波型弾性波素子を備えた高周波発振装置である。
本発明のラム波型弾性波素子の温度依存性は、−20℃〜+80℃の温度範囲において、その周波数変化量がおおよそ1.5ppm以下という小さな値となる。
また、本発明のオイラー角の水晶基板は化学的なウエットエッチング方式が適用可能なうえ、すでに極薄加工技術の確立されているATカット板のカット技術が適用できることから、低コストで製造することができる。
また、本発明のオイラー角の水晶基板は化学的なウエットエッチング方式が適用可能なうえ、すでに極薄加工技術の確立されているATカット板のカット技術が適用できることから、低コストで製造することができる。
このように周波数温度特性の良好な圧電素子基板は、情報通信機器のみならず各種の信号発生器の基準クロックとして用いることができる。
図1は、本発明の実施例であるラム波型高周波共振器の構成を示す模式図で、図1(a)は斜視図、図1(b)は断面図である。発生するラム波の波長と同程度かこれより薄い水晶基板1の表面に、ラム波を励振受信するすだれ状電極2と、弾性的摂動効果を利用する反射器3を図のように配置する。電極の材料としてはアルミニウムを用いることが多く、反射器の材料としては、アルミニウムの他に金、クロム等を用いることができる。この共振器の動作周波数fは、基板1中を伝搬するラム波の(位相速度V/波長)で与えられるが、共振状態では、波長はすだれ状電極2の周期長Λに一致するから、fは次式で与えられる。
f = V/Λ ………(1)
周波数の温度依存性は、式(1)より位相速度の温度依存性V(T)及び基板の膨張係数(Λの温度変化)で決まる。周波数変化の温度特性は、通常基準温度として20℃をとることが多い。したがって、ある温度における動作周波数f(T)と20℃における動作周波数f(20℃)を求めれば、周波数温度変化率Δf/fは下式で与えられる。
周波数の温度依存性は、式(1)より位相速度の温度依存性V(T)及び基板の膨張係数(Λの温度変化)で決まる。周波数変化の温度特性は、通常基準温度として20℃をとることが多い。したがって、ある温度における動作周波数f(T)と20℃における動作周波数f(20℃)を求めれば、周波数温度変化率Δf/fは下式で与えられる。
Δf/f = {f(T)−f(20℃)}/f(20℃) ………(2)
平板中を伝搬するラム波の位相速度は、下記のような理論解析によって求めることができる。図2は解析モデルの座標系を示す図で、基板厚みをHとして、伝搬方向x1の弾性波を解析する。運動方程式と圧電基本式を用い、伝搬方向をx1軸にとって波動の一般解を求める。得られた一般解に境界条件を課して、ラム波の位相速度Vを求めることができる。境界条件は、基板の上面及び下面において応力=0という条件である。
平板中を伝搬するラム波の位相速度は、下記のような理論解析によって求めることができる。図2は解析モデルの座標系を示す図で、基板厚みをHとして、伝搬方向x1の弾性波を解析する。運動方程式と圧電基本式を用い、伝搬方向をx1軸にとって波動の一般解を求める。得られた一般解に境界条件を課して、ラム波の位相速度Vを求めることができる。境界条件は、基板の上面及び下面において応力=0という条件である。
温度Tにおける位相速度の値は、水晶結晶の各材料定数(弾性定数、圧電定数、誘電率、密度)の温度T(℃)での値を用いて理論解析より求められる。各材料定数は、基準温度(通常は20℃)での値と温度係数が測定されている。
結晶基板のカット面および波の伝搬特性を論ずる際には、一般にオイラー角表示が用いられるので、その定義を図3により説明する。同図において、X,Y,Zは結晶軸、x1,x2,x3は座標軸である。図3(a)は、結晶軸と座標軸が一致している場合で、オイラー角表示(λ,μ,θ)のλ,μ,θがいずれも0の場合に相当する。λは「Z軸を回転軸として、X−Y平面を右ねじ方向に(X軸からY軸の方に)回転させる角度」であり、この回転により座標軸x1の方位が定まる(回転後のX軸の位置に相当、図3(b)参照)。μは「x1軸を回転軸として、これに垂直な平面を右ねじ方向に(x2軸からx3軸の方に)回転させる角度」であり、この回転により座標軸x3の方位が定まる(回転後のZ軸の位置に相当、図3(c)参照)。
結晶基板のカット面は、上記のx3軸に垂直な面である。θは波の伝搬方向を定義する角であり、「上記のx3軸を回転軸として、これに垂直な平面を右ねじ方向に(x1軸からx2軸の方に)回転させる角度」であり、この回転により定まるx1軸の方向が波の伝搬方向として定義される(図3(d)参照)。前述した材料定数は結晶基板内の方向によって異なるが、オイラー角表示を用いて、新しい座標系(x1,x2,x3)に対する材料定数を求めることができる。
まず、A T カット水晶のx 1 軸方向のラム波( オイラー角表示で、λ = 0 ° ,μ = 125 .2 5 °,θ = 0 °)の位相速度を計算した結果の例を図4に示す。水晶基板の厚みHは1 0 μ m として計算した。図の縦軸は位相速度V 、横軸は基準化された基板厚み( k H/ π = 2 π H / Λ π = 2 H / Λ )である。位相速度が1 0 , 0 0 0 m / s 以上のものが多く存在し、(1 )式により周波数は容易に1 , 0 0 0 M H z を超えるラム波モードが存在することが分かる。このように、ラム波は位相速度が表面弾性波より大幅に大きいので、ギガヘルツまでの高周波の発振を容易に行いうることが特長である。
室温における一次温度係数を零とするパラメーターを自動的に求められるようプログラムに工夫を加え、通常の使用温度範囲(−20℃〜+80℃)において共振器の周波数の温度依存性が極端に少ない新らたなカットを、ほぼ自動的に探索した。
本発明者らは、現在すでに極薄加工技術の確立されているATカット板のカット技術が適用でき、化学的なウエットエッチング方式が適用可能なオイラー角の水晶基板であって、水晶基板内のラム波において、周波数温度変化率Δ f / f の小さいものを探索すべく、λ , μ , θ の値を種々に変えて、理論計算を行った。その結果、λ=0.0°,
μ=129.3°, θ=148.8°とした場合に、Δ f / f の値がきわめて小さくなることを見出した。
図5 は、λ=0.0°, μ=129.3°, θ=148.8°とした時のΔ f / f と温度の関係を示す図である。ここで、H / Λ = 0.3 として計算した。ここで計算が、計算プログラムの関係で20°C以上で計算結果が得られなかったが、−20〜20°Cの範囲でΔf/fの値は0.24ppmと非常に小さい値であることが分かる。
また、 λ=0.0°, μ=125.6°, θ= 67.0°とした場合にも、Δ f / f の値がきわめて小さくなることを見出した。
図6 は、λ=0.0°, μ=125.6°, θ= 67.0°とした時のΔ f / f と温度の関係を示す図である。ここで、H / Λ = 0.3008として計算した。−20℃ 〜 +80℃ の全範囲において、Δf/fの値は1.17ppm 以下と小さな値であることが分かる。
上記、図5でのオイラー角λ=0.0、 μ=129.3の水晶基板は、従来化学的なウエットエッチング方式が適用可能であるATカット板のλ=0.0°,μ=125.25°に極めて近いカットである。角度は、λ=0で一致し、μ=2.0°の違いであるため、ATカット板ですでに確立されている極薄加工(厚さ5〜10μm)技術が適用できる。さらに、図6でのオイラー角(λ=0.0、 μ=125.6)水晶基板は、従来化学的なウエットエッチング方式が適用可能であるATカット板(λ=0°,μ=125.25°)に非常に近いカットであるため、角度は、λ=0で一致し、μ=125.6°はほぼ一致する。これらにより、ATカット板ですでに確立されている極薄加工(厚さ5〜10μm)技術が適用できる。従って、化学的なウエットエッチング方式により本発明基板の薄型加工が容易に行える。
μ=129.3°, θ=148.8°とした場合に、Δ f / f の値がきわめて小さくなることを見出した。
図5 は、λ=0.0°, μ=129.3°, θ=148.8°とした時のΔ f / f と温度の関係を示す図である。ここで、H / Λ = 0.3 として計算した。ここで計算が、計算プログラムの関係で20°C以上で計算結果が得られなかったが、−20〜20°Cの範囲でΔf/fの値は0.24ppmと非常に小さい値であることが分かる。
また、 λ=0.0°, μ=125.6°, θ= 67.0°とした場合にも、Δ f / f の値がきわめて小さくなることを見出した。
図6 は、λ=0.0°, μ=125.6°, θ= 67.0°とした時のΔ f / f と温度の関係を示す図である。ここで、H / Λ = 0.3008として計算した。−20℃ 〜 +80℃ の全範囲において、Δf/fの値は1.17ppm 以下と小さな値であることが分かる。
上記、図5でのオイラー角λ=0.0、 μ=129.3の水晶基板は、従来化学的なウエットエッチング方式が適用可能であるATカット板のλ=0.0°,μ=125.25°に極めて近いカットである。角度は、λ=0で一致し、μ=2.0°の違いであるため、ATカット板ですでに確立されている極薄加工(厚さ5〜10μm)技術が適用できる。さらに、図6でのオイラー角(λ=0.0、 μ=125.6)水晶基板は、従来化学的なウエットエッチング方式が適用可能であるATカット板(λ=0°,μ=125.25°)に非常に近いカットであるため、角度は、λ=0で一致し、μ=125.6°はほぼ一致する。これらにより、ATカット板ですでに確立されている極薄加工(厚さ5〜10μm)技術が適用できる。従って、化学的なウエットエッチング方式により本発明基板の薄型加工が容易に行える。
一方、同様の計算をAT カット水晶基板内のバルク波( 厚みすべり波) について行なった結果の例を図7に示す。計算結果の周波数変化は、12ppm 程度になり、従来経験的に知られている水晶振動子の周波数温度特性と良く一致する。図5図6と図7 の比較から、図6では、温度範囲 −20°〜+80℃ において周波数変化は僅か1.17ppmである。本発明のラム波型弾性素子の周波数温度特性が従来のA T カット水晶振動子(その周波数温度依存性を図7に示す。温度範囲 -20℃〜+80℃ において周波数変化は12ppmである。)に比して、約 1/10 と非常に周波数変化の少ないことが分かる。
さらに、このような理論計算と実測値の対比を検討するため、水晶基板上に図1に示すようなすだれ状電極と反射器を配したラム波型共振器を作成し、周波数変化の温度依存性を実測した。基板には、直径3 m m 、厚さ1 0 μ m の円盤型A T カット水晶基板を用い、波長が2 0 μ m になるよう電極と反射器を形成した。オイラー角表示で、(λ = 0 ° , μ = 1 2 5 . 2 5 ° , θ = 0 ° ) の場合の理論計算値と測定値の対比を図8に示す。両者は非常に良く一致しており、本発明の根拠となる理論解析の精度が高いことが立証された。
図5に示したカットΛ=0.0°、 μ=129.3°、 θ=148.8°を用いて試料を作製し、共振特性の測定を行った。基板の厚さH=5μm上に一端子対共振器を構成した。波長Λ=16.5μm、すだれ状電極(IDT)対数80.5、IDT交差長1mm、反射器本数100本、パワーフローアングル27.73°である。図10のアドミタンス特性より最小位相は−32.9°であり、最小位相が負となっていることから、この共振器は発振条件を満たすことが分かった。
発振条件を満たすことがわかったのでコルピッツ型発振回路の設計製作と表面実装型ラム波共振器の設計製作を行った。発振スペクトルを図11に示す。
発振条件を満たすことがわかったのでコルピッツ型発振回路の設計製作と表面実装型ラム波共振器の設計製作を行った。発振スペクトルを図11に示す。
また、オイラー角表示で( λ = 0 °,μ =1 2 5 .2 5 ° , θ=90 °) の場合( 図8と同じカット面で、これと直角な方向のラム波) の理論計算値と測定値の対比を図9に示す。図の実線が上記のオイラー角での計算値であるが、測定値とやや相違する。この誤差の原因は、計算に用いた各材料定数の測定誤差や、実験に用いた水晶結晶の物性のバラツキにあると思われる。そこで、λ = 0 °,μ =1 2 6 . 5 ° ,θ = 9 0 ° として計算したのが図の破線である。この破線は測定値と非常に
よく一致している。このことから、計算で推定されるオイラー角の最適条件に関しては、各材料定数の測定誤差や結晶物性のバラツキに起因する不確定誤差が含まれるので、3 個のオイラー角それぞれに±2 °程度の許容範囲を設定することが望ましいと考えられる。
よく一致している。このことから、計算で推定されるオイラー角の最適条件に関しては、各材料定数の測定誤差や結晶物性のバラツキに起因する不確定誤差が含まれるので、3 個のオイラー角それぞれに±2 °程度の許容範囲を設定することが望ましいと考えられる。
なお、最適なオイラー角は次の3通りであることが判明している。
(1)λ=0°,μ=129.0°,θ=149°
(2)λ=120°,μ=129.0°,θ=149°
(3)λ=240°,μ=129.0°,θ=149°
(4)λ=−0°,μ=125.0°,θ=67.0°
(5)λ=120°,μ=125.0°,θ=67.0°
(6)λ=240°,μ=125.0°,θ=67.0°
上記(1)から(6)のいずれにおいてもH/Λ=0.3である。
(1)λ=0°,μ=129.0°,θ=149°
(2)λ=120°,μ=129.0°,θ=149°
(3)λ=240°,μ=129.0°,θ=149°
(4)λ=−0°,μ=125.0°,θ=67.0°
(5)λ=120°,μ=125.0°,θ=67.0°
(6)λ=240°,μ=125.0°,θ=67.0°
上記(1)から(6)のいずれにおいてもH/Λ=0.3である。
1 水晶基板
2 すだれ状電極
3 反射器
2 すだれ状電極
3 反射器
Claims (4)
- 水晶基板上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極又は該電極と反射器が配置され、該水晶基板のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示(λ,μ,θ)で下記(1)式から(6)式のいずれかを満たすように構成されていることを特徴とするラム波型弾性波素子。
(1)λ=−2°〜−2°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(2)λ=118°〜122°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(3)λ=238°〜242°,μ=127.0°〜131.0°,θ=147.0°〜151.0°
(4)λ=−2°〜−2°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0°
(5)λ=118°〜122°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0°
(6)λ=238°〜242°,μ=123.0°〜127.0°,θ=65.0°〜69.0° - 前記水晶基板の厚みHと前記すだれ状電極の周期長Λとの比H/Λが0.2から0.4である請求項1記載のラム波型弾性波素子。
- 請求項1又は2に記載のラム波型弾性波素子を備えた振動素子。
- 請求項1又は2に記載のラム波型弾性波素子を備えた高周波発振装置。
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WO2013172287A1 (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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CN104303417B (zh) * | 2012-05-15 | 2017-09-15 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
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